[go: up one dir, main page]

KR20230092684A - Ring assembly and substrate processing apparatus including same - Google Patents

Ring assembly and substrate processing apparatus including same Download PDF

Info

Publication number
KR20230092684A
KR20230092684A KR1020220040317A KR20220040317A KR20230092684A KR 20230092684 A KR20230092684 A KR 20230092684A KR 1020220040317 A KR1020220040317 A KR 1020220040317A KR 20220040317 A KR20220040317 A KR 20220040317A KR 20230092684 A KR20230092684 A KR 20230092684A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
stepped portion
substrate
electrostatic chuck
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
KR1020220040317A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김다현
이학준
강정석
노수련
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Publication of KR20230092684A publication Critical patent/KR20230092684A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

According to one embodiment of the present invention, a ring assembly including an annular first ring and a second ring having an inner side, an upper side, an outer side, and a lower side can be provided. The second ring is provided to be ascendable on top of the first ring, and the inner side of the second ring may be formed to be flat. A step portion may be formed in at least one of the first ring and the second ring with respect to the side where the first ring and the second ring face each other.

Description

링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{RING ASSEMBLY AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}Ring assembly and substrate processing apparatus including the same {RING ASSEMBLY AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}

본 발명은 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a ring assembly and a substrate processing apparatus including the same.

일반적으로, 반도체 장치를 제조하는 공정은 반도체 웨이퍼(이하, 기판이라 함) 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 막을 평탄화하기 위한 화학/기계적 연마 공정과, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토 리소그래피 공정과, 포토레지스트 패턴을 이용하여 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 막 또는 패턴이 형성된 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.In general, processes for manufacturing a semiconductor device include a deposition process for forming a film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a substrate), a chemical/mechanical polishing process for planarizing the film, and a photoresist pattern for forming a photoresist pattern on the film. A photolithography process, an etching process for forming a film into a pattern having electrical characteristics using a photoresist pattern, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the substrate, and a cleaning process for removing impurities on the substrate process, and an inspection process for inspecting the surface of the substrate on which the film or pattern is formed.

식각 공정은 기판 상에 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 노출된 영역을 제거하기 위한 공정이다. 일반적으로, 식각 공정의 종류는 건식 식각(dry etching)과 습식 식각(wet etching)으로 나눌 수 있다.The etching process is a process for removing an exposed area of a photoresist pattern formed on a substrate by a photolithography process. In general, the type of etching process can be divided into dry etching and wet etching.

건식 식각 공정은 식각 공정이 진행되는 밀폐된 내부 공간에 소정 간격 이격 설치된 상부 전극 및 하부 전극에 고주파 전력을 인가하여 전기장을 형성하고, 밀폐 공간 내부로 공급된 반응 가스에 전기장을 가해 반응 가스를 활성화시켜 플라즈마 상태로 만든 후, 플라즈마 내의 이온이 하부 전극 상에 위치한 기판을 식각하도록 한다.In the dry etching process, high-frequency power is applied to the upper and lower electrodes installed at a predetermined interval in the sealed internal space where the etching process is performed to form an electric field, and an electric field is applied to the reactive gas supplied into the enclosed space to activate the reactive gas. After making it into a plasma state, ions in the plasma etch the substrate located on the lower electrode.

이때, 기판의 상면 전체에서 플라즈마를 균일하게 형성할 필요가 있다. 기판의 상면 전체에서 플라즈마를 균일하게 형성하기 위해 링 어셈블리가 구비된다.At this time, it is necessary to uniformly form the plasma on the entire upper surface of the substrate. A ring assembly is provided to uniformly form plasma over the entire upper surface of the substrate.

링 어셈블리는 하부 전극 상에 배치된 정전 척의 가장 자리를 둘러싸도록 설치된다.A ring assembly is installed to surround an edge of the electrostatic chuck disposed on the lower electrode.

정전 척의 상부에는 고주파 전력 인가에 의해 전기장이 형성되는 데, 링 어셈블리는 전기장이 형성되는 영역을 기판이 위치되는 영역에 비하여 크게 확장시킨다. 따라서, 기판은 플라즈마가 형성되는 영역의 중심에 위치되며, 이에 따라, 기판이 균일하게 식각될 수 있다.An electric field is formed on the top of the electrostatic chuck by applying high-frequency power, and the ring assembly greatly expands the area where the electric field is formed compared to the area where the substrate is positioned. Thus, the substrate is located at the center of the region where plasma is formed, and thus the substrate can be uniformly etched.

이러한 과정에서 링 어셈블리의 일부도 플라즈마에 노출되므로 링 어셈블리의 일부가 식각된다. 링 어셈블리의 일부가 지속적으로 식각되면, 기판 및 정전 척에 대한 링 어셈블리의 상면의 높이가 낮아지게 된다. 링 어셈블리의 상면의 높이가 낮아짐에 따라 링 어셈블리의 상부에서의 플라즈마가 불균일해지고, 이에 따라, 기판의 상부에서 플라즈마가 균일하게 형성되지 않게 되므로, 기판의 식각 정밀도가 저하되는 문제가 발생한다.In this process, since a part of the ring assembly is also exposed to plasma, a part of the ring assembly is etched. If a portion of the ring assembly is continuously etched, the height of the upper surface of the ring assembly relative to the substrate and the electrostatic chuck is lowered. As the height of the upper surface of the ring assembly decreases, the plasma on the upper surface of the ring assembly becomes non-uniform, and accordingly, the plasma is not uniformly formed on the upper surface of the substrate, thereby reducing the etching accuracy of the substrate.

따라서, 링 어셈블리의 식각률에 따라 링 어셈블리의 일부를 상승시키는 기술이 사용되는데 링 어셈블리를 상승시키는 기술에는 몇 가지 문제가 수반될 수 있다.Accordingly, a technique of elevating a part of the ring assembly according to an etching rate of the ring assembly is used, and several problems may be involved in the technique of elevating the ring assembly.

도 3 내지 도 5는 종래의 정전 척 및 링 어셈블리를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 3은 평상시의 링 어셈블리를 도시한 것이고, 도 4 및 도 5는 링 어셈블리의 일부를 상승시킨 상태를 도시한 것이다.3 to 5 are cross-sectional views schematically illustrating a conventional electrostatic chuck and ring assembly. Figure 3 shows a normal ring assembly, and Figures 4 and 5 show a state in which a part of the ring assembly is raised.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 링 어셈블리(30)는 정전 척(21)을 감싸는 바텀 링(31, Bottom ring)과 바텀 링(31)의 상부에서 기판(W)을 감싸는 이너 링(32, Inner ring)을 포함할 수 있다. 바텀 링(31)은 이너 링(32)의 하부에서 이너 링(32) 및 기판(W)을 지지할 수 있다. 링 어셈블리(30)는 링 어셈블리(30)의 식각률에 따라 이너 링(32)을 바텀 링(31)으로부터 상승시키도록 제공되고, 이너 링(32)의 높이를 변화시켜 가면서 시뮬레이션 해석을 한 결과 링 어셈블리(30) 의한 전기장 산포가 변화하는 것을 확인할 수 있었다. 특히, 이너 링(32)이 바텀 링(31)으로부터 일정 높이 이상 상승되는 경우 전기장의 산포가 In Tilt 방향에서 Out tilt 방향으로 변화하는 것을 확인할 수 있었다. 이때, 일정 높이는 바텀 링(31)에 형성된 단차부의 외측면 높이이다.Referring to FIGS. 3 to 5 , the ring assembly 30 includes a bottom ring 31 surrounding the electrostatic chuck 21 and an inner ring 32 covering the substrate W at the top of the bottom ring 31 . Inner ring) may be included. The bottom ring 31 may support the inner ring 32 and the substrate W at a lower portion of the inner ring 32 . The ring assembly 30 is provided to raise the inner ring 32 from the bottom ring 31 according to the etching rate of the ring assembly 30, and as a result of simulation analysis while changing the height of the inner ring 32, the ring It was confirmed that the electric field distribution by the assembly 30 was changed. In particular, when the inner ring 32 is raised above a certain height from the bottom ring 31, it can be confirmed that the distribution of the electric field changes from the In Tilt direction to the Out tilt direction. At this time, the predetermined height is the height of the outer surface of the stepped portion formed on the bottom ring 31 .

이너 링(32)의 상승에 따라 이너 링(32)과 바텀 링(31) 사이에는 도 4 및 도 5에 점선으로 도시한 영역과 같은 에어 갭(Air Gap)이 순차적으로 발생할 수 있다. 에어 갭이 발생하면 식각 공정이 수행되는 동안 에어 갭을 통해 플라즈마와 공정 가스가 침투함에 따라 정전 척 및 링 어셈블리의 측면에 대한 식각이 발생할 수 있고 전기장에 핫 스팟 영역이 발생할 수 있다. 식각에 따른 부산물로써 폴리머가 생성되고, 폴리머 등의 부산물이 누적됨으로써 온도 산포 불량 및 공정 불량을 발생시킬 수 있고 아킹(Arcing) 현상이 발생할 수 있다.As the inner ring 32 rises, an air gap such as the area shown by dotted lines in FIGS. 4 and 5 may be sequentially generated between the inner ring 32 and the bottom ring 31 . When an air gap is generated, as plasma and a process gas penetrate through the air gap during an etching process, etching may occur on the side surfaces of the electrostatic chuck and the ring assembly, and a hot spot region may be generated in an electric field. Polymers are produced as byproducts of etching, and as the byproducts such as polymers accumulate, temperature distribution defects and process defects may occur, and an arcing phenomenon may occur.

도 4는 이너 링(32)을 바텀 링(31)에 형성된 단차부의 내측면 높이 이하로 상승시킨 상태를 도시하고, 도 5는 이너 링(32)을 바텀 링(31)에 형성된 단차부의 외측면 높이만큼 상승시킨 상태를 도시한다. 이때, 내측이란 정전 척(210) 쪽을 말하고, 외측이란 그 반대쪽을 말한다. 이너 링(32)이 바텀 링(31)에 형성된 단차부의 외측면 높이보다 높게 상승되는 경우 도 5에 도시된 에어 갭 영역보다 에어갭 영역이 증가할 것을 예상할 수 있다.FIG. 4 shows a state in which the inner ring 32 is raised below the height of the inner surface of the stepped part formed on the bottom ring 31, and FIG. 5 shows the inner ring 32 on the outer surface of the stepped part formed on the bottom ring 31. It shows a state raised by the height. At this time, the inner side refers to the side of the electrostatic chuck 210, and the outer side refers to the opposite side. When the inner ring 32 is raised higher than the height of the outer surface of the stepped portion formed on the bottom ring 31, it can be expected that the air gap area will increase compared to the air gap area shown in FIG.

이와 같이 이너 링(32)의 상승에 따라 발생하는 이너 링(32)과 바텀 링(31) 사이의 에어 갭은 기판 에지 영역에서의 이온 궤적을 일정하지 않게 하고, 기판 에지 영역에서의 이온 궤적이 일정하지 않으면 LER(line edge roughness) 제어 성능이 제한적일 수 있다.As such, the air gap between the inner ring 32 and the bottom ring 31 generated as the inner ring 32 rises makes the ion trajectory in the substrate edge region not constant, and the ion trajectory in the substrate edge region If not constant, LER (line edge roughness) control performance may be limited.

즉, 종래의 링 어셈블리에 의하면 이너 링이 바텀 링으로부터 상승되는 높이에 따라 발생하는 에어 갭에 의해 기판 에지에서의 식각 특성이 변하여 공정 결과에 경시 변화가 발생하는 문제가 있다.That is, according to the conventional ring assembly, there is a problem in that the etching characteristics at the edge of the substrate change due to the air gap generated according to the height of the inner ring rising from the bottom ring, resulting in a change in the process result over time.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로 링 어셈블리 내부에 발생하는 에어 갭을 최소화 함으로써 링 어셈블리 내부의 플라즈마 침투 영역을 최소화하고자 할 수 있는 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a ring assembly capable of minimizing a plasma permeation area inside the ring assembly by minimizing an air gap generated inside the ring assembly and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 정전 척의 둘레를 감싸도록 제공되는 제1 링; 및 내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 상기 제1 링의 상부에서 상승 가능하게 제공되는 제2 링을 포함하는 링 어셈블리가 제공될 수 있다. 상기 링 어셈블리는, 상기 제1 링과 상기 제2 링이 마주보는 면에 대하여 상기 제1 링 및 상기 제2 링 중 적어도 하나에 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 내측면은 평평하게 형성됨으로써 상기 제2 링이 상기 제1 링으로부터 상승됨에 따라 상기 제1 링과 상기 제2 링 사이에 형성되는 에어 갭을 최소화할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a first ring including an annular body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface and provided to surround an electrostatic chuck; and a second ring including an annular main body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface, and provided to ascend from an upper portion of the first ring. In the ring assembly, a stepped portion is formed on at least one of the first ring and the second ring with respect to the surface of the first ring and the second ring facing each other, and the inner surface of the second ring is formed flat. As the second ring rises from the first ring, an air gap formed between the first ring and the second ring may be minimized.

일 실시예에서, 상기 제1 링의 상면에는 하방으로 함몰된 형태의 제1 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 하면에는 상방으로 함몰된 형태의 제2 단차부가 형성되며, 상기 제1 단차부와 상기 제2 단차부는 각각 내측의 제1 측면과 외측의 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제1 단차부의 제1 측면은 상기 제2 링의 내측면과 대응하는 위치에 형성되고 제 2 측면이 상기 제2 단차부의 제1 측면과 대응하는 위치에 형성되고, 상기 제2 단차부의 제2 측면은 상기 제1 링의 외측면과 대응하는 위치에 형성될 수 있다.In one embodiment, a first stepped portion recessed downward is formed on the upper surface of the first ring, and a second stepped portion recessed upward is formed on the lower surface of the second ring. And the second stepped portion may include an inner first side surface and an outer second side surface, respectively. The first side of the first stepped portion is formed at a position corresponding to the inner surface of the second ring, the second side is formed at a position corresponding to the first side of the second stepped portion, and the second stepped portion is formed at a position corresponding to the first side of the second stepped portion. The side surface may be formed at a position corresponding to the outer surface of the first ring.

일 실시예에서, 상기 제1 단차부의 제2 측면 길이와 상기 제2 단차부의 제1 측면 길이는 동일하고, 제2 단차부의 제2 측면 길이는 제1 링의 외측면 길이와 동일하게 형성될 수 있다.In one embodiment, the length of the second side of the first stepped portion and the length of the first side of the second stepped portion may be the same, and the length of the second side of the second stepped portion may be formed equal to the length of the outer surface of the first ring. there is.

일 실시예에서, 상기 제1 링과 상기 제2 링은, 상기 제1 단차부에 상기 제2 링의 일부가 삽입되고 상기 제2 단차부에 상기 제1 링의 일부가 삽입되는 형태로 결합 가능할 수 있다.In one embodiment, the first ring and the second ring may be coupled in a form in which a portion of the second ring is inserted into the first stepped portion and a portion of the first ring is inserted into the second stepped portion. can

일 실시예에서, 상기 제1 링과 상기 제2 링이 결합되는 경우, 상기 제1 단차부의 제1 측면과 상기 제2 링의 내측면이 밀착되고, 상기 제1 단차부의 제2 측면과 상기 제2 단차부의 제1 측면이 밀착되고, 상기 제2 단차부의 제2 측면과 상기 제1 링의 외측면이 밀착될 수 있다.In one embodiment, when the first ring and the second ring are coupled, the first side surface of the first stepped portion and the inner surface of the second ring are in close contact, and the second side surface of the first stepped portion and the second ring are in close contact with each other. A first side surface of the second stepped portion may be in close contact with a second side surface of the second stepped portion and an outer surface of the first ring.

일 실시예에서, 상기 제1 링의 상면에는 상방으로 돌출된 형태의 제1 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 하면에는 상방으로 함몰된 형태의 제2 단차부가 형성되며, 상기 제1 단차부는 상기 제1 링의 상면 외측부에 형성되고, 상기 제2 단차부는 상기 제1 단차부와 대응하는 위치에 형성될 수 있다.In one embodiment, a first stepped portion protruding upward is formed on the upper surface of the first ring, and a second stepped portion having an upwardly recessed shape is formed on the lower surface of the second ring. It may be formed on an outer portion of the upper surface of the first ring, and the second stepped portion may be formed at a position corresponding to the first stepped portion.

일 실시예에서, 상기 제1 단차부의 측면 높이와 상기 제2 단차부의 높이는 동일하고, 제2 단차부의 제2 측면 길이는 제1 링의 외측면 길이와 동일하게 형성될 수 있다.In one embodiment, the height of the side of the first stepped portion and the height of the second stepped portion may be the same, and the length of the second side of the second stepped portion may be the same as the length of the outer surface of the first ring.

일 실시예에서, 상기 제1 링과 상기 제2 링은, 상기 제2 단차부에 상기 제1 단차부가 삽입되는 형태로 결합 가능할 수 있다.In one embodiment, the first ring and the second ring may be coupled in a form in which the first step portion is inserted into the second step portion.

일 실시예에서, 상기 제1 링과 상기 제2 링이 결합되는 경우, 상기 제1 단차부의 내측면과 상기 제2 단차부의 제1 측면이 접촉되고, 상기 제2 단차부의 제2 측면과 상기 제2 링의 외측면이 접촉될 수 있다.In one embodiment, when the first ring and the second ring are coupled, the inner surface of the first stepped portion and the first side surface of the second stepped portion are in contact, and the second side surface of the second stepped portion and the second stepped portion are in contact with each other. The outer surface of the 2 rings can be contacted.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판이 놓이는 척킹 부재와 상기 척킹 부재를 지지하는 베이스 부재를 포함하는 정전 척; 및 상기 정전 척의 외주를 둘러싸도록 제공되는 링 어셈블리를 포함하는 기판 지지 유닛이 제공될 수 있다. 상기 링 어셈블리는, 내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 상기 정전 척의 둘레를 감싸도록 제공되는 제1 링; 및 내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 상기 제1 링의 상부에 상승 가능하게 제공되고 상기 정전 척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제2 링을 포함하고, 상기 제1 링과 상기 제2 링이 마주보는 면에서 상기 제1 링 및 상기 제2 링 중 적어도 하나에 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 내측면은 평평하게 형성됨으로써 상기 제2 링이 상기 제1 링으로부터 상승됨에 따라 상기 제1 링과 상기 제2 링 사이에 형성되는 에어 갭을 최소화할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, an electrostatic chuck including a chucking member on which a substrate is placed and a base member supporting the chucking member; and a ring assembly provided to surround an outer circumference of the electrostatic chuck. The ring assembly may include: a first ring including an annular body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface and provided to surround the electrostatic chuck; and a second ring including an annular body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface, the second ring being liftably provided above the first ring and wrapping around a substrate placed on the electrostatic chuck; A stepped portion is formed on at least one of the first ring and the second ring on a surface where the ring and the second ring face each other, and the inner surface of the second ring is formed flat, so that the second ring is formed in the first ring. As it rises from the air gap formed between the first ring and the second ring, it is possible to minimize it.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징 내에 구비되어 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은, 기판이 놓이는 척킹 부재와 상기 척킹 부재를 지지하는 베이스 부재를 포함하는 정전 척; 및 상기 정전 척의 외주를 둘러싸도록 제공되고 내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 제1 링 및 상기 제1 링의 상부에 제공되는 제2 링을 포함하는 링 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 제1 링과 상기 제2 링이 마주보는 면에서 상기 제1 링 및 상기 제2 링 중 적어도 하나에 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 내측면은 평평하게 형성됨으로써 상기 제2 링이 상기 제1 링으로부터 상승됨에 따라 상기 제1 링과 상기 제2 링 사이에 형성되는 에어 갭을 최소화할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a housing providing a processing space therein; a substrate support unit provided in the housing to support a substrate; a gas supply unit supplying a processing gas into the processing space; and a plasma generating unit configured to generate plasma from the processing gas. The substrate support unit may include an electrostatic chuck including a chucking member on which a substrate is placed and a base member supporting the chucking member; and a ring assembly including an annular first ring provided to surround an outer circumference of the electrostatic chuck and having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface, and a second ring provided on an upper portion of the first ring. A stepped portion is formed on at least one of the first ring and the second ring on a surface where the first ring and the second ring face each other, and the inner surface of the second ring is formed flat, thereby forming the second ring. As it rises from the first ring, an air gap formed between the first ring and the second ring may be minimized.

일 실시예에서, 상기 제2 링은 상기 기판으로 입사되는 이온각을 조절하기 위하여 상기 제1 링으로부터 상승 가능하게 구비될 수 있다.In one embodiment, the second ring may be provided so as to ascend from the first ring in order to adjust an angle of ions incident on the substrate.

본 발명에 의하면, 링 어셈블리가 내부에 발생하는 에어 갭을 최소화할 수 있는 형상으로 제공됨으로써 상기 갭을 통한 공정 가스 및 플라즈마의 침투가 최소화될 수 있다. 따라서 링 어셈블리 내 플라즈마 침투에 의한 기판 에지에서의 식각 특성 변화를 방지함으로써 공정 결과 경시 변화를 개선하고 챔버 내 기류를 안정화시킬 수 있다.According to the present invention, since the ring assembly is provided in a shape capable of minimizing an air gap generated therein, penetration of process gas and plasma through the gap can be minimized. Therefore, it is possible to improve process results over time and stabilize the air flow in the chamber by preventing a change in etching characteristics at the edge of the substrate due to plasma penetration into the ring assembly.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 종래의 링 어셈블리를 도시한 부분 확대도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 링 어셈블리를 도시한 부분 확대도이다.
도 8 및 도 9은 본 발명의 제2 실시예에 따른 링 어셈블리를 도시한 부분 확대도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 to 5 are partially enlarged views of a conventional ring assembly.
6 and 7 are partially enlarged views of a ring assembly according to a first embodiment of the present invention.
8 and 9 are partially enlarged views of a ring assembly according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이 쉽게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 구현될 수 있고 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 실시예를 설명하는 데 있어서, 관련된 공지 기능이나 구성에 대한 구체적 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 구체적 설명을 생략하고, 유사 기능 및 작용을 하는 부분은 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용하기로 한다.In describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted, and parts with similar functions and actions will be omitted. The same reference numerals will be used throughout the drawings.

명세서에서 사용되는 용어들 중 적어도 일부는 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의한 것이기에 사용자, 운용자 의도, 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 그 용어에 대해서는 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 해석되어야 한다.Since at least some of the terms used in the specification are defined in consideration of functions in the present invention, they may vary according to user, operator intention, custom, and the like. Therefore, the term should be interpreted based on the contents throughout the specification.

또한, 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서, 어떤 구성 요소를 포함한다고 하는 때, 이것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. 그리고, 어떤 부분이 다른 부분과 연결(또는, 결합)된다고 하는 때, 이것은, 직접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우뿐만 아니라, 다른 부분을 사이에 두고 간접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우도 포함한다.Also, in this specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. In the specification, when it is said to include a certain component, this means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated. And, when a part is said to be connected (or combined) with another part, this is not only directly connected (or combined), but also indirectly connected (or combined) through another part. include

한편, 도면에서 구성 요소의 크기나 형상, 선의 두께 등은 이해의 편의상 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다.On the other hand, in the drawing, the size or shape of the component, the thickness of the line, etc. may be expressed somewhat exaggerated for convenience of understanding.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해를 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해의 형상으로부터의 변화들, 예를 들면, 제작 방법 및/또는 허용 오차의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것이 아니라 형상에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the invention are described with reference to schematic illustrations of idealized embodiments of the invention. Accordingly, variations from the shape of the illustration, eg, variations in manufacturing method and/or tolerances, are fully expected. Accordingly, embodiments of the present invention are not to be described as being limited to specific shapes of regions illustrated as diagrams, but to include variations in shape, and elements described in the figures are purely schematic and their shapes are elements. It is not intended to describe the exact shape of them, nor is it intended to limit the scope of the present invention.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as being "on" or "on" another element or layer, it is not only directly on the other element or layer, but also when another layer or other element is intervening therebetween. All inclusive. On the other hand, when an element is referred to as “directly on” or “directly on”, it indicates that another element or layer is not intervened.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between elements or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as encompassing different orientations of elements in use or operation in addition to the orientations shown in the figures. For example, when flipping elements shown in the figures, elements described as “below” or “beneath” other elements may be placed “above” the other elements. Thus, the exemplary term “below” may include directions of both below and above. Elements may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, it is needless to say that these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, first element, or first section referred to below may also be a second element, second element, or second section within the spirit of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components regardless of reference numerals are given the same reference numerals, Description is omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 하우징(housing; 110), 기판 지지 유닛(200), 플라즈마 발생 유닛(130), 샤워 헤드 유닛(shower head unit; 140), 제1 가스 공급 유닛(150), 제2 가스 공급 유닛(160), 월 라이너(wall liner unit; 170), 배플 유닛(baffle unit; 180) 및 상부 모듈(190)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 100 includes a housing 110, a substrate support unit 200, a plasma generating unit 130, a shower head unit 140, and a first gas supply unit. 150, a second gas supply unit 160, a wall liner unit 170, a baffle unit 180, and an upper module 190.

기판 처리 장치(100)는 진공 환경에서 식각 공정(예를 들어, 건식 식각 공정(dry etching process))을 이용하여 기판(W)(예를 들어, 웨이퍼(wafer))을 처리하는 시스템이다. 기판 처리 장치(100)은 예를 들어, 플라즈마 공정(plasma process)을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 is a system that processes a substrate W (eg, a wafer) by using an etching process (eg, a dry etching process) in a vacuum environment. The substrate processing apparatus 100 may process the substrate W using, for example, a plasma process.

하우징(110)은 플라즈마 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 것이다. 이러한 하우징(110)은 그 하부에 배기 홀(111)을 구비할 수 있다.The housing 110 provides a processing space in which a plasma process is performed. The housing 110 may have an exhaust hole 111 at a lower portion thereof.

배기 홀(111)은 펌프(112)가 장착된 배기 라인(113)과 연결될 수 있다. 이러한 배기 홀(111)은 배기 라인(113)을 통해 플라즈마 공정 과정에서 발생된 반응 부산물과 하우징(110)의 내부에 잔여하는 가스를 하우징(110)의 외부로 배출할 수 있다. 이 경우, 하우징(110)의 내부 공간은 소정의 압력으로 감압될 수 있다.The exhaust hole 111 may be connected to the exhaust line 113 in which the pump 112 is mounted. The exhaust hole 111 may discharge reaction by-products generated during the plasma process and gas remaining inside the housing 110 to the outside of the housing 110 through the exhaust line 113 . In this case, the inner space of the housing 110 may be decompressed to a predetermined pressure.

하우징(110)은 그 측벽에 개구부(114)가 형성될 수 있다. 개구부(114)는 하우징(110)의 내부로 기판(W)이 출입하는 통로로서 기능할 수 있다. 이러한 개구부(114)는 도어 어셈블리(115)에 의해 개폐되도록 구성될 수 있다.The housing 110 may have an opening 114 formed on its sidewall. The opening 114 may function as a passage through which the substrate W enters and exits the housing 110 . The opening 114 may be configured to be opened and closed by the door assembly 115 .

도어 어셈블리(115)는 외측 도어(115a) 및 도어 구동기(115b)를 포함하여 구성될 수 있다. 외측 도어(115a)는 하우징(110)의 외벽에 제공되는 것이다. 이러한 외측 도어(115a)는 도어 구동기(115b)를 통해 상하 방향(즉, 제 3 방향(30))으로 이동될 수 있다. 도어 구동기(115b)는 모터, 유압 실린더, 공압 실린더 등을 이용하여 작동할 수 있다.The door assembly 115 may include an outer door 115a and a door driver 115b. The outer door 115a is provided on the outer wall of the housing 110 . The outer door 115a may be moved in a vertical direction (ie, in the third direction 30) through the door driver 115b. The door actuator 115b may operate using a motor, hydraulic cylinder, pneumatic cylinder, or the like.

기판 지지 유닛(200)은 하우징(110)의 내부 하측 영역에 설치되는 것이다. 이러한 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑(mechanical clamping), 진공(vacuum) 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지하는 것도 가능하다.The substrate support unit 200 is installed in the lower inner region of the housing 110 . The substrate support unit 200 may support the substrate W using electrostatic force. However, the present embodiment is not limited thereto. The substrate support unit 200 may support the substrate W in various ways, such as mechanical clamping or vacuum.

기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 경우, 베이스 부재(base component; 211)와 척킹 부재(chucking component; 212)를 포함하는 정전 척(ESC; Electro-Static Chuck; 210)을 포함할 수 있다.When the substrate support unit 200 supports the substrate W using electrostatic force, the substrate support unit 200 includes an electrostatic chuck (ESC) including a base component 211 and a chucking component 212; 210) may be included.

베이스 부재(211)는 척킹 부재를 지지하는 것이다. 베이스 부재(211)는 예를 들어, 알루미늄 성분을 소재로 하여 제작되어 알루미늄 베이스 플레이트(Al base plate)로 제공될 수 있다.The base member 211 supports the chucking member. The base member 211 may be made of, for example, an aluminum component and provided as an aluminum base plate.

척킹 부재(212)는 정전기력을 이용하여 그 상부에 안착되는 기판(W)을 지지하는 것이다. 이러한 척킹 부재(212)는 세라믹 성분을 소재로 하여 제작되어 세라믹 플레이트(ceramic plate) 또는 세라믹 퍽(ceramic puck)으로 제공될 수 있으며, 베이스 부재(211) 상에 고정되도록 베이스 부재(211)와 결합될 수 있다.The chucking member 212 supports the substrate W placed thereon using electrostatic force. The chucking member 212 may be made of a ceramic component and provided as a ceramic plate or ceramic puck, and is coupled to the base member 211 to be fixed on the base member 211 It can be.

베이스 부재(211)와 그 위에 형성되는 척킹 부재(212) 사이에는 접합층(213, bonding layer)이 형성될 수 있다.A bonding layer 213 may be formed between the base member 211 and the chucking member 212 formed thereon.

링 어셈블리(220)는 기판 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 링 어셈블리(220)는 링 형상을 가지며, 정전 척(210)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 링 어셈블리(220)의 상면은 외측부가 내측부보다 높게 위치할 수 있다. 예를 들어, 링 어셈블리(220)의 상면 내측부는 척킹 부재(212)의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다. 링 어셈블리(220)의 상면 내측부는 척킹 부재(212)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 링 어셈블리(220)는 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.The ring assembly 220 may be disposed on an edge area of the substrate support unit 200 . The ring assembly 220 has a ring shape and may be disposed along the circumference of the electrostatic chuck 210 . The upper surface of the ring assembly 220 may have an outer portion higher than an inner portion. For example, the inner portion of the upper surface of the ring assembly 220 may be located at the same height as the upper surface of the chucking member 212 . An inner portion of the upper surface of the ring assembly 220 may support an edge region of the substrate W supported by the chucking member 212 . The ring assembly 220 may control the electric field so that the plasma density is uniformly distributed over the entire area of the substrate W. As a result, plasma is uniformly formed over the entire area of the substrate (W), so that each area of the substrate (W) can be uniformly etched.

제1 가스 공급 유닛(150)은 기판(W)의 저면으로 열전달 가스를 공급할 수 있다. 열전달 가스는 기판(W)과 정전 척(210) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 열전달 가스에 의하여 기판(W)의 전체 온도가 균일해질 수 있다. 열전달 가스는 불활성 가스를 포함한다. 일 예로, 열전달 가스는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 이러한 제1 가스 공급 유닛(150)은 제1 가스 공급원(151) 및 제1 가스 공급 라인(152)을 포함하여 구성될 수 있다.The first gas supply unit 150 may supply heat transfer gas to the lower surface of the substrate W. The heat transfer gas serves as a medium to help heat exchange between the substrate W and the electrostatic chuck 210 . The entire temperature of the substrate W may be made uniform by the heat transfer gas. The heat transfer gas contains an inert gas. For example, the heat transfer gas may include helium (He) gas. The first gas supply unit 150 may include a first gas supply source 151 and a first gas supply line 152 .

제1 가스 공급원(151)은 제1 가스로 헬륨 가스(He gas)를 공급할 수 있다. 제1 가스 공급원(151)으로부터의 제1 가스는 제1 가스 공급 라인(152)을 통해 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다.The first gas supply source 151 may supply He gas as the first gas. The first gas from the first gas supply source 151 may be supplied to the lower surface of the substrate W through the first gas supply line 152 .

가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는 하우징(110)의 내부에서 식각 공정이 진행되고 있을 때에 기판(W)이 공정 온도를 유지할 수 있도록 제공되는 것이다. 가열 부재(124)는 이를 위해 열선으로 제공될 수 있으며, 냉각 부재(125)는 이를 위해 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다.The heating member 124 and the cooling member 125 are provided to maintain the process temperature of the substrate W when an etching process is in progress inside the housing 110 . The heating member 124 may be provided as a heating wire for this purpose, and the cooling member 125 may be provided as a cooling line through which a refrigerant flows.

가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는 기판(W)이 공정 온도를 유지할 수 있도록 하기 위해 정전 척(210)의 내부에 설치될 수 있다. 일 예로, 가열 부재(124)는 척킹 부재(122)의 내부에 설치될 수 있으며, 냉각 부재(125)는 베이스 부재(121)의 내부에 설치될 수 있다.The heating member 124 and the cooling member 125 may be installed inside the electrostatic chuck 210 to maintain the substrate W at a process temperature. For example, the heating member 124 may be installed inside the chucking member 122 and the cooling member 125 may be installed inside the base member 121 .

한편, 냉각 부재(125)는 냉각 장치(chiller; 126)를 이용하여 냉매를 공급받을 수 있다. 냉각 장치(126)는 하우징(110)의 외부에 설치될 수 있다.Meanwhile, the cooling member 125 may receive a refrigerant using a chiller 126 . The cooling device 126 may be installed outside the housing 110 .

플라즈마 생성 유닛(130)은 방전 공간에 잔류하는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 것이다. 여기서, 방전 공간은 하우징(110)의 내부 공간 중에서 정전 척(210)의 상부에 위치하는 공간을 의미한다.The plasma generating unit 130 generates plasma from gas remaining in the discharge space. Here, the discharge space means a space located above the electrostatic chuck 210 in the inner space of the housing 110 .

플라즈마 생성 유닛(130)은 유도 결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(110) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 모듈(190)에 설치되는 안테나 유닛(antenna unit; 193)을 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(210)을 하부 전극으로 이용할 수 있다.The plasma generating unit 130 may generate plasma in a discharge space inside the housing 110 using an inductively coupled plasma (ICP) source. In this case, the plasma generating unit 130 may use an antenna unit 193 installed on the upper module 190 as an upper electrode and use the electrostatic chuck 210 as a lower electrode.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 플라즈마 생성 유닛(130)은 용량 결합형 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(110) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시키는 것도 가능하다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(130)은 도 2에 도시된 바와 같이 샤워 헤드 유닛(140)을 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(210)을 하부 전극으로 이용할 수 있다. 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.However, the present embodiment is not limited thereto. The plasma generating unit 130 may also generate plasma in a discharge space inside the housing 110 using a Capacitively Coupled Plasma (CCP) source. In this case, the plasma generating unit 130 may use the shower head unit 140 as an upper electrode and the electrostatic chuck 210 as a lower electrode, as shown in FIG. 2 . 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described with reference to FIG. 1 again.

플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 전극, 하부 전극, 상부 전원(131) 및 하부 전원(133)을 포함하여 구성될 수 있다.The plasma generating unit 130 may include an upper electrode, a lower electrode, an upper power source 131 and a lower power source 133 .

상부 전원(131)은 상부 전극, 즉 안테나 유닛(193)에 전력을 인가하는 것이다. 이러한 상부 전원(131)은 플라즈마의 특성을 제어하도록 제공될 수 있다. 상부 전원(131)은 예를 들어, 이온 충격 에너지(ion bombardment energy)를 조절하도록 제공될 수 있다.The upper power source 131 applies power to the upper electrode, that is, the antenna unit 193. Such an upper power source 131 may be provided to control the characteristics of plasma. The top power source 131 may be provided to adjust ion bombardment energy, for example.

상부 전원(131)은 도 1에 단일 개 도시되어 있지만, 본 실시예에서 복수 개 구비되는 것도 가능하다. 상부 전원(131)이 복수 개 구비되는 경우, 기판 처리 장치(100)는 복수 개의 상부 전원과 전기적으로 연결되는 제1 매칭 네트워크(미도시)를 더 포함할 수 있다.Although a single upper power source 131 is shown in FIG. 1 , it is also possible to include a plurality of upper power sources 131 in this embodiment. When a plurality of upper power sources 131 are provided, the substrate processing apparatus 100 may further include a first matching network (not shown) electrically connected to the plurality of upper power sources.

제1 매칭 네트워크는 각각의 상부 전원으로부터 입력되는 상이한 크기의 주파수 전력들을 매칭하여 안테나 유닛(193)에 인가할 수 있다.The first matching network may match frequency powers of different sizes input from each upper power source and apply the matching frequency powers to the antenna unit 193 .

한편, 상부 전원(131)과 안테나 유닛(193)을 연결하는 제1 전송 선로(132) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제1 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다.Meanwhile, a first impedance matching circuit (not shown) may be provided on the first transmission line 132 connecting the upper power source 131 and the antenna unit 193 for the purpose of impedance matching.

제1 임피던스 정합 회로는 무손실 수동 회로로 작용하여 상부 전원(131)으로부터 안테나 유닛(193)으로 전기 에너지가 효과적으로(즉, 최대로) 전달되도록 할 수 있다.The first impedance matching circuit may act as a lossless passive circuit to effectively (ie, maximally) transfer electrical energy from the upper power source 131 to the antenna unit 193 .

하부 전원(133)은 하부 전극, 즉 정전 척(210)에 전력을 인가하는 것이다. 이러한 하부 전원(133)은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 역할을 하거나, 상부 전원(131)과 더불어 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다.The lower power source 133 applies power to the lower electrode, that is, the electrostatic chuck 210 . The lower power source 133 may serve as a plasma source for generating plasma or may serve to control characteristics of plasma together with the upper power source 131 .

하부 전원(133)은 도 1에 단일 개 도시되어 있지만, 상부 전원(131)과 마찬가지로 본 실시예에서 복수 개 구비되는 것도 가능하다. 하부 전원(133)이 복수 개 구비되는 경우, 복수 개의 하부 전원과 전기적으로 연결되는 제 2 매칭 네트워크(미도시)를 더 포함할 수 있다.Although a single lower power supply 133 is shown in FIG. 1 , a plurality of lower power sources 133 may be provided in this embodiment as in the case of the upper power supply 131 . When a plurality of lower power sources 133 are provided, a second matching network (not shown) electrically connected to the plurality of lower power sources may be further included.

제2 매칭 네트워크는 각각의 하부 전원으로부터 입력되는 상이한 크기의 주파수 전력들을 매칭하여 정전 척(210)에 인가할 수 있다.The second matching network may match frequency powers of different magnitudes input from each lower power source and apply the matched frequency powers to the electrostatic chuck 210 .

한편, 하부 전원(133)과 정전 척(210)을 연결하는 제2 전송 선로(134) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제2 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다.Meanwhile, a second impedance matching circuit (not shown) may be provided on the second transmission line 134 connecting the lower power supply 133 and the electrostatic chuck 210 for the purpose of impedance matching.

제2 임피던스 정합 회로는 제1 임피던스 정합 회로와 마찬가지로 무손실 수동 회로로 작용하여 하부 전원(133)으로부터 정전 척(210)으로 전기 에너지가 효과적으로(즉, 최대로) 전달되도록 할 수 있다.Like the first impedance matching circuit, the second impedance matching circuit can act as a lossless passive circuit to effectively (ie, maximally) transfer electrical energy from the lower power source 133 to the electrostatic chuck 210 .

샤워 헤드 유닛(140)은 정전 척(210)과 하우징(110)의 내부에서 상하로 대향되도록 설치될 수 있다. 이러한 샤워 헤드 유닛(140)은 하우징(110)의 내부로 가스를 분사하기 위해 복수 개의 가스 분사 홀(gas feeding hole; 141)을 구비할 수 있으며, 정전 척(210)보다 더 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다.The shower head unit 140 may be vertically opposed to the electrostatic chuck 210 inside the housing 110 . The shower head unit 140 may include a plurality of gas feeding holes 141 to inject gas into the housing 110 and have a larger diameter than the electrostatic chuck 210. can be provided.

한편, 샤워 헤드 유닛(140)은 실리콘 성분을 소재로 하여 제작될 수 있으며, 금속 성분을 소재로 하여 제작되는 것도 가능하다.Meanwhile, the shower head unit 140 may be made of a silicon component, or may be made of a metal component.

제2 가스 공급 유닛(160)은 샤워 헤드 유닛(140)을 통해 하우징(110)의 내부로 공정 가스(제2 가스)를 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급 유닛(160)은 제2 가스 공급원(161) 및 제2 가스 공급 라인(162)을 포함할 수 있다.The second gas supply unit 160 supplies process gas (second gas) into the housing 110 through the shower head unit 140 . The second gas supply unit 160 may include a second gas supply source 161 and a second gas supply line 162 .

제2 가스 공급원(161)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 에칭 가스(etching gas)를 공정 가스로 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급원(161)은 에칭 가스로 불소(fluorine) 성분을 포함하는 가스(예를 들어, SF6, CF4 등의 가스)를 공급할 수 있다.The second gas supply source 161 supplies an etching gas used to process the substrate W as a process gas. The second gas supply source 161 may supply a gas containing a fluorine component (eg, a gas such as SF6 or CF4) as an etching gas.

제2 가스 공급원(161)은 단일 개 구비되어 에칭 가스를 샤워 헤드 유닛(140)으로 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 가스 공급원(161)은 복수 개 구비되어 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)으로 공급하는 것도 가능하다.A single second gas supply source 161 may be provided to supply etching gas to the shower head unit 140 . However, the present embodiment is not limited thereto. A plurality of second gas supply sources 161 may be provided to supply process gas to the shower head unit 140 .

제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)과 샤워 헤드 유닛(140)을 연결하는 것이다. 제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)을 통해 공급되는 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)으로 이송하여, 에칭 가스가 하우징(110)의 내부로 유입될 수 있도록 한다.The second gas supply line 162 connects the second gas supply source 161 and the shower head unit 140 . The second gas supply line 162 transfers the process gas supplied through the second gas supply source 161 to the shower head unit 140 so that the etching gas can flow into the housing 110 .

한편, 샤워 헤드 유닛(140)이 센터 영역(center zone), 미들 영역(middle zone), 에지 영역(edge zone) 등으로 분할되는 경우, 제2 가스 공급 유닛(160)은 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 공정 가스를 공급하기 위해 가스 분배기(미도시)와 가스 분배 라인(미도시)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, when the shower head unit 140 is divided into a center zone, a middle zone, and an edge zone, the second gas supply unit 160 is the shower head unit 140 A gas distributor (not shown) and a gas distribution line (not shown) may be further included in order to supply process gas to each region.

가스 분배기는 제2 가스 공급원(161)으로부터 공급되는 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 분배하는 것이다. 이러한 가스 분배기는 제2 가스 공급 라인(161)을 통해 제2 가스 공급원(161)과 연결될 수 있다.The gas distributor distributes the process gas supplied from the second gas supply source 161 to each area of the shower head unit 140 . This gas distributor may be connected to the second gas supply source 161 through the second gas supply line 161 .

가스 분배 라인은 가스 분배기와 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역을 연결하는 것이다. 가스 분배 라인은 이를 통해 가스 분배기에 의해 분배된 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 이송할 수 있다.The gas distribution line connects the gas distributor and each area of the shower head unit 140 . Through the gas distribution line, process gas distributed by the gas distributor may be transferred to each area of the shower head unit 140 .

한편, 제2 가스 공급 유닛(160)은 증착 가스(deposition gas)를 공급하는 제3 가스 공급원(미도시)을 더 포함하는 것도 가능하다.Meanwhile, the second gas supply unit 160 may further include a third gas supply source (not shown) for supplying deposition gas.

제3 가스 공급원은 기판(W) 패턴의 측면을 보호하여 이방성 에칭이 가능해지도록 샤워 헤드 유닛(140)으로 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급원은 C4F8, C2F4 등의 가스를 증착 가스로 공급할 수 있다.The third gas supply source is supplied to the shower head unit 140 to protect the side surface of the substrate W pattern and enable anisotropic etching. The second gas supply source may supply a gas such as C4F8 or C2F4 as a deposition gas.

월 라이너 유닛(170)은 공정 가스가 여기되는 과정에서 발생되는 아크 방전, 기판 처리 공정 중에 발생되는 불순물 등으로부터 하우징(110)의 내측면을 보호하기 위한 것이다. 이러한 월 라이너 유닛(170)은 하우징(110)의 내부에 상부와 하부가 각각 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 월 라이너 유닛(170)은 제공되지 않을 수 있다.The wall liner unit 170 protects the inner surface of the housing 110 from arc discharge generated during process gas excitation and impurities generated during a substrate processing process. The wall liner unit 170 may be provided inside the housing 110 in a cylindrical shape with upper and lower portions open. Optionally, the wall liner unit 170 may not be provided.

월 라이너 유닛(170)은 하우징(110)의 내측벽에 인접하도록 제공될 수 있다. 이러한 월 라이너 유닛(170)은 그 상부에 지지 링(171)을 구비할 수 있다. 지지 링(171)은 월 라이너 유닛(170)의 상부에서 외측 방향(즉, 제1 방향(10))으로 돌출 형성되며, 하우징(110)의 상단에 놓여 월 라이너 유닛(170)을 지지할 수 있다.The wall liner unit 170 may be provided adjacent to the inner wall of the housing 110 . The wall liner unit 170 may have a support ring 171 thereon. The support ring 171 protrudes from the top of the wall liner unit 170 in an outward direction (ie, in the first direction 10) and is placed on the top of the housing 110 to support the wall liner unit 170. there is.

배플 유닛(180)은 플라즈마의 공정 부산물, 미반응 가스 등을 배기하는 역할을 한다. 이러한 배플 유닛(180)은 하우징(110)의 내측벽과 정전 척(210) 사이에 설치될 수 있다. 배플 유닛(180)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있으며, 상하 방향(즉, 제3 방향(30))으로 관통되는 복수 개의 관통 홀을 구비할 수 있다. 배플 유닛(180)은 관통 홀의 개수 및 형상에 따라 공정 가스의 흐름을 제어할 수 있다.The baffle unit 180 serves to exhaust plasma process by-products, unreacted gases, and the like. The baffle unit 180 may be installed between the inner wall of the housing 110 and the electrostatic chuck 210 . The baffle unit 180 may be provided in an annular ring shape and may include a plurality of through holes penetrating in a vertical direction (ie, in the third direction 30 ). The baffle unit 180 may control the flow of process gas according to the number and shape of through holes.

상부 모듈(190)은 하우징(110)의 개방된 상부를 덮도록 설치되는 것이다. 이러한 상부 모듈(190)은 윈도우 부재(191), 안테나 부재(192) 및 안테나 유닛(193)을 포함할 수 있다.The upper module 190 is installed to cover the open top of the housing 110 . This upper module 190 may include a window member 191, an antenna member 192 and an antenna unit 193.

윈도우 부재(191)는 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시키기 위해 하우징(110)의 상부를 덮도록 형성되는 것이다. 이러한 윈도우 부재(191)는 판(예를 들어, 원판) 형상으로 제공될 수 있으며, 절연 물질(예를 들어, 알루미나(Al2O3))을 소재로 하여 형성될 수 있다.The window member 191 is formed to cover the top of the housing 110 to seal the inner space of the housing 110 . The window member 191 may be provided in a plate (eg, disk) shape, and may be formed of an insulating material (eg, alumina (Al 2 O 3 )).

윈도우 부재(191)는 유전체 창(dielectric window)을 포함하여 형성될 수 있다. 윈도우 부재(191)는 제2 가스 공급 라인(162)이 삽입되기 위한 통공이 형성될 수 있으며, 하우징(110)의 내부에서 플라즈마 공정이 수행될 때 파티클(particle)의 발생을 억제하기 위해 그 표면에 코팅막이 형성될 수 있다.The window member 191 may include a dielectric window. The window member 191 may have a through hole through which the second gas supply line 162 is inserted, and a surface thereof to suppress generation of particles when a plasma process is performed inside the housing 110. A coating film may be formed on.

안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)의 상부에 설치되는 것으로서, 안테나 유닛(193)이 그 내부에 배치될 수 있도록 소정 크기의 공간이 제공될 수 있다.The antenna member 192 is installed above the window member 191, and a space of a predetermined size may be provided so that the antenna unit 193 can be disposed therein.

안테나 부재(192)는 하부가 개방된 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 하우징(110)과 대응되는 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다.The antenna member 192 may be formed in a cylindrical shape with an open bottom, and may be provided to have a diameter corresponding to that of the housing 110 . The antenna member 192 may be detachably attached to the window member 191 .

안테나 유닛(193)은 상부 전극으로 기능하는 것으로서, 폐루프를 형성하도록 제공되는 코일이 장착된 것이다. 이러한 안테나 유닛(193)은 상부 전원(131)으로부터 공급되는 전력을 기초로 하우징(110)의 내부에 자기장 및 전기장을 생성하여, 샤워 헤드 유닛(140)를 통해 하우징(110)의 내부로 유입된 가스를 플라즈마로 여기시키는 기능을 한다.The antenna unit 193 functions as an upper electrode and is equipped with a coil provided to form a closed loop. The antenna unit 193 generates a magnetic field and an electric field inside the housing 110 based on the power supplied from the upper power source 131, and flows into the housing 110 through the shower head unit 140. It functions to excite gas into plasma.

안테나 유닛(193)은 평판 스파이럴(planar spiral) 형태의 코일을 장착할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 코일의 구조나 크기 등은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양하게 변경될 수 있다.The antenna unit 193 may be equipped with a planar spiral coil. However, the present embodiment is not limited thereto. The structure or size of the coil may be variously changed by those skilled in the art.

도 6 내지 도 9는 도 1 및 도 2의 링 어셈블리(220)의 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 도 6 및 도 7은 링 어셈블리(220)의 제1 실시예(300)를 도시하고, 도 8 및 도 9는 링 어셈블리(220)의 제2 실시예(400)를 도시한다.6 to 9 are views for explaining an embodiment of the ring assembly 220 of FIGS. 1 and 2 . 6 and 7 show a first embodiment 300 of a ring assembly 220 , and FIGS. 8 and 9 show a second embodiment 400 of a ring assembly 220 .

링 어셈블리(220)는 플라즈마 공정 시 생성된 이온이 기판 위로 집중되도록 할 수 있다. 링 어셈블리(220)에 의해 시스(Sheath) 및 전기장이 조절될 수 있고, 이에 따라 플라즈마가 기판(W) 상으로 집중되도록 유도될 수 있다. 링 어셈블리(220)는 도전성 소재로 제공될 수 있다. 예를 들어, 링 어셈블리(220)는 규소(Si), 탄화 규소(SiC) 등으로 제공될 수 있다. 상세히 도시되지는 않았지만, 링 어셈블리(220)의 외측에는 차폐 부재가 위치될 수 있다. 차폐 부재(미도시)는 링 어셈블리(220)의 외측을 둘러싸도록 링 형상으로 제공될 수 있다. 차폐 부재(미도시)는 링 어셈블리(220)의 측면이 플라즈마에 직접 노출되거나, 링 어셈블리(220)의 측부로 플라즈마가 유입되는 것을 방지할 수 있다.The ring assembly 220 may concentrate ions generated during the plasma process onto the substrate. A sheath and an electric field may be controlled by the ring assembly 220, and accordingly, plasma may be induced to be concentrated on the substrate W. The ring assembly 220 may be made of a conductive material. For example, the ring assembly 220 may be made of silicon (Si), silicon carbide (SiC), or the like. Although not shown in detail, a shield member may be positioned outside the ring assembly 220 . A shielding member (not shown) may be provided in a ring shape to surround the outside of the ring assembly 220 . The shielding member (not shown) may prevent direct exposure of the side surface of the ring assembly 220 to plasma or plasma from being introduced into the side surface of the ring assembly 220 .

링 어셈블리(220)는 정전 척의 외측면을 감싸도록 제공되는 제1 링과 제1 링의 상부에 상승 가능하게 제공되는 제2 링을 포함하고, 제1 링과 제2 링이 마주보는 면에 대하여 제1 링 및 제2 링 중 적어도 하나에 단차부가 형성될 수 있다. 특히, 제2 링의 내측면은 기판(W)의 측면을 감싸도록 제공되고 평평하게 형성된다. 내측이란 정전 척(210) 쪽을 말하고, 외측이란 그 반대쪽을 말한다.The ring assembly 220 includes a first ring provided to surround an outer surface of the electrostatic chuck and a second ring provided to ascend above the first ring, and the first ring and the second ring face each other with respect to each other. A stepped portion may be formed in at least one of the first ring and the second ring. In particular, the inner surface of the second ring is provided to surround the side surface of the substrate W and is formed flat. The inner side refers to the side of the electrostatic chuck 210, and the outer side refers to the opposite side.

도 6 및 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 링 어셈블리를 설명하기 위한 부분 확대도이다. 도 6는 평상시의 링 어셈블리를 도시한 것이고, 도 7은 링 어셈블리의 일부를 상승시킨 상태를 도시한 것이다.6 and 7 are partially enlarged views for explaining the ring assembly according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 shows a normal ring assembly, and FIG. 7 shows a state in which a part of the ring assembly is raised.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 링 어셈블리(300)는 기판 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치되고 상면, 내측면, 하면 및 외측면을 포함하는 제1 링(310) 및 제2 링(320)을 포함하여 정전 척(210)의 외주를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 제2 링(320)은 제1 링(310)의 상부에 상승 가능하게 제공되고, 제2 링(320)의 내측면은 평평하게 형성될 수 있다. 도 7에서 제2 링(320)이 상승된 높이는 도 5에서 이너 링(32)이 상승된 높이와 동일하다.6 and 7, the ring assembly 300 according to the first embodiment of the present invention is disposed on the edge area of the substrate support unit 200 and includes an upper surface, an inner surface, a lower surface and an outer surface. A first ring 310 and a second ring 320 may be provided to surround the outer circumference of the electrostatic chuck 210 . The second ring 320 is provided to be able to rise above the first ring 310, and the inner surface of the second ring 320 may be formed flat. The elevated height of the second ring 320 in FIG. 7 is the same as the elevated height of the inner ring 32 in FIG. 5 .

제1 링(310)은 내측면(311), 상면(312), 외측면(313), 및 하면(314)을 포함하는 환형의 본체(310)를 포함할 수 있다.The first ring 310 may include an annular body 310 including an inner surface 311 , an upper surface 312 , an outer surface 313 , and a lower surface 314 .

제1 링(310)의 내측면(311)은 정전 척(210)에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 링(310)의 내측면(311)은 제1 내측면(311a)과 제2 내측면(311b)으로 구획되고, 정전 척(210)의 형상에 대응하여 제1 내측면(311a)이 제2 내측면(311b)보다 내측에 위치하는 형상을 가질 수 있다. 제1 링(310)의 하면(314)은 정전 척(210)에 대응하는 형상으로 형성된 내측면(311)에 의하여 제1 하면(314a)과 제2 하면(314b)으로 구획될 수 있다.The inner surface 311 of the first ring 310 may be formed in a shape corresponding to the electrostatic chuck 210 . For example, the inner surface 311 of the first ring 310 is divided into a first inner surface 311a and a second inner surface 311b, corresponding to the shape of the electrostatic chuck 210. (311a) may have a shape located on the inner side than the second inner surface (311b). The lower surface 314 of the first ring 310 may be divided into a first lower surface 314a and a second lower surface 314b by an inner surface 311 formed in a shape corresponding to the electrostatic chuck 210 .

제1 링(310)의 상면(312)에는 하방으로 함몰된 형태의 제1 단차부(315)가 형성되고, 제1 단차부(315)에 의하여 제1 링(310)의 상면(312)은 제1 상면(312a)과 제2 상면(312b)으로 구획될 수 있다. 일 예로, 제2 상면(312b)의 위치는 제1 상면(312a)의 위치보다 높게 형성될 수 있다. 즉, 제1 단차부(315)의 제1 측면(315a) 길이는 제2 측면(315b)의 길이보다 낮게 형성될 수 있다. 본 발명에서는 제1 단차부(315)의 제1 측면(315a)의 높이와 제2 측면(315b)의 높이가 상이한 것을 예로 들었지만, 제1 측면(315a)의 높이와 제2 측면(315b)의 높이는 동일하게 제작될 수도 있다.The upper surface 312 of the first ring 310 is formed with a first stepped portion 315 in a downwardly recessed form, and the upper surface 312 of the first ring 310 is formed by the first stepped portion 315. It may be partitioned into a first upper surface 312a and a second upper surface 312b. For example, the position of the second upper surface 312b may be formed higher than the position of the first upper surface 312a. That is, the length of the first side surface 315a of the first stepped portion 315 may be formed lower than the length of the second side surface 315b. In the present invention, the height of the first side surface 315a of the first step portion 315 and the height of the second side surface 315b are different as an example, but the height of the first side surface 315a and the height of the second side surface 315b The height may be made the same.

제2 링(320)은 제1 링(310)의 상부에 제공되고 내측면(321), 상면(322), 외측면(323), 및 하면(324)을 포함하는 환형의 본체(320)를 포함할 수 있다. 제2 링(320)의 내측면(321)은 단차부 등을 포함하지 않고 평평하게 형성될 수 있다.The second ring 320 is provided on the top of the first ring 310 and includes an annular body 320 including an inner surface 321, an upper surface 322, an outer surface 323, and a lower surface 324. can include The inner surface 321 of the second ring 320 may be formed flat without including a stepped portion or the like.

제2 링(320)의 하면(324)에는 상방으로 함몰된 형태의 제2 단차부(325)가 형성되고, 제2 단차부(325)에 의하여 제2 링(320)의 하면(324)은 제1 하면(324a)과 제2 하면(324b)으로 구획될 수 있다. 제1 하면(324a)의 위치는 제2 하면(324a)의 위치보다 높게 형성될 수 있다. 즉, 제2 단차부(325)의 제1 측면(325a) 길이가 제2 측면(325b) 길이보다 짧게 형성될 수 있다.The lower surface 324 of the second ring 320 is formed with a second stepped portion 325 in an upwardly recessed form, and the lower surface 324 of the second ring 320 is formed by the second stepped portion 325. It may be partitioned into a first lower surface 324a and a second lower surface 324b. The position of the first lower surface 324a may be formed higher than the position of the second lower surface 324a. That is, the length of the first side surface 325a of the second stepped portion 325 may be shorter than the length of the second side surface 325b.

제1 단차부(315)는 제1 측면(315a)이 제2 링(320)의 내측면(321)과 대응하는 위치에 형성되고, 제2 측면(315b)이 제2 단차부(325)의 제1 측면(325a)과 대응하는 위치에 형성될 수 있다.In the first stepped portion 315, the first side surface 315a is formed at a position corresponding to the inner surface 321 of the second ring 320, and the second side surface 315b is formed on the second stepped portion 325. It may be formed at a position corresponding to the first side surface 325a.

제2 단차부(325)는 제1 측면(325a)이 제1 단차부(315)의 제2 측면(315b)과 대응하는 위치에 형성되고, 제2 측면(325b)이 제1 링(310)의 외측면(313)과 대응하는 위치에 형성될 수 있다.In the second stepped portion 325, the first side surface 325a is formed at a position corresponding to the second side surface 315b of the first stepped portion 315, and the second side surface 325b is formed on the first ring 310. It may be formed in a position corresponding to the outer surface 313 of the.

제1 단차부(315)의 제2 측면(315b) 길이와 제2 단차부(325)의 제1 측면(325a)의 길이는 동일하게 형성될 수 있다. 제2 단차부(325)의 제2 측면(325b)길이는 제1 링(310)의 외측면(313) 길이와 동일하게 형성될 수 있다.The length of the second side surface 315b of the first stepped portion 315 and the length of the first side surface 325a of the second stepped portion 325 may be formed to be the same. The length of the second side surface 325b of the second stepped portion 325 may be the same as the length of the outer surface 313 of the first ring 310 .

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 링 어셈블리(300)는, 제1 링(310)과 제2 링(320)은 서로의 일부가 각각의 단차부에 삽입되어 완전히 맞물리도록 결합된 형태로 제공되고 제2 링(320)이 제1 링(310)으로부터 상승 가능하도록 제공될 수 있다.As shown in Figure 6, in the ring assembly 300 according to the first embodiment of the present invention, the first ring 310 and the second ring 320 are completely inserted into each step part of each other. It is provided in a coupled form to be engaged and provided so that the second ring 320 can rise from the first ring 310 .

제1 링(310)과 제2 링(320)은 제1 단차부(315)에 제2 링(320)의 제1 하면(324a)이 밀착되고 제2 단차부(325)에 제1 링(310)의 제2 상면(312b)이 밀착되도록 결합될 수 있다. 이때, 제1 단차부(315)의 제1 측면(315a)과 제2 링(320)의 내측면(321)이 밀착되고, 제1 단차부(315)의 제2 측면(315b)과 제2 단차부(325)의 제1 측면(325a)이 밀착되며, 제2 단차부(325)의 제2 측면(325b)과 제1 링(310)의 외측면(313)이 밀착됨으로써 제1 링(310)과 제2 링(320)이 완전히 맞물릴 수 있다.In the first ring 310 and the second ring 320, the first lower surface 324a of the second ring 320 is in close contact with the first stepped portion 315 and the first ring (324a) is attached to the second stepped portion 325. 310) may be coupled so that the second upper surface 312b is in close contact with each other. At this time, the first side surface 315a of the first stepped portion 315 and the inner surface 321 of the second ring 320 are in close contact, and the second side surface 315b of the first stepped portion 315 and the second ring 320 are in close contact with each other. The first side surface 325a of the stepped portion 325 is in close contact with the second side surface 325b of the second stepped portion 325 and the outer surface 313 of the first ring 310 are in close contact with the first ring ( 310) and the second ring 320 may be completely engaged.

상술한 바와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 링 어셈블리(300)는 제1 링(310)의 단차부(315)에 삽입되는 제2 링(320)의 내측면(321)이 단차부 없이 평평하게 형성됨으로써 제2 링(320)이 형성하는 내경이 종래에 비하여 확대될 수 있다. 이에 따라, 기판의 에지 영역에 에어 갭이 형성되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 제2 링(320)이 제1 링(310)으로부터 일정 높이(예: 제1 단차부(315)의 제1 측면(315a) 높이)만큼 상승되기 전까지 제1 링(310)과 제2 링(320) 사이에 에어 갭이 발생하지 않을 수 있다.As described above, in the ring assembly 300 according to the first embodiment of the present invention, the inner surface 321 of the second ring 320 inserted into the stepped portion 315 of the first ring 310 has no stepped portion. By being formed flat, the inner diameter formed by the second ring 320 can be enlarged compared to the prior art. Accordingly, formation of an air gap in the edge region of the substrate can be prevented. In addition, until the second ring 320 is raised by a predetermined height (eg, the height of the first side surface 315a of the first stepped portion 315) from the first ring 310, the first ring 310 and the second An air gap may not occur between the rings 320 .

도 8 및 도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 링 어셈블리를 설명하기 위한 부분 확대도이다. 도 8은 평상시의 링 어셈블리를 도시한 것이고, 도 9는 링 어셈블리의 일부를 상승시킨 상태를 도시한 것이다.8 and 9 are partially enlarged views for explaining a ring assembly according to a second embodiment of the present invention. FIG. 8 shows a normal ring assembly, and FIG. 9 shows a state in which a part of the ring assembly is raised.

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 링 어셈블리(400)는 기판 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치되고 상면, 내측면, 하면 및 외측면을 포함하는 제1 링(410) 및 제2 링(420)을 포함하여 정전 척(210)의 외주를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 제2 링(420)은 제1 링(410)의 상부에 상승 가능하게 제공되고, 제2 링(420)의 내측면은 평평하게 형성될 수 있다. 도 9에서 제2 링(420)이 상승된 높이는 도 5에서 이너 링(32)이 상승된 높이와 동일하다.8 and 9, the ring assembly 400 according to the second embodiment of the present invention is disposed on the edge area of the substrate support unit 200 and includes an upper surface, an inner surface, a lower surface and an outer surface. A first ring 410 and a second ring 420 may be provided to surround the outer circumference of the electrostatic chuck 210 . The second ring 420 is provided to be able to rise above the first ring 410, and an inner surface of the second ring 420 may be formed flat. The elevated height of the second ring 420 in FIG. 9 is the same as the elevated height of the inner ring 32 in FIG. 5 .

제1 링(410)은 내측면(411), 상면(412), 외측면(413), 및 하면(414)을 포함하는 환형의 본체(410)를 포함할 수 있다.The first ring 410 may include an annular body 410 including an inner surface 411 , an upper surface 412 , an outer surface 413 , and a lower surface 414 .

제1 링(410)의 내측면(411)은 정전 척(210)에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 링(410)의 내측면(411)은 제1 내측면(411a)과 제2 내측면(411b)으로 구획되고, 정전 척(210)의 형상에 대응하여 제1 내측면(411a)이 제2 내측면(411b)보다 내측에 위치하는 형상을 가질 수 있다. 제1 링(410)의 하면(414)은 정전 척(210)에 대응하는 형상으로 형성된 내측면(411)에 의하여 제1 하면(414a)과 제2 하면(414b)으로 구획될 수 있다.An inner surface 411 of the first ring 410 may be formed in a shape corresponding to the electrostatic chuck 210 . For example, the inner surface 411 of the first ring 410 is divided into a first inner surface 411a and a second inner surface 411b, corresponding to the shape of the electrostatic chuck 210. (411a) may have a shape located inside than the second inner surface (411b). The lower surface 414 of the first ring 410 may be divided into a first lower surface 414a and a second lower surface 414b by an inner surface 411 formed in a shape corresponding to the electrostatic chuck 210 .

제1 링(410)의 상면(412)에는 상방으로 돌출된 형태의 제1 단차부(415)가 형성될 수 있다. 제1 단차부(415)는 제1 링(410)의 상면(412) 외측부에 형성될 수 있다.A first stepped portion 415 protruding upward may be formed on the upper surface 412 of the first ring 410 . The first stepped portion 415 may be formed on an outer side of the upper surface 412 of the first ring 410 .

제2 링(420)은 제1 링(410)의 상부에 제공되고 내측면(421), 상면(422), 외측면(423), 및 하면(424)을 포함하는 환형의 본체(420)를 포함할 수 있다. 제2 링(420)의 내측면(421)은 단차부 등을 포함하지 않고 평평하게 형성될 수 있다.The second ring 420 is provided on the top of the first ring 410 and includes an annular body 420 including an inner surface 421, an upper surface 422, an outer surface 423, and a lower surface 424. can include The inner surface 421 of the second ring 420 may be formed flat without including a stepped portion or the like.

제2 링(420)의 하면(424)에는 상방으로 함몰된 형태의 제2 단차부(425)가 형성되고, 제2 단차부(425)에 의하여 제2 링(420)의 하면(424)은 제1 하면(424a)과 제2 하면(424b)으로 구획될 수 있다. 제2 단차부(425)는 제1 단차부(415)와 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 제1 하면(424a)의 위치는 제2 하면(424b)의 위치보다 높게 형성될 수 있다. 즉, 제2 단차부(425)의 제1 측면(425a) 길이가 제2 측면(425b) 길이보다 짧게 형성될 수 있다. 제1 하면(424a)의 폭이 좁게 형성될수록 제1 링(410)과 제2 링(420) 및 기판의 에지 영역 사이에 형성되는 에어 갭의 영역이 감소할 수 있다. 따라서 기판 에지 영역에 대한 에어 갭의 영향성을 감소시킬 수 있다.The lower surface 424 of the second ring 420 is formed with a second stepped portion 425 in an upwardly recessed form, and the lower surface 424 of the second ring 420 is formed by the second stepped portion 425. It may be partitioned into a first lower surface 424a and a second lower surface 424b. The second stepped portion 425 may be formed at a position corresponding to the first stepped portion 415 . The position of the first lower surface 424a may be formed higher than the position of the second lower surface 424b. That is, the length of the first side surface 425a of the second stepped portion 425 may be shorter than the length of the second side surface 425b. As the width of the first lower surface 424a is formed to be narrower, the area of the air gap formed between the first ring 410 and the second ring 420 and the edge area of the substrate may decrease. Accordingly, the influence of the air gap on the substrate edge region can be reduced.

제1 단차부(415)의 높이(L)와 제2 단차부(425)의 제1 측면(425a)의 길이는 동일하게 형성될 수 있다. 제2 단차부(425)의 제2 측면(425b) 길이는 제1 링(410)의 외측면(413) 길이와 동일하게 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 단차부(415)의 높이(L)는 3mm 일 수 있다.The height L of the first stepped portion 415 and the length of the first side surface 425a of the second stepped portion 425 may be formed to be the same. The second side surface 425b of the second stepped portion 425 may have the same length as the outer surface 413 of the first ring 410 . For example, the height L of the first stepped portion 415 may be 3 mm.

도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 링 어셈블리(400)는, 제2 링(420)의 제2 단차부(425)에 제1 링(410)의 제1 단차부(415)가 삽입되어 완전히 맞물리도록 결합된 형태로 제공되고 제2 링(420)이 제1 링(410)으로부터 상승 가능하도록 제공될 수 있다.8, in the ring assembly 400 according to the second embodiment of the present invention, the first stepped portion of the first ring 410 is connected to the second stepped portion 425 of the second ring 420. The second ring 420 may be provided so as to be liftable from the first ring 410 and the second ring 420 may be provided in a coupled form to be inserted and fully engaged.

제1 링(410)과 제2 링(420)은 제1 링(410)의 상면(412)과 제2 링의 제1 하면(424a)이 밀착되고 제2 단차부(425)에 제1 단차부(415)가 밀착되도록 결합될 수 있다. 이때, 제1 단차부(415)의 내측면(415a)과 제2 단차부(425)의 제1 측면(425a)이 밀착되고, 제2 단차부(425)의 제2 측면(425b)과 제1 링(410)의 외측면(413)이 밀착됨으로써 제1 링(410)과 제2 링(420)이 완전히 맞물릴 수 있다.The first ring 410 and the second ring 420 are in close contact with the upper surface 412 of the first ring 410 and the first lower surface 424a of the second ring, and the second step portion 425 has a first step difference. Part 415 may be coupled so as to be in close contact. At this time, the inner surface 415a of the first stepped portion 415 and the first side surface 425a of the second stepped portion 425 are in close contact with the second side surface 425b of the second stepped portion 425 and the second stepped portion 425. As the outer surface 413 of the first ring 410 is brought into close contact, the first ring 410 and the second ring 420 may be completely engaged.

상술한 바와 같은 본 발명의 제2 실시예에 따른 링 어셈블리(400)는 제1 링(410)의 제2 링(420)을 향한 방향으로 돌출된 형태의 제1 단차부(415)가 제2 링(420)의 함몰된 형태의 제2 단차부(425)에 삽입되는 형태로 제공되고, 제1 단차부(415)의 돌출 높이(L)와 제2 단차부(425)의 제1 측면(425a) 높이가 동일한 높이를 갖도록 제작될 수 있다. 이에 따라, 제2 링(420)의 상승에 따라 발생하는 에어 갭 영역이 종래에 비해 감소될 수 있다. 즉, 제2 링(420)이 제1 링(410)으로부터 동일한 높이만큼 상승되었을 때 발생하는 에어 갭 영역을 최소화할 수 있다.As described above, in the ring assembly 400 according to the second embodiment of the present invention, the first stepped portion 415 of the first ring 410 protrudes in a direction toward the second ring 420, and the second It is provided in a form to be inserted into the recessed second step portion 425 of the ring 420, and the protrusion height L of the first step portion 415 and the first side surface of the second step portion 425 ( 425a) It can be made to have the same height. Accordingly, an air gap area generated as the second ring 420 rises may be reduced compared to the prior art. That is, an air gap area generated when the second ring 420 is raised by the same height as the first ring 410 may be minimized.

이상에서는 링 상승에 따라 링 어셈블리의 내부에 발생되는 에어 갭 영역을 최소화할 수 있는 링 어셈블리의 최적 형상을 실시예를 들어 설명하였다. 에어 갭 영역을 최소화함으로써 에어 갭을 통한 공정 가스 및 플라즈마의 침투가 최소화될 수 있고, 공정 가스 및 플라즈마의 내부 침투에 의한 식각 및 아킹 현상을 방지할 수 있다. 또한, 기판의 에지 영역에 대한 에어 갭 영향성을 축소할 수 있다. 플라즈마 침투에 의한 기판 에지 영역에서의 이온 궤적 변화를 방지함으로써 LER(line edge roughness) 제어 성능을 향상시키고 공정 결과의 신뢰성을 확보할 수 있다. 즉, 공정 결과 경시 변화를 개선하고 챔버 내 기류를 안정화시킬 수 있다.In the above, the optimal shape of the ring assembly capable of minimizing the air gap area generated inside the ring assembly as the ring rises has been described by way of example. By minimizing the air gap area, penetration of process gas and plasma through the air gap can be minimized, and etching and arcing caused by penetration of process gas and plasma into the inside can be prevented. In addition, the influence of the air gap on the edge region of the substrate can be reduced. It is possible to improve line edge roughness (LER) control performance and secure reliability of process results by preventing changes in ion trajectories in the edge region of the substrate due to plasma permeation. In other words, it is possible to improve the change over time as a result of the process and to stabilize the air flow in the chamber.

이상에서는 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 개시된 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되지 않으며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 이내에서 통상의 기술자에 의하여 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 설명한 기술적 사상은, 각각 독립적으로 실시될 수도 있고, 둘 이상이 서로 조합되어 실시될 수도 있다.Although the present invention has been described above, the present invention is not limited by the disclosed embodiments and the accompanying drawings, and may be variously modified by a person skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention. In addition, the technical ideas described in the embodiments of the present invention may be implemented independently, or two or more may be combined with each other.

210: 정전 척
300, 400: 링 어셈블리
310, 410: 제1 링
311, 411: 내측면
312, 412: 상면
313, 413: 외측면
314, 414: 하면
315, 415: 제1 단차부
315a: 제1 측면
315b: 제2 측면
320, 420: 제2 링
321, 421: 내측면
322, 422: 상면
323, 423: 외측면
324, 424: 하면
325, 425: 제1 단차부
425a: 제1 측면
425b: 제2 측면210: electrostatic chuck
300, 400: ring assembly
310, 410: first ring
311, 411: inner side
312, 412: upper surface
313, 413: outer surface
314, 414: lower surface
315, 415: first step portion
315a: first side
315b: second side
320, 420: second ring
321, 421: inner side
322, 422: upper surface
323, 423: outer surface
324, 424: lower surface
325, 425: first step portion
425a: first side
425b: second side

Claims (12)

내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 정전 척의 둘레를 감싸도록 제공되는 제1 링; 및
내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 상기 제1 링의 상부에서 상승 가능하게 제공되는 제2 링을 포함하고,
상기 제1 링과 상기 제2 링이 마주보는 면에 대하여 상기 제1 링 및 상기 제2 링 중 적어도 하나에 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 내측면은 평평하게 형성되는 링 어셈블리.
a first ring including an annular body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface and provided to surround the electrostatic chuck; and
A second ring including an annular body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface and provided to be able to rise above the first ring,
A ring assembly wherein a stepped portion is formed on at least one of the first ring and the second ring with respect to a surface facing the first ring and the second ring, and an inner surface of the second ring is formed flat.
 제1항에 있어서,
상기 제1 링의 상면에는 하방으로 함몰된 형태의 제1 단차부가 형성되고,
상기 제2 링의 하면에는 상방으로 함몰된 형태의 제2 단차부가 형성되며,
상기 제1 단차부와 상기 제2 단차부는 각각 내측의 제1 측면과 외측의 제2 측면을 포함하고,
상기 제1 단차부의 제1 측면은 상기 제2 링의 내측면과 대응하는 위치에 형성되고 제 2 측면이 상기 제2 단차부의 제1 측면과 대응하는 위치에 형성되고,
상기 제2 단차부의 제2 측면은 상기 제1 링의 외측면과 대응하는 위치에 형성되는 링 어셈블리.
According to claim 1,
A first stepped portion recessed downward is formed on the upper surface of the first ring,
A second stepped portion recessed upward is formed on the lower surface of the second ring,
The first step portion and the second step portion each include an inner first side surface and an outer second side surface,
The first side surface of the first stepped portion is formed at a position corresponding to the inner surface of the second ring and the second side surface is formed at a position corresponding to the first side surface of the second stepped portion,
The second side of the second stepped portion is formed at a position corresponding to the outer surface of the first ring.
 제2항에 있어서,
상기 제1 단차부의 제2 측면 길이와 상기 제2 단차부의 제1 측면 길이는 동일하고,
제2 단차부의 제2 측면 길이는 제1 링의 외측면 길이와 동일하게 형성되는 링 어셈블리.
According to claim 2,
The second side length of the first stepped portion and the first side length of the second stepped portion are the same,
A ring assembly in which the length of the second side of the second stepped portion is equal to the length of the outer side of the first ring.
 제3항에 있어서,
상기 제1 링과 상기 제2 링은,
상기 제1 단차부에 상기 제2 링의 일부가 삽입되고 상기 제2 단차부에 상기 제1 링의 일부가 삽입되는 형태로 결합 가능한 링 어셈블리.
According to claim 3,
The first ring and the second ring,
A ring assembly coupled in a form in which a part of the second ring is inserted into the first stepped part and a part of the first ring is inserted into the second stepped part.
 제4항에 있어서,
상기 제1 링과 상기 제2 링이 결합되는 경우,
상기 제1 단차부의 제1 측면과 상기 제2 링의 내측면이 밀착되고,
상기 제1 단차부의 제2 측면과 상기 제2 단차부의 제1 측면이 밀착되고,
상기 제2 단차부의 제2 측면과 상기 제1 링의 외측면이 밀착되는 링 어셈블리.
According to claim 4,
When the first ring and the second ring are coupled,
The first side surface of the first stepped portion and the inner surface of the second ring are in close contact,
The second side of the first stepped portion and the first side of the second stepped portion are in close contact,
A ring assembly in which the second side surface of the second stepped portion and the outer surface of the first ring are in close contact.
 제1항에 있어서,
상기 제1 링의 상면에는 상방으로 돌출된 형태의 제1 단차부가 형성되고,
상기 제2 링의 하면에는 상방으로 함몰된 형태의 제2 단차부가 형성되며,
상기 제1 단차부는 상기 제1 링의 상면 외측부에 형성되고,
상기 제2 단차부는 상기 제1 단차부와 대응하는 위치에 형성되는 링 어셈블리.
According to claim 1,
A first stepped portion protruding upward is formed on the upper surface of the first ring,
A second stepped portion recessed upward is formed on the lower surface of the second ring,
The first step portion is formed on an outer portion of the upper surface of the first ring,
The second step portion is formed at a position corresponding to the first step portion ring assembly.
 제6항에 있어서,
상기 제1 단차부의 측면 높이와 상기 제2 단차부의 높이는 동일하고,
제2 단차부의 제2 측면 길이는 제1 링의 외측면 길이와 동일하게 형성되는 링 어셈블리.
According to claim 6,
The height of the side of the first stepped portion and the height of the second stepped portion are the same,
A ring assembly in which the length of the second side of the second stepped portion is equal to the length of the outer side of the first ring.
 제7항에 있어서,
상기 제1 링과 상기 제2 링은,
상기 제2 단차부에 상기 제1 단차부가 삽입되는 형태로 결합 가능한 링 어셈블리.
According to claim 7,
The first ring and the second ring,
A ring assembly capable of being coupled in a form in which the first step portion is inserted into the second step portion.
 제8항에 있어서,
상기 제1 링과 상기 제2 링이 결합되는 경우,
상기 제1 단차부의 내측면과 상기 제2 단차부의 제1 측면이 접촉되고,
상기 제2 단차부의 제2 측면과 상기 제2 링의 외측면이 접촉되는 링 어셈블리.
According to claim 8,
When the first ring and the second ring are coupled,
The inner surface of the first stepped portion and the first side surface of the second stepped portion are in contact,
A ring assembly in which the second side surface of the second stepped portion and the outer surface of the second ring are in contact.
 기판이 놓이는 척킹 부재와 상기 척킹 부재를 지지하는 베이스 부재를 포함하는 정전 척; 및
상기 정전 척의 외주를 둘러싸도록 제공되는 링 어셈블리를 포함하고,
상기 링 어셈블리는,
내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 상기 정전 척의 둘레를 감싸도록 제공되는 제1 링; 및
내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 본체를 포함하고 상기 제1 링의 상부에 상승 가능하게 제공되고 상기 정전 척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제2 링을 포함하고,
상기 제1 링과 상기 제2 링이 마주보는 면에서 상기 제1 링 및 상기 제2 링 중 적어도 하나에 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 내측면은 평평하게 형성되는 기판 지지 유닛.
an electrostatic chuck including a chucking member on which a substrate is placed and a base member supporting the chucking member; and
a ring assembly provided to surround an outer circumference of the electrostatic chuck;
The ring assembly,
a first ring including an annular body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface and provided to surround the electrostatic chuck; and
a second ring that includes an annular body having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface, and is provided on top of the first ring to be liftable and surrounds a circumference of a substrate placed on the electrostatic chuck;
A substrate support unit, wherein a stepped portion is formed on at least one of the first ring and the second ring on a surface where the first ring and the second ring face each other, and an inner surface of the second ring is formed flat.
 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징 내에 구비되어 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은,
기판이 놓이는 척킹 부재와 상기 척킹 부재를 지지하는 베이스 부재를 포함하는 정전 척; 및
상기 정전 척의 외주를 둘러싸도록 제공되고 내측면, 상면, 외측면 및 하면을 갖는 환형의 제1 링 및 상기 제1 링의 상부에 제공되는 제2 링을 포함하는 링 어셈블리를 포함하고,
상기 제1 링과 상기 제2 링이 마주보는 면에서 상기 제1 링 및 상기 제2 링 중 적어도 하나에 단차부가 형성되고, 상기 제2 링의 내측면은 평평하게 형성되는 기판 처리 장치.
a housing providing a processing space therein;
a substrate support unit provided in the housing to support a substrate;
a gas supply unit supplying a processing gas into the processing space; and
A plasma generating unit generating plasma from the processing gas;
The substrate support unit,
an electrostatic chuck including a chucking member on which a substrate is placed and a base member supporting the chucking member; and
A ring assembly including an annular first ring provided to surround an outer circumference of the electrostatic chuck and having an inner surface, an upper surface, an outer surface, and a lower surface, and a second ring provided on an upper portion of the first ring,
A step portion is formed on at least one of the first ring and the second ring on a surface where the first ring and the second ring face each other, and an inner surface of the second ring is formed flat.
 제11항에 있어서,
상기 제2 링은 상기 기판으로 입사되는 이온각을 조절하기 위하여
상기 제1 링으로부터 상승 가능하게 구비되는 기판 처리 장치.According to claim 11,
The second ring is configured to adjust the angle of ions incident on the substrate.
A substrate processing apparatus provided so as to be elevated from the first ring.
KR1020220040317A 2021-12-17 2022-03-31 Ring assembly and substrate processing apparatus including same Pending KR20230092684A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210181547 2021-12-17
KR1020210181547 2021-12-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230092684A true KR20230092684A (en) 2023-06-26

Family

ID=86947951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220040317A Pending KR20230092684A (en) 2021-12-17 2022-03-31 Ring assembly and substrate processing apparatus including same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230092684A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11004716B2 (en) Electrostatic chuck assembly and semiconductor manufacturing apparatus including the same
JP7551765B2 (en) Sheath and temperature control of a process kit in a substrate processing chamber - Patents.com
KR102039969B1 (en) Supporting unit and substrate treating apparatus including the same
US7837828B2 (en) Substrate supporting structure for semiconductor processing, and plasma processing device
JP7381713B2 (en) Process kit sheath and temperature control
TW201838028A (en) Plasma processing device
KR20210122209A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102277809B1 (en) Unit for supporting substrate and system for treating substrate with the unit
KR20100135967A (en) Non-planar faceplates for plasma processing chamber
US20210005424A1 (en) Shower head unit and system for treating substrate with the shower head unit
KR20190072383A (en) Plasma processing apparatus
CN111834189A (en) Semiconductor substrate processing equipment including focus ring
KR20230092684A (en) Ring assembly and substrate processing apparatus including same
JP2024076315A (en) Cooling plate and plasma processing chamber including same
KR20230092672A (en) Focus ring and substrate processing apparatus including same
KR102684970B1 (en) Capacitively-coupled plasma substrate processing apparatus including a focus ring and a substrate processing method using the same
KR102398674B1 (en) A support unit, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method
CN117813678A (en) Substrate processing apparatus
KR102719882B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102421346B1 (en) Plasma apparatus
KR20230092685A (en) Substrate processing apparatus including focus ring
US20250104978A1 (en) Ring assembly and substrate processing apparatus comprising the same
KR102200709B1 (en) Wall liner unit and system for treating substrate with the wall liner unit
KR102818096B1 (en) Substrte processing apparatus and substrate processing method
US20250210312A1 (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20220331

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20250107

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20250612

Patent event code: PE09021S01D