KR20180091560A - 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents
플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 104
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
- C04B35/62635—Mixing details
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
- C04B35/6264—Mixing media, e.g. organic solvents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
- C04B35/62655—Drying, e.g. freeze-drying, spray-drying, microwave or supercritical drying
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
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- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
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- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
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- C04B2235/5284—Hollow fibers, e.g. nanotubes
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- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
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Abstract
본 발명은 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물은 세라믹 분말과 탄소나노튜브(CNT)를 혼합하여 소성가공되는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물에 있어서, 상기 세라믹 조성물은 이트리아(Y2O3)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 플라즈마 처리장치에 사용되며 내마모성 및 온도 특성이 우수한 세라믹 조성물 및 이의 제조방법에 대한 것이다.
일반적으로 LCD나 OLED 용 글래스(Glass)는 증착, 확산, 패터닝 및 열처리 공정 등을 거치면서 제작되고 있다. 이중에서 증착, 식각(에칭) 등의 공정을 위해서는 플라즈마 처리가 가능한 진공처리장치(이하, '플라즈마 처리장치'라 함)가 주로 사용된다.
이러한 플라즈마 처리장치는 플라즈마(plasma)를 발생시켜 기판을 처리하게 되는데, 전술한 플라즈마 처리장치의 일예가 도 5에 도시된다.
도 5를 살펴보면, 소정의 진공상태를 유지하는 챔버(10)의 내부에 기판(W)을 지지하는 하부전극(20)이 위치한다. 상기 챔버(10)의 상부에는 RF 소스(32)에 연결되어 RF 전원이 공급되는 코일(30)이 구비된다.
이 경우, 상기 하부전극(20)을 비롯한 상기 챔버(10)의 내부 구성요소 중에 일부는 세라믹 재질로 제작되며, 상기 세라믹 부품은 반도체, 디스플레이 제조 공정 시 플라즈마 처리장치에 필수적으로 적용 되고 있다.
이때, 도 5와 같이 상기 챔버(10)의 상부를 둘러싸서 코일(30)이 배치되는 경우에 상기 챔버(10)의 내부공간 중에 상부 측에 플라즈마 밀도가 현저히 높아질 수 있다. 이 경우, 상기 챔버(10)의 내부공간에서 상부 측에 배치되는 세라믹 부품에 도 6에 도시된 바와 같이 필요치 않은 박막이 형성되거나 손상될 수 있다. 이는 플라즈마 처리장치의 유지보수 시간을 늘려 생산성(throughput)을 떨어뜨리는 요인으로 작용한다.
또한, 종래의 세라믹 부품들이 챔버의 내부에 직접 장착되는 경우에 상기 세라믹 부품들은 상기 챔버의 내부에 발생하는 플라즈마에 직접적으로 노출되어 식각이 발생할 수 이다. 이 경우, 공정을 진행하는 중에 식각된 영역에서 파티클을 발생시킬 수 있으며, 기판 상에 파티클 등을 발생시켜 불량율을 높일 수 있다.
나아가, 플라즈마 처리장치의 공정은 대략 300도씨 이상의 고온에서 진행될 수 있는데, 이 경우 세라믹 부품 자체에서 온도 구배가 발생하는 경우에 챔버의 내부에서 온도 균일도가 떨어지게 되어 플라즈마 처리장치에서 수행되는 공정의 균일성이 저하될 수 있다. 또한, 상기 챔버 내부에 장착되는 세라믹 부품이 대형으로 구성되는 경우에 상기 세라믹 부품 자체의 온도차이에 의해 특정 영역의 폴리머 이상으로 인하여 기판 상에 파티클을 발생시켜 불량률이 높아질 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 내마모성 및 열전도도와 같은 온도 특성이 향상된 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 세라믹 분말과 탄소나노튜브(CNT)를 혼합하여 소성가공되는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물에 있어서, 상기 세라믹 조성물은 이트리아(Y2O3)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물에 의해 달성된다.
여기서, 상기 이트리아는 0.1 내지 1 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 또한, 상기 탄소나노튜브와 상기 이트리아는 30 내지 36 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 나아가, 상기 탄소나노튜브와 상기 세라믹 분말은 64 내지 71 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 또한, 상기 이트리아와 상기 세라믹 분말은 94 내지 99.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
한편, 상기 탄소나노튜브는 0.1 내지 1 중량%, 상기 이트리아는 30 내지 35 중량%, 상기 세라믹 분말은 64 내지 69.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
또한, 상기 세라믹 분말은 산화알루미나(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 산화지르코늄(ZrO3) 중에 선택된 적어도 하나의 분말을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 다발형 탄소나노튜브 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은 탄소나노튜브를 탈이온수(DIW)에 분산하는 단계, 세라믹 분말과 이트리아 분말을 혼합하여 직경 40 내지 50 ㎛로 입도분리하는 단계, 상기 세라믹 분말과 이트리아 분말의 혼합물을 상기 탄소나노튜브가 분산된 탈이온수에 혼합하는 단계, 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물을 교반하여 건조하는 단계, 상기 건조된 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물을 성형하는 단계 및 상기 성형된 혼합물을 소성가공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법에 의해 달성된다.
여기서, 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서 상기 이트리아 분말은 0.1 내지 1 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 또한, 상기 탄소나노튜브와 상기 이트리아 분말은 30 내지 36 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 또한, 상기 탄소나노튜브와 상기 세라믹 분말은 64 내지 71 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 또한, 상기 이트리아와 상기 세라믹 분말은 94 내지 99.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
나아가, 상기 탄소나노튜브는 0.1 내지 1 중량%, 상기 이트리아 분말은 30 내지 35 중량%, 상기 세라믹 분말은 64 내지 69.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
한편, 상기 세라믹 분말은 산화알루미나(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 산화지르코늄(ZrO3) 중에 선택된 적어도 하나의 분말을 포함할 수 있다.
나아가, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 다발형 탄소나노튜브 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 내마모성 및 열전도도와 같은 온도 특성이 향상된 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 제조방법을 도시한 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 조성물에 의한 부품을 챔버의 내부에 배치한 경우에 플라즈마에 의한 영향을 살펴보는 도면,
도 3은 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 내마모성(wear resistance)를 실험한 결과를 도시한 그래프,
도 4는 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 비커스 경도(HV : Hardness Vickers)를 실험한 결과를 도시한 그래프,
도 5는 종래 플라즈마 처리장치의 구성을 도시한 개략도,
도 6은 도 5에서 플라즈마 처리장치의 내부에 배치된 세라믹 부품의 사진이다.
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 조성물에 의한 부품을 챔버의 내부에 배치한 경우에 플라즈마에 의한 영향을 살펴보는 도면,
도 3은 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 내마모성(wear resistance)를 실험한 결과를 도시한 그래프,
도 4는 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 비커스 경도(HV : Hardness Vickers)를 실험한 결과를 도시한 그래프,
도 5는 종래 플라즈마 처리장치의 구성을 도시한 개략도,
도 6은 도 5에서 플라즈마 처리장치의 내부에 배치된 세라믹 부품의 사진이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 1을 참조하면, 상기 세라믹 조성물 제조하는 방법은 탄소나노튜브를 탈이온수(DIW)에 분산하는 단계(S110), 세라믹 분말과 이트리아 분말을 혼합하여 직경 40 내지 50 ㎛로 입도분리하는 단계(S120), 상기 세라믹 분말과 이트리아 분말의 혼합물을 상기 탄소나노튜브가 분산된 탈이온수에 혼합하는 단계(S130), 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물을 교반하여 건조하는 단계(S140), 상기 건조된 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물을 성형하는 단계(S150) 및 상기 성형된 혼합물을 소성가공하는 단계(S160)를 포함한다.
여기서, 탄소나노튜브(CNT : carbon nanotube)는 높은 강도 및 높은 탄성계수 등 우수한 기계적 특성을 가지며, 나아가 전기 전도도가 구리와 비슷하고 열 전도율은 다이아몬드와 유사하다.
나아가, 이트리아(yttria)는 이트륨(yttrium)의 산화물인 산화이트륨(Y2O3)으로 정의된다. 여기서, 이트륨은 희토류 원소 중에 하나로서, 상기 이트리아는 고온에서도 내부식성과 내마모성이 매우 우수한 특성을 갖는다.
따라서, 본 발명에 따른 세라믹 조성물은 세라믹 분말과 함께 탄소나노튜브 및 이트리아를 함께 혼합하여 소성가공하여 만들 수 있으며, 이에 의해 내마모성 및 기계적 강도가 뛰어나고 열전도도와 같은 열 특성이 매우 우수한 조성물을 형성할 수 있다.
상기 세라믹 조성물을 제조하는 방법을 살펴보면 먼저 탄소나노튜브를 물에 분산하게 된다. 이때 물은 탈이온수(DIW : Deionized water)를 사용할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
이때, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 다발형 탄소나노튜브 또는 이들의 혼합물로 구성될 수 있다.
이어서, 세라믹 분말과 이트리아 분말을 혼합하여 직경 40 내지 50 ㎛의 크기로 분리하게 된다.
상기 세라믹 분말과 이트리아 분말을 혼합하는 경우에 직경의 크기가 50㎛보다 큰 입자를 제거함으로써 공극율을 줄여 세라믹 분말과 이트리아 분말이 보다 균일하게 혼합될 수 있도록 한다. 이에 의해 소성 가공 후에 보다 견고하고 가공이 유리한 복합체를 제조할 수 있다.
이때, 상기 세라믹 분말은 산화알루미나(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 산화지르코늄(ZrO3) 중에 선택된 적어도 하나의 분말을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 세라믹 분말과 이트리아 분말의 혼합물을 상기 탄소나노튜브가 분산된 탈이온수에 혼합하게 된다. 이 경우, 상기 세라믹 분말 및 이트리아 분말의 혼합물과 상기 탄소나노튜브의 결합을 보다 용이하게 하기 위하여 결합제, 계면활성제를 추가로 공급할 수 있다.
이때, 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서 상기 이트리아 분말은 0.1 내지 1 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 상기 이트리아 분말이 0.1 중량% 미만일 경우 이트리아의 성질인 내부식성과 내마모성의 특성이 떨어져서 고온의 플라즈마 내에서 세라믹 조성물의 파티클 억제 기능이 저하된다. 반면에 상기 이트리아 분말이 1 중량%를 초과하는 경우 상기 이트리아 분말을 분산하는 경우에 원활하게 분산되지 않고 뭉치는 경우가 발생할 수 있다.
또한, 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서 상기 탄소나노튜브와 상기 이트리아 분말은 30 내지 36 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
나아가, 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서 상기 탄소나노튜브와 상기 세라믹 분말은 64 내지 71 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
또한, 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서 상기 이트리아와 상기 세라믹 분말은 94 내지 99.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
나아가, 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서 상기 탄소나노튜브는 0.1 내지 1 중량%, 상기 이트리아 분말은 30 내지 35 중량%, 상기 세라믹 분말은 64 내지 69.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
이어서, 상기 세라믹 분말과 이트리아 분말의 혼합물을 상기 탄소나노튜브를 혼합한 다음 이를 교반하고 상온에서 건조시키게 된다.
상기 건조된 혼합물은 주입 성형을 거쳐 소성 가공을 하게 된다. 소성 가공을 하는 경우에는 1200℃에서 1400℃를 거쳐 1600℃로 온도를 올려 가공하게 되며, 대략 4시간 정도 소요된다.
따라서, 전술한 방법에 의해 제작된 세라믹 조성물은 세라믹 분말과 탄소나노튜브(CNT)를 혼합하여 소성가공되며, 특히 상기 세라믹 조성물은 이트리아(Y2O3)를 더 포함하게 된다.
이 경우, 상기 이트리아는 0.1 내지 1 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 나아가, 상기 탄소나노튜브와 상기 이트리아는 30 내지 36 중량%의 범위에서 혼합될 수 있으며, 상기 탄소나노튜브와 상기 세라믹 분말은 64 내지 71 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다. 또한, 상기 이트리아와 상기 세라믹 분말은 94 내지 99.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있으며, 상기 탄소나노튜브는 0.1 내지 1 중량%, 상기 이트리아는 30 내지 35 중량%, 상기 세라믹 분말은 64 내지 69.9 중량%의 범위에서 혼합될 수 있다.
이때, 상기 세라믹 분말은 산화알루미나(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 산화지르코늄(ZrO3) 중에 선택된 적어도 하나의 분말을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 다발형 탄소나노튜브 또는 이들의 혼합물로 구성될 수 있다.
이에 본 발명자는 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 특성을 살펴보기 위하여 다양한 실험을 수행하였다.
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 조성물에 의한 부품을 챔버의 내부에 배치한 경우에 플라즈마에 의한 영향을 살펴보는 도면이다. 구체적으로 챔버 내부에 플라즈마가 발생한 경우에 온도 분포를 도시한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이 챔버 내부에 플라즈마가 발생하는 경우에 챔버 내부의 세라믹 조성물, 예를 들어 상부 세라믹 링(upper ceramic ring) 및 하부 세라믹 링(bottom ceramic ring) 등은 플라즈마에 직접 노출됨을 알 수 있다.
도 2를 참조하면, 챔버의 내부에 세락믹 링(ceramic ring), 상부 세라믹 링(upper ceramic ring) 및 하부 세라믹 링(bottom ceramic ring)이 배치된다. 이 경우 챔버의 내부에 플라즈마 발생한 경우에 상기 세락믹 링(ceramic ring), 상부 세라믹 링(upper ceramic ring) 및 하부 세라믹 링(bottom ceramic ring)에 파티클 등의 손상이 발생하지 않는 것을 알 수 있다.
구체적으로 탄소나노튜브와 이트리아의 적용으로 인해 세라믹 조성물의 열전도도가 높아지게 되어 플라즈마에 노출되는 부위가 있더라도 세라믹 조성물 전체의 열전도도가 거의 일정하게 유지된다. 따라서, 세라믹 조성물에 있어서 플라즈마에 직접 노출되는 영역에서 국부적으로 온도가 상승하여 식각이나 부산물(by-product)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 내마모성(wear resistance)를 실험한 결과를 도시한 그래프이다. 도 3에서 가로축은 시간(hrs)을 도시하며 세로축은 마모 정도(wear)(micrometer)를 도시한다. 도 3에서는 철(iron)로 구성된 비교예 1, 알루미나 세라믹(Al2O3)으로 구성된 비교예 2와, 본 실시예에 따라 탄소나노튜브, 세라믹 분말 및 이트리아의 혼합물로 소성 가공된 조성물로 이루어진 실시예의 내마모성을 비교하였다.
도 3을 참조하면, 비교예 1의 내마모성이 가장 낮았으며, 알루미나 세라믹의 비교예 2의 내마모성이 중간값을 가지며, 본 발명에 따른 실시예의 내마모성이 가장 우수함을 알 수 있다.
또한, 도 4는 본 발명에 따른 세라믹 조성물의 비커스 경도(HV : Hardness Vickers)를 실험한 결과를 도시한 그래프이다. 도 4에서 세로축은 비커스 경도의 값을 도시한다. 도 4에서는 티타늄(Titanium)로 구성된 비교예 3, 알루미나 세라믹(Al2O3)으로 구성된 비교예 4와, 본 실시예에 따라 탄소나노튜브, 세라믹 분말 및 이트리아의 혼합물로 소성 가공된 조성물로 이루어진 실험예의 비커스 경도를 비교하였다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실험예의 비커스 경도는 대략 1300정도로 가장 우수함을 알 수 있으며, 비교예 4의 경우 900 정도의 값을 가지며, 비교예 3의 경우 대략 300 정도의 값을 가짐을 알 수 있다.
결국, 본 발명에 따른 실험예에 따른 세라믹 조성물은 단순 알루미나 세라믹으로 구성된 조성물에 비해 비커스 경도가 대략 45% 정도 향상됨을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
10..챔버
20..하부전극
30..코일
32..RF 소스
20..하부전극
30..코일
32..RF 소스
Claims (16)
- 세라믹 분말과 탄소나노튜브(CNT)를 혼합하여 소성가공되는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물에 있어서,
상기 세라믹 조성물은 이트리아(Y2O3)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 이트리아는 0.1 내지 1 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브와 상기 이트리아는 30 내지 36 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브와 상기 세라믹 분말은 64 내지 71 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 이트리아와 상기 세라믹 분말은 94 내지 99.9 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 0.1 내지 1 중량%, 상기 이트리아는 30 내지 35 중량%, 상기 세라믹 분말은 64 내지 69.9 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 세라믹 분말은 산화알루미나(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 산화지르코늄(ZrO3) 중에 선택된 적어도 하나의 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 다발형 탄소나노튜브 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물. - 탄소나노튜브를 탈이온수(DIW)에 분산하는 단계;
세라믹 분말과 이트리아 분말을 혼합하여 직경 40 내지 50 ㎛로 입도분리하는 단계;
상기 세라믹 분말과 이트리아 분말의 혼합물을 상기 탄소나노튜브가 분산된 탈이온수에 혼합하는 단계;
상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물을 교반하여 건조하는 단계;
상기 건조된 상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물을 성형하는 단계; 및
상기 성형된 혼합물을 소성가공하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서
상기 이트리아 분말은 0.1 내지 1 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서
상기 탄소나노튜브와 상기 이트리아 분말은 30 내지 36 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서
상기 탄소나노튜브와 상기 세라믹 분말은 64 내지 71 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서
상기 이트리아와 상기 세라믹 분말은 94 내지 99.9 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 세라믹 분말, 이트리아 분말 및 탄소나노튜브의 혼합물에서
상기 탄소나노튜브는 0.1 내지 1 중량%, 상기 이트리아 분말은 30 내지 35 중량%, 상기 세라믹 분말은 64 내지 69.9 중량%의 범위에서 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 세라믹 분말은 산화알루미나(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 산화지르코늄(ZrO3) 중에 선택된 적어도 하나의 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 다발형 탄소나노튜브 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물의 제조방법.
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| KR1020170016911A KR20180091560A (ko) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 플라즈마 처리장치용 세라믹 조성물 및 이의 제조방법 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN113999017A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-01 | 衡阳凯新特种材料科技有限公司 | 陶瓷组合物、氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷制品 |
| CN118007131A (zh) * | 2024-02-21 | 2024-05-10 | 江苏班德瑞不锈钢有限公司 | 一种耐高温不锈钢焊管及其制备工艺 |
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2017
- 2017-02-07 KR KR1020170016911A patent/KR20180091560A/ko not_active Ceased
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