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KR20220137171A - 지지 테이블로부터 대상물을 언로딩하는 방법 - Google Patents

지지 테이블로부터 대상물을 언로딩하는 방법 Download PDF

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KR20220137171A
KR20220137171A KR1020227033790A KR20227033790A KR20220137171A KR 20220137171 A KR20220137171 A KR 20220137171A KR 1020227033790 A KR1020227033790 A KR 1020227033790A KR 20227033790 A KR20227033790 A KR 20227033790A KR 20220137171 A KR20220137171 A KR 20220137171A
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pressure
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vacuum
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liquid
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지오바나 드 시모네
마르코 아드리아누스 피터 반 덴 호이블
티보 시몬 마태 로랑
루드 헨드릭쿠스 마르티누스 요하네스 블록스
니에크 야코버스 요하네스 로젯
저스틴 요하네스 허머너스 제리트젠
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Publication date
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Abstract

대상물의 중앙 부분 아래에서 제1 압력을 지지 테이블의 중앙 영역으로 가하는 것; 및 대상물의 주변 부분 아래에서 제2 압력을 지지 테이블의 주변 영역에 가하는 것에 의하여 노광 공정 중에 지지 테이블에 클램핑된 대상물을 언로딩 공정 중에 지지 테이블로부터 언로딩시키는 방법이 제공되며, 지지 테이블의 상부 표면에서의 중앙 영역과 주변 영역 사이에서 반경 방향으로 위치되고 대상물을 향하여 돌출된 시일 부재와 대상물 사이에 액체가 유지되도록 클램핑 동안에 제1 압력과 상기 제2 압력이 제어되며, 본 방법은 제1 압력을 주위 압력을 향하여 증가시키는 것; 제2 압력을 감소시킴으로써 대상물과 시일 부재 사이에 유지되는 액체의 적어도 일부를 제거하는 것; 및 제2 압력을 주위 압력을 향하여 증가시키는 것을 포함한다.

Description

지지 테이블로부터 대상물을 언로딩하는 방법{METHOD OF UNLOADING AN OBJECT FROM A SUPPORT TABLE}
본 출원은 2017년 6월 6일 및 2018년 1월 18일에 각각 출원된 유럽출원 제17174583.9호 및 제18152220.2호의 우선권을 주장하며, 이 출원들의 내용은 전체적으로 본 명세서에서 인용 참조된다.
본 발명은 언로딩 공정 동안 지지 테이블로부터 대상물을 언로딩하는 방법, 리소그래피 장치, 대상물을 유지시키기 위한 리소그래피 장치의 지지 테이블에 대한 진공 시스템 및 포지셔너에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상으로 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어, 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)의 패턴 (또한 흔히 "디자인 레이아웃" 또는 "디자인"으로 지칭됨)을 기판 (예를 들어, 웨이퍼) 상에 제공된 방사선-민감 물질(레지스트) 층 상으로 투영할 수 있다.
패턴을 기판 상에 투영하기 위하여, 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 이용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판 상에 패터닝되는 피처(feature)의 최소 크기를 결정한다. 현재 사용되고 있는 전형적인 파장은 365 ㎚ (i-라인), 248 ㎚, 193 ㎚ 및 13.5 ㎚이다. 4 ㎚ 내지 20 ㎚의 범위 내, 예를 들어 6.7 ㎚ 또는 13.5 ㎚의 파장을 갖는 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, 예를 들어 193 ㎚의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 기판 상에 더 작은 피처를 형성하는데 사용될 수 있다.
더 작은 피처의 향상된 해상도를 가능하게 하기 위하여 침지 기술이 리소그래피 시스템에 도입되고 있다. 침지 리소그래피 장치에서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 침지 액체의 액체 층이 (패터닝된 빔이 기판을 향하여 투영되는) 장치의 투영 시스템과 기판 사이의 공간에 끼어들어 있다. 침지 액체는 투영 시스템의 최종 요소 아래에서 기판의 적어도 일부를 덮는다. 따라서, 노광을 받고 있는 기판의 적어도 일부분은 액체에 침지된다. 노광 방사선이 가스보다 침지 액체에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 침지 액체의 효과는 더 작은 피처를 이미징할 수 있게 하는 것이다. (액체의 효과는 또한 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키고 또한 초점 심도를 증가시키는 것으로 간주될 수 있다.)
상업적인 침지 리소그래피에서, 침지 액체는 물이다. 전형적으로, 물은 반도체 제조 공장에서 일반적으로 사용되는 초순수(UPW)와 같은 고순도의 증류수이다. 침지 시스템에서, UPW는 흔히 정수되며, 침지 액체로서 공간에 공급되기 전에 추가 처리 단계를 거칠 수 있다. 침지 액체로서 물이 사용될 수 있는 것 외에, 높은 굴절률을 갖는 다른 액체, 예를 들어: 플루오로 탄화수소와 같은 탄화수소; 및/또는 수용액이 사용될 수 있다. 또한, 침지 리소그래피에 사용하기 위해 액체 이외의 다른 유체가 구상되고 있다.
본 명세서에서, 사용시에 침지 액체가 최종 요소와 최종 요소를 향하는 표면 사이의 공간에 한정되는 국소 침지에 대한 참조가 설명에서 이루어질 것이다. 대향 표면은 기판의 표면 또는 기판의 표면과 동일 평면에 있는 지지 테이블 (또는 기판 지지체)의 표면이다. (다음 설명에서 기판의 표면에 대한 참조는 또한 명확하게 다르게 설명되지 않는 한 기판 지지체의 표면에 부가적으로 또는 대안적으로 언급되며; 그 반대의 경우도 마찬가지라는 점을 유의해야 한다) 투영 시스템과 스테이지 사이에 존재하는 유체 핸들링 구조체는 침지 액체를 공간에 한정하기 위해 사용된다. 침지 액체로 채워진 공간은 기판의 최상부 표면보다 평면에서 더 작으며, 공간은 투영 시스템에 대해 실질적으로 고정된 상태로 유지되는 반면, 기판 및 기판 스테이지는 아래로 이동한다.
비한정 시스템 (소위 "전체 습식(All Wet)" 침지 시스템) 및 배스(bath) 침지 시스템과 같은 다른 침지 시스템이 구상되고 있다. 비한정 침지 시스템에서 침지 액체는 최종 요소 아래의 표면보다 많이 덮는다. 공간 외부의 액체는 얇은 액체 필름으로서 존재한다. 침지 액체는 기판의 전체 표면 또는 심지어 기판 및 기판과 동일 평면 상에 있는 지지 테이블을 덮을 수 있다. 배스 유형 시스템에서, 기판은 침지 액체의 배스 내에 완전히 침지된다.
유체 핸들링 구조체는 침지 액체를 공간에 공급하고, 침지 액체를 공간으로부터 제거하며 그에 의하여 침지 액체를 공간에 한정시키는 구조체이다. 이는 유체 공급 시스템의 일부인 특징들을 포함하고 있다. 도 2 및 도 3은 이러한 시스템에서 사용될 수 있는 상이한 공급 디바이스를 보여주고 있다. 유체 핸들링 구조체는 공간을 부분적으로 한정하기 위해, 투영 시스템의 최종 요소와 지지 테이블 또는 기판 사이의 공간의 경계의 적어도 일부를 따라 연장되어 있다.
유체 핸들링 구조체는 선택된 상이한 기능을 가질 수 있다. 각 기능은 유체 핸들링 구조체가 그 기능을 달성할 수 있게 하는 대응 특징으로부터 유도될 수 있다. 유체 핸들링 구조체는 다수의 상이한 용어로 지칭될 수 있으며, 각 용어는 장벽 부재, 시일 부재, 유체 공급 시스템, 유체 제거 시스템, 액체 한정 구조체 등과 같은 기능을 지칭한다.
장벽 부재로서, 유체 핸들링 구조체는 공간으로부터의 침지 액체의 흐름에 대한 장벽(barrier)이다. 액체 한정 구조체로서, 구조체는 침지 액체를 공간으로 한정한다. 시일 부재로서, 유체 핸들링 구조체의 시일 특징부는 침지 액체를 공간에 한정하기 위한 시일부(seal)를 형성한다. 가스 나이프와 같은 밀봉 특징부는 시일 부재의 표면의 개구로부터의 부가적인 가스 흐름을 포함할 수 있다.
침지 장치에서, 액체 (예를 들어, 물) 메니스커스는 기판의 후면 측과 지지 테이블의 최상부 사이의 시일부(seal)에서 안정화된다. 기판을 지지 테이블로부터 제거할 때, 이 액체의 일부는 기판 상에 그리고 지지 테이블 상에 남아 있을 수 있다. 기판을 지지 테이블로부터 제거할 때 기판 상에 및/또는 지지 테이블 상에 남아있는 액체의 양을 감소시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 양태에 따르면, 대상물의 중앙 부분 아래에서 제1 압력을 지지 테이블의 중앙 영역으로 가하는 것; 및 대상물의 주변 부분 아래에서 제2 압력을 지지 테이블의 주변 영역에 가하는 것에 의하여 노광 공정 중에 지지 테이블에 클램핑된 대상물을 언로딩 공정 중에 지지 테이블로부터 언로딩시키는 방법이 제공되며, 본 방법은
지지 테이블의 상부 표면에서의 중앙 영역과 주변 영역 사이에서 반경 방향으로 위치되고 대상물을 향하여 돌출된 시일 부재와 대상물 사이에 액체가 유지되도록 클램핑 동안에 제1 압력과 제2 압력이 제어되고,
제1 압력을 주위 압력을 향하여 증가시키는 것;
제2 압력을 감소시킴으로써 대상물과 시일 부재 사이에 유지되는 액체의 적어도 일부를 제거하는 것; 및
제2 압력을 주위 압력을 향하여 증가시키는 것을 포함하는 방법에 제공된다.
본 발명의 양태에 따르면,
대상물의 중앙 부분 아래에서 중앙 영역으로 제1 압력을 가하기 위한 제1 채널; 대상물의 주변 부분 아래에서 주변 영역으로 제2 압력을 가하기 위한 제2 채널; 및 상부 표면에서 제1 채널과 제2 채널 사이에서 반경 방향으로 위치되고 대상물을 향하여 돌출된 시일 부재를 포함하는, 대상물을 지지하기 위한 지지 테이블; 및
노광 공정 중에 액체가 대상물과 시일 부재 사이에서 보유되도록 노광 공정 동안에 제1 압력과 제2 압력의 적용을 제어하고; 제1 압력을 주위 압력을 향하여 증가시키며; 대상물과 시일 부재 사이에 유지된 액체의 적어도 일부가 제거되도록 제2 압력을 감소시키고; 및 언로딩 공정 중에 제2 압력을 주위 압력을 향하여 감소시키도록 조정된 컨트롤러를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 양태에 따르면, 리소그래피 장치의 기판 테이블 및 대상물을 유지시키기 위한 지지 테이블용 진공 시스템이 제공되며, 진공 시스템은 흐름 회로를 포함하고, 흐름 회로는,
지지 테이블을 기판 테이블에 클램핑시키도록 구성된 제1 진공압 라인을 포함하는 제1 압력 회로;
대상물의 주변 부분 아래에서 제2 압력을 지지 테이블의 주변 영역으로 가하도록 구성된 제2 진공압 라인; 대상물을 지지 테이블에 클램핑시키기 위하여 대상물의 중앙 부분 아래에서 제1 압력을 지지 테이블의 중앙 영역으로 가하도록 구성된 제3 진공압 라인; 제2 압력 회로에 압력을 제공하도록 구성된 진공 디바이스; 및 제2 압력 회로에서 분기된 제4 진공압 라인을 포함하는 제2 압력 회로;
제2 진공압 라인 내의 압력을 제어하기 위한 제1 흐름 제어기; 및
제4 진공압 라인 내의 압력을 제어하기 위한 제2 흐름 제어기를 포함하고 있다.
본 발명의 양태에 따르면, 리소그래피 장치의 기판 테이블 및 대상물을 유지시키기 위한 지지 테이블용 진공 시스템이 제공되며, 진공 시스템은 흐름 회로를 포함하고, 흐름 회로는,
지지 테이블을 기판 테이블에 클램핑시키도록 구성된 제1 진공압 라인; 대상물의 주변 부분 아래에서 제2 압력을 지지 테이블의 주변 영역으로 가하도록 구성된 제2 진공압 라인; 및 대상물을 지지 테이블에 클램핑시키기 위하여 대상물의 중앙 부분 아래에서 제1 압력을 지지 테이블의 중앙 영역에 가하도록 구성된 제3 진공압 라인을 포함하는 제1 압력 회로;
제2 진공압 라인 내의 압력을 제어하기 위한 제1 흐름 제어기; 및
주위 압력으로부터 제3 진공압 라인으로의 흐름을 제어하기 위한 제4 흐름 제어기를 포함하고 있다.
본 발명의 양태에 따르면, 리소그래피 장치의 기판 테이블 및 대상물을 유지시키기 위한 지지 테이블용 진공 시스템이 제공되며, 진공 시스템은 흐름 회로를 포함하며, 흐름 회로는,
지지 테이블을 기판 테이블에 클램핑시키도록 구성된 제1 진공압 라인; 및 대상물을 지지 테이블에 클램핑시키기 위하여 대상물의 중앙 부분 아래에서 제1 압력을 지지 테이블의 중앙 영역에 가하도록 구성된 제3 진공압 라인을 포함하는 제1 압력 회로;
대상물의 주변 부분 아래에서 제2 압력을 지지 테이블의 주변 영역으로 가하도록 구성된 제2 진공압 라인을 포함하는 제2 압력 회로; 및
제2 진공압 라인 내의 압력을 제어하기 위한 제1 흐름 제어기; 및
제3 진공압 내의 압력을 제어하기 위한 제5 흐름 제어기를 포함하고 있다.
리소그래피 장치의 기판 테이블 및 대상물을 유지시키기 위한 지지 테이블용 진공 시스템은 흐름 회로를 포함하며, 흐름 회로는,
지지 테이블을 기판 테이블에 클램핑시키도록 구성된 제1 진공압 라인을 포함하는 제1 압력 회로;
대상물의 주변 부분 아래에서 제2 압력을 지지 테이블의 주변 영역으로 가하도록 구성된 제2 진공압 라인; 및 대상물을 지지 테이블에 클램핑시키기 위하여 대상물의 중앙 부분 아래에서 제1 압력을 지지 테이블의 중앙 영역에 가하도록 구성된 제3 진공압 라인을 포함하며, 제2 진공압 라인과 제3 진공압 라인 간의 설정된 압력차를 유지하기 위하여 제3 진공압 라인은 흐름 제어기를 통하여 제2 진공압 라인에 연결된 제2 압력 회로; 및
주위 압력으로부터 제2 진공압 라인으로의 흐름을 제어하기 위한 추가 흐름 제어기를 포함하고 있다.
본 발명의 실시예가 이제 첨부된 개략적인 도면을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이며, 도면에서 대응하는 참조 부호는 대응하는 부분들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하고 있다.
도 2는 리소그래피 투영 장치에서 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하고 있다.
도 3은 실시예에 따른 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 지지 테이블 상에서 지지되고 있는 기판을 개략적으로 도시하고 있다.
도 5는 도 4에 나타나 있는 기판과 지지 테이블 사이에서 안정화된 액체 메니스커스의 근접 도면(close-up)을 개략적으로 도시하고 있다.
도 6은 기판이 지지 테이블에서 제거될 때 액체 메니스커스에서 일어날 수 있는 것의 근접 도면을 개략적으로 도시하고 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 언로딩 공정 동안의 상이한 영역들에서의 시간과 압력 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8은 비교예에 따른 상이한 영역들에서의 시간과 압력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9 내지 도 14 각각은 본 발명의 실시예에 따른 진공 시스템의 도면을 개략적으로 도시하고 있다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 지지 기판 상에 지지된 기판의 측단면도를 개략적으로 도시하고 있다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 언로딩 공정 동안의 상이한 영역들에서의 시간과 압력 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 17은 비교예에 따른 상이한 영역들에서의 시간과 압력의 관계를 보여주고 있는 그래프이다.
도 18 내지 도 22는 본 발명의 실시예에 따른 진공 시스템의 개략적인 도면이다.
본 명세서에서, 용어 "방사선" 및 "빔"은 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 ㎚의 파장을 갖는) 자외 방사선을 포함하는, 모든 유형의 전자기 방사선을 포함하는데 사용된다.
본 명세서에 사용된 바와 같은 용어 "레티클", "마스크" 또는 "패터닝 디바이스"는 입사 방사선 빔에 기판의 타겟 부분에 생성될 패턴에 대응하는 패터닝된 횡단면을 부여하는데 사용될 수 있는 일반적인 패터닝 디바이스를 지칭하는 것으로 넓게 해석될 수 있다. 용어 "광 밸브(light valve)"는 이와 관련하여 사용될 수 있다. 전형적인 마스크 (투과 또는 반사, 이진, 위상 편이, 하이브리드 등) 외에, 다른 이러한 패터닝 디바이스의 예는 프로그램 가능한 미러 어레이 및 프로그램 가능한 LCD 어레이를 포함하고 있다.
도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 본 장치는,
a. 선택적으로, 방사선 빔(B) (예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조정하도록 구성된 조명 시스템 (일루미네이터)(IL);
b. 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 특정 매개변수에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키도록 구성된 제1 포지셔너(PM)에 연결되어 있는 지지 구조체 (예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
c. 기판 (예를 들어, 레지스트-코팅된 기판)(W)을 유지하도록 구성되고 특정 매개변수에 따라 테이블의, 예를 들어 기판(W)의 표면을 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)에 연결된 지지 테이블, 예를 들어 하나 이상의 센서를 지지하기 위한 센서 테이블 또는 지지 테이블(WT); 및
d. 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하는) 타겟 부분(C) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템 (예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함하고 있다.
작동시, 조명 시스템(IL)은 예를 들어 빔 전달 시스템(BD)을 통하여, 소스(SO)로부터의 방사선 빔 또는 방사선을 수신한다. 조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하고 및/또는 제어하기 위한, 굴절형, 반사형, 자기, 전자기, 정전기 및/또는 다른 유형의 광학 구성 요소 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 구성 요소를 포함할 수 있다. 일루미네이터(IL)는 패터닝 디바이스(MA)의 평면에서의 횡단면에서 원하는 공간 및 각도 세기 분포를 갖도록 방사선 빔(B)을 조정하는데 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "투영 시스템"(PS)은 사용되는 노광 방사선에 대하여, 및/또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자에 대하여 적절하다면 굴절, 반사, 반사 굴절(catadioptric), 아나모픽(anamorphic), 자기, 전자기 및/또는 정전 광학 시스템, 또는 그들의 임의의 조합을 포함하는 다양한 유형의 투영 시스템을 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 용어 "투영 렌즈"의 임의의 사용은 더 일반적인 용어 "투영 시스템"과 동의어로 간주될 수 있다.
리소그래피 장치는 2개 이상의 지지 테이블, 예를 들어 2개 이상의 지지 테이블 또는 하나 이상의 지지 테이블과 하나 이상의 클리닝, 센서 또는 측정 테이블의 조합을 갖는 유형일 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치는 투영 시스템의 노광 측에 위치된 2개 이상의 테이블을 포함하는 다단 장치이며, 각 테이블은 하나 이상의 대상물을 포함 및/또는 유지하고 있다. 예에서, 하나 이상의 테이블은 방사선 감응 기판을 유지할 수 있다. 예에서, 하나 이상의 테이블은 투영 시스템으로부터의 방사선을 측정하기 위해 센서를 유지할 수 있다. 예에서, 다단 장치는 방사선 감응 기판 (즉, 지지 테이블)을 유지하도록 구성된 제1 테이블 및 방사선 감응 기판을 유지하도록 구성되지 않은 (이하에서는, 대체적으로 그리고 제한없이 측정, 센서 및/또는 크리닝 테이블로서 지칭되는) 제2 테이블을 포함하고 있다. 제2 테이블은 방사선 감응 기판 이외의, 하나 이상의 대상물을 포함 및/또는 유지할 수 있다. 이러한 하나 이상의 대상물은 다음으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다: 투영 시스템으로부터의 방사선을 측정하기 위한 센서, 하나 이상의 정렬 마크, 및/또는 (예를 들어, 액체 한정 구조체를 세정하기 위한) 크리닝 디바이스.
작동시, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(MT) 상에서 유지되어 있는 패터닝 디바이스(MA) 상에 존재하는 패턴(디자인 레이아웃)에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지른 방사선 빔(B)은 투영 광학 시스템(PS)을 통과하며, 이 시스템은 빔을 기판(W)의 타겟 부분(C) 상으로 집속한다. 제2 포지셔너(PW) 및 위치 센서(IF) (예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 엔코더, 2-D 엔코더 또는 정전용량형 센서)의 도움으로, 예를 들어 집속되고 정렬된 위치에서 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟 부분(C)들을 위치시키기 위하여 지지 테이블(WT)은 정확하게 이동될 수 있다. 유사하게, 제1 포지셔너(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 다른 위치 센서가 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키기 위해 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P0, P1)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같은 기판 정렬 마크(M1, M2)는 전용 타겟 부분을 점유하고 있지만, 이들은 타겟 부분(C)들 사이의 공간 내에 위치될 수 있다 (이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)로 알려져 있다).
도 2는 국부적인 액체 공급 시스템 또는 유체 핸들링 시스템을 개략적으로 도시하고 있다. 액체 공급 시스템은 유체 핸들링 구조체(IH) (또는 액체 한정 구조체)를 구비하고 있으며, 이는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 지지 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간(11)의 경계의 적어도 일부를 따라 연장된다. 유체 핸들링 구조체(IH)는 Z 방향 (광학 축 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만 XY 평면에서 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 고정되어 있다. 예에서, 시일부가 유체 핸들링 구조체(1H)와 기판(W)의 표면 사이에 형성되어 있으며 가스 시일부 (가스 시일부를 갖는 이러한 시스템은 EP1,420,298호에 개시되어 있다) 또는 액체 시일부와 같은 비접촉 시일부일 수 있다.
유체 핸들링 구조체(IH)는 투영 시스템 (PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11) 내에서 침지 액체를 적어도 부분적으로 한정한다. 공간(11)은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에 위치되고 이를 둘러싸는 유체 핸들링 구조체(IH)에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 침지 액체는 액체 개구(13)들 중 하나에 의하여 투영 시스템(PS) 아래의 그리고 유체 핸들링 구조체(1H) 내의 공간(11)으로 이동된다. 침지 액체는 액체 개구(13)들 중 다른 개구에 의하여 제거될 수 있다. 침지 액체는 적어도 2개의 액체 개구(13)를 통해 공간(11) 내로 이동될 수 있다. 침지 액체를 공급하기 위해 어떤 액체 개구(13)가 사용되고 그리고 선택적으로, 침지 액체를 제거하기 위해 사용되는 액체 개구는 지지 테이블(WT)의 움직임의 방향에 좌우될 수 있다.
침지 액체는 사용 중에 유체 핸들링 구조체(1H)의 바닥과 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스에 의해 형성된 가스 시일부(16)와 같은 비접촉 시일부에 의하여 공간(11) 내에 갇힐 수 있다. 가스 시일부(16) 내의 가스는 압력 하에서 유체 핸들링 구조체(1H)와 기판(W) 사이의 갭으로 유입구(15)를 통해 제공된다. 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압(overpressue), 유출구(14)의 상의 진공도(vacuum level) 및 갭의 기하학적 구조는 침지 액체를 가두는, 안쪽으로의 고속 가스 흐름이 있도록 배열된다. 이러한 시스템이 US2004/0207824에 개시되어 있으며, 이는 전체적으로 인용 참조된다. 예에서, 유체 핸들링 구조체(IH)는 가스 시일부(16)를 갖고 있지 않다.
도 3은 실시예에 따른 다른 액체 공급 시스템 또는 유체 핸들링 시스템을 도시하는 측단면도이다. 도 3에 도시되고 아래에 설명된 배열체는 위에서 설명되고 도 1에 도시된 리소그래피 장치에 적용될 수 있다. 액체 공급 시스템은 유체 핸들링 구조체(IH) (또는 액체 한정 구조체)를 구비하고 있으며, 이 구조체는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 지지 테이블(WT) 또는 기판 간의 공간(11)의 경계부의 적어도 일부를 따라 연장된다.
유체 핸들링 구조체(IH)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11) 내에 침지 액체를 적어도 부분적으로 가둔다. 공간(11)은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에 위치되고 이를 둘러싸는 유체 핸들링 구조체(IH)에 의하여 적어도 부분적으로 형성된다. 예에서, 유체 핸들링 구조체(IH)는 본체 부재(53) 및 다공성 부재(33)를 포함하고 있다. 다공성 부재(33)는 플레이트 형상이며 복수의 구멍 (즉, 개구 또는 기공)을 갖고 있다. 실시예에서, 다공성 부재(33)는 메시(mesh) 플레이트이며, 여기서 다수의 작은 구멍(84)이 메시 형태로 형성되어 있다. 이러한 시스템이 US2010/0045949Al에 개시되어 있으며, 이는 전체적으로 인용 참조된다.
본체 부재(53)는 침지 액체를 공간(11)으로 공급할 수 있는 공급 포트(72) 및 침지 액체를 공간(11)으로부터 회수할 수 있는 회수 포트(73)를 포함하고 있다. 공급 포트(72)는 통로(74)를 통해 액체 공급 장치(75)에 연결되어 있다. 액체 공급 장치(75)는 대응하는 통로(74)를 통해 침지 액체를 공급 포트(72)에 공급할 수 있다. 회수 포트(73)는 공간(11)으로부터 침지 액체를 회수할 수 있다. 회수 포트(73)는 통로(79)를 통해 액체 회수 장치(80)에 연결되어 있다. 액체 회수 장치(80)는 회수 포트(73)를 통해 회수된 침지 액체를 통로(79)를 통하여 회수한다. 다공성 부재(33)는 회수 포트(73) 내에 배치되어 있다. 공급 포트(72)를 사용하는 액체 공급 작동 및 다공성 부재(33)를 사용하는 액체 회수 작동을 수행하는 것은 투영 시스템(PS)과 일 측 상의 유체 핸들링 구조체(IH) 그리고 다른 일 측 상의 기판(W) 사이에 공간(11)을 형성된다.
도 4는 지지 테이블(WT) 상에 지지된 기판(W)을 개략적으로 단면도로 도시하고 있다. 대상물의 예로써 기판(W) 그리고 지지 테이블의 예로써 지지 테이블(WT)에 관하여 본 발명이 이하에서 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 지지 테이블(WT) 상에 지지된 기판(W)의 맥락으로 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 발명은 지지 구조체(MT)에 의해 지지되는 패터닝 디바이스(MA)에도 적용 가능하다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 지지 테이블(WT)에 의해 지지되어 있다. 리소그래피 장치의 사용 동안, 기판(W)은 지지 테이블(WT)에 클램핑될 수 있다. 예를 들어, 노광 공정 동안 기판(W)은 지지 테이블(WT)에 클램핑 된다. 노광 공정들 중간에, 기판(W)은 지지 테이블(WT)로부터 언로딩될 수 있다. 예를 들어, 기판 교환 시퀀스 동안 기판(W)은 지지 테이블(WT)에서 제거될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 실시예에서 지지 테이블(WT)은 제1 채널(26)을 포함하고 있다. 제1 채널(26)은 기판(W)의 중앙 부분(WC) 아래의 지지 테이블(WT)의 중앙 영역(21)에 제1 압력(p1)을 가하기 위한 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 제1 채널(26)은 지지 테이블(WT)의 본체(20)를 통해 연장되도록 제공된다. 실시예에서, 제1 채널(26)은 제1 압력(p1)을 중앙 영역(21)에 가하도록 구성된 압력 회로에 연결되어 있다. 제1 압력(p1)은 기판(W) 위의 주위 압력보다 낮으며, 따라서 기판(W)은 지지 테이블(WT) 상으로 클램핑된다.
실시예에서, 지지 테이블(WT)은 제2 채널(27)을 포함하고 있다. 제2 채널은 기판(W)의 주변 부분(WP) 아래의 지지 테이블(WT)의 주변 영역(21)에 제2 압력(p2)을 가하기 위한 것이다. 제2 채널(27)은 제1 채널(26)의 반경 방향 바깥쪽에 있다. 실시예에서, 제2 채널(27)은 지지 테이블(WT)의 본체(20)를 통해 제공된다. 대안적인 실시예에서, 제2 채널(27)은 본체(20)와 그 본체(20)를 반경 방향으로 둘러싸는 추출 몸체 사이의 갭(gap)으로서 제공된다. 실시예에서, 제2 채널(27)은 제2 압력(p2)을 주변 영역(22)에 가하도록 구성된 압력 회로에 연결되어 있다.
실시예에서, 지지 테이블(WT)은 시일 부재(24)를 포함하고 있다. 시일 부재(25)는 제1 채널(26)과 제2 채널(27) 사이에 반경 방향으로 위치되어 있다. 시일 부재(24)는 지지 테이블(WT)의 상부 표면에 위치되어 있다. 시일 부재(24)는 평면도에서 보았을 때 환형이다. 시일 부재(24)는 기판(W)을 향하여 돌출되어 있다. 그러나, 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상으로 클램핑될 때 시일 부재(24)는 기판(W)과 직접 접촉하지 않는다. 시일 부재(25)의 최상부와 기판(W)의 후면 측 사이에는 작은 갭이 있다.
실시예에서, 지지 테이블(WT)은 외부 시일부(25)를 포함하고 있다. 외부 시일부(25)는 제2 채널(27)의 반경 방향 외측에 위치되어 있다. 외부 시일부(25)는 지지 테이블(WT)의 상부 표면에 위치되어 있다. 외부 시일부(25)는 평면도에서 보았을 때 환형이다. 외부 시일부(25)는 기판(W)을 향하여 돌출되어 있다. 그러나, 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상으로 클램핑될 때 외부 시일부(25)는 기판(W)과 직접 접촉하지 않는다. 외부 시일부(25)의 최상부와 기판(W)의 후면 측 사이에는 작은 갭이 있다.
노광 공정 동안, 유체는 제2 채널(27)을 통해 주변 영역(22)으로부터 추출된다. 제2 채널(27)에 의하여 가해진 제2 압력(p2)은 기판(W)을 지지 테이블(WT) 상으로 클램핑하는 것을 추가로 돕는다. 제2 채널(27)을 통한 유체의 흐름은 기판(W)의 후면 측에 도달하는 침지 액체의 양을 감소시키는 것을 돕는다.
노광 공정 동안, 시일 부재(24)와 기판(W) 사이에 시일부가 형성된다. 특히, 시일 부재(24)의 최상부와 기판(W)의 최하부 사이에서, 시일 부재(24) 상에서 액체 메니스커스(23)는 안정화된다. 액체 메니스커스(23)는 모세관 압력에 기초하여 안정화된다. 제1 압력과 제2 압력 간의 차이가 시일 부재(24)의 최상부의 모세관 압력보다 작도록 (즉, 액체 메니스커스(23)를 시일 부재(24)로부터 제거하는데 필요한 힘보다 작도록) 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)은 제어된다.
위에서 언급된 바와 같이, 제1 채널(26)과 제2 채널(27)은 진공 시스템(40)의 일부를 형성하는 하나 이상의 압력 회로에 연결되며, 이는 아래에서 더 상세히 설명된다. 실시예에서, 진공 시스템(40) (즉, 진공 공급부)은 공급 압력이 변할 때에도 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 압력 차가 유지되도록 구성되어 있다.
제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 압력차는 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭에서의 (즉, 시일 부재(24)와는 떨어져 있는 영역에서의) 모세관 압력보다 크도록 제어된다. 따라서 액체 메니스커스(23)는 도 5에 도시된 바와 같이 시일부에서 안정화된다. 도 5는 지지 테이블(WT)의 시일 부재(24)에서 안정화된 액체 메니스커스(23)의 근접 도면이다.
노광 공정 동안, 액체 메니스커스(23)의 존재로 인하여 시일 부재(24)는 습윤된다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 언로딩 (즉, 제거)될 때, 액체 메니스커스(23)로부터의 액체의 일부는 기판(W) 상에 남아 있을 수 있으며, 액체 메니스커스(23)의 액체의 일부는 시일 부재(24)와 접촉된 상태로 남아 있을 수 있다. 기판(W)과 접촉 상태로 그리고 시일 부재(24) 상에 남아 있는 액체 메니스커스(23)로부터의 액체의 양을 감소시키는 것이 바람직하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예에서 리소그래피 장치는 컨트롤러(500)를 포함하고 있다. 컨트롤러(500)는 제1 채널(26) 및 제2 채널(27)에 연결된 진공 공급부를 제어하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(500)는 중앙 영역(21)과 주변 영역(22)에 각각 가해지는 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)을 제어하도록 구성되어 있다.
도 6은 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 언로딩된 후 기판(W) 상에 남아있고 시일 부재(24)와 접촉하는 액체 메니스커스(23)로부터의 액체를 보여주고 있다. 이 잔류 액체는 바람직하지 않다.
실시예에서, 기판(W)을 언로딩하기 직전에, 주변 영역(22)에서 진공 레벨을 증가시킴으로써 시일 부재(24)에 걸쳐 큰 압력차가 생성된다. 이는 이하에서 더욱 상세하게 설명된다.
실시예에서, 컨트롤러(500)는 노광 공정 동안 액체가 기판(W)과 시일 부재(24) 사이에 유지되도록 노광 공정 동안 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)의 적용을 제어하도록 조정된다. 이는 도 5에 도시된 상황이다. 언로딩 공정 직전 및 언로딩 공정 동안의 컨트롤러(500)의 기능은 아래에서 설명된다.
도 7은 언로딩 공정 전 및 언로딩 공정 동안 상이한 영역들에서의 시간과 압력 사이의 관계를 보여주는 그래프이다. 점과 긴 대시 기호(dashes)로 형성된 하부 라인은 언로딩 공정 동안 주변 영역(22)에서의 제2 압력(p2)을 보여주고 있다. 짧은 대시 기호로 형성된 상부 라인은 언로딩 공정 동안 중앙 영역(21)에서의 제1 압력(p1)을 나타내고 있다.
도 7에서 보여지는 압력 변동은 언로딩 공정 이전 및 언로딩 공정 동안 제1 압력(p1) 및 제2 압력(p2)이 어떻게 변하는 지의 단지 일 예를 나타내고 있다. 그러나, 본 발명은 도 7에서 보여지고 있는 바와 같이 특정 형태의 라인으로 제한되지 않는다.
도 7에서 보여지고 있는 바와 같이, 실시예에서 컨트롤러(500)는 제1 압력(p1)을 주위 압력을 향하여 증가시키도록 조정되어 있다. 이는 도 7에서 보여지고 있는 (3개의 기간 중) 중앙 기간에서 보여지고 있다.
실시예에서, 컨트롤러(500)는 기판(W)과 시일 부재(24) 사이에 유지된 액체의 적어도 일부가 제거되도록 제2 압력(p2)을 감소시키도록 조정된다. 이는 도 7에서 제2 압력(p2)이 감소하는 중앙 기간 초에 보여지고 있다.
이는 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 제거되기 전에 발생한다. 따라서, 기판(W)이 지지 테이블(WT)의 버얼(burl) 상에 지지된 상태를 유지하면서 제2 압력(p2)이 감소 (그리고 제1 압력(p1)은 증가)된다. 이때 (즉, 기판(W)이 언로딩되기 전에), 액체 매니커스(23)로부터의 액체의 적어도 일부는 제거된다. 액체는 제2 채널(27)을 통하여 제거될 수 있다.
실시예에서, 컨트롤러(500)는 언로딩 공정 동안 제2 압력(p2)을 주위 압력을 향해 증가시키도록 조정되어 있다. 이는 도 7에 나타나 있는 중앙 시간대의 후반부와 오른쪽 시간대에 나타나 있다. 특히, 제2 압력(p2)이 그의 최소값에 도달한 후, 제2 압력(p2)은 주위 압력을 향해 증가된다. 제2 압력(p2)을 주위 압력을 향해 증가시킴으로써, 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 제거될 수 있도록 클램핑 압력은 감소된다.
언로딩 공정 전에 액체의 적어도 일부를 제거함으로써, 언로딩 공정 후 기판(W)의 후면 측에 잔류하는 액체의 양이 감소된다. 이는 언로딩된 기판(W)이 그후에 처리될 때 발생할 수 있는 임의의 바람직하지 않은 문제를 감소시킨다. 예를 들어, 언로?된 기판(W)의 후면 측에서의 액체 잔류물이, 기판(W) 상에 스크래치가 생기는 것을 초래하는 모세관 력을 야기하는 것이 가능하다. 이는 기판(W)의 품질을 저하시킨다. 특히, 일부 기판(W)은 재사용될 수 있으며, 이는 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 언로딩된 후에, 언로딩된 기판(W)이 나중에 그 (또는 상이한) 지지 테이블 (WT) 상으로 다시 클램핑될 필요가 있다는 것을 의미한다. 폐쇄 기판(closing substrate)이 이러한 기판(W)의 예이다. 이러한 재사용 가능한 기판(W)이, 예를 들어 스크래치를 유발할 수 있는 액체 잔류물을 갖는 것은 바람직하지 않다.
언로딩 공정 이전에 액체의 적어도 일부를 제거함으로써, 시일 부재(24) 및/또는 외부 시일부(25)와 접촉하는 상태로 남아있는 액체의 양이 감소된다. 이는 지지 테이블(WT) 상의 임의의 특정 위치에 후속 기판(W)의 바람직하지 않은 접착 가능성을 감소시킨다. 이는 또한 일부 액체가 측정에 사용되는 그리드(grid)로 실수로 전달되는 위험을 감소시킨다. 이는 또한 다음 기판(W)을 로딩할 때 증발될 수 있는 액체의 양을 감소시키며, 이 액체는 냉점(cold)을 생성하고 따라서 바람직하지 않게 지지 테이블(WT)을 변형시킨다. 이는 또한 지지 테이블(WT) 상에 전달되는 오염의 양을 감소시킨다.
위에서 설명된 바와 같이, 기판(W)을 언로딩하기 직전에, 주변 영역(22)에서 진공 레벨을 증가시키고 중앙 영역(21)에서 진공 레벨을 감소시킴으로써 시일 부재(24)에 대한 큰 압력차가 생성된다.
비교예로서, 액체의 양을 감소시키는 대안적인 방법은 기판(W)을 언로딩하는 순서 동안 액체 메니스커스(23)를 씻어내는 것이다. 먼저, 주변 영역(22)에 진공이 유지되는 동안 퍼프 가스(puff gas)가 중앙 영역(21)에 가해질 수 있다. 결과적으로, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 간의 압력차는 시일 부재(24) 상의 모세관 압력보다 크게 증가된다. 이는 시일 부재(24)로부터 액체 메니스커스(23)가 제거되게 한다. 그 후, 제2 압력(p2)에 대한 진공이 차단되어 제2 압력(p2)이 증가하고 기판(W)이 해제될 수 있다.
본 발명의 실시예는 이 비교예에 비해 개선을 달성할 것으로 예상된다. 특히, 본 발명의 실시예는 지지 테이블(WT)의 에지에서의 버얼의 마모를 감소시킬 것으로 예상된다.
이는 기판(W)의 주변 부분(WP) 아래에서 제2 압력(p2)을 여전히 유지하면서 기판(W)의 중앙 부분(WC) 아래에 과압력이 가해지면, 기판(W)이 우산 형상으로 구부러지기 때문이다. 기판(W)의 에지는 기판(W)의 에지에서 버얼 위로 미끄러진다. 이는 버얼을 마모시킨다.
본 발명의 실시예는 기판(W)의 굽힘 감소를 달성할 것으로 예상된다. 본 발명의 실시예에서, 과압력 (즉, 제1 압력(p1)을 주위 압력보다 크게 증가시키는 것)이 기판(W)의 중앙 부분(WC) 아래에 가해지지 않는다. 따라서, 기판(W)의 굽힘으로 인한 버얼의 마모는 감소된다.
다른 비교예로서, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 모두를 주위 압력으로 점차적으로 증가시킴으로써 기판(W)을 언로딩할 수 있다. 도 8은 이러한 비교예에 따라 기판(W)을 언로딩할 때 상이한 영역들에서의 시간과 압력 간의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 8에서, 하부 라인은 제2 압력(p2)을 나타내고 있으며, 상부 라인은 제1 압력(p1)을 나타내고 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 시퀀스는 기판(W)의 주변 부분(WP) 아래에 가해진 진공이 상당히 약해진 뒤까지 기판(W)의 중앙 부분(WC) 아래에 과압이 가해지는 것을 포함하지 않는다. 　도 7 및 도 8은 언로딩의 최종 단계에서 제1 압력(p1)이 주위 압력 이상으로 증가될 수 있다는 것을 보여주고 있다. 과압은 기판(W)을 우산 형상으로 변형되게 한다. 이는 기판(W)을 바깥쪽 버얼 위로 미끄러질 수 있게 한다. 그러나, 제1 압력(p1)이 주위 압력보다 클 때, 제2 압력(p2)이 주위 기압에 너무 가깝기 때문에, 이 슬립은 버얼 상의 최소 수직력으로 발생한다. 결과적으로, 지지 테이블(WT)의 에지에서의 버얼의 마모가 감소된다. 그러나, 도 8에서 보여지고 있는 시퀀스는 액체 메니스커스(23)로부터의 바람직하지 않은 양의 액체가 기판(W) 상에 및/또는 지지 테이블(WT) 상에 잔류하는 것을 초래한다.
본 발명의 실시예는 위에서 설명된 비교예에 비해 개선을 달성할 것으로 예상된다. 특히, 본 발명의 실시예는 언로딩 공정 동안 에지에서의 기판(W)의 굽힘을 피하면서, 시일 부재(24) 상으로 되돌아가는 액체의 양을 감소시킬 것으로 예상된다.
특히, 도 8에 나타나 있는 시퀀스는 제2 압력(p2)이 증가되자마자 액체가 시일 부재(24) 상으로 되돌아가는 것을 초래한다. 결과적으로, 시일 부재(24)는 젖은 상태로 유지되며, 이는 바람직하지 않게 다음 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상으로 접착되게 한다.
도 7에서 보여지는 바와 같이, 실시예에서, 컨트롤러(500)는 기판(W)과 시일 부재(24) 사이에 유지된 액체의 적어도 일부를 제거하기 위해 제2 압력(p2)을 감소시키면서 제1 압력(p1)을 증가시키도록 조정되어 있다. 이는 도 7에서 보여지고 있는 중앙 기간이 시작할 때에 보여지고 있다. 제1 압력(p1)은 제2 압력(p2)이 감소되는 동시에 증가된다. 결과적으로, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 압력차가 더욱 빠르게 증가되며, 그에 의하여 액체 메니스커스(23)를 더 빨리 제거한다. 이는 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 더욱 빨리 언로딩될 수 있고, 이에 의하여 처리량을 증가시킨다는 것을 의미한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 제2 압력(p2)은 제1 압력(p1)보다 나중인 시간에 주위 압력의 레벨 (Y 축 상의 영선(zero line))에 도달한다. 기판(W)을 지지 테이블(WT)로부터 언로딩하는 공정 전체에 걸쳐 제2 압력(p2)은 제1 압력(p1)보다 낮게 유지된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 제2 압력(p2)은 언로딩 공정 동안 주위 압력에 대하여 제1 압력(p1)의 레벨보다 낮은 레벨에서 가해진다. 따라서, 언로딩 공정 전체에 걸쳐 액체는 중앙 영역(21)에서 떨어져 제2 채널(27)을 향하여 가압된다. 그 결과, 시일 부재(24)에 가까운 임의의 액체는 중앙 영역(21)으로부터 떨어져 가압된다. 예를 들어, 액체는 제2 채널(27)을 통해 제거될 수 있으며, 이에 의하여 언로딩 공정이 종료된 후 지지 테이블(WT) 상에 남아있는 액체의 양이 감소된다.
도 9 내지 도 12 각각은 본 발명의 실시예에 따른 진공 시스템(40)을 개략적으로 도시하고 있다. 도 9 내지 도 12에 도시되어 있는 진공 시스템(40)은 위에서 설명된 압력 시퀀스 (예를 들어, 도 7에 도시되어 있는 압력 시퀀스)를 구현하기 위해 사용될 수 있다.
진공 시스템(40)은 지지 테이블(WT)을 위한 것이며, 지지 테이블은 기판(W)을 유지시키기 위한 것이다. 진공 시스템(40)은 제1 압력 회로(43)를 포함하는 흐름 회로(flow circuit)를 포함하고 있다. 제1 압력 회로(43)는 제1 진공압 라인(49)을 포함하고 있다. 제1 진공압 라인(49)은 (예를 들어, 도 15에 도시된 바와 같이) 지지 테이블(WT)을 기판 테이블(65) 상으로 클램핑하기 위한 것이다. 실시예에서, 진공 시스템(40)의 흐름 회로는 제2 압력 회로(42)를 포함하고 있다. 제2 압력 회로(42)는 제2 진공압 라인(41) 및 제3 진공압 라인(54)을 포함하고 있다. 제3 진공압 라인(54)은 기판(W)을 지지 테이블(WT)에 클램핑하기 위하여 기판(W)의 중앙 부분(WC) 아래에서 지지 테이블(WT)의 중앙 영역(21)에 제1 압력(p1)을 가하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 실시예에서, 제3 진공압 라인(54)은 제1 채널(26)에 연결되어 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 지지 테이블(WT)은 기판 테이블(65)에 의해 지지된다. 지지 테이블(WT)과 기판 테이블(65) 간의 주위 압력보다 작은 압력을 가함으로써 지지 테이블(WT)은 기판 테이블(65) 상으로 클램핑된다. 실시예에서, (도 1에 나타나 있는) 제2 포지셔너(PW)는 기판 테이블(65)을 포함하고 있다. 일반적으로, 지지 테이블(WT)의 이동은 제2 포지셔너(PW)의 일부를 형성하는 장-스트로크 모듈 및 단-스트로크 모듈을 사용하여 실현될 수 있다. 실시예에서, 단-스트로크 모듈은 기판 테이블(65)을 포함하고 있다. 제1 압력 회로(43)는 지지 테이블(WT)을 제2 포지셔너(PW)에 클램핑하기 위한 압력을 가하도록 구성되어 있다.
실시예에서, 진공 시스템(40)의 흐름 회로는 제2 압력 회로(42)를 포함하고 있다. 제2 압력 회로(42)는 기판(W)의 주변부(WP) 아래에서 기판 테이블(WT)의 주변 영역(22)으로 제2 압력(p2)을 가하도록 구성되어 있다. 실시예에서, 제2 압력 회로(42)는 진공 디바이스를 포함하고 있다. 진공 디바이스는 압력을 제2 압력 회로(42)에 제공하도록 구성되어 있다.
도 9 내지 도 12의 각각에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제2 압력 회로(42)는 제2 진공압 라인(41)을 포함하고 있다. 예를 들어, 실시예에서, 제2 압력(p2)을 주변 영역(22)에 가하기 위해 제2 진공압 라인(41)은 제2 채널(27)에 연결되어 있다. 실시예에서, 제2 압력 회로(42)는 제2 압력 회로(42)로부터 분기되는 제3 진공압 라인(50)을 포함하고 있다.
도 9 내지 도 12의 각각에 도시된 바와 같이, 진공 시스템(40)의 흐름 회로는 제1 흐름 제어기(44)를 포함하고 있다. 제1 흐름 제어기(44)는 제2 진공압 라인(41) 내의 압력을 제어하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 실시예에서, 제1 흐름 제어기(44)는 개폐될 수 있는 밸브이다. 제1 흐름 제어기(44)가 개방될 때, 제2 진공압 라인(41)은 제2 압력 회로(42)의 진공 공급부에 연결된다.
도 9 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 진공 시스템(40)의 흐름 회로는 제2 흐름 제어기(45)를 포함하고 있다. 제2 흐름 제어기(45)는 제4 진공압 라인(50) 내의 압력을 제어하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 실시예에서, 제2 흐름 제어기(45)는 개폐될 수 있는 밸브이다.
도 9 내지 도 11 에 나타나 있는 실시예에서, 제2 흐름 제어기(45)가 개방되면, 제4 진공압 라인(50)은 제1 압력 회로(43)와 유체 연통된다. 따라서, 제1 흐름 제어기(44)와 제2 흐름 제어기(45)를 전환(switching)시킴으로써, 제2 진공압 라인(41) 내의 압력은 제2 압력 회로(42) 내의 진공 공급부에 의해 공급되는 것으로부터 제1 압력 회로(43) 내의 진공 공급부에 의해 공급되는 것으로 전환될 수 있다. 그 결과, 제1 흐름 제어기(44)와 제2 흐름 제어기(45)를 전환시킴으로써 제2 압력(p2)이 제어될 수 있다.
예를 들어, 실시예에서, 제1 압력 회로(43)의 진공 공급부는 제2 압력 회로(42)의 진공 공급부와 비교하여 더 낮은 압력 (즉, 더 강한 진공)을 제공한다. 따라서, 노광 공정 동안, 2 압력(p2)이 제2 압력 회로(42)의 진공 공급부에 의해 제어되도록 제1 흐름 제어기(44)는 개방되고 제2 흐름 제어기(45)는 폐쇄된다. 언로딩 공정이 시작되기 직전에, 제2 압력(p2)이 압력 회로(43)의 진공 공급부에 의해 공급되는 압력으로 감소되도록 제1 흐름 제어기(44)는 폐쇄될 수 있고 제2 흐름 제어기(45)는 개방될 수 있다.
지지 테이블(WT)은 진공압에 의하여 기판 테이블(65) 상으로 클램핑된다. 기판(W)은 진공압에 의해 지지 테이블(WT) 상으로 클램핑된다. 실시예에서, 지지 테이블(WT)과 기판 테이블(65) 사이의 영역에 가해지는 압력은 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 영역에 가해지는 압력보다 낮다.
도 9 내지 도 12에 도시된 실시예에서, 노광 공정 동안 제1 진공압 라인(49)은 제2 진공압 라인(41) 또는 제3 진공압 라인(54)과 비교하여 더 낮은 압력을 제공하도록 구성되어 있다. 제1 압력 회로(43)는 제2 압력 회로(42)보다 낮은 압력 (즉, 더 강한 진공)을 공급할 수 있다.
도 9 내지 도 12의 각각에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제2 진공압 라인(41)은 제3 진공압 라인(54)에 연결되어 있다. 제2 진공압 라인(41)을 제3 진공압 라인(54)에 연결하기 위하여 연결 라인(55)이 제공되어 있다. 동일한 진공압 소스는 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 모두에 과소 압력(underpressure)을 공급한다. 예를 들어, 노광 공정 중에, 제2 압력 회로(42)는 제2 압력 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 모두에 과소 압력을 공급한다. (예를 들어, 언로딩 공정을 위해) 액체 메니스커스(23)를 제거할 필요가 있을 때, 제2 압력 라인(41)과 제3 진공압 라인(54)에 대한 과소 압력의 소스가 전환된다. 도 9 내지 도 11에 도시된 실시예에서, 과소 압력의 소스는 제2 압력 회로(42)에서 제1 압력 회로(43)로 전환된다. 도 12에 도시된 실시예에서, 과소 압력의 소스는 제2 압력 회로(42)에서 제3 압력 회로(63)로 전환된다.
도 9 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 시스템(40)은 제4 흐름 컨트롤러(58)를 포함하고 있다. 제4 흐름 제어기(58)는 주위 압력으로부터 제3 진공압 라인(54)으로의 흐름을 제어하기 위한 것이다. 예를 들어, 실시예에서, 제4 흐름 제어기(58)는 제한부(restriction)이다. 주위 압력으로부터 제3 진공압 라인(54)으로의 흐름은 제3 진공압 라인(54)에 의해 중앙 영역(21)으로 제공된 압력을 증가시킨다. 결과적으로, 중앙 영역(21)에 공급된 제1 압력(p1)은 주변 영역(22)에 가해진 제2 압력(p2)보다 크다. 제4 흐름 제어기(58)는 노광 작동 중에 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 차이가 미리 결정된 범위 내에 있도록 구성되어 있다.
도 9 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 진공 시스템(40)은 제1 주위 압력 라인(57)을 포함하고 있다. 제1 주위 압력 라인(57)은 제3 진공압 라인(54)과 유체 연통되어 있다. 제4 흐름 제어기(58)는 제1 주위 압력 라인(57) 내에 제공되어 있다. 제1 주위 압력 라인(57)은 제4 흐름 제어기(58)를 통해 주위 압력을 제3 진공압 라인(54)에 연결한다.
도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 진공 시스템(40)은 제6 흐름 제어기(56)를 포함하고 있다. 제6 흐름 제어기(56)는 제2 진공압 라인(41)을 제3 진공압 라인(54)에 연결하는 연결 라인(55)에 제공되어 있다. 제6 흐름 제어기(56)는 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 사이의 흐름을 제어하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 실시예에서, 제6 흐름 제어기(56)는 흐름을 제한하도록 구성된 제한부이다. 실시예에서, 제6 흐름 제어기(56)는 제3 진공압 라인(54)으로부터 제2 진공압 라인(41)으로의 흐름을 제한한다. 이는 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 간의 압력차를 유지하는 것을 돕는다. 위에서 설명된 바와 같이, 주위 압력으로부터 제3 진공압 라인(54)으로의 흐름이 또한 존재한다. 제6 흐름 제어기(56)는 주위 압력으로부터 제2 진공압 라인(41)으로의 흐름을 제한하도록 구성되어 있다.
도 9 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 시스템(40)은 제7 흐름 제어기(59)를 포함하고 있다. 　제7 흐름 제어기(59)는 제3 진공압 라인(54) 내에 제공되어 있다. 제7 흐름 제어기(59)는 제3 진공압 라인(54) 내의 압력을 제어하도록 구성되어 있다. 실시예에서, 제7 흐름 제어기(59)는 개폐될 수 있는 밸브이다. 노광 공정 동안, 제7 흐름 제어기(59)는 개방되며, 제1 흐름 제어기(44) 또한 개방된다. 제7 흐름 제어기(59)를 폐쇄함으로써 제1 압력(p1)이 증가될 수 있다.
도 9 내지 도 11의 각각에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 디바이스는 진공 챔버(47)를 포함하고 있다. 진공 챔버(47)는 제3 흐름 제어기(48)의 상류에 있다. 제3 흐름 제어기(48)는 진공 챔버(47)로부터 제1 압력 회로(43)로의 흐름을 제어하도록 구성되어 있다. 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제3 흐름 제어기(48)는 제4 진공압 라인(50) 내에 있다. 대안적으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제3 흐름 제어기(48)는 (이후에 더 상세히 설명될) 제5 진공압 라인(51) 내에 있다 실시예에서, 제3 흐름 제어기(48)는 진공 챔버(47)로부터 제1 압력 회로(43)의 진공 공급부로의 연속적인 흐름을 제한하도록 구성된 제한부를 포함하고 있다.
제1 흐름 제어기(44)가 폐쇄되고 제2 흐름 제어기(45)가 개방될 때, 제2 진공압 라인(41)은 진공 챔버(47)와 유체 연통 상태가 된다. 결과적으로, 제2 압력(p2)은 진공 챔버(47) 내의 압력을 향하여 감소된다.
제2 압력(p2)의 이러한 감소는 1초 미만, 선택적으로 0.5초 미만, 선택적으로 0.2 초 미만 그리고 선택적으로 0.1 초 미만 동안 적용될 수 있다. 시일 부재(24)와 기판(W) 사이로부터 액체 메니스커스(23)를 제거하기 위해 제2 압력(p2)이 감소된다.
제2 압력(p2)이 감소된 후, 제2 압력은 그러면 도 7에 보여진 바와 같이 주위 압력을 향하여 다시 증가된다. 이때, 제2 흐름 제어기(45)는 폐쇄될 수 있으며, 진공 챔버(47) 내의 압력은 제1 압력 회로(43) 내의 진공 공급부에 의해 공급되는 압력을 향해 다시 감소될 수 있다.
제2 흐름 제어기(45)가 개방될 때마다, 제2 진공압 라인(41)에 의해 제공되는 과소 압력은 증가(boosted)된다. 이는 제2 압력(p2)이 일시적으로 감소된다는 것을 의미한다. 이것이 발생하면, 제1 압력 회로(43) 내의 진공압이 빠르게 증가한다. 이는 제1 압력 회로(43)가 제2 진공압 라인(41) 내에서 더 높은 진공압에 노출되기 때문이다. 제2 진공압 라인(41)에 의해 제공되는 과소 압력의 일시적인 감소 후에, 제1 압력 회로(43)에 의해 공급된 원래의 진공 레벨이 회복된다. 진공 챔버(47)는 진공압을 저장하고 제2 진공압 라인(41)에 의해 제공된 상승(boosting)시킬 때 진공압을 해제하기 위한 것이다. 진공 디바이스가 진공 챔버(47)를 포함하고 있다는 것을 제공함으로써, 원래의 진공 레벨이 더욱 신속하게 회복될 수 있다. 이는 기판(W)의 처리량을 증가시키는 데 유용하다. 특히, 이는 제1 압력 회로(43)에 의해 공급된 진공 레벨이 사용 중간에 회복되기 위해 요구되는 임의의 대기 시간을 감소시킨다. 진공 챔버(47) 내의 진공 레벨은 다른 진공 레벨을 방해하지 않도록 낮은 유량에서 측정 및 노광 공정 동안 (즉, 기판 교환 시퀀스 사이)에 회복될 수 있다.
도 10 내지 도 12 각각에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 시스템(40)은 분리 챔버(60)를 포함하고 있다. 분리 챔버(60)는 2상(two phase) 흐름의 분리를 위한 것이다. 2상 흐름은 액체와 기체 모두를 포함하는 유동이다. 분리 챔버(60)는 제2 압력 회로(42) 내에 제공된다. 2상 흐름은 제2 진공압 라인(41)으로부터 (예를 들어, 제2 채널(27)로부터) 분리 챔버(60)로 들어간다.
액체는 액체 유출구(62)를 통해 분리 챔버(60)로부터 배출된다. 가스는 가스 유출구(61)를 통하여 분리 챔버(60)로부터 배출된다. 액체 유출구(62)는 분리 챔버(60)의 최하부에 위치되어 있다. 2상 흐름으로부터의 액체는 중력으로 인해 분리 챔버(60)의 최하부에서 수집된다. 도 10 및 도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 액체는 그후 제1 흐름 제어기(44)가 개방될 때 분리 챔버(60)로부터 추출될 수 있다. 대안적으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제5 흐름 제어기(52)는 제4 진공압 라인(50) 내에 제공되어 있다. 액체는 제5 흐름 제어기(52)가 개방될 때 분리 챔버(60)로부터 추출될 수 있다. 그러나, 제1 흐름 제어기(44) (도 10 또는 도 12 참조) 또는 제5 흐름 제어기(52) (도 11 참조)가 폐쇄될 때, 액체는 분리 챔버(60) 내에 남아 있는다. 실시예에서, 제2 압력(p2)이 감소되고 있을 때 (예를 들어, 제2 흐름 제어기(45)가 개방될 때) 액체 추출은 차단된다. 액체 추출은 그후 제2 흐름 제어기(45)가 폐쇄되고 제1 흐름 제어기(44)가 개방될 때 복구된다. 이는 기판(W)이 언로딩된 후에 발생한다.
분리 챔버(60)를 제공함으로써, 제1 압력 회로(43)로 배출되는 액체의 양은 감소되거나 제거된다. 이는 제1 압력 회로(43)의 요소를 액체로부터 보호한다. 두 번째 장점은 제1 압력 회로(43)를 통한 단일 상(single phase) 흐름을 가짐으로써, 제1 진공압 라인(49) 내의 압력이 더 안정적이라는 것이다. 이는 2상 흐름이 전형적으로, 바람직하지 않은 압력 변화를 생성하기 때문이다.
분리 챔버(60)는 가스 추출에 사용된 진공 레벨과 비교하여 액체를 추출하기 위해 더 강한 진공 레벨을 요구하지 않는다. 따라서, 가스 유출구(61)가 가장 낮은 압력을 갖는 제1 압력 회로(43)에 연결되는 것이 가능하다 (도 10 및 도 11 참조).
실시예에서, 진공 챔버(60)는 적어도 1 밀리리터, 선택적으로 적어도 2 밀리리터, 선택적으로 적어도 5 밀리리터의 체적을 갖고 있다. 실시예에서, 분리 챔버(60)는 최대 10 밀리리터, 선택적으로 최대 5 밀리리터, 그리고 선택적으로 최대 2 밀리리터의 체적을 갖고 있다.
도 10 및 도 12에 도시된 바와 같이, 분리 챔버(60)는 제1 흐름 제어기(44)와 제2 흐름 제어기(45)의 상류에 있다. 실시예에서 도 10 및 도 12에 도시된 바와 같이, 분리 챔버(60)는 제2 진공압 라인(41) 및 제4 진공압 라인(50)과 유체 연통되어 있다.
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*제4 진공압 라인(50)은 분리 챔버(60)의 가스 유출구(61)에 연결되어 있다. 제1 흐름 제어기(44)는 분리 챔버(60)로부터의 액체 추출을 제어하도록 구성되어 있다. 제2 흐름 제어기(45)는 제2 진공압 라인(41)이 언로딩 공정 직전에 사용된 저압부에 연결되는지 여부를 제어하도록 구성되어 있다.
실시예에서, 제2 진공압 라인(41)은 액체의 흐름을 위해 구성되고, 제4 진공압 라인(50)은 가스의 흐름을 위해 구성되어 있다 (도 10 및 12 참조). 따라서, 제1 흐름 제어기(44)가 개방될 때, 액체는 분리 챔버(60)로부터 제2 진공압 라인(41) 내로 그리고 제1 흐름 제어기(44)를 통해 유동한다. 한편, 액체가 분리 챔버(60)에 의하여 2상 흐름으로부터 분리되기 때문에 실질적으로 액체가 제4 진공압 라인(50)을 통과하지 않는다. 결과적으로, 가장 낮은 압력을 제공하는 제1 압력 회로(43)는 건조하게 유지될 수 있다.
도 9 내지 도 12 각각에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 진공 디바이스(46, 47)는 제2 흐름 제어기(45)의 하류에 있으며, 압력을 제4 진공압 라인(50)에 제공하도록 구성되어 있다. 제2 흐름 제어기(45)가 폐쇄될 때, 더 낮은 압력은 주변 영역(22)에 가해지지 않는다. 제2 흐름 제어기(45)가 개방될 때 (그리고 제1 흐름 제어기(44)가 폐쇄될 때), 더 낮은 압력이 주변 영역(22)에 가해진다.
도 9 내지 도 11의 각각에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 제4 진공압 라인(50)은 제1 압력 회로(43)와 유체 연통되어 있다. 이는 제1 압력 회로(43)가 지지 테이블(WT)을 기판 테이블(65)에 클램핑하기 위할 뿐만 아니라 언로딩 공정 직전에 주변 영역(22)에 그리고 노광 공정 중에 진공 챔버(47)에 더 낮은 압력을 가하기 위해 사용될 수 있다는 것을 의미한다.
실시예에서, 제3 흐름 제어기(48)는 제2 압력 회로(42)로부터 제1 압력 회로(43)로의 흐름의 양을 제어하도록 구성되어 있다 (도 9 내지 도 11 참조). 도 9 내지 도 11에 나타나 있는 실시예에서, 제3 흐름 제어기(48)는 예를 들어 노광 및 측정 작동 동안 진공 챔버(47) 내의 압력이 천천히 감소되는 것을 허용하는 제한부(restriction)이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 디바이스는 벤튜리 펌프(46)를 포함하고 있다. 벤튜리 펌프(46)는 벤튜리 효과에 의해 진공을 생성한다. 실시예에서, 벤튜리 펌프(46)는 이젝터-제트 펌프의 유형의 흡인기이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제4 진공압 라인(50)은 제3 압력 회로(63)와 유체 연통되어 있다. 제3 압력 회로(63)는 벤튜리 펌프(46)에 의해 생성된 진공을 갖는다. 벤튜리 펌프(46)는 언로딩 공정 이전에 제2 압력(p2)을 감소시키는데 필요한 강한 진공을 생성하는 대안적인 방법이다. 벤튜리 펌프(46)는 작은 진공 흐름을 위해 상당히 작을 수 있다. 실시예에서, 제3 압력 회로(63)는 압축 건조 공기의 공급부를 포함하고 있다. 결과적으로 진공을 생성하는 벤튜리 효과를 가져오기 위하여 압축 건조 공기의 공급부는 벤튜리 펌프(46)에 제공되어 있다.
진공 디바이스가 벤튜리 펌프(46)를 포함하고 있다는 점을 제공함으로써, 제1 압력 회로(43)의 진공 공급부는 제2 압력(p2)을 감소시키는 것에 영향을 받지 않는다.
실시예에서, 제3 압력 회로(63) 내의 압축 건조 공기의 공급이 기판(W)의 언로딩 동안 공기를 기판(W)을 향해 송풍하기 위해 추가로 사용될 수 있다. 실시예에서, 압축 건조 공기가 흐름 제어기를 활성화시키기 위해 추가로 사용된다.
도 9 및 도 10의 실시예와 비교하여 도 11의 실시예의 차이점이 아래에 강조되어 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 챔버(47)와 분리 챔버(60)는 결합될 수 있다. 실시예에서, 진공 시스템(40)은 제5 진공압 라인(51)을 포함하고 있다. 제5 진공압 라인(51)은 제4 진공압 라인(50)으로부터 분기된다. 제5 진공압 라인(51)은 결합된 진공 챔버(47)와 분리 챔버(60)를 제1 압력 회로(43)에 연결하기 위한 것이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 분리 챔버(60)는 제4 진공압 라인(50) 내의 제2 흐름 제어기(45)의 하류 및 제5 흐름 제어기(52)의 상류에 있으며 제4 진공압 라인(50) 및 제5 진공압 라인(51)과 유체 연결되어 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 제4 진공압 라인(50)은 제2 압력 회로(42)와 유체 연통되어 있으며, 제5 진공압 라인(51)은 제1 압력 회로(43)와 유체 연통되어 있다.
실시예에서, 제4 진공압 라인(50)은 액체와 가스의 흐름을 위해 구성되며, 제5 진공압 라인(51)은 가스의 흐름을 위해 구성되어 있다. 따라서, 제4 진공압 라인(50)은 2상 흐름을 입력하기 위하여 분리 챔버(60)에 연결되어 있다. 제4 진공압 라인(50)의 하류 부분은 분리 챔버(60)의 액체 유출구(62)에 연결되어 있다. 제5 진공압 라인(51)은 분리 챔버(60)의 가스 유출구(61)에 연결된다.
따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 챔버(47)는 분리 챔버(60)를 포함하고 있다. 진공 시스템(40)은 제5 진공압 라인(51) 내의 압력을 제어하기 위한 제3 흐름 제어기(48)를 포함하고 있다. 본 실시예의 제3 흐름 제어기(48)는 도 9 및 도 10의 실시예에서의 제3 흐름 제어기(48)와 동일한 방식으로 작동한다. 즉, 제3 흐름 제어기(48)는 진공 챔버(47)로부터 제1 압력 회로(43)의 진공 공급부로의 연속적인 흐름을 제한하도록 구성된 제한부를 포함하고 있다.
실시예에서, 제2 압력(p2)은 기판(W)의 언로딩 동안의 한 시점에서 주위 압력에 대하여 제1 압력(p1)보다 낮은 압력으로 구성되어 있다. 이는 도 7에도 나타나 있다. 부가적으로, 제2 압력(p2)은 기판(W)의 언로딩 동안의 한 시점에서 감소되도록 구성되어 있다.
도 9 내지 도 12에 도시된 각각의 실시예 각각에서, 제2 진공압 라인(41)에 의해 공급되는 제2 압력(p2)은 어느 진공 소스가 제2 진공압 라인(41)에 연결되는지를 전환함으로써 일시적으로 감소될 수 있다. 이 기능을 필요로 하지 않는 2개의 대안적인 실시예가 도 13 및 도 14를 참조하여 설명될 것이다.
도 13 및 도 14의 실시예의 구성 요소 중 일부는 도 9 내지 도 12의 실시예의 구성 요소와 동일하다. 이 경우에, 도면에서 동일한 참조 번호가 사용되었으며 상세한 설명은 생략된다.
도 13에 도시된 실시예에서, 제1 진공압 라인(49), 제2 진공압 라인(41) 및 제3 진공압 라인(54) 각각은 제1 압력 회로(43)에 포함되어 있다. 제2 압력 회로(42)는 필요하지 않다. 제1 압력 회로(43)는 지지 테이블(WT)을 기판 테이블(65)에 클램핑하기 위한 강한 진공을 제공하도록 구성되어 있다. 따라서, 도 13의 실시예에서, 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이에 가해진 압력은 지지 테이블(WT)과 기판 테이블(65) 사이의 영역에 가해진 압력과 더 유사할 수 있다. 이는 지지 테이블(WT)을 기판 테이블(65)에 클램핑하기 위한 압력이 기판(W)을 지지 테이블(WT)에 클램핑하기 위한 압력보다 훨씬 낮은 도 9 내지 도 12에 나타나 있는 실시예와 다르다.
언로딩 공정 동안, 제7 흐름 제어기(59)는 폐쇄된다. 이는 중앙 영역(21)에 가해지는 제1 압력(p1)을 주위 압력을 향하여 상승하게 한다. 이는 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 차이를 증가시킨다. 차이가 충분히 클 때, 메니스커스(23)의 액체의 적어도 일부가 제거된다. 이어서, 제1 흐름 제어기(44)가 폐쇄된다. 이는 제2 압력(p2)을 주위 압력을 향하여 상승하게 한다. 기판(W)은 이후 지지 테이블(WT)로부터 들어 올려질 수 있다.
따라서, 도 13의 실시예를 이용하는 언로딩 공정은 도 8에 도시된 것과 유사한 패턴을 따를 수 있다. 그러나, 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54)은 제1 압력 회로(43)의 더 강한 진공 소스에 연결되어 있다. 그 결과, 제7 흐름 제어기(59)가 폐쇄될 때, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이에 더 큰 압력차가 있을 수 있다. 더 큰 압력차는 기판(W)의 후방 표면 상에 그리고 시일 부재(24) 상에 더 적은 액체가 남아 있는 방식으로 메니스커스(23)를 제거하는 것을 돕는다.
도 14에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제3 진공압 라인(54)은 제1 압력 회로(43)에 포함되어 있다. 따라서, 노광 공정 동안, 중앙 영역(21)에는 제1 압력(p1)으로서 강한 진공(deep vacuum)이 제공된다. 도 14에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제2 압력 회로(42)가 제공되어 있다. 제2 압력(42)은 제2 진공압 라인(41)을 포함하고 있다. 도 9 내지 도 12에 도시된 실시예에서, 제1 압력 회로(43)는 제2 압력 회로(42)와 비교하여 더 강한 진공을 제공하도록 구성되어 있다. 그러나, 도 14의 실시예에서, 제2 압력 회로(42)는 제1 압력 회로(43)와 유사한 강한 진공을 제공하도록 구성되어 있다. 이는 노광 공정 중에 (제3 진공압 라인(54)에 의하여 제공된) 제1 압력(p1)과 (제2 진공압 라인(41)에 의하여 제공된) 제2 압력(p2) 사이의 압력차가 작아지는 것을 가능하게 한다. 시일부가 시일 부재(24) 상에 형성되도록 노광 공정 동안 압력차가 작은 것이 바람직하다. 노광 공정 동안 압력차가 너무 크다면, 그후 시일부를 형성하는 액체가 제거되어 시일부가 없을 것이다.
언로딩 공정 동안, 제1 압력(p1)이 증가하도록 제7 흐름 제어기(59)는 폐쇄된다. 메니스커스(23)를 제거하기 위하여, 이는 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 간의 압력차를 증가시킨다. 그후, 제2 압력(p2)이 주위 압력을 향하여 증가하도록 제1 흐름 제어기(44)는 폐쇄된다. 기판(W)은 그후 지지 테이블(WT)로부터 제거될 수 있다.
도 14의 실시예에서, 노광 프로세스 동안, 제1 압력(p1) 및 제2 압력(p2)은 모두 강한 진공에 대응한다. 그 결과, 제7 흐름 제어기(59)가 폐쇄될 때, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이에 큰 압력차가 존재한다. 이 압력차는 메니스커스(23)가 제거되고 언로딩 공정 후에 기판(W) 및/또는 지지 테이블(WT) 상에 남아있는 액체의 양을 감소시키기에 충분히 클 수 있다.
도 16은 언로딩 공정 전 및 언로딩 공정 동안 상이한 영역들에서의 시간과 압력 간의 관계를 보여주는 그래프이다. 점과 긴 대시 표시로 형성된 하부 라인은 언로딩 공정 동안 주변 영역(22)에서의 제2 압력(p2)을 보여주고 있다. 짧은 대시 표시로 형성된 상부 라인은 언로딩 공정 동안 중앙 영역(21)에서의 제1 압력(p1)을 나타내고 있다.
도 16에서 보여지는 압력 변화는 단지 개략적인 것이며 언로딩 공정 전 및 언로딩 공정 동안 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)이 어떻게 변하는 지의 일 예를 나타내고 있다. 그러나, 본 발명은 도 16에 나타나 있는 바와 같은 특정 형태의 라인에 제한되지 않는다.
도 16에 도시된 바와 같이, 실시예에서 컨트롤러(500)는 제1 압력(p1)을 주위 압력을 향하여 증가시키도록 조정되어 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(500)는 제1 압력(p1)을 주위 압력을 향하여 증가시키는 것과 동시에 제2 압력(p2)을 주위 압력을 향하여 증가시키도록 추가로 조정되어 있다. 실시예에서, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)은 주위 압력을 향하여 증가되면서 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 압력차는 실질적으로 일정하게 유지된다.
제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)이 주위 압력을 향하여 증가된 후, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)은 실질적으로 일정한 수준에 도달한다. 이는 정상 상태로 불릴 수 있다. 정상 상태에서, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 간의 압력차는 노광 공정 동안의 압력차와 실질적으로 동일하다.
실시예에서, 컨트롤러(500)는 제2 압력(p2)을 감소시키도록 조정되어 기판(W)과 시일 부재(24) 사이에 유지되고 있는 액체의 적어도 일부가 제거된다. 이는 제2 압력(p2)이 그의 정상 상태 값의 끝에서 감소되는 도 16에 나타나 있다.
이는 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 제거되기 전에 발생한다. 따라서, 제2 압력(p2)은 기판(W)이 지지 테이블(WT)의 버얼(burl) 상에 지지된 상태로 유지되는 동안 감소된다. 이때, 즉 기판(W)이 언로딩되기 전에, 액체 메니스커스(23)로부터의 액체의 적어도 일부가 제거된다. 액체는 제2 채널(27)을 통해 제거될 수 있다.
실시예에서, 기판(W)을 불룩해지도록 하기 위해 과압이 중앙 영역(21)에 가해진다. 기판(W)이 불룩해질 때, 기판(W)의 형상은 변형되어 뒤집힌 보울(bowl) 형상을 갖는다. 기판(W)이 불룩해질 때, 기판(W)은 중앙 영역(21)에서 버얼과의 접촉을 상실한다. 그러나, 기판(W)은 주변부에서 지지 테이블(WT)과 접촉된 상태를 유지한다. 기판(W)의 불룩함은 시일 부재(24)와 기판(W) 사이의 갭(gap)을 개방하는 것을 돕는다. 시일 부재(24)와 기판(W) 사이의 증가된 갭은 기판(W)과 시일 부재(24) 사이에 유지되는 액체의 제거를 돕는다. 본 발명의 실시예는 기판(W)과 시일 부재(24) 사이로부터 빠져 나오는 액체의 양의 증가를 달성할 것으로 예상된다.
실시예에서, 제2 압력(p2)을 감소시키기 전에 기판(W)이 불룩해지도록 하기 위하여 과압이 중앙 영역(21)에 가해진다. 시일 부재(24)와 기판(W) 사이의 갭이 증가된 후에 제2 압력(p2)이 감소된다. 제2 압력(p2)이 감소되면, 더 많은 양의 액체가 시일 부재(24)와 기판(W) 사이로부터 제거될 수 있다.
도 16은 중앙 영역(21)에 가해지는 과압을 보여주고 있다. 이것은 타원형 경계 영역으로 강조된 도 16의 부분에서 보여지고 있다. 도 16의 강조된 타원형 경계 영역에 보여지고 있는 바와 같이, 제1 압력(p1)은 주위 압력 이상으로 증가된다. 과압이 가해진 직후 언젠가 기판(W)은 불룩해진다.
도 16에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 제1 압력(p1)이 실질적으로 일정하고 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 압력차가 노광 공정 동안의 압력차와 실질적으로 동일할 때, 제1 압력(p1)을 주위 압력을 향하여 증가시키는 단계 후에 과압이 한 번에 가해진다. 과압은 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)이 정상 상태에 있을 때 가해진다. 정상 상태에서, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)은 미리 결정된 알려진 값을 갖고 있다. 이후에 더 상세하게 설명될 바와 같이, 이 값은 제어될 수 있다. 이런 이유로, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) (및 이들의 차이)이 공지된 값을 가질 때 기판(W)이 한 번에 불룩해지도록 하기 위해 과압이 중앙 영역(21)에 가해진다. 공지된 값은 노광 공정 동안의 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)과 비교하여 대기압에 더 가깝다. 즉, 정상 상태에서는 클램핑 압력이 크게 감소된다. 클램핑 압력이 크게 감소되면 과압이 가해진다.
과압이 가해지면 기판(W)이 불룩해진다. 기판(W)이 불룩해질 때, 기판(W)의 에지는 지지 테이블(WT) 상의 가장 바깥쪽 버얼 위로 미끄러진다. 미끄러짐은 버얼의 마모를 야기할 수 있다. 그러나, 이 미끄러짐은 클램핑 압력이 크게 감소될 때 발생한다. 결과적으로, 바깥쪽 버얼을 마모시킬 수 있는 마찰 에너지가 크게 감소된다. 버얼을 마모시킬 수 있는 마찰력은 미끄러짐이 발생할 때의 클램핑 력에 정비례한다.
본 발명에 따르면, 기판(W)의 불룩함이 발생할 때를 제어하는 것이 가능하다. 불룩함은 기판(W)의 형상이 더 이상 변화되지 않고 뒤집어진 보울 형상을 갖도록 기판(W)의 변형이 완료될 때 발생하는 것으로 간주된다. 본 발명의 실시예는 지지 테이블(WT)의 바깥 쪽 버얼의 마모 감소를 달성할 것으로 예상된다.
도 17은 비교예에 따른 언로딩 공정 중 상이한 영역들에서의 시간과 압력의 관계를 보여주고 있는 그래프이다. 비교예에서, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이에 큰 압력차가 있을 때 과압이 중앙 영역(21)에 가해진다. 기판(W)의 주변부를 클램핑하는 제2 압력(p2)이 도 16에 도시된 실시예에서와 비교하여 낮을 때 과압이 중앙 영역(21)에 가해진다. 그 결과, 본 발명과 비교하여 더 큰 클램핑 압력이 존재할 때 기판(W)이 한 번에 불룩해진다. 이는 기판(W)의 에지가 지지 테이블(WT) 상의 바깥쪽 버얼 위로 미끄러질 때, 바깥쪽 버얼을 마모시킬 수 있는 더 큰 힘이 있다는 것을 의미한다. 이는 과압이 중앙 영역(21)에 가해질 때 더 큰 클램핑 압력 때문이다.
도 16에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(500)는 언로딩 공정 동안 제2 압력(p2)을 주위 압력을 향해 증가시키도록 조정된다. 특히, 액체의 일부를 제거하기 위해 제2 압력(p2)이 감소된 후, 제2 압력(p2)은 주위 압력을 향해 증가된다. 제2 압력(p2)을 주위 압력을 향해 증가시킴으로써, 클램핑 압력은 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 제거될 수 있도록 감소된다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 진공 시스템(40)을 개략적으로 도시하고 있다. 도 18에 도시된 진공 시스템(40)은 위에서 설명된 압력 시퀀스 (예를 들어, 도 16에 나타나 있는 압력 시퀀스)를 실행하기 위하여 사용될 수 있다.
진공 시스템(40)은 지지 테이블(WT)을 위한 것이며, 지지 테이블은 기판(W)을 유지시키기 위한 것이다. 진공 시스템(40)은 제1 압력 회로(43)를 포함하는 흐름 회로를 포함하고 있다. 제1 압력 회로(43)는 제1 진공압 라인(49)을 포함하고 있다. 제1 진공압 라인(49)은 지지 테이블(WT)을 기판 테이블(65) 상으로 클램핑하기 위한 것이다.
실시예에서, 진공 시스템(40)의 흐름 회로는 제2 압력 회로(42)를 포함하고 있다. 제2 압력 회로(42)는 제2 진공압 라인(41) 및 제3 진공압 라인(54)을 포함하고 있다. 제3 진공압 라인(54)은 기판(W)을 지지 테이블(WT)에 클램핑하기 위해 제1 압력(p1)을 중앙 영역(21)에 가하도록 구성되어 있다. 제2 진공압 라인(41)은 제2 압력(p2)을 주변 영역(22)에 가하기 위해 제2 채널(27)에 연결되어 있다.
도 18 내지 도 22의 실시예 내의 구성 요소 중 일부는 도 9 내지 도 14의 실시예에서의 구성 요소와 동일하다. 이 경우, 도면에서 동일한 참조 번호가 사용되었으며 상세한 설명은 생략된다.
도 18에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 시스템(40)은 제6 흐름 제어기(56)를 포함하고 있다. 제2 진공압 라인(41)은 제6 흐름 제어기(56)를 통해 제3 진공압 라인(54)에 연결되어 있다. 제6 흐름 제어기(56)는 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 사이의 흐름을 제어하도록 구성되어 있다.
제1 주위 압력 라인(57)은 주위 압력으로부터 제3 진공압 라인(54)으로의 흐름을 제공한다. 제6 흐름 제어기(56)는 주위 압력으로부터 제2 진공압 라인(41)으로의 흐름을 제한하도록 구성되어 있다. 이는 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 간의 압력차를 유지하는 것을 돕는다. 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 간의 압력차 (즉, 작은 압력차)를 유지함으로써, 액체는 시일 부재(24)와 기판(W) 사이에서 유지될 수 있다. 그렇지 않으면, 제2 진공압 라인(41)과 제3 진공압 라인(54) 간에 작은 압력차가 유지될 수 없다면, 그후 예를 들어 액체가 바람직하지 않게 제거될 수 있고 그에 의하여 노광 공정 중에 시일부가 파손될 위험이 증가될 것이다.
도 18에 도시된 바와 같이, 실시예에서 진공 시스템(40)은 제2 주위 압력 라인(81)을 포함하고 있다. 제2 주위 압력 라인(81)은 제2 진공압 라인(41)을 주위 압력에 유체적으로 연결시킨다. 제8 흐름 제어기(82)는 주위 압력으로부터 제2 진공압 라인(41)으로의 흐름을 제어하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 실시예에서, 제8 흐름 제어기(82)는 흐름을 제한하도록 구성된 제한부이다.
실시예에서, 진공 시스템(40)은 제9 흐름 제어기(83)를 포함하고 있다. 제9 흐름 제어기(83)는 개폐될 수 있는 밸브이다. 노광 공정 동안, 제9 흐름 제어기(83)는 폐쇄된다. 그러나, 제9 흐름 제어기(83)는 언로딩 공정을 위하여 개방된다.
위에서 설명되고 도 16에 나타난 바와 같이, 기판(W)을 언로딩하기 전에, 제1 압력(p1) 및 제2 압력(p2)은 함께 주위 압력을 향해 증가된다 (즉, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2) 사이의 작은 압력차를 유지함). 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)은 정상 상태 값으로 증가된다. 이는 제9 흐름 제어기(83)를 개방함으로써 달성된다. 제9 흐름 제어기(83)가 개방될 때, 제2 진공압 라인(41)은 제8 흐름 제어기(82)를 통해 제2 주위 압력 라인(81)을 따라 주위 압력에 연결된다. 이는 주위 압력으로부터 제2 진공압 라인(41)으로의 흐름을 허용한다. 이는 제2 압력(p2)을 증가시킨다. 동시에, 제2 진공압 라인(41) 내의 압력 증가는 제1 압력(p1)이 동일한 속도로 증가하도록 제3 진공압 라인(54) 내의 압력을 증가시킨다.
제9 흐름 제어기(83)가 개방된 상태에서, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)은 정상 상태 값에 도달할 때까지 주위 압력을 향하여 계속 증가된다. 정상 상태 값은 제8 흐름 제어기(82)의 구성에 좌우된다. 제8 흐름 제어기(82)가 주위 압력으로부터 제2 진공압 라인(41)으로 더 큰 흐름을 허용하면, 그러면 정상 상태 값은 주위 압력에 더 가깝다. 따라서, 제8 흐름 제어기(82)의 제한부 내의 오리피스의 크기를 선택함으로써, 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)에 대한 정상 상태 값이 제어될 수 있다. 실시예에서, 제1 압력(p1)에 대한 정상 상태 값은 주위 압력 미만의 약 1 kPa 내지 약 20 kPa의 범위 내에 있다. 선택적으로, 제1 압력(p1)에 대한 정상 상태 값은 주위 압력 미만의 약 5 kPa 내지 약 10 kPa의 범위 내에 있다.
도 18에 도시된 바와 같이, 진공 시스템(40)은 밸브 (즉, 제9 흐름 제어기(83))를 갖는 블리드(bleed) (즉, 제8 흐름 제어기(82)를 갖는 제2 주위 압력 라인(81))를 구비하고 있다. 정상적인 클램핑 작동에서, (제9 흐름 제어기(83)가 폐쇄된다는 것을 보장함으로써) 블리드는 기판(W)의 완전한 클램핑을 위해 폐쇄된다. 기판(W)의 언로딩 동안, (제9 흐름 제어기(83)를 개방함으로써) 블리드가 개방되어 기판(W)에 대한 클램핑 압력을 감소시킨다. 감소된 클램핑 압력이 정상 상태에 도달되면, 기판(W)이 불룩해지도록 과압이 중앙 영역(21)에 공급된다. 기판(W)의 에지에서의 클램핑이 그의 정상 상태 감소 레벨에 있는 동안 기판(W)의 에지는 바깥쪽 버얼 위로 미끄러진다. 이는 바깥 쪽 버얼에 대한 마찰 에너지를 감소시킨다.
인식될 바와 같이, 위에서 설명된 특징은 다른 실시예와 함께 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 16은 제2 압력(p2)이 노광 작동 동안과 거의 동일한 수준으로 (즉, 도 16의 그래프의 가장 좌측에서) 감소된다는 것을 보여주고 있다. 그러나, 제2 압력(p2)은 노광 공정 동안의 것보다 낮은 수준으로 감소될 수 있다. 이는 시일 부재(24)와 기판(W) 사이에서 액체를 제거하는 것을 도울 것이다. 이는, 예를 들어 도 19 내지 도 22 중 어느 하나에 도시된 바와 같이 진공 시스템(40)을 사용하여 달성될 수 있다.
도 19는 제2 주위 압력 라인(81), 제8 흐름 제어기(82) 및 제9 흐름 제어기(83)가 도 9에 도시된 진공 시스템(40)에 적용되어 있는 진공 시스템(40)을 개략적으로 도시하고 있다. 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)을 그들의 정상 상태 값 (즉, 감소된 클램핑 압력)으로 증가시키기 위해 제9 흐름 제어기(83)는 개방된다. 기판(W)을 변형시켜 불룩한 형상을 형성하기 위하여, 과압이 그후 중앙 영역(21)에 가해진다. 기판이 불룩해지면, 제2 압력(p2)이 노광 공정 동안의 압력보다 낮은 수준으로 감소되도록 제2 흐름 제어기(45)가 개방된다. 불룩함이 실행될 때 제3 진공압 라인(54)은 제2 진공압 라인(41)에서 분리된다. 예를 들어, 제6 흐름 제어기(56)는 폐쇄될 수 있다. 제6 흐름 제어기(56)는 가변 제한부일 수 있다.
도 20은 제2 주위 압력 라인(81), 제8 흐름 제어기(82) 및 제9 흐름 제어기(83)가 도 10에 도시된 진공 시스템(40)에 적용되어 있는 진공 시스템(40)을 개략적으로 도시하고 있다. 제9 흐름 제어기(83)는 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)을 그들의 정상 상태 값 (즉, 감소된 클램핑 압력)으로 증가시키도록 개방된다. 기판(W)을 변형시켜 불룩한 형상을 형성하기 위하여, 과압이 그후 중앙 영역(21)에 가해진다. 기판이 불룩해지면, 제2 압력(p2)이 노광 공정 동안의 압력보다 낮은 수준으로 감소되도록 제2 흐름 제어기(45)가 개방된다.
도 21은 제2 주위 압력 라인(81), 제8 흐름 제어기(82) 및 제9 흐름 제어기(83)가 도 11에 도시된 진공 시스템(40)에 적용되어 있는 진공 시스템(40)을 개략적으로 도시하고 있다. 제9 흐름 제어기(83)는 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)을 그들의 정상 상태 값 (즉, 감소된 클램핑 압력)으로 증가시키도록 개방된다. 기판(W)을 변형시켜 불룩한 형상을 형성하기 위하여, 과압이 그후 중앙 영역(21)에 가해진다. 기판이 불룩해지면, 제2 압력(p2)이 노광 공정 동안의 압력보다 낮은 수준으로 감소되도록 제2 흐름 제어기(45)가 개방된다.
도 22는 제2 주위 압력 라인(81), 제8 흐름 제어기(82) 및 제9 흐름 제어기(83)가 도 12에 도시된 진공 시스템(40)에 적용되어 있는 진공 시스템(40)을 개략적으로 도시하고 있다. 제9 흐름 제어기(83)는 제1 압력(p1)과 제2 압력(p2)을 그들의 정상 상태 값 (즉, 감소된 클램핑 압력)으로 증가시키도록 개방된다. 기판(W)을 변형시켜 불룩한 형상을 형성하기 위하여, 과압이 그후 중앙 영역(21)에 가해진다. 기판이 불룩해지면, 제2 압력(p2)이 노광 공정 동안의 압력보다 낮은 수준으로 감소되도록 제2 흐름 제어기(45)가 개방된다.
인식될 바와 같이, 위에서 설명된 특징들 중 임의의 것이 임의의 다른 특징과 함께 사용될 수 있으며 본 출원에 포함된 것은 명확하게 설명된 조합뿐만이 아니다. 예를 들어, 본 발명의 실시예는 도 3의 예에 적용될 수 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 사용에 대해 특정한 언급이 이루어질 수 있지만, 본 명세서에 설명된 리소그래피 장치는, 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리를 위한 안내 및 검출 패턴, 평면-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCDs), 박막 자기 헤드(thin film magnetic heads) 등의 제조와 같은, 마이크로스케일 또는 심지어 나노스케일, 피처를 갖는 구성 요소를 제조하는 다른 적용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
문맥이 허용하는 경우, 본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 기계-독출 가능한 매체에 저장된 명령으로서 구현될 수 있으며, 이 매체는 하나 이상의 프로세서에 의해 독출되고 실행될 수 있다. 기계-독출 가능한 매체는 기계 (예를 들어, 계산 디바이스)에 의해 독출 가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하는 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-독출 가능한 매체는 독출 전용 메모리(ROM); 랜덤 억세스 메모리(RAM); 자기 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호(propagated signal) (예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 및 명령은 본 명세서에서 어떠한 동작을 수행하는 것으로서 설명될 수 있다. 하지만, 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이라는 점 그리고 이러한 동작은 실제로 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령 등을 실행하는 계산 디바이스, 프로세서, 컨트롤러, 또는 다른 디바이스에서 발생하며 그렇게 하면 액추에이터 또는 다른 디바이스를 물질계(physical world)와 상호 작용할 수 있게 한다는 점이 인식되어야 한다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 위의 설명은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 따라서, 후술되는 청구범위의 범위를 벗어나지 않으면서 설명된 바와 같이 본 발명에 대한 변형이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (12)

  1. 기판 테이블용 진공 시스템에 있어서,
    대상물을 유지시키도록 구성된 지지 테이블;
    상기 기판 테이블에 상기 지지 테이블을 클램핑시키도록 구성된 제1 진공압 라인;
    상기 대상물의 주변 부분 아래에서 제2 압력을 상기 지지 테이블의 주변 영역에 가하도록 구성된 제2 진공압 라인;
    상기 대상물을 상기 지지 테이블에 클램핑시키기 위하여 상기 대상물의 중앙 부분 아래에서 제1 압력을 상기 지지 테이블의 중앙 영역에 가하도록 구성된 제3 진공압 라인; 및
    상기 제1 압력 및 상기 제2 압력을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 제1 압력 및 제2 압력의 일정 수준에 도달할 때까지 주위 압력을 향해 제1 압력 및 제2 압력을 증가시키고, 이어서 제2 압력을 감소시킴으로써 상기 기판과 시일 부재 사이에 유지되는 액체의 적어도 일부를 제거하도록구성되는 진공 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어기는 상기 제1 압력을 주위 압력을 향하여 증가시키는 것과 동시에 상기 제2 압력을 주위 압력을 향하여 증가시키도록 추가로 조정되어 있는 진공 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 압력과 상기 제2 압력 간의 압력 차가 상기 시일 부재의 최상부의 모세관 압력보다 작은 것을 특징으로 하는 진공 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 압력 차는 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 일정 수준에 도달할 때까지 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 진공 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 압력 차는 노광 공정 동안의 압력 차와 동일한 것을 특징으로 하는 진공 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어기는 상기 기판이 상기 지지 테이블로부터 언로딩되기 전에 상기 기판이 상기 지지 테이블의 버얼(burl) 상에 지지된 상태로 유지되는 동안 상기 제2 압력을 감소시키도록 조정되어 있는 진공 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제어기는 상기 기판이 상기 주변 영역에서 지지 테이블과 접촉된 상태를 유지하고, 상기 중앙 영역에는 과압을 가하도록 조정되어 있는 진공 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 압력을 감소시키기 전에 상기 과압이 가해지는 것을 특징으로 하는 진공 시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 과압은 상기 제1 압력 및 상기 제2 압력의 일정 수준에 도달하는 시점에 적용되는 것을 특징으로 하는 진공 시스템.
  10. 제7항에 있어서, 상기 과압이 가해질 때, 상기 기판의 에지가 상기 지지 테이블 상의 가장 바깥쪽 버얼 위로 미끄러지는 것을 특징으로 하는 진공 시스템.
  11. 제7항에 있어서, 상기 과압은 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 압력 차가 클 때, 상기 중앙 영역에 가해지는 것을 특징으로 하는 진공 시스템.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어기는 상기 제2 압력을 감소시킨 후에 주위 압력을 향하여 상기 제2 압력을 증가시키도록 조정되는 진공 시스템.
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