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KR20200131507A - 반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법 - Google Patents

반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법 Download PDF

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KR20200131507A
KR20200131507A KR1020190056215A KR20190056215A KR20200131507A KR 20200131507 A KR20200131507 A KR 20200131507A KR 1020190056215 A KR1020190056215 A KR 1020190056215A KR 20190056215 A KR20190056215 A KR 20190056215A KR 20200131507 A KR20200131507 A KR 20200131507A
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KR
South Korea
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cleaning
substrate
semiconductor substrate
tank
oxide film
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Application number
KR1020190056215A
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Inventor
최은석
이우성
최근민
Original Assignee
에스케이실트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to KR1020190056215A priority Critical patent/KR20200131507A/ko
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Abstract

본 발명은 기판의 친수성을 확보하는 단계; 상기 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계; 상기 기판을 세척하는 단계; 상기 기판의 산화막을 안정화시키는 단계; 및 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 반도체 기판의 세정 방법을 제공한다.

Description

반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법{Apparatus for semiconductor substrate cleaning and semiconductor substrate cleaning method using it}
본 발명은 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼(wafer) 등 반도체 기판은 슬라이싱(Slicing) 공정, 그라인딩(Grinding) 공정, 래핑(Lapping) 공정, 에칭(Etching) 공정, 폴리싱(Polishing) 공정 등의 일련의 제조 공정을 거쳐 생산된다.
반도체 기판은 제조 공정이 진행되는 과정에서 각종 오염물에 의해 표면이 오염될 수 있다. 대표적인 오염물로는 미세 파티클, 금속 오염물, 유기 오염물 등을 들 수 있다. 이러한 오염물은 반도체 기판의 품질을 저하시켜 반도체 소자의 물리적 결함 및 특성 저하를 발생시키므로 궁극적으로는 반도체 소자의 생산 수율이 낮아지는 원인이 된다. 따라서 이러한 오염물들을 제거하기 위해서는 일반적으로 산 또는 알칼리 등의 에칭액이나 순수(DIW, Deionized water)를 이용하는 세정 공정을 거치게 된다. 세정 공정은 반도체 소자 혹은 기판의 제조 공정에 있어서 각종 공정 전/후에 다양한 방법으로 실시된다.
일반적으로 반도체 기판의 세정 공정은, 세정조 내부에서 기판을 세정하는 배스 타입(bath type)의 습식 세정 장치를 이용한다. 습식 세정 장치는 반도체 기판의 표면에 존재하는 파티클(particle), 유기물, 메탈 오염물 등과 같은 오염 물질을 적절한 케미컬(세정액)을 사용하여 화학 반응으로 제거한다.
통상 사용되는 케미컬으로는 SC-1(NH4OH, H2O2, DIW Mixture), SC-2(HCl, H2O2, DIW Mixture)를 기반으로 DHF(dilute HF), 오존수 등의 혼합액이 다양한 농도와 조합에 의해 사용된다.
반도체 기판의 세정 장치는 동시에 초음파를 발생시켜 초음파 진동에 의해 반도체 기판의 표면에 묻은 오염물을 더 효율적으로 제거할 수 있고, 반도체 기판 표면에 형성된 산화막이나 질화막 등을 제거하는 습식 식각(wet etching)의 용도로서 사용할 수 있다.
한편, 반도체 기판의 세정 공정을 진행함에 있어서 파티클의 제거는 SC-1 용액 내에서 반도체 기판 표면의 산화막 제거/형성 과정에 의해 제거되며, 이때 금속 오염물도 함께 제거된다. 하지만, SC-1의 오염 수준이 높거나 특히 반도체 기판의 알루미늄(Al) 산화막 내에 금속 오염물이 포집되어 있는 경우, 산화막을 제거하지 않고는 금속 오염물을 제거하기가 어렵다.
반도체 기판의 세정 공정시, 산화막을 제거하기 위해서는 SC-1 용액 이외에도 HF-03 와 같은 혼합 용액이 더 필요하다. 뿐만 아니라 금속 오염물 제거에 필요한 최소한의 산화막을 제거하기 위해서는 혼합 용액의 적절한 농도비를 유지해야 한다.
그런데, 반도체 기판의 세정 공정에 필요한 혼합 용액(예컨대 HF-03 )의 농도비를 적절하게 선정하는 것 용이하지 않은 문제점이 있다. 즉, HF의 농도가 높을 경우 반도체 기판은 소수성으로 바뀌어 파티클 오염에 취약해지고, O3의 농도가 높을 경우 반도체 기판 표면의 헤이즈(Haze, 연무 현상)가 증가된다.
또한, 종래의 반도체 기판의 세정 공정은 여러 종류의 세정액, 혼합 용액, 린스액 등이 각각 수용된 7 ~ 10 개의 세정조(Bath)에 반도체 기판을 순차적으로 담가서 진행하는 복잡한 프로세스로 이루어지는 문제가 있다.
본 발명은 반도체 기판의 세정 공정의 프로세스를 단순화시켜서 장치를 간소화시킬 수 있고, 세정 공정에 필요한 세정액, 혼합 용액의 농도비를 적절하게 선정함으로써 반도체 기판의 세정 효율을 높일 수 있는 반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은
본 발명의 반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법에 따르면, 반도체 기판의 세정 공정의 프로세스를 5개로 단순화시켜서 장치를 간소화시킬 수 있고, 세정 공정에 필요한 세정액, 혼합 용액의 농도비를 적절하게 선정함으로써 반도체 기판의 세정 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 세정 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1의 제1조에 대한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 세정 방법의 흐름도이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.
실시예에서 반도체 기판은 웨이퍼(W)인 것을 예시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않고 다양한 반도체 기판을 의미할 수 있다. 따라서 반도체 기판, 기판, 웨이퍼는 동일한 의미로 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 세정 장치의 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예의 반도체 기판 세정 장치는 제1조(10), 제2조(20), 제3조(30), 제4조(40) 및 제5조(50)의 세정조(bath)를 포함할 수 있다. 기판은 각 세정조들을 이동하면서 일련의 세정 공정을 거치게 된다.
제1조(10)는 기판의 친수성을 확보하는 단계를 수행할 수 있다.
주지된 바와 같이, 친수성(親水性)은 어떤 물질의 성질이 물에 대해 친화력이 강한 것을 말한다. 즉, 친수성은 물에 잘 용해되는 물질의 성질을 나타낸다. 반면에 소수성(疏水性, hydrophonic property)은 친수성과 반대되는 성질로서, 물과 화합되지 않고 물을 밀어내는 성질을 말한다. 즉, 소수성은 물과 섞이지 않으며 기름과의 친화력이 커서 기름과 잘 섞인다.
습식 세정, 즉 세정조에 담겨지면서 파티클과 금속오염물을 기판으로부터 제거하기 위해서는 기판의 표면은 친수성이 확보될 필요가 있다. 따라서 제1조(10)는 기판 세정에 필요한 기판의 친수성을 확보하는 역할을 한다.
기판의 친수성을 확보하는 단계는 HF-O3 와 오존수에 의해 제1조(10)에서 이루어질 수 있다. 혼합 용액인 HF-O3 는 HF와 O3 의 믹스쳐(Mixture)로 이루어진다.
HF-O3 는 이전 공정에서 형성된 기판의 산화막을 제거할 수 있고, 오존수는 기판이 균일한 두께의 산화막을 갖도록 함으로써 기판의 친수성을 확보하게 한다.
여기서 HF-O3 에 대한 HF 농도는 0. 01 ~ 1 wt% 범위를 갖고, O3 농도는 1~ 50 ppm 의 범위를 가질 수 있다. 또한, 오존수 농도는 1 ~ 50 ppm 범위를 가질 수 있다. 바람직하게는 HF 농도는 0. 01 ~ 0.8 wt% 범위를 갖고, O3 농도는 5~ 40 ppm 의 범위를 가질 수 있다. 또한, 오존수 농도는 10 ~ 40 ppm 범위를 갖는다.
이때, HF-O3 는 순환공급을 하고, 오존수는 오버플로우(Overflow) 방법으로 세정조 내부에 공급되면서 기판과 접촉될 수 있다.
제2조(20)는 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계를 수행한다.
기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계는 SC-1을 이용하여 제2조(20)에서 이루어질 수 있다. SC-1은 NH4OH : H2O2, DIW(탈이온수)의 조합으로 만들어 질 수 있다.
여기서 NH4OH : H2O2, DIW의 농도비는 1 : 1 ~ 10 : 30 ~ 100 를 가질 수 있다.
SC-1의 온도는 RT ~ 70 도 범위를 가질 수 있다.
제3조(30)는 기판을 세척하는 단계를 수행한다. 상술한 단계의 SC-1의 농도에 따라 기판의 산화막의 두께에 차이가 생기므로 일정한 두께의 산화막을 형성하기 위해서 제3조(30)에서 기판을 세척하는 단계는 오존수를 사용한다. 또는 DIW를 이용하여 이루어질 수 있다.
제4조(40)는 기판의 산화막을 안정화시키는 단계를 수행할 수 있다.
기판의 산화막을 안정화시키는 단계는 소수성 표면에 의한 파티클의 재흡착 및 산화막 제거를 통해 금속오염물을 제거할 수 있다.
이를 위해서 기판의 산화막을 안정화시키는 단계는 HF-O3 와 오존수에 의해 제4조(40)에서 이루어질 수 있다. 즉, 제4조(40)는 금속오염물을 제거하기 위하여 산화막 제거를 최소화하는 단계이다.
여기서 HF-O3 에 대한 HF 농도는 0. 01 ~ 1 wt% 범위를 갖고, O3 농도는 1~ 50 ppm 의 범위를 가질 수 있다. 또한, 오존수 농도는 1 ~ 50 ppm 범위를 가질 수 있다. 바람직하게는 HF 농도는 0. 01 ~ 0.8 wt% 범위를 갖고, O3 농도는 5~ 40 ppm 의 범위를 가질 수 있다. 또한, 오존수 농도는 10 ~ 40 ppm 범위를 갖는다.
또한, 기판을 대기 중에 노출하지 않고 오존수를 공급하여 일정한 두께의 산화막을 확보한다. 이때, HF-O3 는 순환공급을 하고, 오존수는 오버플로우(Overflow) 방법으로 세정조 내부에 공급되면서 기판과 접촉될 수 있다.
제5조(50)는 기판을 건조시키는 단계를 수행할 수 있다.
기판을 건조시키는 단계는 마란고니 방법(marangoni method)을 이용하여 이루어질 수 있다. 리프트 드라이(Lift Dry) 방법이라고도 한다.
마란고니 방법은 마란고니 효과(marangoni effect)를 활용한 세정 방법이다. 마란고니 효과는 하나의 액체에 대하여 2개의 다른 표면장력 영역이 존재할 경우, 표면장력이 작은 영역으로부터 표면장력이 큰 영역으로 액체가 흐르는 원리이다.
이를 이용한 마란고니형 웨이퍼 세정장치는 DIW보다 상대적으로 표면장력이 작은 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol; IPA) 증기를 기판의 표면에 인가하여 기판 표면으로부터 DIW를 제거하는 방법이다. 이 때, DIW와 함께 기판 표면의 불순물들이 함께 제거될 수 있다.
도 2는 도 1의 제1조에 대한 구성도이다.
도 2를 참조하면, 상술한 제1조 및 제4조는 다음과 같이 구성될 수 있다.
제1조(10)는 세정조(100), 지지부(미도시), 세정액 분사부(미도시), 기판 회전부(미도시), 용해 모듈(300) 및 초음파 발생부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.
세정조(100)는 세정액(5)이 채워지며 일정 양의 세정액(5)을 수용할 수 있다. 세정액(5)은 각 세정조(10) 내지 제5조(50)마다 다른 종류의 산이나 알칼리 등의 에칭액 또는 각종 불순물들이 제거된 초순수(DIW, DeIonized Water)일 수 있으며, RCA 세정 방법에 사용되는 SC-1(DIW + H2O2 + NH4OH)일 수 있다. 실시예에서 제1조(10) 및 제4조(40)에는 세정액(5)으로 HF-O3 와 오존수가 채워질 수 있다.
세정조(100)는 욕조 형상을 가지며 장치의 내부에 위치하므로 내부 배쓰(Inner Bath)로도 불리울 수 있다. 예를 들어 세정조(100)는 내부에 빈 공간이 형성되고 상부가 개방된 육면체 형상일 수 있다. 세정조(100)는 내식성과 초음파 전달 성능이 우수한 석영, 사파이어 등의 재질로 이루어질 수 있다. 세정조(100)의 바닥면의 두께는 초음파 발생부에 발생된 초음파의 투과율이 높도록 초음파 진동수의 3의 배수에 비례하는 3mm, 6mm, 9mm 등으로 이루어질 수 있다.
세정조(100)의 상부 외측에는 세정조(100)로부터 넘치는(Overflow) 세정액(5)을 수용하여 순환시키도록 외부 세정조(120, Outer Bath)가 더 설치될 수 있다. 외부 세정조(120)의 아래에는 세정조(100)로부터 넘치는 세정액(5)을 배출시키는 배출관(150)이 형성될 수 있다. 배출관(150)은 순환배관(500)과 연결되어, 외부 세정조(120)로 이동한 세정액(5)은 순환배관(500)을 따라 다시 세정조(100)의 상부 영역으로 재공급될 수 있다. 여기서 순환배관(500)에는 배출관(150)으로 배출된 세정액(5)을 펌핑하는 펌프(600)와 세정액(5)의 오염물질을 필터링하는 필터(700)가 더 설치될 수 있다.
순환배관(500)에는 세정액(5)을 공급하고 배수(Drain)하기 위한 각종 밸브, 즉 제1 밸브(410), 제2 밸브(420) 및 제3 밸브(430)가 설치될 수 있다.
이와 같이 세정액(5)은 세정조(100) 내부에서 세정 공정을 수행하는 동안 외부 세정조(120)로 넘치게 되면, 순환배관(500)을 따라 세정조(100)로 다시 유입되어 재사용되는 리사이클을 가질 수 있다. 전술한 세정조(100)의 형상, 두께 및 재료는 상술한 형태에 제한되지 않고 변형 실시 가능하다.
지지부는 세정을 수행하는 동안 세정조(100) 내부에서 다수개의 반도체 기판(W)를 지지한다. 예를 들어 지지부는 도시하지는 않았지만, 다수의 반도체 기판(W)의 하부 영역을 지지하는 다수의 콤(comb)과, 다수의 콤을 연결하는 콤 가이드(comb guide)를 포함할 수 있다.
다수의 콤은 각각 슬롯(slot)이 형성된 봉(bar) 형상으로 이루어지며, 서로 나란하게 배치되면서 수직으로 세워진 다수개의 반도체 기판(W)를 세정조(100) 내부에서 지지할 수 있다. 예를 들어 다수개의 반도체 기판(W)는 25개 내지 50개일 수 있으나 숫자에 제한되지 않는다.
세정액 분사부는 세정조(100) 내부에서 반도체 기판(W)를 향해 세정액(5)을 분사한다. 세정액 분사부는 분사장치, 인젝터로 불리울 수 있다. 세정액 분사부는 순환배관(500)과 연결되면서 세정액(5)을 공급받아 세정조(100) 내부로 분사할 수 있다.
세정액 분사부는 자세하게 도시하지는 않았지만, 순환배관(500)과 연결되어 세정액(5)이 유동하는 유동관과, 유동관에 배치되어 세정액(5)을 세정조(100) 내부로 분사하는 다수의 분사공을 포함할 수 있다. 여기서 유동관은 지지부의 외측을 감싸는 형태로 세정조(100)의 하부, 즉 지지부의 하부에 인접 배치될 수 있다. 다수의 분사공은 반도체 기판(W)를 향하는 유동관의 내측 방향에 배치될 수 있으나 상술한 형태에 제한되지 않고 다양하게 변형 실시가능하다.
용해 모듈(300)은 O3 가스와 DIW를 용해시켜 오존수를 생성한 후 세정액 분사부에 공급함으로써 세정조(100) 내부로 오존수가 공급되도록 할 수 있다.
초음파 발생부는 세정조(100) 하부에 위치하며 지지부에 지지된 반도체 기판(W)를 향해 초음파를 발생시켜 반도체 기판(W)으로 전달할 수 있다. 초음파 발생부에서는 서로 다른 진동수를 갖는 적어도 두 개의 초음파를 발생시켜 세정 능력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어 초음파 발생부는 950 KHz의 주파수를 갖는 진동자(Mega-sonic)를 적어도 하나 포함할 수 있다.
초음파 발생부에서 발생된 초음파는 세정액(5)을 통해 상방향으로 전파되어 반도체 기판(W) 표면으로 전달되면서 반도체 기판(W) 표면의 오염 물질이 세정액(5)과 함께 작용하면서 될 수 있다.
여기서 초음파 발생부는 세정조(100) 아래에서 직접 초음파를 전달할 수도 있지만 유체를 통해 초음파를 전달할 수 있다. 이를 위해 초음파 발생부는 초음파 전달수조(미도시) 내부에 설치될 수 있다. 초음파 전달수조(140)에는 초음파의 전달을 위해 물과 같은 유체가 채워지고 세정조(100)의 하단부는 초음파 전달수조에 채워진 유체에 잠길 수 있다.
이와 같은 구성을 통해 초음파 세정장치(1)는 세정액(5)을 분사함과 동시에 초음파를 발생시켜 반도체 기판(W) 표면의 이물질에 대한 세정을 수행할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 반도체 기판의 세정 장치는 제1조(10) 내지 제5조(50)를 구비하며, 반도체 기판(W)의 세정 공정의 프로세스를 5개로 순화시켜서 장치를 간소화시킬 수 있고, 세정 공정에 필요한 세정액, 혼합 용액의 농도비를 적절하게 선정함으로써 반도체 기판의 세정 효율을 높일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 세정 방법의 흐름도이다.
이하, 도 3과 전술한 도면들을 참조하며, 실시예의 반도체 기판의 세정 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판의 친수성을 확보하는 단계가 수행된다(S100).
상기 단계(S100)는 HF-O3 와 오존수에 의해 제1조(10)에서 이루어질 수 있다.
여기서 HF-O3 에 대한 HF 농도는 0. 01 ~ 1 wt% 범위를 갖고, O3 농도는 1~ 50 ppm 의 범위를 가질 수 있다. 이때 HF-O3 는 순환공급을 하고, 오존수는 오버플로우(Overflow) 방법으로 공급할 수 있다.
이어서 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계가 수행된다(200).
상기 단계(S200)는 SC-1을 이용하여 제2조(20)에서 이루어질 수 있다.
이때, SC-1에서 NH4OH : H2O2, DIW의 농도비는 1 : 1 ~ 10 : 30 ~ 100 를 가질 수 있다. 또한, SC-1의 온도는 RT ~ 70 도 범위를 가질 수 있다.
다음은 기판을 세척하는 단계가 수행된다(S300).
상기 단계(S300)는 오존수 또는 DIW를 이용하여 제3조(30)에서 이루어질 수 있다.
기판이 세척되고 난 후에는 기판의 산화막을 안정화시키는 단계(S400)가 수행된다. 상기 단계(S400)는 HF-O3 와 오존수에 의해 제4조(40)에서 이루어질 수 있다.
여기서 HF-O3 에 대한 HF 농도는 0. 01 ~ 1 wt% 범위를 갖고, O3 농도는 1~ 50 ppm 의 범위를 가질 수 있다. 이때 HF-O3 는 순환공급을 하고, 오존수는 오버플로우(Overflow) 방법으로 공급할 수 있다.
마지막으로 기판을 건조시키는 단계를 수행한다(S500).
상기 단계(S500)는 제5조(50)에서 마란고니 방법을 이용하여 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 세정 공정들은 배치식(Batch Process)에 국한되지 않고 매엽식에도 공통으로 적용될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법에 따르면, 종래 7-10개의 프로세서를 개선하여 반도체 기판의 세정 공정의 프로세스를 5개로 단순화시켜서 장치를 간소화시킬 수 있고, 세정 공정에 필요한 세정액, 혼합 용액의 농도비를 적절하게 선정함으로써 반도체 기판의 세정 효율을 높일 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : 반도체 기판의 세정 장치 5 : 세정액
10 : 제1조 20 : 제2조
30 : 제3조 40 : 제4조
50 : 제5조 100 : 세정조
120 : 외부 세정조 150 : 순환배관
300 : 용해 모듈 410 : 제1 밸브
420 : 제2 밸브 430 : 제3 밸브
500 : 순환배관 600 : 필터
700 : 펌프

Claims (12)

  1. 기판의 친수성을 확보하는 단계;
    상기 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계;
    상기 기판을 세척하는 단계;
    상기 기판의 산화막을 안정화시키는 단계; 및
    상기 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 반도체 기판의 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 친수성을 확보하는 단계는
    HF-O3 와 오존수에 의해 이루어지는 반도체 기판의 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계는
    SC-1을 이용하여 이루어지는 반도체 기판의 세정 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 SC-1에서
    NH4OH : H2O2, DIW의 농도비는 1 : 1 ~ 10 : 30 ~ 100 를 갖는 반도체 기판의 세정 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 SC-1의 온도는 RT ~ 70 도 범위를 갖는 반도체 기판의 세정 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 세척하는 단계는
    오존수 또는 DIW를 이용하여 이루어지는 반도체 기판의 세정 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 기판의 산화막을 안정화시키는 단계는
    HF-O3 와 오존수에 의해 이루어지는 반도체 기판의 세정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계와
    상기 기판의 산화막을 안정화시키는 단계에서
    각각의 HF-O3 에 대한 HF 농도는 0. 01 ~ 1 wt% 범위를 갖고,
    O3 농도는 1~ 50 ppm 의 범위를 갖는 반도체 기판의 세정 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 단계와
    상기 기판의 산화막을 안정화시키는 단계에서
    각각의 오존수 농도는 1 ~ 50 ppm 범위를 갖는 반도체 기판의 세정 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 HF-O3 는 순환공급을 하고,
    상기 오존수는 오버플로우(Overflow) 방법으로 공급하는 반도체 기판의 세정 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 건조시키는 단계는
    상기 마란고니 방법(marangoni method)을 이용하여 이루어지는 반도체 기판의 세정 방법.
  12. 기판의 친수성을 확보하는 제1조;
    상기 기판의 표면에서 파티클을 제거하는 제2조;
    상기 기판을 세척하는 제3조;
    상기 기판의 산화막을 안정화시키는 제4조; 및
    상기 기판을 건조시키는 제5조를 포함하는 반도체 기판의 세정 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN115569910A (zh) * 2022-10-18 2023-01-06 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 提高硅片bsd后洗净能力的清洗方法

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