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KR20160033631A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

웨이퍼의 가공 방법 Download PDF

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KR20160033631A
KR20160033631A KR1020150131715A KR20150131715A KR20160033631A KR 20160033631 A KR20160033631 A KR 20160033631A KR 1020150131715 A KR1020150131715 A KR 1020150131715A KR 20150131715 A KR20150131715 A KR 20150131715A KR 20160033631 A KR20160033631 A KR 20160033631A
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South Korea
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cutting
wafer
divided
adhesive film
dicing tape
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KR1020150131715A
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마사루 나카무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
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Publication date
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Abstract

본 발명은, 웨이퍼의 이면에 장착한 다이 본딩용 접착 필름 측을 다이싱 테이프의 표면에 붙인 상태에서, 절삭 블레이드에 의해 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 절삭할 때에, 절삭 블레이드의 절삭날에 흔들림이 발생하는 일이 없고, 다이싱 테이프를 구성하는 기재의 버가 생기지 않는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자상으로 형성되어 있음과 아울러 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할함과 아울러, 각 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착함과 아울러 접착 필름 측을 자외선의 조사에 의해 경화하는 점착층이 테이프 기재에 부설된 다이싱 테이프의 점착층에 붙이는 웨이퍼 지지 공정과, 다이싱 테이프에 자외선을 조사하여 점착층을 경화시키는 자외선 조사 공정과, 외주에 절삭날을 구비한 절삭 블레이드를 회전시켜 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 절단함으로써 개개의 디바이스로 분할하는 절삭 공정을 포함하고, 절삭 공정은 절삭 블레이드의 절삭날을 경화한 점착층에 절입시킨다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은, 표면에 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할함과 아울러, 각 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 디바이스 제조 프로세스에 있어서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성하고 있다. 이와 같이 표면에 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에는 폴리이미드계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 등으로 형성된 두께 5∼150 ㎛의 다이아 터치 필름(DAF)이라 불리는 다이 본딩용 접착 필름이 장착되어, 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 웨이퍼를 절단함으로써 개개의 디바이스로 분할된다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
상술한 반도체 웨이퍼의 분할에는 일반적으로 절삭 장치가 이용되고 있고, 이 절삭 장치는 두께가 20∼30 ㎛ 정도의 절삭날을 갖는 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 절삭한다. 절삭 장치에 의해 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 절삭하기 위해서는, 환상의 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 접착 필름 측을 붙인 상태에서 척 테이블에 유지하고, 절삭 블레이드에 의해 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 절삭하는데, 절삭 블레이드의 절삭날이 접착 필름의 탄력성에 기인하여 흔들리는 경우가 있다. 절삭 블레이드의 절삭날이 흔들리면, 개개로 분할되는 디바이스의 측면에 손상이 생겨 디바이스의 항절 강도 및 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 있다.
상술한 문제를 해소하기 위해서, 절삭 블레이드의 절삭날의 외주 가장자리가 다이싱 테이프의 기재를 약간 절입하는 위치에 절삭 블레이드를 위치시킴으로써, 절삭날을 다이싱 테이프에 지지되도록 하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2009-28810호 공보
그러나, 절삭 블레이드의 절삭날의 외주 가장자리가 다이싱 테이프를 약간 절입하는 위치에 위치되어 절삭하면, 다이싱 테이프의 기재가 절삭되기 때문에, 기재의 버(burr)가 접착 필름에 부착되어 디바이스를 배선 기판에 본딩할 때에, 기재의 버가 단선을 일으키는 원인이 된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 웨이퍼의 이면에 장착한 다이 본딩용 접착 필름 측을 다이싱 테이프의 표면에 붙인 상태에서, 절삭 블레이드에 의해 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 웨이퍼를 절삭할 때에, 절삭 블레이드의 절삭날에 흔들림이 발생하는 일이 없고, 다이싱 테이프의 기재의 버가 생기지 않는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자상으로 형성되어 있음과 아울러 상기 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할함과 아울러, 각 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착함과 아울러 접착 필름 측을 자외선의 조사에 의해 경화하는 점착층이 테이프 기재에 부설된 다이싱 테이프의 점착층에 붙이는 웨이퍼 지지 공정과,
상기 다이싱 테이프에 자외선을 조사하여 상기 점착층을 경화시키는 자외선 조사 공정과,
외주에 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 회전시켜 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 절단함으로써 개개의 디바이스로 분할하는 절삭 공정을 포함하고,
상기 절삭 공정은, 절삭 블레이드의 절삭날을 경화한 점착층에 절입시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 따르면, 절삭 공정에서는 절삭 블레이드의 절삭날을 경화한 점착층에 절입시키므로, 절삭 블레이드의 절삭날은 경화한 점착층에 의해 지지되어 흔들림이 억제되기 때문에, 디바이스에 손상을 발생시키는 일이 없다.
또한, 절삭 공정에 있어서는, 절삭 블레이드의 환상의 절삭날은 경화한 점착층에 절입하고, 테이프 기재에 도달하지 않으므로 테이프 기재를 절삭하지 않기 때문에, 버가 발생하는 일이 없어, 단선을 일으킨다고 하는 문제를 미연에 방지할 수 있다.
도 1은 반도체 웨이퍼의 사시도.
도 2는 웨이퍼 지지 공정의 제1 실시형태를 도시한 설명도.
도 3은 웨이퍼 지지 공정의 제2 실시형태를 도시한 설명도.
도 4는 자외선 조사 공정을 도시한 설명도.
도 5는 절삭 공정을 실시하기 위한 절삭 장치의 주요부 사시도.
도 6은 절삭 공정을 도시한 설명도.
도 7은 반도체 웨이퍼가 분할된 디바이스의 사시도.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1에는, 반도체 웨이퍼(2)의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 반도체 웨이퍼(2)는, 예컨대 두께가 200 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(2a)에는 복수의 분할 예정 라인(21)이 격자상으로 형성되어 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에는, 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(21)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(22)가 형성되어 있다. 이하, 이 반도체 웨이퍼(2)를 분할 예정 라인(21)을 따라 개개의 디바이스(22)로 분할함과 아울러, 각 디바이스(22)의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 웨이퍼의 가공 방법에 대해서 설명한다.
우선, 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착함과 아울러 접착 필름 측을 자외선의 조사에 의해 경화하는 점착층이 테이프 기재에 부설된 다이싱 테이프에 붙이는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 이 웨이퍼 지지 공정에 있어서의 제1 실시형태에 있어서는, 도 2의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 다이 본딩용 접착 필름(3)을 장착한다. 또한, 접착 필름(3)은, 두께가 100 ㎛인 에폭시계 또는 아크릴계 수지 필름으로 이루어져 있다. 이와 같이 하여 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 접착 필름(3)을 장착하였다면, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 접착 필름(3)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(3) 측을 환상의 프레임(4)에 장착된 다이싱 테이프(5)에 붙인다. 또한, 다이싱 테이프(5)는, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이 두께가 70 ㎛인 폴리올레핀으로 이루어진 테이프 기재(51)의 표면에 자외선의 조사에 의해 경화하는 점착층(52)이 부설되어 있다. 이 점착층(52)의 표면에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 장착된 접착 필름(3)이 붙여진다. 또한, 점착층(52)은, 본 실시형태에 있어서는 아크릴계 수지로 이루어지고, 두께가 30 ㎛로 형성되어 있다. 상술한 도 2의 (a) 내지 (d)에 도시된 실시형태에 있어서는, 환상의 프레임(4)에 장착된 다이싱 테이프(5)에 접착 필름(3)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(3) 측을 붙이는 예를 나타내었지만, 접착 필름(3)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(3) 측에 다이싱 테이프(5)를 붙임과 아울러, 다이싱 테이프(5)의 외주부를 환상의 프레임(4)에 동시에 장착하여도 좋다.
상술한 웨이퍼 지지 공정의 제2 실시형태에 대해서, 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3에 도시된 실시형태는, 다이싱 테이프(5)의 표면에 미리 접착 필름(3)이 붙여진 접착 필름 부착 다이싱 테이프를 사용한다. 또한, 다이싱 테이프(5)는, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 두께가 70 ㎛인 폴리올레핀으로 이루어진 테이프 기재(51)의 표면에 자외선의 조사에 의해 경화하는 아크릴계 수지로 이루어진 두께가 30 ㎛인 점착층(52)이 부설되어 있다. 이와 같이 구성된 다이싱 테이프(5)의 점착층(52)의 표면에 접착 필름(3)이 붙여져 있다. 제2 실시형태에 있어서의 웨이퍼 지지 공정은, 도 3의 (a), (b)에 도시된 바와 같이 환상의 프레임(4)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 다이싱 테이프(5)의 표면에 붙여진 접착 필름(3)에, 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착한다. 이와 같이 접착 필름이 부착된 다이싱 테이프를 사용하는 경우에는, 다이싱 테이프(5)의 표면에 붙여진 접착 필름(3)에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착함으로써, 접착 필름(3)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)가 환상의 프레임(4)에 장착된 다이싱 테이프(5)에 의해 지지된다. 또한, 도 3의 (a), (b)에 도시된 실시형태에 있어서는, 환상의 프레임(4)에 외주부가 장착된 다이싱 테이프(5)의 표면에 붙여진 접착 필름(3)에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착하는 예를 나타내었지만, 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 다이싱 테이프(5)에 붙여진 접착 필름(3)을 장착함과 아울러 다이싱 테이프(5)의 외주부를 환상의 프레임(4)에 동시에 장착하여도 좋다.
상술한 웨이퍼 지지 공정을 실시하였다면, 다이싱 테이프(5)에 자외선을 조사하여 점착층(52)을 경화시키는 자외선 조사 공정을 실시한다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이 환상의 프레임(4)에 장착된 다이싱 테이프(5)의 이면측으로부터 자외선 조사기(6)에 의해 자외선을 조사한다. 또한, 조사하는 자외선은 출력이 100 mW/㎠에서 2초 정도이면 된다. 이 결과, 다이싱 테이프(5)의 테이프 기재(51)의 표면에 부설된 점착층(52)(도 2의 (d) 및 도 3의 (c) 참조)이 경화된다.
다음에, 외주에 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 회전시켜 반도체 웨이퍼(2)를 분할 예정 라인(21)을 따라 접착 필름(3)과 함께 절단함으로써 개개의 디바이스로 분할하는 절삭 공정을 실시한다. 이 절삭 공정은, 도 5에 도시된 절삭 장치(7)를 이용하여 실시한다. 도 5에 도시된 절삭 장치(7)는, 피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(71)과, 상기 척 테이블(71)에 유지된 피가공물을 절삭하는 절삭 수단(72)과, 척 테이블(71)에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(73)을 구비하고 있다. 척 테이블(71)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 도 5에 있어서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동시킴과 아울러, 도시하지 않은 인덱싱 이송 수단에 의해 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동시키도록 되어 있다.
상기 절삭 수단(72)은, 실질적으로 수평으로 배치된 스핀들 하우징(721)과, 상기 스핀들 하우징(721)에 회전 가능하게 지지된 회전 스핀들(722)과, 상기 회전 스핀들(722)의 선단부에 장착된 절삭 블레이드(723)를 포함하고 있고, 회전 스핀들(722)이 스핀들 하우징(721) 내에 배치된 도시하지 않은 서보 모터에 의해 화살표(723a)로 나타내는 방향으로 회전시키도록 되어 있다. 절삭 블레이드(723)는, 알루미늄 등의 금속재에 의해 형성된 원반 형상의 베이스(724)와, 상기 베이스(724)의 측면 외주부에 장착된 환상의 절삭날(725)로 이루어져 있다. 환상의 절삭날(725)은, 베이스(724)의 측면 외주부에 입경이 3∼4 ㎛인 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 굳힌 전기 주조 블레이드로 이루어져 있고, 본 실시형태에 있어서는 두께가 30 ㎛이고 외경(外徑)이 50 ㎜로 형성되어 있다.
상기 촬상 수단(73)은, 스핀들 하우징(721)의 선단부에 장착되어 있고, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 상기 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 상기 광학계에 의해 포착된 상을 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보낸다.
상술한 절삭 장치(7)를 이용하여 절삭 공정을 실시하기 위해서는, 도 5에 도시된 바와 같이 척 테이블(71) 상에 상기 자외선 조사 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)가 붙여져 있는 다이싱 테이프(5) 측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으로써, 다이싱 테이프(5)를 통해 반도체 웨이퍼(2)를 척 테이블(71) 상에 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(71)에 유지된 반도체 웨이퍼(2)는, 표면(2a)이 상측이 된다. 또한, 도 5에 있어서는 다이싱 테이프(5)가 장착된 환상의 프레임(4)을 생략하여 도시하고 있지만, 환상의 프레임(4)은 척 테이블(71)에 배치된 적절한 프레임 유지 수단에 유지된다. 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(71)은, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 촬상 수단(73)의 바로 아래에 위치된다.
상술한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(71)이 촬상 수단(73)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(73) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 절삭해야 할 영역을 검출하는 얼라이먼트 공정을 실시한다. 즉, 촬상 수단(73) 및 도시하지 않은 제어 수단은, 반도체 웨이퍼(2)의 정해진 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(21)과, 상기 분할 예정 라인(21)을 따라 절삭 가공하는 절삭 블레이드(723)와의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하고, 절삭 가공 위치의 얼라이먼트를 수행한다. 또한, 반도체 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 상기 분할 예정 라인(21)에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(21)에 대해서도, 마찬가지로 절삭 가공 위치의 얼라이먼트가 수행된다.
이상과 같이 하여 척 테이블(71) 상에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(2)의 분할 예정 라인(21)을 검출하고, 절삭 영역의 얼라이먼트가 행해졌다면, 반도체 웨이퍼(2)를 유지한 척 테이블(71)을 절삭 영역의 절삭 개시 위치로 이동한다. 이 때, 도 6의 (a)에서 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)는 절삭해야 할 분할 예정 라인(21)의 일단(도 6의 (a)에 있어서 좌단)이 절삭 블레이드(723)의 바로 아래보다 소정량 우측에 위치하도록 위치된다.
이와 같이 하여 절삭 장치(7)의 척 테이블(71) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(2)가 절삭 가공 영역의 절삭 개시 위치에 위치되었다면, 절삭 블레이드(723)를 도 6의 (a)에 있어서 이점 쇄선으로 나타낸 대기 위치로부터 화살표 Z1로 나타내는 바와 같이 아래쪽으로 절입 이송하고, 도 6의 (a)에 있어서 실선으로 나타내는 바와 같이 정해진 절입 이송 위치에 위치된다. 이 절입 이송 위치는, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이 절삭 블레이드(723)의 환상의 절삭날(725)이 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 장착되어 있는 접착 필름(3)이 붙여진 다이싱 테이프(5)의 경화한 점착층(52)에 절입시키는 위치이며, 테이프 기재(51)에 도달하지 않는 위치로 설정되어 있다.
다음에, 절삭 블레이드(723)를 도 6의 (a)에 있어서 화살표 723a로 나타낸 방향으로 정해진 회전 속도로 회전시키고, 척 테이블(71)을 도 6의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 정해진 절삭 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 척 테이블(71)이 도 6의 (b)에서 도시된 바와 같이 분할 예정 라인(21)의 타단(도 6의 (b)에 있어서 우단)이 절삭 블레이드(723)의 바로 아래보다 소정량 좌측에 위치할 때까지 도달하면, 척 테이블(71)의 이동을 정지한다. 이와 같이 척 테이블(71)을 절삭 이송함으로써, 도 6의 (d)에서 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(2) 및 접착 필름(3)은 분할 예정 라인(21)을 따라 형성된 절삭홈(23)에 의해 절단된다(절삭 공정).
다음에, 절삭 블레이드(723)를 도 6의 (b)에 있어서 화살표 Z2로 나타낸 바와 같이 상승시켜 이점 쇄선으로 나타낸 대기 위치에 위치시키고, 척 테이블(71)을 도 6의 (b)에 있어서 화살표 X2로 나타내는 방향으로 이동하여, 도 6의 (a)에 도시된 위치로 되돌린다. 그리고, 척 테이블(71)을 지면에 수직인 방향(인덱싱 이송 방향)으로 분할 예정 라인(21)의 간격에 해당하는 양만큼 인덱싱 이송하고, 다음에 절삭해야 할 분할 예정 라인(21)을 절삭 블레이드(723)와 대응하는 위치에 위치시킨다. 이와 같이 하여, 다음에 절삭해야 할 분할 예정 라인(21)을 절삭 블레이드(723)와 대응하는 위치에 위치시켰다면, 상술한 절삭 공정을 실시한다. 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(2)에 정해진 방향으로 형성된 모든 분할 예정 라인(21)을 따라 상술한 절삭 공정을 실시한다.
또한, 상기 절삭 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 행해진다.
절삭 블레이드 : 외경 50 ㎜, 두께 30 ㎛
절삭 블레이드의 회전 속도 : 20000 rpm
절삭 이송 속도 : 50 ㎜/초
상술한 절삭 공정을 반도체 웨이퍼(2)에 제1 방향으로 형성된 모든 분할 예정 라인(21)을 따라 실시했다면, 척 테이블(71)을 90도 회동하고, 상기 제1 방향과 직교하는 방향으로 형성된 분할 예정 라인(21)을 따라 상술한 절삭 공정을 실시한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(2)는 분할 예정 라인(21)을 따라 절단되고, 도 7에 도시된 바와 같이 이면에 접착 필름(3)이 장착된 개개의 디바이스(22)로 분할된다.
상술한 절삭 공정에 있어서는, 절삭 블레이드(723)의 환상의 절삭날(725)은 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 장착되어 있는 접착 필름(3)이 붙여진 다이싱 테이프(5)의 경화한 점착층(52)에 절입시키는 위치에 위치되어 있으므로, 경화한 점착층(52)에 의해 지지되어 흔들림이 억제되기 때문에, 디바이스에 손상을 일으키는 일이 없다.
또한, 상술한 절삭 공정에 있어서는, 절삭 블레이드(723)의 환상의 절삭날(725)은 경화한 점착층(52)에 절입시키는 위치에 위치되고, 절삭날(725)의 외주 가장자리가 다이싱 테이프(5)의 테이프 기재(51)에 도달하지 않는 위치에 위치되므로, 테이프 기재(51)를 절삭하지 않기 때문에, 버가 발생하는 일이 없어, 단선을 일으킨다고 하는 문제를 미연에 방지할 수 있다.
2 : 반도체 웨이퍼
21 : 분할 예정 라인
22 : 디바이스
23 : 절삭홈
3 : 접착 필름
4 : 환상의 프레임
5 : 다이싱 테이프
51 : 테이프 기재
52 : 점착층
6 : 자외선 조사기
7 : 절삭 장치
71 : 절삭 장치의 척 테이블
72 : 절삭 수단
723 : 절삭 블레이드
725 : 환상의 절삭날

Claims (1)

  1. 표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자상으로 형성되어 있음과 아울러 상기 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할함과 아울러, 각 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착함과 아울러 접착 필름 측을 자외선의 조사에 의해 경화하는 점착층이 테이프 기재에 부설된 다이싱 테이프의 점착층에 붙이는 웨이퍼 지지 공정과,
    상기 다이싱 테이프에 자외선을 조사하여 상기 점착층을 경화시키는 자외선 조사 공정과,
    외주에 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 회전시켜 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 접착 필름과 함께 절단함으로써 개개의 디바이스로 분할하는 절삭 공정을 포함하고,
    상기 절삭 공정은, 절삭 블레이드의 절삭날을 경화한 점착층에 절입시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190118518A (ko) * 2018-04-10 2019-10-18 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 절삭 방법
KR20200012732A (ko) * 2018-07-26 2020-02-05 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113290484B (zh) * 2018-02-08 2023-04-25 株式会社东京精密 切割装置、切割方法以及切割带
JP2020009872A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139047B2 (ja) * 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020009876A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7191458B2 (ja) * 2018-08-06 2022-12-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020043116A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020043114A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020043117A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020043145A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154698B2 (ja) * 2018-09-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020043115A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020043144A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7175560B2 (ja) * 2018-09-06 2022-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020043143A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009028810A (ja) 2007-07-24 2009-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法及び切削装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4800694B2 (ja) * 2005-07-26 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4992904B6 (ja) * 2006-09-27 2018-06-27 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
EP2265682A1 (en) * 2008-03-31 2010-12-29 Henkel Corporation Multilayer uv-curable adhesive film
US20110018127A1 (en) * 2008-03-31 2011-01-27 Byoungchul Lee Multilayer UV-Curable Adhesive Film
JP2011035075A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムの製造方法および半導体用フィルム
JP2011187571A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012060037A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルム、半導体ウエハーの個片化方法および半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009028810A (ja) 2007-07-24 2009-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法及び切削装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190118518A (ko) * 2018-04-10 2019-10-18 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 절삭 방법
KR20200012732A (ko) * 2018-07-26 2020-02-05 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201614723A (en) 2016-04-16
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US9490171B2 (en) 2016-11-08

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