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KR20170049880A - Method of aligning probe card - Google Patents

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KR20170049880A
KR20170049880A KR1020150150754A KR20150150754A KR20170049880A KR 20170049880 A KR20170049880 A KR 20170049880A KR 1020150150754 A KR1020150150754 A KR 1020150150754A KR 20150150754 A KR20150150754 A KR 20150150754A KR 20170049880 A KR20170049880 A KR 20170049880A
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probe card
contact
die
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dies
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김수현
권덕성
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세메스 주식회사
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Abstract

기판에 대해 프로브 카드를 정렬하기 위한 프로브 카드 정렬 방법이 개시된다. 먼저, 복수의 다이가 형성된 기판에 대해 전기적 특성을 검사하기 위한 복수의 탐침을 갖는 프로브 카드를 배치한다. 기판을 프로브 카드와 마주하게 배치한다. 이어, 탐침들을 기판에 접촉시켜 각각의 다이로부터 출력된 전기적 신호인 접촉 정보에 근거하여 기판에 대해 프로브 카드를 레벨링하되, 탐침들과 다이들 간의 접촉 불량을 접촉 정보를 통해 각각의 다이별로 검지하여 프로브 카드를 레벨링한다. 이와 같이, 프로브 카드 정렬 방법은 다이들 각각에 대해 탐침과의 접촉 불량을 파악하여 프로브 카드를 레벨링할 수 있으므로, 프로브 카드 내 편차를 정확하게 보정할 수 있고 탐침들이 균일하게 다이들에 접속될 수 있다.A probe card alignment method for aligning a probe card with respect to a substrate is disclosed. First, a probe card having a plurality of probes for inspecting electrical characteristics is disposed on a substrate on which a plurality of dies are formed. The substrate is placed facing the probe card. Then, the probe card is leveled with respect to the substrate based on contact information, which is an electrical signal outputted from each die, by contacting the probes with the substrate, and the contact failure between the probes and the dies is detected by each die through the contact information Level the probe card. As such, the probe card alignment method can level the probe card by grasping the contact failure with the probe for each of the dies, so that the deviation in the probe card can be accurately corrected and the probes can be uniformly connected to the dies .

Description

프로브 카드 정렬 방법{Method of aligning probe card}Method of aligning probe card [

본 발명의 실시예들은 프로브 카드 정렬 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼에 대한 전기적인 특성 검사를 위하여 프로브 스테이션 내에서 웨이퍼에 대하여 프로브 카드를 정렬하는 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a probe card alignment method. And more particularly to a method of aligning a probe card with respect to a wafer in a probe station for electrical characterization of a wafer on which semiconductor devices are formed.

일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들, 즉, 다이들이 기판 상에 형성될 수 있다.Generally, semiconductor devices, such as integrated circuit devices, can be formed by repeatedly performing a series of semiconductor processes on a substrate, such as a semiconductor wafer. For example, a deposition process for forming a thin film on a wafer, an etching process for forming the thin film into patterns having electrical characteristics, an ion implantation process or diffusion process for implanting or diffusing impurities into the patterns, Semiconductor circuits, i.e., dies, can be formed on the substrate by repeatedly performing cleaning and rinsing processes to remove impurities from the substrate.

이러한 일련의 공정들을 통해 다이들을 형성한 후 다이들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.An inspection process for inspecting the electrical characteristics of the dies after forming the dies through such a series of processes can be performed. The inspection process may be performed by a probe station including a probe card having a plurality of probes and a tester connected to the probe card to provide an electrical signal.

검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 장착될 수 있으며, 프로브 카드 아래에는 웨이퍼를 지지하는 스테이지가 배치될 수 있다. 스테이지는 다이들이 프로브 카드의 탐침들에 접촉되도록 수직 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다.A probe card may be mounted on the upper part of the inspection chamber, and a stage supporting the wafer may be disposed below the probe card. The stage may be configured to be movable vertically and horizontally so that the dies contact the probes of the probe card.

이러한 검사 공정을 수행하기 전에 프로브 카드의 탐침들이 다이들과 균일하게 도통될 수 있도록 웨이퍼와 프로브 카드를 정렬하는 정렬 단계가 수행될 수 있다.An alignment step may be performed to align the wafer and the probe card so that the probes of the probe card are electrically conductive with the dies before performing this inspection process.

프로브 카드와 웨이퍼를 정렬하는 단계를 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 하부 카메라를 이용하여 기 설정된 좌표에서 상기 프로브 카드의 탐침들 중 기 설정된 탐침을 검출하고, 상부 카메라를 이용하여 기 설정된 좌표에서 웨이퍼 상의 기 설정된 정렬 패턴을 검출한다. 이어, 검출된 탐침 및 정렬 패턴의 검출 좌표들을 이용하여 웨이퍼의 위치를 조정할 수 있다. 계속해서 웨이퍼의 전극 패드들이 상기 프로브 카드의 탐침들이 접촉되도록 웨이퍼를 상승시키고, 탐침들과 전극 패드들의 접촉에 의해 형성된 접촉 흔적들을 이용하여 웨이퍼를 정렬 상태를 확인할 수 있다.The steps of aligning the probe card and the wafer are as follows. First, a predetermined probe among the probes of the probe card is detected at a predetermined coordinate using a lower camera, and a preset alignment pattern on the wafer is detected at a predetermined coordinate using an upper camera. The position of the wafer can then be adjusted using the detected coordinates of the detected probe and alignment pattern. Subsequently, the electrode pads of the wafer are raised to bring the probes of the probe card into contact with each other, and the alignment state of the wafer can be confirmed using the contact marks formed by the contact of the probes and the electrode pads.

그러나 웨이퍼에 대한 프로브 카드의 레벨링은 프로브 카드의 탐침들 중 기 설정된 일부 얼라인 탐침에 대해서만 이루어지므로, 특정 탐침에 틀어짐이 발생된 경우 이에 대해 보정이 어렵고, 이로 인해 일부 탐침들이 전극 패드들에 접촉되지 못할 수 있다.However, since the leveling of the probe card with respect to the wafer is performed only for a predetermined part of the probes of the probes, it is difficult to correct the deflection of the probe when the probe is deflected, It may not be possible.

또한, 탐침들은 선단 높이가 서로 약간씩 다를 수 있으며, 탐침들의 선단 높이 차이와 웨이퍼의 표면 균일도는 웨이퍼와 프로브 카드의 평행도에 영향을 미치므로, 이로 인해 일부 탐침들이 전극 패드들에 접촉되지 못하거나 전극 패드들을 너무 깊게 가압하여 전극 패드들이 손상될 수도 있다.Also, the tip height of the probes may be slightly different from each other, and the tip height difference of the probes and the surface uniformity of the wafer affect the parallelism of the wafer and the probe card, so that some probes may not contact the electrode pads The electrode pads may be damaged by pressing the electrode pads too deeply.

한국등록특허공보 제10-0964744호 (2010.06.10.)Korean Patent Registration No. 10-0964744 (Jun. 10, 2010) 한국등록특허공보 제10-1083346호 (2011.11.08.)Korean Registered Patent No. 10-1083346 (November 8, 2011)

본 발명의 실시예들은 프로브 스테이션에서 기판에 대하여 프로브 카드의 레벨링을 정확하고 용이하게 할 수 있는 프로브 카드 정렬 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a probe card alignment method capable of accurately and easily leveling a probe card with respect to a substrate in a probe station.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 프로브 카드 정렬 방법은, 복수의 다이가 형성된 기판에 대해 전기적 특성을 검사하기 위한 복수의 탐침을 갖는 프로브 카드를 배치하는 단계, 상기 기판을 상기 프로브 카드와 마주하게 배치하는 단계, 및 상기 탐침들을 상기 기판에 접촉시켜 각각의 다이로부터 출력된 전기적 신호인 접촉 정보에 근거하여 상기 기판에 대해 상기 프로브 카드를 레벨링하되 상기 탐침들과 상기 다이들 간의 접촉 불량을 상기 접촉 정보를 통해 상기 각각의 다이별로 검지하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a probe card alignment method comprising: disposing a probe card having a plurality of probes for inspecting electrical characteristics of a substrate on which a plurality of dies are formed; Facing the card, and leveling the probe card relative to the substrate based on contact information, the electrical signal being output from each die, by contacting the probes with the substrate, wherein contact between the probes and the dies And leveling the probe card by detecting defects by the respective dies through the contact information.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 접촉 정보를 이용하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계는, 상기 탐침들을 기설정된 제1 접촉 깊이로 상기 다이들의 전극 패드들에 접촉시키는 단계, 얼라인 신호를 상기 탐침들을 통해 상기 전극 패드들에 인가하는 단계, 상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 각각의 다이들로부터 출력된 접촉 정보를 통해 서로 대응하는 탐침과 전극 패드의 접촉 불량을 상기 각각의 다이별로 검지하는 단계, 상기 다이들 중 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계, 및 상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계에서, 상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있으면 상기 접촉 불량이 발생한 다이들의 위치에 근거하여 상기 프로브 카드의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the step of leveling the probe card using the contact information may include contacting the probes with electrode pads of the dice at a predetermined first contact depth, Detecting the contact failure between the probe and the electrode pad corresponding to each other through the contact information output from each of the dice corresponding to the alignment signal, A step of judging whether or not there is a die in which a contact defect occurs in the die, and a step of judging whether or not there is a die in which a contact defect occurs, And adjusting the tilt angle and direction of the probe card.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 접촉 정보를 이용하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계는, 상기 프로브 카드의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계 이전에, 상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계에서, 상기 접촉 불량이 발생하는 다이가 있는 것으로 판단되면 상기 다이들 중 대응하는 탐침과 정상적으로 접촉된 다이가 있는지 판단하는 단계, 및 상기 정상적으로 접촉된 다이가 있는지 판단하는 단계에서, 상기 정상적으로 접촉된 다이가 존재하지 않으면 상기 제1 접촉 깊이보다 깊은 제2 접촉 깊이로 상기 탐침들의 접촉 깊이를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 탐침들의 접촉 깊이를 조절하는 단계 이후에는 상기 얼라인 신호를 상기 검사 패드들에 인가하는 단계부터 다시 순차적으로 수행할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the step of leveling the probe card using the contact information may include a step of determining whether there is a die where the contact failure occurs before the step of adjusting the tilt angle and direction of the probe card Determining whether there is a die normally in contact with a corresponding one of the dies if it is determined that there is a die in which the contact failure occurs, and in the step of determining whether there is a normally contacted die, And adjusting the contact depth of the probes to a second contact depth that is deeper than the first contact depth if no contact depth is present. In addition, after the step of adjusting the contact depth of the probes, the alignment signal may be sequentially performed again from the step of applying the alignment signal to the test pads.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계는, 출력된 접촉 정보 값이 상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 탐침과 상기 전극 패드가 정상적으로 접촉되었을 때 출력되는 출력 임계값보다 낮을 경우 상기 낮은 접촉 정보 값을 출력한 다이에 접촉 불량이 발생한 것으로 판단할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the step of determining whether there is a die in which the contact defect occurs may include determining whether or not the output contact information value corresponds to the output threshold value, which is output when the probe and the electrode pad normally contact each other, Value, it can be determined that a contact failure has occurred in the die outputting the low contact information value.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 프로브 카드의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계는, 상기 접촉 불량이 발생한 다이의 접촉 정보 값과 상기 출력 임계값의 차이 값에 따라 상기 프로브 카드의 틸트각 크기와 방향을 조절할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the step of adjusting the tilt angle and direction of the probe card may include adjusting the tilt angle of the probe card according to the difference between the contact information value of the die where the contact failure occurs and the output threshold value, And direction can be adjusted.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 접촉 정보는 상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 다이로부터 출력되는 전류 값일 수 있다.According to embodiments of the present invention, the contact information may be a current value output from the die corresponding to the alignment signal.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 프로브 카드 정렬 방법은 상기 접촉 정보를 이용하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계 이전에, 카메라로 상기 프로브 카드의 탐침들의 위치를 확인하여 상기 프로브 카드를 1차 레벨링하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the probe card aligning method may include a step of checking the position of the probes of the probe card with the camera before leveling the probe card using the contact information, The method comprising the steps of:

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 프로브 카드 정렬 방법은 다이들 각각에 대해 탐침과의 접촉 불량을 파악하여 프로브 카드를 레벨링할 수 있으므로, 프로브 카드 내 편차를 정확하게 보정할 수 있고 탐침들이 균일하게 다이들에 접속될 수 있다. 그 결과, 프로브 카드를 이용한 기판의 전기적 검사가 안정적으로 실시될 수 있고, 검사 신뢰도를 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the probe card alignment method can level the probe card by grasping the contact failure with the probe for each of the dies, so that the deviation in the probe card can be accurately corrected, Can be connected to the dies uniformly. As a result, electrical inspection of the substrate using the probe card can be performed stably and the reliability of inspection can be improved.

도 1은 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 카드 홀더를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 기판에 형성된 다이를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 정렬 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 도 4에 도시된 프로브 카드 레벨링 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 6은 도 5에 도시된 각각의 다이별로 접촉 불량을 감지하는 단계에서 다이들 각각에 대한 접촉 정보를 도식화하여 표로 나타낸 일례들이다.
1 is a schematic configuration diagram for explaining a probe station.
Fig. 2 is a schematic plan view for explaining the card holder shown in Fig. 1. Fig.
3 is a schematic plan view for explaining a die formed in the substrate shown in Fig.
4 is a flowchart illustrating a method of aligning a probe card according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart for explaining the probe card leveling step shown in FIG.
FIG. 6 is a table showing contact information for each of the dies in the step of detecting contact failure for each die shown in FIG. 5.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being placed on or connected to another element, the element may be disposed or connected directly to the other element, . Alternatively, if one element is described as being placed directly on another element or connected, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is used for the purpose of describing specific embodiments only, and is not intended to be limiting of the present invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Thus, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions described in the drawings, but include deviations in the shapes, and the elements described in the drawings are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the exact shape of the elements and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 카드 홀더를 설명하기 위한 개략적인 평면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 기판에 형성된 다이를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view for explaining a probe holder, FIG. 2 is a schematic plan view for explaining a card holder shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view for explaining a die formed on the substrate shown in FIG. Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 프로브 스테이션(100)은 반도체 소자들(11)이 형성된 기판(10)에 대하여 프로브 카드(20)를 이용해 전기적인 검사를 수행한다. 프로브 스테이션(100)은 기판(10)에 대한 전기적인 검사를 수행하기 위한 공간을 제공하는 검사 챔버(110), 상기 검사 챔버(110)에 구비되는 척(120), 복수의 기판(10)이 수납된 카세트(20)를 지지하는 로드 포트(130), 상기 기판(10)을 이송하기 위한 이송 모듈(140), 및 상기 프로브 카드(20)를 상기 검사 챔버(10) 안에 고정하는 카드 홀더(150)를 포함할 수 있다.1 to 3, the probe station 100 performs an electrical inspection using the probe card 20 with respect to the substrate 10 on which the semiconductor elements 11 are formed. The probe station 100 includes an inspection chamber 110 providing a space for performing electrical inspection of the substrate 10, a chuck 120 provided in the inspection chamber 110, a plurality of substrates 10 A transfer module 140 for transferring the substrate 10 and a card holder (not shown) for fixing the probe card 20 in the inspection chamber 10 150).

구체적으로, 상기 척(120)은 상기 검사 챔버(110) 안에 배치되며, 상기 기판(10)이 상면에 안착될 수 있다. 여기서, 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있으며, 반도체 소자들인 복수의 다이(11)가 상면에 형성된다. 상기 다이(11)는 도 3에 도시된 것처럼 전극 패드들을 구비한다.Specifically, the chuck 120 is disposed in the inspection chamber 110, and the substrate 10 can be seated on the upper surface. Here, the substrate 10 may be a semiconductor wafer, and a plurality of dies 11, which are semiconductor elements, are formed on the upper surface. The die 11 has electrode pads as shown in FIG.

도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 척(120)은 상기 기판(10) 상의 다이들(11)이 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)과 접촉되도록 수직 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 또한, 상기 척(120)은 상기 기판(10)의 정렬을 위해 회전 가능하게 구성될 수 있다. The chuck 120 is configured to be vertically and horizontally movable so that the dies 11 on the substrate 10 are brought into contact with the probes 21 of the probe card 20 . In addition, the chuck 120 may be configured to be rotatable for alignment of the substrate 10.

상기 검사 챔버(110)의 일측에는 상기 이송 모듈(140)이 배치된다. 상기 이송 모듈(140)은 상기 기판(10)을 이송하기 위한 이송 로봇(142)을 구비할 수 있으며, 상기 이송 로봇(142)은 상기 로드 포트(130)에 적재된 카세트(30)로부터 상기 기판(10)을 인출하여 상기 검사 챔버(110) 안의 척(120)에 안착시킨다.The transfer module 140 is disposed on one side of the inspection chamber 110. The transfer module 140 may include a transfer robot 142 for transferring the substrate 10. The transfer robot 142 transfers the substrate 10 from the cassette 30 loaded on the load port 130, (10) is taken out and placed on the chuck (120) in the inspection chamber (110).

상기 척(120)의 상측에는 상기 카드 홀더(150)가 배치될 수 있다. 상기 카드 홀더(150)는 상기 검사 챔버(110)의 상부에 결합되고, 상기 프로브 카드(20)는 상기 카드 홀더(150)의 하면에 탈착 가능하게 결합되어 상기 검사 챔버(110)의 안에 배치된다. 도 2에 도시된 바와 같이 상기 카드 홀더(150)는 상기 기판(10)에 대하여 상기 프로브 카드(20)를 레벨링하기 위한 제1 및 제2 위치 조절 구동부들(161, 162)를 구비한다. 상기 제1 및 제2 위치 조절 구동부들(161, 162)은 상기 프로브 카드(20)의 틸트 각도와 방향을 조절하여 상기 프로브 카드(20)와 상기 기판(10)의 평행도를 조절할 수 있다. 도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 제1 및 제2 위치 조절 구동부들(161, 162)은 쐐기 형상의 조절 블럭과 볼 스크류 및 구동 모터를 구비할 수 있다.The card holder 150 may be disposed above the chuck 120. The card holder 150 is coupled to the upper portion of the test chamber 110 and the probe card 20 is detachably coupled to the lower surface of the card holder 150 and disposed in the test chamber 110 . 2, the card holder 150 includes first and second position adjustment driving units 161 and 162 for leveling the probe card 20 with respect to the substrate 10. The first and second position adjustment drivers 161 and 162 adjust the tilting angle and direction of the probe card 20 to adjust the degree of parallelism between the probe card 20 and the substrate 10. Although not shown in detail in the drawings, the first and second position adjusting and driving units 161 and 162 may include a wedge-shaped adjusting block, a ball screw, and a driving motor.

상기 프로브 스테이션(100)은 상기 기판(10)의 전기적인 특성을 검사하는 테스터(40)와 연결될 수 있다. 상기 테스터(40)는 상기 프로브 카드(20)를 통해 상기 기판(10)의 검사를 위한 전기적 신호들을 상기 다이들(11)에 인가하고, 상기 다이들(11)로부터 출력되는 신호들을 통해 상기 기판(10)의 전기적인 특성을 검사한다. 이때, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)은 상기 다이들(11)의 전극 패드들(11a)에 접촉되어 상기 테스터(40)로부터 인가된 전기적 신호들 상기 전극 패드들(11a)에 인가한다.The probe station 100 may be connected to a tester 40 for checking electrical characteristics of the substrate 10. The tester 40 applies electrical signals to the dies 11 for inspection of the substrate 10 through the probe card 20 and transmits the electrical signals to the substrate 11 through the signals output from the dies 11. [ (10) is inspected. At this time, the probes 21 of the probe card 20 are brought into contact with the electrode pads 11a of the dies 11 and electrical signals applied from the tester 40 are applied to the electrode pads 11a .

한편, 상기 프로브 스테이션(100)은 상기 척(120)의 일측에 배치되어 상기 척(120)과 함께 이동 가능하며 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)에 대한 이미지를 획득하기 위한 하부 정렬 카메라(170)와, 상기 척(120)의 상측에 배치되어 상기 기판(10) 상의 패턴들에 대한 이미지를 획득하기 위한 상부 정렬 카메라(180)를 포함할 수 있다. 도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 상부 정렬 카메라(180)는 브릿지 형태를 갖는 구동부에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 특히, 상기 하부 및 상부 정렬 카메라들(170, 180)은 상기 기판(10)과 상기 프로브 카드(20) 사이의 정렬을 위해 사용될 수 있다.The probe station 100 is disposed at one side of the chuck 120 and is movable together with the chuck 120. The probe station 100 includes a plurality of probes 21, A camera 170 and an upper alignment camera 180 disposed above the chuck 120 to obtain an image of the patterns on the substrate 10. [ Although not shown in detail in the drawing, the upper alignment camera 180 can be moved in the horizontal direction by a driving unit having a bridge shape. In particular, the lower and upper alignment cameras 170 and 180 may be used for alignment between the substrate 10 and the probe card 20.

이하, 도면을 참조하여 상기 프로브 스테이션(100)에서 프로브 카드를 정렬하는 방법에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of aligning the probe card in the probe station 100 will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 정렬 방법을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method of aligning a probe card according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 정렬 방법은 다음과 같다.Referring to FIGS. 1 and 4, a probe card alignment method according to an embodiment of the present invention is as follows.

먼저, 상기 척(120)의 상측에 프로브 카드(20)를 배치한다(단계 S110). 이때, 상기 프로브 카드(20)는 상기 카드 홀더(150)에 의해 고정될 수 있다.First, the probe card 20 is placed on the chuck 120 (step S110). At this time, the probe card 20 can be fixed by the card holder 150.

이어, 상기 이송 로봇(142)이 상기 카세트(30)로부터 상기 기판(10)을 인출하여 상기 척(120)에 안착시킨다(단계 S130). 이때, 상기 기판(10)은 상기 프로브 카드(20)와 마주하게 배치된다.Then, the transfer robot 142 draws the substrate 10 from the cassette 30 and places it on the chuck 120 (step S130). At this time, the substrate 10 is disposed to face the probe card 20.

본 발명의 프로브 카드 정렬 방법은 상기 프로브 카드(20)를 배치하는 단계(S110) 이후 또는 상기 기판(10)을 상기 척(120)에 배치하는 단계(S130) 이후에 상기 상부 및 하부 카메라(170, 180)를 이용하여 상기 프로브 카드(20)를 1차 레벨링하는 단계(S120)를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 하부 카메라(180)는 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21) 중 상기 프로브 카드(20)와 상기 기판(10)을 정렬하기 위한 얼라인 탐침들이 정위치하는지 확인한다.The probe card aligning method of the present invention is characterized in that after the step S110 of placing the probe card 20 or after the step S130 of placing the substrate 10 on the chuck 120, And 180 may be used to first level the probe card 20 (S120). At this time, the lower camera 180 checks whether the alignment probes for aligning the probe card 20 with the substrate 10 among the probes 21 of the probe card 20 are positioned.

한편, 상기 기판(10)이 상기 척(120)의 상면에 배치되면, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)을 상기 기판(10)에 접촉시켜 상기 다이들(11 : 도 3 참조)로부터 출력된 접촉 정보에 근거하여 상기 프로브 카드(10)를 레벨링한다(단계 S140). 상기 접촉 정보에 근거하여 상기 프로브 카드(20)를 레벨링하는 단계(140)에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 5에서 하기로 한다.When the substrate 10 is placed on the upper surface of the chuck 120, the probes 21 of the probe card 20 are brought into contact with the substrate 10 to form the dies 11 (see FIG. 3) The probe card 10 is level-based on the contact information output from the probe card 10 (step S140). A detailed description of the step 140 of leveling the probe card 20 based on the contact information will be given later with reference to FIG.

상기 기판(10)에 대한 상기 프로브 카드(20)의 레벨링이 완료되면, 상기 테스터(40)로부터 제공된 검사 신호가 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(21)을 통해 상기 기판(10)의 다이들(11)에 인가되어 상기 기판(10)에 대한 전기적 특성 검사가 실시된다(단계 S150).When the leveling of the probe card 20 with respect to the substrate 10 is completed, an inspection signal provided from the tester 40 is transmitted to the die 10 of the substrate 10 through the probes 21 of the probe card 20, The electrical characteristics of the substrate 10 are inspected (step S150).

이하, 도면을 참조하여 상기 프로브 카드(20)의 레벨링 단계(S140)에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the leveling step (S140) of the probe card 20 will be described in detail with reference to the drawings.

도 5는 도 4에 도시된 프로브 카드 레벨링 단계를 설명하기 위한 순서도이고, 도 6은 도 5에 도시된 각각의 다이별로 접촉 불량을 감지하는 단계에서 다이들 각각에 대한 접촉 정보를 도식화하여 표로 나타낸 일례들이다.FIG. 5 is a flow chart for explaining the leveling step of the probe card shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a table showing the contact information for each of the dies in the step of sensing the contact failure for each die shown in FIG. They are examples.

도 1, 도 3, 도 5, 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드(20) 레벨링 단계(S140)는 다음과 같다.Referring to FIGS. 1, 3, 5, and 6, a leveling step (S140) of the probe card 20 according to an embodiment of the present invention is as follows.

먼저, 프로브 카드(20)의 탐침들(21)을 기 설정된 제1 접촉 깊이로 상기 다이들(11)의 전극 패드들(11a)에 접촉시킨다(단계 S141). 여기서, 상기 탐침들(21)이 상기 전극 패드들(11a)을 가압하는 접촉 깊이(contact depth)는 상기 프로브 카드(20)의 수직 이동 또는 상기 척(120)의 수직 이동을 통해 조절될 수 있다.First, the probes 21 of the probe card 20 are brought into contact with the electrode pads 11a of the dies 11 at a predetermined first contact depth (step S141). The contact depth at which the probes 21 press the electrode pads 11a may be adjusted through vertical movement of the probe card 20 or vertical movement of the chuck 120 .

이어, 상기 탐침들(11a)을 통해 얼라인 신호를 상기 전극 패드들(11a)에 인가한다(단계 S142). 여기서, 상기 얼라인 신호는 전기적인 신호로서 상기 테스터(40)로부터 상기 프로브 카드(20)에 제공될 수 있다.Then, an alignment signal is applied to the electrode pads 11a through the probes 11a (step S142). Here, the alignment signal may be provided to the probe card 20 from the tester 40 as an electrical signal.

이어, 상기 각각의 다이들(11)로부터 상기 얼라인 신호에 대응하여 출력된 접촉 정보를 통해 서로 대응하는 탐침과 전극 패드의 접촉 불량을 감지한다(단계 S143). 즉, 상기 얼라인 신호가 상기 전극 패드들(11a)에 인가되면 상기 각각의 다이들(11)은 상기 얼라인 신호에 대응하여 접촉 정보를 출력한다. 상기 접촉 정보는 상기 상기 접촉 정보는 전기적인 신호로서 상기 다이들(11) 각각으로부터 출력될 수 있다. 이에 따라, 상기 탐침들과 상기 다이들 간의 접촉 불량이 상기 접촉 정보를 통해 각각의 다이(11)별로 검지될 수 있다.Next, the defective contact between the probe and the electrode pad corresponding to each other is detected through the contact information output corresponding to the alignment signal from each of the dies 11 (step S143). That is, when the alignment signal is applied to the electrode pads 11a, each of the dies 11 outputs contact information corresponding to the alignment signal. The contact information may be output from each of the dies 11 as an electrical signal. Accordingly, the contact failure between the probes and the dies can be detected for each die 11 through the contact information.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접촉 정보는 상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 다이(11)로부터 출력되는 전류 값일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the contact information may be a current value output from the die 11 corresponding to the alignment signal.

상기 검지 결과, 상기 기판(10)에 형성된 상기 다이들(11) 중 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단한다(단계 S144).As a result of the detection, it is determined whether there is a die in which a contact failure occurs in the dies 11 formed on the substrate 10 (step S144).

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 다이들(11) 중 상기 접촉 불량이 발생한 다이들을 검지하는 단계(S143)는, 출력된 접촉 정보 값이 기 설정된 출력 임계값보다 낮을 경우 상기 출력 입계값 보다 낮은 접촉 정보를 출력한 다이에 접촉 불량이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 여기서, 상기 출력 임계값은 상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 탐침(21)과 상기 전극 패드(11a)가 정상적으로 접촉되었을 때 출력되는 값이다.In one embodiment of the present invention, the step (S143) of detecting dies where the contact failure has occurred in the dies (11) It can be determined that a contact failure has occurred in the die outputting the low contact information. Here, the output threshold value is a value output when the probe 21 and the electrode pad 11a normally contact with each other in response to the alignment signal.

상기 단계 S144에서, 상기 다이들(11) 중 접촉 불량이 발생한 다이가 없으면 상기 기판(10)에 대한 전기적 특성 검사를 실시한다(단계 S150).In step S144, if there is no die in which the contact failure occurs in the dies 11, the electrical characteristics of the substrate 10 are inspected (step S150).

상기 단계 S144에서, 상기 다이들(11) 중 접촉 불량이 발생한 다이가 있으면, 상기 기판(10)에 대하여 상기 프로브 카드(20)를 레벨링하기 위해 상기 접촉 불량이 발생한 다이들의 위치에 근거하여 상기 프로브 카드(20)의 틸트 각도와 틸트 방향을 조절한다(단계 S147).If there is a die in which a contact failure occurs in the dies 11 in the step S144, on the basis of the positions of the dies where the contact failure occurs, The tilt angle and tilt direction of the card 20 are adjusted (step S147).

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 단계 S147에서 상기 프로브 카드(20)의 틸트 각도와 방향 조절은 상기 접촉 불량이 발생한 다이의 접촉 정보 값과 상기 출력 임계값의 차이 값에 따라 그 조절 정도가 결정될 수 있다. 또한, 상기 프로브 카드(20)의 틸트 각도와 틸트 방향은 상기 제1 및 제2 위치 조절 구동부들(161, 162 : 도 2 참조)에 의해 조절될 수 있다.The adjustment of the tilt angle and direction of the probe card 20 in step S147 may be performed according to the difference between the contact information value of the die on which the contact failure occurs and the output threshold value Can be determined. The tilt angle and the tilt direction of the probe card 20 can be adjusted by the first and second position adjusting and driving units 161 and 162 (see FIG. 2).

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 레벨링 단계(S140)는, 상기 프로브 카드(20)의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계(S147) 이전에 상기 단계 S144에서, 상기 접촉 불량이 발생하는 다이가 있으면 상기 다이들(11) 중 정상적으로 상기 탐침(21)과 접촉된 다이가 있는지 판단하는 단계(S145)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, in the probe card leveling step S140 according to an embodiment of the present invention, in step S144 before the step S147 of adjusting the tilt angle and direction of the probe card 20, If the die is present, the step (S145) may include determining whether any of the dies (11) is in contact with the probe (21) normally.

상기 단계 S145에서, 상기 정상적으로 접촉된 다이가 존재하면 단계 S147을 수행한다.In step S145, if there is a normally contacted die, step S147 is performed.

한편, 상기 단계 S145에서, 상기 정상적으로 접촉된 다이가 존재하지 않으면 상기 프로브 카드를 수직 이동시키거나 또는 상기 척(120)을 수직 이동시켜 상기 제1 접촉 깊이보다 깊은 제2 접촉 깊이로 상기 탐침들(21)의 접촉 깊이를 재설정한다(단계 S146). 즉, 상기 다이들(11) 중 정상적으로 접촉된 다이가 없는 경우는 상기 탐침들(21)의 접촉 깊이가 낮아 상기 탐침들(21)이 상기 전극 패드들(11a)과 충분히 접촉되지 못했기 때문이다. 따라서, 상기 탐침들(21)의 접촉 깊이를 증가시켜 상기 탐침들(21)이 상기 전극 패드들(11a)에 충분히 접촉될 수 있도록 한다.In step S145, if the normally contacted die is not present, the probe card may be vertically moved or the chuck 120 may be vertically moved to a second contact depth that is deeper than the first contact depth, 21 is reset (step S146). That is, in the case where there is no die normally contacted among the dies 11, the probes 21 are not sufficiently in contact with the electrode pads 11a due to a low contact depth of the probes 21. [ Accordingly, the contact depth of the probes 21 is increased so that the probes 21 can sufficiently contact the electrode pads 11a.

상기 단계 S146을 수행한 이후에는 상기 얼라인 신호를 상기 검사 패드들에 인가하는 단계(S142)부터 다시 순차적으로 수행될 수 있다.After the step S146 is performed, the alignment signal may be sequentially applied to the test pads (S142).

특히, 본 발명의 프로브 카드 정렬 방법은 상기 얼라인 신호를 상기 기판(10)의 모든 다이들(11)에 인가하므로, 도 6에 도시된 바와 같이 출력된 접촉 정보가 상기 출력 임계값 이상인지 상기 각각의 다이들(11) 별로 비교하여 접촉 불량 여부를 상기 각각의 다이들(11) 별로 검지할 수 있다. 참고로, 도 6은 상기 기판(10)이 64개의 다이들(11)을 구비하는 경우를 일례로 하여 상기 64개의 다이들(11)에 대한 접촉 불량 여부를 나타낸 표이며, 도 6에서 DUT(Device Under Test) 테이블은 상기 다이들(11)을 나타낸 것이고, OD(Over Drive)는 접촉 깊이를 나타낸 것이다.In particular, since the probe card alignment method of the present invention applies the alignment signal to all the dies 11 of the substrate 10, it is possible to determine whether or not the output contact information is equal to or greater than the output threshold value, Each of the dies 11 may be compared to determine whether or not a contact failure is detected for each of the dies 11. 6 is a table showing the contact failure of the 64 dies 11 as an example of the case where the substrate 10 has 64 dies 11. In FIG. 6, Device Under Test table shows the dies 11, and OD (Over Drive) shows the contact depth.

또한, 본 발명의 프로브 카드 정렬 방법은 전기적 신호인 접촉 정보를 이용하여 접촉 불량을 감지하므로, 상기 탐침(21)이 상기 다이(11)에 접촉되지 못했는지, 상기 탐침(21)이 상기 다이(11)에 접촉됐으나 충분한 접촉 깊이로 접촉되지 못했는지, 상기 탐침(21)이 상기 다이(11)에 정상적으로 접촉됐는지를 각각 인지할 수 있다.In addition, since the probe card alignment method of the present invention detects contact failure using contact information as an electrical signal, it is possible to detect whether the probe 21 has not contacted the die 11, 11, but has not contacted with a sufficient contact depth, and whether the probe 21 has normally contacted the die 11.

즉, 도 6의 (a)는 상기 64개의 다이들 모두 상기 출력 임계값 보다 낮은 접촉 정보를 출력한 일례를 나타낸 것으로, 상기 64개 다이들 중 4번 다이부터 9번 다이, 25번 다이부터 27번 다이, 및 34번 다이는 상기 탐침(21)이 상기 다이(11)는 접촉 정보를 출력했으나 탐침이 충분한 깊이로 접촉되지 못해 출력된 접촉 정보값이 상기 출력 임계값보다 낮은 다이들이며, 나머지 다이들은 접촉 정보값이 '0'인 다이들로 탐침들과 접촉되지 못한 다이들이다. 이렇게 상기 64개의 다이들이 모두 접족 불량일 경우 상기 단계 S146을 수행하여 접촉 깊이를 조절한다.That is, FIG. 6 (a) shows an example of outputting contact information lower than the output threshold value for all of the 64 dies. From the 4th die to the 9th die, the 25th die to the 27th die Die 34 and die 34 are dies where the probe 21 outputs the contact information but the probe is not contacted with sufficient depth so that the contact information value output is lower than the output threshold, Are dice whose contact information value is '0' and which are not in contact with the probes. If all of the 64 dies are defective, the contact depth is adjusted by performing step S146.

도 6의 (b)는 도 6의 (a)보다 접촉 깊이를 증가시켰으나 일부 다이들이 상기 출력 임계값 보다 낮은 접촉 정보를 출력한 일례를 나타낸 것으로, 55번과 56번 다이는 탐침들(11)과 접촉되지 못했음을 알 수 있으며, 19번 다이, 37번 다이, 46번 다이부터 49번 다이, 및 57번 다이부터 64번 다이는 탐침들과 접촉은 됐으나 출력된 접촉 정보값이 상기 출력 임계값보다 낮아 정상적으로 접촉되지 못했음을 알 수 있다. 이러한 경우 접촉 불량이 발생한 다이들의 위치에 근거하여 상기 프로브 카드(20)의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계 S147이 수행될 수 있다.6 (b) shows an example in which the contact depth is increased as compared with FIG. 6 (a), but some dies output contact information lower than the output threshold value. And die 19, die 37, die 46 to die 49, and die 57 to die 64 are in contact with the probes, but the output contact information value is not in contact with the output threshold value And it can be seen that the contact was not made normally. In this case, step S147 may be performed to adjust the tilt angle and direction of the probe card 20 based on the position of the dies where the contact failure occurs.

도 6의 (c)는 64개의 모든 다이들이 상기 출력 임계값 이상의 접촉 정보를 출력한 일례를 나타낸 것으로, 이를 통해 상기 64개의 다이들 모두 정상적으로 상기 탐침들(21)과 접촉되었음을 인지할 수 있다.FIG. 6 (c) shows an example in which all 64 dies output contact information exceeding the output threshold value, thereby recognizing that all of the 64 dies are normally in contact with the probes 21.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 레벨링 단계(S140)는 상기 프로브 카드(20) 교체 후 상기 척(120)에 처음 투입된 기판(10)에 대하여 수행될 수 있다. 그러나 상기와 다르게 본 발명의 프로브 카드 레벨링 단계(S140)는 상기 기판들(l0)에 대하여 선택적으로 또는 모든 기판들(10)에 대하여 수행될 수도 있다. 한편, 상기 프로브 카드(20)를 이용한 검사 공정은 동일한 종류의 기판들(10)에 대하여 로트 단위로 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 카세트(30)에는 25매의 기판들(10)이 수납될 수 있으며 상기 25매의 기판들(10)이 하나의 로트를 구성할 수 있다.The probe card leveling step S140 according to an embodiment of the present invention may be performed on the substrate 10 first introduced into the chuck 120 after the replacement of the probe card 20. [ Alternatively, the probe card leveling step (S140) of the present invention may be performed on the substrates 10 or alternatively on all the substrates 10. On the other hand, the inspection process using the probe card 20 can be performed on the same lot of substrates 10. For example, the cassette 30 can accommodate 25 substrates 10, and the 25 substrates 10 can constitute one lot.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 정렬 방법은 상기 다이들(11) 각각에 대해 탐침과의 접촉 불량을 파악하여 상기 프로브 카드(20)를 레벨링할 수 있으므로, 상기 프로브 카드(10) 내 편차를 정확하게 보정할 수 있고 상기 탐침들(21)이 균일하게 상기 다이들(11)에 접속될 수 있다. 그 결과, 상기 프로브 스테이션(100)은 상기 프로브 카드(20)을 이용하여 상기 기판(10)에 대한 전기적 검사를 안정적으로 실시할 수 있고, 검사 신뢰도를 향상시킬 수 있다.As described above, the probe card alignment method according to an embodiment of the present invention can level the probe card 20 by detecting defective contact with the probes with respect to each of the dies 11. Therefore, The deviation within the probe 10 can be corrected accurately and the probes 21 can be connected to the dies 11 uniformly. As a result, the probe station 100 can stably perform the electrical inspection of the substrate 10 using the probe card 20, and the inspection reliability can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that.

100 : 프로브 스테이션 110 : 검사 챔버
120 : 척 130 : 로드 포트
140 : 이송 모듈 150 : 카드 홀더
161, 162 : 위치 조절 구동부 170, 180 : 정렬 카메라
100: probe station 110: inspection chamber
120: Chuck 130: Load port
140: Feed module 150: Card holder
161, 162: Position control driver 170, 180: Alignment camera

Claims (7)

복수의 다이가 형성된 기판에 대해 전기적 특성을 검사하기 위한 복수의 탐침을 갖는 프로브 카드를 배치하는 단계;
상기 기판을 상기 프로브 카드와 마주하게 배치하는 단계; 및
상기 탐침들을 상기 기판에 접촉시켜 각각의 다이로부터 출력된 전기적 신호인 접촉 정보에 근거하여 상기 기판에 대해 상기 프로브 카드를 레벨링하되, 상기 탐침들과 상기 다이들 간의 접촉 불량을 상기 접촉 정보를 통해 상기 각각의 다이별로 검지하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 정렬 방법.
Disposing a probe card having a plurality of probes for inspecting electrical characteristics for a substrate on which a plurality of dies are formed;
Disposing the substrate facing the probe card; And
Wherein the probe card is leveled with respect to the substrate based on contact information, which is an electrical signal output from each die, by bringing the probes into contact with the substrate, And leveling the probe card by detecting each die.
제1항에 있어서,
상기 접촉 정보를 이용하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계는,
상기 탐침들을 기 설정된 제1 접촉 깊이로 상기 다이들의 전극 패드들에 접촉시키는 단계;
얼라인 신호를 상기 탐침들을 통해 상기 전극 패드들에 인가하는 단계;
상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 각각의 다이들로부터 출력된 접촉 정보를 통해 서로 대응하는 탐침과 전극 패드의 접촉 불량을 상기 각각의 다이별로 검지하는 단계;
상기 다이들 중 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계; 및
상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계에서, 상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있으면 상기 접촉 불량이 발생한 다이들의 위치에 근거하여 상기 프로브 카드의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 정렬 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the leveling of the probe card using the contact information comprises:
Contacting the probes with electrode pads of the dies at a predetermined first contact depth;
Applying an alignment signal to the electrode pads through the probes;
Detecting defective contact between the probe and the electrode pad corresponding to each other through the contact information output from each of the dice corresponding to the alignment signal;
Determining whether any of the dies has a contact failure; And
And adjusting a tilt angle and a direction of the probe card based on a position of the die where the contact failure occurs if the die having the contact defect is present in the step of determining whether the die has the contact defect, How to align probe cards.
제2항에 있어서,
상기 접촉 정보를 이용하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계는, 상기 프로브 카드의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계 이전에,
상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계에서, 상기 접촉 불량이 발생하는 다이가 있는 것으로 판단되면 상기 다이들 중 대응하는 탐침과 정상적으로 접촉된 다이가 있는지 판단하는 단계; 및
상기 정상적으로 접촉된 다이가 있는지 판단하는 단계에서, 상기 정상적으로 접촉된 다이가 존재하지 않으면 상기 제1 접촉 깊이보다 깊은 제2 접촉 깊이로 상기 탐침들의 접촉 깊이를 조절하는 단계를 더 포함하고,
상기 탐침들의 접촉 깊이를 조절하는 단계 이후에 상기 얼라인 신호를 상기 검사 패드들에 인가하는 단계부터 다시 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 정렬 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the step of leveling the probe card using the contact information comprises: before the step of adjusting the tilt angle and direction of the probe card,
Determining whether there is a die that normally contacts the corresponding one of the dies if it is determined that there is a die where the contact failure occurs, And
Further comprising adjusting the contact depth of the probes to a second contact depth deeper than the first contact depth if the normally contacted die is absent,
Wherein the step of adjusting the contact depth of the probes is performed sequentially from the step of applying the alignment signal to the test pads.
제2항에 있어서,
상기 접촉 불량이 발생한 다이가 있는지 판단하는 단계는,
출력된 접촉 정보 값이 상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 탐침과 상기 전극 패드가 정상적으로 접촉되었을 때 출력되는 출력 임계값보다 낮을 경우 상기 낮은 접촉 정보 값을 출력한 다이에 접촉 불량이 발생한 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 정렬 방법.
3. The method of claim 2,
The step of determining whether there is a die where the contact failure occurs,
When the output contact information value is lower than an output threshold value that is output when the probe and the electrode pad normally contact each other corresponding to the alignment signal, it is determined that a contact failure occurs in the die that outputs the low contact information value Features a probe card alignment method.
제4항에 있어서,
상기 프로브 카드의 틸트 각도와 방향을 조절하는 단계는,
상기 접촉 불량이 발생한 다이의 접촉 정보 값과 상기 출력 임계값의 차이 값에 따라 상기 프로브 카드의 틸트각 크기와 방향을 조절하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 정렬 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the step of adjusting the tilt angle and direction of the probe card comprises:
Wherein the tilt angle magnitude and direction of the probe card are adjusted according to a difference between the contact information value of the die on which the contact failure occurs and the output threshold value.
제2항에 있어서,
상기 접촉 정보는 상기 얼라인 신호에 대응하여 상기 다이로부터 출력되는 전류 값인 것을 특징으로 하는 프로브 카드 정렬 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the contact information is a current value output from the die corresponding to the alignment signal.
제1항에 있어서,
상기 접촉 정보를 이용하여 상기 프로브 카드를 레벨링하는 단계 이전에,
카메라로 상기 프로브 카드의 탐침들의 위치를 확인하여 상기 프로브 카드를 1차 레벨링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 정렬 방법.
The method according to claim 1,
Before the step of leveling the probe card using the contact information,
Further comprising the step of first leveling the probe card by checking the position of probes of the probe card with a camera.
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