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KR20180040457A - 지문 인식 센서 모듈 - Google Patents

지문 인식 센서 모듈 Download PDF

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KR20180040457A
KR20180040457A KR1020160132416A KR20160132416A KR20180040457A KR 20180040457 A KR20180040457 A KR 20180040457A KR 1020160132416 A KR1020160132416 A KR 1020160132416A KR 20160132416 A KR20160132416 A KR 20160132416A KR 20180040457 A KR20180040457 A KR 20180040457A
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KR
South Korea
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layer
electronic circuit
color
sensor chip
circuit board
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Application number
KR1020160132416A
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박철
Original Assignee
박철
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Publication date
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Abstract

전기적 측정 방식의 지문인식센서 모듈로서, 지문인식센서칩이 장착이 된 전자회로 기판위에 보호층을 에폭시를 포함한 투명 수지내지 유색의 수지를 이용한 보호층을 슬릿 코팅 내지 금형에 의한 몰딩을 포함한 공법으로 형성하는 제조 방법으로서, 지문인식센서 모듈의 제조공정을 단순화한 것이다.
특히 지문인식 센서칩 위의 금형에 의한 보호층을 형성한 공정에서 미세굴곡을 형성하고 보호유리 등을 부착해서 모듈의 감도를 높이면서 데코레이션 효과를 낼 수 있다.

Description

지문 인식 센서 모듈{Finger Print Sensor Module}
본 발명은 전기적 측정 방식의 지문인식 센서의 모듈에 관한 것으로서 보다 자세히는 지문인식 센서의 구조를 단순하게 할 수 있는 카바의 구조와 제조 공정에 관한 것이다.
일반적으로 스마트폰이나 노트북에 사용되는 지문인식 센서는 전기적 측정방식을 사용한다.
이는 일반적으로 센서에서 전파를 발생시키고 지문인식센서 칩을 덮고 있는 카바에 손가락이 터치가 된 경우에서는 발생 된 전파가 다시 수신되는 신호의 차이를 이용해서 지문의 패턴을 인식해 내는 방식으로 광학적 측정 방식과 구별된다.
따라서 일반적인 지문인식센서 모듈의 구성은 센서와 센서를 덮는 덮개인 카바(Cover)로 구성되어 있다.
따라서 본 발명에서는 지문인식센서의 카바의 구조와 제조 공정을 고안하고 있다.
지문인식센서가 스마트폰에 적용이 되면서 종래의 구조와는 달리 버튼기능을 하거나 디자인을 위해서 카바를 씌우게 된다.
카바의 종류로서는 일반적으로 고분자 수지 버튼을 씌우게 된다.
고분자 수지 버튼으로 형성할 경우 데코레이션을 위해 별도의 칼라 도료를 스프레이방법 등으로 코팅을 하고 그 위에 다시 스프레이 코팅방법 등으로 보호코팅을 하는 구조이다.
이는 수차례의 추가적인 공정이 필요해서 불량률을 증가시키고 가격을 상승시킨다.
또는 사파이어 기판이나 글라스 기판을 디자인에 맞춰서 지문인식 센서 위에 씌우게 된다.
지문인식 센서는 0.5 밀리미터 이내의 해상도의 지문을 인식하는 것이기 때문에 카바의 종류도 중요하다.
전자파를 이용해서 측정하는 방식이기 때문에 카바의 두께, 유전율, 경도 등의 특성이 지문인식 센서 모듈의 감도와 정확도에 영향을 미치게 된다.
강화유리 카바나 사파이어 카바는 0.2~0.5 mm 정도의 두께로서 제작되기 때문에 두께를 줄이는 데에 한계가 있다.
따라서 지문인식 센서 모듈의 제조에 있어서 지문인식 센서 못지않게 카바의 종류와 구조도 중요하다
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 지문인식센서의 카바를 이용한 구조에서 제조공정을 단순화 하며, 지문인식센서 칩과 카바의 표면과의 간격을 최소화해서 감도특성을 최대화 하는 것이다.
종래에는 지문인식 카바의 제조는 지문인식 센서 칩 위에 EMC (Epoxy Mold Compound) 로 몰딩을 해서 경화를 시킨 다음, 흑색 내지 백색내지 유색의 도료로서 스프레이등의 방법으로 코팅을 해서 칼라층을 형성하고 그 위에 다시 경도가 높은 자외선 경화 수지등으로 하드코팅(Hard Coating)을 하였다.
따라서 이러한 방법으로는 제조공정이 복잡하여, 몰드층위에 칼라층과 하드코팅층이 추가로 형성이 됨으로서 두께가 증가한다.
통상적으로 칼라층과 하드코팅층은 각각 10~20 마이크로미터의 두께로 코팅을 하므로 칼라층과 하드코팅층에 의한 두께 증가는 약 20~40 마이크로미터정도가 된다.
지문인식센서는 카바의 두께가 중요하므로 지문인식센서 면으로 부터 카바 표면까지의 거리를 통상적으로 100 마이크로미터 이내로 제작하는 만큼 칼라층과 하드코팅층의 두께는 지문인식 센서의 감도를 떨어뜨린다.
지문인식센서의 표면과 손가락이 닿는 카바의 표면까지의 거리가 멀어질수록 감도가 떨어지며, 거리가 10% 증가하면 감도는 10%이상 감소한다.
따라서 지문인식센서의 카바의 두께가 100 마이크로미터에서 칼라층과 하드코팅층의 두께를 낮추면 그만큼 감도가 증가한다.
거꾸로 칼라층과 하드코팅층의 두께를 낮춤으로서 감도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의한 과제를 해결하기 위해서는 몰딩에 의해 형성이 되는 카바층을 하드코팅층으로 사용을 하며, 인쇄층을 몰딩 구조 전에 형성을 하는 것이다.
이는 제조공정에서 지문인식센서가 실장된 기판에 스프레이나 인쇄공법으로 블랙이나 화이트 내지 유색의 칼라층을 형성하고 그 위에 몰딩으로 투명보호층을 형성하는 것이다.
투명보호층의 소재는 열경화 수지 내지 자외선 경화 수지 내지 에폭시 수지를 사용한다.
상기의 유색의 칼라층을 형성한 다음 몰딩으로 투명 보호층을 형성하는 방법에 추가해서 본 발명에서는 투명한 수지에 직접 염료나 안료를 혼합해서 색상을 가지게 한 다음 직접 몰딩을 한다.
이러한 방법으로 제작을 할 경우 지문인식 센서 모듈의 카바를 형성하는 공정이 한 공정으로 줄어서 더욱 제조공정을 단순화 할 수 있다.
본 발명의 효과는 지문인식 센서의 카바의 두께를 최소화 하면서 인쇄층을 보호코팅층의 하부에 용이하게 형성할 수 있다는 것이다.
따라서 본 발명에 기술된 대로 유색층을 먼저 형성한 다음 투명보호층을 형성하는 방법으로서 지문인식 센서의 제조공정을 단순화하며, 지문인식센서의 픽셀과 지문과의 거리를 최소화 할 수 있어서 지문인식센서의 인식 정밀도를 최대로 높일 수 있다.
또 한 지문인식센서 모듈의 제조공정을 단순화해서 제조원가를 낮출수 있다.
도 1 은 일반적으로 전자회로 기판에 와이어본딩(Wire Bonding) 공법으로 지문인식센서칩을 실장한 구조의 평면도(a) 와 단면도(b)이다.
도 2 에는 종래의 지문인식 센서 모듈의 구조와 제조 프로세서가 단면도로서 도시되어 있다.
도 3 에는 본 발명에 따른 지문인식센서 모듈의 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
도 4 에는 본 발명에 따른 칼라층이 형성된 다음 보호코팅층을 형성하는 공정이 단면도로 도시되어 있다.
도 5 에는 본 발명의 또 다른 장점인 투명보호층을 마지막에 몰딩으로 형성하는 공법을 이용해서 투명 보호층의 표면과 지문인식센서칩과의 간격을 최소화 한 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
도 6 에는 상기의 낮은 단차 홈을 형성하기 위해 몰드(Mold) 공법으로 투명 보호층을 형성하는 공정이 도시되어 있다.
도 7 에는 위의 공정을 더 단순화 해서 칼라층을 따로 형성하지 않고 보호층에 염료 내지 안료를 혼합해서 흰색 내지 검정색 내지 유색의 칼라 기능을 하면서 보호 코팅의 기능을 하는 칼라 보호층을 형성한 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
도 8 에는 칼라 보호층을 형성하는 방법의 일례로서 스퀴지 등을 이용해서 코팅을 하는 일례가 단면도로서 도시되어 있다.
도 9 에는 칼라 보호층을 형성을 하는 또 다른 방법으로서 금형을 이용하는 방법이 단면도로서 도시되어 있다.
도 10 에는 도 9 에서 형성된 칼라 보호층(701)이 형성이 된 지문인식센서칩(102)이 장착된 전자회로 기판(101)을 분리해서 개별의 지문인식 센서 모듈(303)로 제작한 구조가 도시되어 있다.
도 11 에는 이러한 미세굴곡을 형성하기 위한 방향으로서 금형에 먼저 미세굴곡을 형성한 구조의 단면도가 도시되어 있다.
도 12 에는 이러한 미세굴곡이형성이 된 금형으로 본 발명에 따른 지문인식센서 모듈의 제조과정이 도시되어 있다.
도 13 에는 본 발명에 따른 지문인식센서모듈의 표면에 미세굴곡을 형성한 다음 추가적으로 굴절률이 다른 물질을 코팅하는 과정과 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
도 14 에는 전자회로기판(101)과 지문인식센서칩(102) 위에 투명보호층 내지 칼라보호층(701)을 형성하고 표면에 미세굴곡(1201)을 형성한 다음 고굴절률 물질 박막(1301)을 형성하고, 다시 상부코팅층(1302)을 형성해서 개별의 지문인식 센서모듈로 제작한 구조가 도시되어 있다.
도 15 에는 전자회로기판(101)과 지문인식센서칩(102) 위에 투명보호층 내지 칼라보호층(701)을 형성하고 표면에 미세굴곡(1201)을 형성한 다음 고굴절률 물질 박막(1301)을 형성하고, 그 위에 접착제층(1501)을 형성하고 접착제층에 투명기판(1502)를 부착해서 개별의 지문인식 센서모듈로 제작한 구조가 도시되어 있다.
도 16 에는 금형에 액상의 수지를 도포한 다음 본 발명의 지문인식센서모듈을 제조하는 과정이 나타나있다.
도 17 에는 지문인식센서칩이 전자회로기판에 바로 실장이 된 구조에 있어서 본발명에 의한 지문인식센서 모듈의 제조공정이 단면도로서 나타나 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시 예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당 업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 1 은 일반적으로 전자회로 기판에 와이어본딩(Wire Bonding) 공법으로 지문인식센서칩을 실장한 구조의 평면도(a) 와 단면도(b)이다.
도면에 나타난대로 전자회로기판(PCB)(101)에는 지문인식센서칩(102)을 부착하며, 지문인식센서칩으로부터의 전극은 통상적으로 골드와이어(104)로 전자회로기판의 본딩전극(103)에 와이어본딩 기법으로 전기적으로 연결을 한다.
전자회로 기판에는 지문인식센서 모듈의 전기적인 연결과 모듈의 제조를 위해 상하로 연결하는 연결전극(105)이 형성될 수도 있다.
도 2 에는 종래의 지문인식 센서 모듈의 구조와 제조 프로세서가 단면도로서 도시되어 있다.
(a)에는 전자회로기판(101)에 다수 개의 지문인식센서칩이 장착된 도면이 도시가 되어있다.
(b)에는 그 다음 공정으로서 전자회로기판위에 지문인식센서칩과 와이어 본딩을 덮는 EMC(Epoxy Mold Compound)(201) 에폭시를 사용한 몰딩이 되어있다.
EMC 에폭시는 일반적으로 검정색으로 제작된다.
EMC 몰딩층의 두께는 지문인식센서 칩과 와이어 본딩을 덮는 두께로서 수십마이크로미터에서 수백마이크로미터 정도가 된다.
(c)에는 각각의 지문인식센서칩이 장착된 개별 전자회로기판(202)으로 분리를 한 도면이 도시되어 있다.
(d)에는 분리가 된 개별 전자회로 기판의 EMC 에폭시층 위에 흰색, 검정색, 유색등의 색상의 도료를 스프레이로 도포해서 칼라층(203)을 형성을 한 구조이다.
칼라층의 두께는 수 마이크로미터에서 수십마이크로미터 정도가 된다.
(e)에는 분리가 된 개별 전자회로 기판의 EMC 에폭시층 위에 흰색, 검정색, 유색등의 색상의 도료를 스프레이로 도포해서 칼라층(203)을 형성을 한 다음 투명 보호코팅층(204)을 스프레이 공법으로 코팅을 한 구조이다.
투명보호코팅층은 일반적인 하드코팅층으로서 아크릴계 등의 자외선 경화수지등을 이용해서 수마이크로미터에서 수십마이크로미터 정도의 두께로 코팅을 한다.
따라서 기존의 지문인식센서 모듈은 대부분 검정색의 에폭시 몰딩층을 형성한 다음 개별 지문인식센서가 장착된 전자회로기판으로 분리를 한 다음, 일일이 지그등에 장착을 하고 칼라층과 보호코팅층을 스프레이 코팅 공법등으로 형성하는 것이다.
이는 공정의 증가와 함께 개별 전자회로 기판의 지그 장착과 탈착등 작업량이 많아진다.
본 발명에서는 이러한 공정의 난이도를 감소시키는 구조로서, 지문인식센서 모듈의 구조를 간단하게 제조하며, 공정수를 감소시키는 것이다.
도 3 에는 본 발명에 따른 지문인식센서 모듈의 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
본 발명에 따른 개별의 지문인식센서 모듈(303)의 구조는 전자회로기판(101)위에 와이어 본딩등으로 전기적으로 연결되는 지문인식센서칩(102)이 형성되며, 지문인식센서칩과 전자회로기판을 덮는 칼라층(301)을 스프레이 코팅 방법 등으로 코팅을 한 구조이며, 칼라층 위에 수십마이크로미터 두께의 투명 보호층(302)이 몰딩(Molding) 방법등으로 형성된다.
투명 보호층의 두께는 일반적으로 지문인식센서칩과 와이어 본딩층의 높이 보다 두꺼운 50 마이크로미터 이상이며, 이 정도의 두께는 스프레이 코팅 법으로는 코팅이 어려우며, 몰드(Mold)를 제작해서 압착한 다음 경화시키는 몰딩 기법으로 제작된다.
또는 슬릿코팅 (Slit Coating) 법으로 두꺼운 투명 보호층을 코팅을 해서 경화시킬 수도 있다.
열경화 내지 자외선 경화로 형성되는 투명한 투명 보호층의 소재는 아크릴계, 우레탄계, 에폭시계 등의 수지가 사용되며, 특히 150도 이상의 고온에서 견디는 에폭시 수지등을 사용한다.
칼라층(301)은 흰색의 도료이거나 검정색의 도료이거나 일반적인 유색의 도료를 사용해서 스프레이 공법등으로 코팅을 해서 형성을 한다.
칼라층의 두께는 수 마이크로미터에서 수십 마이크로미터 이상으로 코팅을 한다.
또한 칼라층을 형성하기 전에 밀착력을 증대시키기 위한 접착제층인 프라이머를 먼저 도포한 다음 칼라층을 도포해서 형성하기도 한다.
또는 칼라층을 형성하기 전에 SiO2, TiO2, Si3N4 등의 무기물 층을 수십나노미터에서 수백나노미터 두께로 e-Beam 증착 또는 스퍼터링 공법 또는 PECVD 공법등으로 코팅을 해서 지문인식센서칩의 표면내지 전극부 등을 보호한 다음 칼라층을 도료를 이용해서 코팅을 해서 칼라층을 형성하기도 한다.
도 4 에는 본 발명에 따른 칼라층이 형성된 다음 보호코팅층을 형성하는 공정이 단면도로 도시되어 있다.
(a)에는 지문인식 센서칩이 장착된 전자회로기판(101)의 단면도가 도시되어 있다.
(b)에는 본 발명에 따른 칼라층(301)이 형성된 구조이다.
칼라층은 백색 내지 흑색 내지 유색 도료를 스프레이 코팅 공법 등으로 코팅을 해서 형성한다.
코팅 두께는 수 마이크로미터에서 수십 마이크로미터까지 요구죄는 조건에 따라 코팅을 할 수 있다.
칼라층을 형성하기 전에 밀착력을 증대시키기 위한 접착제층인 프라이머를 먼저 도포한 다음 칼라층을 도포해서 형성하기도 한다.
또는 칼라층을 형성하기 전에 SiO2, TiO2, Si3N4 등의 무기물 층을 수십나노미터에서 수백나노미터 두께로 e-Beam 증착 또는 스퍼터링 공법 또는 PECVD 공법등으로 코팅을 해서 지문인식센서칩의 표면내지 전극부 등을 보호한 다음 칼라층을 도료를 이용해서 코팅을 해서 칼라층을 형성하기도 한다.
(c)에는 투명한 보호코팅층(302)을 형성한 구조이다.
투명 보호층의 두께는 일반적으로 지문인식센서칩과 와이어 본딩층의 높이 보다 두꺼운 50 마이크로미터 이상이며, 이 정도의 두께는 스프레이 코팅 법으로는 코팅이 어려우며, 몰드(Mold)를 제작해서 압착한 다음 경화시키는 몰딩 기법으로 제작된다.
또는 슬릿코팅 (Slit Coating) 법으로 두꺼운 투명 보호층을 코팅을 해서 경화시킬 수도 있다.
열경화 내지 자외선 경화로 형성되는 투명한 투명 보호층의 소재는 아크릴계, 우레탄계, 에폭시계 등의 수지가 사용되며, 특히 150도 이상의 고온에서 견디는 에폭시 수지를 사용한다.
(d)에는 상기의 다수개의 지문인식센서 칩이 장착된 전자회로 기판에서 칼라층과 보호코팅층을 형성한 다음 지문인식센서칩-칼라층-보호코팅층 구조의 개별의지문인식센서 모듈(303)로 분리한 구조가 도시되어 있다.
분리하는 방법은 통상적인 기계적인 가공등의 공법으로 제작할 수 있다.
따라서 기존에는 다수개의 지문인식센서칩이 전자회로 기판에 장착이 된 상태에서 에폭시몰딩을 한 다음 개별 모듈로 분리를 하고 개별 모듈을 각각 지그에 장착을 하고 스프레이 코팅등의 공법으로 칼라층과 보호코팅층을 형성하고 나서 다시 지그에서 분리를 하는 공정이지만, 본 발명의 구조에서는 이러한 공정을 거치지 않고, 다수개의 지문인식센서칩이 전자회로기판에 장착이 된 상태에서 스프레이 코팅등의 공법으로 칼라층을 형성하고, 슬릿코팅 내지 몰딩 기법으로 투명 보호층을 형성한 다음 개별 지문인식센서칩으로 분리하는 공정으로 제작이 가능하여, 공정이 단순하며, 작업의 과정이 줄어드는 효과가 있는 것이다.
도 5 에는 본 발명의 또 다른 장점인 투명보호층을 마지막에 몰딩으로 형성하는 공법을 이용해서 투명 보호층의 표면과 지문인식센서칩과의 간격을 최소화 한 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
(a)에 나타난 대로 전자회로 기판(101)에 지문인식 센서칩(102)이 장착된 상태에서 칼라층(301)을 형성하고 투명보호층(302)를 형성한 구조에서 투명 보호층의 지문인식센서의 상단부분을 낮은 단차 홈(501)이 형성되게 제작한 구조이다.
낮은 단차 홈 부분은 깊이를 주변 투명 보호층 표면(502) 대비 수 마이크로미터에서 수십 마이크로 미터 정도 낮게 형성을 한다.
투명 보호층의 두께가 50 마이크로미터 이상이면, 이러한 낮은 단차 홈에 의해 지문인식 센서칩과의 간격을 40 마이크로미터 이상도 줄일 수가 있는 것이다.
낮은 단차 홈을 형성하는 이유는 지문인식센서칩을 전자회로 기판에 전기적으로 연결하기 위해서 와이어 본딩을 하며, 와이어 본딩의 와이어의 높이가 일반적으로 40 마이크로미터 이상이 될 정도로 높으므로, 윗 부분을 편평하게 하면서 전체적으로 투명 보호 코팅층을 덮으면 지문인식센서칩과 투명 보호 코팅층과의 간격이 40 마이크로 미터 이상이 되어야 한다.
와이어 본딩부의 와이어도 보호해야 하므로 와이어 보다 10 마이크로 미터 이상으로 투명 보호코팅층을 형성을 하면, 투명 보호 코팅층의 두께가 50 마이크로 미터 이상이 되어야 한다.
위의 수치는 일례로서 설명한 수치이며, 와이어의 높이에 따라 달라질 수도 있지만 일반적으로 와이이를 보호하기 위해서 전체적으로 편평한 투명 보호코팅층을 형성하면 보호코팅층의 두께가 50 마이크로미터 이상이 되어 지문인식센서칩과 보호코팅층의 표면과의 간격도 그 이상이 된다.
지문인식 센서칩은 반도체 방식의 전자기적인 전파로서 측정을 하는 방식이므로 간격이 작을 수록 지문인식 감도가 증가를 한다.
따라서 상기의 낮은 단차 홈의 제작에 의해 지문인식센서칩과의 간격을 수십마이크로미터 이상 줄이면 감도가 증가를 한다.
도 6 에는 상기의 낮은 단차 홈을 형성하기 위해 몰드(Mold) 공법으로 투명 보호층을 형성하는 공정이 도시되어 있다.
(a)에는 지문인식 센서칩이 장착된 전자회로기판(101)에 칼라층(301)이 형성된 구조의 단면도가 도시되어 있다.
(b)에는 투명한 보호코팅층을 형성하기 위한 액상의 수지(601)를 도포한 구조가 도시되어 있다.
액상의 수지는 아크릴 계나 우레탄계나 에폭시 종류를 사용할 수 있으며, 특히 150도 이상의 온도에서 견디는 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
(c)에는 투명한 보호코팅층(302)을 형성하기 위한 돌출부(603)가 있는 금형(Mold)(602)으로 압력을 인가해서 부착한 구조가 도시되어 있다.
이 과정에서 금형(Mold)으로 압력을 인가하면 액상의 수지는 금형의 형상대로 형성이 되고, 그 다음 경화를 시키면 경화가 된 투명 보호층(302)가 형성된다,
(d)에는 투명 보호층이 경화되고 난 다음 금형을 분리한 구조도가 도시되어 있다.
금형을 분리한 다음 금형의 돌출부(603) 만큼 지문인식센서칩 위에 투명보호층(302)의 낮은 단차(501)부분이 형성된다.
액상의 수지는 일액형 내지 이액형의 에폭시 수지이거나 실리콘 수지이거나 아크릴계등의 수지를 사용할 수 있다.
액상의 수지가 경화가 되면서 지문인식 회로 기판과 접착이 되면서 금형과도 접착이 될 수 있다.
금형과 경화가 된 수지가 접착이 되면 이형을 할 수가 없다.
따라서 금형 소재도 이형성이 있는 소재를 사용해야 하며 본 발명에서는 실리콘(Silicone) 고무 소재이거나 테프론 소재이거나 테프론을 코팅한 소재 등을 사용할 수 있다.
이러한 이형이 가능한 금형 소재를 사용함으로서 본 공정에 의한 지문인식 모듈의 제조를 용이하게 할 수 있다.
이러한 공법의 제조에 의해 전자회로 기판과 그 위에 장착된 지문인식센서칩 위에 칼라층을 먼저 형성하고, 그 위에 투명 보호층을 형성할 수 있으며, 특히 투명 보호층에는 낮은 단차를 형성을 해서 지문 인식센서칩과의 간격을 줄일 수 있다.
도 7 에는 위의 공정을 더 단순화 해서 칼라층을 따로 형성하지 않고 보호층에 염료 내지 안료를 혼합해서 흰색 내지 검정색 내지 유색의 칼라 기능을 하면서 보호 코팅의 기능을 하는 칼라 보호층을 형성한 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
(a) 에는 개별의 지문인식센서 모듈(303)의 구조가 도시되어 있으며, 전자회로기판과 지문인식센서칩을 덮는 덮개로서의 카바가 흰색 내지 검정색 내지 유색인 칼라 보호층(701)으로 형성이 된 것이다.
따라서 칼라를 직접 보호층에 형성함으로서 추가적으로 칼라층을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.
전자회로 기판과 지문인식센서칩과 칼라 보호층의 사이에 먼저 접착을 향상시키기 위한 프라이머층을 먼저 형성을 할 수도 있다.
(b)에는 칼라 보호층(701)의 지문인식 센서칩 윗 부분에 나은 단차(501)를 형성할 수도 있다.
(c)에는 칼라 보호층(701)을 확대한 도면으로서 실리콘(Silicone)과 같은 수지(702)에 염료나 안료등(703)을 혼합한 구조가 도시되어 있다.
특히 TiO2, BaTiO3, PZT 등의 고유전율 분말을 혼합해서 사용함으로서 전체적인 유전율을 높일 수 있다.
반도체형 지문인식센서는 유전율이 높을 수록 전파의 통과 감도가 높아져서 지문인식센서의 정확도가 높아진다.
분말의 크기는 수백나노미터에서 구 마이크로 미터의 크기를 일반적으로 혼합해서 사용할 수 있다.
도 8 에는 칼라 보호층을 형성하는 방법의 일례로서 스퀴지 등을 이용해서 코팅을 하는 일례가 단면도로서 도시되어 있다.
이 외에도 슬릿코팅(Slit Coating)등의 방법이 가능하다.
(a)에는 전자회로 기판에 칼라가 형성된 액상의 수지(801)을 도포한다.
슬릿코팅에서는 슬릿코터의 슬릿으로 액상의 수지가 토출이 되는 방식이 된다.
액상의 수지는 아크릴계, 우레탄계, 에폭시계 내지 실리콘(Silicone)등의 다양한 수지를 사용할 수 있다.
(b)에는 스퀴지(802)등으로 액상의 수지(801)을 일정한 두께로 밀어서 평탄하게 한다.
(c)에는 평탄화가 된 칼라가 형성된 액상의 수지를 열 경화 내지 자외선 경화로 경화를 시켜서 전자회로기판(101)과 그 위에 형성이 된 지문인식센서 칩을 덮는 칼라보호층(701)을 형성할 수 있다.
도 9 에는 칼라 보호층을 형성을 하는 또 다른 방법으로서 금형을 이용하는 방법이 단면도로서 도시되어 있다.
이러한 금형을 이용하는 방식은 칼라보호층의 표면에 단차를 형성하거나 특히 미세한 구조물을 형성하는 데에 유리하다.
(a)에는 지문인식 센서칩(102)이 장착된 전자회로기판(101)의 단면도가 도시되어 있다.
(b)에는 칼라 보호층을 형성하기 위한 흰색 내지 흑색 내지 유색의 칼라가 형성된 액상의 수지(801)를 도포한 구조가 도시되어 있다.
액상의 수지는 아크릴 계나 우레탄계나 에폭시 종류를 사용할 수 있으며, 특히 150도 이상의 온도에서 견디는 일액현 내지 이액형의 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
(c)에는 칼라보호층을 형성하기 위한 돌출부(603)가 있는 금형(Mold)(602)으로 압력을 인가해서 부착한 구조가 도시되어 있다.
이 과정에서 금형(Mold)으로 압력을 인가하면 액상의 수지는 금형의 형상대로 형성이 되고, 그 다음 온도를 올려서 경화를 시키면 경화가 된 칼라 보호층이 형성된다,
(d)에는 칼라 보호층이 경화되고 난 다음 금형을 분리한 구조도가 도시되어 있다.
금형을 분리한 다음 금형의 돌출부(603) 만큼 지문인식센서칩(102) 위에 칼라보호층(701)의 낮은 단차(501)부분이 형성된다.
이러한 공법의 제조에 의해 전자회로 기판과 그 위에 장착된 지문인식센서칩 위에 칼라 보호층을 형성할 수 있으며, 특히 칼라 보호층에는 낮은 단차를 형성을 해서 지문 인식센서칩과의 간격을 줄일 수 있다.
상기의 칼라보호층의 소재로서 자외선 경화형 수지이거나 에폭시를 사용하는 구조에 있어서, 자외선 경화 수지이거나나 에폭시 수지등이 지문인식센서의 표면이나 전자회로기판의 표면과의 밀착력이 나오지 않을 수도 있다.
이러한 경우 지문인식센서칩과 전자회로기판의 표면에 스프레이 공법등으로 프라이머와 같은 접착제를 도포한 접착제층을 형성한 다음 칼라보호층을 형성할 수도 있다.
또는 SiO2 TiO2 등의 금속 산화물을 코팅을 해서 밀착력을 증대시키는 기능을 할 수 있다.
도 10 에는 도 9 에서 형성된 칼라 보호층(701)이 형성이 된 지문인식센서칩(102)이 장착된 전자회로 기판(101)을 분리해서 개별의 지문인식 센서 모듈(303)로 제작한 구조가 도시되어 있다.
상기의 구조에 의해 제조공정을 단순화한 지문인식센서 모듈의 제조가 가능하다.
본 발명의 금형을 이용한 투명보호층 내지 칼라보호층을 형성하는 구조의 응용으로서 보호층의 표면에 미세굴곡을 형성할 수 있다는 것이다.
미세 굴곡을 형성하면 빛의 반사를 조절해서 반사된 빛이 보는 각도에 따라 도는 스핀(Spin) 효과, 또는 헤어라인(Hair Line) 효과등 미세굴곡에 의한 다양한 빛의 반사효과를 볼 수 있다.
도 11 에는 이러한 미세굴곡을 형성하기 위한 방향으로서 금형에 먼저 미세굴곡을 형성한 구조의 단면도가 도시되어 있다.
도면에 도시된대로 금형(602)의 하부의 지문인식센서 모듈과 대면되는 부분은 미세굴곡(1101)이 형성된다.
미세굴곡의 크기는 통상적으로 수백나노미터에서 수마이크로미터이며, 굴곡의 형태는 단면이 실린더형, 반구형, 삼각형 형태등의 다양한 형태를 가진다.
또는 홀로그램과 같은 효과를 내기 위한 홀로그램용 미세패턴이 형성될 수도 있다.
본 도면에서는 규칙적으로 정렬된 미세패턴이 도시되어 있지만, 실제의 빛 반사효과에 따라 규칙적인 배열 내지 불규칙 배열 등 다양한 배열을 사용할 수 있다.
또 한 이러한 효과를 내는 금형의 소재도 이형성이 있는 소재를 사용한다.
액상의 수지가 경화가 되면서 지문인식 회로 기판과 접착이 되면서 금형과도 접착이 될 수 있다.
금형과 경화가 된 수지가 접착이 되면 이형을 할 수가 없다.
따라서 금형 소재도 이형성이 있는 소재를 사용해야 하며 본 발명에서는 실리콘(Silicone) 고무 소재이거나 테프론 소재이거나 테프론을 코팅한 소재 등을 사용할 수 있다.
이러한 이형이 가능한 금형 소재를 사용함으로서 본 공정에 의한 지문인식 모듈의 제조를 용이하게 할 수 있다.
특히 실리콘 고무를 이용한 금형의 제조는 금속으로 원판을 만들고 실리콘 고무로 원판의 형상에 따라 성형을 함으로서 실리콘 고무로 된 금형을 제조한다.
도 12 에는 이러한 미세굴곡이 형성된 금형으로 본 발명에 따른 지문인식센서 모듈의 제조과정이 도시되어 있다.
도면에 도시한 본 발명에 따른 지문인식센서 모듈의 제작과 카바의 형성 방식은 투명보호층 내지 칼라보호층의 표면에 다양한 미세한 구조물을 형성하는 데에 유리하다.
본 도면에서는 칼라보호층을 일례로서 설명되었지만 투명보호층에도 동일하게 적용된다.
특히 투명보호층에 확산제를 혼합한 확산효과의 보호층으로 제작할 경우에도 적용이 된다.
(a)에는 지문인식 센서칩(102)이 장착된 전자회로기판(101)의 단면도가 도시되어 있다.
(b)에는 칼라 보호층을 형성하기 위한 흰색 내지 흑색 내지 유색의 칼라가 형성된 액상의 수지(801)를 도포한 구조가 도시되어 있다.
투명 보호층을 형성할 경우에는 투명한 액상의 수지가 도포된다.
액상의 수지는 아크릴 계나 우레탄계나 에폭시 종류를 사용할 수 있으며, 특히 150도 이상의 온도에서 견디는 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
(c)에는 칼라보호층을 형성하기 위한 미세굴곡(1101)이 있는 금형(Mold)(602)으로 압력을 인가해서 부착한 구조가 도시되어 있다.
이 과정에서 금형(Mold)으로 압력을 인가하면 액상의 수지는 금형의 형상대로 형성이 되고, 그 다음 온도를 올려서 경화를 시키면 경화가 된 미세굴곡이 있는 칼라 보호층이 형성된다,
(d)에는 칼라 보호층이 경화되고 난 다음 금형을 분리한 구조도가 도시되어 있다.
금형을 분리한 다음 금형의 미세굴곡(1101) 만큼 지문인식센서칩(102) 위에 칼라보호층(701)의 표면에 미세굴곡표면(1201)이 형성된다.
이러한 공법의 제조에 의해 전자회로 기판과 그 위에 장착된 지문인식센서칩 위에 미세굴곡 표면이 형성된 칼라 보호층을 형성할 수 있다.
이러한 미세굴곡 표면은 그 자체로도 광학적인 효과를 낼 수도 있고, 그 위에 굴절률이 다른 물질을 코팅을 해서 굴절률 차이에 의한 광학적 효과를 높일수도 있다.
도 13 에는 본 발명에 따른 지문인식센서모듈의 표면에 미세굴곡을 형성한 다음 추가적으로 굴절률이 다른 물질을 코팅하는 과정과 구조가 단면도로서 도시되어 있다.
(a)에는 지문인식 센서칩(102)이 장착된 전자회로기판(101) 위에 칼라보호층(701)이 형성되어 있으며, 칼라보호층의 표면에 미세굴곡표면(1201)이 형성된 구조이다.
통상적으로 사용되는 칼라보호층 내지 투명보호층에 사용되는 에폭시 수지 등은 굴절률이 1.45~1.6 사이 정도가 된다.
굴절률이 높을 수록 빛의 반사가 높아지므로 미세굴곡에 고굴절의 물질을 코팅해서 빛의 반사도를 높일 수 있다.
굴절률이 높은 물질은 2.3 이 넘는 TiO2 등이 있으며 이외에도 Al2O3 등의 다양한 금속 산화물 내지 금속 불화물의 사용이 가능하며, 또한 SiO2 등의 물질과 함께 적층으로 코팅해서 빛 반사층을 형성할 수도 있다.
금속 산화물등의 코팅은 ebeam evaporation, sputtering등의 방법이 사용되며, 두께는 0.01 마이크로미터에서 0.2 마이크로 미터 사이거나 또는 효과에 따라 다양한 두께의 금속산화물의 박막의 코팅이 가능하다.
이는 금속 산화물의 구조를 포함해서 고굴절률의 물질과 저굴절률의 물질을 적층해서 사용하는 경우이며, 투명보호층 내지 칼라보호층에 사용되는 에폭시 수지등과 비교해서 높은 굴절률을 가지는 물질을 추가적으로 코팅을 하는 것이다.
또는 높은 굴절률과 낮은 굴절률의 물질을 번갈아서 적층으로 코팅하는 구조도 사용가능하다.
(b)에는 칼라보호층의 표면에 고굴절률의 물질이 박막으로 코팅이 된 고굴절률 박막 코팅층(1301)이 형성된 구조가 도시되어 있다.
특히 고굴절률 박막 코팅층은 미세굴곡면의 위에도 코팅이 되어 광학적효과를 높일 수 있다.
(c)에는 고굴절률 박막 코팅층을 보호하기 위해 아크릴계 등의 자외선 경화수지를 스프레이 공법 등으로 도포해서 코팅한 상부 코팅층(1302)을 형성한 구조이다.
상부 코팅층의 두께는 통상적으로 5 마이크로미터에서 20 마이크로미터 사이정도로 코팅을 한다.
도 14 에는 전자회로기판(101)과 지문인식센서칩(102) 위에 투명보호층 내지 칼라보호층(701)을 형성하고 표면에 미세굴곡(1201)을 형성한 다음 고굴절률 물질 박막(1301)을 형성하고, 다시 상부코팅층(1302)을 형성해서 개별의 지문인식 센서모듈로 제작한 구조가 도시되어 있다.
이렇게 개별의 지문인식센서 모듈을 사용할 때 상부코팅층의 스크래치를 견디는 표면 경도가 중요하다.
일반적으로 상부코팅층으로 사용되는 투명한 자외선 경화수지의 연필경도는 2H에서 3H 정도를 사용한다.
그러나 이러한 연필경도 정도로는 금속과 부딪치면 스크래치가 용이하게 일어난다.
따라서 본 발명에서는 투명보호층 내지 칼라보호층에 미세굴곡을 형성한 다음 고굴절률 물질을 코팅하고, 그 위에 유리기판 내지 사파이어기판과 같은 표면 경도가 높은 투명기판을 부착할 수 있다.
도 15 에는 전자회로기판(101)과 지문인식센서칩(102) 위에 투명보호층 내지 칼라보호층(701)을 형성하고 표면에 미세굴곡(1201)을 형성한 다음 고굴절률 물질 박막(1301)을 형성하고, 그 위에 접착제층(1501)을 형성하고 접착제층에 투명기판(1502)를 부착해서 개별의 지문인식 센서모듈로 제작한 구조가 도시되어 있다.
접착제층(1501)은 투명한 접착제를 사용하며, 마찬가지로 고온에서 견디는 에폭시 수지를 사용하거나 고온에서 견디는 양면 접착 필름을 사용할 수도 있다.
투명기판을 사파이어를 사용할 경우 표면 경도가 높아서 왠만한 물질과 마찰해도 스크래치가 나지 않는다.
제조 방법은 금형을 이용해서 표면에 미세굴곡이 있는 경화형 수지로 코팅이 된 지문인식 기판을 제조하며, 그 위에 금속 산화물 박막을 단층 내지 다층으로 코팅을 하고, 그 위에 투명한 접착제로 유리 또는 사파이어 기판을 부착하는 것이다.
본 발명의 지문인식센서 모듈을 제조하기 위한 공정으로서 전자회로기판과 전자회로기판에 실장된 지문인식센서 칩 위에 액상의 수지를 도포한 다음 이형성이 있는 금형을 접착할 수도 있고, 이형성이 있는 금형에 액상의 수지를 접착하고 지문인식센서칩이 실장된 전자회로기판을 접착할 수 있다.
도 16 에는 금형에 액상의 수지를 도포한 다음 본 발명의 지문인식센서모듈을 제조하는 과정이 나타나있다.
도면에 도시한 본 발명에 따른 지문인식센서 모듈의 제작과 카바의 형성 방식은 투명보호층 내지 칼라보호층의 표면에 다양한 미세한 구조물을 형성하는 데에 유리하다.
본 도면에서는 칼라보호층을 일례로서 설명되었지만 투명보호층에도 동일하게 적용된다.
특히 투명보호층에 확산제를 혼합한 확산효과의 보호층으로 제작할 경우에도 적용이 된다.
(a)에는 지문인식 센서칩(102)이 장착된 전자회로기판(101)의 단면도가 도시되어 있다.
(b)에는 칼라 보호층을 형성하기 위한 흰색 내지 흑색 내지 유색의 칼라가 형성된 액상의 수지(801)를 금형(602)에 도포한 구조가 도시되어 있다.
또 한 금형(602)에는 미세굴곡(1101)이 형성된 구조가 나타나 있다.
미세굴곡이 없더라도 본 제조과정은 유효하다.
투명 보호층을 형성할 경우에는 투명한 액상의 수지가 도포된다.
칼라 보호층을 형성할 때는 액상의 수지에 염료나 안료를 혼합한다.
액상의 수지는 아크릴 계나 우레탄계나 에폭시 종류를 사용할 수 있으며, 특히 150도 이상의 온도에서 견디는 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
(c)에는 칼라보호층을 형성하기 위한 미세굴곡(1101)이 있는 금형(Mold)(602)으로 압력을 인가해서 부착한 구조가 도시되어 있다.
이 과정에서 액상의 수지에 압력을 인가하면 액상의 수지는 금형의 형상대로 형성이 되고, 그 다음 경화를 시키면 경화가 된 미세굴곡이 있는 칼라 보호층이 형성된다,
경화방법은 상온에서의 경화이거나 온도를 올리는 가열 경화등의 방법이 있다.
(d)에는 칼라 보호층이 경화되고 난 다음 금형을 분리한 구조도가 도시되어 있다.
금형을 분리한 다음 금형의 미세굴곡(1101) 만큼 지문인식센서칩(102) 위에 칼라보호층(701)의 표면에 미세굴곡표면(1201)이 형성된다.
이러한 공법의 제조에 의해 전자회로 기판과 그 위에 장착된 지문인식센서칩 위에 미세굴곡 표면이 형성된 칼라 보호층을 형성할 수 있다.
이러한 미세굴곡 표면은 그 자체로도 광학적인 효과를 낼 수도 있고, 그 위에 굴절률이 다른 물질을 코팅을 해서 굴절률 차이에 의한 광학적 효과를 높일수도 있다.
또 한 미세굴곡이 없더라도 본 발명의 공정은 유효하다.
상기의 본 발명의 구조는 지문인식센서칩이 와이어본딩에 의해서 전자회로 기판에 실장이 된 구조로 설명하였지만, 지문인식센서칩이 와이어본딩이 아니라 직접 전자회로기판에 실장이 된 구조에도 적용된다.
이러한 구조에서는 반도체칩의 상부에는 회로가 형성되며 하부에는 연결 전극이 형성되는 구조에서 가능하다.
이러한 구조에서는 지문인식센서칩 위에 형성되는 보호층의 두께를 J 낮출 수 있어서 감도 향상에 유리하다.
도 17 에는 지문인식센서칩이 전자회로기판에 바로 실장이 된 구조에 있어서 본발명에 의한 지문인식센서 모듈의 제조공정이 단면도로서 나타나 있다.
(a)에는 지문인식 센서칩(102)이 와이어본딩이 없이 바로 전자회로기판(101)에 장착된 전자회로기판(101)의 단면도가 도시되어 있다.
이러한 구조는 지문인식센서칩의 상부에는 회로가 형성되며 하부에는 연결 전극이 형성되는 구조에서 가능하다.
(b)에는 칼라 보호층을 형성하기 위한 흰색 내지 흑색 내지 유색의 칼라가 형성된 액상의 수지(801)를 금형(602)에 도포한 구조가 도시되어 있다.
또 한 금형(602)에는 미세굴곡(1101)이 형성된 구조가 나타나 있다.
미세굴곡이 없더라도 본 제조과정은 유효하다.
투명 보호층을 형성할 경우에는 투명한 액상의 수지가 도포된다.
칼라 보호층을 형성할 때는 액상의 수지에 염료나 안료를 혼합한다.
액상의 수지는 아크릴 계나 우레탄계나 에폭시 종류를 사용할 수 있으며, 특히 150도 이상의 온도에서 견디는 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
(c)에는 칼라보호층을 형성하기 위한 미세굴곡(1101)이 있는 금형(Mold)(602)으로 압력을 인가해서 부착한 구조가 도시되어 있다.
이 과정에서 액상의 수지에 압력을 인가하면 액상의 수지는 금형의 형상대로 형성이 되고, 그 다음 경화를 시키면 경화가 된 미세굴곡이 있는 칼라 보호층이 형성된다,
경화방법은 상온에서의 경화이거나 온도를 올리는 가열 경화등의 방법이 있다.
(d)에는 칼라 보호층이 경화되고 난 다음 금형을 분리한 구조도가 도시되어 있다.
금형을 분리한 다음 금형의 미세굴곡(1101) 만큼 지문인식센서칩(102) 위에 칼라보호층(701)의 표면에 미세굴곡표면(1201)이 형성된다.
상기에 있어서 액상의 수지를 도포할 때에 지문인식 센서칩이 부착이 된 전자회로 기판에 도포를 하였지만 금형에 액상의 수지를 도포하고 전자회로 기판을 부착하는 공정을 사용할 수도 있다.
이러한 공법의 제조에 의해 전자회로 기판과 그 위에 장착된 지문인식센서칩 위에 미세굴곡 표면이 형성된 칼라 보호층을 형성할 수 있으며 와이어본딩이 있는 구조보다도 보호층(701)의 두께를 더 낮출 수 있다.
상기의 금형에 액상의 레진을 도포한 공정은 금형에 격벽이 있을 때 레진의 사용량을 줄이고 탈포 등의 공정에서 유리하다.
상기에서 미세한 굴곡을 내기 위해서 경화형 수지를 성형하기 위해서 사용하는 금형은 경화가 되는 에폭시와 접착이 나오지를 않아야 금형을 분리할 수 있다.
따라서 금형 소재로서는 실리콘(Silicone) 고무 소재를 주로 사용한다.
또는 테프론계 소재로 제작한 금형이거나, 금속으로 금형을 제작하고 테프론계를 코팅해서 사용하는 등 이형성이 높은 소재를 사용해서 카바로서 사용되는 에폭시와 밀착이 나오지를 않게 해야한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당 업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전자회로기판(PCB)(101) 지문인식센서칩(102)
골드와이어(104) 본딩전극(103)
연결전극(105) EMC(Epoxy Mold Compound)(201)
개별 전자회로기판(202) 칼라층(203)
투명 보호코팅층(204) 개별의 지문인식센서 모듈(303)
칼라층(301) 투명 보호층(302)
낮은 단차 홈(501) 주변 투명 보호층 표면(502)
액상의 수지(601) 돌출부(603)
금형(Mold)(602) 칼라 보호층(701)
실리콘(Silicone)과 같은 수지(702)
염료나 안료(703) 액상의 수지(801)
스퀴지(802) 미세굴곡(1101)
미세굴곡표면(1201) 고굴절률 박막 코팅층(1301)
상부 코팅층(1302) 접착제층(1501)
투명기판(1502)

Claims (20)

  1. 지문인식센서 모듈로서,
    전자회로기판위에 와이어 본딩등으로 전기적으로 연결되는 지문인식센서칩이 형성된 구조에서,
    지문인식센서칩과 전자회로기판을 덮는 칼라층이 코팅으로 형성되며,
    칼라층 위에 수십마이크로미터 두께의 투명 보호층이 형성된 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  2. 1 항에 있어서 지문인식센서칩과 전자회로 기판을 덮는 칼라층을 코팅하기 전에 접착제층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  3. 청구항 1 에 있어서
    전자회로기판위에 와이어 본딩등으로 전기적으로 연결되는 지문인식센서칩이 형성된 구조에서,
    지문인식센서칩과 전자회로기판을 덮는 칼라층이 코팅으로 형성되며,
    칼라층 위에 수십마이크로미터 두께의 투명 보호층이 형성된 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  4. 청구항 1 에 있어서
    전자회로 기판에 지문인식 센서칩이 장착된 상태에서 칼라층을 형성하고 투명보호층를 형성한 구조에서,
    투명 보호층의 지문인식센서의 상단부분을 주변 투명 보호층 표면 대비 낮은 단차의 홈이 형성되게 제작한 구조인 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  5. 지문인식센서 모듈로서,
    전자회로기판위에 와이어 본딩등으로 전기적으로 연결되는 지문인식센서칩이 형성된 구조에서,
    지문인식센서칩과 전자회로기판을 덮는 카바로서 염료 내지 안료를 혼합해서 흰색 내지 검정색 내지 유색의 칼라 기능을 하면서 보호 코팅의 기능을 하는 칼라 보호층을 형성한 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  6. 청구항 5에 있어서,
    칼라보호층의 수지(Resin)로서 아크릴계 수지 내지 우레탄계 수지 내지 실리콘(Silicone)수지 내지 에폭시 수지를 사용한 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  7. 청구항 5에 있어서
    칼라보호층의 수지(Resin)에 BaTiO3, TiO2, PZT를 포함하는 고유전율의 분말을 혼합한 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  8. 청구항 1과 청구항 5 에 있어서
    투명보호층 내지 칼라보호층의 표면에 미세굴곡을 형성한 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  9. 청구항 8에 있어서,
    투명보호층 내지 칼라보호층의 표면에 미세굴곡을 형성한 다음,
    SiO2, TiO2, Al2O3를 포함하는 금속산화물 박막을 코팅한 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  10. 청구항 8에 있어서,
    투명보호층 내지 칼라보호층의 표면에 미세굴곡을 형성한 다음,
    SiO2, TiO2, Al2O3를 포함하는 금속산화물 박막을 코팅하고,
    유리 내지 사파이어 기판을 접착제로서 부착한 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈.
  11. 지문인식센서 모듈로서,
    전자회로기판위에 와이어 본딩등으로 전기적으로 연결되는 지문인식센서칩이 형성된 구조에서,
    실리콘 고무를 포함하는 이형성이 있는 재질로 된 금형이 있으며,
    금형 또는 전자회로 기판에 액상의 수지를 도포하며,
    금형과 전자회로 기판을 접착시킨 다음 액상의 수지를 고상으로 경화시키며,
    경화가 된 다음 금형을 분리시켜서 수지층이 전자회로기판과 지문인식센서칩을 덮는 보호코팅층으로 형성된 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  12. 청구항 11 에 있어서,
    금형의 구조로서,
    전자회로기판의 지문인식센서칩에 대응되는 위치에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  13. 청구항 11 에 있어서,
    금형의 구조로서,
    전자회로기판의 지문인식센서칩에 대응되는 위치에 미세굴곡이 형성된 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  14. 청구항 11 에 있어서,
    전자회로기판의 지문인식센서칩에 대응되는 위치에 미세굴곡이 형성되어 잇으며,
    액상의 수지로 전자회로 기판과 금형을 접착해서 수지를 경화시키는 과정에서 수지의 표면에 미세굴곡이 형성되는 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  15. 지문인식센서 모듈로서,
    전자회로기판위에 지문인식센서칩이 실장되어 있으며,
    전자회로기판과 지문인식센서칩 위에 투명 내지 유색의 보호코팅층을 형성하며,
    보호코팅층의 표면에 미세굴곡층이 형성된 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  16. 청구항 15 에 있어서,
    전자회로기판과 지문인식센서칩을 덮는 보호코팅층에 형성된 미세굴곡층 위에 SiO2, TiO2를 포함하는 금속산화물 내지 금속 불화물을 단층 내지 다층으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  17. 청구항 15 에 있어서,
    전자회로기판과 지문인식센서칩을 덮는 보호코팅층에 형성된 미세굴곡층 위에 SiO2, TiO2를 포함하는 금속산화물 내지 금속 불화물을 단층 내지 다층으로 코팅한 다음 투명 수지로 보호코팅을 하는 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  18. 청구항 15 에 있어서,
    전자회로기판과 지문인식센서칩을 덮는 보호코팅층에 형성된 미세굴곡층 위에 SiO2, TiO2를 포함하는 금속산화물 내지 금속 불화물을 단층 내지 다층으로 코팅한 다음 투명 접착제로 보호유리를 접착하는 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  19. 청구항 15 에 있어서,
    보호코팅층은 에폭시 수지 내지 실리콘 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
  20. 청구항 15 에 있어서,
    보호코팅층에 염료 내지 안료를 혼합한 것을 특징으로 하는 지문인식센서모듈
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