[go: up one dir, main page]

KR20160004270A - 필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160004270A
KR20160004270A KR1020157029615A KR20157029615A KR20160004270A KR 20160004270 A KR20160004270 A KR 20160004270A KR 1020157029615 A KR1020157029615 A KR 1020157029615A KR 20157029615 A KR20157029615 A KR 20157029615A KR 20160004270 A KR20160004270 A KR 20160004270A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
type adhesive
adhesive
type
dicing tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020157029615A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102212774B1 (ko
Inventor
유키 스고
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20160004270A publication Critical patent/KR20160004270A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102212774B1 publication Critical patent/KR102212774B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C09J7/0203—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C09J2201/602—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은, 열경화성 수지와 경화제와 도전성 입자를 포함하고, 열경화 후의 유리 전이 온도가 130℃ 이상인 반도체 장치용 필름형 접착제이다.

Description

필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법 {FILM-LIKE ADHESIVE, DICING TAPE-INTEGRATED FILM-LIKE ADHESIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서 반도체 소자를 금속 리드 프레임 등에 접착하는 방법(소위 다이 본딩법)은, 종래의 금-실리콘 공정(共晶)으로 시작되어, 땜납, 수지 페이스트에 의한 방법으로 추이되어 왔다. 현재는 도전성 수지 페이스트를 사용하는 방법이 이용되고 있다.
그러나 수지 페이스트를 사용하는 방법에서는, 보이드에 의하여 도전성이 저하되거나, 수지 페이스트의 두께가 불균일하거나, 수지 페이스트의 비어져 나옴에 의하여 패드가 오염된다는 문제가 있었다. 이들 문제를 해결하기 위하여 수지 페이스트 대신 필름형 접착제를 사용하는 경우가 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
또한 특허문헌 2에는, 반도체 소자나 리드 프레임 등의 열 손상을 저감시키기 위하여, 유리 전이 온도가 -10 내지 50℃인 아크릴산 공중합체를 배합하여 가요성을 부여한 필름형 접착제가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 평6-145639호 공보 일본 특허 제4137827호 공보
그런데 종래부터, 내열성을 갖는 접착제가 절실히 요망되고 있다. 특히 전력의 제어나 공급을 행하는 파워 반도체 장치는 일반적으로 발열량이 많기 때문에, 당해 파워 반도체 장치에 사용되는 접착제에는 높은 내열성이 요구된다.
본 발명자들은 반도체 장치용 필름형 접착제에 대하여 예의 검토하였다. 그 결과, 경화 후의 유리 전이 온도(Tg)가 소정 온도보다 높으면 내열성이 우수한 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 따른 반도체 장치용 필름형 접착제는,
열경화성 수지와 경화제와 도전성 입자를 포함하고,
열경화 후의 유리 전이 온도가 130℃ 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 열경화 후의 유리 전이 온도가 130℃ 이상이기 때문에 내열성을 갖는다. 따라서 반도체 장치에 사용하면, 반도체 소자 등으로부터의 발열에 견딜 수 있다. 또한 도전성 입자를 포함하기 때문에, 반도체 소자 등으로부터의 발열을 효율적으로 외부로 방출하는 것이 가능해진다.
상기 구성에 있어서는, 경화 후의 25℃에서의 전기 저항률이 1×10- 2Ω·m 이하인 것이 바람직하다. 전기 저항률은 낮을수록 전기 전도도가 높고, 전기 전도도는 열 전도도와 비례하기 때문에, 경화 후의 25℃에서의 전기 저항률이 1×10- 2Ω·m 이하이면 열 전도도는 비교적 높다. 그 결과, 반도체 소자 등으로부터의 열을 외부로 효율적으로 방열할 수 있다. 특히 소형이고 고밀도 실장된 반도체 소자에 사용했을 경우에 적절히 열을 외부로 방열할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 열가소성 수지를 포함하고, 상기 열가소성 수지의 중량을 A, 상기 열경화성 수지와 상기 경화제의 합계의 중량을 B라고 했을 때, 중량 비율 (A)/(B)가 1/9 내지 4/6의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 중량 비율 (A)/(B)가 4/6 이하이면 경화 성분이 충분해져, 열경화 후의 유리 전이 온도를 높게 하는 것이 용이해진다. 한편, 상기 중량 비율 (A)/(B)가 1/9 이상이면 필름화가 용이해진다.
상기 구성에 있어서, 상기 도전성 입자의 함유량이 필름형 접착제 전체에 대하여 30 내지 95중량％인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자의 함유량이 필름형 접착제 전체에 대하여 30중량％ 이상이면 열 전도도를 높게 하기 쉽다. 그 결과, 반도체 소자 등으로부터의 열을 외부로 보다 효율적으로 방열할 수 있다. 한편, 상기 도전성 입자의 함유량이 필름형 접착제 전체에 대하여 95중량％ 이하이면 필름화가 용이해진다.
상기 구성에 있어서, 열경화 후의 175℃에서의 인장 저장 탄성률이 50 내지 1500㎫인 것이 바람직하다. 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 50㎫ 이상이면, 반도체 소자 등을 피착체에 견고히 접착할 수 있다. 한편, 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 1500㎫이면, 어느 정도의 유연성을 갖기 때문에 열응력에 견딜 수 있어, 피착체와 박리되어 버리는 것을 억제할 수 있다.
상기 구성에 있어서는 150℃에서 0.5초간 0.5㎫로 유지한 후의 150℃에서의 구리와의 전단 접착력이 5 내지 200g/25㎟의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 전단 접착력이 5g/25㎟ 이상이기 때문에, 반도체 소자를 리드 프레임에 접착시킬 때, 150℃ 이하에서 충분히 연화시킬 수 있다. 그 결과, 리드 프레임 등의 피착체의 산화 방지와 피착체에의 고밀착을 도모할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 두께가 5 내지 100㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 두께가 5㎛ 이상이면, 칩의 휨 등이 발생하더라도 접착되지 않는 부위가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 두께가 100㎛ 이하이면, 다이 본딩 시의 하중에 의하여 필름형 접착제가 과도하게 비어져 나와 패드 등을 오염시키는 것을 억제할 수 있다.
또한 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제는, 상기 과제를 해결하기 위하여, 기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기에 기재된 필름형 접착제를 갖고,
상기 필름형 접착제가 상기 점착제층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 있어서, 상기 필름형 접착제와 상기 다이싱 테이프의 박리력이, 박리 속도: 300㎜/min, 박리 온도: 25℃, T형 박리 시험기의 조건에서 0.01 내지 3.00N/20㎜의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 박리력이 0.01N/20㎜ 이상이면 다이싱 시의 칩 비산을 억제할 수 있다. 또한 상기 박리력이 3.00N/20㎜ 이하이면 픽업을 용이하게 할 수 있다.
또한 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기에 기재된 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제를 사용한 반도체 장치의 제조 방법이며,
상기 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 상기 필름형 접착제에 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정 A와,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 필름형 접착제와 함께 다이싱하는 공정 B와,
다이싱에 의하여 얻어진 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자를 픽업하는 공정 C와,
상기 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자를 피착체에 접촉시킨 후, 상기 필름형 접착제를 50 내지 150℃의 범위 내에서 0.01 내지 2초간 0.05 내지 40㎫의 범위 내에서 유지하는 공정 D와,
상기 공정 D 후, 상기 필름형 접착제를 열경화시키는 공정 E를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
상기 구성에 의하면, 픽업한 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자를 피착체에 접촉시킨 후, 상기 필름형 접착제를 50 내지 150℃의 범위 내에서 0.01 내지 2초간 0.05 내지 40㎫의 범위 내에서 유지한다(공정 D). 따라서 반도체 소자를 리드 프레임 등의 피착체에 접착시킬 때, 50 내지 150℃의 범위 내의 온도에서 충분히 필름형 접착제를 연화시킬 수 있어, 밀착시킬 수 있다. 150℃ 이하라는 비교적 낮은 온도에서 필름형 접착제를 연화시키기 때문에, 피착체(예를 들어 리드 프레임)의 산화를 방지할 수 있다. 그리고 그 후, 상기 필름형 접착제를 열경화시킨다(공정 E). 이것에 의하여, 발열에 견딜 수 있는 반도체 장치로 할 수 있다. 또한 상기 필름형 접착제는 도전성 입자를 포함하기 때문에, 반도체 소자 등으로부터의 발열을 효율적으로 외부로 방출하는 것이 가능해진다.
본 발명의 필름형 접착제 및 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제에 의하면, 반도체 장치에 사용되면 반도체 소자 등으로부터의 발열에 견딜 수 있고, 또한 반도체 소자 등으로부터의 발열을 효율적으로 외부로 방출하는 것이 가능해진다.
또한 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 피착체의 산화를 방지할 수 있고, 또한 발열에 견딜 수 있는 반도체 장치로 할 수 있다. 또한 반도체 소자 등으로부터의 발열을 효율적으로 외부로 방출하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 단면 모식도이다.
도 3은 본 발명의 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
[다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제]
이하, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 단면 모식도이다. 도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 단면 모식도이다.
도 1에 도시한 바와 같이 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10)는, 다이싱 테이프(11) 상에 필름형 접착제(3)가 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 테이프(11)는 기재(1) 상에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 필름형 접착제(3)는 그 점착제층(2) 상에 형성되어 있다. 또한 본 발명은, 도 2에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(12)와 같이 워크(반도체 웨이퍼 등) 부착 부분에만 필름형 접착제(3')를 형성한 구성이어도 된다.
필름형 접착제(3)는 열경화성 수지와 경화제와 도전성 입자를 포함하며, 열경화 후의 유리 전이 온도가 130℃ 이상이다. 상기 열경화 후의 유리 전이 온도는 140℃ 이상인 것이 바람직하다. 또한 상기 열경화 후의 유리 전이 온도는 높을수록 바람직한데, 예를 들어 300℃ 이하이다. 필름형 접착제(3)는, 열경화 후의 유리 전이 온도가 130℃ 이상이기 때문에 내열성을 갖는다. 따라서 반도체 장치에 사용하면 반도체 소자 등으로부터의 발열에 견딜 수 있다. 또한 도전성 입자를 포함하기 때문에, 반도체 소자 등으로부터의 발열을 효율적으로 외부로 방출하는 것이 가능해진다. 상기 유리 전이 온도는, 열가소성 수지와 열경화성 수지의 배합비를 조정하거나, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지의 반응성 관능기의 가수를 조정하거나 함으로써 조절할 수 있다.
또한 본 명세서에서는, 열경화 후의 유리 전이 온도란, 140℃에서 1시간 가열하고 260℃에서 5시간 더 가열한 후의 유리 전이 온도를 말한다.
또한 필름형 접착제(3)는, 열경화 후의 25℃에서의 전기 저항률이 1×10- 2Ω·m 이하인 것이 바람직하다. 전기 저항률은 낮을수록 전기 전도도가 높고, 전기 전도도는 열 전도도와 비례하기 때문에, 열경화 후의 25℃에서의 전기 저항률이 1×10-2Ω·m 이하이면 열 전도도는 비교적 높다. 그 결과, 반도체 소자 등으로부터의 열을 외부로 효율적으로 방열할 수 있다. 특히 소형이고 고밀도 실장된 반도체 소자에 사용했을 경우에 적절히 열을 외부로 방열할 수 있다.
또한 본 명세서에서는, 열경화 후의 25℃에서의 전기 저항률이란, 140℃에서 1시간 가열하고 260℃에서 5시간 더 가열한 후의 전기 저항률을 말한다.
또한 필름형 접착제(3)는, 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 50 내지 1500㎫인 것이 바람직하고, 75 내지 1200㎫인 것이 보다 바람직하다. 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 50㎫ 이상이면, 반도체 소자 등을 피착체에 견고히 접착할 수 있다. 한편, 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 1500㎫이면, 어느 정도의 유연성을 갖기 때문에 열응력에 견딜 수 있어, 피착체와 박리되어 버리는 것을 억제할 수 있다.
또한 본 명세서에서는, 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률이란, 140℃에서 1시간 가열하고 260℃에서 5시간 더 가열한 후의 175℃에서의 저장 탄성률을 말한다.
필름형 접착제(3)의 25℃에서의 저장 탄성률은 5㎫ 이상이 바람직하고, 2×102㎫ 이상이 보다 바람직하다. 5㎫ 미만이면 다이싱 테이프와의 밀착력이 높아져, 픽업성이 저하되는 경향이 있다. 필름형 접착제(3)의 25℃에서의 저장 탄성률은 5×103㎫ 이하가 바람직하고, 3×103㎫ 이하가 보다 바람직하며, 2.5×103㎫ 이하가 더욱 바람직하다. 5×103㎫를 초과하는 것은 배합상 어렵다.
필름형 접착제(3)의 표면 조도(Ra)는 0.1 내지 1000㎚가 바람직하다. 상기 표면 조도를 1000㎚ 이하로 함으로써 저온 교착성을 향상시킬 수 있다. 또한 다이 어태치 시의 피착체에의 교착성을 향상시킬 수 있다. 또한 상기 표면 조도를 0.1㎚ 이상으로 하는 것은 일반적으로 곤란하다.
필름형 접착제(3)는, 열경화 후의 측정 온도 25℃에서의 열전도율은 높을수록 바람직하며, 예를 들어 0.5W/m·K 이상이다. 상기 열전도율이 0.5W/m·K 이상이면 방열성이 좋아, 소형·고밀도 실장에 대응할 수 있다.
또한 본 명세서에서는, 열경화 후의 측정 온도 25℃에서의 열전도율이란, 140℃에서 1시간 가열하고 260℃에서 5시간 더 가열한 후의 25℃에서의 열전도율을 말한다.
필름형 접착제(3)는, 이면 금속막을 갖는 웨이퍼에 70℃에서 부착한 후, 25℃에서 밀착력을 측정했을 때, 0.2N/10㎜ 이상인 것이 바람직하다. 상기 밀착력을 0.2N/10㎜ 이상으로 함으로써, 다이싱 시의 칩 비산을 억제할 수 있다. 또한 이면 금속막이란, 웨이퍼의 이면 금속을 증착한 막 또는 도금한 막을 말한다. 상기 이면 금속막은 통상, 실리콘 웨이퍼보다도 표면 자유 에너지가 작기 때문에, 필름형 접착제(3)가 부착되기 어렵다. 즉, 상기 밀착력을 0.2N/10㎜ 이상으로 함으로써, 필름형 접착제(3)가 부착되기 어려운, 이면 금속막을 갖는 웨이퍼를 사용한 반도체 장치의 제조에 있어서도 다이싱 시의 칩 비산을 억제할 수 있어, 수율의 향상이 도모된다. 상기 밀착력의 측정은, 박리 각도 180°, 박리 온도 25℃, 박리 속도 300㎜/min의 조건에서 행한 값이다.
필름형 접착제(3)는, 150℃에서 0.5초간 0.5㎫로 유지한 후의 150℃에서의 구리와의 전단 접착력이 5 내지 200g/25㎟의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 전단 접착력이 5g/25㎟ 이상이기 때문에, 반도체 소자를 리드 프레임에 접착시킬 때, 150℃ 이하에서 충분히 연화시킬 수 있다. 그 결과, 리드 프레임 등의 피착체의 산화 방지와 피착체에의 고밀착을 도모할 수 있다. 상기 전단 접착력의 측정 방법은 실시예에 기재된 방법에 의한다.
필름형 접착제(3)는 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
아크릴 수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르 중 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 단량체로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸 아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
아크릴 수지 중에서도 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 내지 300만인 것이 보다 바람직하며, 50만 내지 200만인 것이 더욱 바람직하다. 상기 수치 범위 내이면 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한 중량 평균 분자량은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의하여 측정하고 폴리스티렌 환산에 의하여 산출된 값이다.
열가소성 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -40℃ 이상, 보다 바람직하게는 -35℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -25℃ 이상이다. 열가소성 수지의 유리 전이 온도를 -40℃ 이상으로 함으로써 픽업을 용이하게 할 수 있다. 또한 열가소성 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -10℃ 이하, 보다 바람직하게는 -11℃ 이하이다. 열가소성 수지의 유리 전이 온도를 -10℃ 이하로 함으로써, 40℃ 정도의 저온에서 필름형 접착제(3)를 반도체 웨이퍼에 부착하는 것이 용이해진다. 본 명세서에 있어서, 열가소성 수지의 유리 전이 온도는 Fox 식에 의하여 구한 이론값을 말한다.
필름형 접착제(3)는 상술한 바와 같이 열경화성 수지를 포함한다.
상기 열경화성 수지로서는 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 특히 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고 내열성 등이 우수하기 때문이다.
상기 페놀 수지는 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량으로 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
필름형 접착제(3)는, 25℃에서 고체인 열경화성 수지 및 25℃에서 액상인 열경화성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이것에 의하여 양호한 저온 교착성이 얻어진다. 본 명세서에 있어서 25℃에서 액상이란, 25℃에서 점도가 5000㎩·s 미만인 것을 말한다. 한편, 25℃에서 고체란, 25℃에서 점도가 5000㎩·s 이상인 것을 말한다. 또한 점도는, Thermo Scientific사 제조의 형식 번호 HAAKE Roto VISCO1을 사용하여 측정할 수 있다.
필름형 접착제(3)에 있어서, (25℃에서 고체인 열경화성 수지의 중량)/(25℃에서 액상인 열경화성 수지의 중량)이 49/51 내지 10/90인 것이 바람직하고, 45/55 내지 40/60인 것이 보다 바람직하다. (25℃에서 고체인 열경화성 수지의 중량)/(25℃에서 액상인 열경화성 수지의 중량)을 49/51 이하로 함으로써, 40℃ 정도의 저온에서 필름형 접착제(3)를 반도체 웨이퍼에 부착하는 것이 용이해져, 저온 교착성을 향상시킬 수 있다. 한편, (25℃에서 고체인 열경화성 수지의 중량)/(25℃에서 액상인 열경화성 수지의 중량)을 10/90 이하로 함으로써, 필름형 접착제(3)의 점착성이 너무 높아지는 것을 억제하여, 픽업성을 양호하게 할 수 있다.
필름형 접착제(3) 중의 열가소성 수지 및 경화성 수지의 합계 함유량은, 필름형 접착제(3) 전체에 대하여 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 10중량％ 이상이다. 5중량％ 이상이면 필름으로서의 형상을 유지하기 쉽다. 또한 열가소성 수지 및 경화성 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 필름형 접착제(3) 전체에 대하여 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하이다. 70중량％ 이하이면 도전성 입자가 적절히 도전성을 발현한다.
필름형 접착제(3)에 있어서, 상기 열가소성 수지의 중량을 A, 상기 열경화성 수지와 상기 경화제의 합계의 중량을 B라고 했을 때, 중량 비율 (A)/(B)가 1/9 내지 4/6의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 중량 비율 (A)/(B)가 4/6 이하이면 경화 성분이 충분해져, 열경화 후의 유리 전이 온도를 높게 하는 것이 용이해진다. 한편, 상기 중량 비율 (A)/(B)가 1/9 이상이면 필름화가 용이해진다.
필름형 접착제(3)는 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자로서는 특별히 한정되지 않으며, 니켈 입자, 구리 입자, 은 입자, 금 입자, 알루미늄 입자, 카본 블랙 입자, 섬유형 입자인 카본 나노 튜브, 코어 입자의 표면을 도전성 재료로 피복한 입자 등을 들 수 있다.
상기 코어 입자는 도전성, 비도전성 중 어느 것이어도 되며, 예를 들어 유리 입자 등을 사용할 수 있다. 코어 입자의 표면을 피복하는 도전성 재료로서는, 니켈, 구리, 은, 금, 알루미늄 등의 금속을 사용할 수 있다.
상기 도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 플레이크형, 바늘형, 필라멘트형, 구형, 비늘형의 것 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도 분산성, 충전율의 향상의 관점에서 플레이크형이 바람직하다.
상기 도전성 입자의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 필름형 접착제(3)의 두께에 대하여 0.001배 이상(필름형 접착제(3)의 두께×0.001 이상)이 바람직하고, 0.1배 이상이 보다 바람직하다. 0.001배 이상으로 함으로써 열 전도도를 높게 하기 쉽다. 그 결과, 반도체 소자 등으로부터의 열을 외부로 보다 효율적으로 방열할 수 있다. 또한 상기 도전성 입자의 평균 입경은, 필름형 접착제(3)의 두께에 대하여 1배 이하(필름형 접착제(3)의 두께 이하)가 바람직하고, 0.8배 이하가 보다 바람직하다. 1배 이하로 함으로써 칩 갈라짐을 억제할 수 있다. 또한 상기 도전성 입자의 평균 입경은 레이저 회절식 입도 분포계(HORIBA 제조, 장치명; LA-910)에 의하여 구한 값이다.
도전성 입자의 비중은 0.7 이상이 바람직하고, 1 이상이 보다 바람직하다. 0.7 이상으로 함으로써, 접착제 조성물 용액(바니시)의 제작 시에 도전성 입자가 떠올라 버려 도전성 입자의 분산이 불균일해지는 것을 억제할 수 있다. 또한 도전성 입자의 비중은 22 이하가 바람직하고, 21 이하가 보다 바람직하다. 상기 비중을 22 이하로 함으로써, 도전성 입자가 가라앉아 도전성 입자의 분산이 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.
필름형 접착제(3) 중의 도전성 입자의 함유량은, 필름형 접착제(3) 전체에 대하여 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 또한 상기 도전성 입자의 함유량은, 바람직하게는 95중량％ 이하, 보다 바람직하게는 94중량％ 이하이다. 상기 도전성 입자의 상기 함유량을 30중량％ 이상으로 함으로써 열 전도도를 높게 하기 쉽다. 그 결과, 반도체 소자 등으로부터의 열을 외부로 보다 효율적으로 방열할 수 있다. 한편, 상기 도전성 입자의 상기 함유량을 95중량％ 이하로 함으로써 필름화가 용이해진다.
필름형 접착제(3)는 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.
필름형 접착제(3)는 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어 상기 각 성분을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께로 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 건조시킴으로써, 필름형 접착제(3)를 제조할 수 있다.
상기 접착제 조성물 용액에 사용하는 용매로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산시킬 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예를 들어 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다.
상기 기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의하여 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등을 사용 가능하다. 상기 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간으로 행할 수 있다.
필름형 접착제(3)의 두께는 5㎛ 이상이 바람직하고, 15㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한 필름형 접착제(3)의 두께는 100㎛ 이하가 바람직하고, 50㎛ 이하가 보다 바람직하다. 필름형 접착제(3)의 두께가 5㎛ 이상이면, 칩의 휨 등이 발생하더라도 접착되지 않는 부위가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 필름형 접착제(3)의 두께가 100㎛ 이하이면, 다이 본딩 시의 하중에 의하여 필름형 접착제(3)가 과도하게 비어져 나와 패드 등을 오염시키는 것을 억제할 수 있다.
필름형 접착제(3)는 반도체 장치의 제조에 적절히 사용할 수 있다. 그 중에서도, 리드 프레임 등의 피착체와 반도체 칩을 접착하는(다이 어태치하는) 다이 어태치 필름으로서 특히 적절히 사용할 수 있다. 피착체로서는 리드 프레임, 인터포저, 반도체 칩 등을 들 수 있다. 그 중에서도 리드 프레임이 바람직하다.
필름형 접착제(3)는, 본 실시 형태와 같이 다이싱 테이프와 일체화되어, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제로서 제공되는 것이 바람직하다. 단, 본 발명의 필름형 접착제는, 다이싱 테이프에 부착하지 않고 필름형 접착제 단체로서 제공되어도 된다. 이 경우, 필름형 접착제는, 다이싱 테이프에 부착함으로써, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제와 마찬가지의 구성으로 할 수 있다.
기재(1)는 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10, 12)의 강도 모체로 되는 것이며, 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 기재(1)로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위하여, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
기재(1)의 두께는 특별히 제한되지 않으며 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.
점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 사용할 수 있다. 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 회피해야 하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 관점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들어 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등) 중 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한 (메트)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란, 모두 같은 의미이다.
상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.
또한 상기 아크릴계 중합체는, 가교시키기 위하여 다관능성 단량체 등도 필요에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은, 점착 특성 등의 관점에서 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등 중 어느 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 관점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.
또한 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위하여 외부 가교제를 적절히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의, 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 하는 베이스 중합체와의 균형에 따라, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 5중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 더 바람직하다. 또한 점착제에는, 필요에 따라 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.
점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의하여 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는 자외선 등의 방사선의 조사에 의하여 가교도를 증대시켜, 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다.
도 1에 도시하는 점착제층(2)의 워크 부착 부분에 대응하는 부분(2a)만을 방사선 조사함으로써, 다른 부분(2b)과의 점착력의 차를 둘 수 있다. 이 경우, 미경화된 방사선 경화형 점착제에 의하여 형성되어 있는 상기 부분(2b)은, 필름형 접착제(3)와 점착되어 다이싱 시의 보유 지지력을 확보할 수 있다.
또한 도 2에 도시하는 필름형 접착제(3')에 맞춰 방사선 경화형 점착제층(2)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 이 경우, 미경화된 방사선 경화형 점착제에 의하여 형성되어 있는 상기 부분(2b)에 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.
즉, 점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의하여 형성하는 경우에는, 점착제층(2)에 있어서의 상기 부분(2a)의 점착력<그 외의 부분(2b)의 점착력으로 되도록, 상기 부분(2a)을 방사선 조사하는 것이 바람직하다.
상기 방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 2중 결합 등의 방사선 경화성 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에 방사선 경화성 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성 올리고머 성분은, 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
또한 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 2중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중, 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이 포함하지는 않기 때문에, 시간이 흐름에 따라 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하지 않고 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 2중 결합을 갖고 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체에의 탄소-탄소 2중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않으며 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 2중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어 미리 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 2중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이성으로부터, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한 이들 관능기의 조합에 의하여 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물 중의 어느 측에 있어도 되지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시한 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성 올리고머 성분 등은 통상, 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의하여 경화시켰을 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.
또한 상기 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제층(2) 중에는, 필요에 따라 방사선 조사에 의하여 착색되는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의하여 착색되는 화합물을 점착제층(2)에 포함시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 방사선 조사에 의하여 착색하는 화합물은 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의하여 유색으로 되는 화합물이며, 예를 들어 류코 염료 등을 들 수 있다. 방사선 조사에 의하여 착색되는 화합물의 사용 비율은 적절히 설정할 수 있다.
점착제층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 관점에서는 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 5 내지 25㎛가 더욱 바람직하다.
다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10, 12)의 필름형 접착제(3, 3')는 세퍼레이터에 의하여 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 필름형 접착제(3, 3')를 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 세퍼레이터는 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 필름형 접착제(3, 3') 상에 워크를 부착할 때 박리된다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의하여 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.
다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10, 12)는 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어 다이싱 테이프(11)의 점착제층(2)과 필름형 접착제(3, 3')를 접합함으로써, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10, 12)를 제조할 수 있다.
다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10, 12)에 있어서, 필름형 접착제(3, 3')와 다이싱 테이프(11)의 박리력이, 박리 속도: 300㎜/min, 박리 온도: 25℃, T형 박리 시험기의 조건에서 0.01 내지 3.00N/20㎜의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.02 내지 2.00N/20㎜의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 상기 박리력이 0.01N/20㎜ 이상이면 다이싱 시의 칩 비산을 억제할 수 있다. 또한 상기 박리력이 3.00N/20㎜ 이하이면 픽업을 용이하게 할 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은,
상기 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 상기 필름형 접착제에 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정 A와,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 필름형 접착제와 함께 다이싱하는 공정 B와,
다이싱에 의하여 얻어진 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자를 픽업하는 공정 C와,
상기 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자를 피착체에 접촉시킨 후, 상기 필름형 접착제를 50 내지 150℃의 범위 내에서 0.01 내지 2초간 0.05 내지 40㎫의 범위 내에서 유지하는 공정 D와,
상기 공정 D 후, 상기 필름형 접착제를 열경화시키는 공정 E를 적어도 구비한다.
이하, 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 3을 참조하면서, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10)를 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우를 예로 들어 설명한다. 도 3은 본 발명의 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10)에 있어서의 필름형 접착제(3)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이를 접착 유지시켜 고정한다(부착 공정, 공정 A). 본 공정은 압착 롤 등의 가압 수단에 의하여 가압하면서 행한다. 이때, 40℃ 정도의 저온에서 압착할 수 있다. 구체적으로는, 압착 온도(부착 온도)는 35℃ 이상이 바람직하고, 37℃ 이상이 보다 바람직하다. 압착 온도의 상한은 낮은 쪽이 바람직하며, 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 45℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 43℃ 이하이다. 40℃ 정도의 저온에서 반도체 웨이퍼(4)에 교착할 수 있으므로, 반도체 웨이퍼(4)에의 열 영향을 방지할 수 있어 반도체 웨이퍼(4)의 휨을 억제할 수 있다.
상기 압착 시의 압력은 1×105 내지 1×107㎩인 것이 바람직하고, 2×105 내지 8×106㎩인 것이 보다 바람직하다. 또한 상기 압착의 시간으로서는 1초 내지 5분이 바람직하고, 1분 내지 3분이 보다 바람직하다.
다음으로, 반도체 웨이퍼(4)를 필름형 접착제(3)와 함께 다이싱한다(공정 B). 이것에 의하여, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 크기로 절단하고 개편화하여, 반도체 칩(5)을 제조한다. 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상법에 따라 행해진다. 또한 본 공정에서는, 예를 들어 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10)까지 절입을 형성하는, 풀 컷이라 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한 반도체 웨이퍼(4)는 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10)에 의하여 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.
다음으로, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위하여, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다(공정 C). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제(10)측으로부터 니들에 의하여 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의하여 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
여기서 픽업은, 점착제층(2)이 자외선 경화형인 경우, 상기 점착제층(2)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이것에 의하여, 점착제층(2)의 필름형 접착제(3)에 대한 점착력이 저하되어, 필름형 접착제(3)가 구비된 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩(5)을 손상시키지 않고 픽업이 가능해진다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다.
픽업한 반도체 칩(5)은 필름형 접착제(3)를 개재하여 피착체(6)에 접착 고정한다(다이 어태치, 공정 D). 이때, 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자(5)를 피착체(6)에 접촉시킨 후, 필름형 접착제(3)를 50 내지 150℃의 범위 내(바람직하게는 80 내지 140℃의 범위 내)에서 0.01 내지 2초간(바람직하게는 0.02 내지 1.5초간) 0.05 내지 40㎫(바람직하게는 0.1 내지 30㎫)의 범위 내에서 유지한다. 이것에 의하여 충분히 필름형 접착제(3)를 연화시킬 수 있어, 밀착시킬 수 있다. 150℃ 이하라는 비교적 낮은 온도에서 필름형 접착제(3)를 연화시키기 때문에 피착체(6)의 산화를 방지할 수 있다.
계속해서, 필름형 접착제(3)를 열경화시킨다(공정 E). 이것에 의하여 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 접착시킨다. 열 경화 시의 가열 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이다. 열 경화 시의 가열 온도는, 바람직하게는 350℃ 이하, 보다 바람직하게는 300℃ 이하이다. 가열 온도가 상기 범위이면 양호하게 접착할 수 있다.
다음으로, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단부와, 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시 생략)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어(7)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이고, 상기 온도는, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 175℃ 이하이다. 또한 그 가열 시간은 수 초 내지 수 분간(예를 들어 1초 내지 1분간) 행해진다. 결선은, 상기 온도 범위 내로 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의하여 행해진다.
계속해서, 밀봉 수지(8)에 의하여 반도체 칩(5)을 밀봉하는 밀봉 공정을 행한다. 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위하여 행해진다. 본 공정은 밀봉용 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이고, 상기 가열 온도는, 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다.
필요에 따라 밀봉물을 더 가열해도 된다(후경화 공정). 이것에 의하여 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킬 수 있다. 가열 온도는 적절히 설정할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명에 관하여 실시예를 이용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한 각 예 중, 부는 특기가 없는 한 모두 중량 기준이다.
실시예에서 사용한 성분에 대하여 설명한다.
테이산레진 SG-70L(아크릴 공중합체, Mw: 90만, 유리 전이 온도: -13℃): 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조
EOCN-1020-4(25℃에서 고체인 에폭시 수지): 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤 제조
HP-4700(25℃에서 고체인 에폭시 수지): DIC사 제조
HP-4032D(25℃에서 액체인 에폭시 수지): DIC사 제조
JER828(25℃에서 액체인 에폭시 수지): 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조
MEH-8000H(경화제로서의 페놀 수지): 메이와 가세이 가부시키가이샤 제조
1400YP(도전성 입자, 구리 분말, 평균 입자 직경: 7㎛): 미쓰이 긴조쿠 고교사 제조
SPH02J(도전성 입자, 은 분말, 평균 입자 직경: 1㎛): 미쓰이 긴조쿠 고교사 제조
TPP-K(경화 촉진제): 홋코 가가쿠사 제조
실시예 및 비교예
표 1에 기재된 배합비에 따라, 표 1에 기재된 각 성분 및 용매(메틸에틸케톤)를 하이브리드 믹서(키엔스 제조의 HM-500)의 교반 가마에 투입하고, 교반 모드, 3분으로 교반·혼합하였다. 얻어진 바니시를 이형 처리 필름(미쓰비시 주시 가부시키가이샤 제조의 MRA50)에 도포한 후 건조시켜, 필름형 접착제를 제작하였다. 각 필름형 접착제의 두께는 표 1과 같다. 또한 표 1에는, 열가소성 수지의 중량을 A, 열경화성 수지와 경화제의 합계의 중량을 B라고 했을 때의 중량 비율 (A)/(B), 및 필름형 접착제 전체에 대한 도전성 입자의 함유량(중량％)도 나타내고 있다.
Figure pct00001
얻어진 필름형 접착제를 직경 230㎜의 원형으로 잘라내어 다이싱 테이프(닛토 덴코 가부시키가이샤 제조의 P2130G)의 점착제층 상에 25℃에서 부착하여, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제를 제작하였다.
백 그라인더(가부시키가이샤 DISCO 제조의 DFG-8560)를 사용하여, 실리콘 웨이퍼(신에쓰 가가쿠 고교가부시키가이샤 제조, 두께 0.6㎜)를 두께가 0.2㎜로 되도록 연삭하였다. 다음으로, 연삭면에 Ti(티타늄)를 두께 200㎚로 되도록 증착하였다. 다음으로, Ti층 상에 Ni(니켈)를 두께 200㎚로 되도록 증착하였다. 다음으로, Ni층 상에 Ag(은)를 두께 300㎚로 되도록 증착하였다. 이상에 의하여, 이면 금속막이 구비된 웨이퍼를 제작하였다.
얻어진 필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제, 이면 금속막이 구비된 웨이퍼를 사용하여 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[열경화 후의 유리 전이 온도의 측정, 및 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률의 측정]
필름형 접착제를 두께가 500㎛가 될 때까지 필름형 접착제를 중첩하였다. 그 후, 140℃에서 1시간 가열하고 260℃에서 5시간 더 가열하여 열경화시켰다. 다음으로, 길이 22.5㎜(측정 길이), 폭 10㎜의 직사각형으로 커터 나이프로 잘라내어 고체 점탄성 측정 장치(RSAⅡ, 레오메트릭 사이언티픽 가부시키가이샤 제조)를 사용하여 -50 내지 300℃에서의 저장 탄성률을 측정하였다. 측정 조건은 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min으로 하였다. 그때의 175℃에서의 값을, 열경화 후의 175℃에서의 저장 탄성률의 측정값으로 하였다. 또한 tanδ(E"(손실 탄성률)/E'(저장 탄성률))의 값을 산출함으로써 유리 전이 온도를 얻었다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[열경화 후의 25℃에서의 전기 저항률의 측정]
실시예 및 비교예의 필름형 접착제를 140℃에서 1시간 가열하고 260℃에서 5시간 더 가열하여 열경화시켰다. 다음으로, 회로 소자 측정기(히오키 덴키 가부시키가이샤, 밀리옴 하이테스터 AC3560)를 사용하여 4단자법으로 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[필름형 접착제와 다이싱 테이프 간의 박리력 측정]
다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 필름형 접착제 상에, 유지 목적으로 폴리에스테르 점착 테이프(닛토 덴코 가부시키가이샤 제조의 BT-315)를 접합한 후, 100㎜×100㎜ 폭으로 절단하여 샘플을 제작하였다. 이 샘플에 대하여, 박리 속도 300㎜/min, 박리 온도 25℃에서 T형 박리 시험기로 다이싱 테이프로부터 필름형 접착제를 박리하여, 박리력을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[구리와의 전단 접착력 측정]
실시예 및 비교예의 필름형 접착제를 두께 500㎛, 5㎜×5㎜의 실리콘에 60℃에서 접합하여, 전단 접착력 측정용 칩을 제작하였다. 이 측정용 칩의 접착제면을 구리판에 150℃에서 0.5초간 0.5㎫ 유지하여 접합하였다. 구리판은 두께 200㎛의 구리판(JIS규격 C1020)을 사용하였다. 이 측정용 샘플을, 전단 시험기(Dage사 제조, Dage 4000)를 사용하여 필름형 접착제와 구리의 전단 접착력을 측정하였다. 전단 시험의 조건은 측정 속도 500㎛/s, 측정 갭 100㎛, 스테이지 온도 150℃로 하였다. 전단 접착력이 5 내지 200g/25㎟의 범위 내인 경우를 「○」, 5 내지 200g/25㎟의 범위 외인 경우를 「×」라고 평가하였다. 측정값과 함께 결과를 표 2에 나타낸다.
[내열 평가]
상기에서 제작한 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 필름형 접착제면에, 상기에서 제작한 이면 금속막이 구비된 웨이퍼 금속막을 접합하였다. 접합은, 웨이퍼 마운터(닛토 세이키 제조) MA-3000Ⅲ을 사용하여, 부착 속도 10㎜/min, 부착 온도 70℃에서 행하였다. 다음으로, 다이싱 머신으로 다이싱을 행하여, 5×5㎜의 필름형 접착제가 구비된 칩을 얻었다. 그 후, 다이 본더로 구리제의 리드 프레임(다이닛폰 인사쓰사 제조, 제품명: QFN32, 64)에 다이 어태치하였다. 다이 어태치 조건은, 온도: 150℃, 유지 시간: 0.5초간, 압력: 0.5㎫로 하였다. 그 후, 140℃에서 1시간 유지한 후, 260℃에서 5시간 가열하여 필름형 접착제를 열경화시켰다. 그 후, 밀봉 수지(히타치 가세이 가부시키가이샤 제조, GE7470)로 밀봉하고, 175℃에서 5시간 가열하여 밀봉 수지를 경화시켰다. 그 후, 8×8㎜로 절단하여 패키지를 얻었다.
상기에서 제작한 패키지 10개를 온도: -55 내지 125℃에서 1000 사이클의 열 사이클 시험을 행하였다. 시험은 JEDEC 규격 22-A104C 조건 B에 준거하여 행하였다.
열 사이클 후에 패키지를 초음파 현미경으로 관찰하여, 칩의 박리가 1개라도 확인된 경우를 ×, 10개 모두 박리가 확인되지 않은 경우를 ○로서 평가하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
1: 기재
2: 점착제층
3, 3': 필름형 접착제
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지
10, 12: 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제
11: 다이싱 테이프

Claims (10)

  1. 열경화성 수지와 경화제와 도전성 입자를 포함하고,
    열경화 후의 유리 전이 온도가 130℃ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 필름형 접착제.
  2. 제1항에 있어서,
    열경화 후의 25℃에서의 전기 저항률이 1×10- 2Ω·m 이하인 것을 특징으로 하는 필름형 접착제.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    열가소성 수지를 포함하고,
    상기 열가소성 수지의 중량을 A, 상기 열경화성 수지와 상기 경화제의 합계의 중량을 B라고 했을 때, 중량 비율 (A)/(B)가 1/9 내지 4/6의 범위 내인 것을 특징으로 하는 필름형 접착제.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 입자의 함유량이 필름형 접착제 전체에 대하여 30 내지 95중량％인 것을 특징으로 하는 필름형 접착제.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    열경화 후의 175℃에서의 인장 저장 탄성률이 50 내지 1500㎫인 것을 특징으로 하는 필름형 접착제.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    150℃에서 0.5초간 0.5㎫로 유지한 후의 150℃에서의 구리와의 전단 접착력이 5 내지 200g/25㎟의 범위 내인 것을 특징으로 하는 필름형 접착제.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    두께가 5 내지 100㎛의 범위 내인 것을 특징으로 하는 필름형 접착제.
  8. 기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
    제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 필름형 접착제를 갖고,
    상기 필름형 접착제가 상기 점착제층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제.
  9. 제8항에 있어서
    상기 필름형 접착제와 상기 다이싱 테이프의 박리력이, 박리 속도: 300㎜/min, 박리 온도: 25℃, T형 박리 시험기의 조건에서 0.01 내지 3.00N/20㎜의 범위 내인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제.
  10. 제8항 또는 제9항에 기재된 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제를 사용한 반도체 장치의 제조 방법이며,
    상기 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제의 상기 필름형 접착제에 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정 A와,
    상기 반도체 웨이퍼를 상기 필름형 접착제와 함께 다이싱하는 공정 B와,
    다이싱에 의하여 얻어진 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자를 픽업하는 공정 C와,
    상기 필름형 접착제가 구비된 반도체 소자를 피착체에 접촉시킨 후, 상기 필름형 접착제를 50 내지 150℃의 범위 내에서 0.01 내지 2초간 0.05 내지 40㎫의 범위 내에서 유지하는 공정 D와,
    상기 공정 D 후, 상기 필름형 접착제를 열경화시키는 공정 E를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020157029615A 2013-04-30 2014-03-31 필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법 Active KR102212774B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-095410 2013-04-30
JP2013095410A JP6033734B2 (ja) 2013-04-30 2013-04-30 フィルム状接着剤、ダイシングテープ一体型フィルム状接着剤、及び、半導体装置の製造方法
PCT/JP2014/059494 WO2014178252A1 (ja) 2013-04-30 2014-03-31 フィルム状接着剤、ダイシングテープ一体型フィルム状接着剤、及び、半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160004270A true KR20160004270A (ko) 2016-01-12
KR102212774B1 KR102212774B1 (ko) 2021-02-05

Family

ID=51843387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157029615A Active KR102212774B1 (ko) 2013-04-30 2014-03-31 필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6033734B2 (ko)
KR (1) KR102212774B1 (ko)
CN (2) CN105164796A (ko)
TW (1) TWI627252B (ko)
WO (1) WO2014178252A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190017961A (ko) * 2017-05-01 2019-02-20 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 접착 필름, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프, 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105899629A (zh) * 2014-01-08 2016-08-24 日东电工株式会社 膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法、以及半导体装置
JP2015129226A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6396189B2 (ja) * 2014-11-27 2018-09-26 日東電工株式会社 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法
US20180047588A1 (en) * 2015-05-04 2018-02-15 Eoplex Limited Lead carrier structure and packages formed therefrom without die attach pads
JP6967839B2 (ja) 2016-03-23 2021-11-17 日東電工株式会社 加熱接合用シート、ダイシングテープ付き加熱接合用シート、及び、接合体の製造方法、パワー半導体装置
CN109005665B (zh) * 2016-03-30 2020-12-25 琳得科株式会社 半导体加工用片
JP7041669B2 (ja) * 2017-03-29 2022-03-24 日東電工株式会社 加熱接合用シートおよび加熱接合用シート付きダイシングテープ
WO2018212171A1 (ja) * 2017-05-17 2018-11-22 リンテック株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP3712905A4 (en) * 2017-11-13 2021-08-25 Nitto Denko Corporation COMPOSITION FOR BONDING BY SINTING, SHEET FOR BONDING BY SINTING, AND DIE CUTTING TAPE WITH SHEET FOR BONDING BY SINTING
JP6584543B2 (ja) * 2018-01-23 2019-10-02 田中貴金属工業株式会社 導電性接着剤組成物
JP7139040B2 (ja) * 2018-05-14 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139042B2 (ja) * 2018-05-14 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139041B2 (ja) * 2018-05-14 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7413804B2 (ja) * 2020-02-03 2024-01-16 三菱ケミカル株式会社 粘接着剤組成物、粘接着剤、粘接着シート、及び積層体
KR20230122600A (ko) * 2020-12-25 2023-08-22 가부시끼가이샤 레조낙 필름상 접착제 및 그 제조 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 필름, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법
JPWO2024009589A1 (ko) * 2022-07-08 2024-01-11

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06145639A (ja) 1992-09-16 1994-05-27 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム、その製造法及び接着法
JP4137827B2 (ja) 2004-03-23 2008-08-20 住友ベークライト株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP2008244463A (ja) * 2007-03-01 2008-10-09 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
KR20120106623A (ko) * 2011-03-16 2012-09-26 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제, 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법
JP2012216651A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87107692A (zh) * 1986-11-13 1988-05-25 Mt化学公司 半导体器件的制造方法
JPH08315885A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
US5718789A (en) * 1995-06-07 1998-02-17 The Dexter Corporation Method for making a debossed conductive film composite
JP2007277522A (ja) * 2006-03-13 2007-10-25 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム、これを用いた接着シート及び半導体装置
EP2149900A2 (en) * 2008-08-01 2010-02-03 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5836622B2 (ja) * 2011-03-31 2015-12-24 キヤノン株式会社 撮像装置
JP2013028717A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Nitto Denko Corp フィルム状接着剤

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06145639A (ja) 1992-09-16 1994-05-27 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム、その製造法及び接着法
JP4137827B2 (ja) 2004-03-23 2008-08-20 住友ベークライト株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP2008244463A (ja) * 2007-03-01 2008-10-09 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
KR20120106623A (ko) * 2011-03-16 2012-09-26 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제, 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법
JP2012207222A (ja) * 2011-03-16 2012-10-25 Nippon Steel Chem Co Ltd 高熱伝導性フィルム状接着剤用組成物、高熱伝導性フィルム状接着剤、並びに、それを用いた半導体パッケージとその製造方法
JP2012216651A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190017961A (ko) * 2017-05-01 2019-02-20 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 접착 필름, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프, 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201444940A (zh) 2014-12-01
JP2014216611A (ja) 2014-11-17
KR102212774B1 (ko) 2021-02-05
WO2014178252A1 (ja) 2014-11-06
TWI627252B (zh) 2018-06-21
JP6033734B2 (ja) 2016-11-30
CN105164796A (zh) 2015-12-16
CN111500212A (zh) 2020-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102212774B1 (ko) 필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법
CN105647405B (zh) 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法
KR102062409B1 (ko) 필름형 접착제, 필름형 접착제를 지닌 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR101417205B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
WO2015105028A1 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6366228B2 (ja) 接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルム
JP6289104B2 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2015195265A (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
WO2015104988A1 (ja) 導電性フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ
JP2012015432A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2015130420A (ja) 導電性フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2012018949A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2015129225A (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6259665B2 (ja) フィルム状接着剤、及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ
WO2015104986A1 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
WO2015104987A1 (ja) 導電性フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
KR20170058857A (ko) 다이싱 테이프 일체형 접착 시트
JP2015130418A (ja) 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
CN104040697B (zh) 半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜
JP2012015431A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20151015

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20190327

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20200708

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20201127

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210201

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210202

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration