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KR20160060382A - Stacked semiconductor package - Google Patents

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Publication number
KR20160060382A
KR20160060382A KR1020140162591A KR20140162591A KR20160060382A KR 20160060382 A KR20160060382 A KR 20160060382A KR 1020140162591 A KR1020140162591 A KR 1020140162591A KR 20140162591 A KR20140162591 A KR 20140162591A KR 20160060382 A KR20160060382 A KR 20160060382A
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KR
South Korea
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laminated
semiconductor chip
ball
stacked
balls
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020140162591A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정진욱
Original Assignee
하나 마이크론(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하나 마이크론(주) filed Critical 하나 마이크론(주)
Priority to KR1020140162591A priority Critical patent/KR20160060382A/en
Publication of KR20160060382A publication Critical patent/KR20160060382A/en
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    • H10W90/00
    • H10W74/012
    • H10W74/117
    • H10W74/15
    • H10W90/724

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

A stacked semiconductor package comprises a first semiconductor chip, and a connection pad formed around the first semiconductor chip. The stacked semiconductor package comprises: a substrate on which the first semiconductor chip is mounted; a stack post electrically connected to the connection pad wherein at least two balls are stacked on the stack post; and a second semiconductor chip electrically connected to the stack post and stacked on the first semiconductor chip. Therefore, the stacked package can be manufactured by a simple process.

Description

적층된 반도체 패키지{STACKED SEMICONDUCTOR PACKAGE} [0001] STACKED SEMICONDUCTOR PACKAGE [0002]

본 발명은 적층된 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 솔더볼을 이용하는 적층된 반도체 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a stacked semiconductor package, and more particularly to a stacked semiconductor package using solder balls.

최근 반도체 칩의 패키지는 반도체 칩의 박형화 및 미세화 추세에 발맞추어 이러한 칩들을 패키징 하고자 다양한 새로운 기술들을 접목시키고 있다. In recent years, semiconductor chip packages have been incorporating various new technologies to package such chips in line with the trend of thinning and miniaturization of semiconductor chips.

그 중 하나의 기술로서 볼 수 있는 것이 반도체 칩을 복수개의 층으로 적층하는 적층 패키지 기술이다. 일반적으로 여러 개의 반도체 칩을 이용하는 패키지를 평면적으로 구성하게 되면, 반도체 패키지의 면적이 증가하게 되고, BGA와 같은 외부 접속 단자를 각각 형성해야 하므로, 제품의 전체적인 두께도 두꺼울 뿐 아니라, 각 칩 간의 전기적 신호 교환을 함에 있어서, 많은 경로의 전기 배선을 통해야 하는 단점이 있었다.One of them is a stacked package technology in which semiconductor chips are stacked in a plurality of layers. In general, when a package using a plurality of semiconductor chips is formed in a planar manner, the area of the semiconductor package is increased, and external connection terminals such as a BGA are required to be formed. Therefore, not only the overall thickness of the product is large, There has been a disadvantage in that it is necessary to use electric wiring of many paths in signal exchange.

하지만, 반도체 칩을 적층하여 패키징 하는 경우에는, 적층된 패키지에서는 외부접속 단자를 한 부분만 형성하면 되므로, 반도체 칩 자체에 의한 두게가 증가하더라도, 전체적인 패키징의 두께는 오히려 감소될 수 있으며, 긴밀한 전기적 신호를 주고받는 칩 간에 적층을 하게 함으로써, 데이터 처리를 보다 빠르고 신뢰성 있게 할 수 있게 된다.However, when the semiconductor chips are stacked and packaged, only one portion of the external connection terminal needs to be formed in the stacked package. Therefore, even if the thickness of the semiconductor chip itself increases, the thickness of the entire packaging can be rather reduced, By stacking the chips between the chips to exchange signals, data processing can be performed more quickly and reliably.

이러한 많은 장점을 가지고 있는 것이 적층 반도체 패키지이다. 하지만, 이러한 적층 반도체 패키징을 구현하기 위해서는 반도체 칩이 실장되는 기판과 상부 칩 간의 전기적인 접속 경로를 형성해야 하는데, 이러한 전기적인 접속 경로를 형성하는 방법이 용이하지 않은 것이 현실이다.A stacked semiconductor package has many advantages. However, in order to realize such a stacked semiconductor packaging, an electrical connection path between the substrate on which the semiconductor chip is mounted and the upper chip must be formed. It is a reality that a method of forming such an electrical connection path is not easy.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 솔더볼을 이용하여 적층 포스트를 형성하는 적층된 반도체 패키지를 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a stacked semiconductor package which forms a laminated post using a solder ball.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 의한 적층된 반도체 패키지는 제1 반도체 칩, 상기 제1 반도체 칩의 주변에 형성되는 접속 패드를 포함하고, 상기 제1 반도체 칩을 실장하는 기판, 상기 접속 패드와 전기적으로 연결되고, 적어도 두 개 이상의 볼이 적층되어 형성되는 적층 포스트 및 상기 적층 포스트와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 반도체 칩 상에 적층되는 제2 반도체 칩을 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a stacked semiconductor package including a first semiconductor chip, a connection pad formed around the first semiconductor chip, And a second semiconductor chip electrically connected to the connection pad, the second semiconductor chip being electrically connected to the lamination posts, and stacked on the first semiconductor chip, the lamination posts being formed by stacking at least two balls.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 반도체 칩은 플립칩인 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment, the first semiconductor chip may be a flip chip.

일 실시예에 있어서, 상기 적층 포스트는 적어도 세 개 이상의 볼이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment, the laminated posts may be formed by stacking at least three balls.

일 실시예에 있어서, 상기 적층 포스트는 상부 적층 볼과 하부 적층 볼을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment, the laminated posts may include an upper laminated ball and a lower laminated ball.

일 실시예에 있어서, 상기 적층 포스트의 하부 적층 볼은 상기 기판의 패드 상에 먼저 형성되고, 상기 적층 포스트의 상부 적층 볼은 상기 제2 반도체 칩의 아래에 형성된 후, 상기 제2 반도체 칩을 실장하는 단계에서 상기 상부 적층 볼과 하부 적층 볼이 적층되는 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment, a lower laminated ball of the laminated posts is formed first on a pad of the substrate, and an upper laminated ball of the laminated posts is formed below the second semiconductor chip, The upper laminated ball and the lower laminated ball are stacked.

일 실시예에 있어서, 상기 적층 포스트의 하부 적층 볼 및 상부 적층 볼은 상기 기판의 패드 상에 적층되어 먼저 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment, the lower laminated ball and the upper laminated ball of the laminated posts are stacked on the pad of the substrate and formed first.

일 실시예에 있어서, 상기 적층 포스트는 상부 적층 볼, 적어도 하나 이상의 연결 적층 볼 및 하부 적층 볼을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment, the laminated posts may include an upper laminated ball, at least one connected laminated ball, and a lower laminated ball.

상기한 본 발명에 의하면, 적어도 두 개 이상의 볼 형상을 적층하여 상하 간을 전기적으로 연결하는 포스트를 형성함으로써, 간편하고 쉬운 방법으로 반도체 적층 패키지를 제작할 수 있게 된다.According to the present invention described above, a semiconductor laminated package can be manufactured by a simple and easy method by forming at least two balls in a laminated shape and electrically connecting upper and lower portions.

또한, 볼의 크기 또는 반도체 칩의 크기 및 형상에 따라 포스트를 형성하는 볼의 개수를 조절함으로써, 반도체 패키지의 성질에 부합하게 적층형 포스트를 형성할 수 있게 된다.Further, by controlling the number of balls forming the posts according to the size of the ball or the size and shape of the semiconductor chip, it is possible to form the laminated posts in accordance with the characteristics of the semiconductor package.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a laminated semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a laminated semiconductor package according to the embodiment of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a laminated semiconductor package according to the embodiment of FIG.
4 is a cross-sectional view showing a laminated semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a laminated semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 반도체 패키지(1000)는 제1 반도체 칩(110), 상기 제1 반도체 칩(110)의 주변에 형성되는 접속 패드(230)를 포함하고, 상기 제1 반도체 칩(110)을 실장하는 기판(210), 상기 접속 패드(230)와 전기적으로 연결되고, 적어도 두 개 이상의 볼(410, 420)이 적층되어 형성되는 적층 포스트(400) 및 상기 적층 포스트(400)와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 반도체 칩(110) 상에 적층되는 제2 반도체 칩(310)을 포함한다.1, a laminated semiconductor package 1000 according to an embodiment of the present invention includes a first semiconductor chip 110 and a connection pad 230 formed around the first semiconductor chip 110 A laminate post 400 electrically connected to the connection pad 230 and formed by stacking at least two balls 410 and 420, And a second semiconductor chip 310 electrically connected to the laminated posts 400 and stacked on the first semiconductor chip 110.

상기 제1 반도체 칩(110)은 플립칩을 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체 칩(110)은 복수개의 범프(130)들을 통하여 상기 기판(210)에 전기적으로 접속된다. 상기 기판(210)은 재배선 패턴을 포함하고 있으며, 이러한 재배선 패턴들은 상기 접속 패드(230)와도 전기적으로 연결된다. 상기 접속 패드(230)는 실질적으로 상기 기판(210) 내에 형성되는 재배선 패턴의 일부 일 수 있다. 따라서 상기 접속 패드(230)들은 상기 제1 반도체 칩(110)과 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 접속 패드(230)와 전기적으로 연결되는 대상은 상기 제1 반도체 칩(110)과 전기적인 연결이 가능하게 된다.The first semiconductor chip 110 may include a flip chip. The first semiconductor chip 110 is electrically connected to the substrate 210 through a plurality of bumps 130. The substrate 210 includes a rewiring pattern, which is also electrically connected to the connection pad 230. The connection pad 230 may be part of a rewiring pattern formed in the substrate 210. Accordingly, the connection pads 230 are electrically connected to the first semiconductor chip 110, and an object electrically connected to the connection pad 230 can be electrically connected to the first semiconductor chip 110 .

상기 제1 반도체 칩(110) 상에는 상기 제2 반도체 칩(310)이 위치한다. 상기 제2 반도체 칩(310)은 비단 반도체 칩 뿐 아니라, 반도체 칩을 포함하는 패키지 형태로도 가능하다. 상기 제1 반도체칩(110) 상에 상기 제2 반도체 칩(310)이 형성되며, 이들 간의 전기적인 접속을 통하여 상기 제1 반도체 칩(110) 및 제2 반도체 칩(310)을 포함하는 패키지를 형성한다.The second semiconductor chip 310 is located on the first semiconductor chip 110. The second semiconductor chip 310 may be a package including a semiconductor chip as well as a semiconductor chip. The second semiconductor chip 310 is formed on the first semiconductor chip 110 and the package including the first semiconductor chip 110 and the second semiconductor chip 310 is electrically connected through the electrical connection therebetween. .

상기 제1 반도체 칩(110)의 측면에는 상기 접속 패드(230)와 전기적으로 연결되는 적층 포스트(400)가 형성된다. 상기 적층 포스트(400)는 적어도 두 개 이상의 볼(410, 420)이 적층되어 형성된다. 상기 볼들(410, 420)은 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)로 구성될 수 있다. 상기 상부 적층 볼(410)은 상기 제2 반도체 칩(310)의 패드(320)와 전기적으로 연결되어 상기 제2 반도체 칩(310)을 연결하고, 상기 하부 적층 볼(420)은 상기 기판(210)의 접속 패드(230)와 전기적으로 연결되어 상기 기판(210) 및 상기 제1 반도체 칩(110)과 전기적으로 연결된다. A laminated post (400) electrically connected to the connection pad (230) is formed on a side surface of the first semiconductor chip (110). The laminated posts 400 are formed by stacking at least two balls 410 and 420. The balls 410 and 420 may be composed of an upper laminated ball 410 and a lower laminated ball 420. The upper laminated ball 410 is electrically connected to the pad 320 of the second semiconductor chip 310 to connect the second semiconductor chip 310 and the lower laminated ball 420 is electrically connected to the substrate 210 And is electrically connected to the substrate 210 and the first semiconductor chip 110. The first semiconductor chip 110 is electrically connected to the connection pad 230 of the first semiconductor chip 110. [

상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)은 솔더볼로 구성될 수 있으며, 또한 다른 전도성 재질로서 볼 형상으로 제작될 수 있다. 또한 상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)은 부분적으로 접속하는 부위에는 솔더를 함유하고 볼의 몸체에 해당하는 부분은 다른 금속을 포함할 수 있다. 상기 상부 적층 볼(410) 또는 하부 적층 볼(420)이 부분적으로 또는 전체에서 솔더를 포함하는 경우에는 상기 상부 및 하부 적층 볼들(410, 420)을 배치한 후 리플로우 공정등을 통하여 상기 볼들(410, 420) 간의 결합을 더욱 공고히 할 수 있다.The upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 may be formed of a solder ball, or may be formed in a ball shape as another conductive material. In addition, the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 may include solder in a part to be partially connected and other metal in a part corresponding to the body of the ball. When the upper laminated ball 410 or the lower laminated ball 420 partially or wholly includes solder, the upper and lower laminated balls 410 and 420 are disposed and then reflowed through the reflow process or the like. 410 and 420 can be further strengthened.

따라서 상기 볼들(410, 420)을 포함하는 적층 포스트(400)가 상기 제1 반도체 칩(110)의 측면에 배치되어 상기 제1 반도체 칩(110), 기판(210) 및 상기 제2 반도체 칩(310)을 전기적으로 연결하는 패키지를 제작할 수 있다. 기존에는 측면에 몰딩을 형성하고, 몰딩에 비아를 형성한 후에 전도성 물질 등을 채워 넣어 패키지 상하 간의 전기적인 접속을 형성하는 TMV(Through Mold Via) 또는 LDP(Laser Drilling Process) 방식을 사용하였지만, 본 실시예와 같이 복수개의 볼들(410, 420)을 이용하는 경우에는 보다 간편한 공정을 통하여 패키지 상하 간의 전기적인 접속을 이끌어 낼 수 있어, 공정의 간편화와 이를 통한 원가절감의 효과를 가져올 수 있다.The laminated posts 400 including the balls 410 and 420 are disposed on the side surfaces of the first semiconductor chip 110 and the first semiconductor chip 110, 310 are electrically connected to each other. Conventionally, TMV (Through Mold Via) or LDP (Laser Drilling Process) method, which forms a mold on a side surface, forms a via in a molding and then fills a conductive material or the like and forms an electrical connection between the upper and lower sides of the package, When a plurality of balls 410 and 420 are used as in the embodiment, electrical connection between the top and bottom of the package can be obtained through a simpler process, thereby simplifying the process and reducing the cost.

도 2는 도 1의 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a laminated semiconductor package according to the embodiment of FIG.

도 2를 참조하면, 상기 적층 포스트(400)는 상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)이 따로 형성되었다가 상부에 위치하는 제2 반도체 칩(310)이 상기 기판(210)으로 실장되면서 상기 적층 포스트(400)가 형성된다.2, the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 are separately formed in the laminated post 400, and the second semiconductor chip 310 located on the upper part is formed on the substrate 210 The laminated posts 400 are formed.

본 실시예에서는 상기 상부 적층 볼(410)은 상기 제2 반도체 칩(310)의 패드(320) 상에 먼저 형성되고, 상기 하부 적층 볼(420)은 상기 기판(210)의 접속 패드(230) 상에 형성된다. 본 실시예에서는 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)이 각각 하나씩 도시되었지만, 상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)은 볼의 크기 및 패키지에서 요구되는 높이에 따라 몇 개의 볼이 연이어 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 상부 적층 볼이 한 개의 볼로 형성되고, 하부 적층 볼이 두 개의 볼이 적층되어 형성될 수 있다.The upper laminated ball 410 is first formed on the pad 320 of the second semiconductor chip 310 and the lower laminated ball 420 is formed on the connection pad 230 of the substrate 210. [ As shown in FIG. Although the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 are shown one by one in the present embodiment, the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 may be formed of several layers depending on the size of the ball and the height required in the package. The balls may be formed in succession. In some cases, the upper laminated ball may be formed of a single ball, and the lower laminated ball may be formed by stacking two balls.

상기 제1 반도체 칩(310)이 상기 기판(210) 상에 실장되면서 상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)이 적층된다. 상기 상부 및 하부 적층 볼들(410, 420)이 솔더를 포함하는 경우에는, 별도의 리플로우 공정 등을 통하여 상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)의 결합을 더욱 공고히 할 수 있다. The first semiconductor chip 310 is mounted on the substrate 210, and the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 are laminated. When the upper and lower laminated balls 410 and 420 include solder, the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 may be more firmly coupled through a separate reflow process or the like.

도 3은 도 1의 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a laminated semiconductor package according to the embodiment of FIG.

도 3을 참조하면, 상기 적층 포스트(400)는 상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)이 함께 상기 기판(210) 상의 접속 패드(230)에 형성된다. 후에 상부에 위치하는 제2 반도체 칩(310)이 상기 기판(210)으로 실장되면서 상기 적층 포스트(400)에 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 3, the laminated posts 400 are formed on the connection pads 230 on the substrate 210 together with the upper laminated balls 410 and the lower laminated balls 420. The second semiconductor chip 310 located on the upper side is electrically connected to the laminated posts 400 while being mounted on the substrate 210.

본 실시예에서는 상기 상부 적층 볼(410)은 상기 하부 적층 볼(420)과 함께 상기 기판(210)의 접속 패드(230) 상에 형성된다. 본 실시예에서는 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)이 각각 하나씩 도시되었지만, 상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)은 볼의 크기 및 패키지에서 요구되는 높이에 따라 몇 개의 볼이 연이어 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 세 개 이상의 적층 볼이 두 개의 볼이 적층되어 형성될 수 있다.In the present embodiment, the upper laminated ball 410 is formed on the connection pad 230 of the substrate 210 together with the lower laminated ball 420. Although the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 are shown one by one in the present embodiment, the upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 may be formed of several layers depending on the size of the ball and the height required in the package. The balls may be formed in succession. In some cases, three or more laminated balls may be formed by stacking two balls.

상기 상부 적층 볼(410) 및 하부 적층 볼(420)은 이미 서로 적층이 되어 적층 포스트(400)를 형성한다. 상기 적층 포스트(400)는 상기 기판(210)의 접속 패드(230) 상에 형성되며, 상기 제2 반도체 칩(310)의 패드(320)와 전기적으로 연결된다.The upper laminated ball 410 and the lower laminated ball 420 are already laminated to each other to form a laminated post 400. The laminated posts 400 are formed on the connection pads 230 of the substrate 210 and are electrically connected to the pads 320 of the second semiconductor chip 310.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a laminated semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 적층 반도체 패키지(2000)의 적층 포스트(500)가 세 개 이상의 적층 볼로 형성된 점을 제외하면, 도 1의 실시예의 적층 반도체 패키지(1000)의 구성과 실질적으로 동일하므로, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.4, substantially the same as the configuration of the laminated semiconductor package 1000 of the embodiment of FIG. 1, except that the laminated posts 500 of the laminated semiconductor package 2000 of this embodiment are formed of three or more laminated balls Therefore, the same reference numerals are used for the same constituent elements, and redundant explanations are omitted.

상기 적층 포스트(500)는 상부 적층 볼(510), 하부 적층 볼(520) 및 연장 적층 볼(530)을 포함한다. 상기 볼의 크기는 일정하지 않을 수 있다. 예를 들면 상기 연장 적층 볼(530) 이 큰 직경을 가지고, 각각의 패드들과 직접적으로 연결되는 상부 적층 볼(510) 및 하부 적층 볼(520)이 더 작은 크기의 볼일 수 있다. 또는 상기 패키지의 구조상의 안정화를 위하여, 상기 상부 적층 볼(510), 연장 적층 볼(530) 및 하부 적층 볼(520)의 순으로 볼의 크기를 점차적으로 증가하여 상기 적층 포스트(500)를 피라미드 형상으로 제작할 수 있다.The laminated posts 500 include an upper laminated ball 510, a lower laminated ball 520, and an extended laminated ball 530. The size of the ball may not be constant. For example, the upper laminated ball 510 and the lower laminated ball 520, each having a large diameter and directly connected to the respective pads, may be a smaller-sized ball. The size of the balls is gradually increased in the order of the upper laminated ball 510, the extended laminated ball 530 and the lower laminated ball 520 in order to stabilize the structure of the package, Shape.

상기 적층 포스트(500)를 도 3의 실시예와 같이 먼저 형성하고 상기 제2 반도체 칩(310)을 실장하는 경우에는 보다 적층 포스트(500)의 구조적 안정이 필요할 수 있다. 이러한 경우 상기 적층 포스트(500)의 상부 적층 볼(510), 연장 적층 볼(530) 및 하부 적층 볼(520)의 크기를 점차적으로 증가하여 구조적 안정을 꾀할 수 있게 된다.When the laminated posts 500 are first formed as in the embodiment of FIG. 3 and the second semiconductor chip 310 is mounted, the structural stability of the laminated posts 500 may be required. In this case, the size of the upper laminated ball 510, the extended laminated ball 530 and the lower laminated ball 520 of the laminated post 500 may be gradually increased to achieve structural stability.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 적어도 두 개 이상의 볼 형상을 적층하여 상하 간을 전기적으로 연결하는 포스트를 형성함으로써, 간편하고 쉬운 방법으로 반도체 적층 패키지를 제작할 수 있게 된다.As described above, according to the embodiment of the present invention, it is possible to fabricate a semiconductor laminated package by a simple and easy method by forming at least two balls in a laminated shape and electrically connecting the upper and lower balls.

또한, 볼의 크기 또는 반도체 칩의 크기 및 형상에 따라 포스트를 형성하는 볼의 개수를 조절함으로써, 반도체 패키지의 성질에 부합하게 적층형 포스트를 형성할 수 있게 된다.Further, by controlling the number of balls forming the posts according to the size of the ball or the size and shape of the semiconductor chip, it is possible to form the laminated posts in accordance with the characteristics of the semiconductor package.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. You will understand.

1000 : 적층 반도체 패키지
110 : 제1 반도체 칩 210 : 기판
310 : 제2 반도체 칩 400 : 적층 포스트
2000 : 적층 반도체 패키지
500 : 적층 포스트
1000: Laminated semiconductor package
110: first semiconductor chip 210: substrate
310: second semiconductor chip 400: laminated post
2000: Laminated semiconductor package
500: laminated post

Claims (7)

제1 반도체 칩;
상기 제1 반도체 칩의 주변에 형성되는 접속 패드를 포함하고, 상기 제1 반도체 칩을 실장하는 기판;
상기 접속 패드와 전기적으로 연결되고, 적어도 두 개 이상의 볼이 적층되어 형성되는 적층 포스트; 및
상기 적층 포스트와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 반도체 칩 상에 적층되는 제2 반도체 칩을 포함하는 적층된 반도체 패키지.
A first semiconductor chip;
And a connection pad formed on the periphery of the first semiconductor chip, the substrate mounting the first semiconductor chip;
A laminated post electrically connected to the connection pad and formed by stacking at least two balls; And
And a second semiconductor chip electrically connected to the laminated posts and stacked on the first semiconductor chip.
제1항에 있어서,
상기 제1 반도체 칩은 플립칩인 것을 특징으로 하는 적층된 반도체 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first semiconductor chip is a flip chip.
제1항에 있어서,
상기 적층 포스트는 적어도 세 개 이상의 볼이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 적층된 반도체 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the laminated posts are formed by stacking at least three balls.
제1항에 있어서,
상기 적층 포스트는 상부 적층 볼과 하부 적층 볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층된 반도체 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the laminated posts comprise an upper laminated ball and a lower laminated ball.
제4항에 있어서,
상기 적층 포스트의 하부 적층 볼은 상기 기판의 패드 상에 먼저 형성되고, 상기 적층 포스트의 상부 적층 볼은 상기 제2 반도체 칩의 아래에 형성된 후, 상기 제2 반도체 칩을 실장하는 단계에서 상기 상부 적층 볼과 하부 적층 볼이 적층되는 것을 특징으로 하는 적층된 반도체 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein a lower laminated ball of the laminated posts is first formed on a pad of the substrate, and an upper laminated ball of the laminated posts is formed under the second semiconductor chip, and in the step of mounting the second semiconductor chip, Wherein the balls and the lower stacked balls are stacked.
제4항에 있어서,
상기 적층 포스트의 하부 적층 볼 및 상부 적층 볼은 상기 기판의 패드 상에 적층되어 먼저 형성되는 것을 특징으로 하는 적층된 반도체 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the lower stacked balls and the upper stacked balls of the stacked posts are stacked and formed on the pad of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 적층 포스트는 상부 적층 볼, 적어도 하나 이상의 연결 적층 볼 및 하부 적층 볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층된 반도체 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the laminated posts comprise an upper laminated ball, at least one connected laminated ball, and a lower laminated ball.
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