[go: up one dir, main page]

KR20140076204A - 발광다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

발광다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140076204A
KR20140076204A KR20120144514A KR20120144514A KR20140076204A KR 20140076204 A KR20140076204 A KR 20140076204A KR 20120144514 A KR20120144514 A KR 20120144514A KR 20120144514 A KR20120144514 A KR 20120144514A KR 20140076204 A KR20140076204 A KR 20140076204A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
electrode pad
pad
conductive substrate
laser groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR20120144514A
Other languages
English (en)
Inventor
이진웅
김경완
윤여진
김예슬
김태균
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to KR20120144514A priority Critical patent/KR20140076204A/ko
Priority to US14/098,687 priority patent/US9041038B2/en
Priority to EP13196919.8A priority patent/EP2743997B1/en
Priority to EP14162119.3A priority patent/EP2750207B1/en
Priority to JP2013256795A priority patent/JP6220252B2/ja
Publication of KR20140076204A publication Critical patent/KR20140076204A/ko
Priority to US14/721,224 priority patent/US9202984B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8316—Multi-layer electrodes comprising at least one discontinuous layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/833—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
    • H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/034—Manufacture or treatment of coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 발광 다이오드는 기판 상에 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체, 상기 반도체 적층 구조체 상에 형성되는 도전성기판 및 상기 도전성기판 상에 오믹접촉되어 형성되는 전극을 포함하되, 상기 전극은, 상기 전극 및 상기 도전성기판에 레이저 스크라이빙하여 상기 전극에서 상기 도전성기판의 일부까지 관통시켜 형성되는 레이저 홈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 발광 다이오드는 레이저를 이용하여 국부적으로 열전달할 수 있기 때문에 전극이 오믹접촉을 할 수 있게 되고, 이에 따라 동작전압이 낮아져 발열량이 감소하는 효과가 있다.

Description

발광다이오드 및 그 제조방법 {Light emitting diode and method of fabricating the same}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 오믹 전극을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 청색 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다.
특히, 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층, 특히 GaN은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증찹법(molecularbeam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다.
이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한하며, 기계적 화학적으로 매우 안정하여 절단 및 형상화(shaping) 등의 가공이 어렵고, 열전도율이 낮다.
이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층들을 성장시킨 후, 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 발광 다이오드를 제조하는 기술이 연구되고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 종래의 수직형 발광 다이오드(1000)는 기판(1100)을 포함한다. 기판(1100) 상에 P층(1500), 활성층(1600) 및 N층(1700)을 포함하는 화합물 반도체층들이 위치한다.
또한, 상기 화합물 반도체층들과 상기 도전성 기판(1100) 사이에 P형전극(1400) 및 접착층(1200)이 개재된다.
상기 화합물 반도체층들은 일반적으로 사파이어 기판과 같은 희생기판(도시하지 않음) 상에 금속유기 화학기상증착법(MOCVD) 등을 사용하여 성장된다. 그 후, 상기 화합물 반도체층들 상에 P형전극(1400) 및 접착층(1200)이 형성되고, P형전극(1400)과 접착층(1200) 사이에 금속반사판(1300)이 형성될 수 있다. 그리고 접착층(1200)에 기판(1100)이 부착된다.
이어서, 레이저 리프트 오프(laser lift-off) 기술 등을 사용하여 상기 희생기판이 화합물 반도체층들로부터 분리되고, N층(1700)이 노출된다. 그 후, 노출된 N층(1700) 상에 전극 패드(1800)가 형성된다. 이에 따라, 열방출 성능이 우수한 기판(1100)을 채택함으로써, 발광 다이오드의 발광 효율을 개선할 수 있으며, 수직형 구조를 갖는 도 1의 발광 다이오드가 제공될 수 있다.
이러한 수직형 발광 다이오드는 화합물 반도체층들과 금속반사층(1300)의 접촉저항을 감소시키기 위해 오믹접촉을 하는 P형전극(1400)을 채택하고 있다.
한편, N층(1700) 상에는 N형전극(1800)이 형성되는데, 종래 N형전극(1800)은 Al-Ti 계열의 물질로 형성되었으며, N형전극(1800)의 형성 시에 상기 Al-Ti 계열의 물질은 600℃ 이상의 높은 어닐링온도가 요구되고, N형전극(1800)의 열처리 시에 이미 성막된 다른 적층물에 열적손상(thermal damage)을 미칠 수 있었다. 600℃ 이상이라는 고온의 열처리는 P형전극(1400)을 이루는 물질의 반사도 저하 및 오믹특성 악화와 같은 공정의 문제를 유발할 수 있다. 특히 Al-Ti 계열의 물질은 프리스탠딩(free standing) GaN 기판의 N-극성면(N-polar surface) 위에서 오믹접촉(ohmic contact)을 잘 형성하지 않는다는 문제점이 있었다.
또한, N형전극(1800)에 비해 N층(1700)은 큰 에너지 밴드갭을 가지므로, N형전극(1800)과 접촉부위에서 접촉저항이 높아지며, 이로 인해 소자의 동작전압이 커지는 문제점이 있다. 여기서 높은 동작전압에 따라 발열량이 증가되는 문제도 있다.
한편, 종래의 희생기판을 사용하지 않고 GaN기판 상에 N형전극을 형성하는 공정을 이용할 수도 있었다. 여기서 GaN기판은 Si를 도핑하여 도전성기판으로써 역할을 할 수 있다.
구체적으로, 종래 Ti/Al 또는 Al/Ti을 GaN 기판 위에 증착 후, 이를 600℃ 이상의 고온에서 어닐링하여 N형전극(1800)의 오믹접촉을 형성하였다. 그리고 N형 전극이 형성된 GaN기판 면에 대응되는 GaN기판 면에 반도체층을 형성하였다. 이에 따라 전극형성 공정 후에 성막공정이 실시됨에 따라 공정이 복잡해지고, 번거로워지는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 열적손상을 방지하면서 오믹접촉된 전극을 형성하여 동작전압이 낮아진 발광 다이오드를 제공하는데 것을 그 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 성막 공정 후 오믹접촉 공정을 실시하면서도 열적 손상을 입지 않으면서 공정이 쉬워지는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양에 따른 수직형 발광 다이오드는 기판 상에 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체, 상기 반도체 적층 구조체 상에 형성되는 도전성기판 및 상기 도전성기판 상에 오믹접촉되어 형성되는 전극;을 포함하되, 상기 전극은, 상기 전극 및 상기 도전성기판에 레이저 스크라이빙하여 상기 전극에서 상기 도전성기판의 일부까지 관통시켜 형성되는 레이저 홈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈이 형성되는 상기 전극은, 와이어 본딩되는 전극패드과, 상기 전극패드에서 확장되어 형성되는 연장패드을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 및 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 복수의 평행한 그루브(groove) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 링 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 소정 간격으로 정렬된 점형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 불연속적인 점선 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 다수의 원형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 전극패드 상에 상기 레이저 홈을 채우는 도금층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 도전성기판은 질화물기판에 불순물이 도핑된 기판인 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 단면이 V컷 그루브(V-groove) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 전극패드와 상기 도전성기판 사이에 개재되고, 서로 굴절률이 다른 다수의 층으로 형성되는 반사층을 더 포함하며, 상기 반사층은 다수의 링 패턴으로 배치되어 그 표면이 거칠기 형성되고, 상기 전극패드가 상기 도전성기판에 홀딩되는 것을 특징으로 한다.
상기 전극패드와 상기 제2반도체층 사이에 개재되고, 서로 굴절률이 다른 다수의 층으로 형성되는 반사층 및 상기 제2반도체층 상에 배치되는 투명전극층;을 더 포함하되, 상기 투명전극층은 상기 반사층을 커버하고, 상기 전극패드과 상기 제2반도층 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 전극패드는 n형 전극패드 또는 p형 전극패드로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 태양에 따른 수직형 발광 다이오드 제조방법은 도전성기판 상에 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 순차적을 형성하여 반도체 적층 구조체를 형성하고, 상기 반도체 적층 구조체 상에 전극을 형성하는 제1단계, 상기 전극에 레이저 스크라이빙하여 상기 전극에서 상기 도전성기판의 일부까지 관통시켜 형성되는 레이저 홈을 형성하는 제 2단계 및 상기 레이저 홈을 채우며 상기 전극 상에 형성되는 도금층을 형성하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈이 형성되는 상기 전극은, 와이어 본딩되는 전극패드과, 상기 전극패드에서 확장되어 형성되는 연장패드을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 스크라이빙은, 상기 전극과 상기 도전성기판 사이의 오믹접촉을 위해 열전달을 하는 것을 특징으로 한다.
제 2단계 전에, 상기 전극패드 상에 도전성기판을 부착하는 단계, 상기 도전성기판에 접촉형성되는 전극패드을 형성하는제 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
제 3단계의 상기 전극패드를 형성하기 전에, 상기 도전성기판 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 및 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 복수의 평행한 그루브(groove) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 링 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 소정 간격으로 정렬된 점형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 불연속적인 점선 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 다수의 원형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 전극패드는 n형 전극패드 또는 p형 전극패드로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 발광 다이오드는 레이저를 이용하여 국부적으로 열전달할 수 있기 때문에 전극이 오믹접촉을 할 수 있게 되고, 이에 따라 동작전압이 낮아져 발열량이 감소하는 효과가 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 발광 다이오드 제조방법은 열처리 공정이 아닌 레이저 스크라이빙을 하기 때문에 반도체층의 열적손상을 방지할 수 있고, 성막공정 후 전극의 오믹접촉 공정을 실시함으로써 공정이 용이한 효과가 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극영역을 도시한 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 A-A'에 따른 단면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 3의 B-B'에 따른 단면도들이다.
도 6a 내지 도 7b는 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드의 레이저홈의 다양한 실시예를 도시한 도면들이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 제1전극패드에 형성되는 레이저홈의 평면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 연장패드를 도시한 평면도들이다.
도 8은 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드의 접착력이 향상된 전극패드의 사시도이다.
도 9는 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드의 접착력이 향상된 전극패드의 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 수직형 발광 다이오드의 제조방법을 도시한 순서도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
먼저, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 수직형 발광 다이오드에 대해서 설명한다. 본 실시예들에 있어서, 가장 큰 특징을 보이는 질화갈륨(GaN)계 반도체를 포함하는 수직형 발광 다이오드에 대해서 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 발광 다이오드에 이용될 수 있다. 예를 들면, 수직형 발광다이오드뿐만 아니라 메사구조의 수평형 발광다이오드에 이용할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극영역을 도시한 평면도이다. 여기서 실시예로서 레이저홈이 형성된 제1전극을 예를 들어 설명하지만 제2전극에도 동일한 구조의 레이저 홈을 형성할 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드(10)는 기판(180) 상에 형성된 제2반도체층(130), 활성층(120), 제1반도체층(110)이 순차적으로 형성된 반도체 적층 구조체(100)를 포함하며 또한, 제1반도체층(110) 상에 형성되는 도전성기판(80), 제1전극(50) 및 제2반도체층(130)과 기판(180) 사이에 형성되는 제2전극(150)을 포함할 수 있다. 그리고 제2전극(150)와 기판(180) 사이에는 접착층(160)에 더 형성할 수 있다. 여기서 제1, 2전극(50, 150)은 패드부에 형성되는 전극패드일 수 있으며, 이하 전극패드으로 설명한다.
우선, 기판(180)은 사파이어 기판, AlN기판, GaN 기판, SiC 기판, Si 기판 등과 같은 성장기판일 수 있으며, 전기전도도를 갖는 도전성 기판일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드(10)는 기판(180)과 제2전극패드(150) 사이에 접착층(160)을 형성하여 접착할 수도 있고, 발광 효율을 향상시키기 위해 기판(180)으로 향하는 광을 반사시키기 위해 반사층(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 그리고 제2반도체층(130)은 제2전극패드(150)와 접촉형성되게 형성할 수 있다.
제1반도체층(110), 제2반도체층(130), 활성층(120)은 질화물계 반도체로 형성할 수 있으며, 예컨대 언도프 GaN또는 InN 등과 같은 2성분계, AlGaN 또는InGaN 등과 같은 3성분계, AlInGaN과 같은 4성분계 질화물 반도체일 수 있고, n형 또는 p형으로 도핑되거나, 미도핑된 질화물계 반도체로 특별히 한정하지 않는다.
한편, 제1반도체층(110) 상에는 도전성기판(80)이 형성된다. 도전성기판(80)은 GaN으로 형성할 수 있으며, 도전성을 갖는 물질로 형성하기 위해 GaN에 불순물을 도핑할 수 있다. 이때 불순물로 예를 들어, Si이 1x1017 내지 1x1018 cm-3의 저농도로 N형 불순물을 주입시켜 N형의 도전성기판으로 형성할 수 있다. 여기서 도전성기판(80)은 특별히 한정하지 않으며 N형의 도전성을 갖는 기판이면 된다.
도전성기판(80) 상에 제1전극패드(50)를 형성할 수 있다. 제1전극패드(50)는 금(Au), 알루미륨(Al), 타이타늄(Ti) 및 이들의 혼합물 중 어느 하나로 형성할 수 있다.
이와 같이, 전극패드(50, 150)를 수직구조를 갖도록 형성함으로써 발광효율이 개선된 수직형 발광 다이오드(10)를 형성할 수 있다.
다시 도 2b를 참조하면, 도 2b의 구조는 도 2a 구조와 제2전극패드(150)의 배치에 차이가 있다.
반도체 적층 구조체(100)의 제2반도체층(150) 하부에 금속반사층(190)을 형성할 수 있다. 이는 활성층(120)에서 발광된 빛이 반사할 수 있도록 배치할 수 있다. 그리고 제2도전성기판(88)이 마련되고 제2도전성기판(88) 상에 제2전극패드(150)를 형성한다. 그리고 제2전극패드(150)가 형성된 반대 면에 접착층(160)을 형성하여 금속반사층(190)과 제2도전성기판(88)을 접착시켜 수직형 발광 다이오드(10)를 형성할 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광다이오드(10)는 전극패드(50, 150)와 도전성기판(80, 88)의 오믹접촉을 하기 위해서, 전극패드를 포함한 도전성기판에 레이저 스크라이빙을 이용하여 레이저 홈(미도시)을 형성한다.
이때, 상기 레이저 스크라이빙에 의하여 전극패드(50, 150)와 도전성기판(80, 88)에 열 및 플라즈마(Plasma)가 발생되는데, 이때, 플라즈마는 열에너지로 전환되고 이러한 열에너지가 전극패드(50, 150) 및 도전성기판(80, 88)에 전달되어 도전성기판(80, 88) 내의 도핑된 Si 불순물을 안정화시켜 전극패드(50, 150)와 도전성기판(80, 88) 계면의 일함수를 조정하여 쇼트키 장벽을 낮추어 오믹 특성, 즉, 오믹접촉을 개선할 수 있다.
이때, 상기 레이저 홈의 깊이는 레이저 스크라이빙을 이용하여 조절 가능하다.
도 3을 참조하면, 반도체 적층 구조체(100) 상에 형성되는 도전성기판(80) 상에는 전극패드(50)가 형성되어 있다. 그리고 반도체 적층 구조체(100)의 제2반도체층(130)에도 전극패드(150)가 형성된다. 이때, 도전성기판(80) 사이에 형성된 전극은 제1전극패드(50)이고, 제2반도체층(130)에 접하는 제2전극패드(150)로 정의한다.
여기서 제2전극패드(150)는 제2반도체층(130)과 기판에 대응되는 전면에 형성될 수 있고, 제1전극패드(50)는 도전성기판(80) 상에 도 3과 같이 형성될 수 있다.
제1전극은 제1전극패드(50)와 제1전극패드(50)에 연장되어 형성되는 연장패드(250)을 구비할 수 있다. 제1전극패드(50)는 연장패드(250)이 없이 형성할 수도 있다. 제1전극패드(50)와 연장패드(250)에는 레이저를 통해 형성된 레이저홈(200)을 포함한다. 이때 레이저홈(200)은 제1전극패드(50), 연장패드(250) 모두에 형성될 수 있다. 또는 연장패드(250) 상에만 형성될 수 있고, 또한 제1전극패드(50)에만 형성될 수도 있다. 여기에서는 일 실시예로 제1전극패드(50)와 연장패드(250) 모두에 형성된 것을 도시한다. 또한, 연장패드(250)은 도시된 바와 같이, 제1전극패드(50)에 연장된 4개의 연장패드(250)을 형성할 수도 있으나, 형상에 대해서 한정하지 않으며, 도전성기판(80)과 제1전극패드(50)에 열을 전달할 수 있는 형상이면 어떠한 형상으로도 가능하다.
그리고 연장패드(250)은 레이저 스크라이빙되는 레이저홈(200)을 포함할 수 있다. 이때, 레이저로 레이저홈(200)을 형성하면서 도전성기판(80)과 제1전극패드(50)에 열을 전달할 수 있게 된다. 다시 말해, 레이저로 인해 플라즈마(Plasma)가 발생되는데 이때 플라즈마는 열에너지로 전환되고, 이러한 열에너지는 도전성기판(80)과 제1전극패드(50)에 전달된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드(10)는 레이저를 이용하여 도전성기판(80)과 제1전극패드(50)에 국부적으로 열을 제공해 도전성기판(80)에 제1전극패드(50)가 오믹접촉할 수 있게 된다.
따라서 상기 도전성기판(80)에 제1전극패드(50)를 오믹접촉하게 형성함으로써 동작전압을 낮출 수 있게 된다. 또한 낮아진 동작전압으로 발광다이오드의 발열량을 줄일 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 A-A'에 따른 단면도들이고, 도 5a 및 도 5b는 도 3의 B-B'에 따른 단면도들이다. 여기서 도 2a 내지 4b를 인용하여 설명하기로 한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 레이저홈(200)은 연장패드(250) 및/또는 제1전극패드(50)를 관통하여 도전성기판(80)의 일부까지 형성되어 있다. 여기서 레이저홈(200)의 단면은 V컷 그루브(V-Groove) 형상으로 형성될 수 있다.
그리고 제1전극패드(50) 및 연장패드(250) 상에는 도금층(55)이 더 형성될 수 있다. 도금층(55)은 레이저홈(200)으로 형성되는 V컷 그루브 형상의 홈을 채울 수 있다.
제1전극패드(50)에서 도전성기판(80)의 일부까지 레이저 스크라이빙하여 레이저홈(200)을 형성함으로써 레이저로 인해 발생되는 열 에너지가 도전성기판(80) 및 제1전극패드(50)에 제공되어 제1전극패드(50)가 도전성기판(80)에 오믹접촉할 수 있게 된다. 이때, 레이저홈(200)은 도전성기판(80)의 내부방향으로 홈의 깊이 조절이 가능하며 바람직하게, 20㎛ 내지 30㎛의 깊이까지 형성하는 것이 바람직하다.
종래에는 제1전극패드(50)은 도전성기판(80)에 오믹접촉을 하기 위해서 600℃ 이상에서 고온의 열처리를 해야했다. 그러나 오믹접촉을 위해 고온에서 열처리를 하게 되면 반도체 적층 구조체(100)에 형성된 물질에 악영향을 주어 소자 전체의 품질을 저하시키는 요인이 될 수 있다.
그러나 본 발명에서와 같이, 레이저를 통해 국부적으로 열을 제1전극패드와 도전성기판에 전달함으로써 종래의 문제점을 해결할 수 있다.
이와 같이, 도전성기판(80)에 제1전극패드(50)를 오믹접촉하게 형성함으로써 동작전압을 낮출 수 있게 된다. 또한 낮아진 동작전압으로 발광다이오드의 발열량을 줄일 수 있다.
한편, 도 4b를 참조하면, 제1전극패드(50)와 도전성기판(80) 사이에 개재되는 반사층(600)을 더 구비할 수 있다. 반사층(600)은 굴절률이 서로 다른 다수의 층으로 형성되어 빛을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 광 입사면에서 전반사되어 반도체 적층 구조체(100) 방향으로 되돌아 오는 빛을 다시 반사함으로써 열화를 방지할 수게 된다. 게다가 반사층(600)의 구조로 인하여 도전성기판(80)과 제1전극패드(50)의 접착력을 향상시킬 수 있다. 접착력이 향상된 구조는 추후 도 8 및 도 9에서 설명하기로 한다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 제1전극은 제1전극패드(50)가 형성된 패드영역(Pad Area: PA)과 연장패드(250)가 형성된 연장영역(Extenstion Area; EA)으로 형성되어 있다.
패드영역(PA)은 외부에서 전기신호를 입력할 수 있도록 와이어 본딩으로 연결되는 영역으로 제1전극패드(50)가 본딩물질과 접촉하는 영역이다.
연장영역(EA)은 제1전극패드(50)에 직접 레이저홈(200)을 형성하게 되면 와이어 본딩되는 접촉면적이 줄어들 수 있기 때문에 연장패드(250)를 형성시켜 본딩면적을 확보할 수 있다.
이와 같이, 레이저홈(200)을 제1전극패드(50)와 연장패드(250)를 형성할 때, 상기 연장패드(250)는 제1전극패드(50)와 동일한 높이로 형성할 수도 있고, 또는 서로 다른 높이로 형성될 수 있다.
동일한 높이로 형성될 때는 제조 시에 제1전극패드(50)와 연장패드(250)를 동시에 형성할 수도 있어 공정이 쉬워질 수도 있다. 또는 서로 다른 높이로 형성할 때는 서로 다른 공정으로 형성할 수 있으며 이때, 서로 다른 공정으로 할 때, 서로 다른 물질로 연장패드(250)을 형성하여 레이저 스크라이빙 공정 시 열전달이 용이한 물질을 사용할 수도 있다.
그리고 연장영역(EA)의 레이저홈(200)은 도시된 바와 같이, 단면으로 인해 넓게 도시되는데 여기서, 연장패드(250)에 형성된 레이저홈(200)의 단면도 패드영역(PA)의 레이저홈(200)과 같이 V컷 그루브 형상으로 형성될 수 있다.
여기서, 제1전극패드(50) 및 연장패드(250) 상에는 도금층(55)이 형성된다. 이때 도금층(55)은 연장영역에서 연결되도록 형성할 수도 있고, 연결이 되지 않도록 형성될 수도 있다.
이와 같이, 레이저를 이용하여 도전성기판(80)과 제1전극패드(50)에 국부적으로 열을 제공해 도전성기판(80)에 제1전극패드(50)이 오믹접촉할 수 있게 된다.
따라서, 도전성기판(80)에 제1전극패드(50)를 오믹접촉하게 형성함으로써 동작전압을 낮출 수 있게 된다. 또한 낮아진 동작전압으로 발광다이오드의 발열량을 줄일 수 있다.
도 6a 내지 도 7b는 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드의 레이저홈의 다양한 실시예를 도시한 도면들이다. 도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 제1전극패드에 형성되는 레이저홈의 평면도들이고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 연장패드를 도시한 평면도들이다. 여기서 중복 설명을 회피하기 위해 도 2a 내지 도 5b를 인용하여 설명하기로 한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제1전극패드(50) 상에 레이저홈(200)이 형성된다. 제1전극패드(50)에 직접 레이저 스크라이빙하여 제1전극패드(50)가 도전성기판(80)에 오믹접촉할수 있게 된다.
레이저 스크라이빙하여 형성된 레이저홈(200)은 제1전극패드(50)에서 도전성기판(80)의 일부까지 관통하여 형성됨으로써 제1전극패드(50) 및 도전성기판(80)에 열을 전달할 수 있다. 레이저 홈(200)을 제1전극패드(50) 상에 직접 형성함으로써 레이저로 인해 발생되는 열이 제1전극패드(50)와 도전성기판(80)에 직접 전달되어 안전성 있는 오믹접촉을 할 수 있다.
여기서 레이저홈(200)이 제1전극패드(50) 상에 링 형상으로 형성될 수 있고, 소정의 간격으로 배치된 복수의 점형상으로 형성할 수도 있다. 그리고 레이저홈(200)에 형성되는 V컷 그루브를 채우는 도금층(55)을 더 형성하여 도금층(55)을 통해 V컷 그루브로 쇼트된 영역을 연결하여 본딩 접촉면적을 확보할 수 있다.
이처럼 제1전극패드(50) 상에 직접 레이저홈(200)을 형성할 수 있음에 따라 도전성기판(80)에 제1전극패드(50)가 안정성 있게 오믹접촉하면서, 레이저홈(200)을 용이한 깊이조절 및 다양한 형상으로 형성할 수 있으므로 레이저 스크라이빙에 따른 형상의 제약이 없어 공정이 쉬워지는 효과가 있다.
한편, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제1전극패드(50)에 연장된 연장패드(250)가 형성된다. 연장패드(250)는 레이저 스크라이빙 공정을 통해서 점형상으로 형성된 레이저홈(200)을 가질 수 있다. 또는, 소정의 간격을 이루며 원형의 레이저홈(200)을 갖도록 배치할 수도 있다.
이와 같이, 연장패드(250)에 레이저홈(200)을 형성하여 본딩되는 영역인 제1전극패드(50)의 본딩면적을 확보할 수 있게 된다.
도 8은 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드의 접착력이 향상된 전극패드의 사시도이고, 도 9는 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드의 접착력이 향상된 전극패드의 단면도이다. 여기서 중복설명을 회피하면서 용이한 설명을 위해 도 2a 내지 도 7b를 인용하여 설명하기로 한다.
여기까지 제1전극패드(50)를 일 실시예로 설명하였지만 제1전극패드(50)에 한정하지 않으며 제2전극패드(150)에도 실시할 수 있다. 이에 따라 이하는 제1전극패드(50)와 제2전극패드(150)를 전극패드(50, 150)로 통칭하기로 한다.
그리고 여기서는 레이저홈(200)으로 전극이 오믹접촉하는 것은 도 2a 내지도 7b에서 설명한 것을 참조하며, 이하는 전극이 갖는 접착력에 대해 설명하기로 한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 도전성기판(80)과 제1전극패드(50) 사이에 굴절률이 서로 다른 다수 층으로 형성되는 반사층(600)을 더 포함할 수도 있다. 또는 제2반도체층(130)과 제2전극패드(150) 사이에 반사층(600)이 형성될 수도 있다.
그리고 도전성기판(80)과 제1전극패드(50) 사이에, 또는 제2반도체층(130)과 제2전극패드(150) 사이에 투명전극층(60)을 더 포함할 수 있다. 여기서 투명전극층(60)은 선택적으로 도전성기판(80)의 전면에 형성될 수도 있고, 일부의 영역에만 형성될 수도 있다. 또는 투명전극층(60)은 선택적으로 생략할 수도 있다. 투명전극층(60)은 ITO(Indium-Tin-Oxide)로 형성할 수 있다.
여기서 레이저홈(200)은 제2전극패드(150), 투명전극층(60) 및 제2반도체층(130)을 관통하여 형성될 수 있다. 또는 도 2b에서와 같이, 레이저홈(200)이 제2전극패드(150), 투명전극층(60) 및 제2도전성기판(88)을 관통하여 형성될 수 있다. 이때, 레이저홈(200)은 레이저 스크라이빙 영역을 제어하여 반사층(600)이 형성되지 않는 영역에 형성할 수 있다. 그리고 레이저홈(200)의 홈을 채우는 도금층(55)을 더 형성할 수 있다.
한편, 반사층(600)은 예를 들어, 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층이 교번하여 다수층으로 적층하여 DBR(Distributed Bragg Reflector)의 기능을 수행하도록 형성될 수 있다. 상기 DBR(Distributed Bragg Reflector)는 발광 기능, 광 검출 기능, 광 변조 기능 등을 포함하는 각종 발광소자에서 높은 반사율을 필요로 하는 경우에 사용되고 있다.
상기 DBR은 굴절율이 서로 다른 2 종류의 매질을 교대로 적층하여, 그 굴절율의 차이를 이용하여 광을 반사하는 반사경이다. 반사층(600)에 사용할 수 있는 절연물질로는 예를 들어 SiOx, SiNx, SixNy, SiONx 중에서 선택가능하며, 예를 들어 화학기상증착법 또는 스퍼터링을 통해 형성할 수 있다. 또한, 반사층(600)에 사용할 수 있는 도전성 물질로는 예를 들어, Al, Ag, Pt, Pd, Au, Rh 또는 Al 합금, Ag 합금, Pt 합금, Pd 합금, Au 합금, Rh 합금 중에서 선택될 수 있다.
이와 같이, 반사층(600)을 더 마련함으로써 발광 다이오드의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 제2전극패드(150) 상에는 추후에 와이어 본딩되는 본딩 영역으로 본딩공정할 때 제2전극패드(150)가 박리되는 현상이 발생할 수 있다. 즉, 제2전극패드(150)와 제2반도체층(130) 사이에 접착력이 중요한 영역이다. 또는 도 2b에서 같이, 제2전극패드(150)와 제2도전성기판(88) 사이에 접착력이 중요한 영역이다. 또한, 제1전극패드(50)도 도전성기판(80)과의 접착력 관계가 상기와 같을 수 있다.
이때, 반사층(600)의 두께로 인해 도전성기판(80)의 표면은 거칠기(roughness)를 갖으며 또는, 반사층(600) 상에 형성되는 투명전극층(60)은 거칠기(roughness)를 갖는다. 이러한 거칠기는 그 표면 상에 형성되는 물질과 접착력을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 이러한 표면에 형성되는 거칠기는 광추출 효율을 향상시킬 수 있게 된다. 이와 같이, 거칠기가 형성된 도전성기판(80) 표면 또는 투명전극층(60) 표면은 그들 상에 형성되는 전극패드(50, 150)와 접착력이 향상될 수 있다.
게다가 반사층(600)을 링 형상 등으로 형성한다. 링 형상으로 형성되는 반사층(600)에 의해 전극패드(50, 150)는 내부에서 반사층(600)이 전극패드(50, 150)를 홀딩하는 구조로 형성될 수 있다. 이와 같이, 홀딩 구조로 형성되는 도전성기판(80)과 전극패드(50, 150) 간의 접착력이 향상될 수 있게 된다.
더욱이, 투명전극층(60)은 전극패드(50, 150)의 측면을 둘러싸는 그립(Grip)형상으로 도전성기판(80) 상에 형성될 수 있다. 전극패드(50, 150) 주변에 형성되는 투명전극층(60) 또한 외부에서 전극패드(50, 150)를 잡아주는 그립 구조로 형성되기 때문에 접착력은 더욱 향상될 수 있다.
따라서, 투명전극층(60) 상에 형성되는 전극패드(50, 150)는 투명전극층(60)과 접착력이 향상될 수 있다. 나아가 도전성기판(80) 및/또는 제2반도체층(130)과도 접착력이 향상되어 전극패드(50, 150)가 박리되거나 일부 접촉불량으로 인한 동작전압 상승을 방지할 수 있다. 즉, 전극패드(50, 150)의 접착력 향상으로 동작전압을 낮출 수 있다. 또한 접촉불량으로 인해 발생되는 발열량 또한 줄일 수 있게 된다.
도 10은 본 발명에 따른 수직형 발광 다이오드의 제조방법을 도시한 순서도이다. 여기서 용이한 설명을 위해 도 2a 내지 9를 인용하여 설명하기로 한다. 여기서는 2a의 수직형 발광 다이오드를 예를 들어 설명한다.
먼저, S1 단계에서는 수직형 발광 다이오드(10)를 형성하기 위해 도전성기판(80) 상에 제1반도체층(110), 활성층(120), 제2반도체층(130)이 순차적으로 형성된 반도체 적층 구조체(100)를 형성한다. 그리고 반도체 적층 구조체(100) 상에 전극(50,150)을 형성한다. 이때, 전극(50, 150)은 제1전극패드(50)와 제2전극패드(150)를 형성하는데 제1전극패드(50)는 도전성기판(80) 상에 형성될 수 있고, 제2전극패드(150)는 제2반도체층(130) 상에 형성될 수 있다. 여기서 제1전극패드(50)는 반도체 적층 구조체(100)가 형성된 면에 대향하는 면에 형성할 수 있다.
그리고 제2전극패드(150) 상에 기판(180)을 부착시키는 단계를 실시한다. 여기서 기판(180)과 제2전극패드(150)를 부착하기 위해 접착층(160)을 더 형성할 수 있다. 그리고 상기 접착층(160)과 제2전극패드(150) 사이에는 금속반사층 등의 반사부재층(참조 도 2b의 190)을 더 형성할 수도 있다.
그리고 제1전극패드(50)를 형성하기 전에 반사층(600)을 더 형성할 수 있다. 반사층(600)은 패드영역(PA)에 링 형상으로 형성하고, 그 위에 제1전극패드(50)를 형성함으로써 반사층(600)이 제1전극패드(50)를 홀딩하는 형상이 될 수 있다. 이에 따라 제1전극패드(50)와 도전성기판(80) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.
S2단계에서는 제1전극패드(50)에 레이저 스크라이빙하여 레이저홈(200)을 형성한다. 레이저홈(200)은 제1전극패드(50)에서 도전성기판(80) 표면의 일부까지 관통형성한다. 여기서 제2전극패드 또한 레이저 스크라이빙하여 오믹접촉을 시킬 수 있다. 이때, 제2전극패드는 접착으로 기판을 부착시키기 전에 레이저 스크라이빙 공정을 실시하여 형성한다.
이처럼 제1전극패드(50) 및 도전성기판(80)의 일부까지 레이저 스크라이빙하여 제1전극패드(50)와 도전성기판(80)에 열을 전달할 수 있게 된다. 전달된 열은 도전성기판(80)에 제1전극패드(50)가 오믹접촉을 할 수 있게 한다.
S3단계에서는 레이저홈(200)을 포함하는 제1전극패드(50) 상에 도금층(55)을 형성한다. 도금층(55)은 금(Au)등을 사용하여 형성할 수 있다. 이때 도금층(55)은 전해방식 및 무전해 방식 등으로 형성할 수 있다.
여기서 종래에는 도전성기판 상에 반도체 적층 구조체를 형성하기 전에 제1전극패드를 먼저 형성하였다. 이는 도전성기판과 제1전극패드가 오믹접촉하기 위해서 600℃ 이상의 온도에서 오믹접촉 공정을 실시하게 되는데 600℃ 이상의 온도에서 공정을 실시하게 되면 반도체 적층 구조체의 물질에 악영향을 주어 품질의 저하가 발생할 수 있기 때문이다.
그러나 본 발명에서는 레이저 스크라이빙 공정을 통해 제1전극패드를 형성한 후 레이저 스크라이빙을 실시함으로써 공정이 용이해 진다.
이와 같이, 수직형 발광 다이오드 제조방법은 열처리 공정이 없기 때문에 반도체층의 열적손상을 방지할 수 있고, 전극을 형성한 후 레이저 스크라이빙 공정으로 전극의 오믹접촉 공정을 실시함으로써 공정이 용이한 효과가 있다.
10: 수직형 발광 다이오드 50: 제1전극패드
60: 투명전극층 80: 도전성기판
100: 반도체 적층 구조체 110: 제1반도체층
120: 활성층 130: 제2반도체층
150: 제2전극패드 180: 기판
200: 레이저 홈 250: 연장패드
600: 반사층

Claims (32)

  1. 기판 상에 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체;
    상기 반도체 적층 구조체 상에 형성되는 도전성기판; 및
    상기 도전성기판 상에 오믹접촉되어 형성되는 전극;을 포함하되,
    상기 전극은,
    상기 전극 및 상기 도전성기판에 레이저 스크라이빙하여 상기 전극에서 상기 도전성기판의 일부까지 관통시켜 형성되는 레이저 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 홈이 형성되는 상기 전극은,
    와이어 본딩되는 전극패드와;
    상기 전극패드에서 확장되어 형성되는 연장패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 및 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 복수의 평행한 그루브(groove) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 링 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 소정 간격으로 정렬된 점형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 불연속적인 점선 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 다수의 원형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 전극패드 상에 상기 레이저 홈을 채우는 도금층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성기판은 질화물기판에 불순물이 도핑된 기판인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 단면이 V컷 그루브(V-groove) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  13. 제 2항에 있어서,
    상기 전극패드와 상기 도전성기판 사이에 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 반사층은 서로 굴절률이 다른 다수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 반사층은 다수의 링 패턴으로 배치되어 그 표면에 거칠기(roughness)가 형성되고, 상기 전극패드가 상기 도전성기판에 홀딩되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  16. 제 2항에 있어서,
    상기 전극패드와 상기 제2반도체층 사이에 개재되고, 서로 굴절률이 다른 다수의 층으로 형성되는 반사층; 및
    상기 제2반도체층 상에 배치되는 투명전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 투명전극층은 상기 반사층을 커버하고, 상기 전극패드과 상기 제2반도층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 투명전극층은 상기 반사층에 의해 노출된 제2반도체층을 제외한 상기 전극패드 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  19. 제 2항에 있어서,
    상기 전극패드는 n형 전극패드 또는 p형 전극패드로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  20. 도전성기판 상에 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 순차적을 형성하여 반도체 적층 구조체를 형성하고, 상기 반도체 적층 구조체 상에 전극을 형성하는 제1단계;
    상기 전극에 레이저 스크라이빙하여 상기 전극에서 상기 도전성기판의 일부까지 관통시켜 형성되는 레이저 홈을 형성하는 제 2단계; 및
    상기 레이저 홈을 채우며 상기 전극 상에 형성되는 도금층을 형성하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈이 형성되는 상기 전극은,
    와이어 본딩되는 전극패드와;
    상기 전극패드에서 확장되어 형성되는 연장패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  22. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙은,
    상기 전극과 상기 도전성기판 사이의 오믹접촉을 위해 열전달을 하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  23. 제 20항에 있어서,
    제 2단계 전에,
    상기 전극패드 상에 도전성기판을 부착하는 단계;
    상기 도전성기판에 형성되는 전극패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  24. 제 20항에 있어서,
    제 3단계의 상기 전극패드를 형성하기 전에,
    상기 도전성기판 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  25. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 및 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  26. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  27. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 복수의 평행한 그루브(groove) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  28. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 링 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  29. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 전극패드 상에 소정 간격으로 정렬된 점형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  30. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 불연속적인 점선 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  31. 제 20항에 있어서,
    상기 레이저 홈은 상기 연장패드에 다수의 원형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  32. 제 20항에 있어서,
    상기 전극패드는 n형 전극패드 또는 p형 전극패드로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
KR20120144514A 2012-12-12 2012-12-12 발광다이오드 및 그 제조방법 Withdrawn KR20140076204A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120144514A KR20140076204A (ko) 2012-12-12 2012-12-12 발광다이오드 및 그 제조방법
US14/098,687 US9041038B2 (en) 2012-12-12 2013-12-06 Light-emitting diode and method of fabricating the same
EP13196919.8A EP2743997B1 (en) 2012-12-12 2013-12-12 Light-emitting diode
EP14162119.3A EP2750207B1 (en) 2012-12-12 2013-12-12 Method of fabricating a light-emitting diode
JP2013256795A JP6220252B2 (ja) 2012-12-12 2013-12-12 発光ダイオード及びその製造方法
US14/721,224 US9202984B2 (en) 2012-12-12 2015-05-26 Light-emitting diode and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120144514A KR20140076204A (ko) 2012-12-12 2012-12-12 발광다이오드 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140076204A true KR20140076204A (ko) 2014-06-20

Family

ID=49753087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20120144514A Withdrawn KR20140076204A (ko) 2012-12-12 2012-12-12 발광다이오드 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9041038B2 (ko)
EP (2) EP2743997B1 (ko)
JP (1) JP6220252B2 (ko)
KR (1) KR20140076204A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140076204A (ko) * 2012-12-12 2014-06-20 서울바이오시스 주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
DE102014115740A1 (de) * 2014-10-29 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
CN107408606B (zh) * 2015-03-30 2019-12-13 索尼半导体解决方案公司 发光元件、发光单元、发光面板装置及驱动发光面板装置的方法
DE102015120323A1 (de) 2015-11-24 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden Schichtenfolge
DE102017117613A1 (de) 2017-08-03 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102021129107A1 (de) * 2021-11-09 2023-05-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauteil

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58207652A (ja) * 1982-05-28 1983-12-03 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
WO2000050198A1 (fr) * 1999-02-25 2000-08-31 Seiko Epson Corporation Procede d'usinage de pieces par faisceau laser
JP2002016312A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子およびその製造方法
CN101685823B (zh) * 2004-02-20 2012-04-18 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件及其制造方法以及具有多个光电组件的装置
KR100576870B1 (ko) * 2004-08-11 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP4449919B2 (ja) * 2006-02-16 2010-04-14 住友電気工業株式会社 発光装置の製造方法
JP4276684B2 (ja) * 2007-03-27 2009-06-10 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
KR20100099573A (ko) * 2009-03-03 2010-09-13 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조방법
KR101055768B1 (ko) * 2009-12-14 2011-08-11 서울옵토디바이스주식회사 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
JP5381853B2 (ja) * 2010-03-26 2014-01-08 豊田合成株式会社 半導体発光素子
KR101138951B1 (ko) * 2010-08-23 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드
US8975615B2 (en) * 2010-11-09 2015-03-10 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material
DE202011111091U1 (de) * 2010-11-18 2019-08-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld
JP2012142508A (ja) * 2011-01-06 2012-07-26 Hitachi Cable Ltd 半導体素子用ウェハ
TWI529963B (zh) * 2011-07-25 2016-04-11 廣鎵光電股份有限公司 發光元件結構
KR20140076204A (ko) * 2012-12-12 2014-06-20 서울바이오시스 주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP6220252B2 (ja) 2017-10-25
EP2750207A3 (en) 2015-12-09
EP2743997A3 (en) 2015-12-09
EP2750207B1 (en) 2018-10-17
US9202984B2 (en) 2015-12-01
US20150255679A1 (en) 2015-09-10
US20140159089A1 (en) 2014-06-12
EP2743997B1 (en) 2018-05-02
JP2014120776A (ja) 2014-06-30
US9041038B2 (en) 2015-05-26
EP2743997A2 (en) 2014-06-18
EP2750207A2 (en) 2014-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9401456B2 (en) Light-emitting diode with improved light extraction efficiency
KR101081135B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US8288781B2 (en) Light emitting device and method of fabricating the same
US9455378B2 (en) High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same
US9356213B2 (en) Manufacturing method of a light-emitting device having a patterned substrate
JP6347600B2 (ja) 高効率発光ダイオード
US9202984B2 (en) Light-emitting diode and method of fabricating the same
KR20190017650A (ko) 발광 다이오드
KR102111140B1 (ko) 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20120001434A (ko) 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101873556B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR20120055332A (ko) 발광소자 및 발광소자 패키지
KR101138978B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101722633B1 (ko) 발광소자의 제조방법
KR101158077B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20120016831A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR101681573B1 (ko) 발광소자의 제조방법
WO2024044466A1 (en) Light-emitting diode chip structures
KR101746011B1 (ko) 발광소자
KR20110105997A (ko) 고효율 발광 다이오드
KR20120033294A (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20120045534A (ko) 발광소자
KR20120040125A (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20121212

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid