KR20170028036A - Graphene-covered metal wire and manufacturing method thereof - Google Patents
Graphene-covered metal wire and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170028036A KR20170028036A KR1020150124811A KR20150124811A KR20170028036A KR 20170028036 A KR20170028036 A KR 20170028036A KR 1020150124811 A KR1020150124811 A KR 1020150124811A KR 20150124811 A KR20150124811 A KR 20150124811A KR 20170028036 A KR20170028036 A KR 20170028036A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal wire
- graphene
- wire
- layer
- carbon source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/02—Single bars, rods, wires, or strips
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 그래핀 복합 금속와이어 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세선이면서도 고강도이면서 경량화되어 고전도 특성의 신뢰성이 향상된 그래핀 복합 금속와이어 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a graphene composite metal wire and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a graphene composite metal wire having high strength and light weight while improving the reliability of high conductivity.
일반적으로, 금속선 내지 금속 케이블은 금속을 이용하여 만든 선으로, 전력용(송배전용), 통신용, 제어용, 기기용, 수송용 등 매우 다양한 분야에서 사용되고 있다.Generally, metal wires or metal cables are made of metal and are used in a wide variety of fields such as electric power (for transmission and distribution), communication, control, equipment, and transportation.
이러한 금속선 내지 금속 케이블은 대표적 도체인 금속으로 제조되므로 도전율이 뛰어나지만, 경우에 따라서는 강도 저하, 부식에 의한 영향, 단면적 축소에 따른 저항 증가 등의 이유로 도전재료로서의 충분한 능력을 발휘하기가 어려울 때도 있다. 그러므로 금속선 내지 금속 케이블의 전기적, 열적 특성을 보존하거나 또는 향상시키기 위하여, 사용되는 합금을 개발하거나 금속선/금속 케이블의 표면처리(코팅 등)하는 방법들이 연구되고 있다.Although such metal wires or metal cables are made of metal, which is a typical conductor, they are excellent in electrical conductivity. However, in some cases, when it is difficult to exhibit sufficient ability as a conductive material due to reduction in strength, corrosion, have. Therefore, in order to preserve or enhance the electrical and thermal properties of metal wires or metal cables, methods for developing alloy used or surface treatment (coating, etc.) of metal wires / metal cables have been studied.
상술한 방법들 중, 금속선/금속 케이블 표면에 그래핀을 형성시키는 것은 좋은 대안이 될 수 있다. 그래핀은 상온에서 단위면적당 구리보다 약 100배 많은 전류를 전달할 수 있을 뿐만 아니라, 열전도성이 다이아몬드보다 2배 이상 높다. 또한, 기계적 강도는 강철보다 200배 이상 강하고, 유연성이 뛰어나므로 늘리거나 접어도 전도성이 저하되지 않는 장점이 있기 때문이다.Among the methods described above, forming a graphene on the metal wire / metal cable surface may be a good alternative. Graphene can transmit about 100 times more current at room temperature than copper per unit area, and its thermal conductivity is twice as high as that of diamond. Moreover, the mechanical strength is 200 times stronger than steel, and the flexibility is excellent, which is advantageous in that the conductivity is not deteriorated even if it is stretched or folded.
한편, 이러한 그래핀을 합성하는 방법은 다양할 수 있으나, 통상적으로는 박리법(일명 스카치 테이프법) 또는 금속 촉매를 이용하여 그래핀을 직접 성장시키는 방법이 이용되고 있다. 이 중, 박리법(exfolidation)의 경우에는, 기본적으로 우연에 기대하는 공정으로 스카치 테이프로 기판 위에 증착하는 과정에서 그래핀과 여러층의 그래파이트가 쉽게 부셔지면서 그래핀과 그래파이트 조각들이 무질서하게 섞이는 문제점이 있었다. 따라서, 박리법을 이용하여 금속선 표면에 그래핀을 형성하고자 하는 경우에는 그래핀이 균일하게 형성되지 못하는 문제점이 있다.On the other hand, the method of synthesizing such graphene may vary, but a method of directly growing graphene using a peeling method (aka Scotch Tape method) or a metal catalyst is generally used. Among them, in the case of exfoliating, graphene and various layers of graphite are easily broken in the process of depositing on a substrate with scotch tape, which is basically expected to happen by chance, and graphene and graphite pieces are mixed disorderly . Therefore, when graphene is to be formed on the surface of the metal wire using the peeling method, graphene can not be uniformly formed.
또한, 금속 촉매를 이용하여 그래핀을 직접 성장시키는 방법의 경우에는 금속 촉매 상에 탄소 소스를 포함하는 반응소스를 공급하고 상압에서 열처리함으로써 그래핀을 성장시키게 된다. 따라서, 그래핀 제조공정에서 1,000℃ 이상의 고온이 요구된다는 문제점이 있다. Further, in the case of a method of directly growing graphene using a metal catalyst, graphene is grown by supplying a reaction source containing a carbon source onto the metal catalyst and heat-treating it at normal pressure. Therefore, there is a problem that a high temperature of 1,000 DEG C or more is required in the graphene manufacturing process.
도 1은 그래핀 직접형성제조방법의 경우의 제조온도그래프이고, 도 2는 온도에 따른 구리의 인장강도 변화를 도시한 그래프이다. 도 1을 참조하면, 그래핀 형성시 탄화수소(가스류, 액체류, 고체류) 전구체에 따라 분해 온도가 달라지며, 고품질의 그래핀을 제조하기 위한 탄화수소 전구체로 CH4 가스를 주로 사용해 왔다. CH4 가스의 경우, 분해온도가 900℃ 내지 1,000℃ 이상이다. 만약, 그래핀이 합성되는 기재가 금속, 예를 들어 구리인 경우, 도 2에서와 같이 구리의 인장강도는 온도에 따라 급격히 감소되므로 기재의 기계적 강도를 떨어트려 물성저하가 심화된다. FIG. 1 is a graph showing the production temperature in the case of the graphene direct forming production method, and FIG. 2 is a graph showing the tensile strength change of copper according to the temperature. Referring to FIG. 1, at the time of graphening, the decomposition temperature varies depending on precursors of hydrocarbons (gas, liquid, and solid), and CH 4 gas is mainly used as a hydrocarbon precursor for producing high quality graphene. In the case of CH 4 gas, the decomposition temperature is 900 ° C to 1,000 ° C or more. If the substrate on which graphene is synthesized is a metal, for example, copper, as shown in FIG. 2, the tensile strength of copper is drastically reduced according to the temperature, so that the mechanical strength of the substrate is lowered and the deterioration of physical properties is increased.
또한, 그래핀 성장 후에 금속 촉매를 에칭 등의 방법을 이용하여 제거하는 과정에서 금속 촉매 상부에 형성된 그래핀에 존재하는 오염물질의 완벽한 제거가 어렵다는 문제점이 있으므로, 금속선 표면에 그래핀을 형성하기에는 적합하지 않다는 문제점이 있다.Further, since there is a problem in that it is difficult to completely remove contaminants present in the graphene formed on the metal catalyst in the process of removing the metal catalyst after the graphen growth using a method such as etching, There is a problem that it is not.
따라서, 금속선 표면에 그래핀을 형성함에 있어, 상대적으로 저온에서 균일하게 그래핀을 형성시킬 수 있는 방법의 개발이 요구되고 있는 실정이다.Therefore, in order to form graphene on the surface of a metal wire, it is required to develop a method capable of uniformly forming graphene at a relatively low temperature.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 미세선이면서도 고강도이면서 경량화되어 고전도 특성의 신뢰성이 향상된 그래핀 복합 금속와이어 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a graphene composite metal wire having high strength and light weight while improving the reliability of high-conductivity characteristics, and a method of manufacturing the same.
본 발명의 일 측면에 따르면, 그래핀 복합 금속와이어는 구리합금 와이어를 포함하는 금속와이어; 및 금속와이어의 표면에 형성된 그래핀층;을 포함한다. According to one aspect of the present invention, a graphene composite metal wire comprises a metal wire comprising a copper alloy wire; And a graphene layer formed on the surface of the metal wire.
구리합금 와이어는 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe) 및 이들의 합금 중에서 선택된 합금금속을 포함할 수 있다. The copper alloy wire may comprise an alloy metal selected from nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe) and alloys thereof.
합금금속이 철이면, 철은 구리합금 와이어의 전체 중량을 기준으로 하여 2.5wt% 내지 60wt%로 포함될 수 있다. If the alloy metal is iron, the iron may be included in an amount of 2.5 wt% to 60 wt% based on the total weight of the copper alloy wire.
구리합금 와이어는 내부에 카본파이버를 포함할 수 있다. The copper alloy wire may include carbon fibers therein.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 구리합금 와이어를 포함하는 금속와이어를 준비하는 단계; 금속와이어의 표면에 카본소스를 포함하는 카본소스층을 형성하는 단계; 및 마이크로웨이브(Variable Frequency Microwave, VFM) 또는 백색광 (Intensed Pulse Light, IPL) 중 적어도 어느 하나를 조사하여 금속와이어 표면에 그래핀층을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀 복합 금속와이어 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a metal wire including a copper alloy wire; Forming a carbon source layer including a carbon source on the surface of the metal wire; And forming a graphene layer on the surface of the metal wire by irradiating at least one of a microwave (Variable Frequency Microwave (VFM) or a white light (Intensity Pulse Light, IPL) .
카본소스는 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리메틸타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 아크릴로니트릴부타디엔스티렌(Acrylonitrile Butadiene Styrene, ABS), 및 SAM(Self-assembled monolayer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Carbon sources include polyimide (PI), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene (PS), acrylonitrile butadiene styrene (ABS), and self-assembled monolayer (SAM) Or the like.
카본소스층은 이온성 액체(ionic liquid) 및 중합 이온성 액체(poly ionic liquid, PIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The carbon source layer may comprise at least one of an ionic liquid and a polyionic liquid (PIL).
그래핀층은 카본소스층으로부터 200℃ 내지 300℃의 공정온도에서 형성될 수 있다. The graphene layer may be formed from the carbon source layer at a process temperature of 200 캜 to 300 캜.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 금속와이어의 금속 합금 조합에 따라 열전도도, 열용량, 전자파 차폐/흡수 등의 추가기능이 구현되어 제품성능을 높인 그래핀 복합 금속와이어을 얻을 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, additional functions such as thermal conductivity, heat capacity, electromagnetic wave shielding / absorption, and the like are realized according to the combination of metal alloys of metal wires, .
또한, 다층 그래핀 층 형성이 가능하고, 그래핀층의 층수조절이 용이하여 원하는 열전도도 및 두께의 그래핀 복합 금속와이어를 얻을 수 있다. Further, a multi-layered graphene layer can be formed, and the number of layers of the graphene layer can be easily adjusted, so that a graphene composite metal wire having desired thermal conductivity and thickness can be obtained.
아울러, 마이크로웨이브 및 IPL을 이용하여 저온공정수행이 가능하면서 추가적으로 이온성 액체 등을 카본소스와 함께 사용하여 보다 더 저온에서 그래핀층 형성이 가능하므로, 구리를 포함하는 금속와이어의 인장강도 등의 물성을 우수하게 유지할 수 있어 보다 미세선으로 형성이 가능하여 널리 사용될 수 있는 그래핀 복합 금속와이어를 얻을 수 있는 효과가 있다. In addition, it is possible to perform a low-temperature process by using microwave and IPL, and additionally, since a graphene layer can be formed at a lower temperature by using an ionic liquid or the like together with a carbon source, properties such as tensile strength of a metal wire including copper Can be excellently maintained, and it is possible to form a graphene composite metal wire which can be formed more finely and can be widely used.
도 1은 그래핀 직접형성제조방법의 경우의 제조온도그래프이고, 도 2는 온도에 따른 구리의 인장강도 변화를 도시한 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 그래핀 복합 금속와이어의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 복합 금속와이어의 사시도이다.
도 5는 구리 직경에 따른 그래핀층의 전류밀도향상효율을 도시한 그래프이다.
도 6은 그래핀 두께(층수)에 따른 그래핀층의 전류밀도향상효율을 도시한 그래프이다. FIG. 1 is a graph showing the production temperature in the case of the graphene direct forming production method, and FIG. 2 is a graph showing the tensile strength change of copper according to the temperature.
3 is a perspective view of a graphene composite metal wire in accordance with an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a graphene composite metal wire according to another embodiment of the present invention.
5 is a graph showing the current density improvement efficiency of the graphene layer according to the copper diameter.
6 is a graph showing the current density improvement efficiency of the graphene layer depending on the graphene thickness (number of layers).
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. It should be understood that while the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein, The present invention is not limited thereto.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 그래핀 복합 금속와이어의 사시도이다. 본 실시예에 따른 그래핀 복합 금속와이어(100)는 구리합금 와이어를 포함하는 금속와이어(110); 및 금속와이어(110)의 표면에 형성된 그래핀층(120);을 포함한다. 3 is a perspective view of a graphene composite metal wire in accordance with an embodiment of the present invention. The graphene
본 발명의 그래핀 복합 금속와이어(100)는 구리합금 와이어를 포함하는 금속와이어(110)를 포함한다. 금속와이어(110)는 특히 구리합금 와이어를 포함하는데, 구리합금 와이어는 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe) 및 이들의 합금 중에서 선택된 합금금속을 포함할 수 있다.The graphene
구리합금 와이어는 금속 중, 전기전도성이 우수한 구리 이외에 다른 금속이 합께 사용될 수 있는데, 기계적 강도 및 탄성력 등을 고려하여 Cu/Ag, Cu/Pd, Cu/Fe, Cu/Co, Cu/W 또는 Cu/Ni 합금과 같은 소재가 사용될 수 있다. Copper alloy wire can be used in combination with other metals other than copper, which has excellent electrical conductivity. In consideration of mechanical strength and elasticity, Cu / Ag, Cu / Pd, Cu / Fe, Cu / / Ni alloy may be used.
구리합금 와이어에 구리 이외의 다른 금속이 사용되는 경우, 다양한 물성 개선이 가능하다. 구리합금 와이어에 Cu/Ag가 사용되는 경우, 그래핀층(120)의 합성시 고품질 그래핀 합성이 가능하고, 구리의 결정립 방위의 제어가 용이하고 크기가 증대된다. 또는, Cu/Pd가 사용되는 경우, 그래핀층(120)의 층수조절이 용이하고, 내화학성 및 내부식성이 우수하게 된다. 아울러, Cu/Fe 및 Cu/Ni의 경우, 고온 안정성 및 높은 기계적 강도를 유지할 수 있고, 자성체 특성 기반 방열특성과 전자파 차폐특성이 증대된다. Cu/W의 경우, 고온 안정성 및 높은 기계적 강도를 유지할 수 있고, 고탄성력 확보가 용이하다. When a metal other than copper is used for the copper alloy wire, various property improvements are possible. When Cu / Ag is used in the copper alloy wire, high-quality graphene synthesis can be performed in the synthesis of the
금속와이어(110) 상에는 그래핀층(120)이 합성되는데, 그래핀층(120)의 층수는 사용되는 그래핀 복합 금속와이어(100)의 용도에 따라 상이할 수 있다. 따라서, 그래핀 복합 금속와이어(100)의 그래핀층(120)의 층수를 자유롭게 조절하게 된다면 여러 용도에 맞는 그래핀 복합 금속와이어(100)를 얻을 수 있다. 예르 들어, 구리합금 와이어에서 구리함량이 적고 다른 합금금속의 함량이 높은 경우 전도도가 높은 구리의 함량이 낮기 때문에 그래핀층(120)을 다층으로 형성하여 그래핀 복합 금속와이어(100)의 전도도를 향상시킬 수 있다. A
또는, 구리합금 와이어에서 구리함량이 높은 경우, 열전도도를 향상시킬 필요가 없으므로 그래핀층(120)은 금속산화를 방지하기 위한 층으로 형성되어 적은 층수로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 금속와이어(110) 상에 형성되는 그래핀층(120)의 층수는 다양하게 조절되는 것이 바람직한데, 다층 그래핀층(120)을 형성하기 위해서는 그래핀층(120)이 형성될 기재, 즉 금속와이어(110)에 탄소 융해도가 높은 성분이 포함되는 것이 바람직하다. Alternatively, when the copper content in the copper alloy wire is high, it is not necessary to improve the thermal conductivity. Therefore, it is preferable that the
금속와이어(110)에 탄소융해도가 높은 성분이 포함되면, 금속와이어(110)에 카본소소로부터의 탄소가 융해되어 표면에 밀착되게 된다. 따라서, 금속와이어(110) 상에서 다층 그래핀 합성이 용이하다. 탄소융해도가 높은 성분으로는 전이금속이 있는데, 특히 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 철(Fe)과 같은 전이금속의 경우 탄소융해도가 높아 그래핀층(120)이 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 전이금속의 경우, 구리의 전기전도도를 감소시키지 않으면서 표면에 형성될 그래핀층(120)의 층수를 제어할 수 있으므로 금속와이어(110)는 구리합금 와이어를 포함하는 것이 바람직하다. When the
구리합금 와이어에서 합금금속이 특히 철(Fe)일 수 있는데, 구리합금 와이어가 철을 포함하는 경우 강도가 높아져 고온이 적용되어도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있다. 따라서, 금속와이어(110)의 기계적 강도가 높아 미세선으로 제조가능하다. 금속와이어는 직경이 10㎛ 내지 200㎛일 수 있다. In a copper alloy wire, the alloy metal may be iron (Fe) in particular, and if the copper alloy wire contains iron, the strength is high and high mechanical strength can be maintained even at high temperatures. Therefore, since the mechanical strength of the
이 때, 철은 그래핀 복합 금속와이어(100)의 전체 강도를 고려하여 구리합금 와이어에 포함될 수 있다. 즉, 철은 구리합금 와이어의 전체 중량을 기준으로 하여 2.5wt% 내지 60wt%로 포함될 수 있다. 바람직하게는, 철은 금속와이어(110)의 전체중량을 기준으로 하여 30wt% 내지 60wt%로 포함될 수 있다. At this time, iron may be included in the copper alloy wire in consideration of the total strength of the graphene
아울러, 철의 함량이 높은 금속와이어(110)의 경우, 직경이 작아도 고강도를 나타내게 되므로 사용되는 금속와이어(110)의 크기가 작아지므로 종래보다 경량화되는데, 종래보다 약 5% 내지 30%의 중량감소효과를 얻을 수 있다. In addition, since the
특히, 철은 자성체로서 전자파 및 자기장 차폐기능을 그래핀 복합 금속와이어(100)에 부여할 수 있다. 또한, 철은 높은 열전도도로 인하여 방열기능 또한 수행할 수 있다. 따라서, 철의 함량이 높은 경우, 그래핀 복합 금속와이어(100)는 강도가 높은 미세선으로 형성될 수 있으면서 전자파나 자기장 차폐기능과 함께 방열기능까지 구현된 신뢰성 높은 제품을 형성할 수 있다. In particular, iron can impart electromagnetic wave and magnetic field shielding functions to the graphene
금속와이어(110) 상에는 그래핀층(120)이 형성된다. 그래핀층(120)은 금속와이어(110)에 포함된 금속의 산화를 방지할 수 있고 그래핀 복합 금속와이어(100)의 전기전도성을 향상시키며, 기계적 강도 또한 증가시킬 수 있다.On the
본 발명에 따른 그래핀 복합 금속와이어(100)는 금속와이어(110) 및 그래핀층(120) 사이에 자성체층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 자성체층(미도시)은 자성을 띠는 층으로서, 전자파 또는 자기장을 차폐하는 기능을 갖는다. 자성체층(미도시)은 Ni, Fe, Co, M, Zn, Si, Mo, Nb, 및 B 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. The graphene
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 복합 금속와이어의 사시도이다. 본 발명에 따른 그래핀 복합 금속와이어(200)는 금속와이어(210) 내부에 카본파이버(230)를 더 포함할 수 있다. 금속와이어(210) 내부에 카본파이버(230)를 더 포함하면, 카본파이버(230)가 금속에 비하여 경량이므로 더 미세하게 작은 직경으로 구현하여도 강도를 유지할 수 있어 고강도의 그래핀 복합 금속와이어를 얻을 수 있다.4 is a perspective view of a graphene composite metal wire according to another embodiment of the present invention. The graphene
도 5는 구리 와이어의 직경에 따른 그래핀층의 전류밀도향상효율을 도시한 그래프이다. 구리 와이어에 그래핀층이 형성되면, 구리 와이어의 저항, 열전도도 및 절연파괴전류밀도 등의 전기적 특성 향상과 구리의 산화를 지연시키는 효과가 있기 때문에, 그래핀층이 형성된 구리와이어는 전류밀도가 향상된다. 5 is a graph showing the current density improvement efficiency of the graphene layer according to the diameter of the copper wire. When the graphene layer is formed on the copper wire, the copper wire formed with the graphene layer has an improved current density because it has the effect of improving the electrical characteristics such as the resistance of the copper wire, the thermal conductivity and the breakdown current density and delaying the oxidation of copper .
그래핀이 코팅된 구리 와이어의 전류밀도는 이하의 수학식 1에 의해 산출될 수 있다. The current density of the graphene-coated copper wire can be calculated by the following equation (1).
[수학식 1][Equation 1]
식 중, J는 그래핀이 코팅된 구리 와이어의 전류 밀도, J'는 구리 와이어의 전류 밀도, A는 코팅된 그래핀의 단면적, A'는 구리 와이어의 단면적, σ는 그래핀의 전도도(비저항의 역수), σ'는 구리의 전도도이다.Where J is the current density of the graphene coated copper wire, J 'is the current density of the copper wire, A is the cross-sectional area of the coated graphene, A' is the cross-sectional area of the copper wire, ), And σ 'is the conductivity of copper.
수학식 1에 따라 산출된 단일 그래핀층이 코팅된 구리 와이어의 전류밀도 향상율이 도 5에 도시된다. 구리 와이어의 직경이 작아질수록 단층으로 코팅된 그래핀층에 의한 전류밀도 향상효과가 크게 나타날 것으로 예측된다. The current density improvement rate of a copper wire coated with a single graphene layer calculated according to
도 4의 실시예와 같이 금속와이어(210) 내부에 카본파이버(230)를 포함하는 경우, 동일한 직경의 금속와이어(210)만을 포함하는 경우와 비교하여 카본파이버(230)가 금속보다 전기전도도가 낮기 때문에 전체적인 전기전도도는 낮다. 그러나, 카본파이버(230)는 구리나 철과 같은 금속보다 1/3 내지 1/4의 중량으로 10배 이상의 강도를 나타낸다. 따라서, 카본파이버(230)를 내부에 포함하는 그래핀 복합 금속와이어(200)의 경우, 도 3과 같은 전체가 금속인 금속와이어(110)를 포함하는 경우보다 경량이면서, 카본파이버(230)의 외부에 금속층을 포함하고 있어서 전기전도도가 보완되어 경량의 고강도 특성을 나타낸다. 4, when the
또한, 내부에 카본파이버(230)를 포함하는 금속와이어(210)는 카본파이버(230)와 그래핀층(220) 사이에 금속층이 위치하는데, 금속층이 얇으면 그래핀층(220) 형성시 카본파이버(230) 및 그래핀층(220) 사이의 간격이 작다. 따라서, 그래핀층(220) 형성시 금속층 아래의 카본파이버(230)층 때문에 탄소융해도가 더 높아져 그래핀층(220)이 다층으로 형성될 가능성이 높다. 도 6은 그래핀 두께(층수)에 따른 그래핀층의 전류밀도향상효율을 도시한 그래프이다. 도 6에서는 각각 25㎛, 50㎛ 및 100㎛의 직경을 갖는 구리와이어에 대하여 그래핀의 층수, 즉 그래핀의 두께에 따른 전류밀도 향상효율이 나타나있다. When the metal layer is thin, the
도 6을 참조하면, 그래핀층이 다층인 경우, 금속와이어의 전류밀도는 향상된다. 금속와이어의 직경이 클 수록 전류밀도 향상효과는 작아지나 그래핀층의 층수가 증가되면 전류밀도는 향상되는 경향이 나타난다. 따라서, 카본파이버(230)를 포함하는 그래핀 복합 금속와이어(200)는 카본파이버(230)를 코어로 하여 경량화 및 고강도화가 되면서 그래핀층(220)을 다층으로 형성하기 용이하기 때문에 그래핀층(220)을 다층으로 형성하면 전류밀도가 향상되므로 카본파이버(230)가 금속보다 전기전도도 등이 낮은 단점이 보완되어 전기적 물성 또한 우수하게 된다. Referring to FIG. 6, when the graphene layer is multilayered, the current density of the metal wire is improved. The larger the diameter of the metal wire is, the smaller the effect of improving the current density is. However, the current density tends to increase when the number of graphene layers is increased. Therefore, since the graphene
본 발명의 다른 측면에 따르면, 구리합금 와이어를 포함하는 금속와이어를 준비하는 단계; 본 발명에서 그래핀층을 형성하기 위해서는 금속와이어의 표면에 카본소스를 포함하는 카본소스층을 형성하는 단계; 및 마이크로웨이브(Variable Frequency Microwave, VFM) 또는 백색광 (Intensed Pulse Light, IPL) 중 적어도 어느 하나를 조사하여 금속와이어 표면에 그래핀층을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀 복합 금속와이어 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a metal wire including a copper alloy wire; In order to form the graphene layer in the present invention, a step of forming a carbon source layer including a carbon source on the surface of the metal wire; And forming a graphene layer on the surface of the metal wire by irradiating at least one of a microwave (Variable Frequency Microwave (VFM) or a white light (Intensity Pulse Light, IPL) .
금속와이어는 구리합금 와이어를 포함하고, 이외에도 구리합금 와이어의 표면에 자성체층을 더 포함할 수도 있다. 구리합금와이어는 진공증착(sputter, thermal, e-beam evaporation 등), 도금 및 IPL 적용 잉크 광결정화 방법 등으로 형성될 수 있고, 자성체층이 형성된다면 동일한 방식으로 자성체층 형성이 가능하다. The metal wire includes a copper alloy wire, and may further include a magnetic material layer on the surface of the copper alloy wire. The copper alloy wire may be formed by a vacuum deposition method (eg, sputtering, thermal, e-beam evaporation, etc.), a plating method, an IPL application ink photocrystallization method, etc., and if a magnetic material layer is formed, a magnetic material layer can be formed in the same manner.
금속와이어가 형성되면, 금속와이어의 표면에 카본소스를 포함하는 카본소스층을 형성한다. 본 발명에서 사용될 수 있는 카본소스로는 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리메틸타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 아크릴로니트릴부타디엔스티렌(Acrylonitrile Butadiene Styrene, ABS), 및 SAM(Self-assembled monolayer)를 예로 들 수 있는데, 이들은 고분자물질로서 열을 가하여 일정 온도가 되면 고분자의 화학구조 중 일부가 분해되어 화학결합이 재배열되며, 이때 C-C 결합의 고리화가 진행되어 그래핀을 형성하는 고분자들이다. 따라서, 카본 소스로는 가열에 의해 C-C 결합의 고리화가 진행될 수 있는 고분자이면 사용가능하다.When the metal wire is formed, a carbon source layer containing a carbon source is formed on the surface of the metal wire. Examples of the carbon source that can be used in the present invention include polyimide (PI), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene (PS), acrylonitrile butadiene styrene (ABS) Self-assembled monolayer (SAM), for example, is used as a polymer material. When a certain temperature is reached by heating, some of the chemical structure of the polymer is decomposed and the chemical bonds are rearranged. At this time, . Therefore, as the carbon source, a polymer capable of cyclizing the C-C bond by heating can be used.
카본소스층은 카본소스가 대부분 액체이므로 금속와이어 표면에 코팅하는 방식으로 형성될 수 있다. 카본소스층은 카본소스를 스핀코팅, 딥코팅, 또는 스프레이코팅으로 금속와이어 상에 형성될 수 있다. 스핀 코팅은 상기 카본 소스 고분자를 금속선 또는 판재에 떨어뜨린 후 금속선을 회전시켜 전체적으로 코팅하는 방법이며, 딥 코팅은 금속선 또는 판재를 상기 카본 소스 고분자에 침지시켜 금속선 또는 판재의 표면을 코팅하는 방법이며, 스프레이 코팅은 상기 카본 소스 고분자를 분무하여 금속선 또는 판재의 표면을 코팅하는 방법이다. 코팅의 두께는 그래핀이 형성될 정도이면 제한되지 않으나, 100 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하가 바람직하다. 코팅의 두께가 100 ㎚ 미만일 경우에는 그래핀이 충분히 형성되지 않으며, 1 ㎛를 초과할 경우 카본 소스 고분자가 과도하게 사용되어 그래핀층 층수 제어에 바람직하지 않다.The carbon source layer can be formed in such a manner that it is coated on the surface of the metal wire because the carbon source is mostly liquid. The carbon source layer may be formed on the metal wire by spin coating, dip coating, or spray coating of the carbon source. Spin coating is a method of coating the carbon source polymer on a metal wire or a plate material and then rotating the metal wire to coat the entire surface. The dip coating is a method of coating a surface of a metal wire or a plate material by dipping a metal wire or a plate material in the carbon source polymer, Spray coating is a method of spraying the carbon source polymer to coat the surface of the metal wire or plate. The thickness of the coating is not limited as long as graphene is formed, but it is preferably 100 nm or more and 1 占 퐉 or less. When the thickness of the coating is less than 100 nm, the graphene is not sufficiently formed. When the thickness exceeds 1 탆, the carbon source polymer is excessively used, which is not preferable for controlling the number of graphene layer layers.
카본소스층은 카본소스 이외에 이온성 액체(ionic liquid) 및 중합 이온성 액체(poly ionic liquid, PIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이온성 액체 또는 중합 이온성 액체는 양이온과 음이온이 그 크기의 비대칭성으로 인해 결정체를 이루지 못하고 액체 상태로 존재하는 물질을 의미하고, 일반적인 염과는 달리 100℃이하의 온도에서 액체로 존재하는 액체이다. 양이온은으로는 Morpholinium, Imidazolium, 4급 암모늄, 또는 4급 포스포늄 등이 있고, 음이온으로는 Br-, Cl-, NO3 -, BF4 -, 또는 PF6 - 등이 있는데 이온성 액체는 이러한 많은 양이온 및 음이온을 조합하여 제조될 수 있다. 이들 이온성 액체 또는 중합 이온성 액체는 휘발성, 열적 안정성, 높은 이온전도성, 넓은 전기화학적 안정성 및 낮은 증기압 등을 특징으로 한다. 이온성 액체 또는 중합 이온성 액체를 카본소스로 사용되는 고분자와 혼합하여 카본소스층을 형성하면, 카본소스층의 안정성이 높아져, 이후 합성되는 그래핀층 형성시 보다 저온에서 형성이 가능하다. The carbon source layer may include at least one of an ionic liquid and a polyionic liquid (PIL) in addition to the carbon source. An ionic liquid or a polymeric ionic liquid means a substance in which a cation and an anion exist in a liquid state due to the asymmetry of their size due to their asymmetry. Unlike a common salt, a liquid to be. Examples of cationic silver include Morpholinium, Imidazolium, quaternary ammonium, or quaternary phosphonium. Examples of anions include Br - , Cl - , NO 3 - , BF 4 - , or PF 6 - Can be prepared by combining a large number of cations and anions. These ionic or polymeric ionic liquids are characterized by volatility, thermal stability, high ionic conductivity, broad electrochemical stability and low vapor pressure. When a carbon source layer is formed by mixing an ionic liquid or a polymeric ionic liquid with a polymer used as a carbon source, the stability of the carbon source layer is enhanced and formation at a lower temperature is possible at the time of forming a graphene layer to be synthesized thereafter.
카본소스층이 형성되면, 카본소스층이 형성된 금속와이어에 마이크로웨이브(Variable Frequency Microwave, VFM) 또는 백색광 (Intensed Pulse Light, IPL) 중 적어도 어느 하나를 조사한다. 마이크로웨이브 또는 IPL을 조사하는 것은 광조사로서 카본소스층에 열을 가하는 것을 의미한다. 마이크로웨이브 또는 IPL을 조사하면 600℃ 이하의 온도에서 카본소스층은 그래핀층으로 형성된다. 특히, 마이크로웨이브 또는 IPL은 카본소스층만 선택적으로 가열할 수 있어 내부의 금속와이어의 물성에 불리한 영향을 미치지 않는다. When the carbon source layer is formed, at least one of a microwave (Variable Frequency Microwave, VFM) or white light (IPL) is irradiated to the metal wire on which the carbon source layer is formed. Irradiation of microwaves or IPL means applying heat to the carbon source layer as light irradiation. When the microwave or IPL is irradiated, the carbon source layer is formed as a graphene layer at a temperature of 600 DEG C or less. In particular, the microwave or IPL can selectively heat only the carbon source layer and does not adversely affect the physical properties of the metal wire therein.
이때, 카본소스층에 카본소스 이외에 이온성 액체 또는 중합 이온성 액체를 포함하는 경우, 그래핀층은 카본소스층으로부터 합성되는 온도가 200℃ 내지 300℃까지 낮아질 수 있다. 즉, 종래에 그래핀층 합성시 900 내지 1,000℃의 공정온도에서 수행되어, 구리 등의 금속의 인장강도 등의 물성에 악영향을 끼쳤으나, 본 발명에서와 같이 카본소스층을 형성하고, 여기에 마이크로웨이브 또는 IPL을 조사하는 경우 600℃ 내외에서 그래핀층이 형성될 수 있고, 카본소스층에 이온성 액체 또는 중합 이온성 액체가 더 포함되는 경우 공정온도는 더 낮아져 300 내지 600℃에서도 그래핀층이 형성되어 금속와이어의 물성에 영향을 미치지 않고도 그래핀층이 형성될 수 있다. At this time, when the carbon source layer contains an ionic liquid or a polymeric ionic liquid in addition to the carbon source, the temperature at which the graphene layer is synthesized from the carbon source layer may be lowered to 200 to 300 캜. That is, conventionally, in the process of synthesizing a graphene layer, the carbon source layer is formed at a process temperature of 900 to 1,000 ° C. to adversely affect physical properties such as tensile strength of a metal such as copper. However, When a wave or IPL is irradiated, a graphene layer may be formed at about 600 ° C. When the carbon source layer further contains an ionic liquid or a polymeric ionic liquid, the process temperature becomes lower, and a graphene layer is formed even at 300 to 600 ° C. So that the graphene layer can be formed without affecting the physical properties of the metal wire.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.
100
그래핀 복합 금속와이어
110
금속와이어
120
그래핀층
130
카본파이버100 graphene composite metal wire
110 metal wire
120 graphene layer
130 carbon fiber
Claims (8)
상기 금속와이어의 표면에 형성된 그래핀층;을 포함하는 그래핀 복합 금속와이어.
A metal wire comprising a copper alloy wire; And
And a graphene layer formed on a surface of the metal wire.
상기 구리합금 와이어는,
니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe) 및 이들의 합금 중에서 선택된 합금금속을 포함하는 그래핀 복합 금속와이어.
The method according to claim 1,
The copper alloy wire may include:
Wherein the wire comprises an alloy metal selected from the group consisting of nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), and alloys thereof.
상기 합금금속은,
철이고,
상기 철은 상기 구리합금 와이어의 전체 중량을 기준으로 하여 2.5wt% 내지 60wt%로 포함되는 그래핀 복합 금속와이어.
3. The method of claim 2,
The above-
Iron,
Wherein the iron is contained in an amount of 2.5 wt% to 60 wt% based on the total weight of the copper alloy wire.
상기 구리합금 와이어는 내부에 카본파이버;를 더 포함하는 그래핀 복합 금속와이어.
The method according to claim 1,
Wherein the copper alloy wire further comprises a carbon fiber inside the graphene composite metal wire.
상기 금속와이어의 표면에 카본소스를 포함하는 카본소스층을 형성하는 단계; 및
마이크로웨이브(Variable Frequency Microwave, VFM) 또는 백색광 (Intensed Pulse Light, IPL) 중 적어도 어느 하나를 조사하여 상기 금속와이어 표면에 그래핀층을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀 복합 금속와이어 제조방법.
Preparing a metal wire including a copper alloy wire;
Forming a carbon source layer including a carbon source on a surface of the metal wire; And
And forming a graphene layer on the surface of the metal wire by irradiating at least one of a microwave (Variable Frequency Microwave), VFM, and white light (IPL).
상기 카본소스는,
폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리메틸타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 아크릴로니트릴부타디엔스티렌(Acrylonitrile Butadiene Styrene, ABS), 및 SAM(Self-assembled monolayer) 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 복합 금속와이어 제조방법.
6. The method of claim 5,
The carbon source may include,
At least one of polyimide (PI), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene (PS), acrylonitrile butadiene styrene (ABS), and SAM (self-assembled monolayer) ≪ / RTI >
상기 카본소스층은,
이온성 액체(ionic liquid) 및 중합 이온성 액체(poly ionic liquid, PIL) 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 복합 금속와이어 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the carbon source layer
A method of making a graphene composite metal wire, the method comprising: at least one of an ionic liquid and a polyionic liquid (PIL).
상기 그래핀층은 상기 카본소스층으로부터 300℃ 내지 600℃의 공정온도에서 형성되는 그래핀 복합 금속와이어 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the graphene layer is formed from the carbon source layer at a processing temperature of 300 ° C to 600 ° C.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150124811A KR20170028036A (en) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | Graphene-covered metal wire and manufacturing method thereof |
PCT/KR2015/010160 WO2017039055A1 (en) | 2015-09-03 | 2015-09-25 | Graphene composite metal wire and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150124811A KR20170028036A (en) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | Graphene-covered metal wire and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170028036A true KR20170028036A (en) | 2017-03-13 |
Family
ID=58187850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150124811A Ceased KR20170028036A (en) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | Graphene-covered metal wire and manufacturing method thereof |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20170028036A (en) |
WO (1) | WO2017039055A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111899911A (en) * | 2020-07-01 | 2020-11-06 | 上海交通大学 | Graphene/metal composite conductor, preparation method thereof and transmission line |
KR20230028956A (en) * | 2021-08-23 | 2023-03-03 | 한국생산기술연구원 | Low-graded carbon fiber surface-modified using IPL and carbon fiber composite material comprising the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10923887B2 (en) * | 2017-03-15 | 2021-02-16 | Tenneco Inc. | Wire for an ignition coil assembly, ignition coil assembly, and methods of manufacturing the wire and ignition coil assembly |
CN111584118A (en) * | 2020-04-09 | 2020-08-25 | 戚世成 | Copper-clad graphene alloy enameled wire and processing method thereof |
US12340918B2 (en) * | 2022-02-15 | 2025-06-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Composite wire |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114311A (en) * | 1991-04-30 | 1993-05-07 | Honda Motor Co Ltd | Magnet wire |
US5578775A (en) * | 1991-07-08 | 1996-11-26 | Ito; Keisuke | Wire for musical instrument string |
JP2002150841A (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Fujikura Ltd | High tension electric cable |
KR101307982B1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-09-13 | 주식회사 삼천리 | Method for metal wire with graphene surface |
KR101503283B1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-03-17 | 전자부품연구원 | Coaxial cable comprising graphene coating layer and method the same |
-
2015
- 2015-09-03 KR KR1020150124811A patent/KR20170028036A/en not_active Ceased
- 2015-09-25 WO PCT/KR2015/010160 patent/WO2017039055A1/en active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111899911A (en) * | 2020-07-01 | 2020-11-06 | 上海交通大学 | Graphene/metal composite conductor, preparation method thereof and transmission line |
KR20230028956A (en) * | 2021-08-23 | 2023-03-03 | 한국생산기술연구원 | Low-graded carbon fiber surface-modified using IPL and carbon fiber composite material comprising the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017039055A1 (en) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zhang et al. | High-efficiency electromagnetic wave absorption of cobalt-decorated NH2-UIO-66-derived porous ZrO2/C | |
Li et al. | MOFs-derived hollow Co/C microspheres with enhanced microwave absorption performance | |
KR20170028036A (en) | Graphene-covered metal wire and manufacturing method thereof | |
Liu et al. | Enhanced low-frequency electromagnetic properties of MOF-derived cobalt through interface design | |
CN109155184B (en) | Coil component | |
Li et al. | Tailoring microwave electromagnetic responses in Ti3C2T x MXene with Fe3O4 nanoparticle decoration via a solvothermal method | |
KR101307982B1 (en) | Method for metal wire with graphene surface | |
Xu et al. | Fabrication of conductive copper-coated glass fibers through electroless plating process | |
Wan et al. | Engineering carbon fibers with dual coatings of FeCo and CuO towards enhanced microwave absorption properties | |
JP2013518804A (en) | Graphene fiber, method for producing the same, and use thereof | |
CN105803420A (en) | Diamond composite wrapped by graphene and/or carbon nanotubes and preparation method and application of diamond composite wrapped by graphene and/or carbon nanotubes | |
EP3104369B1 (en) | Composite electric wire structure and method for manufacturing the same | |
KR101503283B1 (en) | Coaxial cable comprising graphene coating layer and method the same | |
US10017389B2 (en) | CNT metal composite material, and method for producing same | |
KR20170064216A (en) | The fabrication method of metal/carbon hybrid particles for coating the electromagnetic wave shielding fabric | |
Zhang et al. | Solution-processable oxidation-resistant copper nanowires decorated with alkyl ligands | |
Yi et al. | Electromagnetic wave absorption properties of composites with ultrafine hollow magnetic fibers | |
Di et al. | Two-dimensional basalt/Ni microflakes with uniform and compact nanolayers for optimized microwave absorption performance | |
Fatema et al. | A new electroless Ni plating procedure of iodine-treated aramid fiber | |
Li et al. | Controllable synthesis, characterization and microwave absorption properties of magnetic Ni1− xCoxP alloy nanoparticles attached on carbon nanotubes | |
KR101918299B1 (en) | Method for preparing of a metal wire or substrate graphene formed on the surface of the metal wire or substrate | |
Ran et al. | Improving bonding strength between Ni/Cu/Ag coatings and MgTiO3 ceramic resonator by alumina thin-film grown by atomic layer deposition | |
KR101573241B1 (en) | Three-dimensional Grapheene Structure and Manufacturing method of Thereof and Elctrode using thereof | |
KR20140120672A (en) | Method for Carbon Nanofiber Complex Having Excellent EMI Shielding Property | |
Sun et al. | Effects of temperature on Ni coating on poly (ethylene terephthalate) substrate modified with primer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20150903 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20170411 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20170830 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20170411 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20170830 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20170608 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
PX0601 | Decision of rejection after re-examination |
Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06014S01D Patent event date: 20171109 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20171010 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06011S01I Patent event date: 20170830 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20170608 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PX06013S01I Patent event date: 20170411 |