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KR20160132269A - Electron Beam Gun for Using on atmosphere - Google Patents

Electron Beam Gun for Using on atmosphere Download PDF

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KR20160132269A
KR20160132269A KR1020150064648A KR20150064648A KR20160132269A KR 20160132269 A KR20160132269 A KR 20160132269A KR 1020150064648 A KR1020150064648 A KR 1020150064648A KR 20150064648 A KR20150064648 A KR 20150064648A KR 20160132269 A KR20160132269 A KR 20160132269A
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pressure housing
electron beam
anode
pressure
low
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강은구
김진석
최영재
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한국생산기술연구원
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Abstract

According to an aspect of the present invention, disclosed is an electron beam emitting device for the atmosphere which comprises: a cathode configured to emit an electron beam; an anode located to be separated from the cathode to another side and configured to accelerate the electron beam emitted from the cathode; a low pressure housing to which constant pressure lower than atmospheric pressure is applied and into which a gas is inputted to form a plasma environment wherein the cathode and the anode are installed in the low pressure housing to form a space wherein the electron beam is accelerated; and a high pressure housing connected to the low pressure housing wherein constant pressure higher than the pressure applied to the low pressure housing is applied to the high pressure housing and an emission hole through which the electron beam is emitted to the atmosphere is formed in the high pressure housing.

Description

대기용 전자빔 방출장치{Electron Beam Gun for Using on atmosphere}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 대기용 전자빔 방출장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대기 중에서 사용가능하여 진공 챔버 제작비용이 절감되고 초대형 가공물을 용접 작업할 수 있고, 전자빔을 플라즈마 방식으로 방출하여 장치의 수명이 연장된 대기용 전자빔 방출장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an atmospheric electron beam emitting apparatus, and more particularly, to an atmospheric electron beam emitting apparatus capable of being used in the atmosphere, reducing the manufacturing cost of a vacuum chamber, welding a very large workpiece, discharging an electron beam in a plasma manner, To an atmospheric electron beam emitting apparatus.

전자빔 방출장치는 고 에너지를 이용하여 전자를 방출하여 가공품의 용접하는 장치이다. The electron beam emitting device is a device for welding workpieces by emitting electrons using high energy.

이러한, 전자빔 방출장치는 일반적으로 필라멘트에 고전압, 고전류를 인가하여 전자빔을 방출시키는 Thermal 방식이 사용되고 있는데, 높은 진공도를 유지해야 하는 어려움 및 필라멘트 제조에 어려움이 있고 이는 장비유지운용의 어려움과 직결되고 있다.The electron beam emitting apparatus generally uses a thermal method in which a high voltage and a high current are applied to a filament to emit an electron beam. However, it is difficult to maintain a high degree of vacuum and it is difficult to manufacture filaments. .

한편, 전술한 Thermal 방식과 대비되는 Cold 방식의 전자빔 방출장치도 소개되고 있다. 이러한 Cold 방식의 전자빔 방출장치도 다양한 형태가 소개되고 있다.On the other hand, an electron beam emitting apparatus of the cold type as compared with the above-mentioned thermal type is also introduced. Various types of electron emission devices of the cold type are also introduced.

도 1은 Cold 방식의 전자빔 방출장치 중에 컨케이브(concave) 형태의 캐소드를 사용한 전자빔 방출장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing an electron beam emitting apparatus using a concave cathode in an electron beam emitting apparatus of a cold system.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 전자빔 방출장치는 캐소드(20)와 애노드(30), 절연부(40) 및 튜브(50)를 포함할 수 있다.1, a conventional electron beam emitting apparatus may include a cathode 20 and an anode 30, an insulating portion 40, and a tube 50.

상기 캐소드(20)는 튜브(50)의 일단에 배치되며, 하측을 향하는 면이 오목하도록 구배가 형성된다.The cathode (20) is disposed at one end of the tube (50), and a gradient is formed such that the downward facing surface is concave.

그리고, 상기 애노드(30)는 상기 튜브(50)내의 타단에 배치되어 상기 캐소드(20)와는 이격되도록 배치된다.The anode 30 is disposed at the other end of the tube 50 and is spaced apart from the cathode 20.

상기 캐소드(20)는 절연부(40)에 의해 상기 튜브(50)에 고정되며, 상기 절연부(40)의 외측에는 상기 캐소드(20)에 인가되는 전기에너지를 제어하는 구동부(60) 및 상기 캐소드(20)를 냉각시키는 냉각부(70)가 구비된다.The cathode 20 is fixed to the tube 50 by an insulating part 40 and a driving part 60 for controlling an electric energy applied to the cathode 20 is provided outside the insulating part 40, And a cooling unit 70 for cooling the cathode 20 is provided.

한편, 상기 튜브(50)는 내부상태를 관찰함과 동시에 고온을 견디면서 절연이 가능한 석영재질로 이루어진다.Meanwhile, the tube 50 is made of a quartz material which can be insulated while observing the internal state and at the same time, being able to withstand high temperatures.

또한, 상기 애노드(30)의 하측에는 집속부(80)와 편향부(90)가 설치되어 방출되는 전자빔을 집속시키고, 편향시킬 수 있다.In addition, a focusing unit 80 and a deflecting unit 90 are provided below the anode 30 to focus and deflect the emitted electron beam.

따라서, 상기 캐소드(20)에서 방출된 전자는 상기 애노드(30)에 의해 가속되어 방출되면서 전자빔을 형성하며, 상기 집속부(80)를 거치면서 집속되고, 상기 편향부(90)를 거치면서 방출방향이 편향될 수 있다.Accordingly, the electrons emitted from the cathode 20 are accelerated by the anode 30 and are emitted to form an electron beam. The electrons are converged while passing through the focusing unit 80, and emitted through the deflection unit 90 The direction can be deflected.

한편, 상기 캐소드(20)에서 방출되는 전자빔 중 외곽의 일부는 산란 등에 의해 상기 애노드(30)를 통과하지 못하고 상기 애노드(30)의 주변에서 반사되는 산란전자(7)가 생성될 수 있다.Part of the electron beam emitted from the cathode 20 may not pass through the anode 30 due to scattering or the like, and scattering electrons 7 reflected at the periphery of the anode 30 may be generated.

또한, 상기 튜브(50) 내의 질소 등의 원소가 가속된 전자와 충돌하여 2차전자(9)를 방출할 수도 있는데, 이러한 2차전자(9)는 상기 캐소드(20)에서 방출되는 전자빔에 비하여 집속되지 못하고 산란되어 상기 애노드(30)를 통과하지 못하고 상기 튜브(50) 내에서 반사될 수 있다.An element such as nitrogen in the tube 50 may collide with the accelerated electrons to emit secondary electrons 9. Such secondary electrons 9 are more likely to be emitted from the cathode 20 than electrons emitted from the cathode 20 Scattered without being focused and can be reflected in the tube 50 without passing through the anode 30.

이렇게 반사되는 2차전자(9) 및 산란전자(9)는 비록 그 에너지는 크지 않지만 상기 튜브(50)내에서 반사되어 튜브(2) 내 온도를 상승시키는 역할을 하거나 아크를 발생시키게 되어 안정적인 운전을 방해하는 요인이 될 수 있다.The reflected secondary electrons 9 and scattering electrons 9 are reflected in the tube 50 to raise the temperature in the tube 2 or to generate an arc, As shown in FIG.

또한 종래의 전자빔 방출장치는 열음극 방식을 통해 용접 또는 표면처리를 수행하는 장비로서, 열음극 방식에 사용된는 필라멘트의 소재는 텅스텐일 수 있다. Also, the conventional electron beam emitting apparatus is a device for performing welding or surface treatment through a hot cathode method, and the material of the filament used in the hot cathode method may be tungsten.

하지만 텅스텐 필라멘트는 수명이 짧기 때문에 일정 시간이 지나면 교체를 해야한다. 이에 따라 작업효율이 감소하고 교체시간에 따른 작업시간이 증가하는 문제점이 발생하였다.
However, since the tungsten filament has a short life span, it needs to be replaced after a certain period of time. As a result, the working efficiency is decreased and the working time is increased according to the replacement time.

미국등록특허 4,998,044US registered patent 4,998,044

본 출원은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 진공 챔버가 아닌 대기 중에서 사용가능하기 때문에 진공 챔버 제작 비용이 절감되고, 대형 가공물 역시 작업할 수 있는 대기용 전자빔 방출장치를 제공하는 것이 과제이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide an atmospheric electron beam emitting apparatus which can be used in the atmosphere instead of a vacuum chamber and thus can reduce the manufacturing cost of a vacuum chamber and can also work with large workpieces.

전자빔을 플라즈마 방식으로 방출하여 필라멘트를 사용하는 열음극 전자빔 방출장치보다 설비의 수명이 연장된 대기용 전자빔 방출장치를 제공하는 것이 과제이다.It is an object of the present invention to provide an atmospheric electron beam emitting apparatus in which the lifetime of a facility is longer than that of a thermionic electron beam emitting apparatus using a filament by discharging the electron beam in a plasma system.

본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and another problem that is not mentioned can be clearly understood by a person skilled in the art from the following description.

본 발명의 일측면에 따르면, 전자빔을 방출하는 캐소드, 상기 캐소드로부터 타측으로 이격되어 위치되며, 상기 캐소드로부터 방출된 전자빔를 가속하는 애노드, 대기압보다 낮고 일정한 압력이 인가되며 가스가 내부에 투입되어 플라즈마 환경이 형성되고, 상기 캐소드와 상기 애노드가 내부에 구비되어 전자빔이 가속되는 공간을 형성하는 저압 하우징 및 상기 저압 하우징과 연통되고 상기 저압 하우징에 인가된 압력보다 높고 일정한 압력이 인가되며, 전자빔이 대기로 방출되는 방출구가 형성된 고압 하우징을 포함하는 대기용 전자빔 방출장치가 개시된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display apparatus comprising: a cathode that emits an electron beam; an anode that is positioned apart from the cathode to the other side and accelerates an electron beam emitted from the cathode; Pressure housing, and a pressure higher than a pressure applied to the low-pressure housing is applied to the low-pressure housing, and an electron beam is applied to the atmosphere, A high-pressure housing for atmospheric air is disclosed which includes a high-pressure housing in which a discharge port for discharging is formed.

상기 저압 하우징 또는 상기 고압 하우징 중 적어도 하나에 일정한 압력을 인가하여, 상기 저압 하우징 및 상기 고압 하우징이 서로 다른 압력을 갖도록 조절하는 진공펌프 더 포함할 수 있다.And a vacuum pump for applying a predetermined pressure to at least one of the low-pressure housing or the high-pressure housing to adjust the low-pressure housing and the high-pressure housing to have different pressures.

상기 저압 하우징 또는 상기 고압 하우징에 질소가스 또는 헬륨가스를 투입하여 상기 저압 하우징 또는 상기 고압 하우징의 내부를 플라즈마 환경으로 형성하는 가스조절유닛을 더 포함할 수 있다.Pressure housing or a high-pressure housing into which a nitrogen gas or a helium gas is introduced to form a plasma environment in the low-pressure housing or the high-pressure housing.

상기 가스조절유닛은 상기 고압 하우징 또는 상기 저압 하우징 중 적어도 어느 하나에 연결되어 내부로 질소가스 또는 헬륨가스를 공급하는 유입부 및 상기 고압 하우징에 구비되어 내부로 유입된 질소가스 또는 헬륨가스가 외부로 배출되도록 하며, 선택적으로 배출여부 및 배출량이 조절되는 배출부를 포함할 수 있다.The gas regulating unit is connected to at least one of the high-pressure housing and the low-pressure housing and includes an inlet for supplying nitrogen gas or helium gas to the inside thereof, and a nitrogen gas or helium gas introduced into the high- And a discharge unit for selectively discharging and regulating the discharge amount.

또한, 상기 가스조절유닛은 상기 고압 하우징 또는 상기 저압 하우징에 구비되어 내부의 압력을 측정하는 기압측정부를 더 포함할 수 있다.The gas control unit may further include an air pressure measuring unit provided in the high-pressure housing or the low-pressure housing to measure an internal pressure.

상기 고압 하우징의 상기 방출구에 질소가스 또는 헬륨가스를 투입하는 실드가스 투입부를 더 포함할 수 있다.And a shield gas injector for injecting nitrogen gas or helium gas into the outlet of the high-pressure housing.

상기 고압 하우징 내부에 구비되어 상기 애노드로부터 가속된 전자빔을 집속시키는 집속부 및 상기 제3 하우징 내부에 구비되어 상기 애노드로부터 가속된 전자빔의 방출방향을 편향시키는 편향부를 더 포함할 수 있다.A focusing unit provided inside the high-pressure housing for focusing an electron beam accelerated from the anode, and a deflector provided inside the third housing to deflect a discharge direction of the electron beam accelerated from the anode.

상기 저압 하우징 내측에 배치되며, 상기 저압 하우징과 상기 고압 하우징의 연통지점의 주위로부터 상기 애노드 측으로 연장되도록 형성되고, 상기 연통지점 주위에서 반사된 2차전자 및 산란전자가 상기 저압 하우징 내측으로 반사되는 것을 차단하는 반사전자 차단구조체를 더 포함할 수 있다.Pressure housing and extends from the periphery of the communicating point of the low-pressure housing and the high-pressure housing toward the anode, and secondary electrons and scattered electrons reflected around the communicating point are reflected to the inside of the low-pressure housing And a reflection electron blocking structure for blocking the electron blocking structure.

상기 반사전자 차단구조체는, 상기 애노드와 상기 연통지점 사이에 배치되며, 상기 연통지점으로부터 상기 애노드를 향하여 연장되며, 내부 중공을 가지고 상기 애노드를 향하는 측 및 상기 연통지점을 향하는 측은 개구된 관의 형태로 형성될 수 있다.Wherein the reflective electron blocking structure is disposed between the anode and the communicating point and extends from the communicating point toward the anode, the side having the hollow interior facing the anode and the side facing the communicating point being in the form of an open tube As shown in FIG.

상기 반사전자 차단구조체의 내주면에는 상기 애노드의 타측에서 산란되는 전자 및 2차전자를 흡수하는 흡수홈이 복수개 형성될 수 있다.A plurality of absorption grooves for absorbing electrons and secondary electrons scattered on the other side of the anode may be formed on the inner circumferential surface of the reflection electron blocking structure.

상기 반사전자 차단구조체의 외주면에는 냉각매체가 흐르는 냉각파이프가 구비될 수 있다.
A cooling pipe through which the cooling medium flows may be provided on the outer circumferential surface of the reflective electromagnetic shield structure.

본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치는 진공 챔버가 아닌 대기 중에서 사용가능하기 때문에 진공 챔버 제작 비용을 절감하고, 진공 챔버에 수용하기 어려운 초대형 가공물 역시 작업할 수 있다.Since the atmospheric electron beam emitting apparatus according to an embodiment of the present invention can be used in the atmosphere instead of the vacuum chamber, it is possible to reduce the manufacturing cost of the vacuum chamber and also to work with the ultra-large workpiece which is difficult to accommodate in the vacuum chamber.

본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치는 플라즈마 방식으로 구비되어 필라멘트를 사용하는 열음극 방식 전자빔 방출장치보다 수명이 길기 때문에 작업효율을 증가시킬 수 있다.The atmospheric electron beam emitting apparatus according to an embodiment of the present invention can increase the working efficiency because the lifetime of the atmospheric electron beam emitting apparatus is longer than that of the hot cathode electron beam emitting apparatus using the filament.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 종래의 일반적인 전자빔 방출장치를 도시한 단면도;
도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치의 일 예를 도시한 단면도;
도 3은 도 2의 캐소드를 도시한 단면 사시도;
도 4는 도 3의 일부분을 확대하여 도시한 단면도;
도 5는 도 3의 다른 일부분의 분해사시도; 그리고,
도 6은 도 2의 대기용 전자빔 방출장치에서 전자빔이 방출되는 모습을 도시한 단면도 이다.
1 is a cross-sectional view of a conventional electron beam emitting apparatus;
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of an atmospheric electron beam emitting apparatus according to an embodiment of the present application; FIG.
3 is a cross-sectional perspective view of the cathode of FIG. 2;
4 is an enlarged cross-sectional view of a portion of FIG. 3;
Figure 5 is an exploded perspective view of another portion of Figure 3; And,
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an electron beam emitted from the atmospheric electron beam emitting apparatus of FIG. 2; FIG.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the appended drawings illustrate the present invention in order to more easily explain the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto. You will know.

또한, 본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Furthermore, the terms used in the present invention are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 발명에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present invention, the term "comprises" or "having ", etc. is intended to specify that there is a feature, number, step, operation, element, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)의 일 예를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an example of an atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present application.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)는 캐소드(120)(Cathode), 애노드(Anode: 130), 절연홀더(140), 저압 하우징(150), 고압 하우징(300) 및 가스조절유닛(400)을 포함할 수 있다.2, an atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a cathode 120, an anode 130, an insulating holder 140, a low pressure housing 150 , A high pressure housing 300, and a gas conditioning unit 400.

캐소드(120)는 저압 하우징(150) 내 일측에 구비되어 전기에너지를 인가받아 전자를 방출하는 구성요소로서, 본 실시예에서는 금속 재질로 이루어지고 전체적으로 소정의 두께를 갖는 원판의 형태로 이루어지는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.The cathode 120 is provided on one side of the low-pressure housing 150 and emits electrons by receiving electrical energy. In this embodiment, the cathode 120 is formed of a metallic material and has the shape of a disk having a predetermined thickness as a whole I will explain it.

애노드(130)는 저압 하우징(150) 내에서 캐소드(120)로부터 타측으로 이격되어 위치될 수 있다. 상기 애노드(130)는 전기에너지를 인가받아 상기 캐소드(120)로부터 방출된 전자를 가속시키는 구성요소로서, 가속된 전자들이 통과하는 개구부(132)가 형성될 수 있다.The anode 130 may be positioned away from the cathode 120 in the low-pressure housing 150 to the other side. The anode 130 is an element for receiving electrons and accelerating the electrons emitted from the cathode 120. An opening 132 through which accelerated electrons pass may be formed.

한편, 상기 절연홀더(140)는 상기 캐소드(120)와 저압 하우징(150) 사이를 절연하며, 상기 캐소드(120)를 저압 하우징(150)에 고정시키는 구성요소이다.The insulating holder 140 isolates the cathode 120 from the low-voltage housing 150 and fixes the cathode 120 to the low-voltage housing 150.

또한, 절연홀더(140)의 일측에는 상기 캐소드(120) 또는 애노드(130)에 전기에너지를 공급하는 구동부(160) 및 캐소드(120)를 냉각시키는 냉각부(170)가 구비될 수 있다.A driving unit 160 for supplying electrical energy to the cathode 120 or the anode 130 and a cooling unit 170 for cooling the cathode 120 may be provided on one side of the insulating holder 140.

따라서, 상기 캐소드(120)와 애노드(130)에 전기에너지를 인가하면, 상기 캐소드(120)로부터 전자가 방출되어 애노드(130) 측으로 가속된 후 고압 하우징(300)의 방출구(156)를 통해 방출될 수 있다.Therefore, when electric energy is applied to the cathode 120 and the anode 130, electrons are emitted from the cathode 120 and accelerated toward the anode 130, and then discharged through the outlet 156 of the high-pressure housing 300 Can be released.

고압 하우징(300)으로부터 방출되는 전자빔은 용접작업을 수행하며, 이에 따라 복수의 부재는 대기용 전자빔 방출장치(100)에 의해 용접 연결될 수 있다.The electron beam emitted from the high-pressure housing 300 performs a welding operation, whereby a plurality of members can be welded by the atmospheric electron beam emitting apparatus 100.

한편, 도 3은 도 2의 캐소드(120)를 도시한 단면 사시도이고, 도 4는 도 3의 일부분을 확대하여 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional perspective view showing the cathode 120 of FIG. 2. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a portion of FIG.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 캐소드(120)의 상기 애노드(130)를 바라보는 면은 오목하게 구배를 형성할 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, the surface of the cathode 120 facing the anode 130 may have a concave gradient.

그리고, 상기 캐소드(120)의 상기 구배를 형성한 면의 테두리는 둥글게 라운드지게 형성될 수 있다.The edge of the surface of the cathode 120 on which the gradient is formed may be rounded.

따라서, 캐소드(120)에 테두리에 뾰족한 첨단 부분이 형성되지 아니하므로 아크 발생이 방지되어 보다 안정적인 운전이 가능하다.Accordingly, since the tip of the cathode 120 is not formed with a pointed tip, arc generation is prevented, and stable operation is possible.

그리고, 상기 절연홀더(140)는 상기 캐소드(120)의 구배가 형성된 면의 배면 및 상기 캐소드(120)의 측면을 감싸도록 형성되는데, 상기 절연홀더(140)가 상기 캐소드(120)의 측면을 감싸는 부분은 상기 캐소드(120) 테두리의 라운드진 부분(122)까지 연장되도록 형성될 수 있다.The insulating holder 140 is formed to surround the rear surface of the surface of the cathode 120 where the gradient of the cathode 120 is formed and the side surface of the cathode 120. The insulating holder 140 surrounds the side surface of the cathode 120 The wrapping portion may be formed to extend to the rounded portion 122 of the rim of the cathode 120.

또한, 상기 절연홀더(140)가 캐소드(120)의 측면까지 연장되어 저압 하우징(150)과 캐소드(120) 사이에서 아크가 발생하는 것이 방지될 수 있다.The insulating holder 140 may extend to the side of the cathode 120 to prevent an arc from being generated between the low pressure housing 150 and the cathode 120.

이 때, 상기 절연홀더(140)는 상기 캐소드(120) 테두리의 라운드진 부분(122)의 일부를 감싸도록 연장형성 될 수 있다.At this time, the insulating holder 140 may be extended to surround a part of the rounded portion 122 of the rim of the cathode 120.

즉, 상기 캐소드(120)가 상기 절연홀더(140)보다 더 상기 애노드(130)에 가깝게 위치될 수 있다.That is, the cathode 120 may be positioned closer to the anode 130 than the insulating holder 140.

전술한 바와 같이, 상기 캐소드(120)의 테두리가 라운드지게 형성되므로, 상기 절연홀더(140)와 캐소드(120)의 사이에는 공간이 형성될 수 있는데, 이 때 상기 공간이 전하가 축적되는 공간의 역할을 하게 되어 전자빔 방출장치의 운전중 아크가 발생할 수도 있다.As described above, since the rim of the cathode 120 is rounded, a space may be formed between the insulating holder 140 and the cathode 120. In this case, And an arc may be generated during operation of the electron beam emitting apparatus.

따라서, 상기 캐소드(120)가 절연홀더(140)보다 더 애노드(130)에 가깝게 위치되어 상기 캐소드(120)와 절연홀더(140) 간의 간격이 줄어들어 전하가 축전되는 공간이 줄어들 수 있다.Therefore, the cathode 120 is located closer to the anode 130 than the insulating holder 140, and the distance between the cathode 120 and the insulating holder 140 is reduced, so that the space for storing the electric charge can be reduced.

따라서, 상기 캐소드(120)와 절연홀더(140)간에 커페시턴스가 줄어들게 되어 아크의 발생이 억제되므로, 보다 안정적으로 운전할 수 있으며, 한계 출력을 보다 상승시킬 수 있다.Therefore, since the capacitance is reduced between the cathode 120 and the insulating holder 140, generation of an arc is suppressed, so that operation can be more stably performed and the limit output can be further increased.

한편, 상기 저압 하우징(150)은 그 측면의 둘레를 형성하는 튜브(Tube: 152)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the low-pressure housing 150 may include a tube 152 that forms a periphery of a side surface thereof.

이 때, 상기 튜브(152)는 금속재질로 형성될 수 있으며, 상기 캐소드(120) 및 애노드(130)와는 절연될 수 있다. 이를 위해, 상기 튜브(152)와 캐소드(120) 및 상기 튜브(152)와 애노드(130)의 사이에는 절연체(154)가 구비될 수 있다.At this time, the tube 152 may be formed of a metal material and may be insulated from the cathode 120 and the anode 130. For this, an insulator 154 may be provided between the tube 152 and the cathode 120, and between the tube 152 and the anode 130.

여기서, 상기 저압 하우징(150)은 별도의 진공펌프(미도시)에 의해 내부가 고진공으로 조절될 수도 있다. Here, the interior of the low-pressure housing 150 may be adjusted to a high vacuum by a separate vacuum pump (not shown).

그리고, 접지(158)가 이루어질 수 있다.A ground 158 may also be provided.

상기 대기용 전자빔 방출장치(100)로서 금속을 가공할 때에는 용융된 금속에서 금속증기가 발생되며, 발생된 금속증기는 상기 튜브(152) 내측면에 증착될 수 있다.When the metal for the atmosphere electron beam emitting apparatus 100 is machined, metal vapor is generated from the molten metal, and the generated metal vapor can be deposited on the inner surface of the tube 152.

이 때, 상기 튜브(152)에 접지(158)가 이루어져 있으므로, 상기 튜브(152) 내측면에 부착된 금속증기의 주변의 전자는 접지(158)된 그라운드로 흐르게 되어 아크의 발생이 방지되어 보다 안정적인 운전이 가능하며, 동시에 한계 출력을 상승시킬 수 있다.At this time, because the ground 158 is formed in the tube 152, electrons around the metal vapor adhered to the inner side of the tube 152 flow to the ground 158, Stable operation is possible, and at the same time, the limit output can be raised.

또한, 금속 재질의 특성상 외부의 충격 및 반복되는 열 충격에 강하고, 부착되는 금속증기를 제거하지 아니하여도 운전이 가능하므로 반영구적인 사용이 가능하다.Also, due to the nature of the metal material, it is resistant to external shocks and repeated thermal shocks, and semi-permanent use is possible since operation is possible without removing the attached metal vapor.

그리고, 고압 하우징(300)이 구비될 수 있다.The high-pressure housing 300 may be provided.

고압 하우징(300)은 저압 하우징(150)의 하부에서 연속하여 연통구를 통해 연통되고 저압 하우징(150)에 인가된 압력보다 높고 일정한 압력이 인가되며, 전자빔이 대기로 방출되는 방출구(156)가 형성할 수 있다.The high pressure housing 300 communicates with the low pressure housing 150 through the communication port continuously at the lower portion of the low pressure housing 150 and is supplied with a constant pressure higher than the pressure applied to the low pressure housing 150, Can be formed.

구체적으로 상기 고압 하우징(300)은 상기 저압 하우징(150)에 비해 상대적으로 진공상태가 낮은 중진공 상태가 되어, 저압 하우징(150)에서 방출되는 전자빔이 대기로 방출될 때 발생하는 압력 차이를 줄이는 버퍼 역할을 한다.In detail, the high-pressure housing 300 is in a vacuum state relatively lower than that of the low-pressure housing 150, and a buffer for reducing the pressure difference generated when the electron beam emitted from the low- It plays a role.

여기서, 상기 고압 하우징(300)은 별도의 제1냉각플레이트(320) 및 제2냉각플레이트(340)를 구비하여 전자빔에 의해 고압 하우징(300)이 가열되는 것을 저감시킨다.The high pressure housing 300 includes a separate first cooling plate 320 and a second cooling plate 340 to reduce the heating of the high pressure housing 300 by the electron beam.

구체적으로 제1냉각플레이트(320)는 저압 하우징(150)과 고압 하우징(300) 사이에 배치되어 내부에 냉매가 유동하며, 캐소드(120)에서 방출된 전자빔이 저압 하우징(150)에서 고압 하우징(300)으로 이동 시 고열이 발생하는 것을 방지한다.The first cooling plate 320 is disposed between the low pressure housing 150 and the high pressure housing 300 so that the refrigerant flows therein and the electron beam emitted from the cathode 120 flows from the low pressure housing 150 to the high pressure housing 300 to prevent the occurrence of high temperature.

이때, 제1냉각플레이트(320)는 중앙에 홀이 형성되어 전자빔이 중앙을 통과함으로써 고압 하우징(300)으로 이동할 수 있다. At this time, the first cooling plate 320 has a hole formed at its center, and the electron beam can move to the high-pressure housing 300 by passing through the center.

또한, 제1냉각플레이트(320)에는 도면에 도시되지는 않았지만, 별도의 보조어퍼쳐(미도시)가 구비될 수 있다. 여기서, 상기 보조어퍼쳐는 제1냉각플레이트(320)의 홀에 형성되어 전자빔이 방출구(156)를 향해 이동하도록 전자빔의 이동을 안내할 수 있다.Also, although not shown in the figure, the first cooling plate 320 may be provided with a separate auxiliary aperture (not shown). Here, the auxiliary aperture may be formed in the hole of the first cooling plate 320 to guide the movement of the electron beam so that the electron beam moves toward the discharge port 156.

한편, 제2냉각플레이트(340)는 고압 하우징(300)의 하부에서 방출구 사이에 구비되며, 상술한 제1냉각플레이트(320)와 마찬가지로 중앙해 홀이 형성된다.The second cooling plate 340 is provided between the discharge ports at the lower portion of the high-pressure housing 300 and has a center hole similar to the first cooling plate 320 described above.

그리고 고압 하우징(300) 내부에서 이동하는 전자빔은 제2냉각플레이트(340)에 형성된 홀을 통과하여 방출구(156)를 통해 외부로 조사된다.The electron beam moving inside the high-pressure housing 300 passes through the hole formed in the second cooling plate 340 and is irradiated to the outside through the outlet 156.

여기서 제2냉각플레이트(340)는 상술한 제1냉각플레이트(320)와 유사하게 내부에 냉매가 유동하여 전자빔에 의한 가열을 저감시키도록 구성될 수 있으며, 마찬가지로 보조어퍼쳐가 구비되어 통과하는 전자빔을 가이드하도록 구성될 수 있다.Here, the second cooling plate 340 may be configured so that the refrigerant flows therein to reduce the heating by the electron beam similarly to the first cooling plate 320 described above, and similarly, As shown in FIG.

한편, 본 발명에 따른 전자빔 방출장치는 진공펌프(미도시)가 더 구비될 수 있다.Meanwhile, the electron beam emitting apparatus according to the present invention may further include a vacuum pump (not shown).

상기 진공펌프는 저압 하우징(150) 또는 고압 하우징(300) 중 적어도 하나에 일정한 압력을 인가하는 구성요소로서, 저압 하우징(150) 및 고압 하우징(300)이 서로 다른 압력을 갖도록 조절할 수 있다.The vacuum pump is a component that applies a constant pressure to at least one of the low pressure housing 150 or the high pressure housing 300. The low pressure housing 150 and the high pressure housing 300 can be adjusted to have different pressures.

이 때 저압 하우징(150)과 고압 하우징(300)의 압력은 대기압보다 낮은 압력이며, 저압 하우징(150)의 압력은 고압 하우징(300)의 압력보다 낮은 고진공상태가 된다.At this time, the pressure of the low-pressure housing 150 and the high-pressure housing 300 is a pressure lower than the atmospheric pressure, and the pressure of the low-pressure housing 150 becomes a high vacuum state lower than the pressure of the high-

여기서, 본 발명에 따른 상기 진공펌프는 고압 하우징(300)에 구비되는 것이 바람직하며, 이와 달리 저압 하우징(150)과 고압 하우징(300)각각에 구비될 수도 있다.Here, the vacuum pump according to the present invention is preferably provided in the high-pressure housing 300, and may be provided in the low-pressure housing 150 and the high-pressure housing 300, respectively.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)는 서로 압력이 다른 저압 하우징(150) 및 고압 하우징(300)을 구비하며 차압 구조를 형성할 수 있다.As described above, the atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a low-pressure housing 150 and a high-pressure housing 300 having different pressures from each other and can form a differential pressure structure.

이에 따라 본 발명에서 케소드(120)에서 방출되는 전자빔이 대기로 이동할 때 급격한 압력변화가 방생하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, sudden pressure change can be prevented from occurring when the electron beam emitted from the cathode 120 moves to the atmosphere.

한편, 본 발명은 별도의 가스조절유닛(400)이 더 포함될 수 있다.In the meantime, the present invention may further include a separate gas control unit 400.

상기 가스조절유닛은(400), 고압 하우징(300) 또는 저압 하우징(150)에 연결되어 내부로 질소가스 또는 헬륨가스를 투입하여 고압 하우징(300)과 저압 하우징(150)의 내부를 플라즈마(Plasma) 환경으로 형성할 수 있다. The gas control unit is connected to the high pressure housing 300 or the low pressure housing 150 to inject nitrogen gas or helium gas into the interior of the high pressure housing 300 and the low pressure housing 150, ) Environment.

구체적으로 본 실시예에서 가스조절유닛(400)은 유입부(410), 배출부(420) 및 기압측정부(430)를 포함한다.Specifically, in this embodiment, the gas regulating unit 400 includes an inlet 410, an outlet 420, and an air pressure measuring unit 430.

상기 유입부(410)는 상기 고압 하우징(300)의 일측에서 연통 형성되며, 외부에 구비된 별도의 탱크로부터 질소가스 또는 헬륨가스를 고압 하우징(300) 내부로 주입한다.The inlet 410 communicates with one side of the high pressure housing 300 and injects nitrogen gas or helium gas into the high pressure housing 300 from a separate tank provided outside.

이에 따라 상술한 케소드(120)에서 방출되는 전자빔이 고압 하우징(300)을 통과하며 플라즈마가 발생될 수 있다.Accordingly, the electron beam emitted from the cathode 120 can pass through the high-pressure housing 300 and generate plasma.

본 실시예에서, 상기 유입부(410)는 하나로 구성되어 상기 고압 하우징(300)에 연결되어 있으나, 이와 달리 저압 하우징(150)에 구비되거나, 양측에 모두 구비될 수도 있다.In the present embodiment, the inlet 410 is connected to the high-pressure housing 300, but may be provided in the low-pressure housing 150 or may be provided on both sides.

한편, 배출부(420)는 유입부(410)와 별도로 고압 하우징(300)에 연통되어 형성되며 유입부(410)를 통해 유입된 질소가스 또는 헬륨가스가 고압 하우징(300) 외부로 배출되도록 한다.The discharge unit 420 is formed to communicate with the high pressure housing 300 separately from the inlet unit 410 so that nitrogen gas or helium gas introduced through the inlet unit 410 is discharged to the outside of the high pressure housing 300 .

여기서, 배출부(420)는 별도의 개폐조절밸브(422)가 구비되어 외부로 배출되는 질소가스 또는 헬륨가스의 양을 조절한다.Here, the discharge portion 420 is provided with a separate opening / closing control valve 422 to regulate the amount of nitrogen gas or helium gas discharged to the outside.

그리고 이와 같이 개폐조절밸브(422)에 의해 외부로 배출되는 질소가스 또는 헬륨가스의 양이 조절됨에 따라 고압 하우징(300) 내부의 압력이 조절된다.As the amount of the nitrogen gas or helium gas discharged to the outside is controlled by the opening / closing control valve 422, the pressure inside the high-pressure housing 300 is regulated.

즉, 질소가스 또는 헬륨가스는 유입부(410)를 통해 고압 하우징(300) 내부로 공급되고 배출부(420)를 통해 외부로 배출되며, 개폐조절밸브(422)를 사용자가 조절하여 외부로 배출되는 양을 조절함으로써 고압 하우징(300) 내부의 압력을 조절할 수 있다.That is, the nitrogen gas or the helium gas is supplied into the high-pressure housing 300 through the inlet 410 and is discharged to the outside through the outlet 420. The user adjusts the opening / closing control valve 422 to discharge The pressure inside the high-pressure housing 300 can be adjusted.

한편, 기압측정부(430)는 저압 하우징(150) 또는 고압 하우징(300)상에 구비되어 내부의 기압을 감지하는 구성이다.On the other hand, the air pressure measuring unit 430 is provided on the low-pressure housing 150 or the high-pressure housing 300 to sense the internal air pressure.

본 실시예에서는 상기 저압 하우징(150) 내부에 구비되며, 저압 하우징(150) 내부의 압력에 대응하여 개폐조절밸브(422)를 조절하여 배출부(420)를 통해 배출되는 질소가스 또는 헬륨가스의 양을 조절할 수 있다.In this embodiment, the opening / closing control valve 422 is provided in the low-pressure housing 150 to control the opening / closing control valve 422 in response to the pressure inside the low-pressure housing 150, and the nitrogen gas or the helium gas The amount can be adjusted.

한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 배출부(420)에는 상술한 상기 진공펌프(미도시)가 연결될 수도 있다.Meanwhile, although not shown in the drawing, the vacuum pump (not shown) may be connected to the discharge part 420.

구체적으로 상기 진공펌프는 고압 하우징(300) 내부의 압력을 조절하기 위해 배출부(420)상에 구비되어 선택적으로 동작함으로써 고압 하우징(300) 내부에 수용된 공기나 질소가스 또는 헬륨가스를 외부로 배출할 수 있다.Specifically, the vacuum pump is disposed on the discharge unit 420 to control the pressure inside the high-pressure housing 300 and selectively operates to discharge air, nitrogen gas, or helium gas contained in the high-pressure housing 300 to the outside can do.

본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)는 집속부(600)와 편향부(700)를 더 포함할 수 있다.The atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may further include a focusing unit 600 and a deflecting unit 700.

집속부(600)는 고압 하우징(300) 내부에 구비되어 상기 애노드(130)를 통과한 전자빔을 집속시킬 수 있다. 이에 따라 집속부(600)에 의해 집속된 전자빔이 방출구(156)를 통해 방출될 수 있다.The focusing unit 600 may be provided inside the high-voltage housing 300 to focus the electron beam passing through the anode 130. Accordingly, the electron beam focused by the focusing unit 600 can be emitted through the discharge port 156.

고압 하우징(300)으로부터 방출되는 전자빔은 용접작업을 수행하며, 이에 따라 복수의 부재는 대기용 전자빔 방출장치(100)에 의해 용접 연결될 수 있다.The electron beam emitted from the high-pressure housing 300 performs a welding operation, whereby a plurality of members can be welded by the atmospheric electron beam emitting apparatus 100.

그리고 편향부(700)는 고압 하우징(300) 내부에 구비되어 전자빔을 편향시킬 수 있다.The deflecting unit 700 may be provided inside the high-pressure housing 300 to deflect the electron beam.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)는 실드가스 투입부(520)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may further include a shield gas injecting unit 520.

실드가스 투입부(520)는 고압 하우징(300)의 방출구(156)에 구비되어 질소가스 또는 헬륨가스를 방출구(156)에 투입할 수 있다.The shield gas inlet 520 is provided in the outlet 156 of the high-pressure housing 300 so that nitrogen gas or helium gas can be injected into the outlet 156.

이 때 실드가스 투입부(520)는 전자빔의 이동경로와는 다른 경로의 유로와 연결되며, 이에 따라 실드가스 투입부(520)에 의해 투입된 질소가스 또는 헬륨가스는 전자빔과 대기 방출되기 직전에 합쳐질 수 있다. At this time, the shield gas injecting section 520 is connected to the flow path of the path different from that of the electron beam, so that the nitrogen gas or helium gas injected by the shield gas injecting section 520 is combined with the electron beam .

여기서, 상기 실드가스 투입부(520)를 통해 투입되는 가스는 방출구(156)를 통해 대리고 이동하는 전자빔에 의해 방출구(156)가 가열되거나 파손되는 것을 방지하게 된다.Here, the gas introduced through the shield gas inlet 520 prevents the discharge port 156 from being heated or broken by the electron beam moving through the discharge port 156.

다만 실드가스 투입부(520)에 의해 질소가스 또는 헬륨가스의 투입경로 및 투입방법이 한정되는 것은 아니며, 다양한 투입경로 및 투입방법으로 구비될 수 있다.However, the input path and the input method of the nitrogen gas or the helium gas are not limited by the shield gas input unit 520, and may be provided by various input paths and input methods.

이와 함께 본 발명에 따른 고압 하우징(300)에서 상술한 방출구(156)가 형성된 부근에 별도의 냉각수단(미도시)을 구비하여 방출구(156) 자체가 가열되는 것을 방지할 수도 있다.In addition, in the high-pressure housing 300 according to the present invention, a separate cooling means (not shown) may be provided in the vicinity of the discharge port 156 to prevent the discharge port 156 from being heated.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)는 어퍼쳐(800: Aperture)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may further include an aperture 800 (aperture).

어퍼쳐(800)는 고압 하우징(300) 내부에 구비되어 전자빔이 방출구(156)를 통해 재기로 방출되는 경로 상에 구비되어, 방출구(156)로 방출되지 않는 전자빔의 이동을 제한할 수 있다.The aperture device 800 is provided in the high pressure housing 300 and is provided on a path through which the electron beam is discharged through the discharge port 156 to restrict movement of the electron beam not emitted to the discharge port 156 have.

이 때 어퍼쳐(800)는 전자빔의 이동경로 양측에 구비되어, 전자빔이 방출구(156)를 통해 대기로 방출되도록 전자빔의 이동을 안내할 수 있다.At this time, the aperture device 800 is provided on both sides of the movement path of the electron beam, and can guide the movement of the electron beam so that the electron beam is emitted to the atmosphere through the discharge port 156.

한편 도 6은 도 2의 대기용 전자빔 방출장치(100)에서 전자빔이 방출되는 모습을 도시한 단면도 이다.6 is a cross-sectional view showing the state in which an electron beam is emitted from the atmospheric electron beam emitting apparatus 100 of FIG.

그리고, 도 6에 도시된 바와 같이 반사전자 차단구조체(200)가 구비될 수 있다.6, a reflection electron blocking structure 200 may be provided.

상기 캐소드(120)에서 방출되는 전자빔 중 외곽의 일부는 산란 등에 의해 상기 애노드(130)의 후측에서 산란되어 고압 하우징(300)의 방출구(156)를 통과하지 못하고 방출구(156) 주위에서 반사되는 산란전자(7)가 발생할 수 있다.A part of the outer circumference of the electron beam emitted from the cathode 120 is scattered at the rear side of the anode 130 due to scattering or the like and can not pass through the discharge port 156 of the high pressure housing 300, Scattering electrons 7 may be generated.

또한, 상기 튜브(152) 내부 내에 잔류하는 질소 등의 원소가 가속된 전자와 충돌하여 발생하는 2차전자(9)가 발생할 수 있다.Further, the secondary electrons 9 generated by colliding with accelerated electrons such as nitrogen remaining in the tube 152 may be generated.

이러한 산란전자(7) 및 2차전자(9)들은 상기 애노드(130)를 통과하는 전자빔에 비해 집속되지 못하여 방향성이 없거나 또는 산란될 수 있다.The scattering electrons 7 and the secondary electrons 9 may not be focused or scattered compared to the electron beam passing through the anode 130.

이러한 산란전자(7) 및 2차전자(9)들은 상기 저압 하우징(150) 내에서 반사되어 튜브(152)를 가열시키거나 아크를 발생시킬 수 있는데, 상기 반사전자 차단구조체(200)는 이러한 반사되는 산란전자(7) 및 2차전자(9)들이 저압 하우징(150) 내측으로 향하는 것을 차단하는 구성요소이다.The scattering electrons 7 and the secondary electrons 9 may be reflected in the low pressure housing 150 to heat the tube 152 or generate an arc, Which blocks the scattering electrons 7 and secondary electrons 9 from being directed toward the inside of the low-pressure housing 150.

한편 도 5는 도 3의 다른 일부분의 분해사시도이다. Figure 5 is an exploded perspective view of another portion of Figure 3;

상기 반사전자 차단 구조체는 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 고압 하우징(300)의 방출구(156)가 형성된 면의 방출구(156) 주위로부터 상기 애노드(130) 측으로 연장되도록 형성될 수 있다.2 and 5, the reflective electromagnetic shield structure is formed to extend from the vicinity of the discharge port 156 on the side of the discharge port 156 of the high-voltage housing 300 to the anode 130 side .

따라서, 상기 반사전자 차단구조체(200)는 애노드(130)와 상기 방출구(156)가 형성된 면 사이에 배치되며, 상기 방출구(156)가 형성된 면으로부터 상기 애노드(130)를 향하여 연장된 관의 형태로 이루어질 수 있다.The reflective electron blocking structure 200 is disposed between the anode 130 and the surface on which the discharge port 156 is formed and extends from the surface on which the discharge port 156 is formed to the anode 130 . ≪ / RTI >

이 때, 상기 반사전자 차단구조체(200)는 상기 애노드(130)를 향하는 측 및 상기 방출구(156)를 향하는 측은 개구되며, 중공은 상기 애노드(130) 및 방출구(156)와 연통될 수 있다.At this time, the reflection electron blocking structure 200 is opened to the side facing the anode 130 and the side toward the discharge port 156, and the hollow can communicate with the anode 130 and the discharge port 156 have.

따라서, 상기 반사전자 차단구조체(200)의 중공은 상기 애노드(130)의 개구부(132)를 통해 가속된 전자가 상기 방출구(156)로 방출되는 통로의 역할을 할 수 있다.Accordingly, the hollow of the reflective electromagnetic shield structure 200 may serve as a passage through which electrons accelerated through the opening 132 of the anode 130 are discharged to the discharge port 156.

이 때, 한편, 상기 중공은 상기 방출구(156)와는 동축상에 상기 방출구(156)보다는 큰 직경을 가지도록 형성될 수 있으며 상기 애노드(130)의 개구부(132)보다 작거나 같은 직경으로 형성될 수 있다.In this case, the hollow may be coaxial with the discharge port 156 to have a larger diameter than the discharge port 156, and may have a diameter smaller than or equal to the opening 132 of the anode 130 .

그리고, 상기 방출구(156)는 상기 애노드(130)의 개구부(132)보다 작은 직경으로 형성될 수 있다.The discharge port 156 may have a smaller diameter than the opening 132 of the anode 130.

또한, 상기 반사전자 차단구조체(200)의 내주면에서 내측으로 연장된 플랜지부(210)가 형성될 수 있다. 상기 플랜지부(210)는 상기 반사전자 차단구조체(200)의 상측부에 형성될 수 있으며, 상기 플랜지부(210)가 돌출되는 길이는 상기 애노드(130)의 개구부(132)를 통과한 가속된 전자가 상기 반사전자 차단구조체(200)를 통과하는데 방해되지 않는 정도일 수 있다.Further, a flange portion 210 extending inward from the inner circumferential surface of the reflective electromagnetic shield structure 200 may be formed. The flange portion 210 may be formed on the upper portion of the reflective electron blocking structure 200 and the length of the flange portion 210 protruding may be shorter than the length of the accelerated But may be such that electrons are not blocked from passing through the reflective electron blocking structure 200.

따라서, 상기 애노드(130)의 개구부(132)를 통과하는 가속된 전자는 상기 반사전자 차단구조체(200)의 중공을 통해 고압 하우징(300)의 방출구(156)로 방출될 수 있다.Accelerated electrons passing through the opening 132 of the anode 130 may be discharged through the hollow of the reflective electron blocking structure 200 to the outlet 156 of the high pressure housing 300.

이에 따라 고압 하우징(300)으로부터 방출되는 전자빔은 용접작업을 수행하며, 이에 따라 복수의 부재는 대기용 전자빔 방출장치(100)에 의해 용접 연결될 수 있다.Accordingly, the electron beam emitted from the high-pressure housing 300 performs a welding operation, whereby the plurality of members can be welded by the atmospheric electron beam emitting apparatus 100. [

한편, 상기 산란전자(7) 및 2차전자(9) 등 상기 고압 하우징(300)의 방출구(156)를 통과하지 못하고, 상기 고압 하우징(300)의 방출구(156)가 형성된 면에 반사될 수 있다.On the other hand, the surface of the high pressure housing 300 on which the discharge port 156 of the high-pressure housing 300 is formed can not pass through the discharge port 156 of the high-pressure housing 300 such as the scattering electrons 7 and the secondary electrons 9, .

이 때, 상기 반사된 전자는 상기 반사전자 차단구조체(200)의 내주면내에서 반사되어 튜브(152)측으로 재반사 되는 것이 차단될 될 수 있다.At this time, the reflected electrons may be blocked from being reflected from the inner circumferential surface of the reflective electromagnetic shield structure 200 and reflected to the tube 152 side.

상기 플랜지부(210)가 내주면 내측으로 연장되어 있으므로 상기 반사전자 차단구조체(200)의 중공 내부에서 반사되는 전자들이 반사전자 차단구조체(200)의 외측으로 탈출하는 것이 방지될 수 있다.Since the flange portion 210 extends inwardly of the inner circumferential surface, electrons reflected from the hollow interior of the reflective electromagnetic shield structure 200 can be prevented from escaping to the outside of the reflective electromagnetic shield structure 200.

또한, 상기 반사전자 차단구조체(200)의 내주면에는 복수개의 흡수홈(220)이 형성되어 반사전자와 복수개의 홈간의 충돌확률을 높여 상기 반사전자 차단구조체(200)의 중공 내주면에서 반사되는 전자들을 흡수할 수 있다.A plurality of absorption grooves 220 are formed on the inner circumferential surface of the reflection electron blocking structure 200 to increase the collision probability between the reflection electrons and the plurality of grooves to increase electrons reflected from the hollow inner circumferential surface of the reflection electron blocking structure 200 Can be absorbed.

한편, 상기 반사전자 차단구조체(200)는 반사되는 산란전자(7) 또는 2차전자(9)들에 의해 가열될 수 있는데, 이러한 반사전자 차단구조체(200)의 과열을 방지하기 위해 상기 반사전자 차단구조체(200)의 외주면 둘레에 냉각매체가 흐르는 냉각파이프(230)가 구비될 수 있다.The reflective electron blocking structure 200 may be heated by the scattering electrons 7 or secondary electrons 9 reflected by the reflective electron blocking structure 200. In order to prevent the reflective electron blocking structure 200 from overheating, A cooling pipe 230 through which the cooling medium flows may be provided around the outer circumferential surface of the shield structure 200.

상기 냉각매체는 물일수도 있고, 또는 여타 다른 냉각에 유리한 유체일 수도 있다.The cooling medium may be water or a fluid favorable to other cooling.

따라서, 상기 반사전자 차단구조체(200)가 냉각될 수 있으며, 상기 냉각파이프(230)가 반사전자 차단구조체(200)의 외주면 둘레에 구비되므로, 설혹 상기 냉각파이프(230)에서 누수가 발생한다고 하더라도 누출된 냉각매체가 상기 튜브(152)와 반사전자 차단구조체(200)의 사이로 누출되므로 상기 애노드(130) 및 방출구(156)를 통해 전자빔 방출장치의 외부로 세어나오는 것이 방지될 수 있다.Accordingly, the reflective electromagnetic shield structure 200 can be cooled, and the cooling pipe 230 is provided around the outer circumferential surface of the reflective electromagnetic shield structure 200, so that even if leakage occurs in the cooling pipe 230 The leaked cooling medium leaks between the tube 152 and the reflective electromagnetic shielding structure 200 so that it can be prevented from being radiated to the outside of the electron beam emitting device through the anode 130 and the discharge port 156.

그리고, 상기 냉각파이프(230)의 외측에는 차단판(240)이 더 구비되어 상기 산란전자(7) 및 2차전자(9)가 냉각파이프(230)로 직접 조사되는 것을 차단하여 냉각파이프(230)의 손상을 미연에 방지할 수 있다.A shielding plate 240 is further provided on the outer side of the cooling pipe 230 so that the scattering electrons 7 and the secondary electrons 9 are prevented from being directly irradiated to the cooling pipe 230, Can be prevented from being damaged in advance.

이 때 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)는 대기 중에서 전자빔을 방출하여 용접, 3차원 금속적층, 표면처리 및 이종소재 클래딩 작업을 수행할 수 있다.At this time, as shown in FIG. 6, the atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention emits an electron beam in the atmosphere to perform welding, three-dimensional metal lamination, surface treatment, .

그리고 본 발명의 일 실시예에 따른 대기용 전자빔 방출장치(100)는 진공 챔버 내부가 아닌 대기 중에서 공정이 이루어지기 때문에 대형 가공물을 작업할 수 있으며 이에 따라 공정의 효율성이 증가할 수 있다.
In addition, since the atmospheric electron beam emitting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is operated in the atmosphere, not in the vacuum chamber, it is possible to work a large workpiece, thereby increasing the efficiency of the process.

이상과 같이 본 발명에 따른 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. . Therefore, the above-described embodiments are to be considered as illustrative rather than restrictive, and the present invention is not limited to the above description, but may be modified within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

100: 대기용 전자빔 방출장치 120: 캐소드
122: 캐소드 테두리의 라운드진 부분
130: 애노드 132: 개구부
140: 절연홀더 150: 저압 하우징
152: 튜브 154: 절연체
156: 방출구 158: 접지
160: 구동부 170: 냉각부
200: 반사전자 차단구조체 210: 플랜지부
220: 흡수홈 230: 냉각파이프
240: 차단판 300: 고압 하우징
400: 가스조절유닛 410: 유입부
420: 배출부 430: 기압측정부
520: 실드가스 투입부 600: 집속부
700: 편향부 800: 어퍼쳐
100: atmospheric electron beam emitting device 120: cathode
122: Rounded portion of the cathode rim
130: anode 132: opening
140: Insulation holder 150: Low pressure housing
152: tube 154: insulator
156: Outlet 158: Ground
160: Driving unit 170: Cooling unit
200: reflection electron blocking structure 210: flange portion
220: absorption groove 230: cooling pipe
240: blocking plate 300: high pressure housing
400: gas control unit 410: inlet
420: discharging part 430: pressure measuring part
520: Shield gas injecting section 600: Focusing section
700: deflection unit 800: aperture

Claims (11)

전자빔을 방출하는 캐소드;
상기 캐소드로부터 타측으로 이격되어 위치되며, 상기 캐소드로부터 방출된 전자빔를 가속하는 애노드;
대기압보다 낮고 일정한 압력이 인가되며 가스가 내부에 투입되어 플라즈마 환경이 형성되고, 상기 캐소드와 상기 애노드가 내부에 구비되어 전자빔이 가속되는 공간을 형성하는 저압 하우징; 및
상기 저압 하우징과 연통되고 상기 저압 하우징에 인가된 압력보다 높고 일정한 압력이 인가되며, 전자빔이 대기로 방출되는 방출구가 형성된 고압 하우징;
을 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
A cathode emitting an electron beam;
An anode positioned apart from the cathode at the other side, for accelerating the electron beam emitted from the cathode;
A low pressure housing forming a space in which a cathode and an anode are provided inside and a space for accelerating an electron beam is applied; And
A high pressure housing communicating with the low pressure housing and having a pressure higher than the pressure applied to the low pressure housing and applied with a constant pressure and having a discharge port through which the electron beam is discharged into the atmosphere;
And an electron beam emitting device for emitting electrons.
제1항에 있어서,
상기 저압 하우징 또는 상기 고압 하우징 중 적어도 하나에 일정한 압력을 인가하여, 상기 저압 하우징 및 상기 고압 하우징이 서로 다른 압력을 갖도록 조절하는 진공펌프;
를 더 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
The method according to claim 1,
A vacuum pump for applying a constant pressure to at least one of the low-pressure housing or the high-pressure housing to adjust the low-pressure housing and the high-pressure housing to have different pressures;
Further comprising: an electron beam emitting device for emitting electrons;
제1항에 있어서,
상기 저압 하우징 또는 상기 고압 하우징에 질소가스 또는 헬륨가스를 투입하여 상기 저압 하우징 또는 상기 고압 하우징의 내부를 플라즈마 환경으로 형성하는 가스조절유닛을 더 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a gas control unit for injecting nitrogen gas or helium gas into the low-pressure housing or the high-pressure housing to form a plasma environment inside the low-pressure housing or the high-pressure housing.
제3항에 있어서,
상기 가스조절유닛은,
상기 고압 하우징 또는 상기 저압 하우징 중 적어도 어느 하나에 연결되어 내부로 질소가스 또는 헬륨가스를 공급하는 유입부; 및
상기 고압 하우징에 구비되어 내부로 유입된 질소가스 또는 헬륨가스가 외부로 배출되도록 하며, 선택적으로 배출여부 및 배출량이 조절되는 배출부;
를 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
The method of claim 3,
The gas regulating unit includes:
An inlet connected to at least one of the high-pressure housing and the low-pressure housing to supply a nitrogen gas or a helium gas to the interior; And
A discharge unit provided in the high-pressure housing for discharging nitrogen gas or helium gas to the outside and selectively controlling the discharge amount and the discharge amount;
And an electron beam emitting device for emitting electrons.
제4항에 있어서,
상기 가스조절유닛은,
상기 고압 하우징 또는 상기 저압 하우징에 구비되어 내부의 압력을 측정하는 기압측정부를 더 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
5. The method of claim 4,
The gas regulating unit includes:
And an air pressure measuring unit provided in the high-pressure housing or the low-pressure housing for measuring an internal pressure of the atmosphere.
제1항에 있어서,
상기 고압 하우징의 상기 방출구에 질소가스 또는 헬륨가스를 투입하는 실드가스 투입부;
를 더 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
The method according to claim 1,
A shield gas injector for injecting nitrogen gas or helium gas into the outlet of the high-pressure housing;
Further comprising: an electron beam emitting device for emitting electrons;
제1항에 있어서,
상기 고압 하우징 내부에 구비되어 상기 애노드로부터 가속된 전자빔을 집속시키는 집속부; 및
상기 제3 하우징 내부에 구비되어 상기 애노드로부터 가속된 전자빔의 방출방향을 편향시키는 편향부;
를 더 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
The method according to claim 1,
A focusing unit provided in the high-pressure housing for focusing an electron beam accelerated from the anode; And
A deflection unit provided inside the third housing for deflecting a discharge direction of the accelerated electron beam from the anode;
Further comprising: an electron beam emitting device for emitting electrons;
제1항에 있어서,
상기 저압 하우징 내측에 배치되며, 상기 저압 하우징과 상기 고압 하우징의 연통지점의 주위로부터 상기 애노드 측으로 연장되도록 형성되고, 상기 연통지점 주위에서 반사된 2차전자 및 산란전자가 상기 저압 하우징 내측으로 반사되는 것을 차단하는 반사전자 차단구조체;
를 더 포함하는 대기용 전자빔 방출장치.
The method according to claim 1,
Pressure housing and extends from the periphery of the communicating point of the low-pressure housing and the high-pressure housing toward the anode, and secondary electrons and scattered electrons reflected around the communicating point are reflected to the inside of the low-pressure housing A reflective electron blocking structure blocking the electron blocking structure;
Further comprising: an electron beam emitting device for emitting electrons;
제8항에 있어서,
상기 반사전자 차단구조체는,
상기 애노드와 상기 연통지점 사이에 배치되며,
상기 연통지점으로부터 상기 애노드를 향하여 연장되며, 내부 중공을 가지고 상기 애노드를 향하는 측 및 상기 연통지점을 향하는 측은 개구된 관의 형태로 형성되는 대기용 전자빔 방출장치.
9. The method of claim 8,
The reflective electron blocking structure may comprise:
And an anode disposed between the anode and the communicating point,
Wherein the anode is formed in the form of a tube extending from the communication point toward the anode and having an inner hollow facing the anode and a side facing the communication point being open.
제9항에 있어서,
상기 반사전자 차단구조체의 내주면에는 상기 애노드의 타측에서 산란되는 전자 및 2차전자를 흡수하는 흡수홈이 복수개 형성되는 대기용 전자빔 방출장치.
10. The method of claim 9,
And a plurality of absorption grooves for absorbing electrons and secondary electrons scattered on the other side of the anode are formed on the inner circumferential surface of the reflection electron blocking structure.
제9항에 있어서,
상기 반사전자 차단구조체의 외주면에는 냉각매체가 흐르는 냉각파이프가 구비되는 대기용 전자빔 방출장치.
10. The method of claim 9,
And a cooling pipe through which a cooling medium flows is provided on an outer circumferential surface of the reflection electron blocking structure.
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