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KR20230069019A - SiC 기판의 제조 방법 - Google Patents

SiC 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20230069019A
KR20230069019A KR1020220146897A KR20220146897A KR20230069019A KR 20230069019 A KR20230069019 A KR 20230069019A KR 1020220146897 A KR1020220146897 A KR 1020220146897A KR 20220146897 A KR20220146897 A KR 20220146897A KR 20230069019 A KR20230069019 A KR 20230069019A
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South Korea
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sic substrate
grinding
polishing
sic
subsequently
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Application number
KR1020220146897A
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Inventor
가츠요시 고지마
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
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Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 SiC 기판의 제조 리드 타임을 단축하고, 또한 제조 비용을 저감하는 것이 가능한 SiC 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
Si면이 노출되는 표면측을 연삭하고 C면이 노출되는 이면의 산술 평균 높이 Sa가 1 ㎚ 이하가 되도록 이면측을 연삭한 후, 이면측을 연마하지 않고 표면측만을 연마한다. 이와 같이 이면측이 연삭되는 경우, 또한 SiC 기판의 이면측을 연마하지 않아도 SiC 기판의 휘어짐을 억제할 수 있다. 그 때문에, 파워 디바이스의 제조 등에 이용되는 SiC 기판의 제조 리드 타임을 단축하고, 또한, 제조 비용을 저감하는 것이 가능하다.

Description

SiC 기판의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING SiC SUBSTRATE}
본 발명은 SiC 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
인버터 또는 컨버터 등의 파워 디바이스에는, 전류 용량이 크고, 또한 내압이 높은 것이 요구된다. 이러한 요구를 만족시키기 위해서, 파워 디바이스는, SiC(탄화실리콘) 기판을 이용하여 제조되는 경우가 많다. 이러한 SiC 기판은, 일반적으로, SiC 잉곳으로부터 제조된다.
예컨대, SiC 기판은, 표면에 Si면을 노출시키고, 또한 이면에 C면을 노출시키도록, 와이어 소(wire saw) 등을 이용하여 SiC 잉곳으로부터 잘라내어진다. 또한, Si면은, Si로 종단된 면이며, 밀러 지수를 이용하여 (0001)면으로 표현된다. 또한, C면은, C로 종단된 면이며, 밀러 지수를 이용하여 (000-1)면으로 표현된다.
또한, SiC 기판에서는, C면에서의 SiC 박막의 에피택셜 성장보다 Si면에서의 SiC 박막의 에피택셜 성장 쪽이 용이하다. 그 때문에, 이 SiC 기판을 이용하여 파워 디바이스를 제조할 때에는, 일반적으로, Si면이 노출되는 표면측에 파워 디바이스가 형성된다.
단, SiC 잉곳으로부터 SiC 기판을 잘라내면, 그 표면 및 이면이 거칠어지기 쉽다(표면 및 이면에 큰 요철이 형성되기 쉽다). 그리고, SiC 기판의 표면이 거칠면, 이 표면에 SiC 박막을 에피택셜 성장시키는 것이 곤란하다. 그 때문에, SiC 기판을 이용하여 파워 디바이스를 제조할 때에는, SiC 기판의 표면을 평탄화(경면화)할 필요가 있다.
또한, SiC 기판의 표면만을 평탄화하면, 표면의 거칠기와 이면의 거칠기의 차이에 기인하여 SiC 기판의 휘어짐이 커지는 경우가 있다. 그 때문에, 파워 디바이스의 제조에 이용되는 SiC 기판은, 그 표면측 및 이면측의 양쪽이 연삭되어 양면의 거칠기가 완화된 후에, 표면측 및 이면측의 양쪽이 연마되어 양면을 평탄화함으로써 제조된다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2017-105697호 공보
SiC 기판의 Si면이 노출되는 표면측에만 파워 디바이스가 형성되는 경우, SiC 기판의 C면이 노출되는 이면의 평탄화는, 파워 디바이스의 성능에 직접적으로는 영향을 주지 않는다. 한편, SiC 기판의 표면측뿐만 아니라 이면측에 대해 연마를 행하면, SiC 기판의 제조 리드 타임이 길어지고, 또한 제조 비용도 비싸진다.
이 점을 감안하여, 본 발명의 목적은, SiC 기판의 제조 리드 타임을 단축하고, 또한 제조 비용을 저감하는 것이 가능한 SiC 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 표면에 Si면을 노출시키고, 또한 이면에 C면을 노출시키도록, SiC 잉곳으로부터 SiC 기판을 분리하는 분리 공정과, 상기 분리 공정 후에, 상기 SiC 기판의 상기 표면측 및 상기 이면측의 양쪽을 연삭하는 연삭 공정과, 상기 연삭 공정 후에, 상기 SiC 기판의 상기 이면측을 연마하지 않고 상기 표면측만을 연마하는 연마 공정을 포함하고, 상기 연삭 공정은, 상기 SiC 기판의 상기 표면측을 연삭하는 제1 연삭 공정과, 상기 SiC 기판의 상기 이면측을 연삭하는 제2 연삭 공정을 포함하며, 상기 제2 연삭 공정에서는, 상기 이면의 산술 평균 높이 Sa가 1 ㎚ 이하가 되도록 상기 SiC 기판의 상기 이면측을 연삭하는 SiC 기판의 제조 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 제2 연삭 공정에서 이용되는 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경(粒徑)은, 0.3 ㎛ 이하이다.
본 발명에서는, Si면이 노출되는 표면측을 연삭하고 C면이 노출되는 이면의 산술 평균 높이 Sa가 1 ㎚ 이하가 되도록 이면측을 연삭한 후, 이면측을 연마하지 않고 표면측만을 연마한다. 이와 같이 이면측이 연삭되는 경우, 또한 SiC 기판의 이면측을 연마하지 않아도 SiC 기판의 휘어짐을 억제할 수 있다. 그 때문에, 본 발명에서는, 파워 디바이스의 제조 등에 이용되는 SiC 기판의 제조 리드 타임을 단축하고, 또한 제조 비용을 저감하는 것이 가능하다.
도 1은 SiC 기판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 흐름도이다.
도 2는 SiC 잉곳으로부터 분리된 SiC 기판의 일례를 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 가공 장치의 일례를 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 4의 (A)는 SiC 기판의 표면측이 연삭되는 모습을 모식적으로 도시한 측면도이고, 도 4의 (B)는 SiC 기판의 이면측이 연삭되는 모습을 모식적으로 도시한 측면도이다.
도 5는 SiC 기판의 표면측이 연마되는 모습을 모식적으로 도시한 일부 단면 측면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 도 1은 SiC 기판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 흐름도이다. 이 방법에서는, 먼저 표면에 Si면을 노출시키고, 또한 이면에 C면을 노출시키도록, SiC 잉곳으로부터 SiC 기판을 분리한다(분리 공정: S1). 도 2는 SiC 잉곳으로부터 분리된 SiC 기판의 일례를 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 2에 도시된 SiC 기판(11)은, 그 표면(11a)에 Si면이 노출되고, 또한 그 이면(11b)에 C면이 노출되도록 원기둥형의 SiC 잉곳으로부터 분리된다. 이 분리 공정(S1)은, 예컨대 다이아몬드 와이어 소 등의 와이어 소를 이용하여 SiC 잉곳으로부터 SiC 기판(11)을 잘라냄으로써 행해진다.
혹은, 분리 공정(S1)은, SiC를 투과하는 파장(예컨대, 1064 ㎚)의 레이저 빔을 이용하여 SiC 잉곳으로부터 SiC 기판(11)을 박리함으로써 행해져도 좋다. 이 경우에는, 먼저 레이저 빔의 집광점을 SiC 잉곳의 표면으로부터 소정의 깊이[박리되는 SiC 기판(11)의 두께에 대응하는 깊이]에 위치시킨 상태에서 SiC 잉곳에 레이저 빔을 조사한다.
이에 의해, SiC 잉곳의 내부에 박리층이 형성된다. 그리고, 이 SiC 잉곳에 외력을 가한다. 그 결과, 이 박리층을 분리 기점으로 하여 SiC 잉곳이 분리된다. 즉, SiC 잉곳으로부터 SiC 기판(11)이 박리된다.
계속해서, SiC 기판(11)의 표면(11a)측 및 이면(11b)측의 양쪽을 연삭한 후(연삭 공정: S2), SiC 기판(11)의 이면(11b)측을 연마하지 않고 표면(11a)측만을 연마한다(연마 공정: S3). 도 3은 SiC 기판(11)의 연삭 및 연마가 가능한 가공 장치의 일례를 모식적으로 도시한 사시도이다.
또한, 도 3에 도시된 X축 방향(전후 방향) 및 Y축 방향(좌우 방향)은, 수평면 상에서 서로 수직인 방향이고, 또한 Z축 방향(상하 방향)은, X축 방향 및 Y축 방향에 수직인 방향(연직 방향)이다.
도 3에 도시된 가공 장치(2)는, 각 구조를 지지하는 베이스(4)를 구비한다. 베이스(4)의 상면 전측에는 개구(4a)가 형성되어 있고, 이 개구(4a) 내에는 SiC 기판을 흡인하여 유지한 상태에서 반송하는 반송 기구(6)가 설치되어 있다. 또한, 반송 기구(6)는, SiC 기판(11)을 유지한 상태에서 SiC 기판(11)의 상하를 반전시킬 수도 있다.
또한, 개구(4a)의 전방에는, 카세트 테이블(8a, 8b)이 설치되어 있다. 이 카세트 테이블(8a, 8b)에는, 복수의 SiC 기판(11)을 수용할 수 있는 카세트(10a, 10b)가 각각 실려져 있다. 또한, 개구(4a)의 비스듬히 후방에는, SiC 기판(11)의 위치를 조정하기 위한 위치 조정 기구(12)가 설치되어 있다.
이 위치 조정 기구(12)는, 예컨대 SiC 기판(11)의 중앙의 부분을 지지할 수 있도록 구성된 테이블(12a)과, 테이블(12a)보다 외측의 영역에서 이 테이블(12a)에 대해 접근 및 이격할 수 있도록 구성된 복수의 핀(12b)을 구비한다. 이 테이블(12a)에는, 예컨대 반송 기구(6)에 의해 카세트(10a)로부터 반출된 SiC 기판(11)이 반입된다.
그리고, 위치 조정 기구(12)에서는, 테이블(12a)에 반입된 SiC 기판(11)의 위치 맞춤이 행해진다. 구체적으로는, 테이블(12a)에 반입된 SiC 기판(11)의 측면에 접촉할 때까지 복수의 핀(12b)을 테이블(12a)에 접근시킴으로써, X축 방향 및 Y축 방향에 평행한 면(XY 평면)에 있어서, SiC 기판(11)의 중심의 위치가 소정의 위치에 맞춰진다.
또한, 위치 조정 기구(12)의 근방에는, SiC 기판(11)을 흡인하여 유지한 상태로 선회하여 반송하는 반송 기구(14)가 설치되어 있다. 이 반송 기구(14)는, SiC 기판(11)의 상면측을 흡인할 수 있는 흡인 패드를 구비하고, 위치 조정 기구(12)로 위치가 조정된 SiC 기판(11)을 후방으로 반송한다. 또한, 반송 기구(14)의 후방에는, 원반형의 턴테이블(16)이 설치되어 있다.
이 턴테이블(16)은, 모터 등의 회전 구동원(도시 생략)에 연결되어 있고, 턴테이블(16)의 중심을 지나고, 또한 Z축 방향에 평행한 직선을 회전축으로 하여 회전한다. 또한, 턴테이블(16)의 상면에는, 복수(예컨대, 4개)의 척 테이블(18)이 턴테이블(16)의 둘레 방향을 따라 대략 등간격으로 설치되어 있다.
그리고, 반송 기구(14)는 SiC 기판(11)을 위치 조정 기구(12)의 테이블(12a)로부터 반출하여 반송 기구(14)의 근방의 반입 반출 위치에 배치된 척 테이블(18)에 반입한다. 턴테이블(16)은, 예컨대 도 3에 도시된 화살표의 방향으로 회전하여, 각 척 테이블(18)을, 반입 반출 위치, 조연삭 위치, 마무리 연삭 위치 및 연마 위치의 순으로 이동시킨다.
또한, 척 테이블(18)은 진공 펌프 등의 흡인원(도시 생략)에 연결되어 있고, 척 테이블(18)의 상면에 놓여진 SiC 기판(11)에 흡인력을 작용시켜 유지할 수 있다. 또한, 척 테이블(18)은, 모터 등의 회전 구동원(도시 생략)에 연결되어 있고, 이 회전 구동원의 동력에 의해, 척 테이블(18)의 중심을 지나고, 또한 Z축 방향에 평행한 직선을 회전축으로 하여 회전할 수 있다.
조연삭 위치 및 마무리 연삭 위치의 각각의 후방[턴테이블(16)의 후방]에는, 기둥형의 지지 구조(20)가 설치되어 있다. 또한, 지지 구조(20)의 전면[턴테이블(16)측의 면]에는, Z축 이동 기구(22)가 설치되어 있다. 이 Z축 이동 기구(22)는, 지지 구조(20)의 전면에 고정되고, 또한 Z축 방향을 따라 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(24)을 갖는다.
또한, 한 쌍의 가이드 레일(24)의 전면측에는, 한 쌍의 가이드 레일(24)을 따라 슬라이드 가능한 양태로 이동 플레이트(26)가 연결되어 있다. 또한, 한 쌍의 가이드 레일(24) 사이에는, Z축 방향을 따라 연장되는 나사축(28)이 배치되어 있다. 이 나사축(28)의 상단부에는, 나사축(28)을 회전시키기 위한 모터(30)가 연결되어 있다.
그리고, 나사축(28)의 나선형의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축(28)의 표면을 구르는 다수의 볼을 수용하는 너트부(도시 생략)가 형성되어, 볼나사가 구성되어 있다. 즉, 나사축(28)이 회전하면, 다수의 볼이 너트부 내를 순환하여, 너트부가 Z축 방향을 따라 이동한다.
또한, 이 너트부는, 이동 플레이트(26)의 후면(이면)측에 고정되어 있다. 그 때문에, 모터(30)로 나사축(28)을 회전시키면, 너트부와 함께 이동 플레이트(26)가 Z축 방향을 따라 이동한다. 또한, 이동 플레이트(26)의 표면(전면)에는, 고정구(32)가 설치되어 있다.
이 고정구(32)는, SiC 기판(11)을 연삭하기 위한 연삭 유닛(34)을 지지한다. 연삭 유닛(34)은, 고정구(32)에 고정되는 스핀들 하우징(36)을 구비한다. 이 스핀들 하우징(36)에는, Z축 방향을 따라 연장되는 스핀들(38)이 회전 가능한 양태로 수용되어 있다.
그리고, 스핀들(38)의 상단부에는, 모터 등의 회전 구동원(도시 생략)이 연결되어 있고, 스핀들(38)은, 이 회전 구동원의 동력에 의해, Z축 방향에 평행한 직선을 회전축으로 하여 회전할 수 있다. 또한, 스핀들(38)의 하단부는, 스핀들 하우징(36)의 하면으로부터 노출되고, 이 하단부에는, 원반형의 마운트(40)가 고정되어 있다.
조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 마운트(40)의 하면에는, 조연삭용의 연삭 휠(42a)이 장착되어 있다. 이 조연삭용의 연삭 휠(42a)은, 마운트(40)와 대략 동일 직경의 원반형의 휠 베이스를 갖는다. 그리고, 이 휠 베이스의 하면에는, 각각이 직육면체형인 복수의 연삭 지석(조연삭용 연삭 지석)이 고정되어 있다.
마찬가지로, 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 마운트(40)의 하면에는, 마무리 연삭용의 연삭 휠(42b)이 장착되어 있다. 이 마무리 연삭용의 연삭 휠(42b)은, 마운트(40)와 대략 동일 직경의 원반형의 휠 베이스를 갖는다. 그리고, 이 휠 베이스의 하면에는, 각각이 직육면체형인 복수의 연삭 지석(마무리 연삭용 연삭 지석)이 고정되어 있다.
그리고, 조연삭용 연삭 지석 및 마무리 연삭용 연삭 지석의 각각은, 예컨대 다이아몬드 또는 cBN(cubic Boron Nitride) 등을 포함하는 지립과, 이 지립을 유지하는 결합재를 포함한다. 또한, 이 결합재로서는, 예컨대 메탈 본드, 레진 본드 또는 비트리파이드 본드 등이 이용된다.
또한, 마무리 연삭용 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경은, 일반적으로 조연삭용 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경보다 작다. 예컨대, 조연삭용 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경은, 0.5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하이고, 마무리 연삭용 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경은, 0.5 ㎛ 미만이다.
또한, 연삭 휠(42a, 42b)의 근방에는, SiC 기판(11)을 연삭할 때의 가공점에 순수(純水) 등의 액체(연삭액)를 공급하기 위한 액체 공급 노즐(도시 생략)이 배치되어 있다. 혹은, 이 노즐을 대신하여 또는 더하여, 액체를 공급하기 위한 개구가 연삭 휠(42a, 42b)에 형성되고, 이 개구를 통해 가공점에 연삭액이 공급되어도 좋다.
또한, 연마 영역의 측방[턴테이블(16)의 측방]에는, 지지 구조(44)가 설치되어 있다. 그리고, 지지 구조(44)의 턴테이블(16)측의 측면에는, X축 이동 기구(46)가 설치되어 있다. 이 X축 이동 기구(46)는, 지지 구조(44)의 턴테이블(16)측의 측면에 고정되고, 또한 X축 방향을 따라 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(48)을 갖는다.
또한, 한 쌍의 가이드 레일(48)의 턴테이블(16)측에는, 한 쌍의 가이드 레일(48)을 따라 슬라이드 가능한 양태로 이동 플레이트(50)가 연결되어 있다. 또한, 한 쌍의 가이드 레일(48) 사이에는, X축 방향을 따라 연장되는 나사축(52)이 배치되어 있다. 이 나사축(52)의 전단부에는, 나사축(52)을 회전시키기 위한 모터(54)가 연결되어 있다.
그리고, 나사축(52)의 나선형의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축(52)의 표면을 구르는 다수의 볼을 수용하는 너트부(도시 생략)가 형성되어, 볼나사가 구성되어 있다. 즉, 나사축(52)이 회전하면, 다수의 볼이 너트부 내를 순환하여, 너트부가 X축 방향을 따라 이동한다.
또한, 이 너트부는, 이동 플레이트(50)의 지지 구조(44)와 대향하는 면(이면)측에 고정되어 있다. 그 때문에, 모터(54)로 나사축(52)을 회전시키면, 너트부와 함께 이동 플레이트(50)가 X축 방향을 따라 이동한다. 또한, 이동 플레이트(50)의 턴테이블(16)측의 면(표면)에는, Z축 이동 기구(56)가 설치되어 있다.
이 Z축 이동 기구(56)는, 이동 플레이트(50)의 표면에 고정되고, 또한 Z축 방향을 따라 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(58)을 갖는다. 또한, 한 쌍의 가이드 레일(58)의 턴테이블(16)측에는, 한 쌍의 가이드 레일(58)을 따라 슬라이드 가능한 양태로 이동 플레이트(60)가 연결되어 있다.
또한, 한 쌍의 가이드 레일(58) 사이에는, Z축 방향을 따라 연장되는 나사축(62)이 배치되어 있다. 이 나사축(62)의 상단부에는, 나사축(62)을 회전시키기 위한 모터(64)가 연결되어 있다. 그리고, 나사축(62)의 나선형의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축(62)의 표면을 구르는 다수의 볼을 수용하는 너트부(도시 생략)가 형성되어, 볼나사가 구성되어 있다.
즉, 나사축(62)이 회전하면, 다수의 볼이 너트부 내를 순환하여, 너트부가 Z축 방향을 따라 이동한다. 또한, 이 너트부는 이동 플레이트(60)의 이동 플레이트(50)와 대향하는 면(이면)측에 고정되어 있다. 그 때문에, 모터(64)로 나사축(62)을 회전시키면, 너트부와 함께 이동 플레이트(60)가 Z축 방향을 따라 이동한다.
또한, 이동 플레이트(60)의 턴테이블(16)측의 면(표면)에는 고정구(66)가 설치되어 있다. 이 고정구(66)는 SiC 기판(11)을 연마하기 위한 연마 유닛(68)을 지지한다. 연마 유닛(68)은 고정구(66)에 고정되는 스핀들 하우징(70)을 구비한다.
이 스핀들 하우징(70)에는, Z축 방향을 따라 연장되는 스핀들(72)이 회전 가능한 양태로 수용되어 있다. 그리고, 스핀들(72)의 상단부에는, 모터 등의 회전 구동원(도시 생략)이 연결되어 있고, 스핀들(72)은, 이 회전 구동원의 동력에 의해 회전한다.
또한, 스핀들(72)의 하단부는, 스핀들 하우징(70)의 하면으로부터 노출되고, 이 하단부에는, 원반형의 마운트(74)가 고정되어 있다. 마운트(74)의 하면에는, 원반형의 연마 패드(76)가 장착되어 있다. 이 연마 패드(76)는, 마운트(74)와 대략 동일 직경의 원반형의 베이스를 갖는다.
그리고, 이 베이스의 하면에는, 마운트(74)와 대략 동일 직경의 원반형의 연마층이 고정되어 있다. 이 연마층은, 내부에 지립이 분산된 고정 지립층이다. 예컨대 연마층은, 폴리에스테르제의 부직포에 평균 입경이 0.4 ㎛~0.6 ㎛인 지립이 분산된 우레탄 용액을 함침시킨 후, 건조시킴으로써 제조된다.
또한, 연마층의 내부에 분산되는 지립은, SiC, cBN, 다이아몬드 또는 금속 산화물 미립자 등의 재료를 포함한다. 또한, 이 금속 산화물 미립자로서는, SiO2(실리카), CeO2(세리아), ZrO2(지르코니아) 또는 Al2O3(알루미나) 등을 포함하는 미립자가 이용된다. 또한, 연마층은 유연하여, SiC 기판(11)을 연마할 때에 가해지는 압력에 따라 약간 휜다.
또한, 스핀들(72), 마운트(74) 및 연마 패드(76)의 베이스 및 연마층의 직경 방향의 중심 위치는, 대략 일치하고 있고, 이들의 중심 위치를 관통하도록, 원기둥형의 관통 구멍이 형성되어 있다. 그리고, 이 관통 구멍은, SiC 기판(11)을 연마할 때의 가공점에 순수 등의 액체(연마액)를 공급하는 연마액 공급원(도시 생략)에 연통(連通)되어 있다.
이 연마액 공급원은, 연마액의 저류조 및 송액 펌프 등을 갖는다. 또한, 연마액 공급원은, 스핀들(72) 등에 형성된 관통 구멍을 통해, 연마 위치에 위치된 척 테이블(18)을 향해 연마액을 공급한다. 또한, 연마액에는, 지립이 함유되어도 좋고, 함유되지 않아도 좋다.
또한, 반송 기구(14)의 측방에는, SiC 기판(11)을 흡인하여 유지한 상태로 선회하여 반송하는 반송 기구(78)가 설치되어 있다. 이 반송 기구(78)는, SiC 기판(11)의 상면측을 흡인할 수 있는 흡인 패드를 구비하고, 반입 반출 위치에 위치된 척 테이블(18)에 실린 SiC 기판(11)을 전방으로 반송한다.
또한, 반송 기구(78)의 전방, 또한 개구(4a)의 후방측에는, 반송 기구(78)에 의해 반출된 SiC 기판(11)의 상면측을 세정할 수 있도록 구성된 세정 기구(80)가 배치되어 있다. 또한, 이 세정 기구(80)로 세정된 SiC 기판(11)은, 반송 기구(6)에 의해 반송되어, 예컨대 카세트(10b)에 수용된다.
가공 장치(2)에서는, 예컨대 이하의 순서로 연삭 공정(S2) 및 연마 공정(S3)이 행해진다. 먼저, 카세트(10a)에 수용된 SiC 기판(11)의 표면측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(6)가 SiC 기판(11)을 카세트(10a)로부터 반출하여 표면(11a)이 위가 되도록 위치 조정 기구(12)의 테이블(12a)에 SiC 기판(11)을 반입한다. 계속해서, 복수의 핀(12b)을 SiC 기판(11)에 접촉시킴으로써 SiC 기판(11)의 위치 맞춤이 행해진다.
계속해서, 위치 맞춤이 행해진 SiC 기판(11)의 표면(11a)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(14)가 SiC 기판(11)을 테이블(12a)로부터 반출하여 표면(11a)이 위가 되도록 반입 반출 위치에 배치된 척 테이블(18)에 반입한다. 계속해서, SiC 기판(11)이 반입된 척 테이블(18)이 SiC 기판(11)의 이면(하면)(11b)측을 흡인하여 유지한다. 계속해서, 도 4의 (A)에 도시된 바와 같이, SiC 기판(11)의 표면(11a)측이 연삭된다.
구체적으로는, 먼저, SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 조연삭 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다. 계속해서, 척 테이블(18)과 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽을 회전시키면서, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)을 접촉시키도록, 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 하강시킨다.
이에 의해, SiC 기판(11)의 표면(11a)측이 조연삭된다. 이때, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(11a)의 접촉 계면(가공점)에는 연삭액이 공급된다. 또한, 이때의 척 테이블(18) 및 스핀들(38)의 각각의 회전 속도는, 예컨대 1000 rpm 이상 5000 rpm 이하이다. 또한, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(11a)이 접촉한 상태에서의 연삭 유닛(34)의 하강 속도는, 예컨대 1 ㎛/sec 이상 10 ㎛/sec 이하이다.
계속해서, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)이 이격되도록, 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 상승시킨다. 계속해서, 척 테이블(18)과 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽의 회전을 정지시킨다. 계속해서, SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 마무리 연삭 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다.
계속해서, 척 테이블(18)과 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽을 회전시키면서, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)을 접촉시키도록, 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 하강시킨다.
이에 의해, SiC 기판(11)의 표면(11a)측이 마무리 연삭된다. 이때, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(11a)의 접촉 계면(가공점)에는 연삭액이 공급된다. 또한, 이때의 척 테이블(18) 및 스핀들(38)의 각각의 회전 속도는, 예컨대 1000 rpm 이상 5000 rpm 이하이다. 또한, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(11a)이 접촉한 상태에서의 연삭 유닛(34)의 하강 속도는, 예컨대 1 ㎛/sec 미만이다.
계속해서, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)이 이격되도록, 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 상승시킨다. 계속해서, 척 테이블(18)과 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽의 회전을 정지시킨다. 이상에 의해, SiC 기판(11)의 표면(11a)측의 연삭(제1 연삭 공정)이 완료된다.
계속해서, SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 연마 위치를 통과하여 반입 반출 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다. 계속해서, 반입 반출 위치에 위치된 척 테이블(18)이 SiC 기판(11)의 이면(하면)(11b)측의 흡인을 정지한다.
계속해서, 이 척 테이블(18)에 실린 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(78)가 SiC 기판(11)을 척 테이블(18)로부터 반출하여 표면이 위가 되도록 세정 기구(80)에 반입한다. 계속해서, 세정 기구(80)가 SiC 기판(11)의 표면(11a)측을 세정한다.
계속해서, SiC 기판(11)의 이면(11b)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(6)가 SiC 기판(11)을 세정 기구(80)로부터 반출하여 이면(11b)이 위가 되도록 위치 조정 기구(12)의 테이블(12a)에 반입한다. 계속해서, 복수의 핀(12b)을 SiC 기판(11)에 접촉시킴으로써 SiC 기판(11)의 위치 맞춤이 행해진다.
계속해서, 위치 맞춤이 행해진 SiC 기판(11)의 이면(11b)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(14)가 SiC 기판(11)을 테이블(12a)로부터 반출하여 이면(11b)이 위가 되도록 반입 반출 위치에 배치된 척 테이블(18)에 반입한다. 계속해서, SiC 기판(11)이 반입된 척 테이블(18)이 SiC 기판(11)의 표면(하면)(11a)측을 흡인하여 유지한다. 계속해서, 도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, SiC 기판(11)의 이면(11b)측이 연삭된다.
구체적으로는, 먼저 SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 조연삭 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다. 계속해서, 척 테이블(18)과 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽을 회전시키면서, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(상면)(11b)을 접촉시키도록, 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 하강시킨다.
이에 의해, SiC 기판(11)의 이면(11b)측이 조연삭된다. 이때, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(11b)의 접촉 계면(가공점)에는 연삭액이 공급된다. 또한, 이때의 척 테이블(18) 및 스핀들(38)의 각각의 회전 속도는, 예컨대 1000 rpm 이상 5000 rpm 이하이다. 또한, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(11b)이 접촉한 상태에서의 연삭 유닛(34)의 하강 속도는, 예컨대 1 ㎛/sec 이상 10 ㎛/sec 이하이다.
또한, 이때의 연삭 휠(42a)은 SiC 기판(11)의 표면(11a)측을 조연삭할 때에 이용된 것과 동일해도 좋고, 상이한 것으로 교체되어 있어도 좋다. 즉, SiC 기판(11)의 이면(11b)측의 조연삭에 이용되는 연삭 지석은, SiC 기판(11)의 표면(11a)측의 조연삭에 이용되는 연삭 지석과 동일해도 좋고, 상이한 것이어도 좋다.
계속해서, 연삭 휠(42a)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(상면)(11b)이 이격되도록, 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 상승시킨다. 계속해서, 척 테이블(18)과 조연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽의 회전을 정지시킨다. 계속해서, SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 마무리 연삭 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다.
계속해서, 척 테이블(18)과 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽을 회전시키면서, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(상면)(11b)을 접촉시키도록, 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 하강시킨다.
이에 의해, SiC 기판(11)의 이면(11b)측이 마무리 연삭된다. 이때, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(11b)의 접촉 계면(가공점)에는 연삭액이 공급된다. 또한, 이때의 척 테이블(18) 및 스핀들(38)의 각각의 회전 속도는, 예컨대 1000 rpm 이상 5000 rpm 이하이다. 또한, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(11b)이 접촉한 상태에서의 연삭 유닛(34)의 하강 속도는, 예컨대 1 ㎛/sec 미만이다.
또한, 이때의 연삭 휠(42b)은, SiC 기판(11)의 표면(11a)측을 마무리 연삭할 때에 이용된 것과 동일해도 좋고, 상이한 것으로 교체되어 있어도 좋다. 즉, SiC 기판(11)의 이면(11b)측의 마무리 연삭에 이용되는 연삭 지석은, SiC 기판(11)의 표면(11a)측의 마무리 연삭에 이용되는 연삭 지석과 동일해도 좋고, 상이한 것이어도 좋다.
또한, SiC 기판(11)의 이면(11b)측의 연삭은, 마무리 연삭 후의 이면의 산술 평균 높이 Sa가 1 ㎚ 이하가 되도록 행해진다. 또한, 산술 평균 높이 Sa는, ISO25178에서 규정된 면 거칠기를 나타내는 파라미터이고, 선 거칠기를 나타내는 파라미터인 산술 평균 높이 Ra를 면으로 확장한 파라미터이다.
계속해서, 연삭 휠(42b)의 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 이면(상면)(11b)이 이격되도록, 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)을 Z축 이동 기구(22)가 상승시킨다. 계속해서, 척 테이블(18)과 마무리 연삭 위치측의 연삭 유닛(34)의 스핀들(38)의 양쪽의 회전을 정지시킨다. 이상에 의해, SiC 기판(11)의 이면(11b)측의 연삭(제2 연삭 공정)이 완료된다.
계속해서, SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 연마 위치를 통과하여 반입 반출 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다. 계속해서, 반입 반출 위치에 위치된 척 테이블(18)이 SiC 기판(11)의 표면(하면)(11a)측의 흡인을 정지한다.
계속해서, 이 척 테이블(18)에 실린 SiC 기판(11)의 이면(상면)(11b)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(78)가 SiC 기판(11)을 척 테이블(18)로부터 반출하여 이면(11b)이 위가 되도록 세정 기구(80)에 반입한다. 계속해서, 세정 기구(80)가 SiC 기판(11)의 이면(11b)측을 세정한다.
계속해서, SiC 기판(11)의 표면(11a)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(6)가 SiC 기판(11)을 세정 기구(80)로부터 반출하여 표면(11a)이 위가 되도록 위치 조정 기구(12)의 테이블(12a)에 반입한다. 계속해서, 복수의 핀(12b)을 SiC 기판(11)에 접촉시킴으로써 SiC 기판(11)의 위치 맞춤이 행해진다.
계속해서, 위치 맞춤이 행해진 SiC 기판(11)의 표면(11a)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(14)가 SiC 기판(11)을 테이블(12a)로부터 반출하여 표면(11a)이 위가 되도록 반입 반출 위치에 배치된 척 테이블(18)에 반입한다. 계속해서, SiC 기판(11)이 반입된 척 테이블(18)이 SiC 기판(11)의 이면(하면)(11b)측을 흡인하여 유지한다. 계속해서, 도 5에 도시된 바와 같이, SiC 기판(11)의 표면(11a)측이 연마된다.
구체적으로는, 먼저 SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 조연삭 위치 및 마무리 연삭 위치를 통과하여 연마 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다. 계속해서, 척 테이블(18)과 연마 유닛(68)의 스핀들(72)의 양쪽을 회전시키면서, 연마 패드(76)의 연마층과 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)을 접촉시키도록, 연마 유닛(68)을 Z축 이동 기구(56)가 하강시킨다.
이에 의해, SiC 기판(11)의 표면(11a)이 연마된다. 이때, 스핀들(72), 마운트(74) 및 연마 패드(76)를 관통하는 관통 구멍(82)을 통해 연마액 공급원으로부터 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)에 연마액(13)이 공급된다.
또한, 이때의 척 테이블(18)의 회전 속도는, 예컨대 300 rpm 이상 750 rpm 이하이다. 또한, 이때의 스핀들(72)의 회전 속도는, 예컨대 300 rpm 이상 1000 rpm 이하이다. 또한, 이때에 SiC 기판(11)의 표면(11a)에 가해지는 압력은, 예컨대 200 g/㎠ 이상 750 g/㎠ 이하이다.
계속해서, 연마 패드(76)의 연마층과 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)이 이격되도록, 연마 유닛(68)을 Z축 이동 기구(56)가 상승시킨다. 계속해서, 척 테이블(18)과 스핀들(72)의 양쪽의 회전을 정지시킨다. 이상에 의해, SiC 기판(11)의 표면(11a)측의 연마가 완료된다.
계속해서, SiC 기판(11)을 유지하는 척 테이블(18)이 반입 반출 위치에 위치되도록, 턴테이블(16)이 회전한다. 계속해서, 반입 반출 위치에 위치된 척 테이블(18)이 SiC 기판(11)의 이면(하면)측의 흡인을 정지한다.
계속해서, 이 척 테이블(18)에 실린 SiC 기판(11)의 표면(상면)(11a)측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(78)가 SiC 기판(11)을 척 테이블(18)로부터 반출하여 표면(11a)이 위가 되도록 세정 기구(80)에 반입한다. 계속해서, 세정 기구(80)가 SiC 기판의 표면(11a)측을 세정한다.
계속해서, SiC 기판(11)의 표면측 또는 이면측을 흡인한 상태에서, 반송 기구(6)가 SiC 기판(11)을 카세트(10b)에 반입한다. 이상에 의해, 가공 장치(2)에서의 연삭 공정(S2) 및 연마 공정(S3)이 완료된다.
전술한 SiC 기판의 제조 방법에서는, Si면이 노출되는 표면(11a)측을 연삭하고 C면이 노출되는 이면(11b)의 산술 평균 높이 Sa가 1 ㎚ 이하가 되도록 이면(11b)측을 연삭한 후, 이면(11b)측을 연마하지 않고 표면(11a)측만을 연마한다.
이와 같이 이면(11b)측이 연삭되는 경우, 또한 SiC 기판(11)의 이면(11b)측을 연마하지 않아도 SiC 기판(11)의 휘어짐을 억제할 수 있다. 그 때문에, 이 방법에서는, 파워 디바이스의 제조 등에 이용되는 SiC 기판(11)의 제조 리드 타임을 단축하고, 또한, 제조 비용을 저감하는 것이 가능하다.
또한, 전술한 방법은 본 발명의 일 양태이며, 본 발명은 전술한 방법에 한정되지 않는다. 예컨대, 전술한 SiC 기판의 제조 방법의 연삭 공정(S2)에서는, 표면(11a)측이 연삭된 후에 이면(11b)측이 연삭되고 있었으나, 본 발명의 연삭 공정(S2)에서는, 이면(11b)측이 연삭된 후에 표면(11a)측이 연삭되어도 좋다.
이 경우, SiC 기판(11)의 표면(11a)측을 연삭한 후에, 척 테이블(18)에 유지되는 SiC 기판(11)을 반전시키지 않고, SiC 기판(11)의 표면(11a)을 연마할 수 있다. 그 때문에, 이 경우에는, 파워 디바이스의 제조 등에 이용되는 SiC 기판(11)의 제조 리드 타임을 더욱 단축하고, 또한, 제조 비용을 더욱 저감하는 것이 가능하다.
그 외, 전술한 실시형태에 따른 구조 및 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
[실시예]
이하에서는, 본 발명의 SiC 기판의 제조 방법의 실시예에 대해 설명한다. 먼저, 직경이 6인치인 원기둥형의 SiC 잉곳을 준비하였다. 계속해서, 표면에 Si면을 노출시키고, 또한 이면에 C면을 노출시키며 두께가 500 ㎛~600 ㎛가 되도록, 다이아몬드 와이어 소를 이용하여 SiC 잉곳으로부터 3개의 SiC 기판을 잘라내었다. 계속해서, 3개의 SiC 기판 중 하나의 표면측 및 이면측의 양쪽에 대해, 동일한 조건으로 조연삭 및 마무리 연삭을 행하였다.
구체적으로는, 이 조연삭은, 평균 입경이 14 ㎛인 다이아몬드를 포함하는 지립과 지립을 유지하는 비트리파이드 본드를 포함하는 연삭 지석을 갖는 연삭 휠을 이용하여 행해졌다. 또한, 이 조연삭에서는, 이 연삭 휠과 SiC 기판을 유지하는 척 테이블의 양쪽의 회전 속도를 2000 rpm으로 하고, 또한 이 연삭 지석과 SiC 기판의 표면 또는 이면이 접촉한 상태에서의 연삭 유닛의 하강 속도를 3 ㎛/sec로 하였다.
또한, 이 마무리 연삭은, 평균 입경이 0.2 ㎛인 다이아몬드를 포함하는 지립과 지립을 유지하는 비트리파이드 본드를 포함하는 연삭 지석을 갖는 연삭 휠을 이용하여 행하였다. 또한, 이 마무리 연삭에서는, 이 연삭 휠과 SiC 기판을 유지하는 척 테이블의 양쪽의 회전 속도를 3000 rpm으로 하고, 또한 이 연삭 지석과 SiC 기판(11)의 표면(11a) 또는 이면(11b)이 접촉한 상태에서의 연삭 유닛의 하강 속도를 0.15 ㎛/sec로 하였다. 이에 의해, 실시예 1의 SiC 기판을 얻었다.
계속해서, 3개의 SiC 기판 중 다른 하나의 양면측에 대해, 마무리 연삭에 이용된 연삭 휠이 갖는 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경이 상이한 점을 제외하고, 실시예 1의 SiC 기판과 동일한 조건으로 조연삭 및 마무리 연삭을 행하였다. 구체적으로는, 이 마무리 연삭은, 0.3 ㎛의 다이아몬드를 포함하는 지립과 지립을 유지하는 비트리파이드 본드를 포함하는 연삭 지석을 갖는 연삭 휠을 이용하여 행하였다. 이에 의해, 실시예 2의 SiC 기판을 얻었다.
계속해서, 3개의 SiC 기판 중 나머지 하나의 양면측에 대해, 마무리 연삭에 이용된 연삭 휠이 갖는 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경이 상이한 점을 제외하고, 실시예 1 및 2의 SiC 기판과 동일한 조건으로 조연삭 및 마무리 연삭을 행하였다. 구체적으로는, 이 마무리 연삭은, 0.5 ㎛의 다이아몬드를 포함하는 지립과 지립을 유지하는 비트리파이드 본드를 포함하는 연삭 지석을 갖는 연삭 휠을 이용하여 행하였다. 이에 의해, 비교예의 SiC 기판을 얻었다.
하기의 표 1은, 실시예 1 및 2 및 비교예의 각각의 SiC 기판의 양면측에 대해 마무리 연삭이 행해진 후의 이면의 산술 평균 높이 Sa를 나타낸다.
Figure pat00001
계속해서, 실시예 1 및 2 및 비교예의 각각의 SiC 기판의 이면측에 대한 연마를 행하지 않고 표면측만에 대한 연마를 행하였다. 구체적으로는, 이 연마는, 입경이 0.4 ㎛~0.6 ㎛인 실리카(SiO2)를 포함하는 지립이 부직포에 분산된 연마층을 포함하는 연마 패드를 이용하여 행하였다. 또한, 이 연마에서는, 이 연마 패드의 회전 속도를 745 rpm으로 하고, 또한 SiC 기판을 유지하는 척 테이블의 회전 속도를 750 rpm으로 하며, SiC 기판의 표면에 가해지는 압력을 400 g/㎠로 하였다.
하기의 표 2는 실시예 1 및 2 및 비교예의 각각의 SiC 기판의 이면측에 대한 연마를 행하지 않고 표면측만에 대한 연마를 행한 후의 SiC 기판의 휘어짐량을 나타낸다.
Figure pat00002
표 1 및 표 2에 나타나는 바와 같이, SiC 기판의 Si면이 노출되는 표면측을 연삭하고 C면이 노출되는 이면의 산술 평균 높이 Sa가 1 ㎚ 이하가 되도록 이면측을 연삭함으로써, SiC 기판의 이면측에 대한 연마를 행하지 않고 표면측만에 대한 연마를 행한 경우라도 SiC 기판의 휘어짐량을 저감할 수 있는 것을 알 수 있었다.
11: SiC 기판(11a: 표면, 11b: 이면) 13: 연마액
2: 가공 장치 4: 베이스(4a: 개구)
6: 반송 기구 8a, 8b: 카세트 테이블
10a, 10b: 카세트
12: 위치 조정 기구(12a: 테이블, 12b: 핀)
14: 반송 기구 16: 턴테이블
18: 척 테이블 20: 지지 구조
22: Z축 이동 기구 24: 가이드 레일
26: 이동 플레이트 28: 나사축
30: 모터 32: 고정구
34: 연삭 유닛 36: 스핀들 하우징
38: 스핀들 40: 마운트
42a, 42b: 연삭 휠 44: 지지 구조
46: X축 이동 기구 48: 가이드 레일
50: 이동 플레이트 52: 나사축
54: 모터 56: Z축 이동 기구
58: 가이드 레일 60: 이동 플레이트
62: 나사축 64: 모터
66: 고정구 68: 연마 유닛
70: 스핀들 하우징 72: 스핀들
74: 마운트 76: 연마 패드
78: 반송 기구 80: 세정 기구
82: 관통 구멍

Claims (2)

  1. 표면에 Si면을 노출시키고, 또한 이면에 C면을 노출시키도록, SiC 잉곳으로부터 SiC 기판을 분리하는 분리 공정과,
    상기 분리 공정 후에, 상기 SiC 기판의 상기 표면측 및 상기 이면측의 양쪽을 연삭하는 연삭 공정과,
    상기 연삭 공정 후에, 상기 SiC 기판의 상기 이면측을 연마하지 않고 상기 표면측만을 연마하는 연마 공정
    을 포함하고,
    상기 연삭 공정은,
    상기 SiC 기판의 상기 표면측을 연삭하는 제1 연삭 공정과,
    상기 SiC 기판의 상기 이면측을 연삭하는 제2 연삭 공정을 포함하며,
    상기 제2 연삭 공정에서는, 상기 이면의 산술 평균 높이 Sa가 1 ㎚ 이하가 되도록 상기 SiC 기판의 상기 이면측을 연삭하는 것인 SiC 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 연삭 공정에서 이용되는 연삭 지석에 포함되는 지립의 평균 입경(粒徑)은, 0.3 ㎛ 이하인 것인 SiC 기판의 제조 방법.
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