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KR20240024153A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20240024153A
KR20240024153A KR1020240020137A KR20240020137A KR20240024153A KR 20240024153 A KR20240024153 A KR 20240024153A KR 1020240020137 A KR1020240020137 A KR 1020240020137A KR 20240020137 A KR20240020137 A KR 20240020137A KR 20240024153 A KR20240024153 A KR 20240024153A
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light emitting
display device
disposed
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마한나
김영석
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는, 화소를 포함하는 표시 영역과, 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역과 비표시 영역 상에 배치되는 회로층, 표시 영역에 배치되고, 화소를 정의하는 발광 소자를 포함하는 발광층, 비표시 영역의 회로층 상에 배치되고, 센싱 신호를 송신하는 송신기, 및 송신기와 분리되어 표시 영역에 배치되고, 센싱 신호를 수신하는 수신기를 포함하되, 표시 영역의 회로층에는 발광 소자를 제어하는 화소 제어 회로가 배치되고, 비표시 영역의 회로층에는 송신기를 구동하기 위해 송신기에 전기적으로 접속하는 구동 제어 회로가 배치된다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 센싱 신호 송신부와 수신부가 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역에 분리되어 배치된 표시 장치에 관한 것이다.
스마트 폰과 같은 영상 표시 장치는, 영상을 표시하는 표시부와, 센싱 소자와 각종 구동 소자 등이 배치된 주변부를 포함한다. 상대적으로 영상을 표시하는 표시부의 크기를 키우기 위해서는 주변부의 크기를 작게 할 필요가 있다. 이에 따라, 표시부의 크기를 키우고, 주변부의 크기를 줄이는 방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 영상을 표시하는 표시부의 크기가 증대된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 윈도우 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 몇몇 실시예에 따른 표시 장치는, 화소를 포함하는 표시 영역과, 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역과 비표시 영역 상에 배치되는 회로층, 표시 영역에 배치되고, 화소를 정의하는 발광 소자를 포함하는 발광층, 비표시 영역의 회로층 상에 배치되고, 센싱 신호를 송신하는 송신기, 및 송신기와 분리되어 표시 영역에 배치되고, 센싱 신호를 수신하는 수신기를 포함하되, 표시 영역의 회로층에는 발광 소자를 제어하는 화소 제어 회로가 배치되고, 비표시 영역의 회로층에는 송신기를 구동하기 위해 송신기에 전기적으로 접속하는 구동 제어 회로가 배치된다.
몇몇 실시예에서, 상기 기판은 상면과 하면을 포함하고, 상기 회로층과 상기 송신기는 상기 기판의 상면에 배치되고, 상기 수신기는 상기 기판의 하면에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시 장치는, 상기 수신기와 전기적으로 접속되는 회로 기판을 더 포함하되, 상기 수신기는 상기 회로층에 전기적으로 접속되지 않을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 발광층은, 그 내부에, 상기 수신기와 오버랩되고, 상기 센싱 신호를 투과시키는 가이드 개구(opening)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시 장치는, 상기 발광층을 덮도록 배치되는 봉지막을 더 포함하고, 상기 봉지막은 상기 가이드 개구를 채울 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 기판은 상면과 하면을 포함하고, 상기 회로층, 송신기 및 수신기는 상기 기판의 상면에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 수신기는 상기 회로층 내에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 회로층은, 상기 제어 회로의 적어도 일부가 배치된 평탄화막과, 상기 평탄화막 상부에 상기 발광층에 인접하여 배치된 절연막을 포함하고, 상기 수신기는 상기 절연막 내에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 송신기는 적외선(Infrared Ray) 신호를 송신하는 적외선 송신기를 포함하고, 상기 수신기는 상기 적외선 신호를 수신하는 포토 다이오드를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 발광층과 상기 회로층은, 그 내부에, 상기 수신기와 오버랩되고, 상기 센싱 신호를 투과시키는 가이드 개구를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시 장치는, 상기 송신기가 상기 센싱 신호를 송신하도록 제어하는 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 회로층의 상기 구동 제어 회로를 통해 상기 송신기에 전기적으로 접속될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제어부는 상기 발광 소자를 구동하는 드라이버 IC를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 수신기는 상기 복수의 발광 소자와 오버랩되어 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 발광 소자는, 유기 발광 소자를 포함하고, 상기 화소 제어 회로는, 상기 유기 발광 소자를 제어하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 구동 제어 회로는, 상기 송신기를, 상기 송신기를 구동시키는 제어부에 전기적으로 접속시키는 배선을 포함할 수 있다.
*상기 과제를 해결하기 위한 몇몇 실시예에 따른 표시 장치는, 화소를 포함하는 표시 영역과, 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 배치되고, 비표시 영역에 배치되지 않는 발광층으로, 화소를 정의하는 발광 소자를 포함하는 발광층, 비표시 영역에 배치되고, 센싱 신호를 송신하는 송신기, 및 송신기와 분리되어 표시 영역에 배치되고, 센싱 신호를 수신하는 수신기를 포함하되, 발광층은, 그 내부에, 수신기와 오버랩되고, 센싱 신호를 투과시키는 가이드 개구를 포함한다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시 장치는, 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역에 배치되는 회로층을 더 포함하고, 상기 발광층은 상기 표시 영역에 배치되는 회로층 상에 배치되고, 상기 송신기는 상기 비표시 영역에 배치되는 회로층 상에 배치되되 상기 회로층의 배선과 전기적으로 접속될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 가이드 개구는 상기 발광층으로부터 상기 회로층으로 연장될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 가이드 개구 내에는 상기 발광 소자가 배치되지 않을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 가이드 개구는 복수의 홀(hole)을 포함하고, 상기 복수의 홀은 상기 발광 소자에 인접하여 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시 장치는, 상기 발광층을 덮도록 배치되는 봉지막을 더 포함하고, 상기 봉지막은 상기 가이드 개구를 채울 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
몇몇 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 비표시 영역에 센싱 소자의 송신부만 배치되므로, 비표시 영역에 송신부와 수신부가 같이 배치되는 경우에 비해, 비표시 영역에 배치되는 센싱 소자의 크기가 작아질 수 있다. 이에 따라, 비표시 영역의 면적을 줄이고, 상대적으로 표시 영역의 크기를 늘리는 것이 가능하다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 개념도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에서 송신기, 수신기 및 제어부를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에서 송신기, 수신기 및 제어부를 도시한 배면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 2의 A 영역에서 발광 소자와 수신기 간의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 10 및 도 11은 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 12는 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 13은 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 14는 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 15 및 도 16은 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 17 및 도 18은 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 19는 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 영역(PA)과 표시 영역(PA)을 둘러싸는 비표시 영역(NPA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(PA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 도시된 것과 같이 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)는 특정 색상을 표시하도록 할당되어 있을 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소(PX)는 적색을 표시하는 R화소, 녹색을 표시하는 G화소, 및 청색을 표시하는 B화소를 포함할 수 있다. 또한, R화소, G화소, B화소는 교대로 배열되어, 다양한 색상을 구현할 수 있다.
표시 영역(PA)은 예를 들어, 직사각형 형상으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 정사각형, 원형, 타원형 등의 형상을 가질 수도 있다.
표시 영역(PA)의 주변에는 비표시 영역(NPA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NPA)은 화상을 표시하지 않는 영역으로, 예를 들어, 블랙 매트릭스와 같은 차광 부재가 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 비표시 영역(NPA)은 표시 장치(1)의 베젤부를 구성할 수 있다.
비록 도면에는 표시 영역(PA)의 모든 변을 비표시 영역(NPA)이 둘러싸고 있는 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 비표시 영역(NPA)은 표시 영역(PA)의 단변 외측에만 배치될 수 있으며, 다른 몇몇 실시예에서, 비표시 영역(NPA)은 표시 영역(PA)의 장변 외측에만 배치될 수도 있다. 나아가, 비표시 영역(NPA)은 표시 영역(PA)의 어느 한 변 외측에만 배치될 수도 있다.
비표시 영역(NPA)에는 화소(PX)를 구동하는 각종 구동 소자들이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NPA) 내에도 화소(PX)가 위치할 수 있지만, 비표시 영역(NPA)에 위치하는 화소(PX)는 외부에서 시인되지 않는 더미 화소일 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치에서 송신기, 수신기 및 제어부를 도시한 평면도이다. 도 3은 도 1의 표시 장치에서 송신기, 수신기 및 제어부를 도시한 배면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 장치(1)는 센싱 신호를 송신하는 송신기(700)와 송신기로부터 송신된 센싱 신호를 수신하는 수신기(800)를 포함할 수 있다.
송신기(700)는 표시 장치(1)의 비표시 영역(NPA)에 배치될 수 있다. 송신기(700)는 표시 장치(1)의 비표시 영역(NPA)에 배치된 제어부(80)에 의해 제어될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제어부(80)와 송신기(700)는 비표시 영역(NPA)을 따라 연장된 연결 배선(CL)을 따라 서로 전기적으로 접속될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제어부(80)와 송신기(700)를 전기적으로 접속하는 연결 배선(CL)은 그 일부가 표시 영역(PA)에 배치될 수도 있다. 이 경우, 연결 배선(CL)은 표시 영역(PA)에 배치된 배선 중 일부를 이용하는 것일 수 있다.
비록 도면에서는 제어부(80)와 송신기(700)가 서로 이격되어 배치된 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 제어부(80)는 송신기(700)에 인접하여 배치될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 제어부(80)는 표시 영역(PA)에 배치된 발광 소자를 구동하기 위한 드라이버 IC를 포함할 수 있다. 즉, 제어부(80)는 송신기(700)를 구동하면서 동시에 표시 영역(PA)에 배치된 발광 소자를 구동할 수도 있다.
수신기(800)는 표시 장치(1)의 표시 영역(PA)에 배치될 수 있다.
수신기(800)는 송신기(700)와 서로 반대면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 송신기(700)가 표시 장치(1)의 상면에 배치되는 경우, 수신기(800)는 표시 장치(1)의 하면에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 수신기(800)는 센싱 효율을 높이기 위해, 송신기(700)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 즉, 송신기(700)가 표시 장치(1)의 특정 비표시 영역(NPA)에 배치된 경우, 수신기(800)는 표시 영역(PA) 중 송신기(700)와 인접한 영역에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 송신기(700)와 수신기(800)는 적외선(IR; Infrared Ray) 센싱을 수행할 수 있다. 구체적으로, 송신기(700)는 적외선 센싱 신호를 송신하고, 수신기(800)는 송신기(700)로부터 송신되고 목적 물체에 반사된 적외선 센싱 신호를 수신할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니고, 센싱 신호를 송신하고 수신하는 많은 변형 실시예가 송신기(700)와 수신기(800)에 적용될 수 있다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 장치(1)는 윈도우(100), 광투명 접착 부재(110), 터치부재(200), 봉지막(300), 발광층(400), 회로층(500) 및 기판(600)을 포함할 수 있다.
기판(600)은 표시 영역(PA)과 비표시 영역(NPA)을 포함할 수 있다. 기판(600)의 표시 영역(PA)에는 발광층(400)과 수신기(800)가 배치될 수 있고, 비표시 영역(NPA)에는 송신기(700)가 배치될 수 있다.
기판(600)은 유리와 같은 투명한 재료 또는 유연성 재료를 이용하여 만들어질 수 있다. 이러한 유연성 재료의 예로 플라스틱 물질을 들 수 있다. 구체적으로, 기판(600)은 캡톤(kapton), 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리아크릴레이트(PAR) 및 섬유 강화 플라스틱 (fiber reinforced plastic: FRP) 등으로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나로 만들어질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 기판(600)은 5㎛ 내지 200㎛의 두께를 가질 수 있다. 기판(600)의 두께를 200㎛ 이하로 유지함으로써, 기판(600)의 플렉서블한 특성을 유지할 수 있으며, 기판(600)의 두께를 5㎛ 이상으로 유지함으로써, 발광층(400)을 안정적으로 지지할 수 있는 안정성을 확보할 수 있다.
회로층(500)은 표시 영역(PA)과 비표시 영역(NPA)에 걸쳐 배치될 수 있다.
표시 영역(PA)에 배치된 회로층(500)은 발광층(400)에 배치된 발광 소자를 제어하는 화소 제어 회로(501)를 포함할 수 있다. 이러한 화소 제어 회로(501)의 예로는 박막 트랜지스터, 축전기(capacitor) 및 이들을 외부 회로와 전기적으로 접속시키기 위한 각종 배선 등을 들 수 있다. 이에 관한 구체적인 설명은 후술한다.
몇몇 실시예에서, 이러한 화소 제어 회로(501)는 제어부(도 2의 80)와 전기적으로 접속될 수 있다. 이 경우, 제어부(도 2의 80)는 발광층(400)에 배치된 발광 소자를 구동하는 드라이버 IC의 역할을 수행할 수 있다.
비표시 영역(NPA)에 배치된 회로층(500)은 송신기(700)를 구동하기 위한 구동 제어 회로(502)를 포함할 수 있다. 이러한 구동 제어 회로의 예로는 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터와 송신기(700)를 전기적으로 접속시키기 위한 배선(570)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 이러한 구동 제어 회로(502) 역시 제어부(도 2의 80)와 전기적으로 접속될 수 있다. 이 경우, 제어부(도 2의 80)는 발광층(400)에 배치된 발광 소자를 구동하는 드라이버 IC의 역할을 수행하면서, 동시에 송신기(700)의 동작을 제어하는 제어부의 역할을 수행할 수 있다.
회로층(500)의 표시 영역(PA) 상에는 발광층(400)이 배치될 수 있다. 발광층(400)은 표시 장치(1)의 화소(도 1의 PX)를 정의하는 발광 소자를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 이러한 발광 소자는 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device)를 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며, 표시 장치(1)의 화소(도 1의 PX)를 정의하는 발광 소자의 종류는 훨씬 더 다양할 수 있다. 예를 들어, 발광층(400)이 유기 발광 소자를 포함하는 경우, 송신기(700)는 무기 LED를 포함할 수 있다.
표시 영역(PA)의 발광층(400) 상에는 봉지막(300)이 배치될 수 있다. 봉지막(300)은 발광층(400)을 덮는 형상으로 배치되어, 발광층(400)을 외부의 수분 등으로부터 보호할 수 있다. 봉지막(300)은 무기막의 단일 또는 다층막이나, 무기막과 유기막을 교대로 적층한 적층막으로 이루어질 수 있다.
표시 영역(PA)의 봉지막(300) 상에는 터치 부재(200)가 배치될 수 있다. 터치 부재(200)는 정전 용량 방식, 저항막 방식, 전자기 유도 방식, 적외선 방식 등으로 입력 지점의 위치 정보를 획득할 수 있다.
터치 부재(200)의 상부에는 윈도우(100)가 배치될 수 있다. 윈도우(100)는 터치 부재(200)와 그 하부 구성 요소들을 커버하여 보호하는 역할을 할 수 있다. 윈도우(100)는 표시 영역(PA) 비표시 영역(NPA)에 걸쳐 배치될 수 있다. 즉, 윈도우(100)는 평면상 터치 부재(100)보다 그 측면이 돌출될 수 있다.
윈도우(100)는 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 윈도우(100)는 예를 들어, 유리나 플라스틱을 포함하여 이루어질 수 있다. 윈도우(100)가 플라스틱을 포함하는 경우, 윈도우(100)는 플렉서블한 성질을 가질 수 있다.
윈도우(100)에 적용 가능한 플라스틱의 예로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride), 폴리불화비닐리덴(polyvinylidene difluoride, PVDF), 폴리스티렌(polystyrene), 에틸렌-비닐알코올 공중합체(ethylene vinylalcohol copolymer), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 트리아세틸 셀룰로오스(tri-acetyl cellulose, TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP) 등을 들 수 있다. 플라스틱 윈도우(100)는 상기 열거된 플라스틱 물질들 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
윈도우(100)가 플라스틱을 포함하는 경우 플라스틱의 상하면에 배치된 코팅층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 코팅층은 아크릴레이트 화합물 등을 포함하는 유기층 및/또는 유무기 복합층을 포함하는 하드 코팅층일 수 있다. 상기 유기층은 아크릴레이트 화합물을 포함할 수 있다. 상기 유무기 복합층은 아크릴레이트 화합물과 같은 유기 물질에 실리콘 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 탄탈륨 옥사이드, 나이오븀 옥사이드, 글래스 비드 등의 무기 물질이 분산된 층일 수 있다. 다른 몇몇 실시예에서, 상기 코팅층은 금속 산화물층을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물층은 타이타늄, 알루미늄, 몰리브덴, 탄탈륨, 구리, 인듐, 주석, 텅스텐 등의 금속 산화물을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
윈도우(100)와 터치 부재(200) 사이에는 광투명 접착 부재(110)가 배치될 수 있다. 윈도우(100)와 터치 부재(200)는 광투명 접착 부재(110)에 의해 상호 결합할 수 있다.
회로층(500)의 비표시 영역(NPA) 상에는 센싱 신호를 송신하는 송신기(700)가 배치될 수 있다. 송신기(700)는 예를 들어, 컨택 패드(710)를 통해 구동 제어 회로(502)에 전기적으로 접속될 수 있다.
표시 영역(PA)의 기판(600) 하면에는 수신기(800)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 수신기(800)는 기판(600)의 하면에 제1 접착층(830)과 고정 부재(820) 등을 통해 고정된 서브 기판(810) 상에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 수신기(800)는 회로층(500)과 전기적으로 접속되지 않아 제어부(도 1의 80)의 제어와 무관할 수 있다. 대신 수신기(800)는 서브 기판(810) 하부에 제2 접착층(910) 등으로 고정된 회로 기판(900)에 전기적으로 접속되어 구동될 수 있다.
이하, 발광층(400)이 유기 발광 소자를 포함하는 것을 예로 들어, 수신기(800), 기판(600), 회로층(500), 발광층(400) 및 봉지막(300)의 상세 구조에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 5는 도 2의 A 영역에서 발광 소자와 수신기 간의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 자른 단면도이다.
먼저 도 5를 참조하면, 수신기(800)는 기판(600)의 하면에 배치되되, 하나의 유기 발광 소자(480)의 단면적보다 넓은 단면적을 가지며 배치될 수 있다. 즉, 수신기(800)는 복수의 유기 발광 소자(480)와 오버랩되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 수신기(800)는 유기 발광 소자(480)가 배치되지 않은 영역을 통해 센싱 신호를 수신할 수 있다. 이에 관한 구체적인 설명은 후술한다.
도 6을 참조하면, 기판(600) 상에 배치되는 회로층(도 4의 500)은 버퍼층(520), 게이트 절연막(540), 층간 절연막(545), 평탄화막(560)을 포함할 수 있다.
버퍼층(520)은 기판(600)에 배치될 수 있다. 버퍼층(520)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 버퍼층(520)은 예를 들어, 질화규소(SiNx)막, 산화규소(SiO2)막, 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 그러나, 이러한 버퍼층(520)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(600)의 종류 및 소자 제조 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
반도체층(530)은 버퍼층(520) 상에 배치될 수 있다. 반도체층(530)은 다결정 규소막(Poly Si), 비정질 규소막(Amorphous Si), 및 IGZO(Indium-Galuim-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(530)은 이 다결정 규소막을 포함하는 경우, 반도체층(530)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(534)과, 채널 영역의 양 측에 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역(532) 및 드레인 영역(536)을 포함할 수 있다.
소스 영역(532)과 드레인 영역(536)에 도핑되는 불순물의 종류는 구동 트랜지스터(530, 550)의 종류에 따라 달라질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 구동 트랜지스터(530, 550)로는 소스 영역(532)과 드레인 영역(536)에 P형 불순물을 도핑한 P형 트랜지스터가 사용될 수 있으나, 그 구현예가 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(540)은 반도체층(530)과 게이트 전극(550) 사이에 배치될 수 있다. 게이트 절연막(540)은 절연막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(540)은 질화 규소(SiNx) 및 산화 규소(SiO2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 게이트 절연막(540)은 단일막이 아니라 이중막을 포함하는 다층막 구조로 형성될 수도 있다.
게이트 전극(550)은 게이트 절연막(540) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(550)은 일 방향으로 연장되어 게이트 배선에 접속될 수 있다. 게이트 전극(550)은 채널 영역(534)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 게이트 전극(550)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 비록 상세하게 도시하지는 않았으나, 게이트 절연막(540) 상에 축전 소자(capacitor)의 제1 전극이 배치될 수 있다.
층간 절연막(545)은 게이트 전극(550) 상에 배치될 수 있다. 층간 절연막(545)은 게이트 전극(550)을 완전히 덮는 형태로 배치될 수 있다. 층간 절연막(545)은 게이트 절연막(540)과 유사하게, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 또는 테트라에톡시실란(TEOS) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
층간 절연막(545) 상에 소스 전극(552) 및 드레인 전극(554)을 포함하는 데이터 배선이 배치될 수 있다. 비록 상세하게 도시하지는 않았으나, 층간 절연막(545) 상에 축전 소자(capacitor)의 제2 전극이 배치될 수도 있다. 소스 전극(552) 및 드레인 전극(554)은 이중막 이상의 다층막 형태로 형성 가능하며, 각 층 간에는 층간 절연막(545)이 배치될 수 있다.
소스 전극(552) 및 드레인 전극(554)은 게이트 절연막(540) 및 층간 절연막(545)에 형성된 비아 홀(via hole)을 통해 소스 영역(532) 및 드레인 영역(536)에 각각 접속될 수 있다. 이 때, 비아 홀에는 비아(via)가 형성되어 도시된 것과 같이 소스 전극(552) 및 드레인 전극(554)을 소스 영역(532) 및 드레인 영역(536)에 각각 접속시킬 수 있다.
드레인 전극(554)은 평탄화막(560)에 형성된 비아를 통해 유기 발광 소자(480)의 화소 전극(482)에 접속될 수 있다.
구동 트랜지스터(530, 550)는 화소(도 1의 PX)를 정의하는 유기 발광 소자(480)의 광 제공층(484)을 발광시키기 위한 구동 신호를 화소 전극(482)에 제공할 수 있다.
구체적으로, 데이터 라인으로부터 제공되는 데이터 전압과 공통 전원 라인으로부터 제공되는 공통 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(capacitor)에 저장되고, 축전 소자(capacitor)에 저장된 전압에 대응하는 구동 전류가 구동 트랜지스터(530, 550)를 통해 유기 발광 소자(480)로 흘러 유기 발광 소자(480)가 발광할 수 있다.
평탄화막(560)은 소스 전극(552), 드레인 전극(554)을 덮도록 층간 절연막(545) 상에 배치될 수 있다. 평탄화막(560)은 그 상부에 배치되는 유기 발광 소자(480)의 발광 효율을 높이기 위해, 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 평탄화막(560)은 예를 들어, 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
앞서 설명한 화소 제어 회로(도 4의 501)는 예를 들어, 구동 트랜지스터(530, 550), 소스 전극(552) 및 드레인 전극(554) 등을 포함할 수 있다.
기판(600) 상에 배치되는 발광층(도 4의 400)은 화소 정의막(470)과 유기 발광 소자(480)를 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(480)의 화소 전극(482)은 평탄화막(560)상에 배치될 수 있다. 화소 전극(482)은 평탄화막(560)에 형성된 비아를 통해 드레인 전극(554)와 전기적으로 접속될 수 있다.
화소 정의막(470)은 화소 전극(482)의 일부를 노출시키도록 배치될 수 있다. 이러한 화소 정의막(470)은 화소(PX)을 정의할 수 있으며, 화소 정의막(470)에 의해 화소 전극(482)은 화소(PX)에 대응되도록 배치될 수 있다.
화소 정의막(470)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지를 포함할 수 있다.
화소 전극(482)상에 광 제공층(484)이 배치되고, 화소 정의막(470) 및 광 제공층(484) 상에 공통 전극(486)이 배치될 수 있다. 광 제공층(484)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 상세하게 도시하지는 않았으나, 광 제공층(484)은 화소 전극(482)과 인접한 위치에 배치된 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL)을 포함할 수 있다. 또한 광 제공층(484)은 공통 전극(486)과 인접한 위치에 배치된 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 화소 전극(482)은 반사형 전극으로 형성되고, 공통 전극(486)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 광 제공층(484)에서 생성된 광이 공통 전극(486) 방향으로 제공될 수 있다.
투과형 전극 형성을 위하여 예를 들어, 투명 도전성 산화물(TCO; Transparent Conductive Oxide)이 사용될 수 있다. 투명 도전성 산화물(TCO)로, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연), AZO(Aluminum doped ZnO), GZO(Gallium doped ZnO), BZO(Boron doped ZnO) 또는 In2O3 (Indium Oxide) 등을 들 수 있다. 또한 금속 나노와이어와 탄소나노재료가 사용될 수 있다. 예를 들어, 은나노와이어(Ag-NW), 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube), 탄소나노와이어(Carbon Nano Wire), 플러렌 (Fullerene) 및 그래핀(Graphene) 등이 사용될 수 있다.
또한, 반투과형 전극 형성을 위하여 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu)와 같은 금속 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 이때, 전극의 두께를 조절함으로써, 공통 전극(486)을 반투과형 전극으로 형성할 수 있다. 반투과형 전극은 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지지만 저항이 커지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아질 수 있다.
또한, 반투과형 전극은 금속 또는 금속의 합금으로 된 금속층과 금속층 상에 적층된 투명 도전성 산화물(TCO)층을 포함하는 다층구조로 형성될 수 있다.
기판(600) 상에 배치되는 봉지막(도 4의 300)은 무기막(310, 330)과 유기막(320)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 봉지막(도 4의 300)은 무기막(310, 330)과 유기막(320)이 서로 번갈아가며 적층된 형태로 배치될 수 있다. 또한, 무기막(310, 330)과 유기막(320)은 도시된 것 보다 더 많이 수의 무기막과 유기막이 적층될 수도 있다.
유기 발광 소자(480)에 가장 인접한 곳에는 하부 무기막(310)이 배치될 수 있다.
하부 무기막(310)은 Al2O3, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 하부 무기막(310)은 화학 증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 등의 방법을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 하부 무기막(310)은 도시된 것과 같이 공통 전극(486)의 형상을 따라 컨포멀하게(conformally) 배치될 수 있다. 상부 무기막(330)은 하부 무기막(310)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
유기막(320)은 고분자(polymer) 계열의 소재를 포함할 수 있다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 유기막(320)은 열증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 이 때, 유기막(320)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(480)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(310, 330)은 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제하는 역할을 할 수 있다.
이하 도 7 내지 도 9를 참조하여, 표시 장치(1)의 센싱 동작에 대해 설명한다.
도 7 내지 도 9는 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 도 7을 참조하면, 송신기(700)로부터 송신된 센싱 신호(SS)는 목적 물체(1000)에 반사되어 표시 장치로 입사될 수 있다. 표시 장치로 입사된 센싱 신호(SS)는 윈도우(100), 터치 부재(200), 봉지막(300), 발광층(400), 회로층(500) 및 기판(600)을 통해 기판(600) 하부에 배치된 수신기(800)에 수신될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 윈도우(100), 터치 부재(200), 봉지막(300), 회로층(500) 및 기판(600)은 광을 투과시키는 투명한 재질로 이루어질 수 있으므로, 센싱 신호(SS)는 이들을 투과하여 수신기(800)에 수신될 수 있다.
다음 도 8 및 도 9를 참조하면, 센싱 신호(SS)가 발광층(400)을 통과할 때, 센싱 신호(SS)는 화소(PX)를 정의하는 발광 소자(480)의 주변 영역(AA)을 통과하여 수신기(800)에 수신될 수 있다. 도면에서는 R 발광 소자(480)에 대해서만 예시적으로 도시하였으나, B 발광 소자(480)와 G 발광 소자(480) 주변 영역(AA)으로도 센싱 신호(SS)가 통과할 수 있다.
본 실시예에서는, 이와 같이 표시 장치(1)의 비표시 영역(NPA)에 센싱 소자의 송신기(700)만 배치되므로, 비표시 영역(NPA)에 송신기(700)와 수신기(800)가 같이 배치되는 경우에 비해, 비표시 영역(NPA)에 배치되는 센싱 소자의 크기가 작아질 수 있다. 이에 따라, 비표시 영역(NPA)의 면적을 줄이고, 상대적으로 표시 영역(PA)의 크기를 늘리는 것이 가능하다.
도 10 및 도 11은 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 이하에서 설명하는 실시예들은, 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하고 차이점을 위주로 설명한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 표시 장치(2)는 발광층(400) 내부에 수신기(800)와 수직 방향으로 오버랩되는 가이드 개구(opening)(1050)를 포함할 수 있다. 이러한 가이드 개구(1050)는 도 11에 도시된 것과 같이 발광 소자(480)의 인접 영역을 점유하는 형태로 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 가이드 개구(1050)가 배치되는 영역에 인접한 발광 소자(480)는 상대적으로 작은 크기로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
가이드 개구(1050)는 송신기(700)로부터 송신된 센싱 신호(도 7의 SS)가 수신기(800)에 잘 수신되도록 가이드하는 역할을 할 수 있다. 앞서 도 8을 참조하여 설명한 것과 같이, 센싱 신호(도 7의 SS)는 발광 소자(480)의 주변 영역(AA)을 투과하여 수신기(800)에 도달할 수 있으나, 발광층(400)의 재료 특성에 따라 그 투과율이 변할 수 있다. 따라서, 발광층(400) 내부에 이러한 가이드 개구(1050)가 배치되는 경우, 발광층(400)의 재료 특성에 무관하게 수신기(800)의 동작 신뢰성이 향상될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 가이드 개구(1050)는 도시된 것과 같이 빈 공간(empty space)을 포함하는 트렌치(trench) 형태로 배치될 수 있다. 이 경우, 발광층(400)의 일부 구성 요소(예를 들어, 도 6의 화소 정의막(470))는 가이드 개구(1050)의 측벽(side wall)을 정의할 수 있다.
한편, 몇몇 실시예에서, 가이드 개구(1050)는 도시된 것과 달리, 투명한 재료로 채워질 수 있다. 예를 들어, 가이드 개구(1050)는 발광층(400)에 비해 센싱 신호(도 7의 SS)를 더 잘 투과 시킬 수 있는 투명 재료로 채워질 수도 있다.
도 12는 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 12를 참조하면, 표시 장치(3)의 발광층(400) 내부에 배치된 가이드 개구(1070)는 발광층(400)을 관통하여 회로층(500)으로 연장될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 가이드 개구(1070)는 도시된 것과 달리, 투명한 재료로 채워질 수 있다. 예를 들어, 가이드 개구(1070)는 발광층(400)과 회로층(500)에 비해 센싱 신호(도 7의 SS)를 더 잘 투과 시킬 수 있는 투명 재료로 채워질 수도 있다.
도 13은 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 13을 참조하면, 표시 장치(4)의 발광층(400) 내부에 배치된 가이드 개구(1100)는 봉지막(300)으로 채워질 수 있다. 이러한 형상은 발광층(400)에 트렌치를 형성하고, 봉지막(300)을 형성하는 과정에서 가이드 개구(1100)가 봉지막(300)에 의해 채워짐으로써 형성될 수 있다.
도 14는 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 14를 참조하면, 표시 장치(5)의 발광층(400)와 회로층(500) 내부에 배치된 가이드 개구(1200)는 봉지막(300)으로 채워질 수 있다. 이러한 형상은 회로층(500)과 발광층(400)을 형성한 뒤, 회로층(500)과 발광층(400) 내부에 트렌치를 형성하고, 봉지막(300)을 형성하는 과정에서 가이드 개구(1200)가 봉지막(300)에 의해 채워짐으로써 형성될 수 있다.
도 15 및 도 16은 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 표시 장치(6)의 발광층(400) 내부에 배치되는 가이드 개구(1300)는 적어도 하나 이상의 홀(hole) 형상으로 배치될 수 있다. 이러한 가이드 개구(1300)는 도 16에 도시된 것과 같이, 발광 소자(480)의 인접 영역에 분산된 형태로 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 가이드 개구(1300)는 도시된 것과 같이, 빈 공간이 형성된 홀 형상으로 배치될 수 있다. 이러한 가이드 개구(1300)는 발광층(400)에 예를 들어, 레이저 등을 이용하여 직경이 작은 홀을 형성하고, 발광층(400) 상부에 봉지막(300)을 덮음으로써 형성될 수 있다.
가이드 개구(1300)가 이처럼 홀 형상으로 형성되어 그 직경이 작은 경우, 봉지막(300)의 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 충분하지 못하여, 가이드 개구(1300)의 내부를 완전히 덮지 못할 수 있다. 이에 의해 빈 공간으로 남겨진 가이드 개구(1300)가 형성될 수 있다.
한편, 몇몇 실시예에서, 가이드 개구(1300)는 도시된 것과 달리, 투명한 재료로 채워질 수도 있다. 예를 들어, 가이드 개구(1300)는 발광층(400)에 비해 센싱 신호(도 7의 SS)를 더 잘 투과 시킬 수 있는 투명 재료로 채워질 수도 있다. 또한, 가이드 개구(1300)는 도시된 것과 달리, 봉지막(300)에 의해 그 내부가 채워질 수도 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 가이드 개구(1300)는 도시된 것과 같이 회로층(500)으로 더 연장되어 형성될 수도 있다.
도 17 및 도 18은 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 17을 참조하면, 표시 장치(7)의 수신기(800)는 앞서 설명한 실시예들과 달리, 회로층(500) 내에 배치될 수 있다. 즉, 앞서 설명한 실시예들에서는 송신기(700)가 기판(600)의 상면에 배치되고, 수신기(800)가 기판(600)의 하면에 배치되었으나, 본 실시예에서는 송신기(700)와 수신기(800)가 모두 기판(600)의 상면에 배치된다.
구체적으로, 도 18을 함께 참조하면, 표시 장치(7)의 회로층(500)은 평탄화막(560) 상부에 배치되고 그 내부에 수신기(800)가 형성된 절연막(580)을 더 포함할 수 있다. 이 때, 수신기(800)는, 도시된 것과 같이, 화소 전극(482)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 이러한 수신기(800)는 예를 들어, 적외선 송신기로부터 송신된 적외선 신호를 센싱하는 포토 다이오드일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 절연막(580)은 유기막을 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 절연막(580)은 필요에 따라 무기막을 포함할 수도 있다.
도 19는 또 다른 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 19를 참조하면, 표지 장치(8)의 발광층(400)은 회로층(500)에 배치된 수신기(800)와 수직으로 오버랩되는 영역에 센싱 신호의 투과를 돕는 가이드 개구(1400)를 포함할 수 있다.
비록 도면에서는 이러한 가이드 개구(1400)가 홀 형상으로 형성되어 발광층(400)으로부터 회로층(500)까지 연장되는 것을 도시하였으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다. 필요에 따라 가이드 개구(1400)의 형상은 앞서 설명한 가이드 개구들의 형상으로 얼마든지 변형되어 실시될 수 있다.
또한, 비록 도면에서는 가이드 개구(1400)를 봉지막(300)이 채우는 형상만을 도시하였으나, 역시 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다. 필요에 따라 가이드 개구(1400)는 투명 재료로 채워질 수도 있고, 빈 공간으로 남겨질 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 윈도우
200: 터치부재
300: 봉지막
400: 발광층
500: 회로층
600: 기판

Claims (12)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하고, 제1면 및 상기 제1면의 반대면인 제2면을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역에 위치하고 상기 기판의 상기 제1면 상에 위치하는 회로층;
    상기 회로층 상에 위치하고 상기 표시 영역의 제1 영역 및 상기 표시 영역의 제2 영역과 중첩하는 발광층;
    상기 발광층 상에 위치하는 봉지막; 및
    투명 부재; 를 더 포함하고,
    상기 회로층은 제1 개구를 포함하고,
    상기 투명 부재는 상기 제1 개구 내에 위치하고,
    상기 투명 부재는 상기 봉지막의 일부분을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막은,
    상기 발광층 상에 위치하는 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 위치하는 유기막 및 상기 유기막 상에 위치하는 제2 무기막을 포함하고,
    상기 봉지막은 상기 제1 무기막, 상기 유기막 및 상기 제2 무기막 중 적어도 어느 하나의 일부분을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 개구는 상기 표시 영역의 상기 제1 영역과 상기 표시 영역의 상기 제2 영역 사이에 위치하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발광층은,
    상기 표시 영역의 상기 제1 영역과 중첩하는 제1 발광 소자 및 상기 표시 영역의 상기 제2 영역과 중첩하는 제2 발광 소자를 포함하고,
    상기 제1 개구는,
    평면 상에서 상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자 사이에 위치하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    평면 상에서 상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 비중첩하는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 회로층의 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 포함하고,
    상기 투명 부재는 상기 제2 개구 내에 더 위치하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 상기 제2면 상에 위치하는 센싱 부재를 더 포함하고,
    상기 센싱 부재는 상기 회로층의 상기 제1 개구와 중첩하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 개구의 면적은 상기 센싱 부재의 면적보다 작은 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 개구는 복수개이고,
    상기 센싱 부재는 복수개의 상기 제1 개구 중 적어도 두개의 제1 개구와 중첩하는 표시 장치.
  10. 기판; 및
    상기 기판 상에 위치하고 개구를 포함하는 발광층; 을 포함하고,
    상기 개구는 상기 발광층을 완전히 관통하고,
    상기 발광층은,
    상기 기판 상에 위치하는 화소 전극;
    상기 화소 전극 상에 위치하고 상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출하는 화소 정의막;
    노출된 상기 화소 전극의 적어도 일부 상에 위치하는 광 제공층; 및
    상기 광 제공층 상에 위치하는 공통 전극을 포함하고,
    상기 화소 정의막은 상기 개구의 측벽의 적어도 일부를 정의하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 발광층 상에 위치하는 봉지막; 및
    상기 개구 내에 위치하는 투명 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 투명 부재는 상기 봉지막의 일부를 포함하는 표시 장치.
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