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KR20140140305A - Display device - Google Patents

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KR20140140305A
KR20140140305A KR20130060980A KR20130060980A KR20140140305A KR 20140140305 A KR20140140305 A KR 20140140305A KR 20130060980 A KR20130060980 A KR 20130060980A KR 20130060980 A KR20130060980 A KR 20130060980A KR 20140140305 A KR20140140305 A KR 20140140305A
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KR
South Korea
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pixel circuits
column
pixel circuit
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KR20130060980A
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Korean (ko)
Inventor
전성곤
Original Assignee
네오뷰코오롱 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 발광소자로 유기전계 발광소자를 이용하는 표시장치에 관한 것으로, 표시장치(10)는 n행 m열(m, n은 각각 자연수)의 복수의 화소회로(Px(i,j))를 구비하며, n행 m열의 복수의 화소회로는 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열을 단위로 하는 복수 쌍의 화소회로 열로 이루어지고, 한 쌍의 화소회로 열(Px(i,j))은 계조 신호를 인가하는 데이터 라인(Ldj)을 공유하며, 상기 m행 n열의 복수의 화소회로에 각각 행 단위로 행 선택신호를 인가하는 게이트 라인은 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgiodd)과 짝수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgieven)의 2개의 게이트 라인으로 이루어진다.The present invention relates to a display device using an organic electroluminescent device as a light emitting device, and a display device 10 includes a plurality of pixel circuits Px (i, j) of n rows and m columns (m and n are natural numbers respectively) And a plurality of pixel circuits of n rows and m columns are composed of a plurality of pairs of pixel circuit columns each consisting of a pair of pixel circuit columns composed of pixel circuits of two columns of odd and even columns adjacent to each other, The row (Px (i, j)) shares a data line (Ldj) for applying a gray-scale signal, and a gate line for applying row selection signals to the plurality of pixel circuits in the m- The gate line Lgiodd for the circuit and the gate line Lgieven for the even-column pixel circuit.

Figure P1020130060980
Figure P1020130060980

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시장치 및 표시방법에 관한 것으로, 특히 발광소자로 유기전계 발광소자를 사용하는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a display method, and more particularly to an organic light emitting display device using an organic electroluminescent device as a light emitting device.

유기전계발광소자(이하 「유기EL소자」라 한다)는 유리 등의 투명한 기판상에 형성된 양극과 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극 사이에 유기화합물을 포함하는 유기발광 층을 삽입 형성한 구조를 가지며, 상기 한 쌍의 전극으로부터 유기발광 층에 정공(hole) 및 전자(electron)를 주입하여 재결합시킴으로써 여기자(exciton)를 생성시켜서, 이 여기자의 활성이 상실될 때의 광의 방출을 이용하여 표시 등을 하는 발광소자이다.An organic electroluminescent device (hereinafter referred to as " organic EL device ") has a structure in which an organic light emitting layer containing an organic compound is inserted between a pair of electrodes formed of a positive electrode and a negative electrode formed on a transparent substrate such as glass, Holes and electrons are injected into the organic light emitting layer from the pair of electrodes to recombine the excitons to emit excitons to emit light when the excitons lose their activity, Emitting device.

이 유기EL 발광소자를 발광소자로서 이용하는 유기전계발광 표시장치(이하 간단하게 「유기발광 표시장치」라고 표기하는 경우도 있다)는 경량, 박형이면서 다른 표시장치에 비해 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하여 차세대 평판 표시장치로서 주목받고 있다.An organic electroluminescent display device using the organic electroluminescent device as a light emitting device (hereinafter sometimes simply referred to as " organic electroluminescent display device ") is lightweight and thin and has excellent brightness and viewing angle characteristics Has attracted attention as a next generation flat panel display device.

도 1은 종래의 일반적인 유기발광 표시장치의 구동부의 구성을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of a driving unit of a conventional organic light emitting display device.

도 1 (a)에 도시하는 것과 같이, 종래의 유기발광 표시장치(1)는 n행, m열의 복수의 화소회로(11(i,j))(i=1~n,j=1~m, m, n은 각각 자연수)와 게이트 드라이버(행 선택 드라이버)(12)와 데이터 드라이버(14)와 컨트롤러(15) 및 미 도시의 애노드 드라이버를 구비한다.1 (a), a conventional organic light emitting diode display device 1 includes a plurality of pixel circuits 11 (i, j) (i = 1 to n, j = 1 to m , a gate driver (row selection driver) 12, a data driver 14, a controller 15, and an anode driver (not shown).

또, 화소회로(11(i,j))는 화상의 각 화소에 대응하는 것으로, 도 1 (b)에 나타내는 것과 같이 각 화소회로(11(i,j))는 유기EL소자(101)와 2개의 트랜지스터(T11, T12) 및 커패시터(C1)를 구비한다.1 (b), each pixel circuit 11 (i, j) corresponds to each pixel of the image, and each pixel circuit 11 (i, j) Two transistors T11 and T12, and a capacitor C1.

컨트롤러(15)의 제어 하에 게이트 드라이버(12)가 High 레벨의 출력신호(OUT[k])를 순차 게이트 라인(Lg1, Lg2,…, Lgn)에 출력하면 화소회로(11(1,1)~11(1,m), 11(2,1)~11(2,m), …, 11(n,1)~11(n,m))가 순차 선택되고, 데이터 드라이버(14)는 공급된 화소 데이터에 의한 계조 신호를 각각 데이터 라인(Ld1-Ldm)에 인가하여, 선택된 화소회로(11(1,1)~11(1,m), 11(2,1)~11(2,m), …, 11(n,1)~11(n,m))의 각각의 커패시터(C1)에 계조 신호를 기입한다.The gate driver 12 sequentially outputs the high level output signal OUT [k] to the gate lines Lg1, Lg2, ..., Lgn under the control of the controller 15, (N, 1) to 11 (n, m) are sequentially selected and the data driver 14 selects (1, 1) to 11 (1, m), 11 (2,1) to 11 (2, m) by applying the gradation signals based on the pixel data to the data lines Ld1 to Ldm, , 11 (n, 1) to 11 (n, m)).

이상과 같은 방법으로 기입이 완료하면 컨트롤러(15)는 미 도시의 애노드 드라이버를 제어하여, 애노드 드라이버가 High 레벨의 애노드 전압신호(VDD(1)~VDD(n))를 애노드 라인(La(1)~La(n))에 출력하고, 이에 의해 화소회로(11(i,j))의 트랜지스터(T12)는 각 커패시터(C1)가 보유한 전압을 게이트 전압으로 하여, 이 게이트 전압(Vgs)에 대응하는 전류를 유기EL소자(101)에 공급함으로써 발광한다.When the writing is completed in this manner, the controller 15 controls the unillustrated anode driver so that the anode driver supplies the anode voltage signals VDD (1) to VDD (n) at the high level to the anode lines La ) To La (n), whereby the transistor T12 of the pixel circuit 11 (i, j) uses the voltage held by each capacitor C1 as the gate voltage, and outputs the gate voltage Vgs And supplies a corresponding current to the organic EL element 101 to emit light.

그러나 도 1의 유기발광 표시장치(1)에서는 각 행 단위당 1개의 게이트 라인과 각 열 단위당 1개의 데이터 라인을 구비하며, 각 화소회로는 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 위치에 형성된다.However, in the OLED display 1 of FIG. 1, one gate line per row unit and one data line per column unit are formed, and each pixel circuit is formed at a position where the gate line and the data line cross each other.

따라서 예를 들어 유기발광 표시장치가 VGA급(640×480)의 해상도를 갖는 표시장치인 경우에는 640개의 게이트 라인이 필요하고, 컬러 표시장치의 경우에는 1440(=480×3)개의 데이터 라인이 필요하며, HD급(1280×720)의 해상도를 갖는 표시장치인 경우에는 1280개의 게이트 라인이 필요하고, 컬러 표시장치의 경우 2160(=720×3)개의 데이터 라인이 필요하다.Therefore, for example, when the organic light emitting display device is a display device having a resolution of VGA (640 × 480), 640 gate lines are required, and in the case of the color display device, 1440 (= 480 × 3) 1280 gate lines are required for a display device having an HD (1280 x 720) resolution, and 2160 (= 720 x 3) data lines are required for a color display device.

한편, 도 1에서는 설명의 편의를 위해 컨트롤러를 비롯한 각 드라이버가 복수의 화소회로로 이루어지는 표시부의 좌우 및 상단에 각각 배치되어 있는 것으로 도시되어 있지 않으나, 실제 표시장치에서는 통상 직사각형 형상의 외측 프레임(이 부분을 베젤(bezel)이라 한다)의 중앙부에 표시부가 배치되고, 컨트롤러를 비롯한 각종 드라이버는 각각 IC 등의 형태로 사각형상의 베젤의 하부에 배치되며, 게이트 라인 및 각 애노드 라인 등은 상기 IC로부터 인출되어 좌우 측 베젤을 통해서 각각 행 방향으로 연장 배열되고, 데이터 라인은 상기 IC로부터 표시부의 수직방향으로 연장 배열된다.In FIG. 1, for convenience of description, each driver including a controller is not shown as being arranged at the right and left sides of a display unit composed of a plurality of pixel circuits, but in an actual display device, And the various drivers including the controller are respectively disposed in the lower part of the rectangular bezel in the form of IC or the like and the gate line and each anode line are drawn out from the IC And extend in the row direction through the left and right side bezels, and the data lines extend from the IC in the vertical direction of the display portion.

따라서 게이트 라인을 비롯한 각종 라인의 개수가 많아질수록 표시장치의 베젤의 폭은 넓어질 수밖에 없고, 또, 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 교차점에서 발생하는 기생 정전용량에 의해 이른바 RC 지연 및 전압강하의 발생도 커지므로 게이트 라인을 비롯한 각종 라인을 구성하는 배선의 수는 가능한 한 적은 것이 좋으며, IC와 각 화소회로 사이를 연결하는 각 라인의 개수를 줄이기 위해서는 1개의 게이트 라인으로 2개 행 이상의 화소를 구동하는 방법, 즉, 2개 행의 화소가 1개의 게이트 라인을 공유하는 방법, 또는, 2개 열의 화소가 1개의 데이터 라인을 공유하는 방법 등을 생각할 수 있다.Therefore, as the number of various lines including the gate line increases, the width of the bezel of the display device must be widened. Also, due to the parasitic capacitance generated at the intersection of the gate line and the data line, The number of lines constituting various lines including the gate line should be as small as possible. In order to reduce the number of lines connecting the IC and each pixel circuit, one gate line is required to have two or more rows of pixels A method in which two rows of pixels share one gate line or a method in which two rows of pixels share one data line can be considered.

상기 방법 중 2개 열의 화소가 1개의 데이터 라인을 공유하는 방법으로 특허문헌 1에 기재된 표시장치가 공지되어 있다.A display device described in Patent Document 1 is known as a method in which pixels of two columns share one data line.

도 2는 특허문헌 1에 기재된 종래의 유기발광 표시장치의 개략적인 구성을 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a conventional organic light emitting diode display device described in Patent Document 1. In FIG.

도 2 (a)에 나타내는 것과 같이, 특허문헌 1의 유기발광 표시장치는 복수의 선택 게이트 라인(S1-Sn)과 복수의 발광 게이트 라인(Em11-Em1n, Em21-Em2n)과 복수의 데이터 라인(D1-Dm) 및 복수의 단위 화소(110)를 포함하고, 각 단위 화소(110)는 열 방향으로 배열된 2개의 서브 픽셀(111,112)로 이루어진다.2A, the organic light emitting diode display of Patent Document 1 includes a plurality of selection gate lines S1-Sn, a plurality of light emission gate lines Em11-Em1n, Em21-Em2n, and a plurality of data lines And a plurality of unit pixels 110. Each unit pixel 110 includes two sub pixels 111 and 112 arranged in a column direction.

또, 도 2 (b)에 나타내는 것과 같이, 하나의 단위 화소에 형성된 2개의 서브 픽셀(111,112)은 하나의 선택 게이트 라인과 화소 구동부(115)를 공유하며, 화소 구동부(115)는 구동 트랜지스터(M1)와 스위칭 트랜지스터(M2) 및 커패시터(C1)를 포함한다.2B, the two sub pixels 111 and 112 formed in one unit pixel share one pixel and the pixel driving part 115, and the pixel driving part 115 is connected to the driving transistor M1, a switching transistor M2 and a capacitor C1.

또, 스캔 드라이버(200)는 하나의 필드를 2개의 서브필드로 분할하여, 각 서브필드에서 복수의 선택 게이트 라인(S1-Sn)에 선택신호를 순차적으로 인가하는 동시에, 하나의 서브필드에서 복수의 발광 게이트 라인(Em11-Em1n)에 발광신호를 순차적으로 인가하고, 다음 서브필드에서 복수의 발광 게이트 라인(Em21-Em2n)에 발광신호를 순차적으로 인가한다.In addition, the scan driver 200 divides one field into two subfields, sequentially applies a selection signal to a plurality of selection gate lines (S1-Sn) in each subfield, and a plurality The emit signal is sequentially applied to the emit gate lines Em11-Em1n of the first subfield, and the emit signal is sequentially applied to the plurality of emit gate lines Em21-Em2n in the next subfield.

그리고 데이터 드라이버(300)는 데이터 라인(D1-Dn)에 데이터신호를 인가하며, 하나의 서브필드에서는 서브 픽셀(111)에 대응하는 데이터신호를 인가하고 다음 서브필드에서는 서브 픽셀(112)에 대응하는 데이터신호를 인가한다.The data driver 300 applies a data signal to the data lines D1 to Dn and applies a data signal corresponding to the subpixel 111 in one subfield and corresponds to the subpixel 112 in the next subfield. The data signal is applied.

또, 특허문헌 2 내지 5에도 특허문헌 1과 마찬가지로 복수의 선택 게이트 라인(S1-Sn)과 복수의 발광 게이트 라인(Em11-Em1n, Em21-Em2n)과 복수의 데이터 라인(D1-Dm) 및 복수의 단위 화소(110)를 포함하고, 각 단위 화소(110)는 열 방향으로 배열된 2개의 서브 픽셀(111,112)로 이루어지며, 각 단위 화소에 형성된 2개의 서브 픽셀은 하나의 선택 게이트 라인과 화소 구동부(115)를 공유하는 표시장치가 기재되어 있다.In Patent Documents 2 to 5, a plurality of selection gate lines (S1-Sn), a plurality of light emission gate lines (Em11-Em1n, Em21-Em2n), a plurality of data lines (D1-Dm) Each unit pixel 110 includes two sub-pixels 111 and 112 arranged in a column direction, and two sub-pixels formed in each unit pixel are divided into one select gate line and pixel A display device sharing the driver 115 is described.

특허문헌 1 : 공개특허 2005-0000759호 공보Patent Document 1: JP-A-2005-0000759 특허문헌 2 : 공개특허 2004-0037266호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-0037266 특허문헌 3 : 공개특허 2004-0037288호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-0037288 특허문헌 4 : 공개특허 2004-0038260호 공보Patent Document 4: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-0038260 특허문헌 5 : 공개특허 2004-0038261호 공보Patent Document 5: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-0038261

상기 특허문헌 1 내지 5의 기술은 각 단위 화소에 형성된 2개의 서브 픽셀이 하나의 선택 게이트 라인과 화소 구동부를 공유하므로, 1개의 데이터 라인(Dj)과 1개의 선택 게이트 라인(Si) 및 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터(C1)로 이루어지는 화소 구동부(115)가 2개의 서브 픽셀(111,112)을 공유하게 되며, 이에 의해 데이터 라인(Dj)과 선택 게이트 라인(Si) 및 화소 구동부(115)를 구성하는 트랜지스터 및 커패시터의 개수를 감소시킬 수 있는 것으로도 보인다.Since the two subpixels formed in each unit pixel share one select gate line and the pixel driver, the description of the above Patent Documents 1 to 5 is based on the fact that one data line Dj, one select gate line Si, A pixel driver 115 including a transistor and a capacitor C1 shares two sub pixels 111 and 112 to thereby constitute a data line Dj and a selection gate line Si and a pixel driver 115 It is possible to reduce the number of transistors and capacitors.

그러나 상기 특허문헌 1 내지 5의 표시장치는 각 단위 화소(110)를 열 방향으로 배열된 2개의 서브 픽셀(111,112)로 구분하여 구동하고 있으므로, 선택 게이트 라인(S1-Sn) 이외에도 별도로 2개의 발광 게이트 라인(Em11-Em1n) 및 발광 게이트 라인(Em21-Em2n)을 복수 필요로 하고, 또, 2개의 발광 게이트 라인(Em11-Em1n) 및 발광 게이트 라인(Em21-Em2n)에 연결된 2개의 트랜지스터(M3a 및 M3b)를 더 필요로 하므로, 결과적으로 단위 화소당 트랜지스터의 개수는 종래와 동일하고, 게이트 라인(게이트 라인)의 수는 오히려 증가하게 되므로, 오히려 각 화소에 신호를 공급하는 전체 신호라인의 개수는 증가하며, 이는 RC 지연 및 전압강하의 증가, 나아가서는 표시장치의 개구율의 저하와 함께 해상도의 저하로 이어진다.However, since the display devices of Patent Documents 1 to 5 divide each unit pixel 110 into two sub-pixels 111 and 112 arranged in the column direction and drive them separately, Two transistors M3a (Em1-Em1n) connected to the two light-emitting gate lines (Em11-Em1n) and the light-emitting gate lines (Em21-Em2n) need a plurality of gate lines (Em11-Em1n) And M3b. As a result, the number of transistors per unit pixel is the same as that of the related art, and the number of gate lines (gate lines) is rather increased. Therefore, the number of all signal lines , Which leads to an increase in RC delay and voltage drop, and furthermore, a decrease in the aperture ratio of the display device and a decrease in resolution.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 표시장치의 데이터 라인의 수를 감소시킴으로써 데이터 라인의 연장 배열에 필요한 베젤의 폭을 감소시키는 동시에, 게이트 라인에서 발생하는 RC 지연 및 전압강하를 감소시키며, 나아가서는 데이터 라인의 감소에 따른 개구율의 향상과 아울러 패널의 해상도도 증가시키는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to reduce the number of data lines of a display device, thereby reducing a width of a bezel required for an extended arrangement of data lines, And further to improve the aperture ratio and the resolution of the panel as the data line decreases.

또, 본 발명은 표시장치의 애노드 라인의 개수를 감소시킴으로써 애노드 라인의 연장 배열에 필요한 베젤의 폭을 감소시키는 동시에, RC 지연 및 전압강하를 감소시키며, 나아가서는 애노드 라인의 감소에 따른 개구율의 향상과 아울러 패널의 해상도도 증가시키는 것을 목적으로 한다.Further, the present invention reduces the number of anode lines of the display device, thereby reducing the width of the bezel required for the extended arrangement of the anode lines, while reducing the RC delay and the voltage drop, and further improving the aperture ratio And to increase the resolution of the panel.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 표시장치는, n행 m열(m, n은 각각 자연수)의 복수의 화소회로를 구비하는 표시장치로, 상기 n행 m열의 복수의 화소회로는 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열을 단위로 하는 복수 쌍의 화소회로 열로 이루어지고, 상기 한 쌍의 화소회로 열은 계조 신호를 인가하는 데이터 라인을 공유하며, 상기 m행 n열의 복수의 화소회로에 각각 행 단위로 행 선택신호를 인가하는 게이트 라인은 홀수 열 화소회로용 게이트 라인과 짝수 열 화소회로용 게이트 라인의 2개의 게이트 라인으로 이루어지는 표시장치이다.A display device of the present invention for solving the above problems is a display device including a plurality of pixel circuits of n rows and m columns (m and n are natural numbers respectively), wherein the plurality of pixel circuits of the n rows and m columns are adjacent to each other And a plurality of pairs of pixel circuit columns each including a pair of pixel circuit columns constituted by pixel circuits of two columns of an odd column and an even column, wherein the pair of pixel circuit columns share a data line for applying gray level signals, a gate line for applying a row selection signal to each of a plurality of pixel circuits of m rows and n columns on a row basis is composed of a gate line for an odd column pixel circuit and a gate line for an even column pixel circuit.

또, 본 발명의 표시장치는, n행 m열(m, n은 각각 자연수)의 복수의 화소회로를 구비하는 표시장치로, 열 방향으로 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열을 단위로 하는 복수 쌍의 화소회로 열과, 상기 홀수 열 화소회로에 각각 행 단위로 행 선택신호를 인가하는 홀수 열 화소회로용 게이트 라인과, 상기 짝수 열 화소회로에 각각 행 단위로 행 선택신호를 인가하는 짝수 열 화소회로용 게이트 라인과, 상기 한 쌍의 화소회로 열 단위로 계조 신호를 인가하는 데이터 라인을 구비하는 표시장치이다.The display device of the present invention is a display device having a plurality of pixel circuits of n rows and m columns (m and n are natural numbers respectively), and is composed of pixel circuits of two columns of odd number columns and even number columns adjacent to each other in the column direction An odd column pixel circuit gate line for applying a row select signal to each of the odd column pixel circuits on a row basis; A gate line for an even-numbered column circuit for applying a row selection signal in units of a pixel circuit unit and a data line for applying a gray-scale signal in units of the pair of pixel circuit columns.

상기 한 쌍의 화소회로 열의 짝수 열 화소회로와 당해 한 쌍의 화소회로 열에 인접하는 다른 한 쌍의 화소회로 열의 홀수 열 화소회로는 각 화소회로에 애노드 전압을 인가하는 애노드 라인을 공유하도록 해도 좋다.The even-numbered pixel circuits of the pair of pixel circuit columns and the odd-numbered column pixel circuits of the other pair of pixel circuit columns adjacent to the pair of pixel circuit columns may share the anode line for applying the anode voltage to each pixel circuit.

상기 복수의 화소회로는 각각, 상기 행 선택신호에 의해 구동하여 화상 데이터의 계조를 나타내는 계조 신호를 커패시터의 일단에 인가하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터에 의해 구동하여 상기 계조 신호에 의거한 전류를 유기EL소자에 공급하는 구동 트랜지스터와, 상기 계조 신호를 충전하는 커패시터와, 상기 전류의 전류량에 대응하는 휘도로 발광하는 유기EL소자를 포함하며, 상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 상기 홀수 열 화소회로용 게이트 라인과 접속되고, 상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 상기 짝수 열 화소회로용 게이트 라인과 접속하도록 해도 좋다.Wherein each of the plurality of pixel circuits includes a switching transistor which is driven by the row selection signal and applies a gradation signal representing the gradation of the image data to one end of the capacitor and a current control circuit which is driven by the switching transistor to output a current based on the gradation signal Wherein the switching transistor of the odd column pixel circuit comprises a driving transistor for supplying a driving current to the organic EL element, a capacitor for charging the gray level signal, and an organic EL element for emitting light with a luminance corresponding to the current amount of the current, And the switching transistors of the even column pixel circuits may be connected to the gate lines for the even column pixel circuits.

상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터와 상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 n채널형 FET로 해도 좋다.And the switching transistors of the odd column pixel circuits and the even column pixel circuits may be n-channel FETs.

또, 상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터와 상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 p채널형 FET로 해도 좋다.The switching transistors of the odd column pixel circuits and the even column pixel circuits may be p-channel FETs.

상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 게이트가 상기 홀수 열 화소회로용 게이트 라인에 접속되고, 소스와 드레인은 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 및 상기 커패시터의 일단 사이에서 제 1 전류통로를 형성하며, 상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 게이트가 상기 짝수 열 화소회로용 게이트 라인에 접속되고, 소스와 드레인은 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 및 상기 커패시터의 일단 사이에서 제 1 전류통로를 형성하며, 상기 구동 트랜지스터는 게이트가 상기 제 1 전류통로의 일단 및 상기 커패시터의 일단에 접속되고, 소스와 드레인은 상기 커패시터의 타단 및 애노드 전원 단자와 유기EL소자 사이에서 제 2 전류통로를 형성하는 것으로 해도 좋다.A switching transistor of the odd-number column pixel circuit has a gate connected to the gate line for the odd-numbered column pixel circuit, a source and a drain form a first current path between the data line and the gate of the driving transistor and one end of the capacitor , The switching transistor of the even column pixel circuit has a gate connected to the gate line for the even column pixel circuit and a source and a drain form a first current path between the data line and the gate of the driving transistor and one end of the capacitor Wherein the driving transistor has a gate connected to one end of the first current path and one end of the capacitor, and a source and a drain form a second current path between the other end of the capacitor and the anode power supply terminal and the organic EL element Maybe.

본 발명에 의하면 표시장치의 데이터 라인의 수를 절반으로 감소시킬 수 있어서 데이터 라인이 다른 신호를 공급하는 라인과 교차하는 교차점의 수가 감소하며, 이에 의해 상기 교차점에서 발생하는 기생정전용량도 감소하여 게이트 라인으로부터 공급되는 행 선택신호의 RC 지연(RC Delay)이 감소하고, 또, 게이트 라인에서 발생하는 전압강하(IR Drop)도 감소시킬 수 있다.According to the present invention, the number of data lines of the display device can be reduced in half, so that the number of intersections at which the data lines intersect the lines supplying different signals decreases, thereby reducing the parasitic capacitance at the intersections, The RC delay (RC delay) of the row selection signal supplied from the line decreases, and the voltage drop (IR Drop) generated in the gate line can also be reduced.

또, 데이터 라인의 수가 종래에 비해 절반으로 감소하므로 표시장치의 개구율이 증가하며, 이에 의해 표시장치의 해상도를 증가시킬 수 있다.In addition, since the number of data lines is reduced to half compared with the conventional one, the aperture ratio of the display device increases, thereby increasing the resolution of the display device.

또, 본 발명은 애노드 라인의 수를 대폭 줄일 수 있으므로 상기 데이터 라인의 감소에 따른 효과와 동일한 효과도 얻을 수 있다.In addition, since the number of anode lines can be greatly reduced, the present invention can achieve the same effect as the reduction of the data lines.

도 1은 종래의 일반적인 유기발광 표시장치의 구동부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 유기발광 표시장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시형태의 표시장치의 구동부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 표시장치의 화소회로의 개략적인 구성을 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시형태의 표시장치의 구동 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.
FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of a driving unit of a conventional organic light emitting display device.
2 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional organic light emitting diode display.
3 is a diagram showing the configuration of a driving unit of a display device according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram showing a schematic configuration of the pixel circuit of the display device of Fig.
5 is a timing chart showing driving timings of a display apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시형태의 표시장치의 구동부의 구성을 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3의 표시장치의 일부 화소회로의 개략적인 구성을 나타내는 회로도이다.FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a driving section of a display apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a schematic configuration of some pixel circuits of the display apparatus of FIG.

도 3에 도시하는 것과 같이, 본 실시형태의 표시장치(10)는 n행 m열(m, n은 각각 자연수)의 복수의 화소회로(Px(i,j))(i=1~n, j=1~m, m, n은 각각 자연수)로 이루어지는 표시부와 게이트 드라이버(행 선택 드라이버)(12)와 데이터 드라이버(14)와 애노드 드라이버(13) 및 컨트롤러(15)를 구비한다.3, the display device 10 of the present embodiment includes a plurality of pixel circuits Px (i, j) (i = 1 to n, n, (a row selection driver) 12, a data driver 14, an anode driver 13, and a controller 15, each of which is composed of a gate driver (j = 1 to m, m and n are natural numbers).

여기서, 화소회로(Px(i,j))는 상기 표시부의 각 화소에 대응하는 것이다.Here, the pixel circuit Px (i, j) corresponds to each pixel of the display section.

또, 본 실시형태의 표시장치(10)는 표시부를 구성하는 n행 m열의 복수의 화소회로가 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열을 단위로 하는 복수 쌍의 화소회로 열로 이루어지고, 상기 한 쌍의 화소회로 열, 즉, 예를 들어 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1~n,1))와 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2~n,2)로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열이 데이터 드라이버(14)로부터 공급되는 계조 신호를 각 화소회로에 인가하는 데이터 라인(Ld1)을 공유하고 있다.The display device 10 of the present embodiment is a display device in which a plurality of pixel circuits of n rows and m columns constituting a display unit are constituted of a plurality of pixel circuit columns each consisting of a pixel circuit composed of two rows of odd- For example, an odd column pixel circuit (Pxodd (1,1 to n, 1)) and an even column pixel circuit (Pxeven (1,2 to n And 2 share a data line Ld1 for applying a gray scale signal supplied from the data driver 14 to each pixel circuit.

또, 다음 쌍의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,3~n,3))와 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,4~n,4)로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열도 데이터 드라이버(14)로부터 인가되는 계조 신호를 공급하는 데이터 라인(Ld2)을 공유하고 있다.A pair of pixel circuit arrays consisting of the odd-numbered column pixel circuits Pxodd (1,3 to n, 3) and the even-numbered column pixels Pxeven (1,4 to n, 4) And a data line Ld2 for supplying a gray-scale signal to be applied.

동일한 방법으로, 마지막 쌍의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,m-1~n,m-1))와 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,m~n,m)로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열도 데이터 드라이버(14)로부터 인가되는 계조 신호를 공급하는 데이터 라인(Ldm/2, m은 짝수)을 공유하고 있다.In the same manner, a pair of pixel circuits (Pxodd (1, m-1 to n, m-1) composed of the last pair of odd column pixel circuits (Ldm / 2, m is an even number) for supplying a gray-scale signal applied from the archival data driver 14.

한편, 본 실시형태의 표시장치(10)에서는 열 방향으로 첫 번째 한 쌍의 화소회로의 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2~n,2))와 두 번째 한 쌍의 화소회로의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,3~n,3))는 애노드 드라이버(13)로부터 인가되는 애노드 전압(VDD)을 공급하는 애노드 라인(La2)을 공유하고 있다.On the other hand, in the display device 10 of the present embodiment, even-numbered column circuits (Pxeven (1, 2 to n, 2)) of the first pair of pixel circuits in the column direction and odd- The pixel circuits Pxodd (1,3 to n, 3) share the anode line La2 for supplying the anode voltage VDD applied from the anode driver 13.

또, 두 번째 한 쌍의 화소회로의 짝수 열의 화소회로(Pxeven(1,4~n,4))와 세 번째 한 쌍의 화소회로의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,5~n,5))는 애노드 드라이버(13)로부터 인가되는 애노드 전압(VDD)을 공급하는 애노드 라인(La3)을 공유하고 있다.The pixel circuits Pxeven (1,4 to n, 4) in the even-numbered columns of the second pair of pixel circuits and the odd-numbered column circuits Pxodd (1,5 to n, 5) Share the anode line La3 for supplying the anode voltage VDD applied from the anode driver 13. [

동일한 방법으로, 마지막에서 두 번째 한 쌍의 화소회로의 짝수 열의 화소회로(Pxeven(1,m-2~n,m-2))와 마지막 한 쌍의 화소회로의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,m-1~n,m-1))도 애노드 드라이버(13)로부터 인가되는 애노드 전압(VDD)을 공급하는 애노드 라인(Lan/2)을 공유하고 있다.(Pxeven (1, m-2 to n, m-2) in the even-numbered column of the last and the second pair of pixel circuits and the odd column pixel circuit (Pxodd , m-1 to n, m-1) also share an anode line (Lan / 2) for supplying the anode voltage VDD applied from the anode driver 13.

그러나 제 1열 및 제 m열의 화소회로 열은 2개 열이 애노드 라인을 공유하는 것이 아니라, 1개 열당 하나의 애노드 라인을 갖는다. 즉, 제 1열째의 화소회로 열(Pxodd(1,1~n,1))은 애노드 라인(La1)으로부터 애노드 전압(VDD)이 인가되고, 제 m열째의 화소회로 열(Pxodd(1,m~n,m))은 애노드 라인(Lan/2+1)으로부터 애노드 전압(VDD)이 인가된다.However, the pixel circuits in the first column and the m-th column do not share the anode lines in the two columns, but have one anode line in one column. That is, in the pixel circuit column Pxodd (1,1 to n, 1) in the first column, the anode voltage VDD is applied from the anode line La1 and the pixel circuit column Pxodd (1, m to n, m) is supplied with the anode voltage (VDD) from the anode line (Lan / 2 + 1).

반면에, 본 실시형태에서는 각 화소회로에 게이트 드라이버(12)로부터 공급되는 행 선택신호를 인가하는 게이트 라인을 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgiodd)와 짝수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgieven)의 2개의 게이트 라인으로 구성하고 있다.On the other hand, in the present embodiment, the gate lines for applying the row selection signals supplied from the gate driver 12 to the respective pixel circuits are connected to the gate lines Lgiodd for the odd column pixel circuits and the gate lines Lgieven for the even- It consists of two gate lines.

상기 특징을 일반화하면, 본 실시형태의 표시장치(10)는 n행 m열의 복수의 화소회로가 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열을 단위로 하는 복수 쌍의 화소회로 열로 이루어지고, 상기 한 쌍의 화소회로 열 단위로 각각 데이터 드라이버(14)로부터 공급되는 계조 신호를 각 화소회로에 인가하는 데이터 라인을 공유하고 있다.In general, the display device 10 of the present embodiment has a structure in which a plurality of pixel circuits of n rows and m columns are constituted of a plurality of pixel circuit columns each consisting of a pixel circuit composed of two columns of odd-numbered columns and even- And a data line for applying a gray scale signal supplied from the data driver 14 to each pixel circuit in the pair of pixel circuit column units is shared.

또, 본 실시형태에서는 상기 복수 쌍의 화소회로 열 중 어느 한 쌍의 화소회로 열의 짝수 열 화소회로와 그 다음의 쌍의 화소회로 열의 홀수 열 화소회로가 애노드 드라이버(13)로부터 각 화소회로에 애노드 전압(VDD)을 인가하는 애노드 라인을 각각 공유하고 있다(단, 제 1열과 제 m열을 제외한다).In this embodiment, the even-numbered column circuit of any one of the plurality of pairs of pixel circuit columns and the odd-numbered column circuit of the next pair of pixel circuit columns are connected to the respective anode- And the anode line to which the voltage VDD is applied (except for the first column and the m-th column).

또, 본 실시형태에서는 각 화소회로에 각각 행 단위로 게이트 드라이버(12)로부터 공급되는 행 선택신호를 인가하는 게이트 라인을 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgiodd)과 짝수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgieven)으로 이루어지는 2개의 게이트 라인으로 하고 있다.In this embodiment, a gate line for applying a row selection signal supplied from the gate driver 12 to each pixel circuit on a row-by-row basis is connected to the gate line Lgiodd for the odd column pixel circuit and the gate line Lgiodd for the even- Lgieven).

이에 따라 게이트 드라이버(12)로부터 각 게이트 라인을 통해서 행 단위로 공급되는 행 선택신호는 1 펄스기간을 전반 1/2 펄스기간과 후반 1/2 펄스기간으로 구분하여, 전반 1/2 펄스기간에는 High 레벨의 신호를 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgiodd)에 인가하고, 후반 1/2 펄스기간에는 High 레벨의 신호를 짝수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgieven)에 인가한다.Accordingly, the row selection signal supplied from the gate driver 12 through each gate line in units of rows is divided into a first half pulse period and a second half pulse period, A signal of a high level is applied to the gate line Lgiodd of the odd column pixel circuit, and a signal of High level is applied to the gate line Lgieven of the even column pixel circuit in the second half pulse period.

이와 같이 본 실시형태의 표시장치(10)는 1개의 데이터 라인을 2개 열의 화소회로 열이 공유하고 있으므로, 종래의 표시장치(1)에 비해 데이터 라인의 수를 절반(1/2)으로 감소시킬 수 있다.As described above, in the display device 10 of the present embodiment, the number of data lines is reduced by half (1/2) as compared with the conventional display device 1 because one data line is shared by two columns of pixel circuit columns. .

또, 제 1열과 제 m열을 제외한 어느 한 쌍의 화소회로 열의 짝수 열 화소회로와 그 다음의 쌍의 화소회로 열의 홀수 열 화소회로가 각각 애노드 라인을 공유하므로, 종래의 표시장치(1)에 비해 애노드 라인의 수를 절반 가까이(정확하게는 m/2-1개) 감소시킬 수 있다.In addition, since the even-numbered pixel circuits of a pair of pixel circuit rows except for the first column and the mth column and the odd-numbered column pixel circuits of the next pair of pixel circuit columns share the anode line, the conventional display device 1 The number of anode lines can be reduced to about half (precisely m / 2-1).

다음에, 본 실시형태의 화소회로의 상세에 대해서 설명한다.Next, the pixel circuit of this embodiment will be described in detail.

도 4는 도 3의 표시장치의 전체 화소 중 일부 화소의 화소회로의 개략적인 구성을 나타내는 회로도이며, 도 4에서는 설명의 편의상 도 3의 n행 m열의 복수의 화소회로 중 표시장치(10)의 좌측 상단으로부터 2행 6열의 화소회로인 화소회로 Pxodd(1,1) 내지 Pxeven(1,6)과 Pxodd(2,1) 내지 Pxeven(2,6)만을 나타내고 있다.Fig. 4 is a circuit diagram showing a schematic configuration of pixel circuits of some pixels among all the pixels of the display device of Fig. 3. In Fig. 4, for convenience of explanation, among the plurality of pixel circuits of row n, row m, Only the pixel circuits Pxodd (1,1) to Pxeven (1,6) and Pxodd (2,1) to Pxeven (2,6), which are pixel circuits of two rows and six columns from the upper left corner.

도 4에 도시하는 것과 같이, 본 실시형태의 화소회로(Px(i,j))에서는 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1~n,1))가 각각 유기EL소자(101odd)와 2개의 트랜지스터(스위칭 트랜지스터 T11odd와 구동 트랜지스터 T12odd) 및 커패시터(Codd)를 구비하고 있고, 또, 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2~n,2))는 유기EL소자(101even)와 2개의 트랜지스터(스위칭 트랜지스터 T11even과 구동 트랜지스터 T12even) 및 커패시터(Ceven)를 구비하고 있다.4, the odd-numbered column pixel circuits Pxodd (1,1 to n, 1) in the pixel circuit Px (i, j) of the present embodiment are respectively connected to the organic EL elements 101odd and two And the even-numbered column circuits Pxeven (1 to 2, n, 2) are provided with the organic EL element 101even and two transistors (the transistors T11odd and T12odd) and the capacitor Codd A switching transistor T11even, a driving transistor T12even, and a capacitor Ceven.

또, 그 다음의 한 쌍의 화소회로 열도 마찬가지로 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,3~n,3))는 각각 유기EL소자(101odd)와 2개의 트랜지스터(스위칭 트랜지스터 T11odd와 구동 트랜지스터 T12odd) 및 커패시터(Codd)를 구비하고 있고, 또, 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,4~n,4))는 유기EL소자(101even)와 2개의 트랜지스터(스위칭 트랜지스터 T11even과 구동 트랜지스터 T12even) 및 커패시터(Ceven)를 구비하고 있다.Likewise, the odd-numbered column pixel circuits (Pxodd (1,3 to n, 3)) in the subsequent pair of pixel circuit rows are connected to the organic EL element 101odd and two transistors (the switching transistor T11odd and the driving transistor T12odd) Numbered column pixel circuits Pxeven (1,4 to n, 4) are provided with an organic EL element 101even, two transistors (switching transistor T11even and a driving transistor T12even), and a capacitor Codd Ceven).

여기서, 유기EL소자(101odd)와 유기EL소자(101even) 및 커패시터(Codd)와 커패시터(Ceven)는 각각 서로 동일한 구성을 갖는 유기EL소자 및 커패시터이고, 또, 구동 트랜지스터(T12odd)와 구동 트랜지스터(T12even)도 동일 타입의 트랜지스터이며, 커패시터(Codd, Ceven)는 각각 트랜지스터(T12odd, T12even)의 게이트와 드레인 사이에 접속된 커패시터이다.Here, the organic EL element 101odd and the organic EL element 101even, the capacitor Codd and the capacitor Ceven are organic EL elements and capacitors having the same configuration, respectively, and the driving transistor T12odd and the driving transistor T12even are transistors of the same type and capacitors Codd and Ceven are capacitors connected between the gate and drain of the transistors T12odd and T12even, respectively.

또, 스위칭 트랜지스터(T11odd)와 스위칭 트랜지스터(T11even)도 동일 타입의 트랜지스터로 하고 있고, 본 실시형태에서는 모두 n채널형 FET(Field Effect Transistor)로 구성된 TFT로 하고 있다.The switching transistor T11odd and the switching transistor T11even are also of the same type. In the present embodiment, the TFT is formed of an n-channel FET (Field Effect Transistor).

유기EL소자(101odd, 101even)는 화소 전극(애노드 전극)과 단수 혹은 복수의 캐리어 수송 층 등으로 이루어지는 유기EL 층 및 대향 전극이 순차 적층된 구조를 갖는 표시소자이며, 화소 전극(애노드 전극)에는 양극 전위의 애노드 전압(VDD)이 인가되고, 대향 전극(캐소드 전극)에는 음극 전위의 캐소드 전압(Vss)이 인가된다.The organic EL elements 101odd and 101even are display elements having a structure in which an organic EL layer composed of a pixel electrode (anode electrode), a single or plural carrier transport layers, and the like and a counter electrode are sequentially layered, and the pixel electrode The anode voltage VDD of the anode potential is applied and the cathode voltage Vss of the cathode potential is applied to the counter electrode (cathode electrode).

각 트랜지스터(T11odd, T11even, T12odd, T12even)는 각각 드레인, 소스 및 게이트를 가지며, 드레인과 소스 간에는 반도체 층이 설치되어, 드레인과 소스 간에 소정의 바이어스 전압이 인가되는 동시에 게이트에 문턱 전압보다 큰 전압이 인가된 때 반도체 층 내에 채널이 형성되며, 이 채널이 드레인과 소스 간의 전류통로가 된다.Each of the transistors T11odd, T11even, T12odd and T12even has a drain, a source and a gate, a semiconductor layer is provided between the drain and the source, a predetermined bias voltage is applied between the drain and the source, A channel is formed in the semiconductor layer, and this channel becomes a current path between the drain and the source.

홀수 열 화소회로(Pxodd(i,j))의 트랜지스터(T11odd)는 각각 커패시터(Codd)의 일단에 화상 데이터(Data)의 계조를 나타내는 계조 신호(Vdata)를 인가하기 위한 스위칭 트랜지스터이며, 앞에서 설명한 것과 같이 n채널 트랜지스터로 하고 있다.The transistor T11odd of the odd column pixel circuit Pxodd (i, j) is a switching transistor for applying a gradation signal Vdata representing the gradation of the image data Data to one end of the capacitor Codd, As well as an n-channel transistor.

홀수 열 화소회로(Pxodd(i,j))의 스위칭 트랜지스터(T11odd)의 소스는 각각 구동 트랜지스터(T12odd)의 게이트 및 커패시터(Codd)의 일단과 접속되고, 드레인은 각각 대응하는 데이터 라인(Ldj)에 접속되며, 게이트는 각각 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgiodd)과 접속된다. The sources of the switching transistors T11odd of the odd-numbered column pixel circuits Pxodd (i, j) are respectively connected to the gate of the driving transistor T12odd and one end of the capacitor Codd, and the drains thereof are connected to the corresponding data lines Ldj, And the gates thereof are connected to the gate lines Lgiodd for the odd column pixel circuits, respectively.

또, 짝수 열 화소회로(Pxeven(i,j+1))의 트랜지스터(T11even)도 커패시터(Ceven)의 일단에 화상 데이터(Data)의 계조를 나타내는 계조 신호(Vdata)를 인가하기 위한 스위칭 트랜지스터이며, 앞에서 설명한 것과 같이 n채널 트랜지스터로 구성하고 있고, 그 소스는 각각 구동 트랜지스터(T12odd)의 게이트 및 커패시터(Codd)의 일단과 접속되고, 드레인은 각각 대응하는 데이터 라인(Ldj)에 접속되며, 게이트는 각각 짝수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgieven)과 접속된다.The transistor T11even of the even column pixel circuit Pxeven (i, j + 1) is also a switching transistor for applying a gradation signal Vdata indicating the gradation of the image data Data to one end of the capacitor Ceven Channel transistors, the sources of which are connected to the gate of the driving transistor T12odd and one end of the capacitor Codd, the drains of which are connected to the corresponding data lines Ldj, Are connected to the gate lines Lgieven for the even column pixel circuits, respectively.

그리고 각각의 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lg1odd, Lg2odd, …Lgnodd)에 High 레벨의 신호가 순차 출력되면 홀수 열 화소회로(Pxodd(i,j))의 각 스위칭 트랜지스터(T11odd)는 온 하여 각각 데이터 라인(Ldj)에 입력된 계조 신호(Vdata)를 구동 트랜지스터(T12odd)의 게이트 및 커패시터(Codd)의 일단에 출력한다.When the high level signals are sequentially output to the gate lines Lg1odd, Lg2odd, ... Lgnodd for the odd column pixel circuits, the respective switching transistors T11odd of the odd column pixel circuits Pxodd (i, j) are turned on And outputs the gradation signal Vdata inputted to the data line Ldj to the gate of the driving transistor T12odd and one end of the capacitor Codd.

또, 각각의 짝수 회로용 게이트 라인(Lg1even, Lg2even,…, Lgneven)에 High 레벨의 신호가 순차 출력되면 짝수 열 화소회로(Pxeven(i,j+1))의 각 스위칭 트랜지스터(T11even)는 온 하여 각각 데이터 라인(Ldj)에 입력된 계조 신호(Vdata)를 구동 트랜지스터(T12even)의 게이트 및 커패시터(Ceven)의 일단에 출력한다.When the high level signals are sequentially output to the gate lines Lg1even, Lg2even, ..., Lgneven for the respective even-numbered circuits, the respective switching transistors T11even of the even-numbered column circuits Pxeven (i, j + And outputs the gradation signal Vdata inputted to the data line Ldj to the gate of the driving transistor T12even and one end of the capacitor Ceven.

구동 트랜지스터(T12odd 및 T12even)는 각각 계조 신호(Vdata)에 의거한 전류의 전류량을 제어하면서 홀수 열 화소회로(Pxodd(i,j))의 유기EL소자(101odd) 및 짝수 열 화소회로(Pxeven(i,j+1))의 유기EL소자(101even)에 공급하는 구동 트랜지스터이며, 게이트가 스위칭 트랜지스터(T11odd 및 T11even)의 소스 및 커패시터(Codd 및 Ceven)의 일단에 각각 접속되고, 드레인은 애노드 전원단자(VDD) 및 커패시터(Codd 및 Ceven)의 타단에 각각 접속되며, 소스는 유기EL소자(101odd 및 101even)의 애노드에 각각 접속되어 있다.The driving transistors T12odd and T12even control the amount of current of the current based on the gradation signals Vdata while controlling the organic EL elements 101odd and the even column pixel circuits Pxeven (i, j) of the odd column pixel circuits Pxodd i, j + 1), the gate of which is connected to the source of the switching transistors T11odd and T11even and the one end of the capacitors Codd and Ceven, respectively, and the drain thereof is connected to the anode power source Terminal VDD and the capacitors Codd and Ceven, respectively, and the sources are connected to the anodes of the organic EL elements 101odd and 101even, respectively.

게이트 드라이버(12)는 행 단위로 화소회로를 선택하기 위한 드라이버이며, 도 3에 도시하는 것과 같이, 본 실시형태의 게이트 드라이버(12)는 컨트롤러(15)로부터의 제어에 따라서 출력신호(OUT(1)~(n))를 각각의 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lg1odd~Lgnodd) 및 짝수 열 화소회로용 게이트 라인(Lg1even~Lgneven)에 순차 출력함으로써 차례로 행을 선택한다.3, the gate driver 12 of the present embodiment controls the gate driver 12 to select the pixel circuits on a row-by-row basis. The gate driver 12 outputs the output signals OUT ( 1) to (n) are sequentially output to the gate lines Lg1odd to Lgnodd for odd-numbered column circuits and the gate lines for the even-numbered column circuits Lg1even to Lgneven, respectively.

데이터 드라이버(14)는 각 화소회로(Px(i,j))의 각 커패시터(Codd 및 Ceven)에 공급된 화소데이터(Data)에 의거한 표시신호의 계조 신호(Vdata)를 기입하는 드라이버이며, 컨트롤러(15)로부터 공급되는 화상데이터(Data)에 따라서 행 단위로 계조 신호(Vdata)를 생성하고, 생성한 계조 신호(Vdata)를 각각 데이터 라인(Ld1~Ldm/2)을 통해서 게이트 드라이버(12)가 선택한 행의 화소회로에 공급한다.The data driver 14 is a driver for writing the gradation signal Vdata of the display signal based on the pixel data Data supplied to the capacitors Codd and Ceven of each pixel circuit Px (i, j) Generates the gradation signals Vdata in units of rows in accordance with the image data Data supplied from the controller 15 and supplies the generated gradation signals Vdata to the gate drivers 12 through the data lines Ld1 to Ldm / To the pixel circuit of the selected row.

컨트롤러(15)는 게이트 드라이버(12)와 애노드 드라이버(13) 및 데이터 드라이버(14)를 제어하며, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory) 등을 구비하고, 게이트 드라이버(12)에 클록 신호를 출력한 상태에서 스타트신호를 게이트 드라이버(12)에 공급함으로써 게이트 드라이버(12)가 동작을 개시하도록 하고, 게이트 드라이버(12)에 리셋 신호로서의 end신호를 공급함으로써 게이트 드라이버(12)의 동작을 정지한다.The controller 15 controls the gate driver 12, the anode driver 13 and the data driver 14 and includes a central processing unit (CPU), a read only memory (ROM), a random access memory (RAM) , The start signal is supplied to the gate driver 12 with the clock signal being output to the gate driver 12 so that the gate driver 12 starts to operate and the end signal as the reset signal is supplied to the gate driver 12 The operation of the gate driver 12 is stopped.

또, 컨트롤러(15)는 데이터 드라이버(14)에 스타트신호 및 화상 데이터(Data), 클록 신호 등을 공급한다.The controller 15 supplies a start signal, image data (Data), a clock signal, and the like to the data driver 14.

또, 애노드 드라이버(13)는 컨트롤러(15)의 제어에 따라 애노드 라인(Lai)을 통해 각각 화소회로(Px(i,j))의 구동 트랜지스터(T12odd 및 T12even)와 접속되어서, High 레벨 또는 Low 레벨의 애노드 전압(VDD)을 화소회로(Px(i,j))의 구동 트랜지스터(T12odd 및 T12even)에 인가하며, 컨트롤러(15)로부터의 스타트신호에 의해 동작을 개시하여 컨트롤러(15)로부터 공급된 클록 신호에 따라서 동작한다.The anode driver 13 is connected to the driving transistors T12odd and T12even of the pixel circuit Px (i, j) via the anode line Lai under the control of the controller 15, Level is supplied to the driving transistors T12odd and T12even of the pixel circuit Px (i, j) and the operation is started by the start signal from the controller 15 and supplied from the controller 15 Lt; / RTI >

본 실시형태에서는 유기EL소자(101odd,101even)의 캐소드 전압(Vss)은 0V로 설정되고, 또, 애노드 드라이버(13)로부터 공급되는 High 레벨의 전압(VDD)은 기입 처리시에 있어서 각 화소회로(Px(i,j))의 유기EL소자(101odd,101even)를 발광상태로 하기 위한 전압이며, 예를 들어 +15V로 설정되고, Low 레벨의 전압은 0V 또는 그 이하로 설정된다. 그러나 유기EL소자(101odd, 101even)의 캐소드 전압(Vss) 및 애노드 전압(VDD)은 상기 값으로 한정되는 것은 아니며, 유기EL소자(101odd, 101even)의 특성에 따라서 캐소드 전압(Vss) 및 애노드 전압(VDD)은 적절하게 설정할 수 있다.The cathode voltage Vss of the organic EL elements 101odd and 101even is set to 0 V and the voltage VDD of the High level supplied from the anode driver 13 is supplied to the pixel circuits Is set to, for example, +15 V and the voltage of the Low level is set to 0 V or less. The voltage of the organic EL element 101odd 101even of the pixel Px (i, j) However, the cathode voltage Vss and the anode voltage VDD of the organic EL elements 101odd and 101even are not limited to the above values and the cathode voltage Vss and the anode voltage Vdd may be changed according to the characteristics of the organic EL elements 101odd and 101even. (VDD) can be appropriately set.

다음에 본 실시형태의 표시장치(10)의 동작을 설명한다. 도 5는 본 발명의 바람직한 실시형태의 표시장치(10)의 구동 타이밍을 나타내는 타이밍 차트이다.Next, the operation of the display apparatus 10 of the present embodiment will be described. 5 is a timing chart showing the driving timings of the display device 10 according to the preferred embodiment of the present invention.

먼저, 설명에 앞서, 게이트 드라이버(12)로부터 게이트 라인을 통해서 각 화소회로에 인가하는 행 선택신호의 특징에 대해서 간단하게 설명한다.First, the characteristics of the row selection signal applied from the gate driver 12 to each pixel circuit through the gate line will be briefly described.

앞에서 설명한 것과 같이 본 실시형태에서는 서로 인접하는 홀수 열 화소회로(Pxodd(i,j))와 짝수 열 화소회로(Pxeven(i,j+1))로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열이 데이터 라인을 공유하고 있고, 또, 홀수 열 화소회로(Pxodd(i,j))와 짝수 열 화소회로(Pxeven(i,j+1))에 각각 행 선택신호를 인가하는 게이트 라인이 서로 다르므로 게이트 드라이버(12)로부터 각 화소회로에 인가하는 행 선택신호의 인가방식도 종래와는 다르다.As described above, in the present embodiment, a pair of pixel circuit columns formed by adjacent odd column pixel circuits (Pxodd (i, j)) and even column pixel circuits (Pxeven (i, j + 1) And the gate lines for applying the row selection signals to the odd column pixel circuits Pxodd (i, j) and the even column pixel circuits Pxeven (i, j + 1) are different from each other, 12 to the respective pixel circuits is also different from the conventional method.

도 5에 도시하는 것과 같이, 본 실시형태의 게이트 드라이버(12)는 행 선택을 위한 행 선택신호의 1 펄스기간을 전반 1/2 펄스기간과 후반 1/2 펄스기간으로 구분하고 있고, 전반 1/2 펄스기간에는 홀수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgiodd)에 High 레벨의 행 선택신호를 인가하고, 후반 1/2 펄스기간에는 짝수 열 화소회로용 게이트 라인(Lgieven)에 High 레벨의 행 선택신호를 인가함으로써 순차로 행 선택을 한다.5, the gate driver 12 of the present embodiment divides one pulse period of a row selection signal for row selection into a first half pulse period and a second half pulse period, During the / 2 pulse period, a high-level row selection signal is applied to the odd-numbered column circuit gate line Lgiodd, and in the latter half pulse period, the even-numbered column circuit gate line Lgieven receives a high- To sequentially perform row selection.

이를 도 4, 5를 이용하여 구체적으로 설명하면, 먼저, 컨트롤러(15)의 제어에 따라서 게이트 드라이버(12)가 홀수 행 화소회로용 게이트 라인(Lg1odd)을 통해서 제 1행째의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1), Pxodd(1,3), …Pxodd(1,m-1))에 전반 1/2 펄스기간의 행 선택신호를 인가한다.4 and 5, first, under the control of the controller 15, the gate driver 12 supplies the odd-numbered column pixel circuits (also referred to as " The row selection signal of the first half pulse period is applied to Pxodd (1,1), Pxodd (1,3), ... Pxodd (1, m-1).

이에 따라 전반 1/2 펄스기간의 High 레벨의 행 선택신호에 의해 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1), Pxodd(1,3), …Pxodd(1,m-1))의 각 스위칭 트랜지스터(T11odd)가 온 상태가 되어서 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1), Pxodd(1,3), …Pxodd(1,m-1))가 선택된다.(1, m-1)) of the odd-numbered column circuits (Pxodd (1,1), Pxodd (1,3), ... Pxodd The odd column pixel circuits Pxodd (1, 1), Pxodd (1, 3), ... Pxodd (1, m-1) are selected.

이어서, 후반 1/2 펄스기간에 게이트 드라이버(12)는 짝수 행 화소회로용 게이트 라인(Lg1even)을 통해서 제 1행째의 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2), Pxeven(1,4), …Pxeven(1,m))에 후반 1/2 펄스기간의 행 선택신호를 인가하면 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2), Pxeven(1,4), …Pxeven(1,m))의 각 스위칭 트랜지스터(T11even)가 온 상태가 되어서 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2), Pxeven(1,4), …Pxeven(1,m))가 선택된다.Then, in the second half pulse period, the gate driver 12 supplies the even-numbered pixel circuits Pxeven (1, 2), Pxeven (1, 4), Pxeven ..., Pxeven (1, m)) are applied to the even-numbered column circuits Pxeven (1, m) Each switching transistor T11even is turned on and the even column pixel circuits Pxeven (1, 2), Pxeven (1, 4), ... Pxeven (1, m) are selected.

이와 같은 방법으로 전반 1/2 펄스기간의 High 레벨의 행 선택신호에 의해 먼저 제 1행째의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1), Pxodd(1,3), …Pxodd(1,m-1))가 선택되면, 데이터 드라이버(14)는 데이터 라인(Ld1, Ld2, …, Ldm/2)을 통해서 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1~1,m-1))에 대해 상기 행 선택신호의 펄스기간에 공급된 화상 데이터에 의거한 계조 신호(Vdata)를 인가하며, 이에 의해 제 1행째의 홀수 열 화소회로(Pxodd(1,1), Pxodd(1,3), …Pxodd(1,m-1))의 각 커패시터(Codd)에는 각 트랜지스터(T11odd)를 통해서 이 계조 신호(Vdata)가 기입된다.In this way, odd column pixel circuits (Pxodd (1,1), Pxodd (1,3), ... Pxodd (1, m-1) 1) is selected, the data driver 14 supplies the odd-numbered column pixel circuits Pxodd (1,1 to 1, m-1) through the data lines Ld1, Ld2, ..., Ldm / (1, 1), Pxodd (1, 3), ..., Pxodd (1), and Pxodd (Vdata) is written to each capacitor (Codd) of each of the pixels (1, m, 1, m-1) through each transistor (T11odd).

다음에, 후반 1/2 펄스기간의 High 레벨의 행 선택신호에 의해 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2), Pxeven(1,4), …Pxeven(1,m))의 각 스위칭 트랜지스터(T11even)가 온 상태가 되어서 제 1행째의 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2), Pxeven(1,4), …Pxeven(1,m))가 선택되면, 데이터 드라이버(14)는 데이터 라인(Ld1, Ld2, …, Ldm/2)을 통해서 제 1행째의 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2), Pxeven(1,4), …Pxeven(1,m))에 상기 행 선택신호의 펄스기간에 공급된 화상 데이터에 의거한 계조 신호(Vdata)를 인가하며, 이에 의해 제 1행째의 짝수 열 화소회로(Pxeven(1,2), Pxeven(1,4), …Pxeven(1,m))의 각 커패시터(Ceven)에는 각 트랜지스터(T11even)를 통해서 이 계조 신호(Vdata)가 기입된다.Next, by using the high level row selection signal of the second half pulse period, each switching transistor (Pxeven (1, m)) of the even column pixel circuits (Pxeven (1, 2), Pxeven (1, m) are selected and the data driver 14 selects the even-numbered column circuits Pxeven (1, 2), Pxeven (1, m) of the row selection signal to the even-numbered column circuits Pxeven (1, 2), Pxeven (1, 4), ..., Pxeven (1, m) in the first row via the data lines Ld1, Ld2, ..., Ldm / (1, m), Pxeven (1, 4), ..., Pxeven (1, m) are applied to the even- ) Is written into each of the capacitors Ceven through the transistor T11even.

동일한 방법으로 게이트 드라이버(12)가 순차 제 2행, 제 3행, …, 제 n행째의 각 홀수 열 화소회로 및 짝수 열 화소회로를 차례로 선택하면, 이 기간에 있어서 데이터 드라이버(14)는 상기 행 선택신호의 각 펄스기간에 공급된 화상 데이터에 의거한 계조 신호(Vdata)를 선택된 화소회로에 각각 인가함으로써 선택된 화소회로의 각 커패시터(Codd)에 계조 신호(Vdata)를 순차 기입한다.In the same way, the gate driver 12 sequentially drives the second row, the third row, ... , The odd-numbered column pixel circuits in the n-th row and the even-numbered column circuits are sequentially selected. In this period, the data driver 14 outputs the gradation signals Vdata (Vdata) based on the image data supplied during each pulse period of the row selection signal ) To the selected pixel circuits, respectively, thereby sequentially writing the gray-scale signals Vdata into the respective capacitors Codd of the selected pixel circuits.

이와 같은 방법으로 순차 기입동작이 완료하면, 컨트롤러(15)는 애노드 드라이버(13)를 제어하여 High 레벨의 애노드 전압(VDD)을 애노드 라인(Lai)을 통해서 기입동작이 완료된 각 화소회로(Px(i,j))에 출력하고, 이에 의해 각 화소회로(Px(i,j))의 트랜지스터(T12odd, T12even)는 각 커패시터(Codd, Ceven)가 보유한 전압을 게이트전압(Vgs)으로 하여 이 게이트전압(Vgs)에 대응하는 전류를 유기EL소자(101odd,101even)에 공급함으로써 유기EL소자(101odd,101even)는 이 전류의 전류 값에 대응하는 휘도로 발광한다.When the sequential writing operation is completed in this manner, the controller 15 controls the anode driver 13 to turn on the anode voltage VDD of the high level through the anode line Lai to the pixel circuits Px the transistors T12odd and T12even of the respective pixel circuits Px (i, j) are supplied with the voltages held by the capacitors Codd and Ceven as gate voltages Vgs, By supplying a current corresponding to the voltage Vgs to the organic EL elements 101odd and 101even, the organic EL elements 101odd and 101even emit light with a luminance corresponding to the current value of this current.

이상 설명한 것과 같이, 본 실시형태에 의하면 표시장치(10)는 표시부를 구성하는 복수의 화소회로 중 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열이 데이터 드라이버(14)로부터 공급되는 계조 신호를 각 화소회로에 인가하는 데이터 라인을 공유하고 있으므로, 데이터 라인의 수를 절반으로 감소시킬 수 있어서 데이터 라인이 다른 신호를 공급하는 라인과 교차하는 교차점의 수가 감소하며, 이에 의해 상기 교차점에서 발생하는 기생정전용량도 감소하여 게이트 라인으로부터 공급되는 행 선택신호의 RC 지연(RC Delay)이 감소하고, 또, 게이트 라인에서 발생하는 전압강하(IR Drop)도 대폭 감소시킬 수 있다.As described above, according to the present embodiment, in the display device 10, a pair of pixel circuit columns constituted by pixel circuits of two columns of odd-numbered columns and even-numbered columns which are adjacent to each other among a plurality of pixel circuits constituting the display portion, , The number of data lines can be reduced to half, so that the number of intersections at which the data lines intersect the lines supplying different signals is reduced. The RC delay (RC delay) of the row selection signal supplied from the gate line is reduced, and the voltage drop (IR drop) generated in the gate line is also greatly reduced .

또, 데이터 라인의 수를 종래에 비해 절반으로 감소하므로 표시장치의 개구율이 증가하며, 이에 의해 표시장치의 해상도를 증가시킬 수 있다.In addition, since the number of data lines is reduced to half compared with the conventional one, the aperture ratio of the display device increases, thereby increasing the resolution of the display device.

또, 본 실시형태에서는 상기 복수 쌍의 화소회로 열 중 어느 한 쌍의 화소회로 열의 짝수 열 화소회로와 그 다음의 쌍의 화소회로 열의 홀수 열 화소회로가 애노드 드라이버(13)로부터 각 화소회로에 애노드 전압을 인가하는 애노드 라인을 공유하고 있으므로, 상기 데이터 라인의 감소에 따른 효과와 동일한 효과가 있다.In this embodiment, the even-numbered column circuit of any one of the plurality of pairs of pixel circuit columns and the odd-numbered column circuit of the next pair of pixel circuit columns are connected to the respective anode- Since the anode line to which the voltage is applied is shared, the same effect as the effect of decreasing the data line is obtained.

이상 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 범위 내에서의 다양한 변경 및 변형이 가능하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. Various changes and modifications within the scope of the present invention are possible.

상기 실시형태에서는 스위칭 트랜지스터를 홀수 열 화소회로(Pxodd(i,j)) 및 짝수 열 화소회로(Pxeven(i,j+1))의 스위칭 트랜지스터(T11odd 및 T11even)를 n채널형 FET로 하는 것으로 설명하였으나, 스위칭 트랜지스터의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 실시형태와는 반대로, p채널형 FET로 해도 좋다. 다만, 이 경우에는 게이트 드라이버(12)로부터 각 게이트 라인을 통해서 공급하는 행 선택신호의 극성을 본 실시형태와는 역으로 하면 되며, 이는 본 발명에 속하는 분야에서는 자명한 사항이므로 본 명세서에서는 상세한 설명은 생략한다.In the above embodiment, the switching transistors of the odd-number column pixel circuit Pxodd (i, j) and the even-number column pixel circuit Pxeven (i, j + 1) The configuration of the switching transistor is not limited to this, and contrary to the present embodiment, a p-channel type FET may be used. In this case, however, the polarity of the row selection signal supplied from the gate driver 12 through each gate line may be reversed from that of the present embodiment, and this is obvious in the field of the present invention, Is omitted.

또, 상기 실시형태에서는 각 화소회로의 커패시터(Codd, Ceven)는 구동 트랜지스터(T12odd, T12even)의 게이트와 드레인 사이에 접속되는 것으로 설명하였으나, 커패시터(Codd, Ceven)의 위치는 이에 한정되지는 않으며, 커패시터(Codd, Ceven)는 각각 트랜지스터(T12odd, T12even)의 게이트와 소스 사이에 접속되어도 좋다.In the above embodiment, the capacitors Codd and Ceven of the pixel circuits are connected between the gate and the drain of the driving transistors T12odd and T12even. However, the positions of the capacitors Codd and Ceven are not limited thereto And the capacitors Codd and Ceven may be connected between the gate and the source of the transistors T12odd and T12even, respectively.

10 표시장치
12 게이트 드라이버
13 애노드 드라이버
14 데이터 드라이버
15 컨트롤러
Px(i, j) 화소회로
Pxodd(i, j) 홀수 열 화소회로
Pxeven(i, j+1) 짝수 열 화소회로
Lg1odd, Lg2odd, …, Lgnodd 홀수 열 화소회로용 게이트 라인
Lg1even, Lg2even, …, Lgneven 짝수 열 화소회로용 게이트 라인
Ld1, Ld2, …, Ldm/2 데이터 라인
La1, La2, …, Lan/2+1 애노드 라인
T11 스위칭 트랜지스터
T12 구동 트랜지스터
C 커패시터
101 유기EL소자
10 display device
12 gate driver
13 Anode driver
14 data driver
15 controller
The Px (i, j) pixel circuit
Pxodd (i, j) odd column pixel circuit
Pxeven (i, j + 1) even column pixel circuits
Lg1odd, Lg2odd, ... , Lgnodd Gate lines for odd column pixel circuits
Lg1even, Lg2even, ... , Lgneven gate line for even column pixel circuit
Ld1, Ld2, ... , An Ldm / 2 data line
La1, La2, ... , Lan / 2 + 1 anode line
T11 switching transistor
T12 driving transistor
C capacitor
101 organic EL device

Claims (7)

n행 m열(m, n은 각각 자연수)의 복수의 화소회로를 구비하는 표시장치로,
상기 n행 m열의 복수의 화소회로는 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열을 단위로 하는 복수 쌍의 화소회로 열로 이루어지고,
상기 한 쌍의 화소회로 열은 계조 신호를 인가하는 데이터 라인을 공유하며,
상기 m행 n열의 복수의 화소회로에 각각 행 단위로 행 선택신호를 인가하는 게이트 라인은 홀수 열 화소회로용 게이트 라인과 짝수 열 화소회로용 게이트 라인의 2개의 게이트 라인으로 이루어지는 표시장치.
a display device having a plurality of pixel circuits of n rows and m columns (m and n are natural numbers respectively)
Wherein the plurality of pixel circuits of the n-th row and m-th column are composed of a plurality of pairs of pixel circuit columns each of which is a pair of pixel circuit columns composed of pixel circuits of two columns of odd-numbered columns and even-
Wherein the pair of pixel circuit columns share a data line for applying a gray level signal,
And a gate line for applying a row selection signal to each of a plurality of pixel circuits of the mth row and the nth column is composed of two gate lines: a gate line for an odd column pixel circuit and a gate line for an even column pixel circuit.
n행 m열(m, n은 각각 자연수)의 복수의 화소회로를 구비하는 표시장치로,
열 방향으로 서로 인접하는 홀수 열과 짝수 열의 2개 열의 화소회로로 이루어지는 한 쌍의 화소회로 열을 단위로 하는 복수 쌍의 화소회로 열과,
상기 홀수 열 화소회로에 각각 행 단위로 행 선택신호를 인가하는 홀수 열 화소회로용 게이트 라인과,
상기 짝수 열 화소회로에 각각 행 단위로 행 선택신호를 인가하는 짝수 열 화소회로용 게이트 라인과,
상기 한 쌍의 화소회로 열 단위로 계조 신호를 인가하는 데이터 라인을 구비하는 표시장치.
a display device having a plurality of pixel circuits of n rows and m columns (m and n are natural numbers respectively)
A plurality of pairs of pixel circuit columns each including a pair of pixel circuit columns formed by pixel circuits of two columns of odd-numbered columns and even-numbered columns adjacent to each other in the column direction,
A gate line for an odd-numbered column circuit for applying row selection signals to the odd-numbered column pixel circuits on a row-by-row basis,
A gate line for an even-numbered column circuit for applying a row selection signal to each of the even-numbered column circuits on a row-
And a data line for applying a gray-scale signal in units of the pair of pixel circuit columns.
청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 한 쌍의 화소회로 열의 짝수 열 화소회로와 당해 한 쌍의 화소회로 열에 인접하는 다른 한 쌍의 화소회로 열의 홀수 열 화소회로는 각 화소회로에 애노드 전압을 인가하는 애노드 라인을 공유하는 표시장치.
The method according to claim 1 or 2,
Numbered column pixel circuits of the pair of pixel circuit columns and odd-numbered column pixel circuits of another pair of pixel circuit columns adjacent to the pair of pixel circuit columns share an anode line for applying an anode voltage to each pixel circuit.
청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 복수의 화소회로는 각각,
상기 행 선택신호에 의해 구동하여 화상 데이터의 계조를 나타내는 계조 신호를 커패시터의 일단에 인가하는 스위칭 트랜지스터와,
상기 스위칭 트랜지스터에 의해 구동하여 상기 계조 신호에 의거한 전류를 유기EL소자에 공급하는 구동 트랜지스터와,
상기 계조 신호를 충전하는 커패시터와,
상기 전류의 전류량에 대응하는 휘도로 발광하는 유기EL소자를 포함하며,
상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 상기 홀수 열 화소회로용 게이트 라인과 접속되고, 상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 상기 짝수 열 화소회로용 게이트 라인과 접속되는 표시장치.
The method according to claim 1 or 2,
Each of the plurality of pixel circuits includes:
A switching transistor which is driven by the row selection signal to apply a gradation signal indicative of the gradation of the image data to one end of the capacitor,
A driving transistor driven by the switching transistor to supply a current based on the gray-scale signal to the organic EL element,
A capacitor for charging the gray-scale signal,
And an organic EL element which emits light with a luminance corresponding to an amount of the current of the current,
And the switching transistors of the odd column pixel circuits are connected to the gate lines for the odd column pixel circuits, and the switching transistors of the even column pixel circuits are connected to the gate lines for the even column pixel circuits.
청구항 4에 있어서,
상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터와 상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 n채널형 FET인 표시장치.
The method of claim 4,
And the switching transistors of the odd column pixel circuits and the even column pixel circuits are n-channel FETs.
청구항 4에 있어서,
상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터와 상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 p채널형 FET인 표시장치.
The method of claim 4,
And the switching transistors of the odd column pixel circuits and the even column pixel circuits are p-channel FETs.
청구항 4에 있어서,
상기 홀수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 게이트가 상기 홀수 열 화소회로용 게이트 라인에 접속되고, 소스와 드레인은 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 및 상기 커패시터의 일단 사이에서 제 1 전류통로를 형성하며,
상기 짝수 열 화소회로의 스위칭 트랜지스터는 게이트가 상기 짝수 열 화소회로용 게이트 라인에 접속되고, 소스와 드레인은 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 및 상기 커패시터의 일단 사이에서 제 1 전류통로를 형성하며,
상기 구동 트랜지스터는 게이트가 상기 제 1 전류통로의 일단 및 상기 커패시터의 일단에 접속되고, 소스와 드레인은 상기 커패시터의 타단 및 애노드 전원 단자와 유기EL소자 사이에서 제 2 전류통로를 형성하는 표시장치.
The method of claim 4,
A switching transistor of the odd-number column pixel circuit has a gate connected to the gate line for the odd-numbered column pixel circuit, a source and a drain form a first current path between the data line and the gate of the driving transistor and one end of the capacitor ,
The switching transistor of the even column pixel circuit has a gate connected to the gate line for the even column pixel circuit and a source and a drain form a first current path between the data line and the gate of the driving transistor and one end of the capacitor ,
Wherein the driving transistor has a gate connected to one end of the first current path and one end of the capacitor, and a source and a drain form a second current path between the other end of the capacitor and the anode power supply terminal and the organic EL element.
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