KR20170045544A - 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은, 기판; 상기 기판의 일 측에 형성된 제1 리드; 상기 제1 리드와 이격 배치되고, 상기 기판의 타 측에 형성된 제2 리드; 상기 제1 리드 및 제2 리드에 각각 전기적으로 접촉되게 상기 제1 리드 및 제2 리드 상에 배치된 발광 다이오드 칩; 상기 기판 상부에 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 형성된 하우징; 및 상기 발광 다이오드 칩의 상부에 형성된 파장변환부를 포함하고, 상기 제1 리드 및 제2 리드는 상기 기판의 측면 및 하면에 각각 접하도록 형성되며, 상기 기판의 측면에서 외측으로 돌출된 형상으로 형성된 발광 다이오드 패키지를 제공한다. 본 발명에 의하면, 발광 다이오드 패키지의 리드들의 절곡된 면을 상대적으로 증가시켜 리드들과 솔더부의 접촉면적이 종래보다 넓어지도록 함으로써, 발광 다이오드 패키지를 외부기판의 전극들에 실장하였을 때 보다 안정적으로 실장될 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 다이오드 패키지의 표면실장의 불량률을 낮출 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드 패키지는 크게 탑형 발광 다이오드 패키지와 사이드뷰 발광 다이오드 패키지로 분류될 수 있다. 이 중 사이드뷰 발광 다이오드 패키지는 도광판의 측면으로 광을 입사하는 디스플레이 장치의 백라이트용 광원으로 많이 이용되고 있다. 최근 사이드뷰 발광 다이오드 패키지는 기존 디스플레이 장치의 백라이트용 외에도 다양한 용도로 이용되고 있어 그 활용 폭이 더욱 넓어지고 있다.
통상적으로 사이드뷰 발광 다이오드 패키지는 하우징 전면에 발광 다이오드 칩을 실장하기 위한 캐비티를 포함하고, 리드들이 하우징 내부에서 하우징의 저면을 통해 외부로 연장되고, 캐비티 내에서 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결된다. 이때, 하우징 내의 리드들을 내부리드라 하고, 하우징 외부로 노출된 리드를 외부리드라 한다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 도면이다.
종래의 발광 다이오드 패키지(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지(10)에서 발광되는 빛이 수평 방향으로 발광되도록 외부기판의 전극들(14)에 실장된다.
이때, 외부리드(12)들은 하우징(11)의 저면 아래로 절곡되도록 형성되는데, 여기서, 하우징(11)의 저면은 발광 다이오드 패키지(10)에서 빛이 발광되는 면을 상면으로 정의하였을 때, 상면의 배면이다. 그에 따라 외부리드들(12)은 하우징(11)의 상면 일부, 측면 및 저면 일부에 형성된다. 즉, 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지(10)가 전극들(14) 상부면에 위치한 상태에서 외부리드들(12)은 전극들(14)과 하우징(11)의 사이에는 형성되지 않고, 전극들(14)의 상면에 수직하게 형성된다.
이렇게 발광 다이오드 패키지(10)가 전극들(14) 상면에 배치된 상태에서 솔더링 등의 방식으로 외부기판의 전극들과 전기적으로 연결된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 발광 다이오드 패키지(10)에서 외부로 노출된 외부리드(12)들은 하우징(11)의 양 측면과 저면에 형성된 상태로 외부기판에 솔더링된다. 그에 따라 발광 다이오드 패키지(10)가 전극들(14) 상부에 위치한 상태에서 솔더부(13)가 리드들(12)의 일부를 감싸는 형상으로 솔더링될 수 있다.
상기와 같이, 솔더부(13)가 형성됨에 따라 발광 다이오드 패키지(10)의 리드들(12)과 솔더부(13)가 접촉되는 면적이 부족하여 이후 공정에서 외부기판에 충격이 발생하거나 틸팅(tilting) 등의 외력이 가해지면, 발광 다이오드 패키지(10)가 전극들(14)과의 전기적인 연결이 끊어지는 등의 불량이 발생하는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 발광 다이오드 패키지를 외부기판의 전극들에 실장할 때, 안정적으로 결합될 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 기판; 상기 기판의 일 측에 형성된 제1 리드; 상기 제1 리드와 이격 배치되고, 상기 기판의 타 측에 형성된 제2 리드; 상기 제1 리드 및 제2 리드에 각각 전기적으로 접촉되게 상기 제1 리드 및 제2 리드 상에 배치된 발광 다이오드 칩; 상기 기판 상부에 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 형성된 하우징; 및 상기 발광 다이오드 칩의 상부에 형성된 파장변환부를 포함하고, 상기 제1 리드 및 제2 리드는 상기 기판의 측면 및 하면에 각각 접하도록 형성되며, 상기 기판의 측면에서 외측으로 돌출된 형상으로 형성된 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
한편, 본 발명은, 기판의 대향된 양면에 금속 물질을 코팅하는 단계; 상기 금속 물질이 코팅된 기판의 하나 이상의 슬릿을 형성하는 단계; 상기 기판의 양면 중 어느 한 면의 코팅된 금속 물질을 제거하는 단계; 상기 금속 물질이 제거된 기판에 금속판을 결합하는 단계; 상기 결합된 금속판에 발광 다이오드 칩을 실장하기 위한 패턴을 형성하는 단계; 상기 형성된 패턴 상부에 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계; 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩 상부에 파장변환부를 형성하는 단계; 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩 및 파장변환부를 감싸도록 수지를 몰딩하는 단계; 및 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 기준으로 커팅하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드 패키지의 리드들의 절곡된 면을 상대적으로 증가시켜 리드들과 솔더부의 접촉 면적이 종래보다 넓어지도록 함으로써, 발광 다이오드 패키지를 외부기판의 전극들에 실장하였을 때 보다 안정적으로 실장될 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 외부 전극에 솔더링하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 외부 전극에 솔더링하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 기판; 상기 기판의 일 측에 형성된 제1 리드; 상기 제1 리드와 이격 배치되고, 상기 기판의 타 측에 형성된 제2 리드; 상기 제1 리드 및 제2 리드에 각각 전기적으로 접촉되게 상기 제1 리드 및 제2 리드 상에 배치된 발광 다이오드 칩; 상기 기판 상부에 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 형성된 하우징; 및 상기 발광 다이오드 칩의 상부에 형성된 파장변환부를 포함하고, 상기 제1 리드 및 제2 리드는 상기 기판의 측면 및 하면에 각각 접하도록 형성되며, 상기 기판의 측면에서 외측으로 돌출된 형상으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 하우징의 상기 기판의 너비보다 큰 너비를 가지도록 형성되고, 상기 제1 리드 및 제2 리드는 상기 기판의 위치에서 벗어난 상기 하우징의 하면에 접하도록 형성될 수 있다.
그리고 상기 제1 리드 및 제2 리드 각각은, 상기 기판의 상면 일부를 덮도록 형성된 리드 상부; 상기 리드 상부에서 연장되고, 상기 기판의 측면을 덮도록 형성된 리드 측부; 및 상기 리드 측부에서 연장되며, 상기 기판의 하면 일부를 덮도록 형성된 리드 하부를 포함할 수 있으며, 상기 리드 상부는 상기 기판의 상면 일부를 덮도록 기판 외측으로 돌출 형성될 수 있다.
또한, 상기 하우징의 상기 기판의 너비보다 큰 너비를 가지도록 형성되고, 상기 리드 상부의 상면은 상기 하우징의 하면 일부와 접촉될 수 있다.
그리고 상기 하우징은 상기 기판과의 사이에 상기 기판의 상면 일부를 노출시키는 홈이 형성되고, 상기 리드 상부는 상기 홈에 위치하여, 상기 노출된 기판의 상면 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 하우징에 의해 상기 기판과 이격될 수 있으며, 그에 따라 상기 하우징은 상기 발광 다이오드 칩과 기판 사이에 형성될 수 있다. 그리고 상기 하우징은 상기 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛을 반사시키는 백색 수지로 형성될 수 있다.
그리고 제1 리드 및 제2 리드의 외부로 노출된 면에 도전성 물질이 코팅될 수 있으며, 상기 하우징은 상기 파장변환부를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 기판의 대향된 양면에 금속 물질을 코팅하는 단계; 상기 금속 물질이 코팅된 기판의 하나 이상의 슬릿을 형성하는 단계; 상기 기판의 양면 중 어느 한 면의 코팅된 금속 물질을 제거하는 단계; 상기 금속 물질이 제거된 기판에 금속판을 결합하는 단계; 상기 결합된 금속판에 발광 다이오드 칩을 실장하기 위한 패턴을 형성하는 단계; 상기 형성된 패턴 상부에 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계; 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩 상부에 파장변환부를 형성하는 단계; 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩 및 파장변환부를 감싸도록 수지를 몰딩하는 단계; 및 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 기준으로 커팅하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 파장변환부를 형성하기 전에 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩의 상면이 노출되도록 상기 금속판 상부에 수지를 제1 차 몰딩하는 단계; 및 상기 파장변환부가 형성된 이후에 상기 파장변환부 및 상기 제1 차 몰딩된 수지의 일부를 다이싱하는 단계를 더 포함하고, 상기 수지를 몰딩하는 단계는 제2 차 몰딩일 수 있다.
그리고 상기 다이싱하는 단계는, 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 기준으로 다이싱할 수 있다.
또한, 상기 금속판이 결합된 기판의 배면에 코팅된 금속 물질을 제거하여 일 방향으로 길이를 가지는 홈을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
그리고 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 실장하기 전에 상기 금속판 및 코팅된 금속 물질에 도전성 물질을 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 2의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 기판(110), 발광 다이오드 칩(120), 제1 리드(132) 및 제2 리드(134), 하우징(140) 및 파장변환부(150)를 포함한다.
기판(110)은 발광 다이오드 칩(120)이 실장되는 실장영역이 형성되고, 제1 리드(132) 및 제2 리드(134)가 기판(110)에 결합 형성될 수 있다. 그리고 기판(110)은 방열에 유리한 메탈 PCB일 수 있으며, 장축 및 단축을 갖는 바(bar) 타입으로 형성될 수 있다. 그리고 본 발명의 일 실시예에서 기판(110)에는 다수의 도전성 패턴이 형성된 인쇄회로기판일 수 있다.
제1 리드(132) 및 제2 리드(134)는 기판(110)에 결합되되, 각각 기판(110)의 상면 일부, 기판(110)의 측면 및 기판(110)의 하면 일부와 접하도록 형성될 수 있다. 제1 리드(132) 및 제2 리드(134)는 기판(110)을 기준으로 서로 대향되는 위치에 형성될 수 있으며, 형상도 기판(110)을 기준으로 서로 대향되는 형상으로 형성될 수 있다.
도 2의 (b)에 도시된 단면도를 바탕으로, 제2 리드(134)를 기준으로 설명하면, 제2 리드(134)의 상부(134u)는 일부가 기판(110)의 상면 일부를 덮도록 형성되고, 나머지가 기판(110)의 외측으로 돌출되도록 형성된다. 그리고 제2 리드(134)의 측부(134s)는 상부(134u)의 하면에서 기판(110)의 하면 방향으로 연장 형성되고, 기판(110)의 측면에 접하도록 형성된다. 또한, 제2 리드(134)의 하부(134d)는 측부(134s)에서 기판(110)의 하면을 따라 연장되고, 기판(110)의 하면 일부를 덮도록 형성된다. 상기와 같이 형성되어, 제2 리드(134)는 그리스 문자의 타우(τ)와 같은 형상으로 형성될 수 있다.
즉, 제2 리드(134)는 기판(110)의 측면과 상면 일부 및 하면 일부를 감싸는 형상으로 형성되고, 기판(110) 상면에서 외측 방향으로 돌출된 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 리드(134)의 너비는 하우징(140)의 너비와 동일하게 형성될 수 있다.
제1 리드(132)는 제2 리드(134)의 형상이 기판(110)을 기준으로 대향되는 형상과 위치에 형성될 수 있으며, 제1 리드(132)와 제2 리드(134)는 서로 일정 이상 이격된 상태로 기판(110)에 결합된다.
발광 다이오드 칩(120)은 외부에서 공급된 전원에 의해 소정 파장의 빛을 방출하는 반도체 소자의 일종으로, 하나 또는 다수 개가 구비될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 발광 다이오드 칩(120)은 제1 리드(132) 및 제2 리드(134)에 SMT(surface mount technology)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 그에 따라 별도의 와이어를 이용하지 않고, 발광 다이오드 칩(120)에 전기적인 연결을 위해 와이어를 이용하지 않을 수 있으며, 그에 따라 와이어 보호를 위한 몰딩부가 필요하지 않다.
하우징(140)은 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(120)을 감싸도록 형성되며, 기판(110) 상부에서 제1 리드(132) 및 제2 리드(134) 사이의 이격된 공간을 채우도록 형성된다. 그에 따라 하우징(140)은 발광 다이오드 칩(120)을 보호할 수 있으며, 제1 리드(132) 및 제2 리드(134)가 서로 전기적으로 절연시킬 수 있다. 그에 따라 하우징(140)은 PPA(polyphtalamide) 계열의 수지로 제작될 수 있으며, PA9T(polyamide 9t) 수지가 이용될 수 있다. 또한, 열에 강한 PCT 계열의 수지가 이용될 수도 있다.
하우징(140)의 상부(발광 다이오드 칩(120)의 빛이 방출되는 방향)는 파장변환부(150)가 결합될 수 있는 홈이 형성될 수 있으며, 파장변환부(150)는 발광 다이오드 칩(120)의 상면과 접하도록 형성될 수 있다. 그리고 하우징(140)의 내측면은 반사부의 역할을 할 수 있다. 즉, 하우징(140)의 내측면은 발광 다이오드 칩(120)에서 발광된 빛이 일 방향으로만 방출될 수 있도록 빛을 반사할 수 있다.
상기에서 설명한 바와 같이, 파장변환부(150)는 발광 다이오드 칩(120) 상부에 형성되고, 발광 다이오드 칩(120)의 상부면에 접하도록 형성되고, 발광 다이오드 칩(120)의 너비보다 크게 형성된다. 이때, 파장변변환부는 형광체를 포함할 수 있다. 형광체는 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광을 파장변환할 수 있다.
상기와 같이, 파장변환부(150)가 발광 다이오드 칩(120) 상부에 배치된 상태에서 파장변환부(150)는 하우징(140)에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 그에 따라 파장변환부(150)를 투과하는 빛이 하우징(140) 내측 벽에서 반사되어 일 방향으로만 빛이 방출될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 외부 전극에 솔더링하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
상기에서 설명한 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 외부기판의 제1 전극(212) 및 제2 전극(214)에 솔더링하는 것에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(120)에서 발광된 빛이 제1 전극(212) 및 제2 전극(214)의 수평 방향으로 방출되도록 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)가 배치된다. 즉, 하우징(140)에 제1 리드(132) 및 제2 리드(134)가 형성되지 않은 하우징(140)의 측면과 제1 전극(212) 및 제2 전극(214)이 접촉하도록 발광 다이오드 패키지(100)가 배치된다.
이때, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(212) 및 제2 전극(214)에 굳지 않은 솔더부(200, 점성이 있는 액상의 상태일 수 있음)가 각각 형성되고, 발광 다이오드 패키지(100)는 솔더부(200)를 덮으면서 제1 전극(212) 및 제2 전극(214)에 접촉된다. 그에 따라 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 굳지 않은 솔더부(200)는 발광 다이오드 패키지(100)의 제1 리드(132) 및 제2 리드(134)의 표면을 따라 이동되어 제1 전극(212) 및 제2 전극(214)에 발광 다이오드 패키지(100)가 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 솔더부(200)가 경화됨에 따라 발광 다이오드 패키지(100)는 제1 전극(212) 및 제2 전극(214)에 결합될 수 있다.
이때, 솔더부(200)는 도전성을 가지는 물질이 이용되어 발광 다이오드 패키지(100)의 제1 리드(132)는 제1 전극(212)과 전기적으로 연결되고, 제2 리드(134)는 제2 전극(214)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극(212)과 제2 전극(214)은 서로 이격되어 전기적으로 절연될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 제조하는 방법에 대해 도 4에 도시된 도면을 참조하여 설명한다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 일정 두께를 가지는 기판(110)의 양면에 제1 금속판(21)과 제2 금속판(23)을 각각 결합시킨다. 이때, 제1 금속판(21)은 기판(110)의 하면에, 제2 금속판(23)은 기판(110)의 상면에 각각 결합시키되, 제1 금속판(21)과 제2 금속판(23)의 위치가 변경되어도 무관하다. 여기서, 제1 금속판(21) 및 제2 금속판(23)은 각각 박막 형상으로 기판(110)에 코팅될 수 있다. 그리고 제1 금속판(21) 및 제2 금속판(23)은 각각 금속을 포함할 수 있으며, 일례로, 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
그리고 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 금속판(21), 기판(110) 및 제2 금속판(23)을 관통하는 두 개의 슬릿(S1, S2)을 형성한다. 두 개의 슬릿(S1, S2), 즉, 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)은 소정의 너비를 가지고, 일 방향으로 길이를 가지도록 형성되며, 제1 슬릿(S1)과 제2 슬릿(S2)은 일정 거리 이상 이격된 상태로 형성된다.
그런 다음, 기판(110)의 상면에 결합된 제2 금속판(23)을 에칭(etching)하여 제거한다. 그에 따라 도 4c에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 상면이 노출될 수 있다. 여기서, 제2 금속판(23)을 에칭하는 과정에서 기판(110)의 일부도 같이 에칭될 수 있다.
상기와 같이, 에칭에 의해 기판(110)이 노출된 면에 제3 금속판(25)을 결합시켜, 도 4d에 도시된 바와 같이, 형성한다. 그리고 기판(110)에 제3 금속판(25)이 결합된 상태에서 제3 금속판(25)에 패턴부(P)를 형성한다. 패턴부(P)는 도 4e에 도시된 바와 같이, 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2) 사이의 위치에 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)의 길이 방향으로 형성하되, 일정 간격으로 내측 방향으로 돌출될 돌기가 형성되도록 한다. 그에 따라 패턴부(P)의 돌기는 패터부의 홈 내측면에서 돌출된 형상으로 패턴부(P) 양측면에 형성되고, 서로 대응되는 위치에 복수개가 형성될 수 있다.
그리고 기판(110)의 하면에 형성된 제1 금속판(21)에 홈부(H)를 형성한다. 홈부(H)는 제1 슬릿(S1)과 제2 슬릿(S2)의 사이에 형성되고, 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)의 길이 방향으로 형성된다. 홈부(H)는 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)의 너비보다 작은 너비를 가지도록 형성되며, 제1 금속판(21)만 에칭하여 형성된다. 그에 따라 홈부(H)를 통해 기판(110)이 외부로 노출될 수 있다.
그런 다음 기판(110)의 하면에 금속 코팅이 이루어지는데, 금속 코팅은 제1 금속판(21)과 동일한 재질의 금속으로 코팅이 이루어질 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에서 구리가 코팅될 수 있다. 이때, 금속 코팅은 홈부(H)를 제외한 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)의 내측면에도 이루어질 수 있다. 이렇게 금속 코칭이 이루어짐에 따라 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)을 통해 제1 금속판(21)과 제3 금속판(25)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 도 4f에 도시된 바와 같이, 홈부(H)에 의해 노출된 기판(110)을 제외한 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)의 내측면을 포함한 전체가 금속으로 덮이도록 형성될 수 있다. 여기서, 도 4f는 도 4e 형상의 배면을 도시한 도면이다.
이렇게 제1 금속판(21) 및 제3 금속판(25)에 패턴부(P) 및 홈부(H)가 형성된 상태에서 제1 금속판(21) 및 제3 금속판(25)의 전체에 다시 도전성 금속을 포함하는 코팅부재(C)를 코팅할 수 있다. 이때, 코팅되는 코팅부재(C)는 니켈(Ni) 및 금(Au) 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속 또는 합금일 수 있다. 또는 니켈 및 금이 차례로 적층되어 코팅될 수 있다. 도 4g는 코팅부재(C)가 코팅된 기판(110)의 상면, 즉, 제3 금속판(25)이 나타나도록 도시한 도면이고, 도 4h는 코팅부재(C)가 코팅된 기판(110)의 하면, 즉, 제1 금속판(21)이 나타나도록 도시한 도면이다.
여기서, 코팅부재(C)는 제1 금속판(21) 및 제3 금속판(25)에만 코팅되므로, 패턴부(P)에 의해 노출된 기판(110) 및 홈부(H)에 의해 노출된 기판(110)에는 코팅부재(C)가 코팅되지 않는다.
상기와 같이, 도 4i에 도시된 바와 같이, 코팅부재(C)가 코팅된 상태에서 제3 금속판(25)에 형성된 패턴부(P)에 접착부재(D)를 형성하고, 접착부재(D) 상부에 발광 다이오드 칩(120)을 결합시킨다. 접착부재(D)는 발광 다이오드 칩(120)을 제3 금속판(25)에 고정시키면서 발광 다이오드 칩(120)과 제3 금속판(25)이 전기적으로 연결시킬 수 있는 물질이면 어떤 것이든 무관하다. 여기서, 접착부재(D)는 패턴부(P)의 돌출된 돌기에 형성하여 발광 다이오드 칩(120)이 패턴부(P)를 가로지르는 방향으로 결합되도록 할 수 있다. 그에 따라 도 4j에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(120)이 제3 금속판(25)의 패턴부(P)에 고정될 수 있다.
이렇게 발광 다이오드 칩(120)이 제3 금속판(25)에 고정된 다음, 제3 금속판(25)의 상면에 수지부(27) 몰딩될 수 있다. 이때, 몰딩되는 수지부(27)는 백색 실리콘 레진이 이용될 수 있으며, 액상의 수지부(27)를 이용하여 몰딩이 이루어지므로, 수지부(27)는 패턴부(P)에 의해 노출된 기판(110)과 함께 발광 다이오드 칩(120)을 둘러싸도록 제3 금속판(25) 상부에 형성될 수 있다.
그에 따라 수지부(27)는 제3 금속판(25)과 접촉되지 않은 발광 다이오드 칩(120)의 하면과 접촉되도록 형성될 수 있다. 그리고 도 4k에 도시된 바와 같이, 수지부(27)는 발광 다이오드 칩(120)의 상면은 덮지 않고, 발광 다이오드 칩(120)을 둘러싸도록 형성되어 발광 다이오드 칩(120)의 상면은 노출될 수 있다.
또한, 수지부(27)는 제3 금속판(25)의 전체에 형성되거나 일부만 덮도록 형성될 수 있되, 제1 슬릿(S1) 및 제2 슬릿(S2)의 상부를 포함하는 위치를 포함하여 형성될 수 있다.
상기와 같이, 수지부(27)가 형성된 상태에서 수지부(27)의 상면을 덮도록 파장변환부(150)가 형성될 수 있다. 파장변환부(150)는 수지부(27) 전체를 덮도록 형성되며, 도 4l에 도시된 바와 같이, 수지부(27)에 의해 노출된 발광 다이오드 칩(120)의 상면과 접촉되도록 형성된다.
그리고 파장변환부(150)와 수지부(27)를 다이싱(dicing)하되, 도 4m에 도시된 바와 같이, 수지부(27)의 일부만 다이싱되도록 하프컷 다이싱(half cut dicing)이 이루어진다. 이 공정에서 이루어지는 다이싱은 하나의 발광 다이오드 칩(120)을 기준으로 일정 간격으로 패턴을 가지도록 형성될 수 있다.
그런 다음, 다이싱된 파장변환부(150) 상부를 덮도록 다시 수지부(27)가 몰딩되어 형성될 수 있다. 그에 따라 수지부(27)는 다이싱된 파장변환부(150)들 사이를 채우도록 형성될 수 있으며, 도 4n에 도시된 바와 같이, 기존 형성된 수지부(27)와 일체로 형성될 수 있다.
형성된 수지부(27)가 경화된 이후, 수지부(27)의 상면을 그라인딩(grinding)하는 공정이 이루어지며, 이때, 파장변환부(150)가 외부로 노출되도록 그라인딩이 이루어질 수 있다. 그에 따라 도 4o에 도시된 바와 같이, 파장변환부(150)들이 노출될 수 있으며, 파장변환부(150)들은 일정 간격으로 이격된 상태로 형성될 수 있다.
그런 다음, 도 4p에 도시된 바와 같이, 각각의 파장변환부(150)들을 기준으로 한의 파장변환부(150)를 둘러싸는 수지부(27)의 두께가 일정하도록 수직방향으로 커팅이 이루어진다. 도 4p는 수직 방향으로 커팅된 형상을 도시한 것이며, 그에 따라 도 4q에 도시된 바와 같이, 하나의 발광 다이오드 패키지(100)를 제조할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 발광 다이오드 패키지
110: 기판 120: 발광 다이오드 칩
132: 제1 리드 134: 제2 리드
140: 하우징 150: 파장변환부
200: 솔더부 212: 제1 전극
214: 제2 전극
21: 제1 금속판 23: 제2 금속판
S1, S2: 제1 및 제2 슬릿
25: 제3 금속판 C: 코팅부재
P: 패턴부 H: 홈부
D: 접착부재 27: 수지부
110: 기판 120: 발광 다이오드 칩
132: 제1 리드 134: 제2 리드
140: 하우징 150: 파장변환부
200: 솔더부 212: 제1 전극
214: 제2 전극
21: 제1 금속판 23: 제2 금속판
S1, S2: 제1 및 제2 슬릿
25: 제3 금속판 C: 코팅부재
P: 패턴부 H: 홈부
D: 접착부재 27: 수지부
Claims (16)
- 기판;
상기 기판의 일 측에 형성된 제1 리드;
상기 제1 리드와 이격 배치되고, 상기 기판의 타 측에 형성된 제2 리드;
상기 제1 리드 및 제2 리드에 각각 전기적으로 접촉되게 상기 제1 리드 및 제2 리드 상에 배치된 발광 다이오드 칩;
상기 기판 상부에 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 형성된 하우징; 및
상기 발광 다이오드 칩의 상부에 형성된 파장변환부를 포함하고,
상기 제1 리드 및 제2 리드는 상기 기판의 측면 및 하면에 각각 접하도록 형성되며, 상기 기판의 측면에서 외측으로 돌출된 형상으로 형성된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 하우징의 상기 기판의 너비보다 큰 너비를 가지도록 형성되고,
상기 제1 리드 및 제2 리드는 상기 기판의 위치에서 벗어난 상기 하우징의 하면에 접하도록 형성된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서, 상기 제1 리드 및 제2 리드 각각은,
상기 기판의 상면 일부를 덮도록 형성된 리드 상부;
상기 리드 상부에서 연장되고, 상기 기판의 측면을 덮도록 형성된 리드 측부; 및
상기 리드 측부에서 연장되며, 상기 기판의 하면 일부를 덮도록 형성된 리드 하부를 포함하는 발광 다이오드 패키지. - 청구항 3에 있어서,
상기 리드 상부는 상기 기판의 상면 일부를 덮도록 기판 외측으로 돌출 형성된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 4에 있어서,
상기 하우징의 상기 기판의 너비보다 큰 너비를 가지도록 형성되고,
상기 리드 상부의 상면은 상기 하우징의 하면 일부와 접촉된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 3에 있어서,
상기 하우징은 상기 기판과의 사이에 상기 기판의 상면 일부를 노출시키는 홈이 형성되고,
상기 리드 상부는 상기 홈에 위치하여, 상기 노출된 기판의 상면 일부를 덮도록 형성된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩은 상기 하우징에 의해 상기 기판과 이격된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 7에 있어서,
상기 하우징은 상기 발광 다이오드 칩과 기판 사이에 형성된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 하우징은 상기 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛을 반사시키는 백색 수지로 형성된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
제1 리드 및 제2 리드의 외부로 노출된 면에 도전성 물질이 코팅된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 하우징은 상기 파장변환부를 둘러싸도록 형성된 발광 다이오드 패키지. - 기판의 대향된 양면에 금속 물질을 코팅하는 단계;
상기 금속 물질이 코팅된 기판의 하나 이상의 슬릿을 형성하는 단계;
상기 기판의 양면 중 어느 한 면의 코팅된 금속 물질을 제거하는 단계;
상기 금속 물질이 제거된 기판에 금속판을 결합하는 단계;
상기 결합된 금속판에 발광 다이오드 칩을 실장하기 위한 패턴을 형성하는 단계;
상기 형성된 패턴 상부에 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계;
상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩 상부에 파장변환부를 형성하는 단계;
상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩 및 파장변환부를 감싸도록 수지를 몰딩하는 단계; 및
상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 기준으로 커팅하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 12에 있어서,
상기 파장변환부를 형성하기 전에 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩의 상면이 노출되도록 상기 금속판 상부에 수지를 제1 차 몰딩하는 단계; 및
상기 파장변환부가 형성된 이후에 상기 파장변환부 및 상기 제1 차 몰딩된 수지의 일부를 다이싱하는 단계를 더 포함하고,
상기 수지를 몰딩하는 단계는 제2 차 몰딩인 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 다이싱하는 단계는, 상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 기준으로 다이싱하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 12에 있어서,
상기 금속판이 결합된 기판의 배면에 코팅된 금속 물질을 제거하여 일 방향으로 길이를 가지는 홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 12에 있어서,
상기 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 실장하기 전에 상기 금속판 및 코팅된 금속 물질에 도전성 물질을 코팅하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020150145214A KR20170045544A (ko) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101971436B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-04-23 | 주식회사 에이유이 | 탑뷰 및 사이드뷰 실장이 가능한 cob 타입 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP2020129690A (ja) * | 2020-05-08 | 2020-08-27 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置の製造方法 |
| JP2020150265A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-09-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
-
2015
- 2015-10-19 KR KR1020150145214A patent/KR20170045544A/ko not_active Withdrawn
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| KR101971436B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-04-23 | 주식회사 에이유이 | 탑뷰 및 사이드뷰 실장이 가능한 cob 타입 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP2020129690A (ja) * | 2020-05-08 | 2020-08-27 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置の製造方法 |
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