KR20140118466A - Light emitting device and lighting device including the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판, 기판의 일면에 실장되는 LED, LED를 덮도록 기판의 일면에 형성되는 형광체층, 및 기판에 형성되며 형광체층의 외측으로부터 이격 형성되는 방열홀을 포함하여, 광 방출 영역에서 암부가 발생하지 않는 발광 디바이스 및 이를 포함하는 조명장치에 관한 것이다.A light emitting device includes a substrate, an LED mounted on one surface of the substrate, a phosphor layer formed on one surface of the substrate to cover the LED, and a heat dissipation hole formed in the substrate and spaced apart from the outside of the phosphor layer, And a lighting apparatus including the light emitting device.
Description
본 발명은 발광 디바이스 및 이를 포함하는 조명 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 형성되는 방열홀의 형성 위치에 의해 방열 성능 및 광 특성이 향상되는 발광 디바이스 및 이를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device and a lighting apparatus including the light emitting device. More particularly, the present invention relates to a light emitting device and a lighting apparatus including the light emitting device.
발광소자(Light Emitting Device, 이하 'LED'라 한다)는 광원으로 사용되는 것으로서 전류가 흐를 때 빛을 내는 반도체 소자이다. LED는 긴 수명, 낮은 소비전력, 빠른 응답속도 및 우수한 초기 구동특성 등으로 인해 조명 장치, 자동차의 헤드라이트와 실내등, 전광판, 디스플레이 장치의 백라이트 등에 널리 적용되고 있으며, 그 적용 분야가 점차 확대되고 있다.A light emitting device (hereinafter, referred to as 'LED') is a semiconductor device used as a light source and emitting light when an electric current flows. Due to its long lifetime, low power consumption, fast response time, and excellent initial driving characteristics, the LED has been widely applied to lighting devices, automobile headlights and interior lights, electric sign boards, backlights of display devices, .
최근에는 고출력, 고휘도 LED에 대한 수요가 증가함에 따라 LED를 포함하는 발광 디바이스의 성능과 신뢰성을 향상시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.In recent years, as demand for high-power, high-brightness LEDs has increased, studies for improving the performance and reliability of light emitting devices including LEDs have been actively conducted.
LED 제품의 성능을 높이기 위해서는 우수한 광효율을 갖는 LED 자체와 함께 광을 효율적으로 추출하고 색순도가 우수하며 제품들 간의 특성이 균일한 LED 광원모듈이 동시에 확보되어야 한다.In order to improve the performance of LED products, it is necessary to simultaneously extract LEDs with excellent light efficiency, efficiently extract light, and provide LED light source modules having excellent color purity and uniform characteristics among products.
LED는 LED 칩을 리드 프레임 및 세라믹 기판에 실장한 후, 원하는 어플리케이션(application)에 맞는 형광체를 배합하여 도포하고, 렌즈를 성형함으로써 이루어지는 LED 패키지로 제작되기도 한다. 이후, 단위 패키지로 절단된 LED 패키지를 PCB(Printed Circuit Board) 위에 실장하여 모듈화하게 된다. 하지만, 이와 같이 발광 디바이스 구조는 모듈의 소형화에 한계가 있다.The LED may be fabricated as an LED package by mounting an LED chip on a lead frame and a ceramic substrate and then applying a phosphor suitable for a desired application and applying the LED to form a lens. Thereafter, the LED package cut in a unit package is mounted on a PCB (Printed Circuit Board) to be modularized. However, the structure of the light emitting device has a limitation in downsizing the module.
따라서, 최근에는 LED를 패키지 형태로 제조하지 않고 기판에 직접 실장하는 COB(Chip On Board) 방식의 발광 디바이스가 제조되기도 한다. COB 방식에서는 LED와 모듈용 기판의 전기적 연결을 위한 와이어 접합이 이용되지 않으며, LED를 플립칩(flip chip) 형태로 기판상에 실장하는 FCOM(Flip Chip On Module)으로 구현될 수 있다. 이와 같이 FCOM 구조의 발광 디바이스는 LED 패키지 구조의 발광 디바이스와 비교하여 기판상에 LED를 고밀도로 실장할 수 있으며, 이로써 모듈 사이즈를 감소시킬 수 있는 이점을 갖는다.Therefore, recently, a COB (Chip On Board) type light emitting device in which LEDs are directly mounted on a substrate without being manufactured in the form of a package is also produced. In the COB method, a wire bonding for electrical connection between the LED and the module substrate is not used, and a flip chip on module (FCOM) in which an LED is mounted on a substrate in the form of a flip chip can be realized. As described above, the light-emitting device of the FCOM structure can mount LEDs on the substrate at a high density compared to the light-emitting device of the LED package structure, thereby having an advantage that the module size can be reduced.
한편, 전술한 발광 디바이스는 LED로부터 발생된 열에 대하여 얼마나 효율적인 방열 성능을 갖는지가 발광 디바이스 또는 이를 포함하는 조명장치의 수명과 관련하여 매우 중요하다.On the other hand, it is very important that the above-described light emitting device has an efficient heat radiation performance with respect to the heat generated from the LED in relation to the lifetime of the light emitting device or the lighting device including the same.
종래의 LED를 포함한 발광 디바이스 관련 기술에서는 발광 디바이스의 방열 효율을 향상시키기 위한 수단으로 LED가 실장되는 기판상 영역의 주변에 방열홀이 형성되는 구조를 제시하기도 한다. 이러한 구조에서는 LED로부터 발생된 열이 방열홀을 통해 효과적으로 방출되도록 함으로써 방열 효율을 높이게 되며, 여기서 나아가 방열홀 내에 열전도성이 우수한 물질을 충전함으로써 방열효율을 더욱 제고시키기도 한다.In a related art related to a light emitting device including an LED, a structure in which a heat dissipation hole is formed around a region on a substrate on which an LED is mounted is proposed as means for improving the heat dissipation efficiency of the light emitting device. In this structure, the heat generated from the LED is effectively discharged through the heat dissipation holes, thereby enhancing heat dissipation efficiency. Further, the heat dissipation efficiency is further improved by filling the heat dissipation hole with a material having a high thermal conductivity.
하지만, 기판상에 방열홀이 형성되는 종래의 발광 디바이스는 광확적 특성이 나빠지는 문제가 있다. 구체적으로, 기판의 방열홀 형성 부위의 면은 방열홀 성형 공정을 거치는 과정에서 고른 수평면으로 유지되지 못하고 굴곡진 면으로 변형된다. 그리고 이러한 굴곡진 면은 방열홀 부위는 물론 방열홀 주변 영역의 기판 부위까지 확대되어 형성되기도 한다. 발광 디바이스는 LED를 덮도록 기판상에 형성되는 형광체층과, 형광체층을 덮도록 기판 상에 배치되는 렌즈부를 더 포함할 수 있으며, 여기서 형광체층은 백색광을 구현하는 기능을, 그리고 렌즈부는 광확산 기능을 수행할 수 있다. 이 경우 LED로부터 발산된 광 중 형광체층을 거쳐 LED 주변의 기판 바닥면으로 향하는 광은 도달하는 기판 바닥면이 고른 수평면일 때 기판 바닥면에 반사되어 렌즈부로 나아갈 수 있다. 하지만, LED 주변의 기판 바닥면에 방열홀이 형성되는 경우에는 전술한 바와 같이 방열홀이 형성된 기판의 바닥면 부위가 굴곡진 면으로 변형될 수 있고 이러한 굴곡진 면으로 향하는 광은 굴곡면에 반사되면서 형광체층으로 재흡수되는 등 렌즈부 쪽으로 나아가지 못할 수 있다. 이로 인해 종래의 발광 디바이스는 광 방출 영역 내에서 암부가 발생하는 문제가 있다.
However, a conventional light emitting device in which a heat dissipating hole is formed on a substrate has a problem that optical characteristics are deteriorated. Specifically, the surface of the substrate on which the heat dissipation hole is formed is deformed into a curved surface without being maintained in an even horizontal plane in the course of the heat dissipation hole forming process. Such a curved surface may be formed to extend not only to the heat dissipating hole but also to the substrate portion around the heat dissipating hole. The light emitting device may further include a phosphor layer formed on the substrate to cover the LED and a lens portion disposed on the substrate so as to cover the phosphor layer, wherein the phosphor layer functions to realize white light, Function can be performed. In this case, among the light emitted from the LED, the light directed to the bottom surface of the substrate around the LED through the phosphor layer can be reflected to the bottom surface of the substrate when the bottom surface of the substrate to reach is a uniform horizontal surface, However, when a heat dissipating hole is formed on the bottom surface of the substrate around the LED, the bottom surface portion of the substrate on which the heat dissipating hole is formed can be deformed into a curved surface, and light directed toward the curved surface is reflected It may not be absorbed by the phosphor layer and may not move toward the lens portion. Therefore, the conventional light emitting device has a problem that dark portions are generated in the light emitting region.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 방열 효율이 향상되도록 방열홀이 형성된 기판을 포함하되, 광 방출 영역 내에서 암부가 발생하지 않는 발광 디바이스 및 이를 포함하는 조명장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the prior art and provides a light emitting device including a substrate having a heat dissipating hole formed therein to improve heat dissipation efficiency, .
또한, 기판상에 형성되는 방열홀이 LED로부터 발산되는 열에 대응하는 직경과 배치구조를 갖도록 함으로써 방열 효율이 더욱 향상되는 발광 디바이스 및 이를 포함하는 조명장치를 제공하기 위한 것이다.
The present invention also provides a light emitting device and a lighting apparatus including the light emitting device, wherein the heat dissipating hole formed on the substrate has a diameter and an arrangement structure corresponding to the heat emitted from the LED.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 디바이스는, 인쇄 회로 기판, 상기 기판의 일면에 실장되는 LED, 상기 LED를 덮도록 상기 기판의 일면에 형성되는 형광체층, 및 상기 기판에 형성되며, 상기 형광체층의 외측으로부터 이격 형성되는 적어 도 하나 이상의 방열홀을 포함할 수 있다. A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a printed circuit board, an LED mounted on one surface of the substrate, a phosphor layer formed on one surface of the substrate to cover the LED, And at least one heat dissipating hole spaced apart from the outside of the heat dissipating unit.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 디바이스에 있어서, 상기 형광체층을 덮도록 상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 기판의 일면을 마주하는 측에 상기 형광체층이 수용되는 공간부가 형성된 렌즈부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device according to an embodiment of the present invention may further include a lens unit disposed on one surface of the substrate so as to cover the phosphor layer and having a space for accommodating the phosphor layer on a side facing one side of the substrate .
본 발명의 일실시예에 따른 발광 디바이스에 있어서, 상기 공간부의 내면은 상기 형광체층의 외면과 이격되어 있을 수 있다.In the light emitting device according to an embodiment of the present invention, the inner surface of the space portion may be spaced apart from the outer surface of the phosphor layer.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 디바이스에 있어서, 상기 방열홀은 상기 공간부를 마주하지 않는 상기 기판 영역에 형성될 수 있다.In the light emitting device according to an embodiment of the present invention, the heat dissipation hole may be formed in the substrate region not facing the space portion.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 디바이스는, 상기 방열홀은 상기 공간부를 마주하는 상기 기판 부위의 최외측에 근접하여 형성될 수 있다.In the light emitting device according to an embodiment of the present invention, the heat dissipation hole may be formed near the outermost portion of the substrate portion facing the space portion.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 디바이스에 있어서, 상기 방열홀의 이격 거리는 상기 기판의 일면을 기준으로 상기 형광체층의 높이보다 길 수 있다.In the light emitting device according to an embodiment of the present invention, the distance between the heat dissipation holes may be longer than the height of the phosphor layer with respect to one surface of the substrate.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 디바이스에 있어서, 상기 방열홀의 이격 거리는 상기 형광체층의 높이의 1배 초과 3배 이하의 거리 중 선택된 거리일 수 있다.
In the light emitting device according to an embodiment of the present invention, the spacing distance of the heat dissipation hole may be a distance selected from a range of 1 to 3 times the height of the phosphor layer.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판은, 반도체 소자가 배치되는 실장 영역, 상기 실장 영역에서 전기적으로 절연되도록 서로 이격 형성되는 제1 전극층 및 제2 전극층, 상기 제1 전극층의 외측으로부터 제1 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제1 방열홀, 및 상기 제2 전극층의 외측으로부터 제2 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제2 방열홀을 포함할 수 있다.A printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a mounting region in which semiconductor devices are arranged, a first electrode layer and a second electrode layer spaced apart from each other to be electrically insulated from each other in the mounting region, At least one first heat-dissipating hole formed at a distance from the second electrode layer, and at least one second heat-dissipating hole spaced apart from the outer side of the second electrode layer by a second distance.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제1 방열홀과 상기 제2 방열홀은 상기 실장 영역의 외부에 형성될 수 있다.In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the first heat dissipating hole and the second heat dissipating hole may be formed outside the mounting region.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층은 면적이 동일하며, 상기 제1 방열홀과 상기 제2 방열홀은 직경이 동일할 수 있다.In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the first electrode layer and the second electrode layer have the same area, and the first heat dissipating hole and the second heat dissipating hole may have the same diameter.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제1 전극충은 상기 제2 전극층보다 면적이 더 넓게 형성되며, 상기 제1 방열홀은 상기 제2 방열홀보다 직경이 더 크게 형성될 수 있다.In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the first electrode layer is formed to have a larger area than the second electrode layer, and the first heat dissipating hole is formed to have a larger diameter than the second heat dissipating hole .
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제1 거리와 상기 제2 거리는 동일할 수 있다.In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the first distance and the second distance may be the same.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제1 전극층의 외측으로부터 상기 제1 거리보다 긴 제3 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제3 방열홀, 및 상기 제2 전극층의 외측으로부터 상기 제2 거리보다 긴 제4 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제4 방열홀을 더 포함할 수 있다.본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제3 거리와 상기 제4 거리는 동일할 수 있다.The printed circuit board according to an embodiment of the present invention may include at least one third heat dissipating hole spaced apart from the outside of the first electrode layer by a third distance that is longer than the first distance, And a fourth distance that is longer than the second distance from the first distance and the second distance. In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, 4 distances can be the same.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제3 방열홀은 상기 제1 방열홀보다 더 작은 직경을 가질 수 있다.In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the third heat dissipating hole may have a smaller diameter than the first heat dissipating hole.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제4 방열홀은 상기 제2 방열홀보다 더 작은 직경을 가질 수 있다.In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the fourth heat-dissipating hole may have a smaller diameter than the second heat-dissipating hole.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제1 방열홀 및 상기 제3 방열홀은 직경이 동일하며, 복수의 상기 제1 방열홀 간 이격 거리는 복수의 상기 제3 방열홀 간 이격 거리보다 짧을 수 있다.In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the first heat-dissipating holes and the third heat-dissipating holes are the same in diameter, and the plurality of the first heat-dissipating-hole- It may be shorter than the distance.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제2 방열홀 및 상기 제4 방열홀은 직경이 동일하며, 복수의 상기 제2 방열홀 간 이격 거리는 복수의 상기 제4 방열홀 간 이격 거리보다 짧을 수 있다.
In the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, the second heat dissipating holes and the fourth heat dissipating holes are the same in diameter, and the plurality of second heat dissipating holes are spaced apart from the plurality of fourth heat dissipating holes It may be shorter than the distance.
본 발명의 다르 실시예에 따른 인쇄 회로 기판은, 반도체 소자가 배치되는 실장 영역, 상기 실장 영역 외부에 형성되는 전극층, 상기 전극층보다 상기 실장 영역에 가깝게 형성된 제1 방열홀, 및 상기 실장 영역보다 상기 전극층에 가깝게 형성된 제2 방열홀을 포함할 수 있다.A printed circuit board according to a different embodiment of the present invention includes a mounting region where semiconductor elements are arranged, an electrode layer formed outside the mounting region, a first heat dissipating hole formed closer to the mounting region than the electrode layer, And a second heat dissipation hole formed close to the electrode layer.
본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 전극층은 와이어 본딩에 의해 상기 반도체 소자와 전기적으로 연결될 수 있다.In the printed circuit board according to another embodiment of the present invention, the electrode layer may be electrically connected to the semiconductor element by wire bonding.
본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 있어서, 상기 제1 방열홀은 상기 제2 방열홀보다 직경이 클 수 있다.
In the printed circuit board according to another embodiment of the present invention, the first heat radiation hole may have a diameter larger than that of the second heat radiation hole.
본 발명의 다른 실시예에 따른 조명장치는 전술한 실시예에 따른 발광 디바이스 또는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다.
A lighting apparatus according to another embodiment of the present invention may include a light emitting device or a printed circuit board according to the above-described embodiment.
본 발명에 따르면, 기판에 형성되는 방열홀이 형광체층으로부터 소정 거리만큼 이격되어 형성되도록 함으로써 형광체층과 방열홀 사이에는 굴곡되지 않는 고른 수평면의 기판 바닥면이 존재하게 되며, LED로부터 발산되어 형광체층을 통과한 광은 이 고른 수평면에 반사되면서 렌즈부로 안정적으로 나아가게 된다. 이로써 발광 디바이스는 광 방출 영역에서 암부가 발생하지 않는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, since the heat dissipating holes formed on the substrate are formed to be spaced apart from the phosphor layer by a predetermined distance, the bottom surface of the substrate having a uniform horizontal surface which is not bent is present between the phosphor layer and the heat dissipating hole, Light is reflected on the even horizontal surface and stably moves to the lens portion. As a result, the light emitting device can obtain the effect that the dark portion is not generated in the light emitting region.
또한, 방열홀이 LED로부터 발산되는 열에 대응하는 직경으로 형성되거나 배치구조를 가짐으로써 인쇄 회로 기판의 방열효율이 더욱 향상되는 이점이 있다.
In addition, the heat dissipation holes are formed in a diameter corresponding to the heat emitted from the LEDs or have an arrangement structure, thereby further improving the heat radiation efficiency of the printed circuit board.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 디바이스의 측면도.
도 2는 도 1에 도시된 기판 및 LED를 도시한 정면도.
도 3은 도 1에 도시된 발광 디바이스의 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 디바이스의 단면도.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판을 도시한 정면도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄 회로 기판을 도시한 정면도.1 is a side view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a front view of the substrate and the LED shown in Fig. 1; Fig.
3 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in Fig.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention;
5 to 8 are front views illustrating a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
9 is a front view of a printed circuit board according to another embodiment of the present invention;
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 디바이스 및 이에 포함되는 인쇄 회로 기판에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment of the present invention and a printed circuit board included therein will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 디바이스의 측면도, 도 2는 도 1에 도시된 기판 및 LED를 도시한 정면도, 그리고 도 3은 도 1에 도시된 발광 디바이스의 단면도이다.Fig. 1 is a side view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a front view showing the substrate and LED shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a sectional view of the light emitting device shown in Fig.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 디바이스는 인쇄 회로 기판(10), 상기 기판(10)의 일면에 실장되는 LED(20), 상기 LED(20)를 덮도록 상기 기판(10)의 일면에 형성되는 형광체층(30), 및 상기 기판(10)에 형성되며 상기 형광체층(30)의 외측으로부터 이격 형성되는 적어도 하나 이상의 방열홀(11)을 포함할 수 있다.As shown in the figure, the light emitting device according to the first embodiment of the present invention includes a printed
기판(10)은 후술할 LED(20)가 실장되어 지지되도록 하며, LED(20)에 전원이 공급되도록 LED(20)와 전기적으로 연결되는 전극층(미도시)이 형성될 수 있다. 기판(10)은 방열 특성이 우수한 금속, 또는 실리콘이나 세라믹으로 제조될 수 있다.An electrode layer (not shown) electrically connected to the
기판(10)의 일면에는 반도체 소자, 예컨대 LED(20)가 실장된다. LED(20)는 자외선 LED 또는 청색 LED일 수 있다. LED(20)는 플립칩으로 제조되어 플립칩 접합(flip chip bonding) 방식에 의해 기판(10)에 실장될 수 있다. 플립칩 접합을 위해 솔더(solder)를 이용하거나, 도체 성질을 가진 접착제가 사용될 수 있다. 또는 LED(20)는 다이 접합(die bonding) 방식에 의해 기판(10)에 실장될 수도 있다.A semiconductor element, for example, an
LED(20)가 이처럼 플립칩 형태로 기판(10)상에 실장되는 FCOM으로 구현되면, 기판(10)상에 LED(20)가 고밀도로 실장될 수 있고, 이로써 발광 디바이스의 사이즈가 축소될 수 있다.If the
형광체층(30)은 LED(20)를 덮도록 기판(10)의 일면에 형성된다. LED(20)로부터 방출되는 광은 형광체층(30)은 통하여 후술할 렌즈부(40)로 나아가게 된다. 형광체층(30)은 호스트 물질과 활성물질을 포함할 수 있으며, 예컨대 이트륨 알루미늄 가넷(YAG)의 호스트 물질에 세륨(Ce) 활성물질을 포함할 수 있다. 또는, 형광체층(30)은 실리케이트 계열의 호스트 물질에 유로피움(Eu) 활성물질을 사용할 수도 있다. 다만, 이러한 소재로 한정되는 것은 아니다.The
형광체층(30)은 발광 디바이스에서 방출되는 광이 백색광으로 구현되도록 하는 기능을 수행할 수 있다. LED(20)가 예컨대 청색 LED인 경우 청색 LED로부터 발산된 청색광은 형광체층(30)의 형광체에 일부 흡수되어 형광체를 여기시키고, 여기된 형광체는 황색 계통의 넓은 파장대의 빛을 발산하게 된다. 여기에 일부 형광체에 흡수되지 않은 청색광이 합해지면서 백색광이 구현된다. LED(20)가 자외선 LED인 경우에는 삼원색 형광체를 이용하여 백색광을 구현할 수 있다.The
형광체층(30)을 통과하는 빛이 균일하게 색변환될 수 있도록, 형광체층(30)은 LED(20)의 외측에서 균일한 두께로 형성될 수 있으며, 또한 형광체층(30) 내에는 형광체 입자가 균일하게 분산되어 있을 수 있다.The
기판(10)에는 형광체층(30)의 외측으로부터 이격되어 방열홀(11)이 형성될 수 있다. 방열홀(11)은 도 2에 도시된 바와 같이 서로 이격되는 복수로 형성될 수도 있다. 방열홀(11)은 기판(10)을 관통하도록 형성된다. 방열홀(11)이 형성됨으로써, LED(20)로부터 발생되는 열은 방열홀(11)을 통해 효과적으로 방열될 수 있다. 방열홀(11)에는 LED(20)로부터 발생되는 열이 더욱 효과적으로 방열될 수 있도록 열전도성이 우수한 물질이 충전될 수도 있다.The
본 실시예는 형광체층(30)을 덮도록 기판(10)의 일면에 배치되며, 기판(10)의 일면을 마주하는 측에 형광체층(30)이 수용되는 공간부(41)가 형성된 렌즈부(40)를 더 포함할 수 있다. 이때, 공간부(41)의 내면과 형광체층(30)의 외면은 서로 이격될 수 있으며, 그 사이의 공간은 공기로 채워질 수 있다. 공기로 채워진 공간은 LED(20)로부터 방출되어 렌즈부(40)로 전달되는 열을 최소화하는 단열 기능을 수행할 수 있으며, 이러한 기능 수행으로 렌즈부(40)의 열에 의한 손상이 방지될 수 있다. 렌즈부(40)는 LED(20)를 외부환경으로부터 보호하는 역할을 수행할 수 있으며, 또한 광확산 물질을 포함함으로써 형광체층(30)을 통과하여 입사되는 광이 확산되어 외부로 방출되도록 하는 기능을 수행할 수 있다.The present embodiment is characterized in that a
한편, 기판(10)의 방열홀(11) 형성 부위 면은 방열홀(11) 성형과정에서 고른 수평면을 유지하지 못하고 굴곡진 면으로 변형될 수 있다. LED(20)로부터 방출되어 형광체층(30)을 통과하는 광 중 기판(10)의 바닥면을 향하는 광이 방열홀(11) 형성으로 인해 굴곡진 면으로 변형된 기판(10)의 바닥면에서 반사되면 렌즈부(40)로 향하지 못하고 광 방출 영역 내에서 암부를 발생시킬 수 있다. 따라서, LED(20)로부터 방출되어 형광체층(30)을 통과하는 광 중 기판(10)의 바닥면을 향하는 광의 전부 또는 대부분은 고른 수평면으로 이루어진 기판(10)의 바닥면에 반사되어 렌즈부(40)로 나아가도록 함으로써 암부가 발생되지 않도록 하는 것이 바람직한데, 이를 위해서는 형광체층(30)의 외측으로부터 소정 거리 내의 기판(10) 부위가 방열홀(11)이 형성되지 않은 고른 수평면으로 이루어질 필요가 있다. 본 실시예에 따른 발광 디바이스는 이러한 필요를 충족하기 위하여 형광체층(30)의 외측으로부터 이격 형성되는 방열홀(11)의 이격 거리(d)가 기판(10)의 일면을 기준으로 한 형광체층(30)의 높이(h)보다 길도록 설계될 수 있다. 실험 결과, 이격 거리(d)가 형광체층(30)의 높이(h)보다 같거나 짧은 경우 여전히 암부가 확인되었으며, 형광체층(30)의 높이(h)보다 긴 경우 암부 영역이 확연히 감소됨을 확인할 수 있었다. 다만, 이격 거리(d)가 형광체층(30)의 높이(h)의 3배를 초과하는 경우에는 암부는 확인되지 않았으나 방열 성능이 현저히 저하되는 문제가 있다. 따라서, 이격 거리(d)는 형광체층(30)의 높이(h)의 1배 초과 3배 사이의 거리로 이루어지는 것이 바람직하다. 방열 성능과 암부 감소 효과를 모두 고려할 경우 이격 거리(d)는 형광체층(30)의 높이(h)의 2배의 거리로 이루어지는 것이 가장 바람직하다.
On the other hand, the surface on which the
이하, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 디바이스에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 다만, 전술한 제1 실시예에 관한 설명과 중복되는 내용은 이하에서 생략한다. 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 디바이스의 단면도이다.Hereinafter, a light emitting device according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the contents overlapping with the description of the first embodiment will be omitted in the following. 4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 디바이스는, 제1 실시예에 따른 발광 디바이스와 마찬가지로 기판(10), 상기 기판(10)의 일면에 실장되는 LED(20), LED(20)를 덮도록 상기 기판(10)의 일면에 형성되는 형광체층(30), 형광체층(30)을 덮도록 상기 기판(10)의 일면에 배치되며 상기 기판(10)의 일면을 마주하는 측에 상기 형광체층(30)이 수용되는 공간부(41)가 형성된 렌즈부(40), 기판(10)에 형성되며 상기 형광체층(30)의 외측으로부터 이격 형성되는 방열홀(11)을 포함할 수 있다.As shown in the figure, the light emitting device according to the second embodiment of the present invention includes a
다만, 본 실시예에서 방열홀(11)은 제1 실시예의 그것과 달리 공간부(41)를 마주하지 않는 기판(10) 부위에 형성되는 것을 특징으로 한다. 즉 공간부(41)를 마주하는 기판(10) 부위 중 LED(20) 및 형광체층(30)이 형성된 부위를 제외한 나머지 부위(a)에는 방열홀(11)이 형성되지 않는다. 이로써 형광체층(30)을 통과한 후 기판(10)의 바닥면을 향하는 광은 전부가 고른 수평면으로 된 바닥면(a)에 반사될 수 있으며, 반사된 광 전부가 안정적으로 렌즈부(40)를 향해 나아갈 수 있게 된다.However, in this embodiment, the
방열홀(11)은 공간부(41)를 마주하지 않는 기판(10) 부위이면서 공간부(41)를 마주하는 기판(10) 부위의 최외측에 근접하여 형성되는 것이 바람직하다. 방열홀(11)이 LED(20)로부터 이격될수록 방열 성능이 저하될 수 있으므로 암부가 형성되지 않도록 하는 범위 내에서 가급적 LED(20)에 근접하여 형성될 필요가 있는 것이다.
It is preferable that the
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 다만 제1 및 제2 실시예에 따른 발광 디바이스 관한 설명과 중복되는 것은 이하에서 생략한다. 그리고, 하기에서 설명될 "방열홀이 전극층의 외측으로부터 제1, 제2, 제3, 또는 제4 거리만큼 이격된다"는 내용에서 제1, 제2, 제3, 및 제4 거리로 특정된 이격 거리는 방열홀에서 전극층까지 이르는 '최단거리'이면서 이격된 거리를 의미하는 것이다. 도 5 내지 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판을 도시한 정면도이다.Hereinafter, a printed circuit board according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, duplicate description of the light emitting device according to the first and second embodiments will be omitted below. In the following description, "the heat dissipating hole is spaced apart from the outside of the electrode layer by a first, second, third, or fourth distance ", the first, second, third, The spacing distance is the 'shortest distance' from the heat dissipating hole to the electrode layer. 5 to 8 are front views showing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판(100)은, 반도체 소자가 배치되는 실장 영역(100a); 상기 실장 영역에서 전기적으로 절연되도록 서로 이격 형성되는 제1 전극층(110) 및 제2 전극층(120); 상기 제1 전극층(110)의 외측으로부터 제1 거리(D1)만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제1 방열홀(101) 및 상기 제2 전극층(120)의 외측으로부터 제2 거리(D2)만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제2 방열홀(102)을 포함할 수 있다. 기판(100)의 일면에는 반도체 소자(예컨대 플립칩 타입의 LED(미도시))가 실장되는 실장 영역(100a)이 제공된다. 그리고, 이 실장 영역(100a)에는 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)이 형성된다. 도시된 바에서는 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)이 사각형 형태인 것으로 도시되어 있지만, 이러한 형태로 한정되는 것은 아니다. 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)은 LED에 형성되는 전극과 전기적으로 연결되어 외부 전원이 LED로 공급될 수 있도록 한다. 제1 전극층(110)은 LED에 형성된 전극 중 예컨대 P형 전극과 연결될 수 있으며, 이 경우 제2 전극층(120)은 LED에 형성된 N형 전극과 연결될 수 있다. 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)의 면적은 서로 동일할 수 있지만, 상이할 수도 있다. 예컨대 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이 P형 전극과 연결되는 제1 전극층(110)의 면적은 N형 전극과 연결되는 제2 전극층(120)의 면적보다 크게 형성될 수 있다.The printed
제1 전극층(110) 주변에 형성되는 제1 방열홀(101)은 제1 전극층(110)의 외측으로부터 제1 거리(D1)만큼 이격된 기판(100) 부위에 형성될 수 있다. 그리고, 제2 전극층(120)의 주변에 형성되는 제2 방열홀(102)은 제2 전극층(120)의 외측으로부터 제2 거리(D2)만큼 이격된 기판(100) 부위에 형성될 수 있다. 이때, 제1 방열홀(101)과 제2 방열홀(102)는 실장 영역(100a) 외부에 형성될 수 있다. 그리고 LED의 실장 영역(100a) 및 방열홀 형성 영역을 포함하는 전체 영역이 기판(100)상에서 최소화될 수 있도록 제1 방열홀(101)의 이격 거리인 제1 거리(D1)와 제2 방열홀(102)의 이격 거리인 제2 거리(D2)는 어느 하나가 다른 하나보다 더 길지 않고 서로 동일할 수 있다.The first
제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)의 면적이 도 5에 도시된 바와 같이 동일한 경우에는 제1 방열홀(101)과 제2 방열홀(102)은 직경이 동일할 수 있다. LED로부터 방출되는 열은 LED의 전극과 연결되는 제1 전극층(110) 및 제2 전극층(120)을 통해 기판(100)으로 전달되는데, 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)의 면적이 동일하고 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)을 통해 전달되는 열이 동일하거나 대략 비슷한 경우에는, 제1 방열홀(101)과 제2 방열홀(102) 각각의 직경은 동일하게 형성될 수 있다. 하지만, 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)의 면적이 다른 경우로서, 예컨대 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 제1 전극층(110)의 면적이 제2 전극층(120)의 면적보다 더 넓고, 제1 전극층(110)을 통해 전달되는 열이 제2 전극층(120)을 통해 전달되는 열보다 큰 경우에는, 제1 방열홀(101)의 직경은 제2 방열홀(102)의 그것보다 더 크게 형성될 수 있다. LED로부터 전달되는 열의 차이에 대응하여 방열홀에서의 표면적을 달리함으로써 본 실시예에 따른 인쇄 회로 기판은 방열 효율이 더욱 향상될 수 있다.When the areas of the
한편, 본 실시예에 따른 인쇄 회로 기판(100)은 제1 전극층(110)의 외측으로부터 제1 거리(D1)보다 긴 제3 거리(D3)만큼 이격되는 기판(100) 부위에 형성된 제3 방열홀(103), 및 제2 전극층(120)의 외측으로부터 제2 거리(D2)보다 긴 제4 거리(D4)만큼 이격되는 기판(100) 부위에 형성된 제4 방열홀(104)을 더 포함할 수 있다. 여기서 제3 거리(D3)와 제4 거리(D4)는 어느 하나가 다른 하나보다 더 길지 않은 동일한 거리일 수 있다.The printed
본 실시예에 따른 인쇄 회로 기판(100)은 제1 방열홀(101)의 외측에, 그리고 제2 방열홀(102)의 외측에 이와 같이 제3 방열홀(103)과 제4 방열홀(104)이 더 형성됨으로써 방열 효율이 더욱 향상될 수 있다. 이때, 제3 방열홀(103)은 제1 방열홀(101)보다 직경이 더 작을 수 있다. 그리고, 제4 방열홀(104)은 제2 방열홀(102)보다 직경이 더 작을 수 있다. 즉, 제1 방열홀(101), 제2 방열홀(102)의 직경이 각각 제3 방열홀(103), 제4 방열홀(104)의 직경보다 클 수 있다. 이는 전극층 주변의 방열홀 중 이격 거리가 상대적으로 더 짧은 방열홀이 상대적으로 더 긴 방열홀보다 직경이 더 크도록 형성됨을 의미하는 것으로, 전극층에 더 가까운 방열홀의 열전달 표면적이 더 넓게 형성되도록 함으로써 인쇄 회로 기판의 방열효율을 더욱 제고시킬 수 있다.The printed
전술한 제1 방열홀(101), 제2 방열홀(102), 제3 방열홀(103) 및 제4 방열홀(104) 각각은 방열 효율을 고려하여 각각의 이격거리인 제1 거리(D1), 제2 거리(D2), 제3 거리(D3) 및 제4 거리(D4)를 가지면서 서로 이격되는 복수로 형성될 수 있다. 이때, 제1 방열홀(101)과 제3 방열홀(103)은 도 8에 도시된 바와 같이 직경이 서로 동일하고, 복수의 제1 방열홀(101) 간 이격 거리(D1´)는 복수의 제3 방열홀(103) 간 이격거리(D3´)보다 짧을 수 있다. 또한, 제2 방열홀(102)과 제4 방열홀(104)은 직경이 서로 동일하고, 복수의 제2 방열홀(102) 간 이격 거리(D2´)는 복수의 제4 방열홀(104) 간 이격 거리(D4´)보다 짧을 수 있다. 제1 방열홀(101) 간, 그리고 제2 방열홀(102) 간 이격 거리(D1´,D2´)가 각각 제3 방열홀(103) 간, 그리고 제4 방열홀(104) 간 이격 거리(D3´,D4´)보다 짧게 되면, 도 8에 도시된 바와 같이 기판(100)상 동일한 길이 내에서 제1 방열홀(101)은 제3 방열홀(103)보다, 그리고 제2 방열홀(102)은 제4 방열홀(104)보다 더 많은 수로 형성될 수 있고, 이로써 제1 방열홀(101), 제2 방열홀(102)에 의한 열전달 표면적은 제3 방열홀(103), 제4 방열홀(104)에 의한 그것보다 더 넓어지게 된다.
Each of the first
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 다만, 제1 및 제2 실시예에 따른 발광 디바이스 및 일실시예에 따른 인쇄 회로 기판에 관한 설명과 중복되는 것은 이하에서 생략한다. 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄 회로 기판을 도시한 정면도이다.Hereinafter, a printed circuit board according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, duplicate description of the light emitting device according to the first and second embodiments and the printed circuit board according to the embodiment will be omitted in the following. 9 is a front view showing a printed circuit board according to another embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄 회로 기판(100)은 반도체 소자가 배치되는 실장 영역(100b), 상기 실장 영역(100b) 외부에 형성되는 전극층(130), 상기 전극층(130)보다 상기 실장 영역(100b)에 가깝게 형성된 제1 방열홀(105), 및 상기 실장 영역(100b)보다 상기 전극층(130)에 가깝게 형성된 제2 방열홀(106)을 포함할 수 있다. 본 실시예는 실장 영역(100b)에 실장되는 반도체 소자인 LED(미도시)는 플립칩 타입이 아닌 패키지 타입의 LED일 수 있다. 기판(100)의 실장 영역(100b) 주변에는 LED 패키지와 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 전기적으로 연결될 수 있는 전극층(130)이 형성될 수 있다.The printed
LED 패키지로부터 방출되는 열은 LED 패키지와 접촉되는 기판(100)의 실장 영역(100b)으로 전달되므로, 기판(100)의 실장 영역(100b) 주변에 형성되는 제1 방열홀(105)은 전극층(130) 주변에 형성되는 제2 방열홀(106)보다 직경이 클 수 있다. 본 실시예는 LED 패키지가 실장되는 구조에서 이처럼 열전달이 집중되는 곳에 대응하여 제1 방열홀(105)의 직경이 제2 방열홀(106)의 직경보다 크게 형성되도록 함으로써 방열 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
The heat emitted from the LED package is transferred to the mounting
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 조명장치는 전술한 발광 디바이스 또는 인쇄 회로 기판을 포함할 수 있다.
Meanwhile, the lighting device according to an embodiment of the present invention may include the light emitting device or the printed circuit board described above.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is obvious that the modification or the modification is possible by the person.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
10: 인쇄 회로 기판
11: 방열홀 20: LED
30: 형광체층 40: 렌즈부
41: 공간부 100: 인쇄 회로 기판
100a,100b: 실장 영역 101: 제1 방열홀
102: 제2 방열홀 103: 제3 방열홀
104: 제4 방열홀 105: 제1 방열홀
106: 제2 방열홀 110: 제1 전극층
120: 제2 전극층 130: 전극층10: printed circuit board
11: heat dissipation hole 20: LED
30: phosphor layer 40: lens part
41: space part 100: printed circuit board
100a, 100b: mounting area 101: first heat dissipating hole
102: second heat dissipating hole 103: third heat dissipating hole
104: fourth heat dissipating hole 105: first heat dissipating hole
106: second heat dissipating hole 110: first electrode layer
120: second electrode layer 130: electrode layer
Claims (24)
상기 기판의 일면에 실장되는 LED;
상기 LED를 덮도록 상기 기판의 일면에 형성되는 형광체층; 및
상기 기판에 형성되며, 상기 형광체층의 외측으로부터 이격 형성되는 적어 도 하나 이상의 방열홀;을 포함하는 발광 디바이스.
Printed circuit board;
An LED mounted on one surface of the substrate;
A phosphor layer formed on one surface of the substrate to cover the LED; And
And at least one heat dissipating hole formed in the substrate and spaced apart from the outside of the phosphor layer.
상기 형광체층을 덮도록 상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 기판의 일면을 마주하는 측에 상기 형광체층이 수용되는 공간부가 형성된 렌즈부를 더 포함하는 발광 디바이스.
The method according to claim 1,
And a lens unit disposed on one side of the substrate to cover the phosphor layer and having a space for receiving the phosphor layer on a side facing one side of the substrate.
상기 공간부의 내면은 상기 형광체층의 외면과 이격되어 있는 발광 디바이스.
The method of claim 2,
And the inner surface of the space portion is spaced apart from the outer surface of the phosphor layer.
상기 방열홀은 상기 공간부를 마주하지 않는 상기 기판 영역에 형성되는 발광 디바이스.
The method of claim 3,
And the heat dissipation hole is formed in the substrate region that does not face the space portion.
상기 방열홀은 상기 공간부를 마주하는 상기 기판 부위의 최외측에 근접하여 형성되는 발광 디바이스.
The method of claim 4,
Wherein the heat dissipation hole is formed near the outermost portion of the substrate portion facing the space portion.
상기 방열홀의 이격 거리는 상기 기판의 일면을 기준으로 상기 형광체층의 높이보다 긴 발광 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein a distance between the heat dissipation holes is longer than a height of the phosphor layer with respect to a surface of the substrate.
상기 방열홀의 이격 거리는 상기 형광체층의 높이의 1배 초과 3배 이하의 거리 중 선택된 거리인 발광 디바이스.
The method of claim 6,
And the spacing distance of the heat dissipation hole is a distance selected from a range of 1 to 3 times the height of the phosphor layer.
A lighting device comprising the light-emitting device according to any one of claims 1 to 7.
상기 실장 영역에서 전기적으로 절연되도록 서로 이격 형성되는 제1 전극층 및 제2 전극층;
상기 제1 전극층의 외측으로부터 제1 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제1 방열홀; 및
상기 제2 전극층의 외측으로부터 제2 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제2 방열홀;을 포함하는 인쇄 회로 기판.
A mounting region in which semiconductor elements are arranged;
A first electrode layer and a second electrode layer spaced apart from each other to be electrically insulated in the mounting region;
At least one first heat dissipation hole spaced apart from the outer side of the first electrode layer by a first distance; And
And at least one second heat dissipation hole spaced apart from the outside of the second electrode layer by a second distance.
상기 제1 방열홀과 상기 제2 방열홀은 상기 실장 영역의 외부에 형성되는 인쇄 회로 기판.
The method of claim 9,
Wherein the first heat-dissipating hole and the second heat-dissipating hole are formed outside the mounting region.
상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층은 면적이 동일하며,
상기 제1 방열홀과 상기 제2 방열홀은 직경이 동일한 인쇄 회로 기판.
The method of claim 9,
Wherein the first electrode layer and the second electrode layer have the same area,
Wherein the first heat-dissipating hole and the second heat-dissipating hole have the same diameter.
상기 제1 전극충은 상기 제2 전극층보다 면적이 더 넓게 형성되며,
상기 제1 방열홀은 상기 제2 방열홀보다 직경이 더 크게 형성되는 인쇄 회로 기판.
The method of claim 9,
Wherein the first electrode layer is formed to have a larger area than the second electrode layer,
Wherein the first heat-dissipating hole is formed larger in diameter than the second heat-dissipating hole.
상기 제1 거리와 상기 제2 거리는 동일한 인쇄 회로 기판.
The method of claim 9,
Wherein the first distance and the second distance are the same.
상기 제1 전극층의 외측으로부터 상기 제1 거리보다 긴 제3 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제3 방열홀; 및
상기 제2 전극층의 외측으로부터 상기 제2 거리보다 긴 제4 거리만큼 이격되어 형성되는 적어도 하나 이상의 제4 방열홀;을 더 포함하는 인쇄 회로 기판.
The method of claim 9,
At least one third heat dissipation hole spaced apart from the outer side of the first electrode layer by a third distance that is longer than the first distance; And
And at least one fourth heat dissipating hole spaced apart from the outer side of the second electrode layer by a fourth distance that is longer than the second distance.
상기 제3 거리와 상기 제4 거리는 동일한 인쇄 회로 기판.
15. The method of claim 14,
Wherein the third distance and the fourth distance are the same.
상기 제3 방열홀은 상기 제1 방열홀보다 더 작은 직경을 갖는 인쇄 회로 기판.
15. The method of claim 14,
And the third heat-dissipating hole has a smaller diameter than the first heat-dissipating hole.
상기 제4 방열홀은 상기 제2 방열홀보다 더 작은 직경을 갖는 인쇄 회로 기판.
15. The method of claim 14,
And the fourth heat-dissipating hole has a smaller diameter than the second heat-dissipating hole.
상기 제1 방열홀 및 상기 제3 방열홀은 직경이 동일하며,
복수의 상기 제1 방열홀 간 이격 거리는 복수의 상기 제3 방열홀 간 이격 거리보다 짧은 인쇄 회로 기판.
15. The method of claim 14,
Wherein the first heat-dissipating hole and the third heat-dissipating hole have the same diameter,
Wherein a distance between the plurality of first heat dissipation holes is shorter than a distance between the plurality of third heat dissipation holes.
상기 제2 방열홀 및 상기 제4 방열홀은 직경이 동일하며,
복수의 상기 제2 방열홀 간 이격 거리는 복수의 상기 제4 방열홀 간 이격 거리보다 짧은 인쇄 회로 기판.
15. The method of claim 14,
The second heat-dissipating hole and the fourth heat-dissipating hole have the same diameter,
And the spacing distance between the plurality of second heat dissipation holes is shorter than the spacing distance between the plurality of fourth heat dissipation holes.
A lighting device comprising a printed circuit board according to any one of claims 9 to 19.
상기 실장 영역 외부에 형성되는 전극층;
상기 전극층보다 상기 실장 영역에 가깝게 형성된 제1 방열홀; 및
상기 실장 영역보다 상기 전극층에 가깝게 형성된 제2 방열홀;을 포함하는 인쇄 회로 기판.
A mounting region in which semiconductor elements are arranged;
An electrode layer formed outside the mounting region;
A first heat dissipating hole formed closer to the mounting region than the electrode layer; And
And a second heat dissipating hole formed closer to the electrode layer than the mounting region.
상기 전극층은 와이어 본딩에 의해 상기 반도체 소자와 전기적으로 연결되는 인쇄 회로 기판.
23. The method of claim 21,
Wherein the electrode layer is electrically connected to the semiconductor element by wire bonding.
상기 제1 방열홀은 상기 제2 방열홀보다 직경이 큰 인쇄 회로 기판.
23. The method of claim 21,
Wherein the first heat-dissipating hole is larger in diameter than the second heat-dissipating hole.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130034452A KR20140118466A (en) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | Light emitting device and lighting device including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130034452A KR20140118466A (en) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | Light emitting device and lighting device including the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140118466A true KR20140118466A (en) | 2014-10-08 |
Family
ID=51991314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130034452A Withdrawn KR20140118466A (en) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | Light emitting device and lighting device including the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140118466A (en) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130329 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |