KR20160024137A - 고분자 전해질 막, 수전해 장치, 연료 전지 및 이를 포함하는 연료 전지 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전해질 막의 열질량 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전해질 막의 이온 전도도를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전해질 막의 이온 교환 용량 및 함수율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 막-전극 접합체(MEA)의 CV 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 수전해 셀의 전류-전압 그래프이다.
구분 | 전해질 막 | 온도(℃) | |
25℃ | 80℃ | ||
실시예 2 | CeO2 0.5% | 1.1ⅹ10-1 ~ 1.2ⅹ10-2 | 1.7ⅹ10-1 ~ 1.8ⅹ10-1 |
CeO2 1% | 9.0ⅹ10-2 ~ 1.0ⅹ10-1 | 1.5ⅹ10-1 ~ 1.6ⅹ10-1 | |
CeO2 2% | 9.0ⅹ10-2 ~ 1.0ⅹ10-1 | 1.4ⅹ10-1 ~ 1.5ⅹ10-1 | |
CeO2 3% | 9.0ⅹ10-2 ~ 1.0ⅹ10-1 | 1.2ⅹ10-1 ~ 1.3ⅹ10-1 | |
CeO2 4% | 6.0ⅹ10-2 ~ 7.0ⅹ10-2 | 9.0ⅹ10-2 ~ 1.0ⅹ10-2 | |
비교예 1 | No CeO2 | 6.0ⅹ10-2 ~ 7.0ⅹ10-2 | 1.7ⅹ10-1 ~ 1.8ⅹ10-1 |
구분 | 전해질 막 | 이온 교환 용량(meq/g-dry-membr.) |
실시예 2 | CeO2 0.5% | 2.11 |
CeO2 1% | 3.56 | |
CeO2 2% | 2.45 | |
CeO2 3% | 1.68 | |
CeO2 4% | 1.08 | |
비교예 1 | No CeO2 | 2.56 |
구분 | 전해질 막 | 함수율(%) |
실시예 2 | CeO2 0.5% | 48.3 |
CeO2 1% | 55.3 | |
CeO2 2% | 58.4 | |
CeO2 3% | 52.2 | |
CeO2 4% | 34.5 | |
비교예 1 | No CeO2 | 44.7 |
구분 | 전해질 막 | 인장강도(MPa) | 연신율(%) |
실시예 2 | CeO2 0.5% | 43.6 | 89.8 |
CeO2 1% | 40.1 | 171.3 | |
CeO2 2% | 45.4 | 130.4 | |
CeO2 3% | 40.3 | 79.8 | |
CeO2 4% | 51.3 | 23.1 | |
비교예 1 | No CeO2 | 65.7 | 69.1 |
구분 | 전해질 막 | 최종분해시간(h:min) |
실시예 2 | CeO2 0.5% | 491:00 |
CeO2 1% | 714:00 | |
CeO2 2% | 802:00 | |
CeO2 3% | 861:00 | |
CeO2 4% | 1059:00 | |
비교예 1 | No CeO2 | 574:22 |
Claims (21)
- 제1항에 있어서,
화학식의 m = p 이고, n = q인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막.
- 제1항에 있어서,
상기 무기산 1.0 ~ 60중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막.
- 제1항에 있어서,
상기 무기산은 포스포텅스틱산, 지르코늄인산, 실리코텅스틱산, 포스포몰리브덴산 및 실리코몰리브덴산으로 이루어진 군중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막.
- 제1항에 있어서,
상기 금속산화물은 탄산염 금속과 무기산을 함께 담지한 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막.
- 제5항에 있어서,
상기 무기산은 포스포텅스틱산, 지르코늄인산, 실리코텅스틱산, 포스포몰리브덴산 및 실리코몰리브덴산으로 이루어진 군중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합인 것을 특징으로 하는 금속산화물.
- 제5항에 있어서,
상기 탄산염 금속의 금속은 주기율표 상의 1 또는 2족의 금속을 포함하는 탄산염 금속을 사용한 것을 특징으로 하는 금속산화물.
- 제1항에 있어서,
상기 금속산화물 0.5 ~ 10중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막.
- 폴리머에 술폰기(-SO3H)를 도입시키는 제1단계;
상기 술폰화된 폴리머에 설핀기(-SO2)를 도입시키는 제2단계;
폴리머 내에 설핀기(-SO2)와 술폰산염기(-SO2M ; M은 금속)가 존재하도록 상기 설핀화된 폴리머를 부분 환원시키는 제3단계;
용매에 상기 부분 환원된 폴리머를 혼합한 후, 가교제를 첨가 교반하여 캐스팅 용액을 제조하는 제4단계;
상기 캐스팅 용액을 코팅하여 막을 제조하는 제5단계; 및
상기 제조된 막의 설핀기(-SO2)를 술폰기(-SO3H)로 치환하는 제7단계를 포함하되,
상기 제4단계에서 가교제를 첨가하기 전에 무기산과 금속산화물을 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법.
- 제9항에 있어서,
상기 무기산의 H+를 금속으로 치환하는 제6단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법.
- 제9항에 있어서,
상기 제3단계는,
설핀화된 폴리머에 술폰산나트륨기(-SO2Na)가 존재하도록 부분 환원시키는 단계 a); 및 상기 술폰산나트륨기(-SO2Na)를 술폰산리튬기(-SO2Li)로 치환시키는 단계 b);를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법.
- 제9항에 있어서,
상기 무기산은 포스포텅스틱산, 지르코늄인산, 실리코텅스틱산, 포스포몰리브덴산 및 실리코몰리브덴산으로 이루어진 군중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합인 것으로 하며, 금속산화물은 산소를 2개 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법.
- 제9항에 있어서,
상기 폴리머는 폴리에테르에테르케톤, 폴리아릴렌에테르케톤, 폴리술폰, 폴리아릴렌에테르술폰, 폴리이미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리벤즈옥사졸, 폴리벤즈시아졸, 폴리피롤론, 폴리포스파젠 및 이들의 공중합체로 이루어진 군중에서 선택된 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법.
- 제9항에 있어서,
상기 제4단계의 상기 가교제는 아이오딘화 알케인으로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법.
- 제11항에 있어서,
상기 단계 a)는,
부분 환원제로서 0.5 ~ 2.0 몰 농도(M)의 소디움설파이트(Na2SO3) 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법.
- 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 따른 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 수전해 장치.
- 청구항 9 내지 청구항 15 중 어느 하나의 항에 따른 고분자 전해질 막의 제조방법에 의하여 제조되는 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 수전해장치.
- 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 따른 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지.
- 청구항 9 내지 청구항 15 중 어느 하나의 항에 따른 고분자 전해질 막의 제조방법에 의하여 제조되는 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지.
- 청구항 18에 따른 연료전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지 시스템.
- 청구항 19에 따른 연료전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지 시스템.
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