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KR20190052327A - Display device - Google Patents

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KR20190052327A
KR20190052327A KR1020170147931A KR20170147931A KR20190052327A KR 20190052327 A KR20190052327 A KR 20190052327A KR 1020170147931 A KR1020170147931 A KR 1020170147931A KR 20170147931 A KR20170147931 A KR 20170147931A KR 20190052327 A KR20190052327 A KR 20190052327A
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KR
South Korea
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power supply
wiring
layer
dummy
display device
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강진후
이종혁
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서는 표시장치를 개시한다. 상기 표시장치는, 하나 이상의 화소 및 그와 연관된 화소 회로; 상기 화소 회로에 연결된 적어도 두 종류 이상의 전원 배선; 상기 전원 배선 중 서로 다른 두 종류의 전원 배선 사이에 배치된 더미 배선을 포함한다.This specification discloses a display device. The display device comprising: at least one pixel and its associated pixel circuit; At least two kinds of power supply wirings connected to the pixel circuits; And a dummy wiring disposed between two different types of power supply wirings among the power supply wirings.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 명세서는 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상표시장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 유기발광 소자의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기발광 표시장치 등이 각광받고 있다.The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. Accordingly, an organic light emitting display device for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting device has attracted attention.

유기발광 소자는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 박막화가 가능하다는 장점이 있다. 일반적인 유기발광 표시장치는 기판에 화소구동 회로와 유기발광 소자가 형성된 구조를 갖고, 유기발광 소자에서 방출된 빛이 기판 또는 배리어층을 통과하면서 화상을 표시하게 된다.The organic light emitting device is advantageous in that it can be made thin as a self-luminous device using a thin light emitting layer between electrodes. A general organic light emitting display has a structure in which a pixel driving circuit and an organic light emitting element are formed on a substrate, and light emitted from the organic light emitting element passes through a substrate or a barrier layer to display an image.

유기발광 표시장치를 비롯한 여러 표시장치들은, 투습이 발생하면 장기 신뢰성 등의 성능이 저하될 수 있으므로, 다양한 방식으로 수분의 침투 및/또는 전파를 차단한다. 특히 외곽부의 배선을 따라 침투하는 수분을 막기 위한 다양한 구조가 연구/적용되고 있다.Various display devices including an organic light emitting display device can prevent penetration and / or propagation of moisture in various ways because the performance such as long-term reliability may be deteriorated when moisture permeation occurs. In particular, various structures for preventing water penetration along the wiring of the outer part are studied / applied.

본 명세서는 표시장치의 배선부를 통한 투습을 방지하는 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다. 본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is an object of the present invention to propose a structure for preventing moisture permeation through a wiring portion of a display device. The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 일 실시예에 따라 표시장치가 제공된다. 상기 표시장치는, 하나 이상의 화소 및 그와 연관된 화소 회로; 상기 화소 회로에 연결된 적어도 두 종류 이상의 전원 배선; 상기 전원 배선 중 서로 다른 두 종류의 전원 배선 사이에 배치된 더미 배선을 포함할 수 있다. A display device is provided according to an embodiment of the present disclosure. The display device comprising: at least one pixel and its associated pixel circuit; At least two kinds of power supply wirings connected to the pixel circuits; And dummy wiring arranged between two different types of power supply lines among the power supply lines.

상기 더미 배선은, 가장 전위 차가 큰 두 전원 배선 사이에서 발생하는 전기장으로 인한 전식을 억제하도록 구비될 수 있다. 일 예로 상기 더미 배선은, 상기 전원 배선 중 가장 전위 차가 큰 두 전원 배선 사이에 배치될 수 있다.The dummy wiring can be provided so as to suppress the electric field due to the electric field generated between the two power supply wirings having the largest potential difference. For example, the dummy wiring may be disposed between two power supply wirings having the largest potential difference among the power supply wirings.

상기 전원 배선은 제1 전원 배선, 제2 전원 배선 및 제3 전원 배선을 포함하고, 상기 제1 전원 배선, 제2 전원 배선 및 제3 전원 배선은 각각 고준위전원(VDD) 배선, 초기화전원 배선 및 저준위전원(VSS) 배선일 수 있다. 이때 상기 더미 배선은, 상기 제1 전원 배선과 상기 제2 전원 배선 사이에 배치될 수 있다.The power supply wiring includes a first power supply wiring, a second power supply wiring, and a third power supply wiring. The first power supply wiring, the second power supply wiring, and the third power supply wiring are respectively connected to a high level power supply (VDD) It can be a low-level power (VSS) wiring. Here, the dummy wiring may be disposed between the first power supply wiring and the second power supply wiring.

상기 더미 배선은, 상기 제1 전원 배선과 상기 제2 전원 배선 사이의 간격이 소정 거리 이하인 영역에 배치될 수 있다.The dummy wiring may be disposed in an area where a distance between the first power supply wiring and the second power supply wiring is a predetermined distance or less.

상기 더미 배선은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다. 이때 상기 더미 배선은, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 순으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.The dummy wiring may be the same material as the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor (TFT) included in the pixel circuit. At this time, the dummy wiring may have a multi-layered structure in which titanium (Ti), aluminum (Al), and titanium (Ti) are stacked in this order.

상기 더미 배선은, 상기 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드의 애노드 전극 또는 캐소드 전극과 동일한 물질일 수 있다.The dummy wiring may be the same material as the anode electrode or the cathode electrode of the organic light emitting diode included in the pixel circuit.

상기 더미 배선은, 전원이 공급되지 않아 플로팅(floating) 상태일 수 있다.The dummy wiring may be in a floating state because no power is supplied.

타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예들은, 배선의 부식 또는 전식으로 인한 신뢰성 저하 문제가 개선된 표시장치를 제공할 수 있다. 더불어, 본 명세서의 실시예들은, 표시장치 외곽의 배선부를 통한 투습을 방지하는 구조를 제공할 수 있다. 본 명세서의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Embodiments of the present invention can provide a display device with improved reliability degradation due to corrosion or electromigration of wiring. In addition, the embodiments of the present invention can provide a structure for preventing moisture permeation through the wiring portion outside the display device. The effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 전자장치에 포함될 수 있는 예시적인 표시장치를 도시한다.
도 2a 및 2b는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치의 표시 영역 및 비표시 영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 표시장치의 배선 배치를 설명하는 일 예시도이다.
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
Figure 1 illustrates an exemplary display device that may be included in an electronic device.
2A and 2B are cross-sectional views schematically showing a display region and a non-display region of a display device according to an embodiment of the present invention.
3 is an example for explaining the wiring arrangement of the display device.
4 is a view showing a display device according to an embodiment of the present invention.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present disclosure, and how to accomplish them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise. In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. 소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions. An element or layer is referred to as being another element or layer " on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening " or that each component may be " connected, " " coupled, " or " connected " through other components.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown. Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 전자장치에 포함될 수 있는 예시적인 표시장치를 도시한다.Figure 1 illustrates an exemplary display device that may be included in an electronic device.

도 1을 참조하면, 상기 표시장치(100)는 적어도 하나의 표시 영역(active area)을 포함하고, 상기 표시 영역에는 화소(pixel)들의 어레이(array)가 형성된다. 하나 이상의 비표시 영역(inactive area)이 상기 표시 영역의 주위에 배치될 수 있다. 즉, 상기 비표시 영역은, 표시 영역의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다. 도 1에서, 상기 비표시 영역은 사각형 형태의 표시 영역을 둘러싸고 있다. 그러나, 표시 영역의 형태 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역의 형태/배치는 도 1에 도시된 예에 한정되지 않는다. 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역은, 상기 표시장치(100)를 탑재한 전자장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 상기 표시 영역의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등이다.Referring to FIG. 1, the display device 100 includes at least one active area, and an array of pixels is formed in the display area. One or more inactive areas may be disposed around the display area. That is, the non-display area may be adjacent to one or more sides of the display area. In Fig. 1, the non-display area surrounds a display area of a rectangular shape. However, the shape of the display region and the shape / arrangement of the non-display region adjacent to the display region are not limited to the example shown in Fig. The display area and the non-display area may be in a form suitable for the design of the electronic device on which the display device 100 is mounted. Illustrative forms of the display area are pentagonal, hexagonal, circular, oval, and the like.

상기 표시 영역 내의 각 화소는 화소 회로와 연관될 수 있다. 상기 화소 회로는, 백플레인(backplane) 상의 하나 이상의 스위칭 트랜지스터 및 하나 이상의 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 각 화소 회로는, 상기 비표시 영역에 위치한 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버와 같은 하나 이상의 구동 회로와 통신하기 위해, 게이트 라인 및 데이터 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.Each pixel in the display area can be associated with a pixel circuit. The pixel circuit may include at least one switching transistor and at least one driving transistor on a backplane. Each pixel circuit may be electrically connected to a gate line and a data line to communicate with one or more driving circuits such as a gate driver and a data driver located in the non-display area.

상기 구동 회로는, 도 1에 도시된 것처럼, 상기 비표시 영역에 TFT(thin film transistor)로 구현될 수 있다. 이러한 구동 회로는 GIP(gate-in-panel)로 지칭될 수 있다. 또한, 데이터 드라이버 IC와 같은 몇몇 부품들은, 분리된 인쇄 회로 기판에 탑재되고, FPCB(flexible printed circuit board), COF(chip-on-film), TCP(tape-carrier-package) 등과 같은 회로 필름을 이용하여 상기 비표시 영역에 배치된 연결 인터페이스(패드/범프, 핀 등)와 결합될 수 있다. 상기 비표시 영역은 상기 연결 인터페이스와 함께 구부러져서, 상기 인쇄 회로(COF, PCB 등)는 상기 표시장치(100)의 뒤편에 위치될 수 있다.The driving circuit may be implemented with a thin film transistor (TFT) in the non-display region, as shown in FIG. This driving circuit may be referred to as a gate-in-panel (GIP). In addition, some components, such as a data driver IC, are mounted on a separate printed circuit board, and circuit films such as flexible printed circuit boards (FPCB), chip-on-film (COF), tape- (Pad / bump, pin, etc.) disposed in the non-display area. The non-display area may be bent together with the connection interface so that the printed circuit (COF, PCB, etc.) may be positioned behind the display device 100.

상기 표시장치(100)는, 다양한 신호를 생성하거나 표시 영역내의 화소를 구동하기 위한, 다양한 부가 요소들 포함할 수 있다. 상기 화소를 구동하기 위한 부가 요소는 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방전 회로(electro static discharge) 등을 포함할 수 있다. 상기 표시장치(100)는 화소 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시장치(100)는 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능(예: 지문 인식), 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백(tactile feedback) 기능 등을 제공하는 부가 요소들을 포함할 수 있다. 상기 언급된 부가 요소들은 상기 비표시 영역 및/또는 상기 연결 인터페이스와 연결된 외부 회로에 위치할 수 있다.The display device 100 may include various additional elements for generating various signals or driving pixels in the display area. The additional element for driving the pixel may include an inverter circuit, a multiplexer, an electrostatic discharge circuit, and the like. The display device 100 may also include additional elements associated with functions other than pixel driving. For example, the display device 100 may include additional elements that provide a touch sensing function, a user authentication function (e.g., fingerprint recognition), a multi-level pressure sensing function, a tactile feedback function, and the like. The above-mentioned additional elements may be located in the non-display area and / or an external circuit connected to the connection interface.

상기 표시장치(100)의 하나 이상의 모서리(edge)는 중앙 부분(central portion, 101)에서 멀어지도록 구부러질 수 있다. 상기 표시장치(100)의 하나 이상의 부분이 구부러질 수 있으므로, 상기 표시장치(100)는 실질적으로 평평한(flat) 부분 및 굴곡진(bended) 부분으로 정의될 수 있다. 즉, 표시장치(100)의 일 부분(예: 패드(PAD)와 표시 영역 사이의 배선부)은 소정의 각도로 구부러지며, 이러한 부분은 굴곡 부분으로 지칭될 수 있다. 상기 굴곡 부분은, 소정의 굴곡 반지름으로 실제로 휘어지는 굴곡 구간(bended section)을 포함한다. 항상 그런 것은 아니지만, 표시장치(100)의 중앙부분은 실질적으로 평평하고, 모서리 부분은 굴곡 부분일수 있다. One or more edges of the display device 100 may be bent away from the central portion 101. [ Since at least one portion of the display device 100 can be bent, the display device 100 can be defined as a substantially flat portion and a bended portion. That is, a part of the display device 100 (for example, the wiring part between the pad PAD and the display area) is bent at a predetermined angle, and this part can be referred to as a bent part. The bending portion includes a bended section that is actually bent at a predetermined bending radius. Although not always, the central portion of the display device 100 may be substantially flat and the corner portions may be curved portions.

비표시 영역을 구부리면, 비표시 영역이 표시장치의 앞면에서는 안보이거나 최소로만 보이게 된다. 비표시 영역 중 표시장치의 앞면에서 보이는 일부는 베젤(bezel)로 가려질 수 있다. 상기 베젤은 독자적인 구조물, 또는 하우징이나 다른 적합한 요소로 형성될 수 있다. 비표시 영역 중 표시장치의 앞면에서 보이는 일부는 블랙 잉크(예: 카본 블랙으로 채워진 폴리머)와 같은 불투명한 마스크 층 아래에 숨겨질 수도 있다. 이러한 불투명한 마스크 층은 표시장치(100)에 포함된 다양한 층(터치센서층, 편광층, 덮개층 등) 상에 마련될 수 있다.When the non-display area is bent, the non-display area is not visible on the front surface of the display device, or is at least visible. A part of the non-display area seen from the front side of the display device may be covered with a bezel. The bezel may be formed of a unique structure, or a housing or other suitable element. A portion of the non-display area seen on the front side of the display device may be hidden under an opaque mask layer such as black ink (e.g., a polymer filled with carbon black). This opaque mask layer may be provided on the various layers (touch sensor layer, polarizing layer, cover layer, etc.) included in the display device 100.

굴곡 부분(102)은, 굴곡축에 대한 굴곡각 θ 및 굴곡 반지름 R을 갖고 중앙 부분으로부터 바깥쪽으로 구부러질 수 있다. 상기 각 굴곡 부분의 크기는 동일할 필요는 없다. 또한, 굴곡 축 둘레의 굴곡 각 θ 및 상기 굴곡축으로부터의 곡률 반지름 R은 굴곡 부분마다 다를 수 있다.The bending portion 102 can bend outward from the center portion with a bending angle? And a bending radius R with respect to the bending axis. The size of each bent portion need not be the same. Further, the bending angle? Around the bending axis and the radius of curvature R from the bending axis may be different for each bent portion.

도 2a 및 2b는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치의 표시 영역 및 비표시 영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 2A and 2B are cross-sectional views schematically showing a display region and a non-display region of a display device according to an embodiment of the present invention.

도시된 표시 영역 및 비표시 영역은, 도 1에서 서술된 표시 영역(A/A) 및 비표시 영역(A/A-2)의 적어도 일부에 적용될 수 있다. 이하에서는 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)를 일 예로 하여 상기 표시장치를 설명한다.The illustrated display area and non-display area can be applied to at least a part of the display area A / A and the non-display area A / A-2 described in Fig. Hereinafter, the display device will be described by taking an organic light emitting display as an example.

유기발광 표시장치의 경우, 상기 표시 영역에는 베이스 층(111) 상에 박막트랜지스터(112, 114, 116, 118), 유기발광소자(122, 124, 126) 및 각종 기능 층(layer)이 위치한다. 한편, 상기 비표시 영역에는 베이스 층(111) 상에 각종 구동 회로, 전극, 배선, 기능성 구조물 등이 위치할 수 있다. In the organic light emitting display, thin film transistors 112, 114, 116 and 118, organic light emitting devices 122, 124 and 126 and various functional layers are disposed on the base layer 111 in the display region . On the other hand, various driving circuits, electrodes, wires, functional structures, and the like may be positioned on the base layer 111 in the non-display area.

베이스 층(111)은 유기발광 표시장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지한다. 베이스 층(111)은 투명한 절연 물질, 예를 들어 유리, 플라스틱 등과 같은 절연 물질로 형성될 수 있다. 기판(어레이 기판)은, 그 위에 형성된 소자 및 기능 층, 예를 들어 스위칭 TFT, 구동 TFT, 유기발광소자, 보호막 등을 포함하는 개념으로 지칭되기도 한다.The base layer 111 supports various components of the OLED display 100. The base layer 111 may be formed of a transparent insulating material, for example, an insulating material such as glass, plastic, or the like. The substrate (array substrate) may also be referred to as a concept including an element and a functional layer formed thereon, for example, a switching TFT, a driving TFT, an organic light emitting element, a protective film and the like.

버퍼 층(buffer layer)이 베이스 층(111) 상에 위치할 수 있다. 상기 버퍼 층은 베이스 층(111) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 보호하기 위한 기능 층이다. 상기 버퍼 층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. A buffer layer may be located on the base layer 111. The buffer layer is a functional layer for protecting a thin film transistor (TFT) from an impurity such as an alkali ion or the like flowing out from the base layer 111 or the lower layers. The buffer layer may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof.

상기 베이스 층(111) 또는 버퍼 층 위에 박막트랜지스터가 놓인다. 박막트랜지스터는 반도체 층(112), 게이트 절연막(113), 게이트 전극(114), 층간 절연막(115), 소스 및 드레인 전극(116, 118)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다. 반도체 층(112)은 상기 베이스 층(111) 또는 버퍼 층 상에 위치한다. 반도체 층(112)은 폴리 실리콘(p-Si)으로 만들어질 수 있으며, 이 경우 소정의 영역이 불순물로 도핑될 수도 있다. 또한, 반도체 층(112)은 아몰포스 실리콘(a-Si)으로 만들어질 수도 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 만들어질 수도 있다. 나아가 반도체 층(112)은 산화물(oxide)로 만들어질 수도 있다. 게이트 절연막(113)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 무기물로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 게이트 전극(114)은 다양한 도전성 물질, 예컨대, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.A thin film transistor is placed on the base layer 111 or the buffer layer. The thin film transistor may be a semiconductor layer 112, a gate insulating film 113, a gate electrode 114, an interlayer insulating film 115, and source and drain electrodes 116 and 118 sequentially arranged. The semiconductor layer 112 is located on the base layer 111 or the buffer layer. The semiconductor layer 112 may be made of polysilicon (p-Si), in which case a predetermined region may be doped with impurities. In addition, the semiconductor layer 112 may be made of amorphous silicon (a-Si), or may be made of various organic semiconductor materials such as pentacene. Further, the semiconductor layer 112 may be made of oxide. The gate insulating film 113 may be formed of an insulating inorganic material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or may be formed of an insulating organic material or the like. The gate electrode 114 may be formed of various conductive materials such as Mg, Al, Ni, Cr, Mo, W, Au, Or the like.

층간 절연막(115)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 층간 절연막(115)과 게이트 절연막(113)의 선택적 제거로 소스 및 드레인 영역이 노출되는 컨택 홀(contact hole)이 형성될 수 있다.The interlayer insulating layer 115 may be formed of an insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or may be formed of an insulating organic material or the like. A contact hole through which the source and drain regions are exposed may be formed by selective removal of the interlayer insulating film 115 and the gate insulating film 113.

소스 및 드레인 전극(116, 118)은 층간 절연막(115) 상에 전극용 물질로 단일층 또는 다층의 형상으로 형성된다.The source and drain electrodes 116 and 118 are formed on the interlayer insulating film 115 in the form of a single layer or a multi-layer as an electrode material.

평탄화 층(117)이 박막트랜지스터 상에 위치할 수 있다. 평탄화 층(117)은 박막트랜지스터를 보호하고 그 상부를 평탄화한다. 평탄화 층(117)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl) 등과 같은 유기 절연막, 또는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연막으로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중 층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.The planarization layer 117 may be located on the thin film transistor. The planarization layer 117 protects the thin film transistor and flattenes the top of the thin film transistor. The planarization layer 117 may be formed in various shapes and may be formed of an organic insulation film such as BCB (benzocyclobutene) or acrylic, or an inorganic insulation film such as a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx) It may be formed as a single layer, or it may be composed of a double layer or a multi layer.

유기발광소자는 제1 전극(122), 유기발광 층(124), 제2 전극(126)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다. 즉, 유기발광소자는 평탄화 층(117) 상에 형성된 제1 전극(122), 제1 전극(122) 상에 위치한 유기발광 층(124) 및 유기발광 층(124) 상에 위치한 제2 전극(126)으로 구성될 수 있다.The organic light emitting device may have a structure in which the first electrode 122, the organic light emitting layer 124, and the second electrode 126 are sequentially disposed. That is, the organic light emitting device includes a first electrode 122 formed on the planarization layer 117, an organic light emitting layer 124 disposed on the first electrode 122, and a second electrode (not shown) disposed on the organic light emitting layer 124 126).

제1 전극(122)은 컨택 홀을 통해 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극(118)과 전기적으로 연결된다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 이러한 제1 전극(122)은 반사율이 높은 불투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(122)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.The first electrode 122 is electrically connected to the drain electrode 118 of the driving thin film transistor through the contact hole. When the organic light emitting display 100 is a top emission type, the first electrode 122 may be made of an opaque conductive material having high reflectance. For example, the first electrode 122 may be formed of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), molybdenum (Mo), tungsten (W), chromium (Cr) .

뱅크(120)는 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 이에 따라, 뱅크(120)는 발광 영역과 대응되는 제1 전극(122)을 노출시키는 뱅크 홀을 가진다. 뱅크(120)는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연 물질 또는 BCB, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지와 같은 유기 절연물질로 만들어질 수 있다.The bank 120 is formed in the remaining region except for the light emitting region. Accordingly, the bank 120 has a bank hole for exposing the first electrode 122 corresponding to the light emitting region. The bank 120 may be made of an inorganic insulating material such as a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiOx), or an organic insulating material such as BCB, acrylic resin or imide resin.

유기발광 층(124)이 뱅크(120)에 의해 노출된 제1 전극(122) 상에 위치한다. 유기발광 층(124)은 발광층, 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층, 정공주입층 등을 포함할 수 있다. 상기 유기발광 층은, 하나의 빛을 발광하는 단일 발광층 구조로 구성될 수도 있고, 복수 개의 발광층으로 구성되어 백색 광을 발광하는 구조로 구성될 수도 있다. The organic light emitting layer 124 is positioned on the first electrode 122 exposed by the bank 120. [ The organic light emitting layer 124 may include a light emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like. The organic light emitting layer may have a single light emitting layer structure that emits a single light or may include a plurality of light emitting layers to emit white light.

제2 전극(126)이 유기발광층(124) 상에 위치한다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 제2 전극(126)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide; IZO) 등과 같은 투명한 도전 물질로 형성됨으로써 유기발광 층(124)에서 생성된 광을 제2 전극(126) 상부로 방출시킨다.And the second electrode 126 is located on the organic light emitting layer 124. When the OLED display 100 is a top emission type, the second electrode 126 may be a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) Thereby emitting the light generated in the organic light emitting layer 124 to the upper portion of the second electrode 126.

보호 층(128)과 봉지 층(130)이 제2 전극(126) 상에 위치한다. 상기 보호 층(128)과 봉지 층(130)은, 발광 재료와 전극 재료의 산화를 방지하기 위하여, 외부로부터의 산소 및 수분 침투를 막는다. 유기발광소자가 수분이나 산소에 노출되면, 발광 영역이 축소되는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상이 나타나거나, 발광 영역 내 흑점(dark spot)이 생길 수 있다. 상기 보호 층(passivation layer) 및/또는 상기 봉지 층(encapsulation layer)은 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 또는 유기막과 무기막이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 무기막은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기막은 무기막의 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 봉지 층을 여러 겹의 박막 층으로 형성하는 이유는, 단일 층에 비해 수분이나 산소의 이동 경로를 길고 복잡하게 하여, 유기발광소자까지 수분/산소의 침투를 어렵게 만들려는 것이다.The protective layer 128 and the encapsulation layer 130 are located on the second electrode 126. The protective layer 128 and the sealing layer 130 prevent oxygen and moisture penetration from the outside in order to prevent oxidation of the light emitting material and the electrode material. When the organic light emitting device is exposed to moisture or oxygen, a pixel shrinkage phenomenon in which the light emitting region is reduced or a dark spot in the light emitting region may occur. The passivation layer and / or the encapsulation layer may be composed of an inorganic film made of glass, metal, aluminum oxide (AlOx), or silicon (Si) material, or alternatively, It may be a laminated structure. The inorganic film serves to block penetration of moisture or oxygen, and the organic film serves to flatten the surface of the inorganic film. The reason why the encapsulation layer is formed of a plurality of thin film layers is to make the movement path of water or oxygen longer and more complicated than in the case of a single layer so as to make penetration of moisture / oxygen into the organic light emitting element difficult.

상기 유기발광 표시장치(100)은 봉지 층(130) 상에 터치 층, 편광 층(160), 커버 층(170) 등을 더 포함할 수 있다. 터치 패널/터치 감지 전극이 유기발광소자의 상면(예: 봉지 층 상면)에 사용자의 터치 입력을 감지하기 위한 마련될 수 있다. 필요하다면, 터치 감지 전극 및/또는 터치 입력 감지와 연관된 다른 부품이 구비된 독립된 층이 상기 표시장치(100) 내부에 마련될 수 있다. 상기 터치 감지 전극(예: 터치 구동/감지 전극)은 인듐 주석 산화물, 그래핀(graphene)과 같은 탄소 기반 물질, 탄소 나노튜브, 전도성 고분자, 다양한 전도성/비전도성 물질의 혼합물로 만들어진 하이브리드 물질 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다. 또한, 금속 메쉬(metal mesh), 예컨대, 알루미늄 메쉬, 은 메쉬 등이 상기 터치 감지 전극으로 사용될 수 있다.The OLED display 100 may further include a touch layer, a polarizing layer 160, a cover layer 170, and the like on the sealing layer 130. The touch panel / touch sensing electrode may be provided on the upper surface of the organic light emitting element (e.g., the upper surface of the sealing layer) for sensing the touch input of the user. If desired, a separate layer with touch sensing electrodes and / or other components associated with touch input sensing may be provided within the display device 100. The touch sensing electrode (e.g., the touch driving / sensing electrode) may be formed of a conductive material such as indium tin oxide, a carbon based material such as graphene, a carbon nanotube, a conductive polymer, or a hybrid material made of a mixture of various conductive / non- May be formed of a transparent conductive material. In addition, a metal mesh such as an aluminum mesh or a silver mesh may be used as the touch sensing electrode.

상기 표시장치(100)는 표시 특성(예: 외부 광 반사, 색 정확도, 휘도 등)을 제어하기 위해 편광층(160)을 포함할 수 있다. 상기 커버층(170)은 상기 표시장치(100)를 보호하기 위해 사용될 수 있으며 일 예로 커버 글래스(cover glass)일 수 있다.The display device 100 may include a polarization layer 160 to control display characteristics (e.g., external light reflection, color accuracy, brightness, etc.). The cover layer 170 may be used to protect the display device 100, and may be a cover glass, for example.

상기 표시장치(100)의 특정 부분에서의 강도 및/또는 견고성을 증가시키기 위해, 하나 이상의 지지 층(180)이 상기 베이스 층(111)의 하부에 제공될 수 있다. 상기 지지 층(180)은, 상기 베이스 층(111)의 양면 중 유기발광소자가 있는 면(제1 면)의 반대편 면(제2 면)에 부착된다. 상기 지지 층(180)은 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate; PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Ployethylene Terephthalate; PET), 폴리에틸렌 에테르프탈레이트 (polyethylene ether phthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰산(polyether sulfonate), 폴리이미드(polyimide) 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 기타 적합한 폴리머의 조합으로 구성된 박형 플라스틱 필름으로 만들어질 수 있다. 상기 지지 층(180)의 형성에 사용될 수 있는 다른 적합한 물질은 박형 유리, 유전체로 차폐된 금속 호일(metal foil), 다층 폴리머, 나노 파티클 또는 마이크로 파티클과 조합된 고분자 물질이 포함된 고분자 필름 등일 수 있다.At least one support layer 180 may be provided at the bottom of the base layer 111 to increase the strength and / or rigidity at a particular portion of the display device 100. The support layer 180 is attached to the opposite surface (second surface) of the surface (first surface) on which the organic light emitting element is present on both surfaces of the base layer 111. The support layer 180 may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene ether phthalate, polycarbonate, polyarylate, For example, a thin plastic film composed of a combination of polyether imide, polyether sulfonate, polyimide polyacrylate, and other suitable polymers. Other suitable materials that can be used to form the support layer 180 include thin films, dielectric foil, metal foil, polymer films including polymeric materials in combination with nanoparticles or microparticles, have.

상기 표시장치(100)의 더 용이한 굴곡 및 신뢰성 향상을 위해, 굴곡 부분(102)에서 구성 요소들의 구성은 상기 평평한 중앙 부분(101)에서와 다를 수 있다. 상기 중앙 부분(101)에 존재하는 몇몇 구성 요소들은 상기 굴곡 부분(102)에는 배치되지 않거나, 다른 두께로 제공된다. 예를 들어, 상기 지지층(180), 상기 편광층(160), 상기 터치센서층, 컬러필터층 및/또는 표시장치(100)의 굴곡을 방해하는 다른 구성 요소들은 상기 굴곡 부분(102)에 없을 수 있다. 또한 상기 굴곡 부분(102)의 시야각 특성을 고려하여 유기발광소자들이 평평한 부분(101)과는 다른 형태로 마련될 수도 있다. In order to improve the bending and reliability of the display device 100 more easily, the configuration of the components in the bent portion 102 may be different from that in the flat central portion 101. Some of the components present in the central portion 101 are not disposed in the bending portion 102, or are provided in different thicknesses. For example, the support layer 180, the polarizing layer 160, the touch sensor layer, the color filter layer, and / or other components that interfere with the bending of the display device 100 may not be present in the curved portion 102 have. In addition, the organic light emitting devices may be provided in a different form from the flat portion 101 in consideration of the viewing angle characteristics of the curved portion 102.

비표시 영역(I/A)에는 화소 회로가 배치되지 않지만 베이스 층(111)과 유기/무기 기능 층들(113, 115, 117 128, 130 등)은 존재할 수 있다. 또한 상기 비표시 영역(I/A)에는 표시 영역(A/A)의 구성에 사용된 물질들이 다른 용도로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2b와 같이, 표시 영역 TFT의 게이트 전극으로 사용된 금속(114'), 또는 소스/드레인 전극으로 사용된 금속(118')이 배선, 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수 있다. 더 나아가, 유기발광 다이오드의 일 전극(예: 애노드)로 사용되었던 금속(122')이 배선, 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수도 있다.The base layer 111 and the organic / inorganic functional layers 113, 115, 117 128, 130, and the like may be present although no pixel circuits are disposed in the non-display area I / A. In addition, the materials used in the constitution of the display area A / A may be arranged in the non-display area I / A for other purposes. For example, as shown in FIG. 2B, a metal 114 'used as a gate electrode of a display region TFT or a metal 118' used as a source / drain electrode may be used as a wiring, a non-display region I / As shown in FIG. Furthermore, the metal 122 'used as one electrode (for example, an anode) of the organic light emitting diode may be disposed in the non-display area I / A for the wiring and the electrode.

도 3은 표시장치의 배선 배치를 설명하는 일 예시도이다. 3 is an example for explaining the wiring arrangement of the display device.

도 3은 도 1의 B 부분을 확대한 도면이다. 설명의 편의를 위해, 도 3에는 표시장치의 패드 영역(P), 배선 층(118', 114'), 평탄화 층(117) 만이 단순하게 도시되었고, 평탄화 층(117)과 배선 층(118', 114') 상의 봉지 층은 생략되었다. 상기 봉지 층(130)은 패드 영역(P)을 제외한 전체 영역을 덮을 수도 있고, 일부 영역만 덮을 수도 있다. 3 is an enlarged view of a portion B in Fig. Only the pad region P of the display device, the wiring layers 118 'and 114' and the planarization layer 117 are shown simply in FIG. 3 and the planarization layer 117 and the wiring layer 118 ' , 114 'are omitted. The sealing layer 130 may cover the whole area except the pad area P, or may cover only a part of the area.

상기 배선 층(118')은 표시 영역에 있는 TFT의 소스 또는 드레인 전극과 동일한 층상에 동일한 금속으로 형성된 것(제1 금속 층)일 수 있다. 도 3은 평탄화 층(117)을 배선 층(118') 위에 도시하였지만, 이는 일 구현 예일뿐이고, 다른 절연 층이 배선 층(118') 위에 놓일 수도 있다. 배선 층(118')과 평탄화 층(117)은 도 2b에 도시한 위치 관계를 갖는다.The wiring layer 118 'may be formed of the same metal (first metal layer) on the same layer as the source or drain electrode of the TFT in the display area. Although FIG. 3 shows the planarization layer 117 on the wiring layer 118 ', this is only an example, and other insulation layers may be placed over the wiring layer 118'. The wiring layer 118 'and the planarization layer 117 have the positional relationship shown in Fig. 2B.

도 3의 배선부 설계에는, 배선 유무에 따른 단차를 없애는 평탄화 층(117)이 일부 구역에 적용되었다. 즉, 몇몇 구역에서는 평탄화 층(117)이 배선 층(118') 상부를 덮음으로써, 배선 층 유무에 따른 단차가 사라진다. 따라서 이와 같은 구조 상부에 봉지 층과 같은 무기물 층으로 덮였을 떼 단차에 기인한 크랙이 예방될 수 있다. 한편, 특정 구역에는 평탄화 층(117)이 없는데, 이는 평탄화 층(117)을 이루는 유기물 층을 따라 수분이 전파될 수도 있기에, 평탄화 층(117)을 끊어서 수분 전달을 막으려는 것이다. 이때 평탄화 층이 없는 특정 구간에서는 제2 금속 층(114')이 제1 금속 층(118')와 점핑(jumping) 구조를 이루어 하나의 배선으로 기능하기도 한다. In the wiring section design of Fig. 3, a planarizing layer 117 for eliminating steps due to the presence or absence of wiring is applied to some areas. That is, in some regions, the planarization layer 117 covers the upper portion of the wiring layer 118 ', so that the step corresponding to the presence or absence of the wiring layer disappears. Therefore, a crack due to a step difference can be prevented when the inorganic material layer such as an encapsulating layer is coated on the structure. On the other hand, there is no planarization layer 117 in a specific region, because water may propagate along the organic layer constituting the planarization layer 117, so that the planarization layer 117 is cut off to prevent moisture transmission. At this time, the second metal layer 114 'has a jumping structure with the first metal layer 118' in a specific region where there is no planarization layer, and functions as one wiring.

상기 제2 금속 층(114')은 제1 금속 층(118')과 다른 층상(layer)에 마련된다. 그리고, 상기 제2 금속 층(114')은 제1 금속 층(118')과 컨택 홀(contact hole)을 통한 연결, 또는 직접 연결 방식으로 이어진다. 따라서, 구동 전압. 전기적 신호 등은 패드 영역(P)의 연결 인터페이스(패드 등)로 인가되어, 제1 금속 층(118')을 따라 전달되고, 특정 구간에서는 제2 금속 층(114')을 따라 전달된다.The second metal layer 114 'is provided in a layer different from the first metal layer 118'. The second metal layer 114 'is connected to the first metal layer 118' through a contact hole or directly connected thereto. Therefore, the driving voltage. An electrical signal or the like is applied to the connection interface (pad or the like) of the pad region P and is transmitted along the first metal layer 118 'and is transmitted along the second metal layer 114' in a specific region.

그런데, 상술한 배선부 구조에서 몇 가지 취약점이 발견되었다. 그 중 하나는, 전위 차가 큰 전압이 인가되는 인접 전원 배선들 사이에서 발견된 전식(electrolytic corrosion) 현상이다. 예를 들어, 저준위 구동 전원(VSS)/초기화 전원(VINI) 배선에는 (-) 전압(예: 약 -4.5V)을, 고준위 구동 전원(VDD)에는 (+) 전압(예: 약 +4.5V)을 인가하는 표시장치가 있을 때, VDD~VINI 배선이 가까이 배열된 영역(Y)에는 큰 전위차로 인한 전기장에 의해 전식이 유발될 수 있다. 또한 이러한 전식이 일어나면 그 지점을 통하여 투습이 발생하게 된다. 본 발명의 발명자들은 이와 같은 문제를 인식하고 배선 금속의 전식 및 그로 인한 투습을 방지하는 구조를 발명하였다. However, some weaknesses have been found in the wiring structure described above. One of them is an electrolytic corrosion phenomenon found between adjacent power supply lines to which a voltage having a large potential difference is applied. For example, a low-level driving power source (V SS) / reset power source (V INI) wiring (-) voltage (e.g. about -4.5V) to, high-level driving power source (V DD), the (+) voltage (e.g., about + 4.5V), an electric field due to a large electric potential difference may be induced in the region (Y) where the V DD to V INI wirings are arranged close to each other. In addition, when such an election occurs, the breathing occurs through that point. The inventors of the present invention have recognized such a problem and have invented a structure for preventing electrical conduction of wiring metal and thereby preventing moisture permeation.

도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a display device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 1의 B 부분을 확대한 도면으로서, 배선부 강화 구조가 적용된 실시예를 나타낸다. 설명의 편의를 위해, 도 4에는 표시장치의 패드 영역(P), 배선(114', 118'), 유기물 층(117), 더미 배선(140) 만이 단순하게 도시되었고, 상부의 기능 층(예: 봉지 층)은 생략되었다.Fig. 4 is an enlarged view of a portion B in Fig. 1, showing an embodiment in which a wiring portion strengthening structure is applied. Only the pad region P of the display device, the wirings 114 'and 118', the organic layer 117 and the dummy wirings 140 are simply shown in FIG. 4 and the upper functional layer : Encapsulation layer) was omitted.

도 4는 유기물 층(117)을 배선(118') 및 더미 배선(140) 위에 도시하였지만, 이는 일 구현 예일뿐이고, 기타 다른 절연 층이 사용될 수도 있다. 배선(118')과 유기물 층(117)은 도 2b에 도시한 위치 관계를 갖는다. 여기서 상기 배선은 표시영역의 화소로 전원 또는 각종 신호가 전달되는 경로로서, 금속 등의 도전성 물질로 이루어진다. 이하에서 상기 배선(118, 114'')은 전원 배선인 실시예가 설명되나. 본 발명의 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 배선(118', 114')이 전원 배선인 경우, 도 4a에 도시된 배선은 좌측부터 저준위 전원(VSS), 초기화 전원(VINI 또는 VREF), 고준위 전원(VDD) 배선일 수 있다. 한편 상기 유기물 층(117)은 평탄화 층일 수 있다.Although FIG. 4 shows the organic layer 117 on the wiring 118 'and the dummy wiring 140, this is merely an example, and other insulating layers may be used. The wiring 118 'and the organic material layer 117 have the positional relationship shown in FIG. 2B. Here, the wiring is a path through which power or various signals are transmitted to pixels in a display area, and is made of a conductive material such as a metal. Hereinafter, embodiments in which the wirings 118 and 114 " are power supply wirings are described. But the spirit of the present invention is not limited thereto. When the wirings 118 'and 114' are power wiring, the wiring shown in FIG. 4A may be a low-level power source V SS , a reset power source V INI or V REF , and a high-level power source V DD from the left . Meanwhile, the organic material layer 117 may be a planarization layer.

도 4의 표시장치는, 하나 이상의 화소(pixel)와 연관된 화소 회로(pixel circuit); 상기 화소 회로에 연결된 적어도 두 종류 이상의 전원 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3); 상기 전원 배선 중 서로 다른 두 종류의 전원 배선 사이에 배치된 더미 배선(140)을 포함할 수 있다. 상기 화소 및 화소 회로는 표시 영역(active area)에, 상기 전원 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3) 및 더미 배선(140)은 비표시 영역(inactive area)에 배치될 수 있다. 상기 비표시 영역은, 상기 표시 영역의 주위에 배치될 수 있다. 즉, 상기 비표시 영역은, 표시 영역의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다.The display device of FIG. 4 includes a pixel circuit associated with one or more pixels; At least two kinds of power supply lines (118'-1, 118'-2, 118'-3) connected to the pixel circuits; And dummy wirings 140 disposed between two different types of power supply wirings among the power supply wirings. The pixel and pixel circuits are arranged in a display area and the power supply lines 118'-1, 118'-2 and 118'-3 and the dummy lines 140 are arranged in an inactive area . The non-display area may be disposed around the display area. That is, the non-display area may be adjacent to one or more sides of the display area.

상기 비표시 영역은, 유기물 층(117)으로 덮인 제1 부분 및 상기 유기물 층으로 덮이지 않은 제2 부분을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분에서 상기 유기물 층(117)이 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3)의 상면 전체를 덮을 수도 있고, 배선의 가장자리(edge) 부분만 덮을 수도 있다.The non-display region may include a first portion covered with the organic material layer 117 and a second portion not covered with the organic material layer. In the first portion, the organic layer 117 may cover the entire upper surface of the wirings 118'-1, 118'-2, 118'-3, or may cover only the edge portion of the wirings.

상기 표시장치는 표시 영역과 비표시 영역의 상부를 덮어 수분, 산소 등의 침투를 막는 봉지 층(encapsulation layer)을 더 포함할 수 있다. 이에 상기 전원 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3)과 평탄화 층(117)의 상부에는 봉지 층이 위치할 수 있다. 상기 봉지 층(130)은 일 구현 예에서 표시장치의 바깥쪽 끝까지 완전히 덮지 않을 수도 있는데, 이러한 경우에 상기 봉지 층은 특정 선(E) 아래 쪽만을 덮을 수 있다. 이때 상기 특정 선(E) 위 쪽(봉지 층이 덮지 않은 부분)은 굴곡 부분일 수 있다.The display device may further include an encapsulation layer covering the upper portion of the display area and the non-display area to prevent penetration of moisture, oxygen, and the like. Thus, an encapsulation layer may be disposed on the power supply lines 118'-1, 118'-2, 118'-3 and the planarization layer 117. The encapsulant layer 130 may not completely cover the outer edge of the display device in one embodiment, in which case the encapsulant layer may cover only below a particular line E. At this time, the portion above the specific line E (the portion where the encapsulation layer is not covered) may be a bent portion.

상기 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3)은 패드 영역(P)의 연결 인터페이스(패드, 핀 등)로부터 표시영역 방향으로 연장된다. 이때 상기 전원 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3)은 단일 층상에 형성된 금속일 수도 있고, 도 4와 같이 2개 층에 있는 금속들(118' 및 114')이 연결된 것일 수도 있다. 이때, 상기 금속들 중 하나(114')는 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극과 동일한 물질(게이트 금속)일 수 있다. 그리고, 상기 금속들 중 다른 하나(118')는 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 물질(소스/드레인 금속)일 수 있다. 이때 상기 다른 금속(118')은, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 순으로 적층된 다층 구조를 갖는 금속 층(소위, Ti/Al/Ti)일 수 있다. The wirings 118'-1, 118'-2 and 118'-3 extend from the connection interface (pad, pin, etc.) of the pad region P in the display region direction. The power supply lines 118'-1, 118'-2, 118'-3 may be a metal formed on a single layer, and the two layers 118 'and 114' It may be. At this time, one of the metals 114 'may be the same material (gate metal) as the gate electrode of the thin film transistor (TFT) included in the pixel circuit. The other one of the metals 118 'may be the same material (source / drain metal) as the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor (TFT) included in the pixel circuit. The other metal layer 118 'may be a metal layer having a multi-layer structure (so-called Ti / Al / Ti) stacked in the order of titanium (Ti), aluminum (Al) and titanium (Ti).

상기 전원 배선은 제1 전원 배선(118'-1), 제2 전원 배선(118'-2) 및 제3 전원 배선(118'-3)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 전원 배선(118'-1), 제2 전원 배선(118'-2) 및 제3 전원 배선(118'-3)은 각각 고준위전원(VDD) 배선, 초기화전원(VINI 또는 VREF) 배선 및 저준위전원(VSS) 배선일 수 있다. 상기 더미 배선(140)은, 상기 제1 전원 배선(118'-1)과 상기 제2 전원 배선(118'-2) 사이에 배치될 수 있다.The power supply line may include a first power supply line 118'-1, a second power supply line 118'-2, and a third power supply line 118'-3. At this time, the first power supply wiring (118'-1) and the second power supply wiring (118'-2) and the third power supply wiring (118'-3) are each high-level power supply (V DD) line, the reset power source (V INI Or V REF ) wiring and low-level power (V SS ) wiring. The dummy wiring 140 may be disposed between the first power source wiring 118'-1 and the second power source wiring 118'-2.

상기 더미 배선(140)은 상기 전원 배선(118') 손상(전식, 식각 등)되는 것을 예방하도록 구비된다. 구체적으로, 상기 더미 배선(140)은 전위 차가 큰 전원 배선 사이에서 발생하는 전기장으로 인한 전식을 억제하도록 구비된다. 예를 들어, 상기 더미 배선(140)은 상기 전원 배선들(118'-1, 118'-2, 118'-3) 중에서 가장 전위 차가 큰 두 전원 배선(예: 118'-1과 118'-2) 사이에 배치될 수 있다. 이렇게 배치된 더미 배선(140)은 두 전원 배선(118'-1과 118'-2) 사이의 전기장을 차단하게 되며, 따라서 전기장으로 인한 전식이 억제될 수 있다.The dummy wiring 140 is provided to prevent the power wiring 118 'from being damaged (electrified, etched, etc.). Specifically, the dummy wiring 140 is provided so as to suppress the electric field due to the electric field generated between the power supply wirings having a large potential difference. For example, the dummy wiring 140 includes two power supply lines having the largest potential difference among the power supply lines 118'-1, 118'-2 and 118'-3 (for example, 118'-1 and 118'- 2). The dummy wiring 140 arranged in this way blocks the electric field between the two power supply lines 118'-1 and 118'-2, and therefore, the electric field due to the electric field can be suppressed.

상기 더미 배선(140)은, 전위 차가 큰 두 배선(예: 제1 전원 배선(118'-1)과 제2 전원 배선(118'-2)) 사이의 간격이 소정 거리 이하인 영역에만 배치될 수도 있다. 전기장의 세기는 거리에 반비례하기 때문에, 비록 전위 차가 크더라도 두 배선이 충분히 떨어져 있다면 전기장으로 인한 전식 발생 가능성은 낮기 때문이다. 따라서, 상기 더미 배선(140)의 배치 영역은 배선 간 전위 차 및 거리를 같이 고려하여 결정될 수 있다. 상기 더미 배선(140)은, 도 4에서 다른 층의 금속(114')과 연결되며 아래 쪽까지 연장된 것으로 도시되었지만, 이와는 다르게 상기 더미 배선(140)은 다른 층 금속(114')과 연결되지 않을 수도 있다. (즉, 더미 배선과 연결되는 다른 층 금속이 없을 수 있다.) 더 나아가, 상기 더미 배선(140)은 도 4의 위 쪽 영역(유기물 층(117)이 단절된 경계의 위 쪽), 또는 도 4의 아래 쪽 영역(유기물 층(117)이 단절된 경계의 아래 쪽) 의 일부에만 배치될 수도 있다. The dummy wiring 140 may be arranged only in an area where the distance between two wirings having a large potential difference (for example, the first power supply wiring 118'-1 and the second power supply wiring 118'-2) have. The strength of the electric field is inversely proportional to the distance, so that even if the difference in potential is large, the potential for electric field induction is low if the two wires are sufficiently spaced apart. Therefore, the arrangement region of the dummy wirings 140 can be determined in consideration of the potential difference and the distance between wirings. Although the dummy wiring 140 is illustrated as being connected to the metal 114 'of another layer in FIG. 4 and extended downwardly, the dummy wiring 140 is not connected to the other layer metal 114' . (That is, there may be no other layer metal connected to the dummy wiring). Furthermore, the dummy wiring 140 may be formed in the upper region of FIG. 4 (above the boundary where the organic layer 117 is cut off) (The lower side of the boundary where the organic material layer 117 is cut off).

상기 더미 배선(140)은 상기 전원 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3)과 같은 층(layer) 또는 다른 층에 배치될 수 있다. 상기 전원 배선(118'-1, 118'-2, 118'-3)이 소스/드레인 금속인 경우에, 일 예로서, 상기 더미 배선(140)은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 더미 배선(140)은, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 순으로 적층된 다층 구조를 가질 수도 있다. 한편, 다른 예로서, 상기 더미 배선(140)은 상기 화소 회로에 포함된 애노드 전극 또는 캐소드 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이때 상기 더미 배선(140)은 애노드 전극 또는 캐소드 전극을 패터닝하는 공정에서 같이 형성될 수 있다.The dummy wiring 140 may be disposed in the same layer or another layer as the power supply lines 118'-1, 118'-2, 118'-3. In the case where the power supply lines 118'-1, 118'-2 and 118'-3 are source / drain metals, as an example, the dummy wirings 140 may be thin film transistors The source electrode or the drain electrode. At this time, the dummy wiring 140 may have a multi-layer structure in which titanium (Ti), aluminum (Al), and titanium (Ti) are stacked in this order. Meanwhile, as another example, the dummy wiring 140 may be made of the same material as the anode electrode or the cathode electrode included in the pixel circuit. At this time, the dummy wiring 140 may be formed in the process of patterning the anode electrode or the cathode electrode.

상기 더미 배선(140)은, 전원이 공급되지 않아 플로팅(floating) 상태의 배선일 수 있다. 다른 예로, 상기 더미 배선(140)은, 특정 전압(예: 0 V)이 공급되는 배선일 수도 있다.The dummy wiring 140 may be a floating wiring in which power is not supplied. As another example, the dummy wiring 140 may be a wiring to which a specific voltage (for example, 0 V) is supplied.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed herein are for the purpose of describing rather than limiting the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, and may be technically variously interlocked and driven by one of ordinary skill in the art and that each embodiment may be implemented independently of one another, . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (10)

하나 이상의 화소 및 그와 연관된 화소 회로;
상기 화소 회로에 연결된 적어도 두 종류 이상의 전원 배선; 및
상기 전원 배선 중 서로 다른 두 종류의 전원 배선 사이에 배치된 더미 배선을 포함하는 표시장치.
At least one pixel and its associated pixel circuit;
At least two kinds of power supply wirings connected to the pixel circuits; And
And a dummy wiring disposed between two different types of power supply wirings among the power supply wirings.
제1 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 상기 전원 배선 중 가장 전위 차가 큰 두 전원 배선 사이에 배치된 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy wiring is disposed between two power supply wirings having the largest potential difference among the power supply wirings.
제1 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 가장 전위 차가 큰 두 전원 배선 사이에서 발생하는 전기장으로 인한 전식을 억제하도록 구비된 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy wiring is provided so as to suppress electromigration due to an electric field generated between two power supply wirings having the largest potential difference.
제1 항에 있어서,
상기 전원 배선은 제1 전원 배선, 제2 전원 배선 및 제3 전원 배선을 포함하고,
상기 제1 전원 배선, 상기 제2 전원 배선 및 상기 제3 전원 배선은 각각 고준위전원(VDD) 배선, 초기화전원 배선 및 저준위전원(VSS) 배선인 표시장치.
The method according to claim 1,
The power supply wiring includes a first power supply wiring, a second power supply wiring, and a third power supply wiring,
Wherein the first power supply wiring, the second power supply wiring, and the third power supply wiring are each a high level power supply (VDD) wiring, an initialization power supply wiring, and a low level power supply (VSS) wiring.
제4 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 상기 제1 전원 배선과 상기 제2 전원 배선 사이에 배치된 표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the dummy wiring is disposed between the first power supply wiring and the second power supply wiring.
제5 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 상기 제1 전원 배선과 상기 제2 전원 배선 사이의 간격이 소정 거리 이하인 영역에 배치된 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the dummy wiring is disposed in an area where an interval between the first power supply wiring and the second power supply wiring is equal to or less than a predetermined distance.
제1 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 상기 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 물질인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy wiring is the same material as the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor (TFT) included in the pixel circuit.
제7 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 순으로 적층된 다층 구조를 갖는 표시장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the dummy wiring has a multilayer structure in which titanium (Ti), aluminum (Al), and titanium (Ti) are stacked in this order.
제1 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 상기 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드의 애노드 전극 또는 캐소드 전극과 동일한 물질인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy wiring is the same material as the anode electrode or the cathode electrode of the organic light emitting diode included in the pixel circuit.
제1 항에 있어서,
상기 더미 배선은, 전원이 공급되지 않아 플로팅(floating) 상태인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy wiring is in a floating state because power is not supplied.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11449164B1 (en) 2021-10-12 2022-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11526060B2 (en) 2020-02-03 2022-12-13 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2022265343A1 (en) * 2021-06-16 2022-12-22 삼성디스플레이 주식회사 Display device
US20230172018A1 (en) * 2019-12-12 2023-06-01 Lg Display Co., Ltd. Flexible display apparatus including dummy pattern between wirings
WO2024138297A1 (en) * 2022-12-26 2024-07-04 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate and display apparatus
US12307980B2 (en) 2023-01-17 2025-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020020451A (en) * 2000-09-08 2002-03-15 윤종용 Signal transmission film, control signal part including and liquid crystal display including the film
JP2002140042A (en) * 2000-10-31 2002-05-17 Hitachi Ltd Liquid crystal display
JP2011039269A (en) * 2009-08-11 2011-02-24 Seiko Epson Corp Light emitting device, electronic apparatus and driving method of light emitting device
KR20120135924A (en) * 2010-06-08 2012-12-17 샤프 가부시키가이샤 Thin film transistor substrate, liquid crystal display device provided with same, and thin film transistor substrate production method
KR20170082443A (en) * 2016-01-06 2017-07-14 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device and method for manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020020451A (en) * 2000-09-08 2002-03-15 윤종용 Signal transmission film, control signal part including and liquid crystal display including the film
JP2002140042A (en) * 2000-10-31 2002-05-17 Hitachi Ltd Liquid crystal display
JP2011039269A (en) * 2009-08-11 2011-02-24 Seiko Epson Corp Light emitting device, electronic apparatus and driving method of light emitting device
KR20120135924A (en) * 2010-06-08 2012-12-17 샤프 가부시키가이샤 Thin film transistor substrate, liquid crystal display device provided with same, and thin film transistor substrate production method
KR20170082443A (en) * 2016-01-06 2017-07-14 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device and method for manufacturing the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230172018A1 (en) * 2019-12-12 2023-06-01 Lg Display Co., Ltd. Flexible display apparatus including dummy pattern between wirings
US11950472B2 (en) * 2019-12-12 2024-04-02 Lg Display Co., Ltd. Flexible display apparatus including dummy pattern between wirings
US11526060B2 (en) 2020-02-03 2022-12-13 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2022265343A1 (en) * 2021-06-16 2022-12-22 삼성디스플레이 주식회사 Display device
US11449164B1 (en) 2021-10-12 2022-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US12045407B2 (en) 2021-10-12 2024-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2024138297A1 (en) * 2022-12-26 2024-07-04 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate and display apparatus
US12307980B2 (en) 2023-01-17 2025-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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