KR20160110618A - Microwave switch with capacitive coupled control line - Google Patents
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Abstract
소스 단자, 드레인 단자 및 게이트 단자를 포함하고, 상기 게이트 단자에 인가되는 스위치 제어 전압 입력 노드와 상기 게이트 단자 사이에, 상기 소스 단자와 상기 드레인 단자 사이의 기생 커패시턴스에 의한 차단 성능 저하를 방지하는 용량형 조정 소자를 더 포함하는 전계효과트랜지스터 스위치가 제시된다.A semiconductor device comprising: a source terminal; a drain terminal; a gate terminal; a capacitance between the gate terminal and a switch control voltage input node applied to the gate terminal; a capacitance for preventing a blocking performance degradation due to parasitic capacitance between the source terminal and the drain terminal; A field effect transistor switch further comprising a type adjusting element is presented.
Description
본 발명은 초고주파 대역에서 사용되는 스위치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 이와 유사한 반도체 소자를 이용하여 초고주파 대역 신호의 경로에서 신호가 단락 또는 차단되도록 하는 마이크로파 스위치에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a switch used in a very high frequency band, and more particularly, to a microwave switch that uses a field effect transistor (FET) or a similar semiconductor device to short a signal in a path of a very high frequency band signal.
마이크로파 스위치는 초고주파 대역의 통신, 레이더 시스템 등에서 신호가 통과하는 경로에 설치되어 송/수신 신호의 분리나 신호 경로의 연결/차단을 수행하는 부품이다. 또한, 마이크로파 스위치는 전계 효과 트랜지스터(FET; Field Effect Transistor) 또는 이와 유사한 반도체 소자를 이용하여 제작될 수 있고, 이는 각종 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)에 이용될 수 있다.The microwave switch is a component installed in a path through which a signal passes in a communication or a radar system in a very high frequency band, and separates a transmission / reception signal and connects / disconnects a signal path. Also, the microwave switch can be fabricated using a field effect transistor (FET) or a similar semiconductor device, which can be used in various MMICs (monolithic microwave integrated circuits).
FET를 이용한 마이크로파 스위치는 간단하게는 신호가 통과하는 경로에 직렬로 FET를 연결하거나, 병렬 접지로 FET를 연결하여 구현할 수 있다. 스위치의 주요 성능 파라미터로는 삽입손실과 격리도 성능이 있다. 삽입 손실은 스위치가 단락(ON) 상태일 때 스위치를 통과하는 신호의 손실을 나타내고, 스위치의 격리도는 스위치가 차단(OFF) 상태일 때 신호를 얼마나 통과시키지 않는지를 나타내는 것으로, 단락(ON) 상태일 때 통과하는 신호 크기와 대비하여 나타낸 값이다.A microwave switch using a FET can be implemented simply by connecting a FET in series to a path through which the signal passes or by connecting the FET to parallel ground. The key performance parameters of the switch are insertion loss and isolation performance. The insertion loss indicates the loss of the signal passing through the switch when the switch is in the ON state and the isolation degree of the switch indicates how much the signal is not passed when the switch is in the OFF state. And the value of the signal passing through when it is compared with the signal magnitude.
특히 RF 스위치는 안테나와 RF 칩 간의 중요한 신호 경로 상에 위치하고 있다. 이때, 신호의 손실을 줄이기 위해서 스위치의 삽입 손실이 우수해야 하고, 다양한 주파수 대역 간의 간섭을 최소화 하기 위해서는 우수한 선형성 또한 요구된다. SPDT와 같은 RF 스위치는 GaAs와 같이 RF 성능이 확보되는 반도체 소자뿐만 아니라, 실리콘 공정의 발달로, SOI 공정을 이용한 전계효과 트랜지스터(FET)로도 구현되고 있다. 종래의 FET 스위치의 경우, 게이트 단의 제어전압에 의해 0.6 ~ 1 Mohm까지 값이 변하는 채널저항만 존재하나 실제의 스위치에는 각종 기생 성분들, 예를 들어 기생 커패시터 등이 존재하여 고주파로 갈수록 삽입손실, 격리도와 같은 스위치의 주요 성능이 열화된다.In particular, the RF switch is located on an important signal path between the antenna and the RF chip. In this case, the insertion loss of the switch must be excellent in order to reduce loss of signal, and excellent linearity is also required in order to minimize interference between various frequency bands. RF switches such as SPDTs are being implemented not only as semiconductor devices with RF performance like GaAs but also as field effect transistors (FET) using SOI process due to the development of silicon process. In the case of the conventional FET switch, there is only a channel resistance whose value varies from 0.6 to 1 Mohm according to the control voltage at the gate terminal. However, since various parasitic components such as parasitic capacitors exist in the actual switch, , The main performance of the switch such as isolation is degraded.
전술한 바와 같이 마이크로파 스위치의 격리도는 사용 주파수가 높아질수록 성능이 열화되는 경향이 있기 때문에, 스위치의 격리도 성능을 높이기 위해서 일반적으로 마이크로파 스위치는 직렬 또는 병렬 스위치를 다단으로 연결하거나, 직렬 FET와 병렬 접지된 FET를 동시에 사용하여 구성한다. 그러나 MMIC의 특성 상 회로들을 작은 크기로 구현하는 것이 유리한데, 이 경우 사용되는 스위치 소자가 증가되므로 소형의 MMIC 구현이 어렵게 된다. 이에 본 발명에서는, 격리도 성능을 향상시킨 마이크로파 스위치를 구현하되, 특히 MMIC 형태로 구현할 경우 스위치의 조정 선로에 작은 크기의 커패시터를 추가하므로 기존 회로의 크기에 영향을 주지 않는 소형의 고 격리도 마이크로파 스위치를 제안한다.As described above, since the isolation degree of the microwave switch tends to deteriorate as the use frequency increases, in order to improve the isolation performance of the switch, generally, the microwave switch connects the serial or parallel switch in multiple stages, The grounded FET is used simultaneously. However, it is advantageous to implement the circuits in a small size due to the characteristics of the MMIC. In this case, since the number of switch elements used increases, it is difficult to implement a small MMIC. In the present invention, a microwave switch having improved isolation performance is implemented. In particular, when the MMIC is implemented in the form of an MMIC, a small-sized capacitor is added to the control line of the switch. Therefore, Switch.
본 발명은, 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 그와 유사한 반도체 소자를 이용하여 초고주파 대역 신호의 경로에서 신호가 단락 또는 차단되도록 하는 마이크로파 스위치에 있어, 스위칭 소자로 사용되는 FET 소자의 ON/OFF를 조정하는 선로를 용량성 결합을 통해 기생 성분의 영향을 줄여 격리도 성능을 향상시킨 마이크로파 스위치를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention relates to a microwave switch in which a signal is short-circuited or blocked in a path of a very high frequency band signal by using a field effect transistor (FET) or a similar semiconductor element, and the ON / OFF of the FET element used as a switching element is adjusted The present invention relates to a microwave switch, and more particularly, to a microwave switch which has improved isolation performance by reducing the influence of parasitic components through capacitive coupling.
일측에 따르면, 소스 단자, 드레인 단자 및 게이트 단자를 포함하고, 상기 게이트 단자에 인가되는 스위치 제어 전압 입력 노드와 상기 게이트 단자 사이에, 상기 소스 단자와 상기 드레인 단자 사이의 기생 커패시턴스에 의한 차단 성능 저하를 방지하는 용량형 조정 소자를 더 포함하는 전계효과트랜지스터 스위치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including a source terminal, a drain terminal, and a gate terminal, wherein a blocking performance deterioration due to a parasitic capacitance between the source terminal and the drain terminal is lowered between a switch control voltage input node applied to the gate terminal and the gate terminal And a capacitive adjustment element for preventing the capacitive adjustment element.
본 발명의 실시예에 따라, 기존 회로의 크기에 영향을 주지 않은 채, FET 스위치의 소스 단자와 드레인 단자 사이의 기생 커패시턴스에 의한 차단 성능 저하를 방지함으로써, 격리도 성능을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, isolation performance can be improved by preventing the deterioration of the blocking performance due to the parasitic capacitance between the source terminal and the drain terminal of the FET switch without affecting the size of the existing circuit.
도 1는 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치를 도시한다.
도 2는 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 OFF 동작 시 등가 회로를 도시한다.
도 3는 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 ON 동작 시 등가 회로를 도시한다.
도 4는 일실시예에 따른 본 발명의 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치를 이용한 RF 스위칭 모듈이다.1 illustrates an FET switch having a capacitive coupling regulating line according to one embodiment.
Fig. 2 shows an equivalent circuit in the OFF operation of an FET switch having a capacitive coupling adjusting line according to an embodiment.
3 shows an equivalent circuit in an ON operation of an FET switch having a capacitive coupling adjusting line according to an embodiment.
4 is an RF switching module using an FET switch having a capacitive coupling adjustment line according to an embodiment of the present invention.
이하에서, 일부 실시예들을, 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.In the following, some embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is not limited or limited by these embodiments. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
아래 설명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다.Although the terms used in the following description have selected the general terms that are widely used in the present invention while considering the functions of the present invention, they may vary depending on the intention or custom of the artisan, the emergence of new technology, and the like.
또한 특정한 경우는 이해를 돕거나 및/또는 설명의 편의를 위해 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다.
Also, in certain cases, there may be terms chosen arbitrarily by the applicant for the sake of understanding and / or convenience of explanation, and in this case the meaning of the detailed description in the corresponding description section. Therefore, the term used in the following description should be understood based on the meaning of the term, not the name of a simple term, and the contents throughout the specification.
도 1은 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치를 도시한다.1 shows an FET switch having a capacitive coupling regulating line according to one embodiment.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치는 소스(Source) 단자, 드레인(Drain) 단자, 게이트(Gate) 단자, 저항(RCTRL), 및 커패시터(CCTRL)로 구성될 수 있다. 이 때 상기 저항(RCTRL)은 상기 게이트 단자에 인가되는 스위치 제어 전압 입력 노드와 상기 게이트 단자 사이의 저항이다. 또한, 커패시터(CCTRL)는 상기 게이트 단자에 인가되는 스위치 제어 전압 입력 노드와 상기 게이트 단자 사이에서 상기 소스 단자와 상기 드레인 단자 사이의 기생 커패시터에 의한 차단 성능 저하를 방지하기 위한 커패시터이다.Referring to FIG. 1, an FET switch having a capacitive coupling adjusting line according to an embodiment of the present invention includes a source terminal, a drain terminal, a gate terminal, a resistor R CTRL , (C CTRL ). Wherein the resistor R CTRL is the resistance between the gate terminal and the switch control voltage input node applied to the gate terminal. Also, the capacitor C CTRL is a capacitor for preventing the blocking performance degradation due to the parasitic capacitor between the source terminal and the drain terminal between the switch control voltage input node applied to the gate terminal and the gate terminal.
FET 스위치는 조정 선로에 인가되는 DC 전압에 따라 ON(VCTRL=0V), OFF(VCTRL=-2V) 제어가 되는데, 조정 선로를 통해 RF 신호가 누설되지 않도록 큰 저항 소자(RCTRL>1kohm)를 통해 조정 전압을 인가한다. 이를 통해 본 발명은 스위치 조정 선로의 저항(RCTRL)에 병렬로 커패시터(CCTRL)를 연결하여 고주파 대역에서 격리도 성능을 향상시킨 스위치를 제안한다. 도 1의 스위치의 동작은 도 2 및 도 3에서 도시하고 후술되는 등가회로로 설명할 수 있다.FET switches are controlled ON (V CTRL = 0V) and OFF (V CTRL = -2V) according to the DC voltage applied to the tuning line. A large resistance element (R CTRL > 1kohm ). ≪ / RTI > Accordingly, the present invention proposes a switch in which a capacitor ( CTRL ) is connected in parallel to a resistance (R CTRL ) of a switch control line to improve isolation performance in a high frequency band. The operation of the switch of Fig. 1 can be explained by the equivalent circuit shown in Figs. 2 and 3 and described later.
도 2는 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 OFF 동작 시 등가 회로를 도시한다.Fig. 2 shows an equivalent circuit in the OFF operation of an FET switch having a capacitive coupling adjusting line according to an embodiment.
도 2을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 OFF 동작 시 등가 회로는 CDS, CPS, CG, CPD, CCTRL 로 구성될 수 있다. 이때 상기 CDS 는 드레인과 소스 양단의 시간에 따른 전압 변화로 인한 전하량의 변화를 반영하는 드레인과 소스간의 커패시턴스를 갖는 커패시터를 의미한다. 상기 CPS 는 게이트와 기판 간의 커패시턴스인 산화막 커패시턴스 성분과 게이트와 소스의 중첩 부분의 커패시턴스 성분으로 이루어지는 게이트와 소스 간의 커패시턴스를 나타낸다. 상기 CG 는 게이트 전압 변화에 의한 전화량의 변화를 나타내는 단위 면적당 게이트 커패시턴스를 갖는 커패시터를 나타낸다. 상기 CPD는 게이트와 기판 간의 산화막 커패시턴스 성분과 게이트와 드레인의 중첩 부분 커패시턴스 성분으로 구성되는 게이트 드레인 간의 커패시턴스를 갖는 커패시터이다. 상기 CCTRL 는 상기 게이트 단자에 인가되는 스위치 제어 전압 입력 노드와 상기 게이트 단자 사이에서 상기 소스 단자와 상기 드레인 단자 사이의 기생 커패시터에 의한 차단 성능 저하를 방지하기 위한 커패시터이다.Referring to FIG. 2, an equivalent circuit in the OFF operation of the FET switch having the capacitive coupling adjusting line according to an embodiment of the present invention may be composed of C DS , C PS , C G , C PD, and C CTRL . Here, the C DS means a capacitor having a drain-source capacitance that reflects a change in the amount of charge due to a voltage change over time at both the drain and the source. The C PS represents a capacitance between a gate and a source, which is composed of an oxide film capacitance component, which is a capacitance between the gate and the substrate, and a capacitance component of the overlapping part of the gate and the source. And C G denotes a capacitor having a gate capacitance per unit area which indicates a change in the amount of the telephone due to a change in the gate voltage. The C PD is a capacitor having a capacitance between an oxide film capacitance component between a gate and a substrate and a gate drain composed of an overlapping capacitance component of a gate and a drain. The C CTRL is a capacitor for preventing a blocking performance deterioration due to a parasitic capacitor between the source terminal and the drain terminal between the switch control voltage input node applied to the gate terminal and the gate terminal.
상기 실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 OFF 상태의 스위치 등가회로에서 스위치의 통과 경로(Source-Drain)에 존재하는 CDS, CPS∥CG, CPD∥CG 등의 기생 커패시턴스로 인해 고주파 영역에서 동작 시 차단 성능이 떨어지게 되며, 이는 스위치의 격리도 성능을 열화시킨다. 스위치 차단 성능 개선을 위해 RCTRL에 병렬로 CCTRL을 배치하면 고주파 영역에서는 CCTRL만 보이게 되고 이 CCTRL을 통해 Source-Drain 사이의 신호를 줄일 수 있다. CCTRL값이 클수록 차단 성능 개선 효과가 증가되지만, 스위치의 삽입 손실 성능은 열화될 수 있다.In the switch equivalent circuit in the OFF state of the FET switch having the capacitive coupling adjusting line according to the above embodiment, C DS , C PS ∥C G , C PD ∥C G, etc. existing in the source- The parasitic capacitance causes the blocking performance to drop during operation in the high frequency range, which degrades the isolation performance of the switch. If C CTRL is placed in parallel with R CTRL to improve switch-off performance, only C CTRL is seen in the high-frequency range, and the signal between Source-Drain can be reduced through C CTRL . The larger the C CTRL value, the better the blocking performance is improved, but the insertion loss performance of the switch may deteriorate.
도 3는 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 ON 동작 시 등가 회로를 도시한다.3 shows an equivalent circuit in an ON operation of an FET switch having a capacitive coupling adjusting line according to an embodiment.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 ON 동작 시 등가 회로는 LS, RON, CG, CCTRL로 구성될 수 있다. 이 때, 상기 LS는 소스 트레이스의 기생 인덕턴스이다. 상기 RON 은 <ON> 동작시의 채널 저항이다. 상기 CG 는 게이트 전압 변화에 의한 전화량의 변화를 나타내는 단위 면적당 게이트 커패시턴스를 갖는 커패시터를 나타낸다. 상기 CCTRL 는 상기 게이트 단자에 인가되는 스위치 제어 전압 입력 노드와 상기 게이트 단자 사이에서 상기 소스 단자와 상기 드레인 단자 사이의 기생 커패시터에 의한 차단 성능 저하를 방지하기 위한 커패시터이다.Referring to FIG. 3, an equivalent circuit in the ON operation of the FET switch having the capacitive coupling adjusting line according to an embodiment of the present invention may be composed of L S , R ON , C G, and C CTRL . Here, L S is the parasitic inductance of the source trace. The R ON is the channel resistance at the time of the < ON > operation. And C G denotes a capacitor having a gate capacitance per unit area which indicates a change in the amount of the telephone due to a change in the gate voltage. The C CTRL is a capacitor for preventing a blocking performance deterioration due to a parasitic capacitor between the source terminal and the drain terminal between the switch control voltage input node applied to the gate terminal and the gate terminal.
상기 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치의 ON 상태의 스위치 등가회로에서도 조정 선로에는 고주파 영역에서 CCTRL만 보이게 되는데, 이때 스위치의 삽입 손실에 최소의 영향을 주는 CCTRL값으로 정해야 한다. 스위치의 격리도 성능 개선을 위한 CCTRL값은 CG 의 50 ~ 80% 정도의 값이며, 시뮬레이션 등을 통해 최적의 CCTRL값을 찾을 수 있다.In the switch equivalent circuit of the ON state of the FET switch having the capacitive coupling adjusting line according to the above embodiment, only the C CTRL is visible in the high frequency range. In this case, the C CTRL value having the smallest influence on the insertion loss of the switch I have to decide. The C CTRL value for improving the isolation performance of the switch is about 50 to 80% of C G , and an optimal C CTRL value can be found through simulation and the like.
한편, 본 발명에서 제안하는 FET 스위치를 이용한 RF 스위칭 모듈 또한 가능하다. RF 스위칭 모듈은 복수의 주파수 대역에서 원하는 주파수 대역을 효과적으로 선택하기 위해 필요한 핵심 기술이며, 본 발명의 FET 스위치를 이용하면, 종래의 릴레이 스위치보다 부피도 작고 반응속도도 빨라지는 이점을 제시할 수 있다. 예를 들어, 복수의 RF 입력신호 중에 하나의 RF 신호를 선택하여 출력하는 RF 스위칭 모듈에 있어서, 본 발명의 용량성 결합 조정 선로를 갖는 마이크로파 스위치를 이용하여 입력단과 출력단 사이의 격리도를 향상시킬 수 있다.Meanwhile, an RF switching module using the FET switch proposed in the present invention is also possible. The RF switching module is a core technology necessary for effectively selecting a desired frequency band in a plurality of frequency bands. By using the FET switch of the present invention, it is possible to provide an advantage that the volume is smaller and the reaction speed is faster than that of the conventional relay switch . For example, in an RF switching module for selecting and outputting one RF signal among a plurality of RF input signals, it is possible to improve isolation between an input terminal and an output terminal by using a microwave switch having the capacitive coupling adjustment line of the present invention have.
도 4는 일실시예에 따른 본 발명의 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치 두 개를 이용한 RF 스위칭 모듈의 명시적인 동작을 도시하고 있다. 또한 도 4는 전술한 도 2와 도 3의 FET 스위치의 <ON> 상태 및 <OFF> 상태의 회로를 동시에 이용한 것으로 볼 수 있고, 동일한 참조 부호를 공유한다.Figure 4 illustrates the explicit operation of an RF switching module using two FET switches with capacitive coupling regulation lines of the present invention in accordance with one embodiment. Further, FIG. 4 can be regarded as simultaneously using the circuits of the <ON> state and the <OFF> state of the FET switches of FIGS. 2 and 3 and shares the same reference numerals.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 용량성 결합 조정 선로를 갖는 FET 스위치를 이용한 RF 스위칭 모듈은 제1 RF 신호 입력단(IN1)으로 입력되는 RF 신호와 제2 RF 신호 입력단(IN2)으로 입력되는 RF 신호 중 제1 RF 신호만을 선택적으로 출력하는 상태를 나타낸다. 또한 도 4를 참조하면, 제1 RF 신호 입력단(IN1)은 <ON> 상태 스위치의 소스 단자와, 제2 RF 신호 입력단(IN1)은 <OFF> 상태 스위치의 소스 단자와 연결되어 있음을 알 수 있다. 추가적으로 두 스위치의 드레인 단자는 신호 출력단(OUT)과 연결되어 있다.
4, an RF switching module using an FET switch having a capacitive coupling adjustment line according to an embodiment of the present invention includes an RF signal input to a first RF signal input IN1 and a second RF signal input IN2 The first RF signal is selectively output from the first RF signal. 4, it can be seen that the first RF signal input IN1 is connected to the source terminal of the <ON> state switch and the second RF signal input IN1 is connected to the source terminal of the <OFF> state switch have. In addition, the drain terminals of the two switches are connected to the signal output (OUT).
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.
Claims (1)
상기 게이트 단자에 인가되는 스위치 제어 전압 입력 노드와 상기 게이트 단자 사이에, 상기 소스 단자와 상기 드레인 단자 사이의 기생 커패시턴스에 의한 차단 성능 저하를 방지하는 용량형 조정 소자를 더 포함하는
전계효과트랜지스터 스위치.A source terminal, a drain terminal, and a gate terminal,
Further comprising a capacitance type adjusting element between the gate terminal and a switch control voltage input node applied to the gate terminal to prevent a blocking performance degradation due to parasitic capacitance between the source terminal and the drain terminal
Field effect transistor switch.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150032683A KR20160110618A (en) | 2015-03-09 | 2015-03-09 | Microwave switch with capacitive coupled control line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020150032683A KR20160110618A (en) | 2015-03-09 | 2015-03-09 | Microwave switch with capacitive coupled control line |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20160110618A true KR20160110618A (en) | 2016-09-22 |
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Family Applications (1)
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-
2015
- 2015-03-09 KR KR1020150032683A patent/KR20160110618A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20150309 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination |