KR20220163476A - 기판의 표면에 대한 레벨 데이터를 생성하기 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

Abstract

레벨 데이터를 생성하기 위한 시스템, 장치, 및 방법이 제공된다. 예시적인 방법은 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 제 1 구역은 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역, 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함할 수 있다. 예시적인 방법은 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예시적인 방법은, 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제 2 구역은 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함할 수 있고, 선택적으로, 제 2 표면 레벨과 대략적으로 동일한 표면 레벨을 가지는 구역을 포함하지 않을 수 있다.

Description

기판의 표면에 대한 레벨 데이터를 생성하기 위한 시스템 및 방법

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2020년 5월 4일에 출원되고 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합되는 EP 출원 번호 제 20172770.8의 우선권을 주장한다.

본 발명은 리소그래피에 관한 것이고, 특히 리소그래피 툴을 포커싱하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그러한 경우, 상호교환가능하게 마스크 또는 레티클(reticle)이라고도 불리는 패터닝 장치가 형성되고 있는 집적회로의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나 또는 몇몇 다이들을 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사사전-감응재(예컨대, 레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 한 번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스테퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게(예를 들어, 반대로) 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.

반도체 제조 프로세스가 계속하여 발전함에 따라, 디바이스 당 트랜지스터와 같은 기능성 소자들의 양은 일반적으로 무어(Moore)의 법칙"이라고 불리는 경향을 따라서 수 십 년에 걸쳐 지속적으로 증가하는 반면에, 회로 소자들의 치수는 계속하여 감소되어 왔다. 무어(Moore)의 법칙이 계속되게 하기 위해서, 반도체 산업은 점점 더 작은 피쳐를 생성할 수 있게 하는 기술을 찾고 있다. 기판에 패턴을 투영하기 위하여, 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이러한 방사선의 파장이 기판 상에 패터닝되는 피쳐의 최소 크기를 결정한다. 현재 사용되는 통상적인 파장은 365 나노미터(nm)(i-라인), 248 nm, 193 nm 및 13.5 nm이다.

본 발명은 기판(예를 들어, 여러 높이 레벨이 있는 표면을 가지는 웨이퍼)의 표면에 대한 레벨 데이터를 더 빠르고 정밀한 방식으로 생성하여, 기판의 각각의 레벨에서의 기판의 각각의 영역 내에서 기판에 걸친 높이 변동을 정확하게 측정하기 위한 시스템, 장치, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품의 다양한 양태를 기술한다. 일부 양태들에서, 본 명세서에 개시된 시스템, 장치, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품은 3-차원의 메모리 어레이(예를 들어, 3-차원의 NOT-AND(3DNAND) 메모리 어레이)에 대한 대범위 레벨링을 수행하고 생성된 레벨 데이터 및 본 명세서에서 설명된 다른 기법들에 기반하여 디바이스 토포그래피를 교정할 수 있다. 일부 양태들에서, 본 명세서에 개시된 시스템, 장치, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품은 미세 센서 및 개략적 센서(예를 들어, 동일한 센서 또는 상이한 센서를 사용하여 구현될 수 있음)의 조합을 활용할 수 있는데, 개략적 센서는 특정 구역의 유효성을 결정하는 데에 사용되기 위한, 메모리 셀 및 주위 사이의 높이차를 측정하고, 미세 센서는 하나의 레벨(예를 들어, 메모리 셀)에서의 높이 변동을 측정한다.

일부 양태들에서, 본 발명은 시스템을 기술한다. 시스템은 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하도록 구성된 레벨 감지 제어기를 포함할 수 있다. 제 1 구역은 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함할 수 있다. 하나의 예시적이고 비한정적인 예에서, 제 1 표면 레벨은 메모리 셀의 상단면에 대응할 수 있고 제 2 표면 레벨은 메모리 셀에 인접하게 배치된 주변부의 하단면에 대응할 수 있다. 레벨 감지 제어기는 측정 제어 맵 데이터(예를 들어, 관심 영역, 무효 영역, 또는 양자 모두를 포함함)를 제 1 레벨 데이터에 기반하여 생성하도록 더 구성될 수 있다. 시스템은 측정 제어 맵 데이터에 기반하여(예를 들어, 관심 영역에 기반하여), 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성된 제 2 레벨 감지 디바이스를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터는 서보 오프셋 맵(x, y) 및 유효성 맵(x, y) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제 2 구역은 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함할 수 있다. 선택적으로, 일부 양태들에서 제 2 구역은 제 2 표면 레벨과 대략적으로 동일한 표면 레벨을 가지는 구역을 더 포함하지 않을 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 디자인 레이아웃 데이터는 그래픽 데이터 시스템(GDS) 데이터 파일을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 수신된 디자인 레이아웃 데이터는 제 1 레벨 데이터를 포함할 수 있고, 레벨 감지 제어기는 수신된 디자인 레이아웃 데이터로부터 제 1 레벨 데이터를 추출하도록 더 구성될 수 있다. 다른 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 수신된 디자인 레이아웃 데이터에 기반하여 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 시스템은 제 1 레벨 데이터를 생성하고, 제 1 레벨 데이터를 직접적으로 또는 간접적으로 레벨 감지 제어기로 송신하도록 구성된 제 1 레벨 감지 디바이스를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스는 제 1 분해능에서 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 제 2 분해능에서 상기 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 분해능은 제 1 분해능보다 높을 수 있다. 예를 들어, 제 2 레벨 데이터의 제 2 측정 노이즈는 약 5 나노미터 미만일 수 있고, 제 1 레벨 데이터의 제 1 측정 노이즈는 약 5 마이크론 미만일 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스는 제 1 측정 지속기간 동안에 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 제 2 측정 지속기간에서 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 측정 지속기간은 제 2 측정 지속기간보다 길 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스는 가시광 스펙트럼 센서를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 자외선 스펙트럼 센서를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스 및 제 2 레벨 감지 디바이스는 레벨 센서와 같은 레벨 감지 디바이스 내에 포함될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스 및 제 2 레벨 감지 디바이스는 단일-칩 레벨 센서(예를 들어, 레벨 감지 칩) 내에 포함될 수 있다. 다른 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스 및 제 2 레벨 감지 디바이스는 기압계(예를 들어, 가스 게이지 근접성 센서) 및 광 센서와 같은 두 개의 상이한 레벨 감지 디바이스 내에 포함될 수 있다.

일부 양태들에서, 상기 레벨 감지 제어기 상기 제 1 하위구역에 대한 제 1 가중치 및 상기 제 2 하위구역에 대한 제 2 가중치의 적용에 기반하여 상기 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 하나의 예시적이고 비한정적인 예에서, 제 1 가중치는 대략적으로 1일 수 있고, 제 2 가중치는 대략적으로 0일 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 제 1 토포그래픽 맵 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 제 2 레벨 데이터에 기반하여 제 2 토포그래픽 맵 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 토포그래픽 맵 데이터는 제 1 토포그래픽 맵 데이터와 다를 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 서보 제어 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 특정 서보 오프셋을 사용하도록 명령하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 대략적으로 제 3 표면 레벨에서 기판 토포그래피를 추종하게끔 명령하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 제 3 표면 레벨을 측정 프로세스 동안에 제 2 레벨 감지 디바이스의 측정 범위 내로(또는, 일부 양태들에서는 대략적으로 초점면으로) 유지하게끔 명령하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 서보 높이 목표를 수정하게끔 명령하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게, 상기 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이에 있도록 서보 높이 목표를 수정하게끔 명령하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 본 발명은 장치를 기술한다. 이러한 장치는 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하도록 구성된 레벨 감지 제어기를 포함할 수 있다. 제 1 구역은 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역, 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함할 수 있다. 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 이러한 장치는, 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성된 제 2 레벨 감지 디바이스를 더 포함할 수 있다. 제 2 구역은 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함할 수 있고, 일부 선택적인 양태에서는, 제 2 표면 레벨과 대략적으로 동일한 표면 레벨을 가지는 구역을 포함하지 않을 수 있다.

일부 양태들에서, 본 발명은 레벨 데이터를 생성하기 위한 방법을 기술한다. 이러한 방법은 레벨 감지 제어기에 의하여 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 제 1 구역은 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역, 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함할 수 있다. 이러한 방법은 레벨 감지 제어기에 의하여 그리고 제 1 레벨 데이터에 기반하여, 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 방법은, 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여, 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제 2 구역은 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함할 수 있고, 일부 선택적인 양태에서는, 제 2 표면 레벨과 대략적으로 동일한 표면 레벨을 가지는 구역을 포함하지 않을 수 있다.

일부 양태들에서, 상기 방법은, 상기 레벨 감지 제어기에 의하여 상기 제 1 레벨 데이터를 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 디자인 레이아웃 데이터는 GDS 파일을 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 이러한 방법은, 제 1 레벨 감지 디바이스에 의하여 제 1 레벨 데이터를 생성하는 단계 및 제 1 레벨 감지 디바이스에 의하여 제 1 레벨 데이터를 레벨 감지 제어기로 송신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 이러한 방법은, 제 1 레벨 감지 디바이스에 의하여, 제 1 레벨 데이터를 제 1 분해능 및 제 1 측정 지속기간에서 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 이러한 방법은, 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여, 제 2 레벨 데이터를 제 2 분해능 및 제 2 측정 지속기간에서 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 분해능은 대략적으로 제 1 분해능보다 클 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 측정 지속기간은 대략적으로 제 2 측정 지속기간보다 작을 수 있다.

일부 양태들에서, 상기 방법은, 상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 제 1 하위구역에 대한 제 1 가중치 및 상기 제 2 하위구역에 대한 제 2 가중치의 적용에 기반하여 상기 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 이러한 방법은, 상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 제 1 토포그래픽 맵 데이터를 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 이러한 방법은, 상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 제 2 토포그래픽 맵 데이터를 상기 제 2 레벨 데이터에 기반하여 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 토포그래픽 맵 데이터는 제 1 토포그래픽 맵 데이터와 다르다.

일부 양태들에서, 이러한 방법은, 상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 서보 제어 신호를 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 이러한 방법은, 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 대략적으로 제 3 표면 레벨에서 기판 토포그래피를 추종하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 이러한 방법은, 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 제 3 표면 레벨을 측정 프로세스 동안에 제 2 레벨 감지 디바이스의 측정 범위 내에(또는, 일부 양태들에서는 대략적으로 초점면에서) 유지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 상기 방법은, 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 서보 높이 목표를 상기 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이로 수정하는 단계를 더 포함할 수 있다.

다른 피쳐 및 장점 및 다양한 양태들의 구조 및 동작은 첨부 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명이 본 명세서에서 설명되는 특정한 양태들로 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 이러한 양태들은 본 명세서에서 예시를 위해 제공될 뿐이다. 본 명세서에 포함된 교시에 기초하는 추가적인 양태들이 당업자에게 명백해질 것이다.
본 명세서에 통합되며 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명을 도시하며, 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용과 함께 본 발명의 양태들의 이론을 설명하며, 당업자가 본 발명의 양태들을 생산하고 사용하도록 하는데 더욱 기여한다.
도 1은 본 발명의 일부 양태들에 따르는 예시적인 리소그래피 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 리소그래피 장치에 대한 예시적인 레벨 센서의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일부 양태에 따른 다른 예시적인 레벨 센서의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 데이터 환경(600)의 개략도이다.
도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 본 발명의 일부 양태에 따른 메모리 셀의 예시적인 어레이의 개략도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 높이 측정 데이터의 예시도이다.
도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d는 본 발명의 일부 양태에 따른 다른 예시적인 레벨 센서, 기판, 데이터 환경, 및 높이 측정 데이터의 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일부 양태 또는 그 일부에 따른, 레벨 데이터를 생성하기 위한 예시적인 방법이다.
도 9는 본 발명의 일부 양태 또는 그 일부를 구현하기 위한 예시적인 컴퓨터 시스템이다.

본 발명의 피처 및 장점은 도면과 함께 아래에서 진술되는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용으로부터 더욱 명백해질 것인데, 도면에서 유사한 참조 기호는 전체적으로 대응하는 요소들을 식별한다. 다르게 표시되지 않는 한, 도면에서 유사한 부재 번호는 동일하고 기능적으로 유사하며, 및/또는 구조적으로 유사한 요소를 일반적으로 표시한다. 추가적으로, 레퍼런스 번호의 가장 왼쪽의 숫자(들)는 일반적으로 해당 레퍼런스 번호가 등장하는 도면을 식별한다. 달리 표시되지 않는 한, 본 명세서 전체에서 제공된 도면은 척도에 맞는 도면이라고 해석되어서는 안 된다.

본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용은 본 발명의 피쳐를 포함하는 하나 이상의 실시형태를 개시한다. 개시된 실시형태(들)는 본 발명을 단지 설명할 뿐이다. 본 발명의 범위는 개시된 실시형태(들)로 한정되지 않는다. 본 발명의 범위는 본 명세서에 첨부된 청구항과 그들의 균등물에 의해서 규정된다.

설명된 실시형태(들) 및 명세서에서, "일 실시형태", "실시형태", "예시적인 실시형태" 등에 대한 언급은 기술된 실시형태(들)가 특정 요소, 구조, 또는 특징을 포함할 수 있지만, 각각의 실시형태가 이러한 특정 요소, 구조, 또는 특징을 반드시 포함하지 않을 수도 있음을 뜻한다. 더욱이, 이러한 문구들은 반드시 동일한 실시형태를 지칭하는 것은 아니다. 나아가, 특정 요소, 구조, 또는 특징이 실시형태와 관련하여 기술될 때, 명시적으로 기술되든 아니든, 다른 실시형태와 관련하여 이러한 요소, 구조, 또는 특징을 구현하는 것도 당업자의 지식 범위 내에 속한다고 이해된다.

공간적인 상대적 용어, 예컨대 "밑에(beneath)," "아래(below)," "더 낮은(lower)," "위의(above)" "위(on)," "더 위(upper)" 등은 본 명세서에서 설명의 편의를 위하여 하나의 요소 또는 피쳐의 도면에 도시된 바와 같은 다른 요소(들) 또는 피쳐(들)에 대한 관계를 설명하기 위해 사용될 수 있다. 공간적인 상대적 용어들이 도면에 도시된 방위에 추가하여 사용 중이거나 동작 중인 디바이스의 다른 방위를 망라하는 것이 의도된다. 이러한 장치는 다르게 배향될 수도 있고(90 도 또는 다른 배향으로 회전됨), 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 기술자는 그에 따라 유사하게 해석될 수 있다.

본 명세서에서 사용될 때 "약"이라는 용어는 특정한 기술에 기반하여 변동할 수 있는 주어진 양의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기반하여, "약"이라는 용어는, 예를 들어 값의 10-30%(예를 들어, 값의 ±10%, ±20%, 또는 ±30%) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.

개관

일 예에서, 스캐너와 같은 리소그래피 장치는 노광 이전의 웨이퍼 표면의 높이를 측정하기 위한 레벨 센서(또는 높이 센서)를 포함할 수 있다. 리소그래피 장치는 이러한 측정을 사용하여: (i) 노광 도중의 웨이퍼 스테이지에 의해서 추종되는 노광 프로파일(및, 일부 양태들에서, 투영 시스템 특성)을 계산하고; 및 (ii) 노광 도중에 생긴 레벨링 및 초점 오차를 진단할 수 있다. 레벨 센서는 웨이퍼 맵을 측정하는 동안에 웨이퍼를 인-포커스 상태로 유지하려고 시도하면서 웨이퍼 스테이지를 제어할 수 있다. 레벨 센서 캡쳐는 웨이퍼의 표면을 찾기 위한 최초의 측정이다.

특히 3DNAND 메모리 어레이에서 디바이스 토포그래피가 증가함에 따라서, 레벨 센서의 요구 사항이 범위 및 분해능 양자 모두에 있어서 더 엄격해진다. 예를 들어 KrF 시스템에서는, 디바이스 토포그래피가 계단형 구조체를 제작할 때와 같이 여러 마이크론의 스텝을 가질 수 있다. ArF 및 ArFi 시스템에서의 다른 3DNAND 메모리 어레이는 통상적으로 평탄화되고, 200 nm까지의 토포그래피를 가진다. 다른 예에서, 20 마이크론이 넘는 디바이스 토포그래피가 가까운 미래에 기대되고 있고, 40 마이크론을 넘는(예를 들어, 각각의 층이 적어도 약 50 nm 두께인 최소 약 800 개의 층에 기반함) 디바이스 토포그래피가 먼 미래에 기대된다.

일 예에서, 레벨 센서는 측정 스캔 도중에 기판 토포그래피를 추종하려고 시도함으로써 높이 맵을 측정할 수 있다. 측정은 웨이퍼 높이 맵을 생성하기 위하여 사용될 수 있다. 후속하여, 생성된 웨이퍼 높이 맵을 사용하여 기판 노광이 수행될 수 있다. 흔히, (1) 재현성 및 노이즈, (2) 분해능, 및 (3) 측정 범위 사이에는 직접적인 관계가 있다. 그러나, 증가된 측정 범위 (z)는 보통 더 높은 노이즈를 초래하고, 증가된 (x, y) 분해능도 보통 더 높은 노이즈를 초래한다. 따라서, 대범위 레벨링 및 3DNAND 사용 사례를 위한 최적의 레벨 센서는: (i) 매우 큰 범위 (z); (ii) 높은 분해능(x, y); (iii) 낮은 측정 노이즈(예를 들어, nm 스케일); 및 (iv) 높은 정확도(예를 들어, nm 스케일)를 가질 수 있다. 더 나아가, 통상적으로 동일한 스캐너가 초점이 중요한 그 외의 더 많은 층들에 대해서도 역시 사용되기 때문에, 노이즈는 낮게 유지되어야 한다. 그러나, 위의 파라미터 중 하나를 개선할 때에, 다른 파라미터가 열화될 수 있다.

측정 스캔 도중에, 레벨 센서는 고정된 상태를 유지할 수 있는 반면에 웨이퍼 테이블이 좌측 및 우측으로 이동되어(예를 들어, 서보 제어 신호를 통하여), 상이한 영역을 측정함으로써 측정되는 중인 영역의 표면 높이가 레벨 센서의 유효한 측정 범위 안에 유지되도록 보장할 수 있다. 표면 높이에 있어서 실질적 변화를 만나는 경우에도(예를 들어, 트렌치 위를 횡단할 경우), 레벨 센서는 웨이퍼 테이블에게 상하로 움직여서 각각의 영역의 표면 토포그래피를 추종하도록 명령함으로써, 측정 오류(예를 들어, 부정확한 측정, 트렌치와 같은 중요하지 않은 표면의 측정으로부터 초래된 측정 오차)를 초래한다.

또한, 디바이스 토포그래피의 범위가 레벨 센서의 범위를 초과하면, 다음의 고장 모드가 생길 수 있다:

a. 레벨 센서 캡쳐가 실패함(예를 들어, 센서 (자동) 초점 제어 또는 측정 높이 제어);

b. 잘못된 레벨에서의 레벨 센서 캡쳐(예를 들어, 메모리 셀 대신에 그 주위에서의 캡쳐)로서, 기대되지 않은 오프셋을 초래함;

c. 정확한 높이를 획득하기 어려운 문제점; 및

d. 웨이퍼 맵에서의 주기 도약(period jump)(예를 들어, 잘못된 높이 측정, 큰 이득 오차, 서보 이슈(예를 들어, 역학적인 이슈, 추종할 수 없는 이슈)).

일 예에서, 이러한 실용적 문제점(예를 들어, "레벨 센서가 실패함")은 레벨링을 위하여 디바이스 토포그래피 및 그 변동의 완벽한 높이 맵을 가지는 것보다 더 중요할 수 있다. 다른 예에서, 일부 레벨 센서(또는 레벨 센서와 상호작용하는 프로세서)는 웨이퍼의 토포그래피가 측정된 이후에 그리고 웨이퍼 맵이 형성된 이후에 정정을 적용한다(예를 들어, 상이한 영역에 가중치를 적용함으로써).

이에 반해, 본 발명의 일부 양태는 관심 구역(예를 들어, 정확한 표면 토포그래피 측정을 요구하는 임계 영역 또는 하위구역)을, 개략적 높이 센서를 사용해서 기판 토포그래피를 "사전-스캐닝"함으로써 획득된 개략적 높이 데이터에 기반하여 또는 수신된(GDS) 파일로부터 규정할 수 있다. 본 발명의 일부 양태는 사전-스캔을 별개의 측정 액션에서 또는 즉시(예를 들어, 두 개의 센서를 직렬로 사용하여) 수행할 수 있다. 그러면, 본 발명의 일부 양태는 서보 오프셋 맵(x, y), 유효성 맵(x, y), 또는 양자 모두를 포함하는 측정 제어 맵을 생성할 수 있다. 모든 웨이퍼 상의 모든 필드가 실질적으로 동일한 디바이스 토포그래피를 가지는 예시적이고 비한정적인 일 예에서, 본 발명의 일부 양태는 해당 사실에 기반하여 측정 제어 맵을 생성할 수 있다. 후속하여, 본 발명의 일부 양태는 높이 맵을 측정 제어 맵을 사용하여 측정함으로써 관심 구역들이 정확하게 측정되는 것을 보장할 수 있다. 마지막으로, 생성된 높이 맵을 사용하여 기판 노광이 수행될 수 있다.

일부 양태들에서, 서보 오프셋 맵(x, y)은 측정 스캔 도중에 상이한 구역(예를 들어, XY-평면에 따른 구역)에 대한 기판 테이블의 높이를 제어하도록(예를 들어, Z-축에 따라) 구성된 바이어스 설정들의 세트를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 오프셋 맵은: 관심 구역 각각에 대한 "서보 활성화(activate servo)", "서보가 활성 상태임(servo is active)", 또는 "서보 제어가 가능함(servo control is available)" 값, 플래그, 또는 제어 신호, 또는 임의의 다른 적절한 특성(예를 들어, 복수 개의 "측정을 위해 유효함(valid for measurement)" 하위구역); 및 비-임계 구역 각각에 대한 "서보 비활성화(deactivate servo)", "서보가 활성 상태가 아님(servo is not active)", 또는 "서보 제어가 이용가능하지 않음(servo control is not available)" 값, 플래그, 또는 제어 신호, 또는 임의의 다른 적절한 특성(예를 들어, 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음(not valid for measurement)" 하위구역)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서는 측정 스캔 도중에, 본 명세서에 개시된 레벨 감지 디바이스(예를 들어, 높이 감지 디바이스)는 정지된 상태를 유지하는 기판 테이블이 좌우로 이동하여(예를 들어, 서보 오프셋 맵에 기반하여 레벨 감지 제어기에 의해 생성된 서보 제어 신호를 통하여) 상이한 구역을 측정할 수 있지만, 일반적으로 관심 구역의 표면 높이가 레벨 감지 디바이스(예를 들어, 레벨 감지 디바이스는 방사선-방출 센서를 포함함)에 의해 방출된 측정 방사선의 초점에 또는 초점 근처에, 또는 레벨 감지 디바이스(예를 들어, 레벨 감지 디바이스는 기압계를 포함함)의 범위의 대략적으로 중간에 유지되는 위치(예를 들어, Z-축에 따름)에서 유지된다. 결과적으로, 표면 높이에서의 실질적인 변화를 가지는 비-임계 구역을 만날 때에(예를 들어, 트렌치 위로 횡단할 때에), 본 명세서에 개시된 레벨 감지 디바이스는 기판 테이블에게 해당 비-임계 구역의 표면 토포그래피를 추종하도록 상하로 이동하지 않도록 명령할 수 있어서(예를 들어, 해당 비-임계 구역의 측정 도중에 서보 제어를 비활성화함으로써), 결과적으로 관심 구역에 대한 측정 오류가 감소되고 측정 속도 및 정확도가 증가되게 한다(예를 들어, 트렌치와 같은 비-임계 표면을 무시하거나 바이패스함으로써).

일부 양태들에서, 유효성 맵(x, y)은 측정 스캔 도중에 관심 구역에 대해서만 기판 테이블의 높이의 제어를 가능하게 하도록 구성되는 유효성 설정(예를 들어, 사전-측정 유효성 설정)의 세트를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 유효성 맵은: 관심 구역들(예를 들어, 그에 대한 바이어스가 최대 바이어스 값 이하인 구역) 각각에 대하여 1의 값(예를 들어, "1" 또는 "1.00"), "유효한(valid)" 메타데이터 플래그, 또는 임의의 다른 적절한 특성을, 그리고 비-임계 구역들(예를 들어, 그에 대한 바이어스가 최대 바이어스 값보다 큰 구역) 각각에 대하여 0의 값(예를 들어, "0" 또는 "0.00"), "무효한(invalid)" 메타데이터 플래그, 또는 임의의 다른 적절한 특성을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 본 명세서에 개시된 레벨 감지 디바이스는, 유효성 맵 값이 1인 경우 기판의 표면 토포그래피를 추종할 수 있고(예를 들어, 레벨 감지 디바이스 및 기판 사이의 거리가 변할 때에 기판 테이블의 위치를 조절함으로써 변화), 유효성 맵 값이 0인 경우 기판의 표면 토포그래피를 추종하지 않을 수 있다(예를 들어, 레벨 감지 디바이스 및 기판 사이의 거리가 변할 때에 기판 테이블의 위치를 조절하지 않음으로써). 일부 양태들에서는 측정 스캔 도중에, 본 명세서에 개시된 레벨 감지 디바이스는, 관심 구역의 높이를 그들의 유효성 맵 값이 1인 것에 기반하여 측정하고, 비-임계 구역의 높이를 그들의 유효성 맵 값이 0인 것에 기반하여 측정하지 않을 수 있다. 다른 양태들에서는 측정 스캔 도중에, 본 명세서에 개시된 레벨 감지 디바이스는, 관심 구역의 표면 높이가 레벨 감지 디바이스에 의해 방출된 측정 방사선의 초점에 또는 초점 근처에 유지되도록 관심 구역에 대하여 서보에게 기판 테이블의 위치를 조절하게 명령하도록 구성된 서보 제어 신호를 서보에게 송신할 수 있고(예를 들어, 관심 구역에 대하여 기판의 표면이 레벨 감지 디바이스의 초점에 있어야 한다는 것을 표시함); 비-임계 구역에 대해서는 기판 테이블의 위치를 조절하기 위한 서보 제어 신호를 생성하지도 서보에 송신하지도 않을 수 있다(예를 들어, 기판의 표면이 비-임계 구역에 대하여 레벨 감지 디바이스의 초점에 있을 필요가 없다는 것을 표시함). 일부 양태들에서는, 표면 높이에서의 실질적인 변화를 가지는 비-임계 구역과 만날 경우, 본 명세서에 개시된 레벨 감지 디바이스는 해당 비-임계 구역의 표면 토포그래피를 추종하기 위해서 상하로 이동하게끔 기판 테이블에게 명령하는 것을 의도적으로 하지 않아서, 결과적으로 관심 구역에 대한 측정 실패를 줄이고 측정 속도 및 정확도를 증가시킨다. 일부 양태들에서, 유효성 맵(x, y)은 레벨 감지 제어기가 기판의 표면 토포그래피를 결정할 때에 비-임계 구역으로부터 얻어진 높이 측정치를 사용하지 않도록(예를 들어, 폐기하도록) 명령하도록 구성되는 유효성 설정(예를 들어, 후-측정 유효성 설정)의 세트를 포함할 수 있다.

더 대조적으로, 본 발명의 일부 양태는 측정할 충분한 표면이 존재하는 한(예를 들어, 셀 영역이 우세한 상태를 유지하는 동안에), 실질적으로 증가된 범위(및, 일부 양태들에서는 무제한 범위)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 양태는 웨이퍼 토포그래피가 측정되기 이전에 정정을 적용하여(예를 들어, 상이한 영역에 가중치를 적용함으로써) 관심 영역을 식별하고, 그 후에 웨이퍼 토포그래피의 측정 도중에 서보 제어를 사용하여 웨이퍼 토포그래피를 추종하고, 웨이퍼 표면을 관심 대상인 영역에 대해서만 센서 초점면에 유지할 수 있다. 본 발명의 일부 양태는 이러한 관심 영역을 실제 높이 측정이 시작되기 이전에 획득되거나 생성된 데이터에 기반하여 규정할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 양태는 동일한 레벨 센서(LS), 상이한 센서, 임의의 다른 적절한 디바이스, 또는 이들의 임의의 조합을 사용하여 실제 높이 측정이 시작되기 이전에 이러한 데이터를 얻어내거나 획득할 수 있다. 다른 예에서, 본 발명의 일부 양태는 계측 데이터(예를 들어, 별개의 계측 툴), GDS 파일 또는 디자인 레이아웃(예를 들어, 사용자에 의하여 제공되거나 저장 디바이스로부터 취출됨), 임의의 다른 적절한 데이터 또는 전자 정보, 또는 이들의 임의의 조합에 기반하여 실제 높이 측정이 시작되기 이전에 이러한 데이터를 생성할 수 있다.

일부 양태들에서, 본 발명은 기판에 있는 제 1 하위구역 및 제 2 하위구역을 나타내는 기판의 구역의 데이터를 수신하는 시스템을 기술한다. 수신된 데이터는, 예를 들어 제 1 높이 감지 디바이스로부터 수신된 높이 정보,(GDS) 파일, 또는 양자 모두를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 두 개의 하위구역 중 하나만이 관심 대상(예를 들어, 리소그래피 프로세스를 위한 임계 영역)일 수 있다. 즉, 높이 측정을 위해서는, 예를 들어 제 1 하위구역에서의 높이가 정확하게 측정될 필요가 있다. 제 1 하위구역에 대응하는 기판에 있는 그러한 "임계" 영역(예를 들어, 수신된 데이터)을 선택함으로써, 이러한 선택된 영역이 다음 측정 단계 동안에 디바이스 측정 범위 내에서(예를 들어, 인포커스 상태임) 측정될 수 있다. 이것은 기판 및 디바이스를 서로에 대해서 이동시킴으로써(예를 들어, 서보 제어), 디바이스가 선택된 영역 중 하나에 있을 때에 선택된 영역들이 측정 범위 내에 속하게 함으로써 이루어질 수 있다. 높이 감지 디바이스가 통상적으로, 측정되는 중인 기판, 및 따라서 해당 시점에서 범위 밖에 속하는 그러한 영역들의 토포그래피를 "추종한다(follow)" 는 것에 주의한다.

일부 양태들에서, 제 2 영역(예를 들어, 관심 대상이 아니거나 중요하지 않은 영역)에 대응하는 영역들은 측정 범위 내에 속하지 않을 수도 있다. 이러한 영역에서, 기판 및 디바이스는 서로에 대하여 이동할 수 없다(예를 들어, 상호 거리를 조절하기 위한 서보 제어가 없음). 따라서, 제 1 영역에 의해서 규정된 거리가 유지될 수 있다. 다른 양태들에서, 임계 및 비-임계 영역 양자 모두는 높이 감지 디바이스의 측정 범위 내에 유지될 수 있다(예를 들어, 서보 오프셋을 사용함).

일부 양태들에서, 정확한 높이 측정을 위해서 사용될 관심 구역을 규정하거나 선택하는 것은 상이한 하위구역에 가중치를 적용함으로써 수행될 수 있다. 일부 양태들에서, 그렇지 않았으면 기판의 위치 조절을 초래했을 서보 제어 신호가 하위구역이 측정 범위 내에 속하도록 보장하기 위해서 무시될 수 있다. 일부 양태들에서, 제어 맵은 세 개 이상의 레벨 또는 표면을 출력으로서 포함할 수 있다. 따라서, 제어 맵은 상이한 가중치를 가지는 복수 개의 영역을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, "개략적 맵(coarse map)"은 제 1 (예를 들어, 개략적) 높이 감지 디바이스에 의해서 즉시 측정될 수 있다. 즉, 제 1 높이 감지 디바이스로부터의 데이터가 처리되고 기대치와 직접적으로 비교될 수 있다. 이러한 값이 규정된 범위 내에 있으면, 대응하는 영역이 제 2 (예를 들어, 미세) 높이 감지 디바이스에 의해서 측정될 수 있다(예를 들어, 서보 제어를 거침). 일부 양태들에서, 허용가능한 범위를 벗어나면(예를 들어, 해당 영역이 측정 범위에 속하지 않을 수 있음), 정정 신호가 서보로 전송되지 않을 것이다.

일부 양태들에서, 디바이스 토포그래피가 재현되기 때문에, 본 발명의 일부 양태는 층별로 한 번씩 개략적 측정치를 사용하여 디바이스 토포그래피를 교정할 수 있다. 개략적 교정 측정치는 레벨 센서 자체에 의하여, 또는 큰 범위를 가지는 별개의 센서를 사용하여 획득될 수 있다. 레벨 센서의 캡쳐 스폿을 사용하여(또는 측정 스폿을 사용하여), 이러한 개략적 측정은 다수의 높이에서 측정을 실행함으로써 수행될 수 있다. 일부 양태들에서, 측정은 층별로 한 번만 실행되면 되기 때문에 시간에 있어서 중요하지 않을 수 있다. 그러면, 다이, 셀의 주된 영역이 정확하게 측정될 수 있다.

일부 양태들에서, 본 명세서에 개시된 레벨 센서는 평균 필드를 위하여(예를 들어, 도 4를 참조하여 설명되는 바와 같이) 층 별로 교정 시퀀스를 한 번 수행할 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 개시된 레벨 센서는:

1. 큰 Z 범위 스캔으로써 하나 또는 다수의 필드를 조밀하게 측정하고;

2. LS 높이 맵(큰 범위)을 계산하며;

3. 다음 웨이퍼를 위한 캡쳐 Z 레벨 및 안전한 위치(예를 들어, 가장 큰 면적을 가지는 레벨)를 규정하고;

4. 서보 제어를 위한 유효한 위치를 규정하고;

5. 예를 들어, 불충분한 이득을 가지거나 센서의 측정 범위(예를 들어, 선형 범위)를 벗어나는 필드 위치를 무효화하며;

6. 유효한 위치(예를 들어, 관심 구역)에서 캡쳐하고;

7. 유효한 영역에서만 서보를 사용하며(예를 들어, 최초 교정으로부터의 유효 맵을 사용함); 및

8. 측정된 웨이퍼 맵 및 필드내 맵(예를 들어, 평균 노광 필드에 대한 교정된 디바이스 토포그래피 맵)으로부터의 신뢰받는 데이터 서브세트를 사용하여 높이 프로파일을 보고하도록 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 본 명세서에서 설명된 방법들은 서보 높이 주위에서의 레벨 센서 이득을 더 측정함으로써 확장될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 설명된 방법들은 이득을 상이한 서보 높이에서, 해당 필드의 상이한 위치에서 측정하는 것을 더 포함할 수 있다. 어떤 서보 높이에서 이득이 유효한지를 결정함으로써, 레벨 센서(LS)는 어떤 서보 높이에서 레벨 센서(LS)가 신뢰도가 높은 신호를 생성하는지를, 예를 들어 이득을 신뢰도의 척도로서 사용함으로써 결정하는 단계.

예시적인 일 예에서, 본 명세서에서 설명된 방법들은 상이한 높이에서 스캔을 수행하고 각각의 계산된 이득이 각각의 특정한 높이에서 "기대된 바와 같은지(as expected)" 여부를 결정함으로써, 모든 필드포인트(예를 들어, 셀 및 주위 양자 모두를 포함함)에서의 이득을 계산하는 것을 더 포함할 수 있다. 이득이 "기대된 바와 같으면", 방법은 특정한 높이 측정치가 유효하다고 결정하는 것을 더 포함할 수 있다. 이득이 "기대된 바와 같지 않으면(not as expected)"(예를 들어, 불충분한 이득), 방법은 특정한 높이 측정치가 유효하지 않다고 결정하는 것을 더 포함할 수 있다. 다르게 말하면, 특정한 위치에서 불충분한 이득이 존재하는 경우, 이러한 위치는 무효화될 수 있고, 또는 전체 필드에 걸쳐서 충분한 이득이 존재하도록 서보 높이 목표가 적응될 수 있다. 결과적으로, 본 명세서에서 설명된 방법들은, 예를 들어 주기적 레벨 센서의 주기성을 극복함으로써, 주기적 레벨 센서의 범위를 증가시킬 수 있다.

일부 양태들에서, 본 명세서에서 설명된 방법들은 노광 세트포인트 계산 시에 디바이스 지문을 사용함으로써 더 확장될 수 있다. 일부 경우에, 노광 궤적을 계산할 때에 주변을 무시하는 것, 또는 초점 감도가 필드 내의 위치의 함수로서 알려진다면 "스펙 맞춤 다이(dies in spec)"와 유사한 최적화를 지문에 수행하는 것도 유익할 수 있다.

일부 양태들에서, 사용자는 웨이퍼의 토포그래피를 측정하기 위하여 본 명세서에 개시된 레벨 센서를 사용하는 것에 관심이 있을 수 있다. 일부 양태들에서, 사용자가 정확하게 측정하는 데에 관심이 있을 수 있는 웨이퍼의 영역은 레벨 센서의 스폿 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 사용자는 3D-NAND 구조체의 상단, 하단, 또는 임의의 영역을 측정하는 데에 관심이 있을 수 있고, 측정 스폿은 해당 영역에 근사화되도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 정확하게 측정될 수 없는 다른 영역은 사용자에게 일차적인 관심 대상이 아닐 수 있고, 따라서 레벨 센서는: (i) 그러한 영역의 측정을 무효라고 선언하거나 이들을 사용하지 않고; 또는 (ii) 그러한 영역의 측정치를 교정 맵과 조합하여 사용할 수 있다(예를 들어, 교정 맵에 기반하여 그러한 측정치에 가중치들의 세트를 적용함으로써).

일부 양태들에서, 레벨 센서는 웨이퍼의 어떤 영역이 정확하게 측정될 수 있는지를 검출하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 레벨 센서는, 측정된 표면에 대한 이득을 분석하고 해당 이득을 기대된 이득과 비교함으로써 어떤 영역이 정확하게 측정될 수 있는지를 검출하도록 구성될 수 있다. 다른 예에서, 레벨 센서는 Z-축을 따라서 잡음이 있지만 XY-평면에서는 높은 공간 분해능을 가지는 교정 맵을 사용함으로써 어떤 영역이 정확하게 측정될 수 있는지를 검출하도록 구성될 수 있다. 교정 맵을 획득 또는 생성하기 위하여, 레벨 센서는 캡쳐 스폿(예를 들어, 개략적 측정 스폿) 또는 측정 스폿(예를 들어, 미세 측정 스폿)을 상이한 주기(예를 들어, 따라서 스폿 크기가 명백하게 더 작음)에서 사용하도록 구성될 수 있다. 후속하여, 레벨 센서는 교정 맵을 사용하여 특정 측정 판독치를 무효화하거나 이들을 교정된 값(예를 들어, 하지만 정확한 값은 아님)으로 교체하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 교정 맵 자체는 무효한 영역(예를 들어, 레벨 센서가 측정할 수 없거나 측정하도록 허용되지 않은 영역)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 센서는 그러한 영역을 측정하기 위하여 사용되는 센서의 이득을 다시 분석함으로써 이러한 무효 영역을 검출하도록 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 본 발명은 제어기 및 높이 감지 디바이스를 포함하는 시스템을 제공한다. 제어기는 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 데이터를 수신하도록 구성될 수 있고, 여기에서 제 1 구역은 (i) 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 (ii) 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함한다. 제어기는 제 1 데이터에 기반하여 측정 제어 맵를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 제어기는 측정 제어 맵에 기반하여 높이 측정을 제어하도록 더 구성될 수 있다. 높이 감지 디바이스는 측정 범위를 가질 수 있다. 높이 감지 디바이스는 높이 측정을 수행하도록 구성될 수 있다. 높이 감지 디바이스는 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있고, 여기에서 제 2 구역은 (iii) 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하고, 복수 개의 제 3 하위구역 각각은 측정 범위 내에 배치되는, 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 가진다.

본 명세서에 개시된 시스템, 장치, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품에는 많은 장점이 있다. 예를 들어, 본 발명은 스캐너 내에서 모든 토포그래픽 측정을 수행하는 것을 제공한다. 다른 예에서, 본 발명은 모든 애플리케이션을 위한 단일 레벨 센서 디자인을 제공한다. 또 다른 예에서, 본 발명은 높은 분해능을 제공한다.

그러나, 이러한 양태들을 좀 더 상세하게 설명하기 이전에, 본 발명의 양태들이 구현될 수 있는 일 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.

예시적인 리소그래피 셀

도 1은 본 발명의 양태들이 구현될 수 있는 리소그래피 장치(100)의 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(100)는 XZ 평면에 수직인 시점(예를 들어, 측면도)으로부터 예시되고(예를 들어, X-축은 우측을 바라보고, Z-축은 위를 바라보며, Y-축은 시청자로부터 멀어져서 지면 안으로 바라봄), 반면에 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 XY 평면에 수직인(예를 들어, X-축이 우측을 바라봄, Y-축은 위를 바라보며, Z-축이 지면으로부터 나와서 시청자를 향함) 시점(예를 들어, 측면도)로부터 제공된다.

일부 양태들에서, 리소그래피 장치(100)는 다음 구조체 중 하나 이상을 포함할 수 있다: 방사선 빔(B)(예를 들어, 심자외선(DUV)) 방사선 빔 또는 극자외선(EUV) 방사선 빔)을 조절하도록 구성되는 조명 시스템(조명기)(IL); 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크, 레티클, 또는 동적 패터닝 디바이스)를 지지하도록 구성되고 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(MT)(예를 들어, 마스크 테이블); 및, 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)을 홀딩하도록 구성되고, 기판(W)을 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(WT)(예를 들어, 웨이퍼 테이블)과 같은 기판 홀더. 리소그래피 장치(100)는 방사 빔(B)에 부여된 패턴을 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어 하나 이상의 다이를 포함하는 부분)로 투영하도록 구성되는 투영 시스템(PS)(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)을 더 가진다.

비록 굴절성 리소그래피 장치를 참조하지만, 반사성 투영 시스템을 포함하고 반사성 패터닝 디바이스를 위하여 구성되는 리소그래피 장치들도 본 발명의 범위에 속한다는 것에 주의한다.

일부 양태에서, 동작 시에, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔을 방사선 소스(SO)로부터 수광할 수 있다(예를 들어, 도 1에 도시된 빔 전달 시스템(BD)을 통해). 조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하고, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광학 구조체, 예컨대 굴절식, 반사식, 자기식, 반사굴절식, 전자기식, 정전기식 또는 다른 유형의 광학 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 조명기 시스템(IL)은 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)의 평면 상에 그 단면에서 원하는 공간 및 각도 세기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 구성될 수 있다.

몇 가지 양태들에서, 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를, 레퍼런스 프레임에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 배향, 리소그래피 장치(100의 디자인, 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 홀딩할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 홀딩하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수 있다. 센서를 사용함으로써, 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수 있다.

"패터닝 디바이스"(MA)라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C) 내에 패턴을 생성하는 것과 같이, 자신의 단면 내에 패턴을 가지는 방사선 빔(B)을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 타겟부(C) 회로 내에 생성되는 중인 디바이스 내의 특정 기능성 층에 대응하여 집적 회로를 형성할 수 있다.

일부 양태들에서, 패터닝 디바이스(MA)는 반사성이거나(도 1의 리소그래피 장치(100)에서와 같음) 투과성일 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)는 레티클, 마스크, 프로그래밍가능한 미러 어레이, 프로그래밍가능한(LCD) 패널, 다른 적절한 구조체, 또는 이들의 조합과 같은 다양한 구조체를 포함할 수 있다. 마스크는 이진, 교번 위상-천이, 또는 감쇄 위상-천이 캔 다양한 하이브리드 마스크 타입과 같은 마스크 타입을 포함할 수 있다. 일 예에서, 프로그램가능 미러 어레이의 일 예는 소형 미러들의 매트릭스 정렬을 포함할 수 있는데, 이들 각각은 인입하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사하기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있다. 틸팅된 미러는 작은 미러들의 매트릭스에 의하여 반사된 방사선 빔 내에 패턴을 부여할 수 있다.

"투영 시스템"이라는 용어는 광의로 해석되어야 하고, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 기판(W) 상의 침지액(immersion liquid)의 사용 및/또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 애너모픽, 전자기식, 및 정전식 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템을 망라할 수 있다. 진공 환경은(EUV) 또는 전자 빔 방사선에 대하여 사용될 수 있는데, 그 이유는 다른 가스들은 너무 많은 방사선 또는 전자를 흡수할 수 있기 때문이다. 그러므로, 진공 벽 또는 저압 펌프의 도움을 받아 진공 환경이 전체 빔 경로로 제공될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어의 모든 사용은, 일부 양태에서 더 일반적인 용어인 "투영 시스템(PS)"과 같은 의미인 것으로 해석될 수 있다.

몇 가지 양태들에서, 리소그래피 장치(100)는 2개(예를 들어, 듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(WT)(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블)을 갖는 유형의 것일 수 있다. 그러한 "다중 스테이지" 기계에서, 부가적인 기판 테이블(WT)은 평행하게 사용될 수 있으며, 또한 하나 이상의 다른 기판 테이블들(WT)이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 준비 단계들이 하나 이상의 테이블 상에 수행될 수 있다. 일 예에서, 기판(W)의 후속 노광을 준비하는 단계들이 기판 테이블(WT) 중 하나 상에 위치된 기판(W)에서 수행될 수 있는 반면에, 다른 기판 테이블(WT) 상의 다른 기판(W)은 다른 기판(W) 상에 패턴을 노광시키기 위해서 사용되고 있다. 일부 상황들에서, 추가 테이블은 기판 테이블(WT)이 아닐 수도 있다.

몇 가지 양태들에서, 기판 테이블(WT)에 추가하여, 리소그래피 장치(100)는 측정 스테이지를 포함할 수 있다. 측정 스테이지는 센서를 홀딩하도록 배치될 수 있다. 센서는 투영 시스템(PS)의 속성 또는 방사선 빔(B)의 속성, 또는 양자 모두를 측정하도록 배치될 수 있다. 일부 양태들에서, 측정 스테이지는 다수의 센서를 홀딩할 수 있다. 몇 가지 양태들에서, 측정 스테이지는, 기판 테이블(WT)이 투영 시스템(PS)으로부터 멀어질 때 투영 시스템(PS) 아래에서 이동할 수 있다.

일부 양태들에서, 리소그래피 장치(100)는 또한, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간을 채우기 위해 기판(W)의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예컨대 물에 의해 커버될 수 있는 유형일 수도 있다. 침지액은 또한 예컨대 패터닝 디바이스(MA)와 투영 시스템(PS) 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(NA)를 증가시키는 것을 제공한다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "침지(immersion)"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨야 하는 것을 의미하지 않고, 그보다는 노광 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다. 다양한 침지 기법이 2005 년 10 월 4 일에 발행되고 발명의 명칭이 "Lithographic apparatus and device manufacturing method"인 미국 특허 번호 제 6,952,253에서 설명되는데, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.

도 1을 참조하면, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)을 방사선 소스(SO)로부터 수광한다. 방사선 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(100)는 별개의 물리적인 엔티티들일 수 있다. 이러한 경우에, 방사선 소스(SO)는 리소그래피 장치(100)의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않고, 방사선 빔(B)은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)(예를 들어, 도 1에 도시됨)의 도움으로, 방사선 소스(SO)로부터 조명 시스템(IL)으로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사선 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이러한 방사선 소스(SO)는 리소그래피 장치(100)에 통합된 부품일 수 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요할 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 지칭될 수도 있다.

일부 양태들에서, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔의 각 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하기 위한 조절기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane)에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 "외측-■" 및 "내측-■"라 함)는 조절될 수 있다. 또한, 조명 시스템(IL)은 집속기(integrator)(IN) 및 방사선 콜렉터(CO)(예를 들어, 콘덴서 또는 콜렉터 광학기)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)이 자신의 단면에서 원하는 균일도 및 세기기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수 있다.

일부 양태들에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1 및 P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도 1 이 기판 정렬 마크(P1 및 P2)를 전용 타겟부를 점유하고 있는 것으로 예시하지만, 기판 정렬 마크(P1 및 P2)는 타겟부들 사이의 공간에 위치될 수도 있다. 기판 정렬 마크(P1 및 P2)는 타겟부들(C) 사이에 위치되면 스크라이브 레인 정렬 마크라고 알려져 있다. 기판 정렬 마크(P1 및 P2)는 타겟부(C) 영역 내에 다이내(in-die) 마크로서 배치될 수도 있다. 이러한 다이내 마크는, 예를 들어 오버레이 측정을 위한 계측 마크로서 사용될 수도 있다.

일부 양태들에서, 예시의 목적을 위하여 그리고 비한정적으로, 본 명세서의 도면 중 하나 이상은 직교 좌표 시스템을 활용할 수 있다. 직교 좌표계는 세 축인 X-축; Y-축; 및 Z-축을 가진다. 세 축들 각각은 다른 두 축에 직교한다(예를 들어, X-축은 Y-축 및 Z-축에 직교하고, Y-축은 X-축 및 Z-축에 직교하며, Z-축은 X-축 및 Y-축에 직교한다). X-축 중심의 회전은 Rx-회전이라고 불린다. Y-축 중심의 회전은 Ry-회전이라고 불린다. Z-축 중심의 회전은 Rz-회전이라고 불린다. 몇 가지 양태들에서, X-축 및 Y-축은 수평면을 규정하는 반면에 Z-축은 수직 방향이다. 몇 가지 양태들에서, 직교 좌표계의 배향은 상이할 수 있고, 예를 들어 Z-축이 수평면과 나란한 성분을 가질 수 있다. 일부 양태들에서는 다른 좌표 시스템, 예컨대 원통형 좌표 시스템이 사용될 수 있다.

도 1을 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 일부 양태들에서, 투영 시스템(PS)은 조명 시스템 퓨필에 공액인 퓨필을 가질 수 있다. 몇 가지 양태들에서, 방사선의 일부는 조명 시스템 퓨필에서의 세기 분포로부터 발산하고 마스크 패턴(MP)에서의 회절에 의하여 영향받지 않으면서 마스크 패턴을 횡단하여, 조명 시스템 퓨필에서의 세기 분포의 이미지를 생성할 수 있다.

투영 시스템(PS)은 마스크 패턴(MP)의 이미지(MP')를 투영하는데, 여기에서 이미지(MP')는 이러한 세기 분포로부터의 방사선에 의하여 마스크 패턴(MP)으로부터 기판(W) 상에 코팅된 레지스트층 상에 생성되는 회절된 빔들에 의하여 형성된다. 예를 들어, 마스크 패턴(MP)은 라인 및 공간의 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 어레이에서의 방사선의 회절 및 0차 회절과 다른 회절은 라인에 수직인 방향으로의 방향 변경을 가지는 우회된 회절된 빔을 생성한다. 회절되지 않은 빔(예를 들어, 소위 0차 회절된 빔)은 전파 방향에 임의의 변화가 없이 패턴을 트래버스한다. 0차 회절된 빔은 투영 시스템(PS)의 퓨필 공액의 업스트림에서, 투영 시스템(PS)의 상부 렌즈 또는 상부 렌즈 그룹을 트래버스하여 퓨필 공액에 도달한다. 퓨필 공액의 평면 내의 그리고 0차 회절된 빔과 연관된 세기 분포의 부분은 조명 시스템(IL)의 조명 시스템 퓨필의 세기 분포의 이미지이다. 몇 가지 양태들에서)는, 애퍼쳐 디바이스가 투영 시스템(PS)의 퓨필 공액을 포함하는 평면에 배치되거나 실질적으로 해당 평면에 배치될 수 있다.

투영 시스템(PS)은 렌즈 또는 렌즈 그룹을 사용하여, 0차 회절된 빔뿐만 아니라, 1차 또는 1차 이상의 회절된 빔(미도시)을 캡쳐하도록 구성된다. 일부 양태들에서, 라인에 수직인 방향으로 연장되는 라인 패턴을 이미징하기 위한 쌍극자 조명이 활용되어 쌍극자 조명의 분해능 향상 효과를 활용할 수 있다. 예를 들어, 1차 회절된 빔은 기판(W)의 레벨에서 대응하는 0차 회절된 빔과 간섭하여 가능한 가장 높은 분해능 및 프로세스 윈도우에서 마크 패턴(MP)의 이미지를 생성한다(예를 들어, 허용가능한 노광 선량 편차와 조합된 이용가능한 초점심도). 일부 양태들에서, 비점수차는 방사선 폴(미도시)을 조명 시스템 퓨필의 마주보는 사분체들 내에 제공함으로써 감소될 수 있다. 더 나아가, 일부 양태들에서, 비점수차는 마주보는 사분체들 내의 방사선 폴과 연관된 투영 시스템(PS)의 퓨필 공액 내의 0차 빔을 차단함으로써 감소될 수 있다. 이것은 2009 년 3 월 31 일에 발행되고, 발명의 명칭이 "Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method"인 미국 특허 번호 제 7,511,799에 더 상세히 설명되고, 이러한 문헌은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.

몇 가지 양태들에서, 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 측정 시스템(PMS)(예를 들어, 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량성 센서와 같은 위치 센서를 포함함)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에서 상이한 타겟부들(C)을 포커싱되고 정렬된 위치에 위치설정하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 다른 위치 센서(예를 들어, 간섭측정 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량성 센서)(도 1에는 미도시)는, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치설정하기 위하여 사용될 수 있다(예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 탐색 이후에, 또는 스캔 동안에). 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.

일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제 1 위치설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 위치설정기(long-stroke positioner; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 위치설정기(short-stroke positioner; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 수 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제 2 위치설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 위치설정기 및 숏-스트로크 위치설정기를 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대로) 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수 있고, 또는 고정될 수도 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용 타겟부를 점유하지만, 이들은 타겟부 사이의 공간(예를 들어, 스크라이브 레인 정렬 마크)에 위치될 수 있다. 마찬가지로, 패터닝 디바이스(MA)에 두 개 이상의 다이가 제공되는 경우, 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2)은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

지지 구조체(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)는 진공 챔버(V) 내에 있을 수 있는데, 여기에서 진공내 로봇(in-vacuum robot)이 마스크와 같은 패터닝 디바이스를 진공 챔버 안팎으로 이동시키기 위해서 사용될 수 있다. 또는, 지지 구조체(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 챔버 밖에 있는 경우, 진공외 로봇이 진공내 로봇과 유사한 다양한 수송 동작을 위해 사용될 수 있다. 일부 양태들에서, 진공내 및 진공외 로봇 양자 모두는 임의의 페이로드(예를 들어, 마스크)를 전달 스테이션의 고정된 운동 마운트로 부드럽게 전달하기 위해 조정될 필요가 있다.

일부 양태들에서, 리소그래피 장치(100)는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)이 본질적으로 정지 상태로 유지되는 동안, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴이 한 번에 타겟부(C) 상에 투영된다(예를 들어, 단일 정적 노광). 그러면, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.

2. 스캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)이 동기되어 스캐닝되는 동안, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영된다(예를 들어, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)(예를 들어, 마스크 테이블)에 상대적인 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.

3. 다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스(MA)를 홀딩하면서 지지 구조체(MT)는 실질적으로 정지 상태로 유지되고, 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟 영역(C) 상에 투영되는 동안에 이동되거나 스캐닝된다. 펄스형(pulsed) 방사선 소스가 채용될 수 있고, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 요구될 때, 기판 테이블(WT)의 각 이동 이후에 또는 스캔 도중의 연속적인 방사선 펄스들 사이에서 업데이트된다. 동작의 이러한 모드는 프로그램가능한 미러 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스(MA)를 이용하는 마스크 없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.

일부 양태들에서, 리소그래피 장치(100)는 전술된 사용 모드 또는 전체적으로 상이한 사용 모드의 조합 및/또는 변형을 채용할 수 있다.

리소그래피 장치(100)는 리소그래피 셀의 부분을 형성할 수 있다. 리소그래피 셀은 사전-노광 및 사후-노광 프로세스를 기판에 수행하기 위한 하나 이상의 장치를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 장치는 레지스트층을 침착시키기 위한 스핀 코터(spin coater), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 현상기, 냉각 플레이트(chill plate), 및 베이크 플레이트(bake plate)를 포함할 수 있다. 기판 핸들러(예를 들어, 로봇)는 입력/출력 포트(O2)로부터 기판을 픽업하여, 이들을 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 이들을 리소그래피 장치(100)의 로딩 베이(loading bay)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 디바이스는 감독 제어 시스템(supervisory control system)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛을 통해 리소그래피 장치를 더 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.

예시적인 레벨 센서

일부 양태들에서, 레벨 센서(예를 들어, 토포그래피 측정 시스템 또는 높이 센서라고도 불림)는 리소그래피 장치(100) 내에 통합되고 기판(W)의 상단면의 토포그래피를 측정하도록 배치될 수 있다. 컴퓨팅 시스템(예를 들어, 도 9에 도시되는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100))은 본 명세서에서 "높이 맵(height map)"이라고도 불리는 기판(W)의 토포그래피를 이러한 측정치로부터 생성할 수 있다. 높이 맵은 기판(W)의 높이를 기판(W) 상의 위치의 함수로서 표시하는 전자 정보(예를 들어, 데이터, 숫자 값)를 포함할 수 있다. 후속하여, 패터닝 디바이스(MA)의 공간상을 기판(W) 상의 적합하게 포커싱된 위치에 제공하기 위해서, 컴퓨팅 시스템은 기판(W) 상에 패턴을 전사하는 동안에 이러한 높이 맵을 사용하여 기판(W)의 위치를 정정하거나 조절할 수 있다. 이러한 콘텍스트에서 "높이(height)"가 광범위하게는 기판(W)의 상단면에 평행한 평면으로부터 나오는 차원(예를 들어, Z-축)을 가리킨다는 것이 이해될 것이다. 일부 양태들에서, 레벨 센서는 고정된 위치(예를 들어, 자기 자신의 광학 시스템에 상대적임)에서 측정을 수행할 수 있고, 기판(W) 및 레벨 센서의 광학 시스템 사이의 상대 운동이 기판(W)에 걸친 위치에서의 높이 측정을 초래할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 리소그래피 장치(예를 들어, 도 1의 리소그래피 장치(100))에 대한 예시적인 레벨 센서(LS)를 포함하는 예시적인 환경(400)을 보여준다. 도 2에 도시된 바와 같이, 예시적인 레벨 센서(LS)는 XZ 평면에 수직인 시점(예를 들어, 측면도)으로부터 예시된다. 도 2가 예시적인 레벨 센서(LS)의 동작의 원리만을 예시한다는 것이 이해되어야 한다.

도 2에 도시된 바와 같이, 예시적인 레벨 센서(LS)는 투영 유닛(LSP) 및 검출 유닛(LSD)을 포함한다. 투영 유닛(LSP)은 방사선 빔(LSB)을 제공하는 방사선 소스(LSO)를 포함하는데, 방사선 빔은 투영 유닛(LSP)의 투영 격자(PGR)에 의해서 부여된다. 방사선 소스(LSO)는, 예를 들어 협대역 또는 광대역 방사선 소스, 예컨대 초연속체(supercontinuum) 광원, 편광 빔 또는 비-편광 빔, 펄스형 빔 또는 연속 빔, 예컨대 편광되거나 비-편광된 레이저 빔일 수 있다. 일부 양태들에서, 방사선 소스(LSO)는 상이한 컬러 또는 파장 범위를 가지는 복수 개의 방사선 소스, 예컨대 복수 개의 LED를 포함할 수 있다. 예시적인 레벨 센서(LS)의 방사선 소스(LSO)는 가시 방사선으로 한정되지 않고, 일부 양태들에서는 UV 및/또는 IR 방사선 및 기판(W)의 표면으로부터 또는 기판(W)에 있는 층으로부터 반사되기에 적절한 임의의 범위의 파장을 추가적으로 또는 대안적으로 망라할 수 있다.

일부 양태들에서, 투영 격자(PGR)는, 예를 들어 주기적 구조체를 포함하고, 결과적으로 주기적으로 변동하는 세기를 가지는 패터닝된 방사선 빔(BE1을 초래하는 격자일 수 있다. 패터닝된 방사선 빔(BE1)은 기판(W) 상의 측정 위치(MLO)를 향해서 입사 기판 표면에 수직인 축(예를 들어, Z-축)에 대해 0 도 내지 90 도 사이, 일부 양태들에서는 70 도 내지 80 도 사이의 입사각(ANG)을 가지고 지향될 수 있다. 측정 위치(MLO)에서, 패터닝된 방사선 빔(BE1)은 기판(W)에 의해서 반사되고 반사된 패터닝된 방사선 빔(BE2)에 의해 표시된 것처럼 검출 유닛(LSD)을 향해서 지향될 수 있다(예를 들어, 패터닝된 방사선 빔(BE1)에 의한 측정 위치(MLO)의 조명에 응답하여 웨이퍼(W)의 표면으로부터 부분적으로 또는 전체적으로 반사되거나 굴절된 방사선 빔).

일부 양태들에서, 측정 위치(MLO)에서의 높이 레벨을 결정하기 위하여, 예시적인 레벨 센서(LS)는 검출 격자(DGR), 검출기(DET)(예를 들어, 광검출기, 카메라), 및 검출기(DET)의 출력 신호를 처리하기 위한 컴퓨팅 시스템(예를 들어, 도 9에 도시되는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100))을 포함하는 검출 유닛(LSD)을 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 검출 격자(DGR)의 구조는 투영 격자(PGR)의 구조와 동일할 수 있다. 일부 양태들에서, 검출기(DET)는 수신된 광의 세기를 표시하거나 수신된 세기의 공간적 분포를 나타내는 검출기 출력 신호를 생성할 수 있다. 검출기(DET)는 임의의 조합의 하나 이상의 검출기 타입, 예컨대 광검출기, 이미징 디바이스, 카메라, 간섭계, 또는 다른 적절한 디바이스, 구조체, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.

일부 양태들에서는, 컴퓨팅 시스템이 삼각측량 기법을 사용하여 측정 위치(MLO)에서의 높이 레벨을 결정할 수 있다. 검출된 높이 레벨은 검출기(DET)에 의해 측정되는 신호 세기와 관련될 수 있다. 일부 양태들에서, 신호 세기는 투영 격자(PGR)의 디자인 및 입사각(ANG)(예를 들어, 비스듬한 각도)에 부분적으로 의존하는 주기성을 가질 수 있다.

일부 양태들에서(간략화를 위하여 도 2에는 미도시), 투영 유닛(LSP) 및/또는 검출 유닛(LSD)은 하나 이상의 광학 구조체, 예컨대 투영 격자(PGR) 및 검출 격자(DGR) 사이의 패터닝된 방사선 빔(BE1) 및 반사된 패터닝된 빔(BE2)의 경로를 따라서 배치된 렌즈, 프리즘, 미러, 빔 스플리터(예를 들어, 편광 빔 스플리터), 편광자, 편광 회전자, 광학 결정(예를 들어, 비선형 광학 결정), 파 플레이트, 윈도우, 및 격자를 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 검출 격자(DGR)가 생략될 수 있고, 검출 격자(DGR)가 위치되는 위치에 검출기(DET)가 배치될 수 있다. 일부 양태들에서, 이러한 구성은 투영 격자(PGR)의 이미지의 더 직접적인 검출을 제공할 수 있다. 일부 양태들에서, 기판(W)의 표면을 효과적으로 커버하기 위하여, 예시적인 레벨 센서(LS)는 측정 빔(BE1)의 어레이를 기판(W)의 표면 상에 투영하도록 구성될 수 있고, 이를 통하여 더 큰 측정 범위를 커버하는 측정 영역(MLO) 또는 스폿들의 어레이를 생성한다.

다양한 예시적인 높이 센서가, 예를 들어 2007 년 9 월 4 일에 발행되고 발명의 명칭이 "Level sensor for lithographic apparatus"인 미국 특허 번호 제 7,265,364 및 2010 년 1 월 12 일에 발행되고 발명의 명칭이 "Lithographic apparatus, level sensor, method of inspection, device manufacturing method, and device manufactured thereby"인 미국 특허 번호 제 7,646,471에 개시되는데, 이들 각각은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다. 가시광선 또는 적외선 방사선 대신에 UV 방사선을 사용하는 예시적인 높이 센서는, 예를 들어 2014 년 9 월 23 일에 발행되고 발명의 명칭이 "Level sensor arrangement for lithographic apparatus and device manufacturing method"인 미국 특허 번호 제 8,842,293에 개시되는데, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다. 검출 격자가 필요 없이 격자 이미지의 위치를 검출 및 인식하기 위한 다원소 검출기를 사용하는 예시적인 콤팩트한 높이 센서는, 예를 들어 2019 년 3 월 26 일에 발행되고 발명의 명칭이 "Level sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method"인 미국 특허 번호 제 10,241,425에 개시되는데, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.

도 3은 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 레벨 센서(500)의 개략도이다. 일부 양태들에서는, 도 3에 도시된 바와 같이 예시적인 레벨 센서(500)가, 다른 구조체 중에서 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502), 제 2 레벨 감지 디바이스(504), 및 레벨 감지 제어기(510)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 양태들에서는 예시적인 레벨 센서(500)가 도 2를 참조하여 전술되고 도 4 내지 도 9를 참조하여 후술되는 임의의 구조체, 기법, 방법, 데이터, 또는 피쳐, 또는 이들의 임의의 조합 중 임의의 것을 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502)는 하나 이상의 제 1 조명 소스, 하나 이상의 제 1 조명 센서, 임의의 다른 적절한 구조체, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있지만 이들로 제한되는 것은 아니다. 일부 양태들에서, 하나 이상의 제 1 조명 소스는 하나 이상의 가시광 스펙트럼 소스를 포함할 수 있고, 하나 이상의 제 1 조명 센서들 각각은 가시광 스펙트럼 센서를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502)는 본 명세서에서 설명된 바와 같은 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502)는 제 1 분해능(예를 들어, 코스 분해능) 및 제 1 측정 지속기간에서 상기 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스(504)는 하나 이상의 제 2 조명 소스 및 하나 이상의 제 2 조명 센서를 포함할 수 있지만 이들로 제한되는 것은 아니다. 일부 양태들에서, 하나 이상의 제 2 조명 소스는 하나 이상의 자외선 스펙트럼 소스를 포함할 수 있고, 하나 이상의 제 2 조명 센서들 각각은 자외선 스펙트럼 센서를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스(504)는 측정 제어 맵 데이터에 기반하여, 본 명세서에서 설명된 바와 같은 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스(504)는 제 2 분해능(예를 들어, 미세 분해능) 및 제 2 측정 지속기간에서 상기 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 분해능은 제 2 분해능보다 개략적일 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 측정 지속기간은 제 1 측정 지속기간보다 적을 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 데이터의 측정 노이즈는 제 1 레벨 데이터의 측정 노이즈보다 적을 수 있다. 예를 들어, 제 1 레벨 데이터의 제 1 측정 노이즈는 약 5 마이크론보다 적을 수 있는 반면에, 제 2 레벨 데이터의 제 2 측정 노이즈는 약 5 나노미터보다 적을 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기(510)는, 하나 이상의 컴퓨팅 시스템, 프로세서, 메모리, 임의의 다른 적절한 구조체, 및 이들의 조합을 포함할 수 있지만 이들로 제한되는 것은 아니다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기(510)는 본 명세서에서 설명된 바와 같은 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기(510)는 기판의 디자인 레이아웃을 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하도록 구성된 통신 회로부를 더 포함하거나 이와 통신할 수 있다. 일부 양태들에서, 디자인 레이아웃 데이터는 제 1 레벨 데이터를 포함할 수 있다. 다른 양태들에서, 레벨 감지 제어기(510)는 디자인 레이아웃 데이터에 기반하여 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 디자인 레이아웃 데이터는 GDS 데이터 파일을 포함할 수 있다. 이러한 양태에서는 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502)가 요구되지 않는데(그리고 일부 양태들에서는 예시적인 레벨 센서(500)로부터 생략될 수 있음), 그 이유는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하면 제 2 레벨 감지 디바이스(504)만을 사용하여 제 2 레벨 데이터를 생성하는 것이 가능해지기 때문이다.

본 명세서에서 설명되는 일부 양태에 대한 기초로서, 본 명세서는 도 2에 도시되는 예시적인 레벨 센서(LS)와 같은 레벨 감지 디바이스; 도 3에 도시되는 예시적인 레벨 센서(500); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 예시적인 시스템(900); 도 9에 도시되는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)을 제공하기 위한 시스템, 장치, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품; 또는 이들의 조합을 기술한다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 디바이스는 제 2 레벨 감지 디바이스, 레벨 감지 제어기, 및 일부 양태들에서는 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502) 및 제 2 레벨 감지 디바이스(504)는 동일한 레벨 감지 디바이스(예를 들어, 도 2에 도시되는 예시적인 레벨 센서(LS); 도 3에 도시되는 예시적인 레벨 센서(500); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 예시적인 시스템(900); 단일-칩 레벨 센서; 또는 임의의 다른 적절한 디바이스 또는 구조체) 내에 포함될 수 있다. 다른 양태들에서, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502) 및 제 2 레벨 감지 디바이스(504)는 기압계(예를 들어, 가스 게이지 근접 센서) 및 광 센서와 같은 두 개의 상이한 레벨 감지 디바이스 내에 포함될 수 있다. 일부 양태들에서, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502)는 가시광 스펙트럼 센서를 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스(504)는 자외선 스펙트럼 센서를 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 조명이 존재하는 순간에(예를 들어, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502) 또는 제 2 레벨 감지 디바이스(504)에 의한 조명), 예시적인 레벨 센서(500)는 기판을 통해서 검출 격자 상으로 투영되는 투영 격자를 포함하는 격자 플레이트를 활용할 수 있다. 일부 양태들에서, 격자 플레이트는 다음 스폿들의 두 개의 세트를 포함할 수 있다: (i) 개략적 측정을 위한 캡쳐 스폿; 및 (ii) 미세 측정을 위한 측정 스폿.

일부 양태들에서, 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502)는 계측 장치 내에 배치될 수 있는 반면에, 제 2 레벨 센서는 노광 장치, 예를 들어 리소그래피 장치(100) 내에 배치된다. 계측 장치는 독립형 장치일 수 있거나, 리소그래피 셀의 일부일 수 있다.

도 4는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 데이터 환경(600)의 개략도이다. 일부 양태들에서, 도 4에 도시되는 예시적인 데이터 환경(600)은 층별로 한 번씩 레벨 센서(예를 들어, 도 2에 도시되는 예시적인 레벨 센서(LS); 도 3에 도시되는 레벨 센서(500); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 예시적인 시스템(900))에 의해 수행될 디바이스 토포그래피 교정의 개략적인 표현을 제공한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스는 기판(602)(예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시되는 기판(W); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 기판(5); 도 5a에 도시되는 기판(740))의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터(610)를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스는 제 1 레벨 데이터(610)를 기판(602)의 표면 상의 상이한 위치에 배치된 복수 개의 제 1 구역(604), 예컨대 제 1 구역(604A, 604B, 604C, 604D, 및 604E)의 평균에 기반하여 생성하도록 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 기판(602)의 제 1 구역(예를 들어, 복수 개의 제 1 구역(604) 중 하나, 또는 복수 개의 제 1 구역(604) 중 두 개 이상의 평균)은 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터(610)는 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역(614A) 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역(612A)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 하위구역(612A)의 폭은 제 1 하위구역(614A)의 폭의 약 5 퍼센트 내지 50 퍼센트일 수 있다.

일부 양태들에서, 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터(610)는 대략적으로 제 1 표면 레벨의 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N)을 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터(610)는 대략적으로 제 2 표면 레벨의 표면 레벨 각각 가지는 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N)을 더 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 제 2 표면 레벨은 제 1 표면 레벨보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 제 1 레벨 감지 디바이스의 표면 및 제 1 표면 사이의 제 1 거리는 제 1 레벨 감지 디바이스의 표면 및 제 2 표면 사이의 제 2 거리보다 적을 수 있다. 일 예에서, 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이의 차이는 약 15 마이크론보다 클 수 있다. 다른 예에서, 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이의 차이는 약 50 마이크론보다 클 수 있다.

하나의 예시적이고 비한정적인 예에서, 제 1 표면 레벨은 메모리 셀의 상단면에 대응할 수 있고 제 2 표면 레벨은 메모리 셀에 인접하게 배치된 주변부의 하단면에 대응할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N) 각각은 메모리 셀의 상단면에 대응할 수 있고, 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N) 각각은 메모리 셀에 인접하게 배치된 주변부의 하단면(예를 들어, 트렌치)에 대응할 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 제 1 레벨 데이터(610)에 기반하여 측정 제어 맵 데이터(620)를 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 측정 제어 맵 데이터(620)는 "측정을 위해 유효함(valid for measurement)" 하위구역(624A) 및 "측정을 위해 유효하지 않음("not valid for measurement)" 하위구역(622A)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A)의 폭은 제 1 하위구역(614A)의 폭보다 적을 수 있고(예를 들어, 다소 더 좁음), "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A)의 폭은 제 2 하위구역(612A)의 폭보다 클 수 있다(예를 들어, 다소 더 넓음). 예를 들어, "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A)의 폭은 "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A)의 폭의 약 20 퍼센트일 수 있다.

일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터(620)는 대략적으로 제 1 표면 레벨인 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A, 624B 내지 624N)을 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터(620)는 대략적으로 제 2 표면 레벨인 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A, 622B 내지 622N)을 더 포함할 수 있다. 예시의 목적을 위하여 그리고 비한정적으로, 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N) 및 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N) 사이의 경계는 측정 제어 맵 데이터(620) 상에 점선으로서 오버레이된다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 복수 개의 "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A, 624B 내지 624N)을 제 1 가중치(예를 들어, "1")를 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N) 각각에 적용하는 것에 기반하여 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A, 622B 내지 622N)을 제 2 가중치(예를 들어, "0")를 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N) 각각, 및 일부 양태들에서는 그러한 하위구역 주위의 버퍼 구역에 적용하는 것에 기반하여 생성하도록 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 복수 개의 "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A, 624B 내지 624N)을 제 1 메타데이터 플래그(예를 들어, "유효함(valid)")를 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N) 각각에 적용하는 것에 기반하여 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A, 622B 내지 622N)을 제 2 메타데이터 플래그(예를 들어, "유효하지 않음(invalid)")를 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N) 각각, 및 일부 양태들에서는 그러한 하위구역 주위의 버퍼 구역에 적용하는 것에 기반하여 생성하도록 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터(620)는, 제 2 레벨 데이터(630)를 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N)에 기반하고 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N) 중 어느 것에도 기반하지 않으면서 생성하기 위한 전자 명령을 표시할 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 상기 측정 제어 맵 데이터(620)에 기반하여 서보 제어 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 서보 제어 중에 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A, 622B 내지 622N)을 무시하고, 서보 제어 시의 캡쳐 위치를 복수 개의 "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A, 624B 내지 624N)으로서 설정하게끔 명령하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터(620)는 서보 오프셋 맵(x, y) 및 유효성 맵(x, y) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 복수 개의 "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A, 624B 내지 624N) 각각에 대하여, 측정 제어 맵 데이터(620)는: "서보 활성화(activate servo)" 값, 플래그, 또는 제어 신호(예를 들어, 서보 오프셋 맵 내에 포함됨); 1의 값(예를 들어, 유효성 맵에 포함됨); "유효함" 메타데이터 플래그; 또는 임의의 다른 적절한 특성을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서는, 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A, 622B 내지 622N) 각각에 대하여, 측정 제어 맵 데이터(620)는: "서보 비활성화(deactivate servo)" 값, 플래그, 또는 제어 신호(예를 들어, 서보 오프셋 맵 내에 포함됨); 0의 값(예를 들어, 유효성 맵에 포함됨); "유효하지 않음" 메타데이터 플래그; 또는 임의의 다른 적절한 특성을 포함할 수 있다.

일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 특정 서보 오프셋을 사용하도록 명령하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 레벨 감지 제어기는 제 1 레벨 데이터(610)(예를 들어, 개략적 센서 측정치)를 사용하여 제 2 레벨 감지 디바이스(예를 들어, 미세 센서)에게 특정한 서보 오프셋을 사용하게끔 명령하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 대략적으로 제 3 표면 레벨에서 기판(602)의 토포그래피를 추종하게끔 명령하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 제 3 표면 레벨을 측정 프로세스 동안에 제 2 레벨 감지 디바이스의 측정 범위 내로(또는, 일부 양태들에서는 대략적으로 초점면으로) 유지하게끔 명령하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게 서보 높이 목표를 수정하게끔 명령하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 일부 양태들에서, 서보 제어 신호는 제 2 레벨 감지 디바이스에게, 상기 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이(예를 들어, 도 6b에 도시된 바와 같음)에 있도록 서보 높이 목표를 수정하게끔 명령하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 측정 제어 맵 데이터(620)에 기반하여, 본 명세서에서 설명된 바와 같은 기판(602)의 제 2 구역(에 대한 제 2 레벨 데이터(630)를 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 2 레벨 데이터(630)는 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 가지는 제 3 하위구역(634A)을 포함할 수 있지만, 제 2 표면 레벨과 동일한 제 4 표면 레벨을 가지는 제 4 하위구역(632A)은 포함하지 않는다.

일부 양태들에서, 제 2 구역은 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역(634A, 634B 내지 634N)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 복수 개의 제 3 하위구역(634A, 634B 내지 634N)은 복수 개의 "측정을 위해 유효함" 하위구역(624A, 624B 내지 624N)에 대응할 수 있다.

일부 양태들에서, 제 2 구역은 제 2 표면 레벨과 대략적으로 동일한 표면 레벨을 가지는 구역을 더 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 제 2 구역은 복수 개의 제 4 하위구역(632A, 632B 내지 632N) 중 어느 것도 더 포함하지 않을 수 있다. 예시적인 일 예에서, 제 2 구역은 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(622A, 622B 내지 622N)에 대응하는 복수 개의 제 4 하위구역(632A, 632B 내지 632N)을 포함하지 않을 수 있다. 다른 예시적인 예에서, 제 2 구역은 복수 개의 제 4 하위구역(632A, 632B 내지 632N)을 포함할 수 있는데, 복수 개의 제 4 하위구역(632A, 632B 내지 632N) 각각은 0의 값, "무효함" 메타데이터 플래그, 또는 레벨 감지 제어기에게 기판(602)의 토포그래피의 맵(예를 들어, 높이 맵)의 결정 시에 해당 높이 측정치를 사용하지 않게끔 명령하도록 구성되는 임의의 다른 적절한 특성을 포함하거나 이와 연관될 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 기판(602)의 디자인 레이아웃을 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하도록 구성된 통신 회로부를 더 포함하거나 이와 통신할 수 있다. 일부 양태들에서, 디자인 레이아웃 데이터는 GDS 데이터 파일을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 디자인 레이아웃 데이터는 제 1 레벨 데이터(610)를 포함할 수 있다. 다른 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 디자인 레이아웃 데이터에 기반하여 제 1 레벨 데이터(610)를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 수신된 디자인 레이아웃 데이터, 생성된 제 1 레벨 데이터(610), 또는 양자 모두에 기반하여 측정 제어 맵 데이터(620)를 생성하도록 구성될 수 있다. 이러한 양태에서, 디자인 레이아웃 데이터의 수신은 제 2 레벨 감지 디바이스만을 사용하여 제 2 레벨 데이터(630)를 생성하는 것을 가능하게 한다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 본 명세서에서 "높이 맵"이라고도 불리는 기판(602)의 토포그래피의 맵을 제 2 레벨 데이터(630)에 기반하여 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 데이터(610)에 기반하여 제 1 토포그래픽 맵 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 제 2 레벨 데이터(630)에 기반하여 제 2 토포그래픽 맵 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 토포그래픽 맵 데이터는 제 1 토포그래픽 맵 데이터와 다를 수 있다.

일부 양태들에서, 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N)은 복수 개의 메모리 셀을 포함할 수 있고, 제 1 표면 레벨은 복수 개의 메모리 셀의 상단면에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 복수 개의 메모리 셀은 복수 개의 3D NAND 메모리 셀을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N)은 복수 개의 메모리 셀의 각각의 쌍들 사이에 배치된 복수 개의 주변부를 포함할 수 있고, 제 2 표면 레벨은 주변부의 하단면에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 복수 개의 제 3 하위구역(634A, 634B 내지 634N)은 복수 개의 메모리 셀 또는 그것의 일부를 포함할 수 있고, 복수 개의 메모리 셀들 각각의 제 3 표면 레벨은 복수 개의 메모리 셀들 각각의 상단면에 대응한다. 일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터(620)는 제 2 레벨 데이터(630)를 복수 개의 메모리 셀에 기반하고 복수 개의 메모리 셀들 중 임의의 두 개 사이의 주변부에는 기반하지 않고 생성하기 위한 전자 명령을 표시할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 구역은 임의의 쌍의 복수 개의 메모리 셀들 사이의 주변부에 대응하는 구역을 포함하지 않는다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 제 2 레벨 데이터(630)를 복수 개의 메모리 셀 중 두 개 사이의 주변부의 하단면을 측정하지 않고서(예를 들어, 복수 개의 제 4 하위구역(632A, 632B 내지 632N) 중 임의의 하위구역을 측정하지 않고서) 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 제 2 레벨 데이터(630)를, 복수 개의 메모리 셀들 중 두 개 사이의 주변부의 하단면에 대응하는 모든 측정치를 폐기한 이후에(예를 들어, 측정한 후 폐기하거나, 0으로 만들거나(zeroing-out), 또는 복수 개의 제 4 하위구역(632A, 632B 내지 632N)을 무효화함으로써) 복수 개의 메모리 셀 중 두 개 사이의 주변부의 하단면을 측정하지 않고서 생성하도록 구성될 수 있다.

도 5a는 본 발명의 일부 양태에 따른 메모리 셀의 예시적인 어레이에 대한 예시적인 아키텍처(700)의 개략도이다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 예시적인 아키텍처(700)는 기판(740)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 기판(740)은 폭(742) 및 길이(744)를 가질 수 있다. 일부 양태들에서, 예시적인 아키텍처(700)는 제 1 메모리 셀(721A)(예를 들어, 제 1 계단 구조(770A)를 가짐), 제 2 메모리 셀(721B)(예를 들어, 제 2 계단 구조(770B)를 가짐), 및 제 1 메모리 셀(721A) 및 제 2 메모리 셀(721B) 사이의 주변부(722)에 인접하여 배치된 CMOS 구조체(760)를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 계단 구조(770A) 및 제 2 계단 구조(770B) 각각은 여러 층을 가질 수 있다.

일부 양태들에서, 제 1 표면 레벨(750)은 제 1 메모리 셀(721A)의 상단면, 제 2 메모리 셀(721B)의 상단면, 또는 양자 모두(예를 들어, 평균 값, 디자인 값)에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 표면 레벨(752)은 주변부(722)의 하단면에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 표면 레벨(750) 및 제 2 표면 레벨(752) 사이의 차이는 약 15 마이크론보다 클 수 있다. 예를 들어, 제 1 메모리 셀(721A), 제 2 메모리 셀(721B)의 상단면, 또는 양자 모두의 높이(754)는 약 16 마이크론일 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 표면 레벨(750) 및 제 2 표면 레벨(752) 사이의 차이는 약 50 마이크론보다 클 수 있다.

일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스는 제 1 메모리 셀(721A)의 상단면, 제 2 메모리 셀(721B)의 상단면, 및 주변부(722)의 하단면에 기반하여 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 측정 제어 맵 데이터는 제 1 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A), 제 2 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B), 및 제 1 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A) 및 제 2 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B) 외부의 도 5a에 도시되는 예시적인 어레이의 모든 구역을 포함하는 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A)의 면적은 제 1 메모리 셀(721A)의 상단면의 먼적보다 적을 수 있고, "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B)의 면적은 제 2 메모리 셀(721B)의 상단면의 면적보다 적을 수 있다. 예를 들어, 제 1 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A)의 면적은 제 1 메모리 셀(721A)의 상단면의 면적보다 약 10 퍼센트 적을 수 있다. 이와 유사하게, 제 2 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B)의 면적은 제 2 메모리 셀(721B)의 상단면의 면적보다 약 10 퍼센트 적을 수 있다.

일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 측정 제어 맵 데이터에 기반하여, 제 1 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A), 제 2 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B)을 포함하지만 제 1 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A) 및 제 2 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B) 외부의 구역은 포함하지 않는 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다. 결과적으로, 제 2 레벨 데이터는, 제 1 표면 레벨(750)과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역에 대응하지만, 제 2 표면 레벨(752)과 대략적으로 동일한 표면 레벨을 가지는 구역에 대응하지 않을 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 제 2 레벨 데이터를 주변부(722)의 하단면을 측정하지 않고서 생성하도록 구성된다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 감지 디바이스는 주변부(722)에 대응하는 모든 측정치를 폐기한 이후에(예를 들어, 제 1 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A) 또는 제 2 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B)에 대응하지 않는 모든 측정치들을 폐기한 이후에), 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성된다.

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 본 명세서에서 "높이 맵"이라고도 불리는 예시적인 아키텍처(700)의 토포그래피의 맵을 제 2 레벨 데이터에 기반하여 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 제 1 토포그래픽 맵 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 제 2 레벨 데이터에 기반하여 제 2 토포그래픽 맵 데이터를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 토포그래픽 맵 데이터는 제 1 토포그래픽 맵 데이터와 다를 수 있다. 예를 들어, 제 1 토포그래픽 맵 데이터는 제 1 표면 레벨(750)에서의 표면 및 제 2 표면 레벨(752)에서의 표면으로부터 획득된 제 1 높이 데이터를 포함할 수 있는(예를 들어, 더 개략적인 분해능에서) 반면에, 제 2 토포그래픽 맵 데이터는 제 1 표면 레벨(750)에서의 표면이지만 제 2 표면 레벨(752)에서의 표면이 아닌 표면으로부터 획득된 제 2 높이 데이터를 포함할 수 있다(예를 들어, 더 미세한 분해능에서).

도 5b는 본 발명의 일부 양태에 따른 메모리 셀의 예시적인 어레이에 대한 레이아웃(780)의 개략도이다. 일부 양태들에서, 메모리 셀(781A 및 781B)에 대한 예시적인 레이아웃은 도 5a를 참조하여 설명된 구조체, 예컨대 CMOS 구조체(760), 제 1 메모리 셀(721A), 제 2 메모리 셀(721B), 및 제 1 메모리 셀(721A) 및 제 2 메모리 셀(721B) 사이의 주변부(722)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 셀(781A)은 다른 피쳐 및 구조체 중에서 제 1 메모리 셀(721A), "더미(dummy)" 계단 구조(772A), "활성(active)" 계단 구조(774A), "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A), 및 주변부(722)를 포함할 수 있다.

도 5b에 도시된 바와 같이, 예시적인 레이아웃(780)은 메모리 셀(781A, 781B, 782A, 782B, 783A, 783B, 784A, 784B, 785A, 785B, 786A, 786B, 787A, 787B, 788A, 788B, 789A, 789B, 790A, 및 790B)을 포함하는 복수 개의 메모리 셀 어레이를 포함하는 최대 노광 필드(792)를 더 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 최대 노광 필드(792)는 폭(794) 및 길이(796)를 가질 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 감지 디바이스, 제 2 레벨 감지 디바이스, 또는 양자 모두의 스캔 방향은 화살표(798)로 표시된다.

도 5c는 본 발명의 일부 양태에 따른 메모리 셀의 예시적인 어레이의 측면도(799)의 개략도이다. 예시적인 측면도(799)는 복수 개의 메모리 셀(721A, 721B, 721C 등)을 보여준다. 예시적인 측면도(799)는 각각의 쌍의 복수 개의 메모리 셀들(721A, 721B, 721C 등) 사이에 배치된 복수 개의 주변부(722A, 722B)를 더 보여준다(예를 들어, 주변부(722A)는 메모리 셀들(721A 및 721B 등) 사이에 배치됨).

예시적인 측면도(799)는 대략적으로 제 1 표면 레벨(750)인 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 "측정을 위해 유효함" 하위구역(724A, 724B, 724C 등)을 더 도시한다. 예시적인 측면도(799)는 대략적으로 제 2 표면 레벨(752)인 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(725A, 725B)을 더 도시한다. 일부 양태들에서, 복수 개의 메모리 셀(721A, 721B, 721C 등)의 높이(754)(예를 들어, 제 1 표면 레벨(750) 및 제 2 표면 레벨(752) 사이의 차이)는 약 15 마이크론, 50 마이크론, 또는 임의의 다른 적절한 높이 값보다 클 수 있다.

일부 양태들에서, "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(725A)의 폭은 주변부(722A)의 폭(712A)보다 클 수 있고, "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B)의 폭은 제 2 메모리 셀(721B)의 폭(714B)보다 적을 수 있다. 예시적인 일 예에서, 폭(712A)은 주변부(722A) 및 제 2 메모리 셀(721B)의 결합된 폭(715)의 약 10 퍼센트일 수 있고, 폭(714B)은 결합된 폭(715)의 약 90 퍼센트일 수 있다. 이러한 예시적인 예를 계속 살펴보면, "측정을 위해 유효하지 않음" 하위구역(725A)의 폭은 결합된 폭(715)의 약 12 퍼센트일 수 있고, "측정을 위해 유효함" 하위구역(724B)의 폭은 결합된 폭(715)의 약 88 퍼센트일 수 있다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 높이 측정 데이터(800) 및 예시적인 수정된 높이 측정 데이터(890)를 예시한다. 일부 양태들에서, 본 명세서에서 설명되는 방법은 서보 높이 근처에서의 레벨 센서 이득을 추가적으로 측정함으로써 확장될 수 있다. 일부 양태들에서, 필드의 전체 표면(예를 들어, 메모리 셀 및 주변부 양자 모두를 포함함)은, 레벨 감지 제어기(예를 들어, 도 3에 도시되는 레벨 감지 제어기(510); 도 7a에 도시되는 제어기(2); 도 9에 도시되는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100))가 레벨 센서 이득을 역시 저장하거나 이에 대한 액세스를 가지는 경우에 레벨 데이터를 결정하기 위하여 사용될 수 있다.

도 6a는 레벨 센서(도 2에 도시되는 예시적인 레벨 센서(LS); 예시적인 레벨 센서(500), 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502), 또는 도 3에 도시되는 제 2 레벨 감지 디바이스(504); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 예시적인 시스템(900) 또는 높이 감지 디바이스(3); 단일-칩 레벨 센서; 또는 이들의 조합)의 서보 높이 목표(801)을 도시한다. 도 6a에 더 표시되는 바와 같이, 제 1 레벨 감지 디바이스, 제 2 레벨 감지 디바이스, 또는 양자 모두의 스캔 방향은 화살표(898)로 표시된다. 도 6a에 더 표시되는 바와 같이, 서보 높이 근처에서의 레벨 센서 이득이 레벨 센서 이득 곡선(802)에 의해 표시된다.

일부 양태들에서, 제 1 표면 레벨 측정치(850)는 메모리 셀(821)의 상단면에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 표면 레벨 측정치(852)는 주변부(822)의 하단면에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 메모리 셀(821)의 높이(854)는 제 1 표면 레벨 측정치(850) 및 제 2 표면 레벨 측정치(852) 사이의 차이에 의하여 표시될 수 있다. 예를 들어, 높이(854)는 약 15 마이크론, 50 마이크론, 또는 임의의 다른 적절한 값보다 클 수 있다.

일부 양태들에서, 도 6a에 도시된 바와 같이, 레벨 센서는 이득-기반 교정을 구역(812)(예를 들어, 레벨 센서의 측정 범위 외부인 "유효하지 않음" 구역), 구역(814)(예를 들어, 레벨 센서의 측정 범위 내에 속하는 "유효함" 구역), 및 구역(816)(예를 들어, 레벨 센서의 측정 범위 외부인 "유효하지 않음" 구역)에 기반하여 수행할 수 있다. 예를 들어, 레벨 감지 제어기는 제 1 표면 레벨 측정치(850)가 구역(814) 내에 속한다고 결정하고, 결과적으로, 제 1 표면 레벨 측정치(850)가 "유효함"이라고 결정할 수 있다. 다른 예에서, 레벨 감지 제어기는 제 2 표면 레벨 측정치(852)가 구역(812) 내에 속한다고 결정하고, 결과적으로, 제 2 표면 레벨 측정치(852)가 "유효하지 않음"이라고 결정할 수 있다.

일부 양태들에서, 특정 위치에서 불충분하거나 기대되지 않은 레벨 센서 이득이 존재할 수 있다. 이러한 양태에서, 레벨 감지 제어기는 불충분한 레벨 센서 이득을 가지는 이러한 특정한 위치를 무효화할 수 있다. 예를 들어, 레벨 감지 제어기는 이득을 상이한 서보 높이에서, 필드의 상이한 위치에서 측정할 수 있다. 후속하여, 레벨 감지 제어기는 어떤 서보 높이에서 이득이 유효한지를 결정할 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는, 예를 들어 이득을 신뢰 척도로서 사용함으로써, 어떤 서보 높이에서 레벨 센서가 신뢰도가 높은 신호를 생성하는지를 결정할 수 있다.

예시적인 일 예에서, 레벨 감지 제어기는 상이한 높이에서 스캔을 수행함으로써 모든 필드포인트(예를 들어, 셀 및 주변부 양자 모두를 포함함)에서의 이득을 계산할 수 있다. 그러면, 레벨 감지 제어기는 각각의 계산된 이득이 각각의 특정한 높이에서 "기대된 바와 같은지(as expected)" 여부를 결정할 수 있다. 이득이 "기대된 바와 같음"이면, 레벨 감지 제어기는 특정한 높이 측정치가 유효하다고 더욱 결정할 수 있다. 이득이 "기대된 바와 같지 않음(not as expected)"이면(예를 들어, 불충분한 레벨 센서 이득), 레벨 감지 제어기는 특정한 높이 측정치가 유효하지 않다고 더욱 결정할 수 있다. 다르게 말하면, 특정한 위치에 불충분한 레벨 센서 이득이 존재하면, 레벨 감지 제어기는 이러한 위치를 무효화하고, 전체 필드에 걸쳐서 충분한 이득이 존재하도록 서보 높이 목표를 수정하거나, 양자 모두를 수행할 수 있다. 예를 들어, 도 6b에 도시된 바와 같이, 레벨 감지 제어기는 전체 필드에 걸쳐서 충분한 이득이 존재하도록 서보 높이 목표(801)을 수준(예를 들어, 범위의 절반만이 이용가능한 도 6a와 대조됨).

일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는 서보 높이 근처에서 레벨 센서 이득을 측정할 수 있다. 예를 들어, 레벨 감지 제어기는 상이한 높이에서 스캔을 수행하고 각각의 계산된 이득이 각각의 특정 높이에서 "기대된 바와 같은지" 여부를 결정함으로써, 모든 필드포인트에서의 이득을 계산할 수 있다. 이득이 "기대된 바와 같음"이면, 레벨 감지 제어기는 특정한 높이 측정치가 유효하다고 결정할 수 있다. "기대된 바와 같지 않음"이면, 레벨 감지 제어기는 특정한 높이 측정치가 유효하지 않다고 결정할 수 있다. 결과적으로, 레벨 감지 제어기는, 예를 들어 레벨 센서의 주기성을 극복함으로써 레벨 센서의 범위를 증가시킬 수 있다.

도 6b는 제 1 레벨 감지 디바이스, 제 2 레벨 감지 디바이스, 또는 양자 모두의 수정된 서보 높이 목표(803)을 예시한다. 일부 양태들에서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 수정된 서보 높이 목표(803)은 메모리 셀(821)의 상단면 및 주변부(822)의 하단면 사이에 있을 수 있다. 도 6b에 더 도시되는 바와 같이, 서보 높이 근처에서의 레벨 센서 이득은 레벨 센서 이득 곡선(804)에 의해서 표시된다.

일부 양태들에서, 제 3 표면 레벨 측정치(856)는 메모리 셀(821)의 상단면에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 4 표면 레벨 측정치(858)는 주변부(822)의 하단면에 대응할 수 있다. 일부 양태들에서, 메모리 셀(821)의 높이(854)는 제 3 표면 레벨 측정 값(856) 및 제 4 표면 레벨 측정 값(858) 사이의 차이에 의하여 표시될 수 있다.

일부 양태들에서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 레벨 센서는 이득-기반 교정을 구역(812), 구역(814), 및 구역(816)에 기반하여 수행할 수 있다. 예를 들어, 레벨 감지 제어기는 제 3 표면 레벨 측정 값(856)이 구역(814) 내에 속한다고 결정하고, 결과적으로, 제 3 표면 레벨 측정 값(856)이 "유효함"이라고 결정할 수 있다. 다른 예에서, 레벨 감지 제어기는 제 4 표면 레벨 측정 값(858)도 구역(814) 내에 속한다고 결정하고, 결과적으로, 제 4 표면 레벨 측정 값(858)도 "유효함"이라고 결정할 수 있다.

도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d는 본 발명의 일부 양태에 따른 추가적인 다른 예시적 레벨 센서, 기판, 데이터 환경, 및 높이 측정 데이터의 예시도이다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 양태들에서, 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 예시적인 레벨 센서, 기판, 데이터 환경, 및 높이 측정 데이터는 도 2 내지 도 6을 참조하여 전술되고 도 8 및 도 9를 참조하여 후술되는 임의의 구조체, 기법, 방법, 데이터, 또는 피쳐, 또는 이들의 임의의 조합 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 도 7c 및 도 7d는 도 6A 및 도 6b를 각각 참조하여 설명된 구조체, 기법, 방법, 데이터, 또는 피쳐 중 임의의 것을 포함할 수 있다.

도 7a는 일부 양태들에서 제어기(2) 및 높이 감지 디바이스(3)를 포함하는 예시적인 시스템(900)을 도시한다. 제어기(2)는 기판(5)의 제 1 구역에 대한 제 1 데이터(1)(예를 들어, 제 1 레벨 데이터)를 수신하도록 구성될 수 있다. 제 1 구역은: 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역(6)(예를 들어, 임계 영역, 관심 영역, 메모리 셀); 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역(7)(예를 들어, 비-임계 영역, 주위, 트렌치)을 포함할 수 있다. 제어기(2)는 제 1 데이터(1)에 기반하여 측정 제어 맵를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 제어기(2)는 높이 감지 디바이스(3)의 높이 측정을 측정 제어 맵에 기반하여 제어하도록 더 구성될 수 있다. 높이 감지 디바이스(3)는 측정 범위(8)(예를 들어, Z-축을 따라 배치된 선형 범위)를 가질 수 있고, 기판(5)은 측정 범위(8) 내에 있을 수 있다. 높이 감지 디바이스(3)는 측정 방사선(4)을 사용하여 높이 측정을 수행하도록 구성될 수 있다. 측정 방사선(4)의 초점은 측정 범위(8)를 제공하도록 대략적으로 제 1 하위구역(6)의 표면에 있을 수 있다. 높이 감지 디바이스(3)는 기판(5)의 제 2 구역에 대한 제 2 데이터(예를 들어, 제 2 레벨 데이터)를 생성하도록 더 구성될 수 있고, 제 2 구역은 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하며, 복수 개의 제 3 하위구역 각각은 측정 범위(8) 내에 배열되는 제 1 하위구역(6)의 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면을 가진다.

도 7b에 도시된 바와 같이, 제 1 하위구역(6)은 높이 감지 디바이스(3)의 측정 범위(8) 내에 있고, 측정 방사선(4)은 대략적으로 제 1 하위구역(6)의 제 1 표면 레벨에서 인포커스(in focus) 상태이다. 높이 감지 디바이스(3)가 기판(5)을 계속 스캔함에 따라, 이것은 제 1 하위구역(6)으로부터 제 2 하위구역(7)으로 진행한다. 그러나, 제 2 하위구역(7)을 만날 때에, 제어기(2)는 기판 테이블에게 제 2 하위구역(7)의 측정 도중에 기판(5)의 표면 토포그래피를 추종하도록 위로 이동하지 않게끔 명령(예를 들어, 측정 제어 맵에 기반하여 생성된 서보 제어 신호에 기반함) 할 수 있다(예를 들어, 해당 비-임계 구역을 측정하는 동안에는 서보 제어를 비활성화함으로써). 또는, 제어기(2)는, 제 2 하위구역(7)의 측정 도중에 기판(5)의 표면 토포그래피를 추종하도록 기판 테이블이 위로 움직이게끔 의도적으로 명령(예를 들어, 측정 제어 맵에 기반하여 서보 제어 신호를 송신하지 않도록 결정함으로써) 하지 않을 수 있다. 결과적으로, 제 2 하위구역(7)은 높이 감지 디바이스(3)의 측정 범위(8) 밖에 있고, 측정 방사선(4)은 대략적으로 제 2 하위구역(7)의 제 2 표면 레벨에서 아웃포커스(out of focus) 상태이다. 그러므로, 기판(5)은 측정 스캔 동안에 대략적으로 동일한 레벨에서 유지되고(예를 들어, 기판(5)은 제 2 하위구역(7)을 측정 범위(8) 내에 들어가게 하도록 위로 이동되지 않음), 결과적으로 측정 오류가 줄어들게 되고 관심 구역에 대한 측정 속도 및 정확도가 증가된다(예를 들어, 제 2 하위구역(7)을 무시하거나 우회함으로써).

도 7c에 도시된 바와 같이, 높이 감지 디바이스(3)에 의해서 기판(5)을 측정하면, 결과적으로 예를 들어 제 2 하위구역(7) 내의 측정(10) 및 제 1 하위구역(6) 내의 측정(11)을 포함하는 주기적 신호(9)가 얻어진다. 측정(10)은 구역 I 내에 속하고, 이것은 측정 범위(8) 밖이다(예를 들어, 주기적 신호(9)의 선형 부분 외부에 있는 주기적 신호(9)의 비선형 부분). 구역 II도 측정 범위(8) 외부이다. 측정(11)은 주기적 신호(9)의 선형 부분에 의해서 표시되는 바와 같은 측정 범위(8) 내에 속한다(예를 들어, 구역 I 및 II 사이임).

일부 양태들에서, 제 1 하위구역(6)이 높이 감지 디바이스(3)의 측정 범위(8) 내에 있으면, 높이 감지 디바이스(3)는 높이 감지 디바이스(3) 및 주기적 신호(9)의 선형 부분 내의 기판(5) 사이의 상대적인 거리의 변화를 측정하는데, 여기에는 높이 감지 디바이스(3)의 측정 신호 및 기판(5)의 위치 사이에 1-대-1 관련성이 존재한다(예를 들어, 이득 = 1 임). 일부 양태들에서, 제 2 하위구역(7)이 높이 감지 디바이스(3)의 측정 범위(8) 외부이면, 높이 감지 디바이스(3)는, 주기적 신호(9)의 비선형 부분(예를 들어, 구역 I) 내에서 높이 감지 디바이스(3) 및 비선형 구역 I 및 II 내의 기판(5) 사이의 상대적인 거리의 변화를 측정하고, 거기에는 높이 감지 디바이스(3)의 측정 신호 및 기판(5)의 위치 사이에 1-대-1 관련성이 존재하지 않는다(예를 들어, 이득 ≠ 1 임). 따라서, 일부 양태들에서는 높이 감지 디바이스(3)가 상대적인 거리에서의 변화를 부정확하게 측정하거나 아예 측정하지 않는다. 이러한 방식으로, 제어기(2)는 기판(5)의 모든 (x, y) 위치에 대하여 유효한 및 비-유효한 서보 위치를 결정할 수 있다.

일부 양태들에서, 제어기(2)는 구역 I 및 II를 제 1 데이터(1)에 기반하여 결정할 수 있다. 일부 양태들에서, 구역 I 및 II가 높이 감지 디바이스(3)의 범위를 벗어나기 때문에, 제어기(2)는 그러한 구역 내의 서보 설정을 무시하거나 측정치를 무효화할 수 있다. 일부 양태들에서, 제어기(2)는 제 1 데이터(1) 및/또는 구역 I 및 II에 기반하여, 제 1 하위구역(6)의 측정을 주기적 신호(9)의 선형 부분의 중심(예를 들어, 측정 범위(8)의 중심) 내에 유지시키도록 구성된 서보 제어 신호를 생성할 수 있고, 거기에는 측정 신호 및 기판 테이블 위치 사이에 1-대-1 관련성이 존재한다.

도 7d는 도 7d의 좌측에 있는 높이 감지 디바이스(3)로부터 도 7d의 우측에 있는 높이 감지 디바이스(3)를 가리키는 화살표로 표시되는 바와 같이 높이 감지 디바이스(3) 및 기판(5) 사이의 상대적인 거리를 조절함에 의한 이득-기반 유효성 교정을 예시한다. 도 7d의 좌측에 있는 높이 감지 디바이스(3)에 관하여, 측정 방사선(4)의 초점은 제 1 하위구역(6)의 표면에 있고 측정 범위(8) 안에 있다. 도 7d의 우측에 있는 높이 감지 디바이스(3)에 관하여, 기판(5)은 서보 오프셋 양만큼 위로 이동되었고, 측정 방사선(4)의 초점은 제 1 하위구역(6)의 표면 아래에 있지만 여전히 측정 범위(8) 안에 있다. 일부 양태들에서, 높이 감지 디바이스(3) 및 기판(5) 사이의 상대적인 거리는, 기판(5)을 홀딩하는 기판 테이블을 서보 오프셋 양(예를 들어, 측정 범위(8)의 절반, 또는 임의의 다른 적절한 거리)만큼 위로 이동시키기 위해서 서보에 바이어스를 적용함으로써(예를 들어, 모든 측정 포인트에 대하여) 조절될 수 있다. 따라서, 기판(5)은 서보 오프셋 양만큼 높이 감지 디바이스(3)에 더 가깝게 이동되고, 결과적으로 측정 방사선(4)의 초점이 제 1 하위구역(6)의 표면 바로 아래에 속하게 된다(예를 들어, 제 1 하위구역(6)의 표면에 있는 것이 아님). 서보에 바이어스를 적용함으로써 측정(10')이 구역 I 내에 속하게 되는데, 이것은 측정 범위(8) 박이지만 주기적 신호(9)의 선형 부분에 측정(10)보다 더 가깝다. 측정(11')은 주기적 신호(9)의 선형 부분에 의해 표시되는 바와 같이 측정 범위(8) 내에 속하지만, 측정(11)보다 주기적 신호(9)의 선형 부분을 따라서 더 멀다.

일부 양태들에서, 제어기(2)는 제 2 하위구역(7)이 높이 감지 디바이스(3)의 초점면 안에 있도록 선택할 수 있다(예를 들어, 측정 범위(8) 및 주기적 신호(9)의 선형 부분 안에 있음). 일부 양태들에서(예를 들어, 도 6b를 참조하여 설명된 바와 같이), 제어기(2)는 제 1 하위구역(6) 및 제 2 하위구역(7) 양자 모두가 높이 감지 디바이스(3)의 초점면 안에 있도록 선택할 수 있다(예를 들어, 제 1 하위구역(6) 및 제 2 하위구역(7) 사이의 더 낮은 높이차를 가지는 스카이스크래이퍼(skyscraper) 아키텍처에 대하여). 일부 양태들에서, 제어기(2)는 본 명세서에서 설명된 기법을 세 개 이상의 레벨을 가지는 멀티레벨 기판에 적용할 수 있다. 예를 들어, 상단의 두 층들이 관심 구역인 4-레벨 기판에서, 제어기는 상단의 두 표면이 높이 감지 디바이스(3)의 초점면에 있도록, 그리고 하단의 두 표면이 높이 감지 디바이스(3)의 초점면 밖에 속하도록 선택할 수 있다.

레벨 데이터를 생성하기 위한 예시적인 프로세스

도 8은 본 발명의 일부 양태 또는 그 일부에 따른, 레벨 데이터를 생성하기 위한 예시적인 방법(1000)이다. 예시적인 방법(1000)을 참조하여 설명된 동작들은, 본 명세서에서 설명되는 시스템, 장치, 컴포넌트, 기법, 또는 이들의 조합 중 임의의 것, 예컨대 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술되고 도 9를 참조하여 후술되는 것들에 의하여, 또는 이들에 따라서 수행될 수 있다.

동작(1002)에서, 방법은 레벨 감지 제어기(예를 들어, 도 3에 도시되는 레벨 감지 제어기(510); 도 7a에 도시되는 제어기(2); 도 9에 도시되는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100))에 의하여, 기판(예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시되는 기판(W); 도 4에 도시되는 기판(602); 도 5a에 도시되는 기판(740); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 기판(5))의 제 1 구역(예를 들어, 4에 도시되는 제 1 구역(604A, 604B, 604C, 604D, 및 604E) 중 하나 이상, 또는 이에 기반한 평균 구역)에 대한 제 1 레벨 데이터(예를 들어, 도 4에 도시되는 제 1 레벨 데이터(610))를 수신하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 구역은, 제 1 표면 레벨(예를 들어, 도 5a 및 도 5c에 도시되는 제 1 표면 레벨(750))을 가지는 제 1 하위구역(예를 들어, 도 4에 도시되는 복수 개의 제 1 하위구역(614A, 614B 내지 614N); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 제 1 하위구역(6) 중 하나), 및 제 2 표면 레벨(예를 들어, 도 5a 및 도 5c에 도시되는 제 2 표면 레벨(752))을 가지는 제 2 하위구역(예를 들어, 도 4에 도시되는 복수 개의 제 2 하위구역(612A, 612B 내지 612N); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 제 2 하위구역(7) 중 적어도 하나)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는, 제 1 레벨 데이터를 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하고 수신된 디자인 레이아웃 데이터로부터 제 1 레벨 데이터를 추출함으로써, 제 1 레벨 데이터를 수신할 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는, 수신된 디자인 레이아웃 데이터에 기반하여 제 1 레벨 데이터를 생성하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신함으로써, 제 1 레벨 데이터를 수신할 수 있다. 일부 양태들에서, 디자인 레이아웃 데이터는 GDS 데이터 파일을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 레벨 감지 제어기는, 제 1 레벨 데이터를 생성했고 제 1 레벨 데이터를 레벨 감지 제어기로 직접적으로 또는 간접적으로 송신한 제 1 레벨 감지 디바이스(예를 들어, 도 2에 도시되는 예시적인 레벨 센서(LS), 도 3에 도시되는 선택적인 제 1 레벨 감지 디바이스(502), 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 높이 감지 디바이스(3) 또는 이들의 조합 중 하나 이상의 부분)으로부터 제 1 레벨 데이터를 직접적으로 또는 간접적으로 수신할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 1 레벨 데이터의 수신은 적절한 기계적인 방법 또는 다른 방법을 사용하여 달성되고, 제 1 레벨 데이터를 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술되고 도 9를 참조하여 후술되는 임의의 양태 또는 양태들의 조합에 따라서 수신하는 것을 포함할 수 있다.

동작(1004)에서, 이러한 방법은 레벨 감지 제어기에 의하여 그리고 제 1 레벨 데이터에 기반하여, 측정 제어 맵 데이터(예를 들어, 도 4에 도시되는 측정 제어 맵 데이터(620))를 생성하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터는 서보 오프셋 맵(x, y), 유효성 맵(x, y), 또는 조합 서보 오프셋 및 유효성 맵(x, y)을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 것은, 적절한 기계적인 방법 또는 다른 방법을 사용하여 달성되고, 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술되고 도 9를 참조하여 후술되는 임의의 양태 또는 양태들의 조합에 따라서 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 것을 포함할 수 있다.

동작(1006)에서, 이러한 방법은, 제 2 레벨 감지 디바이스(예를 들어, 도 2에 도시되는 예시적인 레벨 센서(LS); 도 3에 도시되는 제 2 레벨 감지 디바이스(504); 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 높이 감지 디바이스(3); 또는 이들의 조합 중 하나 이상의 부분)에 의하여 그리고 측정 제어 맵 데이터에 기반하여, 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터(예를 들어, 도 4에 도시되는 제 2 레벨 데이터(630))를 생성하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 구역은 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역(예를 들어, 도 4에 도시되는 복수 개의 제 3 하위구역(634A, 634B 내지 634N))을 포함할 수 있다. 선택적으로, 일부 양태들에서 제 2 구역은 제 2 표면 레벨과 대략적으로 동일한 표면 레벨을 가지는 구역을 포함하지 않을 수 있다. 일부 양태들에서, 제 2 레벨 데이터의 생성은 적절한 기계적인 방법 또는 다른 방법을 사용하여 달성되고, 제 2 레벨 데이터를 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술되고 도 9를 참조하여 후술되는 임의의 양태 또는 양태들의 조합에 따라서 생성하는 것을 포함할 수 있다.

예시적인 컴퓨팅 시스템

본 발명의 양태들은 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이것들의 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 본 발명의 양태는 또한 머신-판독가능 매체 상에 저장되는 명령으로서 구현될 수도 있고, 이들은 하나 이상의 프로세서에 의하여 판독되고 실행될 수 있다. 머신-판독가능 매체는 머신(예컨대, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 송신하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 머신-판독가능 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기적 디스크 저장 매체; 광학적 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기적, 광학적, 음향학적이거나 다른 형태의 전파된 신호(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호, 등), 및 다른 것들을 포함할 수 있다. 더 나아가, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령, 및 이들의 조합은 본 명세서에서 특정 동작들을 수행하고 있는 것으로 설명될 수 있다. 그러나, 이러한 설명들이 단지 편의를 위한 것이라는 것과 이러한 동작들이 사실상 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령, 또는 이들의 조합을 실행하는 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 제어기, 또는 다른 디바이스로부터 초래된다는 것과, 그 와중에 액츄에이터 또는 다른 디바이스(예를 들어, 서보 모터, 로봇식 디바이스)가 물리적 세계와 상호작용하게 한다는 것이 이해되어야 한다.

다양한 양태들은, 예를 들어 하나 이상의 컴퓨터 시스템, 예컨대 도 9에 도시되는 예시적인 컴퓨터 시스템(1100)을 사용하여 구현될 수 있다. 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)은, 본 명세서에서 설명된 다음과 같은 기능을 수행할 수 있는 전문화된 컴퓨터일 수 있다: 도 2를 참조하여 설명된 예시적인 레벨 센서(LS); 도 3을 참조하여 설명된 예시적인 레벨 센서(500), 레벨 감지 제어기(510), 또는 양자 모두; 도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d에 도시되는 예시적인 시스템(900), 제어기(2), 높이 감지 디바이스(3), 또는 이들의 조합; 단일-칩 레벨 센서; 임의의 다른 적절한 시스템, 서브-시스템, 또는 컴포넌트; 또는 이들의 임의의 조합. 예시적인 컴퓨터 시스템(1100)은 하나 이상의 프로세서(중앙 처리 유닛, 또는(CPU)라고도 불림), 예컨대 프로세서(1104)를 포함할 수 있다. 프로세서(1104)는 통신 기반구조(1106)(예를 들어, 버스)에 연결된다. 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)은 사용자 입력/출력 인터페이스(들)(1102)를 통하여 통신 기반구조(1106)와 통신하는 모니터, 키보드, 포인팅 디바이스 등과 같은 사용자 입력/출력 디바이스(들)(1103)를 더 포함할 수 있다. 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)은 메인 메모리(1108)(예를 들어, 하나 이상의 일차 저장 디바이스), 예컨대 랜덤 액세스 메모리(RAM)를 더 포함할 수 있다. 메인 메모리(1108)는 하나 이상의 레벨의 캐시를 포함할 수 있다. 메인 메모리(1108)는 그 안에 제어 로직(예를 들어, 컴퓨터 소프트웨어) 및/또는 데이터를 저장했다.

예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)은 이차 메모리(1110)(예를 들어, 하나 이상의 이차 저장 디바이스)를 더 포함할 수 있다. 이차 메모리(1110)는, 예를 들어 하드 디스크 드라이브(1112) 및/또는 착탈식 저장 드라이브(1114)를 포함할 수 있다. 착탈식 저장 드라이브(1114)는 플로피 디스크 드라이브, 자기 테이프 드라이브, 콤팩트 디스크 드라이브, 광학 저장 디바이스, 테이프 백업 디바이스, 및/또는 임의의 다른 저장 디바이스/드라이브일 수 있다.

착탈식 저장 드라이브(1114)는 착탈식 저장 유닛(1118)과 상호작용할 수 있다. 착탈식 저장 유닛(1118)은 컴퓨터 소프트웨어(제어 로직) 및/또는 데이터를 저장하고 있는 컴퓨터에 의해 사용가능하거나 판독가능한 저장 디바이스를 포함한다. 착탈식 저장 유닛(1118)은 플로피 디스크, 자기 테이프, 콤팩트 디스크, DVD, 광학 저장 디스크, 및/또는 임의의 다른 컴퓨터 데이터 저장 디바이스일 수 있다. 착탈식 저장 드라이브(1114)는 착탈식 저장 유닛(1118)로부터 독출 및/또는 기록한다.

일부 양태에 따르면, 이차 메모리(1110)는 컴퓨터 프로그램 및/또는 다른 명령 및/또는 데이터가 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)에 의해서 액세스될 수 있게 하는 다른 수단, 기구 또는 다른 접근법을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 수단, 기구 또는 다른 접근법은 착탈식 저장 유닛(1122) 및 인터페이스(1120)를 포함할 수 있다. 착탈식 저장 유닛(1122) 및 인터페이스(1120)의 예는 프로그램 카트리지 및 카트리지 인터페이스(예컨대 비디오 게임 디바이스 내에서 발견되는 것), 착탈식 메모리 칩(예컨대 EPROM 또는 PROM) 및 연관된 소켓, 메모리 스틱 및 USB 포트, 메모리 카드 및 연관된 메모리 카드 슬롯, 및/또는 임의의 다른 착탈식 저장 유닛 및 연관된 인터페이스를 포함할 수 있다.

예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)은 통신 인터페이스(1124)(예를 들어, 하나 이상의 네트워크 인터페이스)를 더 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(1124)는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)이 원격 디바이스, 원격 네트워크, 원격 엔티티 등의 임의의 조합(개별적으로 및 총괄하여 원격 디바이스(1128)라고 불림)과 통신 및 상호작용할 수 있게 한다. 예를 들어, 통신 인터페이스(1124)는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)이 통신 경로(1126)를 거쳐서 원격 디바이스(1128)와 통신할 수 있게 할 수 있고, 이것은 유선 및/또는 무선일 수 있으며, LAN, WAN, 인터넷 등의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 제어 로직, 데이터, 또는 양자 모두는, 예를 들어 통신 경로(1126)를 거쳐서 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)으로 송수신될 수 있다.

본 발명의 앞선 양태들에서의 동작은 매우 다양한 구성 및 아키텍처로 구현될 수 있다. 그러므로, 앞선 양태들 내의 동작들 중 일부 또는 전부는 하드웨어, 소프트웨어 또는 양자 모두로 수행될 수 있다. 일부 양태들에서, 유형의(tangible), 비-일시적 장치 또는 제조물은 저장된 제어 로직(소프트웨어)을 가지고 본 명세서에서 컴퓨터 프로그램 제품 또는 프로그램 저장 디바이스라고 불리는 유형의 비-일시적 컴퓨터 사용가능 또는 판독가능 매체를 포함한다. 이것은 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100), 메인 메모리(1108), 이차 메모리(1110) 및 착탈식 저장 유닛(1118 및 1122), 및 이들 중 임의의 것의 조합을 구현하는 제조물을 포함하지만 이들로 제한되는 것은 아니다. 이러한 제어 로직은 하나 이상의 데이터 처리 디바이스(예컨대, 예시적인 컴퓨팅 시스템(1100)에 의하여 실행되면, 이러한 데이터 처리 디바이스가 본 명세서에서 설명된 바와 같이 동작하게 한다.

본 명세서에 포함된 교시 내용에 기반하여, 본 발명의 양태들을 도 9에 도시되는 것 이외의 데이터 처리 디바이스, 컴퓨터 시스템 및/또는 컴퓨터 아키텍처를 사용하여 어떻게 생산하고 사용하는지가 당업자에게는 명백할 것이다. 특히, 본 발명의 양태들은 본 명세서에서 설명되는 것들 이외의 소프트웨어, 하드웨어, 및/또는 운영 체제 구현형태를 가지고 동작할 수 있다.

비록 본문에서(IC)의 제조에서 리소그래피 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, LCD, 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 기판은, 예를 들어 트랙 유닛(통상적으로 레지스트 층을 기판에 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 유닛 및/또는 검사 유닛에서, 노광 전 또는 노광 후에 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 발명은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.

본 명세서에서 구문 또는 어휘는 설명의 목적을 위한 것이고 한정하기 위한 것이 아니며, 따라서 본 명세서의 용어 또는 구문은 본 명세서에서의 교시 내용을 고려하여 당업자(들)에 의하여 해석되어야 한다는 것이 이해되어야 한다.

본 명세서에서 사용될 때 "기판"이라는 용어는 재료 층이 그 위에 추가되는 재료를 기술한다. 일부 양태들에서, 기판 자체는 패터닝될 수 있고, 그 위에 추가된 재료도 역시 패터닝될 수 있거나, 패터닝이 없이 남겨질 수 있다.

본 명세서에서 개시된 예들은 예시적이고, 본 발명의 구현형태들을 한정하지 않는다. 당업계에서 보통 만나게 되고 당업자에게 명백하게 이해될 다양한 조건 및 파라미터의 다른 적절한 변형 및 적응은 본 발명의 사상 및 범위 안에 속한다.

비록 본 발명의 특정한 양태들이 위에서 설명되었지만, 이러한 양태들이 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 상세한 설명은 본 발명의 구현형태들을 한정하려고 의도되지 않는다.

배경 기술, 발명의 내용 및 요약서 섹션이 아니라 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 섹션이 청구항을 해석하기 위하여 사용되도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다. 발명의 내용 및 요약서는 발명자(들)에 의하여 고찰되는 바와 같은 하나 이상의 그러나 전부가 아닌 예시적인 실시형태들을 진술할 수도 있으며, 따라서 어떠한 경우에도 이러한 실시형태 및 첨부된 청구항을 한정하는 것으로 의도되지 않는다.

본 발명의 일부 양태들은 특정 기능부 및 이들의 관계에 대한 구현을 예시하는 기능적 구성 블록들을 이용하여 위에서 설명되었다. 이들 기능적 구성 블록들의 경계는 설명의 편의를 위해 본 명세서 내에서 임의적으로 정해진 것이다. 특정된 기능 및 이들의 관련성이 적절하게 수행되는 한 대안적 경계들이 정의될 수 있다.

본 발명의 특정 양태들에 대한 전술한 설명은 이러한 양태들의 전반적인 특성을 완전하게 보여주어, 당해 기술 분야에 익숙한 사람이 갖고 있는 지식을 적용함으로써 본 발명의 전반적인 개념으로부터 벗어나지 않고서도 불필요한 실험 없이 이러한 구체적인 양태들에 대한 다양한 응용을 용이하게 수정 및/또는 적응시킬 수 있을 것이다. 따라서, 이러한 수정 및 적응은 본 명세서에 제공된 교시 및 지침을 기반으로 하는 개시된 양태들의 균등물의 범위 내에 있도록 의도된다.

본 발명의 양태들은 다음 절에 진술된다.

1. 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하고, 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성된 레벨 감지 제어기; 및

상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성된 제 2 레벨 감지 디바이스를 포함하고,

상기 제 1 구역은, 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함하며,

상기 제 2 구역은 상기 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하는, 시스템.

2. 제 1 절에 있어서,

상기 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 데이터를 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하도록 구성된, 시스템.

3. 제 2 절에 있어서,

상기 디자인 레이아웃 데이터는 그래픽 데이터 시스템(Graphic Data System;(GDS)) 데이터 파일을 포함하는, 시스템.

4. 제 1 절에 있어서,

상기 시스템은 제 1 레벨 감지 디바이스를 더 포함하고,

상기 제 1 레벨 감지 디바이스는 상기 제 1 레벨 데이터를 생성하고 상기 제 1 레벨 데이터를 송신하도록 구성되며,

상기 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 감지 디바이스로부터 상기 제 1 레벨 데이터를 수신하도록 구성된, 시스템.

5. 제 4 절에 있어서,

상기 제 1 레벨 감지 디바이스는 제 1 분해능에서 상기 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성되고,

상기 제 2 레벨 감지 디바이스는 제 2 분해능에서 상기 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성되며,

상기 제 2 분해능은 상기 제 1 분해능보다 높은, 시스템.

6. 제 4 절에 있어서,

상기 제 1 레벨 감지 디바이스는 가시광 스펙트럼 센서를 포함하고,

상기 제 2 레벨 감지 디바이스는 자외선 스펙트럼 센서를 포함하는, 시스템.

7. 제 1 절에 있어서,

상기 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 하위구역에 대한 제 1 가중치 및 상기 제 2 하위구역에 대한 제 2 가중치의 적용에 기반하여 상기 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성된, 시스템.

8. 제 7 절에 있어서,

상기 제 1 가중치는 대략적으로 1이고,

상기 제 2 가중치는 대략적으로 0인, 시스템.

9. 제 1 절에 있어서,

상기 레벨 감지 제어기는, 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 제 1 토포그래픽 맵 데이터를 생성하고, 상기 제 2 레벨 데이터에 기반하여 제 2 토포그래픽 맵 데이터를 생성하도록 구성되고,

상기 제 2 토포그래픽 맵 데이터는 상기 제 1 토포그래픽 맵 데이터와 다른, 시스템.

10. 제 1 절에 있어서,

상기 레벨 감지 제어기는 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 서보 제어 신호를 생성하도록 구성되고,

상기 서보 제어 신호는 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에게, 대략적으로 제 3 표면 레벨에서 상기 기판의 토포그래피를 추종하고, 측정 프로세스 동안에 상기 제 3 표면 레벨을 상기 제 2 레벨 감지 디바이스의 측정 범위 내로 유지하게끔 명령하도록 구성된, 시스템.

11. 제 10 절에 있어서,

상기 서보 제어 신호는 서보 높이 목표를 수정하게끔 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에게 명령하도록 구성된, 시스템.

12. 제 11 절에 있어서,

상기 서보 제어 신호는, 상기 서보 높이 목표를 상기 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이가 되도록 수정하게끔 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에게 명령하도록 구성된, 시스템.

13. 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하고, 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성된 레벨 감지 제어기; 및

상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성된 제 2 레벨 감지 디바이스를 포함하고,

상기 제 1 구역은, 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함하며,

상기 제 2 구역은 상기 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하는, 장치.

14. 레벨 감지 제어기에 의하여, 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하는 단계 - 상기 제 1 구역은 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함함 -;

상기 레벨 감지 제어기에 의하여 그리고 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여, 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 단계; 및

제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여, 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하는 단계를 포함하고,

상기 제 2 구역은, 상기 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하는, 방법.

15. 제 14 절에 있어서,

상기 방법은,

상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 제 1 레벨 데이터를 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하는 단계를 더 포함하는, 방법.

16. 제 14 절에 있어서,

상기 방법은,

상기 제 1 레벨 감지 디바이스에 의하여, 상기 제 1 레벨 데이터를 생성하는 단계를 더 포함하는, 방법.

17. 제 14 절에 있어서,

상기 방법은,

상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 제 1 하위구역에 대한 제 1 가중치 및 상기 제 2 하위구역에 대한 제 2 가중치의 적용에 기반하여 상기 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 단계를 더 포함하는, 방법.

18. 제 14 절에 있어서,

상기 방법은,

상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 제 1 토포그래픽 맵 데이터를 생성하는 단계; 및

상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 제 2 레벨 데이터에 기반하여 제 2 토포그래픽 맵 데이터를 생성하는 단계를 더 포함하고,

상기 여기에서 제 2 토포그래픽 맵 데이터는 상기 제 1 토포그래픽 맵 데이터와 다른, 방법.

19. 제 14 절에 있어서,

상기 방법은,

상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 서보 제어 신호를 생성하는 단계;

상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 대략적으로 제 3 표면 레벨에서 기판의 토포그래피를 추종하는 단계; 및

상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 측정 프로세스 동안에 상기 제 3 표면 레벨을 측정 범위 내로 유지하는 단계를 더 포함하는, 방법.

20. 제 19 절에 있어서,

상기 방법은,

상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 서보 높이 목표를 상기 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이로 수정하는 단계를 더 포함하는, 방법.

본 발명의 적용 범위 및 범위는 전술한 예시적인 양태 또는 실시형태의 어떠한 것에 의해서도 한정되어서는 안 되며, 후속하는 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.

Claims (15)

1. 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하고, 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성된 레벨 감지 제어기; 및
   상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성된 제 2 레벨 감지 디바이스를 포함하고,
   상기 제 1 구역은, 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함하며,
   상기 제 2 구역은 상기 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하는, 시스템.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 데이터를 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하도록 구성된, 시스템.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 디자인 레이아웃 데이터는 그래픽 데이터 시스템(Graphic Data System; GDS) 데이터 파일을 포함하는, 시스템.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 시스템은 제 1 레벨 감지 디바이스를 더 포함하고,
   상기 제 1 레벨 감지 디바이스는 상기 제 1 레벨 데이터를 생성하고 상기 제 1 레벨 데이터를 송신하도록 구성되며,
   상기 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 레벨 감지 디바이스로부터 상기 제 1 레벨 데이터를 수신하도록 구성된, 시스템.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 제 1 레벨 감지 디바이스는 제 1 분해능에서 상기 제 1 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성되고,
   상기 제 2 레벨 감지 디바이스는 제 2 분해능에서 상기 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 더 구성되며,
   상기 제 2 분해능은 상기 제 1 분해능보다 높은, 시스템.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 레벨 감지 제어기는 상기 제 1 하위구역에 대한 제 1 가중치 및 상기 제 2 하위구역에 대한 제 2 가중치의 적용에 기반하여 상기 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성된, 시스템.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 레벨 감지 제어기는 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 서보 제어 신호를 생성하도록 구성되고,
   상기 서보 제어 신호는 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에게, 대략적으로 제 3 표면 레벨에서 상기 기판의 토포그래피를 추종하고, 측정 프로세스 동안에 상기 제 3 표면 레벨을 상기 제 2 레벨 감지 디바이스의 측정 범위 내로 유지하게끔 명령하도록 구성된, 시스템.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 서보 제어 신호는 서보 높이 목표를 수정하게끔 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에게 명령하도록 구성된, 시스템.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 서보 제어 신호는, 상기 서보 높이 목표를 상기 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이가 되도록 수정하게끔 상기 제 2 레벨 감지 디바이스에게 명령하도록 구성된, 시스템.
10. 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하고, 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여 측정 제어 맵 데이터를 생성하도록 구성된 레벨 감지 제어기; 및
    상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하도록 구성된 제 2 레벨 감지 디바이스를 포함하고,
    상기 제 1 구역은, 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함하며,
    상기 제 2 구역은 상기 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하는, 장치.
11. 레벨 감지 제어기에 의하여, 기판의 제 1 구역에 대한 제 1 레벨 데이터를 수신하는 단계 - 상기 제 1 구역은 제 1 표면 레벨을 가지는 제 1 하위구역 및 제 2 표면 레벨을 가지는 제 2 하위구역을 포함함 -;
    상기 레벨 감지 제어기에 의하여 그리고 상기 제 1 레벨 데이터에 기반하여, 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 단계; 및
    제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여, 기판의 제 2 구역에 대한 제 2 레벨 데이터를 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 제 2 구역은, 상기 제 1 표면 레벨과 대략적으로 동일한 제 3 표면 레벨을 각각 가지는 복수 개의 제 3 하위구역을 포함하는, 방법.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 제 1 레벨 데이터를 포함하는 디자인 레이아웃 데이터를 수신하는 단계를 더 포함하는, 방법.
13. 제 11 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 제 1 하위구역에 대한 제 1 가중치 및 상기 제 2 하위구역에 대한 제 2 가중치의 적용에 기반하여 상기 측정 제어 맵 데이터를 생성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
14. 제 11 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 레벨 감지 제어기에 의하여, 상기 측정 제어 맵 데이터에 기반하여 서보 제어 신호를 생성하는 단계;
    상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 대략적으로 제 3 표면 레벨에서 기판의 토포그래피를 추종하는 단계; 및
    상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 측정 프로세스 동안에 상기 제 3 표면 레벨을 측정 범위 내로 유지하는 단계를 더 포함하는, 방법.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 제 2 레벨 감지 디바이스에 의하여 그리고 상기 서보 제어 신호에 기반하여, 서보 높이 목표를 상기 제 1 표면 레벨과 상기 제 2 표면 레벨 사이로 수정하는 단계를 더 포함하는, 방법.

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