KR20140100972A

KR20140100972A - 높은 표면 품질을 갖는 성형품

Info

Publication number: KR20140100972A
Application number: KR1020147017535A
Authority: KR
Inventors: 토마스 툴케; 울리히 그로써; 마르틴 되블러; 비르테 새미쉬; 알렉산더 마이어; 크리스토프 클린켄베르크; 라팰 오저
Original assignee: 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하
Priority date: 2011-11-30
Filing date: 2012-11-28
Publication date: 2014-08-18
Also published as: CN103946309B; EP2785794B1; US20140356551A1; TW201343779A; JP2015500899A; ES2648892T3; EP2785794A1; WO2013079555A1; CN103946309A

Abstract

본 발명은 A) 1종 이상의 방향족 폴리카르보네이트 30.0 내지 100.0 중량부, B) 고무-개질된 그라프트 중합체 및/또는 비닐 공중합체 0.0 중량부 내지 50.0 중량부, C) 폴리에스테르 0.00 내지 50.00 중량부, D) 구형 / 입방형, 판형 / 원반형 및 층상 기하구조를 포함하는 군으로부터 선택된 입자 형상을 갖는 1종 이상의 무기 충전제 5.0 내지 50.0 중량부, 및 E) 추가의 통상적인 첨가제 0.00 내지 5.00 중량부를 포함하는 열가소성 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 높은 표면 품질, 높은 치수 안정성 및 높은 열 변형 온도를 갖는 열가소성 성형품, 뿐만 아니라 열가소성 성형 조성물, 및 성형품의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 더욱이 열가소성 성형 부품으로부터 제조된 코팅된 완성 부품에 관한 것이다.

Description

높은 표면 품질을 갖는 성형품 {MOLDED BODIES HAVING HIGH SURFACE QUALITY}

본 발명은 높은 표면 품질을 갖는 열가소성 성형품 뿐만 아니라 열가소성 성형 조성물, 및 성형품의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 더욱이 열가소성 성형 부품으로부터 제조된 코팅된 완성 부품에 관한 것이다.

높은 표면 품질을 갖는 열가소성 성형품은, 예를 들어 미적인 이유를 위해, 균일하거나 필요할 경우에 또한 고광택 인상을 주도록 의도된 평면 완성 부품의 제조의 문제인 경우에 항상 요구된다. 높은 표면 품질은 성형품이, 예를 들어 마찬가지로 그 자체로 높은 표면 품질을 가져야 하는 관능성 층을 적용함으로써 추가로 여전히 관능화되어야 하는 경우에 또한 중요하다. 이와 관련하여 이는 관능성 층을 위한 지지체로서 기능해야 하는 성형품이 이미 불량한 표면을 갖는 경우에 문제가 될 것이다.

높은 표면 품질을 갖는 성형품은 다양한 용도 또는 완성 부품에 사용될 수 있다. 이들은, 특히 높은 반사력을 갖는 완성 부품을 포함한다. 이들의 예는 한정된 빔 프로파일을 생성하기 위해 램프 또는 발광체의 광을 모으는 투광등 반사체로서의 금속화된 성형품이다. 그러나, 본 발명에 따른 성형품의 사용은 또한 집광기, 즉 광기전력 분야에서의 반사경 (이는 일광을 예를 들어 광학 구조적 요소 상에 초점화한 다음, 이를 전류-발생 광기전력 전지로 가이드함)과 관련하여 사용하는데 흥미롭다.

언급된 사용의 경우에, 그러나 기판의 격렬한 가열은 태양 또는 방사선원의 열의 집약적인 작용으로 인해 발생하며, 이는 투광기의 경우에 특히 완성 부품의 다른 영역에서보다 광원의 영역에서 더 높다.

이러한 가열은 성형품의 높은 표면 품질을 유지하면서 동시에 높은 치수 정확도를 보장하는 것에 관하여 성형품의 제조에 사용되는 열가소성 성형 조성물에 특정한 요건을 부과한다.

플라스틱의 광-가이드 또는 광-반사 성형 부품은 이미 하기 문헌에 기재되어 있다:

DE 3940436 C2에는, 특히 자동차 헤드램프용 반사체의 제조 방법이 기재되어 있다. 이 방법에서는, 매우 낮은 충전제 함량을 갖거나 충전제 함량이 없는 열가소성 물질을 금형 내로 연속적으로 주입하고, 금형 공동의 부분에 채운 다음, 이방성 열가소성 물질을 무기 또는 유기 충전제에 의해 강화시킨다.

DE 4404604 A1은, 금속으로 코팅되고 그 위에 열경화성 플라스틱 물질의 단단한 코어가 형성된 평활한 열가소성, 예를 들어 폴리카르보네이트 또는 폴리부틸렌 테레프탈레이트의 표피를 갖춘 단단한 지지체 쉘의 조명 장치를 위한 플라스틱의 반사체의 제조 방법을 제공한다.

JP 2000322918 A, JP 11241005 및 JP 11241006에는 우수한 표면 특성, 우수한 열 안정성 및 금속에 대한 높은 부착을 갖는 반사체가 개시되어 있다. 여기서 금속은 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 충전제 및 추가의 구성성분을 포함하는 플라스틱 조성물의 성형 부품에 적용된다. 그러나, 이러한 방식으로 제조된 반사체는 요구되는 치수 안정성 및/또는 표면 품질을 갖지 않는다.

JP 2006240085 A에는 높은 열 변형 온도 및 아연도금된 표면에 대한 우수한 부착을 갖는 반사 부품의 제조 방법이 기재되어 있으며, 여기서 아연도금된 표면 및 아연도금 단계는 고정밀 반사체 사용에 불리하고 부적합하다.

따라서,

열가소성 조건 하에 제조될 수 있고,

낮은 이방성 열 팽창 계수를 갖고,

높은 치수 정확도를 갖고,

또한 열에 대한 노출 하에 유지되는 높은 표면 품질을 갖고,

적어도 100℃에서 가장 높은 가능한 열 안정성을 갖고,

진공 하에 금속화될 수 있고,

금속화 후 높은 반사도를 갖는

성형품을 제조하는 것이 본 발명의 목적이었다.

사출 성형 공정과 금형의 동적 온도 제어 및 본 발명에 따른 강화된 열가소성 성형 조성물의 보조와의 조합에 의해 기재된 목적을 달성하는 것이 가능하다.

놀랍게도,

A) 방향족 폴리카르보네이트 및/또는 방향족 폴리에스테르 카르보네이트, 바람직하게는 폴리카르보네이트 30 - 100 중량부, 바람직하게는 40 - 90 중량부, 특히 바람직하게는 50 - 85 중량부,

B) 고무-개질된 그라프트 중합체 및/또는 비닐 공중합체 0 - 50 중량부, 바람직하게는 0 - 40.0 중량부, 특히 바람직하게는 5.0 - 20.0 중량부,

C) 폴리에스테르, 바람직하게는 PBT 또는 PET 0 - 50.0 중량부, 바람직하게는 0 - 30.0 중량부, 특히 바람직하게는 10.0 - 25.0 중량부,

D) 구형 / 입방형, 판형 / 원반형 및 층상 기하구조를 포함하는 군으로부터 선택된 그레인(grain) 형상을 갖는 무기 충전제 5.0 - 50.0 중량부, 바람직하게는 10.0 - 30.0 중량부, 특히 바람직하게는 15.0 내지 25.0 중량부,

E) 추가의 통상적인 중합체 첨가제 0 - 5.0 중량부, 바람직하게는 0.5 - 3.0 중량부, 특히 바람직하게는 0.75 - 1.25 중량부

를 포함하며, 여기서 본원에 언급된 모든 중량부는 조성물 중의 모든 성분 A+B+C+D+E의 중량부 합이 100이 되도록 표준화된 것인 조성물이 목적하는 특성 프로파일을 갖는 것으로 밝혀졌다.

특히 바람직한 실시양태에서, 조성물은 단지 성분 A, D 및 E로 이루어지고, 추가의 바람직한 실시양태에서 조성물은 상기 언급된 함량의 성분 A - E로 이루어진다.

성분 A:

본 발명의 문맥에서 폴리카르보네이트는 호모폴리카르보네이트 및 코폴리카르보네이트 둘 다이고; 폴리카르보네이트는 공지된 방식으로 선형이거나 분지화될 수 있다.

본 발명에 따라 적합한 성분 A에 따른 방향족 폴리카르보네이트 및/또는 방향족 폴리에스테르 카르보네이트는 문헌으로부터 공지되어 있거나, 또는 문헌으로부터 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다 (방향족 폴리카르보네이트의 제조에 대해, 예를 들어 문헌 [Schnell, "Chemistry and Physics of Polycarbonates", Interscience Publishers, 1964] 및 DE-AS 1 495 626, DE-A 2 232 877, DE-A 2 703 376, DE-A 2 714 544, DE-A 3 000 610, DE-A 3 832 396 참조; 방향족 폴리에스테르 카르보네이트의 제조에 대해, 예를 들어 DE-A 3 007 934 참조).

방향족 폴리카르보네이트는 예를 들어, 임의로 사슬 종결제, 예를 들어 모노페놀을 사용하고, 임의로 삼관능성 또는 삼관능성 초과인 분지화제, 예를 들어 트리페놀 또는 테트라페놀을 사용한 계면 공정에 의해, 디페놀과 탄산 할라이드, 바람직하게는 포스겐 및/또는 방향족 디카르복실산 디할라이드, 바람직하게는 벤젠디카르복실산 디할라이드와의 반응에 의해 제조된다. 디페놀과, 예를 들어 디페닐 카르보네이트와의 반응에 의한 용융 중합 공정을 통한 제조가 마찬가지로 가능하다.

방향족 폴리카르보네이트 및/또는 방향족 폴리에스테르 카르보네이트의 제조를 위한 디페놀은 바람직하게는 하기 화학식 I의 것이다.

<화학식 I>

상기 식에서,

A는 단일 결합, C₁ 내지 C₅-알킬렌, C₂ 내지 C₅-알킬리덴, C₅ 내지 C₆-시클로알킬리덴, -O-, -SO-, -CO-, -S-, -SO₂-, C₆ 내지 C₁₂-아릴렌 (이에는 헤테로 원자를 임의로 포함하는 추가의 방향족 고리가 융합될 수 있음),

또는 하기 화학식 II 또는 III의 라디칼이고,

<화학식 II>

<화학식 III>

B는 각 경우에 C₁ 내지 C₁₂-알킬, 바람직하게는 메틸, 할로겐, 바람직하게는 염소 및/또는 브로민이고,

x는 각 경우에 서로 독립적으로 0, 1 또는 2이고,

p는 1 또는 0이고,

R⁵ 및 R⁶은 각각의 X¹에 대해 개별적으로 선택될 수 있고, 서로 독립적으로 수소 또는 C₁ 내지 C₆-알킬, 바람직하게는 수소, 메틸 또는 에틸을 나타내고,

X¹은 탄소를 나타내고,

m은 4 내지 7의 정수, 바람직하게는 4 또는 5를 나타내며, 단 1개 이상의 원자 X¹ 상에서 R⁵ 및 R⁶은 동시에 알킬이다.

바람직한 디페놀은 히드로퀴논, 레조르시놀, 디히드록시디페놀, 비스-(히드록시페닐)-C₁-C₅-알칸, 비스-(히드록시페닐)-C₅-C₆-시클로알칸, 비스-(히드록시페닐) 에테르, 비스-(히드록시페닐) 술폭시드, 비스-(히드록시페닐) 케톤, 비스-(히드록시페닐) 술폰 및 α,α-비스-(히드록시페닐)-디이소프로필벤젠 및 핵 상에서 브로민화되고/되거나 핵 상에서 염소화된 그의 유도체이다.

특히 바람직한 디페놀은 4,4'-디히드록시디페닐, 비스페놀 A, 2,4-비스-(4-히드록시페닐)-2-메틸부탄, 1,1-비스-(4-히드록시페닐)-시클로헥산, 1,1-비스-(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 4,4'-디히드록시디페닐 술피드, 4,4'-디히드록시디페닐 술폰 및 그의 이브로민화 및 사브로민화 또는 염소화 유도체, 예컨대 예를 들어 2,2-비스-(3-클로로-4-히드록시페닐)-프로판, 2,2-비스-(3,5-디클로로-4-히드록시페닐)-프로판 또는 2,2-비스-(3,5-디브로모-4-히드록시페닐)-프로판이다. 2,2-비스-(4-히드록시페닐)-프로판 (비스페놀 A)이 특히 바람직하다.

디페놀은 개별적으로 또는 임의의 바람직한 혼합물로서 사용될 수 있다. 디페놀은 문헌으로부터 공지되어 있거나, 또는 문헌으로부터 공지된 방법에 의해 수득가능하다.

열가소성 방향족 폴리카르보네이트의 제조에 적합한 사슬 종결제는 예를 들어, 페놀, p-클로로페놀, p-tert-부틸페놀 또는 2,4,6-트리브로모페놀이거나, 또한 장쇄 알킬페놀, 예컨대 4-[2-(2,4,4-트리메틸펜틸)]-페놀, 4-(1,3-테트라메틸부틸)-페놀 (DE-A 2 842 005에 따름), 또는 알킬 치환기 내에 총 8 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 모노알킬페놀 또는 디알킬페놀, 예컨대 3,5-디-tert-부틸페놀, p-이소-옥틸페놀, p-tert-옥틸페놀, p-도데실페놀 및 2-(3,5-디메틸헵틸)-페놀 및 4-(3,5-디메틸헵틸)-페놀이다. 사용하고자 하는 사슬 종결제의 양은 일반적으로 사용되는 특정한 디페놀의 몰 합을 기준으로 하여 0.5 몰% 내지 10 몰%이다.

열가소성 방향족 폴리카르보네이트는 10,000 내지 200,000 g/몰, 바람직하게는 15,000 내지 80,000 g/몰, 특히 바람직하게는 24,000 내지 32,000 g/몰의 평균 분자량 (중량-평균 M_w, 폴리카르보네이트 표준물질을 사용한 GPC (겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정됨)을 갖는다.

열가소성 방향족 폴리카르보네이트는 공지된 방식으로 분지화될 수 있으며, 특히 바람직하게는 사용된 디페놀의 합을 기준으로 하여 0.05 내지 2.0 몰%의 삼관능성 또는 삼관능성 초과인 화합물, 예컨대 3개 이상의 페놀기를 갖는 화합물의 혼입에 의해 분지화될 수 있다. 바람직하게는, 선형 폴리카르보네이트, 추가로 바람직하게는 비스페놀 A 기재 선형 폴리카르보네이트가 사용된다.

호모폴리카르보네이트 및 코폴리카르보네이트 둘 다가 적합하다. 사용하고자 하는 디페놀의 총량을 기준으로 하여 1 내지 25 중량%, 바람직하게는 2.5 내지 25 중량%의, 히드록시아릴옥시 말단 기를 갖는 폴리디오르가노실록산은 성분 A에 따라 본 발명에 따른 코폴리카르보네이트의 제조에 또한 사용될 수 있다. 이들은 공지되어 있으며 (US 3 419 634), 문헌으로부터 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다. 마찬가지로 폴리디오르가노실록산을 함유하는 코폴리카르보네이트가 적합하고; 폴리디오르가노실록산을 함유하는 코폴리카르보네이트의 제조는 예를 들어 DE-A 3 334 782에 기재되어 있다.

바람직한 폴리카르보네이트는, 비스페놀 A 호모폴리카르보네이트에 추가하여, 비스페놀 A와, 디페놀의 몰 합을 기준으로 하여 15 몰% 이하의 바람직하거나 또는 특히 바람직한 것으로 언급된 다른 디페놀, 특히 2,2-비스-(3,5-디브로모-4-히드록시페닐)-프로판과의 코폴리카르보네이트이다.

방향족 폴리에스테르 카르보네이트의 제조를 위한 방향족 디카르복실산 디할라이드는 바람직하게는 이소프탈산, 테레프탈산, 디페닐 에테르 4,4'-디카르복실산 및 나프탈렌-2,6-디카르복실산의 이산 디클로라이드이다.

1:20 내지 20:1 비의 이소프탈산 및 테레프탈산의 이산 디클로라이드의 혼합물이 특히 바람직하다.

폴리에스테르 카르보네이트의 제조에서 탄산 할라이드, 바람직하게는 포스겐이 이관능성 산 유도체로서 추가적으로 공동-사용된다.

방향족 폴리에스테르 카르보네이트의 제조에 가능한 사슬 종결제는, 이미 언급된 모노페놀에 추가하여, 또한 그의 클로로탄산 에스테르 및 방향족 모노카르복실산의 산 클로라이드 (이는 C₁ 내지 C₂₂-알킬 기 또는 할로겐 원자에 의해 임의로 치환될 수 있음) 및 지방족 C₂ 내지 C₂₂-모노카르복실산 클로라이드이다.

사슬 종결제의 양은, 페놀계 사슬 종결제의 경우에는 디페놀의 몰을 기준으로 하고, 모노카르복실산 클로라이드 사슬 종결제의 경우에는 디카르복실산 디클로라이드의 몰을 기준으로 하여, 각 경우에 0.1 내지 10 몰%이다.

1종 이상의 방향족 히드록시카르복실산은 방향족 폴리에스테르 카르보네이트의 제조에 추가적으로 사용될 수 있다.

방향족 폴리에스테르 카르보네이트는 공지된 방식으로 선형이거나 분지화될 수 있으며 (이와 관련하여 DE-A 2 940 024 및 DE-A 3 007 934 참조), 선형 폴리에스테르 카르보네이트가 바람직하다.

사용될 수 있는 분지화제는, 예를 들어, 0.01 내지 1.0 몰% (사용된 디카르복실산 디클로라이드를 기준으로 함)의 양의 삼관능성 또는 삼관능성 초과인 카르복실산 클로라이드, 예컨대 트리메스산 트리클로라이드, 시아누르산 트리클로라이드, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 테트라클로라이드, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 테트라클로라이드 또는 피로멜리트산 테트라클로라이드, 또는 사용된 디페놀을 기준으로 하여 0.01 내지 1.0 몰%의 양의 삼관능성 또는 삼관능성 초과인 페놀, 예컨대 플로로글루시놀, 4,6-디메틸-2,4,6-트리-(4-히드록시페닐)-헵트-2-엔, 4,6-디메틸-2,4,6-트리-(4-히드록시페닐)-헵탄, 1,3,5-트리-(4-히드록시페닐)-벤젠, 1,1,1-트리-(4-히드록시페닐)-에탄, 트리-(4-히드록시페닐)-페닐메탄, 2,2-비스[4,4-비스(4-히드록시페닐)-시클로헥실]-프로판, 2,4-비스(4-히드록시페닐이소프로필)-페놀, 테트라-(4-히드록시페닐)-메탄, 2,6-비스(2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페놀, 2-(4-히드록시페닐)-2-(2,4-디히드록시페닐)-프로판, 테트라-(4-[4-히드록시페닐이소프로필]-페녹시)-메탄, 1,4-비스[4,4'-디히드록시트리페닐)-메틸]-벤젠이다. 페놀계 분지화제는 초기에 디페놀과 함께 도입될 수 있고; 산 클로라이드 분지화제는 산 디클로라이드와 함께 도입될 수 있다.

열가소성 방향족 폴리에스테르 카르보네이트 중의 카르보네이트 구조 단위의 함량은 원하는 대로 달라질 수 있다. 바람직하게는, 카르보네이트 기의 함량은 에스테르 기 및 카르보네이트 기의 합을 기준으로 하여 100 몰% 이하, 특히 80 몰% 이하, 특히 바람직하게는 50 몰% 이하이다. 방향족 폴리에스테르 카르보네이트의 에스테르 및 카르보네이트 함량은 둘 다 중축합물 중에 블록 형태로 또는 무작위적 분포로 존재할 수 있다.

열가소성 방향족 폴리카르보네이트 및 폴리에스테르 카르보네이트는 그 자체로 또는 임의의 목적하는 혼합물로 사용될 수 있다.

성분 B

성분 B는

B.1 하기 B.2 상의 1종 이상의 비닐 단량체 5 내지 95, 바람직하게는 20 내지 90 중량%, 특히 바람직하게는 30 내지 60 중량% 및

B.2 1종 이상의 그라프트 베이스 95 내지 5, 바람직하게는 80 내지 10 중량%, 특히 바람직하게는 70 내지 40 중량%

의 1종 이상의 그라프트 중합체를 포함한다.

그라프트 베이스의 유리 전이 온도는 바람직하게는 < 10℃, 추가로 바람직하게는 < 0℃, 특히 바람직하게는 < -20℃이다.

그라프트 베이스 B.2는 일반적으로 0.05 내지 10.00 μm, 바람직하게는 0.10 내지 5.00 μm, 추가로 바람직하게는 0.20 내지 1.00 μm, 특히 바람직하게는 0.25 내지 0.50 μm의 평균 입자 크기 (d₅₀ 값)를 갖는다.

단량체 B.1은 바람직하게는

B.1.1 비닐방향족 및/또는 핵 상에서 치환된 비닐방향족 (예컨대, 스티렌, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌 및 p-클로로스티렌) 및/또는 (메트)아크릴산 (C₁-C₈)-알킬 에스테르 (예컨대, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트) 50 내지 99 중량부 및

B.1.2 비닐 시아나이드 (불포화 니트릴, 예컨대 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴) 및/또는 (메트)아크릴산 (C₁-C₈)-알킬 에스테르, 예컨대 메틸 메타크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, t-부틸 아크릴레이트 및/또는 불포화 카르복실산의 유도체 (예컨대, 무수물 및 이미드), 예를 들어 말레산 무수물 1 내지 50 중량부

의 혼합물이다.

바람직한 단량체 B.1.1은 단량체 스티렌, α-메틸스티렌 및 메틸 메타크릴레이트 중 적어도 1종으로부터 선택되고, 바람직한 단량체 B.1.2는 단량체 아크릴로니트릴, 말레산 무수물 및 메틸 메타크릴레이트 중 적어도 1종으로부터 선택된다. 특히 바람직한 단량체는 B.1.1 스티렌 및 B.1.2 아크릴로니트릴이다.

그라프트 중합체 B에 적합한 그라프트 베이스 B.2는 예를 들어 디엔 고무, EP(D)M 고무 (즉, 에틸렌/프로필렌 및 임의로 디엔을 기재로 한 것), 및 아크릴레이트, 폴리우레탄, 실리콘, 클로로프렌 및 에틸렌/비닐 아세테이트 고무이다.

바람직한 그라프트 베이스 B.2는 예를 들어 부타디엔 및 이소프렌을 기재로 하는 디엔 고무, 또는 디엔 고무 또는 디엔 고무의 공중합체 또는 그의 혼합물과 추가의 공중합성 단량체 (예를 들어, B.1.1 및 B.1.2에 따름)와의 혼합물이다. 순수한 폴리부타디엔 고무가 특히 바람직하다.

유리 전이 온도는 DIN EN 61006에 따라 10 K/분의 가열 속도에서 중간지점 결정 (탄젠트 방법)으로서 T_g를 결정하여 동적 시차 주사 열량측정법 (DSC)에 의해 결정된다.

특히 바람직한 중합체 B는, 예를 들어 DE-OS 2 035 390 (= US 3 644 574) 또는 DE-OS 2 248 242 (= GB 1 409 275) 및 문헌 [Ullmanns, Enzyklopaedie der Technischen Chemie, vol. 19 (1980), p. 280 et seq.]에 기재되어 있는 바와 같이, 예를 들어 ABS 중합체 (유화, 괴상 및 현탁 ABS)이다. 그라프트 베이스 B.2의 겔 함량은 30 중량% 이상, 바람직하게는 40 중량% 이상 (톨루엔 중에서 측정됨)이다.

그라프트 공중합체 B는 자유 라디칼 중합에 의해, 예를 들어 유화, 현탁, 용액 또는 괴상 중합에 의해, 바람직하게는 유화 또는 괴상 중합에 의해 제조된다.

특히 적합한 그라프트 고무는 또한 US 4 937 285에 따라 유기 히드로퍼옥시드 및 아스코르브산의 개시제 시스템으로의 산화환원 개시에 의한 유화 중합 공정으로 제조된 ABS 중합체이다.

공지된 바와 같이 그라프팅 단량체는 그라프팅 반응 동안 그라프트 베이스 상에 완전히 그라프팅될 필요는 없기 때문에, 본 발명에 따르면 그라프트 중합체 B는 또한 그라프트 베이스의 존재 하에 그라프팅 단량체의 (공)중합에 의해 생성되되고 또한 후처리 동안에 수득되는 생성물을 의미하는 것으로 이해된다.

중합체 B의 B.2에 따른 적합한 아크릴레이트 고무는 바람직하게는 아크릴산 알킬 에스테르와 임의로 B.2를 기준으로 하여 40 중량% 이하의 다른 중합성 에틸렌계 불포화 단량체와의 중합체이다. 바람직한 중합성 아크릴산 에스테르는 C₁ 내지 C₈-알킬 에스테르, 예를 들어 메틸, 에틸, 부틸, n-옥틸 및 2-에틸헥실 에스테르; 할로알킬 에스테르, 바람직하게는 할로-C₁-C₈알킬 에스테르, 예컨대 클로로에틸 아크릴레이트 및 이들 단량체의 혼합물을 포함한다.

가교를 위해, 1개 초과의 중합성 이중 결합을 갖는 단량체가 공중합될 수 있다. 가교 단량체의 바람직한 예는 3 내지 8개의 C 원자를 갖는 불포화 모노카르복실산 및 3 내지 12개의 C 원자를 갖는 불포화 일관능성 알콜의 에스테르, 또는 2 내지 4개의 OH 기 및 2 내지 20개의 C 원자를 갖는 포화 폴리올의 에스테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 알릴 메타크릴레이트; 다중불포화 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 트리비닐 및 트리알릴 시아누레이트; 다관능성 비닐 화합물, 예컨대 디- 및 트리비닐벤젠; 또한 트리알릴 포스페이트 및 디알릴 프탈레이트이다. 바람직한 가교 단량체는 알릴 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디알릴 프탈레이트 및 3개 이상의 에틸렌계 불포화 기를 갖는 헤테로시클릭 화합물이다. 특히 바람직한 가교 단량체는 시클릭 단량체 트리알릴 시아누레이트, 트리알릴 이소시아누레이트, 트리아크릴로일헥사히드로-s-트리아진, 트리알릴벤젠이다. 가교 단량체의 양은 그라프트 베이스 B.2를 기준으로 하여 바람직하게는 0.02 내지 5.00, 특히 0.05 내지 2.00 중량%이다. 3개 이상의 에틸렌계 불포화 기를 갖는 시클릭 가교 단량체의 경우, 상기 양을 그라프트 베이스 B.2의 1 중량% 미만으로 제한하는 것이 유리하다.

아크릴산 에스테르에 추가하여 그라프트 베이스 B.2의 제조에 임의로 제공될 수 있는 바람직한 "다른" 중합성 에틸렌계 불포화 단량체는, 예를 들어 아크릴로니트릴, 스티렌, α-메틸스티렌, 아크릴아미드, 비닐 C₁-C₆-알킬 에테르, 메틸 메타크릴레이트 및 부타디엔이다. 그라프트 베이스 B.2로서 바람직한 아크릴레이트 고무는 60 중량% 이상의 겔 함량을 갖는 유화 중합체이다.

B.2에 따른 추가의 적합한 그라프트 베이스는 DE-OS 3 704 657, DE-OS 3 704 655, DE-OS 3 631 540 및 DE-OS 3 631 539에 기재된 바와 같이 그라프팅-활성 부위를 갖는 실리콘 고무이다.

그라프트 베이스 B.2의 겔 함량은 25℃에서 적합한 용매 중에서 결정된다 (문헌 [M. Hoffmann, H. Kroemer, R. Kuhn, Polymeranalytik I und II, Georg Thieme-Verlag, Stuttgart 1977]).

평균 입자 크기 d₅₀은 각 경우에 입자의 50 중량%가 그 값 초과 및 미만에 있는 직경이다. 이는 초원심분리 측정에 의해 결정될 수 있다 (문헌 [W. Scholtan, H. Lange, Kolloid, Z. und Z. Polymere 250 (1972), 782-l796]).

성분 C

성분 C는 1종 이상의 열가소성 폴리알킬렌 테레프탈레이트를 포함한다.

폴리알킬렌 테레프탈레이트는 방향족 디카르복실산 또는 그의 반응성 유도체, 예컨대 디메틸 에스테르 또는 무수물, 및 지방족, 시클로지방족 또는 아르지방족 디올의 반응 생성물, 및 이들 반응 생성물의 혼합물이다.

바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는 디카르복실산 성분을 기준으로 하여 80 중량% 이상, 바람직하게는 90 중량% 이상의 테레프탈산 라디칼, 및 디올 성분을 기준으로 하여 80 중량% 이상, 바람직하게는 90 중량% 이상의 에틸렌 글리콜 및/또는 부탄-1,4-디올의 라디칼을 함유한다.

바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는 테레프탈산 라디칼에 추가하여, 20 몰% 이하, 바람직하게는 10 몰% 이하의, 8 내지 14개의 C 원자를 갖는 기타 방향족 또는 시클로지방족 디카르복실산 또는 4 내지 12개의 C 원자를 갖는 지방족 디카르복실산의 라디칼, 예컨대 예를 들어 프탈산, 이소프탈산, 나프탈렌-2,6-디카르복실산, 4,4'-디페닐디카르복실산, 숙신산, 아디프산, 세바스산, 아젤라산, 시클로헥산디아세트산의 라디칼을 포함할 수 있다.

바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는, 에틸렌 글리콜 또는 부탄-1,4-디올의 라디칼에 추가하여, 20 몰% 이하, 바람직하게는 10 몰% 이하의, 3 내지 12개의 C 원자를 갖는 다른 지방족 디올 또는 6 내지 21개의 C 원자를 갖는 시클로지방족 디올, 예를 들어 프로판-1,3-디올, 2-에틸프로판-1,3-디올, 네오펜틸 글리콜, 펜탄-1,5-디올, 헥산-1,6-디올, 시클로헥산-1,4-디메탄올, 3-에틸펜탄-2,4-디올, 2-메틸펜탄-2,4-디올, 2,2,4-트리메틸펜탄-1,3-디올, 2-에틸헥산-1,3-디올, 2,2-디에틸프로판-1,3-디올, 헥산-2,5-디올, 1,4-디-(β-히드록시에톡시)-벤젠, 2,2-비스-(4-히드록시시클로헥실)-프로판, 2,4-디히드록시-1,1,3,3-테트라메틸시클로부탄, 2,2-비스-(4-β-히드록시에톡시페닐)-프로판 및 2,2-비스-(4-히드록시프로폭시페닐)-프로판의 라디칼을 포함할 수 있다 (DE-A 2　407　674, 2　407　776, 2　715　932).

폴리알킬렌 테레프탈레이트는 예를 들어 DE-A 1 900 270 및 US 3 692 744에 따라 비교적 소량의 3- 또는 4-관능성 알콜 또는 3- 또는 4-염기성 카르복실산의 혼입에 의해 분지화될 수 있다. 바람직한 분지화제의 예는 트리메스산, 트리멜리트산, 트리메틸올에탄 및 -프로판 및 펜타에리트리톨이다.

테레프탈산 및 그의 반응성 유도체 (예를 들어, 그의 디알킬 에스테르) 및 에틸렌 글리콜 및/또는 부탄-1,4-디올로부터 단독으로 제조된 폴리알킬렌 테레프탈레이트 및/또는 이들 폴리알킬렌 테레프탈레이트의 혼합물이 특히 바람직하다.

폴리알킬렌 테레프탈레이트의 혼합물은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%, 및 폴리부틸렌 테레프탈레이트 50 내지 99 중량%, 바람직하게는 70 내지 99 중량%를 포함한다.

바람직하게 사용되는 폴리알킬렌 테레프탈레이트는 일반적으로 우베로데(Ubbelohde) 점도계로 25℃에서 페놀/o-디클로로벤젠 (1:1 중량부) 중에서 측정된 0.4 내지 1.5 dl/g, 바람직하게는 0.5 내지 1.2 dl/g의 극한 점도를 갖는다.

폴리알킬렌 테레프탈레이트는 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다 (예를 들어, 문헌 [Kunststoff-Handbuch, volume VIII, p. 695 et seq., Carl-Hanser-Verlag, Munich 1973] 참조).

성분 D:

이들 무기 충전제는 구형 / 입방형, 판형 / 원반형 및 층상 기하구조를 포함하는 군으로부터 선택된 그레인 형상을 갖는 특별한 무기 입자이다. 자루-유사 그레인 형상은 본 발명의 문맥에서 적합하지 않다.

바람직하게는 넓은 외부 및/또는 내부 표면적을 갖는 미분된 및/또는 다공성 형태의 구형 또는 층상 기하구조를 갖는 무기 충전제가 특히 적합하다. 이들은 바람직하게는, 특히 질화물, 예컨대 질화붕소를 기재로 하는 열적 불활성 무기 물질이거나, 또는 산화물 또는 혼합 산화물, 예컨대 산화세륨, 산화알루미늄이거나, 또는 탄화물, 예컨대 탄화텅스텐, 탄화규소 또는 탄화붕소, 분말화 석영, 예컨대 석영 분말, 무정형 SiO₂, 분쇄 모래, 유리 입자, 예컨대 유리 분말, 특히 유리구, 실리케이트 또는 알루모실리케이트, 흑연, 특히 매우 순수한 합성 흑연이다. 이와 관련해서, 석영 및 활석은 특히 바람직하고, 석영 (구형 그레인 형상)이 가장 바람직하다.

본 발명에 사용되는 충전제는 0.1 내지 10 μm, 바람직하게는 0.2 내지 8.0 μm, 추가로 바람직하게는 0.5 내지 5 μm의 평균 직경 d₅₀ _%를 특징으로 한다.

바람직한 실시양태에서, 성분 D는 가공된 석영 모래로부터 철-무함유 분쇄 후 공기 분리에 의해 제조된 미분된 석영 분말이다.

본 발명에 사용되는 실리케이트는 2 내지 10 μm, 바람직하게는 2.5 내지 8.0 μm, 추가로 바람직하게는 3 내지 5 μm, 특히 바람직하게는 3 μm의 평균 직경 d₅₀ _%를 특징으로 하고, 상응하게 6 내지 34 μm, 추가로 바람직하게는 6.5 내지 25.0 μm, 추가로 더 바람직하게는 7 내지 15 μm, 특히 바람직하게는 10 μm의 상위 직경 d₉₅ _%가 바람직하다.

바람직하게는, 실리케이트는 0.4 내지 8.0 m²/g, 추가로 바람직하게는 2 내지 6 m²/g, 특히 바람직하게는 4.4 내지 5.0 m²/g의 BET 비표면적 (ISO 9277에 따라 질소 흡착에 의해 결정됨)을 갖는다.

추가의 바람직한 실리케이트는 단지 최대로 3 중량%의 2차 구성성분을 가지며, 여기서 바람직하게는 각 경우에 실리케이트의 총 중량을 기준으로 하여

Al₂O₃의 함량은 < 2.0 중량%이고,

Fe₂O₃의 함량은 < 0.05 중량%이고,

(CaO + MgO)의 함량은 < 0.1 중량%이고,

(Na₂O + K₂O)의 함량은 < 0.1 중량%이다.

바람직하게는, 6 내지 9, 추가로 바람직하게는 6.5 내지 8.0 범위의 pH (수성 현탁액 중에서 ISO 10390에 따라 측정됨)를 갖는 실리케이트가 사용된다.

이들은 게다가 ISO 787-5에 따라 바람직하게는 20 내지 30 g/100 g의 오일 흡수가를 갖는다.

추가의 유리한 실시양태는 활석을 < 10 μm, 바람직하게는 < 5 μm, 특히 바람직하게는 < 2 μm, 매우 특히 바람직하게는 < 1.5 μm의 평균 입자 직경 d₅₀을 갖는 미분형의 형태로 사용한다.

그레인 크기 분포는 공기 분리에 의해 결정된다.

유기규소 화합물로 코팅된 무기 충전제, 특히 실리케이트가 특히 바람직하게 사용되고, 여기서 에폭시실란, 메틸실록산 및 메타크릴실란 크기가 바람직하게 사용된다. 에폭시실란 크기가 특히 바람직하다.

무기 충전제의 사이징(sizing)은 당업자에게 공지된 일반적인 방법에 의해 수행된다.

성분 E:

조성물은 성분 E로서 추가의 첨가제를 포함할 수 있다. 성분 E에 따른 가능한 추가의 첨가제는 특히 통상적인 중합체 첨가제, 예컨대 방염제 (예를 들어, 유기 인 또는 할로겐 화합물, 특히 비스페놀 A를 기재로 한 올리고포스페이트), 점적방지제 (예를 들어, 플루오린화 폴리올레핀의 물질 부류의 화합물, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌, 실리콘 및 아라미드 섬유), 윤활제 및 이형제, 바람직하게는 펜타에리트리톨 테트라스테아레이트, 핵제, 안정화제 (예를 들어, UV, 열 및/또는 가수분해 안정화제 및 항산화제), 뿐만 아니라 염료 및 안료 (예를 들어, 카본 블랙, 이산화티타늄 또는 산화철)이다.

사용되는 안정화제는 특히 인-기재 및/또는 페놀계 안정화제, 바람직하게는 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐) 포스파이트 또는 2,6-디-tert-부틸-4-(옥타데칸옥시카르보닐에틸)페놀 및 그의 혼합물이다.

배합:

성분 A) 내지 E)를 포함하는 본 발명에 따른 중합체 조성물의 제조는 개별 구성성분을 결집, 혼합, 균질화에 의해 통상의 혼입 방법으로 수행되고, 여기서 균질화는 특히 바람직하게는 전단력의 작용 하에 용융물 중에서 실시된다. 결집 및 혼합은 분말 예비혼합물을 사용하여 용융 균질화 전에 임의로 수행된다.

과립 또는 과립 및 분말과 본 발명에 따른 첨가제와의 예비혼합물이 또한 사용될 수 있다.

적합한 용매 중의 혼합 성분의 용액으로부터 제조된 예비혼합물이 또한 사용될 수 있고, 여기서 균질화가 용액 중에서 임의로 수행된 다음 용매가 제거된다.

특히, 본 발명에 따른 조성물의 첨가제는 공지된 방법에 의해 또는 마스터배치로서 여기에 도입될 수 있다.

마스터배치의 사용은 특히 첨가제의 도입에 있어서 바람직하며, 특정한 중합체 매트릭스를 기재로 하는 마스터배치가 특히 사용된다.

이와 관련하여, 조성물은 결집, 혼합, 균질화된 다음, 통상의 장치, 예컨대 스크류 압출기 (예를 들어, 이축 압출기, TSE), 혼련기 또는 브라벤더(Brabender) 또는 밴버리(Banbury) 밀에서 압출될 수 있다. 압출 후, 압출물은 냉각되고 분쇄될 수 있다. 개별 성분은 또한 예비혼합된 다음 나머지 출발 물질이 개별적으로 및/또는 마찬가지로 혼합물로서 첨가될 수 있다.

용융물 중 예비혼합물의 결집 및 혼합은 또한 사출 성형 기계의 가소화 유닛 내에서 수행될 수 있다. 이 절차에서, 상기 용융물은 후속 단계에서 성형품으로 직접 전환된다.

사출 성형 공정:

사출 성형의 동적 금형 온도 제어 방법은 금형 벽이 용융물의 주입 전에 신속히 가열된다는 것을 특징으로 한다. 상승된 금형 온도로 인해 용융물의 조기 고체화가 방지되고, 그 결과 특히 금형 표면의 보다 높은 캐스팅 정확도가 가능하고 성분 표면의 품질이 개선된다. 금형 벽의 온도는 비캣(Vicat) 온도 +/- 20℃, 바람직하게는 +/- 10℃, 특히 바람직하게는 + 5℃의 영역 내에 있어야 한다. 동적 금형 온도 제어는 주입 작업 후의 금형 벽의 온도가 가능한 한 신속하게 원래 온도로 다시 냉각되고 성분이 금형 내에서 통상의 방식으로 금형 방출 온도로 냉각되는 것을 추가로 특징으로 한다. 하기 언급된 예에 대해, 유도 가열의 보조 하에 동적 금형 온도 제어가 사용되었다.

금속화:

금속의 중합체에의 적용은 다양한 방법에 의해, 예컨대 예를 들어 증착 또는 스퍼터링에 의해 수행될 수 있다. 상기 방법은 예를 들어 문헌 ["Vakuumbeschichtung vol. 1 to 5", H. Frey, VDI-Verlag Duesseldorf 1995 또는 "Oberflaechen- und Duennschicht-Technologie" part 1, R.A. Haefer, Springer Verlag 1987]에 상세하게 기재되어 있다.

보다 우수한 금속 부착을 달성하고 기판 표면을 깨끗하게 하기 위해, 기판은 통상적으로 플라즈마 전처리에 적용된다. 특정 상황 하에, 플라즈마 예비처리는 중합체의 표면 특성을 개질시킬 수 있다. 이러한 방법은 예를 들어 문헌 [Friedrich et al. in Metallized plastics 5 & 6: Fundamental and applied aspects and H. Gruenwald et al. in Surface and Coatings Technology 111 (1999) 287-296]에 기재되어 있다.

추가의 층, 예컨대 부식-감소 보호 크기는 PECVD (플라즈마 증강 화학 증착) 또는 플라즈마 중합 공정에 적용될 수 있다. 여기서, 주로 실록산을 기재로 하는 저-비등 전구체가 플라스마 내에서 증발되며 그로 인해 활성화되어 필름을 형성할 수 있다. 여기서 전형적인 물질은 헥사메틸디실록산 (HMDSO), 테트라메틸디실록산, 데카메틸시클로펜타실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산 및 트리메톡시메틸실란이다.

가능한 금속은 바람직하게는 Ag, Al, Ti, Cr, Cu, VA 강철, Au, Pt, 특히 바람직하게는 Ag, Al, Ti 또는 Cr이다.

성형 조성물의 시험

열 노출 시험

샘플 시트는 각 경우에 1시간 동안 오븐 내에 한정된 온도에서 저장되었다. 오븐 내 저장은 이후의 사용 동안에 성분의 열에 대한 가능한 노출을 모방하도록 제공된다. 이 시험에서, 샘플 시트는 증가하는 오븐 온도에서 단계적으로 저장된다. 각 경우에 한 세트의 시험 시편이 온도 단계마다 사용된다. 최대 사용 온도는 표면 반사의 어떠한 가시적 열화도 발생하지 않는 온도까지의 온도로 정의된다.

측정 파라미터

열 변형 온도는 DIN ISO 306 (비캣 연화 온도, 50 N 하중 및 120 K/h의 가열 속도를 사용하는 방법 B)에 따라 한 면 상에 사출 성형된 80 x 10 x 4 mm의 치수의 시험 막대 상에서 측정하였다.

열 팽창 계수 (CLTE)는 DIN ISO 11359-1,-2 (선형 열 팽창 계수, 평행 / 수직, 23 내지 55℃에서 (10^-4/K의 단위))에 따라 측정하였다.

반사도는 ASTM E 1331-04에 따라 금속화된 샘플 시트 상에서 측정하였다. "정반사 포함" 광택을 사용한 개별 측정 (전 반사 [%]) 및 "정반사 배재" 광택을 사용하지 않은 측정 (확산 반사 [%])를 수행하였다. 직접 반사 [%]는 관계식 R직접 = R전 - R확산을 통해 계산하였다. 내장 광도계 구체를 장착한 헌터 울트라스캔 프로(Hunter UltraScan PRO)를 측정 장치로서 사용하였다.

사용된 구성성분:

성분 A1

25℃ 및 0.5 g/100 ml의 농도에서 메틸렌 클로라이드 중에서 1.255의 고유 점도를 갖는, 비스페놀 A 기재 선형 폴리카르보네이트.

성분 A2

25℃ 및 0.5 g/100 ml의 농도에서 메틸렌 클로라이드 중에서 1.270의 고유 점도를 갖는, 비스페놀 A 기재 선형 폴리카르보네이트.

성분 A3

25℃ 및 0.5 g/100 ml의 농도에서 메틸렌 클로라이드 중에서 1.290의 고유 점도를 갖는, 비스페놀 A 기재 선형 폴리카르보네이트.

성분 Ba (순수한 B.1 / SAN):

괴상 방법에 의해 제조된, 130 kg/mol의 중량-평균 분자량 Mw (GPC에 의해 결정됨)를 갖는, 77 중량%의 스티렌 및 23 중량%의 아크릴로니트릴의 공중합체.

성분 Bb (B.1 및 B.2와 실리콘/아크릴레이트 그라프트와의 그라프트 중합체):

충격 개질제, 스티렌/아크릴로니트릴-개질된 실리콘/아크릴레이트 고무, 미츠비시 레이온 캄파니, 리미티드(Mitsubishi Rayon Co., Ltd.)로부터의 메타블렌(Metablen)® SRK 200, CAS 178462-89-0.

성분 Bc (B.1 및 B.2와 폴리부타디엔 그라프트와의 그라프트 중합체)

21 : 10 : 69의 아크릴로니트릴 : 부타디엔 : 스티렌 비를 갖는 괴상 중합 방법으로 제조된 ABS

성분 C1:

0.62의 고유 점도 (25℃에서 페놀/o-디클로로벤젠 (1:1 중량부) 중에서 측정됨)를 갖는 선형 폴리에틸렌 테레프탈레이트.

성분 D1:

상표명 시크론(Sikron) SF 600 (d₅₀ = 3 μm, d₉₅ = 10 μm, 비-사이징됨) 하에 입수가능한, 쿼츠베르케 게엠베하(Quarzwerke GmbH) (독일 프레첸 50226)으로부터의 석영 분말이 사용되었다.

성분 D2:

HTP 울트라 5C, 61.5%의 SiO₂ 함량, 31%의 MgO 함량, 0.4%의 Al₂O₃ 함량을 갖는 활석을 갖는 이미파비 에스.피.에이.(Imifabi S.p.A.)로부터의 활석. (평균 입자 직경: 0.5 μm)

성분 D3:

13.7 μm의 평균 직경 및 3.0 - 4.0 mm의 평균 길이를 갖는 유리 섬유 (폴리카르보네이트 사용을 위해 사이징됨).

성분 E1:

윤활제/이형제로서의 펜타에리트리톨 테트라스테아레이트

과립의 제조

표 1에 열거된 출발 물질을 이축 압출기 (ZSK-25) (베르너 운트 플라이데러(Werner und Pfleiderer)) 상에서 260℃ - 290℃의 기계 온도에서 225 rpm의 회전 속도 및 20 kg/h의 처리량으로 배합하고 과립화한다. 완성된 과립을 하기 기재된 바와 같이 사출 성형 기계 상에서 상응하는 시험 시편으로 가공한다.

시험 시편의 제조:

하기 언급된 예에 대해, 유도 가열의 보조 하에 동적 금형 온도 제어를 사용하였다. 시험 시편은 다양한 표면 구조를 갖는 DIN A5 크기의 샘플 시트이다. 광학 측정은 고광택 표면을 갖는 영역에서 수행하였다. 샘플 시트의 제조를 위해 설정된 금형 및 물질 온도는 표 "특성 및 가공 파라미터"에 제시된다.

금속화 공정:

코팅 유닛은 샘플이 회전 샘플 홀더 상에 배치된 진공 챔버로 구성되었다. 샘플 홀더를 대략 20 rpm에서 회전시켰다. 시험 시편을 이온화된 공기로 분사시켜 먼지를 제거한 후, 이를 진공 챔버 내로 도입시켰다. 그 후에, 시험 시편을 갖는 진공 챔버를 p ≤ 1·10^-5 mbar의 압력으로 배기시켰다. 이어서, 플라즈마를 500 W로 1분 동안 p = 0.1 mbar의 압력으로 아르곤 기체를 사용하여 점화하고, 샘플을 상기 플라즈마로 노출시켰다 (플라즈마 전처리). 사용된 플라즈마 공급원은 2개의 평행한 금속 전극으로 구성된 다이오드 배열이었고, 이를 40 kHz의 교류 주파수 및 1,000 V 초과의 전압으로 작동시켰다. 그 후에, 샘플을 금속화하였다. 이를 위해, Ar 기체를 5·10^-3 mbar의 압력으로 들어오게 하였다. DC 자전관에 의해, 대략 100 nm 두께의 알루미늄 층을 6.4 W/cm²의 전력 밀도로 샘플에 적용하였다. 스퍼터 시간은 2.5분이었다. 그 후에, HMDSO의 부식 보호 층을 플라즈마 중합에 의해 적용하였다. 이를 위해, HMDSO를 기화시켰고, 증기를 대략 0.08 mbar의 압력이 될 때까지 진공 챔버 내로 보냈다. 그 후에, 플라즈마를 상기 기재된 다이오드 배열을 사용하여 1,500 W로 점화하고, 부식 보호 층을 1분 동안 적용하였다.

조성:

특성 및 가공 파라미터:

* 비캣 @ 50 N; 120℃/h [℃]

본 발명에 따른 실시예 1 및 2에 대한 최대 사용 온도의 결정:

Claims

A) 1종 이상의 방향족 폴리카르보네이트 30.0 내지 100.0 중량부,
B) 고무-개질된 그라프트 중합체 및/또는 비닐 공중합체 0.0 중량부 내지 50.0 중량부,
C) 폴리에스테르 0.00 내지 50.00 중량부,
D) 구형 / 입방형, 판형 / 원반형 및 층상 기하구조를 포함하는 군으로부터 선택된 그레인(grain) 형상을 갖는 1종 이상의 무기 충전제 5.0 내지 50.0 중량부,
E) 추가의 통상적인 첨가제 0.00 내지 5.00 중량부
를 포함하며, 여기서 성분 A) 내지 E)의 중량부 합은 100 중량부인 열가소성 조성물.
제1항에 있어서,
A) 1종 이상의 방향족 폴리카르보네이트 50.0 내지 85.0 중량부,
B) 고무-개질된 그라프트 중합체 및/또는 비닐 공중합체 0 중량부 내지 20.0 중량부,
C) 폴리에스테르 10.00 내지 25.00 중량부,
D) 구형 / 입방형, 판형 / 원반형 및 층상 기하구조를 포함하는 군으로부터 선택된 그레인 형상을 갖는 1종 이상의 무기 충전제 15.0 내지 30.0 중량부,
E) 추가의 통상적인 첨가제 0.75 내지 1.25 중량부
의 양으로 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서, 성분 D가 구형 / 입방형, 층상 기하구조를 포함하는 군으로부터 선택된 그레인 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 성형 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서, 성분 D가 질화물, 산화물, 혼합 산화물, 탄화물, 분말화 석영, 무정형 SiO₂, 분쇄 모래, 유리 입자, 실리케이트 또는 알루모실리케이트 및 흑연을 포함하는 열적 불활성 무기 물질의 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 성형 조성물.
제4항에 있어서, 성분 D가 질화붕소, 산화세륨, 산화알루미늄, 탄화텅스텐, 탄화규소, 탄화붕소, 석영 분말, 무정형 SiO₂, 분쇄 모래, 유리 분말, 유리 구체, 실리케이트 또는 알루모실리케이트 및 고도로 순수한 합성 흑연을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 성형 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서, 성분 D가 석영인 것을 특징으로 하는 성형 조성물.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 충전제가 0.1 내지 10 μm의 평균 직경 d₅₀ _%를 갖는 것을 특징으로 하는 성형 조성물.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 실리케이트가 2.0 내지 10 μm의 평균 직경 d₅₀ _%를 갖는 것을 특징으로 하는 성형 조성물.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 충전제가 사이징(sizing)되는 것을 특징으로 하는 성형 조성물.
낮은 이방성 열 팽창 계수, 개선된 치수 정확도, 또한 열에 대한 노출 동안의 또는 후의 높은 표면 품질, 높은 반사도 및 우수한 금속화도를 갖는 성형 부품의 제조를 위한 제1항 또는 제2항에 따른 성형 조성물의 용도.
a) 제1항 또는 제2항에 따른 조성물의 과립의 제조를 위해 성분 A) 내지 E)를 포함하는 조성물을 배합하는 단계, 및
b) 동적 금형 온도 제어를 사용한 방식으로 제조된 과립으로부터 성형 부품을 사출 성형하는 단계
를 포함하는, 증가된 표면 내스크래치성, 개선된 치수 정확도 및 개선된 표면 광택을 갖는 성형 부품의 제조 방법.
제11항에 있어서, 표면의 금속화가 추가의 단계로서 이어지는 것을 특징으로 하는 방법.
제11항 또는 제12항에 있어서, 성형 부품의 표면이 플라즈마 공급원에서 40 kHz의 교류 주파수 및 > 1,000 V의 전압으로 플라즈마 전처리에 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
제12항 또는 제13항에 있어서, 금속이 알루미늄인 것을 특징으로 하는 방법.
제12항 또는 제13항에 있어서, 추가의 부식 보호 층이 플라즈마 중합에 의해 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.