KR20180075724A - 양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법 - Google Patents

Abstract

양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 양자점 합성 방법은 (a) 2족 전구체 또는 3족 전구체가 용해된 제1용액을 가열하는 단계; (b) 5족 전구체 또는 6족 전구체가 용해된 제2용액을 상기 가열된 제1용액과 혼합하여 가열하는 단계; (c) 상기 가열된 코어 양자점을 상온으로 급속 냉각하는 단계; 및 (d) 상기 급속 냉각된 코어 양자점 상에 적어도 하나의 쉘을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법{SYNTHESIZING METHOD FOR CORE-SHELL QUANTUM DOT WITH IMPROVED QUANTUM EFFICIENCY}

본 발명은 양자점 합성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상온으로 급속 냉각에 의해 코어 양자점의 합성을 종결하고, 적어도 하나의 쉘을 형성하는 양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법에 관한 것이다.

나노 입자는 벌크물질과 달리 에너지 밴드갭, 녹는점 등의 물질적 특성을 입자 크기에 따라 조절할 수 있다. 예를 들어, 금 나노 입자는 벌크 상태의 금과 비교했을 때, 녹는점, 색상 및 발광 특성이 다르다.

또 다른 예로, 양자점(quantum dot)이라고 불리우는 반도체 나노 결정은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 반도체 재료로, 크기가 수 nm로 매우 작기 때문에 표면적이 넓고, 우수한 물리 화학적 특성을 가진다. 양자점은 여기원(excitation source)으로부터 광을 흡수하여 에너지 여기 상태로 되고, 양자점의 에너지 밴드갭에 해당하는 에너지를 방출하게 된다.

양자점은 나노 결정의 크기 및 조성을 조절함에 따라, 에너지 밴드 갭의 조절이 가능하고, 색 순도가 높은 발광특성을 가진다. 이에 따라, 디스플레이 소자, 발광 소자, 바이오센서 등의 다양한 분야에서 사용되고 있다.

일반적으로 양자점은 100℃ 이상의 고온에서 핵을 생성하고 온도를 가하여 성장시키는 방법으로 합성된다. 그러나, 온도 조절에 따른 양자점의 크기를 제어하기에는 한계가 있으며, 입경의 균일성이 저하되는 등 양자점의 특성을 저하시키는 문제점이 있다.

따라서, 양자점의 입경의 증가를 최소화하고 입경의 균일성이 우수한 양자점의 합성 방법이 요구되고 있다.

이와 관련된 배경기술로는 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0120664호(2014.10.14. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 양자점 합성 방법 및 그 합성 장치가 개시되어 있다.

본 발명의 목적은 양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법을 제공하는 것이다.

상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 양자점 합성 방법은 (a) 2족 전구체 또는 3족 전구체가 용해된 제1용액을 가열하는 단계; (b) 5족 전구체 또는 6족 전구체가 용해된 제2용액을 상기 가열된 제1용액과 혼합하여 가열하는 단계; (c) 상기 가열된 코어 양자점을 상온으로 급속 냉각하는 단계; 및 (d) 상기 급속 냉각된 코어 양자점 상에 적어도 하나의 쉘을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 (a) 단계에서, 가열은 100~300℃에서 수행될 수 있다.

상기 (a) 단계는 1~2atm의 승압 압력 하에서 수행될 수 있다.

상기 (b) 단계에서, 가열은 100~300℃에서 수행될 수 있다.

상기 (b) 단계는 1~2atm의 승압 압력 하에서 수행될 수 있다.

상기 (c) 단계에서, 급속 냉각은 평균냉각속도 10℃/sec~100℃/sec로 수행될 수 있다.

상기 (c) 단계에서, 급속 냉각은 평균냉각속도 40℃/sec~60℃/sec로 수행될 수 있다.

본 발명에 따른 양자점 합성 방법은 코어의 합성을 종결하기 위해 급속 냉각함에 따라, 입자의 입경이 증가하는 현상을 최소화할 수 있으며, 입경의 균일성이 우수하다.

아울러, 본 발명의 합성 방법에 따라, 양자효율, 즉, 수율이 향상될 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 양자점 합성 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 냉각 속도에 따른 반치폭의 변화를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 냉각 속도에 따른 흡수도의 변화를 나타낸 것이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명에 따른 양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법을 나타낸 순서도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 양자효율이 향상된 코어-쉘 양자점 합성 방법은 제1용액을 가열하는 단계(S110), 제1용액과 제2용액을 혼합 및 가열하는 단계(S120), 상온으로 급속 냉각하는 단계(S130) 및 쉘 형성 단계(S140)를 포함한다.

제1용액을 가열하는 단계(S110)

먼저, 2족 전구체 또는 3족 전구체가 용해된 제1용액을 가열한다.

2족 원소는 아연, 카드뮴 및 수은 중 1종 이상을 포함할 있으며, 2족 전구체는 상기 2족 원소를 포함하는 전구체일 수 있다.

상기 2족 전구체는 디메틸 아연, 디에틸 아연, 아연 카르복실레이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 아이오다이드, 아연 브로마이드, 아연 클로라이드, 아연 플루오라이드, 아연 카보네이트, 아연 시아나이드, 아연 나이트레이트, 아연 옥사이드, 아연 퍼옥사이드, 아연 퍼클로레이트, 아연 설페이트, 아세트산 아연, 디메틸 카드뮴, 디에틸 카드뮴, 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 카보네이트, 카드뮴 아세테이트 디하이드레이트, 카드뮴 아세틸아세토네이트, 카드뮴 플루오라이드, 카드뮴 클로라이드, 카드뮴 아이오다이드, 카드뮴 브로마이드, 카드뮴 퍼클로레이트, 카드뮴 포스파이드, 카드뮴 나이트레이트, 카드뮴 설페이트, 카드뮴 카르복실레이트, 수은 아이오다이드, 수은 브로마이드, 수은 플루오라이드, 수은 시아나이드, 수은 나이트레이트, 수은 퍼클로레이트, 수은설페이트, 수은 옥사이드, 수은 카보네이트, 및 수은 카르복실레이트 중 1종 이상일 수 있다.

3족 원소는 알루미늄, 갈륨 및 인듐 중 1종 이상을 포함할 있으며, 3족 전구체는 상기 3족 원소를 포함하는 전구체일 수 있다.

상기 3족 전구체는 알루미늄 포스페이트, 알루미늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 클로라이드, 알루미늄 플루오라이드, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트레이트, 알루미늄 설페이트, 갈륨 아세틸아세토네이트, 갈륨 클로라이드, 갈륨 플루오라이드, 갈륨 옥사이드, 갈륨 나이트레이트, 갈륨 설페이트, 인듐 아세테이트, 인듐 클로라이드, 인듐 옥사이드, 인듐 나이트레이트, 인듐 설페이트 및 인듐 카르복실레이트 중 1종 이상을 포함할 수 있다.

2족 전구체 또는 3족 전구체는 통상적으로 사용되는 유기 용매에 용해될 수 있으며, 보다 구체적으로, 유기 용매는 유기 리간드 화합물을 포함할 수 있다.

리간드는 배위 결합에 의하여 형성된 착이온에서 중심 금속과 배위 결합하고 있는 이온이나 분자를 의미하며, 유기 리간드 화합물은 양자점 입자 표면에 배위되어 존재하며, 입자가 용액 상에 잘 분산되어 있도록 할 뿐만 아니라 발광 및 전기적 특성을 유지시켜줄 수 있다.

상기 유기 리간드 화합물은, RCOOH, RNH₂, R₂NH, R₃N, RSH, R₃PO, R₃P, ROH 중 RCOOR'(여기서, R 및 R'는 각각 독립적으로 C1 내지 C24의 알킬기, 또는 C5 내지 C20의 아릴기임) 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드 화합물의 구체적인 예로는, 메탄 티올, 에탄 티올, 프로판 티올, 부탄 티올, 펜탄 티올, 헥산 티올, 옥탄 티올, 도데칸 티올, 헥사데칸 티올, 옥타데칸 티올, 벤질 티올; 메탄 아민, 에탄 아민, 프로판 아민, 부탄 아민, 펜탄 아민, 헥산 아민, 옥탄 아민, 도데칸 아민, 헥사데실 아민, 옥타데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민; 메탄산, 에탄산, 프로판산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 도데칸산, 헥사데칸산, 옥타데칸산, 올레인산, 벤조산; 메틸 포스핀, 에틸 포스핀, 프로필 포스핀, 부틸 포스핀, 펜틸 포스핀 등의 포스핀; 메틸 포스핀 옥사이드, 에틸 포스핀 옥사이드, 프로필 포스핀 옥사이드, 부틸 포스핀 옥사이드 등의 포스핀 화합물 또는 그의 옥사이드 화합물; 다이 페닐 포스핀, 트리 페닐 포스핀 화합물 등이 사용될 수 있다.

상기 제1용액은 제시한 전구체 외에 분산제를 더 포함할 수 있으며, 분산제는 양자점이 형성됨에 있어서 입자간에 서로 응집이 되는 것을 방지하고 입자의 성장을 조절하여 과도하게 커지는 것을 방지한다.

이러한 분산제로는 지방산이 사용될 수 있으며, 예를 들어, C8 ~ C24 포화 또는 불포화 지방산 또는 C8 ~ C16의 모노알킬아민, 다이알킬아민, 또는 트리알킬아민, 또는 C2 ~ C18의 모노알킬포스포닉산, 다이알킬포스포닉산, 트리알킬포스포닉산, 테트라알킬포스포닉산을 사용할 수 있다. 구체적으로는 스테아릭산, 올레산, 옥틸아민, 헥사데실아민, 헥실포스포닉산, 옥틸포스포닉산, 옥타데실포스포닉산, 테트라데실포스포닉산 등을 사용할 수 있다.

상기 2족 전구체 또는 3족 전구체가 용해된 제1용액은 100~300℃에서 가열되는 것이 바람직하다. 가열 온도가 100℃ 미만인 경우, 수분과 산소 제거가 충분하지 않을 수 있다. 반대로, 가열 온도가 300℃를 초과하는 경우, 불순물이 생성될 수 있으며 양자점의 입자 표면이 매끄럽지 못하고 거칠어질 수 있다.

또한, 제1용액은 1~2atm의 승압 압력 하에서 가열되어 반응 속도를 향상시킬 수 있다. 1~2atm의 승압 압력 하에서 가열됨에 따라, 불순물의 형성을 감소시킬 수 있으며, 반응물질의 역반응이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.

제1용액을 가열하는 단계는 질소 가스, 아르곤 가스, 네온 가스, 헬륨 가스 등의 비활성 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다. 만약, 비활성 분위기에서 반응을 진행시키지 않을 경우 제1용액 내에서 산화 반응이 발생하고 용매의 일부가 연소되는 문제점이 발생할 수 있다.

제1용액과 제2용액을 혼합 및 가열하는 단계(S120)

다음으로, 5족 전구체 또는 6족 전구체가 용해된 제2용액을 상기 가열된 제1용액과 혼합하여 가열한다.

5족 원소는 질소, 인 및 비소 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 5족 전구체는 5족 원소를 포함하는 전구체일 수 있다.

5족 전구체는 알킬 포스핀, 트리스트리알킬실릴 포스핀, 트리스디알킬실릴 포스핀, 트리스디알킬아미노포스핀, 아세닉 옥사이드, 아세닉 클로라이드, 아세닉 설페이트, 아세닉 브로마이드, 아세닉 아이오다이드, 나이트릭 옥사이드, 나이트릭산 및 암모늄 나이트레이트 중 1종 이상일 수 있다.

6족 원소는 황, 셀레늄 및 텔루르 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 6족 전구체는 6족 원소를 포함하는 전구체일 수 있다.

6족 전구체는 설퍼, 트리알킬포스핀 설파이드, 트리알케닐포스핀 설파이드, 알킬아미노 설파이드, 알케닐아미노 설파이드, 알킬티올, 트리알킬포스핀 셀레나이드, 트리알케닐포스핀 셀레나이드, 알킬아미노 셀레나이드, 알케닐아미노 셀레나이드, 트리알킬포스핀 텔룰라이드, 트리알케닐포스핀 텔룰라이드, 알킬아미노 텔룰라이드 및 알케닐아미노 텔룰라이드 중 1종 이상을 포함할 수 있다.

5족 전구체 또는 6족 전구체는 통상적으로 사용되는 유기 용매에 용해되어 제2용액을 형성하고, 상기 제2용액은 상기 제1용액과 혼합 및 가열된다. 이때, 제1용액과 제2용액은 대략 1~10시간 동안 교반될 수 있으며, 100~300℃에서 가열되는 것이 바람직하다. 가열 온도가 이 범위를 벗어나는 경우, 가열되는 동안 혼합물의 산소 제거가 충분히 이루어지지 않아 양자점의 물성이 저하될 수 있다. 또한, 300℃를 초과하는 경우, 형성될 코어 양자점 내부의 조성이 고온에 의해 확산되면서 코어-쉘 형태의 균일한 조성 분포를 형성하기 어려울 수 있다

또한, 이들은 1~2atm의 승압 압력 하에서 가열되어 반응 속도를 보다 향상시킬 수 있다. 1~2atm의 승압 압력 하에서 가열됨에 따라, 불순물의 형성을 감소시킬 수 있으며, 반응물질의 역반응이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.

제1용액과 제2용액을 혼합 및 가열하는 단계는 질소 가스, 아르곤 가스, 네온 가스, 헬륨 가스 등의 비활성 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다. 만약, 비활성 분위기에서 반응을 진행시키지 않을 경우 혼합된 용액 내에서 산화 반응이 발생할 수 있다.

상온으로 급속 냉각하는 단계(S120)

다음으로, 가열된 코어 양자점을 상온으로 급속 냉각한다.

요구되는 크기로 성장한 코어 양자점은 상온으로 급속 냉각함에 따라, 코어의 성장이 완전히 중단된다. 급속 냉각은 공랭식 냉각기 또는 수냉식 냉각기를 이용한 방식일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

급속 냉각은 상온, 즉, 23~28℃으로 냉각시키는 것이 바람직하며, 100~300℃에서 상온으로 급속 냉각시킴으로써, 코어 양자점이 과도하게 커지는 현상을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 양자점 입자의 입경이 불균일한 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.

특히, 본 발명의 냉각은 평균냉각속도 10℃/sec~100℃/sec로 수행되는 것이 바람직하며, 40℃/sec~60℃/sec로 수행되는 것이 보다 바람직하다.

도 2는 본 발명의 냉각 속도에 따른 반치폭 변화를 나타낸 그래프로, 도 2에서 알 수 있듯이, 60℃/sec의 평균냉각속도(fast cooling)로 급속 냉각된 양자점은 2℃/sec의 일반적인 속도(cooling)로 냉각된 양자점에 비해 반치폭이 낮은 것을 확인할 수 있다.

도 3은 본 발명의 냉각 속도에 따른 흡광도 변화를 나타낸 그래프로, 도 3에서 알 수 있듯이, 60℃/sec의 평균냉각속도(fast cooling)로 급속 냉각된 양자점은 470nm 이하의 짧은 파장 영역에서도 매우 높은 흡광도를 나타낸다.

따라서, 평균냉각속도를 10℃/sec~100℃/sec로 수행함으로써, 흡광도 향상에 의해 양자점의 특성을 높일 수 있으며, 이 범위를 벗어나는 경우, 흡광도가 저하되는 것을 확인할 수 있다.

쉘 형성 단계(S130)

상기 급속 냉각된 코어 양자점 상에 적어도 하나의 쉘을 형성할 수 있다.

쉘은 코어 양자점에 형성되는 층으로, 코어 양자점과 상이한 2족 전구체 또는 3족 전구체를 이용하여 쉘을 형성할 수 있다. 쉘에 사용되는 2족 전구체 또는 3족 전구체에 대한 사항은 전술한 바와 같다.

통상적으로 사용되는 유기 용매에 2족 전구체 또는 3족 전구체를 용해하여 용액을 형성한 후, 상기 코어 양자점이 수용된 용액과 혼합 및 가열하여 코어-쉘 구조의 양자점을 합성할 수 있다. 가열은 전술한 바와 같이, 100~300℃에서 수행될 수 있다.

상기 쉘은 대략 2~5nm의 두께로 단층으로 형성될 수 있으며, 복수의 쉘을 적층하여 2~5nm 두께로 형성될 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

이러한 쉘 형성 단계는 산화 반응을 방지하기 위해, 비활성 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다.

상기 쉘 형성 단계 이후에는 유기 용매 또는 증류수에 의한 세정을 1~5번 정도 수행한 후, 발광다이오드 등의 소재로 사용될 수 있다.

본 발명의 양자점 합성 방법에 따라 제조된 코어-쉘 구조의 양자점은 5~25nm 입경의 입자일 수 있으며, 쉘의 두께는 2~5nm일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

이처럼, 본 발명의 양자점 합성 방법은 코어 양자점의 반응을 종결하기 위해 상온으로 급속 냉각시킴으로써, 양자점의 입경이 증가하는 현상을 최소화할 수 있다.

아울러, 상온 급속 냉각에 의한 양자효율(quantum yield) 향상 등의 물성이 우수하다.

이와 같이 양자점 합성 방법에 대하여 그 구체적인 실시예를 살펴보면 다음과 같다.

1. 양자점 합성

실시예 1

카드뮴 옥사이드 32mmol과 올레산 32mL를 1-옥타데센 50mL에 혼합한 후 아르곤 가스 분위기 하에서 200℃까지 가열하면서 1.5atm까지 압력을 올려, 제1용액을 제조하였다.

셀레늄 분말 1mmol과 황 분말 3mmol을 트리옥틸포스핀 8mmol에 혼합한 후 용매로 1-옥타데센 10mL에 용해시켜 제2용액을 제조하였다.

상기 제1용액과 제2용액을 부피비로 1:1로 혼합하여 300℃에서 가열한 후, 60℃/sec의 냉각속도로 상온으로 급속 냉각하였다.

다음으로, n-옥탄티올 160㎛(0.9mmol)을 용매 1-옥타데센 10 mL에 용해시켜 쉘 형성을 위한 용액을 제조하였다.

다음으로, 상기에서 냉각된 양자점 용액에 쉘 형성을 위한 용액을 첨가한 후 200℃에서 30분 동안 반응시켜 추가적으로 CdSe로 이루어진 양자점 표면에 CdS로 이루어진 쉘을 형성시켰다.

이후, 양자점을 용액로부터 분리하고, 증류수로 세정하는 단계를 거쳐 코어-쉘 구조의 양자점을 합성하였다.

양자점의 입자 입경은 10~12nm임을 확인하였다.

비교예 1

2℃/sec의 냉각속도를 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 양자점을 합성하였다.

양자점의 입자 입경은 13~16nm임을 확인하였다.

비교예 2

카드뮴 옥사이드 32mmol과 올레산 32mL를 1-옥타데센 50mL에 혼합한 후 아르곤 가스 분위기 하에서 200℃까지 가열하면서 1.5atm까지 압력을 올려, 제1용액을 제조하였다.

셀레늄 분말 1mmol과 황 분말 3mmol을 트리옥틸포스핀 8mmol에 혼합한 후 용매로 1-옥타데센 10 mL에 용해시켜 제2용액을 제조하였다.

상기 제1용액과 제2용액을 부피비로 1:1로 혼합하여 300℃에서 가열하여 CdSe로 이루어진 코어 양자점을 합성하였다.

다음으로, n-옥탄티올 160㎛(0.9mmol)을 용매 1-옥타데센 10 mL에 용해시켜 쉘 형성을 위한 용액을 제조하였다.

다음으로, 상기에서 냉각된 양자점 용액에 쉘 형성을 위한 용액을 첨가한 후 200℃에서 30분 동안 반응시켜 추가적으로 CdSe로 이루어진 양자점 표면에 CdS로 이루어진 쉘을 형성시켰다.

이후, 양자점을 용액으로부터 분리하고, 증류수로 세정하는 단계를 거쳐 코어-쉘 구조의 양자점을 합성하였다.

양자점의 입자 입경은 13~20nm임을 확인하였다.

2. 물성 평가 방법 및 그 결과

- 400nm 내지 600nm의 파장범위에서 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서 합성한 양자점의 반치폭(FWHM:Full Width of Half Maximum)과 수율을 측정하여, 표 1에 나타내었다.

[표 1]

도 2는 실시예 1과 비교예 1의 반치폭을 비교한 그래프이다. 양자점은 코어의 입경에 따라 방출하는 파장대가 상이하고, 동일한 입경의 코어들 이외에 약간의 입경 차이를 갖는 코어들에 의해 반치폭이 크게 나타나게 된다.

반치폭이 작다는 것은 코어의 입경이 균일하게 합성된 것을 의미한다.

도 3은 실시예 1이 비교예 1보다 14.2%의 빛을 더 흡수한 수치를 나타낸 그래프이다. 양자점은 빛을 받고 그에 대한 에너지를 방출하며, 흡수도는 같은 파장대에서 실시예 1이 비교예 1보다 빛 흡수량이 14.2% 더 많다는 것을 보여준다.

표 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 실시예 1에서 합성된 양자점이 비교예 1, 2에서 합성된 양자점보다 반치폭이 더 감소하고 현저히 향상된 수율을 나타냄을 확인할 수 있다.

또한, 도 3에서 실시예 1에서 합성된 양자점과 비교예 1에서 합성된 양자점 흡광도의 면적 비는 100 : 85.8로, 실시예 1에서 합성된 양자점은 470nm 이하의 짧은 파장 영역에서도 매우 높은 흡광도를 나타냄을 확인할 수 있다.

이러한 결과로부터, 실시예 1에서 상온으로 급속 냉각함에 따라, 코어 양자점이 균일한 입경의 입자를 가지며, 코어 양자점이 과도하게 커지는 현상을 방지할 수 있음을 알 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (7)

1. (a) 2족 전구체 또는 3족 전구체가 용해된 제1용액을 가열하는 단계;
   (b) 5족 전구체 또는 6족 전구체가 용해된 제2용액을 상기 가열된 제1용액과 혼합하여 가열하는 단계;
   (c) 상기 가열된 코어 양자점을 상온으로 급속 냉각하는 단계; 및
   (d) 상기 급속 냉각된 코어 양자점 상에 적어도 하나의 쉘을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 합성 방법.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 (a) 단계에서, 가열은 100~300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 합성 방법.
   
3. 제1항에 있어서,
   상기 (a) 단계는 1~2atm의 승압 압력 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 합성 방법.
   
4. 제1항에 있어서,
   상기 (b) 단계에서, 가열은 100~300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 합성 방법.
   
5. 제1항에 있어서,
   상기 (b) 단계는 1~2atm의 승압 압력 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 합성 방법.
   
6. 제1항에 있어서,
   상기 (c) 단계에서, 급속 냉각은 평균냉각속도 10℃/sec~100℃/sec로 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 합성 방법.
   
7. 제1항에 있어서,
   상기 (c) 단계에서, 급속 냉각은 평균냉각속도 40℃/sec~60℃/sec로 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 합성 방법.

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