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KR20160144491A - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Lithographic apparatus and device manufacturing method Download PDF

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KR20160144491A
KR20160144491A KR1020167032032A KR20167032032A KR20160144491A KR 20160144491 A KR20160144491 A KR 20160144491A KR 1020167032032 A KR1020167032032 A KR 1020167032032A KR 20167032032 A KR20167032032 A KR 20167032032A KR 20160144491 A KR20160144491 A KR 20160144491A
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KR
South Korea
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actuator device
compensating
reflector
actuator
force
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020167032032A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
로베르투스 요한네스 마리누스 데 용
레온 레오나르두스 프란시스쿠스 메르크스
로엘 요한네스 엘리자베스 메리
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20160144491A publication Critical patent/KR20160144491A/en
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Abstract

방사선 빔, 예를 들어 EUV 빔을 전향하는 반사기(15)를 포함한 리소그래피 장치가 개시된다. 반사기의 위치는 제어기 및 위치설정 시스템을 이용하여 제어된다. 위치설정 시스템은 비-보상 액추에이터 디바이스(300), 및 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하는 보상 액추에이터 디바이스(200)를 포함한다. 위치설정 시스템 및 제어기는 반사기의 더 정확한 위치를 제공하고, 반사기의 변형을 감소시키며, 반사기를 통해 전달되는 힘들의 크기를 감소시킬 수 있다.A lithographic apparatus is disclosed that includes a reflector (15) that deflects a beam of radiation, e.g., an EUV beam. The position of the reflector is controlled using a controller and positioning system. The positioning system includes a non-compensating actuator device 300 and a compensating actuator device 200 that compensates for the parasitic forces of the non-compensating actuator device. The positioning system and controller can provide a more accurate position of the reflector, reduce deformation of the reflector, and reduce the magnitude of the forces transmitted through the reflector.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a lithographic apparatus,

본 출원은 2014년 4월 17일에 출원된 EP 특허 출원 14165170.3호에 관련되며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.This application is related to EP Patent Application 14165170.3, filed April 17, 2014, which is incorporated herein by reference in its entirety.

본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 리소그래피 장치 내의 반사기(reflector)를 제어하는 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a lithographic apparatus and a device manufacturing method. More particularly, the present invention relates to a system for controlling a reflector in a lithographic apparatus.

리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 하나의 다이, 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한 번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다.A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, typically onto a target portion of the substrate. The lithographic apparatus may be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In that case, a patterning device, alternatively referred to as a mask or a reticle, may be used to generate a circuit pattern to be formed on an individual layer of the IC. This pattern may be transferred onto a target portion (e.g. comprising a portion of a die, a die, or several dies) on a substrate (e.g. a silicon wafer). The transfer of the pattern is typically performed through imaging onto a layer of radiation-sensitive material (resist) provided on the substrate. In general, a single substrate will comprise a network of adjacent target portions that are successively patterned. Known lithographic apparatus include so-called steppers, in which each target portion is irradiated by exposing an entire pattern onto a target portion at one time, and scanning the pattern through a beam of radiation in a given direction (the "scanning" direction) Called scanner, in which each target portion is irradiated by synchronously scanning the substrate in a direction parallel to the direction (parallel to the same direction) or in a reverse-parallel direction (parallel to the opposite direction).

회로 패턴의 피처(feature)들의 크기를 감소시키기 위해서는, 이미징 방사선의 파장을 감소시킬 필요가 있다. 이를 위해, 예를 들어 약 5 nm 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는 EUV 방사선을 이용하는 리소그래피 장치가 개발 중(under development)이다. EUV 방사선이 거의 모든 재료들에 의해 심하게 흡수되므로, 광학 시스템들 및 마스크는 반사형이어야 하고, 장치는 저압(low pressure) 또는 진공 하에 유지되어야 한다. 리소그래피 장치 내에서 이미징 방사선을 지향함에 있어서 여하한의 오차들은, 사용되고 있는 이미징 방사선이 감소된 파장, 즉 EUV를 갖는 경우에 여하한의 오차들, 예를 들어 오버레이 오차에 더 큰 영향을 줄 것이다.In order to reduce the size of the features of the circuit pattern, it is necessary to reduce the wavelength of the imaging radiation. For this purpose, a lithographic apparatus using EUV radiation having a wavelength in the range of, for example, about 5 nm to 20 nm is under development. Since EUV radiation is heavily absorbed by almost all materials, optical systems and masks must be reflective, and the apparatus must be kept at low pressure or under vacuum. Any errors in directing the imaging radiation in the lithographic apparatus will have a greater impact on any errors, for example overlay errors, if the imaging radiation being used has a reduced wavelength, i.e. EUV.

방사선 빔에 패턴 이미지를 위치시키기 위해 패터닝 수단에서 반사기들이 사용된다. 방사선 빔 내의 이미지는 기판 상으로 투영되고, 이는 이미지의 위치에 매우 민감하다. 그러므로, 리소그래피 장치 내의 대상물(object)들, 예를 들어 반사기들의 위치의 더 큰 정확도가 방사선 빔 내의 패턴의 오버레이 오차 또는 여하한의 오차를 유지하거나, 바람직하게는 심지어 허용가능한 레벨들로 감소시키도록 요구된다. 일반적으로, 장치, 예를 들어 리소그래피 장치 내에서 정확히 위치되어야 하는 많은 대상물이 존재하므로, 대상물을 위치시키는 제어 시스템의 정확성에 있어서의 여하한의 개선이 이점을 제공할 것이다.Reflectors are used in the patterning means to locate the pattern image in the radiation beam. The image in the radiation beam is projected onto the substrate, which is very sensitive to the location of the image. Therefore, a greater accuracy of the position of objects, e.g., reflectors, in the lithographic apparatus may be desired to maintain overlay errors or any errors of the pattern in the radiation beam or, preferably, even to acceptable levels Is required. In general, any improvement in the accuracy of the control system that places the object will provide an advantage, since there are many objects that must be accurately located within the device, e.g., the lithographic apparatus.

그러므로, 특히 EUV 방사선을 이용하는 장치에 대해 리소그래피 장치 내의 반사기들 및/또는 다른 구성요소들의 위치를 제어하는 개선된 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.It is therefore desirable to provide an improved system for controlling the position of reflectors and / or other components in a lithographic apparatus, particularly for devices that employ EUV radiation.

본 발명의 일 실시형태에 따르면: 반사기; N 자유도(N degrees of freedom)에서 반사기를 위치시키도록 구성된 위치설정 시스템 -N은 양의 정수이고, 위치설정 시스템은 M 개의 액추에이터 디바이스들을 포함하며, 각각의 액추에이터 디바이스는 반사기에 힘을 적용하도록 구성되고, M은 N보다 큰 양의 정수이며, 액추에이터 디바이스들 중 적어도 하나는 보상 액추에이터 디바이스(compensating actuator device)이고, 액추에이터 디바이스들 중 적어도 다른 하나는 비-보상 액추에이터 디바이스임- ; 및 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성된 제어기 -상기 제어기는 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘(parasitic force)들을 보상하도록 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성됨- 를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고, 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스는 동일한 지점에서 대상물에 힘을 적용하도록 구성되며, 제어기는 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하도록 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a reflector comprising: a reflector; A positioning system N configured to position the reflector in N degrees of freedom is a positive integer, and the positioning system includes M actuator devices, each actuator device applying a force to the reflector Wherein M is a positive integer greater than N, at least one of the actuator devices is a compensating actuator device and at least one of the actuator devices is a non-compensating actuator device; And a controller configured to control the compensating actuator device and the non-compensating actuator device, the controller configured to control the compensating actuator device to compensate for parasitic forces of the non-compensating actuator device Compensating actuator device and non-compensating actuator device are configured to apply force to the object at the same point, and the controller is configured to control the compensating actuator device to compensate for parasitic forces of the non-compensating actuator device.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 본 발명의 위치설정 시스템을 포함하는 장치가 제공되고, 상기 장치는 대상물을 더 포함한다.According to an aspect of the invention, there is provided an apparatus comprising a positioning system of the invention, the apparatus further comprising an object.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 본 발명의 위치설정 시스템을 이용하여 대상물의 진동을 보상하는 방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, a method of compensating for vibration of an object using a positioning system of the present invention is provided.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 반사기를 통해 기판 테이블 상에 위치된 기판 상으로 방사선 투영 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공되고, 위치설정 시스템은 N 자유도에서 반사기를 위치시키도록 구성되며, N은 양의 정수이고, 위치설정 시스템은 M 개의 액추에이터 디바이스들을 포함하며, 각각의 액추에이터 디바이스는 반사기에 힘을 적용하도록 구성되고, M은 N보다 큰 양의 정수이며, 액추에이터 디바이스들 중 적어도 하나는 보상 액추에이터 디바이스이고, 액추에이터 디바이스들 중 적어도 다른 하나는 비-보상 액추에이터 디바이스이며; 제어기는 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성되고, 제어기는 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하도록 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성되며, 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스는 동일한 지점에서 대상물에 힘을 적용하도록 구성되고, 제어기는 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하도록 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성된다.According to an aspect of the invention, there is provided a device manufacturing method comprising projecting a projection beam of radiation onto a substrate positioned on a substrate table via a reflector, wherein the positioning system is arranged to position the reflector in N degrees of freedom Wherein the positioning system comprises M actuator devices, each actuator device is configured to apply a force to the reflector, M is a positive integer greater than N, and N is a positive integer, and wherein the positioning system comprises M actuator devices, At least one of which is a compensating actuator device and at least one of the actuator devices is a non-compensating actuator device; The controller is configured to control the compensating actuator device and the non-compensating actuator device, and the controller is configured to control the compensating actuator device to compensate for the parasitic forces of the non-compensating actuator device, wherein the compensating actuator device and the non- Wherein the controller is configured to control the compensating actuator device to compensate for parasitic forces of the non-compensating actuator device.

이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에서 사용되는 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 도 1의 장치의 주 광학 경로의 더 상세한 도면;
도 3a는 리소그래피 장치에서 사용되는 액추에이터 디바이스를 도시하는 도면;
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스를 도시하는 도면;
도 3c는 도 3b의 액추에이터 디바이스들에 의해 반사기에 적용되는 힘들의 힘 다이어그램;
도 4는 액추에이터 디바이스의 표현을 나타내는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에서 사용되는 액추에이터 디바이스의 상세한 도면;
도 6a는 리소그래피 장치 내의 반사기 상의 다양한 지점들에 작용하는 힘들을 나타내는 도면;
도 6b는 도 6a의 원하는 알짜 힘들(net desired forces)의 힘 다이어그램; 및
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사기 상의 한 지점에서의 힘들을 도시하는 도면이다.
Embodiments of the present invention will now be described, by way of example only, with reference to the accompanying schematic drawings in which corresponding reference symbols indicate corresponding parts, and in which:
Figure 1 shows a lithographic apparatus used in an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a more detailed view of the main optical path of the apparatus of Figure 1;
Figure 3a shows an actuator device used in a lithographic apparatus;
Figure 3B illustrates a compensating actuator device and a non-compensating actuator device in accordance with an embodiment of the present invention;
Figure 3c is a force diagram of forces applied to the reflector by the actuator devices of Figure 3b;
4 shows a representation of an actuator device;
5 is a detailed illustration of an actuator device used in an embodiment of the present invention;
Figure 6A shows forces acting on various points on a reflector in a lithographic apparatus;
FIG. 6B is a force diagram of the desired net forces of FIG. 6A; FIG. And
7 is a diagram illustrating forces at one point on a reflector in accordance with one embodiment of the present invention.

도 1은 소스 컬렉터 장치(SO)를 포함한 EUV 리소그래피 장치(4100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:Figure 1 schematically depicts an EUV lithographic apparatus 4100 including a source collector apparatus SO. The apparatus comprises:

- 방사선 빔(EB)(예를 들어, DUV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(EIL);An illumination system (illuminator) (EIL) configured to condition a radiation beam EB (e.g., DUV radiation or EUV radiation);

- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);A support structure (e.g., a mask table) (e.g., a mask table) coupled to a first positioner PM configured to support a patterning device (e.g., a mask or reticle) MA and configured to accurately position the patterning device MT);

- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및A substrate table (e.g. a wafer table) (e.g. a wafer table) configured to hold a substrate (e.g. a resist-coated wafer) W and connected to a second positioner PW configured to accurately position the substrate WT); And

- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(EB)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.A projection system (e.g., a projection system) configured to project a pattern imparted to the radiation beam EB by a patterning device MA onto a target portion C (e.g. comprising one or more dies) For example, a reflective projection system (PS).

지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.The support structure MT holds the patterning device. The support structure MT holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and other conditions, such as for example whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. The support structure MT may utilize mechanical, vacuum, electrostatic, or other clamping techniques to hold the patterning device. The support structure MT may be, for example, a frame or a table, which may be fixed or movable as required. The support structure MT can ensure that the patterning device is in a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms "reticle" or "mask" herein may be considered synonymous with the more general term "patterning device".

"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.The term "patterning device" should be broadly interpreted as referring to any device that can be used to impart a pattern to a cross-section of a radiation beam to create a pattern in a target portion of the substrate. The pattern imparted to the radiation beam may be precisely matched to the desired pattern in the target portion of the substrate, for example when the pattern comprises phase-shifting features or so-called assist features . Generally, the pattern imparted to the radiation beam will correspond to a particular functional layer in the device to be created in the target portion, such as an integrated circuit.

패터닝 디바이스들의 예로는 마스크 및 프로그램가능한 거울 어레이를 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.Examples of patterning devices include a mask and a programmable mirror array. Masks are well known in the lithographic arts and include mask types such as binary, alternating phase-shift and attenuated phase-shift, and various hybrid mask types. One example of a programmable mirror array employs a matrix arrangement of small mirrors, each of which can be individually tilted to reflect an incoming radiation beam in different directions. The tilted mirrors impart a pattern to the radiation beam reflected by the mirror matrix.

리소그래피 장치는 2 이상의 기판 지지 구조체, 예컨대 기판 스테이지들 또는 기판 테이블들, 및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스에 대한 지지 구조체를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 다수 기판 스테이지들을 갖는 장치에서, 모든 기판 스테이지들은 균등하고 상호교환가능할 수 있다. 일 실시예에서, 다수 기판 스테이지들 중 적어도 하나는 특히 노광 단계들을 위해 구성되고, 다수 기판 스테이지들 중 적어도 하나는 특히 측정 또는 준비작업 단계들을 위해 구성된다. 본 발명의 일 실시예에서, 다수 기판 스테이지들 중 1 이상은 측정 스테이지로 대체된다. 측정 스테이지는 센서 시스템의 센서 검출기 및/또는 타겟과 같은 1 이상의 센서 시스템들의 적어도 일부분을 포함하고, 기판을 지지하지는 않는다. 측정 스테이지는 패터닝 디바이스에 대한 지지 구조체 또는 기판 스테이지 대신에 투영 빔 내에 위치가능하다. 이러한 장치에서, 추가 스테이지들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 스테이지에서는 준비작업 단계들이 수행될 수 있다.The lithographic apparatus may be of a type having two or more substrate support structures, e.g., substrate stages or substrate tables, and / or a support structure for two or more patterning devices. In an apparatus having multiple substrate stages, all of the substrate stages may be uniform and interchangeable. In one embodiment, at least one of the plurality of substrate stages is specifically configured for exposure steps, and at least one of the plurality of substrate stages is specifically configured for measurement or preparation work steps. In one embodiment of the invention, at least one of the multiple substrate stages is replaced by a measurement stage. The measurement stage includes at least a portion of one or more sensor systems, such as a sensor detector and / or a target of the sensor system, and does not support the substrate. The measurement stage is positionable within the projection beam instead of the support structure or substrate stage for the patterning device. In such an apparatus, additional stages may be used in parallel, or preparatory steps may be carried out at one or more other stages while one or more stages are being used for exposure.

EUV 리소그래피 장치에서는, 가스들이 너무 많은 방사선을 흡수할 수 있기 때문에, 진공 또는 저압 환경을 사용하는 것이 바람직하다. 그러므로, 진공 벽 및 1 이상의 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.In an EUV lithographic apparatus, it is desirable to use a vacuum or low pressure environment, since gases can absorb too much radiation. Thus, a vacuum environment can be provided in the entire beam path with the aid of a vacuum wall and one or more vacuum pumps.

도 1을 참조하면, EUV 일루미네이터(EIL)는 소스 컬렉터 장치(SO)로부터 극자외 방사선 빔을 수용한다. 소스 컬렉터 장치(SO)는 아래에서 더 상세히 설명된다. 개략적으로, EUV 범위 내의 1 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들어 크세논(Xe), 리튬(Li) 또는 주석(Sn)을 갖는 재료(이는 연료라고 칭해질 수 있음)가 플라즈마 상태로 전환된다. 이는 연료의 액적(droplet), 스트림, 또는 클러스터(cluster)를 레이저 빔으로 조사함으로써 달성된다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 장치에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다.Referring to Figure 1, an EUV Illuminator (EIL) receives an extreme ultraviolet radiation beam from a source collector device SO. The source collector device SO is described in more detail below. Generally, a material (which may be referred to as a fuel) having at least one element with at least one emission line in the EUV range, such as xenon (Xe), lithium (Li) or tin (Sn) . This is accomplished by irradiating a droplet, stream, or cluster of fuel with a laser beam. The resulting plasma emits output radiation, e. G. EUV radiation, which is collected using a radiation collector disposed in the source collector device.

방사선 시스템의 부분들의 상이한 구성들이 가능하다. 예를 들어, CO2 레이저가 연료 여기를 위한 레이저 빔을 제공하는 데 사용되는 경우, 레이저 및 소스 컬렉터 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 레이저는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 레이저로부터 소스 컬렉터 장치로 통과된다.Different configurations of parts of the radiation system are possible. For example, where a CO 2 laser is used to provide a laser beam for fuel excitation, the laser and source collector device may be separate entities. In this case, the laser is not considered to form a part of the lithographic apparatus, and the radiation beam can be emitted from the laser to the source collector, for example, with the aid of a beam delivery system comprising a suitable directing mirror and / or a beam expander. Device.

EUV 일루미네이터(EIL)는 방사선 빔(EB)의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, EUV 일루미네이터(EIL)는 패싯 필드 및 퓨필 거울 디바이스들(facetted field and pupil mirror devices)과 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. EUV 일루미네이터(EIL)는 방사선 빔(EB)의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔(EB)을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.The EUV illuminator (EIL) may comprise an adjuster for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam EB. Generally, at least the outer and / or inner radial extent (commonly referred to as -outer and -inner, respectively) of the intensity distribution in the pupil plane of the illuminator can be adjusted. In addition, the EUV Illuminator (EIL) may include various other components, such as facetted field and pupil mirror devices. The EUV illuminator EIL can be used to condition the radiation beam EB to have a desired uniformity and intensity distribution in the cross section of the radiation beam EB.

상기 방사선 빔(EB)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 상기 방사선 빔(EB)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(PS2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(EB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(PS1)는 방사선 빔(EB)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.The radiation beam EB is incident on a patterning device (e.g., mask) MA, which is held on a support structure (e.g., mask table) MT, and is patterned by a patterning device. After being reflected from the patterning device (e.g. mask) MA, the radiation beam EB passes through the projection system PS, which is directed onto a target portion C of the substrate W Focus. With the aid of the second positioner PW and the position sensor PS2 (e.g. interferometric device, linear encoder or capacitive sensor), the substrate table WT is moved, for example, along the path of the radiation beam EB To position different target portions C within the target portion C. Similarly, the first positioner PM and another position sensor PS1 may be used to accurately position the patterning device (e.g. mask) MA with respect to the path of the radiation beam EB . The patterning device (e.g. mask) MA and the substrate W may be aligned using mask alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks Pl, P2.

도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:The depicted apparatus can be used in at least one of the following modes:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한 번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.1. In step mode, the support structure MT and the substrate table WT are kept essentially stationary while the entire pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C at one time (i.e., Single static exposure]. The substrate table WT is then shifted in the X and / or Y direction so that a different target portion C can be exposed. In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion C imaged during a single static exposure.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.2. In scan mode, the support structure MT and the substrate table WT are scanned synchronously while a pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C (i. E., A single dynamic exposure )]. The speed and direction of the substrate table WT relative to the support structure MT may be determined by the magnification (image reduction) and image reversal characteristics of the projection system PS. In scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width (in the non-scanning direction) of the target portion during a single dynamic exposure, while the length of the scanning operation determines the height of the target portion (in the scanning direction).

3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.3. In another mode, the support structure MT is kept essentially stationary holding a programmable patterning device, while the pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C while the substrate table WT Is moved or scanned. In this mode, a pulsed radiation source is generally employed, and the programmable patterning device is updated as needed after each movement of the substrate table WT, or between successive radiation pulses during a scan. This mode of operation can be readily applied to maskless lithography using a programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as referred to above.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.Combinations and / or variations on the above described modes of use, or entirely different modes of use, may also be employed.

제어 시스템(도시되지 않음)은 리소그래피 장치의 전체 작동들을 제어하고, 특히 아래에서 더 설명되는 최적화 공정을 수행한다. 제어 시스템은 중앙 처리 유닛 및 휘발성 및 비-휘발성 스토리지를 포함한 적절히-프로그램된 범용 컴퓨터로서 구현될 수 있다. 선택적으로, 제어 시스템은 키보드 및 스크린과 같은 1 이상의 입력 및 출력 디바이스들, 1 이상의 네트워크 연결들 및/또는 리소그래피 장치의 다양한 부분들에 대한 1 이상의 인터페이스들을 더 포함할 수 있다. 제어 컴퓨터 및 리소그래피 장치 간의 1-대-1 관계가 필요하지 않음을 이해할 것이다. 본 발명의 일 실시예에서, 하나의 컴퓨터가 다수 리소그래피 장치들을 제어할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 다수의 네트워크화된 컴퓨터들이 하나의 리소그래피 장치를 제어하는 데 사용될 수 있다. 또한, 제어 시스템은 리소그래피 장치가 일부분을 형성하는 리소셀 또는 클러스터 내의 1 이상의 연계된 공정 디바이스들 및 기판 핸들링 디바이스들을 제어하도록 구성될 수 있다. 또한, 제어 시스템은 리소셀 또는 클러스터의 감독 제어 시스템(supervisory control system) 및/또는 팹(fab)의 전체 제어 시스템에 종속하도록 구성될 수 있다.A control system (not shown) controls the overall operation of the lithographic apparatus and, in particular, performs the optimization process described further below. The control system may be implemented as a suitably-programmed general purpose computer including a central processing unit and volatile and non-volatile storage. Optionally, the control system may further comprise one or more input and output devices, such as a keyboard and a screen, one or more network connections and / or one or more interfaces to various parts of the lithographic apparatus. It will be appreciated that a one-to-one relationship between the control computer and the lithographic apparatus is not required. In one embodiment of the invention, one computer can control multiple lithographic apparatuses. In one embodiment of the invention, a plurality of networked computers may be used to control one lithographic apparatus. The control system may also be configured to control the one or more associated process devices and the substrate handling devices in the lithocell or cluster in which the lithographic apparatus forms part. In addition, the control system may be configured to be subordinate to the supervisory control system of the lithocell or cluster and / or the entire control system of the fab.

도 2는 소스 컬렉터 장치(SO), EUV 조명 시스템(EIL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 EUV 장치(4100)를 더 상세히 나타낸다. 소스 컬렉터 장치(SO)는, 소스 컬렉터 장치(SO)의 포위 구조체(4220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(4210)가 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 플라즈마(4210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 플라즈마(4210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화되는 플라즈마를 야기하는 전기적 방전에 의해 생성된다. 방사선의 효율적인 발생을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 필요할 수 있다. 일 실시예에서는, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.Figure 2 shows EUV device 4100 in more detail, including a source collector device SO, an EUV illumination system (EIL), and a projection system PS. The source collector device SO is constructed and arranged such that a vacuum environment can be maintained in the surrounding structure 4220 of the source collector device SO. An EUV radiation emitting plasma 4210 may be formed by a discharge generating plasma source. EUV radiation may be produced by a gas or vapor, e.g., Xe gas, Li vapor, or Sn vapor, in which plasma 4210 is generated to emit radiation within the EUV range of the electromagnetic spectrum. Plasma 4210 is generated, for example, by an electrical discharge that causes a plasma that is at least partially ionized. For efficient generation of radiation, a partial pressure of, for example, 10 Pa of Xe, Li, Sn vapor or any other suitable gas or vapor may be required. In one embodiment, a plasma of tin (Sn) excited to produce EUV radiation is provided.

플라즈마(4210)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 4211)의 개구부(opening) 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 가스 방벽(gas barrier) 및/또는 오염물 트랩(contaminant trap: 4230)[몇몇 경우에는, 오염물 방벽 또는 포일 트랩(foil trap)이라고도 함]을 통해, 소스 챔버(4211)로부터 컬렉터 챔버(collector chamber: 4212) 내로 통과된다. 오염물 트랩(4230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(4230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에 나타낸 오염물 트랩 또는 오염물 방벽(4230)은 적어도 당업계에 알려진 채널 구조체를 포함한다.The radiation emitted by the plasma 4210 may be directed to an optional gas barrier and / or contaminant trap 4230 located in or after the opening of the source chamber 4211 In some cases, from a source chamber 4211 to a collector chamber 4212 via a contaminant barrier or a foil trap). The contaminant trap 4230 may comprise a channel structure. The contaminant trap 4230 can also include a gas barrier, or a combination of a gas barrier and a channel structure. In addition, the contaminant trap or contaminant barrier 4230 shown herein includes at least a channel structure known in the art.

컬렉터 챔버(4212)는 소위 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)는 방사선 컬렉터 상류 측(upstream radiation collector side: 4251) 및 방사선 컬렉터 하류 측(downstream radiation collector side: 4252)을 갖는다. 컬렉터(CO)를 가로지른 방사선은 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 4240)에 의해 반사되어 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 장치는 중간 포커스(IF)가 포위 구조체(4220)에서의 개구부(4221)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(4210)의 이미지이다.Collector chamber 4212 may include a radiation collector (CO), which may be a so-called grazing incidence collector. The radiation collector CO has an upstream radiation collector side 4251 and a downstream radiation collector side 4252. The radiation traversing the collector CO can be reflected by a grating spectral filter 4240 and focused on a virtual source point (IF). The virtual source point IF is typically referred to as intermediate focus and the source collector device is arranged such that the intermediate focus IF is located at or near the aperture 4221 in the surrounding structure 4220. [ The virtual source point IF is an image of the radiation emitting plasma 4210.

후속하여, 방사선은 조명 시스템(EIL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(421)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드 거울 디바이스(422) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(424)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(421)의 반사 시, 패터닝된 빔(426)이 형성되고, 패터닝된 빔(426)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(428, 430)을 통해 기판 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지된 기판(W) 상으로 이미징된다.Subsequently, the radiation traverses the illumination system EIL, which provides a desired uniformity of the radiation intensity at the patterning device MA, as well as a desired uniform distribution of the radiation beam 421 at the patterning device MA, A faceted field mirror device 422 and a faceted pupil mirror device 424. Upon reflection of the radiation beam 421 at the patterning device MA held by the support structure MT a patterned beam 426 is formed and the patterned beam 426 is reflected by the projection system PS Is imaged onto the substrate W held by the substrate stage or substrate table WT via elements 428 and 430. [

일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소가 조명 광학기 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(4240)는 리소그래피 장치의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 나타낸 것보다 더 많은 거울이 존재할 수 있고, 예를 들어, 도 2에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.In general, more elements may be present in the illumination optics unit IL and in the projection system PS than shown. The grating spectral filter 4240 may optionally be present depending on the type of lithographic apparatus. Also, there may be more mirrors than shown in the figures, for example, one to six additional reflective elements may be present in the projection system PS than that shown in FIG.

도 2에 나타낸 바와 같은 컬렉터 광학기(CO)는 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시에 불과할 뿐이지만 스침 입사 반사기들(4253, 4254, 및 4255)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 스침 입사 반사기들(4253, 4254, 4255)은 광학 축선(O) 주위에 축대칭으로 배치되고, 이 타입의 컬렉터 광학기(CO)는 바람직하게는 흔히 DPP 소스라고 하는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용된다.The collector optics (CO) as shown in FIG. 2 is shown as a nested collector with grazing incidence reflectors 4253, 4254, and 4255, but merely an example of a collector (or collector mirror) . Scratch incident reflectors 4253, 4254 and 4255 are axially symmetrically disposed about optical axis O and collector optics (CO) of this type are preferably combined with a discharge generating plasma source, often referred to as a DPP source Is used.

종래 기술에서는, 액추에이터 디바이스들이 리소그래피 장치 내에서의 반사기들의 위치를 제어하는 데 사용된다. 각각의 액추에이터 디바이스는 반사기가 원하는 방향으로 이동하도록 반사기에 제어 힘을 적용하기 위해 사용된다. 각각의 액추에이터는 1 자유도에서 반사기를 제어하도록 구성된다. 액추에이터 디바이스들은 필드 거울 디바이스(422), 패싯 퓨필 거울 디바이스(424), 반사 요소들(428 및 430), 패터닝 디바이스(MA), 컬렉터 내의 반사기들, 예를 들어 스침 입사 반사기들(4253, 4254, 및 4255) 및/또는 (도시되지는 않지만) 리소그래피 장치 내의 여하한의 다른 거울 및/또는 반사기 중 어느 하나를 제어하는 데 사용될 수 있다. 본 명세서의 "거울"이라는 용어의 어떠한 사용도 "반사기"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.In the prior art, actuator devices are used to control the position of reflectors in the lithographic apparatus. Each actuator device is used to apply a control force to the reflector so that the reflector moves in a desired direction. Each actuator is configured to control the reflector in one degree of freedom. The actuator devices may include a field mirror device 422, a facet pupil mirror device 424, reflective elements 428 and 430, a patterning device MA, reflectors in the collector, such as intaglio reflectors 4253, 4254, And 4255) and / or any other mirror and / or reflector (not shown) in the lithographic apparatus. Any use of the term "mirror" herein may be considered synonymous with the more general term "reflector ".

각각의 액추에이터 디바이스에 의해 대상물, 예를 들어 반사기에 적용될 원하는 힘을 계산하기 위해 위치 제어기가 사용된다. 종래 기술에서는, 하나의 액추에이터 디바이스가 제어되어야 하는 반사기의 각각의 자유도에 대해 반사기의 위치를 제어하는 데 사용되며, 즉 액추에이터 디바이스들의 수와 제어되는 반사기의 자유도 사이에 1-대-1 관계가 존재한다. 이 관계는 반사기의 위치로 하여금 충분히 제어되게 한다. 자유도와 동일한 수의 액추에이터들은 종래 기술에서 반사기에 여하한의 응력을 가하는 것을 회피하기 위해 사용된다.A position controller is used by each actuator device to calculate the desired force to be applied to the object, e.g., the reflector. In the prior art, one actuator device is used to control the position of the reflector for each degree of freedom of the reflector to be controlled, i.e., a one-to-one relationship between the number of actuator devices and the degree of freedom of the controlled reflector exist. This relationship allows the position of the reflector to be fully controlled. The same number of actuators as the degrees of freedom are used in the prior art to avoid applying any stress to the reflector.

반사기 위치의 정확성은 리소그래피 장치와 같은 장치 내의 구성요소를 정밀하게 제어한다는 장점들뿐 아니라, 본 발명의 액추에이터 디바이스들에 의해 요구되는 정확성의 수준을 효과적으로 나타내기 때문에, 본 출원 전체에 걸쳐 일 예시로서 반사기가 사용되었다. 반사기는 본 출원에서 추후 설명되는 바와 같이 또 다른 대상물 또는 구성요소와 교환될 수 있다.Because the accuracy of the reflector position effectively represents the level of accuracy required by the actuator devices of the present invention, as well as the advantages of precisely controlling components within the device, such as a lithographic apparatus, A reflector was used. The reflector may be interchanged with another object or component as will be described later in the present application.

각각의 액추에이터 디바이스에 의해 적용될 원하는 힘과 비교하여 각각의 액추에이터 디바이스에 의해 적용되는 실제 힘 간의 차이들은 반사된 빔의 방향에 있어서 오차를 유도할 수 있다. 원하는 힘의 방향과 상이한 방향을 갖는 여하한의 힘의 성분은 기생 힘이라고 칭해질 수 있다. 종래 기술의 액추에이터는 액추에이터들에 의해 적용되는 힘들을 조정함으로써 기생 힘들을 회피하도록 제어된다.The differences between the actual forces applied by the respective actuator devices as compared to the desired forces to be applied by the respective actuator devices can lead to an error in the direction of the reflected beam. Any component of force having a direction different from the direction of the desired force may be referred to as a parasitic force. The prior art actuators are controlled to avoid parasitic forces by adjusting the forces applied by the actuators.

흔히, 액추에이터 디바이스에 의해 적용되는 힘은 의도된 방향으로 완전히 정확하게 적용되지 않고, 이는 기생 힘들을 유도한다. "기생 힘"이라는 용어는 원치 않는 힘들 및 원치 않는 토크(torque)들을 칭하는 데 사용된다. 적용된 힘의 불일치(discrepancy)들은 장착 공차(mounting tolerance)들, 자석 변동(magnet variation)들 및 반사기의 위치로 인할 수 있다. 이 불일치들은 반사기에 작용하는 기생 힘을 유도한다. 기생 힘은 의도된 방향이 아닌 힘(및/또는 토크)이며, 이러한 것으로 기생 힘은 의도된 방향에 직교이다.Often, the force applied by the actuator device is not applied precisely exactly in the intended direction, which leads to parasitic forces. The term "parasitic force" is used to refer to unwanted forces and unwanted torques. The applied force discrepancies can be due to mounting tolerances, magnet variations and the position of the reflector. These discrepancies lead to parasitic forces acting on the reflector. The parasitic force is a force (and / or torque) that is not the intended direction, and thus the parasitic force is orthogonal to the intended direction.

추가적으로, 반사기 위치를 제어하는 제어 루프에 영향을 미치는 (아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같은) 액추에이터의 진동 모드(oscillation mode)들로 인한 동적 효과들이 존재한다. 액추에이터의 동적 거동은 제어 루프의 대역폭을 제한한다. 그러므로, 상이한 주파수들로의 진동들이 검출되고, 상이한 방식들로 제어기에 의한 제어 루프에 고려된다(factored into).Additionally, there are dynamic effects due to the oscillation modes of the actuators (as described in more detail below) that affect the control loop that controls the reflector position. The dynamic behavior of the actuator limits the bandwidth of the control loop. Hence, vibrations to different frequencies are detected and factored into the control loop by the controller in different ways.

적용된 힘의 불일치들로 인한 오차들은 종래 기술에서 기계적 공차들을 작게 유지함으로써, 각각의 액추에이터의 자유도의 수를 제한함으로써[예를 들어, 단 한 방향으로 반사기에 병진 힘(translation force)을 적용하기 위해 하나의 액추에이터를 이용함으로써], 및 예를 들어 비-작동 방향으로 반사기와 액추에이터 간의 연결의 강성도(stiffness)를 제한함으로써 감소되었다.Errors due to applied force mismatches can be avoided by limiting the number of degrees of freedom of each actuator by keeping the mechanical tolerances small in the prior art (e.g., by applying a translational force to the reflector in only one direction For example, by using a single actuator), and by limiting the stiffness of the connection between the reflector and the actuator, e.g., in the non-actuation direction.

위치 제어기는 앞서 언급된 인자들 중 일부를 고려하기 위해 반사기에 적용되는 힘을 변경하도록 액추에이터를 조정할 수 있다. 위치 제어기는 액추에이터 디바이스에 의해 적용되는 기생 힘들을 감소시키거나 무효화하기 위해 다른 액추에이터 디바이스들에서의 원하는 힘을 결정할 수 있다. 그러므로, 반사기 상의 다른 지점들에서 액추에이터 디바이스들에 의해 적용되는 힘들이 또 다른 액추에이터 디바이스에서의 기생 힘들을 보상하는 데 사용될 수 있다. 이 방식으로, 반사기에 적용되는 힘들은 반사기에 작용하는 알짜 기생 힘들을 감소시키도록 분해될 수 있다. 이상적으로, 반사기에 작용하는 알짜 기생 힘들은 0(zero)이어서, 반사기가 원하는 방향 이외의 방향으로 이동하지 않도록 할 것이다.The position controller can adjust the actuator to change the force applied to the reflector to account for some of the factors mentioned above. The position controller can determine the desired force at the other actuator devices to reduce or nullify the parasitic forces applied by the actuator device. Therefore, forces applied by the actuator devices at different points on the reflector can be used to compensate for parasitic forces in another actuator device. In this way, the forces applied to the reflector can be resolved to reduce the parasitic forces acting on the reflector. Ideally, the parasitic forces acting on the reflector will be zero so that the reflector will not move in any direction other than the desired direction.

하지만, 종래 기술에서는 종래 기술이 반사기에 걸쳐 액추에이터들에 의해 적용되는 힘들을 변화시키고, 이 힘들이 반사기를 통해 전달되기 때문에 문제들이 존재한다. 반사기를 통해 전달되는 이 힘들은 반사기에서 발생하는 변형(deformity)들을 초래한다. 반사기 내의 여하한의 변형들 -예를 들어, 반사기의 형상이 변형됨- 은 오차들을 유도할 수 있다. 반사기의 위치의 오차, 반사기의 변형, 및/또는 반사된 방사선 빔의 오차가 오버레이 오차, 포커스 문제들 및/또는 페이딩(fading) 문제들을 유도할 수 있다. 특히, 오버레이 오차가 생성되는 기판의 품질에 상당한 영향을 줄 수 있다.However, in the prior art, there are problems because the prior art changes the forces applied by the actuators across the reflector, and these forces are transmitted through the reflector. These forces transmitted through the reflector result in deformations that occur in the reflector. Any deformations in the reflector-for example, deforming the shape of the reflector-can lead to errors. Errors in the position of the reflector, deformation of the reflector, and / or errors in the reflected radiation beam can lead to overlay errors, focus problems, and / or fading problems. In particular, overlay error can significantly affect the quality of the substrate being produced.

종래 기술의 예시적인 위치설정 시스템의 단순한 모델이 도 3a에 도시되고, 이는 반사기(15)에 힘(Fn)을 적용하는 액추에이터 디바이스(100)를 나타낸다. 도면은 1 자유도(N=1)에서 반사기(15)를 위치시키도록 제어되는 하나의 액추에이터 디바이스(100)(M=1)를 나타낸다. 이 예시에서 원하는 힘은 z-방향으로만이다. 위치 제어기는 원하는 힘에 비교하여 적용되는 힘의 차이, 즉 오차를 감소시키도록 액추에이터 디바이스(100)에 의해 적용되는 힘을 제어하기 위해 사용될 것이다. 다수 액추에이터 디바이스들이 사용되는 경우, 제어기는 다른 액추에이터 디바이스들에 의해 적용되는 힘들을 고려할 수 있다.A simple model of an exemplary prior art positioning system is shown in Fig. 3A, which shows an actuator device 100 that applies a force Fn to a reflector 15. Fig. The figure shows one actuator device 100 (M = 1) that is controlled to position the reflector 15 at one degree of freedom (N = 1). In this example, the desired force is only in the z-direction. The position controller will be used to control the force applied by the actuator device 100 to reduce the difference in force, i.e., the applied force, as compared to the desired force. When multiple actuator devices are used, the controller may consider the forces applied by the other actuator devices.

알 수 있는 바와 같이, 액추에이터 디바이스(100)에 의해 적용되는 실제 힘(Fn)은 z-방향으로의 힘 성분(F)뿐 아니라 x-방향으로의 힘 성분(Fpn)을 갖는다. x-방향으로의 힘 성분(Fpn)은 반사기(15)의 위치의 오차를 유도하기 쉬운 기생 힘, 즉 원치 않는 힘이다.As can be seen, the actual force Fn applied by the actuator device 100 has a force component Fpn in the x-direction as well as a force component F in the z-direction. The force component Fpn in the x-direction is a parasitic force, which is an unwanted force, which tends to induce an error in the position of the reflector 15.

본 발명은 앞서 설명되는 종래 기술의 문제들을 해결한다. 이 문제들을 해결하는 본 발명의 실시예들은 도면들을 참조하여 더 상세히 설명된다.The present invention solves the problems of the prior art described above. Embodiments of the present invention for solving these problems are described in more detail with reference to the drawings.

본 발명에서는, 반사기 및 N 자유도(N은 양의 정수임)에서 반사기를 위치시키도록 구성된 위치설정 시스템을 포함한 리소그래피 장치가 제공된다. 위치설정 시스템은 M 개의 액추에이터 디바이스들(M은 양의 정수임)을 포함하고, 각각의 액추에이터 디바이스가 반사기에 힘을 적용하도록 구성된다.In the present invention, a lithographic apparatus is provided that includes a reflector and a positioning system configured to position the reflector in N degrees of freedom (where N is a positive integer). The positioning system includes M actuator devices (where M is a positive integer) and each actuator device is configured to apply a force to the reflector.

제어기가 액추에이터 디바이스들을 제어하도록 구성된다. 특히, 제어기는 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하고, 제어기는 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하도록 보상 액추에이터 디바이스를 제어한다.A controller is configured to control the actuator devices. In particular, the controller controls the compensating actuator device and the non-compensating actuator device, and the controller controls the compensating actuator device to compensate for the parasitic forces of the non-compensating actuator device.

본 발명의 제 1 실시예가 도 3b에 도시된다. 도 3b에 나타낸 바와 같이, 위치설정 시스템은 1 자유도(N=1)에서, 즉 z-방향으로 반사기(15)를 위치시키도록 구성된다. 이 실시예에서는, 2 개의 액추에이터 디바이스들(M=2)이 제공된다. 이 실시예에서, 액추에이터 디바이스들 중 하나는 보상 액추에이터 디바이스(200)이고, 다른 액추에이터 디바이스는 비-보상 액추에이터 디바이스(300)이다. 비-보상 액추에이터 디바이스(300)는 도 3a에 도시된 액추에이터 디바이스(100)와 동일할 수 있고, 및/또는 이와 동일한 힘을 적용할 수 있다. 비-보상 액추에이터 디바이스(300)는 반사기(15)에 힘(Fn)을 적용하고, 힘(Fn)은 x-방향으로의 성분(Fpn) 및 원하는 힘의 방향인 z-방향으로의 성분을 갖는다.A first embodiment of the present invention is shown in Fig. 3B. As shown in FIG. 3B, the positioning system is configured to position the reflector 15 at one degree of freedom (N = 1), i. E. In the z-direction. In this embodiment, two actuator devices (M = 2) are provided. In this embodiment, one of the actuator devices is a compensating actuator device 200, and the other actuator device is a non-compensating actuator device 300. The non-compensating actuator device 300 may be identical to the actuator device 100 shown in FIG. 3A, and / or may apply the same force. The non-compensating actuator device 300 applies a force Fn to the reflector 15 and the force Fn has a component in the z-direction which is the direction of the desired force and the component Fpn in the x-direction .

이 실시예에서, N은 자유도의 수이다. N 개의 비-보상 액추에이터 디바이스들이 본 실시예에서 모든 자유도를 제어하도록 제공되고, M-N 개의 보상 액추에이터 디바이스들이 제공된다.In this embodiment, N is the number of degrees of freedom. N non-compensating actuator devices are provided to control all degrees of freedom in this embodiment, and M-N compensating actuator devices are provided.

본 발명의 실시예에서, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 비-보상 액추에이터 디바이스(300)[이는 도 3a에 나타낸 액추에이터 디바이스(100)와 균등함]에 추가하여 보상 액추에이터 디바이스(200)가 포함된다. 보상 액추에이터 디바이스(200)는 반사기(15)에 보상 힘(Fc)을 적용하고, 힘(Fc)은 x-방향으로의 성분(Frc) 및 z-방향으로의 성분을 갖는다. 본 발명에서는, 제어되고 있는 자유도보다 더 많은 수의 액추에이터 디바이스들이 사용되며, 즉 M은 N보다 크다. 제어되는 자유도보다 많은 액추에이터 디바이스를 이용하는 것은 "초과작동(overactuation)"이라고 칭해질 수 있다.In an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3B, in addition to the non-compensating actuator device 300 (which is equivalent to the actuator device 100 shown in FIG. 3A), the compensating actuator device 200 is included. The compensating actuator device 200 applies a compensating force Fc to the reflector 15 and the force Fc has a component in the x-direction Frc and a component in the z-direction. In the present invention, a greater number of actuator devices are used than the degree of freedom being controlled, i. Using more actuator devices than the controlled degree of freedom can be referred to as "overactuation ".

도 3c는 비-보상 액추에이터 디바이스(300)에 의해 적용되는 힘(Fn) 및 보상 액추에이터 디바이스(200)에 의해 적용되는 힘(Fc)을 나타내는 힘 다이어그램을 도시한다. 제어기(50)는 보상 액추에이터 디바이스(200) 및 비-보상 액추에이터 디바이스(300)를 제어하여 보상 액추에이터 디바이스(200)가 비-보상 액추에이터 디바이스(300)의 기생 힘들(도 3a 및 도 3b의 Fpn)을 보상하게 하도록 구성된다. 도 3c의 힘 다이어그램은 액추에이터 디바이스들에 의해 적용되는 힘들이 기생 힘들(즉, 원치 않는 방향, 이 경우에는 x-방향으로의 힘)을 감소시키도록 제어될 수 있는 방식을 나타낸다.3C shows a force diagram representing the force Fn applied by the non-compensating actuator device 300 and the force Fc applied by the compensating actuator device 200. FIG. The controller 50 controls the compensation actuator device 200 and the non-compensating actuator device 300 such that the compensating actuator device 200 is able to control the parasitic forces of the non-compensating actuator device 300 (Fpn in Figures 3a and 3b) As shown in FIG. The force diagram of Figure 3c shows how the forces applied by the actuator devices can be controlled to reduce parasitic forces (i.e., forces in the undesired direction, in this case the x-direction).

도 3c에 나타낸 바와 같이, x-방향으로의 두 힘들의 성분은 x-방향으로의 힘들이 반대 방향이고 크기가 균등하도록 서로 상쇄한다. 이러한 것으로서, 이 힘들의 합은 0이다. 보상 및 비-보상 액추에이터 디바이스들에 의해 적용되는 힘들은 z-방향으로의 결과적인 힘(F)을 가질 수 있다. 보상 액추에이터 디바이스(200) 및 비-보상 액추에이터 디바이스(300)는 기생 힘들(실시예의 이 예시에서는, x-방향으로의 힘)을 감소시키거나 회피하도록 제어될 수 있다.As shown in FIG. 3C, the components of the two forces in the x-direction cancel each other such that forces in the x-direction are in opposite directions and equal in magnitude. As such, the sum of these forces is zero. The forces applied by the compensating and non-compensating actuator devices may have a resulting force F in the z-direction. Compensating actuator device 200 and non-compensating actuator device 300 may be controlled to reduce or avoid parasitic forces (in this example, force in the x-direction).

본 발명의 실시예에서, 보상 액추에이터 디바이스(200) 및 비-보상 액추에이터 디바이스(300)는 동일한 지점에서 반사기(15)에 힘을 적용하도록 구성된다. 동일한 지점에 상이한 디바이스들로부터의 힘들을 적용하는 것은, 힘들이 액추에이터 디바이스들과 반사기(15) 간의 접촉 지점에서 분해될 수 있다는 것을 의미한다. 그러므로, 힘들은 반사기를 통해 전달되게 되기보다는 접촉부에서 분해된다. 도 3b에서, 힘들은 힘들을 더 분명히 나타내기 위해 반사기(15) 상의 접촉 지점 바로 위에 나타내어진다.In an embodiment of the present invention, compensating actuator device 200 and non-compensating actuator device 300 are configured to apply force to reflector 15 at the same point. Applying forces from different devices at the same point means that the forces can be resolved at the point of contact between the actuator devices and the reflector 15. [ Therefore, forces are dissipated at the contact rather than being transmitted through the reflector. In Figure 3B, forces are shown directly above the point of contact on the reflector 15 to more clearly indicate the forces.

동일한 지점에 적용되는 힘들은, 다수 액추에이터들이 반사기 상에 매우 작은 접촉 구역을 갖고, 이로 인해 (상기 지점에서의) 각각의 액추에이터 디바이스가 여하한의 인접한 액추에이터(들)에 의해 반사기에 적용되는 힘(들) 가까이에서, 이상적으로는 가능한 한 가까이에서 반사기 상의 한 지점에 힘을 적용한다는 것을 의미할 수 있다. 이 방식으로, 인접한 액추에이터 디바이스들로부터의 다수 접촉 지점들이 "동일한 지점"에 적용될 수 있다. 이는 힘들이 동일한 지점에서 분해되므로, 거울을 통해 다른 상이한 지점들로 전해지지 않고, 반사기와 구성된 접촉 지점들에 따라 국한되거나 제어될 수 있다는 점에서 앞서 설명된 것과 동일한 장점들을 갖는다. 대안적으로, 동일한 지점에 적용되는 힘들은 다수 액추에이터들이 반사기 상의 단일 접촉 지점에서 반사기와 접촉하도록 구성될 수 있다는 것을 의미할 수 있다. 아주 근접한 다수 접촉 지점들보다는 단일 접촉 지점에 힘을 적용하기 위해, 동일한 지점에서의 보상 액추에이터 디바이스(들) 및 비-보상 액추에이터 디바이스(들)는 반사기에 접촉하기 전에 서로 연결될 수 있다. 이러한 것으로서, 보상 액추에이터 디바이스(들) 및 비-보상 액추에이터 디바이스(들)로부터의 힘들은 서로에 대해 분해될 수 있고, 단일 접촉 지점에서 단일 방향으로의 분해된 힘이 반사기에 적용된다. 이는 반사기에서 더 적은 힘들이 분해되기 때문에 반사기에서의 응력들이 감소된다는 장점을 갖는다.The forces applied to the same point are such that multiple actuators have a very small contact area on the reflector so that each actuator device (at this point) is subjected to a force applied to the reflector by any adjacent actuator (s) ), Ideally as close as possible to one point on the reflector. In this way, multiple contact points from adjacent actuator devices can be applied to the "same point ". This has the same advantages as previously described in that the forces are disassembled at the same point so that they can not be transmitted to other different points through the mirror and can be localized or controlled according to the contact points configured with the reflector. Alternatively, forces applied at the same point may mean that the multiple actuators can be configured to contact the reflector at a single point of contact on the reflector. The compensating actuator device (s) and non-compensating actuator device (s) at the same point may be connected to each other before contacting the reflector, in order to apply force to a single point of contact rather than a plurality of closely spaced contact points. As such, the forces from the compensating actuator device (s) and the non-compensating actuator device (s) can be resolved relative to each other and the resolved force in a single direction at a single point of contact is applied to the reflector. This has the advantage that the stresses in the reflector are reduced because less force is dissipated in the reflector.

액추에이터 디바이스들은 보상 액추에이터 디바이스(200) 및 비-보상 액추에이터 디바이스(300)를 제어하도록 구성된 제어기(50)에 의해 제어된다. 제어기(50)는 비-보상 액추에이터 디바이스(300)의 기생 힘들을 보상하도록 보상 액추에이터 디바이스(200)를 제어하도록 구성된다. 제어기(50)는 반사기(15) 상의 접촉 지점에서 반사기(15)에 선형 힘을 적용하도록 보상 액추에이터 디바이스(200) 및/또는 비-보상 액추에이터 디바이스(300)를 제어할 수 있다. 제어기(50)는 반사기(15)의 접촉 지점에서 회전 힘(즉, 토크)을 적용하도록 보상 액추에이터 디바이스(200) 및/또는 비-보상 액추에이터 디바이스(300)를 제어할 수 있다.The actuator devices are controlled by a controller 50 configured to control the compensating actuator device 200 and the non-compensating actuator device 300. The controller 50 is configured to control the compensating actuator device 200 to compensate for the parasitic forces of the non-compensating actuator device 300. The controller 50 may control the compensating actuator device 200 and / or the non-compensating actuator device 300 to apply a linear force to the reflector 15 at the point of contact on the reflector 15. [ The controller 50 may control the compensating actuator device 200 and / or the non-compensating actuator device 300 to apply rotational force (i.e., torque) at the point of contact of the reflector 15.

제어기(50)는 적어도 하나의 센서로부터 제공되는 정보를 이용할 수 있다. 반사기(15)의 이동 및/또는 위치를 측정하기 위해 센서가 사용될 수 있다. 반사기(15)의 이동 및/또는 위치를 나타내는 정보가 센서로부터 제어기(50)로 송신될 수 있다. 제어기(50)는 반사기(15)의 실제 위치의 (예를 들어, 가장 최근) 정보에 비교하여 반사기(15)의 원하는 위치 간의 차이를 결정하기 위해 전달 함수, 예를 들어 피드백 제어 루프에서 이 정보를 이용할 수 있다. 제어기(50)는 센서들로부터 수신된 정보 및 여하한의 기존 또는 모델-기반의 저장된 정보를 이용할 수 있다.The controller 50 may utilize the information provided by the at least one sensor. A sensor may be used to measure the movement and / or the position of the reflector 15. Information indicative of the movement and / or position of the reflector 15 may be transmitted from the sensor to the controller 50. The controller 50 determines the difference between the desired position of the reflector 15 in comparison to the actual (e.g., most recent) information of the reflector 15 by using a transfer function, for example, Can be used. The controller 50 may use the information received from the sensors and any existing or model-based stored information.

제어기(50)는 적용되어야 하는 힘들을 결정하기 위해 앞서 언급된 정보를 이용할 수 있고, 계산된 원하는 힘들에 따라 보상 액추에이터 디바이스(200) 및 비-보상 액추에이터 디바이스(300)를 제어한다. 그러므로, 제어기(50)는 반사기(15)의 위치의 오차를 감소시키도록 액추에이터 디바이스들에 의해 적용되는 힘들을 조정할 수 있다.Controller 50 may utilize the aforementioned information to determine forces to be applied and controls compensating actuator device 200 and non-compensating actuator device 300 according to the calculated desired forces. Therefore, the controller 50 can adjust the forces applied by the actuator devices to reduce the error in the position of the reflector 15. [

1 이상의 센서들이 제어기(50)에 필요한 정보를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 동일한 타입의 센서가 하나의 반사기(15)에 대한 정보를 측정하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로, 상이한 타입들의 센서가 사용될 수 있다. 예를 들어, 센서는 간섭계, 인코더, 용량성 센서, 와전류 센서, 또는 속도 센서의 가속도계와 조합된 위치 센서일 수 있다. 바람직하게는, 센서는 비접촉(contact free)이다.One or more sensors may be used to provide the controller 50 with the necessary information. A sensor of the same type can be used to measure information for one reflector 15. Alternatively, different types of sensors may be used. For example, the sensor may be an interferometer, an encoder, a capacitive sensor, an eddy current sensor, or a position sensor in combination with an accelerometer of a velocity sensor. Preferably, the sensor is contact free.

본 발명의 제어기(50)는 리소그래피 장치의 전체 작동을 제어하는 제어 시스템과 동일할 수 있다. 대안적으로, 본 발명의 제어기(50)는 리소그래피 장치의 전체 작동을 제어하는 제어 시스템과 상이할 수 있다.The controller 50 of the present invention may be identical to a control system that controls the overall operation of the lithographic apparatus. Alternatively, the controller 50 of the present invention may be different from the control system that controls the overall operation of the lithographic apparatus.

제어기(50)는 액추에이터 디바이스들에 의해 적용된 힘들이 기생 힘들을 감소시키는 데 알맞게 구성될 수 있도록 액추에이터 디바이스들을 캘리브레이션할 것이다. 캘리브레이션은 수 개의 방식들로, 예를 들어 시간 또는 주파수 도메인 캘리브레이션을 이용하여 행해질 수 있다. 시간 도메인 캘리브레이션은 액추에이터 디바이스들을 하나씩 스위칭 오프(switch off)함으로써 수행될 수 있다. 이 캘리브레이션이 각각의 액추에이터 디바이스에 의해 적용되는 힘들로 하여금 결정되게 한다. 대안적으로, 힘들과 반사기(15) 간의 관계가 반사기(15)에 힘이 적용되는 지점들 간의 크로스토크(cross-talk)를 검출함으로써 주파수 도메인에서 결정될 수 있다. 반사기(15)를 통해 다른 지점들로 전달되는 힘들의 크로스토크를 감소시키는 것이 반사기(15) 상의 기생 힘들을 감소시킬 것이다.The controller 50 will calibrate the actuator devices such that the forces applied by the actuator devices can be configured accordingly to reduce parasitic forces. Calibration can be done in several ways, for example using time or frequency domain calibration. The time domain calibration can be performed by switching off the actuator devices one by one. This calibration causes the forces applied by each actuator device to be determined. Alternatively, the relationship between the forces and the reflector 15 can be determined in the frequency domain by detecting a cross-talk between points at which force is applied to the reflector 15. Reducing the crosstalk of forces transmitted to the other points through the reflector 15 will reduce the parasitic forces on the reflector 15.

액추에이터 디바이스(A)의 간소화된 표현이 도 4에 도시된다. 이 실시예에서, 각각의 액추에이터 디바이스는 반사기(15) 및 지지 프레임(20)에 연결된 액추에이터(25)를 갖는다. 액추에이터(25)와 반사기(15) 간의 연결은 스프링을 포함할 수 있다. 액추에이터(25)와 지지 프레임(20) 간의 연결은 스프링을 포함할 수 있다. 여하한의 연결들은 1보다 많은 스프링을 포함할 수 있고, 이들은 서로 직렬 및/또는 병렬이다. 모든 연결들은 (도 5에 도시된 바와 같이) 적어도 하나의 스프링을 이용하여 이루어질 수 있다.A simplified representation of the actuator device A is shown in Fig. In this embodiment, each of the actuator devices has an actuator 25 connected to the reflector 15 and the support frame 20. The connection between the actuator 25 and the reflector 15 may comprise a spring. The connection between the actuator 25 and the support frame 20 may include a spring. Any of the connections may include more than one spring, which are in series and / or parallel to one another. All connections may be made using at least one spring (as shown in FIG. 5).

액추에이터 디바이스(A)는 도 3a 및 도 3b의 액추에이터 디바이스들(100, 200 및 300)을 포함하여, 보상 액추에이터 디바이스들이든 비-보상 액추에이터 디바이스들이든 앞서 언급된 액추에이터 디바이스들 중 어느 하나에 대해 사용될 수 있다. 도 4에 나타낸 표현에서, 액추에이터 디바이스(A)의 액추에이터(25)는 반사기(15)에 힘(F)을 적용한다. 반사기(15)와 지지 프레임(20) 간의 전체 연결은 강성도(k)를 갖는 단순한 스프링으로서 표현된다. 본 실시예의 액추에이터 디바이스는 도 5를 참조하여 더 상세히 설명되며, 이는 액추에이터(25)와 반사기(15)(반사기는 도시되지 않음) 간의 연결 및 액추에이터(25)와 지지 프레임(20) 간의 연결을 포함한 액추에이터 디바이스(A)의 상세한 예시를 나타낸다. 도 5에 나타낸 액추에이터 디바이스(A)는 앞서 언급된 액추에이터 디바이스들 중 어느 하나, 예를 들어 100, 200 또는 300일 수 있다.Actuator device A may include actuator devices 100, 200, and 300 of FIGS. 3A and 3B, such as compensating actuator devices or non-compensating actuator devices, to be used for any of the aforementioned actuator devices . 4, the actuator 25 of the actuator device A applies a force F to the reflector 15. The overall connection between the reflector 15 and the support frame 20 is represented as a simple spring with a stiffness k. The actuator device of this embodiment is described in more detail with reference to Fig. 5, which includes a connection between an actuator 25 and a reflector 15 (reflector not shown) and a connection between an actuator 25 and a support frame 20 A detailed example of the actuator device A is shown. The actuator device A shown in Fig. 5 may be any of the aforementioned actuator devices, for example 100, 200 or 300.

도 5에 나타낸 바와 같이, 액추에이터 디바이스(A)는 지지 프레임(20)에 연결된 액추에이터(25)로서 모델링되며, 액추에이터는 반사기(15)에 대한 약한 스프링 연결 및 지지 프레임(20)에 대한 약한 스프링 연결을 갖는다. 2 개의 지지 아암(support arm: 30a 및 30b)이 지지 프레임(20)에 부착된다. 액추에이터는 2 개의 병렬 스프링들(32a 및 32b)을 통해 지지 아암(30a)에 연결된다. 액추에이터는 2 개의 병렬 스프링들(34a 및 34b)을 통해 지지 아암(30b)에 연결된다. 액추에이터는 2 개의 직렬 스프링들(36a 및 36b)을 통해 반사기(15)에 연결된다.5, the actuator device A is modeled as an actuator 25 connected to the support frame 20 and the actuator is connected to the reflector 15 by a weak spring connection to the reflector 15 and a weak spring connection to the support frame 20. [ Respectively. Two support arms 30a and 30b are attached to the support frame 20. The actuator is connected to the support arm 30a via two parallel springs 32a and 32b. The actuator is connected to the support arm 30b via two parallel springs 34a and 34b. The actuator is connected to the reflector 15 via two series springs 36a and 36b.

스프링들(32a, 32b, 34a, 34b, 36a 및 36b) 각각은 사전설정된 강성도를 갖는다. 스프링들의 강성도는, 지지 프레임(20)과 액추에이터(25) 간의 연결 및 액추에이터(25)와 반사기(15) 간의 연결이 약하도록 비교적 낮다. 지지 프레임(20) 상의 진동들이 반사기(15)에 영향을 주지 않고 지지 프레임(20)에 대한 반사기(15)의 변위들이 큰 힘들을 유도하지 않도록 약한 연결들을 갖는 것이 유리하다. 스프링들은 동일하거나 상이한 강성도들을 가질 수 있다.Each of the springs 32a, 32b, 34a, 34b, 36a and 36b has a predetermined stiffness. The stiffness of the springs is relatively low such that the connection between the support frame 20 and the actuator 25 and the connection between the actuator 25 and the reflector 15 are weak. It is advantageous for the vibrations on the support frame 20 to have weak connections so that they do not affect the reflector 15 and displacements of the reflector 15 relative to the support frame 20 do not induce large forces. The springs may have the same or different stiffnesses.

반사기(15)와 액추에이터 간의 연결의 동적 관계는 스프링들(36a 및 36b)에 의해 좌우된다(dominate). 스프링들(36a 및 36b)로 인해 이 연결에서 상이한 진동 모드들이 존재한다. 최저 진동 모드들은 낮은 주파수들에서의 굽힘 모드(bending mode)들이다. 주파수들은, 반사기(15)의 위치를 변경하는 경우에 기생 힘들을 감소시키도록 낮게 유지되어야 하는 연결들의 낮은 강성도로 인해 낮다. 대안적으로, 연결은 충격 흡수체(shock absorber)로서 작용한다. 이 모드의 주파수는 피드백 제어 루프의 대역폭 요건이 충족될 수 있도록 조절될 수 있다. 더 높은 주파수들에서, 다양한 모드들이 발생하며, 이는 결과로서 제어기(50)의 대역폭을 제한한다.The dynamic relationship of the connection between the reflector 15 and the actuator is dominated by the springs 36a and 36b. There are different vibration modes in this connection due to the springs 36a and 36b. The lowest vibration modes are the bending modes at lower frequencies. The frequencies are low due to the low stiffness of the connections which must be kept low to reduce the parasitic forces when changing the position of the reflector 15. [ Alternatively, the connection acts as a shock absorber. The frequency of this mode can be adjusted so that the bandwidth requirement of the feedback control loop can be met. At higher frequencies, various modes occur, which limits the bandwidth of the controller 50 as a result.

스프링들(32a, 32b, 34a, 및 34b)은 매우 강성일 수 있고, 이 경우 여하한의 반력(reaction force)들이 액추에이터(25)로부터 지지 프레임(20)으로 공급될 것이다. 스프링들(32a, 32b, 34a, 및 34b)이 매우 강성인 경우, 액추에이터(25)는 높은 강성도의 비교적 큰 기생 효과들을 보상하여야 한다. 대안적으로, 스프링들(32a, 32b, 34a, 및 34b)이 매우 약한 경우, 이들은 반력들의 기계적 필터로서 작용한다. 일반적으로, 제어기 대역폭과 간섭하는 공진 모드들을 갖지 않는 구역에 있도록 스프링들(32a, 32b, 34a, 및 34b)의 강성도를 선택하는 것이 유리하다.The springs 32a, 32b, 34a, and 34b may be very rigid, in which case any reaction forces will be supplied from the actuator 25 to the support frame 20. When the springs 32a, 32b, 34a, and 34b are very rigid, the actuator 25 must compensate for the relatively large parasitic effects of high stiffness. Alternatively, when the springs 32a, 32b, 34a, and 34b are very weak, they act as mechanical filters of the reaction forces. Generally, it is advantageous to select the stiffness of the springs 32a, 32b, 34a, and 34b to be in a zone that does not have resonant modes that interfere with the controller bandwidth.

상이한 개념들이 36a 및 36b의 최적 강성도를 결정하는 데 적용가능하다. 종래 기술에서 사용되는 액추에이터의 일 예시에서, 36a 및 36b는 작동 방향에서 "아주" 강성이고, 다른 방향에서는 다소 약하다. 이 방식으로, 힘들이 한 방향으로 액추에이터로부터 반사기(15)로 효율적으로 전달된다. 이 경우, 아주 강성이라는 것은 강성도가 제어 루프의 총 동적 거동을 좌우하지 않을 정도로 충분히 높지만, 기생 강성도가 크게 증가할 정도로 너무 강성은 아님을 의미한다. 상이한 방향들에서의 스프링들의 강성도들의 최적 비가 존재한다.The different concepts are applicable to determine the optimal stiffness of 36a and 36b. In one example of an actuator used in the prior art, 36a and 36b are "very" rigid in the actuation direction and somewhat weak in the other direction. In this way, forces are efficiently transferred from the actuator to the reflector 15 in one direction. In this case, very stiffness means that the stiffness is high enough not to influence the total dynamic behavior of the control loop, but it is not too stiff enough to increase the parasitic stiffness significantly. There is an optimum ratio of the stiffnesses of the springs in different directions.

본 발명에서는, 동일한 액추에이터들이 사용될 수 있지만, 스프링들의 강성도를 선택함에 있어서 종래 기술보다 좀 더 자유로운데, 이는 강성도의 증가가 기생 힘들을 증가시키지만, 본 발명이 이 기생 힘들을 감소시키기 위해 사용되는 보상 액추에이터 디바이스들을 제공하기 때문이다.Although the same actuators can be used in the present invention, the selection of the stiffness of the springs is somewhat more liberal than in the prior art, since the increase in stiffness increases the parasitic forces, but the present invention does not compensate for the parasitic forces used to reduce these parasitic forces Actuator devices.

액추에이터 디바이스들의 동적 효과들은 초과작동에 의해 감소될 수 있다. 그러므로, 액추에이터와 프레임(20) 간의 연결 및 액추에이터와 반사기(15) 간의 연결의 동적 효과들도 감소될 수 있다. 스프링 연결들로 인한 액추에이터의 진동들의 효과는 반사기(15)의 제어기(50)의 대역폭이 증가될 수 있도록 감소될 수 있다. 이는 반사기(15)의 위치에 대한 제어를 증가시키고, 이는 앞서 설명된 바와 같은 오버레이 오차를 감소시킨다.The dynamic effects of the actuator devices can be reduced by overwork. Therefore, the dynamic effects of the connection between the actuator and the frame 20 and the connection between the actuator and the reflector 15 can also be reduced. The effect of vibrations of the actuator due to the spring connections can be reduced so that the bandwidth of the controller 50 of the reflector 15 can be increased. This increases the control over the position of the reflector 15, which reduces the overlay error as described above.

도 5에 나타낸 액추에이터(25)는 코일 조립체(coil assembly: 5) 및 자성 조립체(magnetic assembly: 10)를 갖는 로렌츠 액추에이터(Lorenz actuator)이다. 로렌츠 액추에이터는 본 발명에 따라 사용되는 또 다른 타입의 액추에이터로 대체될 수 있다. 특히, 다른 타입들의 무접촉 액추에이터, 예를 들어 릴럭턴스 액추에이터(reluctance actuator)가 사용될 수 있다. 대안적으로, 평면 모터(planar motor)가 2 개의 액추에이터들을 제공하는 데 사용될 수 있다.The actuator 25 shown in Figure 5 is a Lorenz actuator with a coil assembly 5 and a magnetic assembly 10. The Lorentz actuator can be replaced by another type of actuator used in accordance with the present invention. In particular, other types of contactless actuators, such as reluctance actuators, may be used. Alternatively, a planar motor may be used to provide two actuators.

본 발명의 장점은, 액추에이터들이 제어 루프에 따라 기생 힘들을 감소시키도록 제어되기 때문에, 기계적 공차들이 덜 임계적이라는 것이다. 그러므로, 리소그래피 장치 내의 기계적 오차들의 영향이 감소되는데, 이는 액추에이터들에 의해 적용되는 힘이 반사기(15)의 원하는 위치 및 얼마나 많은 힘이 적용될지를 결정하는 경우에 이 오차들을 고려할 것이기 때문이다. 추가적으로, 시스템 내의 오차들의 여하한의 감소는 리소그래피 장치의 효율성을 개선할 것이고, 장치가 더 빠른 속도로 (올바르게 패터닝된) 기판들을 생성할 수 있음을 의미할 것이다. 본 발명은 이미징 품질을 개선한다. 추가적으로, 본 발명의 위치설정 시스템은 장치 내의 구성요소들의 원래 위치의 여하한의 오차들을 고려하기 때문에, 위치설정 시스템을 이용하는 것이 덜 복잡한 조립 공정을 유도할 수 있고, 초기 위치설정 오차의 영향이 감소된다.An advantage of the present invention is that the mechanical tolerances are less critical because the actuators are controlled to reduce the parasitic forces in accordance with the control loop. Therefore, the influence of mechanical errors in the lithographic apparatus is reduced because the force applied by the actuators will take into account these errors in determining the desired position of the reflector 15 and how much force is applied. Additionally, any reduction in errors in the system will improve the efficiency of the lithographic apparatus, meaning that the apparatus can produce substrates at a faster rate (correctly patterned). The present invention improves imaging quality. In addition, since the positioning system of the present invention takes into account any errors in the original position of the components in the apparatus, it is possible to use a positioning system to lead to a less complex assembly process, do.

본 실시예의 변형예들은 더 많은 수의 자유도 -즉, N이 1보다 큼- 에서 반사기(15)를 제어하는 위치설정 시스템을 포함한다. 따라서, 위치설정 시스템에 의해 제어되는 자유도의 수가 증가되는 경우, 항상 자유도보다 적어도 하나 더 많은 액추에이터가 존재하도록 액추에이터들의 수(M)도 증가되어야 한다. 더 많은 수의 액추에이터들 및 자유도를 이용하는 것이 반사기(15)로 하여금 본 발명에 따라 "초과작동"되게 한다.Variations of this embodiment include a positioning system that controls the reflector 15 at a greater number of degrees of freedom-i. Thus, when the number of degrees of freedom controlled by the positioning system is increased, the number M of actuators must also be increased such that there is always at least one more actuator than the degree of freedom. Using a greater number of actuators and degrees of freedom makes the reflector 15 "over worked" in accordance with the present invention.

액추에이터들의 수는 자유도의 수가 변경되든 아니든 변화될 수 있다. 하지만, 앞서 언급된 바와 같이, 액추에이터들의 수(M)는 자유도의 수(N)보다 커야 한다.The number of actuators can be varied whether the number of degrees of freedom is changed or not. However, as mentioned above, the number of actuators M must be greater than the number of degrees of freedom N.

제 1 실시예에서, 2 개의 액추에이터 디바이스들이 동일한 지점에서 반사기(15)에 힘을 적용한다. 반사기(15)에 힘이 적용되는 지점들의 수(P)는 변화될 수 있다.In the first embodiment, two actuator devices apply force to the reflector 15 at the same point. The number P of points at which force is applied to the reflector 15 can be varied.

앞선 실시예 또는 설명된 바와 같은 변형예들에서, 반사기(15)에 힘을 적용하기 위해 추가적인 액추에이터들이 포함될 수 있다. 추가적인 액추에이터들은 제 1 실시예에서와 같이 반사기(15) 상의 동일한 지점에 힘을 적용할 수 있다. 대안적으로, 추가적인 액추에이터들은 반사기(15) 상의 상이한 지점에 힘을 적용하는 데 사용될 수 있다. 추가적인 비-보상 액추에이터 디바이스 및/또는 추가적인 보상 액추에이터 디바이스가 상이한 지점들에서 힘들을 적용하더라도, 반사기(15)를 초과작동시키는 것(즉, M이 N보다 큰 경우)이 여전히 이점들을 제공한다. 반사기(15)를 통해 힘들이 전달되는 거리는 반사기(15)가 초과작동되지 않는 경우에 비해 감소될 수 있다. 반사기(15)를 초과작동시킴으로써, 반사기(15)를 통한 힘들의 경로가 제어될 수 있다. 이 방식으로, 원하는 구역들에서 반사기(15)를 통한 힘들을 분해하고, 다른 구역들에서 반사기(15)를 통해 힘들을 전달하는 것을 회피할 수 있다.In variants as in the previous embodiments or described, additional actuators may be included to apply a force to the reflector 15. Additional actuators may apply force to the same point on the reflector 15 as in the first embodiment. Alternatively, additional actuators may be used to apply force to different points on the reflector 15. Even if the additional non-compensating actuator device and / or the additional compensating actuator device apply forces at different points, overacting the reflector 15 (i.e., if M is greater than N) still provides advantages. The distance over which the forces are transmitted through the reflector 15 can be reduced compared to when the reflector 15 is not over-actuated. By overacting the reflector 15, the path of the forces through the reflector 15 can be controlled. In this way, it is possible to dissolve the forces through the reflector 15 in the desired zones and to avoid transmitting the forces through the reflector 15 in the other zones.

특정한 수의 자유도들(N), 액추에이터 디바이스들(M), 및 액추에이터 디바이스들이 반사기(15)에 힘을 적용하는 지점들(P)을 갖는 제 2 실시예가 설명된다.A second embodiment with a certain number of degrees of freedom N, actuator devices M, and points P at which the actuator devices apply force to the reflector 15 are illustrated.

제 1 실시예의 부분들과 동일하거나 대응하는 제 2 실시예의 부분들은 동일한 언급들로 식별된다. 제 1 실시예와 상이한 제 2 실시예의 실시형태들만이 아래에서 설명된다.Portions of the second embodiment that are identical or corresponding to those of the first embodiment are identified with the same references. Only the embodiments of the second embodiment which are different from the first embodiment are described below.

제 2 실시예는 6 자유도(N=6)에서 반사기(15)를 제어하는 위치설정 시스템을 갖는다. 9 개의 액추에이터 디바이스들이 사용되고(M=9), 이는 3 개의 분리된 지점들(P=3)에서 반사기(15)에 힘을 적용한다.The second embodiment has a positioning system for controlling the reflector 15 in six degrees of freedom (N = 6). Nine actuators devices are used (M = 9), which applies a force to the reflector 15 at three separate points (P = 3).

비교를 위해, 종래 기술의 반사기(15)의 평면도가 도 6a에 도시되고, 이는 힘들이 반사기(15)에 적용되는 3 개의 지점들을 갖는다. 지점들은 P1, P2 및 P3으로 표시된다. 도 6a는 각각의 지점에서 2 개의 액추에이터들(도시되지 않음)에 의해 적용되는 힘들을 나타낸다. 도 6a에 나타낸 반사기(15)에 대해, 3 개의 지점들(P=3), 6 자유도(N=6) 및 6 개의 액추에이터 디바이스들(M=6) -즉, 반사기(15)를 충분히 제어하기 위해 각각의 자유도에 대해 하나의 액추에이터 디바이스- 이 존재한다. 자유도의 수와 동일한 수의 액추에이터들이 사용되는 경우, 제어기(50)는 반사기(15) 내의 기생 힘들을 분해하도록 액추에이터들에 의해 요구되는 힘들을 결정할 수 있다. 반사기(15)에 대한 액추에이터들의 힘들을 보여주는 종래 기술의 일 예시가 도 6a에 도시되며, F1, F2 및 F3이 원하는 힘들이다. Fp1이 기생 힘, 즉 반사기(15)에 작용하는 원치 않는 힘을 나타낸다.For comparison, a top view of the prior art reflector 15 is shown in Fig. 6a, which has three points where forces are applied to the reflector 15. Fig. The points are labeled P1, P2 and P3. Figure 6a shows the forces applied by two actuators (not shown) at each point. (N = 6) and six actuator devices (M = 6) - i. E., The reflector 15) for the reflector 15 shown in Figure 6a There is one actuator device for each degree of freedom. If the same number of actuators as the number of degrees of freedom is used, the controller 50 can determine the forces required by the actuators to dissolve the parasitic forces within the reflector 15. One example of a prior art showing the forces of the actuators for the reflector 15 is shown in Fig. 6A, F1, F2 and F3 being the desired forces. Fp1 represents the parasitic force, that is, the unwanted force acting on the reflector 15. [

제어기(50)는 알짜 기생 힘이 0이도록 반사기(15) 상의 알짜 힘들을 분해하는 데 제 2 및 제 3 지점에서 각각 액추에이터들에 의해 적용되는 Fr2 및 Fr3을 이용하여 힘들을 변경하기 위해 사용될 수 있다. 하지만, 도 6a에 나타낸 이 예시에서, 기생 힘들은 반사기(15)를 통해 분해된다. 반사기(15)의 변형들이 반사기(15)로부터 반사될 때 방사선 빔의 각도 및 방사선 빔 내의 이미지의 오차들을 유도할 수 있다.The controller 50 can be used to change the forces using Fr2 and Fr3 applied by the actuators at the second and third points, respectively, to dissolve the net forces on the reflector 15 so that the parasitic force is zero . However, in this example shown in Figure 6a, the parasitic forces are disassembled through the reflector 15. When the deformations of the reflector 15 are reflected from the reflector 15, it is possible to derive the angles of the radiation beam and the errors of the image in the radiation beam.

도 6a의 원하는 힘들이 도 6b에서 도시되고, 이는 서로 직교인 힘들로서 F1, F2 및 F3을 나타낸다. 이들은 위치설정 시스템이 제어하고 있는 자유도들 중 3 개를 나타낸다. 직교 힘들은 반드시 직교로 배치되는 액추에이터들에 커플링될 필요는 없다는 것을 유의하여야 한다. 액추에이터들에 의해 적용되는 힘들의 좌표 변환을 위해 디커플링 매트릭스(decoupling matrix)가 사용될 수 있다.The desired forces of Figure 6a are shown in Figure 6b, which represent F1, F2 and F3 as mutually orthogonal forces. These represent three of the degrees of freedom that the positioning system is controlling. It should be noted that the orthogonal forces do not necessarily have to be coupled to the actuators which are arranged orthogonally. A decoupling matrix may be used for coordinate transformation of the forces applied by the actuators.

도 7은 제 1 지점에서의 힘들이 본 발명의 제 2 실시예에 따르는 반사기의 평면도를 나타낸다. 이 실시예에서는, 각각의 지점에 추가적인 보상 액추에이터 디바이스가 존재한다. 그러므로, 예를 들어 P1 지점에서, 2 개의 비-보상 액추에이터 디바이스들(도시되지 않음)이 반사기(15)에 힘을 적용할 수 있다. 액추에이터들은 이상적으로는 F1을 적용하도록 제어기(50)에 의해 제어될 것이다. 비-보상 액추에이터 디바이스들에 의해 적용되는 힘의 여하한의 오차들 또는 불일치들이 도 7에 Fp1로서 모델링된 기생 힘을 유도할 것이다. 보상 액추에이터 디바이스(도시되지 않음)가 동일한 지점(P1)에 적용되어, 이 지점에서 기생 힘(Fp1)을 상쇄(counteract)시킬 수 있다.7 shows a plan view of a reflector according to a second embodiment of the invention in which forces at a first point are shown. In this embodiment, there is an additional compensation actuator device at each point. Thus, for example, at point P1, two non-compensating actuator devices (not shown) may apply a force to the reflector 15. The actuators will ideally be controlled by the controller 50 to apply F1. Any misalignments or discrepancies in force applied by the non-compensating actuator devices will result in a parasitic force modeled as Fp1 in FIG. A compensating actuator device (not shown) may be applied to the same point P1 to counteract the parasitic force Fp1 at this point.

비-보상 액추에이터 디바이스들과 동일한 지점에서 보상 액추에이터 디바이스로부터의 힘을 적용시킴으로써, 힘들은 이 지점에서 원하는 힘(F1)만이 반사기(15)에 작용하도록 P1 지점에서 분해될 수 있다. 또한, P2 및 P3 지점들이 각각의 지점에 2 개의 비-보상 액추에이터들 및 보상 액추에이터를 가져, 그 지점들에서 각각 힘들을 분해할 수 있다.By applying a force from the compensating actuator device at the same point as the non-compensating actuator devices, the forces can be resolved at P1 so that only the desired force F1 at this point acts on the reflector 15. [ Also, the points P2 and P3 have two non-compensating actuators and compensating actuators at each point, and can disassemble forces at those points, respectively.

개별적인 지점에서 힘들을 분해하는 것은, 기생 힘들이 반사기(15)를 통해 분해되지 않음을 의미한다. 특정한 지점에서(또는 수 개의 특정한 지점들에서) 힘들을 분해하는 것은, 기생 힘들이 반사기(15)를 통해 전달되지 않고 반사기(15) 내의 변형들이 감소될 수 있음을 의미한다. 이는 반사기(15)의 위치의 여하한의 오차 및 반사기(15)의 여하한의 변형을 감소시킨다.Disassembling the forces at the individual points means that the parasitic forces are not dissipated through the reflector 15. Disassembling the forces at a particular point (or at several specific points) means that the parasitic forces are not transmitted through the reflector 15 and deformations in the reflector 15 can be reduced. This reduces any error in the position of the reflector 15 and any deformation of the reflector 15.

M 및 N은 M이 N보다 크면, 각각 액추에이터 디바이스들 및 자유도들의 여하한의 실제 수일 수 있다. 앞선 실시예에서 나타낸 바와 같이, 동일한 지점에서의 액추에이터 디바이스들이 연결되고 단일 접촉 지점에서 반사기에 단일 힘을 적용하는 경우, 또는 액추에이터 디바이스들이 아주 근접한 수 개의 접촉 지점들에 인접한 액추에이터 디바이스들로부터의 힘들을 적용함으로써 동일한 지점에 힘들을 적용하도록 배치되는지와 관계없이, 동일한 지점에서 N보다 큰 M에 대한 장점이 존재한다. N=2이고 M=3인 한 지점을 갖는 앞선 실시예에서와 같이, 보상 액추에이터 디바이스(200)가 2 개의 비-보상 액추에이터 디바이스들과 동일한 지점에서 힘을 적용하는 것이 본 출원에 설명된 장점들을 제공한다.M and N may be any actual number of actuator devices and degrees of freedom, respectively, if M is greater than N. [ As shown in the previous embodiments, when the actuator devices at the same point are connected and apply a single force to the reflector at a single point of contact, or when the actuator devices apply forces from actuator devices adjacent to several contact points that are very close There is an advantage for M greater than N at the same point, regardless of whether the application is arranged to apply forces to the same point. Compensating actuator devices 200 apply force at the same point as the two non-compensating actuator devices, as in the previous embodiment with one point where N = 2 and M = 3, to provide.

실시예들 및 도면들은 명확성을 위해 힘들을 도시한다. 이들은 반사기(15) 상의 상이한 지점들에서 상이한 액추에이터들에 의해 적용되는 힘들의 설명을 돕도록 간소화되었다. 예를 들어, 도 3b에 나타낸 힘들은 예를 들어 한 평면에서 특정한 방향들로만 있지만, 힘들은 모든 자유도에서 있을 수 있다. 반사기(15) 상의 중력으로 인한 힘은 힘 다이어그램들 또는 도면들에 포함되지 않았다. 본 발명의 원리들은 더 복잡한 시스템들에 적용될 수 있다. 또한, 도면들에서, 이상적인 결과적 힘들은 알짜 기생 힘들이 0으로 감소되도록 기생 힘들이 완전히 분해되는 것으로 나타내었다. 본 발명의 장점들 중 하나는, 힘들이 완전히 분해되지 않더라도 기생 힘들이 감소될 수 있다는 것이다.The embodiments and figures show forces for clarity. They have been simplified to help explain the forces applied by the different actuators at different points on the reflector 15. [ For example, the forces shown in FIG. 3B may be at all degrees of freedom, but only in certain directions, for example in one plane. Force due to gravity on the reflector 15 is not included in the force diagrams or figures. The principles of the present invention can be applied to more complex systems. Also, in the figures, the ideal resultant forces are shown to completely dissipate the parasitic forces so that the parasitic forces are reduced to zero. One of the advantages of the present invention is that the parasitic forces can be reduced even if the forces are not fully decomposed.

반사기(15)의 위치에 대한 중력의 영향은 리소그래피 장치 내의 반사기(15), 위치설정 시스템 및 제어기(50)의 배치(즉, 방위)에 따라 변화할 수 있다. 제어기(50)는 반사기(15)의 위치를 감지함으로써 중력의 영향을 고려할 수 있을 것이다. 특정한 보상 액추에이터 디바이스가 반사기(15)에 작용하는 중력의 힘을 무효화하기 위해 반사기(15)에 힘을 적용하도록 제어기(50)에 의해 선택적으로 제어될 수 있다.The effect of gravity on the position of the reflector 15 may vary depending on the arrangement (i. E. Orientation) of the reflector 15, the positioning system and the controller 50 in the lithographic apparatus. The controller 50 will be able to take into account the influence of gravity by sensing the position of the reflector 15. Can be selectively controlled by the controller 50 to apply a force to the reflector 15 to override the force of gravity acting on the particular compensating actuator device 15 on the reflector 15. [

액추에이터 디바이스들을 설명하는 데 사용된 전문용어는 명확성을 위해 사용되었다. 하지만, "보상" 및 "비-보상"이라는 용어는 액추에이터 디바이스들이 제어되고 있는 방식의 식별을 돕기 위해 사용되었으며, 즉 보상 액추에이터 디바이스는 적어도 하나의 비-보상 액추에이터 디바이스에 의해 적용된 기생 힘들을 감소시키도록 힘을 적용하는 데 사용된다. 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하는 제어기(50)는 반사기(15)에 특정한 힘을 적용하도록 디바이스들을 제어할 수 있다. 디바이스들은 정확히 동일한 타입의 디바이스일 수 있고, 디바이스들은 동일한 크기일 수 있으며, 및/또는 디바이스들은 상호교환가능할 수 있다. 본 명세서에서, "상호교환가능"은 보상 액추에이터 디바이스가 보상 힘을 적용하도록 제어될 수 있지만, 제어기가 비-보상 힘을 적용하도록 보상 액추에이터 디바이스를 제어할 수 있고, 디바이스는 그로부터 비-보상 액추에이터라고 칭해질 것임을 의미한다. 이는 제어기가 보상 힘을 적용하도록 디바이스를 변화시키고 제어할 수 있다는 점에서, 비-보상 액추에이터 디바이스에 동일하게 적용된다.The terminology used to describe the actuator devices has been used for clarity. However, the terms "compensation" and "non-compensation" have been used to aid in the identification of the manner in which the actuator devices are being controlled, i.e. the compensating actuator device reduces parasitic forces applied by the at least one non-compensating actuator device It is used to apply force. The controller 50, which controls the compensating actuator device and the non-compensating actuator device, can control the devices to apply a specific force to the reflector 15. [ The devices may be exactly the same type of device, the devices may be the same size, and / or the devices may be interchangeable. In this specification, "interchangeable" means that the compensating actuator device can be controlled to apply the compensating force, but the controller can control the compensating actuator device to apply the non-compensating force, . This applies equally to non-compensating actuator devices in that the controller can change and control the device to apply a compensating force.

하나의 반사기(15)를 제어하기 위해 상이한 타입들의 액추에이터를 사용하는 것이 유리할 수 있다. 예를 들어, 반사기(15) 상의 주된 힘들을 구현하기 위한 더 큰 주 액추에이터, 및 예를 들어 반사기(15) 상의 기생 힘들을 감소시키기 위해 단지 작은 힘만을 적용하도록 구성되는 더 작은 액추에이터들을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 이는 액추에이터들이 모두 동일한 크기로 이루어지는 경우보다 더 적은 공간(volume)이 요구된다는 점에서 유리할 수 있다. 추가적으로, 이는 시스템의 동적 거동에 유리할 수 있다. 더 작고 더 가벼운 액추에이터들을 이용하는 것은, 더 적은 무게가 반사기에 연결되고 이는 장점일 수 있는 더 높은 공진 주파수들을 유도한다는 것을 의미한다. 대안적으로, 반사기(15)에 유사한 규모들의 힘들을 적용하도록, 즉 보상 액추에이터 디바이스(200)가 비-보상 액추에이터 디바이스(300)와 유사한 크기의 힘을 반사기(15)에 적용하도록 액추에이터들을 제어하는 것이 유리할 수 있다. 이러한 것으로서, 힘들은 동일한 타입 및 크기의 액추에이터들에 의해 적용될 수 있고, 이는 액추에이터 디바이스들이 공급(source), 대체 및/또는 수리하기 더 쉽다는 것을 의미할 수 있다.It may be advantageous to use different types of actuators to control one reflector 15. For example, it may be desirable to use a larger main actuator for realizing the main forces on the reflector 15, and smaller actuators configured to apply only a small force, for example, to reduce parasitic forces on the reflector 15 Can be advantageous. This may be advantageous in that less space is required than when all of the actuators are of the same size. Additionally, this may be beneficial to the dynamic behavior of the system. Using smaller and lighter actuators means that less weight is coupled to the reflector, leading to higher resonant frequencies, which may be an advantage. Alternatively, it is possible to apply forces of similar magnitudes to the reflector 15, i. E. To control the actuators so that the compensating actuator device 200 applies a force of magnitude similar to that of the non-compensating actuator device 300 to the reflector 15 Can be advantageous. As such, the forces may be applied by actuators of the same type and size, which may mean that the actuator devices are easier to source, replace, and / or repair.

본 발명은 리소그래피 장치, 레이저 및/또는 소스 컬렉터 내에서 사용되는 여하한의 광학 요소들 또는 더 명확하게는 여하한의 반사기들과 조합하여 사용될 수 있다.The present invention may be used in combination with any optical elements used in a lithographic apparatus, laser and / or source collector, or more specifically any reflectors.

본 발명의 다이어그램들 및 실시예들은 xyz 좌표계를 이용하여 나타내어진다. 이 좌표계는 명확성을 위해 사용되었다. 지지 프레임(20), 반사기(15) 및/또는 위치설정 시스템의 액추에이터 디바이스들의 각도는 변경될 수 있다. 필요에 따라, 상이한 좌표계가 사용될 수 있다.The diagrams and embodiments of the present invention are represented using an xyz coordinate system. This coordinate system was used for clarity. The angles of the actuator devices of the support frame 20, the reflector 15 and / or the positioning system may be varied. If desired, different coordinate systems may be used.

본 발명에서, 액추에이터 디바이스라는 용어는 1 자유도에서 반사기의 위치를 제어하는 디바이스를 칭하는 데 사용되었다. 다수 액추에이터들이 하나의 액추에이터 디바이스, 예를 들어 2 자유도가 제어되는 평면 모터 액추에이터 내에서 조합될 수 있다. 그러므로, 평면 모터 액추에이터에 대해, 이는 본 발명에 대한 2 개의 액추에이터들로서 간주될 것이다. 이러한 것으로서, 본 발명의 목적을 위한 액추에이터들의 균등한 수는 액추에이터 디바이스에 의해 제어되는 자유도의 수와 동일하다.In the present invention, the term actuator device has been used to refer to a device that controls the position of a reflector at one degree of freedom. Multiple actuators can be combined in an actuator device, for example a planar motor actuator controlled by two degrees of freedom. Therefore, for a planar motor actuator, this will be considered as two actuators for the present invention. As such, the even number of actuators for the purposes of the present invention is equal to the number of degrees of freedom controlled by the actuator device.

본 발명에 따르면, 앞선 실시예들 중 어느 하나에서 설명된 바와 같은 위치설정 시스템 및 제어기(50)는 반사기 이외의 리소그래피 장치의 구성요소의 위치를 제어하는 데 사용될 수 있다. 앞선 실시예들 중 어느 하나에 따라 제어될 수 있는 다른 구성요소들의 예시들은 EUV 또는 DUV 장치, 예를 들어 측정 시스템들, 마스크 테이블, 기판 테이블, 레이저, 또는 소스 컬렉터 내의 구성요소들을 포함하고, 이에 제한되지는 않는다. 액추에이터들은 구성요소를 능동적으로 댐핑(damp)하거나, 장치 등의 진동들을 제어하거나 국한시키거나 분산시키도록 적용될 수 있다.According to the present invention, the positioning system and controller 50 as described in any of the preceding embodiments can be used to control the position of components of the lithographic apparatus other than the reflector. Examples of other components that may be controlled according to any of the preceding embodiments include components in an EUV or DUV device, e.g., measurement systems, a mask table, a substrate table, a laser, or a source collector, But is not limited to. The actuators can be actively damped on the component, or can be adapted to control, confine, or disperse vibrations in the device or the like.

앞선 실시예들 중 어느 하나의 위치설정 시스템은 대상물의 진동을 댐핑하도록 대상물을 제어하는 데 사용될 수 있다. 대상물의 진동들 및/또는 발진들은 대상물의 이동을 보상하기 위해 위치설정 시스템을 이용함으로써 감소될 수 있다. 이는 이전에 설명된 실시예들에 대해 앞서 설명된 바와 같은 장점들을 제공한다.The positioning system of any of the preceding embodiments can be used to control an object to damp vibrations of the object. Vibrations and / or oscillations of the object may be reduced by using a positioning system to compensate for movement of the object. This provides the advantages as described above for the previously described embodiments.

본 발명에 따른 기판(W)을 제조하는 방법은 기판(W)을 패터닝하도록 반사기를 통해 투영 빔을 투영하는 단계를 포함한다. 반사기의 위치는 위치설정 시스템 및 제어기(50)를 이용하여, 기판(W)에 도달할 때의 패터닝된 빔의 여하한의 오차를 감소시키도록 제어된다. 기판을 제조하는 방법은 앞서 설명된 바와 같은 여하한의 실시예들 또는 변형예들에서 리소그래피 장치를 사용할 수 있다.A method of manufacturing a substrate (W) according to the present invention includes projecting a projection beam through a reflector to pattern the substrate (W). The position of the reflector is controlled using the positioning system and controller 50 to reduce any errors of the patterned beam as it reaches the substrate W. [ The method of manufacturing the substrate may use a lithographic apparatus in any of the embodiments or variations as described above.

이해하는 바와 같이, 앞서 설명된 특징들 중 어느 하나는 본 출원에 포괄되는 명백히 설명된 그 조합들뿐 아니라, 여하한의 다른 특징과 사용될 수 있다.As will be appreciated, any of the features described above may be used with any other feature, as well as combinations thereof that are explicitly described in the present application.

본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이, 마이크로스케일 또는 심지어 나노스케일 피처들을 갖는 구성요소들을 제조하는 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.Although specific reference may be made in this text to the use of lithographic apparatus in the manufacture of ICs, the lithographic apparatus described herein may have other applications, such as the manufacture of integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat-panel displays, It should be understood that other applications may be made to manufacture components with microscale or even nanoscale features, such as the manufacture of displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. In connection with this alternative application, any use of the terms "wafer" or "die" herein may be considered synonymous with the more general term "substrate" or "target portion", respectively. The substrate referred to herein can be processed before and after exposure, for example in a track (typically a tool that applies a resist layer to a substrate and develops the exposed resist), a metrology tool, and / or an inspection tool. Where applicable, the description herein may be applied to such substrate processing tools and other substrate processing tools. Also, for example, the substrate may be processed more than once to create a multi-layer IC, so that the term substrate used herein may also refer to a substrate that has already been treated multiple times.

이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 적어도 본 명세서에 설명된 장치의 작동 방법의 형태인 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 적어도 장치의 작동 방법의 형태인 본 발명의 실시예들은 앞서 개시된 바와 같은 장치를 작동하는 방법을 설명하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 1 이상의 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 기계 판독가능한 명령어는 2 이상의 컴퓨터 프로그램들로 구현될 수 있다. 2 이상의 컴퓨터 프로그램들은 1 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수 있다.While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention, which is a form of operation of the apparatus described at least here, may be practiced otherwise than as described. For example, embodiments of the present invention, at least in the form of a method of operation of the apparatus, may include one or more computer programs containing one or more sequences of machine-readable instructions describing how to operate the apparatus as described above, And may take the form of a data storage medium (e.g. semiconductor memory, magnetic or optical disk) in which the program is stored. In addition, the machine-readable instructions may be embodied in two or more computer programs. The two or more computer programs may be stored in one or more different memory and / or data storage media.

본 명세서에서 설명되는 여하한의 제어기들은 각각 또는 조합하여, 리소그래피 장치의 적어도 하나의 구성요소 내에 위치된 1 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 1 이상의 컴퓨터 프로그램이 판독되는 경우에 작동할 수 있다. 제어기들은 각각 또는 조합하여 신호들을 수신, 처리 및 송신하는 여하한의 적절한 구성을 가질 수 있다. 1 이상의 프로세서가 제어기들 중 적어도 하나와 통신하도록 구성된다. 예를 들어, 각각의 제어기가 앞서 설명된 바와 같은 장치를 작동하는 방법들에 대한 기계-판독가능한 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행하는 1 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 제어기들은 이러한 컴퓨터 프로그램들을 저장하는 데이터 저장 매체, 및/또는 이러한 매체를 수용하는 하드웨어를 포함할 수 있다. 따라서, 제어기(들)는 1 이상의 컴퓨터 프로그램의 기계 판독가능한 명령어들에 따라 작동할 수 있다.Any of the controllers described herein may operate in each case, or in combination, when one or more computer programs are read by one or more computer processors located within at least one component of the lithographic apparatus. The controllers may have any suitable configuration for receiving, processing and transmitting signals, either individually or in combination. One or more processors are configured to communicate with at least one of the controllers. For example, each controller may include one or more processors executing computer programs including machine-readable instructions for methods of operating the apparatus as described above. The controllers may include data storage media for storing such computer programs, and / or hardware for receiving such media. Thus, the controller (s) can operate in accordance with machine-readable instructions of one or more computer programs.

상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.The above description is intended to be illustrative, not limiting. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set forth below.

Claims (15)

대상물을 위치시키는 위치설정 시스템에 있어서,
상기 위치설정 시스템은 N 자유도(N degrees of freedom)에서 상기 대상물을 위치시키도록 구성되고, N은 양의 정수이며, 상기 위치설정 시스템은:
M 개의 액추에이터 디바이스들 -각각의 액추에이터 디바이스는 구성요소에 힘을 적용하도록 구성되고, M은 N보다 큰 양의 정수이며, 상기 액추에이터 디바이스들 중 적어도 하나는 보상 액추에이터 디바이스(compensating actuator device)이고, 상기 액추에이터 디바이스들 중 적어도 다른 하나는 비-보상 액추에이터 디바이스임- ; 및
보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성된 제어기 -상기 제어기는 상기 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘(parasitic force)들을 보상하도록 상기 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성됨-
를 포함하고, 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스는 대상물 상의 동일한 지점에서 상기 대상물에 힘을 적용하도록 구성되며, 상기 제어기는 상기 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하도록 상기 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성되는 위치설정 시스템.
A positioning system for positioning an object,
Wherein the positioning system is configured to position the object at N degrees of freedom and N is a positive integer, the positioning system comprising:
M actuator devices - each actuator device is configured to apply a force to a component, M is a positive integer greater than N, at least one of the actuator devices is a compensating actuator device, At least one of the actuator devices is a non-compensating actuator device; And
A controller configured to control a compensating actuator device and a non-compensating actuator device, the controller configured to control the compensating actuator device to compensate for parasitic forces of the non-compensating actuator device,
Wherein the compensating actuator device and the non-compensating actuator device are configured to apply force to the object at the same point on the object, and the controller controls the compensating actuator device to compensate for the parasitic forces of the non-compensating actuator device The location system comprising:
제 1 항에 있어서,
추가 보상 액추에이터 디바이스 및/또는 추가 비-보상 액추에이터 디바이스가 동일한 지점에 힘을 적용하도록 구성되고, 상기 제어기는 상기 추가 보상 액추에이터 디바이스 및/또는 상기 추가 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성되는 위치설정 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the additional compensating actuator device and / or the additional non-compensating actuator device is configured to apply force to the same point, and wherein the controller is further configured to control the further compensating actuator device and / .
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 대상물에 힘이 적용되는 P 개의 지점들이 존재하고, P는 N보다 작거나 같은 양의 정수인 위치설정 시스템.
3. The method according to claim 1 or 2,
There are P points to which force is applied to the object, and P is a positive integer less than or equal to N. < RTI ID = 0.0 >
제 3 항에 있어서,
동일한 지점에서 N은 2이고, M은 3이며, 2 개의 비-보상 액추에이터 디바이스들 및 하나의 보상 액추에이터 디바이스가 존재하는 위치설정 시스템.
The method of claim 3,
Wherein at the same point N is 2, M is 3, and there are two non-compensating actuator devices and one compensating actuator device.
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
P는 3인 위치설정 시스템.
The method according to claim 3 or 4,
P is 3 position setting system.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는 적어도 하나의 보상 액추에이터 디바이스 및 적어도 하나의 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하여, 각각의 지점에서 적용되는 알짜 힘(net force)이 여하한의 다른 지점들에 적용되는 알짜 힘에 직교하게 하도록 구성되는 위치설정 시스템.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The controller controls the at least one compensating actuator device and the at least one non-compensating actuator device such that the net force applied at each point is orthogonal to the net force applied to any other point Positioning system configured.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 M 개의 액추에이터 디바이스들 중 어느 하나는 로렌츠 액추에이터(Lorentz actuator) 또는 릴럭턴스 액추에이터(reluctance actuator)인 액추에이터를 포함하는 위치설정 시스템.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein one of the M actuator devices comprises an actuator that is a Lorentz actuator or a reluctance actuator.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보상 액추에이터 디바이스 및 상기 비-보상 액추에이터 디바이스는 평면 모터(planar motor)인 액추에이터를 형성하는 위치설정 시스템.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the compensating actuator device and the non-compensating actuator device form an actuator that is a planar motor.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 액추에이터는 적어도 하나의 스프링을 이용하여 상기 대상물에 연결되는 위치설정 시스템.
9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the actuator is connected to the object using at least one spring.
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 액추에이터 디바이스는 적어도 하나의 스프링을 이용하여 지지 프레임에 연결되는 위치설정 시스템.
10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the actuator device is connected to the support frame using at least one spring.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 하나의 액추에이터 디바이스에 의해 적용되는 힘은 선형 힘 또는 회전 힘인 위치설정 시스템.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the force applied by the at least one actuator device is a linear force or a rotational force.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대상물은 광학 요소, 더 바람직하게는 반사기인 위치설정 시스템.
12. The method according to any one of claims 1 to 11,
Wherein the object is an optical element, more preferably a reflector.
리소그래피 장치에 있어서,
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 위치설정 시스템을 포함하고, 상기 리소그래피 장치는 상기 대상물을 더 포함하며, 상기 대상물은 반사기인 리소그래피 장치.
In a lithographic apparatus,
13. A lithographic apparatus comprising a positioning system according to any one of claims 1 to 12, wherein the lithographic apparatus further comprises the object, and wherein the object is a reflector.
제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 위치설정 시스템을 이용하여 대상물의 진동을 보상하는 방법.A method for compensating for vibrations of an object using a positioning system according to any one of claims 1 to 13. 광학 요소를 통해 기판 테이블 상에 위치된 기판 상으로 방사선 투영 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법에 있어서,
위치설정 시스템은 N 자유도에서 상기 광학 요소를 위치시키도록 구성되고, N은 양의 정수이며, 상기 위치설정 시스템은 M 개의 액추에이터 디바이스들을 포함하고, 각각의 액추에이터 디바이스는 상기 광학 요소에 힘을 적용하도록 구성되며, M은 N보다 큰 양의 정수이고, 상기 액추에이터 디바이스들 중 적어도 하나는 보상 액추에이터 디바이스이며, 상기 액추에이터 디바이스들 중 적어도 다른 하나는 비-보상 액추에이터 디바이스이고; 상기 제어기는 보상 액추에이터 디바이스 및 비-보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성되며, 상기 제어기는 상기 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하도록 상기 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성되고, 상기 보상 액추에이터 디바이스 및 상기 비-보상 액추에이터 디바이스는 대상물 상의 동일한 지점에서 상기 대상물에 힘을 적용하도록 구성되며, 상기 제어기는 상기 비-보상 액추에이터 디바이스의 기생 힘들을 보상하도록 상기 보상 액추에이터 디바이스를 제어하도록 구성되는 디바이스 제조 방법.
Projecting a projection beam of radiation onto a substrate positioned on a substrate table through an optical element,
Wherein the positioning system is configured to position the optical element at N degrees of freedom and N is a positive integer and wherein the positioning system includes M actuator devices each actuator device applying force to the optical element Wherein M is a positive integer greater than N, at least one of the actuator devices is a compensating actuator device, and at least one of the actuator devices is a non-compensating actuator device; Wherein the controller is configured to control a compensating actuator device and a non-compensating actuator device, the controller being configured to control the compensating actuator device to compensate for parasitic forces of the non-compensating actuator device, wherein the compensating actuator device and the non- Compensating actuator device is configured to apply force to the object at the same point on the object, and the controller is configured to control the compensating actuator device to compensate for parasitic forces of the non-compensating actuator device.
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