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KR20220144763A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20220144763A
KR20220144763A KR1020220043469A KR20220043469A KR20220144763A KR 20220144763 A KR20220144763 A KR 20220144763A KR 1020220043469 A KR1020220043469 A KR 1020220043469A KR 20220043469 A KR20220043469 A KR 20220043469A KR 20220144763 A KR20220144763 A KR 20220144763A
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pressure
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supply line
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KR1020220043469A
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히로키 사쿠라이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은, 안정된 프로세스 성능으로 기판을 처리할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 유지부와, 액토출부와, 제1 공급부와, 제2 공급부와, 각 부를 제어하는 제어부를 구비한다. 액토출부는, 유지부에 유지되는 기판에 처리액을 토출한다. 제1 공급부는, 액토출부에 처리액을 공급한다. 제2 공급부는, 액토출부에 수증기를 공급한다. 제2 공급부는, 수증기를 발생시키는 수증기 발생기와, 공급 라인과, 안정 기구와, 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 측정하는 압력계와, 압력 조정 기구를 갖는다. 공급 라인은, 수증기 발생기로부터의 수증기를 액토출부에 공급한다. 안정 기구는, 수증기 발생기로부터 공급 라인에 공급되는 수증기의 양을 안정시킨다. 압력 조정 기구는, 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 조정한다. 제어부는, 압력계로 측정되는 수증기의 압력이 미리 설정된 압력이 되도록 압력 조정 기구를 제어한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
개시된 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판 상에 형성된 레지스트막을, SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture) 처리로 제거하는 기술이 알려져 있다. 이러한 SPM 처리는, 황산과 과산화수소수를 혼합하여 생성한 SPM액을, 기판 상의 레지스트막에 공급함으로써 행해진다(특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2014-27245호 공보
본 개시는, 안정된 프로세스 성능으로 기판을 처리할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 액토출부와, 제1 공급부와, 제2 공급부와, 제어부를 구비한다. 유지부는, 기판을 유지한다. 액토출부는, 상기 유지부에 유지되는 상기 기판에 처리액을 토출한다. 제1 공급부는, 상기 액토출부에 처리액을 공급한다. 제2 공급부는, 상기 액토출부에 수증기를 공급한다. 제어부는, 각 부를 제어한다. 또한, 상기 제2 공급부는, 수증기 발생기와, 공급 라인과, 안정 기구와, 압력계와, 압력 조정 기구를 갖는다. 수증기 발생기는, 수증기를 발생시킨다. 공급 라인은, 상기 수증기 발생기로부터의 수증기를 상기 액토출부에 공급한다. 안정 기구는, 상기 수증기 발생기로부터 상기 공급 라인에 공급되는 수증기의 양을 안정시킨다. 압력계는, 상기 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 측정한다. 압력 조정 기구는, 상기 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 조정한다. 또한, 상기 제어부는, 상기 압력계로 측정되는 수증기의 압력이 미리 설정된 압력이 되도록 상기 압력 조정 기구를 제어한다.
본 개시에 따르면, 안정된 프로세스 성능으로 기판을 처리할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 처리 유닛의 구성예를 나타낸 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 수증기 공급부의 구성예를 나타낸 모식도이다.
도 4는 실시형태에 따른 노즐의 구성예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 실시형태에 따른 기판 처리의 일 공정을 나타낸 모식도이다.
도 6은 실시형태에 따른 기판 처리의 일 공정을 나타낸 모식도이다.
도 7은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 기판 처리의 절차를 나타낸 흐름도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타낸 각 실시형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 다른 경우가 있다는 것에 유의해야 한다. 또한, 도면의 상호간에 있어서도, 서로의 치수 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판 상에 형성된 레지스트막을, SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture) 처리로 제거하는 기술이 알려져 있다. 이러한 SPM 처리는, 황산과 과산화수소수를 혼합하여 생성한 SPM액을, 기판 상의 레지스트막에 공급함으로써 행해진다.
또한, 종래 기술에서는, SPM액과 함께 고온의 수증기를 기판에 토출하고, 고온 환경 하에서 SPM 처리를 행함으로써, 효율적으로 SPM 처리를 행하는 기술이 개시되어 있다.
그러나, 전술한 종래 기술에서는, 수증기의 토출 유량에 따라 처리액의 온도가 변화하는 한편, 수증기의 토출 유량을 직접 측정하기 어렵기 때문에, 처리액의 온도를 안정화시키기 어려웠다. 이에 따라, 종래 기술에서는, 안정된 프로세스 성능을 얻기 어려웠다.
그래서, 전술한 문제점을 극복하고, 안정된 프로세스 성능으로 기판을 처리할 수 있는 기술이 기대되고 있다.
<기판 처리 시스템의 개요>
처음에, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타낸 도면이다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 기판 처리 장치의 일례이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는 복수 장의 기판, 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(W)[이하, 웨이퍼(W)라 호칭함]를 수평 상태에서 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동과 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 처리 유닛(16)은, 기판 처리부의 일례이다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동과 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 기판 처리를 행한다. 이러한 처리 유닛(16)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 꺼내져 처리 유닛(16)으로 반입된다.
처리 유닛(16)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리를 완료한 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 되돌아간다.
<처리 유닛의 구성>
다음에, 처리 유닛(16)의 구성에 대해서, 도 2∼도 4를 참조하면서 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성예를 나타낸 모식도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 액처리부(30)와, 액공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 액처리부(30)와, 액공급부(40)와, 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는 FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
액처리부(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비하고, 배치된 웨이퍼(W)에 액처리를 행한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다.
이러한 액처리부(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
액처리부(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(31a)가 마련된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(31a)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태에서 수평 유지된다. 또한, 웨이퍼(W)는, 기판 처리가 행해지는 표면을 위쪽으로 향하게 한 상태에서 유지부(31)에 유지된다.
액공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급한다. 액공급부(40)는, 노즐(41a, 41b)과, 이러한 노즐(41a, 41b)을 각각 수평으로 지지하는 아암(42a, 42b)과, 아암(42a, 42b)을 각각 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43a, 43b)를 구비한다. 노즐(41a)은, 액토출부의 일례이다.
노즐(41a)은, 예컨대 바 노즐이며, SPM액 공급로(47)를 통해 SPM액 공급부(44)에 접속됨과 더불어, 수증기 공급로(48)를 통해 수증기 공급부(45)에 접속된다. SPM액 공급부(44)는, 제1 공급부의 일례이고, 수증기 공급부(45)는, 제2 공급부의 일례이며, 수증기 공급로(48)는, 공급 라인의 일례이다.
SPM액 공급부(44)로부터 공급되는 SPM액은 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)를 주어진 비율(예컨대, H2SO4:H2O2=10:1)로 혼합하여 생성되는 약액이다. SPM액은 예컨대, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 레지스트막의 제거 처리에 이용된다.
SPM액 공급부(44)는, 황산 공급원(44a)과, 밸브(44b)와, 유량 조정기(44c)와, 과수 공급원(44d)과, 밸브(44e)와, 유량 조정기(44f)와, 합류부(44g)를 갖는다.
황산 공급원(44a)은, 주어진 온도(예컨대, 120℃)로 유지된 황산을, 밸브(44b) 및 유량 조정기(44c)를 통해 합류부(44g)에 공급한다. 유량 조정기(44c)는, 합류부(44g)에 공급되는 황산의 유량을 조정한다.
과수 공급원(44d)은, 과산화수소수를 밸브(44e) 및 유량 조정기(44f)를 통해 합류부(44g)에 공급한다. 유량 조정기(44f)는, 합류부(44g)에 공급되는 과산화수소수의 유량을 조정한다. 또한, 합류부(44g)는, SPM액 공급로(47)에 접속된다.
그리고, 황산과 과산화수소수를 합류부(44g)에서 혼합하여 생성되는 SPM액은, SPM액 공급로(47)를 통해 노즐(41a)에 공급된다. 또한, SPM액은 황산과 과산화 수소수가 혼합될 때에 발열되기 때문에, 노즐(41a)에 도달하는 시점에서는 황산의 온도보다 높은 온도(예컨대, 140℃)로 승온된다.
수증기 공급부(45)는, 노즐(41a)에 수증기를 공급한다. 도 3은 실시형태에 따른 수증기 공급부(45)의 구성예를 나타낸 모식도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 수증기 공급부(45)는, 수증기 공급로(48)와, 수증기 발생기(101)와, 분기부(102)와, 필터(103)와, 니들 밸브(104)와, 압력계(105)와, 분기부(106)와, 밸브(107)를 갖는다. 니들 밸브(104)는 압력 조정 기구의 일례이며, 밸브(107)는 제1 개폐 밸브의 일례이다.
수증기 발생기(101)는, 예컨대, DIW를 기화시킴으로써, 수증기를 발생시킨다. 수증기 공급로(48)는, 수증기 발생기(101)와 노즐(41a)(도 2 참조) 사이에 접속되고, 수증기 발생기(101)에서 발생시킨 수증기를 노즐(41a)에 공급한다.
수증기 공급로(48)에는, 분기부(102), 필터(103), 니들 밸브(104), 압력계(105), 분기부(106) 및 밸브(107)가 상류측에서부터 이 순서로 마련된다. 분기부(102)로부터는, 제1 분기 라인(111)이 분기된다. 이러한 제1 분기 라인(111)은, 드레인부(DR)에 접속된다. 또한, 제1 분기 라인(111)에는 배압 밸브(112)가 마련된다.
배압 밸브(112)는, 수증기 공급로(48)의 분기부(102)를 흐르는 수증기의 압력이 주어진 압력(예컨대, 0.1 MPa)에 도달했을 때에 밸브 개도를 조정하여, 분기부(102)를 흐르는 수증기의 압력이 이러한 주어진 압력보다 커지는 것을 억제한다.
즉, 실시형태에서는, 제1 분기 라인(111) 및 배압 밸브(112)이, 수증기 발생기(101)로부터 수증기 공급로(48)로 공급되는 수증기의 양을 안정시키는 안정 기구(110)로서 기능한다.
필터(103)는, 수증기 공급로(48)를 흐르는 수증기에 포함되는 파티클 등의 오염물질을 제거한다. 니들 밸브(104)는, 제어부(18)(도 1 참조)로부터의 제어 신호에 기초하여, 밸브 개도를 조정한다. 압력계(105)는, 수증기 공급로(48)를 흐르는 수증기의 압력을 측정한다.
분기부(106)로부터는, 제2 분기 라인(113)이 분기된다. 이러한 제2 분기 라인(113)은, 드레인부(DR)에 접속된다. 또한, 제2 분기 라인(113)에는, 밸브(114)가 마련된다. 밸브(114)는 제2 개폐 밸브의 일례이다.
도 4는 실시형태에 따른 노즐(41a)의 구성예를 나타낸 단면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐(41a)의 내부에는, 예컨대, 1개의 SPM액 공급로(47)와, 2개의 수증기 공급로(48)가 노즐(41a)의 길이 방향을 따라 나란히 삽입 관통된다.
또한, 노즐(41a)의 하면에 형성되는 토출구(61)와 SPM액 공급로(47) 사이에는, 토출로(62)가 접속되고, 토출구(61)와 수증기 공급로(48) 사이에는, 토출로(63)가 접속된다. 즉, 노즐(41a)의 토출구(61)에는, 토출로(62)를 통해 SPM액이 공급됨과 더불어, 토출로(63)를 통해 수증기가 공급된다.
그리고, 실시형태에 따른 노즐(41a)에서는, SPM액과 수증기를 토출구(61)에서 혼합하여, 혼합 유체가 생성된다. 즉, 본 개시에서는, 혼합 유체는, SPM액과 수증기가 노즐(41a)로부터 토출되고 나서 웨이퍼(W)에 도달할 때까지 혼합되어 생성된다. 또한, 토출구(61)는, 노즐(41a)의 길이 방향을 따라 복수 나란히 배치된다.
이에 따라, 실시형태에 관계된 노즐(41a)은, SPM액과 수증기를 혼합하여 생성되는 혼합 유체를, 복수의 토출구(61)로부터 웨이퍼(W)에 토출할 수 있다. 또한, 이 혼합 유체에서는, 수증기에 의해 SPM액이 더 승온된다(예컨대, 160℃∼180℃).
따라서, 실시형태에 따르면, SPM액이 승온된 혼합 유체로 웨이퍼(W)의 표면을 처리함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 레지스트막을 효율적으로 제거할 수 있다.
도 2의 설명으로 되돌아간다. 노즐(41b)은, 린스액 공급부(46)에 접속된다. 린스액 공급부(46)로부터 공급되는 린스액은, 예컨대, 린스 처리에 이용된다. 실시형태에 따른 린스액은, 예컨대, 과산화수소수, DIW, 오존수 및 희석 암모니아수 등이다.
린스액 공급부(46)는, 린스액 공급원(46a)과, 밸브(46b)와, 유량 조정기(46c)를 갖는다. 린스액 공급원(46a)은, 린스액을 노즐(41b)에 공급한다. 유량 조정기(46c)는, 밸브(46b)를 통해 노즐(41b)에 공급되는 린스액의 유량을 조정한다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다.
또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
<기판 처리의 상세>
계속해서, 실시형태에 따른 기판 처리의 상세한 내용에 대해서 도 5 및 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 5는 실시형태에 따른 기판 처리의 일 공정을 나타낸 모식도이다.
우선, 제어부(18)(도 1 참조)는, 웨이퍼(W)(도 2 참조)를 처리 유닛(16)(도 2 참조)으로 처리하지 않은(처리하기 전의) 대기 상태에 있어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 밸브(107)를 폐쇄 상태로 제어함과 더불어, 밸브(114)를 개방 상태로 제어한다. 또한, 이후의 도면에서는, 개방 상태의 밸브에 「O」이라고 기재하고, 폐쇄 상태의 밸브에 「C」라고 기재한다.
이에 따라, 수증기 발생기(101)에서 발생하는 수증기가, 굵은 파선으로 나타낸 바와 같이, 분기부(102), 필터(103), 니들 밸브(104), 압력계(105), 분기부(106), 제2 분기 라인(113) 및 밸브(114)를 통해 드레인부(DR)로 배출된다.
또한, 수증기 발생기(101)에서 발생하는 수증기의 압력이 주어진 압력보다 높은 경우, 배압 밸브(112)가 개방 상태가 된다. 이에 따라, 수증기 발생기(101)에서 발생하는 수증기가, 굵은 일점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 분기부(102), 제1 분기 라인(111) 및 배압 밸브(112)를 통해 드레인부(DR)로 배출된다.
또한, 이 대기 상태에 있어서, 제어부(18)는, 기억부(19)(도 1 참조)로부터, 주어진 상관 관계에 관한 정보(이하, 「상관 관계 정보」라고도 호칭함)를 독출한다. 이러한 상관 관계 정보란, 노즐(41a)(도 2 참조)로부터 토출되는 SPM액 및 수증기의 혼합 유체의 온도와, 압력계(105)로 측정되는 수증기 공급로(48) 내의 수증기의 압력과의 상관 관계에 관한 정보이다.
이 상관 관계 정보는, 예컨대, 노즐(41a)로부터 토출되는 혼합 유체의 온도와, 압력계(105)로 측정되는 압력과의 상관 관계로부터 구하는 연산식과 같은 형태로 기억부(19)에 기억된다.
이 상관 관계 정보는, 예컨대, 이하의 수법으로 작성할 수 있다. 우선, 노즐(41a)로부터 SPM액 및 수증기의 혼합 유체가 토출될 때의 혼합 유체의 온도를 IR 센서 등으로 측정한다.
또한, 이러한 혼합 유체의 온도 측정 처리에서는, 일정 시간 이상 계속해서 혼합 유체를 토출하고, 노즐(41a)이 충분히 승온하여 혼합 유체의 온도가 정상에 도달했을 때의 온도를 측정값으로서 이용하면 좋다.
다음에, 측정된 혼합 유체의 온도와, 이러한 온도가 측정되었을 때에 압력계(105)로 측정된 수증기의 압력과의 관계를 X-Y 평면 상에 플롯한다. 그리고, 이 X-Y 평면 상의 복수의 플롯에 기초하여 연산식을 도출하고, 도출된 연산식을 상관 관계 정보로서 기억부(19)에 기억시킨다.
또한, 실시형태에 따른 상관 관계 정보는, 연산식에 한정되지 않고, 예컨대, 노즐(41a)로부터 토출되는 혼합 유체의 온도와, 압력계(105)로 측정되는 수증기의 압력과의 상관 관계가 기록된 테이블이어도 좋다.
또한, 제어부(18)는, 여기까지 설명한 상관 관계 정보와 함께, 다음에 처리할 예정인 웨이퍼(W)의 처리에 관한 레시피 정보로부터, 혼합 유체의 원하는 토출 온도에 관한 정보(이하, 「토출 온도 정보」라고 호칭함)를 독출한다.
그리고, 제어부(18)는, 이러한 토출 온도 정보를 입력 파라미터로 하여, 상관 관계 정보를 참조함으로써, 토출 온도 정보에 대응하는 압력계(105)에 의한 압력값을 도출한다. 또한, 제어부(18)는, 도출된 압력값을 수증기 공급로(48) 내의 수증기의 압력값으로서 설정한다.
여기까지 설명한 바와 같이, 실시형태에서는, 제어부(18)가, 기억부(19)에 미리 기억되어 있는 상관 관계 정보와, 레시피 정보에 포함되는 토출 온도 정보에 기초하여, 수증기 공급로(48) 내의 수증기의 압력값을 설정한다.
계속해서, 제어부(18)는, 다음에 처리할 웨이퍼(W)를 처리 유닛(16) 내로 반송하고, 유지부(31)(도 2 참조)로 유지한다. 또한, 제어부(18)는, 노즐(41a)을 웨이퍼(W)의 위쪽에 배치한다.
그리고, 제어부(18)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 밸브(107)를 개방 상태로 제어함과 더불어, 밸브(114)를 폐쇄 상태로 제어한다. 그렇게 하면, 수증기 발생기(101)에서 발생한 수증기가, 굵은 파선으로 나타낸 바와 같이, 분기부(102), 필터(103), 니들 밸브(104), 압력계(105), 분기부(106) 및 밸브(107)를 통해 노즐(41a)에 공급된다.
또한, 제어부(18)는, 노즐(41a)에 수증기를 공급하는 처리와 병행하여, SPM액 공급부(44)(도 2 참조)를 제어하고, 노즐(41a)에 SPM액을 공급한다. 이에 따라, 제어부(18)는, 노즐(41a)로부터 SPM액 및 수증기의 혼합 유체를 웨이퍼(W)에 토출할 수 있다.
여기서, 실시형태에서는, 제어부(18)가, 웨이퍼(W)에 대한 혼합 유체의 토출 처리와 병행하여, 압력계(105)로 측정되는 압력값이 상기에서 설정된 압력값이 되도록, 니들 밸브(104)의 밸브 개도를 피드백 제어한다.
이에 따라, 원하는 토출 온도에 대응하는 압력값으로 수증기 공급로(48) 내를 유지할 수 있기 때문에, 노즐(41a)로부터 토출되는 혼합 유체의 토출 온도를, 레시피 정보에 포함되는 원하는 토출 온도가 되도록 제어할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 안정된 프로세스 성능으로 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 수증기 공급로(48) 내의 압력의 피드백 제어를 행하는 니들 밸브(104) 및 압력계(105)의 상류측에 있어서, 수증기의 압력을 안정화시키는 안정 기구(110)가 마련되면 좋다.
이에 따라, 니들 밸브(104) 및 압력계(105)에 의한 피드백 제어를 안정되게 실시할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 더욱 안정된 프로세스 성능으로 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 안정 기구(110)가, 제1 분기 라인(111) 및 배압 밸브(112)로 구성되면 좋다. 이에 따라, 간편한 구성으로 수증기 공급로(48) 내의 수증기의 압력을 안정화시킬 수 있기 때문에, 기판 처리 시스템(1)의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 제어부(18)가, 연산식인 상관 관계 정보를 이용하여 수증기 공급로(48) 내의 수증기의 압력값을 설정하면 좋다. 이에 따라, 간편한 처리로 수증기 공급로(48) 내의 수증기의 압력값을 설정할 수 있기 때문에, 제어부(18)의 처리 부하를 저감할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 도 5에 도시된 대기 상태에 있어서, 단순히 밸브(107)를 폐쇄 상태로 하는 것이 아니라, 제2 분기 라인(113) 및 밸브(114)를 이용하여, 대기 상태에 있어서도 수증기를 필터(103)나 니들 밸브(104)에 계속해서 흐르게 하면 좋다.
이에 따라, 필터(103)나 니들 밸브(104)를 토출 처리시와 동일한 온도로 계속해서 따뜻하게 할 수 있기 때문에, 전술한 피드백 제어를 안정되게 실시할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 더욱 안정된 프로세스 성능으로 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 수증기 공급부(45)로부터 공급되는 수증기를 SPM액과 혼합시킨 혼합 유체로 웨이퍼(W)를 처리하면 좋다. 즉, 실시형태에서는, 수증기를 혼합할 수 있는 기판 처리용 처리액이 SPM액이면 좋다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 형성되는 레지스트나, 웨이퍼(W)에 잔존하는 CMP(화학 기계 연마) 처리시의 슬러리를 양호하게 제거할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액은, SPM액에 한정되지 않고, 예컨대, SC-1(NH4OH와 H2O2의 혼합 수용액)이나 SC-2(HCl과 H2O2의 혼합 수용액), DHF(희불산) 등이어도 좋다.
또한, 실시형태에 따른 상관 관계 정보는, 처리 유닛(16)마다의 개별 상관 관계 정보가 기억부(19)에 기억되어 있어도 좋고, 기판 처리 시스템(1)에 마련되는 복수의 처리 유닛(16)에서 공통인 상관 관계 정보가 기억부(19)에 기억되어 있어도 좋다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치[기판 처리 시스템(1)]는, 유지부(31)와, 액토출부[노즐(41a)]와, 제1 공급부[SPM액 공급부(44)]와, 제2 공급부[수증기 공급부(45)]와, 제어부(18)를 구비한다. 유지부(31)는, 기판[웨이퍼(W)]을 유지한다. 액토출부[노즐(41a)]는, 유지부(31)에 유지되는 기판[웨이퍼(W)]에 처리액을 토출한다. 제1 공급부[SPM액 공급부(44)]는, 액토출부[노즐(41a)]에 처리액을 공급한다. 제2 공급부[수증기 공급부(45)]는, 액토출부[노즐(41a)]에 수증기를 공급한다. 제어부(18)는, 각 부를 제어한다. 또한, 제2 공급부[수증기 공급부(45)]는, 수증기 발생기(101)와, 공급 라인[수증기 공급로(48)]과, 안정 기구(110)와, 압력계(105)와, 압력 조정 기구[니들 밸브(104)]를 갖는다. 수증기 발생기(101)는, 수증기를 발생시킨다. 공급 라인[수증기 공급로(48)]은, 수증기 발생기(101)로부터의 수증기를 액토출부[노즐(41a)]에 공급한다. 안정 기구(110)는, 수증기 발생기(101)로부터 공급 라인[수증기 공급로(48)]에 공급되는 수증기의 양을 안정시킨다. 압력계(105)는, 공급 라인[수증기 공급로(48)]을 흐르는 수증기의 압력을 측정한다. 압력 조정 기구[니들 밸브(104)]는, 공급 라인[수증기 공급로(48)]을 흐르는 수증기의 압력을 조정한다. 또한, 제어부(18)는, 압력계(105)로 측정되는 수증기의 압력이 미리 설정된 압력이 되도록 압력 조정 기구[니들 밸브(104)]를 제어한다. 이에 따라, 안정된 프로세스 성능으로 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치[기판 처리 시스템(1)]에 있어서, 제어부(18)는, 미리 설정된 압력을, 액토출부[노즐(41a)]로부터 토출되는 처리액 및 수증기의 혼합 유체의 온도와 수증기의 압력과의 상관 관계에 기초하여 구한다. 이에 따라, 노즐(41a)로부터 토출되는 혼합 유체의 토출 온도를 정밀도 좋게 제어할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치[기판 처리 시스템(1)]에 있어서, 제어부(18)는, 미리 설정된 압력을, 상관 관계로부터 구해지는 연산식에 기초하여 산출한다. 이에 따라, 제어부(18)의 처리 부하를 저감할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치[기판 처리 시스템(1)]에 있어서, 안정 기구(110)는, 공급 라인[수증기 공급로(48)]으로부터 분기되는 제1 분기 라인(111)과, 제1 분기 라인(111)에 마련되는 배압 밸브(112)를 갖는다. 이에 따라, 기판 처리 시스템(1)의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치[기판 처리 시스템(1)]에 있어서, 제2 공급부[수증기 공급부(45)]는, 제1 개폐 밸브[밸브(107)]와, 제2 분기 라인(113)과, 제2 개폐 밸브[밸브(114)]를 더 갖는다. 제1 개폐 밸브[밸브(107)]는, 공급 라인[수증기 공급로(48)]에 있어서 압력계(105)보다 하류측에 마련된다. 제2 분기 라인(113)은, 공급 라인[수증기 공급로(48)]에 있어서의 압력계(105)와 제1 개폐 밸브[밸브(107)] 사이에서 분기된다. 제2 개폐 밸브[밸브(114)]는, 제2 분기 라인(113)에 마련된다. 또한, 제어부(18)는, 액토출부[노즐(41a)]에 수증기를 공급하지 않는 경우, 제1 개폐 밸브[밸브(107)]를 폐쇄함과 더불어 제2 개폐 밸브[밸브(114)]를 개방한다. 이에 따라, 더욱 안정된 프로세스 성능으로 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치[기판 처리 시스템(1)]에 있어서, 처리액은, 황산과 과산화수소의 혼합액(SPM액)이다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 형성되는 레지스트나, 웨이퍼(W)에 잔존하는 CMP 처리시의 슬러리를 양호하게 제거할 수 있다.
<기판 처리의 절차>
계속해서, 실시형태 및 각종 변형례에 따른 기판 처리의 절차에 대해서, 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 절차를 나타낸 흐름도이다.
처음에, 제어부(18)는, 처리 유닛(16) 등을 제어하여, 유지부(31)로 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 처리를 행한다(단계 S101). 그리고, 제어부(18)는, 기억부(19)에 미리 기억되어 있는 상관 관계 정보와, 다음에 처리할 웨이퍼(W)의 레시피 정보에 포함되는 토출 온도 정보에 기초하여, 수증기 공급로(48) 내의 수증기의 압력을 설정하는 압력 설정 처리를 행한다(단계 S102).
또한, 도 7의 예에서는, 웨이퍼(W)의 유지 처리(단계 S101) 후에 압력 설정 처리(단계 S102)를 실시하는 예에 대해서 나타내고 있지만, 본 개시는 이러한 예에 한정되지 않고, 유지 처리 전에 압력 설정 처리를 실시하여도 좋으며, 양쪽 처리를 병행하여 진행시켜도 좋다.
다음에, 제어부(18)는, SPM액 공급부(44) 및 수증기 공급부(45)를 제어하여, 노즐(41a)로부터 SPM액 및 수증기의 혼합 유체를 웨이퍼(W)에 토출하는 혼합 유체 토출 처리를 행한다(단계 S103).
또한, 제어부(18)는, 이러한 단계 S103의 처리와 병행하여, 압력계(105)로 측정되는 압력값이 앞의 압력 설정 처리에서 설정된 압력값이 되도록, 니들 밸브(104)의 밸브 개도를 피드백 제어하는 압력 제어 처리를 행한다(단계 S104).
다음에, 제어부(18)는, 린스액 공급부(46) 등을 제어하여, 린스액에 의한 웨이퍼(W)의 린스 처리를 실시한다(단계 S105). 그리고, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 건조 처리(예컨대, 스핀 건조)를 실시하고(단계 S106), 일련의 기판 처리가 완료된다.
실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 전술한 기판 처리 장치[기판 처리 시스템(1)]에 있어서, 압력 설정 공정(단계 S102)과, 압력 제어 공정(단계 S104)을 포함한다. 압력 설정 공정(단계 S102)은, 원하는 토출 온도에 기초하여 공급 라인[수증기 공급로(48)] 내의 수증기의 압력을 설정한다. 압력 제어 공정(단계 S104)은, 압력계(105)로 측정되는 수증기의 압력이 압력 설정 공정(단계 S102)에서 설정된 압력이 되도록 압력 조정 기구[니들 밸브(104)]를 제어한다. 이에 따라, 안정된 프로세스 성능으로 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.
이상, 본 개시의 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 개시는 상기한 실시형태에 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 한 여러 가지 변경이 가능하다. 예컨대, 전술한 실시형에서는, 혼합 유체에 의한 기판 처리 후에 린스 처리와 건조 처리를 실시하는 예에 대해서 나타내었으나, SPM 처리와 린스 처리 사이에 세정 처리 등을 실시하여도 좋다. 이러한 세정 처리는, 예컨대, SC-1을 웨이퍼(W)의 표면에 토출함으로써 실시할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 건조 처리로서 스핀 건조를 실시하는 예에 대해서 나타내었으나, 건조액[예컨대, IPA(이소프로필알코올)]을 웨이퍼(W)의 표면에 토출한 후에 스핀 건조를 실시하여도 좋다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는, 첨부한 특허청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (7)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부에 유지되는 상기 기판에 처리액을 토출하는 액토출부와,
    상기 액토출부에 처리액을 공급하는 제1 공급부와,
    상기 액토출부에 수증기를 공급하는 제2 공급부와,
    각 부를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 제2 공급부는,
    수증기를 발생시키는 수증기 발생기와,
    상기 수증기 발생기로부터의 수증기를 상기 액토출부에 공급하는 공급 라인과,
    상기 수증기 발생기로부터 상기 공급 라인에 공급되는 수증기의 양을 안정시키는 안정 기구와,
    상기 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 측정하는 압력계와,
    상기 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 조정하는 압력 조정 기구
    를 가지며,
    상기 제어부는, 상기 압력계로 측정되는 수증기의 압력이 미리 설정된 압력이 되도록 상기 압력 조정 기구를 제어하는 것인, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 미리 설정된 압력을, 상기 액토출부로부터 토출되는 상기 처리액 및 수증기의 혼합 유체의 온도와 수증기의 압력과의 상관 관계에 기초하여 구하는 것인, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 미리 설정된 압력을, 상기 상관 관계로부터 구해지는 연산식에 기초하여 산출하는 것인, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안정 기구는,
    상기 공급 라인으로부터 분기되는 제1 분기 라인과,
    상기 제1 분기 라인에 마련되는 배압 밸브
    를 갖는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 공급부는,
    상기 공급 라인에 있어서 상기 압력계보다 하류측에 마련되는 제1 개폐 밸브와,
    상기 공급 라인에 있어서의 상기 압력계와 상기 제1 개폐 밸브 사이에서 분기되는 제2 분기 라인과,
    상기 제2 분기 라인에 마련되는 제2 개폐 밸브
    를 더 가지며,
    상기 제어부는, 상기 액토출부에 수증기를 공급하지 않는 경우, 상기 제1 개폐 밸브를 폐쇄함과 더불어 상기 제2 개폐 밸브를 개방하는 것인, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액은, 황산과 과산화수소의 혼합액인 것인, 기판 처리 장치.
  7. 기판 처리 방법에 있어서,
    기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부에 유지되는 상기 기판에 처리액을 토출하는 액토출부와, 상기 액토출부에 처리액을 공급하는 제1 공급부와, 상기 액토출부에 수증기를 공급하는 제2 공급부를 구비하고,
    상기 제2 공급부는, 수증기를 발생시키는 수증기 발생기와, 상기 수증기 발생기로부터의 수증기를 상기 액토출부에 공급하는 공급 라인과, 상기 수증기 발생기로부터 상기 공급 라인에 공급되는 수증기의 양을 안정시키는 안정 기구와, 상기 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 측정하는 압력계와, 상기 공급 라인을 흐르는 수증기의 압력을 조정하는 압력 조정 기구를 갖는, 기판 처리 장치에서,
    원하는 토출 온도에 기초하여 상기 공급 라인 내의 수증기의 압력을 설정하는 압력 설정 공정과,
    상기 압력계로 측정되는 수증기의 압력이 상기 압력 설정 공정에서 설정된 압력이 되도록 상기 압력 조정 기구를 제어하는 압력 제어 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014027245A (ja) 2012-06-22 2014-02-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100899609B1 (ko) * 2000-12-28 2009-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2003273085A (ja) 2002-03-18 2003-09-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2008085231A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Sharp Manufacturing System Corp 基板上の残留有機物除去方法
JP4976110B2 (ja) 2006-11-15 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 処理システムと処理方法および記録媒体
CN101681827A (zh) 2007-05-18 2010-03-24 Fsi国际公司 用水蒸气或蒸汽处理基材的方法
US9257292B2 (en) * 2011-03-30 2016-02-09 Tokyo Electron Limited Etch system and method for single substrate processing
US9513556B2 (en) * 2012-11-19 2016-12-06 Tokyo Electron Limited Method and system of process chemical temperature control using an injection nozzle

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014027245A (ja) 2012-06-22 2014-02-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

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