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KR20210008549A - Buffer unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit - Google Patents

Buffer unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit Download PDF

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KR20210008549A
KR20210008549A KR1020210003344A KR20210003344A KR20210008549A KR 20210008549 A KR20210008549 A KR 20210008549A KR 1020210003344 A KR1020210003344 A KR 1020210003344A KR 20210003344 A KR20210003344 A KR 20210003344A KR 20210008549 A KR20210008549 A KR 20210008549A
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South Korea
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unit
gas
buffer space
exhaust
pressure
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KR1020210003344A
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Korean (ko)
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손덕현
이상기
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세메스 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for storing a substrate. A buffer unit for storing a substrate includes a housing having an inlet and outlet on one side and having a buffer space therein; a substrate support unit that supports one or more substrates in the buffer space; a pressure adjustment unit that adjusts pressure in the buffer space; and a controller that controls the pressure adjustment unit. The pressure adjustment unit includes one or more gas supply lines that supply a gas for pressurizing the buffer space and one or more gas exhaust lines that reduce the pressure in the buffer space. At least one of the gas supply line and the gas exhaust line includes a plurality of lines. The controller controls the pressure adjustment unit to maintain the buffer space in a selected one of a filling mode in which the buffer space is filled with the gas and an exhaust mode in which the buffer space is evacuated, and the controller controls the pressure adjustment unit such that the number of gas supply lines or the number of gas exhaust lines in the filling mode differs from the number of gas supply lines or the number of gas exhaust lines in the exhaust mode. As a result, by varying the number of gas supply lines and the number of gas exhaust lines used, it is possible to selectively perform any one of a filling mode and an exhaust mode.

Description

버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법{Buffer unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit}Buffer unit, and substrate processing apparatus and method having the same BACKGROUND OF THE INVENTION

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 보관하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for storing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 패턴을 형성하기 위해 사진 공정, 식각 공정, 애싱 공정, 이온주입 공정, 그리고 박막 증착 공정 등의 다양한 공정들을 수행한다. 이러한 공정들 중 식각 공정, 이온 주입 공정, 그리고 박막 증착 공정은 진공 분위기에서 기판을 처리한다. 진공 분위기에서 대기 분위기로 이동된 기판은 산소에 노출되면서 기판에는 파티클 및 퓸(Fume)이 형성된다. 따라서 기판 처리 공정 후에는 기판이 버퍼 유닛에서 보관되는 중에 그 파티클 및 퓸을 제거하는 공정을 수행한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as a photo process, an etching process, an ashing process, an ion implantation process, and a thin film deposition process are performed to form a pattern on a substrate. Among these processes, an etching process, an ion implantation process, and a thin film deposition process treat the substrate in a vacuum atmosphere. As the substrate moved from the vacuum atmosphere to the atmospheric atmosphere is exposed to oxygen, particles and fumes are formed on the substrate. Therefore, after the substrate treatment process, a process of removing particles and fumes is performed while the substrate is stored in the buffer unit.

버퍼 유닛에서 퓸을 제거하는 공정으로는 기판이 보관되는 공간의 압력을 조절하는 공정이 수행된다. 압력 조절 공정은 보관 공간의 압력을 양압으로 조절하는 양압 모드 또는 음압으로 조절하는 음압 모드를 가진다. 예컨대, 양압 모드는 보관 공간에 가스를 충진하여 기판 상에 잔류된 이물을 블로우하여 제거한다. 이와 반대로, 음압 모드은 보관 공간을 감압하여 기판에 잔류된 이물을 배기하여 제거한다.As a process of removing fume from the buffer unit, a process of adjusting the pressure of a space in which the substrate is stored is performed. The pressure control process has a positive pressure mode in which the pressure in the storage space is adjusted to positive pressure or a negative pressure mode in which the pressure in the storage space is adjusted to negative pressure. For example, in the positive pressure mode, gas is filled in the storage space to blow and remove foreign matter remaining on the substrate. Conversely, in the negative pressure mode, the storage space is depressurized to exhaust and remove foreign matter remaining on the substrate.

도 1은 일반적인 버퍼 유닛들을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 버퍼 유닛은 제1유닛(2), 제2유닛(4), 그리고 제3유닛(6)과 같은 다양한 유형을 가진다. 제1유닛(2)은 가스 공급 라인(2a)을 가지며, 가스 공급 라인(2a)은 제1유닛(2) 내에 가스를 공급하여 양압 모드를 수행한다. 제2유닛(4)은 가스 배기 라인(4a)을 가지며, 가스 배기 라인(4a)은 제2유닛(4)의 내부를 감압함에 따라 음압 모드가 수행된다. 1 is a diagram showing general buffer units. Referring to FIG. 1, the buffer unit has various types such as the first unit 2, the second unit 4, and the third unit 6. The first unit 2 has a gas supply line 2a, and the gas supply line 2a supplies gas into the first unit 2 to perform a positive pressure mode. The second unit 4 has a gas exhaust line 4a, and the gas exhaust line 4a decompresses the inside of the second unit 4, thereby performing a negative pressure mode.

이로 인해 제1유닛(2)과 제2유닛(4) 각각은 양압 모드와 음압 모드 중 어느 하나만을 수행할 수 있으며 2 이상의 복수 모드를 수행하는 것이 어렵다. 이로 인해 다양한 공정에 대응하여 그 공정에 맞는 세정 모드를 수행하는 것이 어려우며, 그 세정 효율 또한 떨어진다.Accordingly, each of the first unit 2 and the second unit 4 can perform only one of a positive pressure mode and a negative pressure mode, and it is difficult to perform two or more multiple modes. For this reason, it is difficult to perform a cleaning mode suitable for the process in response to various processes, and the cleaning efficiency is also inferior.

본 발명은 기판을 보관하는 중에 보관 공간의 압력을 다양하게 조절하여 기판을 세정할수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of cleaning a substrate by varying the pressure of the storage space while storing the substrate.

또한 본 발명은 버퍼 공간의 압력을 공정에 맞게 조절하여 세정 효율을 높일 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of increasing cleaning efficiency by adjusting the pressure of the buffer space according to the process.

본 발명의 실시예는 기판을 보관하는 장치 및 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for storing a substrate.

기판을 저장하는 버퍼 유닛은 일측에 반출입구가 형성되며, 내부에 버퍼 공간을 가지는 하우징, 상기 버퍼 공간 내에서 하나 또는 복수의 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 버퍼 공간의 압력을 조절하는 압력 조절 유닛, 그리고 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 버퍼 공간을 가압하는 가스를 공급하는 하나 또는 복수의 가스 공급 라인 및 상기 버퍼 공간을 감압하는 하나 또는 복수의 가스 배기 라인을 포함하고, 상기 가스 공급 라인과 상기 가스 배기 라인 중 적어도 하나는 복수 개로 제공되며, 상기 제어기는 상기 버퍼 공간에 가스를 충진한 상태로 유지하는 충진 모드와 상기 버퍼 공간을 배기한 상태로 유지하는 배기 모드 중 선택된 모드로 유지되도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하되, 상기 충진 모드와 상기 배기모드 각각에서 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수 또는 상기 가스 배기 라인의 수는 서로 상이하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어한다. A buffer unit storing a substrate has a carrying-out port formed on one side thereof, a housing having a buffer space therein, a substrate support unit supporting one or more substrates within the buffer space, and a pressure control for controlling the pressure of the buffer space A unit, and a controller for controlling the pressure control unit, wherein the pressure control unit exhausts one or more gas supply lines for supplying a gas to pressurize the buffer space and one or more gas for depressurizing the buffer space And a line, wherein at least one of the gas supply line and the gas exhaust line is provided in a plurality, and the controller maintains a filling mode in which the buffer space is filled with gas and the buffer space in an exhausted state The pressure control unit is controlled to be maintained in a selected mode among the exhaust modes, and the number of the gas supply lines or the number of gas exhaust lines used in each of the filling mode and the exhaust mode is different from each other. Control.

상기 가스 공급 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 제어기는 상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하기 위해 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수가 상기 배기 모드에서 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하기 위해 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수보다 더 많도록 상기 가스 공급 라인을 제어할 수 있다. The gas supply line is provided in plural, and the controller includes the number of gas supply lines used to supply gas to the buffer space in the filling mode and the number of gas supply lines used to supply gas to the buffer space in the exhaust mode. The gas supply line can be controlled to be more than the number of gas supply lines.

상기 압력 조절 유닛은, 상기 가스 공급 라인 중 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간에서 퍼지 가스를 공급하는 제1공급부 및 상기 가스 공급 라인 중 다른 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간에서 퍼지 가스를 공급하는 제2공급부를 포함하되, 상기 제어기는 상기 충진 모드에서 상기 제1공급부 및 상기 제2공급부 각각으로부터 퍼지 가스가 공급되고, 상기 배기 모드에서 상기 제2공급부의 퍼지 가스 공급없이 상기 제1공급부로부터 퍼지 가스가 공급되도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다, The pressure control unit is connected to one of the gas supply lines, a first supply unit that supplies a purge gas from the buffer space, and a first supply unit that is connected to the other of the gas supply lines, and supplies a purge gas from the buffer space. 2, wherein the controller is supplied with purge gas from each of the first and second supply units in the filling mode, and purge gas from the first supply unit without supplying the purge gas from the second supply unit in the exhaust mode. It is possible to control the pressure control unit so that it is supplied,

상기 제1공급부는 상기 제2공급부에 비해 상기 반출입구에 더 가깝게 위치될 수 있다. 상기 제1공급부는 복수의 노즐들을 포함하고, 상기 노즐들은 상부에서 바라볼 때 상기 반출입구와 평행하거나, 상기 반출입구에 대한 퍼지 가스의 토출 방향이 예각을 이루도록 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 상기 가스 배기 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 제어기는 상기 배기 모드에서 상기 버퍼 공간으로 가스를 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수가 상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간으로 가스를 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수보다 더 많도록 상기 가스 공급 라인을 제어할 수 있다. The first supply unit may be located closer to the carry-in port than the second supply unit. The first supply unit may include a plurality of nozzles, and the nozzles may discharge purge gas such that a discharge direction of the purge gas to the carry-out port is parallel to the carry-out port when viewed from the top or forms an acute angle. The gas exhaust line is provided in plural, and the controller includes the number of gas exhaust lines used to exhaust gas to the buffer space in the exhaust mode and the number of gas exhaust lines used to exhaust gas to the buffer space in the filling mode. The gas supply line can be controlled to be more than the number of gas exhaust lines.

상기 가스 배기 라인은 복수 개로 제공되되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 가스 배기 라인 중 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간을 배기하는 제1배기부 및 상기 가스 배기 라인 중 다른 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간을 배기하는 제2배기부를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 충진 모드에서 상기 제2배기부의 배기없이 상기 제1공급부에 의해 상기 버퍼 공간이 배기되고, 상기 배기 모드에서 상기 제1배기부와 상기 제2배기부 각각에 의해 상기 버퍼 공간이 배기되도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제1배기부는 상기 제2배기부에 비해 상기 반출입구에 더 가깝게 위치될 수 있다. The gas exhaust line is provided in plurality, and the pressure control unit is connected to one of the gas exhaust lines, the first exhaust unit for exhausting the buffer space and the other one of the gas exhaust line, and the buffer space And a second exhaust unit for exhausting, wherein the controller exhausts the buffer space by the first supply unit without exhausting the second exhaust unit in the filling mode, and the first exhaust unit and the first exhaust unit in the exhaust mode The pressure control unit may be controlled so that the buffer space is exhausted by each of the two exhaust units. The first exhaust unit may be located closer to the carry-in port than the second exhaust unit.

상기 제1배기부는 복수의 배기 포트를 포함하고, 상기 배기 포트들은 상부에서 바라볼 때 상기 반출입구와 평행한 방향으로 배열될 수 있다. The first exhaust unit may include a plurality of exhaust ports, and the exhaust ports may be arranged in a direction parallel to the carrying inlet when viewed from above.

상기 제어기는 상기 버퍼 공간에 보관되기 전에 기판을 처리하기 위해 사용되는 공정 가스에 따라 상기 충진 모드와 상기 배기 모드 중 선택된 모드를 유지하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다. The controller may control the pressure control unit to maintain a selected mode of the filling mode and the exhaust mode according to a process gas used to process the substrate before being stored in the buffer space.

*16상기 제어기는 상기 버퍼 공간에 위치된 기판에 잔류되는 잔류물을 제거하고자 할 때에 상기 배기 모드를 유지하고, 상기 버퍼 공간에 위치된 기판을 건조하고자 할 때에 상기 충진 모드를 유지하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다. *16 The controller maintains the exhaust mode when removing residues remaining on the substrate located in the buffer space, and adjusts the pressure to maintain the filling mode when drying the substrate located in the buffer space. You can control the unit.

또한 상기 가스 공급 라인과 상기 가스 배기 라인은 각각 복수 개로 제공되며, 상기 제어기는 상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하기 위해 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수가 상기 배기 모드에서 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하기 위해 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수보다 더 많고, 상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간으로부터 가스를 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수가 상기 배기 모드에서 상가 버퍼 공간으로부터 가스를 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수보다 적도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다. In addition, the gas supply line and the gas exhaust line are provided in plurality, respectively, and the controller includes the number of gas supply lines used to supply gas to the buffer space in the filling mode. Is greater than the number of the gas supply lines used to supply, and the number of the gas exhaust lines used to exhaust gas from the buffer space in the filling mode to exhaust gas from the shopping mall buffer space in the exhaust mode It is possible to control the pressure regulating unit to be less than the number of the gas exhaust lines used.

또한 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정 모듈 및 상기 공정 모듈의 일측에 위치되는 인덱스 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은 기판을 수용하는 용기가 놓여지는 로드 포트, 상기 로드 포트와 상기 기판 처리 모듈 사이에 배치되는 이송 프레임, 그리고 상기 이송 프레임의 일측에 배치되며, 상기 공정 모듈에서 처리된 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛을 포함하되, In addition, the substrate processing apparatus includes a process module for processing a substrate and an index module positioned at one side of the process module, wherein the index module includes a load port on which a container receiving a substrate is placed, and between the load port and the substrate processing module. A transfer frame disposed in the transfer frame, and a buffer unit disposed on one side of the transfer frame and temporarily storing a substrate processed in the process module,

상기 버퍼 유닛은 일측에 반출입구가 형성되며, 내부에 버퍼 공간을 가지는 하우징, 상기 버퍼 공간 내에서 하나 또는 복수의 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 버퍼 공간의 압력을 조절하는 압력 조절 유닛, 그리고 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 버퍼 공간을 가압하는 가스를 공급하는 하나 또는 복수의 가스 공급 라인 및 상기 버퍼 공간을 감압하는 하나 또는 복수의 가스 배기 라인을 포함하고, 상기 가스 공급 라인과 상기 가스 배기 라인 중 적어도 하나는 복수 개로 제공되며, 상기 제어기는 상기 버퍼 공간에 가스를 충진한 상태로 유지하는 충진 모드와 상기 버퍼 공간을 배기한 상태로 유지하는 배기 모드 중 선택된 모드로 유지되도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하되, 상기 충진 모드와 상기 배기모드 각각에서 사용되는 상기 가스 공급 라인 또는 상기 가스 배기 라인의 수는 서로 상이하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어한다. The buffer unit has a carrying-in/out port formed on one side thereof, a housing having a buffer space therein, a substrate support unit supporting one or a plurality of substrates within the buffer space, a pressure control unit controlling the pressure of the buffer space, and And a controller for controlling the pressure control unit, wherein the pressure control unit includes one or more gas supply lines for supplying gas to pressurize the buffer space and one or more gas exhaust lines for depressurizing the buffer space. And at least one of the gas supply line and the gas exhaust line is provided in plural, and the controller is a filling mode for maintaining the buffer space in a state filled with gas and an exhaust mode for maintaining the buffer space in an exhausted state. The pressure control unit is controlled to be maintained in a selected mode, and the pressure control unit is controlled so that the number of the gas supply lines or the gas exhaust lines used in each of the filling mode and the exhaust mode is different from each other.

상기 가스 공급 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 제어기는 상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하기 위해 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수가 상기 배기 모드에서 상기 버퍼 공간을 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수보다 더 많도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다. The gas supply line is provided in plural, and the controller supplies the gas used to exhaust the buffer space in the exhaust mode by the number of gas supply lines used to supply gas to the buffer space in the filling mode. It is possible to control the pressure regulating unit to be more than the number of lines.

상기 압력 조절 유닛은, 상기 가스 공급 라인 중 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간에서 퍼지 가스를 공급하는 제1공급부 및 상기 가스 공급 라인 중 다른 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간에서 퍼지 가스를 공급하는 제2공급부, 그리고 상기 가스 배기 라인 중 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간을 배기하는 제1배기부를 더 포함하되, 상기 제1공급부 및 상기 제1배기부 각각은 상기 제2공급부에 비해 상기 반출입구에 더 가깝게 위치될 수 있다.The pressure control unit is connected to one of the gas supply lines, a first supply unit that supplies a purge gas from the buffer space, and a first supply unit that is connected to the other of the gas supply lines, and supplies a purge gas from the buffer space. 2 a supply unit and a first exhaust unit connected to one of the gas exhaust lines and exhausting the buffer space, wherein each of the first supply unit and the first exhaust unit is located at the carry-in port compared to the second supply unit. It can be located closer.

상기 가스 배기 라인은 복수 개로 제공되며, 상기 제어기는 상기 배기 모드에서 상기 버퍼 공간을 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수가 상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간에 가스를 공급하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수보다 더 많도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다. 상기 압력 조절 유닛은 상기 가스 공급 라인 중 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간에서 퍼지 가스를 공급하는 제1공급부, 상기 가스 배기 라인 중 하나에 연결되고, 상기 버퍼 공간을 배기하는 제1배기부, 그리고 상기 가스 배리 라인 중 다른 하나에 연결되며, 상기 버퍼 공간을 배기하는 제2배기부를 더 포함하되, 상기 제1공급부 및 상기 제1배기부 각각은 상기 제2배기부에 비해 상기 반출입구에 더 가깝게 위치될 수 있다. The gas exhaust lines are provided in plural, and the controller exhausts the number of gas exhaust lines used to exhaust the buffer space in the exhaust mode and is used to supply gas to the buffer space in the filling mode. It is possible to control the pressure regulating unit to be more than the number of lines. The pressure control unit is connected to one of the gas supply lines, a first supply unit for supplying a purge gas from the buffer space, a first exhaust unit connected to one of the gas exhaust lines, and exhausting the buffer space, and A second exhaust unit connected to the other one of the gas barrier lines and exhausting the buffer space, wherein each of the first supply unit and the first exhaust unit is closer to the carrying inlet than the second exhaust unit Can be located.

상기 제1공급부는 복수의 노즐들을 포함하고, 상기 노즐들은 상부에서 바라볼 때 상기 반출입구와 평행하게 퍼지 가스를 토출하거나, 상기 반출입구에 대한 퍼지 가스의 토출 방향이 예각을 이루도록 퍼지 가스를 토출할 수 있다. The first supply unit includes a plurality of nozzles, and the nozzles discharge purge gas parallel to the carry-out port when viewed from the top, or discharge the purge gas so that the discharge direction of the purge gas to the carry-out port forms an acute angle. can do.

상기 제1배기부는 복수의 배기 포트를 포함하고, 상기 배기 포트들은 상부에서 바라볼 때 상기 반출입구와 평행한 방향으로 배열될 수 있다. The first exhaust unit may include a plurality of exhaust ports, and the exhaust ports may be arranged in a direction parallel to the carrying inlet when viewed from above.

상기 공정 모듈은 제1공정 가스를 사용하여 제1공정을 수행하는 제1공정 유닛 및 제2공정 가스를 사용하여 제2공정을 수행하는 제2공정 유닛을 포함하고, 상기 제어기는 상기 제1공정이 수행된 기판에 대해 상기 버퍼 공간을 상기 배기 모드를 유지하고, 상기 제2공정이 수행된 기판에 대해 상기 버퍼 공간을 충진 모드로 유지하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어할 수 있다. The process module includes a first process unit that performs a first process using a first process gas and a second process unit that performs a second process using a second process gas, and the controller includes the first process The pressure control unit may be controlled to maintain the buffer space in the exhaust mode with respect to the performed substrate and maintain the buffer space in the filling mode with respect to the substrate in which the second process has been performed.

상기 버퍼 유닛은 복수 개로 제공되며, 이 중 하나는 상기 이송 프레임의 일측에 위치되고, 다른 하나는 상기 이송 프레임의 타측에 위치되되, 상기 제1공정이 수행된 기판은 상기 하나에 보관되고, 상기 제2공정이 수행된 기판은 상기 다른 하나에 보관되되, 상기 하나의 상기 버퍼 공간에는 상기 배기 모드가 유지되고, 상기 다른 하나의 상기 버퍼 공간에는 상기 충진 모드가 유지될 수 있다. The buffer unit is provided in plural, one of which is located on one side of the transfer frame, the other is located on the other side of the transfer frame, and the substrate on which the first process is performed is stored in the one, and the The substrate on which the second process has been performed may be stored in the other, and the exhaust mode may be maintained in the one buffer space, and the filling mode may be maintained in the other buffer space.

또한 기판을 처리하는 방법은 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계 및 상기 기판 처리 단계 이후에, 버퍼 유닛의 내부인 버퍼 공간에 상기 기판을 보관하는 기판 보관 단계를 포함하되, 상기 버퍼 공간은 가스 공급 라인에 의해 공급되는 가스에 의해 가스를 충진되는 충진 모드와 가스 배기 라인에 의해 상기 버퍼 공간이 배기되는 배기 모드 중 선택된 모드로 유지되며, 상기 충진 모드와 상기 배기 모드에서 사용되는 상기 가스 공급 라인과 상기 가스 배기 라인의 수는 서로 상이하게 제공된다. In addition, the method of processing a substrate includes a substrate processing step of processing the substrate and after the substrate processing step, storing the substrate in a buffer space inside the buffer unit, wherein the buffer space is a gas supply line The gas supply line and the gas supply line used in the filling mode and the exhaust mode are maintained in a selected mode among a filling mode in which gas is filled by gas supplied by and an exhaust mode in which the buffer space is exhausted by a gas exhaust line. The number of gas exhaust lines is provided differently from each other.

상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간에 가스를 충진하기 위해 사용되는 상기 가스 공급 라인의 수가 상기 배기 모드에서 상기 버퍼 공간에 가스를 충진하기 위해 사용되는 가스 공급 라인의 수보다 많게 제공될 수 있다. The number of gas supply lines used to fill the buffer space with gas in the filling mode may be greater than the number of gas supply lines used to fill the buffer space with gas in the exhaust mode.

상기 배기 모드에서 상기 버퍼 공간을 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수가 상기 충진 모드에서 상기 버퍼 공간을 배기하기 위해 사용되는 상기 가스 배기 라인의 수보다 많게 제공될 수 있다. 상기 기판 처리 단계에는 상기 기판을 제1가스로 처리하는 제1공정과 상기 기판을 제2가스로 처리하는 제2공정 중 하나가 수행되고, 상기 제1가스와 상기 제2가스는 서로 다른 종류의 가스로 제공되며, 상기 기판 처리 단계에서 사용되는 가스의 종류에 따라 상기 선택된 모드가 상이해질 수 있다. The number of the gas exhaust lines used to exhaust the buffer space in the exhaust mode may be greater than the number of the gas exhaust lines used to exhaust the buffer space in the filling mode. In the substrate processing step, one of a first process of treating the substrate with a first gas and a second process of treating the substrate with a second gas is performed, and the first gas and the second gas are of different types. It is provided as a gas, and the selected mode may be different according to the type of gas used in the substrate processing step.

상기 제1공정을 수행한 경우에는 상기 배기 모드를 유지하고, 상기 제2공정을 수행한 경우에는 상기 충진 모드를 유지하되, 상기 제1가스는 불소(F), 염소(Cl), 또는 브롬(Br)을 포함하고, 상기 제2가스는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다. When the first process is performed, the exhaust mode is maintained, and when the second process is performed, the filling mode is maintained, but the first gas is fluorine (F), chlorine (Cl), or bromine ( Br), and the second gas may include ammonia (NH 3 ).

상기 충진 모드에는 상기 배기 모드보다 상기 버퍼 공간을 더 높은 온도로 가열할 수 있다. In the filling mode, the buffer space may be heated to a higher temperature than the exhaust mode.

본 발명의 실시예에 의하면, 사용되는 가스 공급 라인의 수와 가스 배기 라인의 수를 달리함으로써, 충진 모드와 배기 모드 중 어느 하나의 모드로 선택적으로 수행할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by differentiating the number of used gas supply lines and the number of gas exhaust lines, it is possible to selectively perform in one of a filling mode and an exhaust mode.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 충진 모드와 배기 모드 시에는 반출입구에 더 가까운 제1공급부와 제1배기부를 사용함으로써, 외부의 오염물이 유입되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, in the filling mode and the exhaust mode, by using the first supply unit and the first exhaust unit closer to the carry-in port, it is possible to prevent the inflow of external contaminants.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 충진 모드와 배기 모드는 기판 처리에 사용된 가스의 종류에 따라 달리 선택된다. 이로 인해 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the filling mode and the exhaust mode are selected differently depending on the type of gas used for processing the substrate. Accordingly, it is possible to improve the cleaning efficiency of the substrate.

도 1은 일반적인 버퍼 유닛들을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 가스 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 4의 압력 조절 유닛을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 유닛을 이용하여 배기 모드를 수행하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 7의 유닛을 이용하여 충진 모드를 수행하는 과정을 보여주는 도면이다.1 is a diagram showing general buffer units.
2 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the gas processing apparatus of FIG. 2.
4 is a perspective view illustrating the buffer unit of FIG. 2.
5 is a plan view showing the buffer unit of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 5.
7 is a view showing the pressure control unit of FIG. 4.
8 is a diagram showing a process of performing an exhaust mode using the unit of FIG. 7.
9 is a diagram showing a process of performing a filling mode using the unit of FIG. 7.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various types of devices for processing a substrate using gas.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.2 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 버퍼 유닛(2000)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 2, the substrate processing facility 1 has an index module 10, a loading module 30, and a process module 20, and the index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140. ), and a buffer unit 2000. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, the loading module 30, and the process module 20 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from the top, the first direction ( A direction perpendicular to 12) is referred to as a second direction 14, and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

로드 포트(120)에는 복수 개의 기판들(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 3 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 따라 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier 18 in which a plurality of substrates W are accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In Figure 2, it is shown that three load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided along the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18), 버퍼 유닛(2000), 그리고 로딩 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120, the buffer unit 2000, and the loading module 30. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the process module 20 to the carrier 18, while others transfer the substrate W from the carrier 18 to the process module 20. Can be used when doing. This may prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

버퍼 유닛(2000)은 공정 모듈(20)에서 처리된 기판(W)을 임시 보관한다. 버퍼 유닛(2000)은 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물은 제거된다. 버퍼 유닛(2000)에서의 공정 부산물 제거는 버퍼 유닛(2000)의 내부를 가압하거나 감압함으로써 이루어진다. 버퍼 유닛(2000)은 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 버퍼 유닛(2000)은 2개가 제공될 수 있다. 2개의 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)의 양측에 각각 제공되어, 이송 프레임(140)을 사이에 두고 서로 대향되게 위치될 수 있다. 선택적으로 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)의 일측에 1개만 제공될 수 있다.The buffer unit 2000 temporarily stores the substrate W processed by the process module 20. The buffer unit 2000 removes process by-products remaining on the substrate W. Removal of process by-products in the buffer unit 2000 is performed by pressurizing or depressurizing the inside of the buffer unit 2000. The buffer unit 2000 may be provided in plural. For example, two buffer units 2000 may be provided. The two buffer units 2000 are provided on both sides of the transfer frame 140, respectively, and may be positioned to face each other with the transfer frame 140 interposed therebetween. Optionally, only one buffer unit 2000 may be provided on one side of the transfer frame 140.

로딩 모듈(30)은 이송 프레임(140)과 반송 챔버(242) 사이에 배치된다. 로딩 모듈(30)은 반송 챔버(242)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로딩 모듈(30)은 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)를 포함한다. 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)는 각각 그 내부가 진공 분위기와 상압 분위기 간에 전환 가능하도록 제공된다.The loading module 30 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 242. The loading module 30 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 242 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The loading module 30 includes a load lock chamber 32 and an unload lock chamber 34. Each of the load lock chamber 32 and the unload lock chamber 34 is provided so that the interior thereof is switchable between a vacuum atmosphere and an atmospheric pressure atmosphere.

로드락 챔버(32)는 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 로드락 챔버(32)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 로드락 챔버(32)의 내부 공간을 상압 분위기에서 진공 분위기로 전환하고, 인덱스 모듈(10)에 대해 밀폐가 유지된 상태에서 공정 모듈(20)에 대해 개방된다.In the load lock chamber 32, the substrate W transferred from the index module 10 to the process module 20 temporarily stays. When the substrate W is carried in the load lock chamber 32, the inner space is sealed with respect to the index module 10 and the process module 20, respectively. Thereafter, the internal space of the load lock chamber 32 is converted from an atmospheric pressure atmosphere to a vacuum atmosphere, and is opened to the process module 20 while the index module 10 is kept sealed.

언로드락 챔버(34)는 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 언로드락 챔버(34)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 언로드락 챔버(34)의 내부 공간을 진공 분위기에서 상압 분위기로 전환하고, 공정 모듈(20)에 대해 밀폐가 유지된 상태에서 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된다.In the unload lock chamber 34, the substrate W transferred from the process module 20 to the index module 10 temporarily stays. When the substrate W is carried into the unload lock chamber 34, the inner space is sealed with respect to the index module 10 and the process module 20, respectively. Thereafter, the internal space of the unload lock chamber 34 is converted from a vacuum atmosphere to an atmospheric pressure atmosphere, and is opened to the index module 10 while the sealing is maintained with respect to the process module 20.

공정 모듈(20)은 반송 챔버(242) 및 복수 개의 공정 유닛들(260)을 포함한다. The process module 20 includes a transfer chamber 242 and a plurality of process units 260.

반송 챔버(242)는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 유닛들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(242)는 상부에서 바라볼 때 육각의 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반송 챔버(242)는 직사각 또는 오각의 형상으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(242)의 둘레에는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 유닛들(260)이 위치된다. 반송 챔버(242) 내에 반송 로봇(250)이 제공된다. 반송 로봇(250)은 반송 챔버(242)의 중앙부에 위치될 수 있다. 반송 로봇(250)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전이 가능한 복수 개의 핸드들(252)을 가질 수 있다. 각 핸드(252)는 독립 구동이 가능하며, 기판(W)은 핸드(252)에 수평 상태로 안착될 수 있다. The transfer chamber 242 transfers the substrate W between the load lock chamber 32, the unload lock chamber 34, and a plurality of process units 260. The transfer chamber 242 may be provided in a hexagonal shape when viewed from the top. Optionally, the transfer chamber 242 may be provided in a rectangular or pentagonal shape. A load lock chamber 32, an unload lock chamber 34, and a plurality of process units 260 are positioned around the transfer chamber 242. A transfer robot 250 is provided in the transfer chamber 242. The transfer robot 250 may be located in the center of the transfer chamber 242. The transfer robot 250 may move in a horizontal or vertical direction, and may have a plurality of hands 252 capable of moving forward, backward, or rotating on a horizontal plane. Each hand 252 may be independently driven, and the substrate W may be mounted on the hand 252 in a horizontal state.

아래에서는 공정 유닛(260)에 제공된 가스 처리 장치(1000)에 대해 설명한다. 가스 처리 장치는 기판(W)을 식각 또는 증착 처리한다. 일 예에 의하면, 각각의 가스 처리 장치는 서로 다른 가스 처리 공정을 수행할 수 있다. 제1장치에는 제1가스를 공급하는 제1공정이 수행되고, 제2장치에는 제2가스를 공급하는 제2공정이 수행될 수 있다. 제1가스는 불소(F), 염소(Cl), 또는 브롬(Br)을 포함할 수 있고, 제2가스는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다.Hereinafter, the gas processing apparatus 1000 provided to the process unit 260 will be described. The gas processing apparatus etching or depositing the substrate W. According to an example, each gas processing apparatus may perform a different gas processing process. A first process of supplying a first gas to the first device may be performed, and a second process of supplying a second gas to the second device may be performed. The first gas may contain fluorine (F), chlorine (Cl), or bromine (Br), and the second gas may contain ammonia (NH 3 ).

도 3은 도 2의 가스 처리 장치의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 가스 처리 장치(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 가스 공급 유닛(1300), 플라즈마 소스(1400), 그리고 배기 배플(1500)을 포함한다.3 is a cross-sectional view of the gas processing apparatus of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the gas processing apparatus 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1200, a gas supply unit 1300, a plasma source 1400, and an exhaust baffle 1500.

챔버(1100)는 기판(W)이 처리되는 처리 공간(1106)을 가진다. 챔버(1100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(1100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(1100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(1100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구는 도어(1120)에 의해 개폐된다. 챔버(1100)의 바닥면에는 하부홀(1150)이 형성된다. 하부홀(1150)에는 감압 부재(미도시)가 연결된다. 챔버(1100)의 처리 공간(1106)은 감압 부재에 의해 배기 가능하며, 공정 진행시 감압 분위기로 유지될 수 있다.The chamber 1100 has a processing space 1106 in which the substrate W is processed. The chamber 1100 is provided in a circular cylindrical shape. The chamber 1100 is made of a metal material. For example, the chamber 1100 may be made of aluminum. An opening is formed in one side wall of the chamber 1100. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried. The opening is opened and closed by the door 1120. A lower hole 1150 is formed in the bottom surface of the chamber 1100. A pressure reducing member (not shown) is connected to the lower hole 1150. The processing space 1106 of the chamber 1100 can be exhausted by a decompression member, and can be maintained in a decompression atmosphere during the process.

기판 지지 유닛(1200)은 처리 공간(1106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(1200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(1200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 1200 supports the substrate W in the processing space 1106. The substrate support unit 1200 may be provided as an electrostatic chuck 1200 supporting the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 1200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping.

정전척(1200)은 유전판(1210), 베이스(1230), 그리고 포커스링(1250)을 포함한다. 유전판(1210)은 유전체 재질로 제공될 수 있다. 유전판(1210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(1210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(1210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(1210)의 내부에는 척킹용 전극(1212)이 설치된다. 척킹용 전극(1212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력이 인가되며, 기판(W)은 정전기력에 의해 유전판(1210)에 흡착된다. 유전판(1210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(1214)가 설치된다. 히터(1214)는 척킹용 전극(1212)의 아래에 위치된다. 히터(1214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 1200 includes a dielectric plate 1210, a base 1230, and a focus ring 1250. The dielectric plate 1210 may be made of a dielectric material. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 1210. The dielectric plate 1210 is provided in a disk shape. The dielectric plate 1210 may have a radius smaller than that of the substrate W. The chucking electrode 1212 is installed inside the dielectric plate 1210. A power source (not shown) is connected to the chucking electrode 1212, power is applied from a power source (not shown), and the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 1210 by electrostatic force. A heater 1214 for heating the substrate W is installed inside the dielectric plate 1210. The heater 1214 is located under the chucking electrode 1212. The heater 1214 may be provided as a spiral coil.

베이스(1230)는 유전판(1210)을 지지한다. 베이스(1230)는 유전판(1210)의 아래에 위치되며, 유전판(1210)과 고정결합된다. 베이스(1230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(1230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(1210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(1230)의 내부에는 냉각 유로(1232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(1232)는 베이스(1230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(1234)과 연결된다. 고주파 전원(1234)은 베이스(1230)에 전력을 인가한다. 베이스(1230)에 인가된 전력은 챔버(1100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(1230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(1230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 1230 supports the dielectric plate 1210. The base 1230 is located under the dielectric plate 1210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 1210. The upper surface of the base 1230 has a stepped shape such that the central region thereof is higher than the edge region. The base 1230 has an area in which the central region of the upper surface corresponds to the lower surface of the dielectric plate 1210. A cooling passage 1232 is formed inside the base 1230. The cooling passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 1232 may be provided in a spiral shape inside the base 1230. The base is connected to an externally located high frequency power supply 1234. The high frequency power supply 1234 applies power to the base 1230. The power applied to the base 1230 guides the plasma generated in the chamber 1100 to move toward the base 1230. The base 1230 may be made of a metal material.

포커스링(1250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(1250)은 내측링(1252) 및 외측링(1254)을 포함한다. 내측링(1252)은 유전판(1210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(1252)을 베이스(1230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(1252)의 상면은 유전판(1210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(1252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(1252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(1254)은 내측링(1252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(1254)은 베이스(1230)의 가장자리영역에서 내측링(1252)과 인접하게 위치된다. 외측링(1254)은 내측링(1252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(1254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 1250 concentrates plasma onto the substrate W. The focus ring 1250 includes an inner ring 1252 and an outer ring 1254. The inner ring 1252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 1210. The inner ring 1252 is located in the edge region of the base 1230. The upper surface of the inner ring 1252 is provided to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 1210. The inner portion of the upper surface of the inner ring 1252 supports an edge region of the bottom surface of the substrate W. For example, the inner ring 1252 may be made of a conductive material. The outer ring 1254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 1252. The outer ring 1254 is located adjacent to the inner ring 1252 in the edge region of the base 1230. The outer ring 1254 has a higher upper end compared to the inner ring 1252. The outer ring 1254 may be provided with an insulating material.

가스 공급 유닛(1300)은 기판 지지 유닛(1200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(1300)은 가스 저장부(1350), 가스 공급 라인(1330), 그리고 가스 유입 포트(1310)를 포함한다. 가스 공급 라인(1330)은 가스 저장부(1350) 및 가스 유입 포트(1310)를 연결한다. 가스 저장부(1350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(1330)을 통해 가스 유입 포트(1310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(1310)는 기판 지지 유닛(1200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(1330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.The gas supply unit 1300 supplies a process gas onto the substrate W supported by the substrate support unit 1200. The gas supply unit 1300 includes a gas storage unit 1350, a gas supply line 1330, and a gas inlet port 1310. The gas supply line 1330 connects the gas storage unit 1350 and the gas inlet port 1310. The process gas stored in the gas storage unit 1350 is supplied to the gas inlet port 1310 through the gas supply line 1330. The gas inlet port 1310 is installed on the upper wall of the chamber 1100. The gas inlet port 1310 is positioned to face the substrate support unit 1200. According to an example, the gas inlet port 1310 may be installed at the center of the upper wall of the chamber 1100. A valve is installed in the gas supply line 1330 to open and close the inner passage or to adjust the flow rate of gas flowing through the inner passage. For example, the process gas may be an etching gas.

플라즈마 소스(1400)는 챔버(1100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(1400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(1400)는 안테나(1410) 및 외부 전원(1430)을 포함한다. 안테나(1410)는 챔버(1100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(1410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부 전원(1430)과 연결된다. 안테나(1410)는 외부 전원(1430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(1410)는 챔버(1100)의 내부 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 1400 excites the process gas in the chamber 1100 into a plasma state. As the plasma source 1400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 1400 includes an antenna 1410 and an external power supply 1430. The antenna 1410 is disposed above and outside the chamber 1100. The antenna 1410 is provided in a spiral shape that is wound a plurality of times, and is connected to an external power supply 1430. The antenna 1410 receives power from an external power source 1430. The antenna 1410 to which power is applied forms a discharge space in the inner space of the chamber 1100. The process gas remaining in the discharge space may be excited in a plasma state.

배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(1500)은 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 챔버(1100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(1200)의 사이에 위치된다. 배기 배플(1500)에는 복수의 배기홀들(1502)이 형성된다. 배기홀들(1502)은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 배기홀(1502)은 슬릿 형상을 가지며, 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. The exhaust baffle 1500 uniformly exhausts the plasma for each area in the processing space 1106. The exhaust baffle 1500 has an annular ring shape. The exhaust baffle 1500 is located between the inner wall of the chamber 1100 and the substrate support unit 1200 in the processing space 1106. A plurality of exhaust holes 1502 are formed in the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are provided to face the vertical direction. The exhaust holes 1502 are provided as holes extending from the top to the bottom of the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the exhaust baffle 1500. Each of the exhaust holes 1502 has a slit shape and has a longitudinal direction in a radial direction.

다음은 상술한 버퍼 유닛에 대해 보다 자세히 설명한다. 도 4는 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 사시도이고, 도 5는 도 4의 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이며, 도 6은 도 5의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 버퍼 유닛(2000)은 하우징(2100), 기판 지지 유닛(2300), 압력 조절 유닛(3000), 그리고 제어기(3600)를 포함한다.The following describes in more detail the above-described buffer unit. FIG. 4 is a perspective view showing the buffer unit of FIG. 2, FIG. 5 is a plan view showing the buffer unit of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 5. 4 to 6, the buffer unit 2000 includes a housing 2100, a substrate support unit 2300, a pressure control unit 3000, and a controller 3600.

하우징(2100)은 내부에 버퍼 공간(2120)을 가지는 통 형상으로 제공된다. 하우징(2100)은 제3방향(16)을 향하는 길이 방향을 가진다. 버퍼 공간(2120)은 복수 매의 기판들이 수용 가능한 공간으로 제공된다. 하우징(2100)은 일측면에 개방면(2140)을 가진다. 개방면(2140)은 이송 프레임(140)과 마주하는 면으로 제공된다. 개방면(2140)은 이송 프레임과 버퍼 공간(2120) 간에 기판(W)이 반입 및 반출되는 반출입구(2140a)로 기능한다. 하우징의 측벽에는 히터(미도시)가 설치되어 버퍼 공간을 가열할 수 있다. The housing 2100 is provided in a cylindrical shape having a buffer space 2120 therein. The housing 2100 has a longitudinal direction facing the third direction 16. The buffer space 2120 is provided as a space in which a plurality of substrates can be accommodated. The housing 2100 has an open surface 2140 on one side. The open surface 2140 is provided as a surface facing the transfer frame 140. The open surface 2140 functions as a carry-in/out port 2140a through which the substrate W is carried in and out between the transfer frame and the buffer space 2120. A heater (not shown) is installed on the sidewall of the housing to heat the buffer space.

기판 지지 유닛(2300)은 버퍼 공간(2120)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(2300)은 복수 매의 기판들(W)을 지지한다. 복수 매의 기판들(W)은 기판 지지 유닛(2300)에 의해 상하 방향으로 배열되게 위치된다. 기판 지지 유닛(2300)은 복수 개의 지지 슬롯들(2330)을 포함한다. 지지 슬롯들(2330)은 기판(W)이 안착되는 안착면을 가진다. 여기서 안착면은 지지 슬롯(2330)의 상면일 수 있다. 지지 슬롯들(2330)은 하우징(2100)의 내측면으로부터 돌출되게 제공된다. 상부에서 바라볼 때 동일 높이에 위치되는 2 개의 지지 슬롯들(2330)은 서로 마주하도록 위치된다. 또한 지지 슬롯들(2330)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 제3방향(16)에 대해 서로 인접한 지지 슬롯들(2330) 간의 간격은 동일하게 제공될 수 있다. 이에 따라 기판 지지 유닛(2300)에는 복수 개의 기판들(W)이 적층되게 지지될 수 있다. 선택적으로, 상부에서 바라볼 때 지지 슬롯들(2330)은 3 개 이상으로 제공될 수 있다.The substrate support unit 2300 supports the substrate W in the buffer space 2120. The substrate support unit 2300 supports a plurality of substrates W. The plurality of substrates W are positioned to be arranged in the vertical direction by the substrate support unit 2300. The substrate support unit 2300 includes a plurality of support slots 2330. The support slots 2330 have a seating surface on which the substrate W is mounted. Here, the seating surface may be an upper surface of the support slot 2330. The support slots 2330 are provided to protrude from the inner surface of the housing 2100. When viewed from the top, the two support slots 2330 positioned at the same height are positioned to face each other. In addition, the support slots 2330 are positioned to be spaced apart from each other along the third direction 16. The spacing between the support slots 2330 adjacent to each other in the third direction 16 may be provided equally. Accordingly, a plurality of substrates W may be stacked on the substrate support unit 2300. Optionally, three or more support slots 2330 may be provided as viewed from the top.

압력 조절 유닛(3000)은 버퍼 공간(2120)의 압력을 조절한다. 압력 조절 유닛(3000)은 버퍼 공간(2120)을 상압보다 높은 양압이나 상압보다 낮은 음압으로 조절한다. 압력 조절 유닛(3000)은 제1배기부(2720), 제2배기부(2740), 제1공급부(2620), 제2공급부(2640), 가스 공급 라인(3100), 그리고 가스 배기 라인(3200)을 포함한다. The pressure control unit 3000 adjusts the pressure in the buffer space 2120. The pressure control unit 3000 adjusts the buffer space 2120 to a positive pressure higher than normal pressure or a negative pressure lower than normal pressure. The pressure control unit 3000 includes a first exhaust unit 2720, a second exhaust unit 2740, a first supply unit 2620, a second supply unit 2640, a gas supply line 3100, and a gas exhaust line 3200. ).

제1배기부(2720) 및 제2배기부(2740)는 버퍼 공간(2120)의 분위기가 배기되는 통로로 기능한다. 기판(W)으로부터 제거된 파티클 및 퓸은 제1배기부(2720) 및 제2배기부(2740)를 통해 배기된다. 상부에서 바라볼 때 제1배기부(2720)는 제2배기부(2740)에 비해 반출입구(2140a)에 더 가깝게 위치된다. 제1배기부(2720)는 전단 포트들(2720a)을 포함하고, 제2배기부(2740)는 후단 포트(2740a)를 포함한다. 전단 포트(2720a) 및 후단 포트(2740a) 각각은 버퍼 공간(2120)의 분위기를 배기하는 배기 포트로 제공된다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 지지 슬롯(2330)에 지지된 기판(W)을 기준으로 일측에는 전단 포트(2720a)가 위치되고, 타측에는 후단 포트(2740a)가 위치될 수 있다. 전단 포트(2720a)는 복수 개로 제공되며, 반출입구(2140a)와 평행한 방향으로 배열된다. 이로 인해 전단 포트(2720a)는 외부의 오염물이 유입되어 버퍼 공간(2120)의 기판(W)에 접촉되기 전에, 이를 배기하여 기판(W)과 외부의 오염물 간의 접촉을 방지할 수 있다. 또한 버퍼 공간(2120)에서 발생된 오염물이 외부로 배출되기 전에, 이를 배기하여 외부의 오염을 방지할 수 있다. 전단 포트(2720a) 및 후단 포트(2740a)는 하우징의 바닥면과 천장면 중 하나에 설치될 수 있다. 본 실시예에는 전단 포트(2720a) 및 후단 포트(2740a) 각각이 하우징의 바닥면에 설치되는 것으로 설명한다. 선택적으로, 전단 포트(2720a)와 후단 포트(2740a)는 하우징의 천단면에 설치될 수 있으며, 전단 포트(2720a)와 후단 포트(2740a) 중 하나는 천장면에, 그리고 다른 하나는 바닥면에 설치될 수 있다.The first exhaust unit 2720 and the second exhaust unit 2740 function as passages through which the atmosphere of the buffer space 2120 is exhausted. Particles and fumes removed from the substrate W are exhausted through the first exhaust unit 2720 and the second exhaust unit 2740. When viewed from the top, the first exhaust part 2720 is located closer to the carry-in port 2140a than the second exhaust part 2740. The first exhaust part 2720 includes front end ports 2720a, and the second exhaust part 2740 includes rear end ports 2740a. Each of the front end port 2720a and the rear end port 2740a is provided as an exhaust port for exhausting the atmosphere of the buffer space 2120. For example, when viewed from the top, a front port 2720a may be positioned on one side of the substrate W supported by the support slot 2330 and a rear port 2740a may be positioned on the other side. A plurality of shear ports 2720a are provided, and are arranged in a direction parallel to the carrying-in/out port 2140a. Accordingly, the front end port 2720a may prevent contact between the substrate W and the external contaminants by exhausting them before the external contaminants are introduced and contacted the substrate W of the buffer space 2120. In addition, before the contaminants generated in the buffer space 2120 are discharged to the outside, external contamination may be prevented by exhausting them. The front port 2720a and the rear port 2740a may be installed on one of a bottom surface and a ceiling surface of the housing. In the present embodiment, it will be described that each of the front port 2720a and the rear end port 2740a is installed on the bottom surface of the housing. Optionally, the front end port 2720a and the rear end port 2740a may be installed on the top surface of the housing, one of the front end port 2720a and the rear end port 2740a is on the ceiling surface, and the other is on the floor surface. Can be installed.

*70제1공급부(2620) 및 제2공급부(2640)는 버퍼 공간(2120)에 퍼지 가스를 공급한다. 제1공급부(2620) 및 제2공급부(2640)로부터 공급된 퍼지 가스로 인해 버퍼 공간(2120)은 양압을 가지며, 기판(W) 상에 잔류된 오염물을 퍼지할 수 있다. 또한 버퍼 공간(2120)이 가지는 양압으로 인해 외부의 오염물이 유입되는 것을 차단할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제1공급부(2620)는 제2공급부(2640)에 비해 반출입구(2140a)에 더 가깝게 위치된다. 제1공급부(2620)는 복수 개의 제1가스 노즐(2620a)들을 포함한다. 제1가스 노즐(2620a)들은 반출입구(2140a)를 정면으로 바라볼 때, 반출입구(2140a)를 기준으로 양측에 각각 위치된다. 양측에 위치된 제1가스 노즐(2620a)들은 서로를 마주하는 방향으로 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 제1가스 노즐(2620a)들은 수평한 방향으로 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 제1가스 노즐(2620a)들은 퍼지 가스를 반출입구(2140a)와 평행한 방향으로 토출하거나, 퍼지 가스를 반출입구(2140a)에 대해 예각을 이루도록 토출할 수 있다. 이로 인해 외부의 오염물이 버퍼 공간(2120)에 유입되는 것을 차단할 수 있다. 또한 제1가스 노즐(2620a)들은 상하 방향으로 서로 이격되게 배열된다. 예컨대, 서로 인접한 2 개의 제1가스 노즐(2620a)들의 상하 간격은 서로 인접한 2 개의 지지 슬롯들(2330)의 상하 간격과 동일하게 제공될 수 있다. 이로 인해 1 매의 기판(W) 상에는 2 개의 제1가스 노즐(2620a)로부터 퍼지 가스가 공급될 수 있다.*70 The first supply unit 2620 and the second supply unit 2640 supply purge gas to the buffer space 2120. The buffer space 2120 has a positive pressure due to the purge gas supplied from the first supply unit 2620 and the second supply unit 2640, and contaminants remaining on the substrate W may be purged. In addition, it is possible to block the inflow of external contaminants due to the positive pressure of the buffer space 2120. When viewed from the top, the first supply unit 2620 is located closer to the carry-in port 2140a than the second supply unit 2640. The first supply unit 2620 includes a plurality of first gas nozzles 2620a. The first gas nozzles 2620a are respectively located on both sides of the carry-in port 2140a when looking directly at the carry-in port 2140a. The first gas nozzles 2620a positioned on both sides may discharge purge gas in a direction facing each other. The first gas nozzles 2620a may discharge purge gas in a horizontal direction. The first gas nozzles 2620a may discharge the purge gas in a direction parallel to the carry-in inlet 2140a or discharge the purge gas so as to form an acute angle with respect to the carry-in port 2140a. Accordingly, it is possible to block external contaminants from entering the buffer space 2120. In addition, the first gas nozzles 2620a are arranged to be spaced apart from each other in the vertical direction. For example, the vertical intervals of the two first gas nozzles 2620a adjacent to each other may be provided equal to the vertical intervals of the two support slots 2330 adjacent to each other. Accordingly, the purge gas may be supplied from the two first gas nozzles 2620a on one substrate W.

제2공급부(2640)는 복수 개의 제2가스 노즐(2640a)들을 포함한다. 제2가스 노즐(2640a)들은 상하 방향으로 서로 이격되게 위치되며, 제1가스 노즐(2620a)과 동일한 간격을 가지도록 배열된다. 상부에서 바라볼 때 제2가스 노즐(2640a)들은 기판(W)을 향하는 방향으로 퍼지 가스를 토출한다. 이로 인해 1 매의 기판(W) 상에는 적어도 1 개의 제2가스 노즐(2640a)로부터 퍼지 가스가 공급될 수 있으며, 기판(W) 상에 잔류된 오염물을 퍼지하여 세정할 수 있다. 일 예에 의하면, 상하 방향으로 배열된 제2가스 노즐(2640a)들의 그룹은 복수 개로 제공되며, 다양한 각도에서 기판(W)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다. The second supply unit 2640 includes a plurality of second gas nozzles 2640a. The second gas nozzles 2640a are positioned to be spaced apart from each other in the vertical direction, and are arranged to have the same distance as the first gas nozzle 2620a. When viewed from above, the second gas nozzles 2640a discharge purge gas in a direction toward the substrate W. Accordingly, a purge gas may be supplied from at least one second gas nozzle 2640a on one substrate W, and contaminants remaining on the substrate W may be purged and cleaned. According to an example, a plurality of groups of the second gas nozzles 2640a arranged in the vertical direction may be provided, and purge gas may be supplied to the substrate W from various angles.

가스 공급 라인(3100)은 제1공급부(2620)와 제2공급부(2640) 각각에 퍼지 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(3100)은 복수 개로 제공된다. 본 실시예는 가스 공급 라인(3100)이 제1가스 공급 라인(3120)과 제2가스 공급 라인(3140)으로 제공되는 것을 설명한다. 제1가스 공급 라인(3120)은 제1공급부(2620)에 퍼지 가스를 공급하고, 제2가스 공급 라인(3140)은 제2공급부(2640)에 퍼지 가스를 공급한다. 예컨대, 가스 노즐(2600)은 비활성 가스 또는 에어일 수 있다. 제1가스 공급 라인(3120)에는 제1공급 밸브(3122)가 설치되고, 제1공급 밸브(3122)에 의해 제1가스 공급 라인(3120)은 개폐될 수 있다. 제2가스 공급 라인(3140)에는 제2공급 밸브(3142)가 설치되고, 제2공급 밸브(3142)에 의해 제2가스 공급 라인(3140)은 개폐될 수 있다. The gas supply line 3100 supplies purge gas to each of the first supply unit 2620 and the second supply unit 2640. The gas supply line 3100 is provided in plurality. This embodiment describes that the gas supply line 3100 is provided as the first gas supply line 3120 and the second gas supply line 3140. The first gas supply line 3120 supplies purge gas to the first supply unit 2620, and the second gas supply line 3140 supplies purge gas to the second supply unit 2640. For example, the gas nozzle 2600 may be an inert gas or air. A first supply valve 3122 is installed in the first gas supply line 3120, and the first gas supply line 3120 may be opened and closed by the first supply valve 3122. A second supply valve 3142 is installed in the second gas supply line 3140, and the second gas supply line 3140 may be opened and closed by the second supply valve 3142.

가스 배기 라인(3200)은 제1배기부(2720)와 제2배기부(2740) 각각으로부터 버퍼 공간(2120)의 분위기를 배기한다. 가스 배기 라인(3200)은 복수 개로 제공된다. 본 실시예는 가스 배기 라인(3200)이 제1가스 배기 라인(3220)과 제2가스 배기 라인(3240)으로 제공되는 것을 설명한다. 제1가스 배기 라인(3220)은 제1배기부(2720)에 연결되고, 제2가스 배기 라인(3240)은 제2배기부(2740)에 연결된다. 제1가스 배기 라인(3220)에는 제1배기 밸브(3222)가 설치되어 제1가스 배기 라인(3220)을 개폐할 수 있다. 제2가스 배기 라인(3240)에는 제2배기 밸브(3242)가 설치되어 제2가스 배기 라인(3240)을 설치할 수 있다. The gas exhaust line 3200 exhausts the atmosphere of the buffer space 2120 from each of the first exhaust unit 2720 and the second exhaust unit 2740. The gas exhaust line 3200 is provided in plurality. This embodiment describes that the gas exhaust line 3200 is provided as the first gas exhaust line 3220 and the second gas exhaust line 3240. The first gas exhaust line 3220 is connected to the first exhaust unit 2720, and the second gas exhaust line 3240 is connected to the second exhaust unit 2740. A first exhaust valve 3222 is installed in the first gas exhaust line 3220 to open and close the first gas exhaust line 3220. A second exhaust valve 3242 may be installed in the second gas exhaust line 3240 to install a second gas exhaust line 3240.

제어기(3600)는 버퍼 공간(2120)을 충진 모드와 배기 모드 중 선택된 모드로 유지하도록 압력 조절 유닛(3000)을 제어한다. 여기서 충진 모드는 버퍼 공간(2120)에 가스가 충진된 상태를 유지하여 버퍼 공간(2120)을 가압하는 모드이고, 배기 모드는 버퍼 공간(2120)을 배기하는 상태를 유지하는 모드이다. 따라서 제어기(3600)는 충진 모드와 배기 모드 중 어느 하나의 모드가 유지되도록 제1공급 밸브(3122), 제2공급 밸브(3142), 제1배기 밸브(3222), 그리고 제2배기 밸브(3242)를 제어한다. 이러한 밸브들(3122,3122,3242,3242)의 조절을 통해 사용되는 가스 공급 라인(3100)의 수와 사용되는 가스 배기 라인(3200)의 수를 서로 상이하게 조절할 수 있다. 충진 모드와 배기 모드 각각에서 사용되는 가스 공급 라인(3100)의 수와 가스 배기 라인(3200)의 수는 서로 상이하게 제공된다. The controller 3600 controls the pressure control unit 3000 to maintain the buffer space 2120 in a mode selected from a filling mode and an exhaust mode. Here, the filling mode is a mode in which the buffer space 2120 is kept filled with gas to pressurize the buffer space 2120, and the exhaust mode is a mode in which the buffer space 2120 is exhausted. Accordingly, the controller 3600 maintains the first supply valve 3122, the second supply valve 3142, the first exhaust valve 3222, and the second exhaust valve 3242 so that any one of the filling mode and the exhaust mode is maintained. ) To control. The number of used gas supply lines 3100 and the number of used gas exhaust lines 3200 may be differently adjusted through the adjustment of the valves 3122, 3122, 3242, and 3242. The number of gas supply lines 3100 and the number of gas exhaust lines 3200 used in each of the filling mode and the exhaust mode are provided differently from each other.

제어기(3600)는 충진 모드 시 제1공급부(2620) 및 제2공급부(2640) 각각으로부터 퍼지 가스가 공급되고, 제2배기부(2740)의 배기없이 제1배기부(2720)를 통해 버퍼 공간(2120)을 배기하도록 각 밸브(3122,3122,3242,3242)를 제어할 수 있다. 이로 인해 버퍼 공간(2120) 내에는 반출입구(2140a)에 인접한 제1배기부(2720)를 향하는 방향의 기류가 형성되며, 버퍼 공간(2120)의 외부에서 오염물이 유입될지라도, 이는 제1배기부(2720)로 배기되고, 기판(W)에 접촉되는 것을 방지할 수 있다.The controller 3600 is supplied with purge gas from each of the first supply unit 2620 and the second supply unit 2640 in the filling mode, and the buffer space through the first exhaust unit 2720 without exhausting the second exhaust unit 2740. Each valve 3122,3122,3242,3242 can be controlled to exhaust 2120. Due to this, an airflow in the direction toward the first exhaust part 2720 adjacent to the carrying inlet 2140a is formed in the buffer space 2120, and even if contaminants flow in from the outside of the buffer space 2120, this is the first time. Exhaust to the base 2720 and contact with the substrate W may be prevented.

또한 배기 모드 시 제1배기부(2720) 및 제2배기부(2740) 각각으로부터 버퍼 공간(2120)을 배기하고, 제2공급부(2640)의 가스 공급없이 제1공급부(2620)를 통해 버퍼 공간(2120)에 퍼지 가스를 공급하도록 각 밸브를 제어할 수 있다. 이로 인해 버퍼 공간(2120)은 음압이 형성되며 버퍼 공간(2120) 내의 잔류물을 제1배기부(2720)와 제2배기부(2740) 각각으로 배기할 수 있고, 버퍼 공간(2120)의 외부에서 유입되는 오염물은 제1공급부(2620)로부터 공급된 퍼지 가스에 의해 차단할 수 있다. 또한 외부의 오염물이 일부 유입될지라도, 제1배기부(2720)를 통해 배기하여 외부의 오염물이 기판(W)과 접촉되는 것을 방지할 수 있다. In addition, in the exhaust mode, the buffer space 2120 is exhausted from each of the first exhaust unit 2720 and the second exhaust unit 2740, and the buffer space through the first supply unit 2620 without gas supply from the second supply unit 2640 Each valve can be controlled to supply a purge gas to the 2120. As a result, negative pressure is generated in the buffer space 2120, and residues in the buffer space 2120 can be exhausted to the first exhaust unit 2720 and the second exhaust unit 2740, respectively, and the outside of the buffer space 2120 Contaminants introduced from may be blocked by the purge gas supplied from the first supply unit 2620. Also, even if some of the external contaminants are introduced, the external contaminants may be prevented from contacting the substrate W by exhausting them through the first exhaust unit 2720.

일 예에 의하면, 충진 모드에서 사용되는 가스 공급 라인(3100)의 수는 배기 모드에서 사용되는 가스 공급 라인(3100)의 수보다 많게 제공될 수 있다. 또한 배기 모드에서 사용되는 가스 배기 라인(3200)의 수는 충진 모드에서 사용되는 가스 배기 라인(3200)의 수보다 많게 제공될 수 있다. According to an example, the number of gas supply lines 3100 used in the filling mode may be greater than the number of gas supply lines 3100 used in the exhaust mode. In addition, the number of gas exhaust lines 3200 used in the exhaust mode may be greater than the number of gas exhaust lines 3200 used in the filling mode.

또한 충진 모드에서 사용되는 가스 공급 라인(3100)의 수는 가스 배기 라인(3200)의 수보다 많게 제공될 수 있고, 배기 모드에서 사용되는 가스 배기 라인(3200)의 수는 가스 공급 라인(3100)의 수보다 많게 제공될 수 있다.In addition, the number of gas supply lines 3100 used in the filling mode may be provided greater than the number of the gas exhaust lines 3200, and the number of the gas exhaust lines 3200 used in the exhaust mode is the gas supply lines 3100 Can be provided more than the number of.

이로 인해 충진 모드에는 가스의 공급압이 가스의 배기압보다 크게 제공되고, 배기 모드에는 가스의 배기압이 가스의 공급압보다 크게 제공될 수 있다. Accordingly, in the filling mode, the supply pressure of the gas may be provided higher than the exhaust pressure of the gas, and in the exhaust mode, the exhaust pressure of the gas may be provided higher than the supply pressure of the gas.

이러한 충진 모드와 배기 모드는 기판(W)이 버퍼 공간(2120)에 보관되기 전에, 기판(W)을 처리하기 위해 사용되는 가스의 종류에 따라 달리 선택될 수 있다. 일 예에 의하면, 제1공정이 수행된 기판(W)에 대해서는 배기 모드를 유지하고, 상기 제2공정이 수행된 기판(W)에 대해서는 충진 모드를 유지할 수 있다. 제1공정에는 불소(F), 염소(Cl), 또는 브롬(Br)을 포함하는 제1가스가 사용되고, 제2공정에는 암모니아(NH3)를 포함하는 제2가스가 사용될 수 있다. Before the substrate W is stored in the buffer space 2120, the filling mode and the exhaust mode may be differently selected according to the type of gas used to process the substrate W. According to an example, the exhaust mode may be maintained for the substrate W on which the first process has been performed, and the filling mode may be maintained for the substrate W on which the second process has been performed. A first gas including fluorine (F), chlorine (Cl), or bromine (Br) may be used in the first process, and a second gas including ammonia (NH 3 ) may be used in the second process.

또한 충진 모드와 배기 모드는 세정 목적에 따라 달리 선택될 수 있다. 일 예에 의하면, 기판(W) 상에 잔류된 잔류물을 제거할 때에는 배기 모드를 유지하고, 기판(W)을 건조하고자 할 때에는 충진 모드를 유지할 수 있다. 충진 모드 시에는 버퍼 공간(2120) 내에 수증기를 제거함으로써, 기판(W) 상에 잔존하는 이온 성분과 수증기 간의 반응을 억제할 수 있다. 하우징 내에 설치된 히터(미도시)에 의해 충진 모드는 배기 모드일 때보다 버퍼 공간(2120)을 더 높은 온도로 조절할 수 있다. 또한 가스 공급 라인(3100) 상에는 히터가 더 설치되어 배기 모드일 때보다 충진 모드일 때 퍼지 가스를 더 높은 온도로 가열할 수 있다. In addition, the filling mode and the exhaust mode may be selected differently depending on the cleaning purpose. According to an example, when removing residues remaining on the substrate W, the exhaust mode can be maintained, and when the substrate W is to be dried, the filling mode can be maintained. In the filling mode, by removing water vapor in the buffer space 2120, a reaction between the ionic component remaining on the substrate W and water vapor can be suppressed. The filling mode may adjust the buffer space 2120 to a higher temperature than in the exhaust mode by a heater (not shown) installed in the housing. In addition, a heater is further installed on the gas supply line 3100 to heat the purge gas to a higher temperature in the filling mode than in the exhaust mode.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 캐리어(18)에 수납된 제1기판(W1)은 인덱스 로봇(144)에 의해 로드락 챔버(32)로 반송된다. 로드락 챔버(32)의 내부 분위기는 진공 분위기로 전환되고, 제1기판제1기판(W1)은 반송 로봇(250)에 의해 제1공정 유닛으로 반송되어 제1공정이 수행된다. 제1공정이 완료되면, 제1기판(W1)은 반송 로봇(250)에 의해 언로드락 챔버(34)로 반송된다. 언로드락 챔버(34)의 내부 분위기는 상압 분위기로 전환되고, 인덱스 로봇(144)은 제1기판(W1)을 버퍼 유닛(2000)으로 반송한다. Next, a method of processing the substrate W using the substrate processing apparatus described above will be described. The first substrate W 1 accommodated in the carrier 18 is transported to the load lock chamber 32 by the index robot 144. The internal atmosphere of the load lock chamber 32 is converted into a vacuum atmosphere, and the first substrate first substrate W 1 is transferred to the first process unit by the transfer robot 250 to perform the first process. When the first process is completed, the first substrate W 1 is transferred to the unload lock chamber 34 by the transfer robot 250. The internal atmosphere of the unload lock chamber 34 is converted into an atmospheric pressure atmosphere, and the index robot 144 transports the first substrate W 1 to the buffer unit 2000.

제1기판(W1)은 지지 슬롯(2330)에 놓여지면, 버퍼 공간(2120)은 도 8과 같이 배기 모드가 유지된다. 버퍼 공간(2120)에는 제2공급부(2640)의 퍼지 가스 공급없이, 제1공급부(2620)를 통한 퍼지 가스가 공급된다. 또한 버퍼 공간(2120)은 제1배기부(2720) 및 제2배기부(2740) 각각을 통해 배기된다. 제1공급부(2620)의 퍼지 가스는 외부의 오염물이 유입되는 것을 방지하고, 기판(W) 상에 잔류된 잔류물은 제1배기부(2720) 및 제2배기부(2740)를 통해 배기되어 제거된다. 예컨대, 제1공정에 사용되는 가스는 불소(F), 염소(Cl), 또는 브롬(Br)을 포함할 수 있다.When the first substrate W 1 is placed in the support slot 2330, the buffer space 2120 maintains the exhaust mode as shown in FIG. 8. The purge gas is supplied to the buffer space 2120 through the first supply unit 2620 without supplying the purge gas from the second supply unit 2640. In addition, the buffer space 2120 is exhausted through the first exhaust unit 2720 and the second exhaust unit 2740, respectively. The purge gas of the first supply unit 2620 prevents the inflow of external contaminants, and the residue remaining on the substrate W is exhausted through the first exhaust unit 2720 and the second exhaust unit 2740 Is removed. For example, the gas used in the first process may include fluorine (F), chlorine (Cl), or bromine (Br).

또한 제1기판(W1)과 다른 제2기판(W2)은 제2공정 유닛에서 제2공정이 수행된다. 제2공정이 완료된 제2기판(W2)은 버퍼 유닛으로 반송되어 지지 슬롯(2330)에 놓여지면, 버퍼 공간(2120)은 도 9와 같이 충진 모드가 유지된다. 버퍼 공간(2120)에는 제1공급부(2620) 및 제2공급부(2640) 각각으로부터 퍼지 가스가 공급된다. 또한 버퍼 공간(2120)은 제2배기부(2740)의 배기없이 제1배기부(2720)를 통한 배기가 이루어진다. 제1공급부(2620)의 퍼지 가스는 외부의 오염물이 유입되는 것을 차단하고, 제2공급부(2640)의 퍼지 가스는 기판(W)을 건조시킨다. 버퍼 공간(2120) 내에는 제1배기부(2720)를 향하는 방향의 기류가 형성되므로, 버퍼 공간(2120) 내에 외부의 오염물이 유입될지라도 이는 기판(W)과 접촉되기 전에 제1배기부(2720)를 통해 배기된다. 예컨대. 제2공정에 사용되는 가스는 암모니아(NH3)를 포함할 수있다.In addition, the second substrate W 2 different from the first substrate W 1 is subjected to a second process in a second process unit. When the second substrate W 2 on which the second process is completed is transported to the buffer unit and placed in the support slot 2330, the buffer space 2120 is maintained in the filling mode as shown in FIG. 9. A purge gas is supplied from each of the first supply unit 2620 and the second supply unit 2640 to the buffer space 2120. In addition, the buffer space 2120 is exhausted through the first exhaust unit 2720 without exhausting the second exhaust unit 2740. The purge gas of the first supply unit 2620 blocks the inflow of external contaminants, and the purge gas of the second supply unit 2640 dries the substrate W. Since an airflow in the direction toward the first exhaust part 2720 is formed in the buffer space 2120, even if external contaminants flow into the buffer space 2120, this is the first exhaust part ( 2720). for example. The gas used in the second process may include ammonia (NH 3 ).

상술한 실시예에는 제1기판(W1)과 제2기판(W2)이 서로 다른 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 하나의 기판(W)이 제1공정과 제2공정 중 선택적으로 하나의 공정이 수행되고, 버퍼 공간(2120)에는 선택된 공정의 가스 종류에 따라 충진 모드 및 배기 모드 중 선택된 모드가 유지될 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that the first substrate W 1 and the second substrate W 2 perform different processes, but one substrate W is selectively selected from among the first and second processes. A process is performed, and a mode selected from a filling mode and an exhaust mode may be maintained in the buffer space 2120 according to a gas type of the selected process.

상술한 바와 같이, 충진 모드와 배기 모드 각각에는 사용되는 가스 공급 라인(3100)의 수와 가스 배기 라인(3200)의 수를 달리 적용함으로써, 가스의 공급압과 가스의 배기압을 달리 적용할 수 있다. As described above, by differently applying the number of gas supply lines 3100 and the number of gas exhaust lines 3200 to be used in each of the filling mode and the exhaust mode, the supply pressure of the gas and the exhaust pressure of the gas can be differently applied. have.

또한 각 모드에 따라 퍼지 가스의 공급 위치와 배기 위치를 하나 또는 복수 개로 적용하되, 각 모드에는 적어도 하나의 공급 위치와 배기 위치가 반출입구(2140a)에 인접하게 위치되어 외부의 오염물이 유입되거나 내부의 부산물이 유출되는 것을 방지할 수 있다. Also, according to each mode, one or more supply positions and exhaust positions of purge gas are applied, but in each mode, at least one supply position and exhaust position are located adjacent to the carrying inlet 2140a, so that external contaminants are introduced or It can prevent leakage of by-products of

이러한 충진 모드와 배기 모드는 기판(W)이 버퍼 공간(2120)에 보관되기 전에, 기판을 처리하기 위해 사용되는 가스의 종류에 따라 달리 선택되어 기판(W)의 세정 효율을 향상시킬 수 있다. Before the substrate W is stored in the buffer space 2120, the filling mode and the exhaust mode are differently selected depending on the type of gas used to process the substrate, thereby improving the cleaning efficiency of the substrate W.

또한 충진 모드와 배기 모드는 세정 목적에 따라 달리 선택되어 기판(W)의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the filling mode and the exhaust mode may be selected differently depending on the purpose of cleaning, thereby improving the cleaning efficiency of the substrate W.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

2620: 제1공급부 2640: 제2공급부
2720: 제1배기부 2740: 제2배기부
3000: 압력 조절 유닛 3100: 가스 공급 라인
3200: 가스 배기 라인2620: first supply unit 2640: second supply unit
2720: first exhaust unit 2740: second exhaust unit
3000: pressure regulating unit 3100: gas supply line
3200: gas exhaust line

Claims (20)

버퍼 유닛에 있어서,
버퍼 공간을 가지고, 기판이 반입 및 반출되는 반출입구가 형성되는 하우징;
상기 버퍼 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 버퍼 공간의 압력을 조절하는 압력 조절 유닛; 및
상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 복수의 가스 배기 라인; 및
상기 버퍼 공간에 가스를 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 버퍼 공간의 압력을 상압보다 높은 압력으로 유지하는 충진 모드, 그리고 상기 버퍼 공간의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 유지하는 배기 모드 중 어느 하나의 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 버퍼 유닛.In the buffer unit,
A housing having a buffer space and having a carry-in/out port through which the substrate is carried in and carried out;
A substrate support unit supporting a substrate in the buffer space;
A pressure adjusting unit for adjusting the pressure in the buffer space; And
A controller for controlling the pressure regulating unit,
The pressure control unit,
A plurality of gas exhaust lines for exhausting the atmosphere of the buffer space; And
And a plurality of gas supply lines supplying gas to the buffer space,
The controller,
The pressure control unit to control the pressure of the buffer space in any one of a filling mode maintaining the pressure of the buffer space at a pressure higher than normal pressure, and an exhaust mode maintaining the pressure of the buffer space at a pressure lower than normal pressure A buffer unit that controls 제1항에 있어서,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 가스 배기 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제1배기 부; 및
상기 가스 배기 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제2배기 부를 포함하고,
상기 제1배기 부는,
상기 제2배기 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치하는 버퍼 유닛.The method of claim 1,
The pressure control unit,
A first exhaust unit connected to any one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space; And
A second exhaust unit connected to the other one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space,
The first exhaust part,
A buffer unit located closer to the carry-in port than the second exhaust part. 제2항에 있어서,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 가스 공급 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제1공급 부; 및
상기 가스 공급 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제2공급 부를 포함하고,
상기 제1공급 부는,
상기 제2공급 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치되는 버퍼 유닛.The method of claim 2,
The pressure control unit,
A first supply unit connected to any one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space; And
And a second supply unit connected to the other one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space,
The first supply unit,
A buffer unit located closer to the carry-in port than the second supply part. 제3항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 배기 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 제2배기 부가 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하고, 상기 제1공급 부와 상기 제2공급 부 중 상기 제1공급 부가 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 버퍼 유닛.The method of claim 3,
The controller,
When the pressure of the buffer space is adjusted in the exhaust mode, the second exhaust unit exhausts the atmosphere of the buffer space, and the first supply unit of the first supply unit and the second supply unit transfers gas to the buffer space. A buffer unit that controls the pressure regulating unit to supply. 제3항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 충진 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 제2공급 부가 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하고, 상기 제1배기 부와 상기 제2배기 부 중 상기 제1배기 부가 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 버퍼 유닛.The method of claim 3,
The controller,
When the pressure of the buffer space is adjusted in the filling mode, the second supply unit supplies gas to the buffer space, and the first exhaust unit among the first exhaust unit and the second exhaust unit changes the atmosphere of the buffer space. A buffer unit that controls the pressure regulating unit to exhaust. 버퍼 유닛에 있어서,
버퍼 공간을 가지고, 기판이 반입 및 반출되는 반출입구가 형성된 하우징;
상기 버퍼 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 버퍼 공간의 압력을 조절하는 압력 조절 유닛; 및
상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 가스 배기 라인; 및
상기 버퍼 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 제어기는,
충진 모드 및 배기 모드 중 어느 하나의 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하고,
상기 배기 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 가스 공급 라인이 상기 버퍼 공간에 공급하는 가스는 상기 반출입구로부터 멀어지는 방향으로 흐르고, 상기 충진 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 가스 공급 라인이 상기 버퍼 공간에 공급하는 가스는 상기 반출입구를 향하는 방향으로 흐르도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 버퍼 유닛.In the buffer unit,
A housing having a buffer space and having a carry-in port for carrying in and carrying out the substrate;
A substrate support unit supporting a substrate in the buffer space;
A pressure adjusting unit for adjusting the pressure in the buffer space; And
A controller for controlling the pressure regulating unit,
The pressure control unit,
A gas exhaust line for exhausting the atmosphere of the buffer space; And
A gas supply line for supplying gas to the buffer space,
The controller,
Controlling the pressure adjusting unit to adjust the pressure of the buffer space in any one of a filling mode and an exhaust mode,
When the pressure of the buffer space is adjusted in the exhaust mode, the gas supplied by the gas supply line to the buffer space flows in a direction away from the carrying inlet, and when the pressure of the buffer space is adjusted in the filling mode, the gas A buffer unit that controls the pressure control unit so that the gas supplied by a supply line to the buffer space flows in a direction toward the carrying inlet. 제6항에 있어서,
상기 가스 공급 라인, 그리고 상기 가스 배기 라인은 복수로 제공되는 버퍼 유닛.The method of claim 6,
A buffer unit in which a plurality of the gas supply line and the gas exhaust line are provided. 제7항에 있어서,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 가스 배기 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제1배기 부; 및
상기 가스 배기 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제2배기 부를 포함하고,
상기 제1배기 부는,
상기 제2배기 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치하는 버퍼 유닛.The method of claim 7,
The pressure control unit,
A first exhaust unit connected to any one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space; And
A second exhaust unit connected to the other one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space,
The first exhaust part,
A buffer unit located closer to the carry-in port than the second exhaust part. 제7항에 있어서,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 가스 공급 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제1공급 부; 및
상기 가스 공급 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제2공급 부를 포함하고,
상기 제1공급 부는,
상기 제2공급 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치되는 버퍼 유닛.The method of claim 7,
The pressure control unit,
A first supply unit connected to any one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space; And
And a second supply unit connected to the other one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space,
The first supply unit,
A buffer unit located closer to the carry-in port than the second supply part. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 처리하는 공정 유닛;
상기 공정 유닛에서 처리된 기판을 보관하는 버퍼 유닛; 및
상기 공정 유닛, 그리고 상기 버퍼 유닛 사이에 제공되고, 기판을 반송하는 적어도 하나 이상의 로봇을 포함하고,
상기 버퍼 유닛은,
버퍼 공간을 가지는 하우징;
상기 버퍼 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 버퍼 공간의 압력을 조절하는 압력 조절 유닛; 및
상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 복수의 가스 배기 라인; 및
상기 버퍼 공간에 가스를 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 버퍼 공간의 압력을 상압보다 높은 압력으로 유지하는 충진 모드, 그리고 상기 버퍼 공간의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 유지하는 배기 모드 중 선택된 어느 하나의 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A processing unit for processing a substrate;
A buffer unit for storing the substrate processed by the processing unit; And
It is provided between the processing unit and the buffer unit, and includes at least one robot for transporting a substrate,
The buffer unit,
A housing having a buffer space;
A substrate support unit supporting a substrate in the buffer space;
A pressure adjusting unit for adjusting the pressure in the buffer space; And
A controller for controlling the pressure regulating unit,
The pressure control unit,
A plurality of gas exhaust lines for exhausting the atmosphere of the buffer space; And
And a plurality of gas supply lines supplying gas to the buffer space,
The controller,
The pressure is adjusted to control the pressure of the buffer space in one of a filling mode in which the pressure in the buffer space is maintained at a pressure higher than normal pressure, and an exhaust mode in which the pressure in the buffer space is maintained at a pressure lower than normal pressure A substrate processing apparatus that controls the unit. 제10항에 있어서,
상기 하우징에는,
기판이 반입 및 반출되는 반출입구가 형성되고,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 가스 배기 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제1배기 부;
상기 가스 배기 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제2배기 부;
상기 가스 공급 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제1공급 부; 및
상기 가스 공급 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제2공급 부를 포함하고,
상기 제1공급 부는,
상기 제2공급 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치되고,
상기 제1배기 부는,
상기 제2배기 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
In the housing,
A carry-out entrance through which the substrate is carried in and carried out is formed,
The pressure control unit,
A first exhaust unit connected to any one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space;
A second exhaust unit connected to the other one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space;
A first supply unit connected to any one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space; And
And a second supply unit connected to the other one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space,
The first supply unit,
It is located closer to the carrying inlet than the second supply part,
The first exhaust unit,
A substrate processing apparatus positioned closer to the carry-in port than the second exhaust part. 제11항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 배기 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 제2배기 부가 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하고, 상기 제1공급 부와 상기 제2공급 부 중 상기 제1공급 부가 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The controller,
When the pressure of the buffer space is adjusted in the exhaust mode, the second exhaust unit exhausts the atmosphere of the buffer space, and the first supply unit of the first supply unit and the second supply unit transfers gas to the buffer space. A substrate processing apparatus that controls the pressure adjustment unit to supply. 제11항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 충진 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 제2공급 부가 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하고, 상기 제1배기 부와 상기 제2배기 부 중 상기 제1배기 부가 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The controller,
When the pressure of the buffer space is adjusted in the filling mode, the second supply unit supplies gas to the buffer space, and the first exhaust unit among the first exhaust unit and the second exhaust unit changes the atmosphere of the buffer space. A substrate processing apparatus that controls the pressure control unit to exhaust. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 처리하는 공정 유닛;
상기 공정 유닛에서 처리된 기판을 보관하는 버퍼 유닛; 및
상기 공정 유닛, 그리고 상기 버퍼 유닛 사이에 제공되고, 기판을 반송하는 적어도 하나 이상의 로봇을 포함하고,
상기 버퍼 유닛은,
기판이 보관되는 버퍼 공간을 가지고, 기판이 반입 및 반출되는 반출입구가 형성된 하우징;
상기 버퍼 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 버퍼 공간의 압력을 조절하는 압력 조절 유닛; 및
상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 가스 배기 라인; 및
상기 버퍼 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 버퍼 공간의 압력을 양압으로 유지하는 충진 모드, 그리고 상기 버퍼 공간의 압력을 음압으로 유지하는 배기 모드 중 선택된 어느 하나의 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절하도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하고,
상기 배기 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 가스 공급 라인이 상기 버퍼 공간에 공급하는 가스는 상기 반출입구로부터 멀어지는 방향으로 흐르고, 상기 충진 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 가스 공급 라인이 상기 버퍼 공간에 공급하는 가스는 상기 반출입구를 향하는 방향으로 흐르도록 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A processing unit for processing a substrate;
A buffer unit for storing the substrate processed by the processing unit; And
It is provided between the processing unit and the buffer unit, and includes at least one robot for transporting a substrate,
The buffer unit,
A housing having a buffer space in which a substrate is stored, and a carrying inlet port through which the substrate is carried in and carried out;
A substrate support unit supporting a substrate in the buffer space;
A pressure adjusting unit for adjusting the pressure in the buffer space; And
A controller for controlling the pressure regulating unit,
The pressure control unit,
A gas exhaust line for exhausting the atmosphere of the buffer space; And
A gas supply line for supplying gas to the buffer space,
The controller,
Controlling the pressure control unit to adjust the pressure of the buffer space in one of a filling mode for maintaining the pressure of the buffer space at a positive pressure and an exhaust mode for maintaining the pressure of the buffer space at a negative pressure,
When the pressure of the buffer space is adjusted in the exhaust mode, the gas supplied by the gas supply line to the buffer space flows in a direction away from the carry-out inlet, and when the pressure of the buffer space is adjusted in the filling mode, the gas A substrate processing apparatus that controls the pressure control unit so that the gas supplied by a supply line to the buffer space flows in a direction toward the carry-out port. 제14항에 있어서,
상기 가스 공급 라인, 그리고 상기 가스 배기 라인은 복수로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 14,
A substrate processing apparatus in which a plurality of the gas supply lines and the gas exhaust lines are provided. 제15항에 있어서,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 가스 배기 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제1배기 부; 및
상기 가스 배기 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 제2배기 부를 포함하고,
상기 제1배기 부는,
상기 제2배기 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치하는 기판 처리 장치.The method of claim 15,
The pressure control unit,
A first exhaust unit connected to any one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space; And
A second exhaust unit connected to the other one of the gas exhaust lines and exhausting the atmosphere of the buffer space,
The first exhaust part,
A substrate processing apparatus positioned closer to the carry-in port than the second exhaust part. 제15항에 있어서,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 가스 공급 라인 중 어느 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제1공급 부; 및
상기 가스 공급 라인 중 다른 하나와 연결되고, 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 제2공급 부를 포함하고,
상기 제1공급 부는,
상기 제2공급 부보다 상기 반출입구에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 15,
The pressure control unit,
A first supply unit connected to any one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space; And
And a second supply unit connected to the other one of the gas supply lines and supplying gas to the buffer space,
The first supply unit,
A substrate processing apparatus positioned closer to the carry-in port than the second supply unit. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계;
상기 기판 처리 단계가 수행된 이후에 버퍼 유닛의 버퍼 공간에 상기 기판을 보관하는 기판 보관 단계를 포함하고,
상기 버퍼 공간에 상기 기판이 보관되는 동안, 상기 버퍼 공간이 가스 공급 라인이 공급하는 가스에 의해 충진되는 충진 모드와 상기 버퍼 공간의 분위기가 가스 배기 라인에 의해 배기되는 배기 모드 중 어느 하나의 모드로 유지되고, 그리고
상기 배기 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 가스 공급 라인이 상기 버퍼 공간에 공급하는 가스는 상기 버퍼 유닛의 반출입구로부터 멀어지는 방향으로 흐르고, 상기 충진 모드로 상기 버퍼 공간의 압력을 조절시, 상기 가스 공급 라인이 상기 버퍼 공간에 공급하는 가스는 상기 반출입구를 향하는 방향으로 흐르는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
A substrate processing step of processing the substrate;
A substrate storage step of storing the substrate in a buffer space of a buffer unit after the substrate processing step is performed,
While the substrate is stored in the buffer space, a filling mode in which the buffer space is filled by gas supplied by a gas supply line and an exhaust mode in which the atmosphere of the buffer space is exhausted by a gas exhaust line is selected. Maintained, and
When the pressure of the buffer space is adjusted in the exhaust mode, the gas supplied by the gas supply line to the buffer space flows in a direction away from the carrying inlet of the buffer unit, and the pressure of the buffer space is adjusted in the filling mode. And the gas supplied by the gas supply line to the buffer space flows in a direction toward the carrying-out port. 제18항에 있어서,
상기 가스 공급 라인, 그리고 상기 가스 배기 라인은 복수로 제공되고,
상기 가스 공급 라인들 중 어느 하나가 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 위치와 상기 가스 공급 라인들 중 다른 하나가 상기 버퍼 공간으로 가스를 공급하는 위치는 서로 상이하고,
상기 가스 배기 라인들 중 어느 하나가 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 위치와 상기 가스 배기 라인들 중 다른 하나가 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 위치는 서로 상이한 기판 처리 방법.The method of claim 18,
The gas supply line and the gas exhaust line are provided in plurality,
A position at which one of the gas supply lines supplies gas to the buffer space and a position at which the other of the gas supply lines supplies gas to the buffer space are different from each other,
A substrate processing method wherein one of the gas exhaust lines exhausts the atmosphere of the buffer space and the other one of the gas exhaust lines exhausts the atmosphere of the buffer space. 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 기판 처리 단계에는 상기 기판을 제1가스로 처리하는 제1공정과 상기 기판을 제2가스로 처리하는 제2공정 중 하나가 수행되고,
상기 제1가스와 상기 제2가스는 서로 다른 종류의 가스로 제공되고,
상기 기판 처리 단계에서 사용되는 가스의 종류에 따라 상기 기판 보관 단계에서 선택되는 모드가 상이해지는 기판 처리 방법.







The method of claim 18 or 19,
In the substrate processing step, one of a first process of treating the substrate with a first gas and a second process of treating the substrate with a second gas is performed,
The first gas and the second gas are provided as different types of gas,
A substrate processing method in which a mode selected in the substrate storage step is different according to the type of gas used in the substrate processing step.
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