KR20220006038A

KR20220006038A - 다관능 활성 에스테르 화합물, 수지 조성물, 경화물, 및, 빌드업 필름

Info

Publication number: KR20220006038A
Application number: KR1020217032403A
Authority: KR
Inventors: 겐타로우 호우조우; 마사미 신도; 유타 오아타리; 고헤이 다케다; 다츠시 하야시; 유코 가와하라; 아키코 구보
Original assignee: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date: 2019-05-07
Filing date: 2020-04-30
Publication date: 2022-01-14
Also published as: CN113785008B; JP7480040B2; TW202106748A; CN113785008A; WO2020226118A1; TWI830911B; JPWO2020226118A1

Abstract

본 발명은, 경화 후의 내열성 및 유전 특성이 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있는 다관능 활성 에스테르 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은, 그 다관능 활성 에스테르 화합물을 사용하여 이루어지는 수지 조성물, 그 수지 조성물의 경화물, 및, 그 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 빌드업 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 하기 식 (1) 로 나타내는 다관능 활성 에스테르 화합물이다.
[화학식 1]

식 (1) 중, R¹ 및 R² 는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 되며, 치환되어 있어도 되는 아릴기이고, X 는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 2 가의 기이며, Y 는, 2 가의 유기기이고, n 은, 1 이상의 정수이다.

Description

다관능 활성 에스테르 화합물, 수지 조성물, 경화물, 및, 빌드업 필름

본 발명은 경화 후의 내열성 및 유전 특성이 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있는 다관능 활성 에스테르 화합물에 관한 것이다. 또, 본 발명은 그 다관능 활성 에스테르 화합물을 사용하여 이루어지는 수지 조성물, 그 수지 조성물의 경화물, 및, 그 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 빌드업 필름에 관한 것이다.

저수축이고, 접착성, 절연성, 및, 내약품성이 우수한 에폭시 수지 등의 경화성 수지는, 많은 공업 제조품에 사용되고 있다. 특히, 프린트 배선판의 층간 절연 재료 등에 사용되는 수지 조성물에는, 저유전율, 저유전 정접 등의 유전 특성을 필요로 한다. 이와 같은 유전 특성이 우수한 수지 조성물로서, 예를 들어, 특허문헌 1, 2 에는, 경화성 수지와, 경화제로서 특정한 구조를 갖는 화합물을 함유하는 수지 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 이와 같은 수지 조성물은, 경화 후의 내열성과 유전 특성을 양립시키기가 곤란하다는 문제가 있었다.

일본 공개특허공보 2017-186551호 국제공개 2016/114286호

본 발명은 경화 후의 내열성 및 유전 특성이 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있는 다관능 활성 에스테르 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 그 다관능 활성 에스테르 화합물을 사용하여 이루어지는 수지 조성물, 그 수지 조성물의 경화물, 및, 그 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 빌드업 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 하기 식 (1) 로 나타내는 다관능 활성 에스테르 화합물이다.

[화학식 1]

아래에서 본 발명을 상세히 서술한다.

본 발명자들은, 특정한 구조를 갖는 다관능 활성 에스테르 화합물을 경화제로서 사용함으로써, 경화 후의 내열성 및 유전 특성이 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물은, 상기 식 (1) 로 나타낸다.

상기 식 (1) 중, R¹ 및 R² 는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 되며, 치환되어 있어도 되는 아릴기이다. 상기 R¹ 및 상기 R² 로서 치환되어 있어도 되는 아릴기를 가짐으로써, 얻어지는 수지 조성물의 경화물이 저유전 정접 등의 유전 특성이 우수한 것이 된다.

상기 아릴기로는, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 등을 들 수 있다.

상기 아릴기가 치환되어 있는 경우의 치환기로는, 예를 들어, 지방족기 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 상기 식 (1) 중의 R¹ 및 R² 는, 하기 식 (2) 로 나타내는 기인 것이 바람직하다. 상기 R¹ 및 상기 R² 가 하기 식 (2) 로 나타내는 기임으로써, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물을 경화제로서 사용한 경우에 얻어지는 수지 조성물의 경화물이 저유전 정접 등의 유전 특성이 보다 우수한 것이 된다.

[화학식 2]

식 (2) 중, R³ 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 지방족기이고, * 는, 결합 위치이다.

상기 식 (1) 중, X 는, 각각 독립적으로, 상이해도 되고, 산소 원자 또는 2 가의 기이다. 그 중에서도, 상기 X 는, 산소 원자, 술포닐기, 카르보닐기, 또는, 하기 식 (3) 으로 나타내는 기인 것이 바람직하고, 산소 원자 또는 하기 식 (3) 으로 나타내는 기인 것이 보다 바람직하다.

[화학식 3]

식 (3) 중, * 는, 결합 위치이다.

상기 식 (1) 중, Y 는, 2 가의 유기기이다. 그 중에서도, 상기 Y 는, 치환되어 있어도 되는 아릴렌기인 것이 바람직하다. 상기 Y 가 치환되어 있어도 되는 아릴렌기임으로써, 얻어지는 수지 조성물의 경화물이 내열성이 우수한 것이 된다.

상기 식 (1) 중의 Y 가 치환되어 있어도 되는 아릴렌기인 경우의 그 아릴렌기로는, 예를 들어, 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트릴렌기 등을 들 수 있다.

상기 아릴렌기가 치환되어 있는 경우의 치환기로는, 예를 들어, 지방족기 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 상기 식 (1) 중의 Y 는, 1,3-페닐렌기 또는 1,4-페닐렌기인 것이 바람직하다.

상기 식 (1) 중, n 은, 1 이상의 정수이다. 상기 n 은, 상기 식 (1) 로 나타내는 다관능 활성 에스테르 화합물의 수 평균 분자량이 후술하는 범위가 되는 값으로 되면 되는데, 1 이상 5 이하인 것이 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 수 평균 분자량의 바람직한 하한은 1300, 바람직한 상한은 5500 이다. 상기 수 평균 분자량이 이 범위임으로써, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물은, 수지 성분과의 상용성이 보다 우수한 것이 되며, 또한, 얻어지는 수지 조성물의 경화물이 저유전 정접 등의 유전 특성이 보다 우수한 것이 된다. 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 수 평균 분자량의 보다 바람직한 하한은 1400, 보다 바람직한 상한은 2700, 특히 바람직한 하한은 1800 이다.

또한, 본 명세서에 있어서 상기「수 평균 분자량」은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 로 테트라하이드로푸란을 사용하여 용매로서 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해서 구해지는 값이다. GPC 에 의해서 폴리스티렌 환산에 의한 수 평균 분자량을 측정할 때에 사용하는 칼럼으로는, 예를 들어, JAIGEL-2H-A (니혼 분석 공업사 제조) 등을 들 수 있다.

본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물은, 얻어지는 수지 조성물의 경화물이 내열성 및 유전 특성이 특히 우수해지는 점에서, 하기 식 (4) 로 나타내는 화합물인 것이 바람직하다.

[화학식 4]

본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물을 제조하는 방법으로는, 예를 들어, 아래의 방법 등을 들 수 있다.

즉, 하기 식 (5) 로 나타내는 산 2무수물과 하기 식 (6) 으로 나타내는 아미노페놀과 하기 식 (7) 로 나타내는 디카르복실산과 하기 식 (8-1) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산 및/또는 하기 식 (8-2) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산을 반응시키는 방법 등을 들 수 있다.

구체적으로는, 미리 하기 식 (6) 으로 나타내는 아미노페놀을, 반응에 의해서 얻어지는 아믹산 화합물이 가용인 용매에 용해시키고, 얻어진 용액에 하기 식 (5) 로 나타내는 산 2무수물을 첨가하여 반응시켜, 아믹산 화합물의 용액을 얻는다. 상기 용매로는, 예를 들어, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등을 들 수 있다. 이어서, 얻어진 아믹산 화합물의 용액으로부터 가열이나 감압 등에 의해서 용매를 제거, 또는, 물, 메탄올, 헥산 등의 빈용매 중에 투입하여 재침전시킴으로써 아믹산 올리고머를 회수하고, 추가로, 약 200 ℃ 이상에서 1 시간 이상 가열하여 이미드화 반응을 진행시켜, 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물을 얻는다. 그 후, 얻어진 이미드 화합물을, 하기 식 (7) 로 나타내는 디카르복실산 또는 그 할로겐화물과 에스테르화 반응시킨다. 또한, 하기 식 (8-1) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산 혹은 그 할로겐화물 및/또는 하기 식 (8-2) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산 혹은 그 할로겐화물과 에스테르화 반응시킴으로써, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물을 얻을 수 있다.

또한, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 수 평균 분자량은, 예를 들어, 아래의 방법에 의해서 조정할 수 있다.

즉, 하기 식 (7) 로 나타내는 디카르복실산 또는 그 할로겐화물을 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물과 반응시키는 공정에 있어서, 하기 식 (7) 로 나타내는 디카르복실산 또는 그 할로겐화물과 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물의 당량비나 반응 시간을 조정함으로써, 상기 수 평균 분자량을 조정할 수 있다. 또는, 하기 식 (8-1) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산 혹은 그 할로겐화물 및/또는 하기 식 (8-2) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산 혹은 그 할로겐화물과의 에스테르화 반응의 전후 중 어느 때에 GPC 에 의해서 정제할 수도 있다. 상기 식 (1) 에 있어서의 n 도 동일하게 하여, 조정할 수 있다.

[화학식 5]

식 (5) 중, X 는, 상기 식 (1) 중의 X 와 동일한 기이다.

[화학식 6]

[화학식 7]

식 (7) 중, Y 는, 상기 식 (1) 중의 Y 와 동일한 기이다.

[화학식 8]

식 (8-1) 중, R¹ 은, 상기 식 (1) 중의 R¹ 과 동일한 기이고, 식 (8-2) 중, R² 는, 상기 식 (1) 중의 R² 와 동일한 기이다.

상기 식 (5) 로 나타내는 산 2무수물로는, 예를 들어, 3,3'-옥시디프탈산 2무수물, 3,4'-옥시디프탈산 2무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2무수물, 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐에테르의 산 무수물, p-페닐렌비스(트리멜리테이트 무수물), 4,4'-카르보닐디프탈산 2무수물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 용해성, 내열성, 및, 입수성이 우수한 점에서, 4,4'-옥시디프탈산 2무수물, 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물이 바람직하고, 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물이 보다 바람직하다.

상기 식 (6) 으로 나타내는 아미노페놀로는, 예를 들어, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀 등을 들 수 있다.

상기 식 (7) 로 나타내는 디카르복실산으로는, 예를 들어, 테레프탈산, 이소프탈산, 4,4'-옥시비스벤조산, 2,7-나프탈렌디카르복실산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 테레프탈산, 이소프탈산이 바람직하다.

상기 식 (8-1) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산 및 상기 식 (8-2) 로 나타내는 방향족 모노카르복실산으로는, 예를 들어, 1-나프탈렌카르복실산, 2-나프탈렌카르복실산, 1-안트라센카르복실산, 2-안트라센카르복실산, 9-안트라센카르복실산, 페난트렌카르복실산, 피렌카르복실산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 2-나프탈렌카르복실산이 바람직하다.

경화성 수지와, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물을 함유하는 수지 조성물도 또한, 본 발명의 하나이다. 본 발명의 수지 조성물은, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물을 함유함으로써, 경화물이 내열성 및 유전 특성이 우수한 것이 된다. 그 때문에, 본 발명의 수지 조성물은, 다층 프린트 배선판에 있어서, 절연층을 형성하기 위해서 바람직하게 사용된다.

본 발명의 수지 조성물은, 미경화 상태에서의 가공성을 향상시키거나 하기 위해서, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물에 부가하여 다른 경화제를 함유해도 된다.

상기 다른 경화제로는, 예를 들어, 페놀계 경화제, 티올계 경화제, 아민계 경화제, 산 무수물계 경화제, 시아네이트계 경화제, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물 이외의 다른 활성 에스테르계 경화제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물 이외의 다른 활성 에스테르계 경화제, 시아네이트계 경화제가 바람직하다.

상기 경화제로서, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물만을 사용하는 경우의 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 함유량은, 경화성 수지 1 당량에 대해서, 바람직한 하한이 0.3 당량, 바람직한 상한이 2.0 당량이다. 상기 경화제로서 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물만을 사용하는 경우, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 수지 조성물이, 내열성 및 유전 특성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 경화제로서 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물만을 사용하는 경우의 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.6 당량, 보다 바람직한 상한은 1.5 당량이다.

또, 상기 경화제로서, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물과 그 밖의 경화제를 병용하는 경우의 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 함유량은, 경화성 수지 1 당량에 대해서, 바람직한 하한이 0.05 당량, 바람직한 상한이 1.8 당량이다. 상기 경화제로서, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물과 그 밖의 경화제를 병용하는 경우, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 수지 조성물이, 내열성 및 유전 특성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 경화제로서, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물과 그 밖의 경화제를 병용하는 경우의 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.2 당량, 보다 바람직한 상한은 1.2 당량이다. 상기 경화제로서, 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물과 그 밖의 경화제를 병용하는 경우의 본 발명의 다관능 활성 에스테르 화합물과 그 밖의 경화제의 합계의 함유량은, 경화성 수지 1 당량에 대해서, 바람직한 하한이 0.3 당량, 바람직한 상한이 2.0 당량이다.

본 발명의 수지 조성물은, 경화성 수지를 함유한다.

상기 경화성 수지로는, 예를 들어, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 페놀 수지, 이미드 수지, 말레이미드 수지, 벤조옥사진 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 경화성 수지는, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 페놀 수지, 이미드 수지, 말레이미드 수지, 및, 벤조옥사진 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 것이 바람직하고, 에폭시 수지를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 상기 경화성 수지는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

상기 에폭시 수지로는, 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 E 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 2,2'-디알릴비스페놀 A 형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀형 에폭시 수지, 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 레조르시놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 술파이드형 에폭시 수지, 디페닐에테르형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌페놀 노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 알킬폴리올형 에폭시 수지, 고무 변성형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르 화합물 등을 들 수 있다.

본 발명의 수지 조성물은, 경화 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 경화 촉진제를 함유함으로써, 경화 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.

상기 경화 촉진제로는, 예를 들어, 이미다졸계 경화 촉진제, 3 급 아민계 경화 촉진제, 포스핀계 경화 촉진제, 광 염기 발생제, 술포늄염계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 저장 안정성 및 경화성의 관점에서, 이미다졸계 경화 촉진제, 포스핀계 경화 촉진제가 바람직하다.

상기 경화 촉진제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

상기 경화 촉진제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대해서, 바람직한 하한이 0.01 중량부, 바람직한 상한이 10 중량부이다. 상기 경화 촉진제의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 수지 조성물의 접착성을 악화시키지 않고 경화 시간을 단축시키는 효과가 보다 우수한 것이 된다. 상기 경화 촉진제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.03 중량부, 보다 바람직한 상한은 4 중량부, 더욱 바람직한 하한은 0.05 중량부, 더욱 바람직한 상한은 3 중량부이다.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로, 무기 충전제를 함유하는 것이 바람직하다.

상기 무기 충전제를 함유함으로써, 본 발명의 수지 조성물은, 접착성, 가공성, 전기 특성, 및, 경화물의 내열성이 보다 우수한 것이 된다.

상기 무기 충전제는, 실리카 및 알루미나의 적어도 어느 것인 것이 바람직하다. 상기 무기 충전제로서 실리카 및 알루미나의 적어도 어느 것을 함유함으로써, 본 발명의 수지 조성물은, 접착성, 가공성, 전기 특성, 및, 경화물의 내열성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 무기 충전제는, 실리카인 것이 보다 바람직하며, 용융 실리카인 것이 더욱 바람직하다.

상기 실리카 및 상기 알루미나 이외의 그 밖의 무기 충전제로는, 예를 들어, 황산바륨, 탤크, 클레이, 마이카, 산화마그네슘, 수산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소, 유리 파우더, 유리 플릿, 유리 섬유, 카본 파이버, 무기 이온 교환체 등을 들 수 있다.

상기 무기 충전제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

상기 무기 충전제의 평균 입자경의 바람직한 하한은 50 ㎚, 바람직한 상한은 5 ㎛ 이다. 상기 무기 충전제의 평균 입자경이 이 범위임으로써, 얻어지는 수지 조성물이 도포성이나 가공성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 무기 충전제의 평균 입자경의 보다 바람직한 하한은 75 ㎚, 보다 바람직한 상한은 3 ㎛, 더욱 바람직한 하한은 100 ㎚, 더욱 바람직한 상한은 2 ㎛ 이다.

또한, 상기 무기 충전제나 후술하는 유동 조정제의 평균 입자경은, 예를 들어, 입도 분포 측정 장치를 사용하여, 상기 무기 충전제나 유동 조정제를 용매 (물, 유기 용매 등) 에 분산시켜 측정할 수 있다. 상기 입도 분포 측정 장치로는, 예를 들어, NICOMP 380ZLS (PARTICLE SIZING SYSTEMS 사 제조) 등을 들 수 있다.

본 발명의 수지 조성물의 고형분 100 중량부 중에 있어서의 상기 무기 충전제의 함유량의 바람직한 하한은 50 중량부, 바람직한 상한은 85 중량부이다. 상기 무기 충전제의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 수지 조성물이 접착성, 가공성, 전기 특성, 및, 경화물의 내열성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 무기 충전제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 55 중량부, 보다 바람직한 상한은 80 중량부이다.

또한, 상기「고형분」은, 후술하는 용매를 사용하는 경우에는 그 용매를 제외한 수지 조성물 성분의 합계를 의미한다.

본 발명의 수지 조성물은, 피착체에 대한 단시간 동안의 도포성과 형상 유지성을 향상시키는 등의 목적에서 유동 조정제를 함유해도 된다.

상기 유동 조정제로는, 예를 들어, 아에로질 등의 흄드실리카나 층상 규산염 등을 들 수 있다.

상기 유동 조정제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

또, 상기 유동 조정제로는, 평균 입자경이 50 ㎚ 미만인 것이 바람직하게 사용된다.

상기 유동 조정제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대해서, 바람직한 하한이 0.1 중량부, 바람직한 상한이 100 중량부이다. 상기 유동 조정제의 함유량이 이 범위임으로써, 피착체에 대한 단시간 동안의 도포성과 형상 유지성을 향상시키는 등의 효과가 보다 우수한 것이 된다. 상기 유동 조정제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.5 중량부, 보다 바람직한 상한은 50 중량부이다.

본 발명의 수지 조성물은, 응력 완화, 인성 부여 등을 목적으로 하여 유기 충전제를 함유해도 된다.

상기 유기 충전제로는, 예를 들어, 실리콘 고무 입자, 아크릴 고무 입자, 우레탄 고무 입자, 폴리아미드 입자, 폴리아미드이미드 입자, 폴리이미드 입자, 벤조구아나민 입자, 및, 이것들의 코어 쉘 입자 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리아미드 입자, 폴리아미드이미드 입자, 폴리이미드 입자가 바람직하다.

상기 유기 충전제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

본 발명의 수지 조성물의 고형분 100 중량부 중에 있어서의 상기 유기 충전제의 함유량의 바람직한 상한은 300 중량부이다. 상기 유기 충전제의 함유량이 이 범위임으로써, 우수한 접착성 등을 유지한 상태에서, 얻어지는 수지 조성물의 경화물이 인성 등이 보다 우수한 것이 된다. 상기 유기 충전제의 함유량의 보다 바람직한 상한은 200 중량부이다.

본 발명의 수지 조성물은, 난연제를 함유해도 된다.

상기 난연제로는, 예를 들어, 베마이트형 수산화알루미늄, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 할로겐계 화합물, 인계 화합물, 질소 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 베마이트형 수산화알루미늄이 바람직하다.

상기 난연제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

상기 난연제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대해서, 바람직한 하한이 2 중량부, 바람직한 상한이 300 중량부이다. 상기 난연제의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 수지 조성물이 우수한 접착성 등을 유지한 상태에서, 난연성이 우수한 것이 된다. 상기 난연제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 5 중량부, 보다 바람직한 상한은 250 중량부이다.

본 발명의 수지 조성물은, 열가소성 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 열가소성 수지를 사용함으로써, 본 발명의 수지 조성물은, 유동 특성, 전기 특성, 및, 경화 후의 내굴곡성이 우수한 것이 된다.

상기 열가소성 수지로는, 예를 들어, 폴리이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화 환경에 의하지 않고, 유전 정접을 효과적으로 낮추며, 또한, 용융점도를 조정 가능한 점에서, 폴리이미드 수지, 페녹시 수지가 바람직하다.

상기 열가소성 수지는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

상기 열가소성 수지의 수 평균 분자량의 바람직한 하한은 2000, 바람직한 상한은 10 만이다. 상기 열가소성 수지의 상기 수 평균 분자량이 이 범위임으로써, 얻어지는 수지 조성물이 유동 특성이나 전기 특성, 경화 후의 내굴곡성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 열가소성 수지의 수 평균 분자량의 보다 바람직한 하한은 5000, 보다 바람직한 상한은 5 만이다.

상기 열가소성 수지의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대해서, 바람직한 하한은 0.5 중량부, 바람직한 상한은 50 중량부이다. 상기 열가소성 수지의 함유량이 0.5 중량부 이상임으로써, 얻어지는 수지 조성물이 유동 특성이나 경화 후의 내굴곡성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 열가소성 수지의 함유량이 50 중량부 이하임으로써, 얻어지는 경화물이 내열성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 열가소성 수지의 함유량의 보다 바람직한 하한은 1 중량부, 보다 바람직한 상한은 30 중량부이다.

본 발명의 수지 조성물은, 용매를 함유해도 된다. 상기 용매의 사용에 의해서, 수지 재료의 점도를 바람직한 범위로 제어할 수 있어, 수지 재료의 도공성을 높일 수 있다. 또, 상기 용매는, 상기 무기 충전제를 함유하는 슬러리를 얻기 위해서 사용되어도 된다. 상기 용매는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.

상기 용매로는, 예를 들어, 아세톤, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 2-프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 2-아세톡시-1-메톡시프로판, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, N,N-디메틸포름아미드, 메틸이소부틸케톤, N-메틸-피롤리돈, n-헥산, 시클로헥산, 시클로헥사논, 및, 혼합물인 나프타 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 도공성이나 저장 안정성의 관점에서, 상기 용매의 비점은, 200 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 180 ℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기「비점」은, 101 ㎪ 의 조건에서 측정되는 값, 또는, 비점 환산 도표 등에서 101 ㎪ 로 환산된 값을 의미한다.

본 발명의 수지 조성물 100 중량부 중에 있어서의 상기 용매의 함유량의 바람직한 하한은 10 중량부, 바람직한 상한은 60 중량부이다. 상기 용매의 함유량이 이 범위임으로써, 본 발명의 수지 조성물은, 도공성 등이 보다 우수한 것이 된다. 상기 용매의 함유량의 보다 바람직한 하한은 20 중량부, 보다 바람직한 상한은 40 중량부이다.

본 발명의 수지 조성물은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 반응성 희석제를 함유해도 된다.

상기 반응성 희석제로는, 접착 신뢰성의 관점에서, 1 분자 중에 2 개 이상의 반응성 관능기를 갖는 반응성 희석제가 바람직하다.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로, 커플링제, 분산제, 저장 안정화제, 블리드 방지제, 플럭스제, 레벨링제 등의 첨가제를 함유해도 된다.

본 발명의 수지 조성물을 제조하는 방법으로는, 예를 들어, 혼합기를 사용하여, 경화성 수지와, 경화제와, 무기 충전제나 필요에 따라서 첨가하는 용매 등을 혼합하는 방법 등을 들 수 있다.

상기 혼합기로는, 예를 들어, 호모 디스퍼, 만능 믹서, 밴버리 믹서, 니더 등을 들 수 있다.

본 발명의 수지 조성물을 기재 필름 상에 도공하고, 건조시킴으로써, 본 발명의 수지 조성물로 이루어지는 수지 조성물 필름을 얻을 수 있고, 그 수지 조성물 필름을 경화시켜 경화물을 얻을 수 있다. 본 발명의 수지 조성물의 경화물도 또한, 본 발명의 하나이다.

상기 경화성 수지로서 비페닐형 에폭시 수지를 함유하는 경우, 본 발명의 수지 조성물은, 경화물의 25 ℃ 부터 150 ℃ 까지의 온도 범위에 있어서의 선 팽창률의 바람직한 하한이 3 ppm/℃, 바람직한 상한이 60 ppm/℃ 이다. 본 발명의 수지 조성물은, 경화물이 내열성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 선 팽창률의 보다 바람직한 하한은 5 ppm/℃, 보다 바람직한 상한은 40 ppm/℃, 더욱 바람직한 상한은 28 ppm/℃, 특히 바람직한 상한은 25 ppm/℃ 이다.

또한, 본 명세서에 있어서 상기「선 팽창률」은, 열기계 분석 (TMA) 법에 의해서 승온 속도 5 ℃/분, 힘 33 N 의 조건에서 측정되는 값을 나타낸다. 또, 상기 선 팽창률의 측정에 사용하는 경화물은, 예를 들어, 두께를 약 40 ㎛ 로 한 상기 수지 조성물 필름을 190 ℃ 에서 90 분 가열함으로써 얻을 수 있다.

상기 경화성 수지로서 비페닐형 에폭시 수지를 함유하는 경우, 본 발명의 수지 조성물은, 경화물의 23 ℃ 에 있어서의 유전 정접의 바람직한 상한이 0.015 이다. 상기 경화물의 23 ℃ 에 있어서의 유전 정접이 0.015 이하임으로써, 본 발명의 수지 조성물은, 다층 프린트 배선판 등의 층간 절연 재료에 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 경화물의 23 ℃ 에 있어서의 유전 정접의 보다 바람직한 상한은 0.01, 더욱 바람직한 상한은 0.0035, 특히 바람직한 상한은 0.003 이다.

또한, 상기「유전 정접」은, 유전율 측정 장치 및 네트워크 애널라이저를 사용하여 5 ㎓ 의 조건에서 측정되는 값이다. 또한, 상기「유전 정접」을 측정하는 경화물은, 두께를 40 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 로 한 상기 수지 조성물 필름을 190 ℃ 에서 90 분간 가열함으로써 얻을 수 있다.

본 발명의 수지 조성물은, 넓은 용도에 사용할 수 있지만, 특히 높은 내열성이 요구되는 전자 재료 용도에 바람직하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 항공, 차재용 전기 제어 유닛 (ECU) 용도나, SiC, GaN 을 사용한 파워 디바이스 용도에 있어서의 다이 어태치제 등에 사용할 수 있다. 또, 예를 들어, 파워 오버레이 패키지용 접착제, 프린트 배선 기판용 접착제, 플렉시블 프린트 회로 기판의 커버레이용 접착제, 구리 피복 적층판, 반도체 접합용 접착제, 층간 절연 재료, 프리프레그, LED 용 봉지제, 구조 재료용 접착제 등에도 사용할 수 있다.

그 중에서도, 본 발명의 수지 조성물은, 경화물이 저유전율, 저유전 정접이고, 유전 특성이 우수하기 때문에, 빌드업 필름에 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 빌드업 필름도 또한, 본 발명의 하나이다.

본 발명에 의하면, 경화 후의 내열성 및 유전 특성이 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있는 다관능 활성 에스테르 화합물을 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 그 다관능 활성 에스테르 화합물을 사용하여 이루어지는 수지 조성물, 그 수지 조성물의 경화물, 및, 그 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 빌드업 필름을 제공할 수 있다.

아래에 실시예를 들어, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지 않는다.

(합성예 1 (다관능 활성 에스테르 화합물 A 의 제조))

3-아미노페놀 130.96 중량부를 N-메틸피롤리돈 1400 ㎖ 에 용해시켰다. 얻어진 용액에 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물 208.20 중량부를 첨가하고, 25 ℃ 에서 2 시간 교반하고 반응시켜 아믹산 화합물의 용액을 얻었다. 얻어진 아믹산 화합물 1 ㏖/ℓ 을 아세트산 8400 ㎖ 에 첨가하여 석출물을 회수하였다. 얻어진 석출물을 300 ℃ 에서 2 시간 가열함으로써, 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물을 얻었다. 얻어진 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물 8.43 중량부와 트리에틸아민 3.64 중량부를 테트라하이드로푸란 60 ㎖ 에 용해시켰다. 얻어진 용액에 테레프탈로일클로라이드 1.22 중량부를 첨가하고, 25 ℃ 에서 4 시간 교반한 후, 2-나프탈렌카르보닐클로라이드 2.63 중량부를 첨가하고, 추가로 25 ℃ 에서 18 시간 교반하여 에스테르화 반응을 진행시켰다. 테레프탈로일클로라이드 및 2-나프탈렌카르보닐클로라이드로는, 토쿄 화성 공업사 제조의 시약을 사용하였다. 그 후, 테트라하이드로푸란을 제거하고, 잔류된 고체를 순수로 세정함으로써 다관능 활성 에스테르 화합물 A 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 A 는, 상기 식 (4) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 A 의 수 평균 분자량은 1900 이었다.

또한, 수 평균 분자량은 GPC 분석 (용매 : 테트라하이드로푸란, 칼럼 : JAIGEL-2H-A, 유속 : 1.0 ㎖/min) 에 의해서 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량으로서 구하였다.

(합성예 2 (다관능 활성 에스테르 화합물 B 의 제조))

테레프탈로일클로라이드의 배합량을 1.62 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 1 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 B 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 B 는, 하기 식 (9) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 B 의 수 평균 분자량은 2700 이었다.

[화학식 9]

(합성예 3 (다관능 활성 에스테르 화합물 C 의 제조))

테레프탈로일클로라이드 1.22 중량부를 이소프탈로일클로라이드 1.22 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 1 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 C 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 C 는, 하기 식 (10) 으로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 C 의 수 평균 분자량은 1900 이었다.

[화학식 10]

(합성예 4 (다관능 활성 에스테르 화합물 D 의 제조))

이소프탈로일클로라이드의 배합량을 1.62 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 3 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 D 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 D 는, 하기 식 (11) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 D 의 수 평균 분자량은 2700 이었다.

[화학식 11]

(합성예 5 (다관능 활성 에스테르 화합물 E 의 제조))

4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물 208.20 중량부를 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 124.09 중량부로 변경하고, 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물의 사용량을 8.43 중량부에서 5.91 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 1 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 E 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 E 는, 하기 식 (12) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 E 의 수 평균 분자량은 1500 이었다.

[화학식 12]

(합성예 6 (다관능 활성 에스테르 화합물 F 의 제조))

테레프탈로일클로라이드의 배합량을 1.62 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 5 와 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 F 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 F 는, 하기 식 (13) 으로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 F 의 수 평균 분자량은 2100 이었다.

[화학식 13]

(합성예 7 (다관능 활성 에스테르 화합물 G 의 제조))

아래의 변경을 행한 것 이외에는 합성예 1 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 G 를 얻었다.

즉, 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물 208.20 중량부를 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 124.09 중량부로 변경하고, 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물의 사용량을 5.91 중량부로 하여, 테레프탈로일클로라이드 1.22 중량부를 이소프탈로일클로라이드 1.22 중량부로 변경하였다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 G 는, 하기 식 (14) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 G 의 수 평균 분자량은 1500 이었다.

[화학식 14]

(합성예 8 (다관능 활성 에스테르 화합물 H 의 제조))

이소프탈로일클로라이드의 배합량을 1.62 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 7 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 H 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 H 는, 하기 식 (15) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 H 의 수 평균 분자량은 2100 이었다.

[화학식 15]

(합성예 9 (다관능 활성 에스테르 화합물 I 의 제조))

2-나프탈렌카르보닐클로라이드 2.63 중량부를 벤조일클로라이드 1.94 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 1 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 I 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 I 는, 하기 식 (16) 으로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 I 의 수 평균 분자량은 1800 이었다.

[화학식 16]

(합성예 10 (다관능 활성 에스테르 화합물 J 의 제조))

테레프탈로일클로라이드의 배합량을 1.62 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 9 와 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 J 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 J 는, 하기 식 (17) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 J 의 수 평균 분자량은 2600 이었다.

[화학식 17]

(합성예 11 (다관능 활성 에스테르 화합물 K 의 제조))

테레프탈로일클로라이드 1.22 중량부를 이소프탈로일클로라이드 1.22 중량부로 변경하고, 2-나프탈렌카르보닐클로라이드 2.63 중량부를 벤조일클로라이드 1.94 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 1 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 K 를 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 K 는, 하기 식 (18) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 K 의 수 평균 분자량은 1800 이었다.

[화학식 18]

(합성예 12 (다관능 활성 에스테르 화합물 L 의 제조))

이소프탈로일클로라이드의 배합량을 1.62 중량부로 변경한 것 이외에는 합성예 11 과 동일하게 하여, 다관능 활성 에스테르 화합물 L 을 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 L 은, 하기 식 (19) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다. 또, 얻어진 다관능 활성 에스테르 화합물 L 의 수 평균 분자량은 2600 이었다.

[화학식 19]

(합성예 13 (다관능 활성 에스테르 화합물 M 의 제조))

3-아미노페놀 130.96 중량부를 N-메틸피롤리돈 1400 ㎖ 에 용해시켰다. 얻어진 용액에 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물 208.20 중량부를 첨가하고, 25 ℃ 에서 2 시간 교반하고 반응시켜 아믹산 화합물의 용액을 얻었다. 얻어진 아믹산 화합물 1 ㏖/ℓ 을 아세트산 8400 ㎖ 에 첨가하여 석출물을 회수하였다. 얻어진 석출물을 300 ℃ 에서 2 시간 가열함으로써, 양 말단에 페놀성 수산기를 갖는 이미드 화합물을 얻었다.

얻어진 이미드 화합물 8.43 중량부와 트리에틸아민 4.86 중량부를 테트라하이드로푸란 130 ㎖ 에 용해시켰다. 얻어진 용액에 2-나프탈렌카르보닐클로라이드 4.80 중량부를 첨가하고, 25 ℃ 에서 4 시간 교반하여 에스테르화 반응을 진행시켰다. 그 후, 테트라하이드로푸란을 감압 제거하고, 다관능 활성 에스테르 화합물 M 을 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 M 은, 하기 식 (20) 으로 나타내는 화합물을 함유하는 것을 확인하였다.

[화학식 20]

(합성예 14 (다관능 활성 에스테르 화합물 N 의 제조))

교반기, 환류 냉각기, 딘스탁의 수분리기를 구비한 용기를 사용하여, 3-아미노페놀 21.8 중량부를 N-메틸피롤리돈 100 ㎖ 에 용해시켰다. 얻어진 용액에 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)디프탈산 무수물 52.0 중량부를 첨가하고, 25 ℃ 에서 4 시간 교반하고 반응시켰다. 얻어진 용액에, 톨루엔 100 ㎖ 를 첨가한 후, 150 ℃ 에서 물이 발생되지 않게 될 때까지, 4 시간 환류를 행하였다. 반응 종료 후, 얻어진 용액으로부터, 이배퍼레이터를 사용하여 톨루엔을 제거한 용액을 순수 800 ㎖ 에 적하하여, 석출물을 여과 분리하였다.

추가로 얻어진 석출물 70.3 중량부와 트리에틸아민 20.2 중량부를 N-메틸-2-피롤리돈 200 ㎖ 에 용해시켰다. 얻어진 용액에 벤조일클로라이드 28.1 중량부를 첨가하고, 25 ℃ 에서 4 시간 교반하고 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액을 순수 800 ㎖ 에 적하하고, 석출물을 여과 분리한 후, 진공 건조를 행하여 다관능 활성 에스테르 화합물 N 을 얻었다.

또한, ¹H-NMR, GPC, 및, FT-IR 분석에 의해서, 다관능 활성 에스테르 화합물 N 은, 상기 식 (1) 로 나타내지 않은 것을 확인하였다.

(실시예 1 ∼ 12, 비교예 1 ∼ 3)

표 1, 2 에 기재된 배합비의 각 재료에 용매로서 시클로헥사논을 첨가하고, 교반기를 사용하여 1200 rpm 으로 4 시간 교반하고, 수지 조성물을 얻었다. 또한, 표 1, 2 의 조성에는, 용매를 제외한 고형분에 대해서 기재하였다.

어플리케이터를 사용하여, 얻어진 수지 조성물을 두께 25 ㎛ 의 PET 필름의 이형 처리면 상에 도공하였다. PET 필름으로는, XG284 (토오레사 제조) 를 사용하였다. 그 후, 100 ℃ 의 기어 오븐 내에서 2.5 분간 건조시키고, 용매를 휘발시켰다. 이와 같이 하여, PET 필름과, 그 PET 필름 상에 두께가 40 ㎛ 이고, 용매의 잔량이 1.0 중량％ 이상, 7.0 중량％ 이하인 수지 조성물층을 갖는 미경화 적층 필름을 얻었다.

＜평가＞

실시예 및 비교예에서 얻어진 각 미경화 적층 필름에 대해서 아래의 평가를 행하였다. 결과를 표 1, 2 에 나타냈다.

(내열성)

실시예 및 비교예에서 얻어진 각 미경화 적층 필름을 190 ℃ 에서 90 분간 가열한 후, 기재 PET 필름을 박리하여, 경화물을 얻었다. 얻어진 경화물에 대해서, 열기계 분석 장치를 사용하여, 승온 속도 5 ℃/분, 힘 33 N 의 조건에서 25 ℃ 부터 150 ℃ 까지의 온도 범위에 있어서의 선 팽창률을 측정하였다. 열기계 분석 장치로는, TMA7100 (히타치 하이테크 사이언스사 제조) 을 사용하였다.

선 팽창률이 25 ppm/℃ 이하인 경우를「○」, 25 ppm/℃ 를 초과하고 28 ppm/℃ 이하인 경우를「△」, 28 ppm/℃ 를 초과한 경우를「×」로 하여 내열성을 평가하였다.

(유전 특성)

실시예 및 비교예에서 얻어진 각 미경화 적층 필름을 190 ℃ 에서 90 분간 가열한 후, 기재 PET 필름을 박리하여, 경화물을 얻었다. 얻어진 경화물을 폭 2 ㎜, 길이 100 ㎜ 의 크기로 재단하였다. 재단된 경화물에 대해서, 공동 공진 섭동법 유전율 측정 장치 및 네트워크 애널라이저를 사용하여, 공동 공진법으로 23 ℃, 주파수 5 ㎓ 의 조건에서 유전 정접을 측정하였다. 공동 공진 섭동법 유전율 측정 장치로는 CP521 (칸토 전자 응용 개발사 제조) 을 사용하고, 네트워크 애널라이저로는 N5224A PNA (키 사이트 테크놀로지사 제조) 를 사용하였다.

유전 정접이 0.0025 이하인 경우를「◎」, 0.0025 를 초과하고 0.003 이하인 경우를「○」, 0.003 을 초과하고 0.0035 이하인 경우를「△」, 0.0035 를 초과한 경우를「×」로 하여 유전 특성을 평가하였다.

산업상 이용가능성

Claims

하기 식 (1) 로 나타내는 것을 특징으로 하는 다관능 활성 에스테르 화합물.

식 (1) 중, R¹ 및 R² 는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 되며, 치환되어 있어도 되는 아릴기이고, X 는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 2 가의 기이며, Y 는, 2 가의 유기기이고, n 은, 1 이상의 정수이다.
제 1 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 n 이 1 이상 5 이하인 다관능 활성 에스테르 화합물.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
수 평균 분자량이 1300 이상 5500 이하인 다관능 활성 에스테르 화합물.
제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 Y 는, 1,3-페닐렌기 또는 1,4-페닐렌기인 다관능 활성 에스테르 화합물.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 R¹ 및 R² 는, 하기 식 (2) 로 나타내는 기인 다관능 활성 에스테르 화합물.

식 (2) 중, R³ 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 지방족기이고, * 는, 결합 위치이다.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 X 는, 산소 원자 또는 하기 식 (3) 으로 나타내는 기인 다관능 활성 에스테르 화합물.

식 (3) 중, * 는, 결합 위치이다.
경화성 수지와, 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항 또는 제 6 항에 기재된 다관능 활성 에스테르 화합물을 함유하는 수지 조성물.
제 7 항에 있어서,
추가로, 무기 충전제를 함유하는 수지 조성물.
제 7 항 또는 제 8 항에 기재된 수지 조성물의 경화물.
제 7 항 또는 제 8 항에 기재된 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 빌드업 필름.