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KR20150102396A - 플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20150102396A
KR20150102396A KR1020140024207A KR20140024207A KR20150102396A KR 20150102396 A KR20150102396 A KR 20150102396A KR 1020140024207 A KR1020140024207 A KR 1020140024207A KR 20140024207 A KR20140024207 A KR 20140024207A KR 20150102396 A KR20150102396 A KR 20150102396A
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KR
South Korea
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layer
electrode
mgf
conductive semiconductor
gallium nitride
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KR1020140024207A
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Inventor
김현수
오문식
김성준
정은진
Original Assignee
전북대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

본 발명의 수직형 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하며, 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하며, 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 것을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능을 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 있다.

Description

플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 {Vertical gallium nitride-type light emitting diode having as current block layer of MgF2 and method for manufacturing the same}
본 발명은 수직형 발광 다이오드, 및 그 제조방법에 관련된 것으로, 구체적으로는 질화갈륨(GaN) 계열 반도체 기반의 수직 구조를 갖는 발광 소자에 적용하기 위한 전류 억제층(current blocking layer:CBL)으로 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질을 이용함으로써 p타입 질화갈륨(GaN)과 p타입 은(Ag) 전극 사이의 수직성을 갖는 전류 흐름을 효과적으로 퍼뜨려 주고, 높은 광 출력 효율을 갖는 광소자에 관한 것이다.
게다가, 위의 기본적인 전류 차단 기능을 통한 광 출력 효율 이외에도, 상대적으로 낮은 굴절률(n:1.39)로 인하여 최적의 반사도 특성을 얻음으로써 결과적으로 더 개선되는 광 추출 효율을 가지는 광소자에 관한 것이다.
즉, 본 발명의 전류 억제층은, 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 기본적인 전류 차단 기능을 통하여 n타입 전극과 p타입 전극 사이에 발생되는 전류 집중을 전극 주변으로 균일하게 분산시켜 1차적으로 개선되는 광 추출 효율(Optical output power)과 함께, 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 낮은 굴절률로 인한 광 반사도 특성(Reflectivity)에 의하여 2차적으로 더 개선되는 광 추출 효율(Optical output power)을 가진다.
이로써, p타입 질화갈륨층(p-GaN layer)을 선택적으로 플라즈마(Plasma) 처리하거나 내지는 이온 임플란트(Ion implant) 처리할 필요가 없기 때문에, 마스크 형성을 위한 추가적인 포토리소그래피 공정이 필요 없고, p타입 질화갈륨층(p-GaN layer) 상에 이산화규소(SiO2)의 PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 실시할 필요가 없기 때문에, 추가적인 화학기상증착 공정이 필요 없다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체 소자로서 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.
화합물 발광 다이오드 중 질화갈륨(GaN) 계열 화합물은 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드 갭을 가지고 있고, 인(In), 알루미늄(Al) 등 타 원소들과 조합되어 녹색, 청색 및 백생 광을 방출하는 발광 다이오드 소자를 제조할 수 있고, 방출 파장 조절이 용이하여 LED를 포함하는 고출력 전자 소자 개발 분야에서 특히 주목받고 있다.
발광 다이오드에 전류를 인가하였을 때, n-전극에서 다중양자우물(MQW)을 거치는 전기 에너지가 발생시킨 광자들은 투명 전극층을 따라 고르게 분포되어 발광 다이오드의 외부로 빛의 형태로 방출되는데, 이때 p-전극 부분에서 방출되는 빛들은 p-전극의 금속 특성 때문에 흡수 및 반사된다. 이것은 발광 다이오드의 광 추출 효율을 낮추는 원인이 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 투명 전극 아래 p타입 질화갈륨(p-GaN) 상에 절연층으로 이루어진 전류 억제층(Current Block Layer: CBL)을 형성하고, 투명 전극 위에 p-전극이 형성된 발광 다이오드는 p-전극 쪽으로 흘러드는 전류를 다른 경로로 바꾸어 진행시키며, 이 전류 성분들은 p-전극이 아닌 다른 부분에서 빛의 형태로 방출 되게 되어 광 추출 효율을 높이게 된다.
이때, 전류 억제층을 차용한 발광 다이오드는 p타입 질화갈륨(p-GaN) 상에 얇은 전류 억제층을 이산화규소(SiO2)의 절연막으로 증착하여 형성하기도 한다. 이러한 종래의 전류 억제층은 p타입 질화갈륨(p-GaN) 위에 일종의 층(layer) 형태로 소정의 두께를 가지게 되는데, 구조상 얇고 선 폭이 좁은 단점이 있어 손상되기가 쉽다는 단점이 있다.
특히, 증착 및 식각을 위해 몇 번의 복잡한 공정이 발생하기 때문에 공정상의 비용발생이 있다는 것이 큰 단점이다.
이러한 문제는 수직형 발광 다이오드에서도 동일하게 적용된다.
예컨대, 신뢰성 있는 수직형 구조의 발광 다이오드를 제작하기 위해 절연 특성의 사파이어 기판을 제거하고, 최상단 및 하단에 각각 전극을 접촉시키는 구조적인 개발이 이루어져 왔다.
이와 같이 고효율/고출력을 갖는 광소자를 구현함에 있어 n타입 전극에서의 광 흡수의 문제와 전류 밀집(current-crowding)에 의해 제한되는 전류 확산의 문제는 수평형 구조의 발광 다이오드보다 더 절실하고 반드시 해결되어야 한다.
이의 해결을 위하여, p타입 질화갈륨(p-GaN)과 p타입 전극 사이에 절연 특성의 전류 억제층(CBL)을 삽입하거나 혹은 p타입 질화갈륨(p-GaN)에 선택적으로 플라즈마 처리를 하여 수직성을 갖는 전류 흐름을 퍼뜨려 줌으로써, 광 추출 효율을 효과적으로 높이는 연구 등이 활발히 진행되고 있다.
일례로, 도 1을 참조하면, p-전극과 p-GaN 사이에 전류 억제층(CBL)으로 절연층인 이산화규소(SiO2)를 삽입함으로써 p-전극을 통한 효과적인 광 추출 효율을 얻을 수 있다. p-GaN 상에 이산화규소(SiO2)의 절연층을 형성함으로써, p-전극 쪽으로 흘러드는 전류를 다른 경로로 바꾸어 진행시키며 이 전류 성분들은 p-전극이 아닌 다른 부분에서 빛의 형태로 방출 되게 되어 광 추출 효율을 높이게 된다. 이러한 전류 억제층(CBL)은 PE-CVD를 이용하여 p-GaN 상에 이산화규소(SiO2) 혹은 질화규소(SiN)를 증착하여 형성한다.
하지만, 일반적으로 이산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiN)는 화학기상증착 방법(PE-CVD)으로 증착하기 때문에 공정에 고가의 장비가 추가되는 단점이 발생하며, 추가적으로 증착 과정에서의 플라즈마 데미지에 의한 누설전류 생성, 열화현상에 의한 비 신뢰성, 그리고 상대적으로 높은 굴절률(n:1.49)에 의한 최적 반사도 획득에 어려움이 있다.
한국공개특허 10-2011-0138980
따라서 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 전류 억제층(CBL)을 기본적인 전류 차단 기능 이외에 이산화규소(SiO2)의 굴절률보다 높은 최적의 반사도를 통해 더욱 개선된 광 추출 효율을 가지는 질화갈륨 계열 반도체 기반 고효율 수직형 발광 다이오드의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전류 억제층(CBL) 형성 공정이 후속하는 전극 형성 공정과 연속성을 가지는 질화갈륨 계열 반도체 기반 고효율 수직형 발광 다이오드의 제조방법을 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명의 수직형 발광 다이오드는, n타입 전극 패턴(n-electrode pattern), 상기 n타입 전극 상에 형성되는 n타입 질화갈륨층(n-GaN layer), 상기 n타입 질화갈륨층 상에 형성되는 활성층(active layer), 상기 활성층 상에 형성되는 p타입 질화갈륨층(p-GaN layer), 상기 p타입 질화갈륨층 상에 형성되는 플루오린화마그네슘 패턴( pattern), 및 상기 P타입 질화갈륨층과 접촉되고, 상기 플루오린화마그네슘 패턴 상에 형성되는 p타입 전극 패턴(p-electrode pattern)을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 본 발명의 수직형 발광 다이오드 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하는 단계, 및 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하는 단계, 및 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계를 포함한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 전류 억제층(CBL)을 이산화규소(SiO2)에서 플루오린화마그네슘(MgF2)으로 대체함으로써, 전류 억제층(CBL) 형성 공정은 p형 전극으로 사용되는 은(Ag)과 동일한 증착 장비인 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용할 수 있어 증착 장비가 추가되는 단점을 보완할 수 있다.
둘째, 전류 억제층(CBL)을 이산화규소(SiO2)에서 플루오린화마그네슘(MgF2)으로 대체한 경우에도, 를 이용한 발광 다이오드에서와 동일한 수준의 순방향 전압(forward voltage)을 얻는 반면, 에 비해 상대적으로 낮은 굴절률(:1.39)로 인하여 최적의 반사도 특성을 얻음으로써 결과적으로 최대 5% 정도 더 개선된 광 추출 효율을 얻을 수 있다.
따라서 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능이 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 기대된다.
도 1은 종래 기술에 의한 수직형 발광 다이오드의 구성을 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 수직형 발광 다이오드의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 전류 억제층으로 사용되는 물질의 굴절율에 따른 두께와 반사도 특성의 관계를 나타내는 예시 단면도들.
도 4는 본 발명에 의한 입사각에 따른 이산화규소(SiO2)와 플루오린화마그네슘(MgF2)의 반사도 특성 및 광 추출 효율을 비교하는 그래프들.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 의한 발광 다이오드의 제조방법을 나타내는 단면도들.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 수직형 발광 다이오드의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질을 이용하여 전류 억제층을 형성함으로써, 전기적 특성 및 광학적 특성이 모두 개선되는 수직형 발광 다이오드를 제공한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 수직형 발광 다이오드(100)는, 제1전극(110), 제1전극(110) 상에 형성되는 제1도전성 반도체층(120), 제1도전성 반도체층(120) 상에 형성되는 활성층(130), 활성층(130) 상에 형성되는 제2도전성 반도체층(140), 제2도전성 반도체층(140) 상에 형성되는 전류 억제층(150), 및 전류 억제층(150) 상에 형성되는 제2전극(160)을 포함한다.
제1전극(110)은, Ti/Al과 같은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
제1도전성 반도체층(120)은 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질로 형성될 수 있다. 가령, n타입 질화갈륨(n-GaN) 계열일 수 있다. n타입 질화갈륨(n-GaN)은 n형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, n형 불순물로는 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있다.
활성층(130)은 InxGa1-xN (0≤x<1)인 질화갈륨(GaN) 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층일 수 있다. 활성층(130)은, 가령 MQW(GaN/InGaN) 혹은 MQW(GaN/AlGaN)의 다중양자우물(multi-quantum well: MQW)로 구성될 수 있다.
제2도전성 반도체층(140)은, Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질로 형성될 수 있다. 가령, p타입 질화갈륨(p-GaN) 또는 p-GaN/AlGaN 계열일 수 있다. p타입 질화갈륨(p-GaN)은 p형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, p형 불순물로는 Mg, Zn, Be 등이 사용될 수 있다.
전류 억제층(150)은 전류의 주입과 이동을 억제한다. 본 발명에 의한 전류 억제층(150)은 두 가지 개선 효과를 제공한다. 전류 억제층(150)은 기본적으로 그 자체로서 전류 분산 효과를 통하여 발광 효율을 개선하는 동시에 저 굴절율에 의하여 최적의 광 반사도 특성을 가지는 발광 효율을 제공한다.
본 발명의 전류 억제층(150)은 제1전극(110)과 제2전극(160) 사이에서 발생되는 전류 집중 현상에 의하여, 활성층(130) 전체에 대하여 전류를 균일하게 분산시키지 못하고, 전극 주변에 전류가 집중됨으로써 전극으로부터 멀리 떨어진 영역이 상대적으로 어두워지고, 이러한 전류 집중 현상에 의하여 국부적인 열화나 노화 현상이 발생되는 문제점을 해결하는 직접적인 효과 이외에도, 상대적으로 낮은 굴절률로 인한 광 반사도 특성이 향상되는 부가적인 효과를 제공한다.
제2전극(160)은, 니켈/금(Ni/Au)과 같은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
도 3은 전류 억제층으로 사용되는 물질의 굴절율에 따른 두께와 반사도 특성의 관계를 나타내는 예시 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 전류 억제층(150)으로 이산화규소(SiO2)가 사용된 경우 굴절율(n)이 1.49로 주어짐으로써, 파장(λ) 450nm에서 이산화규소(SiO2)의 두께(h)는
Figure pat00001
에 의하여 75.5nm 값을 가지게 되는 반면, 플루오린화마그네슘(MgF2)이 사용된 경우 굴절율(n)이 1.39로 주어짐으로써, 플루오린화마그네슘(MgF2)의 두께(h)는 80.9nm 값을 가지게 되기 때문에, 고 굴절율(1.49)의 이산화규소(SiO2)보다 저 굴절율(1.39)의 플루오린화마그네슘(MgF2)가 최적의 반사도 특성을 가지게 된다.
도 4는 본 발명에 의한 이산화규소(SiO2)와 플루오린화마그네슘(MgF2)의 각 전류 억제층(CBL)과 p타입 은(Ag) 전극을 최종적으로 증착한 수직형 구조의 LED 소자에 대한 반사도 특성(좌)과, 광 추출 효율 데이터(우)를 비교하고 있다.
예컨대, 좌측의 그래프는 이산화규소(SiO2) 대비 플루오린화마그네슘(MgF2)의 반사도 특성(Reflectivity)이 더 우수한 것을 나타내고, 우측의 그래프는 이산화규소(SiO2) 대비 플루오린화마그네슘(MgF2)의 광 추출 효율(Optical output power)이 더 개선된 것을 나타내고 있다.
따라서 플루오린화마그네슘(MgF2)의 반사도 특성은 이산화규소(SiO2)의 반사도 특성보다 더 최적화되어 있고, 그에 따라 이산화규소(SiO2)의 광 추출 효율은 플루오린화마그네슘(MgF2)보다 더 개선된 것을 알 수 있다.
특히, 전류 억제층으로 이산화규소(SiO2)가 사용된 경우 반사도는 89.3 % 정도이나, 플루오린화마그네슘(MgF2)이 사용된 경우 반사도는 92.5 % 정도로 전류 억제층(CBL)을 SiO2에서 MgF2로 대체한 경우보다 우수한 반사도 특성을 보여줌을 알 수 있다. 또한 광 추출 효율 면에서도 SiO2에서 MgF2로 대체한 경우 최대 5 % 더 증가되는 것으로 알 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 수직형 발광 다이오드의 제조방법을 설명한다.
도 5a를 참조하면, 반도체 기판(102) 상에 제1도전성 반도체층(120), 활성층(130), 및 제2도전성 반도체층(140)을 순차적으로 형성한다. 가령, 제1, 및 제2도전성 반도체층(120, 140)은 화학증착방법(CVD), 스퍼터링, 에피택시 등의 방법을 사용하여 형성될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 제2도전성 반도체층(140) 상에 전류 억제층(150)을 형성한다. 가령, p타입 질화갈륨(p-GaN) 상에 플루오린화마그네슘(MgF2)을 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 증착한다.
도 5c를 참조하면, 전류 억제층(150) 상에 제2전극(160)을 형성한다. 가령, 플루오린화마그네슘(MgF2) 상에 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 은(Ag)을 증착하여 수직형 구조의 발광 다이오드를 완성한다.
특히, 본 발명의 실시예에 의하면, 전류 억제층(150) 형성 공정과 제2전극(160) 형성 공정은 동일한 증착 장비를 이용하여 실시될 수 있다. 전류 억제층(150)과 제2전극(160)은 인 시튜 공정에 의하여 형성될 수 있다. 가령, 제2전극(160)은 열 증착(thermal evaporator) 방법, 전자 빔 증착(E-beam evaporator) 방법, 스퍼터링(RF or DC sputter) 방법 또는 다양한 전극 형성 방법에 의해 적층 가능하지만, 본 발명에서는 플루오린화마그네슘(MgF2)과 동일한 증착 장비를 사용하고자 전자 빔 증착 방법을 사용하는 것으로 한다.
도 5d를 참조하면, 반도체 기판(102)을 제거하고, 제1도전성 반도체층(120) 상에 제1전극(110)을 형성한다.
그러므로 본 발명의 전류 억제층(150)은 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 전류 차단 기능을 통하여 n타입 전극과 p타입 전극 사이에 발생되는 전류 집중을 전극 주변으로 균일하게 분산시켜 1차적으로 광 추출 효율(Optical output power)을 개선하는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 2차적으로 광 반사도 특성(Reflectivity)을 증진시키는 이중적 개선 효과를 제공한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 전류 억제층(CBL)으로 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질을 이용함으로써 p타입 질화갈륨(GaN)과 p타입 은(Ag) 전극 사이의 수직성을 갖는 전류 흐름을 효과적으로 퍼뜨려 주는 기본적인 전류 차단 기능을 통한 광 출력 효율과 함께, 저 굴절률로 인하여 최적의 반사도 특성을 얻음으로써 결과적으로 더 개선되는 광 추출 효율을 가지는 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
100: 발광 다이오드 102: 기판
110: 제1전극 120: 제1도전성 반도체층
130: 활성층 140: 제2도전성 반도체층
150: 전류 억제층 160: 제2전극

Claims (6)

  1. n타입 전극 패턴(n-electrode pattern);
    상기 n타입 전극 상에 형성되는 n타입 질화갈륨층(n-GaN layer);
    상기 n타입 질화갈륨층 상에 형성되는 활성층(active layer);
    상기 활성층 상에 형성되는 p타입 질화갈륨층(p-GaN layer);
    상기 p타입 질화갈륨층 상에 형성되는 플루오린화마그네슘 패턴(MgF2 pattern); 및
    상기 P타입 질화갈륨층과 접촉되고, 상기 플루오린화마그네슘 패턴 상에 형성되는 p타입 전극 패턴(p-electrode pattern);을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플루오린화마그네슘(MgF2)의 굴절율(n)은 1.39 이고, 상기 플루오린화마그네슘(MgF2)의 패턴 두께(h)는 파장(λ) 450nm 기준에서 수학식
    Figure pat00002
    에 의하여 80.9nm인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드.
  3. 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하는 단계;
    상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하는 단계; 및
    상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2도전성 반도체층은 p타입 질화갈륨(p-GaN)을 포함하고,
    상기 전류 억제층은 플루오린화마그네슘(MgF2)을 포함하며,
    상기 플루오린화마그네슘(MgF2)은 상기 p타입 질화갈륨(p-GaN) 상에 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 증착됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2전극은 은(Ag)을 포함하며,
    상기 은(Ag)은 상기 플루오린화마그네슘(MgF2) 상에 상기 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 증착됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 전류 억제층과 상기 제2전극은 인 시튜 공정에 의하여 형성됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법.

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