KR20150035076A - 경화성 조성물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 (A) 아릴기 및 두개 이상의 지방족 불포화 결합을 가지는 폴리오가노실록산;
(B) 아릴기 및 규소 원자에 결합하고 있는 두개 이상의 수소 원자를 가지는 폴리오가노실록산; 및
은 나노 입자를 포함하는 경화성 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 경화성 조성물은 방열성, 열전도도 및 전기전도도가 우수하다. 상기 경화성 조성물은 다이본드제 용도로 효과적으로 사용될 수 있다.

Description

경화성 조성물{CURABLE COMPOSITION}

본 발명은 경화성 조성물 및 그 용도에 관한 것이다.

최근 발광다이오드(LED)는 에너지 절약을 실현하는 새로운 조명으로 주목되고 있다. 이와 같은 발광다이오드는 적색, 녹색 및 청색 발광다이오드와 조합되어 고화질의 풀칼라 화상을 구현할 수 있다.

또한, 청색광 또는 자외선 발광다이오드를 형광체와 조합하여 백색 발광의 발광다이오드를 제조하는 기술이 알려져 있으며, 이러한 발광 다이오드는 액정표시장치(LCD)의 백라이트 또는 일반 조명등으로 수요가 확대되고 있다.

종래에는, 적색, 녹색, 청색 또는 자외선 발광다이오드 소자 접착 수지로서, 접착성이 높고 역학적인 내구성이 우수한 에폭시 수지, 구체적으로는 산무수물계 경화제를 사용한 에폭시 수지가 폭넓게 이용되고 있었다. 그러나, 에폭시 수지는 청색 내지 자외선 영역의 광에 대한 투과도가 낮고, 또한, 빛에 의해 열화하여 착색이 발생하는 등 내광성이 떨어지는 문제점이 있었다. 또한, 최근에 액정표시장치(LCD)의 백라이트 또는 일반 조명등에 고출력의 LCD 칩(chip)을 사용함에 따라 장기간 사용시 다이본드제가 황변되는 문제점이 있었다.

이에 따라, 위와 같은 문제점의 개량을 목적으로, 내열성이 우수한 에폭시를 사용하거나 실리콘 에폭시 하이브리드 변성 수지를 사용하여 내열 특성을 향상한 예가 있었다. 그러나 에폭시 수지나 에폭시 실리콘 변성 하이브리드 수지 접착제도 여전히 내열성이 떨어지는 단점을 가지고 있었다.

최근에는 내열성이 우수한 재료인 실리콘 수지를 사용하여 내열성 문제를 해결한 제품들이 있었다. 그러나, 사용된 실리콘 수지는 대부분 굴절률이 약 1.4로 낮아 LED 소자 제조에 사용되는 알루미나 기판과의 굴절률 차이가 커 광 추출 효율이 낮은 문제점이 있었다. 또한, 실리콘 수지는 수지의 자유 부피(free volume)가 커서 방열 특성이 떨어지는 문제점들이 있었다.

한편, LED 소자의 출력이 증가되면서 PKG 내부의 열이 축적되어 LED PKG의 성능이 저하되는 문제점이 있었다. 따라서, LED PKG의 방열성을 향상시키기 위한 연구가 필요하다.

본 발명은 경화성 조성물 및 그 용도를 제공한다.

본 발명에서는 (A) 아릴기 및 두개 이상의 지방족 불포화 결합을 가지는 폴리오가노실록산;

(B) 아릴기 및 규소 원자에 결합하고 있는 두개 이상의 수소 원자를 가지는 폴리오가노실록산; 및

은 나노 입자를 포함하는 경화성 조성물을 제공한다.

또한, 본 발명에서는 경화성 조성물을 포함하는 다이본드제로 접착된 발광소자를 포함하는 반도체 소자를 제공한다.

또한, 본 발명에서는 광반도체 소자를 포함하는 액정표시장치 또는 조명을 제공한다.

본 발명에 따른 경화성 조성물은 방열성, 열전도도 및 전기전도도가 우수하다. 상기 경화성 조성물은 다이본드제 용도로 효과적으로 사용될 수 있다.

본 발명은 (A) 아릴기 및 두개 이상의 지방족 불포화 결합을 가지는 폴리오가노실록산;

(B) 아릴기 및 규소 원자에 결합하고 있는 두개 이상의 수소 원자를 가지는 폴리오가노실록산; 및

은 나노 입자를 포함하는 경화성 조성물에 관한 것이다.

이하, 본 발명의 경화성 조성물을 보다 구체적으로 설명한다.

예시적인 경화성 조성물은 수소규소화 반응(hydrosilylation), 예를 들면, 지방족 불포화 결합과 규소 원자에 결합된 수소 원자의 반응에 의해 경화되는 성분들을 포함할 수 있다.

예를 들면, 경화성 조성물은 아릴기와 두개 이상의 지방족 불포화 결합을 포함하는 폴리오가노실록산 및 아릴기와 규소 원자에 결합된 두개 이상의 수소 원자를 포함하는 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다.

본 명세서에서 용어 「M 단위」는 식 (R₃SiO_{1 /2})로 표시할 수 있는 소위 일관능성 실록산 단위를 의미하고, 용어 「D 단위」는 식 (R₂SiO_{2 /2})로 표시할 수 있는 소위 이관능성 실록산 단위를 의미하며, 용어 「T 단위」는 식 (RSiO_{3 /2})로 표시할 수 있는 소위 삼관능성 실록산 단위를 의미하고, 용어 「Q 단위」는 식 (SiO_{4 /2})로 표시할 수 있는 소위 사관능성 실록산 단위를 의미할 수 있다. 상기 R은 규소(Si)에 결합되어 있는 관능기이고, 예를 들면, 수소 원자, 알콕시기, 히드록시기, 에폭시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있다.

본 발명에 따른 경화성 조성물은 아릴기 및 두개 이상의 지방족 불포화 결합을 가지는 폴리오가노실록산(이하, 폴리오가노실록산(A))을 포함할 수 있다.

본 발명에서 폴리오가노실록산(A)은 T 또는 Q 단위를 필수적으로 포함하는 가교형 폴리오가노실록산 또는 망상형 폴리오가노실록산을 의미할 수 있으며, 또한, M 단위 및 D 단위를 필수적으로 포함하는 선형 폴리오가노실록산을 의미할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 폴리오가노실록산(A)는 가교형 구조, 망상형 구조 및 선형 구조를 혼합한 폴리오가노실록산 혼합물일 수 있다.

하나의 예시에서, 폴리오가노실록산(A)은, 예를 들면, 고굴절 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「고굴절 폴리오가노실록산」은 분자 내에 아릴기를 소정 비율 이상으로 포함하는 폴리오가노실록산을 의미할 수 있다본 명세서에서 고굴절 폴리오가노실록산이란 상기 폴리오가노실록산의 전체 규소 원자(Si) 대비 아릴기(Ar)의 비율(Ar/Si)이 적절히 조절될 수 있다.

본 명세서에서 용어 「아릴기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리 또는 2개 이상의 벤젠 고리가 서로 연결되어 있거나, 하나 또는 2개 이상의 탄소 원자를 공유하면서 축합 또는 결합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 아릴기는 알킬기 또는 히드록시기로 치환 또는 비치환된 형태를 의미할 수도 있다. 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기로는, 페닐기, 디클로로페닐, 클로로페닐, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기(xylyl group) 또는 나프틸기 등이 예시될 수 있으며, 구체적으로 페닐기가 예시될 수 있다.

상기 폴리오가노실록산(A)은, 예를 들면, 하기 화학식 1의 평균 조성식을 가지는 폴리오가노실록산일 수 있다.

[화학식 1]

(R⁴ R⁵ R⁶SiO_{1 /2})_a(R² R³SiO_{2 /2})_b(R¹SiO_{3 /2})_C(SiO_{4 /2})_d

상기 화학식 1에서 R¹ 내지 R³은 각각 독립적으로 알콕시기, 히드록시기, 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이고, R⁴ 내지 R⁶는 각각 독립적으로 1가 탄화수소기이며, R¹ 내지 R⁶ 중 적어도 하나는 아릴기이고, R¹ 내지 R⁶ 중 적어도 하나는 알케닐기이며, a는 0 ≤ a ≤ 0.5이고, b는 0 < b ≤ 0.8이며, c는 0 < c ≤ 0.8이고, d는 0 ≤ d ≤ 0.2이며, a+b+c+d는 1이다.

상기 탄화수소기는 알킬기, 알케닐기 또는 알릴기일 수 있다. 구체적으로, R^4~6는 알킬기, 알케닐 또는 아릴기일 수 있으며, R¹ 내지 R⁶의 각각의 치환기는 서로 같거나 다를 수 있다.

본 명세서에서 「특정한 평균 조성식을 가지는 폴리오가노실록산」은 그 평균 조성식으로 표시되는 단일의 성분인 폴리오가노실록산은 물론 2개 이상의 성분의 혼합물이면서 상기 혼합물의 성분의 조성의 평균을 취하면, 그 평균 조성식으로 나타나는 혼합물 형태의 폴리오가노실록산도 포함한다.

본 명세서에서 「알콕시기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 산소와 결합된 알킬기로 이루어진 화합물 또는 그러한 화합물의 유도체로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 알콕시기로는, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있으며, 예를 들면, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 이소부톡시 또는 tert-부톡시 등이 예시될 수 있다.

본 명세서에서 「히드록시기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 수소와 산소의 결합으로 이루어진 화합물로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다.

본 명세서에서 용어 「에폭시기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 3개의 고리 구성 원자를 가지는 고리형 에테르(cyclic ether) 또는 상기 고리형 에테르를 포함하는 화합물로부터 유도된 1가 잔기를 의미할 수 있다. 에폭시기로는 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등이 예시될 수 있다. 상기에서 지환식 에폭시기는, 지방족 탄화수소 고리 구조를 포함하고, 상기 지방족 탄화수소 고리를 형성하고 있는 2개의 탄소 원자가 또한 에폭시기를 형성하고 있는 구조를 포함하는 화합물로부터 유래되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 지환식 에폭시기로는, 6개 내지 12개의 탄소 원자를 가지는 지환식 에폭시기가 예시될 수 있고, 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실에틸기 등이 예시될 수 있다.

본 명세서에서 용어 「1가 탄화수소기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소와 수소로 이루어진 화합물 또는 그러한 화합물의 유도체로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 예를 들면, 1가 탄화수소기는, 1개 내지 25개의 탄소 원자를 포함할 수 있다. 1가 탄화수소기로는 알킬기, 알케닐기 또는 알키닐기 등이 예시될 수 있다.

본 명세서에서 용어 「알킬기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있으며, 예를 들면, 구체적으로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, 펜틸, 네오펜틸, 헥실, 사이콜로헥실, 옥틸, 노닐 또는 데실 등을 의미할 수 있다. 구체적으로 상기 알킬기는 메틸을 의미할 수 있으며, 또한, 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 용어 「알케닐기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있으며, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 사이클로헥세닐기, 옥테닐기 또는 데세닐기 등을 의미할 수 있다. 구체적으로 상기 알케닐기는 비닐기 또는 알릴기를 의미할 수 있으며, 또한, 상기 알케닐기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 용어 「알키닐기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알키닐기를 의미할 수 있다. 상기 알키닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.

본 명세서에서 1가 탄화수소기에 임의적으로 치환되어 있을 수 있는 치환기로는 염소 또는 불소 등의 할로겐; 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등의 에폭시기; 아크릴로일기; 메타크릴로일기; 이소시아네이트기; 티올기 또는 1가 탄화수소기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

전술한 바와 같이, 폴리오가노실록산(A)는 고굴절 폴리오가노실록산이고, 전술한 아릴기의 몰비(Ar/Si)는 적절히 조절될 수 있다. 이러한, 폴리오가노실록산(A)는 후술할 폴리오가노실록산(B)과 배합되면, 경화체의 내열성을 우수하게 유지할 수 있다.

또한, 화학식 1의 화합물은 두개 이상의 알케닐기를 포함할 수 있다. 하나의 예시에서 알케닐기는 화학식 1의 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 규소 원자의 몰수(Si)에 대한 상기 알케닐기의 몰수(Ak)의 비율(Ak/Si)은 적절히 조절될 수 있다.

화학식 1의 평균 조성식에서 a, b, c 및 d는 각 실록산 단위의 몰 비율을 나타내고, 그 총합을 1로 환산하면, 는 0 ≤ a ≤ 0.5이고, b는 0 < b ≤ 0.8이며, c는 0 < c ≤ 0.8이고, d는 0 ≤ d ≤ 0.2이다.

폴리오가노실록산(A)을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 이 분야에서 공지되어 있는 통상의 방식이 적용될 수 있다.

경화성 조성물은 아릴기 및 규소 원자에 결합하고 있는 두개 이상의 수소 원자를 가지는 폴리오가노실록산(이하, 폴리오가노실록산(B))를 포함할 수 있다.

폴리오가노실록산(B)의 분자 구조는 특별히 제한되지 않으며, 종래 부가반응 경화성 조성물에 가교제로서 사용되고 있는 것 모두 사용할 수 있다.

하나의 예시에서 폴리오가노실록산(B)은 규소 원자에 결합한 아릴기를 가지는 폴리오가노실록산일 수 있다. 또한, 폴리오가노실록산(B)은 고체이거나 액체일 수 있으며, 선형 구조, 즉 M 및 D 단위로 이루어지는 구조를 가질 수 있다. 선형 구조에서 수소 원자는 상기 선형 구조의 말단에 규소 원자와 결합하고 있을 수 있다. 이러한 폴리오가노실록산(B)은 폴리오가노실록산(A) 등에 포함되어 있는 지방족 불포화 결합과 우수한 반응성을 나타낼 수 있다. 또한, 경화체의 내크랙성을 향상시키고, 가스 투과성이 낮은 수준으로 유지되도록 할 수 있다.

폴리오가노실록산(B)은 폴리오가노실록산(A) 등에 존재하는 지방족 불포화 결합과 반응하여 조성물을 가교시키는 가교제일 수 있다. 예를 들면, 폴리오가노실록산(B)의 수소 원자 및 폴리오가노실록산(A)의 알케닐기 등의 지방족 불포화 결합이 부가 반응하여, 가교 및 경화가 진행될 수 있다.

폴리오가노실록산(B)에서 수소 원자는 선형 구조의 말단에 존재하는 규소 원자(Si)와 결합하고 있는 것이 적절하고, 상기 말단이 아닌 반복 단위에 존재하는 규소 원자(Si)와 결합된 수소 원자의 양은 최소화되는 것이 적절할 수 있다. 적절한 반응성의 확보를 위하여 폴리오가노실록산(B)에서 규소 원자(Si) 대비 상기 수소 원자(H)의 몰비(H/Si)은, 적절히 조절될 수 있다.

폴리오가노실록산(B)은 전체 규소 원자(Si)에 대한, 상기 폴리오가노실록산(B)에 결합된 아릴기(Ar)의 몰비(Ar/Si)는 적절히 조절될 수 있다.

폴리오가노실록산(B)은 상기한 바와 같이 고체이거나, 액체일 수 있다.

본 발명에서 폴리오가노실록산(B)의 함량은 경화성 조성물에 포함되는 전체 지방족 불포화 결합, 예를 들면, 폴리오가노실록산(A) 등에 포함되는 알케닐기(Ak)에 대한 폴리오가노실록산(B)에 포함되는 규소 원자에 결합한 수소 원자(H)의 몰비(H/Ak)는 적절히 조절될 수 있다. 상기에 의해, 경화 전에 우수한 가공성과 작업성을 나타내고, 경화되어 뛰어난 균열 내성, 경도 특성, 내열 충격성 및 접착성을 나타내며, 가혹 조건에서의 백탁이나, 표면의 끈적임 등을 유발하지 않는 조성물을 제공할 수 있다.

이러한 폴리오가노실록산(B)으로는 다양한 종류의 화합물을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 하기 화학식 2 내지 4로 이루어진 그룹에서 선택되는 평균 조성식을 가지는 폴리오가노실록산을 사용할 수 있다.

[화학식 2]

(HR¹¹ R¹⁰SiO_{1 /2})_a(R⁹SiO_{3 /2})_b(R⁸ R⁷SiO_{2 /2})_C

화학식 3에서 R은 각각 독립적으로 1가의 탄화수소기이고, R 중 적어도 하나는 아릴기이며, a, b 및 c의 총합(a+b+c)은 1이고, a는 0.3 내지 0.8이며, b는 0.2 내지 0.7이고, c는 0 내지 0.5이다.

상기 화학식 2의 화합물에서 전체 규소 원자의 몰수(Si)에 대한 규소 원자 결합 수소 원자의 몰수(H)의 비율(H/Si)은, 예를 들면, 0.2 내지 1.0 또는 0.3 내지 1.0 정도일 수 있다.

또한, 전체 규소 원자의 몰수(Si)에 대한 규소 원자 결합 아릴기의 몰수(Ar)의 비율(Ar/Si)은, 예를 들면, 0 내지 0.8, 0.2 내지 0.8 또는 0 내지 0.7 정도일 수 있다.

[화학식 3]

상기 화학식 3에서 R은 각각 독립적으로 1가 탄화수소기이되, R 중 하나 이상은 아릴기이고, n은 1 내지 10의 수일 수 있다. 화학식 2에서 n은, 예를 들면, 1 내지 8, 1 내지 6 또는 1 내지 4일 수 있다.

[화학식 4]

R₃SiO(HRSiO)_r(R₂SiO)_sOSiR₃

상기 화학식 4에서 R은 각각 독립적으로 수소, 에폭시기 또는 1가의 탄화수소기이고, r는 5 내지 100의 수이며, s는 0 내지 100 또는 5 내지 100의 수일 수 있다. 화학식 4에서 1가 탄화수소기는 예를 들면, 아릴기를 제외한 1가 탄화수소기일 수 있다.

상기 화학식 4의 화합물에 포함되는 전체 규소 원자의 몰수(Si)에 대한 규소 원자 결합 수소 원자의 몰수(H)의 비율(H/Si)은 0.2 내지 1 또는 0.3 내지 1일 수 있다. 몰비(H/Si)를 상기와 같이 조절하여 경화성을 우수하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 화학식 4의 화합물의 25?에서의 점도는 0.1 cP 내지 100,000 cP, 0.1 cP 내지 10,000 cP, 0.1 cP 내지 1,000 cP 또는 0.1 cP 내지 300 cP일 수 있다. 상기 점도를 가지면, 조성물의 가공성 및 경화체의 경도 특성 등의 우수하게 유지할 수 있다.

또한, 상기 화학식 4의 화합물의 전체 규소 원자의 몰수(Si)에 대한 규소 원자 결합 아릴기의 몰수(Ar)의 비율(Ar/Si)은, 예를 들면, 0 내지 0.8 또는 0 내지 0.7 정도일 수 있다.

본 발명에 따른 경화성 조성물은 지방족 불포화 결합을 포함하는 화합물로서, 예를 들면, 선형 또는 부분 가교형의 폴리오가노실록산(이하, 폴리오가노실록산(C))을 추가로 포함할 수 있다. 용어 「선형의 폴리오가노실록산」은 M 단위와 D 단위로 이루어지는 폴리오가노실록산을 의미할 수 있고, 용어 「부분 가교형의 폴리오가노실록산」은 D 단위로부터 유래하는 선형 구조가 충분히 길면서, T 또는 Q 단위, 예를 들면, T 단위가 부분적으로 도입되어 있는 폴리오가노실록산으로서, 예를 들면, 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 D, T 및 Q 단위에 대한 D 단위의 비율(D/(D+T+Q))이 0.7 이상인 폴리오가노실록산을 의미할 수 있다. 상기 비율(D/(D+T+Q))은 또한 1 미만일 수 있다.

폴리오가노실록산(C)은 저굴절 폴리오가노실록산이거나 고굴절 폴리오가노실록산일 수 있으며, 저굴절 폴리오가노실록산을 사용하는 것이 적절할 수 있다.

폴리오가노실록산(C)은 지방족 불포화 결합, 예를 들면, 알케닐기를 하나 이상 포함할 수 있다. 예를 들면, 폴리오가노실록산(C)은 폴리오가노실록산(C)에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한 상기 지방족 불포화 결합을 포함하는 관능기(Ak), 예를 들면, 알케닐기의 몰비(Ak/Si)가 0.001 내지 0.3 또는 0.001 내지 0.2가 되는 양으로 상기 관능기를 포함할 수 있다. 이러한 조절을 통하여 경화성 조성물의 경화성을 적정 범위로 유지하고, 경화 후에 미반응 성분이 경화체의 표면으로 배어나오는 현상을 방지하며, 내크렉성을 우수하게 유지할 수 있다

폴리오가노실록산(C)는 저굴절 폴리오가노실록산 또는 고굴절 폴리오가노실록산일 수 있다. 예를 들면, 폴리오가노실록산(C)으로 저굴절 폴리오가노실록산을 사용하면, 경화체의 내열성 등을 우수하게 유지하고, 타 성분과의 상용성을 높일 수 있다.

폴리오가노실록산(C)은, 예를 들면, 하기 화학식 5의 평균 조성식을 가질 수 있다.

[화학식 5]

(R₃ ¹⁴SiO_{1 /2})_a(R₂ ¹³SiO_{2 /2})_b(R¹²SiO_{3 /2})_c(SiO_{4 /2})_d

화학식 5에서 R¹² 내지 R¹⁴는 각각 독립적으로 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이되, R¹² 내지 R¹⁴ 중 하나 또는 2개 이상은 알케닐기이며, a, b, c 및 d의 총합(a+b+c+d)은 1이고, a는, 0.001 내지 0.2이며, b는 0.7 내지 0.999이고, c는 0 내지 0.3이며, d는 0 내지 0.3일 수 있다. 폴리오가노실록산(C)이 저굴절 화합물인 경우에는 상기에서 1가 탄화수소기는 아릴기를 제외한 1가 탄화수소기일 수 있다.

화학식 5의 화합물에서 R¹² 내지 R¹⁴ 중 하나 또는 2개 이상은 알케닐기이며, 예를 들면, 상기 기술한 몰비(Ak/Si)를 만족하는 범위 내에서 알케닐기가 존재할 수 있다. 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 알케닐기는 R¹²의 위치에 존재할 수 있다.

화학식 5의 화합물에서 a, b, c 및 d는 폴리오가노실록산(C)의 각 실록산 단위의 몰 비율을 나타낸다. 그 총합(a+b+c+d)을 1로 환산하는 경우, a는 0.001 내지 0.2이고, b는 0.7 내지 0.999이며, c는 0 내지 0.3 또는 0을 초과하며, 0.2 이하이고, d는 0 내지 0.3일 수 있다.

화학식 5의 화합물에서 각 실록산 단위는 예를 들면, (c+d)/(a+b+c+d)가 0 내지 0.3이 되도록 존재할 수 있다. 또한, 폴리오가노실록산(C)이 부분 가교형이라면, 화학식 5에서 b/(b+c+d)는 0.7을 초과하고, 1 미만일 수 있다. 부분 가교형의 다른 예시에서 b/(b+c+d)는 0.7 내지 0.97 또는 0.65 내지 0.97일 수 있다. 실록산 단위의 비율을 이와 같이 조절하여 적용 용도에 따라서 적합한 물성을 확보할 수 있다.

폴리오가노실록산(C)은 예를 들면, 고리형 폴리오가노실록산을 포함하는 혼합물의 개환 중합 반응물에 포함되어 있을 수 있다. 상기 반응물은, 예를 들면, 중량평균분자량(Mw)이 800 이하, 750 이하 또는 700 이하인 고리형 화합물, 예를 들면, 고리형 폴리오가노실록산을 포함하되, 그 비율이 7 중량% 이하, 5 중량% 이하 또는 3 중량% 이하일 수 있다. 상기 고리형 화합물의 비율의 하한은, 예를 들면, 0 중량% 또는 1 중량%일 수 있다. 상기 비율로의 조절을 통해 장기 신뢰성 및 균열 내성이 우수한 경화체의 제공이 가능할 수 있다.

폴리오가노실록산(C) 또는 그를 포함하는 반응물은 ¹H NMR로 구해지는 스펙트럼에서 규소 원자에 결합된 알콕시기로부터 유래하는 피크의 면적이 규소에 결합된 지방족 불포화 결합 함유 관능기, 예를 들면, 비닐기와 같은 알케닐기로부터 유래하는 피크의 면적에 대해 0.01 이하, 0.005 이하 또는 0일 수 있다. 상기 범위에서 적절한 점도 특성을 나타내면서, 다른 물성도 우수하게 유지될 수 있다.

폴리오가노실록산(C) 또는 그를 포함하는 반응물은 KOH 적정에 의해 구해지는 산가(acid value)가 0.02 이하, 0.01 이하 또는 0일 수 있다. 상기 범위에서 적절한 점도 특성을 나타내면서, 다른 물성도 우수하게 유지될 수 있다.

폴리오가노실록산(C) 또는 그를 포함하는 반응물은 25?에서의 점도가 500 cP 이상, 1,000 cP 이상, 2,000 cP 이상, 5,000 cP 이상일 수 있다. 이러한 범위에서 가공성 및 경도 특성 등이 적절하게 유지될 수 있다. 상기 점도의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 상기 점도는, 500,000 cP 이하, 400,000 cP 이하, 300,000 cP 이하, 200,000 cP 이하, 100,000 cP 이하, 80,000 cP 이하, 70,000 cP 이하 또는 65,000 cP 이하일 수 있다.

폴리오가노실록산(C) 또는 그를 포함하는 반응물은 분자량이 500 내지 100,000 또는 1,500 내지 50,000일 수 있다. 이러한 범위에서 성형성, 경도 및 강도 특성 등이 적절하게 유지될 수 있다.

폴리오가노실록산(C)을 포함하는 중합 반응물은, 예를 들면, 고리형 폴리오가노실록산을 포함하는 혼합물의 개환 중합 반응물일 수 있다. 폴리오가노실록산(C)이 부분 가교 구조인 경우에는, 상기 혼합물은, 예를 들면, 케이지 구조 또는 부분 케이지 구조를 가지거나, 또는 T 단위를 포함하는 폴리오가노실록산을 추가로 포함할 수 있다. 고리형 폴리오가노실록산 화합물로는, 예를 들면, 하기 화학식 6 내지 8의 평균 조성식을 가지는 폴리오가노실록산을 사용할 수 있다.

[화학식 6]

화학식 6에서 R^d 및 R^e는 각각 독립적으로 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이고, o는 3 내지 6일 수 있다.

[화학식 7]

[화학식 8]

화학식 7 및 8에서 R^f 및 R^g는 에폭시기 또는 알킬기이고, R^h 및 Rⁱ는 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이며, p는 3 내지 6의 수이고, q는 3 내지 6의 수이다.

화학식 6 내지 8에서 R^d 내지 Rⁱ의 구체적인 종류나 o, p 및 q의 구체적인 수치, 그리고 혼합물 내에서의 각 성분의 비율은 목적하는 폴리오가노실록산(C)의 구조에 의해서 정해질 수 있다.

폴리오가노실록산(C)이 부분 가교 구조인 경우에 상기 혼합물은 케이지 구조의 폴리오가노실록산으로서, 예를 들면, 하기 화학식 9의 평균 조성식을 가지는 화합물 또는 부분 케이지 구조를 가지거나, T 단위를 포함하는 폴리오가노실록산으로서 하기 화학식 10의 평균 조성식을 가지는 화합물을 추가로 포함할 수 있다.

[화학식 9]

[R^jSiO_{3 /2}]

[화학식 10]

[R^kR^l ₂SiO_{1 /2}] _r[R^mSiO_{3 /2}]_s

화학식 9 및 10에서 R^j, R^k 및 R^m은 각각 독립적으로 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이고, R^l은 에폭시기 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, r은 1 내지 3이고, s는 1 내지 10 일 수 있다.

화학식 9 및 10에서 R^j 내지 R^m의 구체적인 종류나 r 및 s의 구체적인 수치, 그리고 혼합물 내에서의 각 성분의 비율은 목적하는 폴리오가노실록산(C)의 구조에 의해서 정해질 수 있다.

고리형 폴리오가노실록산을 케이지 구조 및/또는 부분 케이지 구조를 가지거나, T 단위를 포함하는 폴리오가노실록산과 반응시키면, 목적하는 부분 가교 구조를 가지는 폴리오가노실록산을 충분한 분자량으로 합성할 수 있다. 또한, 상기 방식에 의하면 폴리오가노실록산 또는 그를 포함하는 중합 반응물 내에서 규소 원자에 결합하고 있는 알콕시기나 히드록시기와 같은 관능기를 최소화하여, 우수한 물성을 가지는 목적물을 제조할 수 있다.

하나의 예시에서 상기 혼합물은 하기 화학식 11의 평균 조성식을 가지는 화합물을 추가로 포함할 수 있다.

[화학식 11]

(RⁿR^o ₂Si)₂O

화학식 11에서, Rⁿ 및 R^o는 에폭시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있다.

화학식 11에서 1가 탄화수소기의 구체적인 종류나 혼합물 내에서의 배합 비율은 목적하는 폴리오가노실록산(C)에 따라서 정해질 수 있다.

본 발명에 따른 경화성 조성물은 전술한 폴리오가노실록산(A) 및 (B) 외에 은 나노 입자를 포함한다. 은 나노 입자는 방열성 및 열전도도가 우수하여 경화성 조성물의 방열성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 은 나노 입자를 포함하는 경화성 조성물이 다이본드제로 사용될 경우, 패키지(package) 공정에서 은 나노 입자가 용해되어 금속 입자간의 연결성(connectivity)을 증가시켜 열전도도 및/또는 전기전도도를 향상시킬 수 있다.

상기, 은 나노 입자의 평균 입자 크기는 특별히 제한되지 않으며, 적절히 조절될 수 있다.

본 발명의 은 나노 입자의 함량은 특별히 제한되지 않으며, 적절히 조절될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물은 금속 입자를 추가로 포함할 수 있다. 경화성 조성물에 금속 입자를 혼합하여 광반도체 소자 다이본드제의 칙소성을 향상시키고, 경화 공정 중 점도가 떨어지는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 금속 입자는 방열 특성 및 내크랙 특성 등을 향상시킬 수 있다.

하나의 예시에서, 금속 입자의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 금속 산화물 입자를 사용할 수 있다. 금속 산화물 입자로는 실리카, 알루미나, 알루미노실리케이트, 알루미늄나이트라이드, 산화아연, 산화지르코늄 및 산화티탄 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 사용할 수 있으며, 구체적으로, 방열 특성이 우수한 알루미나 또는 알루미늄나이트라이드를 사용할 수 있다.

본 발명에서 폴리오가노실록산(A)은 고굴절 특성을 가지므로, 규소 입자의 굴절률 차이로 인하여 다이본드제의 투명도가 떨어지고 소자의 휘도를 떨어뜨릴 우려가 있다. 따라서, 금속 입자는 규소 입자와 굴절률 차이가 적은 것이 바람직할 수 있으나 특별한 굴절률 차이 범위를 한정하지는 않는다.

하나의 예시에서, 금속 입자는 경화성 조성물과의 상용성을 향상시키기 위하여 표면처리된 금속 입자를 사용할 수 있다. 금속 입자의 표면처리는 표면처리제를 사용하여 수행되는데, 상기 표면처리제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 내열 특성 관점에서 유기 실리콘 화합물을 사용할 수 있다.

상기 금속 입자의 표면처리 방법은 특별히 제한되지 않으며, 이 분야에서 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 금속 입자 및 표면처리제를 용매에 넣고, 10 내지 100℃에서 일정 시간 동안 교반하여 반응 시키는 습식 공정을 사용할 수 있다.

하나의 예시에서, 금속 입자의 평균 입자 크기는 특별히 제한되지 않으며, 적절히 조절될 수 있다.

본 발명의 금속 입자의 함량은 특별히 제한되지 않으며, 적절히 조절될 수 있다.

상기 전술한 경화성 조성물의 혼합물 내의 각 성분의 반응은 적절한 촉매의 존재 하에서 수행될 수 있다. 따라서, 상기 혼합물은 촉매를 추가로 포함할 수 있다.

혼합물의 포함될 수 있는 촉매로는 예를 들면, 염기 촉매를 들 수 있다. 적절한 염기 촉매로는 KOH, NaOH 또는 CsOH 등과 같은 금속 수산화물; 알칼리 금속 화합물과 실록산을 포함하는 금속 실라롤레이트(metal silanolate) 또는 테트라메틸암모늄 히드록시드(tetramethylammonium hydroxide), 테트라에틸암모늄 히드록시드(tetraethylammonium hydroxide) 또는 테트라프로필암모늄 히드록시드(tetrapropylammonium hydroxide) 등과 같은 4급 암모늄 화합물 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

혼합물 내에서 상기 촉매의 비율은 목적하는 반응성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있고, 예를 들면, 혼합물 내의 반응물의 합계 중량 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 30 중량부 또는 0.03 중량부 내지 5 중량부의 비율로 포함될 수 있다.

하나의 예시에서, 상기 혼합물의 반응은 용매를 사용하지 않는 무용매 하 또는 적절한 용매의 존재 하에 수행될 수 있다. 용매로는, 상기 혼합물 내의 반응물, 즉 디실록산 또는 폴리실록산 등과 촉매가 적절히 혼합될 수 있고, 반응성에 큰 지장을 주지 않는 것이라면 어떠한 종류도 사용될 수 있다. 용매로는, n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, 2,2,4-트리메틸펜탄, 시클로헥산 또는 메틸시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 에틸 벤젠 또는 메틸에틸 벤젠 등의 방향족계 용매, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸 n-프로필 케톤, 메틸 n-부틸 케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 또는 아세틸아세톤 등의 케톤계 용매; 테트라히드로푸란, 2-메틸 테트라히드로푸란, 에틸 에테르, n-프로필 에테르, 이소프로필 에테르, 디글라임, 디옥신, 디메틸 디옥신, 에틸렌글리콜 모노 메틸 에테르, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌글리콜디에틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노 메틸 에테르 또는 프로필렌글리콜 디메틸 에테르 등의 에테르계 용매; 디에틸 카보네이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 에틸 락테이트, 에틸렌글리콜 모노 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노 메틸 에테르 아세테이트 또는 에틸렌글리콜 디아세테이트 등의 에스테르계 용매; N-메틸 피롤리돈, 포름아미드, N-메틸 포름아미드, N-에틸 포름아미드, N,N-디메틸 아세트아미드 또는 N,N-디에틸아세트아미드 등의 아미드계 용매가 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

혼합물의 반응, 예를 들면, 개환 중합 반응은 예를 들면, 촉매를 첨가하고 수행하며, 예를 들면, 0? 내지 150? 또는 30? 내지 130?의 범위 내의 반응 온도에서 수행될 수 있다. 또한, 상기 반응 시간은 예를 들면, 1시간 내지 3일의 범위 내에서 조절될 수 있다.

경화성 조성물은 히드로실릴화 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 히드로실릴화 촉매는, 수소규소화 반응을 촉진시키기 위해 사용될 수 있다. 히드로실릴화 촉매로는 이 분야에서 공지된 통상의 성분을 모두 사용할 수 있다. 이와 같은 촉매의 예로는, 백금, 팔라듐 또는 로듐계 촉매 등을 들 수 있다. 본 출원에서는, 촉매 효율 등을 고려하여, 백금계 촉매를 사용할 수 있고, 이러한 촉매의 예로는 염화 백금산, 사염화 백금, 백금의 올레핀 착체, 백금의 알케닐 실록산 착체 또는 백금의 카보닐 착체 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

히드로실릴화 촉매의 함량은 소위 촉매량, 즉 촉매로서 작용할 수 있는 양으로 포함되는 한 특별히 제한되지 않는다. 통상적으로, 백금, 팔라듐 또는 로듐의 원자량을 기준으로 0.1 ppm 내지 200 ppm 또는 0.2 ppm 내지 100 ppm의 양으로 사용할 수 있다.

경화성 조성물은 또한, 각종 기재에 대한 접착성의 추가적인 향상의 관점에서, 접착성 부여제를 추가로 포함할 수 있다. 접착성 부여제는 조성물 또는 경화체에 자기 접착성을 개선할 수 있는 성분으로서, 특히 금속 및 유기 수지에 대한 자기 접착성을 개선할 수 있다.

접착성 부여제로는 비닐기 등의 알케닐기, (메타)아크릴로일옥시기, 히드로실릴기(SiH기), 에폭시기, 알콕시기, 알콕시실릴기, 카르보닐기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상 또는 2종 이상의 관능기를 가지는 실란; 또는 2 내지 30 또는 4 내지 20개의 규소 원자를 가지는 환상 또는 직쇄상 실록산 등의 유기 규소 화합물 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 출원에서는 상기와 같은 접착성 부여제의 일종 또는 이종 이상을 추가로 혼합하여 사용할 수 있다.

접착성 부여제가 조성물에 포함될 경우, 예를 들면, 경화성 조성물의 고형분 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 20 중량부의 비율로 포함될 수 있으나, 상기 함량은 목적하는 접착성 개선 효과 등을 고려하여 적절히 변경될 수 있다.

경화성 조성물은 필요에 따라서, 2-메틸-3-부틴-2-올, 2-페닐-3-1-부틴-2올, 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐시클로테트라실록산 또는 에티닐시클로헥산 등의 반응 억제제; 실리카, 알루미나, 지르코니아 또는 티타니아 등의 무기 충전제; 에폭시기 및/또는 알콕시실릴기를 가지는 탄소 관능성 실란, 그의 부분 가수분해 축합물 또는 실록산 화합물; 폴리에테르 등과 병용될 수 있는 연무상 실리카 등의 요변성 부여제; 필러; 형광체; 은, 구리 또는 알루미늄 등의 금속 분말이나, 각종 카본 소재 등과 같은 도전성 부여제; 안료 또는 염료 등의 색조 조정제 등의 첨가제를 일종 또는 이종 이상을 추가로 포함할 수 있다.

본 발명에서 전술한 경화성 조성물을 경화하여 1 mm 두께로 제작한 시편의 450 nm에서의 광투과도는 80% 이상, 85% 이상, 90% 이상 또는 95% 이상일 수 있다.

본 발명은 또한 반도체 소자, 예를 들면, 광반도체 소자에 관한 것이다. 예시적인 반도체 소자는, 상기 경화성 조성물의 경화체를 포함하는 다이본드제에 의해 발광소자가 접착된 것일 수 있다. 이러한 반도체 소자로는, 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 포토커플러, CCD, 고체상 화상 픽업 소자, 일체식 IC, 혼성 IC, LSI, VLSI 및 LED(Light Emitting Diode) 등이 예시될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 반도체 소자는, 발광 다이오드일 수 있다.

발광 다이오드로는, 예를 들면, 기판 상에 반도체 재료를 적층하여 형성한 발광 다이오드 등이 예시될 수 있다. 상기 반도체 재료로는, GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN 또는 SiC 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 기판으로는, 사파이어, 스핀넬, SiC, Si, ZnO 또는 GaN 단결정 등이 예시될 수 있다.

발광 다이오드의 제조 시에는 필요에 따라서, 기판과 반도체 재료의 사이에 버퍼층을 형성할 수도 있다. 버퍼층으로서는, GaN 또는 AlN 등이 사용될 수 있다. 기판상으로의 반도체 재료의 적층 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, MOCVD법, HDVPE법 또는 액상성장법 등을 사용할 수 있다. 또한, 발광 다이오드의 구조는, 예를 들면, MIS 접합, PN 접합, PIN 접합을 가지는 모노접합, 헤테로접합, 이중 헤테로 접합 등일 수 있다. 또한, 단일 또는 다중양자우물구조로 상기 발광 다이오드를 형성할 수 있다.

하나의 예시에서, 상기 발광 다이오드의 발광 파장은, 예를 들면, 250 nm 내지 550 nm, 300 nm 내지 500 nm 또는 330 nm 내지 470 nm일 수 있다. 상기 발광 파장은 주발광 피크 파장을 의미할 수 있다. 발광 다이오드의 발광파장을 상기 범위로 설정함으로써, 보다 긴 수명으로, 에너지 효율이 높고, 색재현성이 높은 백색 발광 다이오드를 얻을 수 있다.

발광 다이오드는, 상기 조성물에 의해 발광소자가 기판에 접착될 수 있다.

상기 조성물의 경화가 필요한 경우, 경화 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 60? 내지 200?의 온도에서 10분 내지 5시간 동안 상기 조성물을 유지하여 수행하거나, 적정 온도 및 시간에서의 2단계 이상의 과정을 거쳐 단계적인 경화 공정을 진행할 수도 있다.

또한, 종래의 공지에 방법에 따라 발광 다이오드의 추가적인 성능 향상을 도모할 수 있다. 성능 향상의 방법으로서는, 예를 들면, 발광 다이오드 배면에 광의 반사층 또는 집광층을 설치하는 방법, 보색 착색부를 저부에 형성하는 방법, 주발광 피크보다 단파장의 광을 흡수하는 층을 발광 다이오드 상에 설치하는 방법, 발광 다이오드를 봉지한 후 추가로 경질 재료로 몰딩하는 방법, 발광 다이오드를 관통홀에 삽입하여 고정하는 방법, 발광 다이오드를 플립칩 접속 등에 의해서 리드 부재 등과 접속하여 기판 방향으로부터 광을 취출하는 방법 등을 들 수 있다.

상기 광반도체, 예를 들면, 발광 다이오드는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다.

Claims (9)

1. (A) 아릴기 및 두개 이상의 지방족 불포화 결합을 가지는 폴리오가노실록산;
   (B) 아릴기 및 규소 원자에 결합하고 있는 두개 이상의 수소 원자를 가지는 폴리오가노실록산; 및
   은 나노 입자를 포함하는 경화성 조성물.
2. 제 1 항에 있어서, 폴리오가노실록산(a)은 하기 화학식 1의 평균 조성식을 가지는 경화성 조성물:
   [화학식 1]
   (R⁴ R⁵ R⁶SiO_{1 /2})_a(R² R³SiO_{2 /2})_b(R¹SiO_{3 /2})_C(SiO_{4 /2})_d
   상기 화학식 1에서 R¹ 내지 R³은 각각 독립적으로 알콕시기, 히드록시기, 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이고, R⁴ 내지 R⁶는 각각 독립적으로 1가 탄화수소기이며, R¹ 내지 R⁶ 중 적어도 하나는 아릴기이고, R¹ 내지 R⁶ 중 적어도 하나는 알케닐기이며, a+b+c+d는 1이다.
3. 제 1 항에 있어서, 폴리오가노실록산(B)는 하기 화학식 2의 화합물인 경화성 조성물:
   [화학식 2]
   (HR¹¹ R¹⁰SiO_{1 /2})_a(R⁹SiO_{3 /2})_b(R⁸ R⁷SiO_{2 /2})_C
   상기 화학식 2에서 R⁷ 내지 R¹¹은 각각 독립적으로 1가 탄화수소기이고, R⁷ 내지 R¹¹ 중 적어도 하나는 아릴기이며, a+b+c는 1이다.
4. 제 1 항에 있어서, 금속 입자를 추가로 포함하는 경화성 조성물.
5. 제 1 항에 있어서, 경화 촉매를 추가로 포함하는 경화성 조성물.
6. 제 1 항에 따른 경화성 조성물을 포함하는 다이본드제로 접착된 발광소자를 포함하는 반도체소자.
7. 제 1 항에 따른 경화성 조성물을 포함하는 다이본드제로 접착된 발광소자를 포함하는 광반도체소자.
8. 제 7 항의 광반도체 소자를 포함하는 액정표시장치.
9. 제 7 항의 광반도체 소자를 포함하는 조명.