[go: up one dir, main page]

KR20160113410A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160113410A
KR20160113410A KR1020150038368A KR20150038368A KR20160113410A KR 20160113410 A KR20160113410 A KR 20160113410A KR 1020150038368 A KR1020150038368 A KR 1020150038368A KR 20150038368 A KR20150038368 A KR 20150038368A KR 20160113410 A KR20160113410 A KR 20160113410A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
susceptor
chamber
heating
annealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020150038368A
Other languages
English (en)
Inventor
김병훈
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020150038368A priority Critical patent/KR20160113410A/ko
Publication of KR20160113410A publication Critical patent/KR20160113410A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 서셉터에 제공되는 리프트 핀을 통해 기판을 서셉터의 상면에서 이격 되도록 지지한 상태에서, 상기 기판으로 플라즈마 상태의 공정 가스를 제공하는 선택적 식각 단계; 상기 기판을 상기 서셉터의 상면에 위치시킨 상태로 상기 서셉터의 온도를 상승 시켜 상기 기판을 가열함에 따라, 상기 기판의 표면을 처리하는 어닐 단계를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and Substrate treating method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
전자 제품은 그 부피가 점점 작아지면서도 고용량의 데이터 처리를 요하고 있다. 이에 따라, 이러한 전자 제품에 사용되는 반도체 메모리 장치의 집적도를 향상시킬 필요가 있다. 반도체 메모리 장치의 집적도를 향상시키기 위한 방법들 중 하나로서, 기존의 평면 트랜지스터 구조 대신 수직 트랜지스터 구조를 가지는 메모리 장치가 제안되고 있다.
이와 같은 적층 메모리는 폴리실리콘에 층간 절연층과 희생층이 교대로 적층되는 공정, 층간 절연층과 희생층에 홀을 형성하는 공정, 홀을 통해 희생층을 제거하는 공정을 포함한다. 이 가운데, 희생층을 제거하는 공정은 습식 식각의 방법으로 수행됨에 따라 효율이 낮고 고 비용이 소요된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 챔버 내에서 식각 공정 및 어닐 공정을 모두 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 서셉터에 제공되는 리프트 핀을 통해 기판을 서셉터의 상면에서 이격 되도록 지지한 상태에서, 상기 기판으로 플라즈마 상태의 공정 가스를 제공하는 선택적 식각 단계; 상기 기판을 상기 서셉터의 상면에 위치시킨 상태로 상기 서셉터의 온도를 상승 시켜 상기 기판을 가열함에 따라, 상기 기판의 표면을 처리하는 어닐 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 어닐 단계는 상기 서셉터가 위치되는 챔버 내부의 압력이 설정 압력이하로 유지되는 상태에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 설정 압력은 50mtorr이하 일 수 있다.
또한, 상기 어닐 단계는 상기 서셉터가 100℃ 이상 300℃ 이하로 가열되어 수행될 수 있다.
또한, 상기 어닐 단계는, 상기 기판의 가열이 개시되고 설정 시간이 경과된 후 상기 서셉터가 위치된 상기 챔버의 내부로 불활성 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 불활성 가스의 공급에 따라 상기 챔버의 내부 압력은 10torr이상이 될 수 있다.
또한, 상기 기판은 층간 절연층들 및 희생층들이 교대로 적층되어 있을 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 챔버; 상기 챔버의 상부에 위치되어, 선택적 식각을 위한 플라즈마 상태의 공정 가스를 제공하는 플라즈마 여기부; 상기 챔버의 내부에 위치되는 서셉터; 상기 서셉터에 위치되어, 상기 공정 가스가 공급되어 기판이 선택적으로 식각 되는 동안 상기 기판을 상기 서셉터의 상면에서 이격된 상태로 지지하는 리프트 핀을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 서셉터는, 상기 선택적 식각 후 그 상면에 위치된 상기 기판을 가열하기 위한 가열 부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가열 부재는 상기 서셉터를 100℃ 이상 300℃ 이하로 가열할 수 있다.
또한, 상기 기판은 층간 절연층들 및 희생층들이 교대로 적층되어 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버 내에서 선택적 식각 공정 및 어닐 공정이 모두 수행될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 기판 처리 장치에서 처리될 기판을 나타내는 도면이다.
도 3은 희생층 제거 공정이 수행되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 희생층이 제거된 상태의 기판을 나타내는 도면이다.
도 5는 기판에 어닐 공정이 수행되는 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 챔버(2100), 서셉터(2200), 샤워 헤드(2300) 및 플라스마 여기부(2400)를 포함한다.
챔버(2100)는 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(2100)는 바디(2110)와 밀폐 커버(2120)를 가진다. 바디(2110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(2110)의 측벽에는 기판(W)이 출입하는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 슬릿 도어(slit door)(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 개폐 부재는 챔버(2100) 내에서 기판(W) 처리가 수행되는 동안 개구를 폐쇄하고, 기판(W)이 챔버(2100) 내부로 반입될 때와 챔버(2100) 외부로 반출될 때 개구를 개방한다. 개구가 개방된 상태에서 기판(W) 이송을 위한 로봇의 핸드부(미도시)가 챔버(2100) 내부로 출입한다.
바디(2110)의 측벽의 하부 또는 하부벽에는 배기홀(2111)이 형성된다. 배기홀(2111)은 배기 라인(2112)과 연결된다. 배기 라인(2112)을 통해 챔버(2100)의 내부 압력이 조절되거나, 공정에서 발생된 반응 부산물이 챔버(2100) 외부로 배출될 수 있다.
밀폐 커버(2120)는 바디(2110)의 상부벽과 결합하며, 바디(2110)의 개방된 상면을 덮어 바디(2110) 내부를 밀폐시킨다. 밀폐 커버(2120)의 상부에는 플라스마 여기부(2400)가 위치될 수 있다. 밀폐 커버(2120)에는 확산공간(2121)이 형성된다. 확산공간(2121)은 상부보다 하부가 넓게 형성될 수 있다. 예를 들어, 확산공간(2121)은 역 깔때기 형상을 가질 수 있다.
서셉터(2200)는 챔버(2100) 내부에 위치된다. 서셉터(2200)의 상면에는 처리될 기판(W)이 놓여진다. 서셉터(2200)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로를 따라 순환하며 서셉터(2200)를 냉각한다. 서셉터(2200)에는 플라즈마에 의한 기판(W) 처리 정도를 조절하기 위해 바이어스 전원(2210)으로부터 전력이 인가될 수 있다. 바이어스 전원(2210)이 인가하는 전력은 라디오 주파수(radio frequency, RF) 전원일 수 있다. 서셉터(2200)는 바이어스 전원(2210)이 공급하는 전력에 의해 쉬즈를 형성하고, 그 영역에서 고밀도의 플라즈마를 형성하여 공정 능력을 향상시킬 수 있다. 서셉터(2200)에는 리프트 핀(2230)이 제공된다. 리프트 핀(2230)을 기판(W)을 지지한 상태로 상하로 이동될 수 있다.
서셉터(2200)의 내부에는 가열 부재(2220)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(222)는 전기 저항으로 발열되는 저항선, 유체가 유동하는 유로 등으로 제공될 수 있다. 가열 부재(222)는 기판(W)을 기 설정된 온도로 가열한다.
샤워 헤드(2300)는 바디(2110)의 상부벽에 결합된다. 샤워 헤드(2300)는 원판 형상으로, 서셉터(2200)의 상면과 나란하게 배치될 수 있다. 샤워 헤드(2300)는 표면이 산화 처리된 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(2300)에는 분배홀(2310)들이 형성된다. 분배홀(2310)들은 균일한 라디칼 공급을 위해 동심의 원주상에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 확산공간(2121)에서 확산된 플라스마는 분배홀(2310)들에 유입된다. 이때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 샤워 헤드(2300)에 갇히고, 산소 라디칼 등과 같이 전하를 띄지 않는 중성 입자들은 분배홀(2310)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다. 또한, 샤워 헤드는 접지되어 전자 또는 이온이 이동되는 통로를 형성할 수 있다.
플라스마 여기부(2400)는 플라스마를 생성하여, 챔버(2100)로 공급한다. 플라스마 여기부(2400)는 챔버(2100)의 상부에 제공될 수 있다. 플라즈마 여기부는 리모트 타입 플라즈마 여기부, 용량결합 플라즈마 여기부, 유도결합 플라즈마 여기부 등으로 제공될 수 있다. 이하, 리모트 타입 플라즈마 여기부를 예로 들어 설명한다.
플라스마 여기부(2400)는 발진기(2410), 도파관(2420), 유전체 관(2430) 및 가스 공급부(2440)를 포함한다.
발진기(2410)는 전자기파를 발생시킨다. 도파관(2420)은 발진기(2410)와 유전체 관(2430)을 연결하며, 발진기(2410)에서 발생된 전자기파가 유전체 관(2430) 내부로 전달되는 통로를 제공한다. 가스 공급부(2440)는 챔버(2100)의 상부로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스는 질소 가스 또는 산소 가스를 포함 할 수 있다. 또한, 공정 가스는 불소계열의 가스를 포함할 수 있다. 불소계열가스는 삼불화질소 가스 또는 디플루오로메탄 가스 일수 있다. 유전체 관(2430) 내부로 공급된 공정 가스는 전자기파에 의해 플라스마 상태로 여기 된다. 플라스마 상태의 가스는 유전체 관(2430)을 거쳐 확산공간(2121)으로 유입된다.
도 2는 기판 처리 장치에서 처리될 기판을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판(W)에는 복수의 층이 형성되어 있다. 먼저, 폴리실리콘(3100)의 상부에 불순물들을 주입하여 불순물 영역(3110)이 형성되어 있다. 이어서, 불순물 영역(3110) 상에 층간 절연층(3210)들 및 희생층(3220)들을 교대로 적층 되어 있다. 여기서, 희생층(3220)들은 층간 절연층(3210)들에 대해 식각 선택비를 가질 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(3210)들은 산화물이고, 희생층(3220)들은 질화물일 수 있다. 이와 같이 층간 절연층(3210)들 및 희생층(3220)들이 교대로 적층 된 구조의 기판(W)은 적층 메모리 장치의 제조에 사용된다.
또한, 층간 절연층(3210)들 및 희생층(3220)들에는 홀(H)이 형성되어 있다. 홀(H)은 포토리소그래피 및 식각 기술을 이용하여 형성될 수 있다.
도 3은 희생층 제거 공정이 수행되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 4는 희생층이 제거된 상태의 기판을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 적층 메모리 장치의 제조를 위해서는 층간 절연층(3210)들 사이에 위치된 희생층(3220)들이 제거 되어야 한다. 이 후, 홀(H)과 희생층(3220)들이 제거된 공간에 스토리지 매체들 및 도전층이 형성된다.
기판(W)의 반입시, 리프트 핀(2230)은 상승된 상태에서 기판(W)을 전달 받는다. 기판(W)의 반입이 완료되면, 플라즈마 상태로 여기 된 공정 가스가 기판(W) 쪽으로 공급된다. 공정 가스의 공급 시, 리프트 핀(2230)은 기판(W)을 서셉터(2200)의 상면에서 이격되게 지지한다. 예를 들어, 리프트 핀(2230)은 기판(W)의 반입시 상승된 상태를 유지하면서 기판(W)을 지지할 수 있다. 또한, 리프트 핀(2230)은 기판(W)의 반입시의 높이와는 상이하게 높이가 조절된 상태로 기판(W)을 지지할 수 도 있다. 플라즈마 상태의 공정 가스는 질화막과 반응하여, 기판(W)에서 희생층(3220)을 식각한다.
희생층(3220)이 식각된 후, 챔버(2100) 내부의 공정 가스 및 반응 부산물은 배기홀을 통해 배출된다. 배출은 챔버(2100) 내부의 압력이 설정 압력 이하가 될 때까지 수행될 수 있다. 예를 들어, 배출은 챔버(2100) 내부의 압력이 50mtorr이하가 될 때까지 수행될 수 있다.
도 5는 기판에 어닐 공정이 수행되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 공정 가스를 이용한 희생층(3220) 식각 후, 어닐 공정이 수행된다.
기판(W)은 리프트 핀(2230)이 하강하여, 서셉터(2200)의 상면에 위치된다. 기판(W)의 하강은 챔버(2100) 내부의 공정 가스 및 반응 부산물의 배출과 함께 이루어 질 수 있다. 또한, 기판(W)의 하강은 챔버(2100) 내부의 공정 가스 및 반응 부산물의 배출이 이루어 진 후 이루어 질 수 도 있다. 가열 부재는 서셉터(2200)를 가열하여, 기판(W)의 어닐 공정을 수행한다. 가열 부재는 서셉터(2200)를 100℃ 이상 300℃ 이하의 범위로 가열할 수 있다. 가열 부재에 의한 서셉터(2200)의 가열은 공정 가스에 의해 희생층(3220)이 식각되는 동안 개시될 수 있다. 또한, 가열 부재에 의한 세셉터의 가열은 챔버(2100) 내부의 공정 가스 및 반응 부산물이 배출되는 동안, 또는 기판(W)이 하강되는 때 개시될 수 있다. 또한, 가열 부재에 의한 세셉터의 가열은 기판(W)이 서셉터(2200)의 상면에 위치된 후 개시될 수 있다.
기판(W)이 어닐 됨에 따라, 식각 과정에서 발생된 반응 부산물이 기판(W)에서 제거될 수 있다. 이 때, 제거되는 반응 부산물은 질화물일 수 있다. 일 예로 질화물은 육불화규산 암모늄(Ammonium hexafluorosilicate)일 수 있다.
또한, 어닐 공정은 열은 결정과 결정이 결합되는 에너지를 기판(W)에 제공하여, 기판(W)의 표면이 양생(curing)될 수 있다.
기판(W)의 가열이 개시되고 설정 시간 경과 후, 가스 공급부(2440)는 질소 가스, 헬륨 가스 또는 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 챔버(2100)의 내부로 공급할 수 있다. 불활성 가스는 플라즈마 상태로 여기 되지 않고 공급된다. 불활성 가스의 공급에 따라 챔버(2100)의 내부는 압력이 상승될 수 있다. 예를 들어, 챔버(2100)의 내부 압력은 10torr이상이 될 수 있다.
어닐 공정 완료 후, 기판(W)은 기판 처리 장치(100)에서 반출된다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 희생층(3220)의 식각 및 어닐 공정을 챔버(2100) 내에서 모두 수행할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
2100: 챔버 2200: 서셉터
2210: 바이어스 전원 2220: 가열 부재
2230: 리프트 핀 2300: 샤워 헤드
2400: 플라스마 여기부 2440: 가스 공급부

Claims (11)

  1. 서셉터에 제공되는 리프트 핀을 통해 기판을 서셉터의 상면에서 이격 되도록 지지한 상태에서, 상기 기판으로 플라즈마 상태의 공정 가스를 제공하는 선택적 식각 단계;
    상기 기판을 상기 서셉터의 상면에 위치시킨 상태로 상기 서셉터의 온도를 상승 시켜 상기 기판을 가열함에 따라, 상기 기판의 표면을 처리하는 어닐 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 어닐 단계는 상기 서셉터가 위치되는 챔버 내부의 압력이 설정 압력이하로 유지되는 상태에서 수행되는 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 설정 압력은 50mtorr인 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 어닐 단계는 상기 서셉터가 100℃ 이상 300℃이하로 가열되어 수행되는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 어닐 단계는, 상기 기판의 가열이 개시되고 설정 시간이 경과된 후 상기 서셉터가 위치된 상기 챔버의 내부로 불활성 가스를 공급하는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 불활성 가스의 공급에 따라 상기 챔버의 내부 압력은 10torr이상이 되는 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 층간 절연층들 및 희생층들이 교대로 적층되어 있는 기판 처리 방법.
  8. 챔버;
    상기 챔버의 상부에 위치되어, 선택적 식각을 위한 플라즈마 상태의 공정 가스를 제공하는 플라즈마 여기부;
    상기 챔버의 내부에 위치되는 서셉터;
    상기 서셉터에 위치되어, 상기 공정 가스가 공급되어 기판이 선택적으로 식각 되는 동안 상기 기판을 상기 서셉터의 상면에서 이격된 상태로 지지하는 리프트 핀을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 서셉터는,
    상기 선택적 식각 후 그 상면에 위치된 상기 기판을 가열하기 위한 가열 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 서셉터를 100℃ 이상 300℃ 이하로 가열하는 기판 처리 장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 층간 절연층들 및 희생층들이 교대로 적층되어 있는 기판 처리 장치.
KR1020150038368A 2015-03-19 2015-03-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Ceased KR20160113410A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150038368A KR20160113410A (ko) 2015-03-19 2015-03-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150038368A KR20160113410A (ko) 2015-03-19 2015-03-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160113410A true KR20160113410A (ko) 2016-09-29

Family

ID=57073533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150038368A Ceased KR20160113410A (ko) 2015-03-19 2015-03-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160113410A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180230599A1 (en) * 2017-02-14 2018-08-16 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method
KR20190064969A (ko) 2017-12-01 2019-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180230599A1 (en) * 2017-02-14 2018-08-16 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method
US10941492B2 (en) * 2017-02-14 2021-03-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method
KR20190064969A (ko) 2017-12-01 2019-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9299579B2 (en) Etching method and plasma processing apparatus
KR101495288B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN100573830C (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US9368370B2 (en) Temperature ramping using gas distribution plate heat
KR101965154B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101257985B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2022100339A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20100019469A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법, 및 마이크로파 투과판
US7910495B2 (en) Plasma oxidizing method, plasma processing apparatus, and storage medium
CN108091589B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
US20150064921A1 (en) Low temperature plasma anneal process for sublimative etch processes
TW202002014A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2008235611A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6752357B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TWI822731B (zh) 蝕刻方法及電漿處理裝置
KR20160113410A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5972324B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US10580658B2 (en) Method for preferential oxidation of silicon in substrates containing silicon and germanium
TWI821764B (zh) 用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法
KR101909110B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102052337B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101559874B1 (ko) 기판 처리 장치 및 챔버 제조 방법
KR102095983B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102095982B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102674205B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20150319

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20160226

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20161031

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20160226

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I