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KR20220041723A - 웨이퍼의 분리 방법 - Google Patents

웨이퍼의 분리 방법 Download PDF

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KR20220041723A
KR20220041723A KR1020210111107A KR20210111107A KR20220041723A KR 20220041723 A KR20220041723 A KR 20220041723A KR 1020210111107 A KR1020210111107 A KR 1020210111107A KR 20210111107 A KR20210111107 A KR 20210111107A KR 20220041723 A KR20220041723 A KR 20220041723A
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KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
separation
outer peripheral
processing step
curved portion
Prior art date
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Pending
Application number
KR1020210111107A
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English (en)
Inventor
아사히 노모토
가즈야 히라타
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 외주부가 모따기된 웨이퍼를 안정적으로 분리하는 것이 가능한 웨이퍼의 분리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 본 발명에 있어서는, 웨이퍼의 내부에 분리 기점을 형성하기에 앞서, 외주면의 만곡부 (모따기된 외주부) 를 따라 웨이퍼의 일부를 제거하도록 웨이퍼를 가공한다. 이에 따라, 외주면의 만곡부에 있어서의 레이저 빔의 난반사 및/또는 집광점의 어긋남을 발생시키는 일 없이, 웨이퍼의 내부에 분리 기점이 되는 개질층 및 크랙을 형성하는 것이 가능해진다. 그 결과, 웨이퍼를 안정적으로 분리할 수 있다.

Description

웨이퍼의 분리 방법{METHOD FOR SEPARATING A WAFER}
본 발명은 웨이퍼의 분리 방법에 관한 것이다.
인버터 또는 컨버터 등의 파워 디바이스를 포함하는 칩은, 일반적으로, 표면에 다수의 파워 디바이스가 형성된 웨이퍼를 개개의 파워 디바이스를 포함하는 영역마다 분할함으로써 제조된다. 예를 들어, 웨이퍼는, 연삭 장치를 사용하여 이면측을 연삭하여 소정의 두께가 될 때까지 박화 (薄化) 된 후, 절삭 장치 및 레이저 가공 장치 등의 가공 장치를 사용하여 개개의 칩으로 분할된다.
최근, 차세대 파워 디바이스용 재료로서, 탄화 실리콘 (SiC) 이 주목받고 있다. 단, 탄화 실리콘의 경도는 매우 높다. 그 때문에, 탄화 실리콘으로 이루어지는 웨이퍼를 사용하여 파워 디바이스를 포함하는 칩을 제조하는 경우에는, 여러 가지 문제가 발생할 수 있다.
예를 들어, 연삭 장치를 사용하여 탄화 실리콘으로 이루어지는 웨이퍼를 연삭하면, 연삭에 사용되는 연삭 지석의 마모량이 많아질 우려가 있다. 이 경우, 연삭 지석을 빈번히 교환할 필요가 생기기 때문에, 칩의 제조 효율이 저하되고, 또, 제조 비용도 증가한다는 문제가 발생할 수 있다.
웨이퍼를 박화하는 방법으로서, 레이저 빔을 사용하는 방법도 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 방법에 있어서는, 웨이퍼에 대하여 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층 및 크랙을 형성한 후, 이 웨이퍼에 외력을 부여함으로써 개질층 및 크랙을 분리 기점으로 하여 웨이퍼를 분리한다.
또, 각종 공정에 있어서 처리되는 웨이퍼를 반송할 때에는, 웨이퍼의 외주부에 균열 및 결손이 발생할 우려가 있다. 이와 같은 균열 및 결손을 방지하는 방법으로서, 웨이퍼의 외주부를 모따기하는, 즉, 웨이퍼의 외주면이 외측으로 볼록하게 만곡하도록 외주부를 깎는 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조).
일본 공개특허공보 2017-28072호 일본 공개특허공보 2017-183503호
특허문헌 1 에 개시되는 방법을 이용하여 모따기된 외주부를 갖는 웨이퍼를 분리하는 경우, 외주면에 존재하는 요철에 기인하여 레이저 빔이 난반사될 우려가 있다. 이 경우, 웨이퍼의 외주부의 내부에 레이저 빔이 집광되지 않아, 외주부의 내부에 분리 기점이 되는 개질층 및 크랙이 형성되지 않을 우려가 있다.
또, 외주면이 만곡하고 있는 경우, 레이저 빔의 집광점의 위치 (웨이퍼의 표면으로부터의 깊이) 가 상정한 위치로부터 어긋날 우려도 있다. 이 경우, 만일 외주부의 내부에 분리 기점이 형성되었다고 해도, 외주부에 형성되는 분할 기점은, 그 밖의 부분에 형성되는 분리 기점과는 상이한 위치 (웨이퍼의 표면으로부터의 깊이) 에 형성되어 버린다.
그 때문에, 웨이퍼의 모따기된 외주부에 대하여 레이저 빔을 조사하는 경우에는, 이 웨이퍼가 분리되지 않고, 또는, 외주부와 그 밖의 부분과의 두께가 상이한 2 매의 웨이퍼로 당해 웨이퍼가 분리될 우려가 있다. 이 점을 감안하여, 본 발명의 목적은, 외주부가 모따기된 웨이퍼를 안정적으로 분리하는 것이 가능한 웨이퍼의 분리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 제 1 면과, 그 제 1 면의 반대측의 제 2 면과, 그 제 1 면 및 그 제 2 면의 사이에 위치하는 외주면을 갖고, 그 외주면이 외측으로 볼록하게 만곡되어 있는 만곡부를 구비하는 웨이퍼를 그 제 1 면측 및 그 제 2 면측의 2 매로 분리하는 웨이퍼의 분리 방법으로서, 그 만곡부를 따라 그 웨이퍼의 일부를 제거하도록 그 웨이퍼를 가공하는 가공 스텝과, 그 가공 스텝 후, 그 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 그 웨이퍼의 내부에 위치 부여하고, 그 집광점이 그 웨이퍼의 내부에 유지되도록 그 집광점과 그 웨이퍼를 상대적으로 이동시키면서 그 레이저 빔을 조사함으로써, 그 웨이퍼의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝과, 그 분리 기점 형성 스텝 후, 외력을 부여하여, 그 웨이퍼를 그 분리 기점으로부터 그 제 1 면을 갖는 웨이퍼와 그 제 2 면을 갖는 웨이퍼로 분리하는 분리 스텝, 을 구비하는 웨이퍼의 분리 방법이 제공된다.
바람직하게는, 그 만곡부는, 원호상으로 연장하는 제 1 부분과, 직선상으로 연장하는 제 2 부분, 을 갖고, 그 가공 스텝에서는, 그 제 1 부분을 따라 그 웨이퍼의 일부를 원호상으로 제거하고, 또한, 그 제 2 부분을 따라 그 웨이퍼의 일부를 직선상 또는 원호상으로 제거하도록 그 웨이퍼를 가공한다.
게다가, 그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼로부터 그 만곡부 전부를 제거하는 것이 바람직하다.
혹은, 그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면측으로부터 그 만곡부의 그 제 1 면측의 일부를 제거하고, 그 분리 기점 형성 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면과 잔존하는 그 만곡부와의 사이의 깊이에 그 집광점을 위치 부여하는 것이 바람직하다.
혹은, 그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면측으로부터 그 웨이퍼의 그 제 1 면측의 일부를 제거하여 홈을 형성하고, 그 분리 기점 형성 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면과 그 홈의 바닥면과의 사이의 깊이에 그 집광점을 위치 부여하고, 그 웨이퍼의 그 홈보다 내측의 영역에 그 레이저 빔을 조사하는 것이 바람직하다.
또한, 그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼에 절삭 블레이드를 절입시켜 그 웨이퍼의 일부를 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 웨이퍼의 내부에 분리 기점을 형성하기에 앞서, 외주면의 만곡부 (모따기된 외주부) 를 따라 웨이퍼의 일부를 제거하도록 웨이퍼를 가공한다. 이에 따라, 외주면의 만곡부에 있어서의 레이저 빔의 난반사 및/또는 집광점의 어긋남을 발생시키는 일 없이, 웨이퍼의 내부에 분리 기점이 되는 개질층 및 크랙을 형성하는 것이 가능해진다. 그 결과, 웨이퍼를 안정적으로 분리할 수 있다.
도 1(A) 는, 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 1(B) 는, 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 웨이퍼의 분리 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 3 은, 웨이퍼를 풀커트 트림하는 가공 스텝을 모식적으로 나타내는 일부 단면 (斷面) 측면도이다.
도 4 는, 웨이퍼를 하프커트 트림하는 가공 스텝을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 5 는, 웨이퍼에 만곡부를 따른 홈을 형성하는 가공 스텝을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 6(A), 도 6(B) 및 도 6(C) 의 각각은, 가공 스텝에 있어서 가공된 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 풀커트 트림된 웨이퍼에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 8 은, 하프커트 트림된 웨이퍼에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 9 는, 만곡부를 따른 홈이 형성된 웨이퍼에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 10 은, 웨이퍼를 분리하는 분리 스텝을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1(A) 및 도 1(B) 는, 2 매의 웨이퍼로 분리되는 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 상면도 및 단면도이다. 도 1(A) 및 도 1(B) 에 나타내는 웨이퍼 (11) 는, 예를 들어, 탄화 실리콘 (SiC) 으로 이루어진다.
웨이퍼 (11) 는, 제 1 면 (표면) (11a) 과, 제 1 면 (11a) 의 반대측의 제 2 면 (이면) (11b) 과, 제 1 면 (11a) 및 제 2 면 (11b) 의 사이에 위치하는 외주면 (11c) 을 갖는다. 그리고, 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인 (13) 으로 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는 인버터 또는 컨버터 등의 디바이스 (15) 가 형성되어 있다.
웨이퍼 (11) 의 외주면 (11c) 에는, 결정 방위를 나타내는 2 개의 평부 (平部), 즉 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있다. 즉, 외주면 (11c) 중 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분은 직선상으로 연장하고, 또, 그들 이외의 부분은 원호상으로 연장한다.
또, 웨이퍼 (11) 의 외주부는, 외주면 (11c) 이 외측으로 볼록하게 만곡하도록 모따기되어 있다. 이에 따라, 외주면 (11c) 은, 모따기에 의해 형성되는 만곡부를 갖는다. 그리고, 이 만곡부는, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분에 있어서는 직선상으로 연장하고, 또, 그들 이외의 부분에 있어서는 원호상으로 연장한다.
또한, 웨이퍼 (11) 의 재질, 형상, 구조 및 크기 등에 제한은 없다. 웨이퍼 (11) 는, 예를 들어, 실리콘 (Si) 등의 다른 반도체, 세라믹스, 수지 및 금속 등의 재료로 되어 있어도 된다. 또, 웨이퍼 (11) 의 외주면 (11c) 에는, 오리엔테이션 플랫 대신에 결정 방위를 나타내는 V 형상의 절결, 이른바, 노치가 형성되어 있어도 된다.
또, 웨이퍼 (11) 의 외주부 전부가 모따기되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 웨이퍼 (11) 의 외주부 중 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분이 모따기되지 않고, 그들 이외의 부분만이 모따기되어 있어도 된다. 이 경우, 외주면 (11c) 은, 모따기에 의해 형성되는 만곡부와, 모따기되어 있지 않은 비모따기부를 포함하게 된다.
마찬가지로, 디바이스 (15) 의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기 및 배치 등에도 제한은 없다. 예를 들어, 디바이스 (15) 는, IC (Integrated Circuit) 또는 LSI (Large Scale Integration) 등이어도 된다. 또, 웨이퍼 (11) 에는, 디바이스 (15) 가 형성되어 있지 않아도 된다.
도 2 는, 도 1(A) 및 도 1(B) 에 나타내는 웨이퍼 (11) 를 제 1 면측 및 제 2 면측의 2 매 (제 1 면 (11a) 을 갖는 웨이퍼 및 제 2 면 (11b) 을 갖는 웨이퍼) 로 분리하는 웨이퍼의 분리 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 2 에 나타내는 웨이퍼의 분리 방법에 있어서는, 먼저, 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 웨이퍼 (11) 의 일부를 제거하도록 웨이퍼 (11) 를 가공한다 (가공 스텝 : S1).
가공 스텝 (S1) 에서는, 웨이퍼 (11) 로부터 만곡부 전부를 제거 (풀커트 트림) 하여 웨이퍼 (11) 의 외주면을 평탄화해도 되고, 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측으로부터 만곡부의 제 1 면 (11a) 측의 일부를 제거 (하프커트 트림) 하여 웨이퍼 (11) 의 외주부에 단차를 형성해도 된다. 또한, 가공 스텝 (S1) 에서는, 제 1 면 (11a) 측으로부터 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부를 제거하여 외주면 (11c) 의 만곡부를 따른 홈을 형성해도 된다. 즉, 가공 스텝 (S1) 에서는, 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 적어도 일부를 제거한다.
이하에서는, 웨이퍼 (11) 를 풀커트 트림하여 웨이퍼 (11) 의 외주면을 평탄화하는 가공 스텝 (S1-1), 웨이퍼 (11) 를 하프커트 트림하여 웨이퍼 (11) 의 외주부에 단차를 형성하는 가공 스텝 (S1-2) 및 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부를 제거하여 외주면 (11c) 의 만곡부를 따른 홈을 형성하는 가공 스텝 (S1-3) 에 대해서, 도 3 ∼ 도 5 를 참조하여 차례로 설명한다.
도 3 은, 웨이퍼 (11) 를 풀커트 트림하여 웨이퍼 (11) 의 외주면을 평탄화하는 가공 스텝 (S1-1) 을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 구체적으로는, 도 3 에 나타내는 가공 스텝 (S1-1) 에 있어서는, 제 2 면 (11b) 에 테이프 (19) 가 첩착 (貼着) 된 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측으로부터 만곡부 전부를 절삭 장치 (2) 가 절삭하여 제거한다. 또한, 도 3 에 나타내는 Z 축 방향은, 연직 방향과 대체로 평행하다.
절삭 장치 (2) 는, 원기둥 형상의 θ 테이블 (4) 을 갖는다. θ 테이블 (4) 의 상부에는, 테이프 (19) 를 개재하여 웨이퍼 (11) 가 재치 (載置) 되는 원반상의 척 테이블 (6) 이 형성되어 있다. 또, θ 테이블 (4) 는, 모터 등의 회전 구동원 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 회전 구동원을 동작시키면, 척 테이블 (6) 의 중심을 지나고, 또한, Z 축 방향을 따른 직선을 축심으로 하여, θ 테이블 (4) 및 척 테이블 (6) 이 회전한다.
척 테이블 (6) 은, 스테인리스강 등의 금속으로 형성된 프레임체 (6a) 를 갖는다. 프레임체 (6a) 는, 원반상의 저벽 (底壁) 과, 이 저벽의 외주부로부터 상방을 향하여 형성되어 있는 원환상 (圓環狀) 의 측벽을 갖고, 이 측벽에 의해 오목부가 획정되어 있다. 이 오목부에는, 다공질 세라믹스로 형성되고, 오목부의 내경과 대체로 동일한 지름을 갖는 원반상의 포러스판 (도시하지 않음) 이 고정되어 있다.
척 테이블 (6) 의 포러스판은, 프레임체 (6a) 에 형성되어 있는 유로를 통하여 진공 펌프 등의 흡인원 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 흡인원을 동작시키면, 포러스판의 상면 (척 테이블 (6) 의 유지면) 에는 부압이 발생한다. 이 부압이 발생함으로써, 척 테이블 (6) 에 재치된 웨이퍼 (11) 가 테이프 (19) 를 개재하여 척 테이블 (6) 에 흡인 유지된다.
또한, θ 테이블 (4) 및 척 테이블 (6) 은, X 축 방향 이동 기구 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 X 축 방향 이동 기구를 동작시키면, Z 축 방향과 직교하는 방향 (X 축 방향) 으로 θ 테이블 (4) 및 척 테이블 (6) 이 이동한다.
척 테이블 (6) 의 상방에는, 절삭 유닛 (8) 이 형성되어 있다. 절삭 유닛 (8) 은, Y 축 방향 이동 기구 (도시하지 않음) 및 Z 축 방향 이동 기구 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 Y 축 방향 이동 기구를 동작시키면, Z 축 방향과 직교하고, 또한, X 축 방향과 직교하는 방향 (Y 축 방향) 으로 절삭 유닛 (8) 이 이동한다. 또, 이 Z 축 방향 이동 기구를 동작시키면, Z 축 방향으로 절삭 유닛 (8) 이 이동한다, 즉, 절삭 유닛 (8) 이 승강한다.
절삭 유닛 (8) 은, Y 축 방향으로 연장하는 원기둥 형상의 스핀들 (10) 을 갖는다. 스핀들 (10) 의 일단부에는, 원환상의 절삭날을 갖는 절삭 블레이드 (12) 가 장착되어 있다. 절삭 블레이드 (12) 는, 예를 들어, 금속 등으로 이루어지는 원환상의 기대와, 기대의 외주 가장자리를 따른 원환상의 절삭날이 일체가 되어 구성된, 허브 타입의 절삭 블레이드이다.
허브 타입의 절삭 블레이드의 절삭날은, 다이아몬드 또는 입방정 질화붕소 (cBN : cubic Boron Nitride) 등으로 이루어지는 지립이 니켈 등의 결합재에 의해 고정된 전주 (電鑄) 지석에 의해 구성된다. 또, 절삭 블레이드 (12) 로서, 금속, 세라믹스 또는 수지 등으로 이루어지는 결합재에 의해 지립이 고정된 원환상의 절삭날에 의해 구성되는, 와셔 타입의 절삭 블레이드를 사용해도 된다.
또, 스핀들의 타단부는, 모터 등의 회전 구동원 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 회전 구동원이 동작하면, 스핀들 (10) 의 중심을 지나는 Y 축 방향을 따른 직선을 축심으로 하여, 스핀들 (10) 과 함께 절삭 블레이드 (12) 가 회전한다.
도 3 에 나타내는 가공 스텝 (S1) 에서는, 예를 들어, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c), 즉, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분 이외의 외주면 (11c) 의 만곡부 전부를 제거한 후에, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부 전부를 제거한다.
예를 들어, 먼저, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 바로 위에 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 배치되도록 척 테이블 (6) 및/또는 절삭 유닛 (8) 을 위치 부여한다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 회전한 상태에서 절삭 블레이드 (12) 가 테이프 (19) 와 접촉할 때까지 절삭 유닛 (8) 을 하강시킨다.
이어서, 절삭 블레이드 (12) 를 회전시킨 채로 척 테이블 (6) 을 적어도 1 둘레분 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 만곡부 전부가 제거된다. 즉, 원호상으로 연장하는 만곡부 전부가 원호상으로 제거된다.
이어서, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 또는 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 X 축 방향과 평행이 되도록 척 테이블 (6) 을 회전시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 웨이퍼 (11) 로부터 이격하도록 척 테이블 (6) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다. 이어서, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 또는 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 에서 보아 절삭 블레이드 (12) 가 X 축 방향으로 배치되도록 절삭 유닛 (8) 을 Y 축 방향을 따라 이동시킨다.
이어서, 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 테이프 (19) 의 상면보다 낮고, 하면보다 높아지도록 절삭 유닛 (8) 을 하강시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 회전한 상태에서 X 축 방향에 있어서의 절삭 블레이드 (12) 의 일단으로부터 타단까지를 웨이퍼 (11) 가 통과하도록 척 테이블 (6) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다.
이에 따라, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부 전부가 제거된다. 즉, 직선상으로 연장하는 만곡부 전부가 직선상으로 제거된다.
도 4 는, 웨이퍼 (11) 를 하프커트 트림하여 웨이퍼 (11) 의 외주부에 단차를 형성하는 가공 스텝 (S1-2) 를 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 또한, 도 4 에 나타내는 절삭 장치 (2) 는 도 3 에 나타내는 절삭 장치 (2) 와 동일하기 때문에, 그 설명은 생략한다.
도 4 에 나타내는 가공 스텝 (S1-2) 에서는, 예를 들어, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 만곡부의 제 1 면 (11a) 측의 일부를 제거한 후에, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부의 제 1 면 (11a) 측의 일부를 제거한다.
예를 들어, 먼저, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 바로 위에 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 배치되도록 척 테이블 (6) 및/또는 절삭 유닛 (8) 을 위치 부여한다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 회전한 상태에서, 제 1 면 (11a) 보다 낮고, 제 2 면 (11b) 보다 높은 위치에 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 도달할 때까지 절삭 유닛 (8) 을 하강시킨다.
이어서, 절삭 블레이드 (12) 를 회전시킨 채로 척 테이블 (6) 을 적어도 1 둘레분 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 만곡부의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 제거된다. 즉, 원호상으로 연장하는 만곡부의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 원호상으로 제거된다.
이어서, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 또는 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 X 축 방향과 평행이 되도록 척 테이블 (6) 을 회전시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 웨이퍼 (11) 로부터 이격하도록 척 테이블 (6) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다. 이어서, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 또는 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 에서 보아 절삭 블레이드 (12) 가 X 축 방향으로 배치되도록 절삭 유닛 (8) 을 Y 축 방향을 따라 이동시킨다.
이어서, 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 제 1 면 (11a) 보다 낮고, 제 2 면 (11b) 보다 높아지도록 절삭 유닛 (8) 을 하강시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 회전한 상태에서 X 축 방향에 있어서의 절삭 블레이드 (12) 의 일단으로부터 타단까지를 웨이퍼 (11) 가 통과하도록 척 테이블 (6) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다.
이에 따라, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 제거된다. 즉, 직선상으로 연장하는 만곡부의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 직선상으로 제거된다.
도 5 는, 제 1 면 (11a) 측으로부터 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부를 제거하여 외주면 (11c) 의 만곡부를 따른 홈을 형성하는 가공 스텝 (S1-3) 을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 또한, 도 5 에 나타내는 절삭 장치 (2) 는 도 3 및 도 4 에 나타내는 절삭 장치 (2) 와 동일하기 때문에, 그 설명은 생략한다.
도 5 에 나타내는 가공 스텝 (S1-3) 에서는, 예를 들어, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 원호상으로 연장하는 홈을 형성한 후에, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 직선상으로 연장하는 홈을 형성한다.
예를 들어, 먼저, 웨이퍼 (11) 의 중심으로부터의 거리가, 원호상의 외주면 (11c) 과 웨이퍼 (11) 의 중심과의 간격보다 짧고, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 과 웨이퍼 (11) 의 중심과의 최단 간격보다 길어지는 영역의 바로 위에 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 배치되도록 척 테이블 (6) 및/또는 절삭 유닛 (8) 을 위치 부여한다.
이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 회전한 상태에서, 제 1 면 (11a) 보다 낮고, 제 2 면 (11b) 보다 높은 위치에 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 도달할 때까지 절삭 유닛 (8) 을 하강시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 를 회전시킨 채로 척 테이블 (6) 을 적어도 1 둘레분 회전시킨다.
이에 따라, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 원호상으로 연장하는 홈이 형성된다. 즉, 원호상으로 연장하는 만곡부를 따라 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 원호상으로 제거된다.
이어서, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 또는 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 X 축 방향과 평행이 되도록 척 테이블 (6) 을 회전시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 웨이퍼 (11) 로부터 이격하도록 척 테이블 (6) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다. 이어서, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 또는 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 에서 보아 절삭 블레이드 (12) 가 X 축 방향에서 약간 웨이퍼 (11) 측으로 어긋난 위치에 배치되도록 절삭 유닛 (8) 을 Y 축 방향을 따라 이동시킨다.
이어서, 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 제 1 면 (11a) 보다 낮고, 제 2 면 (11b) 보다 높아지도록 절삭 유닛 (8) 을 하강시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 회전한 상태에서 X 축 방향에 있어서의 절삭 블레이드 (12) 의 일단으로부터 타단까지를 웨이퍼 (11) 가 통과하도록 척 테이블 (6) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다.
이에 따라, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 직선상으로 연장하는 홈이 형성된다. 즉, 직선상으로 연장하는 만곡부를 따라 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 직선상으로 제거된다.
혹은, 도 5 에 나타내는 가공 스텝 (S1-3) 에서는, 제 1 면 (11a) 측으로부터 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부를 제거하여 원환상의 홈을 형성해도 된다. 즉, 도 5 에 나타내는 가공 스텝 (S1-3) 에서는, 웨이퍼 (11) 의 원호상의 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 원호상으로 연장하고, 또한, 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 원호상으로 연장하는 홈을 형성해도 된다.
예를 들어, 먼저, 웨이퍼 (11) 의 중심으로부터의 거리가 1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 과 웨이퍼 (11) 의 중심과의 최단 간격보다 짧아지는 영역의 바로 위에 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 배치되도록 척 테이블 (6) 및/또는 절삭 유닛 (8) 을 위치 부여한다.
이어서, 절삭 블레이드 (12) 가 회전한 상태에서, 제 1 면 (11a) 보다 낮고, 제 2 면 (11b) 보다 높은 위치에 절삭 블레이드 (12) 의 하단이 도달할 때까지 절삭 유닛 (8) 을 하강시킨다. 이어서, 절삭 블레이드 (12) 를 회전시킨 채로 척 테이블 (6) 을 적어도 1 둘레분 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측에 원환상의 홈이 형성된다.
즉, 원호상으로 연장하는 만곡부 (원호상의 외주면 (11c) 의 만곡부) 를 따라 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 원호상으로 제거되고, 또한, 직선상으로 연장하는 만곡부 (1 차 오리엔테이션 플랫 (17a) 및 2 차 오리엔테이션 플랫 (17b) 이 형성되어 있는 부분의 외주면 (11c) 의 만곡부) 를 따라 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 측의 일부가 원호상으로 제거된다.
도 6(A), 도 6(B) 및 도 6(C) 의 각각은, 가공 스텝 (S1) 에 있어서 외주면 (11c) 의 만곡부를 따라 웨이퍼 (11) 의 일부를 제거하도록 가공된 웨이퍼 (11) 를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
구체적으로는, 도 6(A) 는, 가공 스텝 (S1-1) 에 있어서 외주면이 평탄화 된 웨이퍼 (11) 를 나타내는 단면도이다. 또, 도 6(B) 는, 가공 스텝 (S1-2) 에 있어서 외주부에 단차가 형성된 웨이퍼 (11) 를 나타내는 단면도이다. 또, 도 6(C) 는, 가공 스텝 (S1-3) 에 있어서 외주면 (11c) 의 만곡부를 따른 홈이 형성된 웨이퍼 (11) 를 나타내는 단면도이다.
도 2 에 나타내는 웨이퍼의 분리 방법에 있어서는, 가공 스텝 (S1) 후, 웨이퍼 (11) 에 레이저 빔을 조사함으로써, 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성한다 (분리 기점 형성 스텝 : S2).
이하에서는, 외주면이 평탄화 된 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝 (S2-1), 외주부에 단차가 형성된 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝 (S2-2) 및 외주면 (11c) 의 만곡부를 따른 홈이 형성된 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝 (S2-3) 에 대해서, 도 7 ∼ 도 9 를 참조하여 차례로 설명한다.
도 7 은, 가공 스텝 (S1-1) 에 있어서 외주면이 평탄화 된 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝 (S2-1) 을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 구체적으로는, 도 7 에 나타내는 분리 기점 형성 스텝 (S2-1) 에 있어서는, 제 1 면 (11a) 에 테이프 (21) 가 첩착된 웨이퍼 (11) 의 제 2 면 (11b) 측으로부터 레이저 빔 조사 장치 (20) 가 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성한다. 또한, 도 7 에 나타내는 Z 축 방향은, 연직 방향과 대체로 평행하다.
레이저 빔 조사 장치 (20) 는, 원기둥 형상의 테이블 기대 (22) 를 갖는다. 테이블 기대 (22) 의 상부에는, 테이프 (21) 를 개재하여 웨이퍼 (11) 가 재치되는 원반상의 척 테이블 (24) 이 형성되어 있다.
척 테이블 (24) 은, 스테인리스강 등의 금속으로 형성된 프레임체 (24a) 를 갖는다. 프레임체 (24a) 는, 원반상의 저벽과, 이 저벽의 외주부로부터 상방을 향하여 형성되어 있는 원환상의 측벽을 갖고, 이 측벽에 의해 오목부가 획정되어 있다. 이 오목부에는, 다공질 세라믹스로 형성되고, 오목부의 내경과 대체로 동일한 지름을 갖는 원반상의 포러스판 (도시하지 않음) 이 고정되어 있다.
척 테이블 (24) 의 포러스판은, 프레임체 (24a) 에 형성되어 있는 유로를 통하여 진공 펌프 등의 흡인원 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 흡인원을 동작시키면, 포러스판의 상면 (척 테이블 (24) 의 유지면) 에는 부압이 발생한다. 이 부압이 발생함으로써, 척 테이블 (24) 에 재치된 웨이퍼 (11) 가 테이프 (21) 를 개재하여 척 테이블 (24) 에 흡인 유지된다.
또한, 테이블 기대 (22) 및 척 테이블 (24) 은, 수평 방향 이동 기구 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 수평 방향 이동 기구를 동작시키면, Z 축 방향과 직교하는 면 (수평면) 에 있어서 테이블 기대 (22) 및 척 테이블 (24) 이 이동한다.
척 테이블 (24) 의 상방에는, 레이저 빔 조사 유닛 (도시하지 않음) 의 헤드 (26) 가 형성되어 있다. 헤드 (26) 는, Z 축 방향 이동 기구 (도시하지 않음) 에 연결되어 있다. 이 Z 축 방향 이동 기구를 동작시키면, Z 축 방향으로 헤드 (26) 가 이동한다, 즉, 헤드 (26) 가 승강한다.
레이저 빔 조사 유닛은, 웨이퍼 (11) 에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (L) 을 생성하는 레이저 발진기를 갖는다. 이 레이저 발진기는, 예를 들어, 레이저 발진에 적합한 Nd : YAG 등의 레이저 매질을 갖는다. 또, 레이저 빔 조사 유닛은, 레이저 빔 (L) 의 집광점을 소정의 높이에 위치 부여하는 집광 렌즈 등을 포함하는 광학계를 갖는다. 그리고, 집광 렌즈는, 헤드 (26) 에 수용되어 있다.
도 7 에 나타내는 분리 기점 형성 스텝 (S2-1) 에서는, 레이저 빔 (L) 의 집광점이 웨이퍼 (11) 의 내부에 위치 부여되도록 레이저 빔 조사 유닛의 광학계, 예를 들어, 헤드 (26) 의 높이를 설정한 후, 척 테이블 (24) 을 수평면에 있어서 이동시키면서 레이저 빔 (L) 을 조사한다. 이에 따라, 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점이 되는 개질층 (11d) 및 크랙 (11e) 이 형성된다.
도 8 은, 가공 스텝 (S1-2) 에 있어서 외주부에 단차가 형성된 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝 (S2-2) 를 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 또한, 도 8 에 나타내는 레이저 빔 조사 장치 (20) 는 도 7 에 나타내는 레이저 빔 조사 장치 (20) 와 동일하기 때문에, 그 설명은 생략한다.
도 8 에 나타내는 분리 기점 형성 스텝 (S2-2) 에서는, 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 과 잔존하는 만곡부 (11f) 의 사이의 깊이에 레이저 빔 (L) 의 집광점이 위치 부여되도록 레이저 빔 조사 유닛의 광학계, 예를 들어, 헤드 (26) 의 높이를 설정한 후, 척 테이블 (24) 을 수평면에 있어서 이동시키면서 레이저 빔 (L) 을 조사한다.
구체적으로는, 도 8 에 나타내는 분리 기점 형성 스텝 (S2-2) 에서는, 광학계는, 외주부에 형성된 단차 중 제 1 면 (11a) 에 가장 근접하는 지점을 지나고, 또한, 제 1 면 (11a) 및 제 2 면 (11b) 에 대체로 평행한 제 1 가상면과, 이 단차 중 제 2 면 (11b) 에 가장 근접하는 지점을 지나고, 또한, 제 1 면 (11a) 및 제 2 면 (11b) 에 대체로 평행한 제 2 가상면과의 사이에 레이저 빔 (L) 의 집광점을 위치 부여하도록 설정된다.
이에 따라, 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 과 잔존하는 만곡부 (11f) 의 사이의 깊이 (즉, 제 1 가상면과 제 2 가상면의 사이) 에 분리 기점이 되는 개질층 (11d) 및 크랙 (11e) 이 형성된다.
도 9 는, 가공 스텝 (S1-3) 에 있어서 외주면 (11c) 의 만곡부를 따른 홈 (11g) 이 형성된 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝 (S2-3) 을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 또한, 도 9 에 나타내는 레이저 빔 조사 장치 (20) 는 도 7 및 도 8 에 나타내는 레이저 빔 조사 장치 (20) 와 동일하기 때문에, 그 설명은 생략한다.
도 9 에 나타내는 분리 기점 형성 스텝 (S2-3) 에서는, 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 과 홈 (11g) 의 바닥면과의 사이의 깊이에 레이저 빔 (L) 의 집광점이 위치 부여되도록 레이저 빔 조사 유닛의 광학계, 예를 들어, 헤드 (26) 의 높이를 설정한 후, 홈 (11g) 보다 내측의 웨이퍼 (11) 의 영역에 집광점이 유지되도록 척 테이블 (24) 을 수평면에 있어서 이동시키면서 레이저 빔 (L) 을 조사한다.
구체적으로는, 도 9 에 나타내는 분리 기점 형성 스텝 (S2-3) 에서는, 광학계는, 홈 (11g) 중 제 1 면 (11a) 에 가장 근접하는 지점을 지나고, 또한, 제 1 면 (11a) 및 제 2 면 (11b) 에 대체로 평행한 제 3 가상면과, 홈 (11g) 중 제 2 면 (11b) 에 가장 근접하는 지점을 지나고, 또한, 제 1 면 (11a) 및 제 2 면 (11b) 에 대체로 평행한 제 4 가상면과의 사이에 레이저 빔 (L) 의 집광점을 위치 부여하도록 설정된다.
이에 따라, 웨이퍼 (11) 의 제 1 면 (11a) 과 홈 (11g) 의 바닥면과의 사이의 깊이 (즉, 제 3 가상면과 제 4 가상면의 사이) 에 분리 기점이 되는 개질층 (11d) 및 크랙 (11e) 이 형성된다.
도 2 에 나타내는 웨이퍼의 분리 방법에 있어서는, 분리 기점 형성 스텝 (S2) 후, 외력을 부여하여, 웨이퍼 (11) 를 제 1 면측 및 그 제 2 면측의 2 매 (제 1 면 (11a) 을 갖는 웨이퍼 및 제 2 면 (11b) 을 갖는 웨이퍼) 로 분리한다 (분리 스텝 : S3).
도 10 은, 분리 기점 형성 스텝 (S2) 에 있어서 분리 기점이 되는 개질층 (11d) 및 크랙 (11e) 이 형성된 웨이퍼 (11) 를 분리하는 분리 스텝 (S3) 을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 구체적으로는, 도 10 에 나타내는 분리 스텝 (S3) 에 있어서는, 초음파 조사 장치 (30) 를 사용하여 웨이퍼 (11) 에 외력을 부여하여, 웨이퍼 (11) 를 2 매의 웨이퍼로 분리한다.
초음파 조사 장치 (30) 는, 물 등의 액체를 수용하는 액조 (32) 를 갖는다. 액조 (32) 의 바닥면에는, 웨이퍼 (11) 가 재치되는 원반상의 재치 테이블 (34) 이 형성되어 있다. 또한, 초음파 조사 장치 (30) 는, 액조 (32) 에 수용된 액체에 초음파를 조사하는 초음파 조사 유닛 (36) 을 갖는다.
도 10 에 나타내는 분리 스텝 (S3) 에서는, 예를 들어, 액조 (32) 에 수용된 액체에 초음파 조사 유닛 (36) 이 초음파를 조사함으로써 재치 테이블 (34) 에 재치된 웨이퍼 (11) 에 외력이 부여된다. 이에 따라, 개질층 (11d) 및 크랙 (11e) 의 분리 기점을 포함하는 면을 분리면으로 하여, 웨이퍼 (11) 가 2 매의 웨이퍼로 분리된다.
본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 분리 방법에 있어서는, 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점을 형성하기에 앞서, 외주면 (11c) 의 만곡부 (모따기된 외주부) 를 따라 웨이퍼 (11) 의 일부를 제거하도록 웨이퍼 (11) 를 가공한다.
이에 따라, 외주면 (11c) 의 만곡부에 있어서의 레이저 빔의 난반사 및/또는 집광점의 어긋남을 발생시키는 일 없이, 웨이퍼 (11) 의 내부에 분리 기점이 되는 개질층 및 크랙을 형성하는 것이 가능해진다. 그 결과, 웨이퍼 (11) 를 안정적으로 분리할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 관련된 웨이퍼의 분리 방법은, 본 발명의 일 양태에 지나지 않고, 상기 서술한 웨이퍼의 분리 방법과 상이한 특징을 갖는 웨이퍼의 분리 방법도 본 발명에는 포함된다.
예를 들어, 상기 서술한 가공 스텝 (S1) 에 있어서는, 웨이퍼 (11) 에 절삭 블레이드 (12) 를 절입시켜 웨이퍼 (11) 의 일부를 제거하고 있었지만, 웨이퍼 (11) 의 일부를 제거하는 방법은 이것에 한정되지 않는다.
구체적으로는, 가공 스텝 (S1) 에 있어서는, 웨이퍼 (11) 에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 조사하여 레이저 어블레이션을 발생시킴으로써 웨이퍼 (11) 의 일부를 제거해도 된다.
또, 상기 서술한 분리 기점 형성 스텝 (S2) 에 있어서는, 제 2 면 (11b) 측으로부터 웨이퍼 (11) 에 레이저 빔을 조사하고 있었지만, 제 1 면 (11a) 측으로부터 웨이퍼 (11) 에 레이저 빔을 조사해도 된다.
이 경우, 가공 스텝 (S1) 에 있어서 제 2 면 (11b) 에 첩착된 테이프 (19) 를 분리하는 일 없이, 또, 새롭게 제 1 면 (11a) 에 테이프 (21) 를 첩착하는 일 없이, 분리 기점 형성 스텝 (S2) 을 실시할 수 있는 점에서 바람직하다. 한편, 제 2 면 (11b) 측으로부터 웨이퍼 (11) 에 레이저 빔을 조사하는 경우, 레이저 빔의 조사에 의한 디바이스 (15) 에 대한 영향을 저감할 수 있는 점에서 바람직하다.
또, 상기 서술한 분리 기점 형성 스텝 (S2) 에 있어서는, 척 테이블 (24) 을 수평 방향으로 이동시키면서 웨이퍼 (11) 에 레이저 빔 (L) 을 조사하고 있었지만, 헤드 (26) 를 수평 방향으로 이동시키면서 웨이퍼 (11) 에 레이저 빔 (L) 을 조사해도 된다. 혹은, 척 테이블 (24) 및 헤드 (26) 의 쌍방을 이동시키면서 웨이퍼 (11) 에 레이저 빔 (L) 을 조사해도 된다.
또, 상기 서술한 분리 스텝 (S3) 에 있어서는, 초음파 조사 장치 (30) 를 사용하여 웨이퍼 (11) 에 외력을 부여하여 2 매의 웨이퍼로 분리하고 있었지만, 웨이퍼 (11) 에 대한 외력의 부여 방법은 초음파를 사용한 방법에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 면 (11a) 및 제 2 면 (11b) 과 직교하는 방향의 인장 응력을 웨이퍼 (11) 에 부여하여, 웨이퍼 (11) 를 2 매의 웨이퍼로 분리해도 된다.
그 밖에, 상기 서술한 실시형태 및 변형예에 관련된 구조 및 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 웨이퍼
11a : 제 1 면 (표면)
11b : 제 2 면 (이면)
11c : 외주면
11d : 개질층
11e : 크랙
11f : 잔존하는 만곡부
11g : 홈
13 : 분할 예정 라인
15 : 디바이스
17a, 17b : 오리엔테이션 플랫
19, 21 : 테이프
2 : 절삭 장치
4 : θ 테이블
6 : 척 테이블
6a : 프레임체
8 : 절삭 유닛
10 : 스핀들
12 : 절삭 블레이드
20 : 레이저 빔 조사 장치
22 : 테이블 기대
24 : 척 테이블
26 : 헤드
30 : 초음파 조사 장치
32 : 액조
34 : 재치 테이블
36 : 초음파 조사 유닛

Claims (6)

  1. 제 1 면과, 그 제 1 면의 반대측의 제 2 면과, 그 제 1 면 및 그 제 2 면의 사이에 위치하는 외주면을 갖고, 그 외주면이 외측으로 볼록하게 만곡되어 있는 만곡부를 구비하는 웨이퍼를 그 제 1 면측 및 그 제 2 면측의 2 매로 분리하는 웨이퍼의 분리 방법으로서,
    그 만곡부를 따라 그 웨이퍼의 일부를 제거하도록 그 웨이퍼를 가공하는 가공 스텝과,
    그 가공 스텝 후, 그 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 그 웨이퍼의 내부에 위치 부여하고, 그 집광점이 그 웨이퍼의 내부에 유지되도록 그 집광점과 그 웨이퍼를 상대적으로 이동시키면서 그 레이저 빔을 조사함으로써, 그 웨이퍼의 내부에 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 스텝과,
    그 분리 기점 형성 스텝 후, 외력을 부여하여, 그 웨이퍼를 그 분리 기점으로부터 그 제 1 면을 갖는 웨이퍼와 그 제 2 면을 갖는 웨이퍼로 분리하는 분리 스텝,
    을 구비하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼의 분리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 만곡부는, 원호상으로 연장하는 제 1 부분과, 직선상으로 연장하는 제 2 부분을 갖고,
    그 가공 스텝에서는, 그 제 1 부분을 따라 그 웨이퍼의 일부를 원호상으로 제거하고, 또한, 그 제 2 부분을 따라 그 웨이퍼의 일부를 직선상 또는 원호상으로 제거하도록 그 웨이퍼를 가공하는,
    웨이퍼의 분리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼로부터 그 만곡부의 전부를 제거하는 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼의 분리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면측으로부터 그 만곡부의 그 제 1 면측의 일부를 제거하고,
    그 분리 기점 형성 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면과 잔존하는 그 만곡부의 사이의 깊이에 그 집광점을 위치 부여하는 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼의 분리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면측으로부터 그 웨이퍼의 그 제 1 면측의 일부를 제거하여 홈을 형성하고,
    그 분리 기점 형성 스텝에서는, 그 웨이퍼의 그 제 1 면과 그 홈의 바닥면과의 사이의 깊이에 그 집광점을 위치 부여하고, 그 웨이퍼의 그 홈보다 내측의 영역에 그 레이저 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼의 분리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 가공 스텝에서는, 그 웨이퍼에 절삭 블레이드를 절입시켜 그 웨이퍼의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼의 분리 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12269123B1 (en) 2024-04-05 2025-04-08 Wolfspeed, Inc. Laser edge shaping for semiconductor wafers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017028072A (ja) 2015-07-21 2017-02-02 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP2017183503A (ja) 2016-03-30 2017-10-05 株式会社東京精密 ウェーハの面取り方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7525471B2 (en) * 2007-02-28 2009-04-28 Exar Corporation Wide-input windowed nonlinear analog-to-digital converter for high-frequency digitally controlled SMPS
JP6016472B2 (ja) 2012-06-20 2016-10-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6619685B2 (ja) * 2016-04-19 2019-12-11 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの加工方法
CN118983257A (zh) 2018-07-19 2024-11-19 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP7133633B2 (ja) 2018-09-13 2022-09-08 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017028072A (ja) 2015-07-21 2017-02-02 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP2017183503A (ja) 2016-03-30 2017-10-05 株式会社東京精密 ウェーハの面取り方法

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