KR20170010577A - 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 충진제 및 경화촉진제를 함유하는 배합물을 용제와 함께 볼 밀에 넣고 분쇄 및 혼합하여 액상 혼합물을 수득하고, 상기 액상 혼합물을 분무 건조하여 고형의 미세한 분말을 수득하는 것을 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 제조방법에 의하면, 사용된 용제를 효율적으로 제거하여 고형물의 뭉침 현상이 없을 뿐만 아니라, 금속 이물의 혼입이 적고 충진제의 함량이 높은 반도체 봉지용 수지 조성물을 용이하게 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 이물의 혼입을 최소화하고, 사용된 용제를 효율적으로 제거하여 고형물의 뭉침 현상이 없을 뿐만 아니라 충진제의 함량이 높더라도 반도체 봉지용 수지 조성물을 용이하게 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
반도체 봉지재는 반도체 소자를 봉지시켜 반도체 회로를 외부의 충격 및 오염물질로부터 보호하는 역할을 하는 재료로서, 반도체의 생산성 및 신뢰성에 큰 영향을 미친다.
최근 반도체의 경량화 및 박형화 추세로 칩이 작아짐에 따라, 반도체 봉지 후 반도체 칩과 봉지재 간에 열팽창 계수 차이로 반도체가 휘어져 기판에 대한 반도체의 부착 불량이 유발될 수 있다. 따라서, 반도체 칩과 봉지재 간의 열팽창 계수의 균형을 맞추기 위해, 봉지재의 성분 중 충진제(주로 실리카)의 대량 사용이 요구되고 있다. 예를 들어, 충진제의 함량이 91%까지 증가되기도 한다.
반도체 봉지재로 이용되는 수지 조성물은 일반적으로 원료들을 혼합 후, 롤, 1축 압출기 또는 2축 압출기에 의하여 용융 혼련시킨 다음, 해머밀이나 회전 날개를 이용하여 분쇄를 수행하여 제조된다. 이 경우, 압출기, 해머밀 등의 마찰작용으로 인해 금속 이물(자성체)이 혼입될 가능성이 많고, 충진제의 함량에 따라 용융 혼련이 되지 않는 문제가 있다.
일본 공개특허 제2011-252041호 및 제2011-252042호에서는 원료들을 용제에 혼합하여 액상의 혼합물로 만든 후, 사용된 용제의 제거를 위해 교반 건조를 수행하거나 혼합물을 얇은 막의 시트 형으로 펼친 후 용제 제거를 위한 고형화를 수행하고 있다.
그러나, 이러한 교반 건조 및 시트 형 제조의 경우, 용제 제거에 많은 시간이 소요되며, 용제 제거 중 고형분 뭉침에 의한 설비 부동 위험이 있으며, 또한 뭉쳐진 고형분을 다시 분쇄해야 하는 문제로 금속 이물 함량이 증가한다는 단점을 가지고 있다. 더욱이, 상기 제조방법은 반도체 봉지용 조성물 내 충진제의 함량이 높을 경우 조성물 자체의 제조가 어려운 단점이 있다.
본 발명은 금속 이물의 혼입을 최소화하고, 사용된 용제를 효율적으로 제거할 수 있으며, 조성물 중 충진제의 함량이 높은 경우에도 적용할 수 있는, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법에 의해 제조된 반도체 봉지용 수지 조성물을 제공한다.
추가로, 본 발명은 상기 반도체 봉지용 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
한편으로, 본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 충진제 및 경화촉진제를 함유하는 배합물을 용제와 함께 볼 밀에 넣고 분쇄 및 혼합하여 액상 혼합물을 수득하고, 상기 액상 혼합물을 분무 건조하여 고형의 미세한 분말을 수득하는 것을 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 80 내지 95 중량%의 함량으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 91 내지 95 중량%의 함량으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 분무 건조는 질소, 아르곤 및 이산화탄소로부터 선택되는 하나 이상의 불활성 가스, 예컨대 질소를 사용하여 수행될 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명은 상기 제조방법에 의해 제조된 반도체 봉지용 수지 조성물을 제공한다.
또 다른 한편으로, 본 발명은 상기 반도체 봉지용 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조방법에 의하면, 사용된 용제를 효율적으로 제거하여 고형물의 뭉침 현상이 없을 뿐만 아니라, 금속 이물의 혼입이 적고 충진제의 함량이 높은 반도체 봉지용 수지 조성물을 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제조방법에서 분무 건조에 사용된 스프레이 드라이어의 일 예를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 반도체 봉지용 수지 조성물의 원료, 즉 에폭시 수지, 경화제, 충진제 및 경화촉진제를 함유하는 배합물을 용제와 함께 볼 밀에 넣고 분쇄 및 혼합하여 액상 혼합물을 수득하고, 상기 액상 혼합물을 분무 건조하여 상기 용제를 제거함으로써, 고형의 미세한 분말 형태로 반도체 봉지용 수지 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 볼 밀은 사용된 성분들의 분쇄 및 혼합 과정에 있어서 혼합 시간을 단축할 수 있고, 균일한 혼합액을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 볼 밀에서의 분쇄 및 혼합 과정을 거쳐 수득된 액상 혼합물은 분무 건조되며, 이 과정에서 액상 혼합물 중의 용제는 제거되고, 나머지 성분들로 이루어진 고형의 미세한 분말이 수득된다.
상기 미세한 분말을 수득하기 위한 건조 장치로는 스프레이 드라이어가 사용될 수 있다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제조방법에서 분무 건조에 사용된 스프레이 드라이어의 일 예, 즉 폐쇄형(closed type) 스프레이 드라이어(100)를 나타낸 도면이나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에 도시된 스프레이 드라이어(100)는 원액 공급부(10), 분무부(20), 건조 챔버(30), 가열부(40) 및 응축부(50)을 포함한다. 원액 공급부(10)에 저장된 액상 혼합물을 분무부(20)의 노즐을 통해 고압 회전에 의해 분무하면 건조 챔버(30) 내에서 작은 액적이 형성된다. 이때, 상기 노즐은 10,000 내지 40,000 rpm의 속도로 조작될 수 있다. 분무된 작은 액적은 가열부(40)를 통해 건조 챔버(30) 내로 유입되는 열풍(hot air stream), 즉 건조 가스에 의해서 건조된다. 분무된 액적의 건조는 매우 작은 온도 상승만으로도 수십 초 이내, 예컨대 10 내지 20초 이내에 일어남으로써, 용제는 휘발되어 분리되고 고형분의 미세한 분말이 형성된다. 생성된 미세한 분말은 건조 챔버(30)로부터 배출되고, 휘발된 용제는 응축기(50)로 수송되어 배출된다. 또한, 사용된 건조 가스는 휘발된 용제와 함께 응축기(50)로 수송되었다가 재사용을 위해 가열부(40)로 순환된다.
이러한 분무 건조에 의하면 상기 액상 혼합물 중의 용제가 간단하고 쉽게 제거되어 고형분의 뭉침 현상이 일어나지 않으므로, 추가의 분쇄 과정 없이 수지 조성물을 제조할 수 있다. 특히, 충진제의 함량이 높은 경우에도 상기한 바와 같은 분무 건조에 의하면 용제가 쉽게 제거될 수 있으며, 빠른 건조가 가능해진다. 또한, 수지 조성물의 제조에 기존의 용융 혼련 방법과 달리 해머밀, 압출기 등을 사용하지 않으므로, 반도체에서 쇼트 또는 누설 등을 발생시킬 수 있는 금속 이물의 혼입 가능성이 매우 적다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 분무 건조는 건조 가스로서 질소, 아르곤 및 이산화탄소와 같은 불활성 가스, 예컨대 질소를 사용하여 수행될 수 있다. 한편, 용제의 폭발 가능성을 방지하기 위해서 건조 가스 중의 산소 농도는 약 0.1% 이하 수준으로 제어하는 것이 좋다. 이들 건조 가스의 유입 온도는 사용되는 용제의 비점에 따라 결정할 수 있으며, 일 예로 90 내지 140℃의 범위일 수 있다. 예를 들어, 질소의 경우 약 110℃에서 유입되고 건조 챔버 내부에서는 약 70 내지 80℃의 온도를 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 용제는 수지 조성물의 원료가 되는 상기 배합물을 분산시킬 수 있는 용제라면 모두 사용가능하며, 특히 비점이 80℃ 이하인 용제가 사용될 수 있다. 예를 들어, 탄화수소류(예컨대, n-헥산, 펜탄), 케톤류(예컨대, 아세톤), 에스테르류(예컨대, 메틸 또는 에틸 아세테이트), 및 이들의 혼합물과 같은 유기 용제가 사용될 수 있다.
상기 용제의 함량은 상기 배합물을 충분히 분산시킬 수 있는 양이면 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 용제 및 상기 배합물을 60:40 내지 90:10의 함량으로 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 에폭시 수지는 비페닐형, 비스페놀A형, 지환형, 선형 지방족, (오르쏘)크레졸 노볼락형, 나프톨 노볼락형, 다관능형, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지 등을 포함할 수 있으며, 이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
상기 에폭시 수지는 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 2 내지 20 중량%의 함량으로 사용될 수 있다. 상기 에폭시 수지의 함량이 상기 범위를 만족할 때 반도체 봉지재로서 충분한 접착성, 절연성, 흐름성, 성형성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화제는 상기 에폭시 수지와 반응하여 조성물의 경화를 진행시키는 성분으로서, 내습성, 내열성, 보존성 등의 물성이 우수한 페놀 수지를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 페놀 수지의 예로는 자일록형 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 다방향족형 페놀 수지, 다관능성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
상기 경화제는 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 2 내지 20 중량%의 함량으로 사용될 수 있다. 상기 경화제의 함량이 상기 범위를 만족할 때 반도체 봉지재로서 충분한 접착성, 절연성, 흐름성, 성형성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 봉지재의 강도를 향상시키고 흡습량을 낮추기 위한 성분으로, 예를 들어 실리카, 실리카 나이트라이드, 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 보론 나이트라이드 등의 무기 충진제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 충진제는 에폭시 수지 봉지재와 반도체 소자 사이의 열팽창 계수 차이를 줄일 목적으로 대량 사용이 요구되기도 한다.
상기 충진제는 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 80 내지 95 중량%, 그 일예로 91 내지 95 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 충진제의 함량이 80 중량% 미만인 경우 봉지재와 반도체 소자 사이의 열팽창 계수 차이가 커지고 흡습량 증가로 강도가 저하되며, 충진제의 함량이 95 중량%를 초과하면 점도 증가 및 흐름성 저하로 성형성이 불량해질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 경화반응을 촉진시키는 성분으로, 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, 메틸벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 3차 아민 화합물, 및 트리페닐포스핀, 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀 등의 유기 포스핀 화합물이 사용될 수 있으며, 특히 내습성 및 열시경도가 우수한 유기 포스핀류를 사용할 수 있다. 이들 경화촉진제는 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 경화촉진제는 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 0.01 내지 5 중량%의 함량으로 포함될 수 있으며, 상기 범위를 만족할 때 적절한 경화성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 수지 조성물은 그 목적을 벗어나지 않는 범위에서 반도체용 봉지재에 일반적으로 사용되는 첨가제를 추가적으로 포함할 수 있다. 예컨대, 사용되는 수지 성분들과 무기 충진제 간에 결합력을 부여하는 (실란) 커플링제, 카본블랙, 산화철, 벵갈라 등의 착색제, 하이드로탈사이트계의 이온포착제, 장쇄지방산, 장쇄지방산의 금속염, 파라핀 왁스, 카나바 왁스, 실리콘 오일 등의 이형제, 실리콘 파우더 등의 개질제, 및 변성 실리콘 수지, 변성 폴리부타디엔 등의 저응력화제 중에서 선택되는 하나 이상의 첨가제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 상기 제조방법에 의해 제조된 반도체 봉지용 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은 고형의 미세한 분말 형태이며, 분말의 평균 입경은 10 내지 300㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 분말은 필요에 따라 테블릿(tablet)화 될 수 있다.
상기 수지 조성물은 금속 이물의 함량이 매우 적으며, 충진제의 함량이 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 80 내지 95 중량%, 특히 91 내지 95 중량%일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 상기 반도체 봉지용 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 봉지하는 방법은 당해 분야에서 통상적인 방법, 예컨대 트랜스퍼 몰드, 컴프레션 몰드, 인젝션 몰드 등의 성형방법에 따라 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반도체 소자는 트랜지스터, 다이오드, 마이크로프로세서, 반도체 메모리 등일 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
실시예
1:
에폭시 수지로서 비페닐형 에폭시 수지(YX-4000K, Nippon Steel Chemical) 0.7 중량%, 경화제로서 노볼락형 페놀 수지(KPH-F2000, Kolon) 0.5 중량%, 충진제로서 실리카(최대 크기 45㎛) 18.6 중량%, 경화촉진제로서 트리페닐포스핀(TPP, Hokko Chemical) 0.04 중량%, 첨가제로서 메르캅토실란(KBM-803, ShinEtsu) 0.06 중량% 및 폴리에틸렌왁스(Licowax PED 522, Clariant) 0.10 중량%를 포함하는 조성의 원료들을 용제인 n-헥산 80 중량%와 함께 볼 밀에 넣고 분쇄 혼합한 후, 수득된 혼합액을 하기의 조건에서 분무 건조하여, 고형의 미세한 분말 형태(평균 입경 120㎛)로 수지 조성물을 제조하였다.
<분무건조 조건>
1) 실험 기기: Closed Type Spray Dryer(SAMYOUNG GET)
2) 온도: 가스 유입 온도 110℃, 건조 챔버 내부 온도 70℃
3) 건조가스: N2
4) 분무 노즐 회전속도: 15,000 rpm
비교예
1:
실시예 1과 같은 조성의 원료들을 볼 밀에 넣고 분쇄 혼합한 후, 수득된 혼합물을 1축 압출기를 이용하여 용융 혼련하고, 냉각시킨 후 해머밀을 이용하여 분쇄함으로써 수지 조성물을 제조하였다. 이 경우, 충진제의 높은 함량으로 인해 원료들이 용융되지 않았다.
비교예
2:
실시예 1과 같은 조성의 원료들을 볼 밀에 넣고 분쇄 혼합한 후, 수득된 혼합물을 2축 압출기를 이용하여 용융 혼련하고, 냉각시킨 후 해머밀을 이용하여 분쇄함으로써 수지 조성물을 제조하였다. 이 경우, 충진제의 높은 함량으로 인해 원료들이 용융되지 않았다.
비교예
3:
실시예 1과 같은 조성의 원료들을 용제인 n-헥산 80 중량%에 용해하여 액상의 혼합액을 만든 후, 교반 건조하여 수지 조성물을 제조하였다. 이 경우, 교반 건조시에 고형분 뭉침이 발생하여 해머밀을 이용한 추가 분쇄를 수행하였다.
실시예
2:
에폭시 수지로서 (오르쏘)크레졸 노볼락형 에폭시 수지(YDCN-500-5P, 국도화학) 1.8 중량%, 경화제로서 노볼락형 페놀 수지(KPH-F2000, Kolon) 1.0 중량%, 충진제로서 실리카(최대 크기 45㎛) 17.0 중량%, 경화촉진제로서 트리페닐포스핀(TPP, Hokko Chemical) 0.06 중량%, 첨가제로서 메르캅토실란(KBM-803, ShinEtsu) 0.06 중량% 및 폴리에틸렌왁스(Licowax PED 522, Clariant) 0.08 중량%를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여, 고형의 미세한 분말 형태로 수지 조성물을 제조하였다.
비교예
4:
실시예 2과 같은 조성의 원료들을 사용하고, 비교예 1과 같은 공정을 수행하여 수지 조성물을 제조하였다.
비교예
5:
실시예 2과 같은 조성의 원료들을 사용하고, 비교예 2와 같은 공정을 수행하여 수지 조성물을 제조하였다.
비교예
6:
실시예 2과 같은 조성의 원료들을 사용하고, 비교예 3과 같은 공정을 수행하여 수지 조성물을 제조하였다. 이 경우, 교반 건조시에 고형분 뭉침이 발생하여 해머밀을 이용한 추가 분쇄를 수행하였다.
실험예
:
상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 6에서 제조된 수지 조성물의 물성을 하기의 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(1) 금속 이물(자성체) 함량
제조된 수지 조성물에 포함된 금속 이물의 ?t량을 마그네틱 함량 분석기(TMA-01, Tatsumori Co., Ltd.)로 측정하였다.
(2) 스파이럴 플로우(spiral flow)
제조된 수지 조성물의 스파이럴 플로우를 ASTM D 3123-72 (1988), "TEST METHOD FOR SPIRAL FLOW OF LOW-PRESSURE THERMOSETTING MOLDING COMPOUNDS"에 따라 측정하였다.
| 실시예 1 | 비교예 1 | 비교예 2 | 비교예 3 | 실시예 2 | 비교예 4 | 비교예 5 | 비교예 6 | |
| 충진제 함량 (중량%, 수지 조성물의 고형분 함량 기준) |
93 | 93 | 93 | 93 | 85 | 85 | 85 | 85 |
| 금속 이물 함량 (ppm) |
1 | 12 | 14 | 7 | 1 | 8 | 9 | 8 |
| 스파이럴 플로우 (inch) |
40 | 0 | 0 | 25 | 45 | 43 | 44 | 37 |
상기 표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 원료들을 용제와 함께 균일하게 분쇄한 후 분무 건조를 통해 제조된 실시예 1 및 2의 수지 조성물은 비교예 1 내지 6의 조성물에 비해 금속 이물 함량이 현저히 낮았고, 스파이럴 플로우의 값이 우수하였다. 특히, 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 충진제의 함량이 93 중량%으로 높은 경우, 비교예 3에서 제조된 수지 조성물은 고형분의 뭉침 현상으로 해머밀을 사용하여 추가 분쇄해야 하는 과정이 수반되었고, 비교예 1 및 2의 경우에는 원료들이 용융되지 않는 문제로 스파이럴 플로우의 측정이 불가한 반면, 실시예 1에 따른 수지 조성물은 충진제의 함량이 높음에도 불구하고 고형의 미세한 분말 형태로 수지 조성물이 제조되었을 뿐만 아니라 측정된 모든 물성에 있어서 우수한 결과를 나타내었다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (13)
- 에폭시 수지, 경화제, 충진제 및 경화촉진제를 함유하는 배합물을 용제와 함께 볼 밀에 넣고 분쇄 및 혼합하여 액상 혼합물을 수득하고,
상기 액상 혼합물을 분무 건조하여 고형의 미세한 분말을 수득하는 것을 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조방법. - 제1항에 있어서, 상기 충진제가 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 80 내지 95 중량%의 함량으로 사용되는 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 충진제가 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 91 내지 95 중량%의 함량으로 사용되는 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 분무 건조가 질소, 아르곤 및 이산화탄소로부터 선택되는 하나 이상의 불활성 가스를 사용하여 수행되는 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 분무 건조가 질소를 사용하여 수행되는 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용제가 탄화수소류, 케톤류, 에스테르류, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 용제가 탄화수소류인 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배합물이 커플링제, 착색제, 이온포착제, 이형제, 개질제 및 저응력화제 중에서 선택되는 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함하는 제조방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된, 고형의 미세한 분말 형태인 반도체 봉지용 수지 조성물.
- 제9항에 있어서, 상기 분말이 10 내지 300㎛의 평균 입경을 갖는 반도체 봉지용 수지 조성물.
- 제9항에 있어서, 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 충진제를 80 내지 95 중량%의 함량으로 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
- 제9항에 있어서, 수지 조성물의 고형분 함량을 기준으로 충진제를 91 내지 95 중량%의 함량으로 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 반도체 봉지용 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자.
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