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KR20150011239A - 감압 건조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

감압 건조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 Download PDF

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KR20150011239A
KR20150011239A KR1020130086271A KR20130086271A KR20150011239A KR 20150011239 A KR20150011239 A KR 20150011239A KR 1020130086271 A KR1020130086271 A KR 1020130086271A KR 20130086271 A KR20130086271 A KR 20130086271A KR 20150011239 A KR20150011239 A KR 20150011239A
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KR
South Korea
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chamber
gas
housing
substrate
unit
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Withdrawn
Application number
KR1020130086271A
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English (en)
Inventor
김용일
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130086271A priority Critical patent/KR20150011239A/ko
Priority to US14/077,003 priority patent/US20150024117A1/en
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Abstract

본 발명은 감압 건조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 내부에 공간이 형성되는 챔버와, 상기 챔버 내부에 설치되어 처리액이 도포된 기판이 안착하는 지지부와, 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부로 처리 가스를 주입하는 가스주입부와, 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내의 분위기를 감압시키는 감압부와, 상기 챔버 및 상기 감압부 중 적어도 하나에 설치되어 상기 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 감지하는 가스감지부를 포함한다.

Description

감압 건조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법{Low pressure drying apparatus and manufactruing display apparatus using the same}
본 발명의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 감압 건조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시 장치를 포함한다.
이러한 표시 장치는 기판 상에 다양한 구조물을 형성하여 외부로 빛을 방출함으로써 외부로 이미지를 표시할 수 있다. 이때, 기판 상에 다양한 구조물을 형성하기 위하여 다양한 공정을 수행할 수 있다.
특히 기판상에 레지스트액 등의 처리액을 도포하는 공정을 수행하고, 처리액을 건조시키는 공정을 수행한 후 포토리소그라피, 에칭, 에싱 등과 같은 공정을 수행함으로써 구조물을 형성할 수 있다. 또한, 상기와 같은 경우 이외에도 처리액을 도포한 후 건조시킴으로써 구조물을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 기판 건조 시 발생하는 가스를 실시간으로 모니터링하는 감압 건조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면은, 내부에 공간이 형성되는 챔버와, 상기 챔버 내부에 설치되어 처리액이 도포된 기판이 안착하는 지지부와, 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부로 처리 가스를 주입하는 가스주입부와, 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내의 분위기를 감압시키는 감압부와, 상기 챔버 및 상기 감압부 중 적어도 하나에 설치되어 상기 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 감지하는 가스감지부를 포함하는 감압 건조 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기 챔버는, 제 1 하우징과, 상기 제 1 하우징과 분리 가능하도록 결합하는 제 2 하우징을 구비할 수 있다.
또한, 상기 제 1 하우징과 연결되어 상기 제 1 하우징을 상기 제 2 하우징과 착탈시키는 이동부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 지지부는, 상기 기판이 안착하는 지지플레이트와, 상기 지지플레이트와 연결되며 상기 지지플레이트를 지지하는 지지샤프트를 구비할 수 있다.
또한, 상기 챔버에 설치되어 상기 기판을 지지하는 안착핀을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 감압부는, 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 안내하는 흡입배관과, 상기 흡입배관에 설치되는 흡입펌프를 구비할 수 있다.
또한, 상기 가스감지부는 상기 흡입배관에 설치될 수 있다.
또한, 상기 가스감지부는 상기 챔버의 상측에 설치될 수 있다.
또한, 상기 가스감지부에서 감지한 가스 농도를 근거로 상기 감압부의 작동을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 가스의 농도가 기 설정된 설정농도 미만인 경우 상기 감압부의 작동을 중지시킬 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 감압부의 작동이 중지되면, 상기 처리 가스를 상기 챔버로 주입하도록 상기 가스공급부를 작동시킬 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 가스의 발생 속도를 산출하고, 산출된 상기 가스의 발생 속도를 근거로 상기 감압부의 작동을 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 가스의 발생 속도가 기 설정된 설정 속도를 초과한 것으로 판단되면, 상기 챔버의 내부 압력을 증가시키도록 상기 감압부의 작동을 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 기판 상에 처리액을 도포하는 단계와, 챔버 내부로 상기 기판을 장입하는 단계와, 상기 챔버 내부를 감압시키면서 상기 기판 상의 처리액을 건조시키는 단계를 포함하고, 상기 처리액을 건조시키는 단계에서 상기 챔버 내부의 가스 및 상기 챔버 외부로 배출되는 가스 중 적어도 하나를 측정할 수 있다.
또한, 상기 챔버는, 제 1 하우징과, 상기 제 1 하우징과 착탈 가능하도록 결합하는 제 2 하우징을 구비하고, 상기 제 1 하우징과 상기 제 2 하우징을 분리한 상태에서 상기 기판을 장입하고, 상기 기판의 장입이 완료된 후 상기 제 1 하우징과 상기 제 2 하우징을 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버 내부의 가스 농도가 기 설정된 설정농도 미만이면 상기 챔버 내부로 처리 가스를 주입하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버 내부의 가스의 발생 속도를 산출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스의 발생 속도가 기 설정된 설정 속도를 초과한 것으로 판단되면, 상기 챔버 내부의 압력을 유지하거나 상승시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 측정된 상기 가스의 발생량을 외부로 표시하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스의 측정은 상기 챔버의 상측에서 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 실시간으로 측정하여 모니터링하고 분석할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 가스 농도 및 가스의 발생 속도를 근거로 제어됨으로써 최적의 공정 조건에 처리액의 건조를 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 감압 건조 장치를 보여주는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 감압 건조 장치를 보여주는 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 감압 건조 장치를 이용하여 제조된 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
본 발명은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 감압 건조 장치(100)를 보여주는 개념도이다.
도 1을 참고하면, 감압 건조 장치(100)는 내부에 공간이 형성되는 챔버(110)를 포함할 수 있다. 이때, 챔버(110)는 제 1 하우징(111) 및 제 2 하우징(112)을 구비할 수 있다.
제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)은 서로 분리 가능하도록 결합할 수 있다. 특히 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)은 기판(S)의 장입 또는 인출에 따라서 분리될 수 있다. 또한, 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)은 건조 공정이 수행되는 동안 서로 결합하여 챔버(110) 내부의 공간을 외부와 폐쇄할 수 있다.
챔버(110)는 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112) 사이에 설치되는 실링부(113)를 포함할 수 있다. 이때, 실링부(113)는 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)의 결합 시 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)이 결합하는 부분으로 챔버(110) 내부의 가스가 유출되는 것을 방지할 수 있다. 특히 실링부(113)는 오링(O-ring)을 포함할 수 있으며, 실리콘, 고무 등과 같은 탄성 재질로 형성될 수 있다.
한편, 감압 건조 장치(100)는 제 1 하우징(111)과 연결되는 이동부(120)를 포함할 수 있다. 이때, 이동부(120)는 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)을 착탈시킬 수 있으며, 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)의 결합을 유지시킬 수 있다.
이동부(120)는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 이동부(120)는 제 1 실린더(미도시)를 구비할 수 있으며, 제 1 모터(미도시), 상기 제 1 모터와 연결되는 제 1 기어 유닛(미도시)을 구비할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 이동부(120)가 상기 제 1 실린더를 구비하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
감압 건조 장치(100)는 챔버(110) 내부에 설치되는 지지부(130)를 포함할 수 있다. 이때, 지지부(130)는 처리액이 도포된 기판(S)이 안착할 수 있다. 지지부(130)는 기판(S)이 배치되는 지지플레이트(131)를 포함할 수 있다. 이때, 지지플레이트(131)는 기판(S)의 면적보다 크게 형성될 수 있으며, 기판(S)이 직접 접촉하여 지지되거나 별도의 구조물에 의하여 기판(S)을 지지할 수 있다.
지지부(130)는 지지플레이트(131)와 연결되어 지지플레이트(131)를 지지하는 지지샤프트(132)를 포함할 수 있다. 이때, 지지샤프트(132)는 제 2 하우징(112)을 관통하도록 설치될 수 있으며, 제 2 하우징(112)에 고정되거나 선형 운동 가능하도록 제 2 하우징(112)에 설치될 수 있다.
특히 지지샤프트(132)가 선형 운동 가능하도록 제 2 하우징(112)에 설치되는 경우, 감압 건조 장치(100)는 지지샤프트(132)를 선형 운동시키는 제 1 구동부(140)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 구동부(140)는 제 2 모터(미도시) 및 상기 제 2 모터의 구동에 따라 구동력을 전달하는 제 2 기어 유닛(미도시)을 구비할 수 있으며, 제 2 실린더(미도시)를 구비할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 구동부(140)가 상기 제 2 실린더를 구비하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 감압 건조 장치(100)는 지지부(130)에 설치되어 기판(S)을 지지하는 이격핀(150)을 포함할 수 있다. 이때, 이격핀(150)은 지지플레이트(131)의 표면으로부터 기판(S) 측으로 돌출되도록 지지플레이트(131)에 설치될 수 있다. 또한, 이격핀(150)은 지지플레이트(131)의 표면에 고정되거나 선형 운동 가능하도록 설치될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 이격핀(150)이 지지플레이트(131)의 표면에 고정되도록 설치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 이격핀(150)은 복수개 구비될 수 있으며, 복수개의 이격핀(150)은 지지플레이트(131)의 표면에 서로 이격되도록 설치될 수 있다. 이때, 복수개의 이격핀(150)은 기판(S)의 표면을 균일하게 지지하도록 지지플레이트(131)의 표면에 설치될 수 있다. 특히 기판(S)의 크기가 40인치(inch) 이상인 경우와 같이 대형인 경우 기판(S)이 지지플레이트(131) 측으로 쳐지거나 변형되는 것을 방지할 수 있다.
감압 건조 장치(100)는 챔버(110)에 설치되어 기판(S)을 지지하는 안착핀(160)을 포함할 수 있다. 이때, 안착핀(160)는 지지플레이트(131)를 관통하도록 설치될 수 있다. 또한, 안착핀(160)은 복수개 구비될 수 있으며, 복수개의 안착핀(160)은 서로 이격되도록 배치되어 기판(S)을 지지할 수 있다. 특히 복수개의 안착핀(160)은 기판(S)이 챔버(110) 내부로 장입되는 경우나 건조 공정이 완료된 경우 기판(S)을 일시적으로 지지할 수 있다.
상기와 같은 안착핀(160)은 선형 운동 가능하도록 챔버(110)에 설치될 수 있다. 이때, 안착핀(160)은 제 2 구동부(미도시)에 연결되며, 상기 제 2 구동부는 안착핀(160)을 선형 운동시킬 수 있다. 이러한 상기 제 2 구동부는 제 3 실린더(미도시)를 구비할 수 있으며, 제 3 모터(미도시)와 상기 제 3 모터와 연결되어 구동력을 전달하는 제 3 기어 유닛(미도시)을 구비하는 것도 가능하다. 안착핀(160)은 챔버(110)에 고정되도록 설치될 수 있다. 특히 상기와 같은 경우 안착핀(160)과 지지플레이트(131)는 서로 상대 운동할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 안착핀(160)은 챔버(110)에 고정되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 감압 건조 장치(100)는 챔버(110)와 연결되어 챔버(110) 내부로 처리 가스를 주입하는 가스주입부(170)를 포함할 수 있다. 이때, 가스주입부(170)는 처리 가스가 저장되는 가스저장부(미도시), 상기 가스저장부와 챔버(110)를 연결하는 주입배관(171) 및 주입배관(171)에 설치되는 공급펌프(172)를 구비할 수 있다.
감압 건조 장치(100)는 챔버(110)와 연결되어 챔버(110) 내의 분위기를 감압시키는 감압부(180)를 포함할 수 있다. 이때, 감압부(180)는 챔버(110)와 연결되어 챔버(110) 내부의 가스를 외부로 안내하는 흡입배관(181) 및 흡입배관(181)에 설치되는 흡입펌프(182)를 구비할 수 있다. 또한, 감압부(180)는 흡입배관(181)의 개도를 조절하는 컨트롤 밸브(183)를 포함할 수 있다.
감압 건조 장치(100)는 챔버(110) 및 감압부(180) 중 적어도 하나에 설치되어 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 감지하는 가스감지부(191)를 포함할 수 있다. 이때, 가스감지부(191)는 접촉식 센서 및 비접촉식 센서 중 적어도 하나를 구비할 수 있다. 특히 상기 접촉식 센서는 반도체 센서, 촉매 센서 등을 구비할 수 있으며, 상기 비접촉식 센서는 적외선 센서 등을 구비할 수 있다. 특히 상기와 같은 반도체 센서, 촉매 센서, 적외선 센서 등은 일반적인 반도체 센서, 촉매 센서 및 적외선 센서 등과 동일 또는 유사하게 가스를 감지하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 가스감지부(191)가 감압부(180)에 설치되며, 상기 접촉식 센서인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 가스감지부(191)는 감압부(180)에 설치될 수 있다. 특히 가스감지부(191)는 흡입배관(181)에 설치되어 흡입배관(181)을 통과하는 가스를 감지할 수 있다. 이때, 가스감지부(191)는 흡입배관(181)을 흐르는 가스의 농도, 가스의 배출량 등을 감지할 수 있다.
감압 건조 장치(100)는 가스감지부(191)에서 감지한 가스 농도를 근거로 감압부(180)의 작동을 제어하는 제어부(193)를 포함할 수 있다. 이때, 제어부(193)는 일반적인 퍼스널 컴퓨터, 노트북, 휴대용 단말기 등과 같이 감압 건조 장치(100)를 제어하는 모든 장치를 포함할 수 있다.
한편, 이하에서는 감압 건조 장치(100)의 작동 순서에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 우선 기판(S) 상에 패턴 형성을 수행하는 공정을 진행하기 전이나 별도의 증착 공정, 유기 발광층의 형성 공정, 박막 공정 등을 수행한 후 등과 같이 기판(S) 상에 처리액을 도포한 후 감압 건조 장치(100)를 통하여 처리액을 건조시킬 수 있다. 구체적으로 상기와 같이 기판(S) 상에 처리액이 도포되면, 캐리어(미도시) 또는 셔틀(shuttle), 로봇 암(Robot arm) 등과 같은 이송 수단(미도시)을 통하여 기판(S)을 외부로부터 챔버(110) 내부로 장입시킬 수 있다.
이때, 이동부(120)는 제 1 하우징(111)을 상승시켜 제 2 하우징(112)과 분리시킬 수 있다. 특히 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)이 분리되는 경우 챔버(110) 내부는 가스주입부(170)에서 공급된 처리 가스에 의하여 대기압 상태를 유지할 수 있다.
상기와 같이 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)이 분리되는 경우, 제 1 구동부(140)는 지지플레이트(131)를 제 2 하우징(112)의 저면 부분으로 이동시킬 수 있다. 이때, 안착핀(160)은 지지플레이트(131)의 상면보다 높게 돌출될 수 있다. 상기 이송 수단은 기판(S)을 안착핀(160)까지 이송한 후 안착핀(160)에 안착시킬 수 있다.
상기의 과정이 완료되면, 상기 이송 수단은 챔버(110) 외부로 반출될 수 있다. 이때, 이동부(120)는 제 1 하우징(111)을 하강시켜 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)을 결합시킬 수 있다. 특히 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112)의 결합으로 인하여 챔버(110)의 내부는 완전히 폐쇄될 수 있다.
챔버(110)의 폐쇄가 완료되면, 제어부(193)는 지지플레이트(131)가 상승하도록 제 1 구동부(140)를 제어할 수 있다. 이때, 지지플레이트(131)의 상면과 안착핀(160)의 끝단 부분이 거의 일치하게 되면, 기판(S)은 이격핀(150)과 접촉하여 이격핀(150) 상에 안착할 수 있다. 기판(S)의 안착이 완료되면, 감압부(180)는 챔버(110) 내부의 분위기를 감압시키면서 기판(S) 상의 처리액을 건조시킬 수 있다. 이때, 제어부(193)는 챔버(110) 내부의 분위기가 순차적으로 감압되도록 흡입펌프(182)를 제어할 수 있다.
구체적으로 제어부(193)는 챔버(110) 내부의 압력이 대기압에서 제 1 압력이 되도록 흡입펌프(182)를 제어할 수 있다. 또한, 챔버(110) 내부의 압력이 제 1 압력이 되는 경우 제어부(193)는 챔버(110) 내부의 압력이 상기 제 1 압력에서 제 2 압력이 되도록 흡입펌프(182)를 제할 수 있다. 이때, 상기 제 1 압력은 상기 대기압보다 작을 수 있으며, 상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 작을 수 있다. 특히 제어부(193)는 상기 제 2 압력을 단계적으로 제 3 압력, 제 4 압력……N 압력(여기서 N은 자연수)이 되도록 감소시켜 챔버(110) 내부가 진공 상태와 동일 또는 유사하도록 챔버(110) 내부의 압력을 순차적으로 감소시키도록 흡입펌프(182)를 제어할 수 있다.
상기와 같이 챔버(110) 내부의 압력이 감소하는 경우 처리액의 비등점(boiling point)은 낮아질 수 있다. 따라서 상기 처리액은 낮은 온도에서도 기화할 수 있으며, 감압 상태에서 기화함으로써 건조될 수 있다. 상기와 같이 처리액이 기화되는 경우 처리액에서는 가스가 발생할 수 있다. 특히 처리액에 포함된 일부 성분이 기화됨으로써 가스가 발생하여 챔버(110) 내부로 분출될 수 있다. 상기와 같이 분출된 가스는 흡입펌프(182)의 작동에 따라 흡입배관(181)을 통하여 외부로 배출도리 수 있다.
한편, 상기와 같이 기판(S) 상의 처리액 건조 공정을 진행하는 동안 가스감지부(191)는 흡입배관(181)을 유동하는 가스를 측정할 수 있다. 이때, 가스감지부(191)는 상기에서 설명한 바와 같이 가스의 발생량 및 가스의 농도 등을 측정할 수 있다.
상기와 같이 측정된 가스의 발생량 및 가스의 농도 등은 제어부(193)로 전송될 수 있다. 이때, 제어부(193)는 가스감지부(191)에서 감지된 가스 농도를 근거로 흡입펌프(182)의 작동을 제어할 수 있다.
구체적으로 제어부(193)는 가스감지부(191)에서 감지된 가스 농도가 기 설정된 설정농도 미만인 경우 감압부(180)의 작동을 중지시킬 수 있다. 특히 기 설정된 설정농도는 감압 건조가 완료될 때 흡입배관(181)을 통과하는 가스의 농도일 수 있으며, 실험 내지 실제 공정에서 측정된 가스의 농도일 수 있다.
따라서 제어부(193)는 가스감지부(191)에서 감지된 가스 농도가 상기 설정농도 미만인 것으로 판단되면, 처리액의 건조 공정이 완료된 것으로 판단할 수 있다. 이때, 제어부(193)는 흡입펌프(182)의 작동을 중지하도록 제어할 수 있다.
한편, 상기와 같은 공정이 진행되는 동안, 제어부(193)는 가스감지부(191)에서 감지된 가스의 발생량을 근거로 가스의 발생 속도를 산출할 수 있다. 이때, 가스의 발생 속도는 단위시간 당 가스의 발생량으로 산출할 수 있다.
제어부(193)는 상기와 같이 산출된 가스의 발생 속도를 근거로 감압부(180)의 작동을 제어할 수 있다. 구체적으로 가스의 발생 속도가 기 설정된 설정속도를 초과한 것으로 판단되면, 챔버(110)의 내부 압력을 증가시키도록 감압부(180)의 작동을 제어할 수 있다.
예를 들면, 가스의 발생 속도가 기 설정된 설정속도를 초과한 것으로 판단되면, 제어부(193)는 처리액의 건조가 너무 빠른 것으로 판단할 수 있다. 특히 상기와 같이 가스의 발생 속도가 기 설정된 설정속도를 초과하는 경우 챔버(110) 내부의 압력이 너무 낮아 처리액의 기화 시 발생하는 가스가 다량 발생할 수 있다. 또한, 상기와 같은 경우 기판(S) 상의 처리액 내부에서 기포가 많이 발생하고, 기포가 터지면서 처리액의 표면 균일도가 손상될 수 있다. 따라서 제어부(193)는 가스의 발생 속도에 따라서 감압부(180)를 제어함으로써 챔버(110) 내부의 압력을 제어할 수 있다.
이때, 제어부(193)는 흡입펌프(182)의 작동을 중지시키거나 저감시킬 수 있다. 따라서 흡입펌프(182)의 작동이 중지되는 경우 처리액에서 발생하는 기체에 의하여 챔버(110) 내부의 압력이 증가하게 되고, 처리액의 기화 속도가 조절될 수 있다. 뿐만 아니라 흡입펌프(182)의 작동을 저감시키는 경우 상기와 유사하게 처리액의 기화 속도 조절로 인하여 챔버(110) 내부의 압력이 감소하는 속도를 조절할 수 있다.
상기와 같이 건조 공정이 진행되는 동안, 제어부(193)는 가스의 발생 속도, 가스의 발생량, 가스의 농도 등을 시간 및 온도에 따라서 실시간으로 데이터화하여 저장할 수 있다. 또한, 제어부(193)는 디스플레이 유닛(195)을 통하여 상기와 같이 저장된 데이터를 외부로 표시할 수 있다.
한편, 상기와 같이 건조 공정이 완료된 것으로 판단되면, 제어부(193)는 처리 가스를 챔버(110) 내부로 공급하도록 가스주입부(170)를 제어할 수 있다. 이때, 제어부(193)는 공급펌프(172)를 작동시키고, 공급펌프(172)는 주입배관(171)을 통하여 상기 가스저장부로부터 챔버(110)로 처리 가스를 공급할 수 있다. 이때, 처리 가스는 헬륨, 아르곤, 질소 등과 같이 비활성 기체일 수 있다.
상기와 같이 처리 가스가 챔버(110) 내부로 공급되는 경우 챔버(110) 내부는 대기압과 유사한 기압 상태로 진입할 수 있다. 또한, 제어부(193)는 지지플레이트(131)가 하강하도록 제 1 구동부(140)를 작동시킬 수 있다. 이때, 지지플레이트(131)가 하강하면, 지지플레이트(131)의 상면으로 안착핀(160)의 일단이 돌출되고, 안착핀(160)은 기판(S)을 지지할 수 있다.
상기와 같이 챔버(110) 내부의 압력이 대기압과 동일해지면, 이동부(120)는 제 1 하우징(111)을 상승시켜 챔버(110)를 개방시킬 수 있다. 이때, 상기 이송 수단은 제 1 하우징(111)과 제 2 하우징(112) 사이로 진입하여 안착핀(160)에 안착된 기판(S)을 외부로 반출할 수 있다. 따라서 감압 건조 장치(100)는 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 실시간으로 측정하여 모니터링하고 분석할 수 있다. 또한, 감압 건조 장치(100)는 가스 농도 및 가스의 발생 속도를 근거로 제어됨으로써 최적의 공정 조건에 처리액의 건조를 수행할 수 있다.
뿐만 아니라 감압 건조 장치(100)는 최적의 공정 조건으로 건조 공정을 수행하므로 건조 시간 및 건조 시 필요한 에너지를 절감할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 감압 건조 장치(200)를 보여주는 개념도이다.
도 2를 참고하면, 감압 건조 장치(200)는 챔버(210), 이동부(220), 지지부(230), 제 1 구동부(240), 이격핀(250), 가스주입부(270), 감압부(280), 가스감지부(291) 및 제어부(293)를 포함할 수 있다. 이때, 챔버(210), 이동부(220), 지지부(230), 제 1 구동부(240), 이격핀(250), 가스주입부(270), 감압부(280) 및 제어부(293)는 상기 도 1에서 설명한 챔버(110), 이동부(120), 지지부(130), 제 1 구동부(140), 이격핀(150), 가스주입부(170), 감압부(180) 및 제어부(193)와 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 챔버(210)는 제 1 하우징(211), 제 2 하우징(212) 및 실링부(213)를 구비하고, 지지부(230)는 지지플레이트(231) 및 지지샤프트(232)를 구비할 수 있다. 또한, 가스주입부(270)는 가스저장부(미도시), 주입배관(271) 및 공급펌프(272)를 구비할 수 있으며, 감압부(280)는 흡입배관(281), 흡입펌프(282) 및 컨트롤 밸브(283)를 구비할 수 있다.
가스감지부(291)는 빛을 외부로 방출하는 광원부(291a)를 구비할 수 있다. 또한, 가스감지부(291)는 광원부(291a)에서 방출한 빛을 감지하는 광센서부(291b)를 구비할 수 있다. 이때, 가스감지부(291)는 챔버(210)의 상측에 배치될 수 있다. 구체적으로 가스감지부(291)는 제 1 하우징(211)의 상단에 설치될 수 있다. 특히 가스감지부(291)는 광원부(291a)에서 방출된 빛의 파장, 세기 등을 광센서부(291b)에서 측정함으로써 가스의 농도, 가스의 발생량 등을 측정할 수 있다.
한편, 상기와 같은 감압 건조 장치(200)의 작동을 살펴보면, 우선 기판(S) 상에 처리액을 도포한 후 이송 유닛(미도시)를 통하여 챔버(210) 내부로 기판(S)을 장입할 수 있다.
이때, 제어부(293)는 이동부(220)를 작동시켜 제 1 하우징(211)과 제 2 하우징(212)을 분리하여 챔버(210)를 개방할 수 있다. 또한, 제어부(293)는 제 1 구동부(240)를 작동시켜, 지지플레이트(231)를 상승시킬 수 있다.
한편, 상기 이송 유닛을 통하여 챔버(210) 내부로 장입된 기판(S)은 지지플레이트(231) 상에 배치될 수 있다. 특히 기판(S)은 이격핀(250) 상에 배치되며, 상기 이송 유닛의 운동에 따라 이격핀(250)에 안착될 수 있다.
상기의 과정이 완료되면, 상기 이송 유닛은 외부로 다시 반송되고 제 1 구동부(240)는 지지플레이트(231)를 하강시킬 수 있다. 이때, 제 1 구동부(240)는 기 설정된 위치만큼 지지플레이트(231)를 하강하여 고정시킬 수 있다.
제어부(293)는 이동부(220)를 작동시켜, 제 1 하우징(211)과 제 2 하우징(212)을 결합시킴으로써 챔버(210)를 폐쇄할 수 있다. 이때, 실링부(213)는 상기에서 설명한 바와 같이 외기가 챔버(210) 내부로 진입하는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같이 챔버(210)가 폐쇄되면, 제어부(293)는 흡입펌프(282)를 작동시켜 챔버(210) 내부의 분위기를 감압시킬 수 있다. 이때, 가스감지부(291)는 기판(S) 상의 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 감지할 수 있다.
구체적으로 광원부(291a)에서 방출된 빛은 일정한 파장과 세기를 가질 수 있다. 이때, 챔버(210) 내부가 감압하면 처리액으로부터 가스가 발생하고, 광원부(291a)에서 방출되는 빛은 굴절되거나 반사됨으로써 파장과 세기가 가변될 수 있다.
광센서부(291b)는 상기와 같이 가변되는 빛을 측정할 수 있다. 이때, 광센서부(291b)는 측정된 빛의 파장 및 세기를 제어부(293)로 전송하고, 제어부(293)는 전송된 빛의 파장 및 세기를 근거로 가스의 농도 및 가스의 발생량, 가스의 종류 등을 판단할 수 있다.
이때, 제어부(293)는 상기에서 설명한 바와 같이 실시간으로 측정된 가스의 데이터를 디스플레이 유닛(295)을 통하여 외부로 표시할 수 있다. 뿐만 아니라 제어부(293)는 산출된 가스의 농도를 근거로 건조 공정의 종료 여부를 판별할 수 있으며, 가스의 발생량을 근거로 가스의 발생 속도를 산출하여 건조 공정의 이상 유무를 판별할 수 있다. 이때, 제어부(293)가 상기와 같이 측정된 가스의 데이터를 근거로 건조 공정의 종료 여부를 판별하거나 건조 공정의 이상유무를 판별하는 방법은 상기에서 설명한 것과 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 측정된 가스의 발생 속도를 근거로 건조 공정이 이상한 것으로 판단되면, 제어부(293)는 감압부(280)를 제어할 수 있다. 이때, 제어부(293)가 감압부(280)를 제어하는 방법은 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 건조 공정이 종료된 것으로 판단되면, 제어부(293)는 흡입펌프(282)의 작동을 중지시키고 처리 가스를 챔버(210) 내부로 공급하도록 공급펌프(272)를 작동시킬 수 있다.
처리 가스로 인하여 챔버(210) 내부의 압력이 대기압과 동이 또는 유사해지면, 이동부(220)는 제 1 하우징(211)을 상승시켜 챔버(210)를 개방시킬 수 있다. 이때, 제어부(293)는 지지플레이트(231)를 상승시키도록 제 1 구동부(240)를 제어할 수 있다.
챔버(210)가 개방되면, 상기 이송 수단이 진입하여 기판(S)을 외부로 반송할 수 있다. 이때, 제어부(293)는 지지플레이트(231)를 하강시키도록 제 1 구동부(240)를 제어할 수 있다.
따라서 감압 건조 장치(200)는 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 실시간으로 측정하여 모니터링하고 분석할 수 있다. 또한, 감압 건조 장치(200)는 가스 농도 및 가스의 발생 속도를 근거로 제어됨으로써 최적의 공정 조건에 처리액의 건조를 수행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 감압 건조 장치(100,200)를 이용하여 제조된 표시 장치(10)를 보여주는 단면도이다.
도 3을 참고하면, 감압 건조 장치(100,200)를 이용하여 제조되는 표시 장치(10)는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(10)는 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등을 포함할 수 있다. 이때, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시 장치(10)가 유기 발광 표시 장치를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 유기 발광 표시 장치(10)를 제조 시 감압 건조 장치(100,200)는 다양한 곳에서 이용될 수 있다. 예를 들면, 감압 건조 장치(100,200)는 기판(S) 상에 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 공정 등의 진행 시 기판(S)의 표면에 레지스트액 등의 처리액을 도포하는 처리가 행해지고, 기판(S) 상의 처리액을 건조시키기 위하여 이용될 수 있다. 또한, 감압 건조 장치(100,200)는 상기에 한정되지 않으며 후술할 유기 발광층을 프린팅 공정으로 형성하거나 봉지층(70)을 형성할 때 건조가 필요한 공정에 이용될 수 있다. 특히 감압 건조 장치(100,200)는 상기에 한정되지 않으며, 표시 장치(10)를 제조하는 공정 시 기판(S) 상에 도포된 처리액을 건조시키는 모든 공정에서 이용될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 처리액이 프린트 공정 중 잉크젯 공정으로 중간층(63)을 형성하는 물질인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
유기 발광 표시 장치(10:organic light emitting display apparatus)는 기판(S) 상에 형성된다. 기판(S)은 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다. 기판(S)상에는 기판(S)상부에 평탄면을 제공하고, 기판(S)으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하도록 절연물을 함유하는 버퍼층(31)이 형성되어 있다.
버퍼층(31)상에는 박막 트랜지스터(40(TFT:thin film transistor))와, 캐패시터(50)와, 유기 발광 소자(60:organic light emitting device)가 형성된다. 박막 트랜지스터(40)는 크게 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스 전극 및 드레인 전극(43)을 포함한다. 유기 발광 소자(60)는 제 1 전극(61), 제 2 전극(62) 및 중간층(63)을 포함한다.
이때, 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스 전극 및 드레인 전극(43), 제 1 전극(61) 및 제 2 전극(62) 등은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 특히 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스 전극 및 드레인 전극(43), 제 1 전극(61) 및 제 2 전극(62) 등은 포토리소그라피 공정을 통하여 형성될 수 있다.
상기와 같은 포토리소그라피 공정은 레지스트액을 원료 물질이 형성된 기판(S) 상에 도포한 후 포토마스크를 이용하여 노광 후 현상(developing), 식각(etching) 및 스트립핑(Stripping) 또는 에싱(ashing) 등과 같은 공정을 통하여 진행될 수 있다. 이때, 레지스트액을 기판(S) 상에 도포한 후 상기와 같은 감압 건조 장치(100,200)를 통하여 건조 후 상기의 과정을 진행할 수 있다. 특히 상기와 같이 포토리소그라피 공정을 통하여 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스 전극 및 드레인 전극(43), 제 1 전극(61) 및 제 2 전극(62) 등을 제조하는 방법은 일반적인 공지의 기술과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
버퍼층(31)의 윗면에는 소정 패턴으로 형성된 활성층(41)이 배치된다. 활성층(41)은 p형 또는 n형의 도펀트가 주입된 반도체 물질을 함유할 수 있다. 이때, 상기와 같이 반도체 물질을 함유하는 활성층(41)은 다결정 실리콘으로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면 활성층(41)은 G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)을 포함할 수 있다.
활성층(41)상부에는 게이트 절연막(32)이 형성된다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 활성층(41)과 대응되도록 게이트 전극(42)이 형성된다. 게이트 전극(42)을 덮도록 층간 절연막(33)이 형성되고, 층간 절연막(33) 상에 소스 전극 및 드레인 전극(43)이 형성되는 데, 활성층(41)의 소정의 영역과 접촉되도록 형성된다. 소스 전극 및 드레인 전극(43)을 덮도록 패시베이션층(34)이 형성되고, 패시베이션층(34)상부에는 박막 트랜지스터(40)의 평탄화를 위하여 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다.
패시베이션층(34)상에 제 1 전극(61)을 형성한다. 제 1 전극(61)은 드레인 전극(43)과 전기적으로 연결되도록 형성한다. 그리고, 제 1 전극(61)을 덮도록 화소정의막(35)이 형성된다. 이 화소정의막(35)에 소정의 개구(64)를 형성한 후, 이 개구(64)로 한정된 영역 내에 유기 발광층을 구비하는 중간층(63)을 형성한다. 중간층(63)상에 제 2 전극(62)을 형성한다.
상기 유기 발광층은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광층이 개구(64) 내부에 형성되며, 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 서브 픽셀로 하나의 단위 픽셀을 이룰 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층은 픽셀의 위치에 관계 없이 화소정의막(35) 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층은 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질이 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 상기 유기 발광층은 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 이때, 유기 발광 표시 장치(10)는 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.
상기 유기 발광층을 구비하는 중간층(63)을 형성하는 방법은 다양할 수 있다. 예를 들면, 일반적인 증착 공정, 프린트 공정 등을 사용할 수 있다. 이때, 상기와 같은 공정을 수행한 후 감압 건조 장치(100,200)를 통하여 건조시킴으로써 중간층(63)을 형성할 수 있다.
한편, 제 2 전극(62)상에 봉지층(70)을 형성하거나 봉지기판(미도시)를 통하여 실링할 수 있다. 이때, 상기 봉지기판은 기판(S)와 동일 또는 유사하게 형성될 수 있다. 또한, 봉지층(70)은 박막 형태로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 2 전극(62) 상에 봉지층(70)이 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
봉지층(70)은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다. 상기 무기층 또는 상기 유기층은 각각 복수 개일 수 있다.
상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
봉지층(70) 중 외부로 노출된 최상층은 중간층(63)에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
봉지층(70)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(70)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.
봉지층(70)은 제 2 전극(62)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(70)은 제 2 전극(62)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(70)은 제 2 전극(62)의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층, 제 3 유기층, 제 4 무기층을 포함할 수 있다.
제 2 전극(62)과 상기 제 1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제 1 무기층을 형성할 때 제 2 전극(62)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.
따라서 감압 건조 장치(100,200)를 이용할 경우 표시 장치(10)는 신속하게 제조될 수 있다. 뿐만 아니라 감압 건조 장치(100,200)를 이용하여 제조된 표시 장치(10)는 처리액의 건조 시 발생하는 기포를 최소화하여 처리액의 건조 후 표면 균일도를 확보할 수 있으므로 처리액을 사용하는 공정에서의 불량률을 최소화할 수 있다.
뿐만 아니라 감압 건조 장치(100,200)는 최적의 공정 조건으로 건조 공정을 수행하므로 건조 시간 및 건조 시 필요한 에너지를 절감할 수 있다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되었지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위에는 본 발명의 요지에 속하는 한 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.
100, 200: 감압 건조 장치
110, 210: 챔버
120, 220: 이동부
130, 230: 지지부
140, 240: 제 1 구동부
150, 250: 이격핀
170, 270: 가스주입부
180, 280: 감압부
191, 291: 가스감지부
193, 293: 제어부
195, 295: 디스플레이 유닛

Claims (20)

  1. 내부에 공간이 형성되는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되어 처리액이 도포된 기판이 안착하는 지지부;
    상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부로 처리 가스를 주입하는 가스주입부;
    상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내의 분위기를 감압시키는 감압부; 및
    상기 챔버 및 상기 감압부 중 적어도 하나에 설치되어 상기 처리액의 건조 시 발생하는 가스를 감지하는 가스감지부;를 포함하는 감압 건조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    제 1 하우징; 및
    상기 제 1 하우징과 분리 가능하도록 결합하는 제 2 하우징;을 구비하는 감압 건조 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 하우징과 연결되어 상기 제 1 하우징을 상기 제 2 하우징과 착탈시키는 이동부;를 더 포함하는 감압 건조 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부는,
    상기 기판이 배치되는 지지플레이트; 및
    상기 지지플레이트와 연결되며 상기 지지플레이트를 지지하는 지지샤프트;를 구비하는 감압 건조 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버에 설치되어 상기 기판을 지지하는 안착핀;을 더 포함하는 감압 건조 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 감압부는,
    상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 안내하는 흡입배관; 및
    상기 흡입배관에 설치되는 흡입펌프;를 구비하는 감압 건조 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 가스감지부는 상기 흡입배관에 설치되는 감압 건조 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스감지부는 상기 챔버의 상측에 설치되는 감압 건조 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스감지부에서 감지한 가스 농도를 근거로 상기 감압부의 작동을 제어하는 제어부;를 더 포함하는 감압 건조 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 가스의 농도가 기 설정된 설정농도 미만인 경우 상기 감압부의 작동을 중지시키는 감압 건조 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 감압부의 작동이 중지되면, 상기 처리 가스를 상기 챔버로 주입하도록 상기 가스공급부를 작동시키는 감압 건조 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 가스의 발생 속도를 산출하고, 산출된 상기 가스의 발생 속도를 근거로 상기 감압부의 작동을 제어하는 감압 건조 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 가스의 발생 속도가 기 설정된 설정 속도를 초과한 것으로 판단되면, 상기 챔버의 내부 압력을 증가시키도록 상기 감압부의 작동을 제어하는 감압 건조 장치.
  14. 기판 상에 처리액을 도포하는 단계;
    챔버 내부로 상기 기판을 장입하는 단계; 및
    상기 챔버 내부를 감압시키면서 상기 기판 상의 처리액을 건조시키는 단계;를 포함하고,
    상기 처리액을 건조시키는 단계에서 상기 챔버 내부의 가스 및 상기 챔버 외부로 배출되는 가스 중 적어도 하나를 측정하는 표시 장치의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    제 1 하우징; 및
    상기 제 1 하우징과 착탈 가능하도록 결합하는 제 2 하우징;을 구비하고,
    상기 제 1 하우징과 상기 제 2 하우징을 분리한 상태에서 상기 기판을 장입하고, 상기 기판의 장입이 완료된 후 상기 제 1 하우징과 상기 제 2 하우징을 결합하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버 내부의 가스 농도가 기 설정된 설정농도 미만이면 상기 챔버 내부로 처리 가스를 주입하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버 내부의 가스의 발생 속도를 산출하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 가스의 발생 속도가 기 설정된 설정 속도를 초과한 것으로 판단되면, 상기 챔버 내부의 압력을 유지하거나 상승시키는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 측정된 상기 가스의 발생량을 외부로 표시하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 가스의 측정은 상기 챔버의 상측에서 수행되는 표시 장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6579773B2 (ja) * 2015-03-30 2019-09-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
JP2017073338A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 検査装置、減圧乾燥装置および減圧乾燥装置の制御方法
CN108132588A (zh) * 2017-12-21 2018-06-08 信利（惠州）智能显示有限公司 一种新型的vcd结构及其匀压方法
CN108905632B (zh) * 2018-07-16 2020-12-08 安徽智泓净化科技股份有限公司 一种反渗透功能膜元件密封胶快速固化方法
KR102775038B1 (ko) * 2019-03-28 2025-03-05 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치
JP6999763B2 (ja) * 2020-09-08 2022-01-19 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置および減圧乾燥装置の制御方法
CN116921161A (zh) * 2022-04-08 2023-10-24 阳程科技股份有限公司 应用于晶圆肥边去除的胶膜及其去除方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3590328B2 (ja) * 2000-05-11 2004-11-17 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム
JP3913625B2 (ja) * 2002-07-12 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
KR100634376B1 (ko) * 2004-07-07 2006-10-16 삼성전자주식회사 기판 건조 장치
JP4301219B2 (ja) * 2005-08-01 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 減圧乾燥方法、機能膜の製造方法および電気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、並びに電子機器
JP5042761B2 (ja) * 2007-09-25 2012-10-03 大日本スクリーン製造株式会社 減圧乾燥方法および減圧乾燥装置

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Patent event date: 20130722

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