KR20150049726A - Apparatus for substrates bonding - Google Patents
Apparatus for substrates bonding Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150049726A KR20150049726A KR1020130130622A KR20130130622A KR20150049726A KR 20150049726 A KR20150049726 A KR 20150049726A KR 1020130130622 A KR1020130130622 A KR 1020130130622A KR 20130130622 A KR20130130622 A KR 20130130622A KR 20150049726 A KR20150049726 A KR 20150049726A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plate
- substrate
- chamber
- ball stud
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
본 발명은 두 기판을 동일한 압력으로 가해 접합할 수 있는 기판 접합 장치를 위하여, 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되고 제1기판을 안착하기 위한 제1플레이트와, 상기 제1플레이트와 마주보도록 배치되고 제2기판을 안착하기 위한 제2플레이트와, 상기 제2플레이트가 결합되는 가압 블록과, 상기 챔버 내에 배치되고 상기 가압 블록이 회전가능하게 결합되며 상기 제1플레이트 방향 또는 그 역방향으로 이동가능한 볼 스터드부를 포함하는 기판 접합 장치를 제공한다.The present invention relates to a substrate joining apparatus capable of joining two substrates at the same pressure, comprising: a chamber; a first plate disposed in the chamber and for seating a first substrate; A second plate for seating the second plate, a press block to which the second plate is coupled, and a ball stud portion disposed in the chamber and rotatably coupled to the press block and movable in the first plate direction or the reverse direction And a substrate bonding apparatus.
Description
본 발명은 기판 접합 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 두 기판을 균일한 압력으로 가해 접합할 수 있는 기판 접합 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로, 실리콘 기판 위에 화합물 반도체 기판을 접합시키는 방법으로는 분자빔 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE)법이 있다. 하지만, 분자빔 에피택시법은 고 진공을 필요로 하고, 에피층의 성장속도가 매우 느려 생산성이 낮으며, 공정 비용이 매우 비싼 단점이 있다. 또한, 분자빔 에피택시법은 에피층에 전위(dislocation)와 같은 결함이 많이 발생되는 문제가 있다. 이로 인해, 분자빔 에피택시법을 통해 성장된 에피층을 이용하여 전기 소자나 광 소자 등을 제조할 경우 각 소자들의 고유 특성이 저하되는 등의 치명적인 문제점이 발생하게 된다.Generally, molecular beam epitaxy (MBE) is a method of bonding a compound semiconductor substrate to a silicon substrate. However, the molecular beam epitaxy method requires a high vacuum, has a very low growth rate of the epi layer, has a low productivity, and has a disadvantage that the process cost is very high. In addition, the molecular beam epitaxy method has a problem that many defects such as dislocations are generated in the epi layer. Accordingly, when an electric device or an optical device is manufactured using an epitaxial layer grown by a molecular beam epitaxy method, there arise fatal problems such as deterioration of inherent characteristics of each device.
이와 같은 문제를 해결하기 위해, 이종 기판을 직접 접합하는 직접 접합법이 제안되었다. 이종 기판 간의 직접 접합은 두 기판 사이의 접합 압력과 주위 온도의 제어를 통하여 이루어지는데, 통상적으로, 가압부와 지지부로 이루어지는 직접 접합기를 사용하여 진행하게 된다. 예를 들어, 지지부에는 실리콘 기판 및 이의 접합대상인 GaN 기판이 안착된다. 그리고 이 상태에서 가압부는 지지부 방향으로 일정한 하중을 가해 두 기판이 서로 접촉을 형성하게 한 다음 접합이 이루어지도록 한다.In order to solve such a problem, a direct bonding method in which a different substrate is directly bonded has been proposed. Direct bonding between dissimilar substrates is achieved by controlling the bonding pressure between the two substrates and the ambient temperature. Usually, a direct bonding device comprising a pressing part and a supporting part is used. For example, a silicon substrate and a GaN substrate to be bonded thereto are seated on the supporting portion. In this state, the pressing portion applies a predetermined load in the direction of the support portion so that the two substrates are brought into contact with each other, and then the bonding is performed.
그러나 종래의 기판 접합 장치는 지지부가 기울어진 경우 기판이 면 대 면으로 완전히 접촉하지 못하고 일부에 더 많은 압력이 가해지는 문제가 있었다. 이로 인해, 기판이 파손되거나 비 접합면 및 빈 공간(void)이 형성되는 문제가 있고, 이는 결국, 제품 불량으로 이어지게 된다.However, in the conventional substrate joining apparatus, when the support portion is tilted, the substrate is not completely in contact with the face-to-face surface, and there is a problem that more pressure is applied to a part thereof. As a result, there is a problem that the substrate is broken or non-bonded surfaces and voids are formed, which leads to product failure.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 두 기판을 균일한 압력으로 가해 접합하는 기판 접합 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.It is an object of the present invention to provide a substrate joining apparatus for joining two substrates by applying a uniform pressure to solve various problems including the above problems. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
본 발명의 일 관점에 따르면, 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되고 제1기판을 안착하기 위한 제1플레이트와, 상기 제1플레이트와 마주보도록 배치되고 제2기판을 안착하기 위한 제2플레이트와, 상기 제2플레이트가 결합되는 가압 블록과, 상기 챔버 내에 배치되고 상기 가압 블록이 회전가능하게 결합되며 상기 제1플레이트 방향 또는 그 역방향으로 이동가능한 볼 스터드부를 포함하는 기판 접합 장치가 제공된다. According to one aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising a chamber, a first plate disposed in the chamber for seating a first substrate, a second plate arranged to face the first plate and for seating a second substrate, There is provided a substrate joining apparatus including a press block to which a second plate is coupled and a ball stud portion disposed in the chamber and rotatably coupled to the press block and movable in the first plate direction or the reverse direction.
상기 볼 스터드부와 결합되어, 상기 볼 스터드부를 이동시키는 가압부를 더 포함할 수 있다. And a pressing unit coupled to the ball stud unit to move the ball stud unit.
상기 가압부는 상기 챔버의 외부에 배치되어 상기 볼 스터드부를 이동시킬 수 있다. The pressing portion may be disposed outside the chamber to move the ball stud portion.
일단이 상기 챔버에 접촉하고, 타단이 상기 가압 블록 또는 상기 제2플레이트에 접촉하는 실링부를 더 포함할 수 있다. And a sealing portion having one end contacting the chamber and the other end contacting the pressing block or the second plate.
상기 제2플레이트의 적어도 어느 한 면에 배치되는 단열 플레이트를 더 포함할 수 있다. And a heat insulating plate disposed on at least one surface of the second plate.
상기 단열 플레이트는 세라믹을 포함할 수 있다.The heat insulating plate may include a ceramic.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 두 기판을 동일한 압력으로 가해 접합할 수 있는 기판 접합 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention as described above, a substrate bonding apparatus capable of bonding two substrates by applying the same pressure can be realized. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 접합 장치를 개략적으로 도시하는 측단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 접합 장치의 사용 상태를 개략적으로 도시하는 측단면도이다. 1 is a side cross-sectional view schematically showing a substrate bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are side cross-sectional views schematically showing a state of use of the substrate joining apparatus according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. Also, for convenience of explanation, the components may be exaggerated or reduced in size.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 접합 장치를 개략적으로 도시하는 측면도이다. 본 실시예에 따른 기판 접합 장치는 챔버(300), 제1플레이트(100), 제2플레이트(200), 가압 블록(400) 및 볼 스터드부(500)를 포함할 수 있다. 1 is a side view schematically showing a substrate bonding apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate joining apparatus according to the present embodiment may include a
챔버(300)는 기판 접합이 실행될 수 있다. 즉 후술할 제1기판(10)과 제2기판(20)이은 챔버(300) 내로 인입되고 접합된 다음에 챔버(300)에서 반출된다. 이때, 기판들(10, 20)이 접합되는 동안 챔버(300)는 진공 상태로 이루어질 수 있다. 물론 이에 한정하는 것은 아니며, 기판들(10, 20)이 접합되는 동안 챔버(300)는 상압 상태일 수도 있다. 예컨대, 챔버(300)는 도시된 바와 같이 하부 하우징(320)과 상부 하우징(310)으로 구성되고, 상부 하우징(310)이 하부 하우징(320)에 회전되어 내부를 개폐할 수 있다. 물론 챔버(300)의 구성은 이에 한정되는 것이 아니며, 다양한 형태일 수 있다. 다른 예로, 챔버(300)는 하우징과 도어를 포함할 수 있다. 이러한 챔버(300)는 베이스 플레이트(1) 상에 배치될 수 있다. 베이스 플레이트(1)는 건물 등의 바닥일 수도 있고, 챔버(300)가 설치되는 별도의 스테이지일 수도 있다.The
제1플레이트(100)는 챔버(300) 내에 배치되고, 제1기판(10)을 안착할 수 있다. 구체적으로 제1플레이트(100)는 챔버(300) 내에 구비된 지지부(110) 상에 배치될 수 있다. The
제2플레이트(200)는 제1플레이트(100)와 마주보도록 배치되고, 제2기판(20)을 안착할 수 있다. 예컨대 도시된 바와 같이 제2플레이트(200)는 제1플레이트(100)의 상방에 배치되고, 제2기판(20)을 제1플레이트(100) 방향으로 안착할 수 있다. 또한, 제1기판(10) 및 제2기판(20)을 가압 접합하기 위하여, 제2플레이트(200)는 제1플레이트(100) 방향으로 이동하거나 그 역방향으로 이동할 수 있다. The
가압 블록(400)은 제2플레이트(200)에 결합되고, 후술할 볼 스터드부(500)와 결합될 수 있다. 즉, 가압 블록(400)은 볼 스터드부(500)를 중심으로 제2플레이트(200)와 함께 회전될 수 있다. 따라서 가압 블록(400)은 볼 스터드부(500)에 의해 챔버(300) 내에 떠있는 상태로 구비될 수 있다. 이러한 가압 블록(400)은 제2플레이트(200)가 제1기판(10) 및 제2기판(20)을 균일하게 가압하도록 압력을 제2플레이트(200)로 균일하게 전달할 수 있다. 즉 가압 블록(400)은 제2플레이트(200)와 넓은 면적에 걸쳐 결합될 수 있다. The
볼 스터드부(500)는 챔버(300) 내에 배치되고, 가압 블록(400)이 회전가능하게 결합되며, 제1플레이트(100) 방향 또는 그 역방향으로 이동할 수 있다. 예컨대, 볼 스터드부(500)는 구(球) 형태로 이루어지고, 전술한 가압 블록(400)이 볼 스터드부(500)를 회전가능하게 감쌀 수 있다. 이때, 가압 블록(400)과 볼 스터드부(500) 사이에는 윤활제가 구비될 수도 있다. The
또한, 볼 스터드부(500)는 가압 블록(400) 및 제2플레이트(200)와 함께 이동할 수 있다. 즉 기판 접합 장치는 볼 스터드부(500), 가압 블록(400) 및 제2플레이트(200)를 이동시키기 위한 가압부(600)를 더 포함할 수 있다. In addition, the
예컨대, 가압부(600)는 여러 가지 동력을 이용하여 볼 스터드부(500)를 이동시킬 수 있다. 일예로 가압부(600)은 유압을 이용하여 볼 스터드부(500)를 이동시킬 수 있다. 즉 볼 스터드부(500)는 유압 실린더의 로드와 직접 또는 간접적으로 결합될 수 있다. 가압부(600)는 챔버(300)의 내부 또는 외부에 배치될 수 있다. 구체적으로 가압부(600)는 챔버(300)의 외부에 배치되고, 로드 등 가압부(600)의 일부 구성이 챔버(300)의 내부로 연장될 수 있다. 이때, 가압부(600)는 챔버(300)의 외측에 직접 결합될 수 있고, 별도의 고정부(610)에 의해 챔버(300)에서 이격되어 고정될 수도 있다. 다른 예로 가압부(600)은 공압을 이용하거나 모터 등의 전동력을 이용하여 볼 스터드부(500)를 이동시킬 수도 있다. For example, the
한편, 제1기판(10) 및 제2기판(20)을 접할 할 때 챔버(300)는 진공으로 유지될 수 있다. 따라서 가압부(600)를 통해 기체가 유입될 가능성이 있기 때문에, 기판 접합 장치는 실링부(700)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, when the
실링부(700)는 일단이 챔버(300)에 접촉하고, 타단이 도시된 바와 같이 제2플레이트(200)에 접촉할 수 있다. 또는 실링부(700)는 타단이 가압 블록(400)에 접촉할 수 있다. 즉, 실링부(700)는 가압부(600)가 챔버(300)를 관통하는 부분을 챔버(300)의 내부 공간과 분리할 수 있다. 실링부(700)는 양 단이 챔버(300) 내부 공간을 진공으로 유지하기 위해 메탈 가스켓 또는 오링으로 이루어질 수 있다. 또한, 실링부(700)는 가압 블록(400) 및 제2플레이트(200)가 이동할 때에도 진공을 유지하기 위하여 양 단을 연결하는 벨로우즈를 포함할 수 있다.The sealing
한편, 제1기판(10) 및 제2기판(20)을 접합할 때 기판을 직접 가열하거나 유도 가열하는 등 다양한 방법을 통해 기판들(10, 20)을 가열할 수 있다. 이때, 제2플레이트(200)가 열에 의해 변형되어 제1기판(10) 및 제2기판(20)에 균일한 압력을 전달하지 못할 수 있다. 이러한 것을 방지하기 위하여 제2플레이트(200)의 적어도 어느 한 면에는 단열 플레이트(220)가 배치될 수 있다. 구체적으로 단열 플레이트(220)는 제2플레이트(200)의 제2기판(20)이 안착되는 면에 구비될 수 있다. 이러한 단열 플레이트(220)는 세라믹을 포함할 수 있다. 여기서 세라믹은 예컨대 알루미나를 포함할 수 있다. 물론 세라믹은 알루미나로 한정하는 것은 아니며, 다른 세라믹 물질을 포함할 수도 있다. 이때, 단열 플레이트(220)는 제2기판(20)과의 접촉면을 제외한 부분에 세라믹을 포함할 수 있다.Meanwhile, when bonding the
도2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 접합 장치를 이용하여 제1기판(10) 및 제2기판(20)의 접합을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 2 and 3 are cross-sectional views schematically showing bonding of the
도 2를 참조하면 전술한 바와 같이 베이스 플레이트(1), 챔버(300), 지지부(110) 또는 제1플레이트(100) 중 적어도 어느 하나가 틀어지면 제2플레이트(200)는 제1플레이트(100)와 이격되어 있을 때 상호 평행을 못 이룰 수 있다.Referring to FIG. 2, when at least one of the
도 3을 참조하면, 제2플레이트(200)가 하방으로 이동하면, 제1기판(10)과 제2기판(20)의 일부가 먼저 접촉할 수 있다. 그리고 제2플레이트(200)가 계속 하방으로 이동함에 따라 제2플레이트(200)가 볼 스터드부(500)를 중심으로 회전될 수 있다. 이로 인해, 제1기판(10)과 제2기판(20)의 접촉된 부분을 기점으로 제1기판(10)과 제2기판(20)의 다른 부분이 순차적으로 접촉하게 된다. 순차적으로 접촉하므로 기판들(10, 20) 사이에 빈 공간이 형성되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 3, when the
또한, 제2플레이트(200)가 회전되어 제1플레이트(100)와 평행하거나 대략 평행하게 되므로, 제1기판(10)과 제2기판(20)을 가압할 때 특정 부위에 압력이 집중되지 않고 전체적으로 고르게 압력을 전달하여, 압력 집중으로 기판들(10, 20)이 파손되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since the
이처럼 본 발명의 일 실시예에 따르면 볼 스터드부(500)를 이용하여 제2플레이트(200)를 어느 방향으로든 회전시킬 수 있으므로, 제1기판(10)의 평형을 과도하게 맞출 필요가 없어 작업 시간을 단축할 수 있으며, 생산성을 향상시킬 수 있다. As described above, according to the embodiment of the present invention, since the
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
1: 베이스 플레이트
10: 제1기판
20: 제2기판
100: 제1플레이트
110: 지지부
200: 제2플레이트
220: 단열 플레이트
300: 챔버
310: 상부 하우징
320: 하부 하우징
400: 가압 블록
500: 볼 스터드부
600: 가압부
610: 고정부
700: 실링부1: base plate 10: first substrate
20: second substrate 100: first plate
110: support part 200: second plate
220: insulation plate 300: chamber
310: upper housing 320: lower housing
400: press block 500: ball stud part
600: pressing portion 610:
700: sealing part
Claims (6)
상기 챔버 내에 배치되고, 제1기판을 안착하기 위한 제1플레이트;
상기 제1플레이트와 마주보도록 배치되고, 제2기판을 안착하기 위한 제2플레이트;
상기 제2플레이트가 결합되는 가압 블록; 및
상기 챔버 내에 배치되고, 상기 가압 블록이 회전가능하게 결합되며, 상기 제1플레이트 방향 또는 그 역방향으로 이동가능한 볼 스터드부;
를 포함하는, 기판 접합 장치.chamber;
A first plate disposed within the chamber and for seating a first substrate;
A second plate disposed to face the first plate and for seating a second substrate;
A pressing block to which the second plate is coupled; And
A ball stud portion disposed in the chamber, the ball stud portion rotatably coupled with the pressing block, and movable in the first plate direction or the reverse direction;
And a second substrate.
상기 볼 스터드부와 결합되어, 상기 볼 스터드부를 이동시키는 가압부를 더 포함하는, 기판 접합 장치.The method according to claim 1,
And a pressing portion coupled with the ball stud portion to move the ball stud portion.
상기 가압부는 상기 챔버의 외부에 배치되어 상기 볼 스터드부를 이동시키는, 기판 접합 장치.3. The method of claim 2,
And the pressing portion is disposed outside the chamber to move the ball stud portion.
일단이 상기 챔버에 접촉하고, 타단이 상기 가압 블록 또는 상기 제2플레이트에 접촉하는 실링부를 더 포함하는, 기판 접합 장치.The method of claim 3,
And a sealing portion having one end in contact with the chamber and the other end in contact with the pressing block or the second plate.
상기 제2플레이트의 적어도 어느 한 면에 배치되는 단열 플레이트를 더 포함하는, 기판 접합 장치.The method according to claim 1,
And a heat insulating plate disposed on at least one side of the second plate.
상기 단열 플레이트는 세라믹을 포함하는, 기판 접합 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the heat insulating plate comprises a ceramic.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130130622A KR101621792B1 (en) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | Apparatus for substrates bonding |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130130622A KR101621792B1 (en) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | Apparatus for substrates bonding |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150049726A true KR20150049726A (en) | 2015-05-08 |
KR101621792B1 KR101621792B1 (en) | 2016-05-17 |
Family
ID=53387754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130130622A Active KR101621792B1 (en) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | Apparatus for substrates bonding |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101621792B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112542416A (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102191516B1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-12-15 | 코스텍시스템(주) | Wafer bonding apparatus |
-
2013
- 2013-10-30 KR KR1020130130622A patent/KR101621792B1/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112542416A (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus |
CN112542416B (en) * | 2019-09-20 | 2024-04-12 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101621792B1 (en) | 2016-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10121760B2 (en) | Wafer bonding system and method | |
KR101299845B1 (en) | Bonding apparatus | |
KR102186019B1 (en) | Method and device for bonding substrates | |
JP5390380B2 (en) | Apparatus and method for semiconductor bonding | |
US9041424B2 (en) | Interface and apparatus for inspecting electrical characteristics of wafer | |
KR101019901B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US8490856B2 (en) | Joint apparatus, joint method, and computer storage medium | |
WO2018143344A1 (en) | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device | |
TWI636843B (en) | Joining apparatus, joining system, joining method, and computer storage | |
JP2019054243A (en) | Device and method of manufacturing semiconductor device | |
KR101580206B1 (en) | Apparatus for substrates bonding | |
KR101621792B1 (en) | Apparatus for substrates bonding | |
KR20170041267A (en) | Apparatus for especially thermally joining micro-electromechanical parts | |
JP2009049066A (en) | Wafer joining apparatus | |
KR20150060458A (en) | Apparatus for substrates bonding | |
JP2010192515A (en) | Substrate processing apparatus and substrate holding mechanism | |
JP2010236694A (en) | Metal lip seal and the machine that installed it | |
TWI630048B (en) | Bonding device, bonding system, bonding method, and computer memory medium | |
KR102047587B1 (en) | Method and device for permanent bonding | |
JP2004363372A (en) | Mechanism of placing workpiece | |
KR20220093803A (en) | Bonding head and die bonding apparatus including the same | |
KR20160115192A (en) | Apparatus and method for substrates bonding | |
KR20210036012A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20130027182A (en) | Apparatus for bonding substrates | |
KR102658985B1 (en) | Bonding head and die bonding apparatus including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20131030 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20141202 Patent event code: PE09021S01D |
|
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20150323 Patent event code: PE09021S02D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20151103 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20160511 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20160512 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190513 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190513 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201111 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211111 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221110 Start annual number: 7 End annual number: 7 |