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KR20220081059A - Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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KR20220081059A
KR20220081059A KR1020200170499A KR20200170499A KR20220081059A KR 20220081059 A KR20220081059 A KR 20220081059A KR 1020200170499 A KR1020200170499 A KR 1020200170499A KR 20200170499 A KR20200170499 A KR 20200170499A KR 20220081059 A KR20220081059 A KR 20220081059A
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compound
substituted
unsubstituted
layer
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KR1020200170499A
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Inventor
최지영
이우철
김주호
김훈준
김선우
하재승
Original Assignee
주식회사 엘지화학
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Publication date
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Abstract

본 명세서는 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a heterocyclic compound of Formula 1 and an organic light emitting device including the same.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}Heterocyclic compound and organic light-emitting device comprising the same

본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a heterocyclic compound and an organic light emitting device including the same.

본 명세서에서, 유기 발광 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 발광 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 발광 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 발광 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 발광 소자이다.In the present specification, an organic light emitting device is a light emitting device using an organic semiconductor material, and requires the exchange of holes and/or electrons between the electrode and the organic semiconductor material. The organic light emitting diode can be roughly divided into two types as follows according to the principle of operation. First, excitons are formed in the organic material layer by photons flowing into the device from an external light source, the excitons are separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes and used as a current source (voltage source) It is a type of light emitting device that becomes The second is a light emitting device of a type that applies a voltage or current to two or more electrodes to inject holes and/or electrons into an organic semiconductor material layer forming an interface with the electrodes, and operates by the injected electrons and holes.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자억제층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron suppression layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. can get In the structure of the organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons When it falls back to the ground state, it lights up. Such an organic light emitting device is known to have characteristics such as self-luminescence, high luminance, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, and high contrast.

유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 억제 물질, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다.A material used as an organic layer in an organic light emitting device may be classified into a light emitting material and a charge transporting material, such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron suppressing material, an electron transporting material, an electron injecting material, and the like, according to functions. The light-emitting material includes blue, green, and red light-emitting materials depending on the light-emitting color, and yellow and orange light-emitting materials necessary for realizing better natural colors.

또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도펀트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도펀트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도펀트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도펀트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.In addition, in order to increase color purity and increase luminous efficiency through energy transfer, a host/dopant system may be used as a light emitting material. The principle is that when a small amount of a dopant having a smaller energy band gap and superior luminous efficiency than the host constituting the emission layer is mixed in a small amount in the emission layer, excitons generated from the host are transported to the dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host moves to the wavelength band of the dopant, light having a desired wavelength can be obtained according to the type of dopant used.

전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 억제 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되므로 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to sufficiently exhibit the excellent characteristics of the above-described organic light emitting device, materials constituting the organic material layer in the device, such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron suppressing material, an electron transport material, an electron injection material, etc. are stable and efficient materials. The development of new materials continues to be demanded as it is supported by

국제 특허 공개 공보 제2017-126443호International Patent Publication No. 2017-126443

본 명세서에는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다.In the present specification, a heterocyclic compound and an organic light emitting device including the same are described.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a heterocyclic compound of Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서, In Formula 1,

X는 O 또는 S이고,X is O or S;

Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 비치환된 1-나프틸기 이고,Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted 2-naphthyl group, an unsubstituted 1-naphthyl group,

Ar2 및 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,Ra and Rb are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, a substituted or an unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted silyl group,

a는 0 내지 5의 정수이고, a is an integer from 0 to 5;

b는 0 내지 8의 정수고,b is an integer from 0 to 8;

a가 복수일 때, Ra은 서로 같거나 상이하고,When a is plural, Ra is the same as or different from each other,

b가 복수일 때, Rb는 서로 같거나 상이하다.When b is plural, Rb is the same as or different from each other.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 전술한 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present invention, the first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one organic material layer of the organic material layer provides an organic light-emitting device including the above-described heterocyclic compound.

본 발명의 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 본 발명의 화합물을 포함하여 유기 발광 소자를 제조하는 경우, 고효율, 저전압 및 장수명 특성을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있으며, 본 발명의 화합물을 유기 발광 소자의 발광층에 포함하는 경우, 높은 색재현율을 가지는 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.The compound of the present invention may be used as a material for an organic layer of an organic light emitting device. When an organic light emitting device is manufactured by including the compound of the present invention, an organic light emitting device having high efficiency, low voltage and long lifespan characteristics can be obtained. An organic light emitting device can be manufactured.

도 1 및 2는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 and 2 show an example of an organic light emitting device according to the present invention.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서는 하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 제공한다. 하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 사용하는 경우, 유기 발광 소자의 효율 및 수명 특성이 향상된다. 특히, 기존의 높은 승화온도를 갖는 화합물은 화합물의 안정성이 낮아, 소자에 적용시 소자의 효율 및 수명이 떨어지는 문제점이 있었으나, 하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 분자 내에 사이클로알켄고리를 포함함으로써, 낮은 승화온도를 가져 안정성이 높으며, 이로 인하여 소자에 적용시 우수한 효율 및 장수명 특성을 갖는 소자를 얻을 수 있다.The present specification provides a heterocyclic compound of Formula 1 below. When the heterocyclic compound of Formula 1 is used in the organic material layer of the organic light emitting device, the efficiency and lifespan characteristics of the organic light emitting device are improved. In particular, the conventional compound having a high sublimation temperature has a low compound stability, and when applied to a device, the efficiency and lifespan of the device are deteriorated. It has a sublimation temperature and thus has high stability, so that when applied to a device, a device having excellent efficiency and long life can be obtained.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member exists between the two members.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, is not limited, and when two or more are substituted , two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 도 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; cyano group (-CN); silyl group; boron group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group, is substituted with a substituent to which two or more of the above-exemplified substituents are connected, or does not have any substituents. For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br) or iodine (I).

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiY1Y2Y3의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Y1, Y2 및 Y3는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiY1Y2Y3, wherein Y1, Y2 and Y3 are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like, but is not limited thereto. does not

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BY4Y5의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Y4 및Y5는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BY4Y5, wherein Y4 and Y5 are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, and a phenylboron group.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 30. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 10. Specific examples of the alkyl group include, but are not limited to, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.

본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기; 디메틸아민기; 에틸아민기; 디에틸아민기; 페닐아민기; 나프틸아민기; 바이페닐아민기; 안트라세닐아민기; 9-메틸안트라세닐아민기; 디페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; 디톨릴아민기; N-페닐톨릴아민기; 트리페닐아민기; N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; an alkylamine group; N-alkylarylamine group; arylamine group; N-aryl heteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group and a heteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group; dimethylamine group; ethylamine group; diethylamine group; phenylamine group; naphthylamine group; biphenylamine group; anthracenylamine group; 9-methylanthracenylamine group; diphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; ditolylamine group; N-phenyltolylamine group; triphenylamine group; N-phenylbiphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; N-biphenylnaphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenylphenanthrenylamine group; N-phenylfluorenylamine group; N-phenylterphenylamine group; N-phenanthrenylfluorenylamine group; N-biphenylfluorenylamine group and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylarylamine group refers to an amine group in which an alkyl group and an aryl group are substituted with N of the amine group.

본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-arylheteroarylamine group refers to an amine group in which an aryl group and a heteroaryl group are substituted with N of the amine group.

본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylheteroarylamine group refers to an amine group in which an alkyl group and a heteroaryl group are substituted with N of the amine group.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기, N-아릴알킬아민기, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기; 에틸티옥시기; tert-부틸티옥시기; 헥실티옥시기; 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메실; 에틸술폭시기; 프로필술폭시기; 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group in the alkylamine group, N-arylalkylamine group, alkylthioxy group, alkylsulfoxy group, and N-alkylheteroarylamine group is the same as the above-described alkyl group. Specifically, the alkyl thiooxy group includes a methyl thiooxy group; ethyl thiooxy group; tert-butyl thiooxy group; hexyl thiooxy group; octylthiooxy group and the like, and examples of the alkylsulfoxy group include mesyl; ethyl sulfoxy group; propyl sulfoxy group; Butyl sulfoxy group and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may include, but is not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a triphenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 피리다지닐기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is a cyclic group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably from 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heterocyclic group has 2 to 30 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include a pyridine group, a pyrrole group, a pyrimidine group, a pyridazinyl group, a furan group, a thiophene group, an imidazole group, a pyrazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, a carbazole group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 1-1 to 1-3 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서, Ra, Rb, X, Ar2, Ar3, a 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,In Formulas 1-1 to 1-3, Ra, Rb, X, Ar2, Ar3, a and b are as defined in Formula 1,

Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이고,Rc and Rd are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, a substituted or an unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted silyl group,

c는 0 내지 5의 정수이고, c is an integer from 0 to 5;

d는 0 내지 7의정수이고,d is an integer from 0 to 7,

c가 복수일 때, Rc는 서로 같거나 상이하고,When c is plural, Rc is the same as or different from each other,

d가 복수일 때, Rd는 서로 같거나 상이하다When d is plural, Rd is the same as or different from each other

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-4 내지 화학식 1-9 중 어느 하나로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 1-4 to 1-9 below.

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 1-5][Formula 1-5]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 1-6][Formula 1-6]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 1-7][Formula 1-7]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 1-8][Formula 1-8]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 1-9][Formula 1-9]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식 1-4 내지 1-9에 있어서, Ra, Rb, Ar2, Ar3, a 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,In Formulas 1-4 to 1-9, Ra, Rb, Ar2, Ar3, a and b are as defined in Formula 1,

Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이고,Rc and Rd are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, a substituted or an unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted silyl group,

c는 0 내지 5의 정수이고, c is an integer from 0 to 5;

d는 0 내지 7의정수이고,d is an integer from 0 to 7,

c가 복수일 때, Rc는 서로 같거나 상이하고,When c is plural, Rc is the same as or different from each other,

d가 복수일 때, Rd는 서로 같거나 상이하다.When d is plural, Rd is the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 O이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X is O.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X1는 S이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X 1 is S.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group or a substituted or unsubstituted C3-C20 heteroaryl group .

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6 to C15 aryl group or a substituted or unsubstituted C3 to C15 heteroaryl group .

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently represents an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 15의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 15의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently represents an aryl group having 6 to 15 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 치환 또는 비치환된 파이렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오란텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted anthracene group, substituted or unsubstituted phenanthrene group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or unsubstituted fluorene group, substituted or unsubstituted pyrene group, or substituted or It is an unsubstituted fluoranthene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 디메틸플루오렌기, 디페닐플루오렌기, 파이렌기, 또는 플루오란텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, an anthracene group, a phenanthrene group, a triphenylene group, a dimethylfluorene group, a diphenylfluorene group, a pyrene group, or a fluoranthene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기 또는 나프틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently represents a phenyl group or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and are a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and are a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 15 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and are an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and are an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 탄소수 6 내지 15의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 15의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and are an aryl group having 6 to 15 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 치환 또는 비치환된 파이렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오란텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted a substituted anthracene group, a substituted or unsubstituted phenanthrene group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, a substituted or unsubstituted fluorene group, a substituted or unsubstituted pyrene group, or a substituted or unsubstituted fluoranthene group .

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 디메틸플루오렌기, 디페닐플루오렌기, 파이렌기, 또는 플루오란텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, an anthracene group, a phenanthrene group, a triphenylene group, a dimethylfluorene group, a diphenylfluorene group, pi It is a ren group, or a fluoranthene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같고 페닐기 또는 나프틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as each other and are a phenyl group or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and are a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 15 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and are an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and are an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 탄소수 6 내지 15의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 15의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and are an aryl group having 6 to 15 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 치환 또는 비치환된 파이렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오란텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and represent a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or An unsubstituted anthracene group, a substituted or unsubstituted phenanthrene group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, a substituted or unsubstituted fluorene group, a substituted or unsubstituted pyrene group, or a substituted or unsubstituted fluoranthene group to be.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 디메틸플루오렌기, 디페닐플루오렌기, 파이렌기, 또는 플루오란텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and are a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, an anthracene group, a phenanthrene group, a triphenylene group, a dimethylfluorene group, a diphenylfluorene group, It is a pyrene group or a fluoranthene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 상이하고 페닐기 또는 나프틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are different from each other and are a phenyl group or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or an unsubstituted heteroaryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted silyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 시클로알킬기, 또는 실릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, or It is a silyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, carbon number a silyl group substituted with a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ra 및 Rb는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Rc and Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, halogen group, nitrile group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or an unsubstituted heteroaryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted silyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 시클로알킬기, 또는 실릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Rc and Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, or It is a silyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Rc and Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a carbon number a silyl group substituted with a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Rc 및 Rd는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Rc and Rd are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 구조들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following structures.

Figure pat00011
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Figure pat00012
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Figure pat00013
Figure pat00013

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.Substituents of the heterocyclic compound of Formula 1 may be combined by methods known in the art, and the type, position or number of substituents may be changed according to techniques known in the art.

상기 화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. The conjugation length of the compound and the energy bandgap are closely related. Specifically, the longer the conjugation length of the compound, the smaller the energy bandgap.

본 발명에서는 상기와 같이 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present invention, compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents into the core structure as described above. In addition, in the present invention, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can be controlled by introducing various substituents into the core structure of the structure as described above.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질 및 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.In addition, by introducing various substituents into the core structure of the structure as described above, a compound having the intrinsic properties of the introduced substituent can be synthesized. For example, by introducing a substituent mainly used for a hole injection layer material, a hole transport material, a light emitting layer material, and an electron transport layer material used in manufacturing an organic light emitting device into the core structure, a material satisfying the conditions required for each organic material layer can be synthesized. can

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 전술한 헤테로고리 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention includes a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the heterocyclic compound described above.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except for forming one or more organic material layers using the above-described compound.

상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The compound may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that simultaneously injects and transports holes, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers or a larger number of organic material layers.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 및 전자주입과 전자수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present invention, the organic material layer may include at least one of an electron transport layer, an electron injection layer, and a layer that simultaneously injects and transports electrons, and at least one of the layers is a heterocyclic ring of Formula 1 compounds may be included.

또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.In another organic light emitting device, the organic material layer may include an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or the electron injection layer may include the heterocyclic compound of Formula 1 above.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 및 정공주입과 정공수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present invention, the organic material layer may include at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and a layer that simultaneously injects and transports holes, and at least one of the layers is a heterocyclic ring of Formula 1 compounds may be included.

또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공수송층 또는 정공주입층이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.In another organic light emitting device, the organic material layer may include a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole transport layer or the hole injection layer may include the heterocyclic compound of Formula 1 above.

또 하나의 일 실시 상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함한다. 하나의 예로서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 발광층의 호스트로서 포함될 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the heterocyclic compound of Formula 1 above. As an example, the heterocyclic compound of Formula 1 may be included as a host of the emission layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 호스트로서 포함하는 녹색 유기 발광 소자이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a green organic light emitting device in which the light emitting layer includes the heterocyclic compound of Formula 1 as a host.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 호스트로서 포함하는 적색 유기 발광 소자이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a red organic light emitting device in which the light emitting layer includes the heterocyclic compound of Formula 1 as a host.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 호스트로서 포함하는 청색 유기 발광 소자이다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device is a blue organic light emitting device in which the light emitting layer includes the heterocyclic compound of Formula 1 as a host.

또 하나의 예로서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 호스트로서 포함하고, 보론계 화합물, 아민계 화합물 등의 유기화합물을 도펀트로 포함할 수 있다. As another example, the organic material layer including the heterocyclic compound of Formula 1 may include the heterocyclic compound of Formula 1 as a host, and an organic compound such as a boron-based compound or an amine-based compound as a dopant.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 각각 99:1 내지 50:50의 질량비로 포함한다.In the organic light emitting device of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 99:1 to 50:50, respectively.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 각각 99:1 내지 80:20의 질량비로 포함한다.In the organic light emitting device of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 99:1 to 80:20, respectively.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 각각 99:1 내지 90:10의 질량비로 포함한다.본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.In the organic light emitting device of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 99:1 to 90:10, respectively. In an exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is negative pole

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) anode/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode

(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode

(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(8) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(9) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(10) anode / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(11) anode / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(12) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(13)양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(13) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(14) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode

(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극(15) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(16) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode

(17)양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극(17) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(18)양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공저지층/전자주입및 수송층/음극(18) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection and transport layer / cathode

본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light emitting device of the present invention may have the same structure as shown in FIG. 1 , but is not limited thereto.

본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light emitting device of the present invention may have the same structure as shown in FIG. 1 , but is not limited thereto.

도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 유기물층(3) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 상기 유기물층(3)에 포함될 수 있다.1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an anode 2, an organic material layer 3, and a cathode 4 are sequentially stacked on a substrate 1 . In such a structure, the heterocyclic compound of Formula 1 may be included in the organic layer 3 .

도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8), 전자주입층(9) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 상기 발광층(7)에 포함될 수 있다.2, the anode 2, the hole injection layer 5, the hole transport layer 6, the light emitting layer 7, the electron transport layer 8, the electron injection layer 9 and the cathode 4 are sequentially on the substrate 1 The structure of the organic light-emitting device stacked with In such a structure, the heterocyclic compound of Formula 1 may be included in the emission layer 7 .

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 및 전자수송 및 전자주입을 동시에하는 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 1층 이상을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present invention uses a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate. from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that transports and injects holes at the same time, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a layer that simultaneously performs electron transport and electron injection. After forming an organic material layer including one or more selected layers, it may be manufactured by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer, but is not limited thereto, and may have a single layer structure. In addition, the organic layer is formed using a variety of polymer materials in a smaller number by a solvent process rather than a vapor deposition method, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer method. It can be made in layers.

상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode for injecting holes, and as the anode material, a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO, Indium Tin Oxide), and indium zinc oxide (IZO, Indium Zinc Oxide); ZnO: Al or SnO 2 : Combination of metals and oxides such as Sb; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode for injecting electrons, and the cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 1nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The hole injection layer is a layer that facilitates injection of holes from the anode to the light emitting layer. As the hole injection material, holes can be well injected from the anode at a low voltage, and the highest occupied (HOMO) of the hole injection material is The molecular orbital) is preferably between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, and the like, but are not limited thereto. The hole injection layer may have a thickness of 1 to 150 nm. When the thickness of the hole injection layer is 1 nm or more, there is an advantage in that the hole injection characteristics can be prevented from being deteriorated, and when it is 150 nm or less, the thickness of the hole injection layer is too thick and the driving voltage is increased to improve hole movement There are advantages to avoiding this.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer may serve to facilitate hole transport. As the hole transport material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer is suitable, and a material having high hole mobility is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.

정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송재료를 포함할 수 있다. An additional hole buffer layer may be provided between the hole injection layer and the hole transport layer, and may include hole injection or transport materials known in the art.

정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있다. 상기 전자억제층은 전술한 스피로 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. The electron-blocking layer may be the aforementioned spiro compound or a material known in the art.

상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting layer may emit red, green, or blue light, and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, and the like, but is not limited thereto.

발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the host material for the light emitting layer include a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like, and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder types. Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the emission layer emits red light, the emission dopant is PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) ), a phosphorescent material such as octaethylporphyrin platinum (PtOEP), or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used, but is not limited thereto. When the emission layer emits green light, a phosphor such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the emission dopant. However, the present invention is not limited thereto. When the light-emitting layer emits blue light, the light-emitting dopant includes a phosphorescent material such as (4,6-F2ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distrylarylene (DSA), A fluorescent material such as a PFO-based polymer or a PPV-based polymer may be used, but is not limited thereto.

전자수송층과 발광층 사이에 정공억제층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and a material known in the art may be used.

상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 전자수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron transport layer may serve to facilitate the transport of electrons. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high electron mobility is suitable. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The thickness of the electron transport layer may be 1 to 50 nm. If the thickness of the electron transport layer is 1 nm or more, there is an advantage that the electron transport properties can be prevented from being deteriorated, and if it is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer is too thick to prevent the driving voltage from being raised to improve the movement of electrons. There are advantages that can be

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer may serve to facilitate electron injection. The electron injection material has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, prevents the movement of excitons generated in the light emitting layer to the hole injection layer, and , a compound having excellent thin film forming ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.

상기 정공차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that blocks the holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but is not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except for forming one or more organic material layers using the above-described compound.

상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.A method of preparing the heterocyclic compound of Formula 1 and manufacturing an organic light emitting device using the same will be described in detail in Examples below. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

하기 반응식에 있어서, 치환기의 종류 및 개수는 당업자가 공지된 출발물질을 적절히 선택함에 따라 다양한 종류의 중간체를 합성할 수 있다. 반응 종류 및 반응 조건은 당기술분야에 알려져 있는 것들이 이용될 수 있다. In the following reaction scheme, various types of intermediates can be synthesized according to a suitable selection of known starting materials by those skilled in the art for the type and number of substituents. As the reaction type and reaction conditions, those known in the art may be used.

Figure pat00015
Figure pat00015

본 명세서의 실시예에 기재된 제조식과 상기 중간체들을 통상의 기술상식을 바탕으로 적절히 조합하면, 본 명세서에 기재되어 있는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물들을 모두 제조할 수 있다. All of the heterocyclic compounds of Formula 1 described in the present specification can be prepared by appropriately combining the preparation formulas described in the Examples of the present specification and the intermediates based on common technical knowledge.

Figure pat00016
Figure pat00016

<합성예><Synthesis example>

1. 화합물 1의 합성One. Synthesis of compound 1

Figure pat00017
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합성예 1-1. 화합물 1-a의 합성Synthesis Example 1-1. Synthesis of compound 1-a

(4-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)보론산 (100g, 402mmol)과 5-클로로-2-아이오도페놀 (102g, 402mml)를 THF 2000ml에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (9.3g, 8.0mmol)와 2M Na2CO3 수용액 400ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-a (94 g, 수율 71%)를 얻었다.(4-bromo-2-fluoro-6-methoxyphenyl) boronic acid (100 g, 402 mmol) and 5-chloro-2-iodophenol (102 g, 402 mmol) were dissolved in 2000 ml of THF, and then Pd (PPh 3 ) 4 (9.3g, 8.0mmol) and 400ml of 2M Na 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-a (94 g, yield 71%).

합성예 1-2. 화합물 1-b의 합성Synthesis Example 1-2. Synthesis of compound 1-b

화합물 1-a (94g, 284mmol)을 DMF (1500ml)에 녹인 후, K2CO3 (118g, 850mmol)을 넣고, 2시간동안 환류 교반한다. 반응 용액을 식힌 후, 증류수 4.5L에 부어서 고체를 생성시킨다. 고체를 필터한 후 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한 후 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-b (52g, 수율 59%)를 얻었다.After dissolving compound 1-a (94g, 284mmol) in DMF (1500ml), K 2 CO 3 (118g, 850mmol) was added, and the mixture was stirred under reflux for 2 hours. After cooling the reaction solution, it is poured into 4.5L of distilled water to form a solid. After filtering the solid, it is dissolved in chloroform, extracted several times with water, and the organic layer is dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified by column chromatography to obtain compound 1-b (52 g, yield 59%).

합성예 1-3. 화합물 1-c의 합성 Synthesis Example 1-3. Synthesis of compound 1-c

화합물 1-b (52 g, 167mmol)와 페닐보론산 (41g, 334mmol) 을 1,4-다이옥세인 (900ml)에 녹인 후, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.17g, 0.33mmol)와 2M K2CO3 수용액 200ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-c (42g, 수율 72%)를 얻었다.Compound 1-b (52 g, 167 mmol) and phenylboronic acid (41 g, 334 mmol) were dissolved in 1,4-dioxane (900 ml), and then bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.17 g) , 0.33 mmol) and 200 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Purification was performed using column chromatography to obtain compound 1-c (42 g, yield 72%).

합성예 1-4. 화합물 1-d의 합성 Synthesis Example 1-4. Synthesis of compound 1-d

질소 분위기 하에서 화합물 1-c (42g, 120mmol)을 메틸렌클로라이드 300ml에 녹인다. 0도로 온도를 낮춘 후, BBr3 용액(1M in DCM, 300ml)를 천천히 적가한다. 반응 용액을 서서히 상온으로 승온한 뒤 24시간동안 교반한다. 얼음물 1000ml를 천천히 적가한 후 30분동안 상온에서 교반한다. 생성된 고체를 필터한 후 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한 후 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하에 유기용매를 제거하고 EA/Hex에서 재결정하여 화합물 1-d (29g, 수율 72%)를 얻었다.Dissolve compound 1-c (42 g, 120 mmol) in 300 ml of methylene chloride under a nitrogen atmosphere. After lowering the temperature to 0°C, a BBr 3 solution (1M in DCM, 300ml) is slowly added dropwise. The reaction solution was gradually heated to room temperature and stirred for 24 hours. After slowly adding 1000 ml of ice water dropwise, the mixture is stirred at room temperature for 30 minutes. After filtering the resulting solid, it is dissolved in chloroform, extracted several times with water, and the organic layer is dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and recrystallized from EA/Hex to obtain compound 1-d (29 g, yield 72%).

합성예 1-5. 화합물 1-e의 합성Synthesis Example 1-5. Synthesis of compound 1-e

화합물 1-d (29g, 86mmol)를 아세토니트릴(500ml)에 녹인 후, 증류수 100ml에 녹인 K2CO3 (36g, 258mmol)와 노나플루오로뷰탄-1-설포닐플로라이드 (39g, 129mmol)를 넣는다. 상온에서 3시간 교반 후, 아세토니트릴을 감압 증류하여 제거 후, 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조 한 후 감압증류하여 유기용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-e (41g, 수율 77%)를 얻었다. After dissolving compound 1-d (29g, 86mmol) in acetonitrile (500ml), K 2 CO 3 (36g, 258mmol) and nonafluorobutane-1-sulfonylfluoride (39g, 129mmol) dissolved in 100ml distilled water were added put it in After stirring at room temperature for 3 hours, acetonitrile is distilled off under reduced pressure, dissolved in chloroform, and extracted several times with water. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, distilled under reduced pressure to remove the organic solvent, and purified using column chromatography to obtain compound 1-e (41 g, yield 77%).

합성예 1-6. 화합물 1-f의 합성 Synthesis Example 1-6. Synthesis of compound 1-f

화합물 1-e (41g, 66mmol)와 비스(피나콜라토)디보론 (20g, 80mmol), KOAc (13g, 133mmol)을 플라스크에 다이옥세인 200ml와 함께 넣어 분산시킨다. Pd(dba)2 (0.76g, 1.3mmol), PCy3 (0.74g, 2.7mmol)을 넣어준 후 24시간 동안 환류교반한다. 반응 종료 후 다이옥세인을 감압 증류하여 제거한다. 클로로포름에 녹인 후 증류수로 3회 추출한 후 유기층을 감압 증류하여 클로로포름을 제거한다. 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-f를 얻었다. (22g, 수율 74%)Compound 1-e (41 g, 66 mmol), bis (pinacolato) diboron (20 g, 80 mmol), and KOAc (13 g, 133 mmol) were put in a flask together with 200 ml of dioxane and dispersed. After adding Pd(dba)2 (0.76g, 1.3mmol) and PCy3 (0.74g, 2.7mmol), the mixture was stirred under reflux for 24 hours. After completion of the reaction, dioxane is removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform and extracting three times with distilled water, the organic layer was distilled under reduced pressure to remove chloroform. Compound 1-f was obtained by purification using column chromatography. (22 g, yield 74%)

합성예 1-7. 화합물 1의 합성Synthesis Example 1-7. Synthesis of compound 1

화합물 1-f (22 g, 49mmol)와 9-브로모-10-페닐안트라센 (16.4g, 49mmol) 을 1,4-다이옥세인 (250ml)에 녹인 후, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.05g, 0.1mmol)와 2M K2CO3 수용액 50ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. EA에서 재결정하여 화합물 1 (16g, 수율 57%)를 얻었다. [M+H+]= 573.2Compound 1-f (22 g, 49 mmol) and 9-bromo-10-phenylanthracene (16.4 g, 49 mmol) were dissolved in 1,4-dioxane (250 ml), and then bis (tri-tert-butylphosphine) Palladium (0) (0.05 g, 0.1 mmol) and 50 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Recrystallization from EA gave compound 1 (16 g, yield 57%). [M+H + ]= 573.2

2. 화합물 2의 합성2. Synthesis of compound 2

Figure pat00018
Figure pat00018

합성예 2-1. 화합물 2-a의 합성Synthesis Example 2-1. Synthesis of compound 2-a

9-브로모안트라센 (50 g, 194mmol)와 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 (39g, 194mmol) 을 THF (1000ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (4.5g, 3.9mmol)와 2M K2CO3 수용액 200ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 2-a (43g, 수율 67%)를 얻었다.After dissolving 9-bromoanthracene (50 g, 194 mmol) and [1,1'-biphenyl]-3-ylboronic acid (39 g, 194 mmol) in THF (1000 ml), Pd (PPh 3 ) 4 (4.5 g, 3.9 mmol) and 200 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 2-a (43 g, yield 67%).

합성예 2-2. 화합물 2-b의 합성Synthesis Example 2-2. Synthesis of compound 2-b

화합물 2-a (43g, 130mmol)를 DMF 550ml에 녹인 후 DMF 100ml에 녹인 N-브로모숙신이미드 (23.2g, 130 mmol)을 천천히 적가한다. 상온에서 2시간 교반 후 물 1500ml를 적가했다. 고체가 생성되면 필터 후 클로로포름에 녹여 증류수로 여러 번 추출한다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 2-b 를 얻었다. (37g, 수율 69%)Compound 2-a (43 g, 130 mmol) was dissolved in 550 ml of DMF, and then N-bromosuccinimide (23.2 g, 130 mmol) dissolved in 100 ml of DMF was slowly added dropwise. After stirring at room temperature for 2 hours, 1500 ml of water was added dropwise. When a solid is formed, it is dissolved in chloroform after filtering and extracted several times with distilled water. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 2-b. (37 g, yield 69%)

합성예 2-3. 화합물 2의 합성Synthesis Example 2-3. Synthesis of compound 2

화합물 1-f (20 g, 45mmol)와 화합물 2-b (18.3g, 45mmol) 을 1,4-다이옥세인 (220ml)에 녹인 후, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.045g, 0.09mmol)와 2M K2CO3 수용액 50ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. EA에서 재결정하여 화합물 2 (15g, 수율 61%)를 얻었다. [M+H+]= 649.3After dissolving compound 1-f (20 g, 45 mmol) and compound 2-b (18.3 g, 45 mmol) in 1,4-dioxane (220 ml), bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) ( 0.045 g, 0.09 mmol) and 50 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Recrystallization from EA gave compound 2 (15 g, yield 61%). [M+H + ]= 649.3

3. 화합물 3의 합성3. Synthesis of compound 3

Figure pat00019
Figure pat00019

합성예 3-1. 화합물 3-a의 합성Synthesis Example 3-1. Synthesis of compound 3-a

합성예 2-1에서 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 (3-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 3-a를 얻었다. In Synthesis Example 2-1, except that (3-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid was used instead of [1,1'-biphenyl]-3-ylboronic acid, it was synthesized and purified in the same manner as Compound 3- got a.

합성예 3-2. 화합물 3-b의 합성 Synthesis Example 3-2. Synthesis of compound 3-b

합성예 2-2에서 화합물 2-a 대신 화합물 3-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 3-b를 얻었다.Compound 3-b was obtained by synthesis and purification in the same manner as in Synthesis Example 2-2, except that compound 3-a was used instead of compound 2-a.

합성예 3-3. 화합물 3의 합성Synthesis Example 3-3. Synthesis of compound 3

합성예 2-3에서 화합물 2-b 대신 화합물 3-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 3을 얻었다. [M+H+]= 699.3Compound 3 was obtained by synthesis and purification in the same manner as in Synthesis Example 2-3, except that compound 3-b was used instead of compound 2-b. [M+H + ]= 699.3

4. 화합물 4의 합성4. Synthesis of compound 4

Figure pat00020
Figure pat00020

합성예 4-1. 화합물 4의 합성Synthesis Example 4-1. Synthesis of compound 4

합성예 2-3에서 화합물 2-b 대신 9-브로모-10-(나프탈렌-2-일)안트라센을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 4을 얻었다. [M+H+]= 623.2Compound 4 was obtained by the same synthesis and purification as in Synthesis Example 2-3, except that 9-bromo-10-(naphthalen-2-yl)anthracene was used instead of compound 2-b. [M+H + ]= 623.2

5. 화합물 5의 합성5. Synthesis of compound 5

Figure pat00021
Figure pat00021

합성예 5-1. 화합물 5-a의 합성Synthesis Example 5-1. Synthesis of compound 5-a

합성예 2-1에서 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 (6-페닐나프탈렌-2-일)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 5-a를 얻었다. Compound 5-a was synthesized and purified in the same manner as in Synthesis Example 2-1, except that (6-phenylnaphthalen-2-yl)boronic acid was used instead of [1,1'-biphenyl]-3-ylboronic acid. got it

합성예 5-2. 화합물 5-b의 합성 Synthesis Example 5-2. Synthesis of compound 5-b

합성예 2-2에서 화합물 2-a 대신 화합물 5-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 5-b를 얻었다.Compound 5-b was obtained by synthesis and purification in the same manner as in Synthesis Example 2-2, except that compound 5-a was used instead of compound 2-a.

합성예 5-3. 화합물 5의 합성Synthesis Example 5-3. Synthesis of compound 5

합성예 2-3에서 화합물 2-b 대신 화합물 5-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 5을 얻었다. [M+H+]= 699.3Compound 5 was obtained by synthesis and purification in the same manner as in Synthesis Example 2-3, except that compound 5-b was used instead of compound 2-b. [M+H + ]= 699.3

6. 화합물 6의 합성6. Synthesis of compound 6

Figure pat00022
Figure pat00022

합성예 6-1. 화합물 6의 합성Synthesis Example 6-1. Synthesis of compound 6

합성예 2-3에서 화합물 2-b 대신 9-브로모-10-(나프탈렌-1-일)안트라센을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 6을 얻었다. [M+H+]= 623.2Compound 6 was obtained by the same synthesis and purification in Synthesis Example 2-3, except that 9-bromo-10-(naphthalen-1-yl)anthracene was used instead of compound 2-b. [M+H + ]= 623.2

7. 화합물 7의 합성7. Synthesis of compound 7

Figure pat00023
Figure pat00023

합성예 7-1. 화합물 7-a의 합성Synthesis Example 7-1. Synthesis of compound 7-a

화합물 1-b (100 g, 321mmol)와 페닐보론산 (39g, 321mmol) 을 THF (1500ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (7.4g, 6.4mmol)와 2M K2CO3 수용액 300ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 7-a (75g, 수율 76%)를 얻었다.After dissolving compound 1-b (100 g, 321 mmol) and phenylboronic acid (39 g, 321 mmol) in THF (1500 ml), Pd(PPh 3 ) 4 (7.4 g, 6.4 mmol) and 2M K 2 CO 3 aqueous solution 300 ml and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 7-a (75 g, yield 76%).

합성예 7-2. 화합물 7-b의 합성Synthesis Example 7-2. Synthesis of compound 7-b

화합물 7-a (75 g, 243mmol)와 나프탈렌-1-일보론산 (42g, 243mmol) 을 1,4-다이옥세인 (1200ml)에 녹인 후, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.25g, 0.49mmol)와 2M K2CO3 수용액 300ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. EA에서 재결정하여 화합물 7-b (67g, 수율 69%)를 얻었다.Compound 7-a (75 g, 243 mmol) and naphthalen-1-ylboronic acid (42 g, 243 mmol) were dissolved in 1,4-dioxane (1200 ml), and then bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.25 g, 0.49 mmol) and 300 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Recrystallization from EA gave compound 7-b (67 g, yield 69%).

합성예 7-3. 화합물 7-c의 합성Synthesis Example 7-3. Synthesis of compound 7-c

질소 분위기 하에서 화합물 7-b (67g, 167mmol)을 메틸렌클로라이드 400ml에 녹인다. 0도로 온도를 낮춘 후, BBr3 용액(1M in DCM, 420ml)를 천천히 적가한다. 반응 용액을 서서히 상온으로 승온한 뒤 24시간동안 교반한다. 얼음물 1500ml를 천천히 적가한 후 30분동안 상온에서 교반한다. 생성된 고체를 필터한 후 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한 후 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하에 유기용매를 제거하고 EA/Hex에서 재결정하여 화합물 7-c (48g, 수율 74%)를 얻었다.Dissolve compound 7-b (67g, 167mmol) in 400ml of methylene chloride under a nitrogen atmosphere. After lowering the temperature to 0°C, a BBr 3 solution (1M in DCM, 420ml) is slowly added dropwise. The reaction solution was gradually heated to room temperature and stirred for 24 hours. After slowly adding 1500 ml of ice water dropwise, the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. After filtering the resulting solid, it is dissolved in chloroform, extracted several times with water, and the organic layer is dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and recrystallized from EA/Hex to obtain compound 7-c (48 g, yield 74%).

합성예 7-4. 화합물 7-d의 합성Synthesis Example 7-4. Synthesis of compound 7-d

화합물 7-c (48g, 124mmol)를 아세토니트릴(500ml)에 녹인 후, 증류수 100ml에 녹인 K2CO3 (51.5g, 373mmol)와 노나플루오로뷰탄-1-설포닐플로라이드 (56.3g, 186mmol)를 넣는다. 상온에서 3시간 교반 후, 아세토니트릴을 감압 증류하여 제거 후, 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조 한 후 감압증류하여 유기용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 7-d (57g, 수율 69%)를 얻었다. After dissolving compound 7-c (48g, 124mmol) in acetonitrile (500ml), K 2 CO 3 (51.5g, 373mmol) and nonafluorobutane-1-sulfonylfluoride (56.3g, 186mmol) dissolved in distilled water 100ml ) is put in After stirring at room temperature for 3 hours, acetonitrile is distilled off under reduced pressure, dissolved in chloroform, and extracted several times with water. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, distilled under reduced pressure to remove the organic solvent, and purified using column chromatography to obtain compound 7-d (57 g, yield 69%).

합성예 7-5. 화합물 7-e의 합성 Synthesis Example 7-5. Synthesis of compound 7-e

화합물 7-d (57g, 85mmol)와 비스(피나콜라토)디보론 (26g, 102mmol), KOAc (17g, 125mmol)을 플라스크에 다이옥세인 300ml와 함께 넣어 분산시킨다. Pd(dba)2 (0.98g, 1.7mmol), PCy3 (0.95g, 3.4mmol)을 넣어준 후 24시간 동안 환류교반한다. 반응 종료 후 다이옥세인을 감압 증류하여 제거한다. 클로로포름에 녹인 후 증류수로 3회 추출한 후 유기층을 감압 증류하여 클로로포름을 제거한다. 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 7-e를 얻었다. (31g, 수율 73%)Compound 7-d (57g, 85mmol), bis(pinacolato)diboron (26g, 102mmol), and KOAc (17g, 125mmol) were put in a flask together with 300ml of dioxane and dispersed. After adding Pd(dba)2 (0.98g, 1.7mmol) and PCy3 (0.95g, 3.4mmol), the mixture was stirred under reflux for 24 hours. After completion of the reaction, dioxane is removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform and extracting with distilled water three times, the organic layer was distilled under reduced pressure to remove chloroform. Compound 7-e was obtained by purification using column chromatography. (31 g, yield 73%)

합성예 7-6. 화합물 7의 합성Synthesis Example 7-6. Synthesis of compound 7

화합물 7-e (31 g, 62mmol)와 9-브로모-10-페닐안트라센 (20.8g, 62mmol) 을 1,4-다이옥세인 (300ml)에 녹인 후, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.06g, 0.13mmol)와 2M K2CO3 수용액 60ml를 넣고 24시간동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. EA에서 재결정하여 화합물 7 (24g, 수율 62%)를 얻었다. [M+H+]= 623.2Compound 7-e (31 g, 62 mmol) and 9-bromo-10-phenylanthracene (20.8 g, 62 mmol) were dissolved in 1,4-dioxane (300 ml), followed by bis (tri-tert-butylphosphine) Palladium (0) (0.06 g, 0.13 mmol) and 2M K 2 CO 3 aqueous solution 60 ml were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Recrystallization from EA gave compound 7 (24 g, yield 62%). [M+H + ]= 623.2

8. 화합물 8의 합성8. Synthesis of compound 8

Figure pat00024
Figure pat00024

합성예 8-1. 화합물 8-a의 합성Synthesis Example 8-1. Synthesis of compound 8-a

합성예 7-2에서 나프탈렌-1-일보론산 대신 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 8-a를 합성하였다. Compound 8-a was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-2, except that dibenzo[b,d]furan-1-ylboronic acid was used instead of naphthalen-1-ylboronic acid.

합성예 8-2. 화합물 8-b의 합성Synthesis Example 8-2. Synthesis of compound 8-b

합성예 7-3에서 화합물 7-b 대신 화합물 8-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 8-b를 합성하였다. Compound 8-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-3, except that compound 8-a was used instead of compound 7-b.

합성예 8-3. 화합물 8-c의 합성Synthesis Example 8-3. Synthesis of compound 8-c

합성예 7-4에서 화합물 7-c 대신 화합물 8-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 8-c를 합성하였다. Compound 8-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-4, except that compound 8-b was used instead of compound 7-c.

합성예 8-4. 화합물 8-d의 합성Synthesis Example 8-4. Synthesis of compound 8-d

합성예 7-5에서 화합물 7-d 대신 화합물 8-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 8-d를 합성하였다. Compound 8-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-5, except that compound 8-c was used instead of compound 7-d.

합성예 8-5. 화합물 8의 합성Synthesis Example 8-5. Synthesis of compound 8

합성예 7-6에서 화합물 7-e 대신 화합물 8-d를, 9-브로모-10-페닐안트라센 대신 9-브로모-10-(나프탈렌-2-일)안트라센을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 8를 합성하였다. [M+H+]= 713.2In Synthesis Example 7-6, in the same manner except for using compound 8-d instead of compound 7-e and 9-bromo-10-(naphthalen-2-yl)anthracene instead of 9-bromo-10-phenylanthracene By synthesis and purification, compound 8 was synthesized. [M+H + ]= 713.2

9. 화합물 9의 합성9. Synthesis of compound 9

Figure pat00025
Figure pat00025

합성예 9-1. 화합물 9-a의 합성Synthesis Example 9-1. Synthesis of compound 9-a

합성예 7-1에서 페닐보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 9-a를 합성하였다. Compound 9-a was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-1, except that naphthalen-1-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

합성예 9-2. 화합물 9-b의 합성Synthesis Example 9-2. Synthesis of compound 9-b

합성예 7-2에서 나프탈렌-1-일보론산 대신 나프탈렌-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 9-b를 합성하였다. Compound 9-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-2, except that naphthalen-2-ylboronic acid was used instead of naphthalen-1-ylboronic acid.

합성예 9-3. 화합물 9-c의 합성Synthesis Example 9-3. Synthesis of compound 9-c

합성예 7-3에서 화합물 7-b 대신 화합물 9-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 9-c를 합성하였다.Compound 9-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-3, except that compound 9-b was used instead of compound 7-b.

합성예 9-4. 화합물 9-d의 합성Synthesis Example 9-4. Synthesis of compound 9-d

합성예 7-4에서 화합물 7-c 대신 화합물 9-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 9-d를 합성하였다.Compound 9-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-4, except that compound 9-c was used instead of compound 7-c.

합성예 9-5. 화합물 9-e의 합성Synthesis Example 9-5. Synthesis of compound 9-e

합성예 7-5에서 화합물 7-d 대신 화합물 9-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 9-e를 합성하였다.Compound 9-e was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-5, except that compound 9-d was used instead of compound 7-d.

합성예 9-6. 화합물 9의 합성Synthesis Example 9-6. Synthesis of compound 9

합성예 7-6에서 화합물 7-e 대신 화합물 9-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 9를 합성하였다. [M+H+]=723.3Compound 9 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 7-6, except that compound 9-e was used instead of compound 7-e. [M+H + ]=723.3

10. 화합물 10의 합성10. Synthesis of compound 10

Figure pat00026
Figure pat00026

합성예 10-1. 화합물 10의 합성Synthesis Example 10-1. Synthesis of compound 10

화합물 1 (50g)와 AlCl3(10g)을 C6D6 (1000ml)에 넣고 2시간 교반하였다. 반응 종료 후 D2O (75ml)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (6ml)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 톨루엔으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 10을 얻었다. (38g, 수율 74%) [M+H+]= 601.4Compound 1 (50g) and AlCl 3 (10g) were added to C 6 D 6 (1000 ml) and stirred for 2 hours. After completion of the reaction, D 2 O (75ml) was added and stirred for 30 minutes, and then trimethylamine (6ml) was added dropwise. The reaction solution was transferred to a separatory funnel, and extracted with water and toluene. The extract was dried over MgSO 4 , and recrystallized from ethyl acetate to obtain compound 10. (38 g, yield 74%) [M+H + ]= 601.4

11. 화합물 11의 합성11. Synthesis of compound 11

Figure pat00027
Figure pat00027

합성예 11-1. 화합물 11-a의 합성Synthesis Example 11-1. Synthesis of compound 11-a

합성예 10-1에서 화합물 1 대신 9-(나프탈렌-2-일)안트라센을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 11-a를 얻었다. Compound 11-a was obtained by synthesis and purification in the same manner as in Synthesis Example 10-1, except that 9-(naphthalen-2-yl)anthracene was used instead of Compound 1.

합성예 11-2. 화합물 11-b의 합성Synthesis Example 11-2. Synthesis of compound 11-b

합성예 2-2에서 화합물 2-a 대신 화합물 11-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 11-b를 얻었다. Compound 11-b was obtained by the same synthesis and purification, except that compound 11-a was used instead of compound 2-a in Synthesis Example 2-2.

합성예 11-3. 화합물 11의 합성Synthesis Example 11-3. Synthesis of compound 11

합성예 2-3에서 화합물 2-b 대신 화합물 11-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 11를 얻었다. [M+H+]=638.3Compound 11 was obtained by the same synthesis and purification, except that compound 11-b was used instead of compound 2-b in Synthesis Example 2-3. [M+H + ]=638.3

12. 화합물 12의 합성12. Synthesis of compound 12

Figure pat00028
Figure pat00028

합성예 12-1. 화합물 12-a의 합성Synthesis Example 12-1. Synthesis of compound 12-a

합성예 1-3에서 페닐보론산 대신 (페닐-d5)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 12-a를 얻었다. Compound 12-a was obtained by the same synthesis and purification, except that (phenyl-d5)boronic acid was used instead of phenylboronic acid in Synthesis Example 1-3.

합성예 12-2. 화합물 12-b의 합성Synthesis Example 12-2. Synthesis of compound 12-b

합성예 1-4에서 화합물 1-c 대신 화합물 12-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 12-b를 얻었다. Compound 12-b was obtained by synthesis and purification in the same manner except for using Compound 12-a instead of Compound 1-c in Synthesis Example 1-4.

합성예 12-3. 화합물 12-c의 합성Synthesis Example 12-3. Synthesis of compound 12-c

합성예 1-5에서 화합물 1-d 대신 12-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 12-c를 얻었다. Compound 12-c was obtained by the same synthesis and purification in Synthesis Example 1-5, except that 12-b was used instead of compound 1-d.

합성예 12-4. 화합물 12-d의 합성Synthesis Example 12-4. Synthesis of compound 12-d

합성예 1-6에서 화합물 1-e 대신 화합물 12-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 12-d를 얻었다. In Synthesis Example 1-6, compound 12-d was obtained by the same synthesis and purification, except that compound 12-c was used instead of compound 1-e.

Figure pat00029
Figure pat00029

합성예 12-5. 화합물 12-e의 합성Synthesis Example 12-5. Synthesis of compound 12-e

합성예 10-1에서 화합물 1 대신 9-(나프탈렌-1-일)안트라센을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 12-e를 얻었다.Compound 12-e was obtained by synthesis and purification in the same manner as in Synthesis Example 10-1, except that 9-(naphthalen-1-yl)anthracene was used instead of Compound 1.

합성예 12-6. 화합물 12-f의 합성Synthesis Example 12-6. Synthesis of compound 12-f

합성예 2-2에서 화합물 2-a 대신 화합물 12-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 12-f를 얻었다. Compound 12-f was obtained by synthesis and purification in the same manner except for using Compound 12-e instead of Compound 2-a in Synthesis Example 2-2.

합성예 12-7. 화합물 12의 합성Synthesis Example 12-7. Synthesis of compound 12

합성예 2-3에서 화합물 2-b 대신 화합물 12-f를, 화합물 1-f 대신 화합물 12-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성 및 정제하여 화합물 12를 얻었다. [M+H+]=648.4Compound 12 was obtained by synthesis and purification in the same manner as in Synthesis Example 2-3, except that compound 12-f was used instead of compound 2-b and compound 12-d was used instead of compound 1-f. [M+H + ]=648.4

<실시예><Example>

Figure pat00030
Figure pat00030

<비교예><Comparative example>

Figure pat00031
Figure pat00031

실시예 1Example 1

ITO(indium tin oxide)가 150 nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 질소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HAT-CN 화합물을 5 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 이어서, HTL1을 100 nm의 두께로 열 진공 증착하고, 이어 HTL2를 10 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 호스트로서 상기 화합물 1 및 도펀트로서 BD-A (중량비 95:5)를 동시에 진공 증착하여 20 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이어서, ETL을 20 nm의 두께로 진공 증착하여 전자수송층을 형성하였다. 이어서, LiF을 0.5 nm의 두께로 진공 증착하여 전자주입층을 형성하였다. 이어서, 알루미늄을 100 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하여 유기 발광 소자를 제조하였다. A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 150 nm was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using nitrogen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. On the thus prepared ITO transparent electrode, the following HAT-CN compound was thermally vacuum deposited to a thickness of 5 nm to form a hole injection layer. Then, HTL1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 100 nm, and then HTL2 was thermally vacuum deposited to a thickness of 10 nm to form a hole transport layer. Then, compound 1 as a host and BD-A (weight ratio 95:5) as a dopant were simultaneously vacuum-deposited to form a light emitting layer with a thickness of 20 nm. Then, ETL was vacuum-deposited to a thickness of 20 nm to form an electron transport layer. Then, LiF was vacuum-deposited to a thickness of 0.5 nm to form an electron injection layer. Then, aluminum was deposited to a thickness of 100 nm to form a cathode, thereby manufacturing an organic light emitting diode.

실시예에서 사용된 화합물의 구조는 하기와 같다.The structures of the compounds used in the Examples are as follows.

Figure pat00032
Figure pat00032

Figure pat00033
Figure pat00033

실시예 2 내지 12 및 비교예 1 내지 5Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 5

상기 실시예 1에서 발광층의 호스트로 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 이때, 하기 구조들 중 본 발명 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 각각 전술한 합성예 1 내지 12와 같은 과정을 통하여 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 1 were used instead of Compound 1 as the host of the light emitting layer. At this time, among the following structures, the heterocyclic compound of Formula 1 of the present invention was prepared through the same process as in Synthesis Examples 1 to 12, respectively.

상기 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 5에서 제조한 유기발광소자에 있어서, 10 mA/cm2 의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20 mA/cm2 의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT)을 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In the organic light emitting devices prepared in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 5, the driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 , and initial luminance at a current density of 20 mA/cm 2 The time (LT) to be 95% of the contrast was measured, and the results are shown in Table 1 below.

화합물
(발광층 호스트)
compound
(light emitting layer host)
10 mA/cm2 측정 값10 mA/cm 2 measured value LT (T95%)LT (T95%)
VopVop Cd/ACd/A 실시예 1Example 1 화합물 1compound 1 3.533.53 6.986.98 183183 실시예 2Example 2 화합물 2compound 2 3.623.62 7.057.05 154154 실시예 3Example 3 화합물 3compound 3 3.653.65 7.037.03 149149 실시예 4Example 4 화합물 4compound 4 3.493.49 7.077.07 166166 실시예 5Example 5 화합물 5compound 5 3.453.45 7.057.05 143143 실시예 6Example 6 화합물 6compound 6 3.603.60 7.117.11 145145 실시예 7Example 7 화합물 7compound 7 3.563.56 7.027.02 150150 실시예 8Example 8 화합물 8compound 8 3.473.47 6.956.95 153153 실시예 9Example 9 화합물 9compound 9 3.673.67 7.007.00 159159 실시예 10Example 10 화합물 10compound 10 3.533.53 6.996.99 352352 실시예 11Example 11 화합물 11compound 11 3.493.49 7.067.06 253253 실시예 12Example 12 화합물 12compound 12 3.603.60 7.127.12 273273 비교예 1Comparative Example 1 BH-ABH-A 3.753.75 6.426.42 9898 비교예 2Comparative Example 2 BH-BBH-B 3.843.84 6.526.52 8686 비교예 3Comparative Example 3 BH-CBH-C 3.923.92 6.356.35 102102 비교예 4Comparative Example 4 BH-DBH-D 4.024.02 6.546.54 9292 비교예 5Comparative Example 5 BH-EBH-E 3.753.75 6.446.44 112112

본 발명 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 사용한 실시예 1 내지 12은 모두 저전압 및 고효율의 특성을 띠었고, 수명도 비교예 1 내지 5에 비해서 우수함을 보여주었다. 특히 실시예 10 내지 12는 중수소 치환으로 수명이 추가적으로 개선되는 것을 보여주었다. All of Examples 1 to 12 using the heterocyclic compound of Formula 1 of the present invention exhibited characteristics of low voltage and high efficiency, and showed superior lifespan compared to Comparative Examples 1 to 5. In particular, Examples 10 to 12 showed that the lifetime was further improved by deuterium substitution.

Ar2 또는 Ar3가 수소인 비교예 1 내지 2은 구동전압이 높고 효율 및 수명 면에서 유리하지 않았다. 안트라센에 연결된 디벤조퓨란의 치환 위치가 화학식 1과 상이한 비교예 3, 4 의 경우 특히 구동전압이 높고 효율이 낮았으며 수명이 낮았다. 또한 Ar1의 치환체가 치환된 1-나프탈렌기인 비교예 5의 경우에도 효율이 매우 낮고 수명이 좋지 않았다.Comparative Examples 1 and 2 in which Ar2 or Ar3 is hydrogen had a high driving voltage and were not advantageous in terms of efficiency and lifespan. In Comparative Examples 3 and 4, in which the substitution position of dibenzofuran connected to anthracene is different from Chemical Formula 1, particularly, the driving voltage was high, the efficiency was low, and the lifespan was low. In addition, even in the case of Comparative Example 5 in which the substituent of Ar1 is a substituted 1-naphthalene group, the efficiency was very low and the lifespan was not good.

1: 기판
2: 제1 전극
3: 유기물층
4: 제2전극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자수송층
9: 전자주입층
1: Substrate
2: first electrode
3: organic layer
4: second electrode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: light emitting layer
8: electron transport layer
9: electron injection layer

Claims (10)

하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00034

상기 화학식 1에 있어서,
X는 O 또는 S이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 비치환된 1-나프틸기 이고,
Ar2 및 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,
a는 0 내지 5의 정수이고,
b는 0 내지 8의 정수고,
a가 복수일 때, Ra은 서로 같거나 상이하고,
b가 복수일 때, Rb는 서로 같거나 상이하다.
Heterocyclic compound of formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00034

In Formula 1,
X is O or S;
Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted 2-naphthyl group, an unsubstituted 1-naphthyl group,
Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ra and Rb are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, a substituted or an unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted silyl group,
a is an integer from 0 to 5;
b is an integer from 0 to 8;
When a is plural, Ra is the same as or different from each other,
When b is plural, Rb is the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
[화학식 1-1]
Figure pat00035

[화학식 1-2]
Figure pat00036

[화학식 1-3]
Figure pat00037

상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서, Ra, Rb, X, Ar2, Ar3, a 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이고,
c는 0 내지 5의 정수이고,
d는 0 내지 7의정수이고,
c가 복수일 때, Rc는 서로 같거나 상이하고,
d가 복수일 때, Rd는 서로 같거나 상이하다.
The heterocyclic compound according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 1-1 to 1-3:
[Formula 1-1]
Figure pat00035

[Formula 1-2]
Figure pat00036

[Formula 1-3]
Figure pat00037

In Formulas 1-1 to 1-3, Ra, Rb, X, Ar2, Ar3, a and b are as defined in Formula 1,
Rc and Rd are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, a substituted or an unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted silyl group,
c is an integer from 0 to 5;
d is an integer from 0 to 7,
When c is plural, Rc is the same as or different from each other,
When d is plural, Rd is the same as or different from each other.
청구항 2에 있어서, 상기 Rc 및 Rd는 수소인 것인 헤테로고리 화합물.The heterocyclic compound of claim 2, wherein Rc and Rd are hydrogen. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기 또는 나프틸기인 것인 헤테로고리 화합물.The heterocyclic compound according to claim 1, wherein Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group or a naphthyl group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 하기 화합물 중 선택되는 어느 하나인 것인 헤테로고리 화합물:
Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041
The heterocyclic compound according to claim 1, wherein the heterocyclic compound of Formula 1 is any one selected from the following compounds:
Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041
제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one organic material layer of the organic material layer contains the heterocyclic compound according to any one of claims 1 to 5. light emitting element. 청구항 6에 있어서,
상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
7. The method of claim 6,
The organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer is an organic light emitting device including the heterocyclic compound.
청구항 6에 있어서,
상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
7. The method of claim 6,
The organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or the electron injection layer includes the heterocyclic compound.
청구항 6에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
7. The method of claim 6,
The organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the heterocyclic compound.
청구항 6에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 발광층의 호스트로 포함하는 유기 발광 소자.
7. The method of claim 6,
The organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the heterocyclic compound as a host of the emission layer.
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