[go: up one dir, main page]

KR20210024387A - Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate - Google Patents

Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20210024387A
KR20210024387A KR1020190103978A KR20190103978A KR20210024387A KR 20210024387 A KR20210024387 A KR 20210024387A KR 1020190103978 A KR1020190103978 A KR 1020190103978A KR 20190103978 A KR20190103978 A KR 20190103978A KR 20210024387 A KR20210024387 A KR 20210024387A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
processing
processing liquid
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020190103978A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김태근
유재혁
조민희
오해림
이경민
강원영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190103978A priority Critical patent/KR20210024387A/en
Publication of KR20210024387A publication Critical patent/KR20210024387A/en
Priority to KR1020210101488A priority patent/KR102548768B1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 미스트화하여 기판에 토출하는 처리액 토출 단계와; 처리액에서 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 회전하는 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판 상에서 고화된 액막을 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와; 회전하는 기판으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a method of processing a substrate may include: discharging a processing liquid including a polymer and a solvent into a mist and discharging the processing liquid onto a substrate; A liquid film forming step of forming a solidified liquid film on a substrate by volatilizing a solvent from the treatment liquid; A liquid film peeling step of supplying a peeling liquid onto a rotating substrate to peel the liquid film solidified on the substrate together with particles on the substrate; A liquid film removal step of removing the liquid film from the substrate by supplying the removal liquid to the rotating substrate may be included.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}Substrate processing method and substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid to a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. Also, before and after these processes are performed, a cleaning process of cleaning particles remaining on the substrate is performed.

세정 공정은, 스핀 헤드에 지지되어 회전하는 기판으로 케미칼을 공급하는 공정, 기판으로 탈이온수(Deionized Water; DIW) 등과 같은 세정액을 공급하여 기판 상에서 케미칼을 제거하는 공정, 이후에 세정액 보다 표면장력이 낮은 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제를 기판에 공급하여 기판 상의 세정액을 유기용제로 치환하는 공정, 그리고 치환된 유기용제를 기판 상에서 제거하는 공정을 포함한다.The cleaning process is a process of supplying chemicals to a substrate that rotates while being supported by a spin head, a process of removing chemicals from the substrate by supplying a cleaning solution such as deionized water (DIW) to the substrate, and then the surface tension is higher than that of the cleaning solution. It includes a step of supplying an organic solvent such as a low isopropyl alcohol (IPA) solution to the substrate to replace the cleaning solution on the substrate with an organic solvent, and a step of removing the substituted organic solvent from the substrate.

상술한 세정 공정을 진행시, 기판 상에 잔류하는 일정한 크기의 파티클은 용이하게 제거되나, 미세 크기의 파티클은 그 제거효율이 낮다. When performing the above-described cleaning process, particles of a certain size remaining on the substrate are easily removed, but the removal efficiency of particles having a fine size is low.

본 발명은 기판 상의 미세 파티클을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of efficiently removing fine particles on a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상으로 처리액이 공급되는 도중에 처리액에 함유된 솔벤트의 일부를 휘발시키는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus for volatilizing a part of a solvent contained in the processing solution while the processing solution is supplied onto the substrate.

또한, 본 발명은 솔벤트를 휘발시키는 과정에서 솔벤트의 휘발량을 조절할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of controlling the volatilization amount of the solvent in the process of volatilizing the solvent.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 미스트화하여 기판에 토출하는 처리액 토출 단계와; 처리액에서 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 회전하는 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판 상에서 고화된 액막을 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와; 회전하는 기판으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a method of processing a substrate may include: discharging a processing liquid including a polymer and a solvent into a mist and discharging the processing liquid onto a substrate; A liquid film forming step of forming a solidified liquid film on a substrate by volatilizing a solvent from the treatment liquid; A liquid film peeling step of supplying a peeling liquid onto a rotating substrate to peel the liquid film solidified on the substrate together with particles on the substrate; The liquid film removal step of removing the liquid film from the substrate by supplying the removal liquid to the rotating substrate may be included.

일 실시예에 의하면, 처리액은 처리액을 토출하는 노즐 내부에서 미스트화될 수 있다. According to an embodiment, the treatment liquid may be misted inside a nozzle for discharging the treatment liquid.

일 실시예에 의하면, 처리액에 가스를 분사하여 처리액을 미스트화시킬 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid may be misted by injecting gas to the treatment liquid.

일 실시예에 의하면, 가스는 가열된 상태로 분사될 수 있다.According to an embodiment, the gas may be injected in a heated state.

일 실시예에 의하면, 가스의 온도는 섭씨 50도에서 섭씨 150도일 수 있다.According to an embodiment, the temperature of the gas may be from 50 degrees Celsius to 150 degrees Celsius.

일 실시예에 의하면, 처리액의 공급 시기와 박리액의 공급 시기는 일부 중첩될 수 있다.According to an embodiment, the supply time of the treatment liquid and the supply time of the stripping liquid may partially overlap.

일 실시예에 의하면, 처리액 토출 단계에서, 처리액이 토출되는 동안 기판은 회전되는 상태로 제공될 수 있다.According to an embodiment, in the process liquid discharging step, the substrate may be provided in a rotating state while the treatment liquid is discharged.

일 실시예에 의하면, 처리액 토출 단계에서, 기판은 회전되고, 처리액이 기판에 토출되는 동안에 기판에 처리액의 탄착 지점은 기판의 중앙영역에서 기판의 가장자리 영역 간에 변경될 수 있다.According to an embodiment, in the process liquid discharging step, the substrate is rotated, and while the treatment liquid is discharged to the substrate, a point of contact of the treatment liquid on the substrate may be changed between the edge regions of the substrate in the central region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 처리액 토출 단계에서 처리액이 토출되는 동안 기판은 정지된 상태로 제공될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the substrate may be provided in a stopped state while the processing liquid is discharged in the processing liquid discharging step.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계는, 기판의 회전에 의해 기판 상의 처리액에서 솔벤트를 휘발시킬 수 있다.According to an embodiment, in the forming of the liquid film, the solvent may be volatilized from the processing liquid on the substrate by rotation of the substrate.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계는, 솔벤트의 휘발을 촉진시키도록 기판을 가열할 수 있다.According to an embodiment, in the forming of the liquid film, the substrate may be heated to promote volatilization of solvent.

일 실시예에 의하면, 처리액과 가스는 이류체 노즐에 의해 분사될 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid and gas may be injected by a two-fluid nozzle.

일 실시예에 의하면, 가스는 질소일 수 있다.According to one embodiment, the gas may be nitrogen.

일 실시예에 의하면, 제거액은 유기용제를 포함하고, 박리액은 탈이온수를 포함하고, 폴리머는 수지를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the removal liquid may contain an organic solvent, the removal liquid may contain deionized water, and the polymer may contain a resin.

일 실시예에 의하면, 미스트는 수 나노 내지 수십 마이크로 크기일 수 있다.According to an embodiment, the mist may have a size of several nanometers to several tens of microns.

또한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 기판 상에 공급하여 액막을 형성하고, 처리액에서 솔벤트를 휘발시킨 후 액막을 기판 상에서 고화시키고, 박리액을 기판 상에 공급하여 파티클과 함께 고화된 액막을 제거하되, 처리액은 미스트 상태로 기판으로 토출될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, in the substrate treatment method, a liquid film is formed by supplying a treatment liquid containing a polymer and a solvent on a substrate, and after volatilizing the solvent from the treatment liquid, the liquid film is solidified on the substrate and peeled off. The liquid is supplied on the substrate to remove the liquid film solidified together with the particles, but the processing liquid may be discharged to the substrate in a mist state.

일 실시예에 의하면, 처리액은 처리액을 토출하는 노즐 내부에서 미스트화될 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid may be misted inside a nozzle for discharging the treatment liquid.

일 실시예에 의하면, 처리액에 가스를 분사하고, 가스에 의해 처리액은 미스트화될 수 있다.According to an embodiment, gas is injected into the treatment liquid, and the treatment liquid may be misted by the gas.

일 실시예에 의하면, 가스는 가열된 상태로 분사될 수 있다.According to an embodiment, the gas may be injected in a heated state.

일 실시예에 의하면, 처리액의 공급 시기와 박리액의 공급 시기는 일부 중첩될 수 있다.According to an embodiment, the supply time of the treatment liquid and the supply time of the stripping liquid may partially overlap.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버와; 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 액 공급 유닛은, 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 가지는 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과; 지지 유닛에 지지된 기판으로 박리액을 공급하는 박리액 공급 노즐과; 지지 유닛에 지지된 기판으로 제거액을 공급하는 제거액 공급 노즐을 포함하되, 처리액 공급 노즐은 처리액을 미스트 상태로 토출 가능하도록 제공될 수 있다.Further, the present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment, a substrate processing apparatus includes: a chamber having a processing space; A support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space; A liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the support unit; A controller for controlling the liquid supply unit, wherein the liquid supply unit comprises: a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid having a polymer and a solvent onto a substrate supported by the support unit; A stripping solution supply nozzle for supplying a stripping solution to the substrate supported by the support unit; And a removal liquid supply nozzle for supplying a removal liquid to the substrate supported by the support unit, and the treatment liquid supply nozzle may be provided to discharge the treatment liquid in a mist state.

일 실시예에 의하면, 처리액 공급 노즐은 처리액에 가스를 토출하여 가스에 의해 처리액을 미스트화하도록 구성될 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid supply nozzle may be configured to discharge gas to the treatment liquid to make the treatment liquid mist by the gas.

일 실시예에 의하면, 처리액 공급 노즐은, 내부 공간을 가지는 바디와; 내부 공간으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 포트와; 내부 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 포트를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid supply nozzle includes: a body having an inner space; A processing liquid supply port for supplying a processing liquid to the inner space; It may include a gas supply port for supplying gas to the inner space.

일 실시예에 의하면, 처리액 공급 노즐은, 처리액 공급 포트로 공급되는 처리액을 가열하는 가열 부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid supply nozzle may further include a heating member that heats the treatment liquid supplied to the treatment liquid supply port.

일 실시예에 의하면, 제어기는, 미스트화된 처리액이 처리액 공급 노즐로부터 토출 후 기판에 도달하기 전에 처리액에서 솔벤트의 휘발량이 기설정된 량이 되도록 가열 부재를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the heating member such that the amount of volatilization of the solvent in the treatment liquid is a predetermined amount before the misted treatment liquid reaches the substrate after being discharged from the treatment liquid supply nozzle.

일 실시예에 의하면, 제어기는 박리액이 처리액의 토출이 끝나기 전에 기판 상으로 공급되도록 박리액 공급 노즐을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the stripping solution supply nozzle so that the stripping solution is supplied onto the substrate before the discharge of the processing solution is finished.

일 실시예에 의하면, 처리액 공급 노즐은, 기판의 중심과 대향되되, 처리액 공급 노즐에서 토출되는 미스트 상태의 처리액이 기판의 가장자리 영역까지 도달하도록 위치될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the processing liquid supply nozzle may face the center of the substrate, and may be positioned so that the processing liquid in a mist state discharged from the processing liquid supply nozzle reaches the edge region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 가스는 질소일 수 있다.According to one embodiment, the gas may be nitrogen.

일 실시예에 의하면, 박리액은 탈이온수를 포함하고, 제거액은 유기용제를 포함하고, 폴리머는 수지를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the removing solution may contain deionized water, the removing solution may contain an organic solvent, and the polymer may contain a resin.

본 발명에 의하면, 기판 상의 미세 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다.According to the present invention, fine particles on a substrate can be efficiently removed.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 상으로 처리액이 공급되는 도중에 처리액에 함유된 솔벤트의 일부를 휘발시키므로 기판 상에 공급된 처리액에서 솔벤트의 휘발에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.In addition, according to the present invention, since a part of the solvent contained in the processing liquid is volatilized while the processing liquid is supplied onto the substrate, the time required for volatilization of the solvent from the processing liquid supplied on the substrate can be reduced.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 상에 공급되기 전에 처리액에 함유된 솔벤트의 휘발량을 조절할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to adjust the volatilization amount of the solvent contained in the processing liquid before being supplied onto the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 노즐의 모습을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 기판 처리 방법의 순서도를 나타낸다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 상의 파티클을 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리액 공급 노즐의 모습을 나타낸다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따라 처리액 공급 노즐이 기판에 처리액을 공급하는 모습을 나타낸다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따라 처리액과 박리액이 중첩되어 기판에 공급되는 모습을 나타낸다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1.
3 is a view of a treatment liquid supply nozzle according to an embodiment of the present invention.
4 shows a flow chart of the substrate processing method of the present invention.
5 to 9 are views sequentially showing a process of removing particles on a substrate according to an embodiment of the present invention.
10 is a view of a treatment liquid supply nozzle according to another embodiment of the present invention.
11 shows a state in which a treatment liquid supply nozzle supplies a treatment liquid to a substrate according to another embodiment of the present invention.
12 shows a state in which a treatment liquid and a stripper are superimposed and supplied to a substrate according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes an index module 10 and a processing module 20. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 92, and the direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as the second direction 94. In addition, a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the housed container 80 to the processing module 20, and stores the substrate W processed by the processing module 20 into the container 80. The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14. The load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 based on the index frame 14. The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and a plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, a container for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 80 may be placed on the load port 12 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 is provided on the index frame 14. In the index frame 14, a guide rail 140 provided in the second direction 94 in a longitudinal direction may be provided, and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and the third direction 96. It may be provided to be movable along the way. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer chamber 300, and a liquid processing chamber 400. The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W carried into the processing module 20 and the substrate W carried out from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 performs a liquid treatment process of liquid-processing the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400.

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transfer chamber 300 may be provided in the first direction 92 in its longitudinal direction. The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 may be disposed on the side of the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94. The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. According to an example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300, and the liquid processing chambers 400 are disposed in the first direction 92 and the third direction 96 at one side of the transfer chamber 300. ) Can be provided in an AXB (A, B are each 1 or a natural number greater than 1) arrangement, respectively.

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320. A guide rail 340 provided in the first direction 92 in a longitudinal direction is provided in the transfer chamber 300, and the transfer robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which a substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, a rotation about a third direction 96 as an axis, and a third direction 96. It may be provided to be movable along the way. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has a front face and a rear face open. The front surface is a surface facing the index module 10, and the rear surface is a surface facing the transfer chamber 300. The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front surface, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear surface.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the liquid processing chamber 400 includes a housing 410, a cup 420, a support unit 440, a liquid supply unit 460, and an elevating unit 480.

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.The housing 410 is provided in a substantially rectangular parallelepiped shape. The cup 420, the support unit 440, and the liquid supply unit 460 are disposed in the housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-treated in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported by the support unit 440. The liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery bins 422, 424, 426. Each of the recovery bins 422, 424, and 426 has a recovery space for recovering the liquid used for processing the substrate. Each of the recovery bins 422, 424, 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440. When the liquid treatment process proceeds, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, 426a of the respective recovery containers 422, 424, 426.

일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a first collection bottle 422, a second collection bottle 424, and a third collection bottle 426. The first collection bottle 422 is arranged to surround the support unit 440, the second collection bottle 424 is arranged to surround the first collection bottle 422, and the third collection bottle 426 is a second It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a through which the liquid flows into the second retrieval canister 424 is located above the first inlet 422a through which the liquid flows into the first retrieval canister 422, and the third retrieval canister 426 The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The upper surface of the support plate 442 is generally provided in a circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear surface of the substrate W, and the support pin 442a has an upper end thereof so that the substrate W is spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442).

지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.A chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442, and supports the side portion of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The drive shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420. Accordingly, since the collection containers 422, 424, and 426 for recovering the treatment liquid are changed according to the type of liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separated and recovered. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은, 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)을 포함한다. 액 공급 유닛(460)은 제어기(40)에 의해 제어된다. 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)은 각각 상이한 아암(461)에 의해 지지되고, 각각의 아암(461)은 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 선택적으로, 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)은 동일한 아암(461)에 의해 지지될 수 있다.According to an example, the liquid supply unit 460 includes a treatment liquid supply nozzle 463, a stripping liquid supply nozzle 462, and a removal liquid supply nozzle 464. The liquid supply unit 460 is controlled by the controller 40. The treatment liquid supply nozzle 463, the stripping liquid supply nozzle 462, and the removal liquid supply nozzle 464 are each supported by a different arm 461, and each arm 461 can be controlled independently of each other. Optionally, the treatment liquid supply nozzle 463, the stripping liquid supply nozzle 462, and the removal liquid supply nozzle 464 may be supported by the same arm 461.

처리액 공급 노즐(463)은 지지 유닛에 지지된 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 노즐(463)은 기판(W) 상으로 처리액을 미스트 상태로 토출할 수 있다. 선택적으로 처리액 공급 노즐(463)은 그 토출구들이 복수의 미공으로 제공되고, 고압으로 처리액을 유동시켜 처리액을 미스트 상태로 토출할 수 있다.The processing liquid supply nozzle 463 supplies the processing liquid onto the substrate W supported by the support unit. The processing liquid supply nozzle 463 may discharge the processing liquid onto the substrate W in a mist state. Optionally, the treatment liquid supply nozzle 463 may have its discharge ports provided in a plurality of micropores, and may discharge the treatment liquid in a mist state by flowing the treatment liquid at high pressure.

처리액은, 폴리머와 솔벤트를 포함한다. 일 예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함한다. 수지는 아크릴 수지 또는 페놀 수지이거나, 이와는 다른 종류의 수지일 수 있다. 솔벤트는 폴리머를 용해시키며 휘발 성분을 가지는 용액이다. 기판(W) 상에 공급된 처리액에서 솔벤트가 휘발되면, 처리액은 기판(W) 상에서 고화(solidification)된다. 처리액 공급 노즐(463)은, 기판(W) 상으로 처리액을 미스트 상태로 토출 가능하도록 제공된다. 처리액 공급 노즐(463)은 기판(W)의 중심과 대향되게 배치될 수 있다. 처리액 공급 노즐(463)은, 이로부터 토출되는 미스트 상태의 처리액이 기판(W)의 전체 영역에서 동시에 토출되도록 위치될 수 있다.The treatment liquid contains a polymer and a solvent. In one example, the polymer comprises a resin. The resin may be an acrylic resin or a phenolic resin, or may be a different type of resin. Solvents are solutions that dissolve polymers and have volatile components. When the solvent is volatilized from the processing liquid supplied on the substrate W, the processing liquid is solidified on the substrate W. The processing liquid supply nozzle 463 is provided so that the processing liquid can be discharged onto the substrate W in a mist state. The processing liquid supply nozzle 463 may be disposed to face the center of the substrate W. The processing liquid supply nozzle 463 may be positioned so that the processing liquid in a mist state discharged therefrom is simultaneously discharged from the entire area of the substrate W.

일 예에 의하면, 처리액 공급 노즐(463)은 이류체 노즐로 제공된다. 처리액 공급 노즐(463)은 처리액에 가스를 토출하여 가스에 의해 처리액을 미스트화시키도록 구성된다. 일 예에 의하면, 처리액은 처리액을 토출하는 노즐 내부에서 미스트화된다.According to an example, the treatment liquid supply nozzle 463 is provided as a two-fluid nozzle. The processing liquid supply nozzle 463 is configured to discharge gas to the processing liquid to make the processing liquid mist. According to an example, the treatment liquid is misted inside a nozzle that discharges the treatment liquid.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 노즐(463)을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 처리액 공급 노즐(463)은 바디(4636), 처리액 공급 포트(4632) 그리고 가스 공급 포트(4634)를 가질 수 있다.3 is a schematic cross-sectional view of a treatment liquid supply nozzle 463 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the treatment liquid supply nozzle 463 may have a body 4636, a treatment liquid supply port 4632, and a gas supply port 4834.

바디(4636)는, 내부 공간(4639)을 가진다. 처리액 공급 포트(4632)에는 처리액 공급 라인(4631)이 연결된다. 처리액은 처리액 공급 라인(4631)을 통해 내부 공간(4639)으로 공급된다. 처리액 공급 라인(4631)에는 처리액 조절 밸브(4633)이 설치되어 처리액의 공급을 조절한다. 가스 공급 포트(4634)에는 가스 공급 라인(4635)이 연결된다. 가스는 가스 공급 라인(4635)을 통해 내부 공간(4639)으로 공급된다. 가스 공급 라인(4635)에는 가스 조절 밸브(4637)이 설치되어 처리액의 공급을 조절한다. The body 4636 has an inner space 4639. A processing liquid supply line 4631 is connected to the processing liquid supply port 4632. The processing liquid is supplied to the inner space 4639 through the processing liquid supply line 4631. A treatment liquid control valve 4663 is installed in the treatment liquid supply line 4631 to control the supply of the treatment liquid. A gas supply line 4635 is connected to the gas supply port 4632. The gas is supplied to the inner space 4639 through a gas supply line 4639. A gas control valve 4638 is installed in the gas supply line 4639 to control the supply of the processing liquid.

내부 공간(4639)으로 공급된 처리액은 가스에 의해 미스트화되고, 미스트 상태의 처리액은 가스와 함께 토출구(465)를 통해 처리액 공급 노즐(463)로부터 토출된다.The processing liquid supplied to the internal space 4639 is misted by gas, and the processing liquid in a mist state is discharged from the processing liquid supply nozzle 463 through the discharge port 465 together with the gas.

일 예에 의하면, 가스 공급 라인(4635)에는 가열 부재(466)가 설치되고, 가스는 가열된 상태로 내부 공간(4639)으로 공급될 수 있다. 일 예에 의하면, 가스의 온도는 섭씨 50도에서 섭씨 150도이다.According to an example, a heating member 466 is installed in the gas supply line 4639, and gas may be supplied to the inner space 4639 in a heated state. In one example, the temperature of the gas is between 50 degrees Celsius and 150 degrees Celsius.

가열된 가스는 미스트화된 처리액이 기판 상으로 공급되는 도중에 처리액에서 솔벤트의 휘발을 촉진한다. 제어기(40)는 처리액 공급 노즐(463)에 공급되는 가스의 공급 온도를 조절하기 위해 가열 부재(466)를 제어할 수 있다. 가스의 공급 온도를 제어함으로써 처리액이 처리액 공급 노즐(463)로부터 토출된 후 기판(W)에 도달하기 전에 처리액에서 휘발되는 솔벤트의 양을 제어할 수 있다. 예컨대, 처리액이 기판(W)에 도달하기 전에 솔벤트의 휘발량을 증가시키기 위해 가스의 가열 온도를 높일 수 있다. 선택적으로 처리액이 기판(W)에 도달하기 전에 솔벤트의 휘발량을 감소시키기 위해 가스의 가열 온도를 낮출 수 있다. 일 예에 의하면 가스는 불활성 가스일 수 있다. 예컨대, 가스는 질소이다.The heated gas promotes the volatilization of the solvent in the treatment liquid while the misted treatment liquid is supplied onto the substrate. The controller 40 may control the heating member 466 to adjust the supply temperature of the gas supplied to the processing liquid supply nozzle 463. By controlling the gas supply temperature, it is possible to control the amount of solvent volatilized in the processing liquid before reaching the substrate W after the processing liquid is discharged from the processing liquid supply nozzle 463. For example, before the processing liquid reaches the substrate W, the heating temperature of the gas may be increased in order to increase the volatilization amount of the solvent. Optionally, before the processing liquid reaches the substrate W, the heating temperature of the gas may be lowered in order to reduce the volatilization amount of the solvent. According to an example, the gas may be an inert gas. For example, the gas is nitrogen.

박리액 공급 노즐(462)은 기판(W)상으로 박리액을 공급한다. 박리액은 기판 (W)상에서 응고된 처리액을 기판(W)으로부터 박리시킨다. 일 예에 의하면, 박리액은 탈이온수를 포함한다. The stripping solution supply nozzle 462 supplies the stripping solution onto the substrate W. The peeling liquid peels the processing liquid solidified on the substrate W from the substrate W. According to one example, the stripping solution includes deionized water.

제거액 공급 노즐(464)은 기판(W) 상으로 제거액을 토출한다. 제거액은 기판(W) 상에서 박리된 처리액을 기판(W)으로부터 제거한다. 일 예에 의하면, 제거액은 유기용제를 포함한다. 유기용제로는 이소프로필 알코올이 사용될 수 있다.The removal liquid supply nozzle 464 discharges the removal liquid onto the substrate W. The removal liquid removes the processing liquid peeled off on the substrate W from the substrate W. According to one example, the removal liquid contains an organic solvent. Isopropyl alcohol may be used as the organic solvent.

도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 예를 보여주는 순서도이고, 도 5 내지 도 9는 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462), 그리고 제거액 공급 노즐(464)을 이용하여 기판을 처리하는 과정과, 기판의 상태를 보여주는 도면들이다.4 is a flow chart showing an example of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG. 2, and FIGS. 5 to 9 are a treatment liquid supply nozzle 463, a stripping liquid supply nozzle 462, and a removal liquid supply These are diagrams showing a process of processing a substrate using the nozzle 464 and a state of the substrate.

도 4 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은 처리액 토출 단계(S100), 액막 형성 단계(S200), 액막 박리 단계(S300) 그리고 액막 제거 단계(S400)를 포함한다.4 to 9, the substrate processing method of the present invention includes a processing liquid discharge step (S100), a liquid film forming step (S200), a liquid film peeling step (S300), and a liquid film removing step (S400).

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 노즐(463)에서 기판(W) 상으로 처리액이 공급되는 상태를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 처리액 토출 단계(S100)는, 처리액 공급 노즐(463)은 처리액을 미스트 상태로 기판(W)에 토출한다. 처리액 공급 노즐(463)은 기판(W)의 중심과 대향되되, 처리액 공급 노즐(463)에서 토출되는 미스트 상태의 처리액이 기판(W)의 전체 영역으로 직접 공급되도록 하는 높이에 배치된다. FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a state in which a treatment liquid is supplied onto the substrate W from the treatment liquid supply nozzle 463 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, in the processing liquid discharge step S100, the processing liquid supply nozzle 463 discharges the processing liquid onto the substrate W in a mist state. The processing liquid supply nozzle 463 faces the center of the substrate W, and is disposed at a height such that the processing liquid in a mist state discharged from the processing liquid supply nozzle 463 is directly supplied to the entire area of the substrate W. .

처리액 토출 단계(S100)에서, 처리액을 미스트화하기 위해 제공되는 가스는 가열되어 처리액 공급 노즐(463)로 유입될 수 있다. 제어기(40)는 미스트화된 처리액이 처리액 공급 노즐(463)로부터 토출 후 기판(W)에 도달하기 전에 처리액에서 솔벤트의 휘발량이 기설정된 량이 되도록 가열 부재를 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 솔벤트의 휘발량은 전체 솔벤트 중 70% 내지 80%로 설정할 수 있다.In the treatment liquid discharging step S100, the gas provided to mist the treatment liquid may be heated and introduced into the treatment liquid supply nozzle 463. The controller 40 may control the heating member such that the amount of volatilization of the solvent in the treatment liquid is a predetermined amount before the misted treatment liquid reaches the substrate W after being discharged from the treatment liquid supply nozzle 463. In one embodiment, the volatilization amount of the solvent may be set to 70% to 80% of the total solvent.

도 6을 참조하면, 처리액 토출 단계(S100)에서 패턴이 형성된 기판(W)에 처리액(F)이 도포된다. 기판(W)으로 처리액(F)이 공급됨에 따라 기판(W) 상에서 처리액(F)은 패턴들 사이 및 패턴의 상면에 위치된 파티클(P)을 덮는다.Referring to FIG. 6, the processing liquid F is applied to the substrate W on which the pattern is formed in the processing liquid discharging step S100. As the processing liquid F is supplied to the substrate W, the processing liquid F on the substrate W covers the particles P located between the patterns and on the upper surface of the pattern.

도 7을 참조하면, 액막 형성 단계(S200)는 기판(W) 상에 도포된 처리액(F)에서 솔벤트를 휘발시켜 기판(W) 상에 고화된 처리액의 액막(S)을 형성한다. 처리액에서 솔벤트가 휘발함에 따라 체적 수축을 일으키며, 처리액은 고화(solidification)된다. 처리액이 체적 수축함에 따라 패턴 내의 파티클 및 패턴 상면의 파티클은 처리액의 액막 내에 포획된다.Referring to FIG. 7, in the liquid film forming step S200, a liquid film S of the solidified treatment liquid is formed on the substrate W by volatilizing a solvent from the treatment liquid F applied on the substrate W. As the solvent volatilizes in the treatment liquid, volume contraction is caused, and the treatment liquid is solidified. As the volume of the treatment liquid shrinks, particles in the pattern and particles on the upper surface of the pattern are trapped in the liquid film of the treatment liquid.

액막 형성 단계(S200)에서 솔벤트의 휘발은 기판(W)이 정지된 상태에서 설정시간 경과됨에 따라 이루어질 수 있다. 선택적으로 솔벤트의 휘발을 촉진시키기 위해 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 선택적으로 솔벤트의 휘발을 촉진시키기 위해 기판(W)을 가열할 수 있다. 기판(W)의 가열은 가열된 액체, 가열된 기체, 램프와 같은 광원이나, 열선과 같은 히터를 이용해서 이루어질 수 있다.In the liquid film forming step S200, the solvent may be volatilized as the set time elapses while the substrate W is stopped. Optionally, the substrate W may be rotated to promote volatilization of the solvent. Optionally, the substrate W may be heated to promote volatilization of the solvent. The substrate W may be heated using a light source such as a heated liquid, a heated gas, or a lamp, or a heater such as a hot wire.

상술한 바와 같이 처리액 토출 단계(S100)에서 처리액이 미스트화된 상태로 기판(W)으로 공급되면, 기판(W)으로 공급되는 도중에 처리액이 공기 중에 노출되는 면적이 커지고, 따라서 처리액이 물줄기 형태로 기판(W)으로 공급되는 경우에 비해 처리액이 기판(W)에 도달하기 전에 처리액 내의 솔벤트가 더 많이 휘발된다. 이로 인해 액막 형성 단계(S200)에서 소요되는 시간을 줄일 수 있다. 또한, 대기 중에서 솔벤트의 휘발이 일어남에 따라 기판(W) 상에서 솔벤트의 휘발에 의한 처리액의 체적 변화는 감소된다. 이로 인해, 처리액의 고화시 처리액의 체적 감소로 인한 패턴의 손상을 방지할 수 있다. As described above, when the treatment liquid is supplied to the substrate W in a misted state in the treatment liquid discharge step S100, the area exposed to the air while the treatment liquid is supplied to the substrate W increases, and thus the treatment liquid Compared to the case where the water stream is supplied to the substrate W, the solvent in the treatment liquid is more volatilized before the treatment liquid reaches the substrate W. Accordingly, it is possible to reduce the time required in the liquid film forming step S200. In addition, as the solvent volatilizes in the atmosphere, the volume change of the treatment liquid due to the volatilization of the solvent on the substrate W is reduced. Accordingly, it is possible to prevent damage to the pattern due to a decrease in the volume of the treatment liquid when the treatment liquid is solidified.

또한, 처리액 토출 단계(S100)에서 가열된 가스를 이용하여 처리액을 미스트화하는 경우, 처리액이 기판(W)에 도달하기 전에 휘발되는 솔벤트의 량을 제어할 수 있다. 예컨대, 처리액이 기판(W)에 도달하기 전에 많은 량의 솔벤트가 휘발되는 경우, 처리액이 기판(W)에 공급됨과 동시에 또는 처리액이 기판(W)에 공급된 직후에 액막 형성 단계(S200)가 완료될 수 있다.In addition, when the treatment liquid is misted using the gas heated in the treatment liquid discharge step S100, the amount of solvent volatilized before the treatment liquid reaches the substrate W may be controlled. For example, if a large amount of solvent is volatilized before the processing liquid reaches the substrate W, the liquid film forming step ( S200) can be completed.

액막 형성 단계(S200)이 완료되면, 도 8과 같이 액막 박리 단계(S300)가 수행된다. 도 8을 참조하면, 액막 박리 단계(S300)는, 회전하는 기판(W) 상으로 박리액을 공급하여 기판(W) 상에서 고화된 액막(S)을 기판(W) 상의 파티클(P)과 함께 박리시킨다. 일 예에 의하면, 박리액은 고화된 처리액의 액막에 침투하여 처리액의 액막과 기판(W) 사이의 경계면에 들어감으로써 처리액의 액막을 기판(W) 상에서 박리시킬 수 있다. 이 때 처리액의 액막에 포획된 파티클도 처리액의 액막과 함께 박리된다. When the liquid film forming step S200 is completed, the liquid film peeling step S300 is performed as shown in FIG. 8. Referring to FIG. 8, in the liquid film peeling step (S300), the liquid film S solidified on the substrate W by supplying the peeling liquid onto the rotating substrate W is provided with the particles P on the substrate W. Peel off. According to an example, the peeling liquid may penetrate the liquid film of the solidified treatment liquid and enter the interface between the liquid film of the treatment liquid and the substrate W, thereby removing the liquid film of the treatment liquid on the substrate W. At this time, particles trapped in the liquid film of the treatment liquid are also peeled off together with the liquid film of the treatment liquid.

액막 박리 단계(S300)가 완료되면, 도 9와 같이 액막 제거 단계(S400)가 수행된다. 도 9를 참조하면, 액막 제거 단계(S400)에서, 제거액 공급 노즐(464)이 회전하는 기판(W)으로 제거액을 공급한다. 제거액은 기판(W) 상에서 박리된 처리액의 액막의 잔여물을 기판(W)으로부터 제거한다. When the liquid film peeling step (S300) is completed, the liquid film removing step (S400) is performed as shown in FIG. 9. Referring to FIG. 9, in the liquid film removal step (S400 ), the removal liquid supply nozzle 464 supplies the removal liquid to the rotating substrate W. The removal liquid removes the residue of the liquid film of the processing liquid peeled off on the substrate W from the substrate W.

상술한 예에서는, 처리액 토출 단계(S100)에서, 처리액이 토출되는 동안 기판은 회전되는 상태로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 처리액이 토출되는 동안 기판은 정지된 상태로 제공될 수 있다.In the above-described example, in the processing liquid discharging step S100, it has been described that the substrate is provided in a rotating state while the processing liquid is discharged. However, alternatively, the substrate may be provided in a stationary state while the processing liquid is discharged.

이상, 처리액 공급 노즐(463)은 바디(4636)의 내부 공간(4639)에서 처리액이 가스에 의해 미스트화된 후 기판 상으로 공급되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 10에 도시된 바와 같이, 처리액 공급 노즐(463a)은 처리액을 공급하는 처리액 공급 포트(4632a)와 가스를 공급하는 가스 공급 포트(4634a)를 각각 구비하고, 처리액 공급 노즐(463a)의 끝단 근처에서 가스를 처리액으로 분사하여 처리액을 미스트화 할 수 있다.In the above, it has been described that the processing liquid supply nozzle 463 is supplied onto the substrate after the processing liquid is misted by gas in the inner space 4639 of the body 4636. However, unlike this, as shown in FIG. 10, the treatment liquid supply nozzle 463a includes a treatment liquid supply port 4632a for supplying the treatment liquid and a gas supply port 4632a for supplying gas, respectively, and the treatment liquid The processing liquid can be misted by injecting gas into the processing liquid near the end of the supply nozzle 463a.

또한, 상술한 예에서는, 처리액 토출 단계(S100)에서, 처리액이 토출되는 동안 기판은 회전되고, 처리액 공급 노즐(463)은 기판의 중앙 영역에 대향되는 지점에서 기판의 전 영역으로 처리액을 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 도 11에 도시된 바와 같이, 처리액 공급 노즐(463)은 회전되는 기판(W) 상의 일정 영역에 미스트 상태의 처리액을 공급하도록 제공될 수 있다, 이 경우, 처리액 공급 노즐(463)은 기판(W)의 반경 방향을 따라 직선 또는 스윙 이동되어, 기판(W)의 중앙 영역과 기판(W)의 가장자리 영역 간에 처리액의 탄착 지점이 변경시킬 수 있다.In addition, in the above-described example, in the treatment liquid discharge step (S100), the substrate is rotated while the treatment liquid is discharged, and the treatment liquid supply nozzle 463 is processed to the entire area of the substrate at a point opposite to the central region of the substrate. It was described as supplying liquid. However, alternatively, as shown in FIG. 11, the treatment liquid supply nozzle 463 may be provided to supply the treatment liquid in a mist state to a predetermined area on the rotating substrate W. In this case, the treatment liquid supply The nozzle 463 may move linearly or swing along the radial direction of the substrate W, so that the impact point of the processing liquid may be changed between the central region of the substrate W and the edge region of the substrate W.

또한, 상술한 예에서는 기판 상에 처리액 토출이 완료된 후에 박리액이 공급되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 12와 같이 처리액 토출과 박리액의 공급은 일부 중첩될 수 있다. 예컨대, 도 11의 실시예에서 처리액이 미스트 상태로 기판(W) 상으로 먼저 공급되고, 처리액의 공급이 완료되기 전에 박리액의 공급을 시작할 수 있다. 예컨대, 처리액과 박리액의 공급이 중첩되는 시간은 약 1초이거나 1초 이하일 수 있다. In addition, in the above-described example, it has been described that the stripping solution is supplied after discharge of the processing solution is completed on the substrate. However, unlike this, as shown in FIG. 12, the discharge of the treatment liquid and the supply of the stripping liquid may partially overlap. For example, in the embodiment of FIG. 11, the treatment liquid is first supplied onto the substrate W in a mist state, and the supply of the stripping liquid may be started before the supply of the treatment liquid is completed. For example, the time during which the supply of the treatment liquid and the stripping liquid overlap may be about 1 second or less than 1 second.

또한, 상술한 예에서는 액막 제거 단계(S400)는 액막 박리 단계(S300)가 완료된 이후에 수행되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 액막 제거 단계(S400)는 액막 박리 단계(S300)와 일정 기간 중첩될 수 있다.In addition, in the above-described example, it has been described that the liquid film removal step (S400) is performed after the liquid film peeling step (S300) is completed. However, unlike this, the liquid film removing step S400 may overlap with the liquid film peeling step S300 for a certain period of time.

본 발명에 따르면, 처리액 공급 노즐(463) 내부에서 미스트화된 처리액은, 처리액 공급 노즐(463)로부터 분사되는 동시에 대기중에서 솔벤트의 휘발이 일어난다. 일 예에 의하면, 미스트는 수 나노 내지 수십 마이크로 크기이다.According to the present invention, the treatment liquid misted inside the treatment liquid supply nozzle 463 is sprayed from the treatment liquid supply nozzle 463 and volatilizes the solvent in the atmosphere. According to one example, the mist is several nanometers to tens of microns in size.

또한, 본 발명에 따르면, 박리액을 처리액과 중첩하여 공급함에 따라, 박리액이 공급되기 전 기판의 회전에 의한 처리액의 휘발을 방지할 수 있는 이점이 있다.Further, according to the present invention, there is an advantage of preventing the volatilization of the treatment liquid due to rotation of the substrate before the release liquid is supplied, as the removal liquid is supplied by overlapping with the treatment liquid.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments are to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

440: 지지 유닛
460: 액 공급 유닛
462: 박리액 공급 노줄
463: 처리액 공급 노즐
464: 제거액 공급 노즐440: support unit
460: liquid supply unit
462: stripper supply nozzle
463: treatment liquid supply nozzle
464: removal liquid supply nozzle

Claims (29)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 미스트화하여 기판에 토출하는 처리액 토출 단계와;
상기 처리액에서 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
회전하는 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
회전하는 상기 기판으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
A treatment liquid discharging step of discharging a treatment liquid containing a polymer and a solvent to a substrate by misting;
A liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent from the treatment liquid;
A liquid film peeling step of supplying a peeling liquid onto the rotating substrate to peel the liquid film solidified on the substrate together with particles on the substrate;
And removing the liquid film from the substrate by supplying a removal liquid to the rotating substrate. 제1항에 있어서,
상기 처리액은 상기 처리액을 토출하는 노즐 내부에서 미스트화 되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The substrate processing method wherein the processing liquid becomes mist inside a nozzle for discharging the processing liquid. 제1항에 있어서,
상기 처리액에 가스를 분사하여 상기 처리액을 미스트화시키는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
A substrate processing method in which a gas is injected into the processing liquid to make the processing liquid mist. 제3항에 있어서,
상기 가스는 가열된 상태로 분사되는 기판 처리 방법.The method of claim 3,
The substrate processing method in which the gas is injected in a heated state. 제4항에 있어서,
상기 가스의 온도는 섭씨 50도에서 섭씨 150도인 기판 처리 방법.The method of claim 4,
The temperature of the gas is 50 degrees Celsius to 150 degrees Celsius. 제1항에 있어서,
상기 처리액의 공급 시기와 상기 박리액의 공급 시기는 일부 중첩되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
A substrate processing method in which the supply timing of the processing liquid and the supply timing of the stripping liquid partially overlap. 제1항에 있어서,
상기 처리액 토출 단계에서,
상기 처리액이 토출되는 동안 상기 기판은 회전되는 상태로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
In the treatment liquid discharging step,
A substrate processing method in which the substrate is provided in a rotating state while the processing liquid is discharged. 제1항에 있어서,
상기 처리액 토출 단계에서,
상기 기판은 회전되고, 상기 처리액이 상기 기판에 토출되는 동안에 상기 기판에 상기 처리액의 탄착 지점은 상기 기판의 중앙영역에서 상기 기판의 가장자리 영역 간에 변경되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
In the treatment liquid discharging step,
The substrate processing method wherein the substrate is rotated, and while the processing liquid is discharged to the substrate, a point of impact of the processing liquid on the substrate is changed between an edge region of the substrate in a central region of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 처리액 토출 단계에서.
상기 처리액이 토출되는 동안 상기 기판은 정지된 상태로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
In the treatment liquid discharging step.
The substrate processing method in which the substrate is provided in a stationary state while the processing liquid is discharged. 제1항에 있어서,
상기 액막 형성 단계는,
상기 기판의 회전에 의해 상기 기판 상의 처리액에서 상기 솔벤트를 휘발시키는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The liquid film forming step,
A substrate processing method in which the solvent is volatilized from a processing liquid on the substrate by rotation of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 액막 형성 단계는,
상기 솔벤트의 휘발을 촉진시키도록 상기 기판을 가열하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The liquid film forming step,
A substrate processing method for heating the substrate to promote volatilization of the solvent. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액과 상기 가스는 이류체 노즐에 의해 분사되는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 3 to 5,
The substrate processing method in which the processing liquid and the gas are sprayed by a two-fluid nozzle. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스는 질소인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 3 to 5,
The substrate processing method of the gas is nitrogen. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제거액은 유기용제를 포함하고,
상기 박리액은 탈이온수를 포함하고,
상기 폴리머는 수지를 포함하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 11,
The removal liquid contains an organic solvent,
The stripper contains deionized water,
The polymer is a substrate processing method containing a resin. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미스트는 수 나노 내지 수십 마이크로 크기인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 11,
The mist is a substrate treatment method having a size of several nano to tens of microns. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 기판 상에 공급하여 액막을 형성하고, 상기 처리액에서 상기 솔벤트를 휘발시킨 후 상기 액막을 상기 기판 상에서 고화시키고, 박리액을 상기 기판 상에 공급하여 파티클과 함께 고화된 상기 액막을 제거하되,
상기 처리액은 미스트 상태로 상기 기판으로 토출되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
A liquid film is formed by supplying a treatment liquid containing a polymer and a solvent onto a substrate, and after volatilizing the solvent from the treatment liquid, the liquid film is solidified on the substrate, and a stripper is supplied on the substrate to form a liquid film. Remove the solidified liquid film,
The substrate processing method in which the processing liquid is discharged to the substrate in a mist state. 제16항에 있어서,
상기 처리액은 상기 처리액을 토출하는 노즐 내부에서 미스트화되는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The substrate processing method in which the processing liquid becomes mist inside a nozzle for discharging the processing liquid. 제16항에 있어서,
상기 처리액에 가스를 분사하고, 상기 가스에 의해 상기 처리액은 미스트화되는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
A substrate processing method in which gas is injected into the processing liquid, and the processing liquid is misted by the gas. 제18항에 있어서,
상기 가스는 가열된 상태로 분사되는 기판 처리 방법.The method of claim 18,
The substrate processing method in which the gas is injected in a heated state. 제16항에 있어서,
상기 처리액의 공급 시기와 상기 박리액의 공급 시기는 일부 중첩되는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
A substrate processing method in which the supply timing of the processing liquid and the supply timing of the stripping liquid partially overlap. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 가지는 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 박리액을 공급하는 박리액 공급 노즐과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 제거액을 공급하는 제거액 공급 노즐을 포함하되,
상기 처리액 공급 노즐은 상기 처리액을 미스트 상태로 토출 가능하도록 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space;
A support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space;
A liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the support unit;
Including a controller for controlling the liquid supply unit,
The liquid supply unit,
A processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid having a polymer and a solvent onto a substrate supported by the support unit;
A stripping solution supply nozzle for supplying a stripping solution to the substrate supported by the support unit;
A removal liquid supply nozzle for supplying a removal liquid to the substrate supported by the support unit,
The processing liquid supply nozzle is provided to discharge the processing liquid in a mist state. 제21항에 있어서,
상기 처리액 공급 노즐은 상기 처리액에 가스를 토출하여 상기 가스에 의해 상기 처리액을 미스트화하도록 구성된 기판 처리 장치.The method of claim 21,
The processing liquid supply nozzle is configured to discharge gas to the processing liquid to make the processing liquid mist with the gas. 제22항에 있어서,
상기 처리액 공급 노즐은,
내부 공간을 가지는 바디와;
상기 내부 공간으로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 포트와;
상기 내부 공간으로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 포트를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 22,
The treatment liquid supply nozzle,
A body having an inner space;
A processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the inner space;
A substrate processing apparatus comprising a gas supply port for supplying the gas to the inner space. 제23항에 있어서,
상기 처리액 공급 노즐은,
상기 처리액 공급 포트로 공급되는 처리액을 가열하는 가열 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 23,
The treatment liquid supply nozzle,
A substrate processing apparatus further comprising a heating member for heating the processing liquid supplied to the processing liquid supply port. 제24항에 있어서,
상기 제어기는,
미스트화된 상기 처리액이 상기 처리액 공급 노즐로부터 토출 후 상기 기판에 도달하기 전에 상기 처리액에서 상기 솔벤트의 휘발량이 기설정된 량이 되도록 상기 가열 부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 24,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the heating member such that the amount of volatilization of the solvent in the processing liquid is a predetermined amount before the misted processing liquid reaches the substrate after being discharged from the processing liquid supply nozzle. 제21항에 있어서,
상기 제어기는 상기 박리액이 상기 처리액의 토출이 끝나기 전에 상기 기판 상으로 공급되도록 상기 박리액 공급 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 21,
The controller controls the stripping solution supply nozzle so that the stripping solution is supplied onto the substrate before the discharge of the processing solution is finished. 제21항에 있어서,
상기 처리액 공급 노즐은,
상기 기판의 중심과 대향되되, 상기 처리액 공급 노즐에서 토출되는 미스트 상태의 상기 처리액이 상기 기판의 가장자리 영역까지 도달하도록 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 21,
The treatment liquid supply nozzle,
A substrate processing apparatus facing the center of the substrate and positioned so that the processing liquid in a mist state discharged from the processing liquid supply nozzle reaches the edge region of the substrate. 제22항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스는 질소인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 22 to 25,
The substrate processing method of the gas is nitrogen. 제21항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박리액은 탈이온수를 포함하고,
상기 제거액은 유기용제를 포함하고,
상기 폴리머는 수지를 포함하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 21 to 27,
The stripper contains deionized water,
The removal liquid contains an organic solvent,
The polymer is a substrate processing method containing a resin.
KR1020190103978A 2019-08-23 2019-08-23 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate Ceased KR20210024387A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190103978A KR20210024387A (en) 2019-08-23 2019-08-23 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
KR1020210101488A KR102548768B1 (en) 2019-08-23 2021-08-02 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190103978A KR20210024387A (en) 2019-08-23 2019-08-23 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210101488A Division KR102548768B1 (en) 2019-08-23 2021-08-02 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210024387A true KR20210024387A (en) 2021-03-05

Family

ID=75164180

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190103978A Ceased KR20210024387A (en) 2019-08-23 2019-08-23 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
KR1020210101488A Active KR102548768B1 (en) 2019-08-23 2021-08-02 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210101488A Active KR102548768B1 (en) 2019-08-23 2021-08-02 Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR20210024387A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023166205A (en) * 2022-05-09 2023-11-21 セメス カンパニー，リミテッド Substrate processing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006086415A (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate washing device
JP4638402B2 (en) * 2006-10-30 2011-02-23 大日本スクリーン製造株式会社 Two-fluid nozzle, and substrate processing apparatus and substrate processing method using the same
KR20080088822A (en) * 2007-03-30 2008-10-06 세메스 주식회사 Substrate processing equipment
JP6066873B2 (en) * 2013-09-10 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, program, computer storage medium, and substrate processing system
JP6371253B2 (en) * 2014-07-31 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning system, substrate cleaning method, and storage medium
JP6404189B2 (en) * 2015-08-07 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
KR102424630B1 (en) * 2016-07-27 2022-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Coating film forming method, coating film forming apparatus, and computer-readable recording medium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023166205A (en) * 2022-05-09 2023-11-21 セメス カンパニー，リミテッド Substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210098895A (en) 2021-08-11
KR102548768B1 (en) 2023-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109872960B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102182951B1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR102273984B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR101987959B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN112017952B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102278561B1 (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
CN107871657A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20180034229A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102548768B1 (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
KR102012206B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20210024386A (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
KR20200131950A (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
KR102240542B1 (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
KR101965349B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN109791883B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20240416394A1 (en) Method for treating a substrate
KR102583262B1 (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
KR20210003353A (en) substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102712483B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate
US11925963B2 (en) Method for treating a substrate
US20250166987A1 (en) Apparatus and method of treating substrate
KR20200078791A (en) Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method
KR102726737B1 (en) Apparatus for processing substrate and method for processing substrate
US20250046631A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102504972B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20190823

PA0201 Request for examination
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20200720

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
PG1501 Laying open of application
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20210408

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20200720

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20210408

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20201221

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0601 Decision of rejection after re-examination

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06014S01D

Patent event date: 20210602

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20210510

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06011S01I

Patent event date: 20210408

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20201221

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PX06013S01I

Patent event date: 20200720

X601 Decision of rejection after re-examination
A107 Divisional application of patent
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20210802

Patent event code: PA01071R01D