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KR20150037216A - Light emitting device - Google Patents

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KR20150037216A
KR20150037216A KR20130116632A KR20130116632A KR20150037216A KR 20150037216 A KR20150037216 A KR 20150037216A KR 20130116632 A KR20130116632 A KR 20130116632A KR 20130116632 A KR20130116632 A KR 20130116632A KR 20150037216 A KR20150037216 A KR 20150037216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
light emitting
metal frames
frames
emitting diode
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR20130116632A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
장보람이
박인규
박준용
정희철
이형진
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to KR20130116632A priority Critical patent/KR20150037216A/en
Publication of KR20150037216A publication Critical patent/KR20150037216A/en
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    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 전기적 특성 및 방열이 우수하고, 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광 디바이스가 개시된다.
개시된 발광 다이오드는 서로 일정간격 이격된 제1 및 제2 금속프레임과, 제1 및 제2 금속프레임 사이에 위치한 제3 금속프레임과, 제3 금속프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩과, 상기 제1 및 제3 금속프레임 사이와, 제2 및 제3 금속 프레임 사이에 위치하고, 절연 및 접착기능을 갖는 절연부를 포함하고, 제3 금속프레임은 제1 및 제2 금속프레임보다 높은 열전도도를 갖는 금속물질을 포함한다.
따라서, 본 발명은 제1 및 제2 금속프레임과, 상기 제1 및 제2 금속프레임 사이에 위치한 제3 금속프레임이 제1 및 제2 절연부에 의해 조립된 간소화된 구성의 메탈기판을 제공함과 동시에 상기 제1 및 제2 금속프레임보다 열전도도가 우수한 제3 금속프레임 상에 발광 다이오드 칩이 실장되어 전기적 특성 및 방열이 우수한 장점을 갖는다.Disclosed is a light emitting device having excellent electrical characteristics and excellent heat dissipation, and capable of improving reliability.
A light emitting diode chip mounted on a third metal frame; and a light emitting diode chip mounted on the first metal frame, wherein the light emitting diode chip comprises a first metal frame, And an insulating portion located between the third metal frame and between the second and third metal frames and having an insulating and adhesive function, the third metal frame comprising a metal material having a higher thermal conductivity than the first and second metal frames, .
Accordingly, the present invention provides a simplified metal substrate having first and second metal frames, a third metal frame positioned between the first and second metal frames assembled by first and second insulating portions, At the same time, the light emitting diode chip is mounted on the third metal frame, which has a thermal conductivity higher than that of the first and second metal frames, so that electrical characteristics and heat radiation are excellent.

Description

발광 디바이스{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 발명은 발광 디바이스에 관한 것으로, 특히 전기적 특성 및 방열이 우수하고, 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광 디바이스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device that is excellent in electrical characteristics and heat dissipation and can improve reliability.

일반적으로, 질화갈륨계 발광 다이오드 칩은 사파이어 기판 상에 질화갈륨계 반도체층들을 성장시켜 제작된다.Generally, a gallium nitride based light emitting diode chip is fabricated by growing gallium nitride based semiconductor layers on a sapphire substrate.

일반적인 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드 칩이 외부의 구동신호가 공급되는 리드프레임에 전기적으로 연결된 구조를 가지며, 상기 리드프레임은 절연 하우징과 결합된 구조를 가진다.A typical light emitting diode package has a structure in which the light emitting diode chip is electrically connected to a lead frame to which an external driving signal is supplied, and the lead frame has a structure coupled with an insulating housing.

그러나, 일반적인 발광 다이오드 패키지는 방열을 위한 별도의 구성을 더 포함한다. 예컨대 일반적인 발광 다이오드 패키지는 히트싱크를 포함하거나, 상기 리드 프레임을 이용하여 방열기능을 수행하므로 구성이 복잡해지거나, 방열 신뢰도가 저하되는 문제가 있었다.
However, a general light emitting diode package further includes a separate structure for heat dissipation. For example, a typical light emitting diode package includes a heat sink, or performs a heat dissipation function using the lead frame, resulting in a complicated structure or reduced heat dissipation reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 간소화된 구성과, 전기적 특성 및 방열이 우수한 발광 디바이스를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device having a simplified structure and excellent electrical characteristics and heat radiation.

본 발명의 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 발광 다이오드 칩의 실장 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광 디바이스를 제공하는 것이다.
A further object of the present invention is to provide a light emitting device capable of improving the mounting reliability of a light emitting diode chip.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 디바이스는 서로 일정간격 이격된 제1 및 제2 금속프레임; 상기 제1 및 제2 금속프레임 사이에 위치한 제3 금속프레임; 상기 제3 금속프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩; 및 상기 제1 및 제3 금속프레임 사이와, 제2 및 제3 금속 프레임 사이에 위치하고, 절연 및 접착기능을 갖는 절연부를 포함하고, 상기 제3 금속프레임은 상기 제1 및 제2 금속프레임보다 높은 열전도도를 갖는 금속물질을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: first and second metal frames spaced apart from each other; A third metal frame positioned between the first and second metal frames; A light emitting diode chip mounted on the third metal frame; And an insulating portion located between the first and third metal frames and between the second and third metal frames and having an insulating and adhering function, the third metal frame being higher than the first and second metal frames And a metal material having thermal conductivity.

따라서, 본 발명은 제1 및 제2 금속프레임과, 상기 제1 및 제2 금속프레임 사이에 위치한 제3 금속프레임이 제1 및 제2 절연부에 의해 조립된 간소화된 구성의 메탈기판을 제공함과 동시에 상기 제1 및 제2 금속프레임보다 열전도도가 우수한 제3 금속프레임 상에 발광 다이오드 칩이 실장되어 전기적 특성 및 방열이 우수한 장점을 갖는다.Accordingly, the present invention provides a simplified metal substrate having first and second metal frames, a third metal frame positioned between the first and second metal frames assembled by first and second insulating portions, At the same time, the light emitting diode chip is mounted on the third metal frame, which has a thermal conductivity higher than that of the first and second metal frames, so that electrical characteristics and heat radiation are excellent.

상기 제1 및 제2 금속프레임은 산화막이 형성된다.An oxide film is formed on the first and second metal frames.

상기 제1 및 제2 금속프레임은 Al일 수 있다.The first and second metal frames may be Al.

상기 제3 금속프레임은 Cu, Ag, Au 등을 포함한다.The third metal frame includes Cu, Ag, Au, and the like.

상기 제1 내지 제3 금속프레임 상에 위치한 상부프레임을 포함한다.And an upper frame positioned on the first to third metal frames.

상기 상부프레임은 상기 발광 다이오드 칩을 노출시키는 리세스를 포함한다.The upper frame includes a recess for exposing the light emitting diode chip.

상기 상부프레임과 상기 제1 내지 제3 금속프레임 사이에는 위치한 접착부재를 포함한다.And an adhesive member positioned between the upper frame and the first to third metal frames.

상기 상부프레임, 상기 제1 및 제2 금속프레임은 동일한 금속물질로 이루어진다.The upper frame, the first and second metal frames are made of the same metal material.

상기 상부프레임은 상기 리세스를 따라 경사진 내측면을 포함한다.The upper frame includes an inner side inclined along the recess.

상기 제1 내지 제3 금속프레임은 리세스를 포함한다.The first to third metal frames include recesses.

상기 제1 내지 제3 금속프레임은 상기 리세스를 따라 경사진 내측면을 포함한다.
The first to third metal frames include an inner side inclined along the recess.

본 발명의 실시예들에 따르면, 본 발명은 제1 및 제2 금속프레임과, 상기 제1 및 제2 금속프레임 사이에 위치한 제3 금속프레임이 제1 및 제2 절연부에 의해 조립된 간소화된 구성의 메탈기판을 제공함과 동시에 상기 제1 및 제2 금속프레임보다 열전도도가 우수한 제3 금속프레임 상에 발광 다이오드 칩이 실장되어 전기적 특성 및 방열이 우수한 장점을 갖는다.According to embodiments of the present invention, the present invention provides a method of manufacturing a metal frame comprising a first and a second metal frame, and a third metal frame positioned between the first and second metal frames, And a light emitting diode chip is mounted on a third metal frame having a thermal conductivity higher than that of the first and second metal frames, so that electrical characteristics and heat radiation are excellent.

또한, 본 발명은 리세스를 갖는 제1 내지 제3 금속프레임을 포함하고, 상기 제1 및 제2 금속프레임 사이에 위치한 제3 금속프레임이 제1 및 제2 절연부에 의해 조립된 간소화된 구성의 메탈기판을 제공함과 동시에 상기 제1 및 제2 금속프레임보다 열전도도가 우수한 제3 금속프레임 상에 발광 다이오드 칩이 실장되어 전기적 특성 및 방열이 우수한 장점을 갖는다.
The present invention also provides a simplified structure comprising first to third metal frames with recesses, wherein a third metal frame positioned between the first and second metal frames is assembled by first and second insulation portions, And the light emitting diode chip is mounted on the third metal frame having a thermal conductivity higher than that of the first and second metal frames, so that electrical characteristics and heat dissipation are excellent.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 디바이스를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing the light emitting device of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device taken along the line I-I 'of FIG.
4 is a perspective view schematically showing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device cut along the line II-II 'of FIG.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 디바이스를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line I- Sectional view showing the light emitting device.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 디바이스(100)는 발광 다이오드 칩(110), 제1 절연부(151), 제2 절연부(153), 상부프레임(160) 및 제1 내지 제3 금속프레임(120 내지 140)을 포함한다.1 to 3, a light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention includes a light emitting diode chip 110, a first insulating portion 151, a second insulating portion 153, A first metal frame 160 and first to third metal frames 120 to 140.

상기 발광 다이오드 칩(110)은 도면에는 도시되지 않았지만, 성장 기판 상에 반도체 적층부가 형성된다. 상기 성장 기판은 반도체층을 성장시키기 위한 성장 기판일 수 있으며, 예컨대 사파이어 기판 또는 질화갈륨 기판일 수 있다. 상기 반도체 적층부는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 반도체 적층부에서 하나 이상의 파장의 광이 발광된다. 상기 반도체 적층부는 상기 성장 기판 상에서 하나 또는 복수 개로 형성될 수 있다. 복수 개로 형성되는 경우, 상기 반도체 적층부는 서로 직렬 또는 병렬 접속될 수 있다.Although not shown in the drawing, the light emitting diode chip 110 is formed with a semiconductor stacked portion on a growth substrate. The growth substrate may be a growth substrate for growing a semiconductor layer, for example, a sapphire substrate or a gallium nitride substrate. The semiconductor laminated portion includes a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer, and the semiconductor laminated portion emits light of one or more wavelengths. The semiconductor laminated portion may be formed on the growth substrate in one or more. In the case of a plurality of semiconductor laminated portions, the semiconductor laminated portions may be connected to each other in series or in parallel.

상기 제1 절연부(151)는 상기 제1 및 제3 금속프레임(120, 140) 사이에 위치한다. 상기 제1 및 제3 금속프레임(120, 140)은 상기 제1 절연부(151)를 사이에 두고 일정 간격 이격된다. 상기 제1 절연부(151)는 접착물질을 포함한다. 상기 제1 절연부(151)는 상기 제1 및 제3 금속프레임(120, 140) 사이를 절연시키고, 상기 제1 및 제3 금속프레임(120, 140)과 접착되어 이들을 고정시킨다. 상기 제1 절연부(151)는 가압에 의해 상기 제1 및 제3 금속프레임(120, 140)과 맞붙을 수 있다. 상기 제1 절연부(151)의 일면은 상기 제1 금속프레임(120)과 접촉되고, 상기 제1 절연부(151)의 타면은 상기 제3 금속프레임(140)과 접촉된다.The first insulating portion 151 is located between the first and third metal frames 120 and 140. The first and third metal frames 120 and 140 are spaced apart from each other by the first insulating portion 151 therebetween. The first insulating portion 151 includes an adhesive material. The first insulating part 151 insulates the first and third metal frames 120 and 140 and adheres to the first and third metal frames 120 and 140 to fix them. The first insulating portion 151 may be pressed against the first and third metal frames 120 and 140 by pressing. One surface of the first insulating portion 151 is in contact with the first metal frame 120 and the other surface of the first insulating portion 151 is in contact with the third metal frame 140.

상기 제2 절연부(153)는 상기 제2 및 제3 금속프레임(130, 140) 사이에 위치한다. 상기 제2 및 제3 금속프레임(130, 140)은 상기 제2 절연부(153)를 사이에 두고 일정 간격 이격된다. 상기 제2 절연부(153)는 접착물질을 포함한다. 상기 제2 절연부(153)는 상기 제2 및 제3 금속프레임(130, 140) 사이를 절연시키고, 상기 제2 및 제3 금속프레임(130, 140)과 접착되어 이들을 고정시킨다. 상기 제2 절연부(153)는 가압에 의해 상기 제2 및 제3 금속프레임(130, 140)과 맞붙을 수 있다. 상기 제2 절연부(153)의 일면은 상기 제2 금속프레임(130)과 접촉되고, 상기 제2 절연부(153)의 타면은 상기 제3 금속프레임(140)과 접촉된다.The second insulating portion 153 is located between the second and third metal frames 130 and 140. The second and third metal frames 130 and 140 are spaced apart from each other by the second insulating portion 153 therebetween. The second insulating portion 153 includes an adhesive material. The second insulating part 153 insulates the second and third metal frames 130 and 140 and adheres to the second and third metal frames 130 and 140 to fix them. The second insulating portion 153 may be pressed against the second and third metal frames 130 and 140 by pressing. One surface of the second insulating portion 153 is in contact with the second metal frame 130 and the other surface of the second insulating portion 153 is in contact with the third metal frame 140.

상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130)은 금속물질로 이루어질 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130)은 전기적 특성과 방열에 우수한 금속물질 및 상기 금속물질의 표면에 형성된 산화막을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 금속물질은 Al일 수 있다.The first and second metal frames 120 and 130 may be made of a metal material. The first and second metal frames 120 and 130 may include a metal material having excellent electrical characteristics and heat dissipation, and an oxide film formed on the surface of the metal material. For example, the metal material may be Al.

상기 제3 금속프레임(140)은 상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130) 사이에 위치하고, 상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130)과 제1 및 제2 절연부(151, 153)에 의해 절연된다. 상기 제3 금속프레임(140)은 상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130)보다 높은 열전도도를 갖는다. 예컨대 상기 제3 금속프레임(140)은 Cu, Ag, Au 등과 같은 열전도도가 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 상기 제3 금속프레임(140)은 유테틱 본딩, 솔더링 등으로 상기 발광 다이오드 칩(110)의 실장 영역을 제공한다. 상기 제3 금속프레임(140)은 상기 발광 다이오드 칩(110)이 실장되는 영역에 산화막을 포함하지 않고, 열전도도가 우수한 물질로 이루어져 발광 다이오드 칩(110)의 실장 신뢰도를 향상시키고, 우수한 방열 기능을 가진다.The third metal frame 140 is located between the first and second metal frames 120 and 130 and the first and second metal frames 120 and 130 and the first and second insulating parts 151 and 151, 153). The third metal frame 140 has a higher thermal conductivity than the first and second metal frames 120 and 130. For example, the third metal frame 140 may be formed of a metal material having high thermal conductivity such as Cu, Ag, Au, or the like. The third metal frame 140 provides a mounting area of the light emitting diode chip 110 by eutectic bonding, soldering, or the like. The third metal frame 140 may be formed of a material having a high thermal conductivity and not including an oxide film in a region where the light emitting diode chip 110 is mounted to improve mounting reliability of the light emitting diode chip 110, .

상기 상부프레임(160)은 상기 제1 내지 제3 금속프레임(120 내지 140) 상에 위치한다. 상기 상부프레임(160)은 상기 제1 내지 제3 금속프레임(120 내지 140)을 덮는다. 상기 상부프레임(160)은 리세스(161)를 포함하고, 상기 리세스(161)에 상기 제1 내지 제3 금속프레임(120 내지 140)의 일부가 노출되고, 상기 발광 다이오드 칩(110)이 노출된다. 상기 상부프레임(160)은 상기 리세스(161) 주변으로 경사진 내측면을 갖는다. 상기 경사진 내측면은 상기 발광 다이오드 칩(110)으로부터 발광된 광을 외부로 반사시켜, 광 손실을 줄이고, 발광 디바이스(100)의 지향각을 조절할 수 있다. 상기 상부프레임(160)은 상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130)과 동일한 금속물질로 이루어질 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 상부프레임(160)은 접착부재(미도시)에 의해 상기 제1 내지 제3 금속프레임(120 내지 140) 상에 고정될 수 있다. 상기 접착부재는 절연물질일 수 있다.The upper frame 160 is positioned on the first to third metal frames 120 to 140. The upper frame 160 covers the first to third metal frames 120 to 140. The upper frame 160 includes a recess 161 and a part of the first to third metal frames 120 to 140 is exposed to the recess 161. The light emitting diode chip 110 Exposed. The upper frame 160 has an inner surface that is inclined around the recess 161. The inclined inner surface may reflect light emitted from the light emitting diode chip 110 to the outside, reduce light loss, and adjust the directivity angle of the light emitting device 100. The upper frame 160 may be made of the same metal material as the first and second metal frames 120 and 130. Although not shown in the drawings, the upper frame 160 may be fixed on the first to third metal frames 120 to 140 by an adhesive member (not shown). The adhesive member may be an insulating material.

상기 리세스(161)에는 몰드수지(170)가 채워진다. 상기 몰드수지(170)는 특별히 한정되지는 않지만, 예컨대 실리콘으로 이루어질 수 있고, 형광체를 더 포함할 수도 있다.The recess 161 is filled with a mold resin 170. The mold resin 170 is not particularly limited, but may be made of, for example, silicon and may further include a phosphor.

본 발명은 제1 및 제2 금속프레임(120, 130)과, 상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130) 사이에 위치한 제3 금속프레임(140)이 제1 및 제2 절연부(151, 153)에 의해 조립된 간소화된 구성의 메탈기판을 제공함과 동시에 상기 제1 및 제2 금속프레임(120, 130)보다 열전도도가 우수한 제3 금속프레임(140) 상에 발광 다이오드 칩(110)이 실장되어 전기적 특성 및 방열이 우수한 장점을 갖는다.The present invention is characterized in that the first and second metal frames 120 and 130 and the third metal frame 140 positioned between the first and second metal frames 120 and 130 are connected to the first and second insulation portions 151 And a light emitting diode chip 110 is mounted on a third metal frame 140 having a thermal conductivity higher than that of the first and second metal frames 120 and 130, So that electrical characteristics and heat dissipation are excellent.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a perspective view schematically illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device cut along a line II-II 'of FIG.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스(200)는 발광 다이오드 칩(210), 제1 및 제2 절연부(251, 253), 제1 내지 제3 금속프레임(220 내지 240)을 포함한다.4 and 5, a light emitting device 200 according to another embodiment of the present invention includes a light emitting diode chip 210, first and second insulating portions 251 and 253, first to third And metal frames 220-240.

상기 발광 다이오드 칩(210), 제1 및 제2 절연부(251, 253)은 본 발명의 일 실시예와 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.The light emitting diode chip 210, the first and second insulating portions 251 and 253 are the same as those of the first embodiment of the present invention, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 제1 및 제2 금속프레임(220, 230)은 금속물질로 이루어질 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속프레임(220, 230)은 전기적 특성과 방열에 우수한 금속물질 및 상기 금속물질의 표면에 형성된 산화막을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 금속물질은 Al일 수 있다.The first and second metal frames 220 and 230 may be formed of a metal material. The first and second metal frames 220 and 230 may include a metal material excellent in electrical characteristics and heat dissipation, and an oxide film formed on the surface of the metal material. For example, the metal material may be Al.

상기 제3 금속프레임(240)은 상기 제1 및 제2 금속프레임(220, 230) 사이에 위치하고, 상기 제1 및 제2 금속프레임(220, 230)과 제1 및 제2 절연부(251, 253)에 의해 절연된다. 상기 제3 금속프레임(240)은 상기 제1 및 제2 금속프레임(220, 230)보다 높은 열전도도를 갖는다. 예컨대 상기 제3 금속프레임(240)은 Cu, Ag, Au 등과 같은 열전도도가 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 상기 제3 금속프레임(240)은 유테틱 본딩, 솔더링 등으로 상기 발광 다이오드 칩(210)의 실장 영역을 제공한다. 상기 제3 금속프레임(240)은 상기 발광 다이오드 칩(210)이 실장되는 영역에 산화막을 포함하지 않고, 열전도도가 우수한 물질로 이루어져 발광 다이오드 칩(210)의 실장 신뢰도를 향상시키고, 우수한 방열 기능을 가진다.The third metal frame 240 is positioned between the first and second metal frames 220 and 230 and the first and second metal frames 220 and 230 and the first and second insulating portions 251 and 251, 253). The third metal frame 240 has a higher thermal conductivity than the first and second metal frames 220 and 230. For example, the third metal frame 240 may be made of a metal material having high thermal conductivity such as Cu, Ag, Au, or the like. The third metal frame 240 provides a mounting area of the light emitting diode chip 210 by eutectic bonding, soldering, or the like. The third metal frame 240 may be formed of a material having excellent thermal conductivity and not including an oxide film in a region where the light emitting diode chip 210 is mounted to improve mounting reliability of the light emitting diode chip 210, .

상기 제1 내지 제3 금속프레임(210 내지 240)은 리세스(261)를 포함하고, 상기 리세스(261)에 의해서 상기 발광 다이오드 칩(210)이 노출된다. 상기 제1 내지 제3 금속프레임(210 내지 240)은 상기 리세스(261) 주변으로 경사진 내측면을 갖는다. 상기 경사진 내측면은 상기 발광 다이오드 칩(210)으로부터 발광된 광을 외부로 반사시켜, 광 손실을 줄이고, 발광 디바이스(200)의 지향각을 조절할 수 있다.The first to third metal frames 210 to 240 include a recess 261 and the light emitting diode chip 210 is exposed by the recess 261. The first to third metal frames 210 to 240 have an inner surface inclined around the recess 261. The inclined inner surface may reflect light emitted from the light emitting diode chip 210 to the outside, reduce light loss, and adjust the directivity angle of the light emitting device 200.

상기 리세스(261)에는 몰드수지(270)가 채워진다. 상기 몰드수지(270)는 특별히 한정되지는 않지만, 예컨대 실리콘으로 이루어질 수 있고, 형광체를 더 포함할 수도 있다.The recess 261 is filled with a mold resin 270. The mold resin 270 is not particularly limited, but may be made of, for example, silicon and may further include a phosphor.

본 발명은 리세스(261)를 갖는 제1 내지 제3 금속프레임(210 내지 240)을 포함하고, 상기 제1 및 제2 금속프레임(220, 230) 사이에 위치한 제3 금속프레임(240)이 제1 및 제2 절연부(251, 253)에 의해 조립된 간소화된 구성의 메탈기판을 제공함과 동시에 상기 제1 및 제2 금속프레임(220, 230)보다 열전도도가 우수한 제3 금속프레임(240) 상에 발광 다이오드 칩(210)이 실장되어 전기적 특성 및 방열이 우수한 장점을 갖는다.The present invention includes first to third metal frames 210 to 240 having recesses 261 and a third metal frame 240 positioned between the first and second metal frames 220 and 230, The first metal frame 220 and the second metal frame 230 are provided with a simplified metal structure that is assembled by the first and second insulating portions 251 and 253 and a third metal frame 240 having a higher thermal conductivity than the first and second metal frames 220 and 230 The light emitting diode chip 210 is mounted on the light emitting diode chip 210 and has excellent electrical characteristics and heat dissipation.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들 및 특징들에 대해 설명하였지만, 본 발명은 위에서 설명한 실시예들 및 특징들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments or constructions. Various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. have.

120, 220: 제1 금속프레임 130, 230: 제2 금속프레임
140, 240: 제3 금속프레임 160: 상부프레임
151, 251: 제1 절연부 153, 253: 제2 절연부120, 220: first metal frame 130, 230: second metal frame
140, 240: third metal frame 160: upper frame
151, 251: first insulation part 153, 253: second insulation part

Claims (10)

서로 일정간격 이격된 제1 및 제2 금속프레임;
상기 제1 및 제2 금속프레임 사이에 위치한 제3 금속프레임;
상기 제3 금속프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩; 및
상기 제1 및 제3 금속프레임 사이와, 제2 및 제3 금속 프레임 사이에 각각 위치하고, 절연 및 접착기능을 갖는 절연부를 포함하고,
상기 제3 금속프레임은 상기 제1 및 제2 금속프레임보다 높은 열전도도를 갖는 금속물질을 포함하는 발광 디바이스.First and second metal frames spaced apart from each other by a predetermined distance;
A third metal frame positioned between the first and second metal frames;
A light emitting diode chip mounted on the third metal frame; And
And an insulating portion located between the first and third metal frames and between the second and third metal frames, respectively, and having an insulating and adhesive function,
Wherein the third metal frame comprises a metal material having a higher thermal conductivity than the first and second metal frames. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 금속프레임은 산화막이 형성된 발광 디바이스.The method according to claim 1,
Wherein the first and second metal frames are formed with an oxide film. 청구항 1에 있어서,
상기 제3 금속프레임은 Cu, Ag, Au 등을 포함하는 발광 디바이스.The method according to claim 1,
And the third metal frame includes Cu, Ag, Au, or the like. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 내지 제3 금속프레임 상에 위치한 상부프레임을 포함하는 발광 디바이스.The method according to claim 1,
And an upper frame located on the first to third metal frames. 청구항 4에 있어서,
상기 상부프레임은 상기 발광 다이오드 칩을 노출시키는 리세스를 포함하는 발광 디바이스. The method of claim 4,
And the upper frame includes a recess for exposing the light emitting diode chip. 청구항 4에 있어서,
상기 상부프레임과 상기 제1 내지 제3 금속프레임 사이에는 위치한 접착부재를 포함하는 발광 디바이스.The method of claim 4,
And an adhesive member positioned between the upper frame and the first to third metal frames. 청구항 4에 있어서,
상기 상부프레임은 상기 제1 및 제2 금속프레임은 동일한 금속물질로 이루어지는 발광 디바이스.The method of claim 4,
Wherein the upper frame is made of the same metal material as the first and second metal frames. 청구항 4에 있어서,
상기 상부프레임은 상기 리세스를 따라 경사진 내측면을 포함하는 발광 디바이스.The method of claim 4,
And the upper frame includes an inner side inclined along the recess. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 내지 제3 금속프레임은 리세스를 포함하는 발광 디바이스.The method according to claim 1,
Wherein the first to third metal frames comprise recesses. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 내지 제3 금속프레임은 상기 리세스를 따라 경사진 내측면을 포함하는 발광 디바이스.
The method of claim 9,
Wherein the first to third metal frames include an inner side inclined along the recess.
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