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KR20160051310A - Sensor package and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20160051310A
KR20160051310A KR1020140151098A KR20140151098A KR20160051310A KR 20160051310 A KR20160051310 A KR 20160051310A KR 1020140151098 A KR1020140151098 A KR 1020140151098A KR 20140151098 A KR20140151098 A KR 20140151098A KR 20160051310 A KR20160051310 A KR 20160051310A
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KR
South Korea
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substrate
electronic device
sensor chip
bonding
mold part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020140151098A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김종만
임재현
류종인
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020140151098A priority Critical patent/KR20160051310A/en
Publication of KR20160051310A publication Critical patent/KR20160051310A/en
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Abstract

본 발명은 제조가 용이하고 휩을 최소화할 수 있는 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지는, 기판, 상기 기판의 일면에 실장되는 적어도 하나의 센서 칩, 상기 기판의 타면에 실장되는 전자 소자, 및 상기 전자 소자를 관통하며 형성되어 상기 기판과 외부를 전기적으로 연결하는 접속 도체를 포함할 수 있다.A sensor package according to an embodiment of the present invention includes a substrate, at least one sensor chip mounted on one surface of the substrate, An electronic device mounted on the other surface of the substrate, and a connection conductor formed through the electronic device and electrically connecting the substrate and the outside.

Description

센서 패키지 및 그 제조 방법{SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}[0001] SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF [0002]

본 발명은 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor package and a manufacturing method thereof.

로봇, 각종 정밀 기기 등, 산업상의 다양한 분야에 있어서 가속도 센서가 넓게 이용되고 있으며, 최근에는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 반도체 가속도 센서의 수요가 급증하고 있다.Acceleration sensors are widely used in a variety of industrial fields such as automobiles, robots, and various precision instruments. Recently, the demand for semiconductor acceleration sensors using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology is rapidly increasing.

반도체 가속도 센서는 일반적으로 세라믹 제의 패키지 내부 수납 공간에 센서부분을 이루는 질량체가 수납되는 구성을 가진다. 또한, 질량체의 보호를 위해, 캡(cap)을 이용하여 수납 공간을 밀폐한다.The semiconductor acceleration sensor generally has a structure in which a mass body constituting a sensor portion is housed in a space inside a package made of ceramic. Further, in order to protect the mass body, a cap is used to seal the storage space.

종래의 반도체 가속도 센서는 일반적으로 금속 계열의 접합제나　에폭시 계열의 접합제를(Die-attach Film) 이용하여 캡을 패키지 몸체에 접합한다. (그런데 이러한 종래의 센서 패키지는 EMC와 같은 수지재에 의해 밀봉되는데, EMC의 수축으로 인해 센서 패키지가 휘는 문제가 발생되고 있다.
A conventional semiconductor acceleration sensor generally bonds a cap to a package body using a metal-based bonding agent or an epoxy-based bonding agent. (However, such a conventional sensor package is sealed by a resin material such as EMC, and the sensor package is bent due to shrinkage of EMC.

한국공개특허공보 제 1999-0036491호Korean Patent Publication No. 1999-0036491

본 발명의 목적은 제조가 용이하고 휩을 최소화할 수 있는 센서 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
An object of the present invention is to provide a sensor package which can be easily manufactured and can minimize a whip, and a manufacturing method thereof.

본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지는, 기판, 상기 기판의 일면에 실장되는 적어도 하나의 센서 칩, 상기 기판의 타면에 실장되는 전자 소자, 및 상기 전자 소자를 관통하며 형성되어 상기 기판과 외부를 전기적으로 연결하는 접속 도체를 포함할 수 있다.A sensor package according to an embodiment of the present invention includes a substrate, at least one sensor chip mounted on one surface of the substrate, an electronic device mounted on the other surface of the substrate, And may include connecting conductors that electrically connect to each other.

또한 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판의 일면에 센서 칩을 실장하는 단계, 상기 기판의 타면에 전자 소자를 실장하는 단계, 및 상기 전자 소자를 관통하는 접속 도체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a sensor package, including: preparing a substrate; mounting a sensor chip on one surface of the substrate; mounting an electronic device on the other surface of the substrate; Thereby forming a connection conductor to be formed.

본 발명에 따른 센서 패키지는 기판의 양면에 센서 칩과 전자 소자가 분산 배치된다. 이로 인해 몰드부도 기판의 양면으로 분산 배치된다. In the sensor package according to the present invention, the sensor chip and the electronic device are dispersedly disposed on both sides of the substrate. As a result, the mold part is also dispersedly disposed on both sides of the substrate.

따라서, 기판의 일면에 형성되는 몰드부의 양을 최소화할 수 있으므로 몰드부의 열수축으로 인해 기판 또는 패키지가 휘어지는 것을 최소화할 수 있다.Therefore, since the amount of the mold part formed on one surface of the substrate can be minimized, the warping of the substrate or the package due to heat shrinkage of the mold part can be minimized.

또한, 기판의 양면에 센서 칩과 전자 소자가 분산 배치되므로, 전자 소자에서 발생되는 열이 센서 칩으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서 센서 소자 특성을 개선할 수 있으며 방열 특성을 높일 수 있다.
In addition, since the sensor chip and the electronic device are dispersedly disposed on both sides of the substrate, the heat generated in the electronic device can be minimally introduced into the sensor chip. Therefore, the characteristics of the sensor element can be improved and the heat radiation characteristic can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 센서 칩을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 센서 칩의 분해사시도.
도 4 내지 도 10은 본 실시예에 따른 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a sensor package according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view schematically showing the sensor chip shown in Fig.
3 is an exploded perspective view of the sensor chip shown in Fig.
4 to 10 are views for explaining a method of manufacturing a sensor package according to the present embodiment.
11 is a cross-sectional view schematically showing a sensor package according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 더하여 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. In addition, the shape and size of elements in the figures may be exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 센서 패키지의 분해사시도이다. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a sensor package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of the sensor package shown in FIG.

본 실시예에 따른 센서 패키지(100)는, 센서 칩(1), 기판(10), 및 전자 소자(20)를 포함할 수 있다. The sensor package 100 according to the present embodiment may include the sensor chip 1, the substrate 10, and the electronic device 20. [

센서 칩(1)은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정을 통해 제조할 수 있는 센서 칩(1)일 수 있다. 따라서, 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 기반으로 형성된다.The sensor chip 1 may be a sensor chip 1 that can be manufactured through a MEMS (Micro Electro Mechanical System) process. Thus, it is formed on the basis of a semiconductor substrate such as a wafer.

본 실시예에 따른 센서 패키지(100)는 2개의 센서 칩(1a, 1b)을 포함할 수 있다. 여기서 2개의 센서 칩(1a, 1b)은 각각 가속도 센서 칩(1a)과 자이로 센서 칩(1b)일 수 있다. The sensor package 100 according to the present embodiment may include two sensor chips 1a and 1b. Here, the two sensor chips 1a and 1b may be the acceleration sensor chip 1a and the gyro sensor chip 1b, respectively.

본 실시예에 따른 센서 칩들(1a, 1b)은 각각 도 2에 도시된 바와 같이 베이스(5)와, 베이스(5)의 내부 공간(6)에 설치되는 질량체(8)를 포함한다. 질량체(8)와 베이스(5)는 적어도 하나의 연결부(9)에 의해 연결된다. The sensor chips 1a and 1b according to the present embodiment each include a base 5 and a mass body 8 installed in the internal space 6 of the base 5 as shown in Fig. The mass (8) and the base (5) are connected by at least one connecting portion (9).

연결부(9)는 일단이 질량체(8)에 연결되고, 타단이 베이스(5)에 연결되며, 외력에 따른 가속도에 비례하여 진동하는 질량체(8)에 대해 스프링 역할을 수행한다. The connecting portion 9 has one end connected to the mass body 8 and the other end connected to the base 5 and acting as a spring against the mass body 8 vibrating in proportion to the acceleration due to the external force.

또한 베이스(5)의 상부와 하부에는 베이스(5)의 내부 공간(6)을 밀폐하기 위해, 각각 커버 형태의 캡(2, 3)이 결합된다. The caps 2 and 3 in the form of a cover are respectively coupled to the upper and lower portions of the base 5 in order to seal the inner space 6 of the base 5.

하부 캡(2)은 베이스(5)의 하부면에 결합되며 상부 캡(3)은 베이스(5)의 상부면에 결합된다. 여기서 베이스(5)의 내부 공간(6)이 관통 구멍 형태가 아닌 홈의 형태로 형성되는 경우, 하부 캡(2)은 생략될 수 있다. The lower cap 2 is coupled to the lower surface of the base 5 and the upper cap 3 is coupled to the upper surface of the base 5. Here, when the internal space 6 of the base 5 is formed in the form of a groove rather than a through hole, the lower cap 2 may be omitted.

베이스(5)의 상부면에는 적어도 하나의 전극(5a)과 배선 패턴(5b)이 형성될 수 있다. 전극(5a)은 베이스(5)의 상부면 일측에 형성될 수 있으며, 내부 공간(6)과 최대한 이격 배치될 수 있다. At least one electrode 5a and a wiring pattern 5b may be formed on the upper surface of the base 5. [ The electrode 5a may be formed on one side of the upper surface of the base 5 and may be disposed as far as possible from the internal space 6. [

따라서 상부 캡(3)은 전극(5a)이 외부로 노출되도록 전극(5a)이 형성된 부분을 제외한 나머지 베이스(5)의 상부면을 덮도록 형성될 수 있다. The upper cap 3 may be formed to cover the upper surface of the base 5 except for the portion where the electrode 5a is formed so that the electrode 5a is exposed to the outside.

배선 패턴(5b)은 베이스(5) 상에 회로를 형성하며, 전극(5a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 배선 패턴(5b)의 형성 위치는 베이스(5)의 상부면으로 한정되지 않으며, 필요에 따라 다양한 위치에 형성될 수 있다. The wiring pattern 5b forms a circuit on the base 5 and can be electrically connected to the electrode 5a. The formation position of the wiring pattern 5b is not limited to the upper surface of the base 5, and may be formed at various positions as required.

본 실시예에 따른 베이스(5)와 상부 캡(3), 하부 캡(2)은 모두 동일한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 실리콘(Silicon) 재질로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.The base 5, the upper cap 3, and the lower cap 2 according to the present embodiment may be formed of the same material. For example, a silicon (silicon) material. However, the present invention is not limited thereto.

또한 상부 캡(3)과 하부 캡(2)은 접착 부재(4)에 의해 베이스(5)에 접합된다.Further, the upper cap 3 and the lower cap 2 are bonded to the base 5 by the bonding member 4.

이와 같이 구성되는 센서 칩(1)은 전극(5a)이 형성되어 있는 활성면이 기판(10)을 향하도록 배치되어 페이스 다운 본딩(face down bonding) 방식으로 기판(10)의 일면에 접합된다. The sensor chip 1 having such a structure is disposed such that the active surface on which the electrode 5a is formed faces the substrate 10 and is bonded to one surface of the substrate 10 in a face down bonding manner.

이때, 센서 칩들(1)은 전극(5a)이 기판(10)의 외측을 향하도록 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. At this time, the sensor chips 1 may be disposed so that the electrodes 5a face the outside of the substrate 10. [ However, the present invention is not limited thereto.

기판(10)과 센서 칩(1)의 전극(5a) 사이에는 도전성 부재(50)가 개재되어 상호 간을 전기적으로 연결한다. 또한 센서 칩(1)의 상부 캡(2)과 기판(10) 사이에는 접착 테이프와 같은 접합 부재(60)가 개재되어 상호 간을 견고하게 접합한다.
A conductive member 50 is interposed between the substrate 10 and the electrode 5a of the sensor chip 1 to electrically connect each other. A bonding member 60 such as an adhesive tape is interposed between the upper cap 2 of the sensor chip 1 and the substrate 10 to firmly bond them to each other.

기판(10)은 당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 종류의 기판(예를 들어, 세라믹 기판, 인쇄 회로 기판, 유연성 기판 등)이 이용될 수 있다. 또한 기판(10)의 양면에는 센서 칩(1)이나 전자 소자(20)가 전기적으로 연결되는 실장용 전극들(13)과, 실장용 전극들(13) 상호간을 전기적으로 연결하는 배선 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. As substrate 10, various types of substrates (e.g., ceramic substrate, printed circuit board, flexible substrate, etc.) well known in the art can be used. Mounting electrodes 13 for electrically connecting the sensor chip 1 and the electronic element 20 are formed on both sides of the substrate 10 and wiring patterns for electrically connecting the mounting electrodes 13 Can be formed.

본 실시예에 따른 기판(10)은 단층 기판이거나, 복수의 층으로 형성된 다층 기판일 수 있으며, 이 경우 각 층 사이에는 전기적 연결을 형성하기 위한 회로 패턴(15)이 형성될 수 있다. The substrate 10 according to the present embodiment may be a single layer substrate or a multilayer substrate formed of a plurality of layers, in which case a circuit pattern 15 for forming an electrical connection may be formed between each layer.

또한, 본 실시예에 따른 기판(10)은 양면에 형성되는 실장용 전극(13)과 기판(10)의 내부에 형성되는 회로 패턴(17)들을 전기적으로 연결하는 도전성 비아(14)를 포함할 수 있다. The substrate 10 according to the present embodiment includes conductive vias 14 for electrically connecting the mounting electrodes 13 formed on both sides and the circuit patterns 17 formed in the substrate 10 .

또한 본 실시예에 따른 기판(10)은 하면에 외부 접속용 패드(16)가 형성될 수 있다. 외부 접속용 패드(16)는 후술되는 제2 접속 도체(25)와 전기적으로 연결되기 위해 구비되며, 제2 접속 도체(25)를 통해 외부 단자(28)와 연결된다. Also, the pad 10 for external connection may be formed on the bottom surface of the substrate 10 according to the present embodiment. The external connection pad 16 is provided to be electrically connected to the second connection conductor 25 to be described later and is connected to the external terminal 28 through the second connection conductor 25.

여기서, 기판(10)의 하면에 형성되는 실장용 전극들(13)은 외부 접속용 패드(16)의 외측에 배치된다.Here, the mounting electrodes 13 formed on the lower surface of the substrate 10 are disposed outside the external connection pad 16.

또한 기판(10)의 내부에는 다수의 제1 접속 도체(15)가 형성된다. 제1 접속 도체(15)는 기판(10)을 관통하는 형태로 배치되며, 일단은 기판(10)의 일면에 형성된 실장용 전극(13)과 연결되고 타단은 기판(10)의 타면에 형성된 외부 접속용 전극(16)과 연결된다.In addition, a plurality of first connecting conductors 15 are formed in the substrate 10. The first connection conductor 15 is arranged to penetrate the substrate 10 and has one end connected to the mounting electrode 13 formed on one surface of the substrate 10 and the other end connected to the outside And is connected to the connection electrode 16.

제1 접속 도체(15)는 도전성 재질로 형성될 수 있으며 예를 들어 구리나, 금, 은, 알루미늄 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The first connecting conductor 15 may be formed of a conductive material and may be formed of, for example, copper, gold, silver, aluminum, or an alloy thereof.

한편, 본 실시예에 따른 접속 도체(25)는 기판(10)의 일면에 형성된 실장용 전극(13)과 타면에 형성된 외부 접속용 전극(16)을 전기적으로 연결하기 위해 구비된다. 따라서, 기판(10)에 형성된 배선 패턴이나 도전성 비아(14), 회로 패턴(17) 등을 통해 상기한 실장용 전극(13)과 외부 접속용 전극(16)이 전기적으로 연결된다면, 제1 접속 도체(15)는 생략될 수 있다.
The connecting conductor 25 according to the present embodiment is provided for electrically connecting the mounting electrode 13 formed on one surface of the substrate 10 and the external connection electrode 16 formed on the other surface. Therefore, if the mounting electrode 13 and the external connection electrode 16 are electrically connected through the wiring pattern formed on the substrate 10, the conductive via 14, the circuit pattern 17, or the like, The conductor 15 may be omitted.

전자 소자(20)는 주문형 전자 소자(ASIC, application-specific integrated circuit)일 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 일반적인 능동 소자나 수동 소자, 반도체 소자들을 포함할 수 있다. The electronic device 20 may be an application-specific integrated circuit (ASIC). However, the structure of the present invention is not limited thereto, and may include other general active elements, passive elements, and semiconductor elements.

전자 소자(20)는 기판(10)의 타면인 하부면에 접합된다. 이를 위해 기판(10)과 전자 소자(20) 사이에는 접착 테이프와 같은 접합 부재(70)가 개재될 수 있다. The electronic device 20 is bonded to the lower surface of the substrate 10 on the other side. For this, a bonding member 70 such as an adhesive tape may be interposed between the substrate 10 and the electronic device 20.

전자 소자(20)에는 다수의 전극(20a)이 형성되며, 본딩 와이어(110)를 통해 기판(10)의 타면에 형성된 실장용 전극(13)에 전기적으로 연결될 수 있다.A plurality of electrodes 20a are formed on the electronic device 20 and electrically connected to the mounting electrodes 13 formed on the other surface of the substrate 10 through the bonding wires 110. [

또한 본 실시예에 따른 전자 소자(20)는 기판(10)의 크기와 유사한 크기로 형성된다. 예를 들어 본 실시예에 따른 전자 소자(20)의 면적은 기판(10)의 면적보다 작게 형성되되, 기판(10) 면적의 70% 이상으로 형성될 수 있다. Further, the electronic device 20 according to the present embodiment is formed to have a size similar to that of the substrate 10. For example, the area of the electronic device 20 according to the present embodiment is smaller than the area of the substrate 10, and may be 70% or more of the area of the substrate 10.

이로 인해 전자 소자(20)와 기판(10)의 접합면은 기판(10) 면적 70% 이상으로 형성되므로, 전자 소자(20)와 기판(10) 사이에는 매우 큰 접합력이 발생하며, 이러한 접합력은 기판(10)이 제1 몰드부(31)에 의해 휘는 것을 억제하는 힘으로 작용될 수 있다.
This results in a very large bonding force between the electronic element 20 and the substrate 10 because the bonding surface between the electronic element 20 and the substrate 10 is formed with an area of 70% or more of the substrate 10, It is possible to act as a force for restraining the substrate 10 from being bent by the first mold part 31. [

몰드부(30)는 기판(10)의 상면에 형성되는 제1 몰드부(31)와, 기판(10)의 하면에 형성되는 제2 몰드부(35)를 포함할 수 있다. The mold part 30 may include a first mold part 31 formed on the upper surface of the substrate 10 and a second mold part 35 formed on the lower surface of the substrate 10. [

몰드부(30)는 기판(10)의 양면에 실장된 센서 칩(1)과 전자 소자(20)를 밀봉한다. 또한 소자들(1, 20)의 외부를 둘러싸며 소자들(1, 20)을 기판(10) 상에 고정시켜 외부의 충격으로부터 소자들(1, 20)을 안전하게 보호한다. The mold part 30 seals the sensor chip 1 and the electronic device 20 mounted on both sides of the substrate 10. [ The elements 1 and 20 are surrounded by the elements 1 and 20 to secure the elements 1 and 20 on the substrate 10 to safely protect the elements 1 and 20 from external impacts.

본 실시예에 따른 몰드부(30)는 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같이 수지재를 포함하는 절연성의 재료로 형성된다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.The mold part 30 according to the present embodiment is formed of an insulating material including a resin material such as an EMC (Epoxy Molding Compound). However, the present invention is not limited thereto.

본 실시예에 따른 제1 몰드부(31)는 기판(10)의 일면 전체를 덮는 형태로 형성된다. 또한 본 실시예에서는 모든 센서 칩들(1)이 제1 몰드부(31)의 내부에 매립되는 경우를 예로 들고 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 몰드부(31)의 내부에 매립되는 센서 칩들(1) 중 적어도 하나는 일부가 제1 몰드부(31)의 외부로 노출되도록 구성하는 등 다양한 응용이 가능하다.
The first mold part 31 according to the present embodiment is formed to cover the entire one surface of the substrate 10. In this embodiment, all the sensor chips 1 are embedded in the first mold part 31 as an example. However, the present invention is not limited to this, and at least one of the sensor chips 1 embedded in the first mold part 31 may be partially exposed to the outside of the first mold part 31, This is possible.

제2 몰드부(35)는, 기판(10)의 하면에 형성되며, 전자 소자(20)와 본딩 와이어(80)를 내부에 매립한다.The second mold part 35 is formed on the lower surface of the substrate 10 and embeds the electronic element 20 and the bonding wire 80 therein.

제2 몰드부(35)는 제1 몰드부(31)와 마찬4가지로 전자 소자(20)를 완전히 매립하는 형태로 형성될 수 있으나, 필요에 따라 전자 소자(20)를 부분적으로 노출하도록 형성될 수도 있다.The second mold part 35 may be formed to completely embed the electronic device 20 in the same manner as the first mold part 31 but may be formed so as to partially expose the electronic device 20, .

한편, 본 실시예에 따른 제2 몰드부(35)는 도 11에 도시된 바와 같이 전자 소자(20)의 구조나 실장 방식에 따라 생략될 수도 있다.
Meanwhile, the second mold part 35 according to the present embodiment may be omitted depending on the structure and mounting method of the electronic device 20 as shown in FIG.

또한 본 실시예에 따른 전자 소자(20)에는 제2 접속 도체(25)가 형성된다. 제2 접속 도체(25)는 제2 몰드부(35)와 전자 소자(20)를 관통하는 형태로 형성되며, 일단이 기판(10)의 타면에 형성된 외부 접속용 전극(16)에 연결되고 타단은 전자 소자(20)와 제2 몰드부(35)를 관통하여 외부 단자(28)와 접합된다.Also, the second connecting conductor 25 is formed in the electronic device 20 according to the present embodiment. The second connecting conductor 25 is formed to penetrate the second mold part 35 and the electronic device 20 and has one end connected to the external connection electrode 16 formed on the other surface of the substrate 10, Passes through the electronic element 20 and the second mold part 35 and is joined to the external terminal 28. [

제2 접속 도체(25)는 도전성 재질로 형성될 수 있으며 예를 들어 구리나, 금, 은, 알루미늄 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The second connection conductor 25 may be formed of a conductive material, and may be formed of, for example, copper, gold, silver, aluminum, or an alloy thereof.

제1 접속 도체(15)와 마찬가지로, 본 실시예에 따른 제2 접속 도체(25)는 외부 접속용 전극(16)과 외부 단자(28)를 전기적으로 연결하기 위해 구비된다. 따라서, 전자 소자(20) 내에 형성된 내부 회로를 통해 상기한 외부 접속용 전극(16)과 외부 단자(28)가 전기적으로 연결된다면, 제2 접속 도체(25)도 생략될 수 있다.
Like the first connection conductor 15, the second connection conductor 25 according to the present embodiment is provided for electrically connecting the external connection electrode 16 and the external terminal 28. Therefore, if the external connection electrode 16 and the external terminal 28 are electrically connected through the internal circuit formed in the electronic element 20, the second connection conductor 25 may be omitted.

제2 접속 도체(25)의 타단에는 외부 단자(28)가 접합된다. 외부 단자(28)는 센서 패키지(100)와, 센서 패키지(100)가 실장되는 메인 기판(도시되지 않음)을 전기적, 물리적으로 연결한다. 이러한 외부 단자(28)는 범프나 솔더 볼, 패드 등과 같은 다양한 형태로 형성될 수 있다.
An external terminal 28 is bonded to the other end of the second connection conductor 25. The external terminal 28 electrically and physically connects the sensor package 100 and a main board (not shown) on which the sensor package 100 is mounted. The external terminals 28 may be formed in various shapes such as bumps, solder balls, pads, and the like.

이상과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 센서 패키지(100)는 센서 칩(1)과 전자 소자(20)가 기판(10)의 양면으로 분산 배치된다. 이로 인해 몰드부(31, 35)도 기판(10)의 양면으로 분산 배치된다. In the sensor package 100 according to the present embodiment configured as described above, the sensor chip 1 and the electronic device 20 are dispersedly arranged on both sides of the substrate 10. [ As a result, the mold parts 31 and 35 are also dispersed on both sides of the substrate 10.

따라서, 기판(10)의 일면에 형성되는 제1 몰드부(31)의 양을 최소화할 수 있으므로 몰드부(30)의 열수축으로 인해 기판(10) 또는 센서 패키지(100)가 휘어지는 것을 최소화할 수 있다.Since the amount of the first mold part 31 formed on one surface of the substrate 10 can be minimized, it is possible to minimize the bending of the substrate 10 or the sensor package 100 due to the heat shrinkage of the mold part 30 have.

또한, 기판(10)의 양면으로 센서 칩(1)과 전자 소자(20)가 분산 배치되므로, 전자 소자(20)에서 발생되는 열이 센서 칩(1)으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서 방열 특성을 높일 수 있다.
In addition, since the sensor chip 1 and the electronic device 20 are dispersedly disposed on both sides of the substrate 10, the heat generated in the electronic device 20 can be minimally introduced into the sensor chip 1. Therefore, the heat radiation characteristic can be enhanced.

이어서, 본 실시예에 따른 센서 패키지의 제조 방법을 설명한다. Next, a method of manufacturing the sensor package according to the present embodiment will be described.

도 4 내지 도 10은 본 실시예에 따른 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 4 to 10 are views for explaining a method of manufacturing the sensor package according to the present embodiment.

먼저 도 4에 도시된 바와 같이 기판(10)을 준비하는 단계가 수행된다. First, a step of preparing the substrate 10 as shown in Fig. 4 is performed.

전술한 바와 같이 기판(10)은 다층 기판일 수 있으며, 양면에 실장용 전극(13)이 형성될 수 있다. 또한 기판의 하부면에는 외부 접속용 전극(16)이 적어도 하나 형성될 수 있다. 그리고 기판(10)의 내부에는 전술한 제1 접속 도체(15)가 형성될 수 있다. As described above, the substrate 10 may be a multi-layer substrate, and the mounting electrodes 13 may be formed on both sides. At least one electrode 16 for external connection may be formed on the lower surface of the substrate. The first connecting conductor 15 may be formed in the substrate 10.

기판(10)의 일면(또는 상부면)에 형성된 실장용 전극(13)에는 솔더 범프나 솔더 볼과 같은 도전성 부재(50)가 배치된다. 그리고 센서 칩(1)의 일면이 부착되는 부분에는 접착 테이프나 점착 시트와 같은 접합 부재(60)가 부착된다. A conductive member 50 such as a solder bump or a solder ball is disposed on the mounting electrode 13 formed on one surface (or the upper surface) of the substrate 10. A bonding member 60 such as an adhesive tape or an adhesive sheet is attached to a portion of the sensor chip 1 to which the one surface is attached.

여기서, 도전성 부재(50)는 실장용 전극(13) 상에 스크린 프린팅 방식 등을 통해 솔더 페이스트(solder paste)를 인쇄하여 형성하거나, 별도로 제조된 솔더 볼을 실장용 전극(13) 상에 배치하여 형성할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
Here, the conductive member 50 may be formed by printing a solder paste on the mounting electrode 13 through a screen printing method or the like and arranging the separately manufactured solder ball on the mounting electrode 13 . However, the present invention is not limited thereto.

이어서, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상부면에 센서 칩들(1)을 실장하는 단계가 수행된다. 본 단계에서, 센서 칩(1)은 도전성 부재(50)에 전극(도 2의 5a)이 접합되며, 상부 캡(도 2의 2)의 외부면은 접합 부재(60)에 부착되도록 기판(10)에 실장된다. 즉, 센서 칩(1)은 전극(5a)이 형성된 활성면이 기판(10) 측을 향하는 페이스 다운 본딩(face down bonding) 방식으로 기판(10)에 실장된다.
Then, the step of mounting the sensor chips 1 on the upper surface of the substrate 10 as shown in Fig. 5 is performed. 2) is attached to the conductive member 50 and the outer surface of the upper cap 2 (see FIG. 2) is bonded to the bonding member 60 so that the substrate 10 . That is, the sensor chip 1 is mounted on the substrate 10 in a face down bonding manner in which the active surface on which the electrode 5a is formed faces the substrate 10 side.

이어서 도 6에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상부면에 제1 몰드부(31)를 형성하는 단계가 수행된다. Subsequently, the step of forming the first mold part 31 on the upper surface of the substrate 10 is performed as shown in FIG.

본 단계는 금형(미도시) 내에 센서 들이 실장된 기판(10)을 배치한 후, 금형 내부에 성형 수지를 주입함으로써 제1 몰드부(31)를 형성할 수 있다. 이에 기판(10)의 일면 즉 상부면에 실장된 센서 칩들(1)은 제1 몰드부(31)에 의해 외부로부터 보호될 수 있다.
In this step, the first mold part 31 can be formed by disposing the substrate 10 on which the sensors are mounted in a mold (not shown), and then injecting molding resin into the mold. Thus, the sensor chips 1 mounted on one surface, that is, the upper surface of the substrate 10, can be protected from the outside by the first mold part 31.

이어서 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 하부면 상에 전자 소자(20)를 실장하는 단계가 수행된다. 먼저 기판(10) 하부면에 접합 부재(70)를 부착한 후, 접합 부재(70) 상에 전자 소자(20)를 배치한다. 그리고 본딩 와이어(80)를 통해 전자 소자(20)와 기판(10)을 전기적으로 연결한다. Then, as shown in Fig. 7, a step of mounting the electronic element 20 on the lower surface of the substrate 10 is performed. First, the bonding member 70 is attached to the lower surface of the substrate 10, and then the electronic device 20 is placed on the bonding member 70. Then, the electronic element 20 and the substrate 10 are electrically connected through the bonding wire 80.

한편 본 실시예에 따른 접합 부재(60, 80)는 접착성을 갖는 절연 재질 또는 도전성 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 에폭시 수지, 아크릴 수지, PHS(Polyhydroxy Styrene), 실리콘(Silicone), 및 페놀 수지 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 솔더와 같은 도전성 접착제를 이용하는 등 다양한 재질이 이용될 수 있다.
Meanwhile, the bonding members 60 and 80 according to the present embodiment may be formed of an insulating material having an adhesive property or an electrically conductive material. For example, an epoxy resin, an acrylic resin, a PHA (polyhydroxy styrene), a silicone Phenol resin, or the like. However, the present invention is not limited thereto, and a variety of materials such as a conductive adhesive such as solder may be used as needed.

다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이 기판(10)의 하부면에 제2 몰드부(35)를 형성하는 단계가 수행된다. 본 단계 역시 금형(미도시) 내에 기판(10)을 배치한 후, 금형 내부에 성형 수지를 주입함에 따라 수행될 수 있다.
Next, a step of forming a second mold part 35 on the lower surface of the substrate 10 as shown in Fig. 8 is performed. This step may also be performed by disposing the substrate 10 in a mold (not shown), and then injecting molding resin into the mold.

이어서, 도 9에 도시된 바와 같이 제2 몰드부(35)와 전자 소자(20)를 관통하는 비아 홀(24)을 형성한다. 비아 홀(24)은 레이저 드릴(Laser drill) 방식을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 기계적 드릴 방식이나, 식각 등의 방법이 이용될 수도 있다.
Then, as shown in Fig. 9, a via hole 24 penetrating the second mold part 35 and the electronic device 20 is formed. The via hole 24 may be formed through a laser drill method. However, the present invention is not limited thereto, and a mechanical drill method, etching method, or the like may be used.

이어서 도 10에 도시된 바와 같이, 비아 홀(24) 내에 제2 접속 도체(25)를 형성한다. 제2 접속 도체(25)는 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. Subsequently, as shown in Fig. 10, a second connecting conductor 25 is formed in the via hole 24. The second connecting conductor 25 may be formed through a plating process.

본 실시예에 따른 도금 공정은 무전해 도금과 전해 도금에 의해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 무전해 도금 없이 전해 도금만으로 형성하는 것도 가능하다. 이 경우, 기판(10)에는 전해 도금을 위한 도금 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The plating process according to this embodiment can be formed by electroless plating and electrolytic plating. However, it is not limited to this, and it is also possible to form it by electrolytic plating only without electroless plating. In this case, a plating pattern (not shown) for electroplating may be formed on the substrate 10.

한편 제2 접속 도체(25)의 제조 방법은 상기한 방법으로 한정되지 않는다. 예를 들어 비아 홀(24)에 솔더 페이스트와 같은 도전성 물질을 채운 후, 이를 경화시켜 형성하는 등 다양한 변형이 가능하다.On the other hand, the manufacturing method of the second connecting conductor 25 is not limited to the above-described method. For example, the via hole 24 may be filled with a conductive material such as a solder paste, and may be formed by curing.

이어서, 접속 도체(25)의 끝단에 외부 단자(도 1의 28)를 형성하는 단계가 수행될 수 있다. 여기서 외부 단자(28)는 범프나 솔더 볼, 패드 등의 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수도 있다. Then, a step of forming an external terminal (28 in Fig. 1) at the end of the connecting conductor 25 can be performed. Here, the external terminal 28 may be formed in various forms such as a bump, a solder ball, and a pad, and may be omitted if necessary.

이상과 같은 과정을 통해 도 1에 도시된 본 실시예에 따른 센서 패키지(100)를 완성할 수 있다.
Through the above process, the sensor package 100 according to the present embodiment shown in FIG. 1 can be completed.

이상에서 설명한 본 실시예에 따른 센서 패키지 제조 방법은 기판(10)의 양면에 센서 칩(1)과 전자 소자(20)가 각각 실장한 후, 전자 소자(20)를 관통하는 제2 접속 도체(25)를 형성한다. 따라서 제2 접속 도체(25)의 제조가 용이하다.The sensor package manufacturing method according to the present embodiment described above can be applied to the case where the sensor chip 1 and the electronic device 20 are mounted on both surfaces of the substrate 10 and then the second connecting conductor 25 are formed. Therefore, the second connecting conductor 25 is easily manufactured.

또한 전자 소자(20)가 기판(10)의 크기와 유사하게 형성되므로, 전자 소자(20)와 기판(10)의 접합력을 통해 기판(10)의 휘는 것을 최소화할 수 있다.
Since the electronic device 20 is formed to have a size similar to that of the substrate 10, warping of the substrate 10 can be minimized through the bonding force between the electronic device 20 and the substrate 10.

한편, 본 발명에 따른 센서 패키지는 전술한 실시예에 한정되지 않으며 다양한 변형이 가능하다.Meanwhile, the sensor package according to the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다. 11 is a cross-sectional view schematically showing a sensor package according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 센서 패키지(200)는 전자 소자(20)가 본딩 와이어에 의해 기판(10)과 전기적으로 연결되지 않고, 플립 칩 본딩 방식으로 기판(10)에 실장된다. 11, the sensor package 200 according to the present embodiment is mounted on the substrate 10 in a flip chip bonding manner without the electronic element 20 being electrically connected to the substrate 10 by the bonding wire .

그리고 기판(10)과 전자 소자(20) 사이에는 언더필 수지와 같은 접착층(90)이 형성되어 상호 간의 접합력을 확보한다. An adhesive layer 90 such as an underfill resin is formed between the substrate 10 and the electronic device 20 to secure a bonding force between them.

또한 본 실시예에 따른 센서 패키지(200)는 센서 칩(1)의 일면이 제1 몰드부(31)의 외부로 노출된다. 그리고 제2 몰드부(35)는 생략된다.
In the sensor package 200 according to the present embodiment, one surface of the sensor chip 1 is exposed to the outside of the first mold part 31. And the second mold part 35 is omitted.

이에 따라, 본 실시예에 따른 센서 패키지(200)는 높이(또는 두께)를 최소할 수 있다. 또한 플립칩 본딩 방식으로 전자 소자(20)를 기판에 실장한 후, 제2 몰드부를 형성하지 않고 제2 접속 도체(25)를 형성하므로, 제조 비용과 제조 시간을 줄일 수 있다.
Accordingly, the height (or thickness) of the sensor package 200 according to the present embodiment can be minimized. In addition, since the electronic device 20 is mounted on the substrate by the flip-chip bonding method and the second connecting portion 25 is formed without forming the second mold portion, the manufacturing cost and the manufacturing time can be reduced.

이상에서 본 발명의 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. And will be apparent to those skilled in the art.

100, 200: 센서 패키지
1: 센서 칩
10: 기판
20: 전자 소자(ASIC)
25: 접속 도체
30: 몰드부100, 200: Sensor package
1: Sensor chip
10: substrate
20: Electronic Device (ASIC)
25: connecting conductor
30: Mold part

Claims (20)

기판;
상기 기판의 일면에 실장되는 적어도 하나의 센서 칩;
상기 기판의 타면에 실장되는 전자 소자; 및
상기 전자 소자를 관통하며 형성되어 상기 기판과 외부를 전기적으로 연결하는 접속 도체;
를 포함하는 센서 패키지.
Board;
At least one sensor chip mounted on one surface of the substrate;
An electronic device mounted on the other surface of the substrate; And
A connection conductor formed through the electronic device and electrically connecting the substrate and the outside;
.
제1항에 있어서,
상기 기판의 일면에서 상기 센서 칩을 매립하며 형성되는 제1 몰드부를 더 포함하는 센서 패키지.
The method according to claim 1,
And a first mold part formed by embedding the sensor chip on one surface of the substrate.
제1항에 있어서, 상기 센서 칩은,
일부가 상기 제1 몰드부의 외부로 노출되는 센서 패키지.
The sensor chip according to claim 1,
Wherein a part of the sensor package is exposed outside the first mold part.
제1항에 있어서, 상기 센서 칩은,
페이스 다운 본딩(face down bonding) 방식으로 상기 기판에 실장되는 센서 패키지.
The sensor chip according to claim 1,
Wherein the sensor package is mounted on the substrate by a face down bonding method.
제1항에 있어서, 상기 기판은,
타면에 다수의 외부 접속용 단자가 형성되며,
상기 접속 도체는 일단이 상기 외부 접속용 단자에 접합되는 센서 패키지.
The substrate processing apparatus according to claim 1,
A plurality of external connection terminals are formed on the other surface,
Wherein one end of the connecting conductor is joined to the external connecting terminal.
제1항에 있어서, 상기 전자 소자가 상기 기판에 접합되는 접합면은,
상기 기판 면적과 동일하거나, 상기 기판 면적의 70% 이상의 면적으로 형성되는 센서 패키지.
2. The electronic device according to claim 1, wherein the junction surface on which the electronic device is bonded to the substrate,
Wherein the sensor package has an area equal to or greater than 70% of the area of the substrate.
제1항에 있어서, 상기 전자 소자는,
본딩 와이어에 의해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 센서 패키지.
The electronic device according to claim 1,
A sensor package electrically connected to the substrate by a bonding wire.
제1항에 있어서,
상기 기판의 타면에서 상기 전자 소자를 매립하며 형성되는 제2 몰드부를 더 포함하는 센서 패키지.
The method according to claim 1,
And a second mold part formed by embedding the electronic device on the other surface of the substrate.
제8항에 있어서, 상기 접속 도체는,
상기 기판과 상기 제2 몰드부를 함께 관통하며 형성되는 센서 패키지.
9. The connector according to claim 8,
And the second mold part is formed to penetrate the substrate and the second mold part together.
제1항에 있어서, 상기 전자 소자는,
플립 칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 상기 기판에 실장되는 센서 패키지.
The electronic device according to claim 1,
A sensor package mounted on a substrate by a flip chip bonding method.
제10항에 있어서,
상기 전자 소자와 상기 기판 사이에 충진되는 접합층을 더 포함하는 센서 패키지.
11. The method of claim 10,
And a bonding layer filled between the electronic device and the substrate.
제1항에 있어서, 상기 센서 칩은,
내부에 형성된 공간에 질량체가 배치되고 일면에 적어도 하나의 전극이 형성된 베이스와, 상기 베이스를 일면에 결합되어 상기 전극이 노출되도록 상기 질량체가 배치된 공간을 밀봉하는 상부 캡을 포함하며,
상기 상부 캡의 외부면이 상기 기판의 일면에 접합되는 센서 패키지.
The sensor chip according to claim 1,
A base having a mass disposed in a space formed therein and having at least one electrode formed on one surface thereof and an upper cap coupled to one surface of the base to seal a space in which the mass is disposed to expose the electrode,
And an outer surface of the upper cap is bonded to one surface of the substrate.
기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 일면에 센서 칩을 실장하는 단계;
상기 기판의 타면에 전자 소자를 실장하는 단계; 및
상기 전자 소자를 관통하는 접속 도체를 형성하는 단계;
를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
Preparing a substrate;
Mounting a sensor chip on one surface of the substrate;
Mounting an electronic device on the other surface of the substrate; And
Forming a connection conductor through the electronic device;
≪ / RTI >
제13항에 있어서, 상기 센서 칩을 실장하는 단계는,
도전성 부재를 매개로 상기 센서 칩의 전극이 상기 기판에 전기적으로 연결되도록 상기 센서 칩을 페이스 다운 본딩 방식으로 상기 기판에 접합하는 단계를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
14. The method of claim 13, wherein the step of mounting the sensor chip comprises:
Bonding the sensor chip to the substrate by face-down bonding so that the electrode of the sensor chip is electrically connected to the substrate via the conductive member.
제13항에 있어서, 상기 전자 소자를 실장하는 단계는,
상기 기판의 타면에 상기 전자 소자를 접합하는 단계; 및
본딩 와이어를 이용하여 상기 전자 소자와 상기 기판을 전기적으로 연결하는 단계;
를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
14. The method of claim 13, wherein mounting the electronic device comprises:
Bonding the electronic device to the other surface of the substrate; And
Electrically connecting the electronic device and the substrate using a bonding wire;
≪ / RTI >
제13항에 있어서, 상기 전자 소자를 실장하는 단계는,
플립칩 본딩 방식으로 상기 기판의 타면에 상기 전자 소자를 접합하는 단계를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
14. The method of claim 13, wherein mounting the electronic device comprises:
And bonding the electronic device to the other surface of the substrate by a flip chip bonding method.
제13항에 있어서, 상기 센서 칩을 실장하는 단계 이후,
상기 기판의 일면에 상기 센서 칩을 매립하는 제1 몰드부를 형성하는 단계를 더 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
14. The method of claim 13, further comprising: after mounting the sensor chip,
And forming a first mold part to bury the sensor chip on one surface of the substrate.
제13항에 있어서, 상기 전자 소자를 실장하는 단계 이후,
상기 기판의 타면에 상기 전자 소자를 매립하는 제2 몰드부를 형성하는 단계를 더 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
14. The method of claim 13, wherein after mounting the electronic component,
And forming a second mold part for embedding the electronic device on the other surface of the substrate.
제13항에 있어서, 상기 접속 도체를 형성하는 단계는,
상기 전자 소자에 비아 홀을 형성하는 단계; 및
상기 비아 홀에 도전성 물질을 채워 상기 접속 도체를 형성하는 단계;
를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
14. The method of claim 13, wherein forming the connecting conductor comprises:
Forming a via hole in the electronic device; And
Filling the via hole with a conductive material to form the connection conductor;
≪ / RTI >
제13항에 있어서, 상기 접속 도체를 형성하는 단계는,
상기 전자 소자에 비아 홀을 형성한 후, 도금 방식으로 상기 비아 홀에 상기 접속 도체를 형성하는 단계인 센서 패키지 제조 방법.14. The method of claim 13, wherein forming the connecting conductor comprises:
Forming a via hole in the electronic device, and then forming the connection conductor in the via hole by a plating method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180029654A (en) * 2016-09-13 2018-03-21 (주)포인트엔지니어링 Micro sensor package

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007200710A (en) * 2006-01-26 2007-08-09 Nippon Oil Corp Solid oxide fuel cell stack
KR100807050B1 (en) * 2006-08-23 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 Semiconductor device and manufacturing method
JP2009246084A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Denso Corp Mold package, and method of manufacturing the same
KR101194536B1 (en) * 2011-04-20 2012-10-24 삼성전기주식회사 Method of manufacturing inertial sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007200710A (en) * 2006-01-26 2007-08-09 Nippon Oil Corp Solid oxide fuel cell stack
KR100807050B1 (en) * 2006-08-23 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 Semiconductor device and manufacturing method
JP2009246084A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Denso Corp Mold package, and method of manufacturing the same
KR101194536B1 (en) * 2011-04-20 2012-10-24 삼성전기주식회사 Method of manufacturing inertial sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180029654A (en) * 2016-09-13 2018-03-21 (주)포인트엔지니어링 Micro sensor package

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