[go: up one dir, main page]

KR20170118869A - 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템 - Google Patents

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20170118869A
KR20170118869A KR1020177026525A KR20177026525A KR20170118869A KR 20170118869 A KR20170118869 A KR 20170118869A KR 1020177026525 A KR1020177026525 A KR 1020177026525A KR 20177026525 A KR20177026525 A KR 20177026525A KR 20170118869 A KR20170118869 A KR 20170118869A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
light
emitting device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020177026525A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102045132B1 (ko
Inventor
마사키 다카하시
히로키 단
노리아키 와키
Original Assignee
파이오니아 가부시키가이샤
도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파이오니아 가부시키가이샤, 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 filed Critical 파이오니아 가부시키가이샤
Publication of KR20170118869A publication Critical patent/KR20170118869A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102045132B1 publication Critical patent/KR102045132B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H01L51/5203—
    • H01L51/5237—
    • H01L51/5293—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3035—Edge emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

기판 (100) 은 투광성을 가지고 있으며, 발광부 (140) 는 기판 (100) 에 형성되어 있다. 발광부 (140) 는, 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 가지고 있다. 유기층 (120) 은 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 사이에 위치하고 있다. 제 2 전극 (130) 은 발광부 (140) 의 외측까지 연장되어 있다. 그리고, 제 2 전극 (130) 중 발광부 (140) 의 외측에 위치하는 부분의 적어도 단부는, 산화되어 있다.

Description

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING SYSTEM}
본 발명은 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템에 관한 것이다.
최근에는 유기 EL 을 이용한 발광 장치의 개발이 진행되고 있다. 이 발광 장치는, 조명 장치나 표시 장치로서 사용되고 있으며, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기층을 둔 구성을 가지고 있다. 그리고, 일반적으로는 제 1 전극에는 투명 재료가 사용되고 있으며, 제 2 전극에는 금속 재료가 사용되고 있다.
유기 EL 을 이용한 발광 장치의 하나로, 특허문헌 1 에 기재된 기술이 있다. 특허문헌 1 의 기술은, 유기 EL 을 이용한 표시 장치에 광투과성 (시스루) 을 갖게 하기 위해, 제 2 전극을 화소의 일부에만 형성하고 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 복수의 제 2 전극 사이에 위치하는 영역은 광을 투과시키기 때문에, 표시 장치는 광투과성을 가질 수 있다. 또한, 특허문헌 1 에 기재된 기술에 있어서, 복수의 제 2 전극 사이에는, 화소를 획정 (劃定) 하기 위해, 투광성의 절연막이 형성되어 있다. 특허문헌 1 에 있어서, 이 절연막의 재료로서, 산화실리콘 등의 무기 재료나, 아크릴 수지 등의 수지 재료가 예시되어 있다.
또, 특허문헌 2 에는, 제 2 전극을 망목상으로 하고, 또한 망목의 피치를 규정함으로써, 발광 장치를 투과한 이미지의 시인성을 향상시키는 것이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2011-23336호 일본 공개특허공보 2014-154404호
발광 장치에 광투과성을 갖게 하기 위해서는, 발광 장치에 제 2 전극을 형성하지 않는 영역을 설정할 필요가 있다. 이를 위해서는, 제 2 전극에 패턴을 갖게 할 필요가 있다. 이 패턴을 형성하는 방법으로는, 예를 들어 증착시에 마스크를 사용하는 방법 등이 있다. 그러나, 제 2 전극의 패턴을 형성할 때, 마스크와 기판의 간극으로부터 증착 재료가 돌아 들어가 제 2 전극의 단부 (端部) 가 제 2 전극의 외측을 향하여 넓어지고, 그 결과, 제 2 전극을 형성하지 않는 영역이 좁아져 발광 장치의 광투과성이 저하될 우려가 생긴다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제로는, 발광 장치의 광투과성이 저하되지 않게 하는 것을 일례로서 들 수 있다.
청구항 1 에 기재된 발명은, 투광성의 기판과,
상기 기판의 제 1 면에 형성된 발광부를 구비하고,
상기 발광부는, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 구비하고,
상기 제 2 전극은 상기 발광부의 외측까지 연장되고, 또한 상기 제 2 전극 중 상기 발광부의 외측에 위치하는 부분의 적어도 단부는 산화되어 있는 발광 장치이다.
청구항 10 에 기재된 발명은, 투광성의 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 공정과,
상기 제 1 전극의 가장자리를 덮어, 발광부를 획정하는 절연층을 형성하는 공정과,
상기 제 1 전극 상에 유기층을 형성하는 공정과,
상기 유기층 상에 제 2 전극을 형성하는 공정과,
상기 제 2 전극 중 상기 발광부의 외측에 위치하는 부분의 단부를 산화시키는 공정을 구비하는 발광 장치의 제조 방법이다.
청구항 14 에 기재된 발명은, 공간을 외부로부터 나누는 투광성의 구획 부재와,
상기 구획 부재의 상기 공간측의 면에 배치된 투광성의 기판과,
상기 기판에 배치된 발광부를 구비하고,
상기 발광부는, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 구비하고,
상기 제 2 전극은 상기 발광부의 외측까지 연장되고, 또한 상기 제 2 전극 중 상기 발광부의 외측에 위치하는 부분의 적어도 단부는 산화되어 있는 발광 시스템이다.
상기 서술한 목적, 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 서술하는 바람직한 실시형태, 및 그것에 부수되는 이하의 도면에 의해 더욱 분명해진다.
도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 도 1 의 주요부를 확대한 도면이다.
도 3 은 발광 장치의 평면도이다.
도 4 는 도 2 의 점선 α 로 둘러싼 영역을 확대한 도면이다.
도 5 는 변형예 1 에 관련된 발광 장치의 주요부를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6 은 변형예 2 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 변형예 3 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 8 은 제 2 실시형태에 관련된 발광 장치의 평면도이다.
도 9 는 도 8 로부터 제 2 전극, 유기층, 및 절연층을 제거한 도면이다.
도 10 은 도 8 의 B-B 단면도이다.
도 11 은 도 8 의 C-C 단면도이다.
도 12 는 도 8 의 D-D 단면도이다.
도 13 은 제 3 실시형태에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 14 는 도 13 의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 15 는 실시예 1 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 16 은 실시예 2 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 17 은 실시예 3 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 18 은 도 17 의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 19 는 실시예 4 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 20 은 실시예 5 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 21 은 실시예 6 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
(제 1 실시형태)
도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 2 는, 도 1 의 주요부를 확대한 도면이다. 제 1 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 는, 기판 (100) 및 발광부 (140) 를 구비하고 있다. 기판 (100) 은 투광성을 가지고 있으며, 발광부 (140) 는 기판 (100) 의 제 1 면 (100a) 에 형성되어 있다. 발광부 (140) 는, 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 가지고 있다. 유기층 (120) 은 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 사이에 위치하고 있다. 제 2 전극 (130) 은 발광부 (140) 의 외측까지 연장되어 있다. 그리고, 제 2 전극 (130) 중 발광부 (140) 의 외측에 위치하는 부분의 적어도 단부는 산화되어 있다. 이하, 상세하게 설명한다.
발광 장치 (10) 는 보텀 이미션형의 조명 장치이며, 기판 (100) 의 제 2 면 (100b) 으로부터 광이 방사된다. 기판 (100) 은, 예를 들어 유리 기판이나 수지 기판 등의 가시광을 투과하는 기판이다. 또, 기판 (100) 은 가요성을 가지고 있어도 된다. 이 경우, 기판 (100) 이 만곡된 상태에서 발광 장치 (10) 를 사용할 수 있다. 가요성을 가지고 있는 경우, 기판 (100) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하이다. 기판 (100) 은, 예를 들어 사각형 등의 다각형이다. 기판 (100) 이 수지 기판인 경우, 기판 (100) 은, 예를 들어 PEN (폴리에틸렌나프탈레이트), PES (폴리에테르술폰), PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), 또는 폴리이미드를 사용하여 형성되어 있다. 또, 기판 (100) 이 수지 기판인 경우, 수분이 기판 (100) 을 투과하는 것을 억제하기 위해, 기판 (100) 의 적어도 일면 (바람직하게는 양면) 에, SiNx 나 SiON 등의 무기 배리어막이 형성되어 있다. 또한, 이 무기 배리어막과 기판 (100) 사이에, 평탄화층 (예를 들어 유기층) 이 형성되어 있어도 된다.
기판 (100) 의 제 1 면 (100a) 에는, 발광부 (140) 가, 제 1 방향을 따라 반복해서 형성되어 있다. 발광부 (140) 는, 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 이 순서로 적층시킨 구성을 가지고 있다.
제 1 전극 (110) 은, 광투과성을 갖는 투명 전극이다. 투명 전극의 재료는, 금속을 포함하는 재료, 예를 들어, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide) 등의 금속 산화물이다. 제 1 전극 (110) 의 두께는, 예를 들어 10 nm 이상 500 nm 이하이다. 제 1 전극 (110) 은, 예를 들어 스퍼터링법 또는 증착법을 사용하여 형성된다. 또한, 제 1 전극 (110) 은, 카본나노튜브, 또는 PEDOT/PSS 등의 도전성 유기 재료여도 된다.
유기층 (120) 은 발광층을 가지고 있다. 유기층 (120) 은, 예를 들어, 정공 주입층, 발광층, 및 전자 주입층을 이 순서로 적층시킨 구성을 가지고 있다. 정공 주입층과 발광층 사이에는 정공 수송층이 형성되어 있어도 된다. 또, 발광층과 전자 주입층 사이에는 전자 수송층이 형성되어 있어도 된다. 유기층 (120) 은 증착법으로 형성되어도 된다. 또, 유기층 (120) 중 적어도 하나의 층, 예를 들어 제 1 전극 (110) 과 접촉하는 층은, 잉크젯법, 인쇄법, 또는 스프레이법 등의 도포법에 의해 형성되어도 된다. 또한, 이 경우, 유기층 (120) 의 나머지 층은, 증착법에 의해 형성되어 있다. 또, 유기층 (120) 의 모든 층이 도포법을 사용하여 형성되어 있어도 된다.
제 2 전극 (130) 은, 가시광을 투과하지 않는 재료, 예를 들어, Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, 및 In 으로 이루어지는 제 1 군 중에서 선택되는 금속, 또는 이 제 1 군에서 선택되는 금속의 합금으로 이루어지는 금속층을 포함하고 있다. 이 경우, 제 2 전극 (130) 은 차광성을 가지고 있다. 제 2 전극 (130) 의 두께는, 예를 들어 10 nm 이상 500 nm 이하이다. 단, 제 2 전극 (130) 은, 제 1 전극 (110) 의 재료로서 예시한 재료를 사용하여 형성되어 있어도 된다. 제 2 전극 (130) 은, 예를 들어 스퍼터링법 또는 증착법을 사용하여 형성된다.
또, 제 1 전극 (110) 의 가장자리는, 절연층 (150) 에 의해 덮여 있다. 절연층 (150) 은 예를 들어 폴리이미드 등의 감광성의 수지 재료에 의해 형성되어 있으며, 제 1 전극 (110) 중 발광부 (140) 가 되는 부분을 둘러싸고 있다. 바꾸어 말하면, 발광부 (140) 는, 절연층 (150) 에 의해 획정되어 있다. 절연층 (150) 을 형성함으로써, 제 1 전극 (110) 의 가장자리에 있어서 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 이 단락되는 것을 억제할 수 있다. 절연층 (150) 은, 예를 들어, 절연층 (150) 이 되는 수지 재료를 도포한 후, 이 수지 재료를 노광 및 현상함으로써 형성된다.
그리고, 제 2 전극 (130) 은 발광부 (140) 의 외측까지 연장되어 있다. 바꾸어 말하면, 제 2 전극 (130) 의 일부의 하방에는, 제 1 전극 (110) 및 유기층 (120) 의 적층 구조가 존재하지 않는다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 제 2 전극 (130) 의 단부는, 절연층 (150) 상에 위치하고 있다. 또, 제 2 전극 (130) 의 폭은 제 1 전극 (110) 의 폭보다 넓게 되어 있다. 이 때문에, 제 2 전극 (130) 의 단부는 제 1 전극 (110) 과 겹쳐 있지 않다. 단, 제 2 전극 (130) 의 폭은 제 1 전극 (110) 의 폭보다 좁아도 된다. 또, 유기층 (120) 은, 절연층 (150) 의 측면 및 상면을 경유하여, 발광부 (140) 의 외측까지 연장되어 있다.
또, 발광부 (140) 옆에는, 투광 영역 (104) 이 형성되어 있다. 투광 영역 (104) 은 가시광을 투과하는 영역이다. 상세하게는, 발광 장치 (10) 중 제 2 전극 (130) 이 형성되어 있는 영역은, 차광 영역 (102) 으로 되어 있다. 그리고 투광 영역 (104) 은, 인접하는 차광 영역 (102) 의 사이 (즉 인접하는 발광부 (140) 의 사이) 에 형성되어 있다. 투광 영역 (104) 은, 제 2 전극 (130) 이 형성되어 있지 않은 영역이다. 단, 유기층 (120) 이 투광성인 경우에는 투광 영역 (104) 에 유기층 (120) 이 형성되어 있어도 된다.
그리고, 제 2 전극 (130) 중 발광부 (140) 의 외측에 위치하는 부분의 단부, 예를 들어 제 2 전극 (130) 중 절연층 (150) 상에 위치하는 부분의 단부는, 산화부 (136) 로 되어 있다. 산화부 (136) 는 제 2 전극 (130) 이 산화된 부분이다. 예를 들어 제 2 전극 (130) 이 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 의해 형성되어 있는 경우, 산화부 (136) 는 산화알루미늄을 포함하고 있다. 그리고, 산화부 (136) 에 있어서의 가시광의 투과율은, 제 2 전극 (130) 의 다른 부분에 있어서의 가시광의 투과율보다 높다.
도 3 은, 발광 장치 (10) 의 평면도이다. 또한, 도 1 은 도 3 의 A-A 단면에 대응하고 있다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 차광 영역 (102), 발광부 (140), 및 투광 영역 (104) 은, 직선상 (直線狀) (도 3 에 있어서의 y 방향) 으로 연장되어 있다. 그리고, 발광부 (140) 가 연장되는 방향에 직교하는 방향 (도 3 에 있어서의 x 방향) 으로, 차광 영역 (102) 및 투광 영역 (104) 은 교대로 반복해서 형성되어 있다.
또한, 인접하는 발광부 (140) 사이의 영역에는, 모두 투광 영역 (104) 이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 단, 어느 발광부 (140) 사이의 영역에 있어서, 투광 영역 (104) 은 형성되어 있지 않아도 된다.
도 4 는, 도 2 의 점선 α 로 둘러싼 영역을 확대한 도면이다. 본 도면에 나타내는 바와 같이, 절연층 (150) 의 측면은 완만하게 경사져 있고, 유기층 (120) 도 이 경사면을 따라 형성되어 있다. 그리고, 절연층 (150) 의 상면에는, 제 2 전극 (130) 및 산화부 (136) 가 위치하고 있다. 산화부 (136) (즉 제 2 전극 (130) 의 단부) 는 제 2 전극 (130) 의 다른 부분보다 얇고, 또, 가장자리에 가까워짐에 따라서 서서히 얇아지고 있다.
또한, 제 2 전극 (130) 의 두께 방향에 있어서, 산화부 (136) 의 하방에 산화되어 있지 않은 제 2 전극 (130) 이 남아 있어도 된다. 예를 들어, 도 4 에 나타내는 예에 있어서, 산화부 (136) 중 제 2 전극 (130) 의 중앙측의 단부는, 두께 방향에 있어서 제 2 전극 (130) 의 표층에만 위치하고 있다.
다음으로, 발광 장치 (10) 의 제조 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 기판 (100) 에 제 1 전극 (110) 을, 예를 들어 스퍼터링법을 사용하여 형성한다. 이어서, 제 1 전극 (110) 을 예를 들어 포토리소그래피법을 이용하여 소정의 패턴으로 한다. 이어서, 제 1 전극 (110) 의 가장자리 위에 절연층 (150) 을 형성한다. 예를 들어 절연층 (150) 이 감광성의 수지로 형성되어 있는 경우, 절연층 (150) 은, 노광 및 현상 공정을 거침으로써 소정의 패턴으로 형성된다. 이어서, 유기층 (120) 을 형성한다. 유기층 (120) 의 각 층은, 증착법을 사용하여 형성되어도 되고, 도포법을 사용하여 형성되어도 된다.
이어서, 유기층 (120) 상에 제 2 전극 (130) 을 형성한다. 제 2 전극 (130) 은, 예를 들어 마스크를 사용한 증착법을 사용하여 형성된다. 이 때, 기판 (100) 과 마스크의 간극으로부터 증착 재료가 돌아 들어가, 제 2 전극 (130) 의 단부가 제 2 전극 (130) 의 외측을 향하여 넓어져, 제 2 전극 (130) 이 설계값보다 넓어지는 경우가 있다. 그리고, 제 2 전극 (130) 의 단부는 제 2 전극 (130) 의 다른 부분과 비교하여 얇아진다.
이어서, 제 2 전극 (130) 중 발광부 (140) 의 외측에 위치하는 부분의 단부를 산화시킨다. 이로써, 산화부 (136) 가 형성된다. 이 산화 처리는, 예를 들어, 산소를 포함하는 분위기 등의 산화 분위기하에서 제 2 전극 (130) 의 단부에 레이저를 조사함으로써 실시된다.
그 후, 봉지 부재 (도시 생략) 를 사용하여 발광부 (140) 를 봉지한다.
이상, 제 1 실시형태에 의하면, 제 2 전극 (130) 의 단부는 산화되어 산화부 (136) 가 되어 있다. 산화부 (136) 는 제 2 전극 (130) 과 비교하여 가시광의 투과율은 높다. 이 때문에, 제 2 전극 (130) 의 단부가 제 2 전극 (130) 의 외측을 향하여 넓어져, 제 2 전극 (130) 이 설계값보다 넓어져도, 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
(변형예 1)
도 5 는, 변형예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 의 주요부를 설명하기 위한 단면도이며, 제 1 실시형태에 있어서의 도 4 에 대응하고 있다. 본 변형예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 산화부 (136) 가 제 2 전극 (130) 의 표면의 전체에 걸쳐 형성되어 있는 점을 제외하고, 제 1 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
상세하게는, 산화부 (136) 는, 제 2 전극 (130) 의 표층을 산화 분위기에서 처리함으로써 형성되어 있다. 이 때, 제 2 전극 (130) 중 표면으로부터 일정한 깊이까지의 영역은 산화된다. 여기에서, 제 2 전극 (130) 의 단부는, 제 2 전극 (130) 의 다른 영역과 비교하여 얇다. 이 때문에, 두께 방향에서 본 경우, 제 2 전극 (130) 의 단부의 전체는, 산화부 (136) 가 된다. 한편, 제 2 전극 (130) 의 다른 부분은 표층만이 산화부 (136) 가 되고, 적어도 하층은 금속층인 상태 그대로이다. 이 때문에, 제 2 전극 (130) 은 고저항화되지 않는다. 또, 산화부 (136) 의 산화를 일괄 처리할 수 있기 때문에 공정의 간이화에 기여할 수 있다.
또한, 상기한 산화 분위기는, 예를 들어 O2, N2O, H2O2, 및 O3 의 적어도 하나를 포함하고 있다.
본 변형예에 의해서도, 제 2 전극 (130) 의 단부는 산화되어 산화부 (136) 가 되어 있다. 이 때문에, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 제 2 전극 (130) 의 단부가 제 2 전극 (130) 의 외측을 향하여 넓어져, 제 2 전극 (130) 이 설계값보다 넓어져도, 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
또, 제 2 전극 (130) 을 산화 분위기 중에서 처리하는 대신에, 제 2 전극 (130) 의 전체면에 레이저를 조사해도, 도 5 에 나타낸 구조가 얻어진다. 또 이 경우, 실시형태와 비교하여 레이저의 조사 위치를 엄밀하게 제어할 필요가 없어지기 때문에, 발광 장치 (10) 의 제조 공정을 간략화할 수 있다.
(변형예 2)
도 6 은, 변형예 2 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이며, 제 1 실시형태에 있어서의 도 1 에 대응하고 있다. 본 변형예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 투광 영역 (104) 에도 유기층 (120) 이 형성되어 있는 점을 제외하고, 제 1 실시형태 또는 변형예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
본 변형예에 있어서도, 제 2 전극 (130) 의 단부는 산화되어 산화부 (136) 가 되어 있다. 이 때문에, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다. 또, 투광 영역 (104) 에도 유기층 (120) 이 형성되어 있기 때문에, 복수의 차광 영역 (102) 및 복수의 투광 영역 (104) 에 유기층 (120) 을 연속해서 형성할 수 있다. 이 때문에, 유기층 (120) 을 패턴으로 할 필요가 없어져, 발광 장치 (10) 의 제조 비용을 낮출 수 있다.
(변형예 3)
도 7 은, 변형예 3 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이며, 제 1 실시형태에 있어서의 도 1 에 대응하고 있다. 본 변형예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 도전부 (170) 를 구비하는 점을 제외하고, 제 1 실시형태 또는 변형예 1, 2 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
도전부 (170) 는 예를 들어 제 1 전극 (110) 의 보조 전극이며, 제 1 전극 (110) 에 접촉하고 있다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 도전부 (170) 는 제 1 전극 (110) 상에 형성되어 있다. 도전부 (170) 는 제 1 전극 (110) 보다 저항값이 낮은 재료에 의해 형성되어 있으며, 예를 들어 적어도 하나의 금속층을 사용하여 형성되어 있다. 도전부 (170) 는, 예를 들어 Mo 또는 Mo 합금 등의 제 1금속층, Al 또는 Al 합금 등의 제 2 금속층, 및 Mo 또는 Mo 합금 등의 제 3 금속층을 이 순서로 적층시킨 구성을 가지고 있다. 이들 3 개의 금속층 중 제 2 금속층이 가장 두껍다. 그리고 도전부 (170) 는, 절연층 (150) 에 의해 덮여 있다. 이 때문에, 도전부 (170) 는 유기층 (120) 및 제 2 전극 (130) 의 어느 것에도 직접 접속하고 있지 않다.
본 변형예에 관련된 발광 장치 (10) 의 제조 방법은, 제 1 전극 (110) 을 형성한 후 또한 절연층 (150) 을 형성하기 전에, 도전부 (170) 를 형성하는 점을 제외하고, 제 1 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다. 도전부 (170) 는, 예를 들어 도전부 (170) 가 되는 막을 스퍼터링법이나 증착법으로 형성한 후, 이 막을 리소그래피법을 사용하여 패터닝함으로써 형성된다. 단, 도전부 (170) 는, 마스크를 사용한 스퍼터링법을 사용하여 형성되어도 된다.
본 변형예에 의해서도, 제 2 전극 (130) 의 단부는 산화되어 산화부 (136) 가 되어 있다. 이 때문에, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다. 또, 도전부 (170) 가 형성되어 있기 때문에, 제 1 전극 (110) 의 외관상의 저항을 낮출 수 있다.
(제 2 실시형태)
도 8 은, 제 2 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 의 평면도이다. 도 9 는, 도 8 로부터 제 2 전극 (130), 유기층 (120), 및 절연층 (150) 을 제거한 도면이다. 도 10 은 도 8 의 B-B 단면도이고, 도 11 은 도 8 의 C-C 단면도이며, 도 12 는 도 8 의 D-D 단면도이다.
본 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 는 디스플레이이며, 기판 (100), 복수의 제 1 전극 (110), 발광부 (140), 절연층 (150), 복수의 개구 (152), 복수의 개구 (154), 복수의 인출 배선 (114), 유기층 (120), 복수의 제 2 전극 (130), 및 복수의 인출 배선 (134) 을 가지고 있다.
제 1 전극 (110) 은, 제 1 방향 (도 9 에 있어서의 Y 방향) 으로 라인상으로 연장되어 있다. 그리고 제 1 전극 (110) 의 단부는, 인출 배선 (114) 에 접속되어 있다.
인출 배선 (114) 은, 제 1 전극 (110) 을 제 1 단자 (112) 에 접속시키는 배선이다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 인출 배선 (114) 의 일단측은 제 1 전극 (110) 에 접속되어 있고, 인출 배선 (114) 의 타단측은 제 1 단자 (112) 가 되어 있다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 제 1 전극 (110) 및 인출 배선 (114) 은 일체로 되어 있다. 그리고 인출 배선 (114) 상에는, 도전부 (170) 가 형성되어 있다. 도전부 (170) 의 구성은, 변형예 3 과 동일하다. 또한, 인출 배선 (114) 의 일부는 절연층 (150) 에 의해 덮여 있다.
절연층 (150) 은, 도 8, 및 도 10 ∼ 도 12 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 1 전극 (110) 상 및 그 사이의 영역에 형성되어 있다. 절연층 (150) 에는, 복수의 개구 (152) 및 복수의 개구 (154) 가 형성되어 있다. 복수의 제 2 전극 (130) 은, 제 1 전극 (110) 과 교차하는 방향 (예를 들어 직교하는 방향 : 도 8 에 있어서의 X 방향) 으로 서로 평행하게 연장되어 있다. 개구 (152) 는, 평면에서 볼 때, 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 의 교점에 위치하고 있다. 구체적으로는, 복수의 개구 (152) 는, 제 1 전극 (110) 이 연장되는 방향 (도 8 에 있어서의 Y 방향) 으로 나열되어 있다. 또, 복수의 개구 (152) 는, 제 2 전극 (130) 의 연장 방향 (도 8 에 있어서의 X 방향) 으로도 나열되어 있다. 이 때문에, 복수의 개구 (152) 는 매트릭스를 구성하도록 배치되어 있게 된다.
개구 (154) 는, 평면에서 볼 때, 복수의 제 2 전극 (130) 의 각각의 일단측과 겹치는 영역에 위치하고 있다. 또 개구 (154) 는, 개구 (152) 가 구성하는 매트릭스의 1 변을 따라 배치되어 있다. 그리고 이 1 변을 따르는 방향 (예를 들어 도 8 에 있어서의 Y 방향, 즉 제 1 전극 (110) 을 따르는 방향) 에서 본 경우, 개구 (154) 는, 소정의 간격으로 배치되어 있다. 개구 (154) 로부터는, 인출 배선 (134) 의 일부분이 노출되어 있다. 그리고, 인출 배선 (134) 은, 개구 (154) 를 통해 제 2 전극 (130) 에 접속되어 있다.
인출 배선 (134) 은, 제 2 전극 (130) 을 제 2 단자 (132) 에 접속시키는 배선이며, 제 1 전극 (110) 과 동일한 재료로 이루어지는 층을 가지고 있다. 인출 배선 (134) 의 일단측은 개구 (154) 아래에 위치하고 있고, 인출 배선 (134) 의 타단측은, 절연층 (150) 의 외부로 인출되어 있다. 그리고 본 도면에 나타내는 예에서는, 인출 배선 (134) 의 타단측이 제 2 단자 (132) 가 되어 있다. 그리고 인출 배선 (134) 상에는, 도전부 (170) 가 형성되어 있다. 도전부 (170) 의 구성은, 변형예 3 과 동일하다. 또한, 인출 배선 (134) 의 일부는 절연층 (150) 에 의해 덮여 있다.
개구 (152) 와 겹치는 영역에는, 유기층 (120) 이 형성되어 있다. 유기층 (120) 의 정공 주입층은 제 1 전극 (110) 에 접해 있고, 유기층 (120) 의 전자 주입층은 제 2 전극 (130) 에 접해 있다. 이 때문에, 발광부 (140) 는, 개구 (152) 와 겹치는 영역 각각에 위치하고 있게 된다.
제 2 전극 (130) 의 가장자리는 산화되어 있어, 산화부 (136) 가 되어 있다. 산화부 (136) 의 상세한 내용은, 실시형태에 나타낸 바와 같다. 그리고, 실시형태와 마찬가지로, 인접하는 제 2 전극 (130) 의 사이가 투광 영역 (104) 이 되어 있고, 또한 제 2 전극 (130) 과 겹치는 영역이 차광 영역 (102) 이 되어 있다.
본 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 의 제조 방법은, 변형예 3 에 관련된 발광 장치 (10) 의 제조 방법과 동일하다.
본 실시형태에 의해서도, 제 2 전극 (130) 의 단부는 산화되어 산화부 (136) 가 되어 있다. 이 때문에, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
(제 3 실시형태)
도 13 은, 제 3 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이며, 제 1 실시형태에 있어서의 도 1 에 대응하고 있다. 본 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 는, 광산란층 (180) 을 가지고 있는 점을 제외하고, 상기 서술한 각 실시형태 및 각 변형예의 어느 것과 동일한 구성을 가지고 있다. 본 도면은, 변형예 3 과 동일한 경우를 나타내고 있다.
광산란층 (180) 은, 기판 (100) 의 제 2 면 (100b) 에 형성되어 있다. 광산란층 (180) 은, 제 2 전극 (130) 의 적어도 단부 (산화부 (136)) 와 겹쳐 있다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 제 2 전극 (130) 의 전체와 겹쳐 있다. 광산란층 (180) 의 단부는, 제 2 전극 (130) 중 절연층 (150) 상에 위치하는 부분과 겹쳐 있다. 즉, 광산란층 (180) 의 대부분은 투광 영역 (104) 과 겹쳐 있지 않다. 또한, 광산란층 (180) 전부가 투광 영역 (104) 과 겹쳐 있지 않아도 된다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 광산란층 (180) 은 발광부 (140) 에도 겹쳐 있다. 단, 광산란층 (180) 은 발광부 (140) 와 겹쳐 있지 않아도 된다.
또한, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 광산란층 (180) 의 단부는, 투광 영역 (104) 중 차광 영역 (102) 에 가까운 부분에 위치하고 있어도 된다. 이 경우, 광산란층 (180) 의 단부에서부터 제 2 전극 (130) 의 단까지의 거리 (w) 는, 예를 들어 투광 영역 (104) 의 10 ％ 이하인 것이 바람직하다.
광산란층 (180) 은, 유기 재료 또는 무기 재료로 이루어지는 바인더 (베이스재) 에 복수의 입자를 혼합한 것이다. 단, 광산란층 (180) 의 구성은 이것에 한정되지 않는다.
광산란층 (180) 의 바인더 (베이스재) 는, 예를 들어 이미드계, 아크릴계, 에테르계, 실란계, 또는 실록산계의 유기 재료여도 되고, 유리 페이스트, 유리 프릿, 또는 SiO2 졸 등의 무기 재료여도 된다. 광산란층 (180) 의 바인더의 굴절률은, 예를 들어 1.2 이상 2.2 이하, 바람직하게는 1.6 이상 1.9 이하이다.
광산란층 (180) 의 입자는, 예를 들어 무기 재료로 이루어진다. 입자를 구성하는 재료는, 예를 들어 산화티탄, 산화지르코늄, 또는 산화실리콘 등의 산화물이다. 입자의 입경, 예를 들어 구 상당경 (직경) 의 평균값은, 예를 들어 100 nm 이상 5 ㎛ 이하이지만, 이 범위에 한정되지 않는다. 입자는, 투광성 또는 광반사성의 일방을 가지고 있다. 입자가 투광성을 가지고 있는 경우, 입자의 굴절률은 후술하는 접착층 (200) 의 바인더의 굴절률과 상이하다.
광산란층 (180) 의 전체에 대한 입자의 체적 비율은, 예를 들어 20 ％ 이상 50 ％ 이하이다. 이 체적 비율은, 예를 들어 기판 (100) 의 두께 방향의 단면에 있어서, 광산란층 (180) 에 대한 입자의 면적 점유율로 정의할 수 있다. 그리고, 입자의 재료 및 이 체적 비율 (즉 광산란층 (180) 의 입자의 함유율) 을 조정함으로써, 광산란층 (180) 의 굴절률을 조정할 수 있다.
본 실시형태에 의해서도, 제 2 전극 (130) 의 단부는 산화되어 산화부 (136) 가 되어 있다. 이 때문에, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다. 또, 광산란층 (180) 은 제 2 전극 (130) 의 산화부 (136) 와 겹쳐 있다. 따라서, 제 2 전극 (130) 의 산화부 (136) 를 잘 눈에 띄지 않게 할 수 있다. 또, 광산란층 (180) 은 발광부 (140) 와 겹쳐 있는 경우, 발광 장치 (10) 의 광취출 효율은 향상된다.
(실시예 1)
도 15 는, 실시예 1 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다. 이 발광 시스템은, 발광 장치 (10) 및 구획 부재 (20) 를 가지고 있다. 구획 부재 (20) 는 투광성을 가지고 있으며, 공간을 외부로부터 나누고 있다. 이 공간은, 예를 들어 사람이 체재하는 공간, 또는 상품 등의 것이 배치되어 있는 공간이다. 발광 장치 (10) 는, 상기한 실시형태 및 변형예의 어느 것과 동일한 구성을 가지고 있다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 기판 (100) 중 발광부 (140) 가 형성되어 있는 측의 면 (제 1 면 (100a)) 은, 사람이 체재하는 공간을 향해 있다.
구획 부재 (20) 는, 예를 들어 사람이 이동하기 위한 이동체 (30) 의 창, 또는 쇼케이스의 창이며, 유리 또는 투광성의 수지를 사용하여 형성되어 있다. 이동체 (30) 는, 예를 들어 자동차, 열차, 또는 비행기이다. 이동체 (30) 가 자동차인 경우, 구획 부재 (20) 는 프론트 유리, 리어 유리, 또는 좌석 옆에 장착된 창유리 (예를 들어 도어 글라스) 이다. 구획 부재 (20) 가 리어 유리인 경우, 복수의 발광부 (140) 는 예를 들어 브레이크 램프로서 기능한다. 또, 구획 부재 (20) 가 프론트 유리 또는 리어 유리인 경우, 복수의 발광부 (140) 는 턴 램프여도 된다. 또, 구획 부재 (20) 는, 회의실 등의 방의 내부와 외부를 나누는 창이어도 된다. 발광부 (140) 의 점등/비점등에 의해, 회의실을 이용하고 있는지 여부를 식별할 수 있는 발광 시스템이어도 된다.
그리고, 발광 장치 (10) 의 제 2 면 (100b), 즉 광취출측의 면은, 접착층 (200) 을 개재하여 구획 부재 (20) 의 내면 (제 1 면 (22)) 에 고정되어 있다. 이 때문에, 발광 장치 (10) 의 발광부 (140) 로부터 방사된 광은, 구획 부재 (20) 를 통해 상기한 공간 (예를 들어 이동체 (30)) 의 외부로 방사된다. 한편, 발광 장치 (10) 는 광투과성을 가지고 있다. 이 때문에, 사람은, 구획 부재 (20) 를 통해 공간의 외부나 내부를 시인할 수 있다. 예를 들어 이동체 (30) 의 내측에 위치하는 사람은, 구획 부재 (20) 를 통해 이동체 (30) 의 외부를 시인할 수 있다. 또한, 기판 (100) 의 제 2 면 (100b) 의 전체면이 접착층 (200) 을 개재하여 구획 부재 (20) 의 제 1 면 (22) 에 고정되어 있어도 되고, 제 2 면 (100b) 의 일부 (예를 들어 서로 대향하는 2 변) 가 구획 부재 (20) 의 제 1 면 (22) 에 고정되어 있어도 된다.
접착층 (200) 은 발광 장치 (10) 를 구획 부재 (20) 에 고정시키고 있다. 이와 같은 기능을 하는 재료라면, 접착층 (200) 의 재료는 특별히 한정은 되지 않는다. 또, 예를 들어 구획 부재 (20) 와 기판 (100) 이 모두 유리로 형성된 경우 등, 구획 부재 (20) 의 굴절률과 발광 장치 (10) 의 기판 (100) 의 굴절률이 거의 동일한 경우에는, 접착층 (200) 에는, 양자와 동일하거나 가까운 굴절률을 갖는 재료를 사용한다. 또, 구획 부재 (20) 와 기판 (100) 에서 굴절률이 상이한 (예를 들어, 구획 부재 (20) 가 플라스틱으로 형성되고, 기판 (100) 이 유리로 형성되는) 경우에는, 접착층 (200) 의 굴절률은 구획 부재 (20) 의 굴절률과 기판 (100) 의 굴절률 사이의 수치가 바람직하다. 이와 같이 하면, 발광 장치 (10) 의 발광을, 구획 부재 (20) 를 통해 외부로 효율적으로 광취출이 가능하다. 또, 발광 장치 (10) 와 구획 부재 (20) 는 간극 없이 접착되는 것이 바람직하다. 간극이 있으면 발광 장치 (10) 로부터의 발광이 구획 부재 (20) 에 의해 반사되어, 그 반사광이 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 을 통해 내부로 전달되기 때문이다.
발광 장치 (10) 는, 실시형태 및 각 변형예의 어느 것에 나타낸 구성을 가지고 있다. 따라서, 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 2 전극 (130) 의 산화부 (136) 의 가시광의 투과율이 90 ％ 이하인 경우, 발광부 (140) 의 광의 일부가 산란 또는 반사된 경우에서도, 산란 광이나 반사광이 기판 (100) 과는 반대측 (예를 들어 이동체 (30) 의 내측) 으로 방사되는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 2)
도 16 은, 실시예 2 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 시스템은, 발광 장치 (10) 가 구획 부재 (20) 중 이동체 (30) 의 외측의 면 (제 2 면 (24)) 에 장착되어 있는 점을 제외하고, 실시예 1 에 관련된 발광 시스템과 동일한 구성이다.
본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 상기한 실시형태 및 각 변형예의 어느 것과 동일한 구성을 가지고 있다. 단, 발광 장치 (10) 는, 구획 부재 (20) 와는 반대측의 면이 광취출면으로 되어 있다. 이와 같이 하기 위해서는, 발광 장치 (10) 의 제 1 면 (100a) 측의 면을 구획 부재 (20) 에 대향시키면 된다.
본 실시예에 의해서도, 실시예 1 과 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
또, 발광 장치 (10) 로부터의 광은 구획 부재 (20) 를 통하지 않고 직접 이동체 (30) 의 외부로 방사된다. 이 때문에, 실시예 1 과 비교하여, 이동체 (30) 의 외부에 있는 사람은 발광 장치 (10) 로부터의 광을 인식하기 쉽다. 또, 이동체 (30) 의 외부, 즉 구획 부재 (20) 의 제 2 면 (24) 측에 발광 장치 (10) 를 장착하고 있기 때문에, 발광 장치 (10) 의 발광이 구획 부재 (20) 에 의해 반사되어 이동체 (30) 의 내부로 들어가는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 3)
도 17 은, 실시예 3 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 시스템은, 고정 부재 (210) 를 사용하여 발광 장치 (10) 를 구획 부재 (20) 에 고정시키고 있는 점을 제외하고, 실시예 1 에 관련된 발광 시스템과 동일한 구성이다.
고정 부재 (210) 는 프레임상의 부재이며, 하면이 접착층 (200) 을 사용하여 구획 부재 (20) 에 고정되어 있다. 고정 부재 (210) 의 상부는 고정 부재 (210) 의 내측을 향하여 절곡되어 있으며, 이 절곡되어 있는 부분에서 발광 장치 (10) 의 가장자리를 누르고 있다. 단, 고정 부재 (210) 의 형상은, 본 도면에 나타내는 예에 한정되지 않는다.
본 실시예에 의해서도, 실시예 1 과 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
또, 도 18 에 나타내는 바와 같이, 이동체 (30) 의 외측을 향하여 볼록해지는 방향으로 구획 부재 (20) 가 만곡되어 있는 경우가 있다. 이와 같은 경우에 있어서, 평판 상의 발광 장치 (10) 를 구획 부재 (20) 의 내면 (제 1 면 (22)) 에 직접 고정시키는 것은 어렵다. 그러나, 고정 부재 (210) 를 사용하면, 이와 같은 경우에서도 발광 장치 (10) 를 구획 부재 (20) 의 제 1 면 (22) 에 고정시킬 수 있다.
이와 같은 방법으로 만곡되는 구획 부재 (20) 와 평판 상의 발광 장치 (10) 를 고정시킨 경우, 구획 부재 (20) 와 발광 장치 (10) 사이의 간극에 충전제를 충전해도 된다. 상기 서술한 바와 같이, 간극이 있으면 발광 장치 (10) 로부터의 발광이 구획 부재 (20) 에 의해 반사되고, 그 반사광이 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 을 통해 내부로 전달되기 때문이다. 구획 부재 (20) 의 굴절률과 발광 장치 (10) 의 기판 (100) 의 굴절률이 서로 거의 동일한 경우 (예를 들어 양자 모두 유리로 형성되어 있는 경우) 에는, 충전 부재의 굴절률은, 이들의 굴절률과 동일하거나 가까운 값인 것이 바람직하다. 또, 구획 부재 (20) 와 기판 (100) 에서 굴절률이 상이한 (예를 들어, 구획 부재 (20) 가 플라스틱으로 형성되고, 기판 (100) 이 유리로 형성되는) 경우에는, 충전제의 굴절률은 구획 부재 (20) 의 굴절률과 발광 장치 (10) 의 기판 (100) 의 굴절률 사이의 수치가 바람직하다.
(실시예 4)
도 19 는, 실시예 4 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 시스템은, 발광부 (140) 가 구획 부재 (20) 의 제 1 면 (22) 또는 제 2 면 (24) 에 형성되어 있는 점을 제외하고, 실시예 1 에 관련된 발광 시스템과 동일한 구성이다. 바꾸어 말하면, 본 실시예에 있어서, 구획 부재 (20) 는 실시예 1 에 있어서의 기판 (100) 을 겸하고 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 구획 부재 (20) 중 발광부 (140) 가 형성되는 면에 오목부를 형성하고, 이 오목부 내에 발광부 (140) 를 형성해도 된다. 예를 들어, 복수의 발광부 (140) 가 형성되는 영역에 1 개의 오목부를 형성하고, 이 오목부의 바닥면에 복수의 발광부 (140) 를 형성해도 되고, 복수의 발광부 (140) 의 각각에 개별적으로 오목부를 형성해도 된다. 이 경우, 발광부 (140) 의 봉지는 투과성이 높은 구성, 예를 들어 막 봉지 등에 의해, 복수의 오목부를 한번에 봉지하는 구성이어도 된다. 오목부가 발광부 (140) 에 대해 개별, 또는 복수 중 어느 경우에 있어서도, 구획 부재 (20) 로부터 발광부 (140) 가 돌출되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 구획 부재 (20) 의 오목부에 발광부 (140) 를 형성하는 경우에 있어서, 발광부 (140) 의 상부는 구획 부재 (20) 의 제 1 면 (22) (또는 제 2 면 (24)) 으로부터 돌출되어 있어도 되고, 발광부 (140) 전체가 제 1 면 (22) (또는 제 2 면 (24)) 의 하방에 위치하고 있어도 된다.
본 실시예에 의해서도, 실시예 1 과 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 5)
도 20 은, 실시예 5 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 시스템은, 구획 부재 (20) 에 복수의 발광 장치 (10) 가 장착되어 있는 점을 제외하고, 상기한 실시형태 및 각 변형예 그리고 실시예 1 ∼ 4 중 어느 것과 동일한 구성이다. 복수의 발광 장치 (10) 는, 서로 동일한 제어 신호에 따라 발광 및 소등이 제어되어 있어도 되고, 서로 상이한 제어 신호에 따라 발광 및 소등이 제어되어 있어도 된다.
본 실시예에 의해서도, 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 6)
도 21 은, 실시예 6 에 관련된 발광 시스템의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 시스템은, 구획 부재 (20) 의 구성 및 발광 장치 (10) 의 위치를 제외하고, 실시예 1 에 관련된 발광 시스템과 동일한 구성이다.
본 실시예에 있어서, 구획 부재 (20) 는, 복수 장의 투광 부재 (21) (예를 들어 유리판이나 수지판) 를 중첩시킨 구성을 가지고 있다. 그리고, 발광 장치 (10) 는, 인접하는 투광 부재 (21) 의 사이에 끼워짐으로써, 구획 부재 (20) 에 장착되어 있다.
본 실시예에 의해서도, 발광 장치 (10) 의 투광 영역 (104) 이 좁아지는 것을 억제할 수 있다.
이상, 도면을 참조하여 실시형태 및 실시예에 대하여 서술하였지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 여러 가지 구성을 채용할 수도 있다.
이 출원은, 2015년 2월 25일에 출원된 일본 출원 특원 2015-035822호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시 전부를 여기에 받아들인다.

Claims (14)

  1. 투광성의 기판과,
    상기 기판의 제 1 면에 형성된 발광부를 구비하고,
    상기 발광부는, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 구비하고,
    상기 제 2 전극은 상기 발광부의 외측까지 연장되고, 또한 상기 제 2 전극 중 상기 발광부의 외측에 위치하는 부분의 적어도 단부는 산화되어 있는, 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단부의 가시광의 투과율은, 상기 제 2 전극의 다른 부분의 가시광의 투과율보다 높은, 발광 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 단부의 막두께는, 상기 제 2 전극의 다른 부분의 막두께보다 얇은, 발광 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극의 가장자리를 덮는 절연층을 구비하고,
    상기 단부는 상기 절연층 상에 위치하고 있는, 발광 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광부 옆에 위치하고, 가시광을 투과하는 투광 영역을 구비하는, 발광 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    복수의 상기 발광부를 구비하고,
    상기 투광 영역은 상기 복수의 발광부 사이에 위치하고 있는, 발광 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 유기층은 상기 투광 영역에도 형성되어 있고, 또한 가시광을 투과하는, 발광 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 알루미늄을 포함하는, 발광 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 제 2 면에 위치하는 광확산층을 구비하고,
    상기 광확산층은 적어도 상기 제 2 전극의 상기 단부와 겹쳐 있는, 발광 장치.
  10. 투광성의 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 전극의 가장자리를 덮어, 발광부를 획정하는 절연층을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 전극 상에 유기층을 형성하는 공정과,
    상기 유기층 상에 제 2 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제 2 전극 중 상기 발광부의 외측에 위치하는 부분의 단부를 산화시키는 공정을 구비하는, 발광 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 단부를 산화시키는 공정은, 상기 단부에 레이저를 조사하는, 발광 장치의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 단부를 산화시키는 공정은, 산화 분위기에 노출시키는 공정을 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 산화 분위기는, N2O, H2O2, O2 및 O3 의 적어도 하나를 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
  14. 공간을 외부로부터 나누는 투광성의 구획 부재와,
    상기 구획 부재의 상기 공간측의 면에 배치된 투광성의 기판과,
    상기 기판에 배치된 발광부를 구비하고,
    상기 발광부는, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 구비하고,
    상기 제 2 전극은 상기 발광부의 외측까지 연장되고, 또한 상기 제 2 전극 중 상기 발광부의 외측에 위치하는 부분의 적어도 단부는 산화되어 있는, 발광 시스템.
KR1020177026525A 2015-02-25 2016-02-18 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템 Active KR102045132B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-035822 2015-02-25
JP2015035822 2015-02-25
PCT/JP2016/054726 WO2016136589A1 (ja) 2015-02-25 2016-02-18 発光装置、発光装置の製造方法、及び発光システム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197030629A Division KR102116656B1 (ko) 2015-02-25 2016-02-18 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170118869A true KR20170118869A (ko) 2017-10-25
KR102045132B1 KR102045132B1 (ko) 2019-11-14

Family

ID=56788486

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177026525A Active KR102045132B1 (ko) 2015-02-25 2016-02-18 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템
KR1020197030629A Active KR102116656B1 (ko) 2015-02-25 2016-02-18 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197030629A Active KR102116656B1 (ko) 2015-02-25 2016-02-18 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10319936B2 (ko)
JP (4) JP6615859B2 (ko)
KR (2) KR102045132B1 (ko)
CN (2) CN107409459B (ko)
WO (1) WO2016136589A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018061117A1 (ja) * 2016-09-28 2019-07-04 パイオニア株式会社 発光システム
JP2018060600A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 パイオニア株式会社 発光装置
JP6938131B2 (ja) * 2016-11-01 2021-09-22 パイオニア株式会社 発光素子及び発光システム
KR102734648B1 (ko) 2016-11-28 2024-11-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 헤드 장착 전자 장치
JP6847642B2 (ja) * 2016-11-28 2021-03-24 パイオニア株式会社 発光装置
JP6801004B2 (ja) * 2016-12-19 2020-12-16 パイオニア株式会社 発光装置及び発光システム
WO2018143161A1 (ja) * 2017-02-02 2018-08-09 パイオニア株式会社 光装置
JP6924589B2 (ja) * 2017-03-03 2021-08-25 パイオニア株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2018147802A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 パイオニア株式会社 発光装置
JP7280985B2 (ja) * 2017-03-08 2023-05-24 パイオニア株式会社 発光装置
JP6947514B2 (ja) * 2017-03-08 2021-10-13 パイオニア株式会社 発光システム
JP2019102147A (ja) 2017-11-29 2019-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置と表示装置の製造方法
CN114651323A (zh) 2019-10-29 2022-06-21 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 光电装置
US12040317B2 (en) 2019-12-06 2024-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device
CN114787996A (zh) 2019-12-06 2022-07-22 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 光电装置
JP7585323B2 (ja) 2019-12-06 2024-11-18 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー オプトエレクトロニクス配置
DE112020005978T5 (de) 2019-12-06 2022-09-22 Osram Opto Semiconductors GmbH Fenster oder oberfläche eines fahrzeugs mit mindestens einem optoelektronischen bauelement
JP7646649B2 (ja) 2019-12-06 2025-03-17 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー オプトエレクトロニクス素子を有するキャリアを備える装置およびその製造方法
DE112020006709T5 (de) 2020-02-12 2022-12-01 Denso Corporation Radarvorrichtung
US20220045274A1 (en) * 2020-08-06 2022-02-10 Facebook Technologies Llc Ofets having organic semiconductor layer with high carrier mobility and in situ isolation

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011023336A (ja) 2009-06-16 2011-02-03 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2011154795A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
KR20110101980A (ko) * 2010-03-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
WO2013073301A1 (ja) * 2011-11-14 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
JP2014154404A (ja) 2013-02-08 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
KR20160101271A (ko) * 2015-02-16 2016-08-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3997888B2 (ja) 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
TWI287312B (en) * 2003-05-28 2007-09-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
JP2005063839A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置
JP2005183352A (ja) 2003-11-24 2005-07-07 Toyota Industries Corp 照明装置
KR100624307B1 (ko) * 2005-02-23 2006-09-19 제일모직주식회사 표시장치용 저반사율의 휘도 향상 다층 광학필름 및 이를이용한 유기발광다이오드 표시장치
JP5659677B2 (ja) * 2010-10-12 2015-01-28 大日本印刷株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ照明装置
JP2012084371A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
KR101397110B1 (ko) * 2010-10-28 2014-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN102593149A (zh) * 2012-02-29 2012-07-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种双面oled显示器及其制造方法
JP2014150197A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明器具
KR102054819B1 (ko) * 2013-05-22 2019-12-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2015012155A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 東芝ライテック株式会社 発光パネル及び照明器具
KR101552768B1 (ko) * 2013-08-22 2015-09-14 한국과학기술원 사물 정보의 가상객체 생성을 위한 인스턴스 프로파일 스키마를 이용한 서비스 방법 및 시스템
CN104752476B (zh) * 2013-12-31 2018-05-22 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011023336A (ja) 2009-06-16 2011-02-03 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2011154795A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
KR20110101980A (ko) * 2010-03-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
WO2013073301A1 (ja) * 2011-11-14 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
JP2014154404A (ja) 2013-02-08 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
KR20160101271A (ko) * 2015-02-16 2016-08-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102116656B1 (ko) 2020-05-29
JP2021193689A (ja) 2021-12-23
WO2016136589A1 (ja) 2016-09-01
CN111263483B (zh) 2023-04-07
KR102045132B1 (ko) 2019-11-14
JPWO2016136589A1 (ja) 2017-12-14
CN107409459B (zh) 2020-02-07
US20170373268A1 (en) 2017-12-28
CN111263483A (zh) 2020-06-09
JP6615859B2 (ja) 2019-12-04
US10319936B2 (en) 2019-06-11
JP2020021746A (ja) 2020-02-06
JP2023060173A (ja) 2023-04-27
CN107409459A (zh) 2017-11-28
KR20190120452A (ko) 2019-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102045132B1 (ko) 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 발광 시스템
WO2016042638A1 (ja) 発光装置
JP2024015135A (ja) 発光装置
US11127916B2 (en) Light emitting device
US20230320128A1 (en) Light-emitting device and light-emitting system
JP2017103048A (ja) 発光装置及び発光システム
JPWO2017131143A1 (ja) 発光装置
EP3370478A1 (en) Light emitting system
JP2022173480A (ja) 発光装置
JP2017103049A (ja) 発光装置及び発光システム
WO2017094499A1 (ja) 発光装置
JP2020064851A (ja) 発光装置
JP6527683B2 (ja) 照明システム
JP2016062766A (ja) 発光装置
WO2017094498A1 (ja) 発光システム
JP6640450B2 (ja) 発光装置
JP2017216203A (ja) 発光装置
JP6602950B2 (ja) 発光装置及び発光システム
WO2017158775A1 (ja) 発光装置及び発光システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20170920

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20170920

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20180910

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190323

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20190821

A107 Divisional application of patent
PA0104 Divisional application for international application

Comment text: Divisional Application for International Patent

Patent event code: PA01041R01D

Patent event date: 20191017

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20191108

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20191108

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221012

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231004

Start annual number: 5

End annual number: 5