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KR20160103590A - 기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법 Download PDF

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KR20160103590A
KR20160103590A KR1020150025852A KR20150025852A KR20160103590A KR 20160103590 A KR20160103590 A KR 20160103590A KR 1020150025852 A KR1020150025852 A KR 1020150025852A KR 20150025852 A KR20150025852 A KR 20150025852A KR 20160103590 A KR20160103590 A KR 20160103590A
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KR
South Korea
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chamber
showerhead
ozone
gas
plasma
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이재승
구찬회
서문선
정태훈
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에이피시스템 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 무기막 및 유기막을 증착할 때 발생되는 증착 부산물을 효과적으로 인시튜 세정할 수 있는 기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는 박막의 화학적 기상 증착이 수행되는 챔버; 상기 챔버에 제공되어 상기 증착을 위한 공정가스를 분배하는 샤워 헤드; 상기 챔버의 내부에 제공되고, 상기 박막이 증착되는 기판이 지지되는 기판 지지대; 상기 챔버의 외부에서 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성하고, 제1 공급라인을 통해 상기 샤워 헤드에 상기 제1 식각가스의 플라즈마를 제공하는 원격 플라즈마 공급원; 및 오존을 발생시켜 상기 샤워 헤드에 제공하는 오존발생기를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법 {Substrate processing apparatus, Method for cleaning and operating the same}
본 발명은 기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 무기막 및 유기막을 증착할 때 발생되는 증착 부산물을 효과적으로 인시튜 세정할 수 있는 기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는 화학적 기상 증착 방법을 이용한 기판의 박막 증착 공정을 수행하는데, 이때 박막의 증착 부산물이 챔버 내벽 또는 샤워 헤드의 내부 공간에 증착되게 된다. 이러한 박막의 증착 부산물은 그 양이 많아지면 챔버 내부에서 부유하게 되어 제조된 반도체 회로의 결함을 야기하는 불순물의 오염을 유발하게 된다. 이에 일정한 두께 이상으로 박막의 증착 부산물이 증착될 경우 기판 처리 장치의 세정이 요구되는데, 박막 증착 공정을 위한 챔버 내부의 진공을 파괴하지 않기 위하여 기판 처리 장치의 인시튜 세정이 필요하다.
이러한 필요에 따라 한국등록특허 제10-0554643호(2006.02.16) 등에서는 원격 플라즈마 소스 세정(RPSC)을 이용한 인시튜 세정방법이 제시되어 있으나, 원격 플라즈마 소스 세정 장치에 산소(O2)를 투입할 경우 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 소스 세정 장치에 손상을 주게 되므로, 산소를 이용해야 하는 탄소를 포함하는 유기막 등의 증착 부산물을 제거할 경우에는 세정에 어려움이 있다.
한편, 챔버 내부에 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스를 직접 공급하고 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 탄소를 포함하는 박막의 증착 부산물을 제거하는 방법 등도 제안되는데, 이러한 경우 챔버 내부를 세정할 수는 있지만, 샤워 헤드의 내부 공간을 세정할 수 없다는 문제가 여전히 남아있다.
한국등록특허공보 제10-0554643호
본 발명은 무기막 및 유기막을 증착할 때 발생되는 증착 부산물을 플루오린(F) 래디칼(Radical)과 오존(O3)을 이용해 효과적으로 인시튜 세정할 수 있는 기판 처리 장치, 그 세정방법 및 운용방법을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는 박막의 화학적 기상 증착이 수행되는 챔버; 상기 챔버에 제공되어 상기 증착을 위한 공정가스를 분배하는 샤워 헤드; 상기 챔버의 내부에 제공되고, 상기 박막이 증착되는 기판이 지지되는 기판 지지대; 상기 챔버의 외부에서 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성하고, 제1 공급라인을 통해 상기 샤워 헤드에 상기 제1 식각가스의 플라즈마를 제공하는 원격 플라즈마 공급원; 및 오존을 발생시켜 상기 샤워 헤드에 제공하는 오존발생기를 포함할 수 있다.
상기 오존발생기는 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리된 제2 공급라인을 통해 상기 샤워 헤드와 연결될 수 있다.
상기 샤워 헤드 또는 기판 지지대에 전원을 인가하여 상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 전원공급부를 더 포함할 수 있다.
상기 챔버에 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스를 공급하는 제3 공급라인을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 공급라인은 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리될 수 있다.
상기 제1 식각가스의 플라즈마와 상기 오존은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하는 증착 부산물을 제거할 수 있다.
상기 제1 식각가스는 플루오린(F)계 가스일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 세정방법은 샤워 헤드가 구비된 챔버에서 박막의 화학적 기상 증착을 수행하는 기판 처리 장치의 세정방법에 있어서, 원격 플라즈마 공급원에서 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 제1 식각가스의 플라즈마를 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계; 및 오존을 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 식각가스의 플라즈마를 공급하는 단계 및 상기 오존을 공급하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.
상기 오존은 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리되어 상기 샤워 헤드에 공급될 수 있다.
상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 챔버 내부에 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 식각가스는 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리되어 공급될 수 있다.
상기 제1 식각가스의 플라즈마와 상기 오존은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하는 증착 부산물을 제거할 수 있다.
상기 제1 식각가스는 플루오린(F)계 가스일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 운용방법은 샤워 헤드가 구비된 챔버에서 박막의 화학적 기상 증착을 수행하는 기판 처리 장치의 운용방법에 있어서, 기판을 상기 챔버 내부에 로딩하는 단계; 상기 기판 상에 유기막과 무기막의 적층구조를 형성하는 단계; 상기 기판을 상기 챔버에서 언로딩하는 단계; 원격 플라즈마 공급원에서 플루오린(F) 래디칼을 형성하여 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계; 오존을 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리하여 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계; 및 상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 플루오린 래디칼과 상기 오존은 동시에 상기 샤워 헤드에 공급될 수 있다.
상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계는 상기 챔버 내부에 산소 원자(O)를 포함하는 가스를 공급하면서 수행될 수 있다.
상기 플루오린 래디칼과 상기 오존은 상기 적층구조를 형성하는 단계에서 생성되어 상기 샤워 헤드의 내부 공간에 잔류하는 증착 부산물을 제거할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는 플루오린(F) 래디칼(Radical)과 오존(O3)을 샤워 헤드를 통해 챔버 내부에 공급하므로 무기막 및 유기막을 구성하는 증착 부산물도 효과적으로 인시튜 세정할 수 있다. 또한, 플루오린 래디칼과 오존이 샤워 헤드를 거치게 되기 때문에 샤워 헤드의 내부 공간도 효과적으로 세정할 수 있고, 이에 샤워 헤드의 내부 공간에 증착된 탄소를 함유하는 유기막의 증착 부산물을 세정하지 못하던 문제를 해결할 수 있다.
그리고 플루오린 래디칼과 오존을 동시에 공급하여 더욱 효과적으로 기판 처리 장치를 세정할 수 있으며, 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원을 지나지 않도록 함으로써 원격 플라즈마 공급원에 산소가 투입되어 높은 온도의 열이 발생하고 이에 따라 원격 플라즈마 공급원이 손상되었던 문제를 해결할 수 있다.
또한, 챔버 내부에 플라즈마를 형성하여 더욱 효과적으로 챔버 내부를 세정할 수 있고, 제2 식각가스를 통해 탄소가 함유된 증착 부산물의 세정 효과를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 세정방법을 나타낸 순서도.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 박막의 화학적 기상 증착이 수행되는 챔버(110); 상기 챔버(110)에 제공되어 상기 증착을 위한 공정가스를 분배하는 샤워 헤드(120); 상기 챔버(110)의 내부에 제공되고, 상기 박막이 증착되는 기판(10)이 지지되는 기판 지지대(130); 상기 챔버(110)의 외부에 설치되어 제1 공급라인(141)을 통해 상기 샤워 헤드(120)와 연결되고, 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성하는 원격 플라즈마 공급원(140); 및 오존을 발생시켜 상기 샤워 헤드(120)에 제공하는 오존발생기(150)를 포함할 수 있다.
챔버(110)는 박막의 화학적 기상 증착이 수행되는 공간을 제공하며, 챔버(110) 내부에 진공이 형성되도록 할 수도 있고, 효과적인 증착을 위해 챔버(110) 내부에 플라즈마가 형성되도록 할 수도 있다. 그리고 챔버(110)는 가스의 배기를 위한 배기수단(180)이 하측에 형성될 수 있으며, 직각형, 돔형, 실린더형 등을 포함할 수 있고, 금속, 세라믹, 유리, 폴리머 및 합성물을 포함하는 다양한 재료로 제조될 수 있다.
샤워 헤드(120)는 챔버(110)에 제공되고, 가스 공급라인(예를 들어, 공정가스 공급라인)과 연결되어 공급되는 상기 증착을 위한 공정가스를 챔버(110) 내부에 분배하여 제공한다. 그리고 샤워 헤드(120)는 금속 재질로 이루어질 수 있으며, 그 재료에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 샤워 헤드(120)는 가스의 분배를 위한 내부 공간(121)과 가스를 챔버(110) 내부로 분사시키는 노즐부(122) 등을 포함한다. 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)과 노즐부(122)는 공정가스의 소모량, 가스의 분배 효율성 및 가스 분사 속도 등을 제어하기 위해서 그 폭 혹은 간격이 제한된다. 특히, PECVD(플라즈마 강화 화학적 기상 증착 장치)는 플라즈마 효율을 위해서 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 플라즈마가 발생되지 않도록 플라즈마 쉬스(Plasma sheath) 두께에 근사하거나 그보다 얇을 수 있도록 그 폭 혹은 간격을 작게 조절한다. 따라서, 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 증착 부산물이 형성되면, 증착 부산물을 효과적으로 제거하기 위해서는 식각가스의 활성종(또는 반응종) 등을 외부에서 형성하여 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)으로 투입하여야 한다.
기판 지지대(130)는 챔버(110)의 내부에 제공되고, 박막이 증착되는 기판(10)이 지지된다. 기판 지지대(130)는 기판(10)을 지지하기 위해 챔버(110)의 내측 하부에 배치될 수 있고, 기판(10)이 기판 지지대(130) 상에 지지되며, 기판(10)이 정전기적으로 유지될 수 있도록 대전가능한 정전척 등을 포함할 수 있다.
원격 플라즈마 공급원(140)은 챔버(110)의 외부에 챔버(110)와 이격되어 설치되고, 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성한다. 원격 플라즈마 공급원(140)은 원격 플라즈마 소스 세정(RPSC) 장치를 포함할 수 있고, 300 ㎑ 내지 500 ㎑의 라디오 주파수 범위 내의 주파수를 이용할 수 있으며, 이에 특별히 한정되지 않는다. 그리고 원격 플라즈마 공급원(140)은 제1 공급라인(141)을 통해 챔버(110) 내의 샤워 헤드(120)에 연결될 수 있다. 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)은 그 폭 혹은 간격이 작기 때문에 내부 공간(121)에 플라즈마를 형성할 수 없어 샤워 헤드 내부 공간(121)의 세정을 위해서는 외부에서 제1 식각가스의 플라즈마를 공급하여야 하며, 이에 원격 플라즈마 공급원(140)이 필요하다. 제1 공급라인(141)은 직선 구조일 수 있으며, 제1 공급라인(141)에는 밸브(미도시)가 마련될 수 있고, 제1 공급라인(141)의 중간에는 상기 증착을 위한 공정가스의 공급라인이 연결될 수도 있다.
오존발생기(150)는 챔버(110)의 외부에 위치하고, 오존(O3)을 발생시켜 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 제공한다. 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 증착된 탄소(C)를 함유한 박막의 증착 부산물을 제거하기 위해서는 산소 활성종이 필요한데, 샤워 헤드 내부 공간(121)의 폭 혹은 간격이 작기 때문에 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 플라즈마를 형성할 수 없으므로 외부에서 산소 활성종을 투입하여야 한다. 하지만, 원격 플라즈마 공급원(140)에 산소(O2)를 투입하여 산소 플라즈마를 형성하면, 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원(140)에 손상을 주기 때문에 산소 플라즈마 대신에 원격 플라즈마 공급원(140)과 분리된 오존발생기(150)에서 오존을 발생시켜 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 제공한다. 오존발생기(150)는 무성 방전, 용액의 전기 분해 등을 이용해서 오존을 발생시키는데, 산소 원자(O)를 포함하는 가스를 원료물질로 사용할 수 있다. 여기서, 오존은 산소 분자(O2)에 활성 산소(O)가 작용해서 생성된 것으로, 불안정하여 2원자의 산소(O2)로 분해되려는 경향이 있어 강한 산화력을 가지기 때문에 탄소(C)를 함유한 박막의 증착 부산물과 쉽게 반응하므로 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2) 등과 같은 가스 형태로 변환되어 제거가 가능하게 된다. 오존이 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 제공되면, 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에서 탄소(C)를 함유한 박막의 증착 부산물을 제거하고, 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에서 증착 부산물의 제거에 사용되지 않은 오존은 샤워 헤드(120)에 의해 분배되어 챔버(110) 내부로 유입되며, 유입된 오존이 챔버(110) 내부의 증착 부산물을 제거한다. 이때, 대부분의 오존은 산소로 변이되게 되는데, 오존은 라이프 타임(Life time)이 존재하여 일정 시간이 지난 후 2원자의 산소(O2)와 활성 산소(O)로 분해되고 분해된 활성 산소(O)들은 다시 서로 결합하여 산소 분자(O2)가 되기 때문이다. 이러한 이유로 더욱 효과적인 챔버(110) 내부의 세정을 위해 챔버(110) 내부에 산소의 활성화를 위한 플라즈마를 형성할 수 있다.
샤워 헤드(120) 또는 기판 지지대(130)에 전원을 인가하여 챔버(110) 내부에 플라즈마를 형성하는 전원공급부(160)를 더 포함할 수 있다. 챔버(110) 내부에 플라즈마를 형성하는 방법으로 샤워 헤드(120) 및 기판 지지대(130)를 각각 플라즈마 형성을 위한 상부 전극과 하부 전극으로 사용할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지대(130)는 접지되고, 샤워 헤드(120)는 전원공급부(160)에 연결되어 전원이 인가될 수 있다. 반대로, 샤워 헤드(120)가 접지되고 기판 지지대(130)에 전원공급부(160)가 연결되어 전원이 인가될 수도 있으며, 복수의 전원공급부(160)가 샤워 헤드(120)와 기판 지지대(130)에 각각 연결되어 전원이 인가될 수도 있다. 전원공급부(160)는 RF 전원 또는 DC 전원을 포함할 수 있고, 예를 들어 RF 전원이 샤워 헤드(120) 또는 기판 지지대(130)에 인가되면 샤워 헤드(120)와 기판 지지대(130) 사이에 RF 플라즈마가 발생된다.
오존발생기(150)는 원격 플라즈마 공급원(140)과 분리된 제2 공급라인(151)을 통해 샤워 헤드(120)와 연결될 수 있다. 오존을 포함하여 산소 원자가 포함된 가스가 원격 플라즈마 공급원(140)에 투입될 경우, 산소 플라즈마의 발생에 의해 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원(140)에 손상을 주게 된다. 이에 오존 또는 오존의 발생에 사용되는 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원(140)에 투입되지 않도록 제1 공급라인(141)과 다른 제2 공급라인(151)을 통해 오존발생기(150)가 샤워 헤드(120)에 연결된다. 한편, 제2 공급라인(151)이 제1 공급라인(141)의 중간에 연결되어 샤워 헤드(120)와 연결될 수도 있다. 여기서, 본 발명에서 사용하는 “원격 플라즈마 공급원(140)과 분리”는 원격 플라즈마 공급원(140)과 직접 연결되어 있지 않거나, 혹은 원격 플라즈마 공급원(140)의 전단에 연결되지 않는 것을 의미하는 것으로, 원격 플라즈마 공급원(140)의 후단(예를 들어, 제1 공급라인)에 연결되어 오존이 원격 플라즈마 공급원(140)으로 유입되지 않는 것을 포함한다.
기판 처리 장치(100)는 챔버(110)에 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스를 공급하는 제3 공급라인(171)을 더 포함할 수 있다. 오존은 산소 플라즈마보다는 반응성이 약하기 때문에 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)을 세정하고 나면, 챔버(110) 내부의 세정은 효과적이지 못하게 되고, 챔버(110) 내부로 유입되는 산소도 그 양이 많지 않다. 이에 챔버(110) 내부의 세정 효과를 향상시키기 위해 산소 가스 공급원(170)에서 제3 공급라인(171)을 통해 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스를 챔버(110) 내부에 더 공급한다. 이렇게 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 챔버(110) 내부에 공급되면, 챔버(110) 내부에 산소의 양이 많아지고 챔부(110) 내부에 플라즈마를 형성하여 많은 양의 산소 플라즈마를 생성할 수 있으며, 이러한 많은 양의 산소 플라즈마가 챔버(110) 내벽에 증착된 탄소를 포함하는 박막의 증착 부산물과 반응하여 증착 부산물을 효과적으로 제거시킬 수 있다. 한편, 제3 공급라인(171)은 샤워 헤드(120)를 통하지 않고 챔버(110) 내부에 직접 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스를 공급할 수도 있으며, 샤워 헤드(120)를 통해 챔버(110) 내부에 균일하게 분배하여 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스를 공급할 수도 있다.
제3 공급라인(171)은 원격 플라즈마 공급원(140)과 분리될 수 있다. 제3 공급라인(171)이 원격 플라즈마 공급원(140)과 연결되면, 제3 공급라인(171)을 통해 공급되는 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원(140)에 투입됨으로 인해 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원(140)이 손상되게 된다. 이에 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원(140)을 지나지 않도록 제3 공급라인(171)을 원격 플라즈마 공급원(140)과 분리시킬 수 있다. 일실시예로, 제3 공급라인(171)은 제1 공급라인(141)에 연결될 수 있다. 제3 공급라인(171)이 제1 공급라인(141)의 중간에 연결되게 되면, 제3 공급라인(171)을 통해 공급되는 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원(140)을 지나지 않게 된다. 이에 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원(140)에 투입됨으로 인해 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원(140)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그리고 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 샤워 헤드(120)를 통해 챔버(110) 내부에 공급될 수 있기 때문에 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 챔버(110) 내부에 균일하게 분배될 수 있어 효과적으로 챔버(110) 내부를 세정할 수 있다. 한편, 제3 공급라인(171)은 제1 공급라인(141)의 중간에 연결되는 상기 증착을 위한 공정가스의 공급라인일 수 있다.
제1 식각가스의 플라즈마와 오존은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하는 증착 부산물을 제거할 수 있다. 화학적 기상 증착으로 증착되는 박막은 유기발광다이오드(OLED)의 봉지막을 형성하는 베리어막과 버퍼막일 수 있는데, SiO2, SiNx 등의 무기막과 SiOC 등의 유기막이 교번적층된다. 이때, 발생되는 증착 부산물은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하게 되는데, 종래에는 플루오린(F) 래디칼(Radical)을 이용해 실리콘 성분만을 제거할 수 있을 뿐, 원격 플라즈마 공급원에서 산소 플라즈마를 형성하여 샤워 헤드에 공급하는 것이 어려웠기 때문에 샤워 헤드의 내부 공간에 증착된 탄소를 포함하는 증착 부산물을 제거하지 못하였다. 하지만, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 원격 플라즈마 공급원(140)에서 공급되는 제1 식각가스의 플라즈마에 포함된 플루오린 래디칼을 이용해 실리콘 성분을 제거할 수 있고, 원격 플라즈마 공급원(140)과는 별도로 오존을 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 제공하여 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 증착된 탄소를 포함하는 증착 부산물을 제거할 수 있기 때문에 챔버(110)의 내부뿐만 아니라 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)까지 효과적으로 세정할 수 있다. 한편, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 단일 챔버에서 탄소(C)가 함유된 유기막과 실리콘(Si)계 무기막의 복합막을 적층하는 적층 공정을 수행할 수 있는데, 이러한 적층 공정을 통해 탄소와 실리콘을 포함하는 박막의 증착 부산물이 챔버(110)의 내부 및 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 증착될 수 있다.
제1 식각가스는 플루오린(F)계 가스일 수 있다. 제1 식각가스는 불화질소, 불화탄소, 불화황, 불화염소, 불화질소나 불화탄소의 혼합가스 또는 상기 가스들과 산소, 질소 또는 불활성 가스와의 혼합가스 등의 플루오린계(또는 플루오린 함유) 가스가 이용될 수 있다. 구체적으로 NF3, ClF3, CF4, SF6, C2F6, C3F8나 이들과 산소와의 혼합가스, NF3와 질소와의 혼합가스, NF3와 희석가스와의 혼합가스가 이용될 수 있다. 여기서, 산소가 혼합된 가스는 원격 플라즈마 공급원(140)에 투입되면 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원(140)에 손상을 줄 수 있으므로 원격 플라즈마 공급원(140)이 켜져 있을 경우 사용하지 않는 것이 바람직하고, 원격 플라즈마 공급원(140)이 꺼져 있을 경우에는 사용할 수도 있다. 그리고 희석가스는 헬륨, 아르곤, 네온, 크세논 또는 크립톤이 이용될 수 있다. 플루오린계 가스는 소정의 유량으로 조절된 후 원격 플라즈마 공급원(140) 내로 공급되어 원격 플라즈마 공급원(140) 내부에서 활성화되어(또는 해리되어) 플루오린 래디칼(Radical)이 되고, 이러한 플루오린 래디칼은 제1 공급라인(141)을 통과하여 챔버(110) 내의 샤워 헤드(120)로 유입된다. 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 유입된 플루오린 래디칼은 샤워 헤드(120)를 통해 챔버(110) 내부에 균일하게 공급되는데, 챔버(110)의 내벽이나 샤워 헤드(120) 등에 증착된 실리콘을 포함하는 박막의 증착 부산물과 화학적으로 반응한다. 이때, 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 유입된 플루오린 래디칼은 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에 증착된 실리콘을 포함하는 박막의 증착 부산물과 먼저 반응하여 제거시키고, 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)에서 증착 부산물의 제거에 사용되지 않은 플루오린 래디칼이 샤워 헤드(120)를 통해 챔버(110) 내부에 균일하게 공급된다. 실리콘을 포함하는 박막의 증착 부산물은 플루오린 래디칼과 화학적으로 반응하여 가스화됨으로 배기수단(180)에 의해 챔버(110)의 외부로 방출된다.
한편, 챔버(110) 내부의 세정시 증착 공정 후 증착 부산물이 증착된 셰도우 마스크도 함께 인시튜 세정할 수도 있다. 그리고 챔버 세정 공정 조건의 일실시예로, 샤워 헤드(120)의 크기가 375 ㎜ × 375 ㎜ 장비인 경우, SiNx 및 SiOC 막을 약 3 ㎛(기판 기준, 두께의 합) 증착시, 다음과 같은 조건의 챔버 세정 공정을 5분간 수행하여 챔버(110) 내부와 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)을 완벽히 세정할 수 있다. 첫째로, RPSC(140)의 사용 조건은 CF4 가스의 공급률을 400 sccm, 아르곤 가스의 공급률을 1000 sccm, RPSC(140)의 파워를 5 ㎾로 한다. 둘째로, 오존발생기(150)의 사용 조건은 산소(O2)의 공급률을 500 내지 1000 sccm, 전원의 세기를 1 ㎾, 오존의 발생 효율을 50 내지 80 %로 한다. 셋째로, 챔버(110) 자체 플라즈마(즉, 챔버 내부에 형성하는 플라즈마)는 전원의 세기를 1000 W로 한다. 이러한 챔버 세정 공정을 수행하여 챔버(110) 내부와 샤워 헤드(120)의 내부 공간(121)을 완벽히 세정할 수 있었다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 세정방법을 나타낸 순서도이다.
도 2를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 세정방법을 보다 상세히 살펴보는데, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치와 관련하여 앞서 설명된 부분과 중복되는 사항들은 생략하도록 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 세정방법은 샤워 헤드가 구비된 챔버에서 박막의 화학적 기상 증착을 수행하는 기판 처리 장치의 세정방법에 있어서, 원격 플라즈마 공급원에서 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성하는 단계(S110); 상기 제1 식각가스의 플라즈마를 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계(S120); 및 오존을 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계(S200)를 포함할 수 있다.
먼저 원격 플라즈마 공급원에서 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성한다(S110). 제1 식각가스가 박막의 증착 부산물과 반응할 수 있도록 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성함으로 제1 식각가스를 활성화시킨다. 원격 플라즈마 공급원으로 원격 플라즈마 소스 세정(RPSC) 장치를 사용할 수 있고, 300 ㎑ 내지 500 ㎑의 라디오 주파수 범위 내의 주파수를 이용할 수 있는데, 이에 특별히 한정되지 않는다.
곧이어, 제1 식각가스의 플라즈마를 샤워 헤드에 공급한다(S120). 제1 식각가스의 플라즈마를 샤워 헤드에 공급하면, 제1 식각가스의 플라즈마가 샤워 헤드의 내부 공간을 먼저 세정한 후 챔버에 공급되어 챔버 내부를 세정하게 된다. 이에 챔버 내부뿐만 아니라 샤워 헤드의 내부 공간까지 효과적으로 세정할 수 있다.
그리고 오존을 샤워 헤드에 공급한다(S200). 오존은 오존발생기에 의해서 생성될 수 있고, 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스를 원료물질로 사용할 수 있다. 여기서, 오존은 산소 분자(O2)에 활성 산소(O)가 작용해서 생성된 것으로, 불안정하여 2원자의 산소(O2)로 분해되려는 경향이 있어 강한 산화력을 가지기 때문에 탄소(C)를 함유한 박막의 증착 부산물과 쉽게 반응하게 된다. 오존이 샤워 헤드의 내부 공간에 제공되면, 샤워 헤드의 내부 공간에서 탄소를 함유한 박막의 증착 부산물을 제거하고, 샤워 헤드의 내부 공간에서 증착 부산물의 제거에 사용되지 않은 오존은 샤워 헤드에 의해 분배되어 챔버 내부로 유입됨으로써 챔버 내벽에 증착된 탄소를 함유한 박막의 증착 부산물을 제거한다. 오존이 챔버 내부로 유입될 때, 대부분의 오존은 산소로 변이되게 되는데, 오존은 라이프 타임(Life time)이 존재하여 일정 시간이 지난 후 2원자의 산소(O2)와 활성 산소(O)로 분해되고 분해된 활성 산소(O)들은 다시 서로 결합하여 산소 분자(O2)가 되기 때문이다. 이러한 이유로 더욱 효과적인 챔버 내부의 세정을 위해 챔버 내부에 산소의 활성화를 위한 플라즈마를 형성할 수도 있다.
상기 오존은 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리되어 샤워 헤드에 공급될 수 있다. 원격 플라즈마 공급원에 오존 등의 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 투입되면 고온의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원에 손상을 주기 때문에 오존이 원격 플라즈마 공급원을 통과하여서는 안 되는데, 오존을 원격 플라즈마 공급원과 분리하여 샤워 헤드에 공급하면 오존이 원격 플라즈마 공급원을 통과하지 않게 할 수 있다. 이에 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원에 투입됨으로 인해 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 오존은 제1 식각가스의 플라즈마와 다른 공급라인으로 공급되어 샤워 헤드로 유입되기 전에 원격 플라즈마 공급원에서 생성된 제1 식각가스의 플라즈마와 합쳐져서 샤워 헤드에 공급될 수도 있다.
챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계(S300)를 더 포함할 수 있다. 챔버 내부에 플라즈마를 형성하지 않을 경우, 챔버 내부에 존재하는 산소는 거의 2원자의 산소(O2)로 존재하게 되어 챔버 내벽에 증착된 탄소가 함유된 박막의 증착 부산물이 잘 제거되지 않지만, 챔버 내부에 플라즈마를 형성하게 되면, 샤워 헤드보다 넓은 챔버 내부를 오존보다 반응성이 좋은 산소 플라즈마를 이용해 효과적으로 세정할 수 있다.
챔버 내부에 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스를 공급하는 단계(S210)를 더 포함할 수 있다. 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스는 오존발생기에서 오존을 발생시키기 위해 사용될 수도 있고, 챔버 내벽에 증착된 탄소를 함유한 박막의 증착 부산물을 제거하기 위한 산소 플라즈마를 형성하기 위해 사용될 수도 있다. 오존은 산소 플라즈마보다는 반응성이 약하기 때문에 샤워 헤드의 내부 공간을 세정하고 나면, 챔버 내부의 세정은 효과적이지 못하게 되고, 챔버 내부로 유입되는 산소도 그 양이 많지 않다. 이에 챔버 내부의 세정 효과를 향상시키기 위해 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스를 챔버 내부에 더 공급할 수 있다. 이렇게 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 챔버 내부에 더 공급되면, 챔버 내부에 산소의 양이 많아지고 챔부 내부에 플라즈마를 형성함으로 많은 양의 산소 플라즈마를 생성할 수 있으며, 이러한 많은 양의 산소 플라즈마가 챔버 내벽에 증착된 탄소를 포함하는 박막의 증착 부산물과 반응하여 증착 부산물을 효과적으로 제거시킬 수 있다.
제2 식각가스는 원격 플라즈마 공급원과 분리되어 공급될 수 있다. 산소 원자를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원에 투입되면, 산소 플라즈마에 의해 높은 온도의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원이 손상되게 된다. 이에 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원을 지나지 않도록 제2 식각가스를 원격 플라즈마 공급원과 분리하여 공급할 수 있다. 한편, 제2 식각가스는 상기 증착을 위한 공정가스의 공급라인을 통해 공급될 수도 있다.
제1 식각가스의 플라즈마와 오존은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하는 증착 부산물을 제거할 수 있다. 화학적 기상 증착으로 증착되는 박막은 유기발광다이오드(OLED)의 봉지막을 형성하는 베리어막과 버퍼막일 수 있는데, SiO2, SiNx 등의 무기막과 SiOC 등의 유기막이 교번적층된다. 이때, 발생되는 증착 부산물은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하게 되는데, 탄소 성분을 제거하기 위해서는 산소 활성종(예를 들어, 산소 플라즈마 또는 오존)을 사용하여야 한다. 종래에는 원격 플라즈마 공급원에 산소가 투입되면 고온의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원에 손상을 주기 때문에 원격 플라즈마 공급원에서 산소 플라즈마를 형성하여 샤워 헤드에 공급하는 것이 어려웠고, 챔버 내부에 산소 플라즈마를 형성한다고 하여도 산소 플라즈마를 샤워 헤드의 내부 공간으로 주입시키기가 어려웠기 때문에 샤워 헤드의 내부 공간에 증착된 탄소를 포함하는 증착 부산물을 제거하지 못하였다. 하지만, 본 발명에서는 오존을 샤워 헤드의 내부 공간에 제공하여 샤워 헤드의 내부 공간에 증착된 탄소를 포함하는 박막의 증착 부산물을 제거할 수 있기 때문에 챔버의 내부뿐만 아니라 샤워 헤드의 내부 공간까지 효과적으로 세정할 수 있다.
제1 식각가스는 플루오린(F)계 가스일 수 있다. 플루오린 래디칼(Radical)은 실리콘과 화학적으로 반응하기 때문에 제1 식각가스로 플루오린계 가스를 사용하여 플루오린 래디칼을 생성하면 효과적으로 실리콘 박막을 제거할 수 있다. 플루오린계 가스는 불화질소, 불화탄소, 불화황, 불화염소, 불화질소나 불화탄소의 혼합가스 또는 상기 가스들과 산소, 질소 또는 불활성 가스와의 혼합가스 등의 플루오린 함유 가스일 수 있고, 구체적으로 NF3, ClF3, CF4, SF6, C2F6, C3F8나 이들과 산소와의 혼합가스, NF3와 질소와의 혼합가스, NF3와 희석가스와의 혼합가스일 수 있다.
상기 제1 식각가스의 플라즈마를 공급하는 단계(S120) 및 상기 오존을 공급하는 단계(S200)는 동시에 수행될 수 있다. 제1 식각가스와 오존을 동시에 공급하면 효과적으로 박막의 증착 부산물을 제거할 수 있는데, 예를 들어 탄소와 실리콘을 포함하는 박막의 증착 부산물은 탄소와 실리콘의 덩어리이기 때문에 플루오린 플라즈마와 오존을 동시에 공급하여야 효과적으로 박막의 증착 부산물을 제거할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 운용방법을 보다 상세히 살펴보는데, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치 및 그 세정방법과 관련하여 앞서 설명된 부분과 중복되는 사항들은 생략하도록 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 운용방법은 샤워 헤드가 구비된 챔버에서 박막의 화학적 기상 증착을 수행하는 기판 처리 장치의 운용방법에 있어서, 기판을 상기 챔버 내부에 로딩하는 단계; 상기 기판 상에 유기막과 무기막의 적층구조를 형성하는 단계; 상기 기판을 상기 챔버에서 언로딩하는 단계; 원격 플라즈마 공급원에서 플루오린(F) 래디칼을 형성하여 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계; 오존을 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리하여 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계; 및 상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 플루오린 래디칼과 상기 오존은 동시에 상기 샤워 헤드에 공급될 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는 유기막과 무기막의 복합막을 단일 챔버에서 적층할 수 있는 기판 처리 장치일 수 있고, 기판을 챔버 내부로 로딩하여 유기막과 무기막의 복합막을 적층한 후 기판을 챔버에서 언로딩하게 된다. 박막의 화학적 기상 증착시 챔버에는 증착 부산물이 증착되게 되는데, 일정 횟수의 증착 후 챔버의 세정이 필요하다. 본 발명의 기판 처리 장치는 유기막과 무기막의 복합막을 단일 챔버에서 적층할 수 있을 뿐만 아니라 챔버의 증착된 증착 부산물을 인시튜 세정할 수도 있다. 한편, 기판이 로딩된 상태로도 챔버를 세정할 수 있는데, 기판에 적층된 박막이 식각가스에 의해 식각되지 않도록 식각가스를 차단하는 차단수단(미도시)이 필요하다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 인시튜 세정방법은 다음과 같다.
먼저 원격 플라즈마 공급원에서 플루오린(F) 래디칼을 형성하여 상기 샤워 헤드에 공급한다. 그리고 동시에 오존을 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리하여 상기 샤워 헤드에 공급한다. 이에 따라 챔버 내부뿐만 아니라 샤워 헤드까지 효과적으로 세정할 수 있고, 샤워 헤드를 통해 플루오린 래디칼과 오존이 챔버 내부에 골고루 분배된다. 여기서, 플루오린 래디칼과 오존은 상기 적층구조를 형성하는 단계에서 생성되어 샤워 헤드의 내부 공간에 잔류하는 증착 부산물을 제거할 수 있는데, 플루오린 래디칼은 탄소를 포함하는 증착 부산물을 제거하고, 오존은 실리콘을 포함하는 증착 부산물을 제거하게 된다. 한편, 플루오린 래디칼은 샤워 헤드 내부의 폭 혹은 간격이 작아 플라즈마를 형성할 수 없기 때문에 원격에서 형성하여 샤워 헤드에 공급하고, 오존은 원격 플라즈마 공급원에 투입되면 산소 플라즈마에 의해 원격 플라즈마 공급원에서 고온의 열이 발생하여 원격 플라즈마 공급원에 손상을 주기 때문에 원격 플라즈마 공급원과 분리되어 공급된다.
다음으로, 챔버 내부에 플라즈마를 형성한다. 플루오린 래디칼과 오존은 일정 시간이 흐르면 반응성을 잃게 되는데, 반응성을 잃은 플루오린 가스 또는 산소 가스를 활성화시켜 챔버 내부를 효과적으로 세정할 수 있다. 이때, 더욱 효과적인 세정을 위해 상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계는 챔버 내부에 산소 원자(O)를 포함하는 가스를 공급하면서 수행될 수 있다.
이처럼, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는 플루오린(F) 래디칼(Radical)과 오존(O3)을 샤워 헤드를 통해 챔버 내부에 공급하므로 실리콘(Si)계 무기막의 증착 부산물뿐만 아니라 탄소(C)가 함유된 유기막의 증착 부산물도 효과적으로 인시튜 세정할 수 있다. 또한, 플루오린 래디칼과 오존이 샤워 헤드를 거치게 되기 때문에 샤워 헤드의 내부 공간도 효과적으로 세정할 수 있고, 이에 샤워 헤드의 내부 공간에 증착된 탄소를 함유하는 유기막의 증착 부산물을 세정하지 못하던 문제를 해결할 수 있다. 그리고 플루오린 래디칼과 오존을 동시에 공급하여 탄소와 실리콘의 덩어리인 박막의 증착 부산물을 더욱 효과적으로 제거하여 기판 처리 장치의 세정 효과를 보다 향상시킬 수 있으며, 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스가 원격 플라즈마 공급원을 지나지 않도록 함으로써 원격 플라즈마 공급원에 산소가 투입되어 높은 온도의 열이 발생하고 이에 따라 원격 플라즈마 공급원이 손상되었던 문제를 해결할 수 있다. 또한, 챔버 내부에 플라즈마를 형성하여 더욱 효과적으로 챔버 내부를 세정할 수 있고, 제2 식각가스를 통해 탄소가 함유된 증착 부산물의 세정 효과를 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
10 : 기판 100 : 기판 처리 장치
110 : 챔버 120 : 샤워 헤드
121 : 샤워 헤드의 내부 공간 122 : 샤워 헤드의 노즐부
130 : 기판 지지대 140 : 원격 플라즈마 공급원
141 : 제1 공급라인 150 : 오존발생기
151 : 제2 공급라인 160 : 전원공급부
170 : 제2 식각가스 공급원 171 : 제3 공급라인
180 : 배기수단

Claims (18)

  1. 박막의 화학적 기상 증착이 수행되는 챔버;
    상기 챔버에 제공되어 상기 증착을 위한 공정가스를 분배하는 샤워 헤드;
    상기 챔버의 내부에 제공되고, 상기 박막이 증착되는 기판이 지지되는 기판 지지대;
    상기 챔버의 외부에서 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성하고, 제1 공급라인을 통해 상기 샤워 헤드에 상기 제1 식각가스의 플라즈마를 제공하는 원격 플라즈마 공급원; 및
    오존을 발생시켜 상기 샤워 헤드에 제공하는 오존발생기를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 오존발생기는 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리된 제2 공급라인을 통해 상기 샤워 헤드와 연결되는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워 헤드 또는 기판 지지대에 전원을 인가하여 상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 전원공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 챔버에 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스를 공급하는 제3 공급라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제3 공급라인은 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리되는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 식각가스의 플라즈마와 상기 오존은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하는 증착 부산물을 제거하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 식각가스는 플루오린(F)계 가스인 기판 처리 장치.
  8. 샤워 헤드가 구비된 챔버에서 박막의 화학적 기상 증착을 수행하는 기판 처리 장치의 세정방법에 있어서,
    원격 플라즈마 공급원에서 제1 식각가스를 해리시켜 플라즈마를 형성하는 단계;
    상기 제1 식각가스의 플라즈마를 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계; 및
    오존을 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치의 세정방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 식각가스의 플라즈마를 공급하는 단계 및 상기 오존을 공급하는 단계는 동시에 수행되는 기판 처리 장치의 세정방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 오존은 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리되어 상기 샤워 헤드에 공급되는 기판 처리 장치의 세정방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 장치의 세정방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 챔버 내부에 산소 원자(O)를 포함하는 제2 식각가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 장치의 세정방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제2 식각가스는 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리되어 공급되는 기판 처리 장치의 세정방법.
  14. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 식각가스의 플라즈마와 상기 오존은 탄소(C)와 실리콘(Si)을 포함하는 증착 부산물을 제거하는 기판 처리 장치의 세정방법.
  15. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 식각가스는 플루오린(F)계 가스인 기판 처리 장치의 세정방법.
  16. 샤워 헤드가 구비된 챔버에서 박막의 화학적 기상 증착을 수행하는 기판 처리 장치의 운용방법에 있어서,
    기판을 상기 챔버 내부에 로딩하는 단계;
    상기 기판 상에 유기막과 무기막의 적층구조를 형성하는 단계;
    상기 기판을 상기 챔버에서 언로딩하는 단계;
    원격 플라즈마 공급원에서 플루오린(F) 래디칼을 형성하여 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계;
    오존을 상기 원격 플라즈마 공급원과 분리하여 상기 샤워 헤드에 공급하는 단계; 및
    상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 플루오린 래디칼과 상기 오존은 동시에 상기 샤워 헤드에 공급되는 기판 처리 장치의 운용방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 단계는 상기 챔버 내부에 산소 원자(O)를 포함하는 가스를 공급하면서 수행되는 기판 처리 장치의 운용방법.
  18. 청구항 16에 있어서,
    상기 플루오린 래디칼과 상기 오존은 상기 적층구조를 형성하는 단계에서 생성되어 상기 샤워 헤드의 내부 공간에 잔류하는 증착 부산물을 제거하는 기판 처리 장치의 운용방법.
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