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KR20190140126A - Optical member and display including the same - Google Patents

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KR20190140126A
KR20190140126A KR1020180066151A KR20180066151A KR20190140126A KR 20190140126 A KR20190140126 A KR 20190140126A KR 1020180066151 A KR1020180066151 A KR 1020180066151A KR 20180066151 A KR20180066151 A KR 20180066151A KR 20190140126 A KR20190140126 A KR 20190140126A
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guide plate
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 일 실시예에 따른 광학 부재는 도광판, 상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층, 상기 저굴절층과 상기 도광판 사이에 배치되고, 상기 저굴절층보다 작은 두께를 갖는 저굴절 하부층 및 상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층을 포함한다.An optical member and a display device including the same are provided. An optical member according to an embodiment is disposed on a light guide plate, the light guide plate, a low refractive index layer having a refractive index smaller than that of the light guide plate, a low refractive layer disposed between the low refractive layer and the light guide plate, and having a lower thickness than the low refractive layer. And a wavelength converting layer disposed on the refractive lower layer and the low refractive layer.

Description

광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치{Optical member and display including the same}Optical member and display including the same {Optical member and display including the same}

본 발명은 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an optical member and a display device including the same.

액정 표시 장치는 백라이트 어셈블리로부터 빛을 받아 영상을 표시한다. 일부 백라이트 어셈블리는 광원과 도광판을 포함한다. 도광판은 광원으로부터 빛을 받아 표시 패널 측으로 빛의 진행 방향을 가이드한다. 일부 제품은 광원에서 제공되는 빛이 백색이고, 이 백색의 빛을 표시 패널에 있는 컬러 필터로 필터링해서 색상을 구현한다. The liquid crystal display receives light from the backlight assembly and displays an image. Some backlight assemblies include a light source and a light guide plate. The light guide plate receives light from the light source and guides the light propagation direction toward the display panel. In some products, the light provided by the light source is white, and the white light is filtered by a color filter on the display panel to realize color.

최근에는 액정 표시 장치의 색 재현성 등 화질을 개선하기 위해 파장 변환 필름을 적용하는 것이 연구되고 있다. 통상 광원으로 청색 광원을 사용하고 파장 변환 필름을 도광판 상부에 배치하여 백색의 빛으로 변환시킨다. 파장 변환 필름은 파장 변환 입자를 포함하는데, 파장 변환 입자는 일반적으로 수분에 취약하여 배리어 필름으로 파장 변환 입자를 보호한다. 그런데, 배리어 필름은 가격이 비싸고, 두께를 증가시키는 원인이 될 수 있다. 또한, 도광판에 파장 변환 필름을 적층하여야 하므로 복잡한 조립 공정이 요구될 수 있다. Recently, in order to improve image quality such as color reproducibility of a liquid crystal display, applying a wavelength conversion film has been studied. In general, a blue light source is used as a light source, and a wavelength conversion film is disposed on the light guide plate to convert white light. Wavelength converting films include wavelength converting particles, which are generally vulnerable to moisture to protect the wavelength converting particles with a barrier film. However, the barrier film is expensive and may cause the thickness to increase. In addition, since the wavelength conversion film must be laminated on the light guide plate, a complicated assembly process may be required.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광 투과 효율이 향상된 적층 구조를 갖는 광학 부재를 제공하고자 하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide an optical member having a laminated structure with improved light transmission efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 광 투과 효율이 향상된 적층 구조를 갖는 광학 부재를 포함하는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a display device including an optical member having a laminated structure with improved light transmission efficiency.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 광학 부재는 도광판, 상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층, 상기 저굴절층과 상기 도광판 사이에 배치되고, 상기 저굴절층보다 작은 두께를 갖는 저굴절 하부층 및 상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층을 포함한다.An optical member according to an embodiment for solving the above problems is a light guide plate, a low refractive index layer disposed on the light guide plate, having a refractive index smaller than the light guide plate, disposed between the low refractive index layer and the light guide plate, the low refractive layer A low refractive index lower layer having a smaller thickness and a wavelength conversion layer disposed on the low refractive index layer.

상기 저굴절 하부층의 하면은 상기 도광판의 상면과 접하고, 상기 저굴절 하부층의 상면은 상기 저굴절층의 하면과 접할 수 있다.The lower surface of the low refractive index lower layer may contact the upper surface of the light guide plate, and the upper surface of the low refractive index lower layer may contact the lower surface of the low refractive index layer.

상기 저굴절 하부층은 굴절률이 1.3 내지 1.7인 저굴절 물질 또는 굴절률이 1.5 내지 2.2인 고굴절 물질을 포함할 수 있다.The low refractive index lower layer may include a low refractive material having a refractive index of 1.3 to 1.7 or a high refractive material having a refractive index of 1.5 to 2.2.

상기 저굴절 하부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.The refractive index of the low refractive index lower layer may be greater than the refractive index of the low refractive index layer.

상기 저굴절 하부층은 상기 도광판 상에 배치된 제1 저굴절 하부층 및 상기 제1 저굴절 하부층 상에 배치된 제2 저굴절 하부층을 포함할 수 있다.The low refractive index lower layer may include a first low refractive index lower layer disposed on the light guide plate and a second low refractive index lower layer disposed on the first low refractive index lower layer.

상기 제1 저굴절 하부층 및 상기 제2 저굴절 하부층 중 어느 하나는 상기 저굴절 물질을 포함하고, 다른 하나는 상기 고굴절 물질을 포함할 수 있다.One of the first low refractive index lower layer and the second low refractive index lower layer may include the low refractive material, and the other may include the high refractive material.

상기 제1 저굴절 하부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 하부층의 두께는 각각 0.2um 이하일 수 있다.The thickness of the first low refractive index lower layer and the thickness of the second low refractive index lower layer may be 0.2 μm or less, respectively.

상기 저굴절 물질은 SiOx이고, 상기 고굴절 물질은 SiNx일 수 있다.The low refractive material may be SiOx, and the high refractive material may be SiNx.

상기 도광판과 상기 저굴절층의 굴절률의 차이는 0.2 이상일 수 있다.The difference in refractive index between the light guide plate and the low refractive index layer may be 0.2 or more.

상기 저굴절층은 보이드를 포함할 수 있다.The low refractive index layer may include a void.

상기 저굴절층의 굴절률은 1.2 내지 1.3일 수 있다.The refractive index of the low refractive layer may be 1.2 to 1.3.

상기 저굴절층의 두께는 0.8um 내지 1.2um일 수 있다.The low refractive index layer may be 0.8um to 1.2um.

상기 광학 부재는 상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함 할 수 있다.The optical member may further include a wavelength conversion upper layer disposed on the wavelength conversion layer.

상기 파장 변환 상부층의 하면은 상기 도광판의 상면과 평행할 수 있다.The lower surface of the wavelength conversion upper layer may be parallel to the upper surface of the light guide plate.

상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함할 수 있다.The wavelength conversion upper layer may include SiOx or SiNx.

상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may include a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.

상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 투명 유기 물질을 포함하고, 다른 하나는 SiOx 및 SiNx 중 어느 하나를 포함할 수 있다.One of the first wavelength converting upper layer and the second wavelength converting upper layer may include a transparent organic material, and the other may include any one of SiOx and SiNx.

상기 제1 파장 변환 상부층은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다.The first wavelength converting upper layer may include SiOx, and the second wavelength converting upper layer may include a transparent organic material.

상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 SiOx를 포함하고, 다른 하나는 SiNx를 포함할 수 있다.One of the first wavelength converting upper layer and the second wavelength converting upper layer may include SiOx, and the other may include SiNx.

상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may further include a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.

상기 제1 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다.The first wavelength conversion upper layer may include a transparent organic material.

상기 제2 파장 변환 상부층 및 상기 제3 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 SiOx를 포함하고, 다른 하나는 SiNx를 포함할 수 있다.One of the second wavelength converting top layer and the third wavelength converting top layer may include SiOx, and the other may include SiNx.

상기 도광판은 유리를 포함할 수 있다.The light guide plate may include glass.

상기 도광판의 상면은 상기 저굴절층의 하면과 평행할 수 있다.An upper surface of the light guide plate may be parallel to a lower surface of the low refractive layer.

상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 광학 부재는 도광판, 상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층, 상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층 및 상기 저굴절층과 상기 파장 변환층 상에 배치되고, 상기 저굴절층보다 작은 두께를 갖는 저굴절 상부층을 포함한다.According to another aspect of the present invention, an optical member includes a light guide plate, a low refractive layer disposed on the light guide plate, and having a refractive index smaller than that of the light guide plate, a wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer, and the low refractive layer. And a low refractive index upper layer disposed on the wavelength conversion layer and having a thickness smaller than that of the low refractive index layer.

상기 저굴절 상부층은 굴절률이 1.3 내지 1.7인 저굴절 물질 또는 굴절률이 1.5 내지 2.2인 고굴절 물질을 포함하는 광학 부재.The low refractive upper layer may include a low refractive material having a refractive index of 1.3 to 1.7 or a high refractive material having a refractive index of 1.5 to 2.2.

상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.The refractive index of the low refractive upper layer may be greater than the refractive index of the low refractive layer.

상기 저굴절 상부층은 상기 저굴절층 상에 배치된 제1 저굴절 상부층 및 상기 제1 저굴절 상부층 상에 배치된 제2 저굴절 상부층을 포함할 수 있다.The low refractive upper layer may include a first low refractive upper layer disposed on the low refractive layer and a second low refractive upper layer disposed on the first low refractive upper layer.

상기 제1 저굴절 상부층 및 상기 제2 저굴절 상부층 중 어느 하나는 상기 저굴절 물질을 포함하고, 다른 하나는 상기 고굴절 물질을 포함할 수 있다.One of the first low refractive index upper layer and the second low refractive index upper layer may include the low refractive material, and the other may include the high refractive material.

상기 제1 저굴절 상부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 상부층의 두께는 각각 0.2um 이하일 수 있다.The thickness of the first low refractive upper layer and the thickness of the second low refractive upper layer may be 0.2 μm or less, respectively.

상기 저굴절 물질은 SiOx이고, 상기 고굴절 물질은 SiNx일 수 있다.The low refractive material may be SiOx, and the high refractive material may be SiNx.

상기 광학 부재는 상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함할 수 있다.The optical member may further include a wavelength conversion upper layer disposed on the wavelength conversion layer.

상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함할 수 있다. The wavelength conversion upper layer may include SiOx or SiNx.

상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may include a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.

상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 투명 유기 물질을 포함하고, 다른 하나는 SiOx 및 SiNx 중 어느 하나를 포함할 수 있다.One of the first wavelength converting upper layer and the second wavelength converting upper layer may include a transparent organic material, and the other may include any one of SiOx and SiNx.

상기 제1 파장 변환 상부층은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다.The first wavelength converting upper layer may include SiOx, and the second wavelength converting upper layer may include a transparent organic material.

상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may further include a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.

상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 실시예에 따른 광학 부재는 도광판, 상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층, 상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층, 상기 저굴절층과 상기 도광판 사이에 배치된 저굴절 하부층 및 상기 저굴절층과 상기 파장 변환층 상에 배치된 저굴절 상부층을 포함한다.According to another aspect of the present invention, an optical member includes a light guide plate, a low refractive layer disposed on the light guide plate, and having a refractive index smaller than that of the light guide plate, a wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer, and the low refractive index. A low refractive index lower layer disposed between the layer and the light guide plate, and a low refractive index upper layer disposed on the low refractive index layer and the wavelength conversion layer.

상기 저굴절 하부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 하부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.The low refractive index lower layer may include SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive index lower layer may be greater than the refractive index of the low refractive index layer.

상기 저굴절 하부층은 상기 도광판 상에 배치된 제1 저굴절 하부층 및 상기 제1 저굴절 하부층 상에 배치된 제2 저굴절 하부층을 포함할 수 있다.The low refractive index lower layer may include a first low refractive index lower layer disposed on the light guide plate and a second low refractive index lower layer disposed on the first low refractive index lower layer.

상기 제1 저굴절 하부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 하부층의 두께는 각각 0.2um 이하일 수 있다.The thickness of the first low refractive index lower layer and the thickness of the second low refractive index lower layer may be 0.2 μm or less, respectively.

상기 저굴절 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.The low refractive upper layer may include SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive upper layer may be greater than that of the low refractive layer.

상기 저굴절 상부층은 상기 저굴절층 상에 배치된 제1 저굴절 상부층 및 상기 제1 저굴절 상부층 상에 배치된 제2 저굴절 상부층을 포함할 수 있다.The low refractive upper layer may include a first low refractive upper layer disposed on the low refractive layer and a second low refractive upper layer disposed on the first low refractive upper layer.

상기 제1 저굴절 상부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 상부층의 두께는 각각 0.2um 이하일 수 있다.The thickness of the first low refractive upper layer and the thickness of the second low refractive upper layer may be 0.2 μm or less, respectively.

상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함할 수 있다.The wavelength converting upper layer may be further disposed on the wavelength converting layer, and the wavelength converting upper layer may include SiOx or SiNx.

상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may include a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.

상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 투명 유기 물질을 포함하고, 다른 하나는 SiOx 및 SiNx 중 어느 하나를 포함할 수 있다.One of the first wavelength converting upper layer and the second wavelength converting upper layer may include a transparent organic material, and the other may include any one of SiOx and SiNx.

상기 제1 파장 변환 상부층은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다.The first wavelength converting upper layer may include SiOx, and the second wavelength converting upper layer may include a transparent organic material.

상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may further include a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 도광판, 상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층, 상기 저굴절층과 상기 도광판 사이에 배치된 저굴절 하부층, 및 상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층을 포함하는 광학 부재, 상기 도광판의 적어도 일측에 배치된 광원 및 상기 광학 부재의 상부에 배치된 표시 패널을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a display device includes a light guide plate, a low refractive layer disposed on the light guide plate and having a refractive index smaller than that of the light guide plate, a low refractive index lower layer disposed between the low refractive layer and the light guide plate; And an optical member including a wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer, a light source disposed on at least one side of the light guide plate, and a display panel disposed on the optical member.

상기 저굴절 하부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 하부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.The low refractive index lower layer may include SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive index lower layer may be greater than the refractive index of the low refractive index layer.

상기 저굴절 하부층은 상기 도광판 상에 배치된 제1 저굴절 하부층 및 상기 제1 저굴절 하부층 상에 배치된 제2 저굴절 하부층을 포함할 수 있다.The low refractive index lower layer may include a first low refractive index lower layer disposed on the light guide plate and a second low refractive index lower layer disposed on the first low refractive index lower layer.

상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함할 수 있다.The wavelength converting upper layer may be further disposed on the wavelength converting layer, and the wavelength converting upper layer may include SiOx or SiNx.

상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may include a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.

상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함할 수 있다.The wavelength conversion top layer may further include a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.

상기 광학 부재는 상기 파장 변환층과 상기 저굴절층 사이에 배치된 저굴절 상부층을 더 포함할 수 있다.The optical member may further include a low refractive upper layer disposed between the wavelength conversion layer and the low refractive layer.

상기 저굴절 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.The low refractive upper layer may include SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive upper layer may be greater than that of the low refractive layer.

상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함할 수 있다.The wavelength converting upper layer may be further disposed on the wavelength converting layer, and the wavelength converting upper layer may include SiOx or SiNx.

상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 도광판, 상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층, 상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층, 및 상기 저굴절층과 상기 파장 변환층 사이에 배치된 저굴절 상부층을 포함하는 광학 부재, 상기 도광판의 적어도 일측에 배치된 광원 및 상기 광학 부재의 상부에 배치된 표시 패널을 포함한다.According to another aspect of the present invention, a display device includes: a light guide plate, a low refractive layer disposed on the light guide plate and having a refractive index smaller than that of the light guide plate, a wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer, and the low refractive index. And an optical member including a low refractive upper layer disposed between the layer and the wavelength conversion layer, a light source disposed on at least one side of the light guide plate, and a display panel disposed above the optical member.

상기 저굴절 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.The low refractive upper layer may include SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive upper layer may be greater than that of the low refractive layer.

상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함할 수 있다.The wavelength converting upper layer may be further disposed on the wavelength converting layer, and the wavelength converting upper layer may include SiOx or SiNx.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

일 실시예에 따른 광학 부재는 광 가이드 기능과 파장 변환 기능을 동시에 수행할 수 있으면서 굴절률이 서로 다른 물질의 적층 구조에 의해 광 투과 효율을 향상 할 수 있다. 일 실시예에 따른 광학 부재는 상대적으로 얇은 두께를 가지며, 광 투과 효율을 극대화하여 표시 장치의 광 특성을 향상시킬 수 있다.The optical member according to the exemplary embodiment may simultaneously perform the light guide function and the wavelength conversion function, and may improve the light transmission efficiency by the stack structure of materials having different refractive indices. An optical member according to an embodiment has a relatively thin thickness and may maximize light transmission efficiency to improve optical characteristics of the display device.

실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments are not limited by the contents illustrated above, more various effects are included in the present specification.

도 1은 일 실시예에 따른 광학 부재와 광원의 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3 및 도 4는 다양한 실시예들에 따른 저굴절층의 단면도들이다.
도 5는 파장 변환 하부층의 적층 Case 및 도광판 상부 SiNx 두께에 따른 투과율 변화 그래프이다.
도 6은 파장 변환 하부층의 적층 Case 별 최대 투과율 확보를 위한 적층 구조 및 두께를 나타내는 표이다.
도 7 내지 도 14는 다양한 실시예에 따른 파장 변환 하부층의 단면도들이다.
도 15는 파장 변환 상부층의 적층 Case 및 파장 변환층 상부 SiNx 두께에 따른 투과율 변화 그래프이다.
도 16은 파장 변환 상부층의 적층 Case 별 최대 투과율 확보를 위한 적층 구조 및 두께를 나타내는 표이다.
도 17 내지 도 20은 다양한 실시예에 따른 파장 변환 상부층의 단면도이다.
도 21 내지 도 23은 다양한 실시예에 따른 광학 부재의 단면도들이다.
도 24는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 25는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
1 is a perspective view of an optical member and a light source according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 1.
3 and 4 are cross-sectional views of a low refractive layer according to various embodiments.
FIG. 5 is a graph showing transmittance change according to the thickness of the SiNx layer on the light emitting plate and the laminated case of the wavelength conversion lower layer.
FIG. 6 is a table illustrating a lamination structure and a thickness for securing a maximum transmittance for each lamination case of a wavelength conversion lower layer.
7-14 are cross-sectional views of a wavelength converting underlayer in accordance with various embodiments.
FIG. 15 is a graph showing transmittance change according to the thickness of the stacked case of the wavelength converting upper layer and the SiNx thickness of the upper part of the wavelength converting layer.
FIG. 16 is a table illustrating a lamination structure and a thickness for securing a maximum transmittance for each lamination case of a wavelength conversion upper layer.
17 through 20 are cross-sectional views of a wavelength converting upper layer according to various embodiments.
21 to 23 are cross-sectional views of optical members according to various embodiments.
24 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
25 is a cross-sectional view of a display device according to another exemplary embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.References to elements or layers as "on" of another element or layer include all instances where another layer or other element is interposed over or in the middle of another element. Like reference numerals refer to like elements throughout.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, of course, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 광학 부재와 광원의 사시도이다. 도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.1 is a perspective view of an optical member and a light source according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 광학 부재(100)는 도광판(10), 도광판 상에 배치된 파장 변환 하부층(70), 파장 변환 하부층(70) 상에 배치된 파장 변환층(50) 및 파장 변환층(50) 상에 배치된 파장 변환 상부층(60)을 포함할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 저굴절 하부층(20), 저굴절 하부층(20) 상에 배치된 저굴절층(30) 및 저굴절층(30) 상에 배치된 저굴절 상부층(40)을 포함할 수 있다.1 and 2, the optical member 100 includes a light guide plate 10, a wavelength conversion bottom layer 70 disposed on the light guide plate, a wavelength conversion layer 50 disposed on the wavelength conversion bottom layer 70, and a wavelength. The wavelength conversion upper layer 60 may be disposed on the conversion layer 50. The wavelength converting underlayer 70 may include a low refractive index lower layer 20, a low refractive index layer 30 disposed on the low refractive index lower layer 20, and a low refractive index upper layer 40 disposed on the low refractive index layer 30. Can be.

도광판(10)은 빛의 진행 경로를 인도하는 역할을 한다. 도광판(10)은 대체로 다각 기둥 형상을 가질 수 있다. 도광판(10)의 평면 형상은 직사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예시적인 실시예에서, 도광판(10)은 평면 형상이 직사각형인 육각 기둥 형상으로서, 상면(10a), 하면(10b) 4개의 측면(10s; 10s1, 10s2, 10s3, 10s4)을 포함할 수 있다. 본 명세서 및 첨부된 도면에서 4개의 측면을 각각 구분할 필요가 있을 경우에는 "10s1", "10s2", "10s3", "10s4"로 표기하지만, 단순히 일 측면을 언급하기 위한 경우에는 "10s"로 표기한다. The light guide plate 10 serves to guide a light propagation path. The light guide plate 10 may have a generally polygonal pillar shape. The planar shape of the light guide plate 10 may be rectangular, but is not limited thereto. In an exemplary embodiment, the light guide plate 10 may have a hexagonal column shape having a rectangular planar shape and may include four side surfaces 10s and 10s1, 10s2, 10s3, and 10s4. In this specification and the accompanying drawings, it is indicated as “10s1”, “10s2”, “10s3”, and “10s4” when it is necessary to distinguish each of the four sides, but as “10s” for simply referring to one side. Mark it.

일 실시예에서, 도광판(10)의 상면(10a)과 하면(10b)은 각각 하나의 평면 상에 위치하며 상면(10a)이 위치하는 평면과 하면(10b)이 위치하는 평면은 대체로 평행하여 도광판(10)이 전체적으로 균일한 두께를 가질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 상면(10a)이나 하면(10b)이 복수의 평면으로 이루어지거나, 상면(10a)이 위치하는 평면과 하면(10b)이 위치하는 평면이 교차할 수도 있다. 예를 들어, 쐐기형 도광판과 같이 일 측면(예컨대, 입광면)에서 그에 대향하는 타 측면(예컨대, 대광면)으로 갈수록 두께가 얇아질 수 있다. 또한, 특정 지점까지는 일 측면 (예컨대, 입광면) 근처에서는 그에 대향하는 타 측면 (예컨대, 대광면) 측으로 갈수록 하면(10b)이 상향 경사져 두께가 줄어들다가 이후 상면과 하면(10b)이 평탄한 형상으로 형성될 수도 있다.In one embodiment, the top surface 10a and the bottom surface 10b of the light guide plate 10 are located on one plane, respectively, and the plane where the top surface 10a is located and the plane where the bottom surface 10b are located are substantially parallel to the light guide plate. 10 may have a uniform thickness as a whole. However, the present invention is not limited thereto, and the upper surface 10a or the lower surface 10b may be formed of a plurality of planes, or the plane on which the upper surface 10a is positioned may intersect with the plane on which the lower surface 10b is positioned. For example, the thickness may become thinner from one side (eg, the light incident surface) to the other side (eg, the light facing surface) facing the same, such as a wedge-shaped light guide plate. In addition, up to a specific point, the lower surface 10b is inclined upwardly toward the other side (for example, the light receiving surface) toward the other side (for example, the light receiving surface), and the thickness thereof decreases, and then the upper and lower surfaces 10b have a flat shape. It may be formed.

광학 부재(100)의 일 적용예에서, 광원(400)은 도광판(10)의 적어도 일 측면(10s)에 인접하여 배치될 수 있다. 도면에서는 도광판(10)의 일 장변에 위치하는 측면(10s1)에 인쇄회로기판(420)에 실장된 복수의 LED 광원(410)이 배치된 경우를 예시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 복수의 LED 광원(410)이 양 장변의 측면(10s1, 10s3)에 모두 인접 배치되거나, 일 단변 또는 양 단변의 측면(10s2, 10s4)에 인접 배치될 수도 있다. 도 1의 실시예에서, 광원(400)이 인접 배치된 도광판(10)의 일 장변의 측면(10s1)은 광원(400)의 빛이 직접 입사되는 입광면(도면에서 설명의 편의상 '10s1'으로 표기)이 되고, 그에 대향하는 타 장변의 측면(10s3)은 대광면(도면에서 설명의 편의상 '10s3'으로 표기)이 된다. In one application of the optical member 100, the light source 400 may be disposed adjacent to at least one side 10s of the light guide plate 10. In the drawing, a case in which a plurality of LED light sources 410 mounted on the printed circuit board 420 is disposed on the side surface 10s1 positioned at one long side of the light guide plate 10 is not limited thereto. For example, the plurality of LED light sources 410 may be disposed adjacent to both side surfaces 10s1 and 10s3 of both long sides, or may be disposed adjacent to side surfaces 10s2 and 10s4 of one short side or both short sides. In the embodiment of FIG. 1, the side surface 10s1 of one long side of the light guide plate 10 in which the light source 400 is disposed adjacent is a light incident surface on which light of the light source 400 is directly incident (10s1 for convenience of description in the drawing). And the side surface 10s3 of the other long side opposite thereto becomes a light facing surface (denoted as '10s3' for convenience of description in the drawing).

도광판(10)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도광판(10)은 유리로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. The light guide plate 10 may include an inorganic material. For example, the light guide plate 10 may be made of glass, but is not limited thereto.

광학 부재(100)의 각 층(20, 30, 40, 50, 60)이 서로 만나는 면에서 광학 계면이 형성될 수 있다. 광학 부재(100)는 복수의 광학 계면(30a, 30b, 50a, 50b)을 포함할 수 있다. 각 광학 계면(30a, 30b, 50a, 50b)은 도광판(10)의 상면(10a)과 실질적으로 평행할 수 있다. An optical interface may be formed at the surfaces where the layers 20, 30, 40, 50, and 60 of the optical member 100 meet each other. The optical member 100 may include a plurality of optical interfaces 30a, 30b, 50a and 50b. Each optical interface 30a, 30b, 50a, 50b may be substantially parallel to the top surface 10a of the light guide plate 10.

도광판(10)의 상면(10a)에는 파장 변환 하부층(70)이 배치된다. 파장 변환 하부층(70)은 저굴절층(30), 저굴절 하부층(20) 및 저굴절 상부층(40)을 포함할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 도광판의 상면(10a) 상에 직접 형성되어, 도광판의 상면(10a)과 접촉할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 도광판(10)과 파장 변환층(50) 사이에 개재되어 광학 부재(100)의 전반사를 돕는다.The wavelength conversion lower layer 70 is disposed on the upper surface 10a of the light guide plate 10. The wavelength conversion lower layer 70 may include a low refractive index layer 30, a low refractive index lower layer 20, and a low refractive index upper layer 40. The wavelength conversion lower layer 70 may be directly formed on the upper surface 10a of the light guide plate to contact the upper surface 10a of the light guide plate. The wavelength conversion lower layer 70 is interposed between the light guide plate 10 and the wavelength conversion layer 50 to help total reflection of the optical member 100.

더욱 구체적으로 설명하면, 도광판(10)에 의하여 입광면(10s1)으로부터 대광면(10s3) 측으로 효율적인 광 가이드가 이루어지기 위해서는 도광판(10)에서 효과적인 내부 전반사가 이루어지는 것이 바람직하다. 도광판(10)에서 내부 전반사가 이루어질 수 있는 조건 중 하나는 도광판(10)의 굴절률이 그와 광학적 계면을 이루는 매질의 굴절률에 비해 큰 것이다. 도광판(10)과 광학적 계면을 이루는 매질의 굴절률이 낮을수록 전반사 임계각이 작아져 더 많은 내부 전반사가 이루어질 수 있다. In more detail, in order for the light guide to be efficiently guided from the light receiving surface 10s1 to the light facing surface 10s3 by the light guide plate 10, it is preferable that the internal reflection is effectively performed in the light guide plate 10. One of the conditions under which total internal reflection may occur in the light guide plate 10 is that the refractive index of the light guide plate 10 is larger than the refractive index of a medium forming an optical interface therewith. As the refractive index of the medium forming the optical interface with the light guide plate 10 is lower, the total reflection critical angle becomes smaller, thereby allowing more internal total reflection.

도광판(10)이 굴절률이 약 1.5인 유리로 이루어진 경우를 예로 하여 설명하면, 도광판(10)의 하면(10b)은 굴절률이 약 1인 공기층에 노출되어 그와 광학적 계면을 이루기 때문에 충분한 전반사가 이루어질 수 있다. Referring to the case where the light guide plate 10 is made of glass having a refractive index of about 1.5, the lower surface 10b of the light guide plate 10 is exposed to an air layer having a refractive index of about 1 and forms an optical interface therewith. Can be.

반면, 도광판(10)의 상면(10a)에는 다른 광학 기능층들이 적층되어 일체화되어 있기 때문에, 하면(10b)의 경우보다 충분한 전반사가 이루어지기 어렵다. 예를 들어, 도광판(10)의 상면(10a)에 굴절률이 1.5 이상인 물질층이 적층되면, 도광판(10)의 상면(10a)에서는 전반사가 이루어지지 못한다. 또한, 도광판(10)의 상면(10a)에 도광판(10)보다 굴절률이 미세하게 작은, 예컨대 1.49 정도의 물질층이 적층되면, 도광판(10)의 상면(10a)에서 내부 전반사가 이루어질 수는 있지만, 임계각이 너무 커서 충분한 전반사가 이루어지지 못한다. 도광판(10)의 상면(10a) 상에 적층되는 파장 변환층(50)은 통상 1.5 내외의 굴절률을 갖는데, 이러한 파장 변환층(50)이 도광판(10)의 상면(10a)에 직접 적층되면 도광판(10)의 상면(10a)에서 충분한 전반사가 이루어지기 어렵다. On the other hand, since the other optical functional layers are laminated and integrated on the upper surface 10a of the light guide plate 10, it is difficult to achieve a total reflection more sufficiently than that of the lower surface 10b. For example, when a material layer having a refractive index of 1.5 or more is stacked on the top surface 10a of the light guide plate 10, total reflection may not be performed on the top surface 10a of the light guide plate 10. In addition, when a layer of material having a refractive index smaller than that of the light guide plate 10, for example, about 1.49, is stacked on the top surface 10a of the light guide plate 10, total internal reflection may occur on the top surface 10a of the light guide plate 10. In this case, the critical angle is too large for sufficient total reflection. The wavelength conversion layer 50 laminated on the upper surface 10a of the light guide plate 10 generally has a refractive index of about 1.5. When the wavelength conversion layer 50 is directly laminated on the upper surface 10a of the light guide plate 10, the light guide plate In the upper surface 10a of (10), it is hard to make sufficient total reflection.

도광판(10)과 파장 변환층(50) 사이에 개재되어 도광판(10)의 상면(10a)과 계면을 이루는 저굴절층(30)은 도광판(10)보다 낮은 굴절률을 가져 저굴절층(30)의 하면(30b)에서 전반사가 이루어지도록 한다. 또한, 저굴절층(30)은 그 상부에 배치되는 물질층인 파장 변환층(50)보다 낮은 굴절률을 가져, 파장 변환층(50)이 직접 도광판(10)의 상면(10a)에 배치되는 경우보다 더 많은 전반사가 이루어지도록 할 수 있다. The low refractive index layer 30 interposed between the light guide plate 10 and the wavelength conversion layer 50 to interface with the upper surface 10a of the light guide plate 10 has a lower refractive index than the light guide plate 10 and thus has a low refractive index layer 30. The total reflection is to be made at the bottom (30b). In addition, the low refractive index layer 30 has a lower refractive index than the wavelength conversion layer 50, which is a material layer disposed thereon, so that the wavelength conversion layer 50 is directly disposed on the upper surface 10a of the light guide plate 10. More total reflection can be achieved.

도광판(10) 상에 저굴절 하부층(20)이 배치된 경우, 도광판(10)과 저굴절 하부층(20) 계면에서도 굴절률의 차이가 있어 전반사가 이루어질 수 있지만, 해당 계면에서 전반사 임계각보다 작은 각으로 입사한 광은 저굴절 하부층(20) 측으로 투과하여 진행할 수 있다. 저굴절 하부층(20)과 저굴절층(30) 계면에서 다시 반사 및/또는 굴절이 이루어지는데, 저굴절층(30)의 굴절률이 저굴절 하부층(20)의 굴절률보다 작은 경우 상기 계면에서도 전반사가 이루어질 수 있다. 광학 부재(100)가 저굴절 하부층(20)을 포함하는 경우, 도광판(10)과 저굴절층(30) 사이에 저굴절 하부층(20)이 개재되지만, 최종적으로 전반사의 임계각을 결정하는 것은 도광판(10)과 저굴절층(30)의 굴절률의 차이이다. 저굴절층(30)의 굴절률이 작을수록 상기 굴절률의 차이가 커지므로 전반사 임계각은 작아져 보다 많은 전반사가 이루어질 수 있다.When the low refractive index lower layer 20 is disposed on the light guide plate 10, total reflection may occur due to a difference in refractive index even at the interface between the light guide plate 10 and the low refractive index lower layer 20, but at an angle smaller than the total reflection critical angle at the interface. The incident light may be transmitted through the low refractive index lower layer 20. Reflection and / or refraction occur again at the interface of the low refractive index lower layer 20 and the low refractive index layer 30. When the refractive index of the low refractive index layer 30 is smaller than the refractive index of the low refractive index lower layer 20, total reflection is also performed at the interface. Can be done. When the optical member 100 includes the low refractive index lower layer 20, the low refractive index lower layer 20 is interposed between the light guide plate 10 and the low refractive index layer 30, but finally determining the critical angle of the total reflection is the light guide plate. This is a difference between the refractive indices of (10) and the low refractive index layer (30). As the refractive index of the low refractive index layer 30 is smaller, the difference in the refractive index becomes larger, so that the total reflection critical angle becomes smaller, thereby allowing more total internal reflection.

도광판(10)과 파장 변환층(50) 사이에 개재되어 도광판(10)의 상면(10a)과 계면을 이루는 파장 변환 하부층(70)은 저굴절층(30)을 포함할 수 있다. 저굴절층(30)은 도광판(10)보다 낮은 굴절률을 가져 저굴절층(30)의 하면(30b)에서 전반사가 이루어지도록 한다. 또한, 저굴절층(30)은 그 상부에 배치되는 물질층인 파장 변환층(50)보다 낮은 굴절률을 가져, 파장 변환층(50)이 직접 도광판(10)의 상면(10a)에 배치되는 경우보다 더 많은 전반사가 이루어지도록 할 수 있다.The wavelength conversion lower layer 70 interposed between the light guide plate 10 and the wavelength conversion layer 50 to interface with the upper surface 10a of the light guide plate 10 may include a low refractive index layer 30. The low refractive index layer 30 has a lower refractive index than the light guide plate 10 so that total reflection is made at the bottom surface 30b of the low refractive index layer 30. In addition, the low refractive index layer 30 has a lower refractive index than the wavelength conversion layer 50, which is a material layer disposed thereon, so that the wavelength conversion layer 50 is directly disposed on the upper surface 10a of the light guide plate 10. More total reflection can be achieved.

도광판(10)의 굴절률과 저굴절층(30)의 굴절률의 차는 0.2 이상일 수 있다. 저굴절층(30)의 굴절률이 도광판(10)의 굴절률보다 0.2 이상 작은 경우, 저굴절층(30)의 하면(30b)을 통해서 충분한 전반사가 이루어질 수 있다. 도광판(10)의 굴절률과 저굴절층(30)의 굴절률의 차의 상한에는 제한이 없지만, 통상 적용되는 도광판(10)의 물질과 저굴절층(30)의 굴절률을 고려할 때 1 이하일 수 있다. 저굴절층(30)의 굴절률은 1.2 내지 1.4의 범위에 있을 수 있다. 일반적으로 고체상의 매질은 그 굴절률을 1에 가깝게 만들수록 제조 비용이 기하급수적으로 증가한다. 저굴절층(30)의 굴절률이 1.2 이상이면, 지나친 제조 원가의 증가를 막을 수 있다. 또한, 저굴절층(30)의 굴절률이 1.4 이하인 것이 도광판(10)의 상면(10a) 전반사 임계각을 충분히 작게 하는 데에 유리하다. 예시적인 실시예에서, 약 1.25의 굴절률을 갖는 저굴절층(30)이 적용될 수 있다. The difference between the refractive index of the light guide plate 10 and the refractive index of the low refractive layer 30 may be 0.2 or more. When the refractive index of the low refractive layer 30 is 0.2 or less than the refractive index of the light guide plate 10, sufficient total reflection may be achieved through the lower surface 30b of the low refractive layer 30. The upper limit of the difference between the refractive index of the light guide plate 10 and the refractive index of the low refractive index layer 30 is not limited. However, the refractive index of the light guide plate 10 and the low refractive index layer 30 may be 1 or less. The refractive index of the low refractive layer 30 may be in the range of 1.2 to 1.4. In general, the solid phase medium increases exponentially with the manufacturing cost as the refractive index approaches 1. If the refractive index of the low refractive index layer 30 is 1.2 or more, excessive increase in manufacturing cost can be prevented. In addition, it is advantageous that the refractive index of the low refractive index layer 30 is 1.4 or less to sufficiently reduce the total reflection critical angle of the upper surface 10a of the light guide plate 10. In an exemplary embodiment, a low refractive index layer 30 having a refractive index of about 1.25 may be applied.

상술한 낮은 굴절률을 나타내기 위해 저굴절층(30)은 보이드를 포함할 수 있다. 보이드는 진공으로 이루어지거나, 공기층, 기체 등으로 채워질 수 있다. 보이드의 공간은 파티클이나 매트릭스 등에 의해 정의될 수 있다. 더욱 상세한 설명을 위해 도 3 및 도 4가 참조된다. In order to exhibit the low refractive index described above, the low refractive index layer 30 may include voids. The voids may be made of a vacuum or filled with an air layer, gas or the like. The void space can be defined by particles or matrices. Reference is made to FIGS. 3 and 4 for further details.

도 3 및 도 4는 다양한 실시예들에 따른 저굴절층의 단면도들이다. 3 and 4 are cross-sectional views of a low refractive layer according to various embodiments.

일 실시예에서, 저굴절층(30)은 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 파티클(PT), 파티클(PT)을 둘러싸고 전체가 하나로 연결된 매트릭스(MX) 및 보이드(VD)를 포함할 수 있다. 파티클(PT)은 저굴절층(30)의 굴절률 및 기계적 강도를 조절하는 필러(filler)일 수 있다. In one embodiment, as shown in FIG. 3, the low refractive layer 30 may include a plurality of particles PT, a matrix MX and a void VD surrounding the particles PT and connected in one whole. have. The particle PT may be a filler that controls the refractive index and the mechanical strength of the low refractive index layer 30.

저굴절층(30)에는 복수의 매트릭스(MX) 내부에 파티클(PT)들이 분산 배치되고, 매트릭스(MX)가 부분적으로 벌어져 해당 부위에 보이드(VD)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 파티클(PT)과 매트릭스(MX)를 용매에 혼합한 후, 건조 및/또는 경화시키면 용매가 증발하는데, 이때 매트릭스(MX) 사이사이에 보이드(VD)가 형성될 수 있다. In the low refractive layer 30, particles PT may be distributed and disposed in the plurality of matrices MX, and the matrix MX may be partially spread to form voids VD. For example, a plurality of particles PT and a matrix MX are mixed in a solvent, and then dried and / or cured to evaporate the solvent, and voids VD may be formed between the matrix MX. .

다른 실시예에서, 저굴절층(30)은 도 4에 도시된 것처럼, 파티클 없이 매트릭스(MX)와 보이드(VD)를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 저굴절층(30)은 발포수지와 같이 전체가 하나로 연결된 매트릭스(MX) 및 그 내부에 배치된 복수의 보이드(VD)를 포함할 수도 있다. In another embodiment, low refractive index layer 30 may include matrix MX and void VD without particles, as shown in FIG. 4. For example, the low refractive layer 30 may include a matrix MX, which is entirely connected to one another, such as a foamed resin, and a plurality of voids VD disposed therein.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 저굴절층(30)이 보이드(VD)를 포함하는 경우, 저굴절층(30)의 전체 굴절률은 파티클(PT)/매트릭스(MX)의 굴절률과 보이드(VD)의 굴절률의 사이값을 가질 수 있다. 상술한 바와 같이 보이드(VD)가 굴절률이 1인 진공이나 굴절률이 대략 1인 공기층, 기체 등으로 채워지는 경우, 파티클(PT)/매트릭스(MX)로 1.4 이상의 물질을 사용하더라도 저굴절층(30)의 전체 굴절률은 1.4 이하의 값, 예컨대 약 1.25의 값을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파티클(PT)은 SiO2, Fe2O3, MgF2와 같은 무기 물질로 이루어지고, 매트릭스(MX)는 폴리실록산(polysiloxane)과 같은 유기물로 이루어질 수 있지만, 그 밖의 다른 유기물이나 무기물로 이루어질 수도 있다. As shown in FIGS. 3 and 4, when the low refractive index layer 30 includes voids VD, the total refractive index of the low refractive index layer 30 is determined by the refractive index of the particle PT / matrix MX and the void ( It may have a value between the refractive index of VD). As described above, when the void VD is filled with a vacuum having a refractive index of 1 or an air layer having a refractive index of approximately 1, a gas, or the like, even if a material of 1.4 or more is used as the particle PT / matrix MX, the low refractive layer 30 ) May have a value of 1.4 or less, such as about 1.25. In an exemplary embodiment, the particles PT may be made of an inorganic material such as SiO 2 , Fe 2 O 3 , MgF 2, and the matrix MX may be made of an organic material such as polysiloxane, but other organic materials. It may also be made of minerals.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 저굴절층(30)의 두께는 0.4㎛ 내지 2㎛일 수 있다. 저굴절층(30)의 두께가 가시광 파장 범위인 0.4㎛ 이상인 경우 실효적인 광학적 계면을 이룰 수 있어 저굴절층(30)의 하면(30b)에서 스넬의 법칙에 따른 전반사가 잘 이루어질 수 있다. 저굴절층(30)이 너무 두꺼울 경우 광학 부재(100)의 박막화에 역행하고, 재료 비용이 증가하며 광학 부재(100)의 휘도 측면에도 불리할 수 있으므로, 저굴절층(30)은 2㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 저굴절층(30)의 두께는 약 1㎛일 수 있다. Referring again to FIGS. 1 and 2, the thickness of the low refractive layer 30 may be 0.4 μm to 2 μm. When the thickness of the low refractive layer 30 is 0.4 µm or more, which is the visible light wavelength range, an effective optical interface may be achieved, and total reflection according to Snell's law may be well performed on the bottom surface 30b of the low refractive layer 30. If the low refractive index layer 30 is too thick, the thickness of the optical member 100 may be reversed, the material cost may increase, and the brightness of the optical member 100 may be disadvantageous. It may be formed to a thickness of. In an exemplary embodiment, the thickness of the low refractive layer 30 may be about 1 μm.

저굴절 하부층(20)은 도광판(10)과 저굴절층(30) 사이에 배치될 수 있다. 저굴절 하부층(20)은 도광판(10)의 상면 상에 직접 형성되어 도광판(10)의 상면과 접촉할 수 있다. 또한, 저굴절층(30)의 하면과 접촉할 수 있다. 저굴절 하부층(20)은 도광판(10)과 저굴절층(30) 사이에 개재될 수 있다. 저굴절 하부층(20)은 저굴절층(30) 보다 굴절률이 클 수 있다. 저굴절 하부층(20)은 저굴절 물질과 고굴절 물질 중 어느 하나로 이루어지는 단층 구조일 수 있다. 또한, 저굴절 하부층(20)은 저굴절 물질 및 고굴절 물질이 교대로 적층 된 다층 구조일 수 있다. 저굴절 물질의 굴절률은 1.3 내지 1.7일 수 있다. 고굴절 물질의 굴절률은 1.5 내지 2.2일 수 있다. 일 실시예로 저굴절 물질은 SiOx일 수 있고, 고굴절 물질은 SiNx일 수 있다. 다만, 저굴절 물질 및 고굴절 물질은 이에 한정되는 것은 아니며 굴절률을 만족하는 다양한 물질이 될 수 있다. The low refractive index lower layer 20 may be disposed between the light guide plate 10 and the low refractive index layer 30. The low refractive index lower layer 20 may be directly formed on the upper surface of the light guide plate 10 to contact the upper surface of the light guide plate 10. In addition, the bottom surface of the low refractive layer 30 may be in contact with the bottom surface of the low refractive layer 30. The low refractive index lower layer 20 may be interposed between the light guide plate 10 and the low refractive index layer 30. The low refractive index lower layer 20 may have a larger refractive index than the low refractive index layer 30. The low refractive index lower layer 20 may be a single layer structure made of any one of a low refractive material and a high refractive material. In addition, the low refractive index lower layer 20 may have a multilayer structure in which low refractive materials and high refractive materials are alternately stacked. The refractive index of the low refractive material may be 1.3 to 1.7. The refractive index of the high refractive material may be 1.5 to 2.2. In one embodiment, the low refractive material may be SiOx, and the high refractive material may be SiNx. However, the low refractive material and the high refractive material are not limited thereto, and may be various materials satisfying the refractive index.

저굴절 하부층(20)의 적층 물질 및 적층 두께에 따라 광의 보강 간섭 또는 상쇄 간섭에 의한 영향이 변화하므로 광 투과율이 변하게 된다. 즉, 저굴절 하부층(20)의 적층 물질 및 적층 두께를 조절하여 광 투과율을 조절할 수 있게 된다. 또한, 저굴절 하부층(20)이 무기막을 포함하는 경우, 저굴절 하부층(20)은 저굴절층(30)으로 수분/산소가 침투하는 것을 방지하는 보호막의 역할을 할 수 있다.According to the stacking material and the stacking thickness of the low refractive index lower layer 20, the influence of the constructive interference or the destructive interference of the light changes, so that the light transmittance is changed. That is, light transmittance may be controlled by adjusting the stacking material and the stacking thickness of the low refractive index lower layer 20. In addition, when the low refractive index lower layer 20 includes an inorganic film, the low refractive index lower layer 20 may serve as a protective film that prevents moisture / oxygen from penetrating into the low refractive index layer 30.

저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30)과 파장 변환층(50) 사이에 배치될 수 있다. 저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30)의 상면 상에 직접 형성되어 저굴절층(30)의 상면과 접촉할 수 있다. 또한, 파장 변환층(50)의 하면과 접촉할 수 있다. 저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30)과 파장 변환층(50) 사이에 개재될 수 있다. 저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30)보다 굴절률이 클 수 있다. 저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30) 상면에서 파장 변환층(50) 방향으로 전반사가 일어나는 것을 돕는다. 저굴절 상부층(40)은 저굴절 물질과 고굴절 물질 중 어느 하나로 이루어지는 단층 구조일 수 있다. 또한, 저굴절 상부층(40)은 저굴절 물질 및 고굴절 물질이 교대로 적층 된 다층 구조일 수 있다. 저굴절 하부층(20)과 같이 저굴절 물질의 굴절률은 1.2 내지 1.7일 수 있다. 고굴절 물질의 굴절률은 1.5 내지 2.2일 수 있다. 일 실시예로 저굴절 물질은 SiOx일 수 있고, 고굴절 물질은 SiNx일 수 있다. 다만, 저굴절 물질 및 고굴절 물질은 이에 한정되는 것은 아니며 굴절률을 만족하는 다양한 물질이 될 수 있다. The low refractive index upper layer 40 may be disposed between the low refractive index layer 30 and the wavelength conversion layer 50. The low refractive index upper layer 40 may be formed directly on the upper surface of the low refractive index layer 30 to contact the upper surface of the low refractive index layer 30. In addition, the bottom surface of the wavelength conversion layer 50 may be in contact. The low refractive index upper layer 40 may be interposed between the low refractive index layer 30 and the wavelength conversion layer 50. The low refractive index upper layer 40 may have a larger refractive index than the low refractive index layer 30. The low refractive index upper layer 40 helps total reflection to occur in the direction of the wavelength conversion layer 50 on the upper surface of the low refractive index layer 30. The low refractive index upper layer 40 may have a single layer structure made of any one of a low refractive material and a high refractive material. In addition, the low refractive index upper layer 40 may have a multilayer structure in which low refractive materials and high refractive materials are alternately stacked. The refractive index of the low refractive material, such as the low refractive index lower layer 20 may be 1.2 to 1.7. The refractive index of the high refractive material may be 1.5 to 2.2. In one embodiment, the low refractive material may be SiOx, and the high refractive material may be SiNx. However, the low refractive material and the high refractive material are not limited thereto, and may be various materials satisfying the refractive index.

저굴절 상부층(40)의 적층 물질 및 적층 두께에 따라 광의 보강 간섭 또는 상쇄 간섭에 의한 영향이 변화하므로 광 투과율이 변하게 된다. 즉, 저굴절 상부층(40)의 적층 물질 및 적층 두께를 조절하여 광 투과율을 조절할 수 있게 된다. 또한, 저굴절 상부층(40)은 광학 부재(100)의 광학 효율을 향상시킬 수 있다. 저굴절층(30)을 투과한 광이 파장 변환층(50)으로 진입하여 분산된 산란 입자를 만나면 파장이 변하면서 산란하는데, 산란한 광의 일부는 다시 도광판(10) 방향으로 진행할 수 있다. 저굴절 상부층(40)이 저굴절층(30)보다 높은 굴절률을 가지면 그 계면에서 전반사가 이루어지고, 다시 상부로 반사시킬 수 있어, 표시 장치의 휘도와 같은 광학 효율을 증가시킬 수 있다. According to the stacking material and the stacking thickness of the low refractive upper layer 40, the influence of the constructive or destructive interference of the light changes, so that the light transmittance is changed. That is, the light transmittance may be controlled by adjusting the stacking material and the stacking thickness of the low refractive upper layer 40. In addition, the low refractive upper layer 40 may improve the optical efficiency of the optical member 100. When the light passing through the low refractive layer 30 enters the wavelength conversion layer 50 and meets scattered scattered particles, the wavelength is changed and scattered. Some of the scattered light may travel in the direction of the light guide plate 10 again. When the low refractive index upper layer 40 has a higher refractive index than the low refractive index layer 30, total reflection is made at the interface thereof, and the upper surface of the low refractive index layer 40 may be reflected upward, thereby increasing optical efficiency such as brightness of the display device.

저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30)과 완전히 중첩하여 저굴절층(30)으로 수분 및/또는 산소의 침투하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30)의 변형을 방지할 수 있으며, 경도를 증가시켜 구조적인 안정성을 가져올 수 있다. 또한 무기막을 포함하는 저굴절 상부층(40)은 상부의 파장 변환층(50) 및 하부의 저굴절층(30)으로 수분 및/또는 산소가 침투하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The low refractive index upper layer 40 may completely overlap the low refractive index layer 30 to prevent penetration of moisture and / or oxygen into the low refractive index layer 30. That is, the low refractive index upper layer 40 can prevent the deformation of the low refractive index layer 30, and may increase the hardness to bring structural stability. In addition, the low refractive index upper layer 40 including the inorganic layer may serve to prevent moisture and / or oxygen from penetrating into the upper wavelength converting layer 50 and the lower low refractive index layer 30.

파장 변환 하부층(70)은 증착 및 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 도광판(10)상에 저굴절 하부층(20), 저굴절층(30), 저굴절 상부층(40) 순으로 형성될 수 있다. 일 실시예로 저굴절 하부층(20)과 저굴절 상부층(40)은 무기물을 포함하는 무기막으로 화학 기상 증착 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 저굴절층(30)은 유기물을 포함하는 유기막으로 코팅 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 코팅 방법으로는 슬릿 코팅, 스핀 코팅, 롤 코팅, 스프레이 코팅, 잉크젯 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 다양한 적층 방법이 적용될 수 있다.The wavelength conversion lower layer 70 may be formed by a method such as deposition and coating. The wavelength conversion lower layer 70 may be formed on the light guide plate 10 in the order of the low refractive index lower layer 20, the low refractive index layer 30, and the low refractive index upper layer 40. In one embodiment, the low refractive index lower layer 20 and the low refractive index upper layer 40 may be formed using a chemical vapor deposition method as an inorganic film containing an inorganic material. The low refractive layer 30 may be formed by using a coating method as an organic film including an organic material. The coating method may include slit coating, spin coating, roll coating, spray coating, inkjet, and the like, but is not limited thereto, and various other lamination methods may be applied.

파장 변환층(50)은 파장 변환 하부층(70) 상에 배치된다. 일 실시예로 파장 변환 하부층(70)이 저굴절 상부층(40)을 포함하는 경우, 파장 변환층(50)은 저굴절 상부층(40)의 상면에 배치될 수 있다. 다른 실시예로 파장 변환 하부층(70)이 저굴절 상부층(40)을 포함하지 않는 경우, 파장 변환층(50)은 저굴절층(30) 상면에 배치될 수 있다. 파장 변환층(50)은 바인더층과 바인더층 내에 분산된 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 파장 변환층(50)은 파장 변환 입자 외에 바인더층에 분산된 산란 입자를 더 포함할 수 있다.The wavelength converting layer 50 is disposed on the wavelength converting underlayer 70. In an embodiment, when the wavelength conversion lower layer 70 includes the low refractive upper layer 40, the wavelength conversion layer 50 may be disposed on an upper surface of the low refractive upper layer 40. In another embodiment, when the wavelength conversion lower layer 70 does not include the low refractive index upper layer 40, the wavelength conversion layer 50 may be disposed on the top surface of the low refractive index layer 30. The wavelength conversion layer 50 may include a binder layer and wavelength conversion particles dispersed in the binder layer. The wavelength conversion layer 50 may further include scattering particles dispersed in the binder layer in addition to the wavelength conversion particles.

바인더층은 파장 변환 입자가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 다만, 그에 제한되는 것은 아니며, 본 명세서에서 파장 변환 입자 및/또는 산란 입자를 분산 배치시킬 수 있는 매질이면 그 명칭, 추가적인 다른 기능, 구성 물질 등에 상관없이 바인더층으로 지칭될 수 있다. The binder layer is a medium in which the wavelength conversion particles are dispersed, and may be made of various resin compositions that may generally be referred to as binders. However, the present invention is not limited thereto and may be referred to as a binder layer regardless of its name, additional functions, materials, and the like, as long as the medium capable of dispersing the wavelength converting particles and / or the scattering particles.

파장 변환 입자는 입사된 빛의 파장을 변환하는 입자로, 예를 들어 양자점(Quant㎛ dot: QD), 형광 물질 또는 인광 물질일 수 있다. 파장 변환 입자의 일 예인 양자점에 대해 상세히 설명하면, 양자점은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수 백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되며, 작은 크기로 인해 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 양자 구속(quant㎛ confinement) 효과를 나타낸다. 양자점에 밴드 갭보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 양자점은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 파장의 빛은 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점은 그 크기와 조성 등을 조절하면 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있다.The wavelength conversion particles are particles that convert wavelengths of incident light, and may be, for example, quantum dots (QDs), fluorescent materials, or phosphorescent materials. The quantum dot, an example of a wavelength conversion particle, is a material having a crystal structure of several nanometers in size, composed of hundreds to thousands of atoms, and because of its small size, the energy band gap is reduced. The increasing quantum confinement effect is shown. When light of a wavelength having a higher energy than the band gap is incident on the quantum dot, the quantum dot is excited by absorbing the light and falls to the ground state while emitting light of a specific wavelength. Light of the emitted wavelength has a value corresponding to the band gap. The quantum dots can control the light emission characteristics due to the quantum confinement effect by adjusting the size and composition thereof.

양자점은 예를 들어, Ⅱ-Ⅵ족 화합물, Ⅱ-Ⅴ족 화합물, Ⅲ-Ⅵ족 화합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물, Ⅳ-Ⅵ족 화합물, Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물, Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ족 화합물 및 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ족 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Quantum dots are, for example, group II-VI compounds, group II-V compounds, group III-VI compounds, group III-V compounds, group IV-VI compounds, group I-III-VI compounds, group II-IV-VI At least one of a compound and a II-IV-V compound.

양자점은 코어(Core) 및 코어를 오버 코팅하는 쉘(Shell)을 포함하는 것일 수 있다. 코어는 이에 한정하는 것은 아니나, 예를 들어, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, InSb, SiC, Ca, Se, In, P, Fe, Pt, Ni, Co, Al, Ag, Au, Cu, FePt, Fe2O3, Fe3O4, Si, 및 Ge 중 적어도 하나일 수 있다. 쉘은 이에 한정하는 것은 아니나, 예를 들어, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The quantum dot may include a core and a shell overcoating the core. The core is not limited thereto, but for example, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, InSb, SiC, Ca, It may be at least one of Se, In, P, Fe, Pt, Ni, Co, Al, Ag, Au, Cu, FePt, Fe2O3, Fe3O4, Si, and Ge. The shell is not limited thereto, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, It may include at least one of InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe, and PbTe.

파장 변환 입자는 입사광을 서로 다른 파장으로 변환하는 복수의 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 입자는 특정 파장의 입사광을 제1 파장으로 변환하여 방출하는 제1 파장 변환 입자와 제2 파장으로 변환하여 방출하는 제2 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 광원(400)에서 출사되어 파장 변환 입자에 입사되는 빛은 블루 파장의 빛이고, 상기 제1 파장은 그린 파장이고, 상기 제2 파장은 레드 파장일 수 있다. 예를 들어, 상기 블루 파장은 420 내지 470nm에서 피크를 갖는 파장이고, 상기 그린 파장은 520nm 내지 570nm에서 피크를 갖는 파장이고, 상기 레드 파장은 620nm 내지 670nm에서 피크를 갖는 파장일 수 있다. 그러나, 블루, 그린, 레드 파장이 위 예시에 제한되는 것은 아니며, 본 기술분야에서 블루, 그린, 레드로 인식될 수 있는 파장 범위를 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The wavelength converting particle may include a plurality of wavelength converting particles for converting incident light into different wavelengths. For example, the wavelength converting particles may include first wavelength converting particles converting incident light having a specific wavelength into a first wavelength and emitting the second wavelength converting particles converting and emitting a second wavelength. In an exemplary embodiment, the light emitted from the light source 400 and incident on the wavelength conversion particle may be light of a blue wavelength, the first wavelength may be a green wavelength, and the second wavelength may be a red wavelength. For example, the blue wavelength may be a wavelength having a peak at 420 to 470 nm, the green wavelength may be a wavelength having a peak at 520 nm to 570 nm, and the red wavelength may be a wavelength having a peak at 620 nm to 670 nm. However, blue, green, and red wavelengths are not limited to the above examples, and should be understood to include all wavelength ranges that can be recognized as blue, green, and red in the art.

상기 예시적인 실시예에서, 파장 변환층(50)에 입사된 블루광은 파장 변환층(50)을 통과하면서 일부가 제1 파장 변환 입자에 입사하여 그린 파장으로 변환되어 방출되고, 다른 일부가 제2 파장 변환 입자에 입사하여 레드 파장으로 변환되어 방출되며, 나머지 일부는 제1 및 제2 파장 변환 입자에 입사되지 않고 그대로 출사될 수 있다. 따라서, 파장 변환층(50)을 통과한 빛은 블루 파장의 빛, 그린 파장의 빛, 및 레드 파장의 빛을 모두 포함하게 된다. 방출되는 서로 다른 파장의 빛들의 비율을 적절하게 조절하면 백색광 또는 다른 색의 출사광을 표시할 수 있다. 파장 변환층(50)에 변환된 빛들은 좁은 범위의 특정 파장 내에 집중되고, 좁은 반치폭을 갖는 샤프한 스펙트럼을 갖는다. 따라서, 이와 같은 스펙트럼의 빛을 컬러 필터로 필터링하여 색상을 구현할 경우, 색재현성이 개선될 수 있다. In the exemplary embodiment, blue light incident on the wavelength converting layer 50 passes through the wavelength converting layer 50, and a part of the blue light is incident on the first wavelength converting particle to be converted into a green wavelength and emitted. The light may be incident on the two wavelength converting particles, converted into red wavelengths, and may be emitted without being incident on the first and second wavelength converting particles. Therefore, the light passing through the wavelength conversion layer 50 includes all of light of blue wavelength, light of green wavelength, and light of red wavelength. By properly adjusting the ratio of the light of different wavelengths emitted, it is possible to display white light or output light of different colors. The light converted in the wavelength conversion layer 50 is concentrated within a specific wavelength of a narrow range, and has a sharp spectrum having a narrow half width. Therefore, when colors of the spectrum are filtered by color filters to implement colors, color reproducibility may be improved.

상기 예시적인 실시예와는 달리, 입사광이 자외선 등과 같은 단파장의 빛이고 이를 각각 블루, 그린, 레드 파장으로 변환하는 3 종류의 파장 변환 입자가 파장 변환층(50) 내에 배치되어 백색광을 출사할 수도 있다. Unlike the above exemplary embodiment, the incident light is light having a short wavelength such as ultraviolet light, and three kinds of wavelength converting particles converting the light into blue, green, and red wavelengths may be disposed in the wavelength converting layer 50 to emit white light. have.

파장 변환층(50)은 산란 입자를 더 포함할 수 있다. 산란 입자는 비양자점 입자로서, 파장 변환 기능이 없는 입자일 수 있다. 산란 입자는 입사된 빛을 산란시켜 더 많은 입사광이 파장 변환 입자 측으로 입사될 수 있도록 한다. 뿐만 아니라, 산란 입자는 파장별 빛의 출사각을 균일하게 제어하는 역할을 수행할 수 있다. 구체적으로 설명하면 일부의 입사광이 파장 변환 입자에 입사된 후 파장이 변환되어 방출될 때, 그 방출 방향은 무작위인 산란 특성을 갖는다. 만약, 파장 변환층(50) 내에 산란 입자가 없다면, 파장 변환 입자 충돌 후 방출하는 그린, 레드 파장은 산란 방출 특성을 갖지만, 파장 변환 입자의 충돌 없이 방출하는 블루 파장은 산란 방출 특성을 갖지 않아 출사 각도에 따라 블루/그린/레드 파장의 방출량이 상이해질 것이다. 산란 입자는 파장 변환 입자에 충돌하지 않고 방출되는 블루 파장에 대해서도 산란 방출 특성을 부여함으로써, 파장별 빛의 출사각을 유사하게 조절할 수 있다. 산란 입자로는 TiO2, SiO2 등이 사용될 수 있다. The wavelength conversion layer 50 may further include scattering particles. The scattering particles are non-quantum dot particles, and may be particles having no wavelength conversion function. The scattering particles scatter the incident light so that more incident light can be incident on the wavelength converting particle side. In addition, the scattering particles may serve to uniformly control the emission angle of light for each wavelength. Specifically, when some incident light is incident on the wavelength conversion particle and then the wavelength is converted and emitted, the emission direction has random scattering characteristics. If there is no scattering particles in the wavelength conversion layer 50, the green and red wavelengths emitted after the wavelength-converting particle collide have scattering emission characteristics, but the blue wavelengths emitted without the collision of the wavelength-converting particles do not have scattering emission characteristics and are emitted. Depending on the angle, the emission of the blue / green / red wavelengths will be different. Scattering particles can similarly control the emission angle of light for each wavelength by providing scattering emission characteristics with respect to blue wavelengths emitted without colliding with the wavelength conversion particles. As the scattering particles, TiO 2, SiO 2, or the like may be used.

파장 변환층(50)은 저굴절층(30)보다 두꺼울 수 있다. 파장 변환층의 두께는 약 10 내지 50㎛일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장 변환층(50)의 두께는 약 10㎛일 수 있다.The wavelength conversion layer 50 may be thicker than the low refractive layer 30. The thickness of the wavelength conversion layer may be about 10 to 50㎛. In an exemplary embodiment, the thickness of the wavelength conversion layer 50 may be about 10 μm.

파장 변환층(50)은 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 하부층이 형성된 도광판(10) 상에 파장 변환 조성물을 슬릿 코팅하고, 건조 및 경화하여 파장 변환층(50)을 형성할 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 다양한 적층 방법이 적용될 수 있다.The wavelength conversion layer 50 may be formed by a coating method or the like. For example, the wavelength conversion layer 50 may be formed by slit coating, drying, and curing the wavelength conversion composition on the light guide plate 10 on which the wavelength conversion lower layer is formed. However, the present invention is not limited thereto, and various other lamination methods may be applied.

파장 변환층(50) 상에는 파장 변환 상부층(60)이 배치될 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 패시베이션층일 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 복수의 적층막을 포함할 수 있다. 각 적층막은 무기막 또는 유기막을 포함할 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 즉, 파장 변환 상부층(60)은 무기막의 단일막으로 이루어지거나 복수의 무기막으로 이루어지거나 유기막과 무기막의 적층막으로 이루어질 수 있다. The wavelength conversion upper layer 60 may be disposed on the wavelength conversion layer 50. The wavelength converting upper layer 60 may be a passivation layer that prevents penetration of moisture and / or oxygen (hereinafter referred to as 'moisture / oxygen'). The wavelength conversion upper layer 60 may include a plurality of laminated films. Each laminated film may include an inorganic film or an organic film. The wavelength conversion upper layer 60 may include at least one inorganic layer. That is, the wavelength conversion upper layer 60 may be formed of a single film of an inorganic film, a plurality of inorganic films, or a laminated film of an organic film and an inorganic film.

각 적층막은 고굴절 물질, 저굴절 물질 및/또는 투명 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 저굴절 물질, 고굴절 물질 또는 투명 유기 물질로 이루어진 단층막일 수 있으며, 굴절률이 서로 다른 물질이 적층된 다층막일 수 있다. 일 실시예로 상기 고굴절 물질 및 저굴절 물질은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물 등 일 수 있다. 일 실시예로 고굴절 물질은 SiNx(실리콘 나이트라이드)이며, 저굴절 물질은 SiOx(실리콘 옥사이드)일 수 있다. 투명 유기 물질은 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등 일 수 있다. Each laminated film may comprise a high refractive material, a low refractive material and / or a transparent organic material. The wavelength conversion upper layer 60 may be a single layer film made of a low refractive material, a high refractive material, or a transparent organic material, and may be a multilayer film in which materials having different refractive indices are stacked. In one embodiment, the high and low refractive materials are silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide, and silicon oxynitride. Can be. In one embodiment, the high refractive material may be SiNx (silicon nitride), and the low refractive material may be SiOx (silicon oxide). The transparent organic material may be a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or the like.

파장 변환 상부층(60)은 파장 변환층(50)에 완전히 중첩하고 파장 변환층(50)의 상면을 덮을 수 있다. 일 실시예로 파장 변환 상부층(60)은 파장 변환층(50)의 상면만 덮을 수 있으나, 다른 실시예로 파장 변환 상부층(60)은 외측으로 더 연장되어 파장 변환층(50)의 측면과 파장 변환 하부층(70)의 측면까지 덮을 수 있다. The wavelength conversion upper layer 60 may completely overlap the wavelength conversion layer 50 and cover the top surface of the wavelength conversion layer 50. In one embodiment, the wavelength conversion upper layer 60 may cover only the top surface of the wavelength conversion layer 50, but in another embodiment, the wavelength conversion upper layer 60 may further extend outward to extend the side and wavelength of the wavelength conversion layer 50. It can cover up to the side of the transformation lower layer 70.

파장 변환 상부층(60)의 두께는 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 일 실시예로 파장 변환 상부층(60)이 유기막을 포함하지 않는 경우, 파장 변환 상부층(60)의 두께는 0.15㎛ 내지 0.5㎛일 수 있다. 다른 실시예로 파장 변환 상부층(60)이 유기막을 포함하는 경우, 파장 변환 상부층(60)의 두께는 1㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 파장 변환 상부층(60)의 두께는 파장 변환층(50)보다 작을 수 있다. 파장 변환 상부층(60)의 두께가 0.1㎛ 이상이면 유의미한 수분/산소 침투 방지 기능을 발휘할 수 있다. 파장 변환 상부층(60)의 두께가 2㎛ 이하인 것이 박막화 및 투과율 관점에서 유리하다. 다만 파장 변환 상부층(60)의 두께가 이에 한정되는 것은 아니며, 파장 변환 상부층(60)은 다양한 두께로 배치될 수 있다. 파장 변환 상부층(60)의 적층 물질의 굴절률 및 적층 두께 등에 따라서 상부로 추출되는 빛의 양, 다시 말해 투과율에 영향을 줄 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. The wavelength conversion upper layer 60 may have a thickness of 0.1 μm to 5 μm. In an embodiment, when the wavelength conversion upper layer 60 does not include an organic layer, the thickness of the wavelength conversion upper layer 60 may be 0.15 μm to 0.5 μm. In another embodiment, when the wavelength conversion upper layer 60 includes an organic layer, the thickness of the wavelength conversion upper layer 60 may be 1 μm to 5 μm. The thickness of the wavelength conversion upper layer 60 may be smaller than the wavelength conversion layer 50. When the thickness of the wavelength conversion upper layer 60 is 0.1 µm or more, a significant moisture / oxygen penetration prevention function can be exhibited. It is advantageous from the viewpoint of thinning and transmittance that the thickness of the wavelength conversion upper layer 60 is 2 μm or less. However, the thickness of the wavelength conversion upper layer 60 is not limited thereto, and the wavelength conversion upper layer 60 may be disposed in various thicknesses. According to the refractive index and the thickness of the laminated material of the wavelength conversion upper layer 60, the amount of light extracted to the upper part, that is, the transmittance may be affected. Detailed description thereof will be described later.

파장 변환 상부층(60)은 코팅 및 증착 등의 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 무기물을 포함하는 무기막은 파장 변환 하부층(70)과 파장 변환층(50)이 순차 형성된 도광판(10) 상에 화학 기상 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 유기물을 포함하는 유기막은 도광판 상에 코팅 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 다양한 적층 방법이 적용될 수 있다.The wavelength conversion upper layer 60 may be formed by a method such as coating and deposition. For example, the inorganic film including the inorganic material may be formed on the light guide plate 10 in which the wavelength conversion lower layer 70 and the wavelength conversion layer 50 are sequentially formed by using a chemical vapor deposition method. The organic layer including the organic material may be formed on the light guide plate by using a coating method. However, the present invention is not limited thereto, and various other lamination methods may be applied.

상술한 바와 같이, 광학 부재(100)는 광 가이드 기능과 파장 변환 기능을 동시에 수행할 수 있다. 광학 부재(100)는 파장 변환 하부층(70) 및 파장 변환 상부층(60)을 포함할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 저굴절층(30), 저굴절 하부층(20) 및 저굴절 상부층(40)을 포함할 수 있다. 저굴절 하부층(20) 및 저굴절 상부층(40)은 저굴절층(30)의 굴절률보다 큰 물질로 이루어질 수 있다. 저굴절 하부층(20) 및 저굴절 상부층(40)은 광학 부재로 입사된 광의 보강 간섭 또는 상쇄 간섭에 의한 영향을 변화시키므로 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 고굴절 물질 또는 저굴절 물질 중 적어도 하나의 물질로 이루어진 층을 포함할 수 있다. 또한 파장 변환 상부층(60)은 투명 유기 물질을 더 포함하는 다층막 일 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 파장 변환층을 완전히 덮어 수분/산소의 침투를 막는다. 또한 파장 변환 상부층(60)은 파장 변환층을 투과한 광이 광학 부재(100) 외부로 효과적으로 출광 되도록 하여 광학 효율을 향상시킬 수 있다. As described above, the optical member 100 may simultaneously perform the light guide function and the wavelength conversion function. The optical member 100 may include a wavelength converting lower layer 70 and a wavelength converting upper layer 60. The wavelength conversion lower layer 70 may include a low refractive index layer 30, a low refractive index lower layer 20, and a low refractive index upper layer 40. The low refractive index lower layer 20 and the low refractive index upper layer 40 may be formed of a material larger than the refractive index of the low refractive index layer 30. The low refractive index lower layer 20 and the low refractive index upper layer 40 may improve the light transmittance since the influence due to constructive or destructive interference of light incident on the optical member is changed. The wavelength conversion upper layer 60 may include a layer made of at least one of a high refractive material and a low refractive material. In addition, the wavelength conversion upper layer 60 may be a multilayer film further comprising a transparent organic material. The wavelength conversion upper layer 60 completely covers the wavelength conversion layer to prevent the penetration of moisture / oxygen. In addition, the wavelength conversion upper layer 60 may improve the optical efficiency by allowing the light transmitted through the wavelength conversion layer to be effectively emitted to the outside of the optical member 100.

또한, 광학 부재(100)의 파장 변환층(50) 상에 배치되는 파장 변환 상부층(60)은 별도의 필름으로 제공되는 파장 변환 필름보다 제조 단가를 낮추고 두께를 감소시킬 수 있다. 일 예로, 파장 변환 필름은 파장 변환층(50) 상하부 배리어 필름을 부착하는데, 배리어 필름은 고가일 뿐만 아니라 두께도 100㎛ 이상으로 두꺼워, 파장 변환 필름의 전체 두께는 약 270㎛에 이른다. 반면, 본 실시예에 따른 광학 부재(100)의 경우 도광판(10)을 제외한 전체 두께를 약 12㎛ 내지 13㎛의 수준으로 유지할 수 있어, 이를 채용하는 표시 장치의 두께를 감소시킬 수 있다. 또한, 광학 부재(100)는 고가의 배리어 필름을 생략할 수 있어 제조 단가도 파장 변환 필름보다 저렴한 수준으로 관리할 수 있다. In addition, the wavelength conversion upper layer 60 disposed on the wavelength conversion layer 50 of the optical member 100 may lower the manufacturing cost and reduce the thickness than the wavelength conversion film provided as a separate film. In one example, the wavelength conversion film is attached to the upper and lower barrier film of the wavelength conversion layer 50, the barrier film is not only expensive, but also thick to more than 100㎛ thickness, the total thickness of the wavelength conversion film reaches about 270㎛. On the other hand, in the optical member 100 according to the present exemplary embodiment, the entire thickness of the optical member 100 except for the light guide plate 10 may be maintained at a level of about 12 μm to 13 μm, thereby reducing the thickness of the display device employing the light guide plate 10. In addition, the optical member 100 can omit an expensive barrier film, so that the manufacturing unit cost can be managed at a lower level than the wavelength conversion film.

이하, 파장 변환 하부층에 있어서 최대 광 투과율을 얻기 위한 파장 변환 하부층의 적층 구조 및 두께에 대해 설명한다. 광이 굴절률이 서로 다른 매질을 투과할 때, 서로 다른 굴절률을 가진 매질이 만나는 지점에서 광의 반사와 굴절이 일어난다. 매질의 굴절률과 두께를 알 수 있다면, 광의 반사와 굴절에 관한 프레넬 방정식(Fresnel equations)을 통해 적층 구조의 투과율을 도출할 수 있다. 즉, 파장 변환 하부층의 적층 구조 및 두께에 따른 투과율을 도출하기 위한 시뮬레이션을 수행할 수 있다.Hereinafter, the lamination structure and thickness of a wavelength conversion underlayer for obtaining maximum light transmittance in a wavelength conversion underlayer are demonstrated. When light passes through media with different indices of refraction, reflection and refraction of the light occur at the point where the media with different indices of refraction meet. If the refractive index and thickness of the medium are known, the Fresnel equations for the reflection and refraction of light can be used to derive the transmittance of the laminated structure. That is, a simulation may be performed to derive a transmittance according to the laminated structure and the thickness of the wavelength conversion lower layer.

도 5는 파장 변환 하부층의 적층 Case 및 도광판 상부 SiNx 두께에 따른 투과율 변화 그래프이다. 도 6은 파장 변환 하부층의 적층 Case 별 최대 투과율 확보를 위한 적층 구조 및 두께를 나타내는 표이다. FIG. 5 is a graph showing transmittance change according to the thickness of the SiNx layer on the light emitting plate and the laminated case of the wavelength conversion lower layer. FIG. 6 is a table illustrating a lamination structure and a thickness for securing a maximum transmittance for each lamination case of a wavelength conversion lower layer.

도 5(a)는 시뮬레이션을 수행하기 위한 조건을 설명한다. 도 5(a)에서 저굴절 하부층과 저굴절 상부층이 모두 2개의 층을 갖는 경우를 예로 하여 설명하고, 저굴절 하부층과 저굴절 상부층이 생략되거나 하나의 층 만을 갖는 경우에는 편의상 해당 층의 두께가 0㎛인 것으로 표현하기로 한다. 5A illustrates conditions for performing a simulation. In FIG. 5 (a), a case in which the low refractive index lower layer and the low refractive index upper layer have two layers will be described as an example. In the case where the low refractive index lower layer and the low refractive index upper layer are omitted or have only one layer, the thickness of the corresponding layer may be It is expressed as 0 μm.

도 2 및 도 5(a)를 참조하면, 파장 변환 하부층(70)은 도광판(10) 상에 저굴절 하부층(20), 저굴절층(30), 저굴절 상부층(40) 순으로 적층 되어 있다. 파장 변환 하부층(70)은 도광판(10)과 파장 변환층(50) 사이에 개재될 수 있다. 저굴절 하부층(20) 및 저굴절 상부층(40)은 각각 2개 이하의 층을 포함할 수 있다. 2 and 5 (a), the wavelength conversion lower layer 70 is stacked on the light guide plate 10 in the order of the low refractive index lower layer 20, the low refractive index layer 30, and the low refractive index upper layer 40. . The wavelength conversion lower layer 70 may be interposed between the light guide plate 10 and the wavelength conversion layer 50. The low refractive index lower layer 20 and the low refractive index upper layer 40 may each include up to two layers.

시뮬레이션 조건에서 각 층의 두께는 0㎛ 내지 0.2㎛ 범위에서 선택된다. 두께가 0㎛라는 것은 상술한 바와 같이 해당 층을 포함하지 않는 것을 의미한다. 시뮬레이션 조건에서 저굴절층(30)의 두께는 1㎛로 설정된다. 저굴절 하부층(20) 및 저굴절 상부층(40)이 포함하는 층은 고굴절 물질과 저굴절 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예로 고굴절 물질은 SiNx(실리콘 나이트라이드)이며, 저굴절 물질은 SiOx(실리콘 옥사이드)일 수 있다. 이하, 고굴절 물질은 SiNx이고 저굴절 물질은 SiOx인 것으로 설명한다. 고굴절 물질을 포함하는 층과 저굴절 물질을 포함하는 층은 교번적으로 적층 될 수 있다. 고굴절 물질과 저굴절 물질의 굴절률은 저굴절층의 굴절률보다 클 수 있다. 적층 구조에 따라 파장 변환 하부층(70)의 광 투과율을 구하기 위한 조건을 4개로 구분할 수 있다. The thickness of each layer under simulation conditions is selected in the range of 0 μm to 0.2 μm. The thickness of 0 mu m means that the layer is not included as described above. Under the simulation conditions, the thickness of the low refractive layer 30 is set to 1 µm. The layer included in the low refractive index lower layer 20 and the low refractive index upper layer 40 may be formed of a high refractive material and a low refractive material. In one embodiment, the high refractive material may be SiNx (silicon nitride), and the low refractive material may be SiOx (silicon oxide). Hereinafter, it will be described that the high refractive material is SiNx and the low refractive material is SiOx. The layer comprising the high refractive material and the layer comprising the low refractive material may be alternately stacked. The refractive index of the high refractive material and the low refractive material may be greater than the refractive index of the low refractive layer. The conditions for obtaining the light transmittance of the wavelength conversion lower layer 70 may be divided into four according to the stacked structure.

파장 변환 하부층의 Case 1은 도광판 상에 저굴절 물질, 고굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 하부층(20)과 저굴절층 상에 고굴절 물질, 저굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 상부층(40)을 포함한다.Case 1 of the wavelength converting lower layer includes a low refractive index lower layer 20 stacked in order of a low refractive material and a high refractive index material on the light guide plate, and a low refractive index upper layer 40 stacked in the order of a high refractive index material and a low refractive index material on the low refractive index layer. do.

파장 변환 하부층의 Case 2는 도광판 상에 고굴절 물질, 저굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 하부층(20)과 저굴절층 상에 고굴절 물질, 저굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 상부층(40)을 포함한다.Case 2 of the wavelength conversion lower layer includes a low refractive index lower layer 20 stacked in order of a high refractive index material and a low refractive index material on a light guide plate, and a low refractive index upper layer 40 stacked in order of a high refractive index material and a low refractive index material on the low refractive index layer. do.

파장 변환 하부층의 Case 3는 도광판 상에 고굴절 물질, 저굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 하부층(20)과 저굴절층 상에 저굴절 물질, 고굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 상부층(40)을 포함한다.Case 3 of the wavelength conversion lower layer includes a low refractive index lower layer 20 stacked in order of a high refractive material and a low refractive index material on the light guide plate, and a low refractive index upper layer 40 stacked in a low refractive material and then a high refractive index material on the low refractive layer. do.

파장 변환 하부층의 Case 4는 도광판 상에 저굴절 물질, 고굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 하부층(20)과 저굴절층 상에 저굴절 물질, 고굴절 물질 순으로 적층 된 저굴절 상부층(40)을 포함한다.Case 4 of the wavelength conversion lower layer includes a low refractive index lower layer 20 stacked in order of a low refractive material and a high refractive index material on the light guide plate, and a low refractive index upper layer 40 that is stacked in order of a low refractive index material and a high refractive index material on the low refractive index layer. do.

도 5(b)는 Case 1에 있어서, 도광판 상에 배치된 저굴절 하부층의 SiNx의 두께에 따른 적층 조건 별 투과율 변화를 나타내는 그래프이다. 도 5(b)는 시뮬레이션 결과에 대한 일 예이며, 도 5(b)와 같은 방식으로 다른 Case의 적층 구조를 가진 파장 변환 하부층의 투과율을 구할 수 있다. 여기서 투과율이란 광원을 통해 입사된 청색 광 대비 파장 변환 하부층을 투과하여 외부로 방출된 청색 광의 비율을 의미한다. 도 5(b)의 그래프 상 SiNx는 고굴절 물질을 지칭하며, SiOx는 저굴절 물질을 지칭한다. FIG. 5B is a graph showing a change in transmittance according to stacking conditions according to the thickness of SiNx of the low refractive index lower layer disposed on the light guide plate in Case 1. FIG. 5 (b) is an example of a simulation result, and the transmittance of the wavelength conversion lower layer having a stacked structure of another case may be obtained in the same manner as in FIG. 5 (b). Here, the transmittance refers to the ratio of blue light emitted through the wavelength conversion layer to blue light incident through the light source and emitted to the outside. SiNx on the graph of FIG. 5 (b) refers to a high refractive material and SiOx refers to a low refractive material.

도 2 및 도 5(b)를 참조하면, 도 5(b)의 시뮬레이션이 수행되는 파장 변환 하부층(70)은 상술한 Case 1의 구조를 가지고 있다. Case 1의 파장 변환 하부층(70)은 SiNx, SiOx 순으로 적층 된 저굴절 하부층(20)과 SiNx, SiOx 순으로 적층 된 저굴절 상부층(40)을 포함한다. 저굴절 하부층(20)의 SiNx는 도 5(b)의 그래프 상 X축에 해당하는 SiNx 두께에 대응한다. 즉, 그래프에서 SiNx는 변동되는 값이며, 저굴절 하부층(20)의 SiNx을 제외한 저굴절 하부층(20)의 SiOx와 저굴절 상부층(40)의 SiNx와 SiOx의 두께는 지정된 값을 가진다. 도 5(b)는 저굴절 하부층(20)의 SiOx의 두께가 각 0.06㎛, 0.08㎛ 및 0.2㎛인 경우 저굴절 하부층(20)의 SiNx의 두께에 따른 투과율 변화를 나타내는 3개의 그래프(G1, G2, G3)를 도시한다. 이 때, 저굴절 상부층(40)의 SiNx와 SiOx의 두께는 각 0㎛으로 파장 변환 하부층(70)이 저굴절 상부층(40)을 포함하지 않는 경우를 나타낸다. 2 and 5 (b), the wavelength conversion lower layer 70 on which the simulation of FIG. 5 (b) is performed has the structure of Case 1 described above. The wavelength conversion lower layer 70 of Case 1 includes a low refractive index lower layer 20 stacked in the order of SiNx, SiOx and a low refractive index upper layer 40 stacked in the order of SiNx, SiOx. SiNx of the low refractive index lower layer 20 corresponds to the thickness of SiNx corresponding to the X-axis on the graph of FIG. 5 (b). That is, in the graph, SiNx is a variable value, and the thicknesses of SiOx of the low refractive index lower layer 20 and SiNx and SiOx of the low refractive upper layer 40 except for SiNx of the low refractive index lower layer 20 have a specified value. FIG. 5 (b) shows three graphs (G1, G1) showing changes in transmittance according to the thickness of SiNx of the low refractive lower layer 20 when the SiOx thickness of the low refractive lower layer 20 is 0.06 μm, 0.08 μm, and 0.2 μm G2 and G3) are shown. At this time, the thickness of the SiNx and SiOx of the low refractive upper layer 40 is 0 占 퐉, respectively, and represents the case where the wavelength conversion lower layer 70 does not include the low refractive upper layer 40.

G1은 저굴절 하부층(20)의 SiOx의 두께가 0.06㎛일 때의 투과율의 변화를 나타내는 그래프이다. G2는 저굴절 하부층(20)의 SiOx의 두께가 0.08㎛일 때의 투과율의 변화를 나타내는 그래프이다. G3은 저굴절 하부층(20)의 SiOx의 두께가 0.2㎛일 때의 투과율의 변화를 나타내는 그래프이다. G1은 저굴절 하부층(20)의 SiNx의 두께가 약 0.1㎛일 때 최대 투과율을 가진다. G2는 저굴절 하부층(20)의 SiNx의 두께가 약 0.02㎛ 또는 약 0.14㎛일 때 최대 투과율을 가진다. G3는 저굴절 하부층(20)의 SiNx의 두께가 약 0.1㎛일 때 최대 투과율을 가진다. 즉, 적층 순서 및 적층 두께와 같은 적층 구조가 변하면 투과율도 같이 변화한다. 이를 통해 각 적층 조건에서의 최대 투과율을 확인할 수 있으며, 그에 따라, 최대 투과율을 갖는 각 적층 조건을 결정할 수 있다. G1 is a graph showing the change in transmittance when the thickness of SiOx of the low refractive index lower layer 20 is 0.06 µm. G2 is a graph showing the change in transmittance when the thickness of SiOx of the low refractive index lower layer 20 is 0.08 μm. G3 is a graph showing a change in transmittance when the thickness of SiOx of the low refractive index lower layer 20 is 0.2 µm. G1 has a maximum transmittance when the thickness of the SiNx of the low refractive index lower layer 20 is about 0.1 mu m. G2 has a maximum transmittance when the thickness of the SiNx of the low refractive index lower layer 20 is about 0.02 μm or about 0.14 μm. G3 has a maximum transmittance when the thickness of the SiNx of the low refractive index lower layer 20 is about 0.1 mu m. That is, when the lamination structure such as the lamination order and lamination thickness is changed, the transmittance is also changed. Through this, the maximum transmittance at each lamination condition can be confirmed, and accordingly, each lamination condition having the maximum transmittance can be determined.

도 6은 파장 변환 하부층의 적층 Case 별 최대 청색 광 투과율 확보를 위한 적층 구조 및 두께를 나타내는 표이다. 도 6은 각 적층 Case 별 투과율이 높은 3개의 결과값을 나타낸다. 1.5T의 Glass는 1.5mm 두께의 도광판을 의미한다. 저굴절층은 1㎛이고, 파장 변환층은 10㎛인 경우에 대한 시뮬레이션 결과값이다. 도 6에서 SiOx는 저굴절 물질의 일 예이며, SiNx는 고굴절 물질의 일 예이다.FIG. 6 is a table illustrating a lamination structure and a thickness for securing a maximum blue light transmittance for each lamination case of a wavelength conversion lower layer. 6 shows three result values with high transmittance for each laminated case. 1.5T Glass means 1.5mm thick LGP. The low refractive index layer is 1 µm and the wavelength conversion layer is a simulation result for the case of 10 µm. In FIG. 6, SiOx is an example of a low refractive material, and SiNx is an example of a high refractive material.

도 2 및 도 6을 참조하면, Case 1의 result 3은 도 5(b)에서 설명하였던 G1에 따른 결과값이다. Case 1의 result 3는 SiNx 0.1㎛, SiOx 0.06㎛가 도광판 상에 차례로 적층되는 저굴절 하부층(20)을 포함하고, 저굴절 상부층(40)의 SiNx와 SiOx가 0㎛, 즉 파장 변환 하부층(70)이 저굴절 상부층(40)을 포함하지 않는 파장 변환 하부층(70)의 투과율을 나타낸다. result 3의 파장 변환 하부층(70)은 81.3%의 청색 광 투과율을 가진다. 이와 같이 각 Case 별 최대 청색 광 투과율을 구하면 4개의 Case 모두 약 81.4%의 최대 투과율을 가질 수 있다. 다양한 실시예에 따른 파장 변환 하부층의 적층 구조는 이하 도 7 내지 도 14에서 상세히 설명한다. Referring to FIGS. 2 and 6, result 3 of Case 1 is a result value according to G1 described with reference to FIG. 5B. Result 3 of Case 1 includes a low refractive index lower layer 20 in which SiNx 0.1 μm and SiOx 0.06 μm are sequentially stacked on the light guide plate, and the SiNx and SiOx of the low refractive upper layer 40 are 0 μm, that is, the wavelength conversion bottom layer 70 ) Represents the transmittance of the wavelength conversion lower layer 70 that does not include the low refractive upper layer 40. The wavelength converting underlayer 70 of result 3 has a blue light transmittance of 81.3%. As such, when the maximum blue light transmittance of each case is obtained, all four cases may have a maximum transmittance of about 81.4%. The stacked structure of the wavelength conversion underlayer according to various embodiments will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 14.

도 7 내지 도 14는 다양한 실시예에 따른 파장 변환 하부층의 단면도들이다. 도 7 내지 도 14의 실시예들은 파장 변환 하부층(71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78)의 각 구성들이 다양하게 배치될 수 있음을 예시한다. 파장 변환 하부층(71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78)은 저굴절층(30)을 포함하되, 저굴절 하부층(도 2의 '20') 또는 저굴절 상부층(도 2의 '40')을 더 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 파장 변환 하부층은 저굴절 하부층 또는 저굴절 상부층을 포함하지 않는다. 다만, 파장 변환 하부층(71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78)은 효과적으로 전반사를 유도하고 광 투과율을 향상하기 위해 저굴절 하부층(도 2의 '20') 및 저굴절 상부층(도 2의 '40') 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 저굴절 하부층(도 2의 '20') 및 저굴절 상부층(도 2의 '40')은 단층 구조일 수 있으며, 고굴절 물질과 저굴절 물질이 교대로 적층된 다층 구조일 수 있다. 이하 고굴절 물질의 예시로 SiNx를 들고 저굴절 물질의 예시로 SiOx를 들어 설명한다. 다만 고굴절 물질 및 저굴절 물질은 이에 한정되지 아니한다.7-14 are cross-sectional views of a wavelength converting underlayer in accordance with various embodiments. 7 to 14 illustrate that each of the components of the wavelength conversion underlayers 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, and 78 may be arranged in various ways. The wavelength converting underlayers 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, and 78 include a low refractive index layer 30, wherein the low refractive bottom layer (20 in FIG. 2) or the low refractive top layer (FIG. 2). '40' may further include. In some embodiments the wavelength conversion underlayer does not include a low refractive index underlayer or a low refractive index upper layer. However, the wavelength conversion underlayers 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, and 78 have a low refractive index lower layer ('20 'in FIG. 2) and a low refractive index upper layer ( And at least one layer of '40' of FIG. 2. The low refractive index lower layer (20 'of FIG. 2) and the low refractive index upper layer (40' of FIG. 2) may be a single layer structure, and may have a multilayer structure in which a high refractive material and a low refractive material are alternately stacked. Hereinafter, SiNx will be taken as an example of a high refractive material and SiOx will be described as an example of a low refractive material. However, the high refractive material and the low refractive material are not limited thereto.

도 7은 파장 변환 하부층(71)의 저굴절 하부층(21) 및 저굴절 상부층(41)이 단층 구조인 것을 예시한다. 도 7의 파장 변환 하부층(71)은 도 6의 Case 2의 result 2에 대응하는 구조이다. 즉, 도 7의 파장 변환 하부층(71)에서 저굴절 하부층(21)은 고굴절 물질로 이루어진 단층이고, 저굴절 상부층(41)은 저굴절 물질로 이루어진 단층이다. 일 실시예로 저굴절 하부층(21)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다, 저굴절 상부층(41)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.1㎛이다. 일 실시예에 따른 파장 변환 하부층(71)의 청색 광 투과율은 81.3%이다.7 illustrates that the low refractive index lower layer 21 and the low refractive index upper layer 41 of the wavelength conversion lower layer 71 have a single layer structure. The wavelength conversion lower layer 71 of FIG. 7 has a structure corresponding to result 2 of Case 2 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion lower layer 71 of FIG. 7, the low refractive index lower layer 21 is a single layer made of a high refractive material, and the low refractive upper layer 41 is a single layer made of a low refractive material. In one embodiment, the low refractive index lower layer 21 is made of SiNx and has a thickness of 0.06 μm. The low refractive index upper layer 41 is made of SiO x and has a thickness of 0.1 μm. In one embodiment, the blue light transmittance of the wavelength conversion underlayer 71 is 81.3%.

도 8은 파장 변환 하부층(72)의 저굴절 하부층(22a, 22b)이 서로 다른 굴절률을 가진 물질이 교대로 적층 되고 저굴절 상부층(42)이 단층 구조인 것을 예시한다. 도 8의 파장 변환 하부층(72)은 도 6의 Case 1의 result 1 및 result 2에 대응하는 구조이다. 즉, 도 8의 파장 변환 하부층(72)에서 저굴절 하부층(22a, 22b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 하부층(22a) 및 제2 저굴절 하부층(22b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있으며, 저굴절 상부층(42)은 저굴절 물질의 단층으로 이루어질 수 있다. 제1 저굴절 하부층(22a)의 굴절률은 제2 저굴절 하부층(22b)의 굴절률보다 클 수 있다. 제2 저굴절 하부층(22b)은 저굴절 상부층(42)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로 제1 저굴절 하부층(22a)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.02㎛이다. 제2 저굴절 하부층(22b)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다. 저굴절 상부층(42)은 저굴절 물질인 SiOx로 이루어지고 두께는 0.04㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(72)의 청색 광 투과율은 81.4%이다. 다른 실시예에 따른 파장 변환 하부층(72)은 일 실시예의 파장 변환 하부층(72)과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 저굴절 하부층(22a)의 두께는 0.02㎛이다. 제2 저굴절 하부층(22b)의 두께는 0.08㎛이다. 저굴절 상부층(42)의 두께는 0.14㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(72)의 청색 광 투과율은 81.4%이다.FIG. 8 illustrates that the low refractive index lower layers 22a and 22b of the wavelength conversion lower layer 72 are alternately stacked with materials having different refractive indices, and the low refractive upper layer 42 has a single layer structure. The wavelength conversion lower layer 72 of FIG. 8 has a structure corresponding to result 1 and result 2 of Case 1 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion underlayer 72 of FIG. 8, the low refractive index underlayers 22a and 22b may be formed of a multilayer including a first low refractive index underlayer 22a and a second low refractive index underlayer 22b having different refractive indices. The low refractive index upper layer 42 may be formed of a single layer of low refractive index material. The refractive index of the first low refractive index lower layer 22a may be greater than the refractive index of the second low refractive index lower layer 22b. The second low refractive index lower layer 22b may include the same material as the low refractive upper layer 42. In one embodiment, the first low refractive index lower layer 22a is made of SiNx and has a thickness of 0.02 μm. The second low refractive index lower layer 22b is made of SiOx and has a thickness of 0.06 μm. The low refractive upper layer 42 is made of SiOx, which is a low refractive material, and has a thickness of 0.04 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion underlayer 72 is 81.4%. The wavelength converting underlayer 72 according to another embodiment is laminated with the same material as the wavelength converting underlayer 72 of one embodiment, and the thickness of each layer is different. The thickness of the first low refractive index lower layer 22a is 0.02 μm. The thickness of the second low refractive index lower layer 22b is 0.08 mu m. The thickness of the low refractive upper layer 42 is 0.14 mu m. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion underlayer 72 is 81.4%.

도 9는 파장 변환 하부층(73)의 저굴절 하부층(23a, 23b)이 서로 다른 굴절률을 가진 물질이 교대로 적층 되고 저굴절 상부층(43)이 단층 구조인 것을 예시한다. 도 9의 파장 변환 하부층(73)은 도 6의 Case 2의 result 1 및 result 3에 대응하는 구조이다. 즉, 도 9의 파장 변환 하부층(73)에서 저굴절 하부층(23a, 23b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 하부층(23a) 및 제2 저굴절 하부층(23b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있으며, 저굴절 상부층(43)은 저굴절 물질의 단층으로 이루어질 수 있다. 도 9의 실시예는 도 8과 동일한 층 수를 포함하지만, 도 9의 실시예에 있어서 제1 저굴절 하부층(23a)의 굴절률은 제2 저굴절 하부층(23b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 또한, 제1 저굴절 하부층(23a)은 저굴절 상부층(43)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로 제1 저굴절 하부층(23a)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다. 제2 저굴절 하부층(23b)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.08㎛이다. 저굴절 상부층(43)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.02㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(73)의 청색 광 투과율은 81.4%이다. 다른 실시예에 따른 파장 변환 하부층(73)은 일 실시예의 파장 변환 하부층(73)과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 저굴절 하부층(23a)의 두께는 0.04㎛이다. 제2 저굴절 하부층(23b)의 두께는 0.08㎛이다. 저굴절 상부층(43)의 두께는 0.02㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(73)의 청색 광 투과율은 81.3%이다.9 illustrates that the low refractive index lower layers 23a and 23b of the wavelength conversion lower layer 73 are alternately stacked with materials having different refractive indices, and the low refractive upper layer 43 has a single layer structure. The wavelength conversion lower layer 73 of FIG. 9 has a structure corresponding to result 1 and result 3 of Case 2 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion lower layer 73 of FIG. 9, the low refractive index lower layers 23a and 23b may be formed of a multilayer including a first low refractive index lower layer 23a and a second low refractive index lower layer 23b having different refractive indices. The low refractive upper layer 43 may be formed of a single layer of low refractive material. 9 includes the same number of layers as in FIG. 8, but the refractive index of the first low refractive index lower layer 23a may be smaller than the refractive index of the second low refractive index lower layer 23b in the embodiment of FIG. 9. In addition, the first low refractive index lower layer 23a may include the same material as the low refractive upper layer 43. In one embodiment, the first low refractive index lower layer 23a is made of SiOx and has a thickness of 0.06 μm. The second low refractive index lower layer 23b is made of SiNx and has a thickness of 0.08 μm. The low refractive top layer 43 is made of SiO x and has a thickness of 0.02 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion lower layer 73 is 81.4%. The wavelength converting underlayer 73 according to another embodiment is laminated with the same material as the wavelength converting underlayer 73 of one embodiment, and the thickness of each layer is different. The thickness of the first low refractive index lower layer 23a is 0.04 μm. The thickness of the second low refractive index lower layer 23b is 0.08 mu m. The thickness of the low refractive upper layer 43 is 0.02 mu m. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion lower layer 73 is 81.3%.

도 10은 저굴절 하부층을 포함하지 않고, 저굴절 상부층(44a, 44b)이 다층 구조인 파장 변환 하부층(74)을 예시한다. 도 10의 파장 변환 하부층(74)은 도 6의 Case 4의 result 3에 대응하는 구조이다. 즉, 도 10의 파장 변환 하부층(74)에서 저굴절 하부층은 두께가 0㎛으로 배치되지 않으며, 저굴절 상부층(44a, 44b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 상부층(44a) 및 제2 저굴절 상부층(44b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 저굴절 상부층(44a)의 굴절률은 제2 저굴절 상부층(44b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 일 실시예로 제1 저굴절 상부층(44a)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다. 제2 저굴절 상부층(44b)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.1㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(74)의 청색 광 투과율은 81.3%이다. FIG. 10 illustrates a wavelength converting underlayer 74 that does not include a low refractive underlayer, and wherein the low refractive top layers 44a and 44b are multilayered. The wavelength conversion lower layer 74 of FIG. 10 has a structure corresponding to result 3 of Case 4 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion lower layer 74 of FIG. 10, the low refractive index lower layer does not have a thickness of 0 μm, and the low refractive upper layers 44a and 44b have the first low refractive index upper layer 44a and the second low refractive index different from each other. It may be formed of a multilayer including the refractive upper layer 44b. The refractive index of the first low refractive upper layer 44a may be smaller than the refractive index of the second low refractive upper layer 44b. In one embodiment, the first low refractive index upper layer 44a is made of SiOx and has a thickness of 0.06 μm. The second low refractive index upper layer 44b is made of SiNx and has a thickness of 0.1 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion lower layer 74 is 81.3%.

도 11은 파장 변환 하부층(75)의 저굴절 하부층(25)이 단층 구조이고, 저굴절 상부층(45a, 45b)이 서로 다른 굴절률을 가진 물질이 교대로 적층 된 다층 구조인 것을 예시한다. 도 11의 파장 변환 하부층(75)은 도 6의 Case 3의 result 1에 대응하는 구조이다. 즉, 도 11의 파장 변환 하부층(75)에서 저굴절 하부층(25)은 고굴절 물질을 포함하는 단층 구조이고, 저굴절 상부층(45a, 45b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 상부층(45a) 및 제2 저굴절 상부층(45b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 저굴절 상부층(45a)의 굴절률은 제2 저굴절 상부층(45b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 저굴절 하부층(25)은 제2 저굴절 상부층(45b)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예로 저굴절 하부층(25)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.02㎛이다. 제1 저굴절 상부층(45a)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다. 제2 저굴절 상부층(45b)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.04㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(75)의 청색 광 투과율은 81.4%이다. FIG. 11 illustrates that the low refractive index lower layer 25 of the wavelength conversion lower layer 75 has a single layer structure, and the low refractive upper layers 45a and 45b have a multilayer structure in which materials having different refractive indices are alternately stacked. The wavelength conversion lower layer 75 of FIG. 11 has a structure corresponding to result 1 of Case 3 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion lower layer 75 of FIG. 11, the low refractive index lower layer 25 is a single layer structure including a high refractive material, and the low refractive upper layers 45a and 45b may include a first low refractive upper layer 45a and different refractive indices. It may be formed of a multilayer including a second low refractive index upper layer 45b. The refractive index of the first low refractive upper layer 45a may be smaller than the refractive index of the second low refractive upper layer 45b. The low refractive index lower layer 25 may be made of the same material as the second low refractive upper layer 45b. In one embodiment, the low refractive index lower layer 25 is made of SiNx and has a thickness of 0.02 μm. The first low refractive index upper layer 45a is made of SiOx and has a thickness of 0.06 μm. The second low refractive index upper layer 45b is made of SiNx and has a thickness of 0.04 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion lower layer 75 is 81.4%.

도 12는 파장 변환 하부층(76)의 저굴절 하부층(26)이 단층 구조이고, 저굴절 상부층(46a, 46b)이 서로 다른 굴절률을 가진 물질이 교대로 적층 된 다층 구조인 것을 예시한다. 도 12의 파장 변환 하부층(76)은 도 6의 Case 4의 result 1 및 result 2에 대응하는 구조이다. 즉, 도 12의 파장 변환 하부층(76)에서 저굴절 하부층(26)은 고굴절 물질을 포함하는 단층 구조이고, 저굴절 상부층(46a, 46b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 상부층(46a) 및 제2 저굴절 상부층(46b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 저굴절 상부층(46a)의 굴절률은 제2 저굴절 상부층(46b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 도 12의 실시예는 도 11과 동일한 층 수를 포함하지만, 도 11의 실시예에 있어서 저굴절 하부층(26)이 저굴절 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 저굴절 하부층(26)은 제1 저굴절 상부층(46a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예로 저굴절 하부층(26)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다. 제1 저굴절 상부층(46a)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.08㎛이다. 제2 저굴절 상부층(46b)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.02㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(76)의 청색 광 투과율은 81.4%이다. 다른 실시예에 따른 파장 변환 하부층(76)은 일 실시예의 파장 변환 하부층(76)과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 저굴절 하부층(26)의 두께는 0.04㎛이다. 제1 저굴절 상부층(46a)의 두께는 0.08㎛이다. 제2 저굴절 상부층(46b)의 두께는 0.02㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(76)의 청색 광 투과율은 81.3%이다.12 illustrates that the low refractive index lower layer 26 of the wavelength conversion lower layer 76 has a single layer structure, and the low refractive upper layers 46a and 46b have a multilayer structure in which materials having different refractive indices are alternately stacked. The wavelength conversion lower layer 76 of FIG. 12 has a structure corresponding to result 1 and result 2 of Case 4 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion lower layer 76 of FIG. 12, the low refractive index lower layer 26 is a single layer structure including a high refractive material, and the low refractive upper layers 46a and 46b may include the first low refractive upper layer 46a having different refractive indices and It may be made of a multilayer including a second low refractive index upper layer 46b. The refractive index of the first low refractive upper layer 46a may be smaller than the refractive index of the second low refractive upper layer 46b. Although the embodiment of FIG. 12 includes the same number of layers as FIG. 11, in the embodiment of FIG. 11, the low refractive index lower layer 26 may be made of a low refractive material. In addition, the low refractive index lower layer 26 may be made of the same material as the first low refractive index upper layer 46a. In one embodiment, the low refractive index lower layer 26 is made of SiO x and has a thickness of 0.06 μm. The first low refractive index upper layer 46a is made of SiOx and has a thickness of 0.08 μm. The second low refractive index upper layer 46b is made of SiNx and has a thickness of 0.02 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion underlayer 76 is 81.4%. The wavelength converting underlayer 76 according to another embodiment is laminated with the same material as the wavelength converting underlayer 76 of the exemplary embodiment, and the thickness of each layer is different. The low refractive index lower layer 26 is 0.04 mu m. The thickness of the first low refractive index upper layer 46a is 0.08 μm. The thickness of the second low refractive upper layer 46b is 0.02 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion underlayer 76 is 81.3%.

도 13은 파장 변환 하부층(77)의 저굴절 하부층(27a, 27b) 및 저굴절 상부층(47a, 47b)이 서로 다른 굴절률을 가진 물질이 교대로 적층 된 다층 구조인 것을 예시한다. 도 13의 파장 변환 하부층(77)은 도 6의 Case 3의 result 2 및 result 3에 대응하는 구조이다. 즉, 도 13의 파장 변환 하부층(77)에서 저굴절 하부층(27a, 27b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 하부층(27a) 및 제2 저굴절 하부층(27b)을 포함하는 다층으로 이루어지고, 저굴절 상부층(47a, 47b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 상부층(47a) 및 제2 저굴절 상부층(47b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 저굴절 하부층(27a)의 굴절률은 제2 저굴절 하부층(27b)의 굴절률보다 클 수 있다. 제1 저굴절 상부층(47a)의 굴절률은 제2 저굴절 상부층(47b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 또한, 제1 저굴절 하부층(27a)은 제2 저굴절 상부층(47b)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제2 저굴절 하부층(27b)은 제1 저굴절 상부층(47a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예로 제1 저굴절 하부층(27a)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.02㎛이다. 제2 저굴절 하부층(27b)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.02㎛이다. 제1 저굴절 상부층(47a)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.04㎛이다. 제2 저굴절 상부층(47b)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(77)의 청색 광 투과율은 81.4%이다. 다른 실시예에 따른 파장 변환 하부층(77)은 일 실시예의 파장 변환 하부층(77)과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 저굴절 하부층(27a)의 두께는 0.02㎛이다. 제2 저굴절 상부층(47b)의 두께는 0.04㎛이다. 제1 저굴절 상부층(47a)의 두께는 0.02㎛이다. 제2 저굴절 상부층(47b)의 두께는 0.08㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(77)의 청색 광 투과율은 81.4%이다.FIG. 13 illustrates that the low refractive index lower layers 27a and 27b and the low refractive upper layers 47a and 47b of the wavelength conversion lower layer 77 have a multilayer structure in which materials having different refractive indices are alternately stacked. The wavelength conversion lower layer 77 of FIG. 13 has a structure corresponding to result 2 and result 3 of Case 3 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion underlayer 77 of FIG. 13, the low refractive index underlayers 27a and 27b are made of a multilayer including a first low refractive index underlayer 27a and a second low refractive index underlayer 27b having different refractive indices, The low refractive upper layers 47a and 47b may be formed of a multilayer including a first low refractive upper layer 47a and a second low refractive upper layer 47b having different refractive indices. The refractive index of the first low refractive index lower layer 27a may be greater than the refractive index of the second low refractive index lower layer 27b. The refractive index of the first low refractive upper layer 47a may be smaller than the refractive index of the second low refractive upper layer 47b. In addition, the first low refractive index lower layer 27a may be made of the same material as the second low refractive index upper layer 47b, and the second low refractive index lower layer 27b may be made of the same material as the first low refractive index upper layer 47a. have. In one embodiment, the first low refractive index lower layer 27a is made of SiNx and has a thickness of 0.02 μm. The second low refractive index lower layer 27b is made of SiOx and has a thickness of 0.02 μm. The first low refractive index upper layer 47a is made of SiOx and has a thickness of 0.04 μm. The second low refractive index upper layer 47b is made of SiNx and has a thickness of 0.06 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion lower layer 77 is 81.4%. The wavelength converting underlayer 77 according to another embodiment is laminated with the same material as the wavelength converting underlayer 77 of one embodiment and has a different thickness of each layer. The thickness of the first low refractive index lower layer 27a is 0.02 μm. The thickness of the second low refractive upper layer 47b is 0.04 μm. The thickness of the first low refractive index upper layer 47a is 0.02 μm. The thickness of the second low refractive upper layer 47b is 0.08 mu m. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion lower layer 77 is 81.4%.

도 14는 도 10과 반대로 저굴절 상부층을 포함하지 않고, 저굴절 하부층(28a, 28b)이 다층 구조인 파장 변환 하부층(78)을 예시한다. 도 14의 파장 변환 하부층(78)은 도 6의 Case 1의 result 3에 대응하는 구조이다. 즉, 도 14의 파장 변환 하부층(78)에서 저굴절 상부층은 두께가 0㎛으로 배치되지 않으며, 저굴절 하부층(28a, 28b)은 굴절률이 서로 다른 제1 저굴절 하부층(28a) 및 제2 저굴절 하부층(28b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 저굴절 하부층(28a)의 굴절률은 제2 저굴절 하부층(28b)의 굴절률보다 클 수 있다. 일 실시예로 제1 저굴절 하부층(28a)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.1㎛이다. 제2 저굴절 하부층(28b)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.06㎛이다. 이에 따른 파장 변환 하부층(78)의 청색 광 투과율은 81.3%이다. FIG. 14 illustrates a wavelength converting underlayer 78 that does not include a low refractive upper layer, as opposed to FIG. 10, and wherein the low refractive lower layers 28a and 28b are multilayered. The wavelength conversion lower layer 78 of FIG. 14 has a structure corresponding to result 3 of Case 1 of FIG. 6. That is, in the wavelength conversion lower layer 78 of FIG. 14, the low refractive upper layer does not have a thickness of 0 μm, and the low refractive lower layers 28a and 28b have the first low refractive index lower layer 28a and the second low refractive index different from each other. It may be formed of a multilayer including the refractive lower layer 28b. The refractive index of the first low refractive index lower layer 28a may be greater than the refractive index of the second low refractive index lower layer 28b. In one embodiment, the first low refractive index lower layer 28a is made of SiNx and has a thickness of 0.1 μm. The second low refractive index lower layer 28b is made of SiOx and has a thickness of 0.06 μm. Accordingly, the blue light transmittance of the wavelength conversion underlayer 78 is 81.3%.

도 15는 파장 변환 상부층의 적층 Case 및 파장 변환층 상부 SiNx 두께에 따른 투과율 변화 그래프이다. 도 16은 파장 변환 상부층의 적층 Case 별 최대 투과율 확보를 위한 적층 구조 및 두께를 나타내는 표이다.FIG. 15 is a graph illustrating transmittance change according to the thickness of the stacked case of the wavelength conversion top layer and the SiNx thickness on the top of the wavelength conversion layer. FIG. 16 is a table illustrating a lamination structure and a thickness for securing a maximum transmittance for each lamination case of a wavelength conversion upper layer.

도 2 및 도 15를 참조하면, 도 15(a)는 시뮬레이션을 수행하기 위한 조건을 설명한다. 파장 변환 상부층(60)은 파장 변환층(50) 상에 배치될 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 고굴절 물질, 저굴절 물질 및 투명 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로 고굴절 물질은 SiNx(실리콘 나이트라이드)이며, 저굴절 물질은 SiOx(실리콘 옥사이드)일 수 있다. 이하, 고굴절 물질은 SiNx이고 저굴절 물질은 SiOx인 것으로 설명한다. 투명 유기 물질은 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등 일 수 있다. 고굴절 물질 및 저굴절 물질을 포함하는 각 층은 두께가 0㎛ 내지 0.2㎛일 수 있다. 투명 유기 물질을 포함하는 층은 두께가 0㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 두께가 0㎛라는 것은 해당 층을 포함하지 않는 것을 의미한다. 고굴절 물질, 저굴절 물질 및 투명 유기 물질을 포함하는 층의 적층 구조에 따라 총 6개의 조건으로 구분할 수 있으나, 실질적으로 높은 광 투과율을 나타내는 3개의 조건에 대해 설명한다. 2 and 15, FIG. 15A illustrates a condition for performing a simulation. The wavelength conversion upper layer 60 may be disposed on the wavelength conversion layer 50. The wavelength conversion upper layer 60 may include a high refractive material, a low refractive material, and a transparent organic material. In one embodiment, the high refractive material may be SiNx (silicon nitride), and the low refractive material may be SiOx (silicon oxide). Hereinafter, it will be described that the high refractive material is SiNx and the low refractive material is SiOx. The transparent organic material may be a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or the like. Each layer comprising a high refractive material and a low refractive material may have a thickness of 0 μm to 0.2 μm. The layer comprising the transparent organic material may have a thickness of 0 μm to 5 μm. A thickness of 0 mu m means that the layer is not included. Although six conditions can be classified according to the laminated structure of the layer including the high refractive material, the low refractive material, and the transparent organic material, three conditions showing a substantially high light transmittance will be described.

파장 변환 상부층(60)의 Case 1은 파장 변환층(50) 상에 고굴절 물질, 저굴절 물질, 투명 유기 물질을 포함하는 층 순으로 적층 된 구조를 포함할 수 있다.Case 1 of the wavelength conversion upper layer 60 may include a structure stacked on the wavelength conversion layer 50 in order of layers including a high refractive material, a low refractive material, and a transparent organic material.

파장 변환 상부층(60)의 Case 2은 파장 변환층(50) 상에 고굴절 물질, 투명 유기 물질을, 저굴절 물질을 포함하는 층 순으로 적층 된 구조를 포함할 수 있다.Case 2 of the wavelength conversion upper layer 60 may include a structure in which a high refractive material and a transparent organic material are stacked on the wavelength conversion layer 50 in a layer order including a low refractive material.

파장 변환 상부층(60)의 Case 3은 파장 변환층(50) 상에 투명 유기 물질, 고굴절 물질, 저굴절 물질을 포함하는 층 순으로 적층 된 구조를 포함할 수 있다.Case 3 of the wavelength conversion upper layer 60 may include a structure in which a layer including a transparent organic material, a high refractive material, and a low refractive material is stacked on the wavelength conversion layer 50.

도 15(b)는 Case 2에 있어서, 파장 변환층(50) 상에 배치된 SiNx의 두께에 따른 투과율 변화를 나타내는 그래프이다. 도 15(b)는 시뮬레이션 결과에 대한 일 예이며, 도 15(b)와 같은 방식으로 다른 Case의 적층 구조를 가진 파장 변환 상부층(60)의 투과율을 구할 수 있다. 여기서 투과율이란 파장 변환층(50)을 통해 입사된 백색 광 대비 파장 변환 상부층(60)을 투과하여 외부로 방출된 백색 광의 비율을 의미한다. 도 15(b)의 그래프 상 SiNx는 고굴절 물질을 지칭하며, SiOx는 저굴절 물질을 지칭한다.FIG. 15B is a graph showing a change in transmittance according to the thickness of SiNx disposed on the wavelength conversion layer 50 in Case 2. FIG. 15 (b) is an example of a simulation result, and the transmittance of the wavelength conversion upper layer 60 having a stacked structure of another case may be obtained in the same manner as in FIG. 15 (b). Here, the transmittance refers to a ratio of white light transmitted through the wavelength conversion upper layer 60 to white light incident through the wavelength conversion layer 50 and emitted to the outside. In the graph of FIG. 15B, SiNx refers to a high refractive material and SiOx refers to a low refractive material.

도 15(b)를 참조하면, 파장 변환 상부층(60)의 SiNx의 두께가 변화함에 따라 투과율도 변화하는 것을 알 수 있다. SiNx의 두께가 변하는 경우 광의 보강 간섭 또는 상쇄 간섭에 의한 영향이 변화하므로 광 투과율이 변하게 된다. 재료에 의한 광 흡수로 인해 SiNx의 두께가 두꺼워질수록 최대 광 투과율 값이 낮아지는 경향을 보인다. Case 2에 따른 파장 변환 상부층(60)은 SiNx의 두께가 약 0.1㎛일 때 최대 투과율을 가진다. 이처럼 Case 1 내지 Case 3에 따른 파장 변환 상부층(60)의 적층 순서 및 적층 두께와 같은 적층 구조를 변화하여 각 적층 조건에서의 최대 투과율을 구할 수 있다.Referring to FIG. 15B, it can be seen that the transmittance also changes as the thickness of SiNx of the wavelength conversion upper layer 60 changes. When the thickness of the SiNx changes, the influence of the constructive or destructive interference of the light changes, so that the light transmittance is changed. As the thickness of SiNx increases due to light absorption by the material, the maximum light transmittance value tends to decrease. The wavelength conversion upper layer 60 according to Case 2 has a maximum transmittance when the thickness of SiNx is about 0.1 μm. As such, the maximum transmittance in each stacking condition may be obtained by changing the stacking structure such as the stacking order and stacking thickness of the wavelength conversion upper layer 60 according to Cases 1 to 3.

도 16은 파장 변환 상부층의 적층 Case 별 최대 투과율 확보를 위한 적층 구조 및 두께를 나타내는 표이다. 도 16은 각 적층 Case 별 투과율이 높은 3개의 결과값을 나타낸다. 도 16에서 SiNx는 고굴절 물질의 일 예이고, SiOx는 저굴절 물질의 일 예이다. OC는 투명 유기 물질을 지칭한다. 각 Case 별 최대 광 투과율을 구하면 파장 변환 상부층(60)은 87.5% 내지 88.2%의 최대 광 투과율을 가질 수 있다. 다양한 실시예에 따른 파장 변환 상부층(60)의 적층 구조는 이하 도 17 내지 도 20에서 상세히 설명한다.FIG. 16 is a table illustrating a lamination structure and a thickness for securing a maximum transmittance for each lamination case of a wavelength conversion upper layer. FIG. 16 shows three result values with high transmittance for each laminated case. In FIG. 16, SiNx is an example of a high refractive material and SiOx is an example of a low refractive material. OC refers to a transparent organic material. When the maximum light transmittance for each case is obtained, the wavelength conversion upper layer 60 may have a maximum light transmittance of 87.5% to 88.2%. A stacked structure of the wavelength conversion upper layer 60 according to various embodiments will be described in detail with reference to FIGS. 17 to 20.

도 17 내지 도 20은 다양한 실시예에 따른 파장 변환 상부층(61, 62, 63, 64)의 단면도들이다. 도 17 내지 도 20의 실시예들은 파장 변환 상부층(61, 62, 63, 64)의 각 구성들이 다양하게 배치될 수 있음을 예시한다. 파장 변환 상부층(61, 62, 63, 64)은 효과적으로 광을 투과하고 파장 변환층으로 수분/산소가 침투하는 것을 방지하기 위해 고굴절 물질, 저굴절 물질 및 투명 유기 물질 중 적어도 두개 이상의 물질을 포함하는 층이 적층된 다층 구조일 수 있다.17 through 20 are cross-sectional views of wavelength converting upper layers 61, 62, 63, and 64 according to various embodiments. 17 to 20 illustrate that each of the components of the wavelength conversion upper layer 61, 62, 63, 64 may be arranged in various ways. The wavelength converting top layer 61, 62, 63, 64 includes at least two or more of a high refractive material, a low refractive material and a transparent organic material to effectively transmit light and prevent moisture / oxygen from penetrating into the wavelength converting layer. It may be a multilayer structure in which layers are stacked.

도 17은 파장 변환층(50) 상에 파장 변환 상부층이 배치되고, 파장 변환 상부층(61a, 61b)은 제1 파장 변환 상부층(61a)과 제2 파장 변환 상부층(61b)을 포함하는 다층 구조인 것을 예시한다. 도 17의 파장 변환 상부층(61a, 61b)은 도 16의 Case 1의 result 1 내지 result 3에 대응하는 구조이다. 즉, 도 17의 파장 변환 상부층(61a, 61b)은 고굴절 물질을 포함하지 않으며, 굴절률이 서로 다른 제1 파장 변환 상부층(61a) 및 제2 파장 변환 상부층(61b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 파장 변환 상부층(61a)의 굴절률은 제2 파장 변환 상부층(61b)의 굴절률보다 클 수 있다. 일 실시예로 제1 파장 변환 상부층(61a)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(61b)은 투명 유기 물질로 이루어지고 두께는 2㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(61a, 61b)의 백색 광 투과율은 87.9%이다. 다른 실시예에 따른 파장 변환 상부층(61a, 61b)은 일 실시예의 파장 변환 상부층과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 파장 변환 상부층(61a)의 두께는 0.1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(61b)의 두께는 3.5㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(61a, 61b)의 백색 광 투과율은 87.7%이다. 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 상부층(61a, 61b)은 일 실시예의 파장 변환 상부층과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 파장 변환 상부층(61a)의 두께는 0.1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(61b)의 두께는 4.5㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(61a, 61b)의 백색 광 투과율은 87.5%이다.FIG. 17 shows a wavelength converting upper layer disposed on the wavelength converting layer 50, and the wavelength converting upper layers 61a and 61b each have a multilayer structure including a first wavelength converting upper layer 61a and a second wavelength converting upper layer 61b. Illustrate that. The wavelength conversion upper layers 61a and 61b of FIG. 17 have a structure corresponding to result 1 to result 3 of Case 1 of FIG. 16. That is, the wavelength conversion upper layers 61a and 61b of FIG. 17 do not include a high refractive material, and may be formed of a multilayer including a first wavelength conversion upper layer 61a and a second wavelength conversion upper layer 61b having different refractive indices. . The refractive index of the first wavelength converting upper layer 61a may be greater than the refractive index of the second wavelength converting upper layer 61b. In one embodiment, the first wavelength conversion upper layer 61a is made of SiOx and has a thickness of 0.1 μm. The second wavelength conversion upper layer 61b is made of a transparent organic material and has a thickness of 2 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 61a and 61b is 87.9%. The wavelength converting upper layers 61a and 61b according to another embodiment are stacked with the same material as the wavelength converting upper layer of the exemplary embodiment, and the thickness of each layer is different. The thickness of the first wavelength conversion upper layer 61a is 0.1 μm. The thickness of the second wavelength conversion upper layer 61b is 3.5 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 61a and 61b is 87.7%. According to another embodiment, the wavelength conversion upper layers 61a and 61b may be stacked with the same material as the wavelength conversion upper layer of one embodiment, and may have different thicknesses. The thickness of the first wavelength conversion upper layer 61a is 0.1 μm. The thickness of the second wavelength conversion upper layer 61b is 4.5 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 61a and 61b is 87.5%.

도 18은 파장 변환층(50) 상에 파장 변환 상부층(62a, 62b)이 배치되고, 파장 변환 상부층은 제1 파장 변환 상부층(62a)과 제2 파장 변환 상부층(62b)을 포함하는 다층 구조인 것을 예시한다. 도 18의 파장 변환 상부층(62a, 62b)은 도 16의 Case 2의 result 1 내지 result 3에 대응하는 구조이다. 즉, 도 18의 파장 변환 상부층(62a, 62b)은 투명 유기 물질을 포함하지 않으며, 굴절률이 서로 다른 제1 파장 변환 상부층(62a) 및 제2 파장 변환 상부층(62b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 파장 변환 상부층(62a)의 굴절률은 제2 파장 변환 상부층(62b)의 굴절률보다 클 수 있다. 일 실시예로 제1 파장 변환 상부층(62a)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(62b)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.05㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(62a, 62b)의 백색 광 투과율은 88.2%이다. 다른 실시예에 따른 파장 변환 상부층(62a, 62b)은 일 실시예의 파장 변환 상부층과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 파장 변환 상부층(62a)의 두께는 0.1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(62b)의 두께는 0.2㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(62a, 62b)의 백색 광 투과율은 87.9%이다. 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 상부층(62a, 62b)은 일 실시예의 파장 변환 상부층과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 파장 변환 상부층(62a)의 두께는 0.1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(62b)의 두께는 0.35㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(62a, 62b)의 백색 광 투과율은 87.7%이다.18 shows a wavelength conversion upper layer 62a, 62b disposed on the wavelength conversion layer 50, and the wavelength conversion upper layer is a multilayer structure including a first wavelength conversion upper layer 62a and a second wavelength conversion upper layer 62b. Illustrate that. The wavelength conversion upper layers 62a and 62b of FIG. 18 have a structure corresponding to result 1 to result 3 of Case 2 of FIG. 16. That is, the wavelength conversion upper layers 62a and 62b of FIG. 18 may not include a transparent organic material, and may be formed of a multilayer including a first wavelength conversion upper layer 62a and a second wavelength conversion upper layer 62b having different refractive indices. have. The refractive index of the first wavelength converting upper layer 62a may be greater than the refractive index of the second wavelength converting upper layer 62b. In one embodiment, the first wavelength converting upper layer 62a is made of SiNx and has a thickness of 0.1 μm. The second wavelength conversion upper layer 62b is made of SiOx and has a thickness of 0.05 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 62a and 62b is 88.2%. The wavelength converting upper layers 62a and 62b according to another embodiment are stacked with the same material as the wavelength converting upper layer of the exemplary embodiment, and the thickness of each layer is different. The thickness of the first wavelength conversion upper layer 62a is 0.1 μm. The thickness of the second wavelength conversion upper layer 62b is 0.2 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 62a and 62b is 87.9%. In another embodiment, the wavelength conversion upper layers 62a and 62b may be stacked with the same material as the wavelength conversion upper layer of one embodiment, and may have different thicknesses. The thickness of the first wavelength conversion upper layer 62a is 0.1 μm. The thickness of the second wavelength conversion upper layer 62b is 0.35 mu m. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 62a and 62b is 87.7%.

도 19는 파장 변환층(50) 상에 파장 변환 상부층(63a, 63b)이 배치되고, 파장 변환 상부층(63a, 63b)은 제1 파장 변환 상부층(63a)과 제2 파장 변환 상부층(63b)을 포함하는 다층 구조인 것을 예시한다. 도 19의 파장 변환 상부층(63a, 63b)은 도 16의 Case 3의 result 1에 대응하는 구조이다. 즉, 도 17의 파장 변환 상부층은 저굴절 물질을 포함하지 않으며, 굴절률이 서로 다른 제1 파장 변환 상부층(63a) 및 제2 파장 변환 상부층(63b)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 파장 변환 상부층(63a)의 굴절률은 제2 파장 변환 상부층(63b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 일 실시예로 제1 파장 변환 상부층(63a)은 투명 유기 물질로 이루어지고 두께는 1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(63b)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.05㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(63a, 63b)의 백색 광 투과율은 88.2%이다. 19 shows the wavelength converting upper layers 63a and 63b disposed on the wavelength converting layer 50, and the wavelength converting upper layers 63a and 63b form the first wavelength converting upper layer 63a and the second wavelength converting upper layer 63b. It demonstrates that it is a multilayered structure containing. The wavelength conversion upper layers 63a and 63b of FIG. 19 have a structure corresponding to result 1 of Case 3 of FIG. 16. That is, the wavelength conversion upper layer of FIG. 17 does not include a low refractive material, and may be formed of a multilayer including a first wavelength conversion upper layer 63a and a second wavelength conversion upper layer 63b having different refractive indices. The refractive index of the first wavelength converting upper layer 63a may be smaller than the refractive index of the second wavelength converting upper layer 63b. In one embodiment, the first wavelength conversion upper layer 63a is made of a transparent organic material and has a thickness of 1 μm. The second wavelength conversion upper layer 63b is made of SiNx and has a thickness of 0.05 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 63a and 63b is 88.2%.

도 20은 파장 변환층(50) 상에 파장 변환 상부층(64a, 64b, 64c)이 배치되고, 파장 변환 상부층(64a, 64b, 64c)은 제1 파장 변환 상부층(64a), 제2 파장 변환 상부층(64b) 및 제3 파장 변환 상부층(64c)을 포함하는 다층 구조인 것을 예시한다. 도 20의 파장 변환 상부층(64a, 64b, 64c)은 도 16의 Case 3의 result 2 내지 result 3에 대응하는 구조이다. 즉, 도 20의 파장 변환 상부층(64a, 64b, 64c)은 굴절률이 서로 다른 제1 파장 변환 상부층(64a), 제2 파장 변환 상부층(64b) 및 제3 파장 변환 상부층(64c)을 포함하는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 파장 변환 상부층(64a)의 굴절률이 가장 작을 수 있으며, 제2 파장 변환 상부층(64b)의 굴절률이 가장 클 수 있다. 제3 파장 변환 상부층(64c)의 굴절률은 제1 파장 변환 상부층(64a)의 굴절률보다 크고 제2 파장 변환 상부층(64b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 일 실시예로 제1 파장 변환 상부층(64a)은 투명 유기 물질로 이루어지고 두께는 1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(64b)은 SiNx로 이루어지고 두께는 0.05㎛이다. 제3 파장 변환 상부층(64c)은 SiOx로 이루어지고 두께는 0.05㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(64a, 64b, 64c)의 백색 광 투과율은 88.2%이다. 다른 실시예에 따른 파장 변환 상부층(64a, 64b, 64c)은 일 실시예의 파장 변환 상부층과 동일한 물질로 적층 되며 각 층의 두께를 달리한다. 제1 파장 변환 상부층(64a)의 두께는 1㎛이다. 제2 파장 변환 상부층(64b)의 두께는 0.05㎛이다. 제3 파장 변환 상부층(64c)의 두께는 0.3㎛이다. 이에 따른 파장 변환 상부층(64a, 64b, 64c)의 백색 광 투과율은 88.2%이다.20 shows wavelength converting top layers 64a, 64b, and 64c disposed on the wavelength converting layer 50, and wavelength converting top layers 64a, 64b, and 64c comprise first wavelength converting top layers 64a and second wavelength converting top layers. It illustrates that it is a multilayer structure including 64b and the 3rd wavelength conversion upper layer 64c. The wavelength conversion upper layers 64a, 64b, and 64c of FIG. 20 have a structure corresponding to result 2 to result 3 of Case 3 of FIG. 16. That is, the wavelength conversion upper layer 64a, 64b, 64c of FIG. 20 includes a first wavelength conversion upper layer 64a, a second wavelength conversion upper layer 64b, and a third wavelength conversion upper layer 64c having different refractive indices. Can be made. The refractive index of the first wavelength converting upper layer 64a may be the smallest, and the refractive index of the second wavelength converting upper layer 64b may be the largest. The refractive index of the third wavelength converting upper layer 64c may be greater than the refractive index of the first wavelength converting upper layer 64a and less than the refractive index of the second wavelength converting upper layer 64b. In one embodiment, the first wavelength conversion upper layer 64a is made of a transparent organic material and has a thickness of 1 μm. The second wavelength converting top layer 64b is made of SiNx and has a thickness of 0.05 μm. The third wavelength conversion upper layer 64c is made of SiOx and has a thickness of 0.05 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 64a, 64b, and 64c is 88.2%. The wavelength converting top layers 64a, 64b, and 64c according to another embodiment are stacked with the same material as the wavelength converting top layer of the exemplary embodiment, and have different thicknesses of each layer. The thickness of the first wavelength converting upper layer 64a is 1 μm. The thickness of the second wavelength conversion upper layer 64b is 0.05 μm. The thickness of the third wavelength conversion upper layer 64c is 0.3 μm. Accordingly, the white light transmittance of the wavelength conversion upper layers 64a, 64b, and 64c is 88.2%.

도 21 내지 도 23은 다양한 실시예에 따른 광학 부재의 단면도들이다. 도 21 내지 도 23의 실시예들은 상술하였던 파장 변환 하부층(70)과 파장 변환 상부층(60)이 다양하게 조합될 수 있음을 예시한다. 도 7 내지 도 14에서 설명하였던 8개의 파장 변환 하부층(71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78) 구조와 도 17 내지 도 20에서 설명하였던 4개의 파장 변환 상부층(61, 62, 63, 64) 구조를 조합하는 경우 32개의 다양한 실시예에 따른 광학 부재(101, 102, 103)를 얻을 수 있다. 다만, 광학 부재의 적층 구조는 이에 한정되지 않으며, 더 다양한 적층 구조를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따른 광학 부재에 있어서 도 7 내지 도 14에서 설명한 파장 변환 하부층(71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78)은 저굴절 하부층(20)을 포함하지 않는 파장 변환 하부층(74), 저굴절 상부층(40)을 포함하지 않는 파장 변환 하부층(78) 및 저굴절 하부층과 저굴절 상부층을 모두 포함하는 파장 변환 하부층(71, 72, 73, 75, 76, 77)으로 구분될 수 있다. 파장 변환 상부층(60)은 도 17 내지 도 20에서 설명하였던 4개의 파장 변환 상부층(61, 62, 63, 64) 일 수 있다. 21 to 23 are cross-sectional views of optical members according to various embodiments. 21 to 23 illustrate that the above-described wavelength converting lower layer 70 and the wavelength converting upper layer 60 may be variously combined. Eight wavelength converting underlayers 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, and 78 structures described with reference to FIGS. 7 through 14 and four wavelength converting upper layers 61, 62, described with reference to FIGS. 17 through 20. In the case of combining the structures 63 and 64, the optical members 101, 102, and 103 according to 32 various embodiments may be obtained. However, the stacked structure of the optical member is not limited thereto, and may include more various stacked structures. In the optical member according to various embodiments, the wavelength conversion underlayers 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, and 78 described with reference to FIGS. 7 through 14 do not include the low refractive index underlayer 20. (74), the wavelength conversion bottom layer 78 that does not include the low refractive index top layer 40, and the wavelength conversion bottom layer 71, 72, 73, 75, 76, and 77 that include both the low refractive bottom layer and the low refractive top layer. Can be. The wavelength converting upper layer 60 may be four wavelength converting upper layers 61, 62, 63, and 64 described with reference to FIGS. 17 to 20.

광학 부재(100)의 최종 광 투과율은 파장 변환 하부층(70)의 청색 광 투과율과 파장 변환 상부층(60)의 백색 광 투과율을 곱하여 얻을 수 있다. The final light transmittance of the optical member 100 may be obtained by multiplying the blue light transmittance of the wavelength conversion lower layer 70 by the white light transmittance of the wavelength conversion upper layer 60.

도 21을 참조하면, 일 실시예에 따른 광학 부재(101)는 파장 변환 하부층(70) 및 파장 변환 상부층(60a)을 포함할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 저굴절층(30) 및 저굴절 상부층(40a)을 포함하며, 저굴절 하부층은 포함하지 않을 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 도 10에서 설명한 파장 변환 하부층(74)일 수 있다. 즉, 저굴절 하부층을 포함하지 않고, 저굴절 상부층(40a)이 다층 구조인 파장 변환 하부층(70) 일 수 있다. 파장 변환 상부층(60a)은 무기물 또는 유기물을 포함하는 층이 적층 된 다층 구조일 수 있다.Referring to FIG. 21, an optical member 101 according to an embodiment may include a wavelength converting lower layer 70 and a wavelength converting upper layer 60a. The wavelength conversion lower layer 70 may include the low refractive index layer 30 and the low refractive index upper layer 40a, and may not include the low refractive index lower layer. The wavelength conversion underlayer 70 may be the wavelength conversion underlayer 74 described with reference to FIG. 10. That is, the low refractive upper layer 40a may be a wavelength conversion lower layer 70 having a multi-layered structure without including the low refractive lower layer. The wavelength conversion upper layer 60a may have a multilayer structure in which a layer including an inorganic material or an organic material is stacked.

도 22를 참조하면, 다른 실시예에 따른 광학 부재(102)는 파장 변환 하부층(70) 및 파장 변환 상부층(60b)을 포함할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 저굴절 하부층(20b) 및 저굴절층(30)을 포함하며, 저굴절 상부층은 포함하지 않을 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 도 14에서 설명한 파장 변환 하부층(78)일 수 있다. 즉, 저굴절 상부층을 포함하지 않고, 저굴절 하부층(20b)이 다층 구조인 파장 변환 하부층(70) 일 수 있다. 파장 변환 상부층(60b)은 무기물 또는 유기물을 포함하는 층이 적층 된 다층 구조일 수 있다. Referring to FIG. 22, an optical member 102 according to another embodiment may include a wavelength converting lower layer 70 and a wavelength converting upper layer 60b. The wavelength conversion lower layer 70 may include the low refractive index lower layer 20b and the low refractive index layer 30, and may not include the low refractive index upper layer. The wavelength conversion underlayer 70 may be the wavelength conversion underlayer 78 described with reference to FIG. 14. That is, the low refractive lower layer 20b may not include the low refractive upper layer, and may be the wavelength conversion lower layer 70 having a multilayer structure. The wavelength conversion upper layer 60b may have a multilayer structure in which a layer including an inorganic material or an organic material is stacked.

도 23을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 광학 부재(103)는 파장 변환 하부층(70) 및 파장 변환 상부층(60c)을 포함할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 저굴절 하부층(20c), 저굴절층(30) 및 저굴절 상부층(40c)을 포함할 수 있다. 파장 변환 하부층(70)은 도 7 내지 도 14에서 설명한 파장 변환 하부층(70) 중 도 10 및 도 14의 파장 변환 하부층(74, 78)을 제외한 나머지 실시예에 따른 파장 변환 하부층(71, 72, 73, 75, 76, 77)일 수 있다. 즉, 파장 변환 하부층(70)은 단층 구조 또는 다층 구조의 저굴절 하부층(20c)과 단층 구조 또는 다층 구조의 저굴절 상부층(40c)을 포함할 수 있다. 파장 변환 상부층(60c)은 무기물 또는 유기물을 포함하는 층이 적층 된 다층 구조일 수 있다.Referring to FIG. 23, an optical member 103 according to another embodiment may include a wavelength converting lower layer 70 and a wavelength converting upper layer 60c. The wavelength conversion lower layer 70 may include a low refractive index lower layer 20c, a low refractive index layer 30, and a low refractive index upper layer 40c. The wavelength converting underlayer 70 may include the wavelength converting underlayers 71, 72, and the wavelength converting underlayers 70 according to the exemplary embodiment except for the wavelength converting underlayers 74 and 78 of FIGS. 10 and 14. 73, 75, 76, 77). That is, the wavelength conversion underlayer 70 may include a low refractive index lower layer 20c having a single layer structure or a multilayer structure and a low refractive upper layer 40c having a single layer structure or a multilayer structure. The wavelength conversion upper layer 60c may have a multilayer structure in which a layer including an inorganic material or an organic material is stacked.

도 24는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.24 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 24를 참조하면, 표시 장치(1000)는 광원(400), 광원의 출사 경로 상에 배치된 광학 부재(100), 광학 부재의 상부에 배치된 표시 패널(300)을 포함한다.Referring to FIG. 24, the display apparatus 1000 includes a light source 400, an optical member 100 disposed on an emission path of the light source, and a display panel 300 disposed above the optical member.

광학 부재는 상술한 실시예들에 따른 광학 부재들이 모두 적용될 수 있다. 도 24에서는 도 2의 광학 부재(100)가 적용된 경우를 예시한다.The optical member may be applied to all of the optical members according to the above-described embodiments. 24 illustrates a case where the optical member 100 of FIG. 2 is applied.

광원(400)은 광학 부재(100)의 일측에 배치된다. 광원(400)은 광학 부재(100)의 도광판(10)의 입광면(10s1)에 인접 배치될 수 있다. 광원(400)은 복수의 점광원 또는 선광원을 포함할 수 있다. 상기 점광원은 LED(light emitting diode) 광원(410)일 수 있다. 복수의 LED 광원(410)은 인쇄회로기판(420)에 실장될 수 있다. LED 광원(410)은 블루 파장의 빛을 발광할 수 있다. The light source 400 is disposed on one side of the optical member 100. The light source 400 may be disposed adjacent to the light incident surface 10s1 of the light guide plate 10 of the optical member 100. The light source 400 may include a plurality of point light sources or linear light sources. The point light source may be a light emitting diode (LED) light source 410. The plurality of LED light sources 410 may be mounted on the printed circuit board 420. The LED light source 410 may emit light having a blue wavelength.

LED 광원(410)은 도 24에 도시된 바와 같이, 상면으로 빛을 방출하는 상면 발광 LED일 수 있다. 이 경우, 인쇄회로기판(420)은 하우징(500)의 측벽(520) 상에 배치될 수 있다.As illustrated in FIG. 24, the LED light source 410 may be a top emitting LED that emits light to the top surface. In this case, the printed circuit board 420 may be disposed on the sidewall 520 of the housing 500.

LED 광원(410)으로부터 방출된 블루 파장의 빛은 광학 부재(100)의 도광판(10)으로 입사된다. 광학 부재(100)의 도광판(10)은 빛을 인도하고, 도광판(10)의 상면(10a)이나 하면(10b)을 통해 출사시킨다. 광학 부재(100)의 파장 변환층(50)은 도광판(10)으로부터 입사된 블루 파장의 빛의 일부를 다른 파장 예컨대 그린 파장과 레드 파장으로 변환한다. 변환된 그린 파장과 레드 파장의 빛은 변환되지 않은 블루 파장과 함께 상부로 방출되어 표시 패널(300) 측으로 제공된다. Blue wavelength light emitted from the LED light source 410 is incident on the light guide plate 10 of the optical member 100. The light guide plate 10 of the optical member 100 guides light and emits the light through the upper surface 10a or the lower surface 10b of the light guide plate 10. The wavelength conversion layer 50 of the optical member 100 converts a part of light having a blue wavelength incident from the light guide plate 10 into another wavelength, for example, a green wavelength and a red wavelength. The converted green wavelength and the red wavelength light are emitted upward along with the unconverted blue wavelength and provided to the display panel 300.

도광판(10)의 하면(10b)에는 산란 패턴(80)이 배치될 수 있다. 산란 패턴(80)은 도광판(10) 내부에서 전반사로 진행하는 빛의 진행 각도를 바꿔 도광판(10) 외부로 출사 시키는 역할을 한다. The scattering pattern 80 may be disposed on the bottom surface 10b of the light guide plate 10. The scattering pattern 80 serves to emit the light to the outside of the light guide plate 10 by changing the propagation angle of the light traveling in total reflection inside the light guide plate 10.

일 실시예에서, 산란 패턴(80)은 별도의 층이나 패턴으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 도광판(10)의 하면(10b) 상에 돌출 패턴 및/또는 오목 홈 패턴을 포함하는 패턴층을 형성하거나, 인쇄 패턴을 형성하여 산란 패턴(80)으로 기능하도록 할 수 있다.In one embodiment, the scattering pattern 80 may be provided in a separate layer or pattern. For example, a pattern layer including a protruding pattern and / or a concave groove pattern may be formed on the lower surface 10b of the light guide plate 10, or a printing pattern may be formed to function as the scattering pattern 80.

다른 실시예에서, 산란 패턴(80)은 도광판(10) 자체의 표면 형상으로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 도광판(10)의 하면(10b)에 오목 홈을 형성하여 산란 패턴(80)으로서 기능하도록 할 수 있다. In another embodiment, the scattering pattern 80 may be formed in the shape of the surface of the light guide plate 10 itself. For example, concave grooves may be formed in the lower surface 10b of the light guide plate 10 to function as the scattering pattern 80.

산란 패턴(80)의 배치 밀도는 영역에 따라 상이할 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 진행하는 광량이 풍부한 입광면(10s1)에 인접한 영역은 배치 밀도를 작게 하고, 상대적으로 진행하는 광량이 작은 대광면(10s3)에 인접한 영역은 배치 밀도를 크게 할 수 있다. The batch density of the scattering pattern 80 may vary depending on the region. For example, the area adjacent to the light incident surface 10s1 rich in the amount of light advancing relatively decreases the placement density, and the area adjacent to the light surface 10s3 where the amount of light advancing relatively small can increase the placement density.

표시 장치(1000)는 광학 부재(100)의 하부에 배치된 반사 부재(90)를 더 포함할 수 있다. 반사 부재(90)는 반사 필름이나 반사 코팅층을 포함할 수 있다. 반사 부재(90)는 광학 부재(100)의 도광판(10) 하면(10b)으로 출사된 빛을 반사하여 다시 도광판(10) 내부로 진입시킨다. The display device 1000 may further include a reflective member 90 disposed under the optical member 100. The reflective member 90 may include a reflective film or a reflective coating layer. The reflective member 90 reflects light emitted from the lower surface 10b of the light guide plate 10 of the optical member 100 to enter the light guide plate 10 again.

표시 패널(300)은 광학 부재(100)의 상부에 배치된다. 표시 패널(300)은 광학 부재(100)로부터 빛을 제공받아 화면을 표시한다. 이와 같이 빛을 받아 화면을 표시하는 수광성 표시 패널의 예로는 액정 표시 패널, 전기 영동 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널로서 액정 표시 패널의 예를 들지만, 이에 제한되지 않고 다른 다양한 수광성 표시 패널이 적용될 수 있다. The display panel 300 is disposed above the optical member 100. The display panel 300 receives light from the optical member 100 to display a screen. As such, examples of the light-receiving display panel which receives the light to display the screen include a liquid crystal display panel and an electrophoretic panel. Hereinafter, an example of a liquid crystal display panel is used as the display panel, but the present invention is not limited thereto and other various light-receiving display panels may be applied.

표시 패널(300)은 제1 기판(310), 제1 기판(310)에 대향하는 제2 기판(320) 및 제1 기판(310)과 제2 기판(320) 사이에 배치된 액정층(미도시)을 포함할 수 있다. 제1 기판(310)과 제2 기판(320)은 상호 중첩한다. 일 실시예에서, 어느 하나의 기판이 다른 하나의 기판보다 커서 외측으로 더 돌출될 수 있다. 도면에서는 상부에 위치하는 제2 기판(320)이 더 크고, 광원(400)이 배치된 측면에서 돌출된 경우가 예시되어 있다. 제2 기판(320)의 돌출 영역은 구동칩이나 외부 회로 기판이 실장되는 공간을 제공할 수 있다. 예시된 예와는 다르게, 아래에 위치하는 제1 기판(310)이 제2 기판(320)보다 커서 외측으로 돌출될 수도 있다. 표시 패널(300)에서 상기 돌출된 영역을 제외한 제1 기판(310)과 제2 기판(320)이 중첩하는 영역은 광학 부재(100)의 도광판(10)의 측면(10s)에 대체로 정렬될 수 있다. The display panel 300 includes a first substrate 310, a second substrate 320 facing the first substrate 310, and a liquid crystal layer disposed between the first substrate 310 and the second substrate 320. May include). The first substrate 310 and the second substrate 320 overlap each other. In one embodiment, one substrate may be larger than the other substrate to protrude further outward. In the drawing, the case where the second substrate 320 positioned above is larger and protrudes from the side where the light source 400 is disposed is illustrated. The protruding region of the second substrate 320 may provide a space in which the driving chip or the external circuit board is mounted. Unlike the illustrated example, the first substrate 310 positioned below may be larger than the second substrate 320 to protrude outward. In the display panel 300, a region where the first substrate 310 and the second substrate 320 overlap except the protruding region may be substantially aligned with the side surface 10s of the light guide plate 10 of the optical member 100. have.

광학 부재(100)는 모듈간 결합 부재(610)를 통해 표시 패널(300)과 결합할 수 있다. 모듈간 결합 부재(610)는 평면상 사각틀 형상으로 이루어질 수 있다. 모듈간 결합 부재(610)는 표시 패널(300) 및 광학 부재(100)에서 각각 테두리 부위에 위치할 수 있다. The optical member 100 may be coupled to the display panel 300 through an intermodule coupling member 610. The intermodule coupling member 610 may be formed in a planar rectangular frame shape. The intermodule coupling member 610 may be positioned at an edge portion of the display panel 300 and the optical member 100, respectively.

일 실시예에서, 모듈간 결합 부재(610)의 하면은 광학 부재(100)의 파장 변환 상부층(60) 상면에 배치된다. 모듈간 결합 부재(610)의 하면은 파장 변환 상부층(60) 상에서 파장 변환층(50)의 상면에만 중첩하고 측면에는 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. In one embodiment, the bottom surface of the intermodule coupling member 610 is disposed on the top surface of the wavelength converting upper layer 60 of the optical member 100. The lower surface of the intermodule coupling member 610 may be disposed on the wavelength conversion upper layer 60 so as to overlap only the upper surface of the wavelength conversion layer 50 and not overlap the side surface.

모듈간 결합 부재(610)는 폴리머 수지나 접착 또는 점착 테이프 등을 포함할 수 있다. The intermodule coupling member 610 may include a polymer resin or an adhesive or adhesive tape.

다른 실시예에서, 모듈간 결합 부재(610)는 광투과 저지 기능을 더 수행할 수 있다. 예를 들어, 모듈간 결합 부재(610)가 블랙 안료나 염료 등과 같은 광 흡수 물질을 포함하거나, 반사 물질을 포함함으로써, 광투과 저지 기능을 수행할 수 있다. In another embodiment, the intermodule coupling member 610 may further perform a light transmission blocking function. For example, the intermodule coupling member 610 may include a light absorbing material such as a black pigment, a dye, or the like, or may include a reflective material to perform a light transmission blocking function.

표시 장치(1000)는 하우징(500)을 더 포함할 수 있다. 하우징(500)은 일면이 개방되어 있고, 바닥면(510) 및 바닥면(510)과 연결된 측벽(520)을 포함한다. 바닥면(510)과 측벽(520)에 의해 정의된 공간 내에 광원(400), 광학 부재(100)/표시 패널(300) 부착체 및 반사 부재(90)가 수납될 수 있다. 광원(400), 반사 부재(90) 및 광학 부재(100)/표시 패널(300) 부착체는 하우징(500)의 바닥면(510) 상에 배치된다. 하우징(500)의 측벽(520)의 높이는 하우징(500) 내부에 놓인 광학 부재(100)/표시 패널(300) 부착체의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 표시 패널(300)은 하우징(500)의 측벽 상단과 인접 배치되고, 이들은 하우징 결합 부재(620)에 의해 상호 결합할 수 있다. 하우징 결합 부재(620)는 평면상 사각틀 형상으로 이루어질 수 있다. 하우징 결합 부재(620)는 폴리머 수지나 접착 또는 점착 테이프 등을 포함할 수 있다. The display device 1000 may further include a housing 500. The housing 500 is open at one surface thereof and includes a bottom surface 510 and a sidewall 520 connected to the bottom surface 510. The light source 400, the optical member 100 / display panel 300 attachment body, and the reflective member 90 may be accommodated in a space defined by the bottom surface 510 and the sidewall 520. The light source 400, the reflective member 90, and the optical member 100 / display panel 300 attachment are disposed on the bottom surface 510 of the housing 500. The height of the sidewall 520 of the housing 500 may be substantially the same as the height of the attachment of the optical member 100 / display panel 300 placed inside the housing 500. The display panel 300 is disposed adjacent to the top of the sidewall of the housing 500, and they may be coupled to each other by the housing coupling member 620. The housing coupling member 620 may have a planar rectangular frame shape. The housing coupling member 620 may include a polymer resin or an adhesive or adhesive tape.

표시 장치(1000)는 적어도 하나의 광학 필름(200)을 더 포함할 수 있다. 하나 또는 복수의 광학 필름(200)은 광학 부재(100)와 표시 패널(300) 사이에서 모듈간 결합 부재(610)에 의해 둘러싸인 공간에 수납될 수 있다. 하나 또는 복수의 광학 필름(200)의 측면은 모듈간 결합 부재(610)의 내측면에 접하여 그에 부착될 수 있다. 도면에서는 광학 필름(200)과 광학 부재(100) 사이 및 광학 필름(200)과 표시 패널(300) 사이가 각각 이격된 경우를 예시적으로 도시하였지만, 상기 이격 공간이 필수적으로 요구되는 것은 아니다. The display device 1000 may further include at least one optical film 200. One or more optical films 200 may be accommodated in a space surrounded by the intermodule coupling member 610 between the optical member 100 and the display panel 300. Sides of one or the plurality of optical films 200 may be attached to and in contact with the inner surface of the inter-module coupling member 610. In the drawings, a case in which the optical film 200 and the optical member 100 and the optical film 200 and the display panel 300 are spaced apart from each other is illustrated. However, the space is not necessarily required.

광학 필름(200)은 프리즘 필름, 확산 필름, 마이크로 렌즈 필름, 렌티큘러 필름, 편광 필름, 반사 편광 필름, 위상차 필름 등일 수 있다. 표시 장치(1000)는 동일한 종류 또는 상이한 종류의 복수의 광학 필름(200)을 포함할 수 있다. 복수의 광학 필름(200)이 적용되는 경우, 각 광학 필름(200)은 서로 중첩하도록 배치되고, 각각 측면이 모듈간 결합 부재(610)의 내측면에 접하여 그에 부착될 수 있다. 각 광학 필름(200) 사이는 이격되고, 그 사이에 공기층이 배치될 수 있다. The optical film 200 may be a prism film, a diffusion film, a micro lens film, a lenticular film, a polarizing film, a reflective polarizing film, a retardation film, or the like. The display device 1000 may include a plurality of optical films 200 of the same type or different types. When a plurality of optical films 200 are applied, each optical film 200 is disposed to overlap each other, each side may be in contact with the inner surface of the inter-module coupling member 610 and attached thereto. The optical films 200 may be spaced apart from each other, and an air layer may be disposed therebetween.

도 24의 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 모듈간 결합 부재(610)를 통해 광학 부재(100)와 표시 패널(300), 나아가 광학 필름(200)까지 일체화하고, 하우징 결합 부재(620)를 통해 표시 패널(300)과 하우징(500)을 결합한다. 따라서, 몰드 프레임을 생략하더라도 여러 부재들의 안정적인 결합이 가능하므로, 표시 장치(1000)의 경량화를 이룰 수 있다. 또, 도광판(10)과 파장 변환층(50)이 일체화됨으로써, 표시 장치(1000)의 두께를 감소시킬 수 있다. 아울러, 하우징 결합 부재(620)를 통해 표시 패널(300)의 측면과 하우징(500)의 측벽(520)을 결합시킴으로써, 표시 화면 측 베젤 공간을 없애거나 최소화할 수 있다. The display device 1000 according to the exemplary embodiment of FIG. 24 integrates the optical member 100, the display panel 300, and even the optical film 200 through the intermodule coupling member 610, and the housing coupling member 620. The display panel 300 and the housing 500 are coupled to each other. Therefore, even if the mold frame is omitted, the various members can be stably coupled, thereby making it possible to reduce the weight of the display device 1000. In addition, the light guide plate 10 and the wavelength conversion layer 50 are integrated to reduce the thickness of the display device 1000. In addition, the side of the display panel 300 and the sidewall 520 of the housing 500 may be coupled to each other by the housing coupling member 620 to eliminate or minimize the display screen side bezel space.

도 25는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.25 is a cross-sectional view of a display device according to another exemplary embodiment.

도 25를 참조하면, 표시 장치(1000_1)는 광원(400), 광원의 출사 경로 상에 배치된 광학 부재(100_1), 광학 부재의 상부에 배치된 표시 패널(300)을 포함한다. 도 25은 도 24와 달리 파장 변환 상부층(60_1)이 파장 변환층(50_1) 상면과 측면 및 파장 변환 하부층(70_1)의 측면을 덮고 있는 광학 부재(100_1)를 포함하는 표시 장치(1001)를 도시한다. Referring to FIG. 25, the display device 1000_1 includes a light source 400, an optical member 100_1 disposed on an emission path of a light source, and a display panel 300 disposed above the optical member. FIG. 25 illustrates a display device 1001 including an optical member 100_1 covering a top surface and a side surface of a wavelength conversion layer 50_1 and a side surface of the wavelength conversion lower layer 70_1, unlike in FIG. 24. do.

파장 변환층(50_1), 특히 그에 포함된 파장 변환 입자는 수분/산소에 취약하다. 파장 변환 필름의 경우 파장 변환층 상하면에 배리어 필름을 적층하여 파장 변환층으로의 수분/산소 침투를 막지만, 본 실시예의 경우 배리어 필름 없이 파장 변환층(50_1)이 직접 배치되므로 배리어 필름을 대신하여 파장 변환층(50_1)을 보호하는 밀봉 구조가 필요하다. 상기 밀봉 구조는 파장 변환 상부층(60_1)과 도광판(10_1)에 의해 구현될 수 있다. The wavelength conversion layer 50_1, in particular the wavelength conversion particles contained therein, is vulnerable to moisture / oxygen. In the case of the wavelength conversion film, a barrier film is stacked on the upper and lower surfaces of the wavelength conversion layer to prevent moisture / oxygen penetration into the wavelength conversion layer. However, in the present embodiment, the wavelength conversion layer 50_1 is directly disposed without the barrier film. A sealing structure for protecting the wavelength conversion layer 50_1 is required. The sealing structure may be implemented by the wavelength conversion upper layer 60_1 and the light guide plate 10_1.

파장 변환층(50_1)에 수분이 침투할 수 있는 게이트는 파장 변환층(50_1)의 상면, 측면, 및 하면이다. 상술한 것처럼, 파장 변환층(50_1)의 상면과 측면은 파장 변환 상부층(60_1)에 의해 덮여 보호되므로 수분/산소 침투가 차단되거나 적어도 감소(이하, '차단/저감'이라 칭함)할 수 있다. Gates through which moisture can penetrate into the wavelength conversion layer 50_1 are the top, side, and bottom surfaces of the wavelength conversion layer 50_1. As described above, the upper and side surfaces of the wavelength conversion layer 50_1 are covered and protected by the wavelength conversion upper layer 60_1, so that moisture / oxygen penetration may be blocked or at least reduced (hereinafter referred to as 'blocking / reducing').

한편, 파장 변환층(50_1)의 하면은 파장 변환 하부층(70_1)의 상면과 맞닿아 있는데, 파장 변환 하부층(70_1)이 보이드(VD)를 포함하거나 유기 물질로 이루어질 경우 파장 변환 하부층(70_1) 내부에서 수분의 이동이 가능하므로, 그를 통해 파장 변환층(50_1)의 하면으로 수분/산소 침투가 이루어질 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 파장 변환 하부층(70_1)의 경우에도 밀봉 구조를 가지므로 파장 변환층(50_1)의 하면을 통한 수분/산소 침투과 원천적으로 차단될 수 있다. On the other hand, the lower surface of the wavelength conversion layer 50_1 is in contact with the upper surface of the wavelength conversion lower layer 70_1. When the wavelength conversion lower layer 70_1 includes voids VD or is made of an organic material, the inside of the wavelength conversion lower layer 70_1 Moisture can be moved in, so that the water / oxygen can penetrate through the wavelength conversion layer 50_1 through it. However, in the present exemplary embodiment, since the wavelength conversion lower layer 70_1 has a sealing structure, it may be fundamentally blocked from moisture / oxygen penetration through the lower surface of the wavelength conversion layer 50_1.

구체적으로 설명하면, 파장 변환 하부층(70_1)의 측면은 파장 변환 상부층(60_1)에 의해 덮여 보호되므로 파장 변환 하부층(70_1) 측면을 통한 수분/산소 침투가 차단/저감될 수 있다. 파장 변환 하부층(70_1)이 파장 변환층(50_1)보다 돌출되어 상면의 일부가 노출되더라도 해당 부위는 파장 변환 상부층(60_1)에 의해 덮여 보호되므로 이를 통한 수분/산소 침투도 차단/저감될 수 있다. 파장 변환 하부층(70_1)의 하면은 도광판(10_1)에 맞닿아 있다. 도광판(10_1)이 유리 등과 같은 무기 물질로 이루어질 경우 파장 변환 상부층(60_1)과 마찬가지로 수분/산소 침투를 차단/저감 시킬 수 있다. 결국, 파장 변환 하부층(70_1)과 파장 변환층(50_1)의 적층체는 표면이 파장 변환 상부층(60_1)과 도광판(10_1)에 의해 둘러싸여 밀봉되므로, 비록 파장 변환 하부층(70_1) 내부에 수분/산소 이동 경로가 마련되어 있다고 하더라도 수분/산소 침투 자체가 상기 밀봉 구조에 의해 차단/저감될 수 있어, 수분/산소에 의한 파장 변환 입자의 열화를 방지하거나 적어도 완화시킬 수 있다. Specifically, since the side surface of the wavelength conversion lower layer 70_1 is covered and protected by the wavelength conversion upper layer 60_1, moisture / oxygen penetration through the side surface of the wavelength conversion lower layer 70_1 may be blocked / reduced. Even when the wavelength conversion lower layer 70_1 protrudes from the wavelength conversion layer 50_1 and a part of the upper surface is exposed, the portion is covered and protected by the wavelength conversion upper layer 60_1, so that the moisture / oxygen penetration may also be blocked / reduced. The lower surface of the wavelength conversion lower layer 70_1 is in contact with the light guide plate 10_1. When the light guide plate 10_1 is formed of an inorganic material such as glass, the light guide plate 10_1 may block / reduce moisture / oxygen penetration like the wavelength conversion upper layer 60_1. As a result, the laminate of the wavelength converting underlayer 70_1 and the wavelength converting layer 50_1 is sealed while the surface is surrounded by the wavelength converting upper layer 60_1 and the light guide plate 10_1, although the moisture / oxygen inside the wavelength converting underlayer 70_1 is sealed. Even if a movement path is provided, moisture / oxygen permeation itself can be blocked / reduced by the sealing structure, thereby preventing or at least mitigating degradation of the wavelength conversion particles by moisture / oxygen.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

10: 도광판
20: 저굴절 하부층
30: 저굴절층
40: 저굴절 상부층
50: 파장 변환층
60: 파장 변환 상부층
70: 파장 변환 하부층
80: 산란 패턴
90: 반사 부재
100: 광학 부재
400: 광원
10: Light guide plate
20: low refractive bottom layer
30: low refractive layer
40: low refractive top layer
50: wavelength conversion layer
60: wavelength converting top layer
70: wavelength conversion bottom layer
80: scattering pattern
90: reflective member
100: optical member
400: light source

Claims (61)

도광판;
상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층;
상기 저굴절층과 상기 도광판 사이에 배치되고, 상기 저굴절층보다 작은 두께를 갖는 저굴절 하부층; 및
상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층을 포함하는 광학 부재.
Light guide plate;
A low refractive layer disposed on the light guide plate and having a refractive index smaller than that of the light guide plate;
A low refractive index lower layer disposed between the low refractive index layer and the light guide plate and having a thickness smaller than that of the low refractive index layer; And
An optical member comprising a wavelength conversion layer disposed on the low refractive index layer.
제1 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층의 하면은 상기 도광판의 상면과 접하고, 상기 저굴절 하부층의 상면은 상기 저굴절층의 하면과 접하는 광학 부재.
According to claim 1,
And a lower surface of the low refractive index lower layer contacting an upper surface of the light guide plate, and an upper surface of the low refractive index lower layer contacting a lower surface of the low refractive index layer.
제2 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층은 굴절률이 1.3 내지 1.7인 저굴절 물질 또는 굴절률이 1.5 내지 2.2인 고굴절 물질을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 2,
The low refractive index lower layer may include a low refractive material having a refractive index of 1.3 to 1.7 or a high refractive material having a refractive index of 1.5 to 2.2.
제3 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 큰 광학 부재.
The method of claim 3, wherein
The refractive index of the low refractive index lower layer is greater than the refractive index of the low refractive index layer.
제4 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층은 상기 도광판 상에 배치된 제1 저굴절 하부층 및 상기 제1 저굴절 하부층 상에 배치된 제2 저굴절 하부층을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 4, wherein
The low refractive index lower layer includes a first low refractive index lower layer disposed on the light guide plate and a second low refractive index lower layer disposed on the first low refractive index lower layer.
제5 항에 있어서,
상기 제1 저굴절 하부층 및 상기 제2 저굴절 하부층 중 어느 하나는 상기 저굴절 물질을 포함하고, 다른 하나는 상기 고굴절 물질을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 5,
Any one of the first low refractive index lower layer and the second low refractive index lower layer includes the low refractive material, and the other includes the high refractive material.
제6 항에 있어서,
상기 제1 저굴절 하부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 하부층의 두께는 각각 0.2um 이하인 광학 부재.
The method of claim 6,
The thickness of the first low refractive index lower layer and the thickness of the second low refractive index lower layer are each 0.2um or less.
제6 항에 있어서,
상기 저굴절 물질은 SiOx이고, 상기 고굴절 물질은 SiNx인 광학 부재.
The method of claim 6,
The low refractive material is SiOx, and the high refractive material is SiNx.
제1 항에 있어서,
상기 도광판과 상기 저굴절층의 굴절률의 차이는 0.2 이상인 광학 부재.
According to claim 1,
An optical member having a difference in refractive index between the light guide plate and the low refractive index layer is 0.2 or more.
제9 항에 있어서,
상기 저굴절층은 보이드를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 9,
The low refractive index layer comprises a void.
제9 항에 있어서,
상기 저굴절층의 굴절률은 1.2 내지 1.3인 광학 부재.
The method of claim 9,
The refractive index of the low refractive index layer is 1.2 to 1.3 optical member.
제11 항에 있어서,
상기 저굴절층의 두께는 0.8um 내지 1.2um인 광학 부재.
The method of claim 11, wherein
The thickness of the low refractive layer is 0.8um to 1.2um optical member.
제1 항에 있어서,
상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하는 광학 부재.
According to claim 1,
And a wavelength converting upper layer disposed on the wavelength converting layer.
제13 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층의 하면은 상기 도광판의 상면과 평행한 광학 부재.
The method of claim 13,
The lower surface of the wavelength conversion upper layer is parallel to the upper surface of the light guide plate.
제14 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 14,
The wavelength conversion top layer comprises SiOx or SiNx.
제15 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 15,
The wavelength conversion top layer includes a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.
제16 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 투명 유기 물질을 포함하고, 다른 하나는 SiOx 및 SiNx 중 어느 하나를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 16,
One of the first wavelength converting top layer and the second wavelength converting top layer comprises a transparent organic material, and the other includes any one of SiOx and SiNx.
제17 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 17,
Wherein the first wavelength converting top layer comprises SiOx and the second wavelength converting top layer comprises a transparent organic material.
제16 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 SiOx를 포함하고, 다른 하나는 SiNx를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 16,
One of the first wavelength converting top layer and the second wavelength converting top layer comprises SiOx and the other comprises SiNx.
제16 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함하는 광학 부재.
The method of claim 16,
The wavelength conversion top layer further comprises a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.
제20 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 20,
And the first wavelength converting upper layer comprises a transparent organic material.
제21 항에 있어서,
상기 제2 파장 변환 상부층 및 상기 제3 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 SiOx를 포함하고, 다른 하나는 SiNx를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 21,
One of the second wavelength converting top layer and the third wavelength converting top layer comprises SiOx and the other comprises SiNx.
제1 항에 있어서,
상기 도광판은 유리를 포함하는 광학 부재.
According to claim 1,
The light guide plate comprises a glass.
제23 항에 있어서,
상기 도광판의 상면은 상기 저굴절층의 하면과 평행한 광학 부재.
The method of claim 23, wherein
The upper surface of the light guide plate is parallel to the lower surface of the low refractive layer.
도광판;
상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층;
상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층; 및
상기 저굴절층과 상기 파장 변환층 상에 배치되고, 상기 저굴절층보다 작은 두께를 갖는 저굴절 상부층을 포함하는 광학 부재.
Light guide plate;
A low refractive layer disposed on the light guide plate and having a refractive index smaller than that of the light guide plate;
A wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer; And
And a low refractive upper layer disposed on the low refractive layer and the wavelength conversion layer and having a thickness smaller than that of the low refractive layer.
제25 항에 있어서,
상기 저굴절 상부층은 굴절률이 1.3 내지 1.7인 저굴절 물질 또는 굴절률이 1.5 내지 2.2인 고굴절 물질을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 25,
The low refractive upper layer may include a low refractive material having a refractive index of 1.3 to 1.7 or a high refractive material having a refractive index of 1.5 to 2.2.
제26 항에 있어서,
상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 큰 광학 부재.
The method of claim 26,
The refractive index of the low refractive upper layer is greater than the refractive index of the low refractive layer.
제27 항에 있어서,
상기 저굴절 상부층은 상기 저굴절층 상에 배치된 제1 저굴절 상부층 및 상기 제1 저굴절 상부층 상에 배치된 제2 저굴절 상부층을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 27,
The low refractive upper layer includes a first low refractive upper layer disposed on the low refractive layer and a second low refractive upper layer disposed on the first low refractive upper layer.
제28 항에 있어서,
상기 제1 저굴절 상부층 및 상기 제2 저굴절 상부층 중 어느 하나는 상기 저굴절 물질을 포함하고, 다른 하나는 상기 고굴절 물질을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 28,
One of the first low refractive index upper layer and the second low refractive index upper layer includes the low refractive material, and the other includes the high refractive material.
제29 항에 있어서,
상기 제1 저굴절 상부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 상부층의 두께는 각각 0.2um 이하인 광학 부재.
The method of claim 29,
The thickness of the first low refractive index upper layer and the thickness of the second low refractive index upper layer are each 0.2um or less.
제30 항에 있어서,
상기 저굴절 물질은 SiOx이고, 상기 고굴절 물질은 SiNx인 광학 부재.
The method of claim 30,
The low refractive material is SiOx, and the high refractive material is SiNx.
제25 항에 있어서,
상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하는 광학 부재.
The method of claim 25,
And a wavelength converting upper layer disposed on the wavelength converting layer.
제32 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하는 광학 부재.
33. The method of claim 32,
The wavelength conversion top layer comprises SiOx or SiNx.
제33 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 33, wherein
The wavelength conversion top layer includes a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.
제34 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 투명 유기 물질을 포함하고, 다른 하나는 SiOx 및 SiNx 중 어느 하나를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 34, wherein
One of the first wavelength converting top layer and the second wavelength converting top layer comprises a transparent organic material, and the other includes any one of SiOx and SiNx.
제35 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함하는 광학 부재.
36. The method of claim 35 wherein
Wherein the first wavelength converting top layer comprises SiOx and the second wavelength converting top layer comprises a transparent organic material.
제34 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함하는 광학 부재.
The method of claim 34, wherein
The wavelength conversion top layer further comprises a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.
도광판;
상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층;
상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층;
상기 저굴절층과 상기 도광판 사이에 배치된 저굴절 하부층; 및
상기 저굴절층과 상기 파장 변환층 상에 배치된 저굴절 상부층을 포함하는 광학 부재.
Light guide plate;
A low refractive layer disposed on the light guide plate and having a refractive index smaller than that of the light guide plate;
A wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer;
A low refractive index lower layer disposed between the low refractive index layer and the light guide plate; And
And a low refractive upper layer disposed on the low refractive layer and the wavelength conversion layer.
제38 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 하부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 큰 광학 부재.
The method of claim 38, wherein
The low refractive index lower layer includes SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive index lower layer is greater than the refractive index of the low refractive index layer.
제39 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층은 상기 도광판 상에 배치된 제1 저굴절 하부층 및 상기 제1 저굴절 하부층 상에 배치된 제2 저굴절 하부층을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 39,
The low refractive index lower layer includes a first low refractive index lower layer disposed on the light guide plate and a second low refractive index lower layer disposed on the first low refractive index lower layer.
제40 항에 있어서,
상기 제1 저굴절 하부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 하부층의 두께는 각각 0.2um 이하인 광학 부재.
41. The method of claim 40 wherein
The thickness of the first low refractive index lower layer and the thickness of the second low refractive index lower layer are each 0.2um or less.
제38 항에 있어서,
상기 저굴절 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 큰 광학 부재.
The method of claim 38, wherein
The low refractive upper layer comprises SiOx or SiNx, the refractive index of the low refractive upper layer is greater than the refractive index of the low refractive layer.
제42 항에 있어서,
상기 저굴절 상부층은 상기 저굴절층 상에 배치된 제1 저굴절 상부층 및 상기 제1 저굴절 상부층 상에 배치된 제2 저굴절 상부층을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 42, wherein
The low refractive upper layer includes a first low refractive upper layer disposed on the low refractive layer and a second low refractive upper layer disposed on the first low refractive upper layer.
제43 항에 있어서,
상기 제1 저굴절 상부층의 두께 및 상기 제2 저굴절 상부층의 두께는 각각 0.2um 이하인 광학 부재.
The method of claim 43,
The thickness of the first low refractive index upper layer and the thickness of the second low refractive index upper layer are each 0.2um or less.
제38 항에 있어서,
상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 38, wherein
And a wavelength converting upper layer disposed over the wavelength converting layer, wherein the wavelength converting upper layer comprises SiOx or SiNx.
제45 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함하는 광학 부재.
46. The method of claim 45,
The wavelength conversion top layer includes a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.
제46 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제2 파장 변환 상부층 중 어느 하나는 투명 유기 물질을 포함하고, 다른 하나는 SiOx 및 SiNx 중 어느 하나를 포함하는 광학 부재.
47. The method of claim 46 wherein
One of the first wavelength converting top layer and the second wavelength converting top layer comprises a transparent organic material, and the other includes any one of SiOx and SiNx.
제47 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 상부층은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 상부층은 투명 유기 물질을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 47,
Wherein the first wavelength converting top layer comprises SiOx and the second wavelength converting top layer comprises a transparent organic material.
제46 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함하는 광학 부재.
47. The method of claim 46 wherein
The wavelength conversion top layer further comprises a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.
도광판,
상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층,
상기 저굴절층과 상기 도광판 사이에 배치된 저굴절 하부층, 및
상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층을 포함하는 광학 부재;
상기 도광판의 적어도 일측에 배치된 광원; 및
상기 광학 부재의 상부에 배치된 표시 패널을 포함하는 표시 장치.
Light Guide Plate,
A low refractive layer disposed on the light guide plate and having a refractive index smaller than that of the light guide plate,
A low refractive index lower layer disposed between the low refractive index layer and the light guide plate, and
An optical member including a wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer;
A light source disposed on at least one side of the light guide plate; And
And a display panel disposed above the optical member.
제50 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 하부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 큰 표시 장치.
51. The method of claim 50,
The low refractive index lower layer includes SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive index lower layer is greater than the refractive index of the low refractive index layer.
제51 항에 있어서,
상기 저굴절 하부층은 상기 도광판 상에 배치된 제1 저굴절 하부층 및 상기 제1 저굴절 하부층 상에 배치된 제2 저굴절 하부층을 포함하는 표시 장치.
The method of claim 51, wherein
The low refractive index lower layer includes a first low refractive index lower layer disposed on the light guide plate and a second low refractive index lower layer disposed on the first low refractive index lower layer.
제50 항에 있어서,
상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하는 표시 장치.
51. The method of claim 50,
And a wavelength conversion upper layer disposed on the wavelength conversion layer, wherein the wavelength conversion upper layer comprises SiOx or SiNx.
제53 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 파장 변환층 상에 배치된 제1 파장 변환 상부층 및 상기 제1 파장 변환 상부층 상에 배치된 제2 파장 변환 상부층을 포함하는 표시 장치.
The method of claim 53,
The wavelength conversion top layer includes a first wavelength conversion top layer disposed on the wavelength conversion layer and a second wavelength conversion top layer disposed on the first wavelength conversion top layer.
제54 항에 있어서,
상기 파장 변환 상부층은 상기 제2 파장 변환 상부층 상에 제3 파장 변환 상부층을 더 포함하는 표시 장치.
55. The method of claim 54,
The wavelength conversion top layer further includes a third wavelength conversion top layer on the second wavelength conversion top layer.
제50 항에 있어서,
상기 광학 부재는 상기 파장 변환층과 상기 저굴절층 사이에 배치된 저굴절 상부층을 더 포함하는 표시 장치.
51. The method of claim 50,
The optical member further includes a low refractive index upper layer disposed between the wavelength conversion layer and the low refractive index layer.
제56 항에 있어서,
상기 저굴절 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 큰 표시 장치.
The method of claim 56, wherein
The low refractive upper layer includes SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive upper layer is greater than the refractive index of the low refractive layer.
제57 항에 있어서,
상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하는 표시 장치.
The method of claim 57,
And a wavelength conversion upper layer disposed on the wavelength conversion layer, wherein the wavelength conversion upper layer comprises SiOx or SiNx.
도광판,
상기 도광판 상에 배치되고, 상기 도광판보다 작은 굴절율을 갖는 저굴절층,
상기 저굴절층 상에 배치된 파장 변환층, 및
상기 저굴절층과 상기 파장 변환층 사이에 배치된 저굴절 상부층을 포함하는 광학 부재;
상기 도광판의 적어도 일측에 배치된 광원; 및
상기 광학 부재의 상부에 배치된 표시 패널을 포함하는 표시 장치.
Light Guide Plate,
A low refractive layer disposed on the light guide plate and having a refractive index smaller than that of the light guide plate,
A wavelength conversion layer disposed on the low refractive layer, and
An optical member including a low refractive upper layer disposed between the low refractive layer and the wavelength conversion layer;
A light source disposed on at least one side of the light guide plate; And
And a display panel disposed above the optical member.
제59 항에 있어서,
상기 저굴절 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하고, 상기 저굴절 상부층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 큰 표시 장치.
The method of claim 59,
The low refractive upper layer includes SiOx or SiNx, and the refractive index of the low refractive upper layer is greater than the refractive index of the low refractive layer.
제60 항에 있어서,
상기 파장 변환층 상부에 배치된 파장 변환 상부층을 더 포함하되, 상기 파장 변환 상부층은 SiOx 또는 SiNx를 포함하는 표시 장치.
61. The method of claim 60,
And a wavelength conversion upper layer disposed on the wavelength conversion layer, wherein the wavelength conversion upper layer comprises SiOx or SiNx.
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