[go: up one dir, main page]

KR20140136485A - 다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법 - Google Patents

다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140136485A
KR20140136485A KR20147027957A KR20147027957A KR20140136485A KR 20140136485 A KR20140136485 A KR 20140136485A KR 20147027957 A KR20147027957 A KR 20147027957A KR 20147027957 A KR20147027957 A KR 20147027957A KR 20140136485 A KR20140136485 A KR 20140136485A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanoparticles
chamber
container
metal material
cooling gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR20147027957A
Other languages
English (en)
Inventor
나오키 우치야마
토모미 카나이
Original Assignee
가부시키가이샤 아쯔미테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아쯔미테크 filed Critical 가부시키가이샤 아쯔미테크
Publication of KR20140136485A publication Critical patent/KR20140136485A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

다원계 나노입자막 형성 장치(1)는, 복수의 금속재료(4a~4c)가 배치되며, 나노입자(8a~8c)로부터 다원계 나노입자(9)가 생성되는 생성실(2); 기판(7)이 배치된 성막실(3); 및 복수의 금속재료(4a~4c)마다 대응하도록 생성실(2) 내에 배치된 입자화 유닛(11a~11c);을 구비하며, 입자화 유닛(11a~11c)은, 금속재료(4a~4c)를 덮는 용기(12a~12c); 용기(12a~12c) 내에 배치된 히터(15a~15c); 용기(12a~12c)에 설치되어 나노입자(8a~8c)가 유출되는 유출구(13a~13c); 및 용기(12a~12c)에 설치되어 냉각 가스가 도입되는 도입구(14a~14c);를 가진다.

Description

다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법{APPARATUS FOR FORMING COMPLEX NANOPARTICLE FILM AND METHOD FOR FORMING NANOPARTICLE FILM USING SAME}
본 발명은 다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법에 관한 것이다.
초미립자막 형성 방법 및 초미립자막 형성 장치가 특허 문헌 1에 기재되어 있다. 이 장치는 재료로부터 증기 원자를 발생시키고, 이를 불활성 가스와 함께 이송관을 통해 이동시켜 기판에 초미립자막을 형성하는 것이다. 이러한 입자막 형성 장치 및 방법을 일반적인 표현으로 다시 말하자면, 챔버를 상하로 설치하고 가는 관으로 이들을 연통시킨다. 그리고, 상부 챔버를 진공 배기하여 하부 챔버로 냉각 가스를 흘려 보낸다. 그리고, 증발한 금속이 냉각되는 동시에 압력 차로 인해 상부 챔버로 이동한다. 그리고, 상부 챔버의 기판에 입자 상태로 포집된다. 냉각 가스는 예를 들어 헬륨이나 아르곤 가스이며, 이를 흘려 보냄으로써 입자가 이동 중에 응집 또는 입성장되는 것을 방지한다.
그러나, 특허 문헌 1에 기재된 장치를 이용하여 복수의 금속재료를 증발시켜 다원계 금속 나노입자로 기판에 성막하고자 하는 경우, 금속재료의 종류에 따라 증발압이나 입자의 질량이 다르기 때문에, 기판에 대한 각 금속 입자의 집적율이나 집적량이 달라지게 된다. 예를 들어, Mg와 Ni 등의 재료를 하부 챔버에 나란히 배치하고 같은 조건으로 증발시킨 경우, Mg는 증발압이 높기 때문에 약간의 가열로도 증발하지만 Ni는 잘 증발하지 않기 때문에, 대부분 Mg 입자로 기판에 성막되게 된다. 또한, 금속재료의 열적 영향이 다른 금속재료에 미치는 경우가 있기 때문에, 녹는점이 높은 금속 재료 근처에 녹는점이 낮은 금속재료를 배치할 수 없는 등, 금속 재료의 배치 위치에도 제약이 있다. 따라서, 원하는 다원계 금속 나노입자를 얻기 위해서는, 온도 제어가 어렵고 입자 지름이나 입자량의 조정도 어렵다는 문제가 있었다.
특허 문헌 1 일본 특허공개 제2000-297361호 공보
본 발명은 상기와 같은 종래 기술을 고려한 것으로, 복수의 금속재료별 증발압에 관계없이, 또한 서로의 열적 영향을 받지 않고, 적절한 지름 및 양의 나노입자를 금속재료별로 발생시킬 수 있으며, 기판에 다원계 나노입자를 성막할 수 있는 다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 복수의 금속재료가 배치되며, 상기 금속재료별 나노입자로부터 다원계 나노입자가 생성되는 생성실; 상기 다원계 나노입자가 성막될 기판이 배치된 성막실; 상기 생성실과 상기 성막실을 연결하는 연통관; 상기 성막실을 배기하는 배기 유닛; 상기 생성실로 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입 유닛; 및 상기 복수의 금속재료마다 대응하도록 상기 생성실 내에 배치된 입자화 유닛;을 구비하며, 상기 입자화 유닛은, 상기 금속재료를 덮는 용기; 해당 용기 내에 배치된 히터; 상기 용기에 설치되어 상기 나노입자가 유출되는 유출구; 및 상기 용기에 설치되어 상기 냉각 가스가 도입되는 도입구;를 갖는 것을 특징으로 하는 다원계 나노입자막 형성 장치를 제공한다.
바람직하게는, 상기 금속재료별로 상기 용기 내의 용량 및 상기 유출구에서 상기 연통관까지의 거리가 각각 다르다.
또한, 본 발명은, 상기 입자화 유닛별로 상기 금속재료로부터 나노입자를 생성하는 나노입자 생성 공정; 상기 생성실 내에서 복수의 상기 나노입자를 결합시켜 다원계 나노입자를 생성하는 합금화 공정; 및 상기 다원계 나노입자가 상기 연통관을 통과하여 상기 성막실 내의 상기 기판에 성막되는 성막 공정;을 구비하는 것을 특징으로 하는 다원계 나노입자막 형성 장치를 이용한 다원계 나노입자막 형성 방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 나노입자 생성 공정에서, 상기 히터에 의한 가열 온도 및 상기 용기 내로 도입되는 상기 냉각 가스의 도입량이 상기 입자화 유닛 내에 배치된 상기 금속재료별로 다르게 조정된다.
본 발명에 따르면, 생성실에 배치된 금속재료별로 독립적인 입자화 유닛이 설치되기 때문에, 각 금속재료를 각각의 재료별로 적합한 조건으로 증발시켜 나노입자를 얻을 수 있다. 따라서, 복수의 금속재료별로 다른 증발압에 관계없이, 또한 서로의 열적 영향을 받지 않고, 적절한 지름 및 양의 나노입자를 금속재료별로 발생시킬 수 있으며, 기판에 다원계 나노입자를 성막할 수 있다.
또한, 금속재료별로 최적의 용기 내 용량이 되도록 하여, 각 금속재료의 증발압에 적합하게 증발시킬 수 있다. 또한, 금속재료별로 유출구에서 연통관까지의 거리를 최적의 거리가 되도록 하여, 각 금속재료의 질량에 따른 속도 차이를 조정할 수 있다.
또한, 나노입자 생성 공정에서 입자화 유닛별로 금속재료를 증발시켜 각각의 나노입자를 생성시키므로, 각 금속재료가 서로의 열적 영향을 받지 않고, 또한 무게나 증발압의 차이에 관계없이 각각의 금속재료에 적합한 조건으로 나노입자를 발생시킬 수 있다.
또한, 입자화 유닛별로 히터도 각각 별도로 설치하고 히터에 의한 가열 온도를 다르게 조정하므로, 각 금속재료에 적합한 온도로 가열할 수 있다. 나아가, 입자화 유닛별로 냉각 가스의 도입량을 다르게 조정하므로, 각 금속재료에 적합한 냉각이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 나노입자막 형성 장치의 개략도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 따른 나노입자막 형성 장치(1)는 생성실(生成室)(2) 및 성막실(成膜室)(3)을 구비한다. 생성실(2)에는 복수의 금속재료(도면에서는 3개의 금속재료(4a~4c))가 배치되어 있다. 생성실(2)은 이러한 금속재료(4a~4c)의 나노입자(8a~8c)가 결합된 다원계 나노입자(합금 나노입자)(9)를 생성하기 위한 것이다. 이러한 금속재료(4a~4c)는, 예를 들어 마그네슘, 니켈, 또는 이들의 합금으로 이루어진 금속선을 이용할 수 있다. 생성실(2)에는 냉각 가스 도입 유닛(10)이 장착되며, 이 냉각 가스 도입 유닛(10)으로부터 냉각 가스가 도입된다.
성막실(3)에는 배기 유닛(도면에서는 진공 팬)(5)이 장착되며, 이 배기 유닛(5)에 의해 성막실(3)이 진공 배기된다(화살표 D방향). 생성실(2)은 연통관(6)을 통해 성막실(3)과 연결된다. 연통관(6)으로는 예를 들어 1/8관을 이용할 수 있다. 따라서, 생성실(2)과 성막실(3) 사이에 압력차가 생기고, 이 압력차에 의해 생성실(2)에서 생성된 다원계 나노입자(9)가 빠르게 연통관(6)을 통과하여 성막실(3)로 유입된다. 성막실(3)에는 기판(7)이 배치되며, 다원계 나노입자(9)가 상기 기판(7)에 막을 형성한다.
생성실(2)에는 금속재료(4a~4c)의 각각에 대응하여 입자화 유닛(11a~11c)이 배치되어 있다. 이러한 입자화 유닛(11a~11c)은 각각 대응하는 금속재료(4a~4c)를 덮는 용기(12a~12c)를 가진다. 각 용기(12a~12c)는 나노입자(8a~8c)가 유출되는 유출구(13a~13c) 및 냉각 가스가 도입되는 도입구(14a~14c)를 가지며, 이 유출구(13a~13c) 및 도입구(14a~14c)만 개구되어 있다. 도면에서는 용기(12a~12c)가 대략 원추 사다리꼴 형상이며, 표면을 유출구(13a~13c)로, 하면을 도입구(14a~14c)로 하고 있다. 또한, 각 용기(12a~12c)에는 각각 별도로 히터(15a~15c)가 배치되어 있다. 각 금속재료(4a~4c)는 각각 대응하는 히터(15a~15c)에 의해 가열됨으로써 증발하여 나노입자(8a~8c)를 생성한다. 히터(15a~15c)로는 도가니 또는 플라스마 발생 장치 등을 이용할 수 있다.
이와 같이, 나노입자막 형성 장치(1)에는 생성실(2)에 배치된 금속재료(4a~4c)마다 독립적인 입자화 유닛(11a~11c)이 설치되어 있기 때문에, 각 금속재료(4a~4c)를 각각의 재료(4a~4c)별로 적합한 조건으로 증발시켜 나노입자(8a~8c)를 얻을 수 있다. 따라서, 복수의 금속재료(4a~4c)별로 다른 증발압에 관계없이, 또한 서로의 열적 영향을 받지 않고, 적합한 지름 및 양의 나노입자(8a~8c)를 금속재료(4a~4c)별로 발생시킬 수 있으며, 기판(7)에 다원계 나노입자(9)를 성막할 수 있다.
또한, 용기(12a~12c)의 용량이 금속재료(4a~4c)별로 최적이 되도록 하여, 금속재료(4a~4c)별로 적합한 증발압으로 증발시킬 수 있다. 상술한 바와 같이, 도면에서는 용기(12a~12c)가 대략 원추 사다리꼴 형상이며, 지름 또는 길이 방향의 길이가 각각의 용기(12a~12c)별로 다르다. 증발압이 높은 금속재료를 덮는 용기의 용량이 크게 설정된다. 또한, 유출구(13a~13c)에서 연통관(6)까지의 거리(A~C)가 금속재료(4a~4c)별로 최적의 거리가 되도록 하여, 각 금속재료(4a~4c)의 질량에 따른 이동 속도의 차이를 조정할 수 있다. 이동 속도를 조정할 수 있으면, 다원계 나노입자(9)가 되었을 때의 조성비를 조정하기 쉬워지는 이점이 있다.
상기에서 설명한 바와 같은 나노입자막 형성 장치(1)를 이용한 나노입자막 형성 방법에 대해 이하에서 설명한다.
우선, 나노입자 생성 공정을 실시한다. 이 공정은 생성실(2), 더 상세하게는 각 입자화 유닛(11a~11c) 내에서 이루어진다. 여기서는 입자화 유닛(11a)를 예로 들어 설명하지만, 입자화 유닛(11b) 및 입자화 유닛(11c)에서도 동일하다. 용기(12a) 내에 금속선으로 이루어진 금속재료(4a)를 배치한다. 그리고, 냉각 가스 도입 유닛(10)을 구동시켜 냉각 가스(헬륨 또는 아르곤 가스를 포함한 냉각 가스)를 도입구(14a)로부터 용기(12a) 내로 도입함과 동시에, 히터(15a)로 금속재료(4a)를 가열한다. 그리고, 금속재료(4a)를 증발시킴으로써 나노입자(8a)를 얻는다. 이와 같이 기상 환경에서 나노입자(8a)를 생성하므로, 금속재료(4a)가 예를 들어 마그네슘 등의 산화되기 쉬운 금속인 경우에도 불필요한 산화를 방지할 수 있다. 생성된 나노입자(8a)는 용기(12a)의 유출구(13a)로부터 유출된다.
이러한 나노입자 생성 공정에서 상술한 바와 같이 금속재료(4a~4c)별로 구비한 입자화 유닛(11a~11c)을 이용하므로, 금속재료(4a~4c)별로 최적의 조건으로 나노입자를 생성할 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 용기(12a~12c)의 용량 및 유출구(13a~13c)에서 연통관(6)까지의 거리(A~C)를 최적으로 함으로써 각 금속재료(4a~4c)의 나노입자를 생성할 수 있다. 나아가, 입자화 유닛(11a~11c)에는 각각 별도로 히터(15a~15c)가 구비되므로, 각 금속재료(4a~4c)에 대한 가열 온도를 조정할 수 있기 때문에, 각 금속재료(4a~4c)에 적합한 온도로 가열할 수 있다. 또한, 각 용기(12a~12c)에 도입되는 냉각 가스의 도입량을 변경시킴으로써, 각 금속재료(4a~4c)에 적합한 냉각이 가능하다. 냉각 가스의 도입량의 조정은, 예를 들어 도입구(14a~14c)의 개구 면적(개구율)을 용기(12a~12c)별로 다르게 하거나, 냉각 가스 도입 유닛(10)으로부터 용기(12a~12c)에 이르는 도입관(도시하지 않음)을 구비하고 여기에 유량 조정 밸브(도시하지 않음)를 구비하여 실시한다. 도면에서는 화살표의 크기로 냉각 가스의 도입량의 크고 작음을 나타내고 있으며, 화살표(E)로 표시한 용기(12b)에 도입되는 도입량이 가장 크고, 그 다음으로 화살표(F)로 나타낸 용기(12a)로의 도입량이 크며, 화살표 (G)로 나타낸 용기(12c)로의 도입량이 가장 작다.
다음으로, 합금화 공정을 실시한다. 이 공정은 생성실(2)에서 이루어진다. 구체적으로, 입자화 유닛(11a~11c)에서 생성된 나노입자(8a~8c)가 각각의 용기(12a~12c)의 유출구(13a~13c)로부터 유출되었을 때 서로 결합한다. 이로써, 다원계 나노입자(9)가 생성된다. 이와 같이 합금화된 다원계 나노입자(9)는 미세한 나노입자가 결합된 나노 동축(coaxial) 구조 또는 나노 코어 쉘(core-shell) 구조를 갖는다.
다음으로, 성막 공정을 실시한다. 합금화 공정에서 형성된 다원계 나노입자(9)는, 성막실(3)과 생성실(2) 사이의 압력 차로 인해 연통관(6)을 통과해 성막실(3)로 유입된다. 그리고, 다원계 나노입자(9)가 성막실(3) 내에 배치된 기판(7)에 성막된다. 기판(7)에 다원계 나노입자(9)가 충분히 성막되면, 기판(7)을 교환하여 새로 성막 공정을 실시한다. 기판(7) 교환 시의 기판(7) 이동 수단은, 기판(7)을 롤로 감으면서 내보내도록 할 수도 있으며, 또는 롤러 컨베이어 등의 이송 장치를 이용하여 이동시킬 수도 있다. 이러한 이동 수단을 통해 이동되고 있는 기판(7)에 성막할 수도 있다.
1 나노입자막 형성 장치
2 생성실
3 성막실
4a~4c 금속재료
5 배기 유닛
6 연통관
7 기판
8a~8c 나노입자
9 다원계 나노입자
10 냉각 가스 도입 유닛
11a~11c 입자화 유닛
12a~12c 용기
13a~13c 유출구
14a~14c 도입구
15a~15c 히터

Claims (4)

  1. 복수의 금속재료가 배치되며, 상기 금속재료별 나노입자로부터 다원계 나노입자가 생성되는 생성실;
    상기 다원계 나노입자가 성막될 기판이 배치된 성막실;
    상기 생성실과 상기 성막실을 연결하는 연통관;
    상기 성막실을 배기하는 배기 유닛;
    상기 생성실로 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입 유닛; 및
    상기 복수의 금속재료마다 대응하도록 상기 생성실 내에 배치된 입자화 유닛;을 구비하며
    상기 입자화 유닛은, 상기 금속재료를 덮는 용기; 해당 용기 내에 배치된 히터; 상기 용기에 설치되어 상기 나노입자가 유출되는 유출구; 및 상기 용기에 설치되어 상기 냉각 가스가 도입되는 도입구;를 가지는 것을 특징으로 하는 다원계 나노입자막 형성 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 금속재료별로 상기 용기 내의 용량 및 상기 유출구에서 상기 연통관까지의 거리가 각각 다른 것을 특징으로 하는 다원계 나노입자막 형성 장치.
  3. 상기 입자화 유닛별로 상기 금속재료로부터 나노입자를 생성하는 나노입자 생성 공정;
    상기 생성실 내에서 복수의 상기 나노입자를 결합시켜 다원계 나노입자를 생성하는 합금화 공정; 및
    상기 다원계 나노입자가 상기 연통관을 통과하여 상기 성막실 내의 상기 기판에 성막되는 성막 공정;을 구비하는 것을 특징으로 하는 제2 항에 따른 다원계 나노입자막 형성 장치를 이용한 다원계 나노입자막 형성 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 나노입자 생성 공정에서, 상기 히터에 의한 가열 온도 및 상기 용기 내에 도입되는 상기 냉각 가스의 도입량이, 상기 입자화 유닛 내에 배치된 상기 금속재료별로 다르도록 조정되는 것을 특징으로 하는 다원계 나노입자막 형성 방법.
KR20147027957A 2012-03-22 2013-01-31 다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법 Ceased KR20140136485A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012065703A JP6192894B2 (ja) 2012-03-22 2012-03-22 多元系のナノ粒子膜形成装置及びこれを用いたナノ粒子膜形成方法
JPJP-P-2012-065703 2012-03-22
PCT/JP2013/052197 WO2013140863A1 (ja) 2012-03-22 2013-01-31 多元系のナノ粒子膜形成装置及びこれを用いたナノ粒子膜形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140136485A true KR20140136485A (ko) 2014-11-28

Family

ID=49222330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20147027957A Ceased KR20140136485A (ko) 2012-03-22 2013-01-31 다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150064352A1 (ko)
EP (1) EP2829634A4 (ko)
JP (1) JP6192894B2 (ko)
KR (1) KR20140136485A (ko)
CN (1) CN104204281A (ko)
CA (1) CA2864994C (ko)
WO (1) WO2013140863A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3710615A1 (en) * 2017-11-16 2020-09-23 Applied Materials, Inc. Method of cooling a deposition source, chamber for cooling a deposition source and deposition system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59156996A (ja) * 1983-02-23 1984-09-06 Koito Mfg Co Ltd 化合物結晶膜の製造方法とその装置
JPH02125866A (ja) * 1988-11-04 1990-05-14 Kobe Steel Ltd 合金蒸着めっき装置
JPH05339720A (ja) * 1992-06-11 1993-12-21 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JP3452617B2 (ja) * 1993-12-10 2003-09-29 真空冶金株式会社 ガスデポジション装置
JPH09143697A (ja) * 1995-11-20 1997-06-03 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 真空蒸着装置の成膜方法および真空蒸着装置
JP2000297361A (ja) * 1999-04-09 2000-10-24 Canon Inc 超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置
JP4828108B2 (ja) * 2004-10-14 2011-11-30 タマティーエルオー株式会社 物理蒸着装置
JP5179739B2 (ja) * 2006-09-27 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013140863A1 (ja) 2013-09-26
CN104204281A (zh) 2014-12-10
JP2013194312A (ja) 2013-09-30
CA2864994A1 (en) 2013-09-26
CA2864994C (en) 2019-08-06
EP2829634A4 (en) 2015-10-28
JP6192894B2 (ja) 2017-09-06
US20150064352A1 (en) 2015-03-05
EP2829634A1 (en) 2015-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101301967B1 (ko) 플라즈마 나노 분말 합성 및 코팅 장치 와 그 방법
US5736073A (en) Production of nanometer particles by directed vapor deposition of electron beam evaporant
KR102096240B1 (ko) 입자 제조 장치 및 방법
EP0128361B1 (en) Device and method for making and collecting fine alloy powder
JP2018501642A5 (ko)
CN102950290B (zh) 纳米级镍锰合金粉的生产方法
CN106835048A (zh) 一种核壳结构Cu/Ag纳米合金的气相制备方法
CN102950289B (zh) 纳米级铜锰合金粉的生产方法
CN102762492B (zh) 用于制造纳米颗粒的方法及设备
CN107309433A (zh) 一种亚微米及纳米金属粉体的生产设备
KR20140136485A (ko) 다원계 나노입자막 형성 장치 및 이를 이용한 나노입자막 형성 방법
Koh et al. Spray deposition of nanostructured metal films using hydrodynamically stabilized, high pressure microplasmas
CN101318219A (zh) 纳米粉体机
CN103468989A (zh) 一种纳米级镍铝合金粉的生产方法
JP3723377B2 (ja) 合金又は化合物クラスター粒子の製造方法及び装置
KR20190065603A (ko) 기화법에 의한 산화갈륨 나노분말 및 그 제조방법
CN104204278B (zh) 粒子膜层积装置及使用该装置的粒子膜层积方法
WO2014156565A1 (ja) ナノ粒子分別装置
JP2011179023A (ja) ナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法
US20090008842A1 (en) Method and apparatus for producing metallic ultrafine particles
JP2005246339A (ja) ナノ粒子製造方法及びナノ粒子製造装置
JPS60116705A (ja) 金属の超微粉製造装置
KR20230108535A (ko) 금속분말 제조장치 및 이를 이용한 금속분말 제조방법
Akraiam et al. Production of Fe clusters by collisions of metal vapour with supersonic argon beams

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20141002

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20170908

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190621

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20191226

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20190621

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20191226

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20190808

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0601 Decision of rejection after re-examination

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06014S01D

Patent event date: 20200218

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20200123

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06011S01I

Patent event date: 20191226

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20190808

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PX06013S01I

Patent event date: 20190621