[go: up one dir, main page]

KR20160101921A - 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20160101921A
KR20160101921A KR1020167016008A KR20167016008A KR20160101921A KR 20160101921 A KR20160101921 A KR 20160101921A KR 1020167016008 A KR1020167016008 A KR 1020167016008A KR 20167016008 A KR20167016008 A KR 20167016008A KR 20160101921 A KR20160101921 A KR 20160101921A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
exposure
processing
wafer
inspection apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020167016008A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102243971B1 (ko
Inventor
다쿠야 모리
마사루 도모노
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160101921A publication Critical patent/KR20160101921A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102243971B1 publication Critical patent/KR102243971B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

기판 처리 시스템은, 복수의 처리 장치를 갖는 처리 스테이션과, 시스템 밖에 있는 복수의 노광 스테이지를 구비한 노광 장치 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 스테이션과, 복수의 기판 검사 장치와, 처리 스테이션 내의 각 처리 장치와 기판 검사 장치 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구와, 기판의 노광 처리시에 이용된 노광 스테이지를 복수의 노광 스테이지 중에서 특정하며, 노광 처리 후의 기판을, 특정된 노광 스테이지와 미리 대응시켜진 기판 검사 장치에 반송하기 위해, 기판 반송 기구를 제어하는 제어 장치를 갖는다.

Description

기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE TRANSPORT METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}
(관련 출원의 상호 참조)
본원은 2013년 12월 26일에 일본국에 출원된 일본 특허 출원 제2013-269251호에 기초하여, 우선권을 주장하며, 그 내용을 이곳에 원용한다.
본 발명은 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
예컨대 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 처리에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 등의 기판 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리, 현상 처리 후의 웨이퍼를 건조시키거나 하기 위한 가열 처리 등의 각종 처리가 행해지고 있다. 이들 일련의 처리는, 기판을 처리하는 각종 처리 유닛이나 웨이퍼를 반송하는 반송 유닛 등을 탑재한 기판 처리 시스템인 도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 시스템에 인접하여 마련된 노광 장치로 행해지고 있다.
전술한 바와 같이 포토리소그래피 처리의 스루풋은, 통상 노광 장치의 처리 능력에 의해 율속된다. 그 때문에, 노광 장치에 있어서의 노광 처리의 스루풋을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 노광 장치 내에는 2개의 스테이지가 마련된다(특허문헌 1).
그런데, 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 웨이퍼에 이미 형성되어 있는 패턴과 그 후에 노광되는 패턴의 오버레이 오차를 소정의 범위 내에 들어가게 할 필요가 있다. 그 때문에, 노광 처리에 있어서는, 오버레이 오차의 측정을 행하고, 그 오차에 기초하여 그 후의 노광 처리의 파라미터 등을 결정하고 있다(특허문헌 2).
특허문헌 1: 미국 특허 제5969411호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공표 제2013-535819호 공보
그런데, 최근의 반도체 디바이스의 미세화에 따라, 오버레이 오차의 측정점이 증가하는 경향에 있다. 그 때문에, 예컨대 전술한 도포 현상 처리 시스템에, 오버레이 측정용의 측정기가 복수 설치되는 경우가 있다. 이러한 경우, 노광 장치로 노광 처리되어, 도포 현상 처리 시스템으로 현상 처리나 가열 처리 등의 각종 처리가 행해진 웨이퍼는, 각 측정기로 순차 측정된다. 그리고, 그 결과는 예컨대 로트 단위로 노광 장치측에 반영된다.
그러나 본 발명자들에 따르면, 각 측정기의 측정 결과에는 각 측정기 고유의 피하기 어려운 측정 오차가 포함되어 있어, 오차의 보정을 행하여도 각 측정기 사이에서 동일한 측정 결과를 얻을 수 없는 것이 확인되어 있다. 그 때문에, 예컨대 동일 로트에 포함되는 복수의 웨이퍼를 복수의 상이한 측정기로 측정하면, 그 측정 결과를 그 후의 노광 처리의 파라미터 등에 반영하여도, 오버레이 오차가 충분히 개선되지 않는다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 노광 처리 후의 기판 검사를 적정하게 행함으로써, 기판 검사에 있어서의 오차를 개선하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서, 기판을 처리하는 복수의 처리 장치가 마련된 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션과, 상기 기판 처리 시스템의 외부에 마련된 복수의 노광 스테이지를 구비한 노광 장치 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 스테이션과, 기판 표면의 검사를 행하는 복수의 기판 검사 장치와, 상기 처리 스테이션 내의 각 처리 장치와 상기 기판 검사 장치 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구와, 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 가지고 있다. 그리고 상기 제어부는, 상기 노광 장치로부터 반출된 기판의 노광 처리시에 이용된 노광 스테이지를 상기 복수의 노광 스테이지 중에서 특정하고, 상기 노광 처리 후의 기판을, 상기 특정된 노광 스테이지와 미리 대응시켜진 기판 검사 장치에 반송하기 위해, 상기 기판 반송 기구를 제어하도록 구성되어 있다.
본 발명에 따르면, 노광 처리에 이용된 노광 스테이지를 특정하고, 그 특정된 노광 스테이지와 미리 대응시켜진 기판 검사 장치에 대하여 기판을 반송하기 때문에, 소정의 노광 스테이지에서 노광 처리된 기판은 항상 동일한 기판 검사 장치로 검사된다. 그 때문에, 예컨대 기판 검사 장치로 오버레이 오차의 측정을 행할 때, 측정 결과에 포함되는 측정 오차를 항상 일정하게 할 수 있어, 노광 장치측에 안정된 검사 결과를 제공할 수 있다. 그 결과, 노광 처리에 있어서의 오버레이 오차의 개선을 도모할 수 있다.
별도의 관점에 따른 본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 시스템에 있어서의 기판의 반송 방법으로서, 상기 기판 처리 시스템은, 복수의 처리 장치가 마련된 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션과, 상기 기판 처리 시스템의 외부에 마련되며, 복수의 노광 스테이지를 구비한 노광 장치 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 스테이션과, 기판 표면의 검사를 행하는 복수의 기판 검사 장치와, 상기 처리 스테이션 내의 각 처리 장치와 상기 기판 검사 장치 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 가지고 있다. 그리고 본 발명은, 상기 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 노광 장치로부터 반출된 기판의 노광 처리시에 이용된 노광 스테이지를 상기 복수의 노광 스테이지 중에서 특정하고, 상기 노광 처리 후의 기판을, 상기 특정된 노광 스테이지에 대하여 미리 대응시켜진 기판 검사 장치에 반송하는 것이다.
별도의 관점에 따른 본 발명은, 상기 기판의 반송 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 그 기판 처리 시스템을 제어하는 제어 장치의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이다.
본 발명에 따르면, 노광 처리 후의 기판 검사를 적정하게 행함으로써, 기판 검사에 있어서의 오차를 개선할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 반송 순로 테이블의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 5는 반송 순로 테이블의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 6은 반송 순로 테이블의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 7은 웨이퍼의 검사 및 반송에 대한 흐름도이다.
도 8은 웨이퍼 배치부에 있어서의 웨이퍼의 보관 상태를 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(Ca)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하여 마련되어 인터페이스 스테이션(12)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 인터페이스 스테이션(12)의 Y 방향 정방향측에는 노광 장치(13)가 인접하여 마련되어 있다. 인터페이스 스테이션(12)은, 노광 장치(13)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 노광 장치(13)에는, 예컨대 2개의 노광 스테이지(13a, 13b)가 마련되어 있다. 또한, 노광 스테이지의 설치수는 본 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 3개 이상의 노광 스테이지가 마련되어 있어도 좋다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 배치대(20) 상에 복수 배치된, 카세트(Ca)를 배치하는 복수의 카세트 배치판(21)과, X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(Ca)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수의, 예컨대 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 마련되어 있다. 예컨대 제1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예컨대 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(30), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(31), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(32), 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(33)가, 밑에서부터 순서대로 예컨대 4단으로 중첩되어 있다.
이들 제1 블록(G1)의 각 장치(30∼33)는, 처리시에 웨이퍼(W)를 수용하는 복수의 컵, 예컨대 4대의 컵(F1, F2, F3, F4)을 수평 방향으로 좌측으로부터 우측으로 이 순서로 가지며, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.
예컨대 제2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 열 처리를 행하는 열 처리 장치(40)나, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서의 어드히젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 열 처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 배치하여 냉각하는 냉각판을 가지며, 가열 처리와 냉각 처리의 양방을 행할 수 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이 적층하여 마련된 각 처리 장치(40∼42)는, 수평 방향으로 좌측으로부터 우측으로 이 순서로 모듈(A), 모듈(B), 모듈(C) 및 모듈(D)로 분할되어 있으며, 각 모듈(A∼D)에 있어서 독립적으로 웨이퍼(W)의 처리를 할 수 있다.
예컨대 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제3 블록(G3)의 Y 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 기구(70)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(70)는, 예컨대 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 기구(70)의 X 방향 정방향측 및 부방향측에는, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)가 웨이퍼 반송 기구(70)를 사이에 두고 마련되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 기구(70)의 Y 방향 정방향측에는 복수의 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용하는 웨이퍼 배치부(버퍼)(73, 74)가 마련되어 있다. 웨이퍼 배치부(73)는 제2 블록(G2) 쪽에, 웨이퍼 배치부(74)는 제1 블록(G1) 쪽에 배치되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(70)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하고, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치, 웨이퍼 검사 장치(71, 72) 및 웨이퍼 배치부(73, 74) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼 검사 장치(71, 72)는, 웨이퍼(W)에 이미 형성되어 있는 패턴과 그 후에 노광되는 패턴의 오버레이 오차를 측정하는 것이다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제4 블록(G4) 및 웨이퍼 배치부(73, 74)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(Dw)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(Dw)에는, 웨이퍼 반송 기구(80)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(80)는, 예컨대 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 기구(80)는, 웨이퍼 반송 영역(Dw) 내를 이동하여, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2) 및 제4 블록(G4) 내의 소정의 장치 및 웨이퍼 배치부(73, 74)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(12)에는, 웨이퍼 반송 기구(90)와 전달 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(90)는, 예컨대 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 기구(90)는, 예컨대 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(100) 및 노광 장치(13) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제어부(300)가 마련되어 있다. 제어부(300)는, 웨이퍼(W)의 로트마다의 처리 레시피를 기억하는 기억 수단(301)과, 처리 레시피에 기초하여 전술한 각종 처리 장치나 각 웨이퍼 반송 기구 등의 구동계의 동작을 제어하는 반송 처리 제어 수단(302)과, 노광 장치(13)의 제어부(도시하지 않음) 사이에서 통신을 행하는 통신 수단(303)을 가지고 있다.
반송 처리 제어 수단(302)에서는, 기억 수단(301)에 기억된 웨이퍼(W)의 처리 레시피에 기초하여 웨이퍼(W)의 반송 순로가 결정된다. 이하, 웨이퍼(W)의 반송 순로의 결정의 방법에 대해서, 노광 장치(13)에서의 노광 처리 전과, 노광 처리 후로 나누어 설명한다.
노광 처리 전의 반송 순로에 결정에 있어서는, 반송 처리 제어 수단(302)에서는, 처리 레시피에 따라 예컨대 도 4에 나타내는 바와 같이, 하부 반사 방지막의 형성으로부터 노광 처리 전의 처리인 주변 노광 처리까지, 즉, 하부 반사 방지막 형성 장치(30)로부터 어드히젼 장치(41), 레지스트 도포 장치(31), 상부 반사 방지막 형성 장치(32), 주변 노광 장치(42)에 이르기까지의 반송 순로를 결정한다. 이하, 도 4에 나타내는 반송 순로를 반송 순로 테이블(310)이라고 한다. 반송 순로 테이블(310)의 각 행렬의 부분에는, 각 처리 장치에 있어서 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 모듈을 표시하고 있다. 여기서 말하는 모듈이란, 예컨대 하부 반사 방지막 형성 장치(30)에 있어서는, 각 컵(F1∼F4)이며, 예컨대 어드히젼 장치(41)에 있어서는, 각 모듈(A∼D)이다. 또한, 반송 순로 테이블(310)에 있어서는, 노광 처리 전에 반송되는 열 처리 장치(40)에 대해서 기재하고 있지 않지만, 노광 처리 전의 웨이퍼(W)의 열 처리는, 각 장치에서의 처리 동안에 적시 실행되는 것으로서, 여기서는 설명 및 기재를 생략한다. 또한, 노광 처리 후의 반송 순로에 대해서는 이 시점에서는 결정되지 않기 때문에, 도 4의 반송 순로 테이블(310)에는 노광 장치(13) 이후의 반송 순로는 기재하고 있지 않다.
이 반송 순로 테이블(310)에 있어서의 반송 순로는, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 처리 레시피에 기초하여 결정되고, 반송처가 되는 모듈의 결정에 있어서는 소정의 룰(rule)에 기초하여 결정된다. 도 4에 나타내는 반송 순로 테이블(310)은, 예컨대 하부 반사 방지막 형성 장치(30)로 컵(F1)에 반송된 웨이퍼(W)가, 후속의 처리에 있어서 컵(F1), 모듈(A)에, 컵(F2∼F4)에 반송된 웨이퍼(W)가, 후속의 처리에 있어서 컵(F2∼F4), 모듈(B∼D)에 각각 반송된다고 하는 룰에 기초하여 결정된 경우의 일례를 나타내고 있다.
다음에, 노광 처리 후의 반송 순로의 결정에 대해서 설명한다. 주변 노광 장치(42)로부터 노광 장치(13)에 반송된 웨이퍼(W)는, 노광 장치(13)의 노광 스테이지(13a) 또는 노광 스테이지(13b) 중 어느 하나에 배치되어 노광 처리가 행해진다. 이때, 웨이퍼(W)가 노광 스테이지(13a), 노광 스테이지(13b) 중 어디에 배치될지는, 노광 장치(13)의 제어부에 의해 결정된다. 노광 처리가 종료하면, 웨이퍼 반송 기구(90)에 의해 노광 장치(13)로부터 처리 스테이션(11)에 웨이퍼(W)가 반송되며, 통신 수단(303)을 통해 노광 스테이지(13a), 노광 스테이지(13b) 중 어느 쪽에서 노광 처리가 행하여졌는지의 정보가 노광 장치(13)로부터 제어부(300)에 입력된다.
반송 처리 제어 수단(302)에는, 노광 처리에 이용된 노광 스테이지와 그 노광 스테이지에서 노광 처리된 웨이퍼(W)를 검사하는 웨이퍼 검사 장치가 미리 대응시켜져 있다. 그리고, 반송 처리 제어 수단(302)에서는 제어부(300)에 입력된 노광 스테이지의 정보에 기초하여, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를, 대응하는 웨이퍼 검사 장치에 반송하도록 반송 순로를 결정한다. 본 실시형태에 있어서는, 예컨대 노광 스테이지(13a)와 웨이퍼 검사 장치(71)가, 노광 스테이지(13b)와 웨이퍼 검사 장치(72)가 각각 대응시켜져 있다. 그 때문에 반송 처리 제어 수단(302)에서는, 예컨대 도 5의 반송 순로 테이블(310)에 나타내는 바와 같이, 노광 스테이지(13a)에서 노광 처리된 웨이퍼(W)가 웨이퍼 검사 장치(71)에, 노광 스테이지(13b)에서 노광 처리된 웨이퍼(W)가 웨이퍼 검사 장치(72)에, 각각 반송되도록 반송 순로가 결정된다. 이에 의해, 소정의 노광 스테이지에서 노광 처리된 웨이퍼(W)는, 항상 미리 대응시켜진 웨이퍼 검사 장치로 검사된다. 그 때문에, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)로 예컨대 오버레이 오차의 측정을 행할 때, 측정 결과에 포함되는 오차가 항상 일정해진다.
또한, 도 5에 나타내는 반송 순로 테이블(310)에서는, 노광 처리 전에 레지스트 도포 장치의 컵(F1)에서 처리된 웨이퍼(W)는, 노광 처리 후의 현상 처리에 있어서도 현상 처리 장치(33)의 동일한 부호의 컵(F1)에 반송하는 것으로 하고 있지만, 노광 처리 후에 반송하는 모듈에 대해서도, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)의 경우와 마찬가지로, 노광 처리에 이용된 노광 스테이지와 미리 대응을 행하여, 대응시켜진 모듈에 반송하도록 하여도 좋다. 구체적으로는, 예컨대 노광 스테이지(13a)에서 노광 처리한 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(33)의 컵(F1)이나 컵(F3) 중 어느 하나에, 노광 스테이지(13b)에서 노광 처리한 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(33)의 컵(F4)이나 컵(F4) 중 어느 하나에 반송하도록 하여도 좋다. 또한 열 처리 장치(40)에 대해서도 마찬가지로, 노광 스테이지와 미리 대응시킨 모듈에 반송하는 것이 바람직하다. 통상, 각 처리 장치의 제조 오차 등에 의해, 처리 결과에 장치(모듈) 고유의 변동이 생기지만, 노광 처리 후의 반송 순로를 미리 정해 둠으로써, 각 모듈 사이의 변동을 일정화하여, 결과로서 웨이퍼 검사 장치(71, 72)에서의 측정 결과의 변동을 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 노광 스테이지와 각 처리 장치의 대응은, 노광 처리 전의 처리에 대해서 행하여도 좋다.
또한 전술한 제어부(300)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 예컨대 메모리에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서의 도포 처리를 실현할 수 있다. 또한, 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서의 도포 처리를 실현하기 위한 각종 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체(H)에 기억되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이 이용되고 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼(W)의 반송 방법에 대해서, 도포 현상 처리 시스템(1) 전체에서 행해지는 웨이퍼 처리의 프로세스와 함께 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 도 5에 나타내는 반송 순로 1번에 따라 웨이퍼(W)의 처리를 행한 경우를 예로 하여 설명한다.
웨이퍼(W)의 처리에 있어서는, 우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(Ca)가 카세트 스테이션(10)의 소정의 카세트 배치판(21)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(Ca) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 추출되어, 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 예컨대 웨이퍼 배치부(73)에 반송된다. 이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(80)에 의해 제2 블록(G2)의 열 처리 장치(40)의 모듈(A)에 반송되어 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(80)에 의해 예컨대 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(30)의 모듈(A)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열 처리 장치(40)의 모듈(A)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다.
그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 어드히젼 장치(41)의 모듈(A)에 반송되어, 소수화 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(80)에 의해 레지스트 도포 장치(31)의 모듈(A)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열 처리 장치(40)의 모듈(A)에 반송되어, 프리베이크 처리된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 상부 반사 방지막 형성 장치(32)의 모듈(A)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열 처리 장치(40)의 모듈(A)에 반송되어, 가열되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(42)의 모듈(A)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.
다음에 웨이퍼(W)는 제4 블록(G4)에 반송되고, 인터페이스 스테이션(12)의 웨이퍼 반송 기구(90)에 의해 노광 장치(13)에 반송된다. 노광 장치(13)에서는, 예컨대 노광 스테이지(13a, 13b) 중 어느 하나에 웨이퍼(W)가 배치된다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)가 노광 스테이지(13a)에 배치되어 노광 처리가 행해진다. 노광 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(90)에 의해 제4 블록(G4)에 반송된다. 그와 함께, 통신 수단(303)을 통해 노광 장치(13)의 제어부로부터 도포 현상 처리 시스템(1)의 제어부(300)에 대하여, 상기 웨이퍼(W)의 노광 처리에 이용된 노광 스테이지의 정보가 입력된다. 이에 의해, 반송 처리 제어 수단(302)에서는 노광 처리에 이용된 노광 스테이지를 노광 스테이지(13a)로 특정하고, 노광 스테이지(13a)와 미리 대응시켜진 현상 처리 장치(33)의 컵(F1), 열 처리 장치(40)의 모듈(A), 웨이퍼 검사 장치(71)를 그 후의 반송 순로로서 결정한다. 그 결과, 예컨대 도 5의 반송 순로 테이블(310)의 「1번」에 표시되는 것 같은 반송 순로가 결정된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(80)에 의해 열 처리 장치(40)의 모듈(A)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 노광 스테이지(13a)와 대응시켜진 현상 처리 장치(33)의 컵(F1)에 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는, 열 처리 장치(40)의 모듈(A)에 반송되어, 포스트 베이크 처리된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 배치부(73)에 반송된다. 이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 웨이퍼 검사 장치(71)에 반송되어, 오버레이 오차의 측정이 행해진다. 웨이퍼 검사 장치(71)로 측정된 오버레이 오차는, 예컨대 로트 단위로 관리되고, 예컨대 피드백 정보로서, 통신 수단(303)을 통해 노광 장치(13)에 대하여 송신된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제3 블록(G3)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 소정의 카세트 배치판(21)의 카세트(Ca)에 반송된다. 그리고, 이 처리 공정이 동일 로트의 다른 웨이퍼(W)에 대해서도 행해져, 일련의 포토리소그래피 처리가 종료한다.
이상의 실시형태에 따르면, 제어부(300)의 반송 처리 제어 수단(302)에 의해 노광 처리에 이용된 노광 스테이지를 특정하며, 그 특정된 노광 스테이지와 미리 대응시켜진 웨이퍼 검사 장치에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하기 때문에, 예컨대 노광 스테이지(13a)에서 노광 처리된 웨이퍼(W)는, 미리 대응시켜진 웨이퍼 검사 장치(71)로 오버레이 오차의 측정이 행해진다. 그 때문에, 측정 결과에 포함되는 웨이퍼 검사 장치(71, 72) 고유의 측정 오차를 항상 일정하게 할 수 있어, 노광 장치(13)측에 안정된 피드백 정보를 제공할 수 있다. 그 결과, 노광 처리에 있어서의 오버레이 오차의 개선을 도모할 수 있다.
또한, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)만이 아니라, 노광 처리 후에 처리가 행해지는 처리 장치에 있어서도 특정된 노광 스테이지와 대응하는 모듈에 웨이퍼(W)를 반송하도록 하고 있다. 그 때문에, 각 처리 장치의 모듈 사이에서 생기는 변동을 일정화하여, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)에서의 측정 결과의 변동을 최소한으로 억제할 수 있다.
또한, 예컨대 노광 장치(13)의 노광 스테이지(13a, 13b) 중 어느 한쪽을 사용할 수 없게 된 경우, 사용 가능한 노광 스테이지에 대응하는 웨이퍼 검사 장치로만 웨이퍼(W)의 검사를 계속하고, 사용할 수 없게 된 노광 스테이지에 대응하는 웨이퍼 검사 장치에서의 검사는 정지하여도 좋다. 바꾸어 말하면, 노광 처리시에 이용된 노광 스테이지를 특정하여, 반송 순로 테이블(310)에 있어서의 반송 순로가 확정된 웨이퍼(W)는, 그 웨이퍼(W)와 대응 관계에 없는 웨이퍼 검사 장치의 상태에 관계없이, 확정된 반송 순로에 따라 반송이 행해지도록 하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 노광 스테이지(13a)에 트러블이 생긴 경우, 도 6의 반송 순로 테이블(310)에 나타내는 바와 같이, 노광 스테이지(13a)에 대응하는 웨이퍼(W)는, 노광 처리 이후의 처리를 전부 바이패스하여, 카세트 스테이션(10)의 카세트(Ca)에 반송하도록 하여도 좋다. 또한, 도 6에서는, 바이패스되는 처리 장치의 행렬에 「우측 방향 화살표」를 기재하고 있다. 예컨대, 하나의 노광 스테이지를 사용할 수 없게 된 경우, 다른 노광 스테이지에서 노광 처리된 웨이퍼(W)를 2개의 웨이퍼 검사 장치(71, 72)에서 분담하여 검사함으로써, 웨이퍼 검사 그 자체의 스루풋은 향상된다. 그러나, 이미 서술한 바와 같이, 노광 스테이지와 대응하지 않는 웨이퍼 검사 장치로 검사를 행함으로써 검사 결과에 오차가 생겨, 유용한 검사 결과가 얻어지지 않기 때문에, 사용할 수 없게 된 노광 스테이지에 대응하는 웨이퍼 검사 장치로의 검사는 정지하는 것이 바람직하다.
또한, 노광 스테이지(13a, 13b)에서 노광 처리하는 속도보다, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)로 웨이퍼(W)의 검사를 행하는 속도 쪽이 시간이 늦어지는 경우가 있다. 이러한 경우의 웨이퍼(W)의 반송에 대해서 도 7과 함께 설명한다. 도 7은 웨이퍼(W)의 검사 및 반송에 대한 흐름도이다. 또한 여기서는, 노광 스테이지(13a)에서 노광 처리가 행해지고, 웨이퍼 검사 장치(71)로 웨이퍼(W)의 검사가 행해지는 경우를 예로 하여 설명한다. 예컨대 웨이퍼 반송 기구(70)에 웨이퍼(W)가 전달될 때, 제어부(300)에 의해, 웨이퍼 검사 장치(71)에 있어서 다른 웨이퍼(W)가 검사되고 있는지의 여부, 바꾸어 말하면, 웨이퍼 검사 장치(71)가 웨이퍼 반송 기구(70)에 전달된 웨이퍼(W)를 검사할 수 있는 빈 상태에 있는지의 여부가 판정된다(도 7의 S1). 웨이퍼 검사 장치(71)가 웨이퍼 반송 기구(70)의 웨이퍼(W)를 검사할 수 있는 상태에 있다고 판정되면, 웨이퍼 반송 기구(70)의 웨이퍼(W)는 그대로 웨이퍼 검사 장치(71)에 반송되어 웨이퍼(W)의 검사가 행해진다(도 7의 S2). 웨이퍼 검사 장치(71)가 사용 중, 즉 웨이퍼 검사 장치(71)에 있어서 다른 웨이퍼(W)가 검사되고 있는 경우는, 웨이퍼 검사 장치(71)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 없기 때문에, 노광 처리와 웨이퍼 검사의 처리 속도의 차를 흡수하기 위해, 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 웨이퍼 배치부(73)에 그 검사 전의 웨이퍼(W)가 일시적으로 보관된다(도 7의 S4). 또한 이때, 제어부(300)에 의해 웨이퍼 배치부(73)에 웨이퍼(W)를 보관할 빈 곳이 있는지의 여부가 판정된다(도 7의 S3). 그리고, 웨이퍼 검사 장치(71)로 검사되고 있던 웨이퍼(W)가 반출되어, 웨이퍼 검사 장치(71)가 빈 상태가 되면, 웨이퍼 배치부(73)에 일시 보관되어 있던 웨이퍼(W)는 웨이퍼 검사 장치(71)에 반송되어 검사된다.
또한, 웨이퍼 배치부(73)에서의 웨이퍼(W)의 보관 매수가 증가하여 보관 용량의 상한에 도달하여, 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 없어진 경우, 후속의 동일 로트의 웨이퍼(W)가 도포 현상 처리 시스템(1) 내에서 정체하는 것을 피하기 위해, 제어부(300)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 전달된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 검사 장치(71)에서의 검사를 중지하도록 제어를 행하여도 좋다. 제어부(300)는, 검사가 중지된 웨이퍼(W)를, 예컨대 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스하여 직접 카세트 스테이션(10)의 카세트(Ca)에 반송(도 7의 S4)하도록 각 웨이퍼 반송 기구를 제어한다. 또한, 검사의 중지에 의해 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스하는 웨이퍼(W)가 생긴 경우, 그 웨이퍼(W)가 속하는 로트의 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)에서의 검사를 행하지 않고, 전부 카세트 스테이션(10)의 카세트(Ca)에 회수하도록 하여도 좋다(도 7의 S5). 여기서, 바이패스하는 웨이퍼(W)가 속하는 로트의 웨이퍼(W)란, 예컨대 도 7의 S4에 있어서 카세트(Ca)에 반송된 웨이퍼(W)와 동일 로트의 후속의 웨이퍼(W) 외에, 이미 웨이퍼 배치부(73)에 일시 보관되어 있던 웨이퍼(W)도 포함하고 있다.
종래는, 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스하는 웨이퍼(W)가 생긴 경우라도, 동일 로트의 후속 웨이퍼(W)는 웨이퍼 검사 장치(71)나 웨이퍼 배치부(73, 74)에 빈 곳이 있으면, 수시 비어 있는 부분에 반송되고 있었다. 그러나, 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스한 로트에 있어서는, 노광 장치(13)에 피드백하기 위한 정보량이 부족하다. 그 때문에, 별도, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부의 다른 검사 장치로 동일 로트의 웨이퍼(W)에 대하여 재차 검사를 행하고, 그 결과를 노광 장치(13)측에 피드백할 필요가 있다. 따라서, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)를 바이패스한 웨이퍼(W)가 생긴 로트의 웨이퍼(W)를 도포 현상 처리 시스템(1) 내에서 검사하는 것보다, 도포 현상 처리 시스템(1) 내로부터 조속히 반출하여 웨이퍼 배치부(73)의 빈 용량을 확보하는 편이, 다른 로트로 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스하는 빈도를 저감할 수 있다고 하는 점에서 바람직하다. 구체적인 예를, 도 8을 이용하여 이하 설명한다.
도 8의 (a)는, 예컨대 7장의 웨이퍼를 수용 가능한 웨이퍼 배치부(73)에, 로트(X)에 있어서의 6번째와 7번째의 웨이퍼 및 로트(Y)에 있어서의 1번째부터 5번째까지의 웨이퍼(W)가 수용되어 있는, 즉 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 없는 상태를 나타내고 있다. 도 8의 (a)의 상태로부터, 로트(Y)의 6번째의 웨이퍼(W)인 「Y6」이 웨이퍼 반송 기구(70)에 전달되면, 제어부(300)는 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 없다고 판정하여, 「Y6」의 웨이퍼(W)가 카세트(Ca)에 반송(도 7의 S4)되면, 웨이퍼 배치부(73)에 한시 보관되어 있는 로트(Y)의 다른 웨이퍼(W)인 「Y1」∼「Y5」도, 웨이퍼 검사 장치(71)로 검사를 하기 전에 카세트(Ca)에 회수된다. 또한, 노광 스테이지(13a)에서 노광 처리된 로트(Y)의 7번째의 웨이퍼인 「Y7」의 웨이퍼(W)도, 예컨대 웨이퍼 반송 기구(70)에 전달된 후는, 웨이퍼 검사 장치(71)나 웨이퍼 배치부(73)에 반송되는 일없이 카세트(Ca)에 회수된다. 이때, 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스하지 않는 로트(X)의 웨이퍼(W)에 대해서는 그대로 웨이퍼 검사 장치(71)에 남겨진다. 이에 의해, 예컨대 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 배치부(73) 내에는 로트(X)의 웨이퍼(W)만이 보관된 상태가 된다.
그 후, 예컨대 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 배치부(73) 내의 로트(X)의 웨이퍼(W)가 순차 웨이퍼 검사 장치(71)에 반송되며, 후속의 로트(Z)의 웨이퍼(W)가 순차 웨이퍼 배치부(73) 내에 일시 보관된다. 이때, 웨이퍼 배치부(73)로부터는 로트(Y)의 웨이퍼(W)가 이미 반출되어 있기 때문에, 웨이퍼 배치부(73)에 후속의 로트(Z)의 웨이퍼(W)에 대한 빈 곳이 확보된 상태가 된다. 그 때문에, 로트(Z)에 있어서는, 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 없는 것에 기인하는 웨이퍼 검사 장치(71)의 바이패스는 발생하지 않는다. 따라서, 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스한 웨이퍼(W)가 생긴 로트(Y)의 웨이퍼(W)를 도포 현상 처리 시스템(1) 내로부터 조속히 반출함으로써, 후속의 로트(Z)에서 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스하는 웨이퍼(W)가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 도포 현상 처리 시스템(1)으로 효율적으로 웨이퍼(W)의 검사를 행할 수 있다.
또한, 제어부(300)에 의해 웨이퍼 배치부(73)의 빈 곳의 유무를 판정하는 타이밍은, 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송 기구(70)에 전달된 후에 한정되지 않고, 웨이퍼 반송 기구(70)에 웨이퍼(W)가 전달되기 전이어도 좋고, 예컨대 열 처리 장치(40)로부터 웨이퍼(W)가 반출된 후 등, 임의의 타이밍에 행할 수 있다. 또한, 제어부(300)에 의해, 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 없다고 판정된 경우에 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스할지의 여부의 결정은, 그 시점에서 웨이퍼 검사 장치(71)에 있어서 실시하고 있는 웨이퍼(W)의 검사가 종료한 후에 행하면 좋고, 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 없다고 판정된 시점에서 즉시 웨이퍼(W)를 카세트(Ca)에 반송할 필요는 없다. 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 없다고 판정된 경우라도, 후속의 웨이퍼(W)가 반송되기 전에 웨이퍼 검사 장치(71)에서의 검사가 완료하여 웨이퍼 검사 장치(71)나 웨이퍼 배치부(73)에 빈 곳이 생기면, 그 빈 부분에 대해서 웨이퍼(W)를 반송함으로써, 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스할 필요는 없어진다.
또한, 예컨대 웨이퍼 검사 장치(71, 72) 중 어느 하나에 이상이 발생하여 한쪽의 웨이퍼 검사 장치를 사용할 수 없게 된 경우도, 상기 사용할 수 없게 된 웨이퍼 검사 장치에 반송될 예정이었던 웨이퍼(W)의 검사를 중지하고, 웨이퍼 검사 장치(71)를 바이패스하여 카세트 스테이션(10)의 카세트(Ca)에 반송하도록 하여도 좋다. 이러한 경우, 상기 사용할 수 없게 된 웨이퍼 검사 장치에 반송될 예정인 웨이퍼(W)와 동일 로트의 웨이퍼(W)에 대해서도, 이상이 발생한 웨이퍼 검사 장치에 반송하는 일없이 카세트 스테이션(10)의 카세트(Ca)에 반송하도록 하여도 좋다. 웨이퍼 검사 장치(71, 72) 중 어느 한쪽을 사용할 수 없게 된 경우, 그 사용할 수 없게 된 웨이퍼 검사 장치로 검사되고 있던 동일 로트의 웨이퍼(W)에 대해서는, 검사를 완료한 것, 미검사의 것 양방이 일괄하여 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부의 다른 검사 장치로 검사되어, 그 결과가 노광 장치(13)측에 피드백된다. 이러한 경우, 예컨대 제어부(300)에 의해 웨이퍼 검사 장치(71, 72)가 웨이퍼(W)를 검사할 수 있는 빈 상태에 있는지의 여부의 판정(도 7의 S1)에 앞서, 웨이퍼 검사 장치(71, 72)가 정상적인 상태에 있는지의 여부를 판정하도록 하여도 좋다(도 7의 T1).
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 청구범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 여러 가지 양태를 채용할 수 있는 것이다. 이상의 실시형태에서는, 촬상 대상은 기판의 표면이었지만, 기판의 이면을 촬상하는 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 전술한 실시형태는, 반도체 웨이퍼의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 예이지만, 본 발명은, 반도체 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토 마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판의 도포 현상 처리 시스템인 경우에도 적용할 수 있다.
본 발명은 노광 처리 후의 기판을 검사할 때에 유용하다.
1 도포 현상 처리 시스템
10 카세트 스테이션
11 처리 스테이션
12 인터페이스 스테이션
13 노광 장치
20 카세트 배치대
21 카세트 배치판
22 반송로
23 웨이퍼 반송 장치
30 하부 반사 방지막 형성 장치
31 레지스트 도포 장치
32 상부 반사 방지막 형성 장치
33 현상 처리 장치
40 열 처리 장치
41 어드히젼 장치
42 주변 노광 장치
70 웨이퍼 반송 기구
71, 72 웨이퍼 검사 장치
73, 74 웨이퍼 배치부
80 웨이퍼 반송 기구
90 웨이퍼 반송 기구
300 제어부
W 웨이퍼
Dw 웨이퍼 반송 영역
Ca 카세트

Claims (17)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서,
    기판을 처리하는 복수의 처리 장치가 마련된 처리 스테이션과,
    상기 처리 스테이션과, 상기 기판 처리 시스템의 외부에 마련된 복수의 노광 스테이지를 구비한 노광 장치 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 스테이션과,
    기판 표면의 검사를 행하는 복수의 기판 검사 장치와,
    상기 처리 스테이션 내의 각 처리 장치와 상기 기판 검사 장치 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구와,
    상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 노광 장치로부터 반출된 기판의 노광 처리시에 이용된 노광 스테이지를 상기 복수의 노광 스테이지 중에서 특정하며, 상기 노광 처리 후의 기판을, 상기 특정된 노광 스테이지와 미리 대응시켜진 기판 검사 장치에 반송하기 위해, 상기 기판 반송 기구를 제어하도록 구성되어 있는 것인, 기판 처리 시스템.
  2. 재1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 노광 처리 후의 기판을, 상기 특정된 노광 스테이지와 미리 대응시켜진 처리 장치를 경유하여 상기 기판 검사 장치에 반송하기 위해 상기 기판 반송 기구를 제어하도록 구성되어 있는 것인, 기판 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    복수의 기판을 일시적으로 보관하는 기판 배치부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 기판 검사 장치가 사용 중에 상기 기판 검사 장치에 기판을 반송할 수 없는 경우에, 상기 기판 검사 장치에 반송할 수 없었던 기판을 상기 기판 배치부에 일시적으로 보관하기 위해 상기 기판 반송 기구를 제어하도록 구성되어 있는 것인, 기판 처리 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 기판 배치부에서 보관되는 기판의 매수가 보관 용량의 상한에 도달하였기 때문에, 상기 기판 검사 장치에 반송할 수 없었던 기판을 상기 기판 배치부에 보관할 수 없는 경우는, 상기 보관할 수 없었던 기판 및 상기 보관할 수 없었던 기판과 동일한 로트의 기판의 상기 기판 검사 장치에서의 검사를 중지하도록 구성되어 있는 것인, 기판 처리 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    복수매의 기판을 수용하는 카세트를 배치하는 카세트 배치부와, 상기 처리 스테이션과 상기 카세트 배치부 사이에서 기판을 반송하는 다른 기판 반송 기구를 구비한 카세트 스테이션을 더 가지고,
    상기 제어부는, 상기 기판 검사 장치에서의 검사가 중지된 경우, 검사가 중지된 기판 및 상기 기판과 동일한 로트의 기판을, 상기 기판 검사 장치를 바이패스하여 상기 카세트에 반송하기 위해, 상기 기판 반송 기구 및 상기 다른 기판 반송 기구를 제어하도록 구성되어 있는 것인, 기판 처리 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    복수매의 기판을 수용하는 카세트를 배치하는 카세트 배치부와, 상기 처리 스테이션과 상기 카세트 배치부 사이에서 기판을 반송하는 다른 기판 반송 기구를 구비한 카세트 스테이션을 더 가지며,
    상기 제어부는, 상기 기판 검사 장치를 이상으로 인해 사용할 수 없는 경우, 상기 기판 검사 장치에 대하여 미리 대응시켜진 노광 스테이지에서 노광 처리된 기판 및 상기 기판과 동일한 로트의 기판을, 상기 기판 검사 장치를 바이패스하여 상기 카세트에 반송하기 위해, 상기 기판 반송 기구 및 상기 다른 기판 반송 기구를 제어하도록 구성되어 있는 것인, 기판 처리 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판 검사 장치는, 오버레이 오차를 측정하는 측정 장치인 것인, 기판을 처리하는 기판 처리 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 검사 장치는, 상기 처리 스테이션 내에 배치되어 있는 것인, 기판 처리 시스템.
  9. 기판을 처리하는 기판 처리 시스템에 있어서의 기판의 반송 방법으로서,
    상기 기판 처리 시스템은,
    복수의 처리 장치가 마련된 처리 스테이션과,
    상기 처리 스테이션과, 상기 기판 처리 시스템의 외부에 마련되며, 복수의 노광 스테이지를 구비한 노광 장치 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 스테이션과,
    기판 표면의 검사를 행하는 복수의 기판 검사 장치와,
    상기 처리 스테이션 내의 각 처리 장치와 상기 기판 검사 장치 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구
    를 포함하고,
    상기 기판의 반송 방법은,
    상기 노광 장치로부터 반출된 기판의 노광 처리시에 이용된 노광 스테이지를 상기 복수의 노광 스테이지 중에서 특정하며, 상기 노광 처리 후의 기판을, 상기 특정된 노광 스테이지에 대하여 미리 대응시켜진 기판 검사 장치에 반송하는 것인, 기판의 반송 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 노광 처리 후의 기판을, 상기 특정된 노광 스테이지와 미리 대응시켜진 처리 장치를 경유하여 상기 기판 검사 장치에 반송하는 것인, 기판의 반송 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은, 복수의 기판을 일시적으로 보관하는 기판 배치부를 가지고,
    상기 기판 검사 장치가 사용 중에 상기 기판 검사 장치에 기판을 반송할 수 없는 경우, 상기 기판 검사 장치에 반송할 수 없었던 기판을 상기 기판 배치부에 일시적으로 보관하는 것인, 기판의 반송 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판 배치부에서 보관되는 기판의 매수가 보관 용량의 상한에 도달하였기 때문에, 상기 기판 검사 장치에 반송할 수 없었던 기판을 상기 기판 배치부에 보관할 수 없는 경우는,
    상기 보관할 수 없었던 기판 및 상기 보관할 수 없었던 기판과 동일한 로트의 기판의 상기 기판 검사 장치에서의 검사를 중지하는 것인, 기판의 반송 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은, 복수매의 기판을 수용하는 카세트를 배치하는 카세트 배치부와, 상기 처리 스테이션과 상기 카세트 배치부 사이에서 기판을 반송하는 다른 기판 반송 기구를 구비한 카세트 스테이션을 더 가지고,
    상기 기판 검사 장치에서의 검사가 중지된 경우, 검사가 중지된 기판 및 이 기판과 동일한 로트의 기판을, 상기 기판 검사 장치를 바이패스하여 상기 카세트에 반송하는 것인, 기판의 반송 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은, 복수매의 기판을 수용하는 카세트를 배치하는 카세트 배치부와, 상기 처리 스테이션과 상기 카세트 배치부 사이에서 기판을 반송하는 다른 기판 반송 기구를 구비한 카세트 스테이션을 더 가지고,
    상기 기판 검사 장치를 이상으로 인해 사용할 수 없는 경우, 상기 기판 검사 장치에 대하여 미리 대응시켜진 노광 스테이지에서 노광 처리된 기판 및 이 기판과 동일한 로트의 기판을, 상기 기판 검사 장치를 바이패스하여 상기 카세트에 반송하는 것인, 기판의 반송 방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 기판 검사 장치는, 오버레이 오차를 측정하는 측정 장치인 것인, 기판의 반송 방법.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 기판 검사 장치는, 상기 처리 스테이션 내에 배치되어 있는 것인, 기판의 반송 방법.
  17. 기판 반송 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어 장치의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 기판 처리 시스템은,
    복수의 처리 장치가 마련된 처리 스테이션과,
    상기 처리 스테이션과, 상기 기판 처리 시스템의 외부에 마련되며, 복수의 노광 스테이지를 구비한 노광 장치 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 스테이션과,
    기판 표면의 검사를 행하는 복수의 기판 검사 장치와,
    상기 처리 스테이션 내의 각 처리 장치와 상기 기판 검사 장치 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구
    를 포함하고,
    상기 기판 반송 방법은, 상기 노광 장치로부터 반출된 기판의 노광 처리시에 이용된 노광 스테이지를 상기 복수의 노광 스테이지 중에서 특정하며, 상기 노광 처리 후의 기판을, 상기 특정된 노광 스테이지에 대하여 미리 대응시켜진 기판 검사 장치에 반송하는 것인, 기판 처리 시스템을 제어하는 제어 장치의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
KR1020167016008A 2013-12-26 2014-10-30 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Active KR102243971B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013269251A JP6007171B2 (ja) 2013-12-26 2013-12-26 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JPJP-P-2013-269251 2013-12-26
PCT/JP2014/078909 WO2015098282A1 (ja) 2013-12-26 2014-10-30 基板処理システム、基板搬送方法及びコンピュータ記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160101921A true KR20160101921A (ko) 2016-08-26
KR102243971B1 KR102243971B1 (ko) 2021-04-22

Family

ID=53478160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167016008A Active KR102243971B1 (ko) 2013-12-26 2014-10-30 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20160320713A1 (ko)
JP (1) JP6007171B2 (ko)
KR (1) KR102243971B1 (ko)
TW (1) TWI579898B (ko)
WO (1) WO2015098282A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3506012A4 (en) * 2016-08-24 2020-04-15 Nikon Corporation MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP6945357B2 (ja) * 2017-06-08 2021-10-06 東京エレクトロン株式会社 制御装置。
JP7195841B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN111554591B (zh) * 2020-04-27 2024-03-12 上海果纳半导体技术有限公司 半导体芯片处理装置
JP7515323B2 (ja) * 2020-07-09 2024-07-12 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び基板搬送方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969411A (en) 1996-06-11 1999-10-19 Yamaha Corporation Lead frame with increased strength and manufacture of semiconductor device
US20030060917A1 (en) * 2001-09-25 2003-03-27 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus control system and substrate processing apparatus
US20030211410A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-13 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method of production of device
KR20060049418A (ko) * 2004-06-22 2006-05-18 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치
US20070219736A1 (en) * 2006-02-17 2007-09-20 Nikon Corporation Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium
JP2013535819A (ja) 2010-07-19 2013-09-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． オーバレイ誤差を決定する方法及び装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5928389A (en) * 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
JP2010192623A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造装置、その制御方法、及びその制御プログラム
NL2005092A (en) * 2009-07-16 2011-01-18 Asml Netherlands Bv Object alignment measurement method and apparatus.
NL2008111A (en) * 2011-02-18 2012-08-21 Asml Netherlands Bv Optical apparatus, method of scanning, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2009345A (en) * 2011-09-28 2013-04-02 Asml Netherlands Bv Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods.

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969411A (en) 1996-06-11 1999-10-19 Yamaha Corporation Lead frame with increased strength and manufacture of semiconductor device
US20030060917A1 (en) * 2001-09-25 2003-03-27 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus control system and substrate processing apparatus
US20030211410A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-13 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method of production of device
KR20060049418A (ko) * 2004-06-22 2006-05-18 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치
US20070219736A1 (en) * 2006-02-17 2007-09-20 Nikon Corporation Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium
JP2013535819A (ja) 2010-07-19 2013-09-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． オーバレイ誤差を決定する方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI579898B (zh) 2017-04-21
US20180164700A1 (en) 2018-06-14
WO2015098282A1 (ja) 2015-07-02
JP2015126083A (ja) 2015-07-06
US20160320713A1 (en) 2016-11-03
TW201543542A (zh) 2015-11-16
KR102243971B1 (ko) 2021-04-22
JP6007171B2 (ja) 2016-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7934880B2 (en) Coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium
KR102768432B1 (ko) 기판의 검사 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억 매체
KR101443420B1 (ko) 기판의 처리 방법 및 기판의 처리 시스템
JP4816217B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP4908304B2 (ja) 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US8702370B2 (en) Substrate transfer method for performing processes including photolithography sequence
KR20160101921A (ko) 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102738840B1 (ko) 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법
JP2006024684A (ja) 基板の回収方法及び基板処理装置
JP4298238B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP4983724B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP4957426B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP7211142B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006313936A (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2011077549A (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
KR20150032635A (ko) 도포, 현상 장치, 도포, 현상 장치의 운전 방법 및 기억 매체
JP2011211218A (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体
JP2009099901A (ja) 半導体製造システム及び半導体製造方法
JP2009177193A (ja) 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20160615

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20190429

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20201014

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20210120

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210419

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210419

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240320

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250318

Start annual number: 5

End annual number: 5