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KR20200115761A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR20200115761A
KR20200115761A KR1020190033840A KR20190033840A KR20200115761A KR 20200115761 A KR20200115761 A KR 20200115761A KR 1020190033840 A KR1020190033840 A KR 1020190033840A KR 20190033840 A KR20190033840 A KR 20190033840A KR 20200115761 A KR20200115761 A KR 20200115761A
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light
control layer
light control
conversion unit
display device
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KR1020190033840A
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김수동
최용석
김수진
지우만
지호연
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Priority to US16/795,343 priority patent/US11450715B2/en
Priority to EP20164672.6A priority patent/EP3716336B1/en
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Abstract

일 실시예의 표시 장치는 화소 영역 및 상기 화소 영역에 인접한 주변 영역이 정의된 베이스 기판, 평면상에서 상기 화소 영역과 중첩하도록 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 복수의 표시소자들, 상기 표시소자들 상에 배치되고, 상기 제1 광을 투과하는 투과부, 상기 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 변환부, 및 상기 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 제2 광 변환부를 포함하는 제1 광 제어층, 및 평면상에서 상기 제1 광 변환부의 적어도 일부와 중첩하고, 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제2 광 제어층을 포함하고, 이에 따라 표시 장치의 광 효율이 증가할 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법 {DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 발명이다. 보다 상세하게는, 광 효율이 향상된 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시패널은 광원으로부터 생성된 소스광을 선택적으로 투과시키는 투과형 표시패널과 표시패널 자체에서 소스광을 생성하는 발광형 표시패널을 포함한다. 표시패널은 컬러 이미지를 생성하기 위해 화소들에 따라 다른 종류의 컬러 제어층을 포함할 수 있다. 컬러 제어층은 소스광의 일부 파장범위만 투과시키거나, 소스광의 컬러를 변환시킬 수 있다. 일부의 컬러 제어층은 소스광의 컬러는 변경하지 않고, 광의 특성을 변경시킬 수도 있다.
본 발명은 일부 광의 변환 효율을 증가시켜 전체 광 효율이 증가된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 간단한 공정을 추가하여 표시 장치의 광 효율을 증가시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 화소 영역 및 상기 화소 영역에 인접한 주변 영역이 정의된 베이스 기판, 평면상에서 상기 화소 영역과 중첩하도록 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 복수의 표시소자들, 상기 표시소자들 상에 배치되고, 상기 제1 광을 투과하는 투과부, 상기 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 변환부, 및 상기 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 제2 광 변환부를 포함하는 제1 광 제어층, 및 평면상에서 상기 제1 광 변환부의 적어도 일부와 중첩하고, 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제2 광 제어층을 포함한다.
상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층의 적어도 일부와 접촉할 수 있다.
상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 변환부와 접촉할 수 있다.
상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층 및 상기 표시소자들 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 상기 제1 광 제어층 상에 배치되는 컬러필터층을 더 포함할 수 있다.
상기 컬러필터층은 평면상에서 상기 투과부에 중첩되고 상기 제1 광을 투과시키는 제1 컬러필터부, 평면상에서 상기 제1 광 변환부에 중첩되고 상기 제2 광을 투과시키는 제2 컬러필터부, 및 평면상에서 상기 제2 광 변환부에 중첩되고 상기 제3 광을 투과시키는 제3 컬러필터부를 포함할 수 있다.
상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층 및 상기 컬러필터층 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 상기 표시소자들 상에 배치되고, 최외각에 무기막을 포함하는 봉지 부재, 및 상기 봉지 부재와 상기 제1 광 제어층 사이에 배치되는 충진층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 광 제어층은 상기 투과부, 상기 제1 광 변환부, 및 상기 제2 광 변환부 사이에 배치되고, 평면상에서 상기 주변 영역에 중첩하는 차광 패턴을 더 포함할 수 있다.
단면상에서 상기 제1 광 변환부의 높이는 상기 차광 패턴의 높이보다 작거나 같고, 단면상에서 상기 제1 광 변환부의 높이와 상기 제2 광 제어층의 높이의 합은 상기 차광 패턴의 높이보다 크거나 같을 수 있다.
상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층과 실질적으로 동일한 굴절률을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 화소 영역 및 상기 화소 영역에 인접한 주변 영역이 정의된 베이스 기판, 평면상에서 상기 화소 영역과 중첩하도록 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 표시소자, 상기 표시소자 상에 배치되고, 평면상에서 상기 화소 영역에 중첩하며, 상기 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 제어층, 및 평면상에서 상기 제1 광 제어층에 적어도 일부가 접촉하고, 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제 2 광 제어층을 포함한다.
상기 제1 광 변환부는 복수의 양자점들을 포함하고, 상기 제2 광 제어층은 상기 복수의 양자점들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1, 제2 및 제3 화소영역들과 상기 제1, 제2 및 제3 화소영역들에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판을 준비하는 단계, 상기 제1, 제2 및 제3 화소영역들에 대응하며, 제1 광을 생성하는 복수의 표시소자들을 포함하는 하부 표시기판을 준비하는 단계, 및 상기 상부 표시기판과 상기 하부 표시기판을 결합하는 단계를 포함한다. 상기 상부 표시기판을 준비하는 단계는, 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 베이스 기판의 하면 상에, 상기 제1 화소영역에 대응하고 상기 제1 광을 투과하는 투과부, 상기 제2 화소영역에 대응하고 상기 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 상기 제1 광 변환부, 및 상기 제3 화소영역에 대응하고 상기 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 제2 광 변환부를 포함하는 제1 광 제어층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 광 제어층 상에 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제2 광 제어층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제2 광 제어층을 형성하는 단계에서, 상기 제2 광 제어층은 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 전면적으로 중첩하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 광 제어층의 제1 광 변환부와 평면상에서 적어도 일부가 중첩하는 제2 광 제어층을 더 포함하여, 제1 광이 제2 광으로 변환되는 효율을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 전체 광 효율이 증가될 수 있다.
도 1은 일 실시예의 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시예의 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 도 3의 A 영역에 대응하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 9은 도 8의 II-II'선에 대응하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 11는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 일부 단계를 순차적으로 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 일부 단계를 도시한 단면도이다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살펴보기로 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "상부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에" 또는 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 "상에" 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.
한편, 본 출원에서 "직접 접한다"는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 접하는"것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예의 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 일 실시예의 표시 장치의 평면도이다. 도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시소자(OLED), 표시소자(OLED) 상에 배치되는 제1 광 제어층(CCL1) 및 제2 광 제어층(CCL2)을 포함한다.
본 발명에 따른 표시소자는 자발광 소자로서 유기발광 다이오드(OLED)일 수 있고, 유기발광 다이오드(OLED)는 제1 광을 생성하는 것일 수 있다. 예를 들어, 유기발광 다이오드(OLED)가 제공하는 제1 광은 청색광일 수 있고, 청색광은 410nm 이상 480nm 이하의 파장 영역의 광에 해당하는 것일 수 있다.
표시 장치(DD)는 서로 대향되어 배치되는 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 더 포함할 수 있고, 유기발광 다이오드(OLED)는 제2 기판(SUB2) 상에 배치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 영상을 표시하는 표시영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비 표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비 표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 외곽에 배치될 수 있다.
표시 장치(DD)는 제1 방향(DR1)의 축과 및 제2 방향(DR2)의 축이 정의하는 평면을 가진 사각형 형상일 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 영역(DA)의 형상과 비 표시영역(NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
한편, 도 2에서 표시 장치(DD)는 평면형 표시면을 구비하는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하고, 예컨대, 다각 기둥형 표시면을 포함할 수도 있다.
표시영역(DA)은 복수의 화소 영역들(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R)을 포함할 수 있다. 화소 영역들(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R)은 예를 들어, 복수의 게이트 라인들 및 복수의 데이터 라인들에 의해 정의될 수 있다. 화소 영역들(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역들(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R) 각각에는 후술하는 화소가 배치될 수 있다.
표시 장치(DD)는 평면상에서 이웃하여 배치되고, 서로 다른 파장의 광을 방출하는 제1 화소 영역, 제2 화소 영역 및 제3 화소 영역을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 제1 화소 영역은 청색 화소 영역(Pxa-B), 제2 화소 영역은 녹색 화소 영역(Pxa-G), 제3 화소 영역은 적색 화소 영역(Pxa-R)일 수 있다. 즉, 일 실시예에서, 표시 장치(DD)는 청색 화소 영역(Pxa-B), 녹색 화소 영역(Pxa-G), 및 적색 화소 영역(Pxa-R)을 포함하는 것일 수 있다. 청색 화소 영역(Pxa-B)은 청색광을 방출하는 청색 발광 영역이고, 녹색 화소 영역(Pxa-G)과 적색 화소 영역(Pxa-R)은 각각 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역을 나타낼 수 있다.
일 실시예에서 표시 장치(DD)는 리지드 표시 장치일 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 본 발명에 따른 표시 장치(DD)는 플렉서블 표시 장치일 수 있다.
도 3을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 대향하는 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2)을 포함할 수 있다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 각각 독립적으로 폴리머 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 또는 석영 기판 등일 수 있다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 각각 리지드한 것일 수 있다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 각각 플렉서블한 것일 수 있다. 도 3에서는 표시 장치(DD)가 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 본 발명에 따른 표시 장치(DD)는 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수 있다.
한편, 표시 장치(DD)는 제2 기판(SUB2) 상에 배치되는 회로층(CL)을 포함할 수 있으며, 회로층(CL)에 관하여 하기 도 11을 통해 상세히 설명한다.
일 실시예에서 표시 장치(DD)는 제1 화소영역(Pxa-B)과 중첩되는 제1 유기발광 다이오드, 상기 제2 화소영역(Pxa-G)과 중첩되는 제2 유기발광 다이오드 및 상기 제3 화소영역(Pxa-R)과 중첩되는 제3 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3의 유기발광 다이오드(OLED) 각각은 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3의 유기발광 다이오드의 발광층(EML)은 일체의 형상을 가지며, 화소 영역들(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R)과 주변 영역(NPxa)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 제1 광을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 청색 광을 생성할 수 있다.
봉지부재(TFE)는 유기발광 다이오드(OLED)상에 배치되어 유기발광 다이오드(OLED)를 밀봉한다. 봉지부재(TFE)는 최외곽에 배치되는 무기막(IL)을 포함할 수 있다. 봉지부재(TFE)는 유기막(OL)을 더 포함할 수 있고, 또는 무기막(IL) 및 유기막(OL)이 교대로 반복된 구조를 가질 수 있다. 봉지부재(TFE)는 수분/산소로부터 유기발광 다이오드(OLED)를 보호하고, 먼지 입자와 같은 이물질로부터 유기발광 다이오드(OLED)를 보호하는 역할을 할 수 있다.
일 실시예에서, 무기막(IL)은 하부의 유기발광 다이오드(OLED)를 보호할 수 있는 물질이라면 특별히 제한되지 않고 포함할 수 있으며, 예를 들어, 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiOyNx), 실리콘 옥사이드(SiOy), 티타늄옥사이드(TiOy), 또는 알루미늄옥사이드(AlOy) 등을 포함할 수 있다.
유기막(OL)은 아크릴레이트 계열의 유기물을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되지 않는다. 무기막(IL)은 증착법 등에 의해 형성될 수 있고, 유기막(OL)은 증착법, 코팅법 등에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 제1 광 제어층(CCL1) 및 제2 광 제어층(CCL2)을 포함한다.
제1 광 제어층(CCL1)은 제1 광을 투과하는 투과부(TP), 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 변환부(CCP1), 및 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 제2 광 변환부(CCP2)를 포함한다. 예를 들어, 제2 광은 녹색광일 수 있고, 녹색광은 500nm 이상 570nm 이하의 파장 영역의 광에 해당하는 것일 수 있다. 제3 광은 적색광일 수 있고, 625nm 이상 675nm 이하의 파장 영역의 광에 해당하는 것일 수 있다.
제1 광 변환부(CCP1) 및 제2 광 변환부(CCP2)에는 발광체가 포함될 수 있다. 발광체는 광의 파장을 변환시키는 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 광 변환부(CCP1)와 제2 광 변환부(CCP2)에 포함되는 발광체는 양자점(Quantum Dot)일 수 있다.
양자점들은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되며, 작은 크기로 인해 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 양자 구속(quantum confinement) 효과를 나타낸다. 양자점들에 밴드 갭보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 양자점들은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 파장의 빛은 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점들은 그 크기와 조성 등을 조절하면 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있다.
양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.
양자점은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하는 코어쉘 구조일 수 있다. 또한, 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 나노미터 스케일의 크기를 갖는 입자일 수 있다. 양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상이 변화될 수 있다. 예를 들어, 제1 광 변환부(CCP1)에 포함되는 양자점의 입자 크기는 제2 광 변환부(CCP2)에 포함되는 양자점의 의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다. 이때, 제1 광 변환부(CCP1)에 포함되는 양자점은 제2 광 변환부(CCP2)에 포함되는 양자점보다 단파장의 광을 방출하는 것일 수 있다.
일 실시예에서 제1 광 제어층(CCL1)은 베이스 수지 및 발광체를 포함할 수 있다. 제1 광 제어층(CCL1)은 산란 입자를 더 포함할 수 있다. 발광체 및 산란 입자는 제1 광 제어층(CCL1) 중 일부에만 포함될 수 있다. 일 실시예에서, 투과부(TP)에는 발광체가 포함되지 않고, 산란 입자만 포함될 수 있다. 제1 광 변환부(CCP1) 및 제2 광 변환부(CCP2)에는 발광체와 산란 입자가 함께 포함될 수 있다.
제1 광 제어층(CCL1)은 투과부(TP)와 복수의 광 변환부(CCP1, CCP2)들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2) 각각은 평면상에서 서로 이격되어 배치되는 것일 수 있다. 도 3을 참조하면, 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2) 각각은 제1 방향(DR1)의 축과 제3 방향(DR3)의 축이 정의하는 평면상에서 서로 이격되어 배열되는 것일 수 있다.
투과부(TP)는 제1 화소영역(Pxa-B)에 대응하여 배치되고, 제1 광 변환부(CCP1)는 제2 화소영역(Pxa-G)에 대응하여 배치되고, 제2 광 변환부(CCP2)는 제3 화소영역(Pxa-R)에 대응하여 배치될 수 있다.
도 3에서는 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1) 및 제2 광 변환부(CCP2)가 서로 동일한 면적 또는 두께를 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않으며, 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1) 및 제2 광 변환부(CCP2)가 각각 서로 다른 면적 또는/및 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 광 변환부(CCP2)는 투과부(TP) 및 제1 광 변환부(CCP1)에 비해 넓은 면적을 가질 수 있다. 투과부(TP)는 제1 광 변환부(CCP1) 및 제2 광 변환부(CCP2)에 비해 작은 면적을 가질 수 있다.
이격된 투과부(TP) 및 제1 광 변환부(CCP1)의 사이, 및/또는 제1 광 변환부(CCP1) 및 제2 광 변환부(CCP2)의 사이에는 차광 패턴(BP)이 배치될 수 있다. 도 3에서는 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2) 각각의 사이에 차광 패턴(BP)이 배치된 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 차광 패턴(BP)은 생략될 수 있다.
제2 광 제어층(CCL2)은 평면상에서 제1 광 변환부(CCP1)의 적어도 일부와 중첩한다. 일 실시예에서, 제2 광 제어층(CCL2)은 평면상에서 제1 광 변환부(CCP1)에 중첩하고, 투과부(TP) 및 제2 광 변환부(CCP2)에도 중첩할 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 평면상에서 제1 광 제어층(CCL1)과 전면적으로 중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 광 제어층(CCL2)은 제1 광 제어층(CCL1)에 접촉할 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 제1 광 제어층(CCL1)의 하부에 배치되고, 제1 광 제어층(CCL1)의 하면에 접촉할 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 제1 광 제어층(CCL1)의 제1 광 변환부(CCP1)의 하면에 접촉할 수 있다.
제2 광 제어층(CCL2)은 제1 광 제어층(CCL1)과 실질적으로 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 제1 광 변환부(CCP1)와 실질적으로 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제2 광 제어층(CCL2)은 제1 광 변환부(CCP1)와 동일한 베이스 수지를 포함하고, 실질적으로 동일한 굴절률을 가질 수 있다.
제2 광 제어층(CCL2)은 제1 광을 제2 광으로 변환시킬 수 있다. 구체적으로, 제1 광은 청색 광이고, 제1 광 제어층(CCL1)의 제1 광 변환부(CCP1)는 청색 광을 녹색 광으로 변환시키고, 제2 광 제어층(CCL2) 또한 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 것일 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 제2 광 제어층(CCL2)은 제2 광 변환부(CCP2)와 동일하게, 청색 광을 적색 광으로 변환시키는 것일 수도 있다.
제2 광 제어층(CCL2)은 발광체를 포함할 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)에 포함되는 발광체는 양자점(Quantum Dot)일 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)에 포함되는 발광체는 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 것일 수 있다. 예를 들어, 제2 광 제어층(CCL2)에 포함된 발광체는 제1 광 제어부(CCP1)에 포함된 발광체와 동일한 것으로, 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 것일 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 제2 광 제어층(CCL2)에 포함된 발광체는 제2 광 제어부(CCP2)에 포함된 발광체와 동일한 것으로, 청색 광을 적색 광으로 변환시키는 것일 수도 있다. 또는, 제2 광 제어층(CCL2)는 청색광을 적색광으로 변환시키는 발광체와 청색광을 녹색광으로 변환시키는 발광체를 모두 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 제2 광 제어층(CCL2)은 발광체를 포함하지 않고, 산란 입자만 포함하는 것일 수도 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(DD)는 컬러필터층(CFL)을 포함할 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 제1 광 제어층(CCL1) 상에 배치되고, 제1 내지 제3 컬러필터부(B-CFP, G-CFP, R-CFP) 및 차광부(BM)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 내지 제3 컬러필터부(B-CFP, G-CFP, R-CFP)는 평면상에서 서로 이격되어 배치되는 것일 수 있다. 도 3을 참조하면, 제1 내지 제3 컬러필터부(B-CFP, G-CFP, R-CFP)는 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되어 배열되는 것일 수 있다.
제1 컬러필터부(B-CFP)는 투과부(TP)에 대응하여 배치되며 상기 제1 색을 투과시키고, 제2 컬러필터부(G-CFP)는 제1 광 변환부(CCP1)에 대응하여 배치되며 제1 색을 차단하며, 제2 색을 투과시키고, 제3 컬러필터부(R-CFP)는 제2 광 변환부(CCP2)에 대응하여 배치되며 제1 색을 차단하고 제3 색을 투과시킬 수 있다. 표시 장치(DD)는 컬러필터층(CFL)을 포함함으로써, 외광반사를 효과적으로 저감하고, 혼색을 방지할 수 있다.
차광부(BM)는 주변영역(NPxa)에 대응하여 제공된다. 차광부(BM)는 블랙 안료 또는 염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 컬러필터부 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 차광부(BM)의 적어도 일 부분은 이웃하는 컬러필터부와 중첩하여 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 방향(DR1)의 축과 제3 방향(DR3)의 축이 정의하는 평면상에서 차광부(BM)는 두께 방향으로 이웃하는 컬러필터부들과 적어도 일부분이 중첩되도록 배치될 수 있다. 도 3에서는 차광부(BM)가 컬러필터부들과 두께 방향에서 전부 중첩하여, 차광부(BM)의 두께가 컬러필터층(CFL) 전체의 두께와 동일한 것으로 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 차광부(BM)의 두께는 컬러필터층(CFL) 전체의 두께보다 작을 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 차광부(BM)가 컬러필터층(CFL)에 포함된 것을 개시하였으나, 이에 제한되지 않고 차광부(BM)는 생략될 수도 있다.
충진층(BFL)은 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2) 사이에 배치될 수 있다. 충진층(BFL)은 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2) 사이에 배치되어 제2 광 제어층(CCL2)이 봉지부재(TFE)와 접촉되는 것을 방지하고, 표시 장치(DD)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 충진층(BFL)은 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2) 사이를 충전할 수 있다. 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2) 사이를 충전한다는 것은, 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2) 사이에 내부 공간이 발생하지 않도록 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2) 사이의 공간은 모두 충진층(BFL)으로 채워지며, 충진층(BFL)이 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2)과 접하는 것을 의미할 수 있다.
충진층(BFL)은 제2 광 제어층(CCL2)에 포함되는 발광체 및/또는 산란입자 등이 내부 공기에 의해 산화되는 것을 차단할 수 있고, 이에 따라, 표시 장치(DD)는 광 추출 효율이 크게 변화하지 않고 유지될 수 있다.
일 실시예에서, 충진층(BFL)은 봉지부재의 최외곽에 배치된 무기막(IL) 상에 직접 배치될 수 있다. 충진층(BFL)은 무기 바인더, 유기 바인더 또는 액정 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되지 않는다.
도 3에서는 봉지부재(TFE)와 제2 광 제어층(CCL2) 사이에 충진층(BFL)이 배치된 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 충진층(BFL)은 생략될 수 있다. 이 경우, 봉지부재(TFE)의 상면에 제2 광 제어층(CCL2)이 직접 배치되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 변환부에 대하여, 평면상에서 제1 광 변환부에 중첩하는 제2 광 제어층을 포함한다. 또한, 제2 광 제어층은 제1 광 변환부와 동일하게 제1 광을 제2 광으로 변환시킬 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 특정 파장을 가지는 광의 광 변환 효율이 증가할 수 있다. 이를 통해, 표시 장치의 전체 광 효율이 증가할 수 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 4 내지 도 6에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(DD-2, DD-3, DD-4)에 있어서, 도 2의 I-I'선에 대응하는 단면을 도시하였다. 이하, 도 4 내지 도 6을 설명함에 있어서, 앞서 도 3에서 설명한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)에서, 제2 광 제어층(CCL2-1)은 컬러필터층(CFL)과 제1 광 제어층(CCL1) 사이에 배치될 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2-1)은 평면상에서 제1 광 변환부(CCP1) 및 제2 컬러필터부(G-CFP)와 적어도 일부가 중첩하도록 배치될 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2-1)은 컬러필터층(CFL)과 제1 광 제어층(CCL1)의 사이에서, 적어도 일부가 제1 광 변환부(CCP1)의 상면에 접촉하도록 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-2)에서, 제2 광 제어층(CCL2-2)은 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1) 및 제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)를 포함할 수 있다.
제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)는 평면상에서 제1 광 변환부(CCP1)와 전면적으로 중첩할 수 있다. 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)와 제1 광 변환부(CCP1)는 제2 화소영역(Pxa-G)에 전면적으로 중첩하고, 주변 영역(NPxa), 제1 화소영역(Pxa-B) 및 제3 화소영역(Pxa-R)에 중첩하지 않도록 패터닝 된 것일 수 있다.
제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)는 제1 광 변환부(CCP1)와 접촉할 수 있다. 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)는 제1 광 변환부(CCP1)와 동일하게, 제1 광을 제2 광으로 변환시킬 수 있다. 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)는 제1 광 변환부(CCP1)에 포함된 발광체와 동일한 발광체를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 광 변환부(CCP1)는 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 양자점을 포함하고, 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1) 또한 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 양자점을 포함할 수 있다.
제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)는 평면상에서 제1 광 변환부(CCP1)와 중첩하지 않을 수 있다. 제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)는 평면상에서 투과부(TP) 및 제2 광 변환부(CCP2)와 중첩하고, 복수의 산란 입자를 포함할 수 있다. 제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)에는 제1 광 변환부(CCP1)에 포함된 발광체가 포함되지 않는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 평면상에서 제1 광 변환부에만 중첩하도록 제2 광 제어층이 패터닝되어 배치될 수 있다. 제1 광을 제2 광으로 변환하는 제2 광 제어층이 평면상에서 제1 광 변환부에만 중첩하도록 배치되고, 투과부 및 제2 광 변환부에는 중첩하지 않음에 따라, 제2 광으로의 광 변환 효율이 증가하고 혼색이 방지될 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-3)는 적어도 하나의 캡핑층(CAP1, CAP2)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 캡핑층은 제2 광 제어층(CCL2)과 충진층(BFL) 사이 및/또는 제1 광 제어층(CCL1)과 컬러필터층(CFL) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캡핑층(CAP1)은 제1 광 제어층(CCL1)의 상부면, 즉, 제1 광 제어층(CCL1)과 컬러필터층(CFL) 사이에 배치될 수 있고, 제2 캡핑층(CAP2)은 제2 광 제어층(CCL2)의 하부면, 즉, 제2 광 제어층(CCL2)과 충진층(BFL) 사이에 배치될 수 있다. 캡핑층(CAP)은 무기물로 구성될 수 있으며, 무기물의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 캡핑층(CAP)은 제1 광 제어층(CCL1) 및 제2 광 제어층(CCL2)을 둘러싸도록 배치되어, 제1 광 제어층(CCL1) 및 제2 광 제어층(CCL2)을 보호할 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 도 3의 A 영역에 대응하는 부분의 단면도이다. 이하에서는, 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 본 발명의 제1 광 변환부와 제2 광 제어층에 대해 보다 구체적으로 설명한다. 이하, 도 7a 내지 도 7d를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 7a를 참조하면, 제1 광 변환부(CCP1)는 제1 발광체(EP1), 제1 산란 입자(SC1), 및 제1 베이스 수지(BR1)를 포함할 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 제2 발광체(EP2), 제2 산란 입자(SC2), 및 제2 베이스 수지(BR2)를 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(BR1) 및 제2 베이스 수지(BR2)는 발광체들이 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 본 명세서에서 발광체들을 분산 배치시킬 수 있는 매질이면 그 명칭, 추가적인 다른 기능, 구성 물질 등에 상관없이 베이스 수지로 지칭될 수 있다. 베이스 수지는 고분자 수지일 수 있다. 예를 들어, 베이스 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스 수지는 투명 수지일 수 있다.
제1 베이스 수지(BR1) 및 제2 베이스 수지(BR2)는 실질적으로 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제1 베이스 수지(BR1) 및 제2 베이스 수지(BR2)는 동일한 물질로 구성되고, 실질적으로 동일한 굴절률을 가지는 것일 수 있다.
제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2)는 광의 파장을 변환시키는 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2)는 양자점(Quantum Dot)일 수 있다.
제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2)는 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2)는 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 양자점일 수 있다. 제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2)는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 크기의 양자점일 수 있다.
제1 발광체(EP1)는 제1 광 변환부(CCP1) 내에 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 제2 발광체(EP2)는 제2 광 제어층(CCL2) 내에 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 제2 발광체(EP2)는 제2 광 제어층(CCL2) 내에 균일하게 분산되어, 평면상에서 제2 광 변환부(CCP2, 도 3 참조) 및 투과부(TP, 도 3 참조)와 중첩하는 영역에도 분산되어 있을 수 있다.
제1 산란 입자(SC1) 및 제2 산란 입자(SC2)는 TiO2　또는 실리카계 나노　입자　등일 수 있다. 제1 산란 입자(SC1) 및 제2 산란 입자(SC2)는 광을 산란시킬 수 있다. 제1 산란 입자(SC1) 및 제2 산란 입자(SC2)는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 산란 입자(SC1) 및 제2 산란 입자(SC2)는 동일한 입자일 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 제1 산란 입자(SC1) 및 제2 산란 입자(SC2)는 생략될 수도 있다.
도 7b를 참조하면, 제2 광 제어층은 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1) 및 제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)를 포함할 수 있다.
제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)는 평면상에서 제1 광 변환부(CCP1)와 전면적으로 중첩하도록 패터닝 된 것일 수 있다. 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)는 제1 광 변환부(CCP1)와 접촉할 수 있다.
제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)는 제2 베이스 수지(BR2-1), 제2 발광체(EP2-1), 및 제2 산란 입자(SC2-1)를 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(BR2-1)는 제1 베이스 수지(BR1)와 실질적으로 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제1 베이스 수지(BR1) 및 제2 베이스 수지(BR2-1)는 동일한 물질로 구성되고, 실질적으로 동일한 굴절률을 가지는 것일 수 있다.
제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)에 포함된 제2 발광체(EP2-1)는 제1 광 변환부(CCP1)에 포함된 발광체(EP1)와 동일하게, 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2-1)는 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 양자점일 수 있다. 제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2-1)는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 크기의 양자점일 수 있다.
제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)는 제2 베이스 수지(BR2-2) 및 제2 산란 입자(SC2-2)를 포함할 수 있다. 제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)에는 발광체가 포함되지 않는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 제2 광 제어층에서, 제1 광 변환부(CCP1)와 중첩하는 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)에만 발광체가 포함되고, 제1 광 변환부(CCP1)와 중첩하지 않는 제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)에는 발광체가 포함되지 않을 수 있다.
도 7c를 참조하면, 제1 광 변환부(CCP1-1)는 차광 패턴(BP)에 비해 두께가 작을 수도 있다. 단면상에서 제1 광 변환부(CCP1-1)의 높이는 차광 패턴(BP)의 높이보다 작거나 같을 수 있다.
일 실시예에서, 제1 광 변환부(CCP1-1)가 차광 패턴(BP)에 비해 두께가 작을시 발생하는 단차 부분에 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB11)가 배치될 수 있다. 도 7c에서는 제2 광 제어층이 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB11) 및 제2 서브 광 변환부(CCL2-SUB2)를 포함하도록 패터닝 된 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 제2 광 제어층은 일체로 형성된 단일층일 수 있다. 단면상에서 제1 광 변환부(CCP1-1) 및 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB1)의 높이의 합은 차광 패턴(BP)의 높이보다 크거나 같을 수 있다.
도 7d를 참조하면, 제1 광 변환부(CCP1-2) 및 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB12) 사이에는 중간부(CCP-M)가 포함될 수 있다.
중간부(CCP-M)는 베이스 수지(BR-M) 및 산란 입자(SC-M)를 포함할 수 있다. 중간부(CCP-M)에 포함되는 베이스 수지(BR-M)는 제1 광 변환부(CCP1-2) 및 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB12)에 포함된 베이스 수지(BR1-2, BR2-1)와 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 베이스 수지(BR-M)는 제1 광 변환부(CCP1-2) 및 제1 서브 광 변환부(CCL2-SUB12)에 포함된 베이스 수지(BR1-2, BR2-1)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 중간부(CCP-M)에는 발광체가 포함되지 않을 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 9은 도 8의 II-II'선에 대응하는 단면도이다. 이하, 도 8 및 도 9를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-4)에서 표시영역(DA)은 복수의 화소 영역들(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R, Pxa-W)을 포함할 수 있다.
표시 장치(DD-4)는 제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 및 제3 화소 영역에 더하여, 제4 화소 영역을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 제1 화소 영역은 청색 화소 영역(Pxa-B), 제2 화소 영역은 녹색 화소 영역(Pxa-G), 제3 화소 영역은 적색 화소 영역(Pxa-R)일 수 있고, 제4 화소 영역은 백색 화소 영역(Pxa-W)일 수 있다. 즉, 일 실시예에서, 표시 장치(DD)는 청색 화소 영역(Pxa-B), 녹색 화소 영역(Pxa-G), 적색 화소 영역(Pxa-R), 및 백색 화소 영역(Pxa-W)을 포함하는 것일 수 있다. 청색 화소 영역(Pxa-B)은 청색광을 방출하는 청색 발광 영역이고, 녹색 화소 영역(Pxa-G)과 적색 화소 영역(Pxa-R)은 각각 녹색광을 방출하는 녹색 발광 영역, 및 적색광을 방출하는 적색 발광 영역을 나타낼 수 있다. 백색 화소 영역(Pxa-W)은 백색 광을 방출하는 영역을 나타낼 수 있다.
제1 광 제어층(CCL1)은 제1 광을 투과하는 투과부(TP), 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 변환부(CCP1), 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 제2 광 변환부(CCP2), 및 제1 광을 제4 광으로 변환시키는 제3 광 변환부(CCPW)를 포함할 수 있다. 제4 광은 백색 광에 해당하는 것일 수 있다.
제3 광 변환부(CCPW)에는 발광체가 포함될 수 있다. 제3 광 변환부(CCPW)에 포함되는 발광체는 양자점(Quantum Dot)일 수 있다. 일 실시예에서, 제2 광 제어층(CCL2)에 포함되는 발광체는 제1 광을 제2 광으로 변환시키고, 제3 광 변환부(CCPW)에 포함되는 발광체는 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 것일 수 있다. 제3 광 변환부(CCPW)에 포함되는 발광체는 청색광을 적색광 또는 녹색광으로 변환시키는 것일 수 있다. 또는, 제3 광 변환부(CCPW)는 청색광을 적색광으로 변환시키는 발광체와 청색광을 녹색광으로 변환시키는 발광체를 모두 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서, 제3 광 변환부(CCPW)는 생략될 수도 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(DD)는 컬러필터층(CFL)은 제1 광 제어층(CCL1) 상에 배치되고, 제1 내지 제4 컬러필터부(B-CFP, G-CFP, R-CFP, W-CFP) 및 차광부(BM)을 포함할 수 있다.
제4 컬러필터부(W-CFP)는 제3 광 변환부(CCPW)에 대응하여 배치되며, 가시광선 영역에 대응하는 광을 투과시킬 수 있다. 제4 컬러필터부(W-CFP)는 광의 파장별로 투과율이 상이한 것일 수 있다. 일 실시예에서, 제4 컬러필터부(W-CFP)는 생략될 수도 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다. 도 11는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 10에서, 어느 하나의 주사 라인(GL), 어느 하나의 데이터 라인(DL), 전원 라인(PL), 및 이들에 연결된 화소(PX)를 도시하였다. 화소(PX)의 구성은 도 10에 제한되지 않고 변형되어 실시될 수 있다.
유기발광 다이오드(OLED)는 전면 발광형 다이오드이거나, 배면 발광형 다이오드일 수 있다. 화소(PX)는 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하기 위한 화소 구동회로로써 제1 트랜지스터(T1, 또는 스위칭 트랜지스터), 제2 트랜지스터(T2, 또는 구동 트랜지스터), 및 커패시터(Cst)를 포함한다. 제1 전원 전압(ELVDD)은 제2 트랜지스터(T2)에 제공되고, 제2 전원 전압(ELVSS)은 유기발광 다이오드(OLED)에 제공된다. 제2 전원 전압(ELVSS)은 제1 전원 전압(ELVDD) 보다 낮은 전압일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 주사 라인(GL)에 인가된 주사 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. 제2 트랜지스터(T2)는 유기발광 다이오드(OLED)에 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)는 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광 다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어한다.
등가회로는 하나의 일 실시예에 불과하며, 이에 제한되지 않는다. 화소(PX)는 복수 개의 트랜지스터들을 더 포함할 수 있고, 더 많은 개수의 커패시터들을 포함할 수 있다. 유기발광 다이오드(OLED)는 전원 라인(PL)과 제2 트랜지스터(T2) 사이에 접속될 수도 있다.
도 11는 하나의 화소에 대응하는 단면을 도시하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에서 제2 기판(SUB2) 상에 회로층(CL), 유기발광 다이오드(OLED), 및 봉지부재(TFE)가 순차적으로 배치된다.
일 실시예에서 회로층(CL)은 제1 절연층(IS1), 제2 절연층(IS2), 및 제3 절연층(IS3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층(IS1) 및 제2 절연층(IS2)은 무기물을 포함할 수 있으며, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 제3 절연층(IS3)은 유기물을 포함할 수 있으며, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 도시되지 않았으나, 제2 기판(SUB2) 상에 무기층인 배리어층이 추가로 배치될 수 있다. 제1 절연층(IS1), 제2 절연층(IS2), 및 제3 절연층(IS3)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 반도체 패턴(SP), 제어 전극(GE), 입력 전극(SE), 및 출력 전극(DE)을 포함한다. 제2 기판(SUB2) 상에 반도체 패턴(SP)이 배치된다. 반도체 패턴(SP)은 결정질 반도체 물질 또는 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2) 상에 제1 절연층(IS1)이 배치된다. 제1 절연층(IS1)은 표시영역(DA) 및 비 표시영역(NDA)에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴(SP)을 커버한다.
제1 절연층(IS1) 상에 제어 전극(GE)이 배치된다. 제어 전극(GE)은 반도체 패턴(SP)과 중첩한다. 제어 전극(GE)은 주사 라인(GL, 도 10 참조)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있다.
제1 절연층(IS1) 상에 제2 절연층(IS2)이 배치된다. 제2 절연층(IS2)은 제1 절연층(IS1) 및 제어 전극(GE)를 커버한다. 제2 절연층 (IS2) 상에는 입력 전극(SE) 및 출력 전극(DE)이 배치된다. 입력 전극(SE) 및 출력 전극(DE) 각각은 절연층들(IS1, IS2)에 정의된 복수의 컨택홀(CH1, CH2)들을 통해 반도체 패턴(SP)과 접속한다. 한편, 본 발명의 제1 트랜지스터(T1)는 바텀 게이트 구조로 변형될 수 있다.
제2 절연층(IS2) 상에 제1 트랜지스터(T1)을 커버하는 제3 절연층(IS3)이 배치된다. 제3 절연층(IS3)은 평탄면을 제공할 수 있다.
제3 절연층(IS3) 상에는 유기발광 다이오드(OLED) 및 화소정의막(PDL)이 배치된다. 화소정의막(PDL)은 유기물질을 포함할 수 있다. 화소정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(EL1)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 화소정의막(PDL)의 개구부(OP)는 화소의 발광영역(Pxa)을 정의할 수 있다. 일 실시예에서 화소 정의막(PDL)은 생략될 수도 있다.
일 실시예에서 발광영역(Pxa)은 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 중 적어도 하나에 중첩할 수 있다. 이 경우, 개구부(OP)가 더 넓어지고, 제1 전극(EL1)도 더 넓어질 수 있다.
제3 절연층(IS3) 상에 제1 전극(EL1)이 배치된다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode)일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층 정공 수송층 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층 또는 정공 수송층의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질과 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/정공 버퍼층, 정공 주입층/정공 버퍼층, 정공 수송층/정공 버퍼층, 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
앞서 언급한 바와 같이, 일 실시예의 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층 및 정공 수송층 외에, 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)의 두께는 예를 들어, 약 100Å 내지 약 300Å인 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 형광 발광 물질 또는 인광 발광 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 발광층(EML)은 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 410nm 이상 480nm 이하의 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층 또는 전자 수송층의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층, 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 도전성을 갖는다. 제2 전극(EL2)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode)일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
제2 전극(EL2) 상에 봉지부재(TFE)가 배치될 수 있다. 봉지부재(TFE)는 화소영역들(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R) 및 주변영역(NPxa)에 공통적으로 배치된다. 봉지부재(TFE)은 제2 전극(EL2)을 직접 커버한다. 봉지부재(TFE)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있고, 유기막을 더 포함할 수 있고, 또는 무기막 및 유기층이 교대로 반복된 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 봉지부재(TFE)는 최외곽에 무기막(IL)을 포함할 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 일부 단계를 순차적으로 도시한 단면도이다. 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 일부 단계를 도시한 단면도이다. 도 12a 내지 도 12d에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서 상부 표시 기판을 준비하는 단계를 순차적으로 도시하였다. 도 13에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서 상부 표시 기판과 하부 표시 기판을 결합하는 단계를 도시하였다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 상부 표시 기판을 준비하는 단계, 하부 표시 기판을 준비하는 단계, 및 상부 표시 기판과 하부 표시 기판을 결합하는 단계를 포함한다.
도 12a를 참조하면, 상부 표시 기판을 준비하는 단계는 베이스 기판(SUB1)을 준비하는 단계를 포함한다. 베이스 기판(SUB1) 상에는 컬러필터층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 컬러필터층은 제1 내지 제3 컬러필터부(B-CFP, G-CFP, R-CFP) 및 차광부(BM)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 컬러필터부(B-CFP, G-CFP, R-CFP) 각각은 제1 내지 제3 화소 영역(Pxa-B, Pxa-G, Pxa-R, 도 3 참조)에 중첩하도록 형성될 수 있다. 컬러필터층의 제1 내지 제3 컬러필터부(B-CFP, G-CFP, R-CFP) 각각은 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정, 포토레지스트 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
도 12b 및 도 12c를 참조하면, 컬러필터층 상에 차광 패턴(BP)이 형성될 수 있다. 차광 패턴과 컬러필터층 사이에는 제1 캡핑층(CAP1)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(BP)은 주변 영역(NPXa, 도 3 참조)에 형성되고, 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2)가 형성될 영역을 정의하는 것일 수 있다.
차광 패턴(BP)에 의해 정의된 영역에 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2)가 형성될 수 있다. 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2) 각각은 포토레지스트 공정을 통해 형성될 수 있다. 투과부(TP)는 제1 화소 영역(Pxa-B, 도 3 참조), 제1 광 변환부(CCP1)는 제2 화소 영역(Pxa-G, 도 3 참조), 제2 광 변환부(CCP2)는 제3 화소 영역(Pxa-R, 도 3 참조)에 각각 대응하도록 형성될 수 있다.
도 12d를 참조하면, 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2) 상에 제2 광 제어층(CCL2)이 형성될 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 전면 코팅을 통해, 평면상에서 투과부(TP), 제1 광 변환부(CCP1), 및 제2 광 변환부(CCP2)에 전면적으로 중첩하도록 형성될 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 포토레지스트 공정 또는 슬릿 코팅을 통해 형성될 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)이 전면 코팅을 통해 형성됨에 따라, 공정 단계가 생략되어 공정이 간단해지고 비용이 절감될 수 있다.
도 12d에서는 제2 광 제어층(CCL2)이 전면적으로 형성된 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 제2 광 제어층(CCL2)은 패터닝되어 형성될 수 있다. 제2 광 제어층(CCL2)은 평면상에서 제1 광 변환부(CCP1)에 전면적으로 중첩하고, 투과부(TP) 및 제2 광 변환부(CCP2)에는 중첩하지 않도록 패터닝 될 수 있다.
제2 광 제어층(CCL2) 상에는 제2 캡핑층(CAP2)이 형성될 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1) 및 제2 캡핑층(CAP2)은 제1 광 제어층(CCL1) 및 제2 광 제어층(CCL2)의 상 하면에 형성되어, 제1 광 제어층(CCL1) 및 제2 광 제어층(CCL2)을 보호할 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1) 및 제2 캡핑층(CAP2)은 생략될 수 있다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 상부 기판과 하부 기판을 결합시키는 단계를 포함한다. 상부 기판과 하부 기판을 결합시키는 단계에서, 화소 정의막(PDL)의 개구부에 의해 정의된 화소의 발광영역이 제1 내지 제3 화소 영역(Pxa-R, Pxa-G, Pxa-B)에 대응하도록 결합시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD : 표시 장치 CCL1 : 제1 광 제어층
CCL2 : 제2 광 제어층 CFL: 컬러필터층

Claims (20)

  1. 화소 영역 및 상기 화소 영역에 인접한 주변 영역이 정의된 베이스 기판;
    평면상에서 상기 화소 영역과 중첩하도록 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 복수의 표시소자들;
    상기 표시소자들 상에 배치되고, 상기 제1 광을 투과하는 투과부, 상기 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 변환부, 및 상기 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 제2 광 변환부를 포함하는 제1 광 제어층; 및
    평면상에서 상기 제1 광 변환부의 적어도 일부와 중첩하고, 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제2 광 제어층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층의 적어도 일부와 접촉하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 변환부와 접촉하는 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층 및 상기 표시소자들 사이에 배치되는 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 광 제어층 상에 배치되는 컬러필터층을 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 컬러필터층은
    평면상에서 상기 투과부에 중첩되고 상기 제1 광을 투과시키는 제1 컬러필터부;
    평면상에서 상기 제1 광 변환부에 중첩되고 상기 제2 광을 투과시키는 제2 컬러필터부; 및
    평면상에서 상기 제2 광 변환부에 중첩되고 상기 제3 광을 투과시키는 제3 컬러필터부를 포함하는 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은
    상기 제1 광 제어층 및 상기 컬러필터층 사이에 배치되는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은
    상기 제1 광 제어층 상에 배치되는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광 변환부는 복수의 양자점들을 포함하고,
    상기 제2 광 제어층은 상기 복수의 양자점들을 포함하는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은
    평면상에서 상기 제1 광 변환부와 전면적으로 중첩하고, 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제1 서브 광 변환부; 및
    평면상에서 상기 투과부 및 상기 제2 광 변환부와 중첩하고, 상기 제1 광을 투과하는 제2 서브 광 변환부를 포함하는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은
    평면상에서 상기 제1 광 제어층과 전면적으로 중첩하는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광은 410nm 내지 480nm 파장 영역의 광이고, 상기 제2 광은 500nm 내지 570nm 파장 영역의 광이고, 상기 제3 광은 625nm 내지 675nm 파장 영역의 광인 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 표시소자들 상에 배치되고, 최외각에 무기막을 포함하는 봉지 부재; 및
    상기 봉지 부재와 상기 제1 광 제어층 사이에 배치되는 충진층을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광 제어층은 상기 투과부, 상기 제1 광 변환부, 및 상기 제2 광 변환부 사이에 배치되고, 평면상에서 상기 주변 영역에 중첩하는 차광 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    단면상에서 상기 제1 광 변환부의 높이는 상기 차광 패턴의 높이보다 작거나 같고,
    단면상에서 상기 제1 광 변환부의 높이와 상기 제2 광 제어층의 높이의 합은 상기 차광 패턴의 높이보다 크거나 같은 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층은 상기 제1 광 제어층과 실질적으로 동일한 굴절률을 가지는 표시 장치.
  17. 화소 영역 및 상기 화소 영역에 인접한 주변 영역이 정의된 베이스 기판;
    평면상에서 상기 화소 영역과 중첩하도록 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 표시소자;
    상기 표시소자 상에 배치되고, 평면상에서 상기 화소 영역에 중첩하며, 상기 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 제1 광 제어층; 및
    평면상에서 상기 제1 광 제어층에 적어도 일부가 접촉하고, 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제2 광 제어층을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 광 제어층은 복수의 양자점들을 포함하고,
    상기 제2 광 제어층은 상기 복수의 양자점들을 포함하는 표시 장치.
  19. 제1, 제2 및 제3 화소영역들과 상기 제1, 제2 및 제3 화소영역들에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판을 준비하는 단계;
    상기 제1, 제2 및 제3 화소영역들에 대응하며, 제1 광을 생성하는 복수의 표시소자들을 포함하는 하부 표시기판을 준비하는 단계; 및
    상기 상부 표시기판과 상기 하부 표시기판을 결합하는 단계를 포함하고,
    상기 상부 표시기판을 준비하는 단계는,
    베이스 기판을 준비하는 단계;
    상기 베이스 기판의 하면 상에, 상기 제1 화소영역에 대응하고 상기 제1 광을 투과하는 투과부, 상기 제2 화소영역에 대응하고 상기 제1 광을 제2 광으로 변환시키는 상기 제1 광 변환부, 및 상기 제3 화소영역에 대응하고 상기 제1 광을 제3 광으로 변환시키는 제2 광 변환부를 포함하는 제1 광 제어층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 광 제어층 상에 상기 제1 광을 상기 제2 광으로 변환시키는 제2 광 제어층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 광 제어층을 형성하는 단계에서,
    상기 제2 광 제어층은 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 전면적으로 중첩하도록 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
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