KR20140135881A - 태양 전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents
태양 전지 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140135881A KR20140135881A KR1020130055756A KR20130055756A KR20140135881A KR 20140135881 A KR20140135881 A KR 20140135881A KR 1020130055756 A KR1020130055756 A KR 1020130055756A KR 20130055756 A KR20130055756 A KR 20130055756A KR 20140135881 A KR20140135881 A KR 20140135881A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- impurity
- semiconductor substrate
- region
- impurity region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/146—Back-junction photovoltaic cells, e.g. having interdigitated base-emitter regions on the back side
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
- H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
- H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
- H10F10/166—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
Abstract
Description
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지의 후면 평면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시한 태양 전지의 후면 평면도이다.
도 7은 본 발명의 변형예에 따른 태양 전지를 도시한 후면 평면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
110: 베이스 영역
120: 불순물 영역
130: 전면 전계층
20: 불순물층
30: 터널링층
Claims (31)
- 베이스 영역 및 불순물 영역을 포함하는 반도체 기판;
상기 반도체 기판 위에 형성되며 상기 불순물 영역과 다른 도전형을 가지는 불순물층;
상기 불순물층과 상기 반도체 기판 사이에 위치하는 터널링층;
상기 불순물 영역에 연결되는 제1 전극; 및
상기 불순물층에 연결되는 제2 전극
을 포함하고,
상기 베이스 영역과 상기 불순물 영역이 서로 동일한 도전형을 가지며 상기 베이스 영역의 도펀트 농도보다 상기 불순물 영역의 도펀트 농도가 높은 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 불순물층은 상기 반도체 기판과 다른 결정 구조를 가지는 태양 전지. - 제2항에 있어서,
상기 반도체 기판은 단결정 구조를 가지고,
상기 불순물층은 비정질 구조, 미세 결정 구조, 또는 다결정 구조를 가지는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 터널링층의 두께는 0.5nm 내지 5nm인 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 터널링층은 산화물, 질화물 및 전도성 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 베이스 영역 및 상기 불순물 영역이 n형을 가지고,
상기 불순물층이 p형을 가지는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 불순물층의 전체 면적이 상기 불순물 영역의 전체 면적보다 큰 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 반도체 기판의 전체 면적에 대한 상기 불순물 영역의 전체 면적의 비율이 0.5% 내지 30%인 태양 전지. - 제8항에 있어서,
상기 반도체 기판의 전체 면적에 대한 상기 불순물 영역의 전체 면적의 비율이 0.5% 내지 5%인 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 불순물층의 두께가 상기 터널링층의 두께보다 큰 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 터널링층의 두께가 0.5nm 내지 5.0nm이고,
상기 불순물층의 두께가 50nm 내지 250nm인 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 불순물 영역은, 상기 제1 전극에 연결되는 복수의 제1 영역을 포함하고,
상기 복수의 제1 영역이 각기 아일랜드(island) 형상을 가지는 태양 전지. - 제12항에 있어서,
상기 터널링층이 전체적으로 연결되면서 상기 복수의 제1 영역에 대응하는 개구부가 형성되는 태양 전지. - 제12항에 있어서,
상기 불순물층이 전체적으로 연결되면서 상기 복수의 제1 영역에 대응하는 개구부가 형성되는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 불순물 영역은, 상기 제1 전극에 연결되는 복수의 제1 영역과, 상기 제1 부분보다 작은 폭을 가지면서 상기 복수의 제1 부분을 연결하는 제2 영역을 포함하는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 불순물 영역은, 상기 반도체 기판의 일 가장자리에서 일 방향으로 형성되는 줄기부와, 상기 줄기부로부터 상기 일 방향과 교차하는 방향으로 형성되는 복수 개의 가지부를 포함하는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 터널링층이 상기 불순물층에 대응하는 형상을 가지는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 불순물층 및 상기 반도체 기판을 덮으면서 형성되어 절연층을 더 포함하고,
상기 절연층에 상기 제1 전극과 상기 불순물 영역의 전기적 연결을 위한 제1 컨택 홀 및 상기 제2 전극과 상기 불순물층의 전기적 연결을 위한 제2 컨택 홀이 형성되는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 반도체 기판의 상기 일면이 상기 반도체 기판의 다른 일면보다 작은 표면 거칠기를 가지는 태양 전지. - 제19항에 있어서,
상기 반도체 기판의 다른 일면에 고정 전하(fixed charge)를 가지는 전계 효과 형성층이 형성되는 태양 전지. - 반도체 기판을 준비하는 단계;
상기 반도체 기판의 일면에 터널링층을 형성하는 단계;
상기 터널링층 위에 불순물층을 형성하는 단계;
상기 터널링층 및 상기 불순물층을 패터닝하여 개구부를 형성하는 단계;
상기 개구부를 통하여 상기 불순물층과 다른 도전형을 가지는 불순물을 도핑하여 상기 반도체 기판에 불순물 영역을 형성하는 단계; 및
상기 불순물 영역 및 상기 불순물층에 각기 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 태양 전지의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 불순물층을 패터닝하여 개구부를 형성하는 단계는,
상기 불순물층 위에 상기 개구부에 대응하는 영역을 노출하는 개구부를 가지는 마스크층을 형성하는 단계; 및
상기 마스크층의 개구부에 해당하는 상기 터널링층 및 상기 불순물층의 영역을 제거하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법. - 제22항에 있어서,
상기 불순물층을 형성하는 단계와 상기 개구부를 형성하는 단계 사이에, 상기 불순물층 위에 배리어층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 개구부를 형성하는 단계에서 상기 배리어층에 개구부를 형성하는 태양 전지의 제조 방법. - 제23항에 있어서,
상기 불순물 영역을 형성하는 단계에서는,
상기 마스크층을 제거한 상태에서 상기 배리어층을 마스크로 하여 상기 불순물을 도핑하는 태양 전지의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 불순물층은 비정질 구조, 미세 결정 구조, 또는 다결정 구조를 가지는 태양 전지의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 터널링층 및 상기 불순물층 중 적어도 하나는 증착에 의하여 형성되고,
상기 불순물 영역은 열 확산법 및 이온 주입법 중 적어도 하나에 의하여 형성되는 태양 전지의 제조 방법. - 반도체 기판을 준비하는 단계;
마스크를 이용하여 불순물을 도핑하여 상기 반도체 기판의 일면에 불순물 영역을 형성하는 단계;
상기 반도체 기판의 일면에 터널링층을 형성하는 단계;
상기 터널링층 위에 상기 불순물 영역과 다른 도전형을 가지는 불순물을 도핑하여 불순물층을 형성하는 단계;
상기 터널링층 및 상기 불순물층을 패터닝하여 상기 불순물 영역에 대응하는 영역에 개구부를 형성하는 단계; 및
상기 불순물 영역 및 상기 불순물층에 각기 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 태양 전지의 제조 방법. - 제27항에 있어서,
상기 마스크는 쉐도우 마스크를 포함하는 태양 전지의 제조 방법. - 제27항에 있어서,
상기 불순물층을 패터닝하여 개구부를 형성하는 단계는,
상기 불순물층 위에 개구부를 가지는 마스크층을 형성하는 단계; 및
상기 마스크층의 개구부에 해당하는 상기 터널링층 및 상기 불순물층의 영역을 제거하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법. - 제27항에 있어서,
상기 불순물층은 비정질 구조, 미세 결정 구조, 또는 다결정 구조를 가지는 태양 전지의 제조 방법. - 제27항에 있어서,
상기 터널링층 및 상기 불순물층 중 적어도 하나는 증착에 의하여 형성되고,
상기 불순물 영역은 열 확산법 및 이온 주입법 중 적어도 하나에 의하여 형성되는 태양 전지의 제조 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130055756A KR20140135881A (ko) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
US14/278,827 US10566484B2 (en) | 2013-05-16 | 2014-05-15 | Solar cell and method for manufacturing the same |
CN201410354042.5A CN104167454B (zh) | 2013-05-16 | 2014-05-16 | 太阳能电池及其制造方法 |
EP14001746.8A EP2804219B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-05-16 | Solar cell and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130055756A KR20140135881A (ko) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160061568A Division KR20160061947A (ko) | 2016-05-19 | 2016-05-19 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140135881A true KR20140135881A (ko) | 2014-11-27 |
Family
ID=50732751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130055756A Ceased KR20140135881A (ko) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10566484B2 (ko) |
EP (1) | EP2804219B1 (ko) |
KR (1) | KR20140135881A (ko) |
CN (1) | CN104167454B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160097926A (ko) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013100818B4 (de) * | 2013-01-28 | 2023-07-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
CN104282788B (zh) * | 2014-09-28 | 2017-03-22 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 无主栅、高效率背接触太阳能电池模块、组件及制备工艺 |
KR102373649B1 (ko) | 2015-05-28 | 2022-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
NL2015533B1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-20 | Tempress Ip B V | Method of manufacturing of a solar cell and solar cell thus obtained. |
CN109074895B (zh) | 2016-08-16 | 2022-05-27 | 浙江凯盈新材料有限公司 | 用于硅太阳能电池中正面金属化的厚膜浆料 |
NL2017872B1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-06-08 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Photovoltaic cell with passivating contact |
MY190562A (en) | 2016-12-20 | 2022-04-27 | Zhejiang Kaiying New Mat Co Ltd | Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions |
SG11201809762PA (en) | 2016-12-20 | 2018-12-28 | Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd | Siloxane-containing solar cell metallization pastes |
WO2019059765A1 (en) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | BACK CONTACT SOLAR CELL P-TYPE CONDUCTIVITY INTERDIGITANCE |
CN108666377A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
JP7346050B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-09-19 | パナソニックホールディングス株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
CN110061086A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-07-26 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种hbc太阳能电池 |
US10622502B1 (en) | 2019-05-23 | 2020-04-14 | Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. | Solar cell edge interconnects |
US10749045B1 (en) | 2019-05-23 | 2020-08-18 | Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. | Solar cell side surface interconnects |
DE102019122637B4 (de) * | 2019-08-22 | 2022-11-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktierungsstruktur einer photovoltaischen Solarzelle |
US11824126B2 (en) * | 2019-12-10 | 2023-11-21 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Aligned metallization for solar cells |
DE102020111997A1 (de) * | 2020-05-04 | 2021-11-04 | EnPV GmbH | Rückseitenkontaktierte Solarzelle |
FR3112427A1 (fr) * | 2020-07-13 | 2022-01-14 | Semco Smartech France | Formation de contacts passivés pour cellules solaires IBC |
DE102020132245A1 (de) * | 2020-12-04 | 2022-06-09 | EnPV GmbH | Rückseitenkontaktierte Solarzelle und Herstellung einer solchen |
CN114361268A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-15 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 一种背接触CdTe太阳电池及其制造方法 |
CN118156325A (zh) | 2022-12-07 | 2024-06-07 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
CN119008711A (zh) | 2023-10-13 | 2024-11-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
CN119008712A (zh) * | 2023-10-13 | 2024-11-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4496788A (en) * | 1982-12-29 | 1985-01-29 | Osaka Transformer Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JP3203078B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
US6111189A (en) * | 1998-07-28 | 2000-08-29 | Bp Solarex | Photovoltaic module framing system with integral electrical raceways |
JP3490964B2 (ja) * | 2000-09-05 | 2004-01-26 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
ES2289168T3 (es) * | 2001-11-26 | 2008-02-01 | Shell Solar Gmbh | Celula solar con contactos en la parte posterior y su procedimiento de fabricacion. |
US20110000532A1 (en) * | 2008-01-30 | 2011-01-06 | Kyocera Corporation | Solar Cell Device and Method of Manufacturing Solar Cell Device |
CN102414833B (zh) | 2009-04-29 | 2014-07-09 | 三菱电机株式会社 | 太阳能电池单元及其制造方法 |
DE102009024598A1 (de) | 2009-06-10 | 2011-01-05 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Solarzelle mit Kontaktstruktur mit geringen Rekombinationsverlusten sowie Herstellungsverfahren für solche Solarzellen |
US8735234B2 (en) * | 2010-02-18 | 2014-05-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for IBC solar cells |
KR101381305B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2014-04-07 | 솔렉셀, 인크. | 고효율 태양 전지 극 저 표면 재결합 속도를 달성하기 위한 패시베이션 방법 및 장치 |
EP2395554A3 (en) * | 2010-06-14 | 2015-03-11 | Imec | Fabrication method for interdigitated back contact photovoltaic cells |
KR101773837B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2017-09-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
KR20120086593A (ko) | 2011-01-26 | 2012-08-03 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
KR20120129264A (ko) | 2011-05-19 | 2012-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조방법 |
NL2006932C2 (en) | 2011-06-14 | 2012-12-17 | Stichting Energie | Photovoltaic cell. |
US9112086B2 (en) | 2011-11-10 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
JP2015133341A (ja) | 2012-04-27 | 2015-07-23 | パナソニック株式会社 | 裏面接合型太陽電池及びその製造方法 |
CN102856328B (zh) | 2012-10-10 | 2015-06-10 | 友达光电股份有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
-
2013
- 2013-05-16 KR KR1020130055756A patent/KR20140135881A/ko not_active Ceased
-
2014
- 2014-05-15 US US14/278,827 patent/US10566484B2/en active Active
- 2014-05-16 EP EP14001746.8A patent/EP2804219B1/en active Active
- 2014-05-16 CN CN201410354042.5A patent/CN104167454B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160097926A (ko) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2804219B1 (en) | 2019-10-16 |
EP2804219A1 (en) | 2014-11-19 |
US20140338747A1 (en) | 2014-11-20 |
US10566484B2 (en) | 2020-02-18 |
CN104167454B (zh) | 2017-10-13 |
CN104167454A (zh) | 2014-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101613843B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR20140135881A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR101627204B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
JP6059173B2 (ja) | 太陽電池 | |
KR101622089B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR20140143277A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR101838278B1 (ko) | 태양 전지 | |
KR102053140B1 (ko) | 태양 전지 | |
KR20160097926A (ko) | 태양 전지 | |
KR101879781B1 (ko) | 태양 전지, 불순물층의 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법 | |
KR20150049211A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
US10141467B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR101920639B1 (ko) | 후면 전극형 태양전지 및 이의 제조방법 | |
KR20150029203A (ko) | 태양 전지 | |
KR102257485B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR20160061947A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR101889774B1 (ko) | 태양 전지 | |
KR102132741B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR20150035189A (ko) | 태양 전지 | |
KR20140140201A (ko) | 태양 전지의 제조 방법 및 불순물 영역의 형성 방법 | |
KR20160063010A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR20160034062A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
KR20140093382A (ko) | 태양 전지의 제조 방법 | |
KR102219795B1 (ko) | 태양 전지 | |
KR102082880B1 (ko) | 태양 전지의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130516 |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20141028 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20130516 Comment text: Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20151014 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20160229 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20151014 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20160229 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20151126 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
PX0601 | Decision of rejection after re-examination |
Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06014S01D Patent event date: 20160419 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20160328 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06011S01I Patent event date: 20160229 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20151126 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PX06013S01I Patent event date: 20151014 |
|
A107 | Divisional application of patent | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
PA0107 | Divisional application |
Comment text: Divisional Application of Patent Patent event date: 20160519 Patent event code: PA01071R01D |
|
PJ0201 | Trial against decision of rejection |
Patent event date: 20160519 Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event code: PJ02012R01D Patent event date: 20160419 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Patent event date: 20160229 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Decision date: 20171123 Appeal identifier: 2016101002930 Request date: 20160519 |
|
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101002930; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160519 Effective date: 20171123 |
|
PJ1301 | Trial decision |
Patent event code: PJ13011S01D Patent event date: 20171123 Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Request date: 20160519 Decision date: 20171123 Appeal identifier: 2016101002930 |