KR20150111864A

KR20150111864A - 점착 시트

Info

Publication number: KR20150111864A
Application number: KR1020150040510A
Authority: KR
Inventors: 시게유키 야마시타; 도모하루 미야나가
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 2014-03-26
Filing date: 2015-03-24
Publication date: 2015-10-06
Anticipated expiration: 2035-03-24
Also published as: KR102376559B1; JP2015183169A; TW201608003A; JP6334223B2; TWI668287B

Abstract

본 발명의 점착 시트는 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하고, 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트로서, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면에 설치된 점착제층을 구비하고, 상기 기재가, 알킬기의 탄소수가 4 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트 (a)와, 알킬기의 탄소수가 1 내지 3인 알킬(메트)아크릴레이트 (b)의 공중합체인 아크릴 공중합체 (A)를 주성분으로서 함유하는 아크릴 필름을 포함한다.

Description

점착 시트{ADHESIVE SHEET}

본 발명은 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하고, 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트, 및 그 점착 시트를 사용한 칩상 부재의 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 다이싱법의 하나로서 레이저광으로 내부 가공을 행하고, 그 후의 익스팬드에 의해 반도체 웨이퍼를 분할하는 방법이 알려져 있고, 구체적으로는 하마마쯔 포토닉스사가 제창하는 스텔스 다이싱(stealth dicing) 등을 들 수 있다. 이러한 방법에서는, 구체적으로는 반도체 웨이퍼에 레이저광에 의해 다이싱 라인을 따라 개질부를 형성한 후, 반도체 웨이퍼에 첩부된 점착 시트를 익스팬드함으로써, 개질부를 기점으로 반도체 웨이퍼를 분할(다이싱)하여 반도체 칩을 제조한다.

상술한 분할 방법에서는, 분할된 칩 사이에 발생하는 카프라고 불리는 간극이 익스팬드에 의해서만 발생되므로, 점착 시트로서는 칩 간격을 충분히 확장할 수 있도록 고익스팬드성의 것이 필요해진다. 또한, 레이저광은 점착 시트를 통하여 웨이퍼에 조사되는 경우가 있기 때문에, 점착 시트에는 고투과성의 것도 요망되고 있다. 종래, 이들 요구 특성을 만족시킬 수 있는 점에서, 상기 분할 방법에서 사용되는 점착 시트의 기재로서는 폴리염화비닐(PVC) 필름이 널리 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조).

일본 특허 공개 제2011-119548호 공보 일본 특허 공개 제2009-272611호 공보

그런데, 최근들어 환경 부하를 경감시키는 관점에서, 할로겐 프리이면서도 PVC와 동일 정도의 고익스팬드성, 고투과성을 갖는 기재의 개발이 요망되고 있다. 또한, 상술한 분할 방법에서는 점착 시트를 익스팬드함으로써, 점착 시트의 외주 부분에 이완이 발생하게 된다. 그 이완은, 그 후의 공정에서 반송성 등을 악화시키는 요인이 되기 때문에, 가열에 의해 수축시켜 두는 것이 바람직하고, 그 수축이 균일하게 일어나는 것이 바람직하다.

본 발명은 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 본 발명의 과제는 환경 부하가 낮으면서도, 익스팬드성, 투과성 및 열 수축성이 우수한 점착 시트를 제공하는 것이다.

본 발명자들은 예의 검토한 결과, 환경 부하가 비교적 낮은 아크릴 필름을 기재로서 사용하더라도, 알킬기의 탄소수가 비교적 큰 알킬(메트)아크릴레이트와, 알킬기의 탄소수가 작은 알킬(메트)아크릴레이트를 구성 단량체로 하는 아크릴 공중합체를 주성분으로 함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 이하의 본 발명을 완성시켰다.

(1) 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하고, 상기 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트로서, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면에 설치된 점착제층을 구비하고, 상기 기재가, 알킬기의 탄소수가 4 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트 (a)와, 알킬기의 탄소수가 1 내지 3인 알킬(메트)아크릴레이트 (b)의 공중합체인 아크릴 공중합체 (A)를 주성분으로서 함유하는 아크릴 필름을 포함하는 점착 시트.

(2) 아크릴 공중합체 (A)는, 알킬(메트)아크릴레이트 (a)와 알킬(메트)아크릴레이트 (b)를 질량비 10:90 내지 40:60으로 공중합한 것인 상기 (1)에 기재된 점착 시트.

(3) 상기 아크릴 공중합체 (A)가 랜덤 공중합체인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 점착 시트.

(4) 아크릴 공중합체 (A)가 중량 평균 분자량이 60만 이상인 아크릴 공중합체 (A1)과, 중량 평균 분자량이 40만 이하인 아크릴 공중합체 (A2)를 혼합한 것인 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(5) 아크릴 공중합체 (A1)과 아크릴 공중합체 (A2)의 혼합 비율이 질량비로 5:95 내지 35:65인 상기 (4)에 기재된 점착 시트.

(6) 알킬(메트)아크릴레이트 (a)가 알킬기의 탄소수가 4 내지 8인 알킬아크릴레이트임과 동시에, 알킬(메트)아크릴레이트 (b)가 알킬기의 탄소수가 1 내지 3인 알킬메타크릴레이트인 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(7) 알킬(메트)아크릴레이트 (a)가 부틸아크릴레이트이며, 알킬(메트)아크릴레이트 (b)가 메틸메타크릴레이트인 상기 (6)에 기재된 점착 시트.

(8) 상기 기재의 영률이 50 내지 500MPa인 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(9) 상기 기재의 한쪽 면과는 반대측 면의 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.1㎛ 이하인 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(10) 상기 기재의 한쪽 면의 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.15㎛ 이상인 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(11) 전체 광선 투과율이 85％ 이상이고 HAZE가 7％ 이하인 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(12) 상기 점착제층이 아크릴계 점착제로 형성되는 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

(13) 판상 부재의 한쪽 면에, 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 점착 시트를 첩부하는 공정과,

상기 판상 부재에 첩부된 점착 시트를 통하여, 상기 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하는 공정과,

상기 점착 시트의 익스팬드에 의해 상기 판상 부재를 분할하여 칩화하고, 칩상 부재를 얻는 공정을 구비하는 칩상 부재의 제조 방법.

(14) 상기 칩상 부재는 점착 시트의 중앙 영역에 첩부되어 있고,

상기 중앙 영역의 외측 영역인 점착 시트의 외주 영역을 가열하여 수축시키는 공정을 더 구비하는 상기 (13)에 기재된 칩상 부재의 제조 방법.

본 발명에서는 환경 부하가 낮으면서도, 익스팬드성, 투과성 및 열 수축성이 우수한 점착 시트를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 점착 시트의 구조를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 점착 시트를 사용하여 칩 부재를 제조하는 방법을 나타내는 모식적인 단면도이며, 반도체 웨이퍼에 개질부가 형성되는 공정을 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 점착 시트를 사용하여 칩 부재를 제조하는 방법을 나타내는 모식적인 단면도이며, 점착 시트가 익스팬드되는 공정을 도시하는 도면이다.

이하, 본 발명에 대하여 실시 형태를 사용하여 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 기재에 있어서 「중량 평균 분자량 (Mw)」은 겔 투과 크로마토그래피 (GPC)법으로 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이며, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정한 값이다. 또한, 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」 모두를 나타내는 용어로서 사용하고 있으며, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.

[점착 시트]

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 점착 시트(10)는 기재(11)와, 기재(11)의 한쪽 면에 설치된 점착제층(12)을 구비하고, 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하고, 그 판상 부재를 분할하여 칩화하는 방법에 있어서 반도체 웨이퍼 등의 판상 부재에 첩부되어 사용되는 점착 시트이다. 이하, 각 부재의 구성에 대하여 보다 상세하게 설명한다.

[기재]

기재는 알킬기의 탄소수가 4 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트 (a)와, 알킬기의 탄소수가 1 내지 3인 알킬(메트)아크릴레이트 (b)의 공중합체인 아크릴 공중합체 (A)를 주성분으로서 포함하는 아크릴 필름이다.

본 발명에서는, 아크릴 공중합체 (A)가 알킬기의 탄소수가 비교적 큰 (a) 성분과, 알킬기의 탄소수가 작은 (b) 성분을 구성 단량체로서 함유함으로써, 기재는 표면 태크성을 발현하지 않고 신장성이 양호해지므로, 블로킹을 발생하지 않고 우수한 익스팬드성을 갖는 것이 된다. 또한, 본 발명의 기재는 아크릴 공중합체를 주성분으로 하기 때문에, 우수한 레이저 투과성을 가지면서, 또한 가열에 의한 수축 균일성이 양호하며, 후술하는 바와 같이 가열 수축하더라도 주름이 발생하기 어려워진다.

기재가 표면 태크성을 발현하지 않고 우수한 신장성을 갖기 때문에, 상기 (a) 성분이 알킬아크릴레이트인 것이 바람직하고, 또한 (b) 성분이 알킬메타크릴레이트인 것이 바람직하다. 또한 마찬가지의 관점에서, (a) 성분에 있어서의 알킬기의 탄소수는 4 내지 6인 것이 바람직하고, 4인 것이 보다 바람직하다. 한편, (b) 성분에 있어서의 알킬기의 탄소수는 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다.

본 발명에서 사용 가능한 (a) 성분으로서는, 구체적으로는 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은 직쇄일 수도 있고 분지일 수도 있다. 또한, 이들 중에서는 부틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸아크릴레이트가 보다 바람직하다. (b) 성분으로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트를 들 수 있고, 이들 중에서는 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트가 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 보다 바람직하다.

아크릴 공중합체 (A)는, (a) 성분과 (b) 성분을 질량비 10:90 내지 40:60으로 공중합한 것이 바람직하다. 질량비(이하 「질량비(a:b)라고도 함」)를 상기 범위 내로 함으로써, 기재에 표면 태크성을 발현시키지 않고, 신장성을 적절한 것으로 하는 것이 보다 용이해진다. 이러한 관점에서 질량비(a:b)는 15:85 내지 30:70인 것이 보다 바람직하다.

또한, 영률을 보다 적절한 값으로 하기 쉬운 점에서, 질량비(a:b)는 15:85 내지 25:75인 것이 더욱 바람직하다.

아크릴 공중합체 (A)는 랜덤 공중합체, 블록 공중합체, 교호 공중합체 등의 다양한 구조를 채용할 수 있지만, 랜덤 공중합체인 것이 바람직하다. 아크릴 공중합체 (A)는 랜덤 공중합체이면, 용융물의 고화 단계에 있어서 입체 배좌 변화에서 기인한다고 생각되는 공정 문제(예를 들어, 얻은 막에 주름이 발생하여, 평활한 필름을 얻지 못하는 등)가 블록 공중합체에 비하여 발생하기 어렵고, 압출 성형법 등의 용융 성형에 의한 제막이 용이해진다. 또한, 아크릴 공중합체 (A)는 랜덤 공중합체이면, 교호 공중합체에 비하여 합성이 용이하다.

랜덤 공중합체는 상기 (a) 성분과, (b) 성분이 랜덤하게 공중합된 것이면 한정되지 않지만, 예를 들어 각종 라디칼 중합법에 의해 중합된다. 라디칼 중합법으로서는, 용액 중합, 현탁 중합, 유화 중합 등을 들 수 있다. 또한, 라디칼 중합체에 있어서 사용되는 중합 개시제로서는, 아조 화합물, 과산화물, 다양한 레독스 개시제 등을 들 수 있다.

아크릴 공중합체 (A)는 중량 평균 분자량이 60만 이상인 아크릴 공중합체 (A1)과, 중량 평균 분자량이 40만 이하인 아크릴 공중합체 (A2)를 혼합한 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 이렇게 상대적으로 분자량이 높은 공중합체와, 상대적으로 분자량이 낮은 공중합체를 혼합함으로써, 필름의 보형성이 높아짐과 동시에, 필름에 적당한 신장성을 부여하기 쉬워진다.

이들 관점에서 아크릴 공중합체 (A1)의 중량 평균 분자량이 80만 내지 130만임과 동시에, 아크릴 공중합체 (A2)의 중량 평균 분자량이 1만 내지 20만인 것이 보다 바람직하고, 아크릴 공중합체 (A1)의 중량 평균 분자량이 90만 내지 110만임과 동시에, 아크릴 공중합체 (A2)의 중량 평균 분자량이 3만 내지 8만인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 아크릴 공중합체 (A1) 및 아크릴 공중합체 (A2) 각각은 상기한 아크릴 공중합체 (A)이면 되며, 아크릴 공중합체 (A1)을 구성하는 단량체 조성(구성 단량체의 종류와 각 단량체의 질량비)은 아크릴 공중합체 (A2)를 구성하는 단량체 조성과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.

아크릴 공중합체 (A1)과 아크릴 공중합체 (A2)의 혼합 비율(A1:A2)은, 질량 기준으로 5:95 내지 35:65인 것이 바람직하고, 5:95 내지 25:75인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에서는 이러한 혼합 비율로 함으로써, 보형성을 양호하게 하면서도 기재의 신장성이 적합한 것이 된다.

혼합 비율(A1:A2)은 영률을 적절한 값으로 하기 쉬운 점에서 8:92 내지 15:85로 하는 것이 더욱 바람직하고, 특히 혼합 비율(A1:A2)을 8:92 내지 15:85로 하면서, 상기 질량비(a:b)를 15:85 내지 25:75로 하는 것이 가장 바람직하다.

아크릴 공중합체 (A)는 상기 (a) 및 (b) 성분만을 구성 단위로 하는 것일 수도 있지만, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 상기 (a) 성분과, (b) 성분과, (a) 및 (b) 성분 이외의 그 밖의 단량체를 공중합체로 한 것일 수도 있다. 그 밖의 단량체는 통상 아크릴 공중합체 (A)의 구성 단량체 중의 20질량％ 이하이고, 바람직하게는 5질량％ 이하이다. 그 밖의 단량체로서는, 예를 들어 알킬기의 탄소수가 (a) 및 (b) 성분의 탄소수와는 상이한 알킬(메트)아크릴레이트; 수산기, 카르복실기, 아미노기 등을 갖는 (메트)아크릴레이트; 아세트산비닐; 스티렌; 아크릴아미드 등을 들 수 있다.

기재는 영률이 50 내지 500MPa인 것이 바람직하다. 영률을 이 범위로 함으로써, 양호한 신장성을 유지하면서 기재의 기계 강도를 향상시켜, 점착제층을 형성할 때의 공정 적성을 양호하게 할 수 있다. 예를 들어, 기재가 되는 아크릴 필름을 코터에 세팅할 때, 장력을 가한 경우의 아크릴 필름의 의도치 않은 신장을 방지할 수 있다.

상기 영률은 블로킹 등을 발생시키기 어렵게 하고, 또한 기계 강도를 향상시키면서 익스팬드성을 보다 양호하게 하는 관점에서, 60 내지 450MPa인 것이 보다 바람직하고, 100 내지 420MPa인 것이 더욱 바람직하고, 150 내지 300MPa인 것이 보다 더욱 바람직하다.

기재의 점착제층이 형성되는 면(제1면)과는 반대측 면(제2면)은, 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.1㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 점착제층이 형성되지 않는 측의 기재 표면을 평활하게 함으로써, 점착 시트의 광선 투과성을 높여 레이저 조사에 의해 후술하는 개질부를 양호한 정밀도로 형성할 수 있게 된다. 또한, 제2면의 중심선 평균 거칠기 Ra는 특별히 한정되지 않지만, 통상 0.02㎛ 이상, 바람직하게는 0.05㎛ 이상이다.

또한, 기재의 점착제층이 형성되는 측의 면(제1면)은 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.15㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.25㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 제1면의 중심선 평균 거칠기 Ra는 특별히 한정되지 않지만, 통상 3.0㎛ 이하, 바람직하게는 1.0㎛ 이하이다.

제1면은 이상의 평균 거칠기를 가짐으로써, 제2면을 평활한 면으로 하더라도, 아크릴 필름을 권취했을 때의 블로킹을 방지할 수 있다. 또한, 기재의 점착제층측의 표면은, 거친 요철을 갖고 있다 하더라도 점착제층이 적층됨으로써, 계면에 있어서의 광의 확산이 저감되기 때문에 점착 시트의 광선 투과성에 대한 영향은 작다.

기재의 두께는 바람직하게는 40 내지 200㎛, 보다 바람직하게는 50 내지 150㎛의 범위에 있다.

기재는 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 가공 보조제, 충전제, 대전 방지제, 안정제, 항균제, 난연제, 안료나 염료 등의 착색제 등의 각종 첨가제를 더 함유하고 있을 수도 있다. 또한, 기재는 수지 성분으로서 아크릴 공중합체 (A)만을 포함하는 것이 바람직하지만, 아크릴 공중합체 (A) 이외의 수지 성분을 필요에 따라 함유할 수도 있다. 기재는 아크릴 중합체 (A)가 주성분이 되면 되지만, 통상 아크릴 공중합체 (A)를 80질량％ 이상 함유하고, 바람직하게는 90질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 95질량％ 이상 함유한다.

본 발명의 기재(아크릴 필름)의 성형 방법은 특별히 한정되지 않지만, 인플레이션법, T다이 등을 사용한 압출 성형, 캘린더 성형 등을 들 수 있지만, 이들 중에서는 압출 성형이 바람직하다. 또한, 상기한 중심선 평균 거칠기 Ra를 얻기 위해서는, 예를 들어 압출된 필름을 엠보싱 롤에 가압함으로써 기재의 표면 상태를 적절히 조정할 수 있다.

[점착제층]

점착제층은 각종 점착제에 의해 형성되는 것이며, 그 점착제로서는 전혀 한정되는 것이 아니지만, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에테르 등의 점착제가 사용되는데, 이들 중에서는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제를 사용하면, 점착제가 기재와 동종의 중합체로 구성되는 것이 되기 때문에, 기재와 점착제층의 굴절률을 근사시킬 수 있다. 그에 의하여 기재와 점착제층과의 계면에서의 레이저광의 반사를 방지하기 쉬워진다.

또한, 점착제에는 에너지선 경화형이나 가열 발포형, 수팽윤형의 점착제도 사용할 수 있다. 에너지선 경화(자외선 경화, 전자선 경화 등)형 점착제로서는, 특히 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다. 에너지선 경화형의 점착제를 사용함으로써, 점착 시트가 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 피착체에 첩부된 상태에서는, 확실하게 피착체를 보유 지지 또는 보호할 수 있다. 한편, 픽업 등에 의해 칩을 점착 시트로부터 박리할 때에는 에너지선을 조사하여 점착제층의 점착력을 저하시킴으로써, 칩에 손상을 주지 않고, 또한 점착제를 칩에 남기지 않고 점착 시트를 칩으로부터 박리할 수 있다.

점착제층을 구성하는 점착제 조성물은, 점착성을 부여하기 위한 점착 성분에 더하여, 각종 물성을 개량하기 위하여 필요에 따라 가교제 등의 그 밖의 성분이 포함되어 있을 수도 있다. 가교제로서는, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 에폭시 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 점착제층을 에너지선 경화형 점착제로 형성하는 경우, 에너지선 경화형 점착 성분과 필요에 따라 광 중합 개시제를 배합한 점착제 조성물을 사용하여, 점착제층을 형성하는 것이 바람직하다.

이하, 점착제로서 아크릴계 점착제가 사용되는 경우의 예를 구체적으로 설명한다. 점착제로서 아크릴계 점착제가 사용되는 경우, 점착제 조성물은 충분한 점착성 및 조막성(시트 가공성)을 부여하기 위하여, 점착 성분으로서 아크릴 중합체 (X)를 함유한다. 아크릴 중합체 (X)로서는, 점착제에 사용되는 종래 공지의 아크릴 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴 중합체 (X)의 중량 평균 분자량 (Mw)은 1만 내지 200만인 것이 바람직하고, 10만 내지 150만인 것이 보다 바람직하다.

상기 아크릴 중합체 (X)를 구성하는 단량체로서는, (메트)아크릴산에스테르 단량체 또는 그의 유도체를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기의 탄소수가 1 내지 18인 알킬(메트)아크릴레이트, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고; 환상 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트, 예를 들어 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등을 들 수 있고; 수산기를 갖는 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아크릴 중합체 (X)는 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합된 아크릴 공중합체일 수도 있다.

또한, 아크릴계 점착제가 에너지선 경화형 점착제인 경우, 에너지선 경화형 점착 성분은, 아크릴 중합체 (X)에 더하여 에너지선 경화성 화합물 (Y)를 더 함유한다. 에너지선 경화성 화합물 (Y)는 에너지선 중합성기를 포함하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화되어, 점착제 조성물의 점착력을 저하시키는 기능을 갖는다. 또한, 에너지선 경화형 점착 성분으로서는 상기 (X) 및 (Y) 성분의 성질을 겸비하는 것으로서, 주쇄 또는 측쇄에 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 점착성 중합체(이하, (XY) 성분이라고 기재하는 경우가 있음)를 사용할 수도 있다. 이러한 에너지선 경화형 점착성 중합체 (XY)는 점착성과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다.

에너지선 경화성 화합물 (Y)는 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화되는 화합물이다. 이 에너지선 중합성 화합물의 예로서는, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물(단관능, 다관능의 단량체 및 올리고머)을 들 수 있고, 구체적으로는 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 등의 아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 환상 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물이 사용된다. 이러한 화합물은 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖고, 통상은 분자량 또는 중량 평균 분자량 (Mw)이 100 내지 30000, 바람직하게는 300 내지 10000 정도이다. 일반적으로는 (X) 성분 100질량부에 대하여 (Y) 성분은 10 내지 400질량부, 바람직하게는 30 내지 350질량부 정도의 비율로 사용된다.

상기 (X) 및 (Y) 성분의 성질을 겸비하는 에너지선 경화형 점착성 중합체 (XY)는, 주쇄 또는 측쇄에 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어진다. 에너지선 경화형 점착성 중합체 (XY)의 주골격은 특별히 한정은 되지 않고, 점착제로서 범용되는 상기한 아크릴 공중합체와 마찬가지일 수도 있다.

에너지선 경화형 점착성 중합체의 주쇄 또는 측쇄에 결합하는 에너지선 중합성기는, 예를 들어 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는 (메트)아크릴로일기 등을 예시할 수 있다. 에너지선 중합성기는 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기를 개재하여 에너지선 경화형 점착성 중합체에 결합되어 있을 수도 있다.

에너지선 중합성기가 결합된 에너지선 경화형 점착성 중합체 (XY)의 중량 평균 분자량 (Mw)은 1만 내지 200만인 것이 바람직하고, 10만 내지 150만인 것이 보다 바람직하다.

에너지선 경화형 점착성 중합체 (XY)는, 예를 들어 히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 아크릴 점착성 중합체와, 해당 관능기와 반응하는 치환기와 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자마다 1 내지 5개 갖는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다. 아크릴 점착성 중합체는 히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 단량체 또는 그의 유도체를 포함하는 (X) 성분을 구성하는 단량체를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다. 중합성기 함유 화합물로서는, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α, α-디메틸벤질이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트; (메트)아크릴산 등을 들 수 있다.

상기와 같은 아크릴 중합체 (X) 및 에너지선 경화성 화합물 (Y), 또는 에너지선 경화형 점착성 중합체 (XY)를 포함하는 에너지선 경화형 점착 성분은 에너지선 조사에 의해 경화 가능하다. 에너지선으로서는, 구체적으로는 자외선, 전자선 등이 사용된다.

광 중합 개시제로서는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥시드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥시드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐술피드, 테트라메틸티우람모노술피드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-크롤안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드 등을 예시할 수 있다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에, 광 중합 개시제를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.

점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 15㎛, 더욱 바람직하게는 3 내지 10㎛의 범위이다. 점착제층의 두께가 상기 범위에 있음으로써, 반도체 웨이퍼를 양호하게 보유 지지하여, 익스팬드 시에 칩이나 링 프레임이 탈락하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 점착제층의 두께가 상기 범위에 있음으로써, 반도체 칩의 픽업 공정을 양호하게 행할 수 있다.

본 발명의 점착 시트는 전체 광선 투과율 85％ 이상, HAZE 7％ 이하인 것이 바람직하고, 투과율 90％ 이상, HAZE 6％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 점착 시트가 이러한 투과율과 HAZE를 가짐으로써, 점착 시트를 통하여 레이저광을 반도체 웨이퍼 등에 조사시켜도, 개질부를 파괴하는 것에 의한 가공성을 양호하게 할 수 있다.

또한, 점착제층에는 그 사용 전에 점착제층을 보호하기 위하여 박리 시트가 적층되어 있을 수도 있다. 박리 시트는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등이 수지를 포함하는 필름 또는 그들의 발포 필름이나, 글라신지, 코팅지, 라미네이트지 등의 종이에, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬기 함유 카르바메이트 등의 박리제로 박리 처리한 것을 사용할 수 있다.

기재의 한쪽 면에 점착제층을 형성하는 방법은, 박리 시트 위에 소정의 막 두께가 되도록 도포하여 형성한 점착제층을 기재의 표면에 전사할 수도 있고, 기재의 표면에 직접 도포하여 점착제층을 형성할 수도 있다.

[칩상 부재의 제조 방법]

이어서, 본 발명에 관한 점착 시트를 사용하여 칩상 부재를 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 칩상 부재의 제조 방법은, 판상 부재의 한쪽 면에 상기한 점착 시트를 첩부하는 공정과, 판상 부재에 첩부된 점착 시트를 통하여 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하는 공정과, 점착 시트의 익스팬드에 의해 판상 부재를 분할하여 칩화하고, 칩상 부재를 얻는 공정을 구비하는 것이다.

이하, 본 제조 방법에 대하여 판상 부재가 반도체 웨이퍼이며, 반도체 칩을 제조하는 경우의 일례를 도 2, 도 3을 참조하면서 상세하게 설명한다.

먼저, 반도체 웨이퍼(14)의 표면에 회로를 형성한다. 반도체 웨이퍼(14)는 실리콘 웨이퍼일 수도 있고, 또한 갈륨·비소 등의 웨이퍼일 수도 있다. 웨이퍼 표면으로의 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법을 포함하는 다양한 방법에 의해 행할 수 있다. 웨이퍼(14)의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 내지 1000㎛ 정도이다.

이어서, 반도체 웨이퍼(14)의 이면을 연삭한다. 이면 연삭 시에는 표면의 회로를 보호하기 위하여 회로면에, 종래 공지의 점착 테이프로 구성되는 표면 보호 시트를 첩부한다. 이면 연삭은 웨이퍼(14)의 회로면측(즉 표면 보호 시트측)을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더에 의해 연삭한다. 이 결과, 연삭 후의 반도체 웨이퍼(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 50 내지 200㎛ 정도가 된다. 이면 연삭 공정 후, 연삭에 의해 생성된 파쇄층을 제거하는 공정이 행해질 수도 있다.

이면 연삭 공정에 이어, 필요에 따라 이면에 에칭 처리 등의 발열을 수반하는 가공 처리나, 이면으로의 금속막의 증착, 유기막의 소부(燒付)와 같이 고온에서 행해지는 처리를 실시할 수도 있다. 또한, 고온에서의 처리를 행하는 경우에는, 통상 표면 보호 시트를 박리한 후에 이면에 대한 처리를 행한다.

이면 연삭 후, 웨이퍼(14)의 이면에 본 발명에 관한 점착 시트(10)를 점착제층(12)을 통하여 첩부한다. 또한, 표면 보호 시트가 웨이퍼 표면에 첩부되어 있는 경우에는, 점착 시트(10)의 첩부 전 또는 첩부 후에 표면 보호 시트를 박리한다. 점착 시트(10)의 웨이퍼 이면으로의 첩부는 마운터라고 불리는 장치에 의해 행해지는 것이 일반적이지만 특별히 제한은 되지 않는다. 통상 반도체 웨이퍼(14)는, 도 2에 도시한 바와 같이 점착 시트(10)의 중앙 영역(10A)에 첩부되고, 그 중앙 영역(10A)의 외측의 외주 영역(10C)의 주연부(10B)에 링 프레임(13)이 첩부된다. 링 프레임은 후술하는 각 공정에 있어서 점착 시트를 지지하는 것이다.

계속해서, 도 2에 도시한 바와 같이 점착 시트(10)의 기재(11)측으로부터 점착 시트(10)를 통하여 웨이퍼(14)에 레이저광을 조사한다. 레이저광을 조사하는 레이저광원(15)은 파장 및 위상이 고른 광을 발생시키는 장치이며, 레이저광의 종류로서는, 펄스 레이저광을 발생시키는 Nd-YAG 레이저, Nd-YVO 레이저, Nd-YLF 레이저, 티타늄사파이어 레이저 등 다광자 흡수를 일으키는 것을 들 수 있다. 레이저광의 파장은 800 내지 1100㎚가 바람직하고, 1064㎚가 더욱 바람직하다.

레이저광은 웨이퍼 내부에 조사되어, 절단 예정 라인을 따라 웨이퍼 내부에 개질부(16)를 형성한다. 하나의 절단 예정 라인을 레이저광이 주사하는 횟수는 1회일 수도 있고 복수회일 수도 있다. 바람직하게는, 레이저광의 조사 위치와 회로간의 절단 예정 라인의 위치를 모니터하여, 레이저광의 위치 정렬을 행하면서 레이저광의 조사를 행한다.

레이저광 조사에 의해 웨이퍼 내부에 개질부(16)를 형성한 후, 익스팬드를 행한다. 익스팬드는 특별히 한정되지 않지만, 통상 점착 시트(10)의 중심으로부터 면 방향 외측을 향하는 인장력을 부여하여 행하는 것이다. 보다 구체적으로는, 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 반도체 칩이 설치된 점착 시트(10)의 중앙 영역(10A)과, 링 프레임(13)에 지지된 주연부(10B) 사이의 영역인 외주 영역(10C)의 일부에 예를 들어 통 형상의 지그(20)를 대고, 주연부(10B)를 중력 방향을 향하여 인장하고 강하시키는 방법을 들 수 있다.

이 점착 시트(10)의 익스팬드에 의해, 반도체 웨이퍼(11)는 웨이퍼 내부의 개질부(16)를 기점으로 하여 개개의 칩(18)으로 절단 분리된다. 또한, 익스팬드와 동시에 점착 시트(10)를 기재(11)측으로부터 지그 등을 사용하여 세게 긁도록 하여, 웨이퍼(10)를 칩(18)으로 절단 분리할 수도 있다. 익스팬드는 5 내지 600㎜/분의 속도로 행하는 것이 바람직하다.

그 후, 중력 방향으로 강하된 주연부(10B)를 상승시켜 원래의 위치로 복귀시킴과 동시에, 외주 영역(10C)(보다 구체적으로는, 주연부(10B)와 중앙 영역(10A) 사이의 영역)을 도시하지 않은 가열 수단에 의해 가열함으로써, 그 가열된 영역에 대응하는 부분의 점착 시트를 가열 수축시킨다. 이 공정에 의해 외주 영역(10C)이 이완되는 것이 방지되며, 반도체 칩(18)이 첩부된 점착 시트(10)는 픽업 장치 등에 반송될 때에 반송성이 저하되는 일이 없다.

그 후, 각 칩(18)은 픽업 장치에 의해 픽업되고, 본딩 공정을 거쳐 반도체 장치가 제조된다. 또한, 점착제층(12)을 에너지선 경화형 점착제로 형성한 경우에는 픽업 공정 전에, 점착제의 점착력을 저하시켜 칩(18)을 박리하기 쉽게 하기 위하여 에너지선을 조사하는 것이 바람직하다.

이상, 본 발명의 점착 시트의 사용예에 대하여 설명했지만, 본 발명의 점착 시트는 반도체 웨이퍼 이외에도, 유리 기판, 세라믹 기판, FPC 등의 유기 재료 기판, 또는 정밀 부품 등의 금속 재료 등의 다양한 판상 부재를 다이싱하여 각종 칩상 부재를 얻는 방법에 사용 가능하다.

<실시예>

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것이 아니다.

본 발명에 있어서의 측정 방법, 평가 방법은 이하와 같다.

[중량 평균 분자량 (Mw)]

기재에 사용한 아크릴 공중합체에 대해서는, 이하의 조건에 의해 측정했다.

장치: 도소제 HLC-8121GPC/HT

칼럼: 쇼덱스(Shodex) GPC HT-806M×2

오븐 온도: 135℃

용리액: 디클로로벤젠

또한, 점착제 조성물에 사용한 아크릴 중합체에 대해서는, 이하의 조건에 의해 측정했다.

겔 침투 크로마토그래피 장치(도소 가부시끼가이샤제, 제품명 「HLC-8020」)를 사용하여, 하기의 조건 하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용했다.

(측정 조건)

·칼럼: 「TSK 가드 칼럼(guard column) HXL-H」「TSK 겔(gel) GMHXL(×2)」「TSK 겔 G2000HXL」(모두 도소 가부시끼가이샤제)

·칼럼 온도: 40℃

·전개 용매: 테트라히드로푸란

·유속: 1.0mL/min

[영률 평가]

만능형 인장 시험기(오리엔테크사제 텐실론 RTA-T-2M)를 사용하여 23℃ 50RH％ 환경 하에서, 폭 15㎜, 척간 길이 100㎜로 하고 인장 속도 200㎜/분으로 기재의 인장 강도 및 신장을 측정하여, 이들로부터 영률을 얻었다.

[투과율 평가]

JIS 7361-1: 1997에 준거하여, 헤이즈 미터(HAZE METER)(닛본 덴쇼꾸 고교사제 NDH-5000)를 사용하여 점착 시트의 전체 광선 투과율을 측정했다.

[HAZE 평가]

JIS 7136: 2000에 준거하여, 헤이즈 미터(닛본 덴쇼꾸 고교사제 NDH-5000)를 사용하여 점착 시트의 HAZE를 측정했다.

[중심선 평균 거칠기 Ra]

중심선 평균 거칠기 Ra는 가부시끼가이샤 미쯔토요제 SV-3000S4를 사용하여 JIS B-6001에 준하여 측정했다.

[분할 적성 평가]

점착 시트에 실리콘 웨이퍼 및 링 프레임을 첩부하고, 다음의 분할 조건에서, 점착 시트를 통하여 레이저를 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질부를 형성했다.

(분할 조건)

레이저: Nd-YAG

파장: 1064㎚

반복 주파수: 100kHz

펄스폭: 30㎚

가공 속도: 100㎜/분

실리콘 웨이퍼: 직경 200㎜φ, 두께 10㎛

칩 크기: 5㎜×5㎜

그 후, 익스팬드 장치(JCM제 ME-300B)를 사용하여, 처짐량 25㎜로 점착 시트의 주연부를 처지게 하여 익스팬드를 행하여, 실리콘 웨이퍼를 개편화(個片化)했다.

(가공성 평가)

개편화된 칩의 단면을 디지털 현미경(키옌스(KEYENCE)사제 VHX-1000)에 의해 관찰하여, 일정 간격으로 직선상으로 레이저에 의한 개질부가 형성되어 있는 경우에는 "A", 개질부의 간격이 불균일하거나 또는 개질부를 이은 선이 직선이 되지 않는 경우를 "E"라고 평가했다.

(익스팬드성 평가)

또한, 상기한 바와 같이 개편화된 칩을, 전사 시트에 전사하고, 디지털 현미경(키옌스사제 VHX-1000)으로 칩 간격을 측정했다. 칩 간격은 임의의 9점을 측정하여 평균값을 산출했다.

(열 수축(heat shrink)성(HS성) 평가)

칩을 전사한 후, 워크(즉, 링 프레임에 첩부된 점착 시트)를, 50℃로 가열한 핫 플레이트(가열면 철제)에 30초간 탑재하여, 점착 시트의 이완이 완전히 해소된 경우를 "A", 이완이 해소되지 않거나 또는 주름이 발생한 경우는 "E"라고 했다.

[실시예 1]

(점착제 조성물의 제작)

아크릴 중합체(구성 단량체비:부틸아크릴레이트/아크릴산=90/10(질량비), 중량 평균 분자량: 60만, 용매로 희석한 농도 34질량％의 희석액) 34질량부, 에너지선 중합성 화합물(6관능 아크릴레이트올리고머, Mw=2000, 용매로 희석한 농도 90질량％의 희석액) 30질량부, 광 중합 개시제(바스프(BASF)사제 「이르가큐어 184」) 0.1질량부, 에폭시계 가교제(테트라드(TETRAD)-C 미쯔비시 가스 가가꾸제) 0.04질량부(모두 고형분 환산의 부수)를 배합하고, 용매로 희석된 점착제 조성물을 얻었다.

(기재의 제작)

부틸아크릴레이트(BA)와 메틸메타크릴레이트(MAA)를 30:70의 질량비로 랜덤 공중합하여, 중량 평균 분자량 100만의 아크릴 공중합체 (A1)과, 중량 평균 분자량 5만의 아크릴 중합체 (A2)를 각각을 제작하고, 이들을 혼합 비율 10:90의 비율로 혼합한 것을 압출 성형하여 제막하면서 엠보싱 롤에 가압하여 두께 80㎛의 아크릴 필름을 얻었다. 이 아크릴 필름은 한쪽 면(제1면)의 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.281㎛이며, 다른 쪽의 면(제2면)의 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.084㎛였다.

(점착 시트의 제작)

상기에서 제작한 점착제 조성물을 박리 필름(SP-PET381031, 린텍 가부시끼가이샤제) 위에 건조 후의 두께가 5㎛가 되도록 도포하고, 80℃에서 1분의 건조를 행하여 형성된 점착제층을 기재로서의 아크릴 필름에 접합하여, 박리 시트를 구비한 점착 시트를 얻었다. 또한, 점착제층의 접합은 제1면에 대하여 행했다.

[실시예 2]

기재를, 부틸아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트를 30:70의 질량비로 랜덤 공중합하여 얻은, 중량 평균 분자량 100만의 아크릴 공중합체 (A1)과, 중량 평균 분자량 5만의 아크릴 공중합체 (A2)를 질량비 20:80의 비율로 혼합하고, 그 혼합물을 압출 성형에 의해 제막하여 얻은 두께 80㎛의 아크릴 필름으로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시했다.

[실시예 3]

기재를, 부틸아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트를 20:80의 질량비로 랜덤 공중합하여 얻은, 중량 평균 분자량 100만의 아크릴 공중합체 (A1)과, 중량 평균 분자량 5만의 아크릴 공중합체 (A2)를 질량비 10:90의 비율로 혼합하고, 그 혼합물을 압출 성형에 의해 제막하여 얻은 두께 80㎛의 아크릴 필름으로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시했다.

[실시예 4]

기재를, 부틸아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트를 20:80의 질량비로 랜덤 공중합하여 얻은, 중량 평균 분자량 100만의 아크릴 공중합체 (A1)과, 중량 평균 분자량 5만의 아크릴 공중합체 (A2)를 질량비 20:80의 비율로 혼합하고, 그 혼합물을 압출 성형에 의해 제막하여 얻은 두께 80㎛의 아크릴 필름으로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시했다.

[비교예 1]

아크릴 필름을, 구성 단량체비가 에틸렌/메타크릴산=91/9(질량비)인 두께 80㎛의 EMAA(에틸렌메타크릴산 공중합체 수지) 필름으로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시했다.

[비교예 2]

아크릴 필름을 EVA(에틸렌아세트산비닐 공중합체 수지) 필름(군제 가부시끼가이샤제 「펀크레어 LEB」, 두께 120㎛)으로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시했다.

[비교예 3]

실시예 1의 아크릴 필름을 PVC 필름(디에틸헥실프탈레이트 첨가량 25질량％, 두께 80㎛)으로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시했다.

[비교예 4]

실시예 1의 아크릴 필름을 두께 80㎛의 PP(폴리프로필렌) 필름으로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시했다.

이상의 실시예 및 비교예의 기재, 점착 시트에 대한 측정 결과 및 평가 결과를 표 1에 나타낸다.

이상의 실시예 1 내지 4로부터 명백해진 바와 같이, 기재를 알킬기의 탄소수가 4 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트 (a)와, 알킬기의 탄소수가 1 내지 3인 알킬(메트)아크릴레이트 (b)의 공중합체인 아크릴 공중합체 (A)에 의해 구성함으로써, 기재의 신장성 및 열 수축성이 양호해졌다. 그로 인해, 익스팬드에 의해 칩 간격이 충분히 넓어지고, 열 수축에 의해 익스팬드에 의해 발생한 이완을 적절하게 해소할 수 있었다. 또한, 기재가 아크릴 공중합체 (A)에 의해 구성됨으로써 투과율이나 HAZE가 양호한 값이 되었기 때문에, 레이저 가공에 의해 고정밀도로 개질부를 형성할 수 있었다. 나아가, 기재는 영률이 적절한 값이 되어, 우수한 기계 강도와 내블로킹성을 갖고 있었다.

한편, 기재에 아크릴 공중합체 (A) 이외를 사용한 비교예 1 내지 4에서는, 기재의 익스팬드성, 열 수축성, 레이저 투과성 중 어느 한쪽이 양호한 것이 되지 않아, 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하고, 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트로서 우수한 성능을 발휘하지 않았다.

10 점착 시트
10A 중앙 영역
10B 주연부
10C 외주 영역
11 기재
12 점착제층
13 링 프레임
14 반도체 웨이퍼(판상 부재)
15 레이저광원
16 개질부
18 반도체 칩
20 지그

Claims

판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하고, 상기 판상 부재를 분할하여 칩화하는 것에 사용하는 점착 시트로서,
기재와, 상기 기재의 한쪽 면에 설치된 점착제층을 구비하고,
상기 기재가, 알킬기의 탄소수가 4 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트 (a)와, 알킬기의 탄소수가 1 내지 3인 알킬(메트)아크릴레이트 (b)의 공중합체인 아크릴 공중합체 (A)를 주성분으로서 함유하는 아크릴 필름을 포함하는, 점착 시트.
제1항에 있어서, 아크릴 공중합체 (A)는, 알킬(메트)아크릴레이트 (a)와 알킬(메트)아크릴레이트 (b)를 질량비 10:90 내지 40:60으로 공중합한 것인, 점착 시트.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체 (A)가 랜덤 공중합체인, 점착 시트.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 아크릴 공중합체 (A)가, 중량 평균 분자량이 60만 이상인 아크릴 공중합체 (A1)과, 중량 평균 분자량이 40만 이하인 아크릴 공중합체 (A2)를 혼합한 것인, 점착 시트.
제4항에 있어서, 아크릴 공중합체 (A1)과 아크릴 공중합체 (A2)의 혼합 비율이 질량비로 5:95 내지 35:65인, 점착 시트.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 알킬(메트)아크릴레이트 (a)가 알킬기의 탄소수가 4 내지 8인 알킬아크릴레이트임과 동시에, 알킬(메트)아크릴레이트 (b)가 알킬기의 탄소수가 1 내지 3인 알킬메타크릴레이트인, 점착 시트.
제6항에 있어서, 알킬(메트)아크릴레이트 (a)가 부틸아크릴레이트이며, 알킬(메트)아크릴레이트 (b)가 메틸메타크릴레이트인, 점착 시트.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재의 영률이 50 내지 500MPa인, 점착 시트.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재의 한쪽 면과는 반대측 면의 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.1㎛ 이하인, 점착 시트.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재의 한쪽 면의 중심선 평균 거칠기 Ra가 0.15㎛ 이상인, 점착 시트.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 전체 광선 투과율이 85％ 이상이고 HAZE가 7％ 이하인, 점착 시트.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층이 아크릴계 점착제로부터 형성되는, 점착 시트.
판상 부재의 한쪽 면에, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트를 첩부하는 공정과,
상기 판상 부재에 첩부된 점착 시트를 통하여, 상기 판상 부재에 레이저광을 조사하여 개질부를 형성하는 공정과,
상기 점착 시트의 익스팬드에 의해 상기 판상 부재를 분할하여 칩화하고, 칩상 부재를 얻는 공정을 구비하는, 칩상 부재의 제조 방법.
제13항에 있어서, 상기 칩상 부재는 점착 시트의 중앙 영역에 첩부되어 있고,
상기 중앙 영역의 외측 영역인 점착 시트의 외주 영역을 가열하여 수축시키는 공정을 더 구비하는, 칩상 부재의 제조 방법.