KR20170136795A - Interface module and apparatus for testing semiconductor devices having the same - Google Patents
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Abstract
반도체 소자들의 전기적 특성을 검사하는데 이용되는 인터페이스 모듈이 개시된다. 인터페이스 모듈은, 테스트 트레이에 수납된 반도체 소자들에 검사 신호를 인가하기 위한 인터페이스 보드, 인터페이스 보드에 탑재되는 소켓 가이드, 소켓 가이드에 탑재되어 반도체 소자들에 접속되는 복수의 테스트 소켓, 및 인터페이스 보드 상에서 소켓 가이드 일측에 배치되는 온도 조절 부재를 구비한다. 온도 조절 부재는 열을 인터페이스 보드에 대해 수직 방향으로 방출하는 제1 방열 부재를 구비한다. 이와 같이, 인터페이스 모듈은 인터페이스 보드의 열을 방출하기 위한 별도의 온도 조절 부재를 구비함으로써, 인터페이스 보드의 온도 분포 균일도를 향상시키고 인터페이스 보드를 적정 온도로 유지시킬 수 있다.An interface module for use in testing electrical characteristics of semiconductor devices is disclosed. The interface module includes an interface board for applying an inspection signal to the semiconductor elements housed in the test tray, a socket guide mounted on the interface board, a plurality of test sockets mounted on the socket guide and connected to the semiconductor elements, And a temperature adjusting member disposed on one side of the socket guide. The temperature regulating member has a first heat radiating member that radiates heat in a direction perpendicular to the interface board. As described above, since the interface module includes a separate temperature control member for releasing the heat of the interface board, the temperature distribution uniformity of the interface board can be improved and the interface board can be maintained at a proper temperature.
Description
본 발명의 실시예들은 인터페이스 모듈과 이를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 소자들에 검사 신호들을 제공하기 위한 테스트 헤드와 상기 반도체 소자들 사이를 연결하는 인터페이스 모듈 및 이를 구비하는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an interface module and a semiconductor device test apparatus including the same. More particularly, the present invention relates to a test head for providing inspection signals to semiconductor devices, an interface module for connecting the semiconductor devices, and a semiconductor device test apparatus having the same.
일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 이렇게 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정과 본딩 공정 및 패키징 공정을 통하여 완제품으로 제조될 수 있다.Generally, semiconductor devices can be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes, and the semiconductor devices thus formed can be manufactured into finished products through a dicing process, a bonding process, and a packaging process .
이러한 반도체 소자들은 전기적 특성 검사를 통하여 양품 또는 불량품으로 판정될 수 있다. 전기적 특성 검사에는 반도체 소자들을 이송하기 위한 복수의 이송 모듈들과, 반도체 소자들을 검사하기 위한 테스트 모듈 및 반도체 소자들과 테스트 모듈을 서로 연결하기 위한 인터페이스 모듈을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치가 사용될 수 있다.These semiconductor devices can be judged as good or defective through electrical characteristic inspection. The electrical characteristic inspection may include a plurality of transfer modules for transferring semiconductor elements, a test module for inspecting semiconductor elements, and a semiconductor device test apparatus including an interface module for interconnecting semiconductor elements and a test module .
인터페이스 모듈은 테스트 모듈과 상기 반도체 소자들이 수납된 테스트 트레이 사이에 배치되는 인터페이스 보드와 인터페이스 보드 상에 탑재되는 소켓 가이드들을 포함할 수 있다.The interface module may include an interface board disposed between the test module and the test tray in which the semiconductor elements are housed, and socket guides mounted on the interface board.
또한, 반도체 소자 테스트 장치는 반도체 소자들과 테스트 소켓들을 서로 접속시키기 위한 매치 플레이트를 구비할 수 있으며, 매치 플레이트는 반도체 소자들을 테스트 소켓들 측으로 가압하는 복수의 푸셔들을 구비할 수 있다.In addition, the semiconductor device test apparatus may include a match plate for connecting the semiconductor elements and the test sockets to each other, and the match plate may have a plurality of pushers for pressing the semiconductor elements toward the test sockets.
한편, 반도체 소자들에 대한 테스트 공정은 고온 공정과 저온 공정으로 구분될 수 있으며, 일 예로서, 상기 고온 공정은 약 85℃ 내지 130℃ 정도의 검사 온도에서 수행되고, 상기 저온 공정은 약 - 55℃ 내지 - 5℃ 정도의 검사 온도에서 수행될 수 있다. 상기와 같은 고온 공정과 저온 공정을 위해 매치 플레이트에는 푸셔들을 통해 반도체 소자들의 온도를 조절하기 위한 열전 소자들이 장착될 수 있다.Meanwhile, the test process for semiconductor devices can be classified into a high-temperature process and a low-temperature process. As an example, the high-temperature process is performed at an inspection temperature of about 85 ° C to 130 ° C, RTI ID = 0.0 > 5 C < / RTI > For the high-temperature process and the low-temperature process, the match plate may be equipped with thermoelectric elements for adjusting the temperature of the semiconductor elements through the pushers.
또 한편으로, 소켓 가이드들에는 반도체 소자들과의 접속을 위한 테스트 소켓들이 장착되며, 인터페이스 보드의 하면에는 반도체 소자들의 검사를 위한 전원 공급 소자들 및 신호 변환을 위한 저항, 콘덴서, 증폭기 등과 같은 수동 소자들이 장착될 수 있다.On the other hand, test leads for connection with semiconductor devices are mounted on the socket guides, power supply elements for inspecting semiconductor devices and passive devices such as resistors, capacitors, and amplifiers for signal conversion, Devices can be mounted.
이렇게 인터페이스 보드의 상측과 하측에는 그 구동 과정에서 열을 발생시키는 부재들이 구비되므로, 인터페이스 보드의 표면 온도 분포가 불균일하게 되고 테스트 공정을 위한 인터페이스 보드의 적정 온도를 유지하기 어렵다. 이로 인해, 반도체 소자들을 목적하는 검사 온도로 유지시키기 어려우며 검사 신뢰도가 저하되는 문제점이 있다.Since the members for generating heat in the driving process are provided on the upper and lower sides of the interface board, the surface temperature distribution of the interface board is uneven and it is difficult to maintain the proper temperature of the interface board for the testing process. As a result, it is difficult to keep the semiconductor elements at a desired inspection temperature and the inspection reliability is lowered.
본 발명의 실시예들은 테스트 모듈에 접속되는 인터페이스 보드의 온도를 조절할 수 있는 인터페이스 모듈 및 이를 구비하는 반도체 소자 테스트 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.Embodiments of the present invention provide an interface module capable of controlling the temperature of an interface board connected to a test module and a semiconductor device test apparatus having the same.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 인터페이스 모듈은, 테스트 트레이에 수납된 반도체 소자들을 전기적으로 검사하기 위하여 상기 반도체 소자들에 검사 신호를 인가하기 위한 인터페이스 보드, 상기 인터페이스 보드에 탑재되는 소켓 가이드, 상기 소켓 가이드에 탑재되며 상기 반도체 소자들에 접속되는 복수의 테스트 소켓, 및 상기 인터페이스 보드 상에서 상기 소켓 가이드 일측에 배치되고 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수직 방향으로 방출하는 제1 방열 부재를 구비하며 상기 인터페이스 보드의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 유닛을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an interface module including: an interface board for applying an inspection signal to semiconductor devices for electrically inspecting semiconductor devices housed in a test tray; A socket guide, a plurality of test sockets mounted on the socket guide and connected to the semiconductor elements, and a first heat radiation member disposed on one side of the socket guide on the interface board and emitting heat in a direction perpendicular to the interface board And a temperature control unit for controlling the temperature of the interface board.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 방열 부재는 히트 스프레더(heat spreader)일 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first heat radiation member may be a heat spreader.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 온도 조절 유닛은, 상기 제1 방열 부재와 상기 인터페이스 보드 사이에 배치되며 상기 인터페이스 보드 하측으로부터 전도된 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수평 방향으로 분산시키는 제2 방열 부재를 더 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the temperature adjusting unit may include a second heat dissipating unit disposed between the first heat dissipating member and the interface board and distributing the heat conducted from the lower side of the interface board to the interface board in a horizontal direction Member.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 방열 부재는 시트 형상을 가지며 그라파이트(graphite)로 이루어질 수 있다.According to embodiments of the present invention, the second heat radiation member has a sheet shape and may be made of graphite.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 인터페이스 보드는 상기 소켓 가이드와 상기 테스트 소켓이 위치하는 칩 영역과 상기 칩 영역의 외측에 위치하는 커넥팅 영역으로 구획될 수 있다. 또한, 상기 제2 방열 부재는 상기 인터페이스 보드 상면에서 상기 커넥팅 영역을 커버할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the interface board may be divided into a chip area where the socket guide and the test socket are located and a connecting area located outside the chip area. In addition, the second heat radiation member may cover the connecting area on the upper surface of the interface board.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 온도 조절 유닛은, 상기 제1 및 제2 방열 부재들을 상기 인터페이스 보드에 고정시키기 위해 상기 제1 및 제2 방열 부재들을 관통하여 상기 인터페이스 보드에 결합되는 복수의 고정핀을 더 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the temperature regulation unit may include a plurality of temperature control units coupled to the interface board through the first and second heat dissipation members to fix the first and second heat dissipation members to the interface board, It is possible to further include a fixing pin.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 온도 조절 유닛은 복수로 구비될 수 있으며, 복수의 온도 조절 유닛은 상기 소켓 가이드를 사이에 두고 2열로 배치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a plurality of temperature control units may be provided, and a plurality of temperature control units may be arranged in two rows with the socket guide interposed therebetween.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트 장치는, 테스트 트레이에 수납된 반도체 소자들의 전기적 특성을 검사하기 위한 공간을 제공하는 테스트 챔버, 상기 반도체 소자들의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 신호를 제공하고 상기 반도체 소자들로부터의 출력 신호에 근거하여 상기 반도체 소자들을 검사하는 테스트 모듈, 및 상기 테스트 챔버 안에 배치되며 상기 테스트 모듈과 상기 반도체 소자들 사이에서 상기 검사 신호 및 출력 신호를 전달하기 위한 인터페이스 모듈을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 인터페이스 모듈은, 상기 테스트 모듈에 접속되며 상기 반도체 소자들에 검사 신호를 인가하기 위한 인터페이스 보드, 상기 인터페이스 보드에 탑재되는 소켓 가이드, 상기 소켓 가이드에 탑재되며 상기 반도체 소자들에 접속되는 복수의 테스트 소켓, 및 상기 인터페이스 보드 상에서 상기 소켓 가이드 일측에 배치되고 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수직 방향으로 방출하는 제1 방열 부재를 구비하며 상기 인터페이스 보드의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 유닛을 구비할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device testing apparatus comprising: a test chamber for providing a space for inspecting electrical characteristics of semiconductor elements accommodated in a test tray; A test module for providing a test signal for testing the semiconductor device and for testing the semiconductor devices based on an output signal from the semiconductor devices and a test module disposed in the test chamber, For example. Specifically, the interface module may include an interface board connected to the test module and adapted to apply an inspection signal to the semiconductor devices, a socket guide mounted on the interface board, a socket guide mounted on the socket guide, A plurality of test sockets, and a temperature regulating unit for regulating the temperature of the interface board, the temperature regulating unit having a first heat radiating member disposed at one side of the socket guide on the interface board and emitting heat in a direction perpendicular to the interface board can do.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 온도 조절 유닛은 상기 인터페이스 보드와 상기 테스트 트레이 사이에 위치할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the temperature regulation unit may be located between the interface board and the test tray.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 방열 부재는 히트 스프레더(heat spreader)일 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first heat radiation member may be a heat spreader.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 온도 조절 유닛은, 상기 제1 방열 부재와 상기 인터페이스 보드 사이에 배치되며 상기 인터페이스 보드 하측으로부터 전도된 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수평 방향으로 분산시키는 제2 방열 부재를 더 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the temperature adjusting unit may include a second heat dissipating unit disposed between the first heat dissipating member and the interface board and distributing the heat conducted from the lower side of the interface board to the interface board in a horizontal direction Member.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 방열 부재는 시트 형상을 가지며 그라파이트(graphite)로 이루어질 수 있다.According to embodiments of the present invention, the second heat radiation member has a sheet shape and may be made of graphite.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 소자들의 전기적인 특성 검사를 위한 테스트 장치는 소켓 가이드 일측에 인터페이스 보드의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 부재를 구비함으로써, 인터페이스 보드의 온도 분포 균일도를 향상시키고 인터페이스 보드를 적정 온도로 유지시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the test apparatus for inspecting electrical characteristics of semiconductor devices includes a temperature adjusting member for adjusting the temperature of the interface board on one side of the socket guide, And the interface board can be maintained at an appropriate temperature.
특히, 온도 조절 부재는 수직 방향으로의 열전도도가 높은 제1 방열 부재와 수평 방향으로의 열전도도가 높은 제2 방열 부재를 구비함으로써, 인터페이스 보드의 열을 외부로 보다 신속하게 방출할 수 있다. 이에 따라, 인터페이스 보드는 균일한 온도 분포와 상기 반도체 소자들(10)을 검사하기 위한 적정 온도를 유지할 수 있으므로, 반도체 소자들을 목적하는 온도로 유지시킬 수 있다. 그 결과, 반도체 소자 테스트 장치는 검사 신뢰도를 향상시 킬 수 있다.Particularly, since the temperature regulating member includes the first heat radiating member having a high thermal conductivity in the vertical direction and the second heat radiating member having a high thermal conductivity in the horizontal direction, the heat of the interface board can be discharged to the outside more quickly. Thus, the interface board can maintain a uniform temperature distribution and an appropriate temperature for inspecting the
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 부분 확대 분해 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 인터페이스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 방열 부재와 제2 방열 부재를 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이다.
도 5는 도 3에 도시된 인터페이스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a semiconductor device testing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic partial enlarged exploded cross-sectional view for explaining the semiconductor device testing apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic plan view for explaining the interface module shown in FIG. 2. FIG.
4 is a schematic exploded perspective view for explaining the first heat dissipating member and the second heat dissipating member shown in FIG.
5 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining the interface module shown in FIG.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being placed on or connected to another element, the element may be disposed or connected directly to the other element, . Alternatively, if one element is described as being placed directly on another element or connected, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is used for the purpose of describing specific embodiments only, and is not intended to be limiting of the present invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Thus, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions described in the drawings, but include deviations in the shapes, and the elements described in the drawings are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the exact shape of the elements and is not intended to limit the scope of the invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 부분 확대 단면도이다.FIG. 1 is a schematic structural view for explaining a semiconductor device testing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic enlarged sectional view for explaining a semiconductor device testing apparatus shown in FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치(500)는 반도체 소자들(10)의 전기적인 특성을 검사하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 소자 테스트 장치(500)는 테스트 트레이(20)에 수납된 복수의 반도체 소자들(10)에 전기적인 검사 신호를 제공하고 상기 검사 신호에 대응하여 상기 반도체 소자들(10)로부터 출력된 신호들을 분석함으로써 상기 반도체 소자들(10)의 전기적인 성능을 검사한다.Referring to FIGS. 1 and 2, a semiconductor
구체적으로, 상기 반도체 소자 테스트 장치(500)는 상기 반도체 소자들(10)에 대한 검사를 수행하기 위한 공간을 제공하는 테스트 챔버(100)를 포함할 수 있다. 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 테스트 장치(500)는 커스터머 트레이(미도시)로부터 상기 반도체 소자들(10)을 테스트 트레이(20)로 이송하고, 상기 테스트 트레이(20)를 상기 테스트 챔버(100) 내부로 이송한다. 상기 테스트 챔버(100)에서 검사 공정이 완료된 후 상기 테스트 트레이(20)를 상기 테스트 챔버(100)로부터 반출하며, 상기 테스트 트레이(20)에 수납된 반도체 소자들(10)을 빈 커스터머 트레이(미도시)로 이송하는 복수의 이송 모듈들(미도시)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 소자들(10)의 온도를 미리 조절하기 위한 예열 챔버(미도시)와 상기 반도체 소자들(10)의 온도를 상온으로 회복시키기 위한 제열 챔버(미도시)를 포함할 수 있으며, 상기 테스트 챔버(100)는 상기 예열 챔버와 제열 챔버 사이에 배치될 수 있다.Specifically, the semiconductor
상기 반도체 소자 테스트 장치(500)는 상기 반도체 소자들(10)에 검사 신호들을 제공하고 상기 반도체 소자들(10)로부터의 출력 신호들에 기초하여 상기 반도체 소자들(10)의 전기적인 성능을 검사하는 테스트 모듈(200)을 포함할 수 있다.The semiconductor
상기 테스트 모듈(200)은 상기 검사 신호들을 제공하고 상기 출력 신호들을 분석하는 테스트 헤드(210)와 상기 테스트 헤드(210) 상에 배치되는 탑 플레이트(220)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 탑 플레이트(220)는 상기 테스트 챔버(100) 내에 배치될 수 있으며 연결 케이블들 또는 커넥터들에 의해 상기 테스트 헤드(210)와 연결될 수 있다.The
상기 반도체 소자 테스트 장치(500)는 상기 테스트 챔버(100) 안에 배치되는 인터페이스 모듈(300)과 매치 플레이트(400)를 포함할 수 있다. 상기 인터페이스 모듈(300)은 상기 테스트 헤드(210)와 상기 반도체 소자들(10) 사이에서 상기 검사 신호들 및 상기 출력 신호들을 전달한다. 상기 매치 플레이트(400)는 상기 인터페이스 모듈(300)과 마주하도록 배치되며 상기 반도체 소자들(10)을 상기 인터페이스 모듈(300)에 접속시킨다.The semiconductor
이하, 도면을 참조하여 상기 인터페이스 모듈(300)과 상기 매치 플레이트(400)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the configuration of the
도 3은 도 1에 도시된 인터페이스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 제1 방열 부재와 제2 방열 부재를 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이며, 도 5는 도 3에 도시된 인터페이스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.FIG. 3 is a schematic plan view for explaining the interface module shown in FIG. 1, FIG. 4 is a schematic exploded perspective view for explaining the first heat radiation member and the second heat radiation member shown in FIG. 3, 3 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining the interface module shown in Fig.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 인터페이스 모듈(300)은 상기 탑 플레이트(220)의 상면에 배치될 수 있으며, 상기 탑 플레이트(220)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 인터페이스 모듈(300)은 상기 테스트 트레이(20)에 수납된 반도체 소자들(10)에 상기 검사 신호를 인가하기 위한 인터페이스 보드(310), 상기 인터페이스 보드(310)에 탑재되는 복수의 소켓 가이드(320), 상기 반도체 소자들(10)에 접속되는 복수의 테스트 소켓(330), 및 상기 인터페이스 보드(310)의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 유닛(340)을 포함할 수 있다.2 and 3, the
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 인터페이스 모듈(300)의 상측에는 상기 매치 플레이트(400)가 배치될 수 될 수 있으며, 상기 인터페이스 모듈(300)과 상기 매치 플레이트(400) 사이에는 상기 테스트 트레이(20)가 배치될 수 있다. 상기 매치 플레이트(400)는 상기 반도체 소자들(10)을 상기 테스트 소켓들(330)에 접속시키기 위한 복수의 푸셔들(410)을 구비할 수 있다. 상기 매치 플레이트(400)는 상기 테스트 트레이(20)에 수납된 반도체 소자들(10)이 상기 테스트 소켓들(330)에 접속되도록 상기 반도체 소자들(10)을 상기 테스트 소켓들(330) 측으로 가압할 수 있다.2, the
상기 테스트 트레이(20)는 상기 반도체 소자들(10)을 수납하기 위한 복수의 인서트 조립체(30)를 구비할 수 있으며, 상기 인서트 조립체들(30)은 상기 반도체 소자들(10)을 수납하기 위한 개구부들을 가질 수 있다. 도면에 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 개구부들의 하측에는 상기 반도체 소자들(10)을 지지하기 위한 서포트 필름(미도시)이 구비될 수 있다. 상기 서포트 필름에는 상기 반도체 소자들(10)의 외부 접속 단자들, 예를 들면, 솔더볼들이 하측 방향으로 돌출되도록 형성되며 상기 반도체 소자들(10)의 위치를 안내하기 위한 가이드홀들이 구비될 수 있다.The
도 2에 도시된 바에 의하면, 상기 탑 플레이트(220)와 상기 인터페이스 모듈(300) 및 상기 매치 플레이트(400)가 수평 방향으로 배치되나, 상기 탑 플레이트(220)와 인터페이스 모듈(300) 및 상기 매치 플레이트(400)의 배치 방향은 다양하게 변경 가능하다. 예를 들면, 상기 탑 플레이트(220)와 상기 인터페이스 모듈(300) 및 상기 매치 플레이트(400)는 수직 방향으로 배치될 수도 있으며, 또한 상기 인터페이스 모듈(300) 상측에 상기 탑 플레이트(220)가 배치되고 상기 인터페이스 모듈(300)의 상측에 상기 매치 플레이트(400)가 배치될 수도 있다. 따라서, 상기 탑 플레이트(220)와 상기 인터페이스 모듈(300) 및 상기 매치 플레이트(400)의 배치 방향 및 순서 등에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.2, the
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 매치 플레이트(400)의 아래에는 상기 인터페이스 보드(310)가 배치될 수 있다. 상기 인터페이스 보드(310)는 상기 탑 플레이트(220)의 상면에 배치될 수 있으며, 상기 인터페이스 보드(310)의 하부에는 상기 반도체 소자들(10)의 검사를 위한 전원 공급 소자들과 상기 검사 신호와 출력 신호를 아날로그/디지털 변환을 위한 저항, 콘덴서, 증폭기 등과 같은 수동 소자들이 장착될 수 있다. 상기 인터페이스 보드(310)와 상기 탑 플레이트(220)는 복수의 암수 커넥터(222, 312)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 2, the
상기 인터페이스 보드(310)의 상면에는 상기 소켓 가이드들(320)이 탑재될 수 있으며, 상기 소켓 가이드들(320)에는 상기 테스트 소켓들(330)이 탑재될 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았으나, 상기 테스트 소켓들(330)은 상기 반도체 소자들(10)의 외부 접속 단자들과의 접속을 위한 콘택 단자들을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 콘택 단자들은 다양한 형태로 구현 가능하므로 상기 콘택 단자들의 구성에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.The socket guides 320 may be mounted on the upper surface of the
이와 같이, 상기 인터페이스 보드(310)의 상부와 하부에는 그 구동 과정에서 열을 발생시키는 부재들이 구비되며, 이러한 열은 상기 인터페이스 보드(310)의 온도 분포를 불균일하게 한다. 즉, 상기 인터페이스 보드(310)의 상측으로부터는 상기 테스트 소켓들(330)의 열이 상기 인터페이스 보드(310)에 전도되어 상기 인터페이스 보드(310)의 온도가 상승한다. 상기 인터페이스 보드(310)의 하측으로부터는 상기 인터페이스 보드(310)와 상기 탑 플레이트(220)에 구비된 상기 암수 커넥터들(222, 312)과 상기 탑 플레이트(220)의 열이 상기 인터페이스 보드(310)에 전도되어 상기 인터페이스 보드(310)의 온도가 상승한다. 이로 인해, 상기 인터페이스 보드(310)의 표면 온도 분포가 불균일하게 나타나고 상기 인터페이스 보드(310)는 상기 반도체 소자들(10)을 검사하기 위한 적정 온도를 유지하기 어렵다.As described above, the
이를 방지하기 위해, 상기 온도 조절 유닛(340)은 상기 인터페이스 보드(310)에 탑재되어 상기 인터페이스 보드(310)의 온도를 조절한다.In order to prevent this, the
구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 온도 조절 유닛(340)은 상기 인터페이스 보드(310)와 상기 테스트 트레이(20) 사이에 배치될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 상기 온도 조절 유닛(340)은 상기 소켓 가이드(320)의 일측에 배치될 수 있다.2, the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 온도 조절 유닛(340)은 복수로 구비될 수 있으며, 도 3에 도시된 바와 같이 복수의 온도 조절 유닛(340)은 상기 소켓 가이드(320)를 사이에 두고 2열로 배치될 수 있다.As shown in FIG. 3, the plurality of
또한, 본 발명의 일례로, 하나의 인터페이스 보드(310)에는 4개의 온도 조절 유닛들(340)이 탑재되나, 상기 하나의 인터페이스 보드(310)에 탑재되는 온도 조절 유닛들(340)의 개수는 이에 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, four
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 온도 조절 부재(340)는 열을 상기 인터페이스 보드(310)에 대해 수직 방향으로 방출하는 제1 방열 부재(342)를 구비할 수 있다. 상기 제1 방열 부재(342)는 대체로 직사각 형상을 가질 수 있으며, 히트 스프레더(heat spreader)로 이루어질 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4, the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 방열 부재(342)는 히트 스프레더로 이루어지나, 히트 파이프로 이루어질 수도 있다.In an embodiment of the present invention, the first
또한, 상기 온도 조절 부재(340)는 상기 제1 방열 부재(342)의 아래에 배치되는 제2 방열 부재(344)를 더 구비할 수 있다. 상기 제2 방열 부재(344)는 상기 인터페이스 보드(310)과 상기 제1 방열 부재(342) 사이에 배치될 수 있으며, 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수평 방향으로 분산시킬 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 방열 부재(344)는 대체로 직사각의 시트 형상을 가질 수 있으며, 그라파이트(graphite)로 이루어질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the
여기서, 상기 인터페이스 보드(310)는 상기 소켓 가이드들(320)과 상기 테스트 소켓들(330)이 구비되는 칩 영역(CHA)과 상기 칩 영역(CHA)이 외측에 위치하는 커넥팅 영역(CNA)으로 구획될 수 있으며, 상기 커넥팅 영역(CNA)에는 상기 암수 커넥터들(222, 321)이 위치할 수 있다. 상기 제2 방열 부재(344)는 상기 인터페이스 보드(310)의 상면에서 상기 커넥칭 영역(CHA)을 커버할 수 있다.The
이와 같이, 상기 온도 조절 부재(340)는 수직 방향으로의 열전도도가 높은 상기 제1 방열 부재(342)와 수평 방향으로의 열전도도가 높은 상기 제2 방열 부재(344)를 구비함으로써, 상기 인터페이스 보드(310)의 열을 외부로 신속하게 방출할 수 있다. 즉, 상기 제2 방열 부재(344)는 상기 인터페이스 보드(310)의 하측으로부터 상기 인터페이스 보드(310)에 전도된 열을 수평 방향으로 분산시키고, 상기 제1 방열 부재(342)는 상기 제2 방열 부재(344)에 의해 수평 방향으로 분산된 열과 상기 인터페이스 보드(310)의 상측으로부터 전도된 열을 수직 방향으로 방출한다. 이에 따라, 상기 인터페이스 보드(310)의 열이 신속하게 외부로 방출될 수 있으므로, 상기 인터페이스 보드(310)는 균일한 온도 분포와 상기 반도체 소자들(10)을 검사하기 위한 적정 온도를 유지할 수 있다.The
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 온도 조절 부재(340)는 상기 제1 및 제2 방열 부재들(342, 344)을 상기 인터페이스 보드(310)에 고정시키는 복수의 고정핀(346)을 더 구비할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 고정핀들(346)은 상기 제1 및 제2 방열 부재들(342, 344)을 관통하여 상기 인터페이스 보드(310)에 결합될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 방열 부재들(342, 344)에는 도 4에 도시된 바와 같이 상기 고정핀들(346)을 삽입하기 위한 복수의 관통홀(342A, 344A)이 형성될 수 있다.3 to 5, the
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It will be understood.
10 : 반도체 소자
20 : 테스트 트레이
30 : 인서트 조립체
100 : 테스트 챔버
200 : 테스트 모듈
210 : 테스트 헤드
220 : 탑 플레이트
300 : 인터페이스 모듈
310 : 인터페이스 보드
320 : 소켓 가이드
330 : 테스트 소켓
340 : 온도 조절 부재
342 : 제1 방열 부재
343 : 제2 방열 부재
346 : 고정핀
400 : 매치 플레이트
410 : 푸셔
500 : 반도체 소자 테스트 장치10: Semiconductor device 20: Test tray
30: insert assembly 100: test chamber
200: test module 210: test head
220: top plate 300: interface module
310: Interface Board 320: Socket Guide
330: Test socket 340: Temperature control member
342: first heat radiating member 343: second heat radiating member
346: Fixing pin 400: Match plate
410: pusher 500: semiconductor device test apparatus
Claims (12)
상기 인터페이스 보드에 탑재되는 소켓 가이드;
상기 소켓 가이드에 탑재되며, 상기 반도체 소자들에 접속되는 복수의 테스트 소켓; 및
상기 인터페이스 보드 상에서 상기 소켓 가이드 일측에 배치되고, 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수직 방향으로 방출하는 제1 방열 부재를 구비하며, 상기 인터페이스 보드의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 인터페이스 모듈.An interface board for applying an inspection signal to the semiconductor elements to electrically inspect the semiconductor elements housed in the test tray;
A socket guide mounted on the interface board;
A plurality of test sockets mounted on the socket guides and connected to the semiconductor elements; And
And a temperature regulating unit disposed on the interface board at one side of the socket guide and having a first heat radiating member for emitting heat in a direction perpendicular to the interface board, Interface module.
상기 제1 방열 부재는 히트 스프레더(heat spreader)인 것을 특징으로 하는 인터페이스 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first heat dissipation member is a heat spreader.
상기 온도 조절 유닛은,
상기 제1 방열 부재와 상기 인터페이스 보드 사이에 배치되며, 상기 인터페이스 보드 하측으로부터 전도된 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수평 방향으로 분산시키는 제2 방열 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 인터페이스 모듈.The method according to claim 1,
The temperature control unit includes:
Further comprising a second heat dissipating member disposed between the first heat dissipating member and the interface board and distributing the heat conducted from the lower side of the interface board to the interface board in a horizontal direction.
상기 제2 방열 부재는 시트 형상을 가지며 그라파이트(graphite)로 이루어진 것을 특징으로 하는 인터페이스 모듈.The method of claim 3,
Wherein the second heat dissipation member has a sheet shape and is made of graphite.
상기 인터페이스 보드는 상기 소켓 가이드와 상기 테스트 소켓이 위치하는 칩 영역과 상기 칩 영역의 외측에 위치하는 커넥팅 영역으로 구획될 수 있으며,
상기 제2 방열 부재는 상기 인터페이스 보드 상면에서 상기 커넥팅 영역을 커버하는 것을 특징으로 하는 인터페이스 모듈.5. The method of claim 4,
The interface board may be divided into a chip area where the socket guide and the test socket are located and a connecting area located outside the chip area,
And the second heat radiation member covers the connecting area on the upper surface of the interface board.
상기 온도 조절 유닛은,
상기 제1 및 제2 방열 부재들을 상기 인터페이스 보드에 고정시키기 위해 상기 제1 및 제2 방열 부재들을 관통하여 상기 인터페이스 보드에 결합되는 복수의 고정핀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 인터페이스 모듈.The method of claim 3,
The temperature control unit includes:
Further comprising a plurality of fixing pins coupled to the interface board through the first and second heat dissipating members to fix the first and second heat dissipating members to the interface board.
상기 온도 조절 유닛은 복수로 구비될 수 있으며,
복수의 온도 조절 유닛은 상기 소켓 가이드를 사이에 두고 2열로 배치된 것을 특징으로 하는 인터페이스 모듈.The method according to claim 1,
The plurality of temperature control units may be provided,
Wherein the plurality of temperature control units are arranged in two rows with the socket guides interposed therebetween.
상기 반도체 소자들의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 신호를 제공하고, 상기 반도체 소자들로부터의 출력 신호에 근거하여 상기 반도체 소자들을 검사하는 테스트 모듈; 및
상기 테스트 챔버 안에 배치되며, 상기 테스트 모듈과 상기 반도체 소자들 사이에서 상기 검사 신호 및 출력 신호를 전달하기 위한 인터페이스 모듈을 포함하며,
상기 인터페이스 모듈은,
상기 테스트 모듈에 접속되며, 상기 반도체 소자들에 검사 신호를 인가하기 위한 인터페이스 보드;
상기 인터페이스 보드에 탑재되는 소켓 가이드;
상기 소켓 가이드에 탑재되며, 상기 반도체 소자들에 접속되는 복수의 테스트 소켓; 및
상기 인터페이스 보드 상에서 상기 소켓 가이드 일측에 배치되고, 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수직 방향으로 방출하는 제1 방열 부재를 구비하며, 상기 인터페이스 보드의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치.A test chamber for providing a space for inspecting electrical characteristics of the semiconductor elements accommodated in the test tray;
A test module for providing an inspection signal for inspecting the electrical characteristics of the semiconductor elements and for inspecting the semiconductor elements based on an output signal from the semiconductor elements; And
And an interface module disposed in the test chamber for communicating the test signal and the output signal between the test module and the semiconductor devices,
Wherein the interface module comprises:
An interface board connected to the test module for applying an inspection signal to the semiconductor devices;
A socket guide mounted on the interface board;
A plurality of test sockets mounted on the socket guides and connected to the semiconductor elements; And
And a temperature regulating unit disposed on the interface board at one side of the socket guide and having a first heat radiating member for emitting heat in a direction perpendicular to the interface board, A semiconductor device testing apparatus.
상기 온도 조절 유닛은 상기 인터페이스 보드와 상기 테스트 트레이 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the temperature control unit is located between the interface board and the test tray.
상기 제1 방열 부재는 히트 스프레더(heat spreader)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the first radiation member is a heat spreader.
상기 온도 조절 유닛은,
상기 제1 방열 부재와 상기 인터페이스 보드 사이에 배치되며, 상기 인터페이스 보드 하측으로부터 전도된 열을 상기 인터페이스 보드에 대해 수평 방향으로 분산시키는 제2 방열 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치.10. The method of claim 9,
The temperature control unit includes:
Further comprising a second heat dissipating member disposed between the first heat dissipating member and the interface board and dispersing heat conducted from a lower side of the interface board in a horizontal direction with respect to the interface board.
상기 제2 방열 부재는 시트 형상을 가지며 그라파이트(graphite)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the second heat dissipation member has a sheet shape and is made of graphite.
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