[go: up one dir, main page]

KR20180060704A - 수직 적층형 마이크로 디스플레이 - Google Patents

수직 적층형 마이크로 디스플레이 Download PDF

Info

Publication number
KR20180060704A
KR20180060704A KR1020160160504A KR20160160504A KR20180060704A KR 20180060704 A KR20180060704 A KR 20180060704A KR 1020160160504 A KR1020160160504 A KR 1020160160504A KR 20160160504 A KR20160160504 A KR 20160160504A KR 20180060704 A KR20180060704 A KR 20180060704A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display unit
type semiconductor
semiconductor layer
display
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020160160504A
Other languages
English (en)
Inventor
이동선
강창모
공득조
최수영
Original Assignee
광주과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 광주과학기술원 filed Critical 광주과학기술원
Priority to KR1020160160504A priority Critical patent/KR20180060704A/ko
Priority to US15/826,069 priority patent/US10084020B2/en
Publication of KR20180060704A publication Critical patent/KR20180060704A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L27/156—
    • H01L33/0008—
    • H01L33/14—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/816—Bodies having carrier transport control structures, e.g. highly-doped semiconductor layers or current-blocking structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/833—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8314—Electrodes characterised by their shape extending at least partially onto an outer side surface of the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8316—Multi-layer electrodes comprising at least one discontinuous layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

마이크로 디스플레이가 개시된다. 디스플레이를 구성하는 각각의 디스플레이부는 라인 형태로 구성된 복수개의 n형 반도체 상에 개별화된 활성층 및 p형 반도체층을 가진다. 이를 통해 하나의 스트링 형태로 제공되는 공통 n형 반도체 상에 다수개의 발광 구조가 형성되며, n형 반도체의 배치 방향과 수직인 양극 패턴이 배치되는 크로스바 구조가 형성된다. 이를 통해 발광체들을 개별적으로 제어할 수 있으며, 디스플레이를 구현할 수 있다.

Description

수직 적층형 마이크로 디스플레이{Micro-Display of having verically Stacking Structure and Method of forming the same}
본 발명은 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레드, 그린 및 블루의 컬러를 발광할 수 있는 다이오드들을 수직으로 적층하고, 이를 통해 소정의 영상을 구현할 수 있는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드를 이용하여 영상을 구현하기 위해서는 발광 다이오드를 개별적으로 분리하고, 이를 하나의 화소로 형성하는 작업이 요구된다. 이를 위해서는 발광 다이오드를 사파이어 등의 성장용 기판 상에 에피텍셜 공정을 이용하여 형성하고, 이를 개별적으로 분리할 필요가 있다. 또한, 분리된 발광 다이오드를 특정의 디스플레이용 기판으로 이송하는 과정이 요구된다.
미국등록특허 제8794501호에서는 발광 다이오드를 디스플레이용 기판 상에 이송하여 배치하는 기술을 개시한다. 상기 특허에서는 성장용 기판 상에 형성된 발광 다이오드들이 전사용 기판에 전사되는 단계와 전사용 기판 상에 배치된 발광 다이오드들을 디스플레이용 기판 상에 이송하는 단계가 개시된다.
먼저, 성장용 기판 상에 에피텍셜 성장을 통해 발광 다이오드가 형성된다. 또한, 전사용 기판으로 개별화된 발광 다이오드들은 전사된다. 전사과정에서 레이저 리프트 오프 등을 통해 성장용 기판은 제거된다.
전사용 기판에 배치된 개별화된 발광 다이오드들은 이송 헤드에 의해 픽업된다. 이송 헤드가 발광 다이오드를 픽업하기 위해서는 인력이 요구되며, 이를 위해 정전기력이 이용된다. 정전기력에 의해 이송 헤드에 픽업된 발광 다이오드들은 디스플레이용 기판 상에 릴리즈된다.
상술한 과정에서 전사용 기판에 배치되는 발광 다이오드들은 마이크로 사이즈로 개별화될 필요가 있다. 또한, 이송 헤드가 개별화된 발광 다이오드를 픽업하기 위해서는 고전압이 이송 헤드와 발광 다이오드 사이에 인가되어야 한다. 또한, 이송 헤드와 발광 다이오드 사이에 정전기력을 유지하고, 정전 파괴 현상을 방지하기 위해 이송 헤드 또는 발광 다이오드 표면에는 유전막이 형성될 필요가 있다.
상술한 과정에서 이송 헤드에 유전막이 형성되면 반복적인 이송 동작에 의해 유전막의 손상이 발생된다. 또한, 발광 다이오드의 표면에 유전막이 형성되면, 이를 제거하는 공정이 반드시 수행되어야 한다. 따라서, 정전기력을 이용하여 발광 다이오드를 픽업하고 릴리즈 하는 기술은 상용화를 위한 상당한 장애를 가진다.
또한, 개별적으로 발광 다이오드를 이송하여 디스플레이를 구현하면 상당한 제조시간이 소모되는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해 이송 헤드를 어레이 타입으로 제작하고, 1회의 이송 동작에서 복수개의 발광 다이오드들을 이송하는 기술이 제안된다. 다만, 복수개의 발광 다이오드들의 1회 이송 동작에서 하나의 발광 다이오드라도 픽업이 되지 않거나, 릴리즈 동작시 위치가 이탈되면, 디스플레이 전체의 불량이 야기된다. 또한, 하나의 발광 다이오드는 디스플레이에서 하나의 화소를 형성할 수 있는 바, 위치가 이탈된 하나의 발광 다이오드의 제거와 이를 다른 발광 다이오드로 대체하기 위한 리페어 동작이 숙제로 남는다.
따라서, 화소를 구성하는 각각의 발광 다이오드에 대한 별도의 전사과정 없이 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 출현은 요구된다 할 것이다. 또한, 성장용 기판의 분리가 배제된 상태에서 디스플레이가 구현되는 경우, 공정 비용의 절감과 공정 시간의 단축이 가능해지고, 이를 통해 용이하게 디스플레이를 구현할 수 있을 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상호간에 다른 색상의 광을 형성할 수 있는 발광 다이오드를 조합하여 효과적으로 영상을 재현할 수 있는 마이크로 디스플레이를 제공하는데 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 성장용 기판; 상기 성장용 기판 상에 형성되고, 제1 방향으로 신장된 복수개의 스트링들을 가지는 n형 반도체층; 각각의 n형 반도체층 상에 다수개로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층 상에 형성된 전류 확산층; 및 상기 전류 확산층과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 신장된 양극을 포함하는 마이크로 디스플레이를 제공한다.
상술한 본 발명의 기술적 과제는, 제1 디스플레이부; 상기 제1 디스플레이부 상에 형성된 제2 디스플레이부; 및 상기 제2 디스플레이부 상에 형성된 제3 디스플레이부를 포함하고, 상기 각각의 디스플레이부의 양극과 n형 반도체층은 상호 크로스 바 형태로 제공되고, 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이의 제공을 통해서도 달성된다.
상술한 본 발명에 따르면, 복잡한 발광 다이오드의 분리, 픽업 및 릴리즈 공정이 이용되지 않고, 통상의 발광 다이오드 제작 과정을 이용하며, 스트링 형태의 n형 반도체층과 스트링의 신장 방향에 수직한 양극의 구조를 이용한다. 이를 통해 하나의 디스플레이부에 형성된 발광 다이오드들을 개별적으로 제어할 수 있다.
또한, 각각의 디스플레이부의 양극 및 음극은 노출된 구조로 형성된다. 이는 외부의 전원 또는 제어단자와 와이어 본딩 또는 볼 그리드 어레이 등의 다양한 전기적 연결을 가능하게 한다. 이를 통해 외부 제어 단자는 디스플레이를 용이하게 제어할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 다이오드를 이용한 디스플레이를 도시한 상부 평면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1에 도시된 제3 디스플레이부를 A-A' 방향으로 절단한 단면도이고, 도 3은 상기 도 1에 도시된 제3 디스플레이부를 B-B'방향으로 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1의 디스플레이를 A-A' 방향으로 절단한 일부 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1의 디스플레이의 제조방법을 설명하기 위한 사시도들이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
실시예
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 다이오드를 이용한 디스플레이를 도시한 상부 평면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드를 이용한 디스플레이는 제1 디스플레이부(100), 제2 디스플레이부(200) 및 제3 디스플레이부(300)를 가진다.
제1 디스플레이부(100) 상에는 제2 디스플레이부(200)가 배치되고, 제2 디스플레이부(200) 상에는 제3 디스플레이부(300)가 배치된다. 상기 제3 디스플레이부(300)는 청색광을 형성하고, 제2 디스플레이부(200)는 녹색광을 형성하며, 제1 디스플레이부(100)는 적색광을 형성함이 바람직하다.
또한, 제1 디스플레이부(100)로부터 제3 디스플레이부(300)를 향해 광이 배출되는 구조가 형성됨이 바람직하다. 청색광이 형성될 경우, 청색광은 제1 디스플레이부(100) 및 제2 디스플레이부(200)에 흡수되어 녹색광 또는 적색광을 형성하여 색순도에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 광의 배출 방향은 장파장에서 단파장을 형성하는 방향으로 설정됨이 바람직하다.
또한, 상기 발광 다이오드를 이용하는 디스플레이는 하나의 화소를 정의할 수 있다. 복수개의 화소로 구성된 디스플레이는 제3 디스플레이부(300)보다 제2 디스플레이부(200)의 면적이 크며, 제2 디스플레이부(200)의 면적보다 제1 디스플레이부(100)의 면적이 크도록 설정됨이 바람직하다.
각각의 디스플레이부에서 전극들은 상호 교차하는 구조로 형성된다. 예컨대, 제3 디스플레이부(300)는 제3 양극들(360)은 제1 방향으로 신장되어 형성되고, 제3 음극(310)은 제1 방향에 수직으로 배치된 제2 방향을 따라 형성된 제3 n형 반도체층(320) 상에 구비된다. 또한, 실시의 형태에 따라 제3 음극(310)은 제3 n형 반도체층(320)을 따라 신장되게 형성될 수 있다.
또한, 각각의 디스플레이부는 하나의 전극 라인에 수직으로 신장되는 복수개의 n형 반도체층들을 가진다. 예컨대, 제3 디스플레이부(300)는 제2 방향으로 신장된 제3 n형 반도체층들(320)을 가진다. 또한, 하나의 제3 n형 반도체층(320)은 인접한 제3 n형 반도체층과 평행을 이루며, 상호간에 일정한 간격을 가지고 배치됨이 바람직하다.
또한, 스트링 형태로 제공되는 제3 n형 반도체층(320) 상에는 제3 활성층 및 제3 p형 반도체층이 구비되고, 제3 p형 반도체층 상에는 제3 전류 확산층이 구비될 수 있다. 제3 양극(360)은 제3 전류 확산층 상에 형성되며, 인접한 스트링 형태의 제3 n형 반도체층 상에 형성된 다른 전류 확산층과 전기적으로 연결된다.
또한, 제3 디스플레이부(300) 하부에는 제2 디스플레이부(200)가 형성된다. 제2 디스플레이부(200)는 녹색광을 형성함이 바람직하며, 제1 방향으로 신장된 제2 n형 반도체층(220)을 가지며, 스트링 형태의 제2 n형 반도체층(220) 상에는 제2 활성층 및 제2 p형 반도체층을 가진다. 또한, 제2 p형 반도체층 상에 형성된 제2 전류 확산층과 전기적으로 연결된 제2 양극(260)은 제2 방향으로 신장될 수 있다.
다만, 각각의 디스플레이부들 사이의 전극들의 형성 방향은 실시의 형태에 따라 다양하게 변경가능하다 할 것이다. 예컨대, 제2 디스플레이부(200) 및 제1 디스플레이부(100)의 제1 양극(160) 및 제2 양극(260)은 제3 디스플레이부(300)와 동일하게 제1 방향으로 신장되게 형성될 수도 있으며, 인접한 디스플레이부의 양극과 수직한 방향으로 신장되게 형성될 수도 있다.
본 발명에서는 각각의 디스플레이부는 성장용 기판 상에 형성된 n형 반도체층은 스트링 형태로 특정의 방향에 따라 신장되게 형성된다. 또한, p형 반도체층 상에 형성되는 양극은 스트링 형태로 형성된 n형 반도체층의 신장 방향과 수직한 방향으로 이웃하는 p형 반도체층들을 공통 연결한다. 이를 통해 각각의 디스플레이부는 매트릭스 형태로 각각의 활성층에 전계를 인가할 수 있다.
또한, 제1 디스플레이부(100)는 제2 디스플레이부(200) 하부에 형성되며, 다른 디스플레이부와 동일하게 제1 양극(160)이 제1 n형 반도체층(120)의 스트링 라인과 수직으로 배치된다. 또한, 제1 n형 반도체층(120) 상에는 제1 음극(110)이 배치된다.
각각의 전극들은 외부에 노출되는 구조를 가진다. 이를 위해 제1 디스플레이부(100)와 제2 디스플레이부(200)가 접합되어 노출되는 제1 디스플레이부(100)의 잉여 공간에는 제1 음극(110)과 제1 양극(160)이 노출된다. 또한, 제2 디스플레이부(200)와 제3 디스플레이부(300)가 접합되어 노출되는 제2 디스플레이부(200)의 잉여 공간에는 제2 음극(210)과 제2 양극(260)이 노출된다. 또한, 최상층에 형성되는 제3 디스플레이부(300)의 에지 영역에는 제3 음극(310)과 제3 양극(360)이 노출된다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1에 도시된 제3 디스플레이부를 A-A' 방향으로 절단한 단면도이고, 도 3은 상기 도 1에 도시된 제3 디스플레이부를 B-B'방향으로 절단한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제3 성장용 기판(305) 상에 제3 n형 반도체층(320)이 형성된다. 제3 n형 반도체층(320)은 제2 방향으로 신장된 형태로 제공된다. 또한, 제3 n형 반도체층(320)은 복수개의 스트링들로 제공되며, 인접한 스트링과는 일정한 간격을 가지고 형성됨이 바람직하다. 따라서, 하나의 스트링을 구성하는 제3 n형 반도체층(320) 상에는 복수개의 제3 활성층들(330)이 구비된다. 또한, 제3 활성층(330) 상에는 제3 p형 반도체층(340)이 구비되고, 제3 p형 반도체층(340) 상에는 제3 전류 확산층(350)이 구비된다. 제3 활성층(330)과 제3 p형 반도체층(340)은 상호간에 동일한 프로파일을 가짐이 바람직하며, 제3 p형 반도체층(340)과 제3 전류 확산층(350)도 상호간에 동일한 프로파일을 가짐이 바람직하다. 따라서, 각각의 화소를 정의하는 제3 활성층(330) 및 제3 p형 반도체층(340)은 동일한 면적을 가질 수 있다.
또한, 스트링을 구성하는 제3 n형 반도체층(320)의 외곽 영역에는 제3 음극(310)이 형성되고, 제3 음극(310)은 외부에 노출되는 형태로 제공된다. 즉, 제3 패시베이션층(370)으로 차폐되는 영역 이외의 제3 n형 반도체층(320) 표면 상에 제3 음극(310)이 형성된다.
제3 패시베이션층(370)은 제3 전류 확산층(350)까지 형성된 구조물의 전면에 형성된다. 즉, 상기 도 2에서는 제3 활성층(330), 제3 p형 반도체층(340) 및 제3 전류 확산층(350)으로 구성된 개별 화소들의 이격공간을 매립하는 양상으로 제3 패시베이션층(370)이 형성되고, 도 3에서는 제3 n형 반도체층(320)으로 구성된 스트링 사이의 이격공간을 매립하면서 제3 전류 확산층(350)의 일부를 차폐하는 양상으로 구비된다. 다만, 각각의 제3 전류 확산층(350) 상에는 비아 홀을 매립하는 양상으로 제3 양극(360)이 형성된다.
상기 도 2 및 도 3에서는 청색광을 발광하는 제3 디스플레이부의 내용을 개시하나, 제1 디스플레이부 및 제2 디스플레이부도 동일한 양상으로 형성될 수 있다. 다만, 각각의 양극들과 음극들의 방향은 서로 수직으로 교차하며, 각각의 디스플레이부가 접합하는 양상은 당업자의 필요에 따라 다양하게 변경가능하다 할 것이다.
또한, 상기 도 2 및 도 3에서 제3 성장용 기판(305)은 사파이어임이 바람직하다. 청색광이 형성되기 위해서는 GaN 기반의 화합물 단결정이 사용된다. 따라서, 당업계에서 통상적으로 사용될 수 있는 사파이어가 제3 성장용 기판으로 사용될 수 있다. 또한, 제3 활성층(330)은 다중양자우물 구조를 가짐이 바람직하다. 특히, 제3 패시베이션층(370)은 투명 재질로 내습성과 평탄도가 우수한 물질중에서 임의로 선택될 수 있다. 예컨대, SiO2 등이 제3 패시베이션층(370)으로 사용될 수 있으며, 투명 절연성 고분자 재료가 제3 패시베이션층(370)으로 사용될 수 있다. 투명 절연성 고분자 재료로 제3 패시베이션층(370)을 사용하는 경우, 제3 양극(360)의 형성을 위한 비아 홀의 형성은 레이저가 사용될 수 있으며, 이외에 광의 흡수에 따른 패터닝 공정 등의 사용에 의해 비아 홀이 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1의 디스플레이를 A-A' 방향으로 절단한 일부 단면도이다.
도 4를 참조하면, 제1 디스플레이부(100) 상에 제2 디스플레이부(200)가 구비되고 제2 디스플레이부(200) 상에 제3 디스플레이부(300)가 형성된다.
제1 디스플레이부(100)와 제2 디스플레이부(200) 사이는 제1 층간 접합층(170)이 구비되며, 제1 디스플레이부(100)와 제2 디스플레이부(200)의 접합이 수행된다. 또한, 제2 디스플레이부(200)와 제3 디스플레이부(300) 사이에는 제2 층간 접합층(270)이 구비되며, 제2 디스플레이부(200)와 제3 디스플레이부(300)의 접합이 수행된다. 상기 제1 층간 접합층(170) 및 제2 층간 접합층(270)은 동일 물질로 투명 접착제 또는 투명 점착제로 구성됨이 바람직하다.
먼저, 제1 디스플레이부(100)는 제1 성장용 기판(105), 제1 n형 반도체층(120), 제1 활성층(130), 제1 p형 반도체층(140), 제1 전류 확산층(150), 제1 음극(110) 및 제1 양극(160)을 가진다.
상기 제1 디스플레이부(100)의 제1 활성층(130)은 적색광을 형성한다. 따라서, AlInGaP을 기반으로 한 다중양자우물 구조가 요구되며, 제1 성장용 기판(105)으로 GaAs가 사용됨이 바람직하다. 성장용 기판, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층의 재질은 통상의 적색 발광 다이오드의 제조기법을 차용해도 무방하다.
다만, 제1 n형 반도체층(120)은 스트링 형태로 제공되며, 하나의 제1 n형 반도체층(120) 상부에는 다수개의 개별화된 제1 활성층(130), 제1 p형 반도체층(140) 및 제1 전류 확산층(150)이 형성된다. 또한, 스트링 형태로 제공되는 제1 n형 반도체층(120)의 신장 방향과 수직한 방향으로 다수개의 제1 전류 확산층들(150)을 전기적으로 연결하는 제1 양극(160)이 구비된다. 제1 양극(160)과 제1 전류 확산층(150) 사이에는 제1 패시베이션층(155)이 구비되고, 제1 양극(160)의 신장 방향과 제1 n형 반도체층(120)은 서로 수직으로 교차하는 크로스바 형태 또는 매트릭스 형태가 구비된다.
제1 디스플레이부(100) 상에는 제2 디스플레이부(200)가 구비된다. 제2 디스플레이부(200)는 제2 성장용 기판(205), 제2 n형 반도체층(220), 제2 활성층(230), 제2 p형 반도체층(240), 제2 전류 확산층(250), 제2 음극(210) 및 제2 양극(260)을 가진다.
제2 디스플레이부(200)가 녹색광을 형성하는 경우, 제2 성장용 기판(205)은 사파이어로 구성될 수 있으며, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 GaN 기반의 화합물 반도체로 형성됨이 바람직하다.
제2 디스플레이부(200)에서도 제1 디스플레이부(100)와 유사하게 제2 n형 반도체층(220)은 스트링 형태로 구비되고, 스트링의 특정 부위에 제2 음극(210)이 형성된다. 또한, 제2 n형 반도체층(220)에 수직으로 교차하는 방향으로 제2 양극(260)이 형성된다.
또한, 제2 디스플레이부(200)의 제2 활성층(230) 및 제2 p형 반도체층(240)은 제1 디스플레이부(100)의 제1 활성층(130) 및 제1 p형 반도체층(140)과 상호 매칭되도록 구성됨이 바람직하다. 이는 상부에서 각각의 디스플레이부의 활성층들을 볼 때, 상호간에 크로스 오버가 일어나도록 배치됨을 의미한다. 즉, 상기 도 1의 평면도에서 개시된 바와 같이 디스플레이의 상부에서 투사할 경우, 동일 위치에 제1 활성층(130)과 제2 활성층(230)이 배치됨이 바람직하다. 이를 통해 2개 이상의 색상의 혼합이 수행되고, 혼색에 따른 다양한 색상의 구현이 가능해진다.
제2 디스플레이부(200) 상에는 제3 디스플레이부(300)가 구비된다. 제3 디스플레이부(300)는 제3 성장용 기판(305), 제3 n형 반도체층(320), 제3 활성층(330), 제3 p형 반도체층(340), 제3 전류 확산층(350), 제3 음극(310) 및 제3 양극(360)을 가진다.
제3 디스플레이부(300)의 구성 및 동작은 상기 도 2 및 도 3에서 설명된 바와 동일하다.
또한, 제3 디스플레이부(300)에서도 제2 디스플레이부(200)와 유사하게 제3 n형 반도체층(320)은 스트링 형태로 구비되고, 스트링의 특정 부위에 제3 음극(310)이 형성된다. 또한, 제3 n형 반도체층(320)에 수직으로 교차하는 방향으로 제3 양극(360)이 형성된다.
또한, 제3 디스플레이부(300)의 제3 활성층(330) 및 제3 p형 반도체층(340)은 제2 디스플레이부(200)의 제2 활성층(230) 및 제2 p형 반도체층(240)과 상호 매칭되도록 구성됨이 바람직하다. 이를 통해 2개 이상의 색상의 혼합이 수행되고, 혼색에 따른 다양한 색상의 구현이 가능해진다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1의 디스플레이의 제조방법을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 5를 참조하면, 성장용 기판(410) 상에 n형 반도체층(420), 활성층(430) 및 p형 반도체층(440)이 구비된다. 각각의 반도체층은 성장용 기판(410)의 결정 구조를 근거로 한 화합물 반도체로 구성되며, 발생하는 광의 색상에 따라 그 재질이 결정될 수 있다.
도 6을 참조하면, 형성된 n형 반도체층(420), 활성층(430) 및 p형 반도체층(440)에 대한 선택적 식각을 통해 n형 반도체층(420)의 스트링을 형성한다. 따라서, n형 반도체층들(420) 사이의 이격 공간에는 하부의 성장용 기판(410)이 노출된다. 또한, 활성층(430) 및 p형 반도체층(440)도 별도의 식각공정을 통해 패터닝된다. 즉, 하나의 n형 반도체층(420)의 스트링 상에는 복수개의 활성층(430) 및 p형 반도체층들(440)이 나타난다. 또한, 별도의 증착 공정을 통해 각각의 p형 반도체층(440) 상에 전류 확산층(450)이 형성된다. 상기 전류 확산층(450)은 투명 전도성 소재로 ITO 등이 대표적으로 사용될 수 있다.
상기 도 6에서 복수개의 활성층들(430)은 n형 반도체층(420)을 공유하는 구조가 형성된다.
도 7을 참조하면, 형성된 n형 반도체층(420)의 스트링 구조의 말단부에 음극(460)이 형성된다. 상기 음극(460)으로는 통상의 발광 다이오드 제조공정에서 사용하는 오믹 접합 물질이 사용될 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 7의 구조물 상에 패시베이션층(470)이 형성된다. 패시베이션층(470)은 투명 절연성 재질로 구성되며, n형 반도체층(420)의 일부와 n형 반도체층(420) 상에 형성된 음극(460)을 노출하도록 형성된다.
또한, 패시베이션층(470)의 상부 표면의 일부는 제거되며, 비아 홀이 형성되고, 비아 홀을 매립하고, 형성된 전류 확산층(450)과 접촉되는 양극(480)이 형성된다. 양극(480)은 인접한 전류 확산층과 전기적으로 연결되도록 구성된다.
즉, 일방향으로 형성된 n형 반도체층(420)의 스트링 구조와 수직한 방향으로 양극(480)이 신장되게 형성되며, 이를 통해 크로스 바 구조가 나타난다. 따라서, 개별적으로 활성층(430)을 선택하여 발광 동작을 제어할 수 있다.
상기 도 5 내지 도 8의 과정을 통해 각각의 디스플레이부가 형성된다. 형성된 디스플레이부는 층간 접합층에 의해 상호 접합된다. 따라서, 하나의 화소는 수직으로 적층된 활성층들의 조합에 의해 구현된다.
본 발명에서는 기존의 복잡한 발광 다이오드의 분리, 픽업 및 릴리즈 공정이 이용되지 않고, 통상의 발광 다이오드 제작 과정을 이용하며, 스트링 형태의 n형 반도체층과 스트링의 신장 방향에 수직한 양극의 구조를 이용한다. 이를 통해 하나의 디스플레이부에 형성된 발광 다이오드들을 개별적으로 제어할 수 있다.
또한, 각각의 디스플레이부의 양극 및 음극은 노출된 구조로 형성된다. 이는 외부의 전원 또는 제어단자와 와이어 본딩 또는 볼 그리드 어레이 등의 다양한 전기적 연결을 가능하게 한다. 이를 통해 외부 제어 단자는 디스플레이를 용이하게 제어할 수 있다.
100 : 제1 디스플레이부 110 : 제1 음극
120 : 제1 n형 반도체층 130 : 제1 활성층
140 : 제1 p형 반도체층 150 : 제1 전류 확산층
160 : 제1 양극 200 : 제2 디스플레이부
210 : 제2 음극 220 : 제2 n형 반도체층
230 : 제2 활성층 240 : 제2 p형 반도체층
250 : 제2 전류 확산층 260 : 제2 양극
300 : 제3 디스플레이부 310 : 제3 음극
320 : 제3 n형 반도체층 330 : 제3 활성층
340 : 제3 p형 반도체층 350 : 제3 전류 확산층
360 : 제3 양극

Claims (13)

  1. 성장용 기판;
    상기 성장용 기판 상에 형성되고, 제1 방향으로 신장된 복수개의 스트링들을 가지는 n형 반도체층;
    각각의 n형 반도체층 상에 다수개로 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층;
    상기 p형 반도체층 상에 형성된 전류 확산층; 및
    상기 전류 확산층과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 신장된 양극을 포함하는 마이크로 디스플레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층은 복수개로 구성되며, 하나의 스트링을 형성하는 상기 n형 반도체층을 공유하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전류 확산층과 상기 양극 사이에는 패시베이션층이 구비되고, 상기 전류 확산층 상에 형성된 비아 홀의 매립을 통해 상기 전류 확산층과 상기 양극은 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  4. 제3항에 있어서, 상기 n형 반도체층 상에 형성된 음극을 더 포함하고, 상기 음극은 상기 성장용 기판의 에지 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  5. 제4항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층을 차폐하되, 상기 음극을 노출시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  6. 제1 디스플레이부;
    상기 제1 디스플레이부 상에 형성된 제2 디스플레이부; 및
    상기 제2 디스플레이부 상에 형성된 제3 디스플레이부를 포함하고,
    상기 각각의 디스플레이부의 양극과 n형 반도체층은 상호 크로스 바 형태로 제공되고, 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 디스플레이부, 상기 제2 디스플레이부 및 상기 제3 디스플레이부는 상호간에 상이한 색상의 광을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 디스플레이부보다 상기 제2 디스플레이부가 단파장의 광을 형성하고, 상기 제2 디스플레이부보다 상기 제3 디스플레이부가 단파장의 광을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제3 디스플레이부보다 상기 제2 디스플레이가 더 넓은 면적을 가지고, 상기 제2 디스플레이부보다 상기 제1 디스플레이부가 더 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 디스플레이부와 상기 제2 디스플레이부가 접합된 상태에서 상기 제1 디스플레이부의 잉여 공간에 상기 제1 디스플레이부의 제1 음극 및 제1 양극이 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제2 디스플레이부와 상기 제3 디스플레이부가 접합된 상태에서 상기 제2 디스플레이부의 잉여 공간에 상기 제2 디스플레이부의 제2 음극 및 제2 양극이 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  12. 제6항에 있어서, 상기 각각의 디스플레이부는,
    성장용 기판;
    상기 성장용 기판 상에 형성되고, 제1 방향으로 신장된 복수개의 스트링들을 가지는 상기 n형 반도체층;
    각각의 상기 n형 반도체층 상에 다수개로 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층;
    상기 p형 반도체층 상에 형성된 전류 확산층; 및
    상기 전류 확산층과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 신장된 상기 양극을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
  13. 제6항에 있어서, 상기 제1 디스플레이부의 발광 동작을 수행하는 제1 활성층, 상기 제2 디스플레이부의 발광 동작을 수행하는 제2 활성층 및 상기 제3 디스플레이부의 발광 동작을 수행하는 제3 활성층은 상호간에 위치기 매칭되어 크로스오버 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디스플레이.
KR1020160160504A 2016-11-29 2016-11-29 수직 적층형 마이크로 디스플레이 Ceased KR20180060704A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160160504A KR20180060704A (ko) 2016-11-29 2016-11-29 수직 적층형 마이크로 디스플레이
US15/826,069 US10084020B2 (en) 2016-11-29 2017-11-29 Micro display having vertically stacked structure and method of forming the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160160504A KR20180060704A (ko) 2016-11-29 2016-11-29 수직 적층형 마이크로 디스플레이

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180060704A true KR20180060704A (ko) 2018-06-07

Family

ID=62190456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160160504A Ceased KR20180060704A (ko) 2016-11-29 2016-11-29 수직 적층형 마이크로 디스플레이

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10084020B2 (ko)
KR (1) KR20180060704A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020021301A1 (ko) * 2018-07-22 2020-01-30 박진성 Led 디스플레이 장치, led 모듈 및 레이저를 이용한 led 전사 방법
WO2020055143A1 (ko) * 2018-09-14 2020-03-19 서울바이오시스주식회사 발광 소자
CN111900152A (zh) * 2019-05-06 2020-11-06 深圳第三代半导体研究院 一种集成单元二极管芯片
KR20210074423A (ko) * 2019-12-11 2021-06-22 주식회사 썬다이오드코리아 수직으로 적층되고 공통 전극을 가지는 마이크로 디스플레이의 화소
WO2022225279A1 (ko) * 2021-04-19 2022-10-27 서울바이오시스주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10862006B2 (en) * 2018-08-17 2020-12-08 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
JP7485278B2 (ja) * 2020-03-09 2024-05-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
CN113270439B (zh) * 2021-04-30 2024-02-20 广东德力光电有限公司 一种可控的微led点阵制作方法
CN113921688B (zh) * 2021-11-09 2024-11-12 江门市莱可半导体科技有限公司 一种新型多彩led光源
WO2024091466A1 (en) * 2022-10-24 2024-05-02 Glo Technologies Llc Multicolor light emitting micro led display and method of fabrication thereof
JP2025039079A (ja) * 2023-09-08 2025-03-21 アルプスアルパイン株式会社 表示装置およびリペア方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994722A (en) * 1996-10-31 1999-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Image display device that emits multicolored light
US20060071225A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Goldeneye, Inc Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
KR100970611B1 (ko) * 2003-12-17 2010-07-15 우리엘에스티 주식회사 다수 파장의 광들을 방출하는 발광 다이오드 및 그의제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5674389B2 (ja) * 2010-09-09 2015-02-25 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP5517882B2 (ja) * 2010-10-20 2014-06-11 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
JP5992174B2 (ja) * 2011-03-31 2016-09-14 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
TWI462334B (zh) * 2011-08-01 2014-11-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構與其製造方法
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994722A (en) * 1996-10-31 1999-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Image display device that emits multicolored light
KR100970611B1 (ko) * 2003-12-17 2010-07-15 우리엘에스티 주식회사 다수 파장의 광들을 방출하는 발광 다이오드 및 그의제조방법
US20060071225A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Goldeneye, Inc Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020021301A1 (ko) * 2018-07-22 2020-01-30 박진성 Led 디스플레이 장치, led 모듈 및 레이저를 이용한 led 전사 방법
WO2020055143A1 (ko) * 2018-09-14 2020-03-19 서울바이오시스주식회사 발광 소자
CN112689905A (zh) * 2018-09-14 2021-04-20 首尔伟傲世有限公司 发光元件
US11430929B2 (en) 2018-09-14 2022-08-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having a stacked structure
US11626554B2 (en) 2018-09-14 2023-04-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having a stacked structure
CN112689905B (zh) * 2018-09-14 2024-03-12 首尔伟傲世有限公司 发光元件
US12057542B2 (en) 2018-09-14 2024-08-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having a stacked structure
CN111900152A (zh) * 2019-05-06 2020-11-06 深圳第三代半导体研究院 一种集成单元二极管芯片
KR20210074423A (ko) * 2019-12-11 2021-06-22 주식회사 썬다이오드코리아 수직으로 적층되고 공통 전극을 가지는 마이크로 디스플레이의 화소
WO2022225279A1 (ko) * 2021-04-19 2022-10-27 서울바이오시스주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US12159861B2 (en) 2021-04-19 2024-12-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and display apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20180151632A1 (en) 2018-05-31
US10084020B2 (en) 2018-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180060704A (ko) 수직 적층형 마이크로 디스플레이
CN107393940B (zh) Led显示设备及其制造方法
US8058663B2 (en) Micro-emitter array based full-color micro-display
EP3486946B1 (en) Growth substrate including micro-light emitting diode chips and method of manufacturing light emitting diode display using the same
KR102453674B1 (ko) 표시 장치 및 이러한 장치를 제조하기 위한 방법
JP7460650B2 (ja) ディスプレイ用発光素子及びそれを有するディスプレイ装置
US10658423B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
KR20210116456A (ko) 디스플레이용 발광 소자 전사 방법 및 디스플레이 장치
US20250113697A1 (en) Micro-led display chip and method for manufacturing the same
KR20210113983A (ko) 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 가지는 디스플레이 장치
US10381400B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
KR20220078558A (ko) 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 가지는 디스플레이 장치
US20230238420A1 (en) Pixel for micro- display having vertically stacked sub-pixels
KR20190061227A (ko) 마이크로 led 장치 및 그 제조 방법
US12040344B2 (en) Light emitting device and display apparatus having the same
CN213071133U (zh) 显示器用发光元件及显示装置
CN212412081U (zh) 显示用发光元件以及具有其的显示装置
KR100495004B1 (ko) 발광다이오드 및 그 제조방법
KR102073572B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
CN115606011B (zh) 发光二极管芯片、显示基板及其制作方法
CN211654819U (zh) 显示器用发光元件以及具有该发光元件的显示装置
CN214672654U (zh) 发光元件模块及包括该发光元件模块的显示器装置
US11735569B2 (en) Light emitting device module and display apparatus having the same
US20240355867A1 (en) Light emitting device and display apparatus having the same
CN211088274U (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20161129

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20180706

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20181022

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20180706

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I