KR20140141644A

KR20140141644A - Mask for calibration and method for calibration

Info

Publication number: KR20140141644A
Application number: KR1020147028186A
Authority: KR
Inventors: 요시아키 노무라; 타카노리 마츠모토; 타쿠로 타케시타
Original assignee: 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
Priority date: 2012-03-15
Filing date: 2013-03-13
Publication date: 2014-12-10
Also published as: JP5928032B2; WO2013137358A1; CN104169802A; CN104169802B; JP2013195467A

Abstract

노광 장치의 노광 위치 조정 이미지 센서의 분해능을 용이하게 측정할 수 있다. 화상을 획득하기 위한 화상 획득창을 갖는 마스크부와, 마스크부의 아래쪽에서 화상 획득창 부근에 접착층을 이용하여 접착된 유리 재료로 구성된 유리면부와, 화상 획득창 및 유리면부에 차폐재로 구성된 차폐선을 각각 설치한 차폐선 그룹을 구비한 교정용 마스크에 광을 투과하여, 차폐선 그룹을 제외하고 투과된 광을 수광하고, 상기 수광된 광의 위쪽에서부터 화상 정보로 변환하여, 화상 정보에 기초하여 분해능 정보를 측정한다. It is possible to easily measure the resolution of the exposure position adjusting image sensor of the exposure apparatus. A shielding line made of a shielding material on an image acquisition window and a glass surface portion is provided on a glass surface portion constituted of a glass material adhered by using an adhesive layer in the vicinity of an image acquisition window in the lower portion of the mask portion, Light is transmitted through the calibration mask provided with each shielding line group so as to receive the transmitted light except the shielding line group and convert the light into image information from above the received light, .

Description

[0001] MASK FOR CALIBRATION AND METHOD FOR CALIBRATION [0002]

본 발명은 교정용 마스크 및 교정 방법에 관한 것으로서, 특히 노광 장치의 노광 위치 제어에 사용되는 이미지 센서의 분해능을 측정하기 위한 교정용 마스크 및 교정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a calibration mask and a calibration method, and more particularly to a calibration mask and a calibration method for measuring a resolution of an image sensor used for exposure position control of an exposure apparatus.

종래, 액정 표시 장치의 컬러 필터 등의 기판의 노광 장치에서는, 이 기판에 노광되어야 할 노광 패턴을 갖는 노광용 마스크를 상기 기판에 근접시킨 상태에서, 이 기판과 마스크를 상대적으로 일정 방향으로 연속 이동시키면서, 노광 위치 조정 수단에 의해 이동 방향에 직각인 방향에서 기판과 노광 마스크의 노광 위치 조정을 수행하면서, 노광 광을 상기 노광 마스크에 조사하여 노광 패턴을 기판에 전사 노광하는 것이 알려져 있다.Conventionally, in an exposure apparatus for a substrate such as a color filter of a liquid crystal display device, a mask for exposure having an exposure pattern to be exposed on the substrate is moved close to the substrate in a relatively constant direction It is known that the exposure light is irradiated to the exposure mask while performing the exposure position adjustment of the substrate and the exposure mask in the direction perpendicular to the moving direction by the exposure position adjustment means to transfer and expose the exposure pattern onto the substrate.

그리고 상기 노광 위치 조정 수단은, 복수의 수광 소자로 구성된 이미지 센서(예를 들어, 라인 CCD (Charge Coupled Device Image Sensor) 카메라)에 의해 기판에 미리 형성된 블랙 매트릭스 등의 기준이 되는 기존 패턴과, 마스크 상의 기준 패턴을 동시에 화상 인식하여, 이 기존 패턴에 대한 마스크 상의 기준 패턴의 거리 검출 어긋남을 보정하도록 제어하는 노광 장치에 관한 기술이 특허문헌 1에 제안되어있다.The exposure position adjustment means may be configured to adjust the exposure pattern by using an existing pattern such as a black matrix formed in advance on the substrate by an image sensor (for example, a line CCD (Charge Coupled Device Image Sensor) A reference pattern on the mask pattern is recognized at the same time and the distance detection deviation of the reference pattern on the mask with respect to the existing pattern is corrected.

재공표 WO2007/113933호 공보Publication No. WO2007 / 113933

이러한 노광 장치는 라인 CCD 카메라의 분해능에 따라, 상기 보정의 정확도에 영향을 미친다. 이 라인 CCD 카메라의 분해능은 CCD 카메라의 수광 소자에 설치된 집광 렌즈의 배율 외에 상기 마스크 및 상기 기판과 라인 CCD 카메라가 이루는 각도에 따라 다음(도 6 (B) 참조)과 같이 오차가 생긴다. Such an exposure apparatus affects the accuracy of the correction depending on the resolution of the line CCD camera. The resolution of this line CCD camera is different from the magnification of the condenser lens installed in the light receiving element of the CCD camera, and is different according to the angle between the mask and the line CCD camera, as shown in Fig. 6 (B).

도 6은 교정용 마스크부(35)를 위에서 본 이미지 센서부(25)의 위치와, 교정용 마스크부(35)의 특정 부분의 위치 관계를 설명하기 위한 개략도이며, 예를 들어, 교정용 마스크부(35)는 도 6(A)에 도시한 바와 같이, 이미지 센서부(25)를 기준으로 평행하게 차폐선이 설치된 경우에, 분해능은 정확하게 측정할 수 있다. 도 6 (A)를 참조하여 설명하면, 식 (1)에 의해 분해능 정보를 산출할 수 있다. 6 is a schematic view for explaining the positional relationship between the position of the image sensor section 25 viewed from the upper side of the calibration mask section 35 and the specific portion of the calibration mask section 35. For example, As shown in Fig. 6 (A), the portion 35 can accurately measure the resolution when a shielding line is provided parallel to the image sensor portion 25 as a reference. Referring to FIG. 6 (A), the resolution information can be calculated by the equation (1).

분해능 = d/(P2-P1) ... 식 (1) Resolution = d / (P2-P1) (1)

그러나 교정용 마스크부(35)가 도 6(B)에 도시한 바와 같이, 이미지 센서부(25)를 기준으로 소정의 각도(θ) 기울어져 설치된 경우, 식 (2)와 같이 분해능 정보를 산출하지만, 각도(θ)를 측정할 수 없기 때문에 정확한 분해능 정보를 산출할 수 없다. 예를 들어, 분해능 오차는 식 (3)에서 구해지는 것과 같은 오차가 생긴다. 6 (B), when the calibration mask section 35 is installed at a predetermined angle (?) Inclined with respect to the image sensor section 25, the resolution information is calculated as shown in equation (2) However, since the angle? Can not be measured, accurate resolution information can not be calculated. For example, the resolution error has the same error as that obtained from equation (3).

분해능 = d/(P4-P3) ... 식 (2) Resolution = d / (P4 - P3) (2)

분해능 오차 = (d-1)×cosθ/(P4-P3) ... 식 (3) Resolution error = (d-1) x cos? / (P4-P3)

한편, 라인 CCD 카메라의 상기 집광 렌즈의 배율은 미리 확인할 수 있지만, 상기 마스크 및 상기 기판과 라인 CCD 카메라가 이루는 각도는 실측이 곤란하여 라인 CCD 카메라의 분해능을 미리 확인하는 작업이 필요하며, 노광용 마스크와 기판을 실제 노광 장치에 세팅하면서부터 수행하는 예비 작업의 필요가 있다. 그러나 기판이 대형이라는 점, 노광 마스크가 복수로 배열되어 있으며, 각 노광 마스크별로 독립적으로 라인 CCD가 대응하고 있기 때문에, 상기 작업이 복잡하다는 문제가 있었다. On the other hand, although the magnification of the condensing lens of the line CCD camera can be confirmed in advance, it is difficult to actually measure the angle between the mask and the line CCD camera and the resolution of the line CCD camera, There is a need for a preliminary operation to be performed while setting the substrate on the actual exposure apparatus. However, since the substrate is large, a plurality of exposure masks are arranged, and the line CCD is independently provided for each exposure mask, there is a problem that the above operation is complicated.

따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여, 상기 노광 장치의 노광 위치 조정에서의 이미지 센서의 분해능을 쉽게 측정할 수 있는 교정용 마스크 및 이를 이용한 노광 장치의 상기 이미지 센서의 분해능 측정에 의한 교정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a calibration mask capable of easily measuring the resolution of the image sensor in adjusting the exposure position of the exposure apparatus and a calibration method by measuring resolution of the image sensor, The purpose is to provide.

본 발명의 교정용 마스크는, 화상 획득을 위한 화상 획득창을 갖는 마스크부와, 마스크부의 아래쪽에서 화상 획득창 부근에 접착층을 이용하여 접착된 유리 재료로 구성되는 유리면부와, 화상 획득창 및 유리면부에 차폐재로 구성된 차폐선을 각각 설치한 차폐선 그룹을 포함한다. The calibration mask of the present invention comprises a mask portion having an image acquisition window for image acquisition, a glass surface portion composed of a glass material adhered to the image acquisition window in the vicinity of the image acquisition window using an adhesive layer, And a group of shielding lines each of which is provided with a shielding line composed of a shielding material.

「교정(calibration)」은 노광 장치의 노광 위치 조정에 사용하는 이미지 센서의 분해능에 대한 정보를 교정하는 것을 말한다. The term " calibration " refers to correcting information on the resolution of the image sensor used for adjusting the exposure position of the exposure apparatus.

본 발명의 교정용 마스크는, 차폐선 그룹이 화상 획득창을 횡단하도록 유리면부 상에 배치되는 차폐재로 구성된 적어도 둘 이상의 차폐선과, 화상 획득창을 횡단하도록 마스크부의 아래쪽의 면상에 배치되는 차폐재로 구성된 적어도 둘 이상의 차폐선을 각각 평행하게 설치할 수 있다. 본 발명의 교정용 마스크는 마스크부의 면상에 복수의 얼라인먼트 마크를 갖는 것일 수도 있다. The calibration mask of the present invention comprises at least two shielding lines constituted by a shielding material disposed on a glass surface portion such that a shielding line group traverses an image acquisition window and a shielding material disposed on the lower surface of the masking portion so as to traverse the image acquisition window At least two shielding lines may be provided in parallel to each other. The calibration mask of the present invention may have a plurality of alignment marks on the surface of the mask portion.

본 발명의 교정용 마스크는, 유리면부 상에 배치된 차폐선의 수가 세 개 이상인 때에는, 상기 차폐선은 균등 간격으로 배치된 것일 수도 있다. 본 발명의 교정용 마스크는, 마스크의 아래쪽의 면에 배치된 차폐선의 수가 세 개 이상인 때에는, 상기 차폐선은 균등 간격으로 배치되는 것일 수도 있다.In the calibration mask of the present invention, when the number of shielding lines disposed on the glass surface portion is three or more, the shielding lines may be arranged at even intervals. In the calibration mask of the present invention, when the number of shielding lines disposed on the lower surface of the mask is three or more, the shielding lines may be arranged at even intervals.

본 발명의 교정 방법은, 노광 장치의 분해능을 측정하는 것으로서, 화상을 획득하기 위한 화상 획득창을 갖는 마스크부와, 마스크부의 아래쪽에서 화상 획득창 부근에 접착층을 이용하여 접착된 유리 재료로 구성된 유리면부와, 화상 획득창 및 유리면부에 차폐재로 구성된 차폐선을 각각 설치한 차폐선 그룹을 갖는 교정용 마스크에 광을 투과하고, 차폐선 그룹을 제외하고 투과된 광을 수광하고, 상기 수광된 광의 위에서부터 화상 정보로 변환하고, 화상 정보에 기초하여 분해능 정보를 측정한다. A calibration method of the present invention is a measurement method for measuring the resolution of an exposure apparatus, comprising: a mask portion having an image acquisition window for acquiring an image; and a glass surface composed of a glass material adhered to the image acquisition window, And an image acquisition window and a shielding line formed of a shielding material on a glass surface portion, respectively, and receives light transmitted through the calibration mask except the shielding line group, And the resolution information is measured based on the image information.

본 발명의 교정용 마스크 및 교정 방법에 따르면, 피노광 대상인 기판을 사용하지 않고, 복수의 노광용 마스크에 대응하는 독립적인 이미지 센서의 분해능을 쉽게 측정할 수 있다. 본 발명의 교정용 마스크 및 교정 방법에 따르면, 화상을 획득하기 위한 화상 획득창을 갖는 마스크부와, 마스크부의 아래쪽에서 화상 획득창 부근에 접착층을 이용하여 접착된 유리 재료로 구성된 유리면부와, 화상 획득창 및 유리면부에 차폐재로 구성된 차폐선을 각각 설치한 차폐선 그룹을 화상 획득창을 통하여, 후술하는 다초점 기능을 갖는 이미지 센서에 의해 촬상하여, 각각의 차폐선 그룹이 이미지 센서의 복수의 수광 소자 상에 결상되기 때문에, 이 화상으로부터 후술하는 바와 같이 이미지 센서의 분해능을 정확하게 측정할 수 있다. According to the calibration mask and the calibration method of the present invention, it is possible to easily measure the resolution of an independent image sensor corresponding to a plurality of exposure masks without using a substrate to be exposed. According to the calibration mask and the calibration method of the present invention, there are provided a mask portion having an image acquisition window for acquiring an image, a glass surface portion composed of a glass material adhered to the image acquisition window in the vicinity of the image acquisition window using an adhesive layer, A shielding line group in which a shielding line made of a shielding material is provided on an acquisition window and a glass surface portion respectively is imaged by an image sensor having a multifocal function to be described later through an image acquisition window, Since the image is formed on the light receiving element, the resolution of the image sensor can be accurately measured from this image as described later.

도 1은, 본 발명의 실시예에서 교정용 마스크부의 사용 방법을 설명하기 위한 노광 장치 (100)의 구성을 설명하기 위한 도면이며;
도 2는, 본 발명의 실시예에서 교정용 마스크부의 구성을 설명하기 위한 도면이며;
도 3은, 본 발명의 실시예에서 마스크부(35)의 화상 획득창을 확대한 도면이며;
도 4는, 본 발명의 실시예에서 마스크부(35)와 유리면부(40)의 관계를 나타낸 도면이며;
도 5는, 본 발명의 실시예에서 마스크부(35)와 유리면부(40)의 구성을 상세히 나타낸 도면이며;
도 6은, 본 발명의 실시예에서 마스크부(35)를 위에서 본 이미지 센서부(25)의 위치와, 마스크부(35)의 특정 부분의 위치 관계를 나타낸 도면이며;
도 7은, 본 발명의 실시예에서 마스크부(35)를 위에서 본 얼라인먼트 마크(75) 및 마스크부(35)의 특정 부분의 위치 관계를 나타낸 도면이며;
도 8은 본 발명의 실시예에서 마스크부(35)를 상방에서 본 이미지 센서부(25)와 마스크부(35)의 특정 부분의 위치 관계를 나타낸 도면이며;
도 9는 본 발명의 실시예에서 이미지 센서부(25)에 의해 획득된 화상 정보의 예를 나타낸 도면이며;
도 10은 본 발명의 실시예에서 이미지 센서부(25)의 분해능 측정 후 교정용 마스크부를 노광용 마스크로 교환하여 노광하는 노광 장치 (200)의 구성을 설명하기 위한 도면이며;
도 11은 본 발명의 실시예에서 노광용 마스크(37)와 기판(5)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이며;
도 12는 본 발명의 실시예에서 이미지 센서부(25)의 2 초점 기능을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a configuration of an exposure apparatus 100 for explaining a method of using a calibration mask unit in an embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a view for explaining the configuration of the calibration mask section in the embodiment of the present invention; Fig.
3 is an enlarged view of an image acquisition window of the mask unit 35 in the embodiment of the present invention;
4 is a view showing the relationship between the mask portion 35 and the glass surface portion 40 in the embodiment of the present invention;
5 is a detailed view showing the configuration of the mask portion 35 and the glass surface portion 40 in the embodiment of the present invention;
6 is a view showing the positional relationship between the position of the image sensor unit 25 viewed from above the mask unit 35 and a specific portion of the mask unit 35 in the embodiment of the present invention;
7 is a diagram showing the positional relationship between the alignment marks 75 viewed from above the mask section 35 and specific portions of the mask section 35 in the embodiment of the present invention;
8 is a view showing a positional relationship between a specific portion of the mask portion 35 and the image sensor portion 25 viewed from above the mask portion 35 in the embodiment of the present invention;
9 is a diagram showing an example of image information obtained by the image sensor unit 25 in the embodiment of the present invention;
10 is a view for explaining the configuration of an exposure apparatus 200 for exposing the calibration mask section to an exposure mask after exposing the resolution of the image sensor section 25 in the embodiment of the present invention;
11 schematically shows the structure of the mask for exposure 37 and the substrate 5 in the embodiment of the present invention;
12 is a diagram for explaining the two focus functions of the image sensor unit 25 in the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예로서, 교정용 마스크 및 이 교정용 마스크를 이용한 노광 장치의 이미지 센서 분해능 측정에서의 교정 방법에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. As an embodiment of the present invention, a calibration mask and a calibration method in measuring the resolution of an image sensor of an exposure apparatus using the calibration mask will be described with reference to Fig.

도 2는, 본 발명에 따른 하나의 실시예인 교정용 마스크부(35)의 구성을 나타낸 도면이다. 마스크부(35)는, 얼라인먼트 마크(75a ~ d), 화상 획득창(라인 CCD 관찰창)(80a ~ d), 마스크 ID(85), 노광창(87a 및 b)을 갖고 있으며, 화상 획득창(80)의 아래에 도 4에 도시한 바와 같이 유리면부(40)를 부착하도록 배치하고 있다. 마스크부(35)는 도 5에 도시한 바와 같이 접착층(49)에 의해 유리면부(40)를 접착하고 있다. 유리면부(40)는 마스크부(35)의 기판 쪽에서 화상 획득창(80) 부근의 아래쪽에 접착층을 이용하여 접착된 유리 재료로 구성되는 것이다. 이 접착층(49)과 유리면부(40)의 높이를, 도 10에 도시한 노광 장치(200)의 마스크부(37)의 하면과 기판(5)의 상면 사이의 길이와 대략 동일하게 되도록 설정해 두고 있다. 2 is a view showing a configuration of a calibration mask section 35 which is one embodiment according to the present invention. The mask section 35 has alignment marks 75a to 75d, an image acquisition window (line CCD observation window) 80a to 80d, a mask ID 85 and exposure windows 87a and 87b. 80 so as to attach the glass face portion 40 as shown in Fig. As shown in Fig. 5, the mask portion 35 adheres the glass face portion 40 by the adhesive layer 49. [ The glass surface portion 40 is made of a glass material adhered to the lower side of the image acquisition window 80 on the substrate side of the mask portion 35 using an adhesive layer. The height of the adhesive layer 49 and the glass surface portion 40 is set to be substantially equal to the length between the lower surface of the mask portion 37 of the exposure apparatus 200 shown in Fig. 10 and the upper surface of the substrate 5 have.

유리면부(40)의 상면(마스크부(35) 쪽)에는 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 화상 획득창(80)을 횡단하도록 차폐재로 구성된 적어도 둘 이상의 차폐선(45a ~ g)이 균등 간격으로 평행하게 설치되어 있고, 마스크부(35)의 아래쪽의 면상에는, 화상 획득창(80)을 횡단하도록 차폐재로 구성된 적어도 둘 이상의 차폐선(47a ~ c)이 평행하게 설치되어 있다. 얼라인먼트 마크(75a ~ d)는, 마스크부(35)의 노광부(50) 쪽의 면상에 복수로 구비되어, 기판과의 위치 관계를 유지하는 것을 목적으로 하는 것이다. 또한, 차폐선(45a ~ g) 및 차폐선(47a ~ c)에 사용되는 차폐재는 크롬(Cr) 등을 이용한다. As shown in Figs. 3 and 5, at least two shielding lines 45a to g, which are made of a shielding material so as to traverse the image acquisition window 80, are provided on the upper surface (on the mask 35 side) At least two shielding lines 47a to 47c made of a shielding material are provided parallel to each other across the image acquisition window 80 on the lower surface of the mask unit 35. [ The alignment marks 75a to 75d are provided on the surface of the mask section 35 on the exposure section 50 side in order to maintain the positional relationship with the substrate. Further, chromium (Cr) or the like is used as the shielding material used for the shielding lines 45a to g and the shielding lines 47a to 47c.

다음으로, 본 발명의 실시예인 교정용 마스크부(35)를 이용하여 노광 장치의 이미지 센서 분해능 측정 방법에 대하여, 도 1~10을 참조하면서 설명한다. 도 1은 교정용 마스크부(35)를 이용하여, 노광 위치 조정에 사용하는 이미지 센서부(25)의 분해능을 측정하는 노광 장치(100)의 구성을 나타낸 것이다. 노광 장치(100)는, 노광 장치(200; 도 10 참조)의 노광용 마스크부(37; 도 11 참조)를 교정용 마스크부(35)로 교체한 상태로서, 노광 대상인 기판이 배치되지 않은 상태의 것이며, 교정용 마스크부(35)를 이용하여 노광 장치의 이미지 센서부(25)의 분해능을 측정할 때에는, 도 1의 상태에서 수행하는 것이다. Next, a method of measuring the image sensor resolution of the exposure apparatus using the calibration mask unit 35, which is an embodiment of the present invention, will be described with reference to Figs. 1 to 10. Fig. 1 shows a configuration of an exposure apparatus 100 for measuring the resolution of an image sensor unit 25 used for exposure position adjustment using a calibration mask unit 35. As shown in FIG. The exposure apparatus 100 is a state in which the exposure mask unit 37 (see FIG. 11) of the exposure apparatus 200 (see FIG. 10) is replaced by the calibration mask unit 35, And the resolution of the image sensor unit 25 of the exposure apparatus is measured using the calibration mask unit 35 in the state of FIG.

노광 장치(100)는, 기판을 반송할 수 있는 기판 반송부(10)와, 교정용 마스크부(35)와, 상기 마스크부(35)의 화상 획득창(80)에서 투과되는 광의 정보로부터 화상 정보로 변환하는 이미지 센서부(라인 CCD 카메라)(25)를 구비하며, 이미지 센서부(25)로부터 획득된 화상 정보에 기초하여 이미지 센서부(라인 CCD 카메라)(25)의 분해능을 측정하는 화상 처리부(55)를 구비하는 것이다. The exposure apparatus 100 includes a substrate transfer section 10 capable of transferring a substrate, a calibration mask section 35 and an image acquisition window 80 for acquiring an image (Line CCD camera) 25 for converting the image data of the image sensor section (line CCD camera) 25 into an image And a processing unit 55 as shown in FIG.

구체적으로는, 노광 장치(100)는, 기판을 반송하는 기판 반송부(10)와, 마스크부(35)의 위에서 노광 광을 조사 가능하게 하는 노광부(50)와, 마스크부(35)의 화상 정보를 획득하기 위하여 마스크부(35)의 아래에서 광을 조사하는 화상 검출 광원부(20)와, 마스크부(35)의 위에서 화상 검출 광원부(20)의 광을 수광하여 화상 정보를 획득하는 이미지 센서부(라인 CCD 카메라)(25)와, 이미지 센서부(25)에서 획득된 화상 정보에 기초하여 이미지 센서부(라인 CCD 카메라)(25)의 분해능을 측정하는 화상 처리부(55)와, 마스크부 위치 조정 유니트(70)를 구비한 것이다. More specifically, the exposure apparatus 100 includes a substrate transfer section 10 for transferring a substrate, an exposure section 50 for irradiating exposure light from above the mask section 35, An image detection light source section 20 for irradiating light under the mask section 35 to acquire image information and an image pickup section 20 for receiving light from the image detection light source section 20 above the mask section 35 and acquiring image information An image processing section 55 for measuring the resolution of the image sensor section (line CCD camera) 25 based on the image information obtained by the image sensor section 25, And a sub-position adjusting unit (70).

또한, 화상 처리부(55)는, 상기 이미지 센서부(라인 CCD 카메라)(25)의 분해능을 측정한 후, 노광 공정에서, 이미지 센서부(라인 CCD 카메라)(25)로부터의 노광용 마스크(37)의 기준 마크와 기판 상의 기준 마크의 화상으로부터, 노광용 마스크부(37)와 기판(5)과의 위치 어긋남 양을 산출하고, 그 결과를 바탕으로 마스크부 위치 조정 유니트(70)에 신호를 보내고, 마스크부 위치 조정 유니트(70)에 의해 노광용 마스크부(37)의 위치 조정을 수행하는 것이다. 또한, 노광 장치(100)는, 측정된 상기 분해능 정보에 기초하여 노광부(50)의 노광 위치를 제어 가능하게 하는 노광 제어부(60)를 갖는 것일 수도 있다.The image processing section 55 measures the resolution of the image sensor section (line CCD camera) 25 and then performs exposure in the exposure process by using an exposure mask 37 from the image sensor section (line CCD camera) From the image of the reference mark on the substrate and the image of the reference mark on the substrate and sends a signal to the mask unit position adjusting unit 70 based on the result of the calculation, The mask position adjustment unit 70 adjusts the position of the mask unit 37 for exposure. The exposure apparatus 100 may also have an exposure control section 60 for controlling the exposure position of the exposure section 50 based on the measured resolution information.

또한, 교정용 마스크부(35)는 분해능을 측정하기 위해 이용되는 것이므로, 노광부(50)로부터 조사(照射)될 필요가 없다. 따라서 교정용 마스크부(35)는, 노광창을 구비하지 않을 수 있지만, 다음에 설명하는 교정용 마스크부(35)는 노광창을 구비한 것을 예로 설명한다. Further, since the calibration mask section 35 is used for measuring the resolution, it does not need to be irradiated from the exposure section 50. Therefore, the calibration mask section 35 may not be provided with an exposure window, but the calibration mask section 35 described below will be described as an example having an exposure window.

기판 반송부(10)는 기판을 반송하는 것이다. 예를 들어, 기판 반송부(10)는, 도 10에 도시한 바와 같이, 기판(5)을 적재하여 소정의 반송 방향으로 반송하는 것으로, 상면에 기체를 분출하는 다수의 분출공과 기체를 흡입하는 다수의 흡입공을 갖는 복수의 단위 스테이지를 기판(5)의 반송 방향으로 나란히 설치하고, 기체의 분출과 흡입의 균형에 의해 기판(5)을 복수의 단위 스테이지 상에 소정 양 만큼 띄운 상태에서, 반송 롤러에 의해 기판(5)의 양쪽 가장자리를 지지하여 반송하도록 한다. 도 10에 도시한 노광 장치(200)는, 교정용 마스크부(35)를 이용하여 위치 결정용 이미지 센서부(25)의 분해능 측정 후, 교정용 마스크부(35)를 노광용 마스크부(37)로 교체하고, 기판(5)에 대하여 노광을 수행하는 것이다.The substrate transfer section 10 transfers the substrate. For example, as shown in Fig. 10, the substrate carrying section 10 is configured to carry the substrate 5 in a predetermined carrying direction, and includes a plurality of ejection holes for ejecting a gas on the upper surface, A plurality of unit stages having a plurality of suction holes are provided in parallel to each other in the conveying direction of the substrate 5 and the substrate 5 is floated by a predetermined amount on the plurality of unit stages in accordance with the balance of ejection and suction of the substrate, Both edges of the substrate 5 are supported and conveyed by the conveying rollers. 10 measures the resolution of the positioning image sensor unit 25 using the calibration mask unit 35 and then outputs the calibration mask unit 35 to the mask unit 37 for exposure, And the substrate 5 is subjected to exposure.

노광부(50)는 자외선을 조사하는 것으로서, 예를 들면 노광 파장 범위는 280 ~ 400nm이다. 또한, 노광부(50)는 자외선을 조사하는 것으로서, 구체적으로는, 레이저 발진기이거나 제논 플래시 램프 등이다. 또한, 노광부(50)에는, 포토 인티귤레이터(미도시)를 탑재할 수 있으며, 노광부(50)에서 조사된 노광 광의 횡단면 내의 휘도 분포를 균일하게 한다. 이 포토 인티귤레이터는, 플라이 아이 렌즈나, 로드 렌즈 또는 라이트 파이프와 같은 것일 수도 있다. The exposure unit 50 irradiates ultraviolet rays, for example, the exposure wavelength range is 280 to 400 nm. The exposure unit 50 irradiates ultraviolet rays. Specifically, the exposure unit 50 is a laser oscillator, a xenon flash lamp, or the like. Further, a photo integrator (not shown) can be mounted on the exposure section 50, and the luminance distribution in the cross section of the exposure light irradiated by the exposure section 50 is made uniform. The photo integrator may be a fly-eye lens, a rod lens, or a light pipe.

또한, 노광부(50)에 탑재된 콘덴서 렌즈(미도시)는, 노광 광을 평행 광으로 만들어 후술하는 노광 장치(200)의 노광용 마스크부(37)에 조사시키는 것이다. 노광부(50)는 노광 제어부(60)의 제어 지령에 따라 노광을 수행하는 것이다. 도 7에 도시한 바와 같이 교정용 마스크부(35)의 얼라인먼트 마크(75a ~ d)는 교정용 마스크부(35)의 설정 위치가 이미지 센서부(25)와의 위치 관계가 평행인지 여부를 확인하기 위한 것이다. The condenser lens (not shown) mounted on the exposure section 50 converts the exposure light into parallel light and irradiates the exposure mask section 37 of the exposure apparatus 200 described later. The exposure unit 50 performs exposure in accordance with a control command of the exposure control unit 60. [ As shown in Fig. 7, the alignment marks 75a to 75d of the calibration mask section 35 are used to check whether the setting position of the calibration mask section 35 is parallel to the position of the image sensor section 25 .

이미지 센서부(25)에 의해, 교정용 마스크부(35)의 얼라인먼트 마크(75a ~ d)를 촬상하고, 그 화상을 화상 처리부(55)에서 처리하여, 교정용 마스크부(35)의 설정 위치와 이미지 센서부(25)와의 위치 관계가 평행인지 여부를 확인하기 위한 것이다. The image sensor section 25 picks up the alignment marks 75a to 75d of the calibration mask section 35 and processes the image in the image processing section 55 so that the setting position of the calibration mask section 35 And the image sensor unit 25 are parallel to each other.

마스크부 위치 조정 유니트(70)는, 화상 처리부(55)로부터의 교정용 마스크부(35)의 설정 위치와 이미지 센서부(25)와의 위치 관계 정보에 따라 교정용 마스크부(35)의 위치를 조정하고, 교정용 마스크부(35)의 설정 위치와 이미지 센서부(25)와의 위치 관계를 평행하게 하는 것이다. The mask position adjustment unit 70 adjusts the position of the calibration mask unit 35 according to the positional relationship information between the setting position of the calibration mask unit 35 and the image sensor unit 25 from the image processing unit 55 And the positional relationship between the setting position of the calibration mask section 35 and the image sensor section 25 is made parallel.

화상 획득창(이미지 센서용 관찰창)(80a ~ d)은, 화상 검출 광원부(20)로부터 조사되는 광을 투과시키는 것이다. 마스크 ID(85)는, 교정용 마스크부(35)의 식별 번호를 기술하는 것이다. 노광창(87a 및 b)은, 노광부(50)에서 조사되는 노광 광을 투과시키는 것이다. 도 3은 마스크부(35)의 화상 획득창(80)을 확대한 도면이다. 또한, 도 4는 교정용 마스크부(35)와 유리면부(40)의 관계를 나타낸 도면이다. The image acquisition window (observation window for image sensor) 80a to 80d transmits the light emitted from the image detection light source unit 20. [ The mask ID 85 describes the identification number of the calibration mask section 35. [ The exposure windows 87a and 87b transmit the exposure light irradiated from the exposure section 50. [ 3 is an enlarged view of the image acquisition window 80 of the mask unit 35. As shown in Fig. 4 is a diagram showing the relationship between the calibration mask section 35 and the glass surface section 40. As shown in Fig.

또한, 도 5는, 마스크부(35)와 유리면부(40)의 구성을 상세히 나타낸 도면이다. 화상 처리부(55)는, 차폐선 그룹(45a ~ g 및 47a ~ c)을 제외하고 투과된 광을 수광한 이미지 센서부(25)로부터 획득된 화상 정보에 기초하여 이미지 센서부(25)의 분해능 정보를 측정하는 것이다. 노광 제어부(60)는 화상 처리부(55)에 의해 측정된 분해능 정보에 기초하여 노광부(50)의 노광 시작 및 정지 위치를 제어하는 것이다. 5 is a detailed view showing the configuration of the mask portion 35 and the glass surface portion 40. As shown in Fig. The image processing section 55 performs the resolution processing of the image sensor section 25 based on the image information obtained from the image sensor section 25 that has received the transmitted light except for the shielding wire groups 45a to g and 47a to c, It measures information. The exposure control unit 60 controls the exposure start and stop positions of the exposure unit 50 based on the resolution information measured by the image processing unit 55. [

여기서, 본 발명의 실시예인 교정용 마스크부(35)를 이용하여 노광 장치(100)의 이미지 센서부(25)의 분해능을 측정하는 교정 방법에 대해 상세히 설명한다. 이 교정 방법은, 노광 장치(100)의 분해능을 측정하는 방법이며, 화상을 획득하기 위한 화상 획득창(80)을 갖는 마스크부(35)와, 마스크부(35)의 아래쪽에서 화상 획득창(80) 부근에 접착층을 이용하여 접착된 유리 재료로 구성된 유리면부(40)와, 화상 획득창(80) 및 유리면부(40)에 차폐재로 구성된 차폐선을 각각 설치한 차폐선 그룹을 구비하는, 상술한 교정용 마스크에 광을 투과하고, 차폐선 그룹을 제외하고 투과된 광을 수광하고, 상기 수광된 광의 위에서부터 화상 정보로 변환하고, 화상 정보에 기초하여 분해능 정보를 측정한다. 도 7에 도시한 바와 같이 화상 검출 광원부(20)를 점등시켜 교정용 마스크부(35)를 아래쪽에서부터 조명 광을 조사하여, 먼저 이미지 센서부(25)에 의해 얼라인먼트 마크(75a 및 75b)를 촬상하고, 그 화상을 화상 처리부(55)에서 처리하고, 얼라인먼트 마크(75a 및 75b)의 중심을 잇는 가상선과 이미지 센서부(25)가 이루는 각도를 산출한다. Here, a calibration method for measuring the resolution of the image sensor unit 25 of the exposure apparatus 100 using the calibration mask unit 35, which is an embodiment of the present invention, will be described in detail. This calibration method is a method of measuring the resolution of the exposure apparatus 100 and includes a mask section 35 having an image acquisition window 80 for acquiring an image and an image acquisition window And a shielding line group provided with a shielding line made of a shielding material on the image acquisition window (80) and the glass surface portion (40), respectively, The light is transmitted through the above-described calibration mask, the transmitted light except the shielding line group is received, the image information is converted from the top of the received light, and the resolution information is measured based on the image information. The illumination light is irradiated from the lower side of the calibration mask section 35 by lighting the image detection light source section 20 as shown in Fig. 7, and first, the image sensor section 25 picks up the alignment marks 75a and 75b , The image is processed by the image processing unit 55 and the angle between the imaginary line connecting the centers of the alignment marks 75a and 75b and the image sensor unit 25 is calculated.

산출된 각도가 최소가 되도록 마스크 위치 조정 유니트(70)에서 교정용 마스크부(35)를 회전(교정용 마스크부(35)의 면에 수직인 축 둘레로 회전)시켜 교정용 마스크부(35)와 이미지 센서부(25)를 평행하게 세트시킨다. The calibration mask unit 35 is rotated (rotated about an axis perpendicular to the surface of the calibration mask unit 35) in the mask position adjustment unit 70 so that the calculated angle is minimized, And the image sensor unit 25 are set in parallel.

다음으로, 이미지 센서부(25)에 의해, 차폐선(45a ~ g)과, 이 차폐선(45a ~ g)과 높이가 다른 차폐선(47a ~ c)을 제외하고 투과된 광을 수광하여 화상 정보를 획득한다. 이때, 이미지 센서부(25)는 차폐선(45a ~ g)을 촬상하는 영역과, 차폐선(47a ~ c)을 촬상하는 영역의 각각에 대해서 초점 영역이 다르게 화상 정보를 획득한다. 이미지 센서부(25)는, 다중 초점 카메라로서, 예를 들어, 도 12에 도시한 바와 같이 초점이 2개로 되는 이중 초점 카메라이다. 구체적으로는, 유리면부(40) 상의 차폐선(45a ~ g)과 마스크부(35)에 면하는 차폐선(47a ~ c)의 각각에 초점을 맞출 수 있게 되어, 양쪽을 선명하게 촬영할 수 있게 되어 있다. 도 12에 도시한 바와 같이 이미지 센서부(25)의 시야 절반에 광 조정판(25a)을 삽입시켜, 초점 심도가 다른 유리면부(40) 상의 차폐선(45a ~ g) 및 마스크부(35)의 차폐선(47)에 대하여 동시에 초점이 맞게 되어 있다. 그리고 화상 처리부(55)는 그 화상 정보와 이미지 센서부(25) 상의 차폐선 간격의 거리를 이용하여 분해능을 측정한다. Next, the image sensor unit 25 receives the transmitted light except for the shielding lines 45a to 45g and the shielding lines 47a to 47c having different heights from the shielding lines 45a to 45g, Obtain information. At this time, the image sensor unit 25 acquires the image information with different focus areas with respect to the areas for imaging the shielding lines 45a to 45g and the areas for imaging the shielding lines 47a to 47c. The image sensor unit 25 is a multi-focus camera, for example, as shown in Fig. 12, which has two focal points. Concretely, the shielding lines 45a to 45g on the glass surface portion 40 and the shielding lines 47a to 47c facing the mask portion 35 can be focused, respectively, so that both of them can be clearly photographed . The light control panel 25a is inserted into the half of the field of view of the image sensor unit 25 so that the shielding lines 45a to g on the glass face portion 40 having different depth of focus and the shielding lines 45a to 45g of the mask unit 35 The shielding line 47 is focused at the same time. The image processing section 55 measures the resolution using the distance between the image information and the shielding line interval on the image sensor section 25. [

또한, 차폐선(45a ~ g)과 차폐선(47a ~ c)의 높이 위치의 거리는, 노광 장치의 노광 갭과 동등한 거리로 한다. 구체적으로는, 노광 장치(200)는, 프록시미티 노광 방식을 채용하고 있는 경우에, 마스크부(37)와 기판(5)의 간극(예를 들면, 약 100㎛)을 노광 갭으로 한다. The distances between the shielding lines 45a to 45a and the shielding lines 47a to 47c are equal to the exposure gap of the exposure apparatus. More specifically, when the proximity exposure method is adopted, the exposure apparatus 200 sets the gap (e.g., about 100 mu m) between the mask section 37 and the substrate 5 as the exposure gap.

이미지 센서부(25)는, 이와 같이 높이가 다른 차폐선(45a ~ g) 및 차폐선(47a ~ c)을 이용하여 초점 영역별로 분해능 정보를 측정할 수 있다. 도 8은 교정용 마스크부(35)를 위에서 본 이미지 센서부(25)와 마스크부(35)의 특정 부분의 위치 관계를 설명하기 위한 개념도이다. 이미지 센서부(25)는, 도 8에 도시한 바와 같이 차폐선(45a ~ g)을 촬상하는 영역과, 이 차폐선(45a ~ g)과 높이가 다른 차폐선(47a ~ c)을 촬상하는 영역의 각각에 대해 초점 영역이 다르게 화상 정보를 획득한다.The image sensor unit 25 can measure the resolution information for each focus area using the shielding lines 45a to 45g and the shielding lines 47a to 47c having different heights. 8 is a conceptual diagram for explaining the positional relationship between the image sensor section 25 viewed from the upper side of the calibration mask section 35 and a specific portion of the mask section 35. FIG. The image sensor unit 25 is provided with an area for imaging the shielding lines 45a to g and a shielding line 47a to 47c for capturing the shielding lines 47a to 47c different in height from the shielding lines 45a to g The image information is obtained with different focus areas for each of the areas.

그리고 화상 처리부(55)는, 그 화상 정보와 이미지 센서부(25) 상의 차폐선 간격의 거리를 이용하여 분해능을 측정한다. 이미지 센서부(25)는, 초점 거리를 다르게 복수의 영역을 설정하고, 화상 처리부(55)는, 설정된 영역별도 분해능 정보를 측정할 수 있다. 화상 처리부(55)는, 도 8에 도시한 바와 같이 서로 다른 초점 영역인 플레이트 초점 영역(Plate Focus Area)과 마스크 초점 영역(Mask Focus Area)을 식 (4), 식 (5)를 이용하여 산출한다. Then, the image processing section 55 measures the resolution using the distance between the image information and the shielding line interval on the image sensor section 25. The image sensor section 25 sets a plurality of areas with different focal distances and the image processing section 55 can measure the resolution information set separately for each area. The image processing unit 55 calculates the plate focus area and the mask focus area which are different focus areas as shown in Fig. 8 using equations (4) and (5) do.

분해능(Plate Focus Area) = d1 / (p2-p1) ... 식 (4) Resolution (Plate Focus Area) = d1 / (p2-p1) (4)

분해능(Mask Focus Area) = d2 / (p4-p3) ... 식 (5) Resolution (Mask Focus Area) = d2 / (p4-p3)

이와 같이, 화상 처리부(55)는 서로 다른 초점 영역마다 분해능을 산출할 수 있다. In this manner, the image processing section 55 can calculate resolution for each different focus area.

또한, 도 9는 이미지 센서부(25)에 의해 획득된 화상 정보의 예를 나타낸 도면이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 초점 영역은, 노광 갭(Gap) 100 ~ 180㎛, 플레이트 초점 영역, 노광 갭(Gap) 200 ~ 300㎛ 로 나눌 수 있다. 예를 들어, 노광 갭(Gap) 100 ~ 180㎛ 은, 차폐선으로 차광된 선 L1 ~ L3으로 나타나 있다. 또한, 마찬가지로 플레이트 초점 영역은 L4 ~ L9로 나타나 있다. 이 플레이트 초점 영역의 경우, L5, L8은 L4, 6, 9과는 다른 차폐선으로 차광된 선이다. 또한, 노광 갭(Gap) 200 ~ 300㎛ 은 차폐선으로 차광된 선 L10 ~ L12으로 나타나 있다. 이와 같이 분해능 측정부가 서로 다른 초점 영역마다 분해능을 산출할 수 있다. 9 is a diagram showing an example of the image information obtained by the image sensor unit 25. As shown in Fig. As shown in Fig. 9, the focus region can be divided into an exposure gap (Gap) of 100 to 180 mu m, a plate focus region, and an exposure gap (Gap) of 200 to 300 mu m. For example, an exposure gap (Gap) of 100 to 180 占 퐉 is indicated by lines L1 to L3 shielded by a shielding line. Likewise, the plate focus area is represented by L4 to L9. In the case of this plate focus area, L5 and L8 are shielded by shielding lines different from L4, 6 and 9. The exposure gap (Gap) of 200 to 300 mu m is indicated by lines L10 to L12 shielded by a shielding line. In this manner, the resolution measuring unit can calculate resolution for each different focus area.

도 10에 도시한 노광 장치(200)는, 교정용 마스크부(35)를 노광용 마스크부(37)로 교체한 것으로서, 상술한 분해능 정보에 기초하여 노광부(50)의 노광 위치를 제어하는 노광 제어부(60)를 갖고, 노광 제어부(60)는 상술한 높이가 다른 차폐선 사이의 거리를 노광 갭 거리로 설정한다. The exposure apparatus 200 shown in Fig. 10 is obtained by replacing the calibration mask section 35 with the mask section 37 for exposure. The exposure apparatus 200 shown in Fig. 10 is an exposure apparatus that controls the exposure position of the exposure section 50 based on the above- And a control unit 60. The exposure control unit 60 sets the distance between the above-described shielding lines having different heights to the exposure gap distance.

교정용 마스크부(35)를 갖는 노광 장치(100)는, 상술한 바와 같은 구성을 갖는 것이다. 또한, 교정용 마스크부(35)의 얼라인먼트 마크(75a ~ d)에 대해서는, 이미지 센서부(25)는 다른 이미지 센서(미도시)에 의해 판독하여, 교정용 마스크부(35)의 설정 위치와 이미지 센서부(25)와의 위치 관계가 평행인지 여부를 확인하는 것일 수 있다. The exposure apparatus 100 having the calibration mask section 35 has the above-described structure. The image sensor unit 25 is read by another image sensor (not shown) to detect the alignment position of the calibration mask unit 35 and the position of the calibration mask unit 35 It may be determined whether or not the positional relationship with the image sensor unit 25 is parallel.

다음으로, 노광 장치(100)의 교정용 마스크부(35)를 노광용 마스크부(37)로 교체한 노광 장치 (200)에 대해 설명한다. 노광 장치(200)는, 노광 장치(100)에 의해 산출된 이미지 센서부(25)의 분해능 정보를 이용하여 노광을 제어하고 실제로 기판(5)에 노광하는 것이다. Next, the exposure apparatus 200 in which the calibration mask section 35 of the exposure apparatus 100 is replaced with the exposure mask section 37 will be described. The exposure apparatus 200 controls the exposure using the resolution information of the image sensor section 25 calculated by the exposure apparatus 100 and actually exposes the substrate 5.

구체적으로는, 노광 장치(200)는, 기판(5)을 반송하는 기판 반송부(10)와, 기판(5)의 위에서 노광 광을 조사하는 노광부(50)와, 기판(5)의 화상 정보를 획득하기 위해 기판(5)의 아래에서 광을 조사하는 화상 검출 광원부(20)와, 기판(5)의 위에서 화상 검출 광원부(20)의 광을 수광하여 화상 정보를 획득하는 이미지 센서부(25)와, 기판 반송부(10)와 노광부(50)의 사이에 배치되어 노광부(50)에서 조사되는 노광 광의 일부를 투과시키는 노광창(22) 및 화상 검출 광원부(20)로부터 조사되는 광의 일부를 투과시키는 화상 획득창(23)을 갖는 노광용 마스크부(37)와, 노광 장치(100)에 의해 산출된 분해능 정보에 기초하여 노광부(50)의 노광 위치를 제어하는 노광 제어부(60)와, 마스크부 위치 조정 유니트(70)를 갖는 것이다. 기판(5)은 유리 기판이다. 또한, 기판(5)은 배선 패턴을 형성한 TFT 기판, 컬러 필터 기판일 수도 있다. More specifically, the exposure apparatus 200 includes a substrate transfer section 10 for transferring a substrate 5, an exposure section 50 for irradiating exposure light from above the substrate 5, An image sensor unit 20 for receiving the light of the image detection light source unit 20 on the substrate 5 to acquire image information, An exposure window 22 disposed between the substrate transfer section 10 and the exposure section 50 for transmitting a part of the exposure light irradiated from the exposure section 50 and an exposure window 22 for transmitting a part of the exposure light emitted from the image detection light source section 20 An exposure control unit 60 for controlling the exposure position of the exposure unit 50 based on the resolution information calculated by the exposure apparatus 100, And a mask unit position adjusting unit 70, as shown in Fig. The substrate 5 is a glass substrate. The substrate 5 may be a TFT substrate or a color filter substrate on which wiring patterns are formed.

도 11은 노광용 마스크부(37)와 기판(5)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 노광용 마스크부(37)는, 석영 유리 등으로 이루어진 투명 기판의 표면에 소정의 패턴으로 형성된 차광부와 노광창을 포함한다. 도면에서 화살표(a)는 기판(5)의 반송 방향을 나타낸다. 이 노광용 마스크부(37)는, 예를 들어 세로방향 슬릿 형상의 노광창(22)이 기판 반송 방향(a)의 직각 방향을 따라 소정의 피치로 병렬로 형성되는 구성을 갖고 있다. 도 11에서, 차광 처리된 영역이 차광부(21)를 나타내고, 차광 처리되지 않은 영역이 노광창(22)을 나타낸다. 노광용 마스크부(37)의 기판(5)에 대한 반송 시작 쪽에는 가로방향 슬릿 형상의 화상 획득창(23)이 형성되어 있다. 그리고 화상 획득창(23)에는 차폐선(46)이 형성되어 있다. 차광부(21)는 예를 들어, 크롬 등에 의해 차광되어 있다. 또한, 차폐선(46)도 크롬 등의 차폐재로 구성된다. Fig. 11 is a view schematically showing the configuration of the mask portion 37 for exposure and the substrate 5. Fig. The mask 37 for exposure includes a light shielding portion formed in a predetermined pattern on the surface of a transparent substrate made of quartz glass or the like and an exposure window. Arrow (a) in the figure indicates the conveying direction of the substrate 5. The exposure mask section 37 has a configuration in which, for example, longitudinal exposure slits 22 in the form of slits are formed in parallel at a predetermined pitch along the direction perpendicular to the substrate transfer direction (a). In Fig. 11, the light-shielded area indicates the light-shielding part 21 and the light-shielded area indicates the exposure window 22. A horizontal slit-shaped image acquisition window 23 is formed on the transfer start side of the exposure mask section 37 with respect to the substrate 5. In the image acquisition window 23, a shielding line 46 is formed. The light-shielding portion 21 is shielded by, for example, chromium or the like. The shielding line 46 is also made of a shielding material such as chromium.

이미지 센서부(25)는, 노광용 마스크부(37)의 화상 획득창(23)을 통해, 기판(5)에 미리 형성된 기존 패턴, 예를 들어, 게이트 버스 라인, 소스 버스 라인이나 블랙 매트릭스를 촬영한다. 이때, 이미지 센서부(25)는, 기판(5)의 반송 방향(a)에 평행하게 형성된, 도면에서 세로방향으로 연장하는 기존 패턴(4)의 시작 단부에 다른 쪽의 종료 단부까지를 화상으로 검출하기 위한 촬영을 한다. 이미지 센서부(25)는, 화상 획득창(23) 아래를 띠 모양으로 흐르도록 이동하는 기존 패턴(4)을, 이미지 센서부(25)의 촬영에 의해 화상을 검출한다. The image sensor section 25 photographs an existing pattern previously formed on the substrate 5, for example, a gate bus line, a source bus line, or a black matrix through the image acquisition window 23 of the mask section for exposure 37 do. At this time, the image sensor unit 25 forms an image from the start end of the existing pattern 4 extending in the longitudinal direction in the drawing to the other end end, which is formed in parallel to the conveying direction a of the substrate 5 And performs photographing for detection. The image sensor unit 25 detects an image by photographing the existing pattern 4 that moves under the image acquisition window 23 so as to flow in a strip shape by the image sensor unit 25. [

이미지 센서부(25)는, 촬영하는 동안 화상 획득창(23) 아래를 이동하는 기존 패턴(4)이 기판(5)의 이동 방향(a)에 대하여 직각이 되는 방향으로 어긋나 버리는 경우에, 그 화상 데이터에서 화상 처리부(55)에 의해 어긋남 양을 산출하고, 마스크부 위치 조정 유니트(70)에 의해 그 어긋남 양에 따른 노광용 마스크부(37)의 위치 맞춤을 위한 이동이 이루어진다. 이와 같이 기존 패턴(4)에 추종한 노광용 마스크부(37)의 이동 제어에 의해 얼라인먼트 조정이 이루어진다. 이에 의해 노광부(50)는 기존 패턴(4)에 따른 위치에 대하여, 정확한 노광이 이루어진다. When the existing pattern 4 moving under the image acquisition window 23 is shifted in a direction perpendicular to the moving direction a of the substrate 5 during photographing, The image processing unit 55 calculates the amount of misalignment in the image data, and the mask unit position adjustment unit 70 performs the movement for aligning the mask unit 37 for exposure according to the amount of misalignment. As described above, the alignment adjustment is performed by controlling the movement of the exposure mask part 37 following the existing pattern 4. [ As a result, the exposure unit 50 performs accurate exposure with respect to the position corresponding to the existing pattern 4.

5 기판 10 기판 반송부
20 화상 검출 광원부 21 차광부
22 노광창 23 화상 획득창
25 이미지 센서부 25a 광 조정판
35 마스크부 37 마스크부
40 유리면부 45a ~ g 차폐선
46 차폐선 47a ~ c 차폐선
50 노광부 55 화상 처리부
60 노광 제어부 70 마스크부 위치 조정 유니트
75 얼라인먼트 마크 80 화상 획득창
87 노광창 100 노광 장치
200 노광 장치5 substrate 10 substrate carrying section
20 image detecting light source part 21 light source part
22 Exposure window 23 Image acquisition window
25 Image sensor section 25a Light control panel
35 mask part 37 mask part
40 glass surface portion 45a-g shielding line
46 shielding line 47a ~ c shielding line
50 exposure section 55 image processing section
60 Exposure Control Unit 70 Mask Position Positioner Unit
75 Alignment mark 80 Image acquisition window
87 Exposure window 100 Exposure device
200 exposure apparatus

Claims

A mask portion having an image acquisition window for acquiring an image;
A glass surface portion formed of a glass material adhered to the image acquisition window in the lower portion of the mask portion using an adhesive layer,
And a shielding line group provided with a shielding line made of a shielding material on the image acquisition window and the glass surface portion, respectively.

The method according to claim 1,
Wherein the shielding line group includes at least two shielding lines constituted by a shielding material disposed on the glass surface portion so as to traverse the image acquiring window and at least two shielding lines disposed on the lower surface of the masking portion for traversing the image acquiring window Shielding lines are provided in parallel to each other.

3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the calibration mask has a plurality of alignment marks on the surface of the mask portion.

The method according to claim 2 or 3,
Wherein when the number of shielding lines disposed on the glass surface portion is three or more, the shielding lines are arranged at equal intervals.

The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein when the number of shielding lines disposed on the lower surface of the mask portion is three or more, the shielding lines are arranged at even intervals.

A calibration method for measuring a resolution of an exposure apparatus,
A glass surface portion composed of a glass material adhered by using an adhesive layer in the vicinity of the image acquisition window at a lower side of the mask portion and an image acquisition window for acquiring an image; Light is transmitted through a calibration mask having a shielding line group provided with respective shielding lines,
Receiving the transmitted light except for the shield line group, converting the received light into image information from above,
And the resolution information is measured based on the image information.