[go: up one dir, main page]

KR20140131137A - Shift register and flat panel display device using the same - Google Patents

Shift register and flat panel display device using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20140131137A
KR20140131137A KR1020130050103A KR20130050103A KR20140131137A KR 20140131137 A KR20140131137 A KR 20140131137A KR 1020130050103 A KR1020130050103 A KR 1020130050103A KR 20130050103 A KR20130050103 A KR 20130050103A KR 20140131137 A KR20140131137 A KR 20140131137A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pull
node
gate
transistor
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020130050103A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102041872B1 (en
Inventor
양정열
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130050103A priority Critical patent/KR102041872B1/en
Publication of KR20140131137A publication Critical patent/KR20140131137A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102041872B1 publication Critical patent/KR102041872B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01721Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 특히, 풀업 트랜지스터가 더블 게이트 구조로 형성되어 있는, 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 평판표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 이를 위해 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 복수의 스테이지들을 포함하며, 상기 복수의 스테이지들 각각은, 클럭 신호 공급 라인에 접속된 제1전극과, 출력 노드에 접속된 제2전극과, 서로 분리되어 있으며 제1노드에 공통적으로 접속되는 두 개의 게이트 전극들을 포함하는 풀업 트랜지스터; 제2노드에 접속된 게이트 전극과, 상기 출력 노드에 접속된 제1전극과, 전압 공급 라인에 접속된 제2전극을 포함하는 풀다운 트랜지스터; 및 게이트 스타트 신호에 따라, 상기 제1노드 및 상기 제2노드로 공급되는 전압을 제어하는 노드 제어 회로를 포함한다. The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to a shift register in which a pull-up transistor is formed in a double gate structure and a flat panel display using the same. To this end, a shift register according to the present invention includes a plurality of stages, each of the plurality of stages including a first electrode connected to a clock signal supply line, a second electrode connected to the output node, A pull-up transistor including two gate electrodes commonly connected to a first node; A pull-down transistor including a gate electrode connected to a second node, a first electrode connected to the output node, and a second electrode connected to a voltage supply line; And a node control circuit for controlling a voltage supplied to the first node and the second node in accordance with the gate start signal.

Description

쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 평판표시장치{SHIFT REGISTER AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a shift register and a flat panel display using the shift register,

본 발명은 쉬프트 레지스터 및 이를 포함하는 평판표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register and a flat panel display including the same.

휴대전화, 테블릿PC, 노트북 등을 포함한 다양한 종류의 전자제품에는 평판표시장치(FPD : Flat Panel Display)가 이용되고 있다. 평판표시장치에는, 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP : Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED : Organic Light Emitting Display Device) 등이 있으며, 최근에는 전기영동표시장치(EPD : ELECTROPHORETIC DISPLAY)도 널리 이용되고 있다. Flat panel displays (FPDs) are used in various types of electronic products including mobile phones, tablet PCs, and notebook computers. Examples of flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED) (EPD: ELECTROPHORETIC DISPLAY) are also widely used.

상기한 바와 같은 평판표시장치의 게이트 드라이버는, 복수의 게이트 라인에 게이트 펄스(풀업 신호)를 순차적으로 공급하기 위한 쉬프트 레지스터를 포함하고 있다. 상기 쉬프트 레지스터는 다수의 트랜지스터들을 포함하는 복수의 스테이지들을 포함하고, 상기 스테이지들은 종속적(cascade)으로 접속되어 상기 게이트 펄스를 순차적으로 출력한다.The gate driver of the flat panel display device as described above includes a shift register for sequentially supplying gate pulses (pull-up signals) to a plurality of gate lines. The shift register includes a plurality of stages including a plurality of transistors, and the stages are cascade-connected to sequentially output the gate pulses.

최근에는, 상기 게이트 드라이버의 쉬프트 레지스터를 구성하는 박막 트랜지스터가, 상기 평판표시장치의 패널에 내장되는 GIP(gate in panel) 타입이, 널리 이용되고 있다. In recent years, a GIP (gate in panel) type in which a thin film transistor constituting a shift register of the gate driver is embedded in a panel of the flat panel display device is widely used.

상기 GIP 타입의 상기 쉬프트 레지스터를 구성하는 상기 스테이지들 각각에는, 상기 패널의 각 픽셀에 형성된 스위칭 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 출력신호를 출력하는 풀업 트랜지스터(PU) 및 상기 스위칭 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 출력신호를 출력하는 풀다운 트랜지스터(PD)를 포함하여 구성될 수 있다. Each of the stages constituting the GIP type shift register includes a pull-up transistor (PU) for outputting an output signal capable of turning on a switching transistor formed in each pixel of the panel, and a pull- And a pull-down transistor PD for outputting an output signal.

즉, 상기 하나의 스테이지에서 출력되는 출력신호는, 하나의 게이트라인으로 전송되어, 상기 게이트라인에 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터를 턴온 또는 턴오프시키는 것으로서, 스캔신호라고도 한다.That is, the output signal output from one stage is transferred to one gate line, turning on or off the switching transistor connected to the gate line, and is also referred to as a scan signal.

상기 스캔신호는 다시, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 풀업 신호 및 상기 스위칭 트랜지스터를 턴오프시키는 풀다운 신호를 포함한다. The scan signal again includes a pull-up signal for turning on the switching transistor and a pull-down signal for turning off the switching transistor.

상기 풀업 신호는 1수직기간 중, 데이터전압이 패널로 인가되는 1수평기간 동안에만 출력되는 것으로서, 나머지 대부분의 1수직기간 동안에는 상기 풀다운 신호가 상기 게이트라인으로 전송된다. The pull-up signal is output during one horizontal period during which the data voltage is applied to the panel during one vertical period, and the pull-down signal is transmitted to the gate line during most of the remaining vertical periods.

일반적인 게이트 드라이버의 각 스테이지에서는, 하나의 풀다운 트랜지스터(PD)를 이용하여 상기 풀다운 신호를 게이트라인으로 전송하고 있다. In each stage of a general gate driver, the pull-down signal is transmitted to the gate line using one pull-down transistor PD.

이 경우, 상기 풀다운 신호는 1수직기간의 대부분의 시간 동안에만 출력되기 때문에, 상기 풀다운 트랜지스터가 장시간 동안 사용되면, 상기 풀다운 트랜지스터(PD)가 열화될 수 있으며, 이로 인해, 회로의 신뢰성이 저하될 수 있다.In this case, since the pull-down signal is outputted only during most of the time of one vertical period, if the pull-down transistor is used for a long time, the pull-down transistor PD may be deteriorated, .

따라서, 최근에는 두 개의 풀다운 트랜지스터가 교번적으로 구동되는 게이트 드라이버가 개발되고 있다. Therefore, in recent years, a gate driver in which two pull-down transistors are alternately driven has been developed.

한편, 상기한 바와 같은 종래의 쉬프트 레지스터에서는, 상기 풀업 트랜지스터가 충분한 출력을 낼 수 있도록, 상기 풀업 트랜지스터의 사이즈가 크게 형성된다. 즉, 상기 GIP 타입의 상기 쉬프트 레지스터에 형성되어, 동작되는 또 다른 트랜지스터들에 비해, 상기 풀업 신호를 생성하기 위한 상기 풀업 트랜지스터는, 수 배 내지 수십 배 큰 크기로 형성되고 있다.On the other hand, in the conventional shift register as described above, the size of the pull-up transistor is formed so that the pull-up transistor can output a sufficient output. That is, the pull-up transistor for generating the pull-up signal is formed several times to several tens times larger than other transistors formed and operated in the shift register of the GIP type.

예를 들어, 상기 풀다운 트랜지스터의 크기가 12/10(W/L, ㎛)인 경우, 상기 풀업 트랜지스터의 크기는 300/10(W/L, ㎛)으로서, 상기 풀업 트랜지스터의 크기가 상기 풀다운 트랜지스터의 크기보다 약 25배 정도 크다.For example, when the size of the pull-down transistor is 12/10 (W / L, 탆), the size of the pull-up transistor is 300/10 (W / L, Which is about 25 times larger than the size of the "

즉, 상기 쉬프트 레지스터에서 상기 풀업 트랜지스터가 큰 면적을 차지하게 된다. 이로 인해, 상기 GIP 타입의 쉬프트 레지스터의 전체 회로의 크기가 커지게 된다. That is, the pull-up transistor occupies a large area in the shift register. As a result, the size of the entire circuit of the GIP type shift register becomes large.

상기 GIP 타입의 쉬프트 레지스터들로 구성되는 상기 게이트 드라이버는 상기 패널의 비표시영역(Bezel 영역)에 형성된다. 따라서, 상기 게이트 드라이버의 크기가 커진다는 것은 상기 비표시영역이 커진다는 것을 의미한다. The gate driver including the GIP type shift registers is formed in a non-display area (Bezel area) of the panel. Therefore, the larger the size of the gate driver means that the non-display area is larger.

즉, 상기 GIP 타입의 쉬프트 레지스터에 형성되는 상기 풀업 트랜지스터의 크기가 커짐에 따라, 상기 비표시영역의 크기가 커지게 된다. 이러한 현상은, 비표시영역의 크기를 최소화하려는 디자인 개발에 장애가 될 수 있다.That is, as the size of the pull-up transistor formed in the GIP type shift register increases, the size of the non-display region becomes larger. This phenomenon may hinder the development of a design that minimizes the size of the non-display area.

특히, 풀다운 트랜지스터가 두 개 형성되어 있는 쉬프트 레지스터가 형성되는 비표시영역의 크기는, 풀다운 트랜지스터가 한 개 형성되어 있는 쉬프트 레지스터가 형성되는 비표시영역의 크기보다 크다. 따라서, 풀다운 트랜지스터가 두 개 형성되어 있는 쉬프트 레지스터를 이용한 평판표시장치에서는, 비표시영역의 크기를 줄이는 것이 더욱 어려워지고 있다. In particular, the size of the non-display area where the shift register in which two pull-down transistors are formed is larger than the size of the non-display area in which the shift register in which one pull-down transistor is formed is formed. Therefore, in a flat panel display device using a shift register in which two pulldown transistors are formed, it is further difficult to reduce the size of the non-display region.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 풀업 트랜지스터가 더블 게이트 구조로 형성되어 있는, 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 평판표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in order to solve the above problems, and it is a technical object to provide a shift register and a flat panel display using the shift register, in which the pull-up transistor is formed in a double gate structure.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 복수의 스테이지들을 포함하며, 상기 복수의 스테이지들 각각은, 클럭 신호 공급 라인에 접속된 제1전극과, 출력 노드에 접속된 제2전극과, 서로 분리되어 있으며 제1노드에 공통적으로 접속되는 두 개의 게이트 전극들을 포함하는 풀업 트랜지스터; 제2노드에 접속된 게이트 전극과, 상기 출력 노드에 접속된 제1전극과, 전압 공급 라인에 접속된 제2전극을 포함하는 풀다운 트랜지스터; 및 게이트 스타트 신호에 따라, 상기 제1노드 및 상기 제2노드로 공급되는 전압을 제어하는 노드 제어 회로를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a shift register including a plurality of stages, each of the plurality of stages including a first electrode connected to a clock signal supply line, a second electrode connected to the output node, A pull-up transistor including an electrode, two gate electrodes separated from each other and commonly connected to a first node, A pull-down transistor including a gate electrode connected to a second node, a first electrode connected to the output node, and a second electrode connected to a voltage supply line; And a node control circuit for controlling a voltage supplied to the first node and the second node in accordance with the gate start signal.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판표시장치는, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차 영역마다 픽셀들이 형성되어 있는 패널; 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버; 상기 데이터 드라이버를 구동하는 타이밍 컨트롤러; 및 상기 패널의 비표시영역에 내장되어 있고, 상기 타이밍 컨트롤러로부터 입력되는 클럭 신호에 의해 구동되어, 상기 게이트 라인들에 순차적으로 풀업 신호를 공급하며, 상기 게이트 라인에 상기 풀업 신호를 출력하는 풀업 트랜지스터가 더블 게이트 구조로 형성되어 있는 패널 내장형 게이트 드라이버를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a flat panel display comprising: a panel having pixels formed at intersections of data lines and gate lines; A data driver for supplying a data voltage to the data lines; A timing controller for driving the data driver; And a pull-up transistor which is built in a non-display area of the panel and is driven by a clock signal inputted from the timing controller to sequentially supply a pull-up signal to the gate lines, And a panel built-in gate driver having a double gate structure.

본 발명에 의하면, 풀업 트랜지스터가 더블 게이트 구조로 형성되어 있기 때문에, 상기 풀업 트랜지스터의 파워가 증가될 수 있다.According to the present invention, since the pull-up transistor is formed in the double gate structure, the power of the pull-up transistor can be increased.

상기 풀업 트랜지스터의 파워가 증가될 수 있기 때문에, 상기 풀업 트랜지스터의 크기가 줄어들 수 있고, 상기 풀업 트랜지스터의 크기가 줄어들 수 있기 때문에, 상기 풀업 트랜지스터를 포함하고 있는 쉬프트 레지스터의 크기가 줄어들 수 있으며, 상기 쉬프트 레지스터의 크기가 줄어들 수 있기 때문에, 상기 쉬프트 레지스터가 형성되는 비표시영역의 크기가 줄어들 수 있다. Since the size of the pull-up transistor can be reduced and the size of the pull-up transistor can be reduced since the power of the pull-up transistor can be increased, the size of the shift register including the pull-up transistor can be reduced, Since the size of the shift register can be reduced, the size of the non-display area where the shift register is formed can be reduced.

또한, 상기 비표시영역의 크기가 줄어들 수 있기 때문에, 네로우 베젤(Narrow Bezel)의 구현이 가능한다. In addition, since the size of the non-display region can be reduced, Narrow Bezel can be implemented.

즉, 본 발명에 의하면, 풀업 트랜지스터의 크기가 줄어들기 때문에, 비표시영역(베젤(Bezel))의 크기가 감소될 수 있으며, 소비전력 또한 저감될 수 있다. That is, according to the present invention, since the size of the pull-up transistor is reduced, the size of the non-display region (bezel) can be reduced and the power consumption can also be reduced.

도 1은 본 발명에 따른 평판표시장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 평판표시장치에 적용되는 패널 내장형 게이트 드라이버의 쉬프트 레지스터의 구성을 나타낸 예시도.
도 3은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 일실시예 회로도.
도 4는 도 3에 도시된 스테이지에 적용되는 풀업 트랜지스터의 일실시예 단면도.
도 5는 도 3에 도시된 풀업 트랜지스터에 공급되는 신호들의 파형을 나타낸 예시도.
도 6은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 효과를 설명하기 위한 예시도.
1 is a view schematically showing a flat panel display according to the present invention.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly,
3 is a circuit diagram of an embodiment of a stage applied to a shift register according to the present invention.
4 is a sectional view of one embodiment of a pull-up transistor applied to the stage shown in FIG.
5 is an exemplary view showing a waveform of signals supplied to the pull-up transistor shown in FIG.
6 is an exemplary diagram for explaining the effect of the shift register according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 평판표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a view schematically showing a flat panel display device according to the present invention.

본 발명에 따른 평판표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 데이터 라인들(DL1 내지 DLd)과 게이트 라인들(GL1 내지 GLg)의 교차 영역마다 픽셀들이 형성되어 있는 패널(100), 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLd)에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버(300), 상기 데이터 드라이버(300)를 구동하는 타이밍 컨트롤러(400) 및 상기 패널(100)의 비표시영역에 내장되어 있으며, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 입력되는 클럭 신호에 의해 구동되어, 상기 게이트 라인들(GL1 내지 GLg)에 순차적으로 스캔신호를 공급하는 패널 내장형 게이트 드라이버(200)를 포함한다.
1, the flat panel display according to the present invention includes a panel 100 in which pixels are formed at intersecting regions of data lines DL1 to DLd and gate lines GL1 to GLg, A data driver 300 for supplying a data voltage to the lines DL1 to DLd, a timing controller 400 for driving the data driver 300, And a panel built-in gate driver 200 driven by a clock signal input from the controller 400 to sequentially supply a scan signal to the gate lines GL1 to GLg.

우선, 상기 패널(100)은 표시영역(110)에 형성된 상기 게이트 라인들(GL1 내지 GLg)과 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLd)의 교차로 정의되는 영역마다 형성된 픽셀(P)들을 포함한다. 상기 패널(100)은 액정표시장치(LCD)에 적용되는 패널일 수도 있고, 유기발광표시장치(OLED)에 적용되는 패널일 수도 있으며, 전기영동표시장치(EPD)에 적용되는 패널일 수도 있다. 또한, 상기 패널(100)은, 상기한 바와 같은 평판표시장치들 이외에도, 풀업 신호(스캔신호)에 의해 구동되는 다양한 종류의 평판표시장치에 적용되는 패널일 수도 있다.The panel 100 includes pixels P formed in each of the regions defined by intersections of the gate lines GL1 to GLg formed in the display region 110 and the data lines DL1 to DLd. The panel 100 may be a panel applied to a liquid crystal display (LCD), a panel applied to an organic light emitting diode (OLED), or a panel applied to an electrophoretic display (EPD). In addition, the panel 100 may be a panel applied to various types of flat panel display devices driven by a pull-up signal (scan signal) in addition to the flat panel display devices.

상기 패널(100)은 대향 합착된 제1기판 및 제2기판을 포함한다.The panel 100 includes a first substrate and a second substrate facing each other.

상기 제1기판은 복수의 게이트 라인들(GL)과 복수의 데이터 라인들(DL)의 교차에 의해 정의되는 픽셀 영역에 형성된 복수의 픽셀(P)들을 가지는 표시 영역(110) 및 상기 표시 영역(110)의 주변에 마련된 비표시 영역(120)을 포함한다.The first substrate includes a display region 110 having a plurality of pixels P formed in a pixel region defined by the intersection of a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL, And a non-display area 120 provided in the periphery of the display area 110.

상기 복수의 픽셀(P)들 각각은, 인접한 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 풀업 신호와 인접한 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 영상을 표시한다. Each of the plurality of pixels P displays an image according to a data voltage supplied from a data line DL adjacent to a pull-up signal supplied from an adjacent gate line GL.

상기 픽셀(P)은 적어도 하나의 박막 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 픽셀(P)은, 상기 데이터 전압에 따라 액정의 광투과율을 제어하여 영상을 표시하는 액정셀이거나, 상기 데이터 전압에 따른 전류에 비례하여 발광함으로써 영상을 표시하는 발광셀이 될 수 있다. 상기 액정셀 또는 상기 발광셀 이외에도, 상기 픽셀(P)은 상기 패널(100)의 종류에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다.The pixel P may include at least one thin film transistor and at least one capacitor. The pixel P may be a liquid crystal cell that displays an image by controlling the light transmittance of the liquid crystal according to the data voltage, or may be a light emitting cell that displays an image by emitting light in proportion to a current according to the data voltage. In addition to the liquid crystal cell or the light emitting cell, the pixel P may be formed in various shapes according to the type of the panel 100.

상기 제2기판은, 상기 제1기판 중, 상기 비표시 영역(120)의 일부를 제외한 전체를 덮는다. 상기 픽셀(P)이 액정셀로 이루어진 경우, 상기 제2기판에는 컬러 필터층이 형성될 수 있다. 상기 픽셀(P)이 발광셀로 이루어진 경우, 상기 제2기판은 상기 제1기판(110)을 밀봉시키는 봉지기판(인캡)의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 제2기판 역시, 상기 패널(100)의 종류에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. The second substrate covers the whole of the first substrate excluding the part of the non-display region (120). When the pixel P is a liquid crystal cell, a color filter layer may be formed on the second substrate. If the pixel P is a light emitting cell, the second substrate may serve as an encapsulating substrate for sealing the first substrate 110. The second substrate may also be formed in various shapes depending on the type of the panel 100.

상기 픽셀(P)들 각각에 형성되어 있는 상기 박막트랜지스터(TFT)는, 상기 게이트 라인으로부터 공급되는 풀업 신호에 의해 턴온되어, 상기 데이터 라인으로부터 공급된 데이터 전압을 상기 픽셀(P)에 형성되어 있는 픽셀전극으로 공급하거나, 또는 상기 픽셀(P)에 형성되어 있는 유기발광다이오드(OLED)를 발광시킨다. The thin film transistor (TFT) formed in each of the pixels P is turned on by a pull-up signal supplied from the gate line, and a data voltage supplied from the data line is formed in the pixel P And supplies the organic light emitting diode OLED formed on the pixel P to the pixel electrode.

즉, 상기 패널(100)은 상기 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 상기 풀업 신호와, 상기 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 상기 데이터 전압에 의해, 영상을 표시하는 것으로서, 다양한 형태로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 평판표시장치는 상기 패널(100)의 종류에 따라, 액정표시장치가 될 수도 있고, 유기발광표시장치가 될 수도 있고, 전기영동표시장치(EPD)가 될 수도 있다. 이하에서는, 설명의 편의상, 상기 평판표시장치가 액정표시장치이고, 상기 패널(100)이 액정패널인 경우를 일예로 하여 본 발명이 설명된다.
That is, the panel 100 displays an image by the pull-up signal supplied through the gate line GL and the data voltage supplied through the data line DL, and may be formed in various forms . The flat panel display device according to the present invention may be a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, or an electrophoretic display device (EPD) according to the type of the panel 100. Hereinafter, for convenience of explanation, the present invention will be described by taking the case where the flat panel display device is a liquid crystal display device and the panel 100 is a liquid crystal panel.

다음, 상기 데이터 드라이버(300)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송되어온 디지털 영상데이터를 데이터 전압으로 변환하여 상기 게이트 라인에 풀업 신호가 공급되는 1수평기간마다 1수평라인분의 상기 데이터 전압을 상기 데이터 라인들에 공급한다. Next, the data driver 300 converts the digital image data transmitted from the timing controller 400 into a data voltage, and supplies the data voltage of one horizontal line for every one horizontal period supplied with a pull-up signal to the gate line To the data lines.

상기 데이터 드라이버(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 칩온필름(COF) 형태 또는 TCP(Tape Carrier Package) 방식으로 상기 패널(100)에 연결되는 소스 드라이브 IC가 될 수 있다. 이 경우, 상기 패널(100)에는 적어도 하나 이상의 상기 데이터 드라이버(300)가 연결될 수 있다. 또한, 상기 소스 드라이브 IC로 형성된, 적어도 하나 이상의 상기 데이터 드라이버(300)는 상기 패널(100)의 비표시 영역(120)에 직접 배치될 수도 있다. The data driver 300 may be a source driver IC connected to the panel 100 in a chip-on-film (COF) mode or a TCP (tape carrier package) mode, as shown in FIG. In this case, at least one data driver 300 may be connected to the panel 100. In addition, at least one data driver 300 formed of the source drive IC may be disposed directly in the non-display area 120 of the panel 100. [

상기 데이터 드라이버(300)는, 감마전압 발생부(도시하지 않음)로부터 공급되는 감마전압들을 이용하여, 상기 영상데이터를 상기 데이터 전압으로 변환시킨 후 상기 데이터 라인으로 출력시킨다. 이를 위해, 상기 데이터 드라이버(300)는, 쉬프트 레지스터부, 래치부, 디지털 아날로그 변환부(DAC) 및 출력버퍼를 포함하고 있다. The data driver 300 converts the image data into the data voltage using gamma voltages supplied from a gamma voltage generator (not shown), and outputs the data voltage to the data line. To this end, the data driver 300 includes a shift register unit, a latch unit, a digital-analog converter (DAC), and an output buffer.

상기 쉬프트 레지스터부는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 수신된 데이터 제어신호들(SSC, SSP 등)을 이용하여 샘플링 신호를 출력한다.The shift register unit outputs a sampling signal using data control signals (SSC, SSP, etc.) received from the timing controller (400).

상기 래치부는 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 순차적으로 수신된 상기 디지털 영상데이터(Data)를 래치하고 있다가, 상기 디지털 아날로그 변환부(DAC)로 동시에 출력하는 기능을 수행한다. The latch unit latches the digital image data (Data) sequentially received from the timing controller (400), and simultaneously outputs the digital image data (Data) to the digital-analog converter (DAC).

상기 디지털 아날로그 변환부는 상기 래치부로부터 전송되어온 상기 영상데이터들을 동시에 정극성 또는 부극성의 데이터 전압으로 변환하여 출력한다. 즉, 상기 디지털 아날로그 변환부는, 상기 감마전압 발생부(도시하지 않음)로부터 공급되는 감마전압을 이용하여, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송되어온 극성제어신호(POL)에 따라, 상기 영상데이터들을 정극성 또는 부극성의 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들로 출력한다. The digital-to-analog converter converts the image data transmitted from the latch unit into a data voltage of positive or negative polarity and outputs the same. That is, the digital-analog converter uses the gamma voltage supplied from the gamma voltage generator (not shown) to generate the image data according to the polarity control signal POL transmitted from the timing controller 400 Polarity or negative polarity data voltage and outputs the data voltage to the data lines.

상기 출력버퍼는 상기 디지털 아날로그 변환부로부터 전송되어온 정극성 또는 부극성의 데이터 전압을, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송되어온 소스출력인에이블신호(SOE)에 따라, 상기 패널의 데이터 라인(DL)들로 출력한다.
The output buffer outputs a positive or negative polarity data voltage transmitted from the digital-analog converter to the data line DL of the panel according to a source output enable signal SOE transmitted from the timing controller 400, .

다음, 상기 타이밍 컨트롤러(400)는, 외부 시스템(600)으로부터 입력되는 타이밍 신호, 즉, 수직동기신호(Vsync), 수평동기신호(Hsync) 및 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 이용하여, 상기 패널 내장형 게이트 드라이버(200)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와 상기 데이터 드라이버(300)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 생성하며, 상기 데이터 드라이버(300)로 전송될 영상데이터를 생성한다. Next, the timing controller 400 uses the timing signals input from the external system 600, that is, the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, and the data enable signal DE, The data driver 300 generates a gate control signal GCS for controlling the operation timing of the panel built-in gate driver 200 and a data control signal DCS for controlling the operation timing of the data driver 300, As shown in FIG.

이를 위해, 상기 타이밍 컨트롤러(400)는, 상기 외부 시스템(600)으로부터 입력영상데이터(Input Data) 및 타이밍 신호들을 수신하기 위한 수신부, 각종 제어신호들을 생성하기 위한 제어신호 생성부, 상기 입력영상데이터를 재정렬하여, 재정렬된 영상데이터(Data)를 출력하기 위한 데이터 정렬부 및 상기 제어신호들과 상기 영상데이터를 출력하기 위한 출력부를 포함한다. The timing controller 400 includes a receiver for receiving input image data and timing signals from the external system 600, a control signal generator for generating various control signals, And outputting the control signals and the image data. The data sorting unit may include a data sorting unit for sorting the plurality of image data and outputting the rearranged image data, and an output unit for outputting the control signals and the image data.

즉, 상기 타이밍 컨트롤러(400)는, 상기 외부 시스템(600)으로부터 입력되는 입력영상데이터(Input Data)를 상기 패널(100)의 구조 및 특성에 맞게 재정렬시켜, 재정렬된 상기 영상데이터를 상기 데이터 드라이버(300)로 전송한다. 이러한 기능은, 상기 데이터 정렬부에서 실행될 수 있다. That is, the timing controller 400 rearranges the input image data input from the external system 600 according to the structure and characteristics of the panel 100, and outputs the rearranged image data to the data driver (300). Such a function can be executed in the data arrangement section.

상기 타이밍 컨트롤러(400)는 상기 외부 시스템(600)으로부터 전송되어온 타이밍 신호들, 즉, 수직동기신호(Vsync), 수평동기신호(Hsync) 및 데이터인에이블신호(DE) 등을 이용하여, 상기 데이터 드라이버를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS) 및 상기 패널 내장형 게이트 드라이버(200)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)를 생성하여, 상기 제어신호들을 상기 데이터 드라이버와 상기 패널 내장형 게이트 드라이버(200)로 전송하는 기능을 수행한다. 이러한 기능은, 상기 제어신호 생성부에서 실행될 수 있다. The timing controller 400 uses the timing signals transmitted from the external system 600, that is, the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, and the data enable signal DE, The gate driver 200 generates a data control signal DCS for controlling the driver and a gate control signal GCS for controlling the panel built-in gate driver 200 and outputs the control signals to the data driver and the panel- As shown in FIG. This function can be executed in the control signal generation unit.

상기 제어신호 생성부에서 발생되는 게이트 제어신호(GCS)들로는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE), 게이트 스타트 신호(VST), 클럭 신호(CLK) 등이 있다. The gate control signals GCS generated by the control signal generator include a gate output enable signal GOE, a gate start signal VST, and a clock signal CLK.

상기 제어신호 생성부에서 발생되는 데이터 제어신호들에는 소스 스타트 펄스(SSP), 소스 쉬프트 클럭신호(SSC), 소스 출력 이네이블 신호(SOE), 극성제어신호(POL) 등이 포함된다.
The data control signals generated by the control signal generator include a source start pulse SSP, a source shift clock signal SSC, a source output enable signal SOE, and a polarity control signal POL.

마지막으로, 상기 패널 내장형 게이트 드라이버(200)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)에서 생성된 게이트 제어신호(GCS)들을 이용하여, 상기 게이트 라인들(GL1 내지 GLg) 각각에 순차적으로 풀업 신호를 공급한다. Finally, the panel built-in gate driver 200 sequentially supplies a pull-up signal to each of the gate lines GL1 to GLg using the gate control signals GCS generated by the timing controller 400 .

여기서, 상기 풀업 신호는, 상기 게이트 라인들에 연결되어 있는 스위칭용 박막트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 전압을 말한다. 상기 스위칭용 박막트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 전압은 풀다운 신호라 하며, 상기 풀업 신호와, 상기 풀다운 신호를 총칭하여 스캔신호라 한다. Here, the pull-up signal refers to a voltage capable of turning on the switching thin film transistor connected to the gate lines. The voltage that can turn off the switching thin film transistor is called a pull-down signal, and the pull-up signal and the pull-down signal are collectively referred to as a scan signal.

상기 박막트랜지스터가 N타입인 경우, 상기 풀업 신호는 하이레벨의 전압이며, 상기 풀다운 신호는 로우레벨의 전압이다. 상기 박막트랜지스터가 P타입인 경우, 상기 풀업 신호는 로우레벨의 전압이며, 상기 풀다운 신호는 하이레벨의 전압이다. When the thin film transistor is of the N type, the pull-up signal is a high level voltage and the pull-down signal is a low level voltage. When the thin film transistor is of the P type, the pull-up signal is a low level voltage and the pull-down signal is a high level voltage.

상기 패널 내장형 게이트 드라이버(200)는 상기 타이밍 컨트롤러에서 생성된 상기 게이트 제어신호를 입력받아, 상기 게이트 제어신호를 이용하여 상기 풀업 신호를 상기 게이트라인들로 순차적으로 출력하고 있다.The panel built-in gate driver 200 receives the gate control signal generated by the timing controller, and sequentially outputs the pull-up signal to the gate lines using the gate control signal.

상기 패널 내장형 게이트 드라이버(200)의 구체적인 내부 구성은 이하에서, 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명된다.
The specific internal configuration of the panel built-in gate driver 200 will be described below with reference to FIGS. 2 to 4. FIG.

도 2는 본 발명에 따른 평판표시장치에 적용되는 패널 내장형 게이트 드라이버의 쉬프트 레지스터의 구성을 나타낸 예시도이다. 2 is a diagram illustrating the structure of a shift register of a panel-integrated gate driver applied to a flat panel display device according to the present invention.

본 발명에 따른 평판표시장치에 적용되는 패널 내장형 게이트 드라이버(200)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 각 게이트 라인과 연결되어 있는 스테이지(230)가 복수개 형성되어 있는, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터(210)로 구성될 수 있다. 2, the panel built-in gate driver 200 applied to the flat panel display according to the present invention includes a plurality of stage 230 connected to each gate line, (Not shown).

상기 스테이지들은, 상기 패널의 비표시 영역에 내장되어 있다. 즉, 상기 스테이지들은, 상기 표시영역에 형성되는 소자들의 제조 공정을 통해, 상기 비표시 영역에 형성된다. The stages are embedded in a non-display area of the panel. That is, the stages are formed in the non-display region through the manufacturing process of the elements formed in the display region.

상기 스테이지(230)의 갯수는 상기 패널의 구조 및 크기, 상기 게이트 라인의 갯수 등에 따라, 다양하게 설정될 수 있다. 도 2에는 1080개의 게이트 라인을 가지고 있는 상기 패널(100)에 적용되는 쉬프트 레지스터(210)가 본 발명의 일예로 도시되어 있다. 이 경우, 상기 쉬프트 레지스터(210)를 구성하는 1080개의 스테이지(230)들 각각은, 1082개의 게이트 라인들과 1대1로 연결되어 있다. The number of the stages 230 may be variously set according to the structure and size of the panel, the number of the gate lines, and the like. 2, a shift register 210 applied to the panel 100 having 1080 gate lines is shown as an example of the present invention. In this case, each of the 1080 stages 230 constituting the shift register 210 is connected to 1082 gate lines on a one-to-one basis.

본 발명에 따른 상기 쉬프트 레지스터(210)의 기본 동작을 설명하면 다음과 같다.The basic operation of the shift register 210 according to the present invention will now be described.

상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 상기 스테이지(230)들 중 제1스테이지(Stage1)로, 상기 게이트 스타트 신호(VST)가 입력되면, 상기 제1스테이지(Stage1)가 구동을 시작한다. 상기 제1스테이지(Vstage1)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송되어온 상기 클럭 신호(CLK)와 상기 게이트 스타트 신호(VST)를 이용하여 제1풀업 신호(VGOUT1)를 생성하여 제1게이트라인(GL1)으로 출력하는 한편, 상기 제1풀업 신호를 제2스테이지(Stgae)로 전송한다. 상기 제2스테이지(Stage2)는 상기 제1풀업 신호(VGOUT1)에 의해 구동을 시작한 후, 상기 클럭 신호(CLK) 및 상기 게이트 스타트 신호(VST)를 이용해 제2풀업 신호(VGOUT2)를 생성하여, 제2게이트라인(GL2)으로 출력한다.When the gate start signal VST is input from the timing controller 400 to the first stage Stage 1 of the stages 230, the first stage Stage 1 starts driving. The first stage Vstage1 generates a first pull-up signal VGOUT1 using the clock signal CLK and the gate start signal VST transmitted from the timing controller 400 and outputs the first pull- GL1, and transmits the first pull-up signal to the second stage Stgae. The second stage Stage 2 starts driving by the first pull-up signal VGOUT1 and then generates a second pull-up signal VGOUT2 using the clock signal CLK and the gate start signal VST, And outputs it to the second gate line GL2.

상기한 바와 같은 동작은, 제3스테이지(Stage3) 내지 제1080스테이지(Stage1080)까지 동일하게 반복된다.The above operation is repeated in the same manner from the third stage (Stage 3) to the 1080th stage (Stage 1080).

즉, 상기 스테이지들은, 상기 클럭 신호(CLK)와 상기 게이트 스타트 신호(VST)를 이용하여, 각 게이트 라인으로, 순차적으로 스캔신호(VGOUT)를 출력한다.That is, the stages sequentially output the scan signal (VGOUT) to each gate line by using the clock signal (CLK) and the gate start signal (VST).

상기 스테이지들이 구동되는 구체적인 방법은, 상기 스테이지들로 입력되는 상기 클럭 신호의 갯수 및 클럭 신호의 형태에 따라 다양하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 설명에서는, 하나의 클럭 신호만이 상기 스테이지들 각각으로 입력되는 것으로 설명되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 두 개 이상의 클럭 신호들이 상기 스테이지들로 입력되어 상기 스테이지들이 구동될 수도 있다.
A specific method of driving the stages may be variously formed according to the number of the clock signals input to the stages and the type of the clock signal. That is, in the above description, only one clock signal is input to each of the stages, but the present invention is not limited thereto. Thus, two or more clock signals may be input to the stages to drive the stages.

도 3은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 일실시예 회로도이고, 도 4는 도 3에 도시된 스테이지에 적용되는 풀업 트랜지스터의 일실시예 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 풀업 트랜지스터에 공급되는 신호들의 파형을 나타낸 예시도이며, 도 6은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 효과를 설명하기 위한 예시도이다. FIG. 3 is a circuit diagram of a stage applied to a shift register according to the present invention, FIG. 4 is a sectional view of an embodiment of a pull-up transistor applied to the stage shown in FIG. 3, FIG. 6 is an exemplary diagram for explaining the effect of the shift register according to the present invention. Referring to FIG.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 구성하는 각각의 스테이지(230)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 풀업 신호를 출력하는 풀업 트랜지스터(Tu), 풀다운 신호를 출력하는 풀다운 트랜지스터(Td) 및 노드 제어 회로(NCC)를 포함한다.Each stage 230 constituting the shift register according to the present invention includes a pull-up transistor Tu for outputting a pull-up signal, a pull-down transistor Td for outputting a pull-down signal, (NCC).

이하에서는, 도 3에 도시된 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터가 본 발명의 일예로서 설명된다. 즉, 본 발명에 다른 쉬프트 레지스터가 도 3에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a shift register including the stage shown in Fig. 3 will be described as an example of the present invention. That is, the shift register according to the present invention is not limited to the configuration shown in FIG.

또한, 도 3에 도시된 스테이지(230)를 구성하는 풀업 트랜지스터(Tu), 풀다운 트랜지스터(Td) 및 그 이외의 트랜지스터들은, N타입으로 구성되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, although the pull-up transistor Tu, the pull-down transistor Td, and the other transistors constituting the stage 230 shown in FIG. 3 are of N type, the present invention is not limited thereto.

또한, 도 3에 도시된 스테이지(230)는, 두 개의 풀 다운 트랜지스터(Td1, Td2)를 이용하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 각각의 스테이지는 한 개의 풀다운 트랜지스터만을 이용할 수도 있다.
In addition, although the stage 230 shown in FIG. 3 uses two pull-down transistors Td1 and Td2, the present invention is not limited thereto. That is, each stage applied to the shift register according to the present invention may use only one pull-down transistor.

우선, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)는 클럭 신호 공급 라인에 접속된 제1전극과, 출력 노드에 접속된 제2전극과, 서로 분리되어 있는 상태에서 제1노드에 공통적으로 접속되는 두 개의 게이트 전극을 포함한다. 상기 두 개의 게이트 전극 중, 제1게이트 전극(111)은 제1노드(Q)에 접속되어 있다. 상기 두 개의 게이트 전극 중 제2게이트 전극(117)은 상기 제1노드(Q)에 접속되고, 상기 제1게이트 전극과는 분리되어 있으며, 절연층을 사이에 두고 상기 제1전극과 상기 제2전극에 배치되어 있다. First, the pull-up transistor Tu includes a first electrode connected to a clock signal supply line, a second electrode connected to the output node, and two gate electrodes commonly connected to the first node in a state of being separated from each other . Of the two gate electrodes, the first gate electrode 111 is connected to the first node (Q). A second gate electrode (117) of the two gate electrodes is connected to the first node (Q), is separated from the first gate electrode, and the first electrode and the second And is disposed on the electrode.

상기 풀업 트랜지스터(Tu)는 상기 제1노드(Q)의 전압에 따라 턴온되어 상기 풀업 신호 레벨의 상기 클럭 신호(CLK)를 상기 출력 노드(No)에 공급한다. The pull-up transistor Tu is turned on in accordance with the voltage of the first node (Q) to supply the clock signal (CLK) of the pull-up signal level to the output node (No).

특히, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 턴온 시킬 수 있는 턴온 전압이 상기 제1노드(Q)에 공급될 때, 상기 턴온 전압이 상기 제1게이트 전극(111)과 상기 제2게이트 전극(117)에 동시에 공급됨으로써, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 상기 출력 노드(No)로 출력되는 풀업 신호의 파워가 증가될 수 있다.In particular, when a turn-on voltage capable of turning on the pull-up transistor Tu is supplied to the first node Q, the turn-on voltage is applied to the first gate electrode 111 and the second gate electrode 117 The power of the pull-up signal output to the output node No through the pull-up transistor Tu can be increased.

즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)는 보텀 게이트 전극(제1게이트 전극)(111) 및 탑 게이트 전극(제2게이트 전극)(117)을 포함하는, 더블 게이트(Double Gate) 구조로 형성되어 있다. 상기 제1게이트 전극(111) 및 상기 제2게이트 전극(117)은 모두 상기 제1노드(Q)에 연결되어 있다. 따라서, 상기 제1노드(Q)가 충전(Charging)되어, 상기 제1게이트 전극(111)에 하이(High) 전압이 공급되어 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 턴온(Turn-On) 될 때, 상기 제2게이트 전극(117)에도 동시에 하이 전압이 걸린다. That is, the pull-up transistor Tu is formed in a double gate structure including a bottom gate electrode (first gate electrode) 111 and a top gate electrode (second gate electrode) 117. The first gate electrode 111 and the second gate electrode 117 are both connected to the first node Q. Therefore, when the first node Q is charged and a high voltage is supplied to the first gate electrode 111 so that the pull-up transistor Tu is turned on, A high voltage is applied to the second gate electrode 117 at the same time.

이로 인해, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 구성하는 액티브층(Active)에, 전자(또는 정공)이 이동될 수 있는, 더 넓은 경로(Path)가 형성되어, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 출력되는 상기 풀업 신호의 파워가 증가될 수 있다.Therefore, a wider path that allows electrons (or holes) to move can be formed in the active layer (Active) constituting the pull-up transistor Tu and output through the pull-up transistor Tu The power of the pull-up signal can be increased.

상기 제1노드(Q)가 방전되어, 상기 제1게이트 전극(111)에 로우(Low) 전압이 공급되면, 상기 제2게이트 전극(117)에도 로우 전압이 공급되어, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 턴온된다. 이로 인해, 상기 풀업 신호의 출력이 중단된다. When the first node Q is discharged and a low voltage is supplied to the first gate electrode 111, a low voltage is also applied to the second gate electrode 117, Lt; / RTI > As a result, the output of the pull-up signal is interrupted.

상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 구성을 도 4를 참조하여 설명하면, 다음과 같다. The configuration of the pull-up transistor Tu will be described with reference to FIG.

상기 풀업 트랜지스터(Tu)는 상기 패널(100)의 상기 제1기판(110)에 형성된 상기 제1게이트 전극(111), 상기 제1게이트 전극(111)을 덮는 게이트 절연층(112), 상기 제1게이트 전극(111)에 중첩되도록 상기 게이트 절연층(112) 상에 형성된 반도체층(액티브층, ACT)(113), 상기 제1게이트 전극(111)에 중첩되는 상기 반도체층(113)의 채널 영역을 사이에 두고 나란하게 형성된 상기 제1전극(114) 및 상기 제2전극(115), 상기 반도체층(113)과 상기 제1전극(114)과 상기 제2전극(115)을 덮는 보호층(116) 및 상기 제1게이트 전극(111)에 중첩되도록 상기 보호층(116)에 형성된 상기 제2게이트 전극(117)을 포함한다. 또한, 도면으로 도시되어 있지는 않지만, 상기 제1전극(114)과 상기 제2전극(115)은, 오믹 접촉층을 사이에 두고, 상기 반도체층(113) 상에 형성될 수 있다.The pull-up transistor Tu includes the first gate electrode 111 formed on the first substrate 110 of the panel 100, the gate insulating layer 112 covering the first gate electrode 111, A semiconductor layer (active layer, ACT) 113 formed on the gate insulating layer 112 to overlap the first gate electrode 111, a channel of the semiconductor layer 113 overlapping the first gate electrode 111 The first electrode 114 and the second electrode 115 formed in parallel with the first electrode 114 and the second electrode 115 and the protective layer 130 covering the semiconductor layer 113 and the first electrode 114 and the second electrode 115, And a second gate electrode 117 formed on the passivation layer 116 to overlap the first gate electrode 111 and the second gate electrode 111. Although not shown in the drawings, the first electrode 114 and the second electrode 115 may be formed on the semiconductor layer 113 with the ohmic contact layer interposed therebetween.

첫째, 상기 제1게이트 전극(111)은 상기 제1노드(Q)에 연결되어 있다. First, the first gate electrode 111 is connected to the first node Q.

둘째, 상기 절연층(112)은 상기 제1게이트 전극(111)을 상기 제1전극(114), 상기 제2전극(115) 및 상기 반도체층(113)과 절연시킨다.Second, the insulating layer 112 insulates the first gate electrode 111 from the first electrode 114, the second electrode 115, and the semiconductor layer 113.

셋재, 상기 반도체층(113)은 Zinc Oxide, Tin Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, 또는 In-Sn Oxide 등의 산화물로 이루어지거나, 상기 산화물에 Al, Ni, Cu, Ta, Mo, Zr, V, Hf 또는 Ti 물질의 이온이 도핑된 산화물로 이루어질 수 있다. 이러한 반도체층(113)은 채널 영역, 소스 영역, 및 드레인 영역을 포함하며, 상기 채널 영역은 제 1 게이트 전극(110)에 중첩된다. 상기 반도체층(113)은 전자 또는 정공이 이동되는 경로를 형성한다.The semiconductor layer 113 may be formed of an oxide such as Zinc Oxide, Tin Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, or In-Sn Oxide, Mo, Zr, V, Hf or an oxide of an ion of a Ti material. The semiconductor layer 113 includes a channel region, a source region, and a drain region, and the channel region overlaps the first gate electrode 110. The semiconductor layer 113 forms a path through which electrons or holes are moved.

넷째, 상기 제1전극(114) 및 상기 제2전극(115)들은, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 소스단자 및 드레인단자의 기능을 수행한다. Fourth, the first electrode 114 and the second electrode 115 function as a source terminal and a drain terminal of the pull-up transistor Tu.

다섯째, 상기 보호층(116)은 상기 제1전극(114), 상기 제2전극(115) 및 상기 반도체층(113)을 보호하는 한편, 상기 보호층(116)은 상기 제1전극(114), 상기 제2전극(115) 및 상기 반도체층(113)을, 상기 제2게이트 전극(117)과 절연시키는 기능을 수행한다. Fifth, the passivation layer 116 protects the first electrode 114, the second electrode 115 and the semiconductor layer 113 while the passivation layer 116 protects the first electrode 114, The second electrode 115, and the semiconductor layer 113 from the second gate electrode 117. In addition,

여섯째, 상기 제2게이트 전극(117)은 상기 제1게이트 전극(111)과 일부 또는 전부 중첩되도록 상기 보호층(116)에 형성될 수 있다. 상기 제2게이트 전극(117)은 상기 제1게이트 전극(111)과 마찬가지로 상기 제1노드(Q)에 연결되어 있다. Sixth, the second gate electrode 117 may be formed on the passivation layer 116 so as to partially or entirely overlap the first gate electrode 111. The second gate electrode 117 is connected to the first node Q in the same manner as the first gate electrode 111.

한편, 도 3에서는, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 상기 제2게이트 전극(117)과 상기 제1전극(114) 및 상기 제2전극(115)이 서로 다른 층에 형성되는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 상기 제2게이트 전극(117)과 상기 제1전극(114) 및 상기 제2전극(115) 각각은, 상기 반도체층(113) 상의 각기 다른 영역에 중첩되도록 동일층에 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 상기 제1전극(114) 및 상기 제2전극(115) 각각은 컨택홀(미도시)을 통해 상기 반도체층(113)에 연결될 수 있다. 3, the second gate electrode 117 of the pull-up transistor Tu and the first electrode 114 and the second electrode 115 are formed on different layers. However, The invention is not limited thereto. That is, the second gate electrode 117, the first electrode 114, and the second electrode 115 of the pull-up transistor Tu are formed so as to overlap each other on the semiconductor layer 113 Lt; / RTI > layer. In this case, each of the first electrode 114 and the second electrode 115 of the pull-up transistor Tu may be connected to the semiconductor layer 113 through a contact hole (not shown).

상기한 바와 같이, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)에서는, 상기 턴온 전압이 상기 제1게이트 전극(111)과 상기 제2게이트 전극(117)에 동시에 공급되기 때문에, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 상기 출력 노드(No)로 출력되는 풀업 신호의 파워가 증가될 수 있다.As described above, in the pull-up transistor Tu, since the turn-on voltage is simultaneously supplied to the first gate electrode 111 and the second gate electrode 117, the pull- The power of the pull-up signal output to the node No can be increased.

즉, 본 발명에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1게이트 전극(111)에 공급되는 상기 제1노드(Q)의 전압이, 상기 제2게이트 전극(117)에도 공급됨으로써, 동일한 타이밍에, 상기 제1게이트 전극(111)과 상기 제2게이트 전극(117)에 동일한 전압이 인가된다. 이에 따라, 상기 반도체층(113)의 경로가 확장되어, 상기 반도체층(113)을 따라 많은 전류가 흐르게 되며, 이로 인해, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로부터 출력되는 상기 풀업 신호(Vout)의 파워가 증가하게 된다.5, the voltage of the first node Q supplied to the first gate electrode 111 is also supplied to the second gate electrode 117, so that the same timing The same voltage is applied to the first gate electrode 111 and the second gate electrode 117. Accordingly, the path of the semiconductor layer 113 expands, and a large amount of current flows along the semiconductor layer 113. As a result, the power of the pull-up signal Vout output from the pull-up transistor Tu becomes .

상기한 바와 같은 본 발명의 특징은, 도 6을 통해 확인될 수 있다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 동일한 게이트 소스 전압(Vgs)에서, 상기 제2게이트 전극(117)으로 공급되는 전압이 증가되어, 상기 제2게이트 전극(117)으로 공급되는 전압이 상기 제1게이트 전극(117)으로 인가되는 전압과 동일해 질수록(화살표 방향), 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 흐르는 전류(Id)가 증가된다. 따라서, 상기 제1게이트 전극(111)과 상기 제2게이트 전극(117)에 상기 제1노드(Q)의 전압이 동시에 공급되면, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로부터 출력되는 상기 풀업 신호(Vout)의 출력이 증가된다.
The characteristics of the present invention as described above can be confirmed through FIG. 6, at the same gate source voltage Vgs, the voltage supplied to the second gate electrode 117 is increased, and the voltage supplied to the second gate electrode 117 is increased (The direction of the arrow) becomes equal to the voltage applied to the gate electrode 117, the current Id flowing through the pull-up transistor Tu is increased. Therefore, when the voltage of the first node Q is simultaneously supplied to the first gate electrode 111 and the second gate electrode 117, the voltage of the pull-up signal Vout output from the pull- The output is increased.

다음, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)는 제2노드(QB)에 접속된 게이트 전극, 상기 출력 노드(No)에 접속된 제1전극, 저전위 전압(Vss) 공급 라인에 접속된 제2전극을 포함한다. Next, the pull-down transistor Td includes a gate electrode connected to the second node QB, a first electrode connected to the output node No, and a second electrode connected to a low potential voltage (Vss) supply line do.

상기 풀다운 트랜지스터(Td)는 상기 게이트 전극에 접속된 상기 제2노드(QB) 상의 전압에 따라 턴온되어 풀다운 신호 레벨의 저전위 전압(Vss)을 상기 출력 노드(No)에 공급한다.The pull-down transistor Td is turned on in response to the voltage on the second node QB connected to the gate electrode to supply the pull-down signal level low potential Vss to the output node No.

도 3에는 상기 풀다운 트랜지스터(Td)가 두 개 형성되어 있는 스테이지가 도시되어 있다. 이 경우, 상기 두 개의 풀다운 트랜지스터(Td1, Td2)는, 매 프레임 단위로 또는 적어도 2프레임 단위로 교번되어 동작될 수 있다. 즉, 상기 두 개의 풀다운 트랜지스터는, 기 설정된 기간마다 교번되어 동작된다. FIG. 3 shows a stage in which two pulldown transistors Td are formed. In this case, the two pull-down transistors Td1 and Td2 may be alternately operated every frame or every two frames. That is, the two pull-down transistors are alternately operated every predetermined period.

그러나, 상기한 바와 같이, 본 발명이 두 개의 풀다운 트랜지스터를 가지고 있는 스테이지에 한정되는 것은 아니다.
However, as described above, the present invention is not limited to a stage having two pull-down transistors.

마지막으로, 상기 노드 제어 회로(NCC)는 상기 게이트 스타트 신호(VST), 고전위 전압(Vdd) 및 저전위 전압(Vss)을 이용하여, 상기 제1노드(Q) 및 상기 제2노드(QB) 각각의 전압을 제어한다. Finally, the node control circuit (NCC) uses the gate start signal (VST), the high potential voltage (Vdd) and the low potential voltage (Vss) to control the first node (Q) ), Respectively.

상기 노드 제어 회로(NCC)는 상기 게이트 스타트 신호(VST)에 의해 구동되어, 상기 고전위 전압(Vdd)을 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 상기 제1게이트 전극(111) 및 상기 제2게이트 전극(117)으로 공급한다. 즉, 상기 제1노드(Q)로 상기 풀업 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 턴온 전압(고전위 전압(Vdd))이 공급된다. 상기 고전위 전압(Vdd)에 의해 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 턴온되면, 상기 클럭 신호(CLK)가 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 상기 출력 노드(No)로 출력된다. 상기 출력 노드(No)를 통해 출력된 상기 클럭 신호(CLK)는, 상기 출력 노드(No)와 연결되어 있는 게이트 라인에, 상기 풀업 신호로 공급된다.The node control circuit NCC is driven by the gate start signal VST to supply the high potential voltage Vdd to the first gate electrode 111 and the second gate electrode of the pull- 117). That is, the first node Q is supplied with a turn-on voltage (high-potential voltage Vdd) capable of turning on the pull-up transistor. When the pull-up transistor Tu is turned on by the high potential voltage Vdd, the clock signal CLK is output to the output node No via the pull-up transistor Tu. The clock signal CLK output through the output node No is supplied as the pull-up signal to the gate line connected to the output node No.

상기 노드 제어 회로(NCC)는 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로 공급되는 동안, 상기 제2노드(QB)로, 상기 풀다운 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 턴오프 전압, 즉, 상기 저전위 전압(Vss)을 공급하여 상기 풀다운 트랜지스터(Td)를 턴오프시킴으로써, 상기 풀업 신호가 출력되고 있는 상기 출력 노드(No)로 상기 저전위 전압(Vss)이 출력되는 것을 방지한다. The node control circuit NCC supplies a turn-off voltage that can turn off the pull-down transistor to the second node QB while the high-potential voltage Vdd is supplied to the pull-up transistor Tu, that is, , The low potential voltage Vss is supplied to turn off the pull-down transistor Td to prevent the low potential voltage Vss from being output to the output node No at which the pull-up signal is output.

한편, 도 3에 도시된 상기 스테이지는 제n번째 스테이지로서, 상기 제n번째 스테이지에서는, 상기 게이트 스타트 신호(VST)로 제n-2번째 스테이지에서 출력된 제n-2번째 풀업 신호(Vout(n-2)가 이용되고 있다. 3 is an n-th stage in which the (n-2) -th pull-up signal Vout ((n-2) n-2) is used.

즉, 상기 제n-2번째 풀업 신호(Vout(n-2))에 의해 제1트랜지스터(T1)가 턴온되면, 상기 고전위 전압(Vdd)이 상기 제1트랜지스터(T1)를 통해 상기 제1노드(Q)로 공급된다.That is, when the first transistor T1 is turned on by the (n-2) th pullup signal Vout (n-2), the high potential voltage Vdd is supplied to the first transistor T1 through the first transistor T1 And is supplied to the node Q.

상기 제1노드(Q)로 공급된 상기 고전위 전압(Vdd)은 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 상기 제1게이트 전극(111) 및 상기 제2게이트 전극(117)에 공급된다. 상기 고전위 전압(Vdd)에 의해 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 턴온되면, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 상기 풀업 신호가 출력되어, 상기 풀업 신호가 상기 출력 노드(No)를 통해 게이트 라인으로 공급된다. The high potential voltage Vdd supplied to the first node Q is supplied to the first gate electrode 111 and the second gate electrode 117 of the pull-up transistor Tu. When the pull-up transistor Tu is turned on by the high-potential voltage Vdd, the pull-up signal is output through the pull-up transistor Tu, and the pull-up signal is supplied to the gate line through the output node No do.

이 경우, 상기 두 개의 풀다운 트랜지스터들(Td1, Td2)의 게이트 전극으로는 상기 두 개의 풀다운 트랜지스터들(Td1, Td2)을 턴오프 시키는 턴오프 전압이 입력된다. 따라서, 상기 두 개의 풀다운 트랜지스터들로부터는 어떠한 신호도 출력되지 않는다.
In this case, a turn-off voltage for turning off the two pull-down transistors Td1 and Td2 is input to the gate electrodes of the two pull-down transistors Td1 and Td2. Therefore, no signal is output from the two pull-down transistors.

상기 제n-2번째 풀업 신호의 출력이 중단되고, 제n+2번째 풀업 신호가 출력되면, 상기 제1트랜지스터(T1)가 턴오프되고, 제2트랜지스터(T2)가 턴온된다.When the output of the (n-2) th pull-up signal is stopped and the (n + 2) th pull-up signal is output, the first transistor T1 is turned off and the second transistor T2 is turned on.

따라서, 상기 제1노드(Q)로 상기 고전위 전압(Vdd) 대신, 상기 저전위 전압(Vss)이 공급된다. 상기 저전위 전압은 상기 풀업 트랜지스터를 턴오프시키는 x턴오프 전입이다. 이에 따라, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 턴오프되어, 상기 풀업 트랜지스터로부터 상기 풀업 신호가 출력되지 않는다.Therefore, the low potential voltage (Vss) is supplied to the first node (Q) instead of the high potential voltage (Vdd). The low potential voltage is an x turn-off transition that turns off the pull-up transistor. As a result, the pull-up transistor Tu is turned off and the pull-up signal is not output from the pull-up transistor.

일예로서, 도 3에 도시된 스테이지에서는, 홀수번째 프레임(odd frame)에서 제1풀다운 트랜지스터(Td1)가 구동되고, 짝수번째 프레임(even frame)에서 제2풀다운 트랜지스터(Td2)가 구동된다.As an example, in the stage shown in Fig. 3, the first pull-down transistor Td1 is driven in an odd frame and the second pull-down transistor Td2 is driven in an even frame.

이 경우, 홀수번째 프레임이 시작된 후, 도 3에 도시된 상기 제n번째 스테이지로부터 상기 풀업 신호의 출력이 중단되면, 홀수번째 구동전압(Vdd_o) 및 짝수번째 구동전압(Vdd_e)의 조합에 의해, 상기 제1풀다운 트랜지스터(Td1)가 턴온된다. 즉, 상기 홀수번째 구동전압 및 상기 짝수번째 구동전압의 조합에 의해, 상기 제1풀다운 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 턴온 전압이, 상기 제1풀다운 트랜지스터의 상기 게이트 전극으로 공급된다.In this case, after the odd-numbered frame starts, when the output of the pull-up signal from the n-th stage shown in FIG. 3 is interrupted, by the combination of the odd driving voltage Vdd_o and the even driving voltage Vdd_e, The first pull-down transistor Td1 is turned on. That is, by the combination of the odd-numbered driving voltage and the even-numbered driving voltage, a turn-on voltage capable of turning on the first pull-down transistor is supplied to the gate electrode of the first pull-down transistor.

상기 제1풀다운 트랜지스터(Td1)가 턴온되면, 상기 제1풀다운 트랜지스터(Td1)를 통해 상기 저전위 전압(Vss)이 상기 출력 노드(No)를 통해 상기 게이트 라인으로 출력된다.When the first pull-down transistor Td1 is turned on, the low potential voltage Vss is output to the gate line through the output node No through the first pull-down transistor Td1.

짝수번째 프레임이 시작된 후, 도 3에 도시된, 상기 제n번째 스테이지로부터 상기 풀업 신호의 출력이 중단되면, 상기 홀수번째 구동전압(Vdd_o) 및 상기 짝수번째 구동전압(Vdd_e)의 조합에 의해, 상기 제1풀다운 트랜지스터(Td2)가 턴온된다.When the output of the pull-up signal is stopped from the n-th stage shown in FIG. 3 after the start of the even-numbered frame, by the combination of the odd-numbered driving voltage Vdd_o and the even-numbered driving voltage Vdd_e, The first pull-down transistor Td2 is turned on.

상기 제2풀다운 트랜지스터(Td2)가 턴온되면, 상기 제2풀다운 트랜지스터(Td2)를 통해 상기 저전위 전압(Vss)이 상기 출력 노드(No)를 통해 상기 게이트 라인으로 출력된다. When the second pull-down transistor Td2 is turned on, the low potential voltage Vss is output to the gate line through the output node No through the second pull-down transistor Td2.

상기한 바와 같은 동작을 위해, 상기 제1풀다운 트랜지스터(Td1) 및 상기 제2풀다운 트랜지스터(Td2)에 연결되어 있는, 제3트랜지스터(T3) 내지 제10트랜지스터(T10)는 다양한 형태로 구성될 수 있다. For the above operation, the third to tenth transistors T10 to T10 connected to the first pull-down transistor Td1 and the second pull-down transistor Td2 may be configured in various forms have.

즉, 상기 노드 제어 회로(NCC)는, 도 3에 도시된 구성에 한정되지 않고, 다양한 형태로 구성되어, 다양한 방법으로 구동될 수 있다.
That is, the node control circuit (NCC) is not limited to the configuration shown in FIG. 3, but may be configured in various forms and may be driven by various methods.

상기한 바와 같은 본 발명을 정리하면 다음과 같다. The present invention as described above can be summarized as follows.

첫째, 풀업 트랜지스터(Tu)에 제1게이트 전극과 함께 제2게이트 전극(Top Gate)이 형성함으로써, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)는 더블 게이트(Double Gate) 구조로 형성된다. 상기 두 개의 게이트 전극은 상기 노드 제어 회로(NCC)의 제1노드(Q)에 연결된다. First, a second gate electrode is formed in the pull-up transistor Tu together with the first gate electrode, so that the pull-up transistor Tu is formed in a double gate structure. The two gate electrodes are connected to a first node (Q) of the node control circuit (NCC).

상기 제1노드(Q)가 충전되어, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 상기 제1게이트 전극과 상기 제2게이트 전극에 동시에 턴온전압이 걸리면, 상기 풀업 트랜지스터의 반도체층(113)에 더 넓은 경로(Path)가 형성되어, 상기 풀업 트랜지스터로부터 출력되는 풀업 신호의 파워가 증가된다. When the first node Q is charged and a turn-on voltage is simultaneously applied to the first gate electrode and the second gate electrode of the pull-up transistor Tu, the semiconductor layer 113 of the pull- Path is formed, and the power of the pull-up signal output from the pull-up transistor is increased.

둘째, 상기 더블 게이트(Double Gate) 구조는, 상기 풀업 트랜지스터(Tu) 이외에도, 상기 풀다운 트랜지스터(Td) 및 상기 노드 제어 회로(NCC)에 형성되는 모든 트랜지스터들에 적용될 수 있다. 즉, 상기 더블 게이트 구조는, 출력을 발생시키는 모든 트랜지스터에 적용될 수 있다. Second, the double gate structure may be applied to all the transistors formed in the pull-down transistor Td and the node control circuit NCC in addition to the pull-up transistor Tu. That is, the double gate structure can be applied to all transistors that generate an output.

셋째, 본 발명은 상기 노드 제어 회로(NCC)의 종류에 관계없이, 다양한 형태(DAC, DC, SLC etc.)의 쉬프트 레지스터에 적용될 수 있다. Third, the present invention can be applied to shift registers of various types (DAC, DC, SLC, etc.) regardless of the type of the node control circuit (NCC).

넷째, 본 발명에 의하면, 상기 풀업 트랜지스터의 크기가 줄어들 수 있으며, 상기 풀업 트랜지스터의 크기가 줄어들더라도, 상기 풀업 트랜지스터를 통해 출력되는 상기 풀업 신호의 파워는 증가될 수 있다. Fourth, according to the present invention, the size of the pull-up transistor can be reduced, and even if the size of the pull-up transistor is reduced, the power of the pull-up signal output through the pull-up transistor can be increased.

다섯째, 본 발명에 의하면, 상기 풀업 트랜지스터의 크기가 줄어들기 때문에, 상기 쉬프트 레지스터가 형성되는 비표시영역의 크기가 줄어들 수 있으며, 이로 인해, 네로우 베젤의 구현이 가능하다. Fifthly, according to the present invention, since the size of the pull-up transistor is reduced, the size of the non-display area where the shift register is formed can be reduced, thereby realizing a narrow bezel.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100 : 패널 200 : 게이트 드라이버
300 : 데이터 드라이버 400 : 타이밍 컨트롤러
600 : 외부 시스템 Tu : 풀업 트랜지스터
Td : 풀다운 트랜지스터 NCC : 노드 제어 회로
100: panel 200: gate driver
300: Data driver 400: Timing controller
600: external system Tu: pull-up transistor
Td: pull-down transistor NCC: node control circuit

Claims (10)

복수의 스테이지들을 포함하며,
상기 복수의 스테이지들 각각은,
클럭 신호 공급 라인에 접속된 제1전극과, 출력 노드에 접속된 제2전극과, 서로 분리되어 있으며 제1노드에 공통적으로 접속되는 두 개의 게이트 전극들을 포함하는 풀업 트랜지스터;
제2노드에 접속된 게이트 전극과, 상기 출력 노드에 접속된 제1전극과, 전압 공급 라인에 접속된 제2전극을 포함하는 풀다운 트랜지스터; 및
게이트 스타트 신호에 따라, 상기 제1노드 및 상기 제2노드로 공급되는 전압을 제어하는 노드 제어 회로를 포함하는 쉬프트 레지스터.
Comprising a plurality of stages,
Wherein each of the plurality of stages comprises:
A pull-up transistor including a first electrode connected to a clock signal supply line, a second electrode connected to the output node, and two gate electrodes separated from each other and commonly connected to the first node;
A pull-down transistor including a gate electrode connected to a second node, a first electrode connected to the output node, and a second electrode connected to a voltage supply line; And
And a node control circuit for controlling a voltage supplied to the first node and the second node in accordance with the gate start signal.
제 1 항에 있어서,
상기 두 개의 게이트 전극들 중 제1게이트 전극은, 제1노드에 접속되어 있으며,
상기 두 개의 게이트 전극들 중 제2게이트 전극은, 상기 제1노드에 접속되고, 상기 제1게이트 전극과는 분리되어 있으며, 절연층을 사이에 두고 상기 제1전극과 상기 제2전극에 배치되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
A first gate electrode of the two gate electrodes is connected to a first node,
And a second gate electrode of the two gate electrodes is connected to the first node and is separated from the first gate electrode and disposed on the first electrode and the second electrode with an insulating layer therebetween A shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 풀업 트랜지스터는,
기판에 형성된 제1게이트 전극;
상기 제1게이트 전극을 덮는 게이트 절연층;
상기 제1게이트 전극에 중첩되도록 상기 게이트 절연층 상에 형성된 반도체층;
상기 제1게이트 전극에 중첩되는 상기 반도체층의 채널 영역을 사이에 두고 나란하게 형성된 상기 제1전극 및 상기 제2전극;
상기 반도체층과 상기 제1전극과 상기 제2전극을 덮는 보호층; 및
상기 제1게이트 전극에 중첩되도록 상기 보호층에 형성된 제2게이트 전극을 포함하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
The pull-
A first gate electrode formed on a substrate;
A gate insulating layer covering the first gate electrode;
A semiconductor layer formed on the gate insulating layer to overlap the first gate electrode;
The first electrode and the second electrode formed in parallel to each other with a channel region of the semiconductor layer overlapping the first gate electrode;
A protective layer covering the semiconductor layer, the first electrode, and the second electrode; And
And a second gate electrode formed on the protection layer to overlap the first gate electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 풀업 트랜지스터는, 상기 제1노드로부터 공급되는 전압에 의해 턴온되어, 상기 클럭 신호 공급 라인을 통해 공급되는 클럭 신호를 상기 출력 노드를 통해 게이트 라인으로 출력하며,
상기 풀다운 트랜지스터는, 상기 제2노드로부터 공급되는 전압에 의해 턴온되어, 상기 전압 공급 라인을 통해 공급되는 전압을 상기 출력 노드를 통해 상기 게이트 라인으로 출력하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
Wherein the pull-up transistor is turned on by a voltage supplied from the first node and outputs a clock signal supplied through the clock signal supply line to the gate line via the output node,
Wherein the pull-down transistor is turned on by a voltage supplied from the second node, and outputs a voltage supplied through the voltage supply line to the gate line via the output node.
제 4 항에 있어서,
상기 클럭 신호는, 상기 게이트 라인에 형성되어 있는 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 풀업 신호이며,
상기 전압 공급 라인을 통해 공급되어 상기 출력 노드를 통해 상기 게이트 라인으로 출력되는 상기 전압은, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴오프시키는 풀다운 신호인 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
5. The method of claim 4,
Wherein the clock signal is a pull-up signal for turning on the switching transistor formed in the gate line,
Wherein the voltage supplied through the voltage supply line and output to the gate line through the output node is a pull-down signal for turning off the switching transistor.
제 4 항에 있어서,
상기 노드 제어 회로는,
상기 제1노드로 상기 풀업 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 턴온 전압이 공급되는 동안, 상기 제2노드로 상기 풀다운 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 턴오프전압을 공급하며,
상기 제1노드로 상기 풀업 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 턴오프 전압이 공급되는 동안, 상기 제2노드로 상기 풀다운 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 턴온 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
5. The method of claim 4,
The node control circuit comprising:
Supplying a turn-off voltage capable of turning off the pull-down transistor to the second node while a turn-on voltage capable of turning on the pull-up transistor to the first node is supplied,
And a turn-on voltage capable of turning on the pull-down transistor to the second node while the turn-off voltage capable of turning off the pull-up transistor is supplied to the first node.
제 1 항에 있어서,
상기 풀다운 트랜지스터는,
제1풀다운 트랜지스터 및 제2풀다운 트랜지스터를 포함하며,
상기 노드 제어 회로는,
기 설정된 기간마다 상기 제1풀다운 트랜지스터 및 상기 제2풀다운 트랜지스터를 교번시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
The pull-
A first pull-down transistor and a second pull-down transistor,
The node control circuit comprising:
And the first pull-down transistor and the second pull-down transistor are alternated every predetermined period.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지들은, 패널의 비표시 영역에 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
Wherein the stages are built in a non-display area of the panel.
데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차 영역마다 픽셀들이 형성되어 있는 패널;
상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버;
상기 데이터 드라이버를 구동하는 타이밍 컨트롤러; 및
상기 패널의 비표시영역에 내장되어 있고, 상기 타이밍 컨트롤러로부터 입력되는 클럭 신호에 의해 구동되어, 상기 게이트 라인들에 순차적으로 풀업 신호를 공급하며, 상기 게이트 라인에 상기 풀업 신호를 출력하는 풀업 트랜지스터가 더블 게이트 구조로 형성되어 있는 패널 내장형 게이트 드라이버를 포함하는 평판표시장치.
A panel in which pixels are formed for each intersection of the data lines and the gate lines;
A data driver for supplying a data voltage to the data lines;
A timing controller for driving the data driver; And
A pull-up transistor which is built in a non-display area of the panel and is driven by a clock signal input from the timing controller to sequentially supply a pull-up signal to the gate lines and output the pull- A flat panel display comprising a panel built-in gate driver formed in a double gate structure.
제 9 항에 있어서,
상기 패널 내장형 게이트 드라이버는, 복수의 스테이지들을 포함하며,
상기 복수의 스테이지들 각각은,
클럭 신호 공급 라인에 접속된 제1전극과, 출력 노드에 접속된 제2전극과, 서로 분리되어 있으며 제1노드에 공통적으로 접속되는 두 개의 게이트 전극들을 포함하는 상기 풀업 트랜지스터;
제2노드에 접속된 게이트 전극과, 상기 출력 노드에 접속된 제1전극과, 전압 공급 라인에 접속된 제2전극을 포함하는 풀다운 트랜지스터; 및
게이트 스타트 신호에 따라, 상기 제1노드 및 상기 제2노드로 공급되는 전압을 제어하는 노드 제어 회로를 포함하는 평판표시장치.
10. The method of claim 9,
The panel built-in gate driver includes a plurality of stages,
Wherein each of the plurality of stages comprises:
A pull-up transistor including a first electrode connected to a clock signal supply line, a second electrode connected to the output node, and two gate electrodes separated from each other and commonly connected to the first node;
A pull-down transistor including a gate electrode connected to a second node, a first electrode connected to the output node, and a second electrode connected to a voltage supply line; And
And a node control circuit for controlling a voltage supplied to the first node and the second node in accordance with the gate start signal.
KR1020130050103A 2013-05-03 2013-05-03 Shift register and flat panel display device using the same Active KR102041872B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130050103A KR102041872B1 (en) 2013-05-03 2013-05-03 Shift register and flat panel display device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130050103A KR102041872B1 (en) 2013-05-03 2013-05-03 Shift register and flat panel display device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140131137A true KR20140131137A (en) 2014-11-12
KR102041872B1 KR102041872B1 (en) 2019-11-07

Family

ID=52452680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130050103A Active KR102041872B1 (en) 2013-05-03 2013-05-03 Shift register and flat panel display device using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102041872B1 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190023686A (en) * 2017-08-30 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device
KR20200045598A (en) * 2018-10-22 2020-05-06 삼성디스플레이 주식회사 Transistor substrate and display device including the same
US10672357B2 (en) 2016-11-02 2020-06-02 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus including the same
CN112041920A (en) * 2019-03-25 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, driving method thereof, gate driving circuit and display device
CN113506541A (en) * 2021-07-27 2021-10-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel control circuit
CN113516949A (en) * 2021-07-27 2021-10-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel control circuit and display panel
WO2021217546A1 (en) * 2020-04-30 2021-11-04 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
CN115909938A (en) * 2022-11-24 2023-04-04 惠科股份有限公司 GOA driving circuit, device and display device
WO2023178607A1 (en) * 2022-03-24 2023-09-28 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate driving circuit, and display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070011953A (en) * 2005-07-22 2007-01-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shift register
JP2008089874A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
KR20110123459A (en) * 2010-05-07 2011-11-15 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and display device using the same
KR20120044771A (en) * 2010-10-28 2012-05-08 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and display device using the same
JP2012252108A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Japan Display East Co Ltd Display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070011953A (en) * 2005-07-22 2007-01-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shift register
JP2008089874A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
KR20110123459A (en) * 2010-05-07 2011-11-15 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and display device using the same
KR20120044771A (en) * 2010-10-28 2012-05-08 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and display device using the same
JP2012252108A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Japan Display East Co Ltd Display device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10672357B2 (en) 2016-11-02 2020-06-02 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus including the same
KR20190023686A (en) * 2017-08-30 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device
KR20200045598A (en) * 2018-10-22 2020-05-06 삼성디스플레이 주식회사 Transistor substrate and display device including the same
US11950455B2 (en) 2018-10-22 2024-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Transistor substrate and display device comprising same
CN112041920A (en) * 2019-03-25 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, driving method thereof, gate driving circuit and display device
WO2021217546A1 (en) * 2020-04-30 2021-11-04 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
CN113939914A (en) * 2020-04-30 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, preparation method thereof and display device
CN113939914B (en) * 2020-04-30 2022-12-02 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, preparation method thereof and display device
US11776481B2 (en) 2020-04-30 2023-10-03 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and manufacture method thereof, and display device
CN113516949A (en) * 2021-07-27 2021-10-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel control circuit and display panel
CN113506541A (en) * 2021-07-27 2021-10-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel control circuit
WO2023178607A1 (en) * 2022-03-24 2023-09-28 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate driving circuit, and display device
US12308079B2 (en) 2022-03-24 2025-05-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Shift register, gate driving circuit and display apparatus
CN115909938A (en) * 2022-11-24 2023-04-04 惠科股份有限公司 GOA driving circuit, device and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102041872B1 (en) 2019-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102041872B1 (en) Shift register and flat panel display device using the same
US9997112B2 (en) Display device
US10332467B2 (en) Display device and a method for driving same
KR102120070B1 (en) Display device and method of driving the same
KR102360787B1 (en) Built-in gate driver and display device using the same
CN103714770B (en) Shift register and there is the panel display apparatus of this shift register
KR102607402B1 (en) Gate driving circuit and display device using the same
KR20190058995A (en) Display apparatus
US11195591B2 (en) Shift register and display device including the same
US10546539B2 (en) Organic light emitting diode display device
KR102266207B1 (en) Gate shift register and flat panel display using the same
US20150365085A1 (en) Dual Pull-Down Control Module, Shift Register Unit, Gate Driver, and Display Panel
KR20150050609A (en) Integrated gate driver
KR20140064319A (en) Shift register and flat panel display device including the same
KR20110102627A (en) Shift register and display device using it
KR102054682B1 (en) Shift register and flat panel display device including the same
US20130235003A1 (en) Gate line driver circuit for display element array
KR20160017390A (en) Gate driver of display device
KR102023547B1 (en) Display device and driving method thereof
KR20170077681A (en) Electostatic discharge circuit and display device having the same
KR102402607B1 (en) Gate driver and display apparatus using the same
KR102175405B1 (en) Shift resister
KR102211065B1 (en) Display device
KR20150136194A (en) Shift resister, display device using the same and method of driving the same
KR102753557B1 (en) Gate driving circuit and display device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130503

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20180416

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20130503

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190419

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20191029

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20191101

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20191101

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221017

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231016

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241015

Start annual number: 6

End annual number: 6